JP2018517286A5 - 静電クランプ - Google Patents

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これらの実施形態の両方において、上部誘電層210の底面213は、平面であり、平面でもあるベース220の頂面221と接触する。上部誘電層210の底面213の直径は、ベース220の頂面221の直径より小さい。これにより、水平環状リング部分225がベース220の頂面221の上に存在することを可能にし、水平環状リング部分225の上にLEDアレイ240を配置することができる。LEDアレイ240は、半径方向に1つ以上の行を有することができ、水平環状リング部分225の円周の回りに延びることができる。上部誘電層210の側壁は、図2に示すように垂直にすることができ、又は、図3に示すように傾斜にすることができる。これらの実施形態の両方において、エッジシールド260は、LEDアレイ240及び上部誘電層210をイオンビームの突き当たりから保護するために、配置することができる。さらに、内部シールド270は、上部誘電層210をLEDアレイ240から放出される光及び熱から保護するために、用いることができる。LEDアレイ240のLEDは、半径方向外側に角度を変えることができる。LEDアレイ240のLEDの数は、どちらの実施形態によっても限定されない。コントローラ250は、ワークピース10の外縁の温度を調整するように、LEDアレイ240のLEDの照明を制御するために、用いることができる。コントローラ250は、オープンループ制御又はクローズドループ制御を用いることができる。
図5は、静電クランプ500の別の実施形態を示す。本実施形態において、上部誘電層210は、図3に対して記載したものと類似の傾斜側壁217を有する。言い換えれば、上部誘電層210の頂面212の直径は、上部誘電層210の底面213の直径より大きい。特定の実施形態において、傾斜側壁217は、ベース420の凹部頂面421に対し60°の角度を形成することができる。本実施形態において、ベース420の中の凹部425は、上部誘電層210の傾斜側壁217を収容できるように形成される。言い換えれば、凹部425の側壁426は、また、上部誘電層210を収容できるように傾斜にされる。ベース420は、その上に上部誘電層210が配置される凹部頂面421を有する。ベース420は、また、上部誘電層210を包囲する環状頂面422を有する。環状頂面422は、3mmと50mmとの間の幅を有することができる。環状頂面422は、上部誘電層210の頂面212の高さより低い高さにすることができる。言い換えれば、上部誘電層210の頂面212はワークピース10の底面と連通することができるが、一方、環状頂面422は、より低い高さに配置され、それ故に、環状頂面422とワークピース10の底面との間にギャップが存在する。環状頂面422とワークピース10の底面との間のギャップは、1mmと10mmとの間にすることができる。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110047796B (zh) * 2018-01-16 2021-10-01 亿力鑫系统科技股份有限公司 承载盘
KR20220040804A (ko) 2020-09-24 2022-03-31 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR20230098217A (ko) * 2020-11-11 2023-07-03 액셀리스 테크놀러지스, 인크. 공작물 온도 균일성 개선을 위한 하이브리드 고온 정전 클램프
KR20240046906A (ko) * 2021-08-18 2024-04-11 램 리써치 코포레이션 반도체 웨이퍼의 에지 영역의 복사 가열을 위한 장치들

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356384A (en) 1980-03-03 1982-10-26 Arnon Gat Method and means for heat treating semiconductor material using high intensity CW lamps
US5262870A (en) 1989-02-10 1993-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Image sensor in which reading and resetting are simultaneously performed
US6567257B2 (en) * 2000-04-19 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for conditioning an electrostatic chuck
US6878402B2 (en) 2000-12-06 2005-04-12 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for improved temperature control in atomic layer deposition
JP5013235B2 (ja) 2000-12-06 2012-08-29 株式会社アルバック イオン注入装置およびイオン注入方法
JP2003258305A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Oki Degital Imaging:Kk 半導体素子アレイ
JP4377169B2 (ja) * 2002-07-08 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP2006013211A (ja) 2004-06-28 2006-01-12 Canon Inc 温調装置および露光装置
JP3769584B2 (ja) * 2004-07-09 2006-04-26 積水化学工業株式会社 基材処理装置及び方法
US7283734B2 (en) 2004-08-24 2007-10-16 Fujitsu Limited Rapid thermal processing apparatus and method of manufacture of semiconductor device
KR101093324B1 (ko) 2005-05-30 2011-12-14 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드를 구비한 백라이트 유닛
JP4940635B2 (ja) 2005-11-14 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、熱処理装置及び記憶媒体
CN101101887A (zh) * 2006-07-06 2008-01-09 通用电气公司 抗腐蚀的晶片处理设备及其制造方法
US7966968B2 (en) 2007-04-27 2011-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Electroless plating apparatus with non-liquid heating source
KR100912837B1 (ko) * 2008-03-17 2009-08-18 참앤씨(주) 건식식각장치
JP2009228120A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、及び成膜方法
CN101754565B (zh) * 2008-12-03 2012-07-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种电极组件及应用该电极组件的等离子体处理设备
JP5394730B2 (ja) * 2008-12-26 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 アニール装置およびアニール方法
US8139340B2 (en) * 2009-01-20 2012-03-20 Plasma-Therm Llc Conductive seal ring electrostatic chuck
US8404499B2 (en) 2009-04-20 2013-03-26 Applied Materials, Inc. LED substrate processing
JP5526876B2 (ja) * 2010-03-09 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及びアニール装置
JP2012113951A (ja) 2010-11-24 2012-06-14 Canon Inc 表示装置およびそれを用いた映像情報処理装置
JP5254308B2 (ja) * 2010-12-27 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5732941B2 (ja) * 2011-03-16 2015-06-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
JP6285620B2 (ja) * 2011-08-26 2018-02-28 新光電気工業株式会社 静電チャック及び半導体・液晶製造装置
US9793144B2 (en) 2011-08-30 2017-10-17 Evatec Ag Wafer holder and temperature conditioning arrangement and method of manufacturing a wafer
CN103123906A (zh) 2011-11-18 2013-05-29 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法
CN103177996B (zh) 2011-12-22 2017-03-15 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法
US8987639B2 (en) 2012-09-05 2015-03-24 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic chuck with radiative heating
JP6086845B2 (ja) 2013-08-29 2017-03-01 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入装置及びイオン注入方法
US20140270731A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Thermal management apparatus for solid state light source arrays
US10403521B2 (en) 2013-03-13 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Modular substrate heater for efficient thermal cycling
CN103337457B (zh) 2013-05-29 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 退火装置和退火工艺
US9287148B1 (en) * 2014-12-18 2016-03-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dynamic heating method and system for wafer processing

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