CN105779960A - 沉积组件及半导体加工设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供的沉积组件及半导体加工设备，用于将晶片传递并固定在基座上，该基座通过作升降运动上升至工艺位置，或者下降至装卸位置；沉积组件包括沉积环、卡环和至少三个顶针，其中，至少三个顶针沿基座的周向分布，且在基座位于装卸位置时，至少三个顶针通过作升降运动贯穿沉积环，而使至少三个顶针的顶端所在平面高于或低于基座上表面；并且，在每个顶针的用于支撑晶片的承载面上设置有定位凸部，定位凸部用于在顶针支撑所述晶片时，阻挡该晶片沿其径向移动。本发明提供的沉积组件，其不仅可以限定晶片在顶针上的径向位置，而且还可以降低基座的加工难度，并避免因在基座上加工通孔而对基座冷却晶片的均匀性产生的不良影响。

Description

沉积组件及半导体加工设备

技术领域

本发明属于半导体设备制造技术领域，具体涉及一种沉积组件及等离子体加工设备。

背景技术

在集成电路、液晶显示器、薄膜太阳能和LED的制造领域，通常采用物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，以下简称PVD)技术进行在晶片上沉积金属层等材料的沉积工艺。在进行工艺的过程中，通常需要在反应腔室内设置承载装置(例如静电卡盘或者机械卡盘)来承载晶片，并利用顶针装置将晶片传递至静电卡盘或者机械卡盘上，然后利卡环固定晶片。

图1A为现有的沉积组件在处于工艺位置时的剖视图。图1B为现有的沉积组件在处于装卸位置时的剖视图。如图1A和图1B所示，沉积组件包括沉积环11、卡环12和顶针13。其中，基座10用于承载晶片14，并且基座10通过作升降运动，可上升至用于对晶片14进行工艺的工艺位置，或者下降至用于对晶片14完成取片/放片的装卸位置；沉积环11套制在基座10的外周壁上，用以保护基座10的外周壁不会被沉积金属等的靶材材料；卡环12用于在基座10位于工艺位置时，利用自身重力压住晶片14的边缘区域，如图1A所示；当基座10离开工艺位置时，卡环12与基座10相互分离，如图1B所示。此外，在基座10的上表面上设置有贯穿基座10厚度的至少三个通孔101，至少三个通孔101沿基座10的周向分布；顶针13的数量与通孔101的数量相对应，且一一对应地设置于基座10的下方。当基座10位于装卸位置时，顶针13通过作升降运动，可使其顶端高于或者低于基座10上表面。

将晶片14传输至工艺位置的过程为：基座10位于装卸位置，顶针13的顶端低于基座10上表面；机械手(图中未示出)将晶片14传输至基座10的上方；顶针13上升至高于基座10上表面的位置处，并在此过程中顶起机械手上的晶片14；空载的机械手退出；基座10上升并顶起顶针13上的晶片14，当基座10上升至工艺位置时，卡环12压住晶片14的边缘区域，从而实现对晶片14的固定。

上述沉积组件在实际应用中不可避免地存在以下问题：

其一，由于上述顶针13仅能够支撑晶片14，而无法限制晶片14在其径向上的位置，这使得晶片14往往会因顶针13的运动或者受到周围设备震动的干扰而发生偏移，从而当基座10上升并顶起顶针13上的晶片14后，晶片14在基座10上的位置自然也会产生偏差，进而影响工艺的正常进行。

其二，在基座10上设置用于供顶针13穿过的通孔101不仅其加工难度较大，而且通孔101还会对基座10冷却晶片的均匀性带来不良影响。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供了一种沉积组件及半导体加工设备，其不仅可以限定晶片在顶针上的径向位置，而且还可以降低基座的加工难度，并避免因在基座上加工通孔而对基座冷却晶片的均匀性产生的不良影响。

为实现本发明的目的而提供一种沉积组件，其用于将晶片传递并固定在基座上，所述基座通过作升降运动上升至工艺位置或者下降至装卸位置；所述沉积组件包括沉积环、卡环和至少三个顶针，所述至少三个顶针沿所述基座的周向分布，且在所述基座位于所述装卸位置时，所述至少三个顶针通过作升降运动贯穿所述沉积环，而使所述至少三个顶针的顶端所在平面高于或低于所述基座上表面；并且，在每个顶针的用于支撑所述晶片的承载面上设置有定位凸部，所述定位凸部用于在所述顶针支撑所述晶片时，阻挡该晶片沿其径向移动。

优选的，每个所述定位凸部包括朝向所述基座的轴线方向的垂直定位面，所述垂直定位面用于在所述晶片被置于所述承载面上时，将该晶片限制在预设的标准位置。

优选的，每个所述定位凸部包括朝向所述基座的轴线方向的倾斜导向面，所述倾斜导向面与所述垂直定位面相交，且位于其上方，并且相对于所述垂直定位面朝远离所述基座的轴线方向倾斜；所述倾斜导向面用于在所述顶针上升至高于所述基座上表面的过程中，使所述晶片沿所述倾斜导向面下移至所述标准位置。

优选的，所述倾斜导向面与所述垂直定位面之间的夹角的取值范围在15°～20°。

优选的，在所述垂直定位面和所述倾斜导向面之间设置有圆角。

优选的，所述垂直定位面和所述倾斜导向面的粗糙度值小于Ra1.6um。

优选的，所述垂直定位面在所述基座的轴向上的长度大于所述晶片的厚度，且二者之差在0.3mm以上。

优选的，所述垂直定位面与所述晶片边缘之间的径向间距大于等于1mm。

优选的，所述沉积组件还包括用于固定所述至少三个顶针的支撑环，并且，在所述支撑环上设置有至少三个定位件，所述至少三个定位件用于一一对应地限定所述至少三个顶针在所述支撑环上的位置。

优选的，所述沉积环包括至少三个顶针通道，用以供所述至少三个顶针一一对应地穿过；所述卡环在所述基座位于所述工艺位置时压住所述晶片的边缘区域，同时完全遮盖所有的所述顶针通道。

优选的，在所述沉积环的内周壁上设置有至少三个沿其轴向贯穿的通槽，用作所述顶针通道。

优选的，所述沉积环由沿其周向间隔设置的至少三个弧形分体组成，每相邻的两个弧形分体之间的间隙用作所述顶针通道。

优选的，所述卡环包括环形本体，在所述环形本体的内周壁上设置有沿其周向间隔设置的多个压爪，所述多个压爪在所述基座位于所述工艺位置时压住所述晶片的边缘区域；同时，在所述多个压爪中，有至少三个压爪的位置与所述至少三个顶针通道的位置一一对应，且完全遮盖各个顶针通道。

优选的，所述卡环的内径小于所述晶片的直径，用以在所述基座位于所述工艺位置时压住所述晶片的边缘区域，同时完全遮盖各个顶针通道。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种半导体加工设备，其包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有基座以及用于将晶片传递并固定在基座上的沉积组件，所述沉积组件采用本发明提供的上述沉积组件。

优选的，所述半导体加工设备包括物理气相沉积设备。

本发明具有下述有益效果：

本发明提供的沉积组件，其通过在每个顶针的用于支撑晶片的承载面上设置定位凸部，该定位凸部用于在顶针支撑晶片时，阻挡该晶片沿其径向移动，可以避免晶片因顶针的运动或者受到周围设备震动的干扰而发生偏移，从而顶针可以更准确地将晶片传递至基座上，进而可以保证工艺的正常进行，提高工艺效率。

此外，上述至少三个顶针在基座位于装卸位置时，是通过贯穿沉积环，而使其顶端上升至高于基座上表面的位置，或者下降至低于基座上表面的位置，由于沉积环的加工比基座更容易，从而不仅可以降低基座的加工难度，而且还可以避免因在基座上加工通孔而对基座冷却晶片的均匀性产生的不良影响。

本发明提供的半导体加工设备，其通过采用本发明提供的上述沉积组件，不仅可以限定晶片在顶针上的径向位置，从而可以保证工艺的正常进行，提高工艺效率；而且还可以降低基座的加工难度，并避免因在基座上加工通孔而对基座冷却晶片的均匀性产生的不良影响。

附图说明

图1A为现有的沉积组件在基座处于工艺位置时的剖视图；

图1B为现有的沉积组件在基座处于装卸位置时的剖视图；

图2A为本发明实施例提供的沉积组件进行步骤S1时的剖视图；

图2B为本发明实施例提供的沉积组件进行步骤S2时的剖视图；

图2C为本发明实施例提供的沉积组件进行步骤S3时的剖视图；

图2D为本发明实施例提供的沉积组件进行步骤S4时的剖视图；

图3A为本发明实施例所采用的顶针在支撑晶片时的立体图；

图3B为本发明实施例所采用的单个顶针的结构示意图；

图3C为本发明实施例所采用的顶针的整体剖视图；

图4为本发明实施例所采用的沉积环的结构示意图；

图5A为本发明实施例所采用的另一种卡环的结构示意图；

图5B为本发明实施例提供的沉积组件采用图5A中的卡环的局部剖视图；

图6为本发明实施例所采用的另一种沉积环的结构示意图；以及

图7为本发明实施例提供的半导体加工设备的剖视图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的沉积组件及半导体加工设备进行详细描述。

请一并参阅图2A-图2D，沉积组件用于将晶片21传递并固定在基座20上，该基座20是可升降的，其通过作升降运动，可以上升至如图2A所示的工艺位置E，或者下降至如图2B所示的装卸位置F。所谓工艺位置，是指预设的基座上升至用于对晶片进行工艺的最高位置。所谓装卸位置，是指预设的基座下降至用于自基座进行取片/放片操作的最低位置。

沉积组件包括沉积环22、卡环25和四个顶针23。其中，沉积环22套制在基座20的外周壁上，用以保护基座20不会被沉积金属等的靶材材料；四个顶针23固定在支撑环24上，且沿基座20的周向分布，并且四个顶针23可同步作升降运动，用以在基座20位于装卸位置F时，通过贯穿沉积环22，而使其顶端高于或低于基座20的上表面，从而与基座20或机械手26配合实现晶片21的取片/放片操作。卡环25用于在基座20位于工艺位置E时，利用自身重力压住晶片21的边缘区域；当基座20离开工艺位置时，卡环25与基座20相互分离。

图3A为本发明实施例所采用的顶针在支撑晶片时的立体图。图3B为本发明实施例所采用的单个顶针的结构示意图，如图3A和3B所示，每个顶针23具有承载面231，四个顶针23的承载面231用于共同支撑晶片21，并且，在承载面231上设置有定位凸部232，该定位凸部232用于在顶针23支撑晶片21时，阻挡该晶片21沿其径向移动。进一步说，四个定位凸部232的位置被设置为：由四个定位凸部232所限定的内部区域即为预设的晶片在承载面231上的标准位置，当晶片21置于承载面231上时，晶片21被限定在该标准位置，而无法沿其径向移动，从而可以避免晶片因顶针的运动或者受到周围设备震动的干扰而发生偏移，以使顶针23可以更准确地将晶片21传递至基座20上，进而可以保证工艺的正常进行，提高工艺效率。

在本实施例中，每个定位凸部232包括朝向基座20的轴线方向的垂直定位面233和倾斜导向面234，其中，垂直定位面233即与承载面231相互垂直，用于在晶片21被置于承载面231上时，将该晶片限制在上述标准位置，该垂直定位面可以为平面或者弧面。倾斜导向面234与垂直定位面233相交，且位于其上方，并且相对于垂直定位面233朝远离基座的轴线方向倾斜；该倾斜导向面234用于在顶针23上升至高于基座20上表面的过程中，使晶片21利用自身重力沿该倾斜导向面234下移至承载面231上，且落入由垂直定位面233所限定的标准位置。借助倾斜导向面234，即使晶片21在基座20或者机械手26上的位置产生较小程度的偏移，也可以通过沿倾斜导向面234下滑而自动落入正确的位置上，从而可以起到自动校正晶片位置的作用。倾斜导向面234与垂直定位面233之间的夹角H不宜过大，否则造成晶片不容易下滑，而停滞在斜面上；同时，该夹角H也不宜过小，否则会使得晶片很难准确地落入倾斜导向面234的内部，即，允许晶片产生的偏移量范围过窄。优选的，该夹角H的取值范围在15°～20°，进一步优选为18°。

优选的，垂直定位面233在基座20的轴向上的长度J大于晶片21的厚度，且二者之差在0.3mm以上，这是为了保证晶片21在顶针23运动过程中或者受到周围设备震动的干扰时，不会自垂直定位面233的内部滑出。与之相适配的，定位凸部232在基座20的轴向上的总长度I优选为7mm以上。此外，为了防止晶片21卡滞在垂直定位面233的内部，便于晶片21的取出，垂直定位面233与晶片21之间的径向间距大于等于1mm，亦即，由各个垂直定位面233形成的最小圆周的直径M应比晶片21的直径D大于2mm以上。

优选的，在垂直定位面233和倾斜导向面234之间设置有圆角K，用以使两个表面之间圆滑过渡，从而有利于使晶片21顺利下滑至垂直定位面233的内部。进一步优选的，垂直定位面233和倾斜导向面234的粗糙度值小于Ra1.6um，容易理解，二者的表面粗糙度越小，其对晶片21产生的摩擦阻力越小，从而有利于晶片21的下滑。

图3C为本发明实施例所采用的顶针的整体剖视图。如图3C所示，优选的，在支撑环24上设置有四个定位件241，各个定位件241用于一一对应地限定四个顶针23在支撑环24上的位置，从而可以实现顶针23的精确定位。具体来说，可以对应地分别在顶针23和支撑环24上设置两个定位孔，并利用定位销分别穿过这两个定位孔，从而限定了顶针23和支撑环24的相对位置，然后利用紧固螺钉242将顶针23固定在支撑环24上。定位件241可以为定位销或定位螺钉等等。

综上所述，本发明实施例提供的沉积组件，其通过在每个顶针的用于支撑晶片的承载面上设置定位凸部，可以限定晶片在顶针上的径向位置，从而顶针可以更准确地将晶片传递至基座上。但是针对顶针的上述改进，还需要对沉积环的结构也进行适应性的改进，以使得顶针能够贯穿沉积环，而使其顶端高于或低于基座的上表面。下面对沉积环的结构进行详细描述。

具体地，图4为本发明实施例所采用的沉积环的结构示意图。如图4所示，沉积环22套制在基座20的外周壁上，且沉积环22的内径C(该内径与基座20的外径相等)略小于晶片21的直径D，从而当晶片21被置于基座20的上表面时，晶片21的边缘区域会与沉积环22上表面的位于环孔周边的区域相重叠。而且，沉积环22包括用于供四个顶针23一一对应地穿过的四个顶针通道，在本实施例中，该顶针通道是在沉积环22的内周壁上设置的沿其轴向贯穿的通槽221。顶针23在作升降运动时，可以通过穿过通槽221，而使其顶端高于或低于基座20的上表面，从而与基座20或机械手26配合实现晶片21的取片/放片操作。通槽221的宽度A和深度B应足够使顶针23能够穿过即可。

为了避免在进行工艺时，等离子体通过沉积环22上的通槽221进入基座20的下方空间起辉，还需要对卡环的结构进行改进，即，借助卡环在基座位于工艺位置时压住晶片的边缘区域，同时完全遮盖所有的顶针通道。具体来说，在本实施例中，如图2A所示，卡环25的内径小于晶片21的直径D，用以在基座20位于工艺位置E时压住晶片21的边缘区域；同时，卡环25的内径小于等于沉积环22的内径C，从而实现完全遮盖通槽221。

或者，优选的，为了减小卡环25覆盖晶片21的区域，以增大晶片21的有效加工面积，从而提高晶片21表面的利用率，还可以采用以下结构的卡环：图5A为本发明实施例所采用的另一种卡环的结构示意图。图5B为本发明实施例提供的沉积组件采用图5A中的卡环的局部剖视图。如图5A和图5B所示，卡环25包括环形本体251，在该环形本体251的内周壁上设置有沿其周向间隔设置的多个压爪252，多个压爪252在基座20位于工艺位置E时压住晶片21的边缘区域；同时，在多个压爪中，有四个压爪253的位置与四个通槽221的位置一一对应，且完全遮盖各个通槽221，从而可以避免在进行工艺时，等离子体通过沉积环22上的通槽221进入基座20的下方空间起辉。进一步说，对于每个压爪253，其宽度L1与通槽221的宽度A相对应，且该宽度L1不小于宽度A；压爪253的长度L2与通槽221的深度B相对应，且该长度L2不小于深度B，从而在基座20上表面上，压爪253的正投影能够完全覆盖通槽221的正投影，进而实现压爪253完全遮盖各个通槽221。在实际应用中，各个压爪的尺寸可以完全相同，或者，也可以仅使与通槽的位置一一对应的四个压爪的尺寸满足完全遮盖各个通槽的要求，而其余压爪的尺寸只要能够起到压住晶片的作用即可。借助压爪，可以使环形本体的内径等于或小于沉积环的内径，从而可以减小卡环覆盖晶片的区域，进而实现增大晶片的有效加工面积。

下面结合图2A-图2D对如何将晶片21传输至进行工艺的位置的具体流程进行详细描述。具体地，该流程包括以下步骤：

步骤S1，如图2A所示，在初始状态时，基座20位于装卸位置F，顶针23位于其顶端低于基座20的上表面的最低位置。流程开始后，承载有晶片21的机械手26水平移动至基座20的上方。

步骤S2，如图2B所示，顶针23上升，并穿过通槽221，直至其顶端高于基座20的上表面。在此过程中，顶针23顶起晶片21，以使其脱离机械手26；然后，机械手26移出。

步骤S3，如图2C所示，基座20上升，并托起晶片21，以使其脱离顶针23，从而完成了晶片21在顶针23与基座20之间的传递。

步骤S4，如图2D所示，基座20继续上升，直至到达工艺位置E，此时卡环25压住晶片21，从而将其固定在基座20上，然后就可以进行工艺了。

卸载晶片的流程与上述流程相类似，而仅是各个部件的运动顺序不同，在此不再赘述。

需要说明的是，在本实施例中，顶针通道是在沉积环22的内周壁上设置的沿其轴向贯穿的通槽221，但是本发明并不局限于此，事实上，顶针通道还可以采用以下结构：图6为本发明实施例所采用的另一种沉积环的结构示意图。如图6所示，沉积环22’采用分体式结构，即：由沿其周向间隔设置的四个弧形分体222组成，每相邻的两个弧形分体222之间的间隙223用作上述顶针通道。四个弧形分体222可以利用螺钉分别固定在基座20的外周壁上。

还需要说明的是，在本实施例中，顶针23的数量为四个，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，顶针的数量也可以为三个，五个或者六个以上，且沿基座的周向分布，以实现稳固地支撑晶片。容易理解，沉积环上顶针通道的数量和位置与顶针的数量和位置一一对应，同时，卡环上用于遮盖各个顶针通道的压爪数量和位置顶针通道相对应。

进一步需要说明的是，顶针上的定位凸部并不局限于上述实施例中所采用的结构，事实上，凡是可以阻挡晶片在其径向上移动的结构均可以采用。

另外需要说明的是，在实际应用中，本发明实施例提供的上述沉积组件可以应用在对直径为200mm或300mm的晶片21进行加工的半导体加工设备中；也可以应用在诸如CuBS(BarrierSeed)PVD、AlNPVD、Hardmask(硬掩膜)PVD或者ITOPVD等的物理气相沉积设备中。当然，针对不同结构和尺寸的半导体加工设备，上述沉积组件中的顶针、沉积环和卡环的尺寸应作适应性的调整。

综上所述，本发明实施例提供的上述沉积组件，其通过在每个顶针的用于支撑晶片的承载面上设置定位凸部，该定位凸部用于在顶针支撑晶片时，阻挡该晶片沿其径向移动，可以避免晶片因顶针的运动或者受到周围设备震动的干扰而发生偏移，从而顶针可以更准确地将晶片传递至基座上，进而可以保证工艺的正常进行，提高工艺效率。

此外，上述至少三个顶针在基座位于装卸位置时，是通过贯穿沉积环，而使其顶端上升至高于基座上表面的位置，或者下降至低于基座上表面的位置，由于沉积环的加工比基座更容易，从而不仅可以降低基座的加工难度，而且还可以避免因在基座上加工通孔而对基座冷却晶片的均匀性产生的不良影响。

作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种半导体加工设备，其包括反应腔室，在反应腔室内设置有基座以及用于将晶片传递并固定在基座上的沉积组件，该沉积组件采了本发明实施例提供的上述沉积组件。

优选的，图7为本发明实施例提供的半导体加工设备的剖视图。请参阅图7，半导体加工设备包括物理气相沉积设备。该物理气相沉积设备包括反应腔室100，在反应腔室100内设置有基座200，且在反应腔室100内基座200的上方设置有靶材300，并且，在反应腔室100内还设置有用于将晶片21传递并固定在基座200上的沉积组件，该沉积组件包括沉积环22、卡环25和四个顶针23。此外，在反应腔室100内还设置有内衬400，用以保护反应腔室100的侧壁，避免靶材材料沉积在该侧壁上；而且该内衬400的下端向内弯曲，用以在基座200离开工艺位置时，支撑卡环25。

本发明实施例提供的半导体加工设备，其通过采用本发明实施例提供的上述沉积组件，不仅可以限定晶片在顶针上的径向位置，从而可以保证工艺的正常进行，提高工艺效率；而且还可以降低基座的加工难度，并避免因在基座上加工通孔而对基座冷却晶片的均匀性产生的不良影响。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的原理和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种沉积组件，用于将晶片传递并固定在基座上，所述基座通过作升降运动上升至工艺位置或者下降至装卸位置；所述沉积组件包括沉积环、卡环和至少三个顶针，其特征在于，所述至少三个顶针沿所述基座的周向分布，且在所述基座位于所述装卸位置时，所述至少三个顶针通过作升降运动贯穿所述沉积环，而使所述至少三个顶针的顶端所在平面高于或低于所述基座上表面；并且，

在每个顶针的用于支撑所述晶片的承载面上设置有定位凸部，所述定位凸部用于在所述顶针支撑所述晶片时，阻挡该晶片沿其径向移动。

2.如权利要求1所述的沉积组件，其特征在于，每个所述定位凸部包括朝向所述基座的轴线方向的垂直定位面，

所述垂直定位面用于在所述晶片被置于所述承载面上时，将该晶片限制在预设的标准位置。

3.如权利要求2所述的沉积组件，其特征在于，每个所述定位凸部包括朝向所述基座的轴线方向的倾斜导向面，

所述倾斜导向面与所述垂直定位面相交，且位于其上方，并且相对于所述垂直定位面朝远离所述基座的轴线方向倾斜；所述倾斜导向面用于在所述顶针上升至高于所述基座上表面的过程中，使所述晶片沿所述倾斜导向面下移至所述标准位置。

4.如权利要求3所述的沉积组件，其特征在于，所述倾斜导向面与所述垂直定位面之间的夹角的取值范围在15°～20°。

5.如权利要求3所述的沉积组件，其特征在于，在所述垂直定位面和所述倾斜导向面之间设置有圆角。

6.如权利要求3所述的沉积组件，其特征在于，所述垂直定位面和所述倾斜导向面的粗糙度值小于Ra1.6um。

7.如权利要求2所述的沉积组件，其特征在于，所述垂直定位面在所述基座的轴向上的长度大于所述晶片的厚度，且二者之差在0.3mm以上。

8.如权利要求2所述的沉积组件，其特征在于，所述垂直定位面与所述晶片边缘之间的径向间距大于等于1mm。

9.如权利要求1-8任意一项所述的沉积组件，其特征在于，所述沉积组件还包括用于固定所述至少三个顶针的支撑环，并且，在所述支撑环上设置有至少三个定位件，所述至少三个定位件用于一一对应地限定所述至少三个顶针在所述支撑环上的位置。

10.如权利要求1-8任意一项所述的沉积组件，其特征在于，所述沉积环包括至少三个顶针通道，用以供所述至少三个顶针一一对应地穿过；

所述卡环在所述基座位于所述工艺位置时压住所述晶片的边缘区域，同时完全遮盖所有的所述顶针通道。

11.如权利要求10所述的沉积组件，其特征在于，在所述沉积环的内周壁上设置有至少三个沿其轴向贯穿的通槽，用作所述顶针通道。

12.如权利要求10所述的沉积组件，其特征在于，所述沉积环由沿其周向间隔设置的至少三个弧形分体组成，每相邻的两个弧形分体之间的间隙用作所述顶针通道。

13.如权利要求10所述的沉积组件，其特征在于，所述卡环包括环形本体，在所述环形本体的内周壁上设置有沿其周向间隔设置的多个压爪，所述多个压爪在所述基座位于所述工艺位置时压住所述晶片的边缘区域；同时，在所述多个压爪中，有至少三个压爪的位置与所述至少三个顶针通道的位置一一对应，且完全遮盖各个顶针通道。

14.如权利要求10所述的沉积组件，其特征在于，所述卡环的内径小于所述晶片的直径，用以在所述基座位于所述工艺位置时压住所述晶片的边缘区域，同时完全遮盖各个顶针通道。

15.一种半导体加工设备，其包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有基座以及用于将晶片传递并固定在基座上的沉积组件，其特征在于，所述沉积组件采用权利要求1-14任意一项所述的沉积组件。

16.如权利要求15所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括物理气相沉积设备。