TWI693436B - 樹脂光波導 - Google Patents

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TWI693436B TW105124664A TW105124664A TWI693436B TW I693436 B TWI693436 B TW I693436B TW 105124664 A TW105124664 A TW 105124664A TW 105124664 A TW105124664 A TW 105124664A TW I693436 B TWI693436 B TW I693436B
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Abstract

本發明係一種樹脂光波導，其特徵在於：其係具備芯體以及折射率低於該芯體之下包覆層及上包覆層者，於上述樹脂光波導之一端側，設置有不存在上包覆層而露出芯體及該芯體周邊之下包覆層的芯體露出部，且上述下包覆層中相當於上述芯體露出部之部位具有滿足特定條件之第1層及第2層。

Description

樹脂光波導
本發明係關於一種樹脂光波導。
於非專利文獻1、2、或專利文獻1中提出有低損失且低成本地連接矽光波導與樹脂光波導之矽光子介面。本說明書中之所謂矽光波導係指於矽晶片上形成有作為(單模)光波導發揮功能之芯體包覆層構造者。
圖3係表示此種矽光子介面之一構成例之立體圖，圖4為其側視圖。
於圖3、4所示之樹脂光波導晶片300形成有1條或複數條樹脂光波導310。於樹脂光波導晶片300之一端側，樹脂光波導310與形成於矽光波導晶片200上之矽光波導(未圖示)連接。樹脂光波導晶片300之另一端側收容於連接器100內。
圖5係表示用於上述目的之樹脂光波導之一構成例之立體圖。
圖5所示之樹脂光波導310係於芯體320之周圍配置有下包覆層330及上包覆層340。但是，於圖3、4中，與形成於矽光波導晶片200上之矽光波導(未圖示)連接之側之前端成為未配置上包覆層340而使芯體320露出於外部之芯體露出部350。
圖6係表示於圖3、4所示之矽光子介面中矽光波導210與樹脂光波導310之連接部之剖視圖，樹脂光波導310係圖5所示之樹脂光波導310。於圖6中，將矽光波導210與樹脂光波導310以樹脂光波導310之 芯體320面向矽光波導210之狀態使用環氧樹脂連接。
圖7係用以說明圖3、4所示之矽光子介面中之光之傳輸之模式圖。於圖7中，藉由絕熱耦合(adiabatic coupling)，光自矽光波導210之芯體220向於樹脂光波導310前端露出之芯體320傳輸。繼而，光自樹脂光波導310之芯體320向光纖130之芯體140傳輸。
[先前技術文獻] [非專利文獻]
非專利文獻1：Jie Shu, Ciyuan Qiu,Xuezhi Zhang,and Qianfan Xu,"Efficient coupler between chip-level and board-level optical waveguides", OPTICS LETTERS, Vol.36, No.18,pp3614-3616(2011)
非專利文獻2：Tymon Barwics,and Yoichi Taira,"Low-Cost Interfacing of Fibers to Nanophotonic Waveguides: Design for Fabrication and Assembly Toleranes", IEEE Photonics Journal, Vol.6, No.4,August,660818(2014)
[專利文獻]
專利文獻1：美國專利第8,724,937號說明書
圖5所示之樹脂光波導310係於安裝於圖3、4所示之矽光子介面之前，以與先前之樹脂光波導同樣之程序實施性能評價。於樹脂光波導之性能評價中，將單模光纖連接於樹脂光波導之前端。圖8係用以說明於圖5所示之樹脂光波導310之前端連接有單模光纖時之光之傳播之模式圖。於圖5所示之樹脂光波導310與單模光纖400之連接中存在如下問題：一部分光自樹脂光波導310前端之芯體320露出之部位放射後未得以傳輸，又，產生連接損失。該連接損失於安裝於圖3、4所示之矽光子介面時並未產生，對於性能評價結果之可靠性降低。
本發明之目的在於，為了解決上述先前技術之問題，提供一種樹脂光波導，其適宜用於低損失且低成本地連接矽光波導與樹脂光波導之矽光子介面，且使用單模光纖之性能評價之可靠性較高。
為了達成上述目的，本發明提供一種樹脂光波導，其特徵在於：其係具備芯體以及折射率低於該芯體之下包覆層及上包覆層者，於上述樹脂光波導之一端側，設置有不存在上包覆層而露出芯體及該芯體周邊之下包覆層之芯體露出部，且上述下包覆層中相當於上述芯體露出部之部位具有滿足下述(1)~(3)之第1層及第2層。
(1)上述第1層及上述第2層位置如下，即，自與上述芯體之界面或上述下包覆層之露出面之距離互不相同，上述第1層相對於該等面為近位側，上述第2層相對於該等面為遠位側。
(2)上述第1層位於自與上述芯體之界面或上述下包覆層之露出面之距離為15μm以內。
(3)上述第1層及上述第2層之折射率互不相同，上述第1層之折射率高於上述第2層。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為，上述芯體露出部之光傳輸方向之長度為100μm以上。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為，上述第1層中之折射率之最大值n1,max與上述第2層中之折射率之最大值n2,max之差(n1,max-n2,max)為0.001以上。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為，上述第1層之厚度t為15μm以下。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為，上述第1層之厚度t、與上述第1層中之折射率之最大值n1,max和上述第2層中之折射率之最大值 n2,max之差(n1,max-n2,max)的積(t×(n1,max-n2,max))為0.001~0.2μm。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為，上述芯體中之折射率之最大值n'max與上述第1層中之折射率之最大值n1,max之差(n'max-n1,max)為0.008~0.02。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為，上述下包覆層之厚度為10μm以上。
本發明之樹脂光波導較佳為於波長1310nm及波長1550nm之至少一者下為單模光波導。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為上述樹脂光波導之芯體尺寸為1~10μm。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為上述樹脂光波導之芯體包含含有氟之樹脂。
又，本發明提供一種樹脂光波導，其特徵在於：其係具備芯體以及折射率低於該芯體之下包覆層及上包覆層者，於上述樹脂光波導之一端側，設置有不存在上包覆層而露出芯體及該芯體周邊之下包覆層之芯體露出部，樹脂光波導之光傳輸方向之該芯體露出部之長度為500μm以上，且上述下包覆層中相當於上述芯體露出部之部位具有滿足下述(1)~(4)之第1層及第2層。
(1)上述第1層及上述第2層位置如下，即，自與上述芯體之界面或上述下包覆層之露出面之距離互不相同，上述第1層相對於該等面為近位側，上述第2層相對於該等面為遠位側。
(2)上述第1層位於自與上述芯體之界面或上述下包覆層之露出面之距離為8μm以內。
(3)上述第1層及上述第2層之折射率互不相同，且上述第1層之折射率高於上述第2層。
(4)上述第1層中之折射率之最大值n1,max與上述第2層中之折射率之最大值n2,max之差(n1,max-n2,max)為0.002以上。
本發明之樹脂光波導較佳為於上述芯體露出部與矽光波導連接。
本發明之樹脂光波導適宜用於低損失且低成本地連接矽光波導與樹脂光波導之矽光子介面。
本發明之樹脂光波導於使用單模光纖之性能評價時之連接損失少，性能評價之可靠性高。
10‧‧‧樹脂光波導
11‧‧‧芯體
12‧‧‧下包覆層
12a‧‧‧第1層
12b‧‧‧第2層
13‧‧‧上包覆層
14‧‧‧芯體露出部
100‧‧‧連接器
130‧‧‧光纖
140‧‧‧芯體
200‧‧‧矽光波導晶片
210‧‧‧矽光波導
220‧‧‧芯體
230‧‧‧被覆
300‧‧‧樹脂光波導晶片
310‧‧‧樹脂光波導
320‧‧‧芯體
330‧‧‧下包覆層
340‧‧‧上包覆層
350‧‧‧芯體露出部
400‧‧‧單模光纖
410‧‧‧芯體
420‧‧‧包覆層
圖1係表示本發明之樹脂光波導之一構成例之立體圖。
圖2係表示實施例中之樹脂光波導與單模光纖之連接部之模式圖。
圖3係表示矽光子介面之一構成例之立體圖。
圖4係圖3之矽光子介面之側視圖。
圖5係表示用於圖3、4之矽光子介面之樹脂光波導之一構成例之立體圖。
圖6係表示於圖3、4所示之矽光子介面中形成於矽光波導晶片200上之矽光波導與樹脂光波導310之連接部之剖視圖。
圖7係用以說明圖3、4所示之矽光子介面中之光之傳輸之模式圖。
圖8係用以說明於圖5所示之樹脂光波導310之前端連接有單模光纖時之光之傳播之模式圖。
以下，參照圖式說明本發明。
圖1係表示本發明之樹脂光波導之一構成例之立體圖。圖1所示 之樹脂光波導10具備芯體11以及折射率低於該芯體11之下包覆層12及折射率同樣低於該芯體11之上包覆層13。於芯體11之下方配置有下包覆層12，於芯體11之上方配置有上包覆層13。但是，於樹脂光波導10之一端側設置有不存在上包覆層13而露出芯體11之芯體露出部14。
再者，於本發明之樹脂光波導中，將配置於芯體周圍之下包覆層及上包覆層中不存在於芯體露出部之側作為上包覆層。因此，亦可於芯體之上方配置下包覆層，於芯體之下方配置上包覆層。
該芯體露出部14成為將樹脂光波導10用作矽光子介面時與矽光波導之連接部位。因此，要求芯體露出部14具有足夠用作與矽光波導之連接部位的長度。本發明之樹脂光波導10較佳為樹脂光波導之光傳輸方向之芯體露出部14之長度為100μm以上，其係足夠用作與矽光波導之連接部位的長度。再者，所謂樹脂光波導之光傳輸方向係指芯體11之長軸方向。
芯體露出部14之樹脂光波導之光傳輸方向之長度更佳為300μm以上，進而較佳為500μm以上，進一步更佳為1000μm以上。
但是，若樹脂光波導之光傳輸方向之芯體露出部14之長度過長，則於使用接著劑(例如環氧樹脂)與矽光波導連接時，有因接著劑之吸收而導致連接損失變大之虞。因此，樹脂光波導之光傳輸方向之芯體露出部14之長度較佳為10000μm以下，更佳為5000μm以下，進而較佳為3000μm以下。
於樹脂光波導10中，下包覆層12、上包覆層13之折射率低於芯體11之原因在於，防止於芯體11中傳播之光向下包覆層12側或上包覆層13側放射。
如上所述，如圖8所示，於連接具有芯體露出部之樹脂光波導310與單模光纖400時，於不存在上包覆層340之芯體露出部，成為芯體320露出之狀態。由於樹脂光波導310之性能評價係於芯體露出部存 在於空氣中或水中之狀態下實施，故而芯體320之露出面與空氣或水接觸，但空氣或水之折射率小於樹脂光波導310之芯體320之材料或下包覆層330之材料。其結果為，於芯體320中傳輸之光之一部分向下包覆層330側放射，導致產生連接損失。
本發明之樹脂光波導10中，下包覆層12中相當於芯體露出部14之部位具有滿足下述(1)~(3)之第1層及第2層，藉此，抑制與單模光纖之連接時之連接損失。
(1)第1層及第2層位置如下，即，自與芯體之界面或下包覆層之露出面之距離互不相同，第1層相對於該等面為近位側，第2層相對於該等面為遠位側。
(2)第1層位於自與芯體之界面或下包覆層之露出面之距離為15μm以內。
(3)第1層及第2層之折射率互不相同，且第1層之折射率高於第2層。
如上述(1)所示，下包覆層12中相當於芯體露出部14之部位構成如下之雙層構造：相對於芯體11之界面或下包覆層12之露出面之近位側為第1層，且相對於該等面之遠位側為第2層。再者，芯體11之界面及下包覆層12之露出面構成第1層之一部分。
如上述(3)所示，第1層之折射率高於第2層。藉由設為此種雙層構造，於芯體露出部14中抑制於芯體11中傳輸之光向下包覆層12側放射，抑制與單模光纖之連接時之連接損失。
如上述(2)所示，第1層位於自與芯體11之界面或下包覆層12之露出面之距離為15μm以內。因此，第1層之厚度t為15μm以下。將第1層自與芯體11之界面或下包覆層12之露出面之距離設為15μm以內之理由如以下所示。
藉由將自與芯體11之界面或下包覆層12之露出面之距離設為15 μm以內，抑制於芯體11中傳輸之光向下包覆層12側放射，抑制與單模光纖之連接時之連接損失。
第1層自與芯體11之界面或下包覆層12之露出面之距離較佳為10μm以內，更佳為8μm以內，進而較佳為6μm以內。因此，第1層之厚度t較佳為10μm以下，更佳為8μm以下，進而較佳為6μm以下。
但是，若第1層自與芯體11之界面或下包覆層12之露出面之距離過小，則無法充分地抑制於芯體11中傳輸之光向下包覆層12側放射。第1層自與芯體11之界面或下包覆層12之露出面之距離較佳為0.1μm以上，更佳為0.2μm以上，進而較佳為0.5μm以上。因此，第1層之厚度t較佳為0.1μm以上，更佳為0.2μm以上，進而較佳為0.5μm以上。
為了抑制與單模光纖之連接時之連接損失，第1層中之折射率之最大值n1,max與第2層中之折射率之最大值n2,max之差(n1,max-n2,max)較佳為0.001以上。藉由n1,max-n2,max為0.001以上，可較佳地發揮抑制與上述單模光纖之連接時之連接損失之效果。n1,max-n2,max較佳為0.002以上，更佳為0.004以上。
再者，第1層中之折射率之最大值n1,max與第2層中之折射率之最大值n2,max之差(n1,max-n2,max)之上限值並無特別限定，例如因下述製造方法等而可設為0.020。
此處，設為第1層中之折射率之最大值n1,max與第2層中之折射率之最大值n2,max之差之原因在於，考慮到第1層及第2層分別分成折射率互不相同之複數層之情形。於此情形時，對於構成第1層之複數層及構成第2層之複數層要求如下，相對於與芯體之界面或下包覆層之露出面之近位側之折射率較高，相對於該等面之遠位側之折射率較低。又，對構成第1層之複數層要求其折射率差之最大值未達0.001。
為了抑制與單模光纖之連接時之連接損失，第1層之厚度t、與第 1層中之折射率之最大值n1,max和上述第2層中之折射率之最大值n2,max之差(n1,max-n2,max)的積(t×(n1,max-n2,max))較佳為0.001~0.2μm。更佳為0.004~0.15μm，尤佳為0.004~0.12μm。
就抑制與矽光波導之連接損失及抑制與單模光纖之連接時之連接損失之方面而言，芯體11中之折射率之最大值n'max與第1層中之折射率之最大值nmax之差(n'max-nmax)較佳為0.008~0.02。此處，設為芯體11中之折射率之最大值n'max之原因在於，考慮到於芯體11亦存在折射率分佈之情形。
n'max-nmax更佳為0.010~0.015。
若下包覆層12之厚度為10μm以上則會使其具有剛性且提高操作之處理容易度，故而較佳。下包覆層12之厚度更佳為15μm以上，進而較佳為20μm以上。於下包覆層12包括第1層及第2層之情形時，只要第2層之折射率低於第1層，則無論何種厚度，均可抑制光之放出。若考慮生產性，則較佳為70μm以下，進而較佳為50μm以下。
又，於本發明之樹脂光波導中，於芯體11之上下配置有上包覆層13及下包覆層12的部位之下包覆層12之折射率之數值只要低於芯體11之折射率，則無特別限定。因此，例如該部位之下包覆層12可為折射率均為相同之數值，亦可於相對於芯體11之近位側與遠位側具有折射率不同之部位。但是，對於此種部位要求相對於芯體11之近位側之折射率較高，相對於芯體11遠位側之折射率較低。又，亦可具有與滿足上述(1)~(3)之第1層及第2層相同之構成。
對本發明之樹脂光波導進一步記載。
(芯體11)
於圖1所示之樹脂光波導10中，芯體11之剖面形狀為矩形，但並不限於此，例如亦可為梯形、圓形、橢圓形。於芯體11之剖面形狀為多邊形之情形時，其角亦可帶有弧度。
芯體尺寸並無特別限定，可考慮與光源或受光元件之耦合效率等而適當設計。耦合效率依存於芯體直徑及數值孔徑(NA)。關於例如芯體11之芯體尺寸(如圖1所示之芯體11般芯體11之剖面形狀為矩形之情形時，為該矩形之寬度及高度)，若考慮用作矽光子介面時與所要連接之矽光波導之耦合效率，則較佳為1~10μm。更佳為1.5~8μm，進而較佳為2~7μm。此處，矩形之寬度係於高度中央位置上之寬度之長度，矩形之高度係於寬度中央位置上之高度之長度。再者，芯體尺寸亦可沿樹脂光波導之光傳輸方向呈錐狀變化。
芯體11亦可具有朝向相對於芯體中心之遠位側而折射率變低之折射率分佈。又，可具有上包覆層側之折射率較高而下包覆層側之折射率變低之折射率分佈，亦可具有上包覆層側之折射率較低而下包覆層側之折射率變高之折射率分佈。
此處，設為芯體11之折射率之最大值n'max之原因在於，例如如上所述考慮到於芯體11亦存在折射率分佈之情形。
(上包覆層13)
上包覆層13之折射率只要低於芯體11，則無特別限定。因此，上包覆層13亦可折射率均為相同之數值。或者，亦可於相對於芯體11之近位側與遠位側具有折射率不同之部位。於此情形時，可構成為朝向相對於芯體11之遠位側而折射率變低，亦可構成為朝向相對於芯體11之遠位側而折射率變高。
上包覆層13之厚度並無特別限定，於本發明之樹脂光波導10為單模光波導之情形時，傳輸之光亦會洩漏至位於距芯體11之中心10μm左右之範圍內之包覆層部分，因此，就減少光之傳輸損失之觀點而言，較佳為10μm以上。又，下包覆層12及上包覆層13之合計厚度較佳為20~90μm，更佳為30~70μm。
於本發明之樹脂光波導中，芯體11、下包覆層12、及上包覆層13 之構成材料只要滿足作為樹脂光波導之要求特性，則無特別限定，就抑制於芯體11中傳輸之光之損失之方面而言，較佳為芯體11之構成材料為含有氟之樹脂。
又，關於芯體11、下包覆層12及上包覆層13之構成材料、以及樹脂光波導之製造程序，例如可參考下述文獻之記載。
國際公開第2010/107005號
日本專利特開2013-120338號公報
日本專利特開2012-63620號公報
以上述文獻作為參考，製造圖1所示之本發明之樹脂光波導10之情形時，樹脂光波導10之芯體露出部14可按照以下程序形成。
形成下包覆層，使用光微影製程於下包覆層上形成芯體後，於下包覆層及芯體上塗佈硬化物組合物，藉由加熱及/或光照射使硬化性樹脂組合物硬化，形成上包覆層。於形成上包覆層時，使用光微影製程，可形成具有上包覆層之區域及無上包覆層而露出芯體之區域(即芯體露出部)。
又，具有滿足上述(1)~(3)之第1層12a及第2層12b之下包覆層12可按照以下程序形成。
藉由調整上述形成下包覆層時之加熱溫度或加熱時間，及/或藉由調整光之照射強度或照射時間，可形成具有第1層12a及第2層12b之下包覆層12。或者，藉由添加用以調整折射率之摻雜劑，可形成具有第1層12a及第2層12b之下包覆層12。又，塗佈形成下包覆層12b之硬化性組合物(b)，進行加熱及/或光照射而使其硬化，於其上塗佈形成下包覆層12a之硬化性組合物(a)，進行加熱及/或光照射而使其硬化，藉此可形成具有第1層12a及第2層12b之下包覆層12。硬化性組合物(a)及硬化性組合物(b)可適當使用上述文獻所記載之材料。
再者，於藉由添加摻雜劑而調整折射率之情形時，該折射率依 存於構成下包覆層之材料及摻雜劑之種類，因此為了獲得目標之折射率，根據構成下包覆層之材料而適當選擇該摻雜劑。
本發明之樹脂光波導係被用於低損失且低成本地連接矽光波導與光纖之矽光子介面，因此為單模光波導可使光信號高密度化，故而較佳。於此情形時，就對於矽光波導或單模光纖亦可低損失地傳輸光之方面而言，較佳為於波長1310nm及1550nm之至少一者下為單模光波導。
於將本發明之樹脂光波導用於矽光子介面之情形時，於樹脂光波導之芯體露出部與矽光波導連接。
實施例
以下使用實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。
於以下所示之實施例中，以RSoft Design Group股份有限公司製造之RSoft CAD定義樹脂光波導與單模光纖之構造(尺寸與折射率)，藉由作為模擬‧引擎之RSoft Design Group股份有限公司製造之BeamProp(有限差分光束傳輸法)進行光傳輸之模擬。圖2係表示實施例中之樹脂光波導與單模光纖之連接部之模式圖。
(例1~40)
例1~40中之例1~7、9~23、例25~40為實施例且係將下包覆層12設為第1層與第2層之雙層構造者。例8、例24為比較例且係將下包覆層設為僅第1層之構造者。
如以下所示，以RSoft CAD定義樹脂光波導與單模光纖之構造。
(單模光纖400)
芯體410
芯體直徑8.4μm
折射率1.47
包覆層420
包覆層直徑80μm
折射率1.4652
(樹脂光波導10)
單模光波導
芯體11
芯體尺寸寬度方向5.9μm，縱向2.3μm
折射率1.534
下包覆層12
厚度40μm
第1層12a
折射率1.52
厚度t2~14μm
第2層12b
第1層12a與第2層12b之折射率差0~0.015
例8、例24中，下包覆層12未構成雙層構造，下包覆層12整體之折射率為1.52。
上包覆層13
折射率1.52
厚度40μm
芯體露出部14
樹脂光波導10之光傳輸方向之長度2000μm
關於將芯體露出部14以水(折射率1.32)或空氣(折射率1.00)填滿之狀態，根據BeamProp藉由計算求出波長1.55μm下之連接損失。將結果示於下述表。再者，表中，折射率(n1-n2)中，將第1層12a之折射率設為n1，將第2層12b之折射率設為n2。又，表中之厚度為第1層12a 之厚度。又，光波導10之芯體11與單模光纖400之芯體410之偏移量Y如圖2所示。又，表中之指標如下述表所示。
Figure 105124664-A0202-12-0014-1
Figure 105124664-A0202-12-0014-2
Figure 105124664-A0202-12-0014-3
Figure 105124664-A0202-12-0015-4
Figure 105124664-A0202-12-0015-5
Figure 105124664-A0202-12-0015-6
上述表1~表6係將芯體露出部14之光傳輸方向之長度設為2000μm之實施例，表7及表8中表示將芯體露出部14之長度設為500μm、1000μm、1500μm及3000μm者之結果。
Figure 105124664-A0202-12-0016-7
Figure 105124664-A0202-12-0016-8
由表可知，下包覆層12未構成雙層構造之例8、24之連接損失較大。
另一方面，下包覆層12為雙層構造之例1~7、例9~23、例25~例56之連接損失較小。尤其是構成以折射率差(n1-n2)計為0.001以上之雙層構造之例1~7、例9~23、例25~例56之連接損失較小。
例1~7、例9~23、例25~例32中，第1層之厚度t、與第1層之折射率n1和第2層之折射率n2之差(n1-n2)的積(t×(n1-n2))均滿足0.001~0.2μm。又，如表6所示，於將芯體露出部14以水填滿之狀態、或以空氣填滿之狀態之任一情形時，只要第1層12a與第2層12b之折射率差(n1-n2)為0.001以上，則無關於第1層12a與第2層12b之折射率差(n1- n2)如何，又，因光波導10之芯體14與單模光纖400之芯體410之偏移量Y所導致之影響較少。
已詳細地且參照特定之實施態樣對本發明進行了說明，但業者明白，可不脫離本發明之精神及範圍而添加各種變更或修正。本申請案係基於2015年8月4日提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2015-154192)者，其內容作為參照引入本文。

Claims (11)

  1. 一種樹脂光波導，其特徵在於：其係具備芯體以及折射率低於該芯體之下包覆層及上包覆層者，於上述樹脂光波導之一端側，設置有不存在上包覆層而露出芯體及該芯體周邊之下包覆層之芯體露出部，且上述下包覆層中相當於上述芯體露出部之部位具有滿足下述(1)~(3)之第1層及第2層：(1)上述第1層及上述第2層位置如下，即，自與上述芯體之界面或上述下包覆層之露出面之距離互不相同，上述第1層相對於該等面為近位側，上述第2層相對於該等面為遠位側；(2)上述第1層位於自與上述芯體之界面或上述下包覆層之露出面之距離為15μm以內；(3)上述第1層及上述第2層之折射率互不相同，且上述第1層之折射率高於上述第2層。
  2. 如請求項1之樹脂光波導，其中上述芯體露出部之光傳輸方向之長度為100μm以上。
  3. 如請求項1或2之樹脂光波導，其中上述第1層中之折射率之最大值n1,max與上述第2層中之折射率之最大值n2,max之差(n1,max-n2,max)為0.001以上。
  4. 如請求項1或2之樹脂光波導，其中上述芯體中之折射率之最大值n'max與上述第1層中之折射率之最大值n1,max之差(n'max-n1,max)為0.008~0.02。
  5. 如請求項1或2之樹脂光波導，其中上述第1層之厚度t為15μm以下。
  6. 如請求項5之樹脂光波導，其中上述第1層之厚度t、與上述第1層 中之折射率之最大值n1,max和上述第2層中之折射率之最大值n2,max之差(n1,max-n2,max)的積(t×(n1,max-n2,max))為0.001~0.2μm。
  7. 如請求項1或2之樹脂光波導，其中上述樹脂光波導於波長1310nm及波長1550nm之至少一者下為單模光波導。
  8. 如請求項1或2之樹脂光波導，其中上述樹脂光波導之芯體尺寸為1~10μm。
  9. 如請求項1或2之樹脂光波導，其中上述樹脂光波導之芯體包含含有氟之樹脂。
  10. 一種樹脂光波導，其特徵在於：其係具備芯體、以及折射率低於該芯體之下包覆層及上包覆層者，於上述樹脂光波導之一端側，設置有不存在上包覆層而露出芯體及該芯體周邊之下包覆層之芯體露出部，樹脂光波導之光傳輸方向之該芯體露出部之長度為500μm以上，且上述下包覆層中相當於上述芯體露出部之部位具有滿足下述(1)~(4)之第1層及第2層：(1)上述第1層及上述第2層位置如下，即，自與上述芯體之界面或上述下包覆層之露出面之距離互不相同，上述第1層相對於該等面為近位側，上述第2層相對於該等面為遠位側；(2)上述第1層位於自與上述芯體之界面或上述下包覆層之露出面之距離為8μm以內；(3)上述第1層及上述第2層之折射率互不相同，且上述第1層之折射率高於上述第2層；(4)上述第1層中之折射率之最大值n1,max與上述第2層中之折射率之最大值n2,max之差(n1,max-n2,max)為0.002以上。
  11. 如請求項1、2、10中任一項之樹脂光波導，其係於上述芯體露出部與矽光波導連接。
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