JP2004333851A - 光結合デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】更なる結合損失の低減が可能な光結合デバイスを提供する。
【解決手段】光結合デバイス10は、全体の概略形状が円柱状であって、当該円柱の第1端側の底面11が平坦面とされ、当該円柱の第2端側の上面12に凹部13が形成されている。底面11と凹部13の底部13aとの間に導波領域部14が設けられている。この導波領域部14は、導波領域部14以外の周辺部15の屈折率より高い屈折率を有しており、第1端(底面11)側から第2端(凹部13の底部13a)側へ光を導波することが可能であり、また、第2端側から第1端側へ光を導波することが可能である。第1端と第2端との間の光路上の各位置での等価導波領域の断面の最大幅および最小幅の双方が該光路に沿って連続的に変化している。第1端と第2端との間の光路上の各位置での屈折率が該光路に沿って連続的に変化している。
【選択図】 図1
【解決手段】光結合デバイス10は、全体の概略形状が円柱状であって、当該円柱の第1端側の底面11が平坦面とされ、当該円柱の第2端側の上面12に凹部13が形成されている。底面11と凹部13の底部13aとの間に導波領域部14が設けられている。この導波領域部14は、導波領域部14以外の周辺部15の屈折率より高い屈折率を有しており、第1端(底面11)側から第2端(凹部13の底部13a)側へ光を導波することが可能であり、また、第2端側から第1端側へ光を導波することが可能である。第1端と第2端との間の光路上の各位置での等価導波領域の断面の最大幅および最小幅の双方が該光路に沿って連続的に変化している。第1端と第2端との間の光路上の各位置での屈折率が該光路に沿って連続的に変化している。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、入力した光を導波しつつスポットサイズ変換して出力する光結合デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
互いに異種の光導波路を相互に光学的に結合しようとする場合、例えば、平面型光導波路と光ファイバとを光学的に結合しようとする場合、平面型光導波路および光ファイバそれぞれの端面の間にレンズを配置して、一方の端面から出力された光をレンズにより集光し、その集光した光を他方の端面に入力させることで、両者を光結合する。しかし、レンズを用いた光結合に因る結合損失は、1dB〜3dB程度であって大きい。
【0003】
上記のような結合損失を低減する為に光結合デバイスが用いられる。光結合デバイスは、入力した光を導波しつつスポットサイズ変換して出力することができるものであって、例えば、平面型光導波路から出力された光を入力し、その入力した光を導波しつつスポットサイズ変換して出力し、その出力した光を光ファイバに入力させる。
【0004】
非特許文献1〜3それぞれに記載された光結合デバイスは、平面型光導波路と共通の基板上に形成されて、平面型光導波路と直接に接続されていて、導波路幅が光路に沿って連続的に変化しているものである。このような光結合デバイスは、平面型光導波路と光ファイバとを低損失で光学的に結合させることを意図するものである。
【0005】
【非特許文献1】
水野隆之、他、「長高ΔPLCにおける狭テーパ構造を用いたスポットサイズ変換」、2001年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、C−3−97
【非特許文献2】
鈴木耕一、他、「高Δ石英光導波路用指数関数型スポットサイズコンバータ」、2001年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、C−3−98
【非特許文献3】
小黒守、他、「DFB−LDとSSC導波路構造を適用した1.25Gb/s動作送受信PLCモジュール」、2002年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、SC−2−6
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、非特許文献1〜3それぞれに記載された光結合デバイスを用いた光結合に因る結合損失は、レンズを用いた光結合に因る結合損失より小さくなり得るものの、更なる結合損失の低減には限界がある。
【0007】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、更なる結合損失の低減が可能な光結合デバイスを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光結合デバイスは、第1端に入力した光を導波しつつスポットサイズ変換して第2端から出力する光結合デバイスであって、第1端と第2端との間の光路上の各位置での等価導波領域の断面の最大幅および最小幅の双方が光路に沿って連続的に変化しており、光路上の各位置での屈折率が光路に沿って連続的に変化していることを特徴とする。光路上の各位置での等価導波領域の断面形状が円形であるのが好適である。
【0009】
この光結合デバイスは、第1端に光学的に接続された第1光導波路と、第2端に光学的に接続された第2光導波路とを、光結合することができる。第1端と第2端との間の光路上の各位置での等価導波領域の断面の最大幅および最小幅の双方が光路に沿って連続的に変化しており、光路上の各位置での屈折率が光路に沿って連続的に変化していることにより、第1光導波路と第2光導波路との光結合の損失を小さくすることができる。なお、第1光導波路および第2光導波路それぞれは、例えば、光ファイバ、平面型光導波路、半導体発光素子および半導体受光素子などである。
【0010】
本発明に係る光結合デバイスは、光路上に回折格子が形成されているのが好適である。この場合、第1端側と第2端側との間の光結合の際に、光路上に形成された回折格子の作用により、所定の透過スペクトルで光を透過させることができ、例えば、ノイズ光を遮断することができる。
【0011】
本発明に係る光結合デバイスは、第1端側および第2端側の双方または何れか一方が平坦面とされており、その平坦面の一部に光入出射端が設けられているのが好適である。この場合、例えば、平面型光導波路と光結合デバイスとの光学的接続が容易となる。
【0012】
本発明に係る光結合デバイスは、第1端側および第2端側の双方または何れか一方に凹部が形成されており、その凹部の底部に光入出射端が設けられているのが好適である。また、凹部の断面形状が円形であり、凹部の底部が平坦であるのが好適である。この場合、例えば、光ファイバを凹部に挿入することができ、光ファイバと光結合デバイスとの光学的接続が容易となる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図示の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。
【0014】
図1は、本実施形態に係る光結合デバイス10の斜視図である。図2は、本実施形態に係る光結合デバイス10の断面図である。光結合デバイス10の全体の概略形状は円柱状であって、図2は、当該円柱の中心軸Cを含む面で光結合デバイス10を切断したときの断面を示している。
【0015】
光結合デバイス10は、当該円柱の第1端側の底面11が平坦面とされ、当該円柱の第2端側の上面12に凹部13が形成されている。この凹部13の断面(当該円柱の中心軸Cに垂直な断面)の形状が一定径の円形であり、凹部13の底部13aが平坦である。凹部13は、光ファイバの端部を挿入し得る内径を有しており、光ファイバの外径(一般には125μm)に50μmを加えた値以下であるのが好適である。
【0016】
底面11と凹部13の底部13aとの間に導波領域部14が設けられている。この導波領域部14は、導波領域部14以外の周辺部15の屈折率より高い屈折率を有しており、第1端(底面11)側から第2端(凹部13の底部13a)側へ光を導波することが可能であり、また、第2端側から第1端側へ光を導波することが可能である。
【0017】
第1端と第2端との間の光路上の各位置での等価導波領域の断面の最大幅および最小幅の双方が該光路に沿って連続的に変化している。ここで、等価導波領域は、導波領域部14を導波する光のエネルギが導波領域部14近傍の周辺部15にも存在することを考慮して導波光の実質的な導波領域を表すものであり、光ファイバにおけるモードフィールドに相当するものである。具体的には導波領域部14は円錐台形状であり、この場合、等価導波領域の断面は円形状であって最大幅と最小幅とが互いに等しく、第1端と第2端との間の光路上の各位置での等価導波領域の断面の径が該光路に沿って連続的に変化している。
【0018】
第1端と第2端との間の光路上の各位置での屈折率が該光路に沿って連続的に変化している。この屈折率の変化は、光路に沿って導波領域部14の材料の組成を変化させることで可能である。
【0019】
光結合デバイス10の導波領域部14および周辺部15それぞれは、石英ガラスまたは半導体からなり、屈折率調整の為に組成が相違している。例えば、光結合デバイス10が石英ガラスからなる場合、Ge元素、Ti元素、P元素、B元素、N元素、F元素およびAl元素などの添加物が導波領域部14または周辺部15に添加される。また、例えば、導波領域部14がGaAsであって周辺部15がAlGaAsであり、導波領域部14がGaInAsPであって周辺部15がInPであり、導波領域部14がGaNAsであって周辺部15がGaAsであり、或いは、導波領域部14がGaInNAsであって周辺部15がGaAsである。なお、周辺部15のうち導波領域部14の周囲の部位は透明であることが望ましいが、周辺部15の他の部位は、透明でなくてもよく、例として挙げた上記の材料以外の材料からなっていてもよい。
【0020】
図3は、本実施形態に係る光結合デバイス10の使用例の説明図である。この図に示される使用例では、光結合デバイス10は、平面型光導波路80および光ファイバ90とともに用いられる。
【0021】
平面型光導波路80は、基板上にアンダークラッド領域82,コア領域81およびオーバークラッド領域83が順に形成されたものである。コア領域81は、アンダークラッド領域82およびオーバークラッド領域83より高屈折率であり、断面形状が矩形であって、チャネル型の光導波路を構成している。コア領域81は端面まで達しており、その端面は平坦である。その平面型光導波路80の平坦な端面は、光結合デバイス10の平坦な底面11に対向していて、平面型光導波路80のコア領域81と光結合デバイス10の導波領域部14との間で光結合される。光結合デバイス10の底面11での等価導波領域の断面の形状および寸法は、平面型光導波路80の端面での等価導波領域と略等しく設定されており、光結合デバイス10の底面11での導波領域部14の屈折率は、平面型光導波路80のコア領域81と略等しく設定されている。
【0022】
光ファイバ90は、光軸中心を含むコア領域91と、このコア領域91を取り囲むクラッド領域92とを有する。コア領域91は、クラッド領域92より高屈折率であり、断面形状が円形であって、光導波路を構成している。コア領域91は端面まで達しており、その端面は平坦である。また、クラッド領域92の断面形状は円形である。光ファイバ90の端部は、光結合デバイス10の上面12側の凹部13に挿入されていて、光ファイバ90のコア領域91と光結合デバイス10の導波領域部14との間で光結合される。光結合デバイス10の凹部13の底部13aでの等価導波領域の断面の形状および寸法は、光ファイバ90の端部での等価導波領域と略等しく設定されており、光結合デバイス10の凹部13の底部13aでの導波領域部14の屈折率は、光ファイバ90のコア領域91と略等しく設定されている。
【0023】
このように光結合デバイス10,平面型光導波路80および光ファイバ90が配置されることで、平面型光導波路80のコア領域81を伝搬してきた光は、その端面から出射されて、光結合デバイス10の導波領域部14に入射し、この導波領域部14を導波した後に、導波領域部14から出射されて、光ファイバ90のコア領域91に入射する。逆に、光ファイバ90のコア領域91を伝搬してきた光は、その端面から出射されて、光結合デバイス10の導波領域部14に入射し、この導波領域部14を導波した後に、導波領域部14から出射されて、平面型光導波路80のコア領域81に入射する。
【0024】
光結合デバイス10の導波領域部14における光路上の各位置での等価導波領域の断面が光路に沿って連続的に変化しているので、光が導波領域部14を導波するに従って光のスポットサイズが連続的に変化する。また、光結合デバイス10と平面型光導波路80との間の光結合位置では、各々の側のモードフィールドの形状が互いに近似しており、各々の側の屈折率が互いに近似しているから、光結合に因る損失が小さい。光結合デバイス10と光ファイバ90との間の光結合でも、各々の側のモードフィールドの形状が互いに近似しており、各々の側の屈折率が互いに近似しているから、光結合に因る損失が小さい。したがって、光結合デバイス10は、平面型光導波路80と光ファイバ90とを低損失で光結合することができる。
【0025】
平面型光導波路80および光ファイバ90とともに用いられる場合、光結合デバイス10の各部の寸法の具体例は以下のとおりである。平面型光導波路80のコア領域81の断面寸法が3μm×3μmである場合、光結合デバイス10の底面11での導波領域部14の断面寸法は3μmφである。光結合デバイス10の底面11での導波領域部14の屈折率は、平面型光導波路80のコア領域81と略等しく1.5010である。光ファイバ90のコア領域91の断面寸法が8μmφである場合、光結合デバイス10の凹部13の底部13aでの導波領域部14の断面寸法は8μmφである。光結合デバイス10の凹部13の底部13aでの導波領域部14の屈折率は、光ファイバ90のコア領域91と略等しく1.4570である。導波領域部14の光路に沿った長さは300μm〜500μmである。凹部13の内径は130μmφである。光結合デバイス10と平面型光導波路80との間の光結合、および、光結合デバイス10と光ファイバ90との間の光結合それぞれで、損失が0.1dB以下であり、偏波依存損失が0.05dB以下である。
【0026】
なお、導波領域部14の光路上に回折格子が形成されているのも好適である。この場合、光結合デバイス10と平面型光導波路80との間の光結合、および、光結合デバイス10と光ファイバ90との間の光結合それぞれの際に、導波領域部14の光路上に形成された回折格子の作用により、所定の透過スペクトルで光を透過させることができ、例えば、ノイズ光を遮断することができる。
【0027】
図4は、他の実施形態に係る光結合デバイス20の斜視図である。この図に示される光結合デバイス20は、既述した光結合デバイス10において凹部13を設けずに複数の導波領域部14を設けたものに相当する。すなわち、この光結合デバイス20は、平板21の一方の面から他方の面へ貫いて導波領域部241〜244が設けられている。導波領域部241〜244それぞれは、円錐台形状であり、屈折率が連続的に変化している。また、導波領域部241〜244それぞれの屈折率は、その周囲の周辺部25の屈折率より高い。
【0028】
図5は、更に他の実施形態に係る光結合デバイス30の斜視図である。この図に示される光結合デバイス30は、既述した光結合デバイス10において2つの凹部13を設けて各々の凹部13に対応して導波領域部14を設けたものに相当する。すなわち、この光結合デバイス30は、平板31の一方の面に2つの凹部331,332が設けられ、凹部331の底部から平板31の他方の面へ貫いて導波領域部341が設けられ、凹部332の底部から平板31の他方の面へ貫いて導波領域部342が設けられている。導波領域部341,342それぞれは、円錐台形状であり、屈折率が連続的に変化している。また、導波領域部341,342それぞれの屈折率は、その周囲の周辺部35の屈折率より高い。
【0029】
次に、本実施形態に係る光結合デバイスの製造方法について説明する。図6は、光結合デバイス30の製造工程の説明図である。先ず、一方の面に酸化膜42が形成された基板41を用意する(同図(a))。その酸化膜42の上に膜43を形成する(同図(b))。この膜43の形成に際しては、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法が用いられ、膜の厚み方向に組成が変化するように、供給ガスの組成を変化させる。
【0030】
続いて、この膜43に対して所定のパターンでエッチングを行って円錐台形状の島状部431,432を残し(同図(c))、これら島状部431,432の周囲を埋めるように埋め込み層44を形成する(同図(d))。このエッチングに際しては例えば反応性イオンエッチング(RIE)法が用いられ、埋め込み層44の形成に際しては例えばCVD法が用いられる。更に、両面アライナを行ない(同図(e))、基板41および酸化膜42それぞれに所定のパターンでエッチングを行って凹部451,452を形成する(同図(f),(g))。
【0031】
図6(g)に示された構成の各要素と、図5に示された光結合デバイス30の各要素との関係は、以下のとおりである。島状部431,432は、光結合デバイス30の導波領域部341,342に対応する。基板41,酸化膜42および埋め込み層44は、光結合デバイス30の周辺部35に対応する。また、凹部451,452は、光結合デバイス30の凹部331,332に対応する。
【0032】
また、図6(g)に示された構成の各要素の組成の例は以下のとおりである。基板41はシリコンである。酸化膜42は石英ガラスである。島状部431,432は石英ガラスである。また、埋め込み層44は石英ガラスである。
【0033】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。導波領域部14,241〜244および341,342それぞれの形状は、上記実施形態では円錐台としたが、これに限られるものではなく、例えば、一方の側では楕円や矩形であってもよい。また、光結合デバイスが光結合する対象は、上記実施形態では光ファイバや平面型光導波路としたが、これに限られるものではなく、例えば、レーザダイオードなどの半導体発光素子であってもよいし、フォトダイオードなどの半導体受光素子であってもよい。
【0034】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したとおり、本発明によれば、更なる結合損失の低減が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態に係る光結合デバイス10の斜視図である。
【図2】本実施形態に係る光結合デバイス10の断面図である。
【図3】本実施形態に係る光結合デバイス10の使用例の説明図である。
【図4】他の実施形態に係る光結合デバイス20の斜視図である。
【図5】更に他の実施形態に係る光結合デバイス30の斜視図である。
【図6】光結合デバイス30の製造工程の説明図である。
【符号の説明】
10…光結合デバイス、11…底面、12…上面、13…凹部、13a…凹部の底部、14…導波領域部、15…周辺部、80…平面型光導波路、81…コア領域、82,83…クラッド領域、90…光ファイバ、91…コア領域、92…クラッド領域。
【発明の属する技術分野】
本発明は、入力した光を導波しつつスポットサイズ変換して出力する光結合デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
互いに異種の光導波路を相互に光学的に結合しようとする場合、例えば、平面型光導波路と光ファイバとを光学的に結合しようとする場合、平面型光導波路および光ファイバそれぞれの端面の間にレンズを配置して、一方の端面から出力された光をレンズにより集光し、その集光した光を他方の端面に入力させることで、両者を光結合する。しかし、レンズを用いた光結合に因る結合損失は、1dB〜3dB程度であって大きい。
【0003】
上記のような結合損失を低減する為に光結合デバイスが用いられる。光結合デバイスは、入力した光を導波しつつスポットサイズ変換して出力することができるものであって、例えば、平面型光導波路から出力された光を入力し、その入力した光を導波しつつスポットサイズ変換して出力し、その出力した光を光ファイバに入力させる。
【0004】
非特許文献1〜3それぞれに記載された光結合デバイスは、平面型光導波路と共通の基板上に形成されて、平面型光導波路と直接に接続されていて、導波路幅が光路に沿って連続的に変化しているものである。このような光結合デバイスは、平面型光導波路と光ファイバとを低損失で光学的に結合させることを意図するものである。
【0005】
【非特許文献1】
水野隆之、他、「長高ΔPLCにおける狭テーパ構造を用いたスポットサイズ変換」、2001年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、C−3−97
【非特許文献2】
鈴木耕一、他、「高Δ石英光導波路用指数関数型スポットサイズコンバータ」、2001年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、C−3−98
【非特許文献3】
小黒守、他、「DFB−LDとSSC導波路構造を適用した1.25Gb/s動作送受信PLCモジュール」、2002年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、SC−2−6
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、非特許文献1〜3それぞれに記載された光結合デバイスを用いた光結合に因る結合損失は、レンズを用いた光結合に因る結合損失より小さくなり得るものの、更なる結合損失の低減には限界がある。
【0007】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、更なる結合損失の低減が可能な光結合デバイスを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光結合デバイスは、第1端に入力した光を導波しつつスポットサイズ変換して第2端から出力する光結合デバイスであって、第1端と第2端との間の光路上の各位置での等価導波領域の断面の最大幅および最小幅の双方が光路に沿って連続的に変化しており、光路上の各位置での屈折率が光路に沿って連続的に変化していることを特徴とする。光路上の各位置での等価導波領域の断面形状が円形であるのが好適である。
【0009】
この光結合デバイスは、第1端に光学的に接続された第1光導波路と、第2端に光学的に接続された第2光導波路とを、光結合することができる。第1端と第2端との間の光路上の各位置での等価導波領域の断面の最大幅および最小幅の双方が光路に沿って連続的に変化しており、光路上の各位置での屈折率が光路に沿って連続的に変化していることにより、第1光導波路と第2光導波路との光結合の損失を小さくすることができる。なお、第1光導波路および第2光導波路それぞれは、例えば、光ファイバ、平面型光導波路、半導体発光素子および半導体受光素子などである。
【0010】
本発明に係る光結合デバイスは、光路上に回折格子が形成されているのが好適である。この場合、第1端側と第2端側との間の光結合の際に、光路上に形成された回折格子の作用により、所定の透過スペクトルで光を透過させることができ、例えば、ノイズ光を遮断することができる。
【0011】
本発明に係る光結合デバイスは、第1端側および第2端側の双方または何れか一方が平坦面とされており、その平坦面の一部に光入出射端が設けられているのが好適である。この場合、例えば、平面型光導波路と光結合デバイスとの光学的接続が容易となる。
【0012】
本発明に係る光結合デバイスは、第1端側および第2端側の双方または何れか一方に凹部が形成されており、その凹部の底部に光入出射端が設けられているのが好適である。また、凹部の断面形状が円形であり、凹部の底部が平坦であるのが好適である。この場合、例えば、光ファイバを凹部に挿入することができ、光ファイバと光結合デバイスとの光学的接続が容易となる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図示の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。
【0014】
図1は、本実施形態に係る光結合デバイス10の斜視図である。図2は、本実施形態に係る光結合デバイス10の断面図である。光結合デバイス10の全体の概略形状は円柱状であって、図2は、当該円柱の中心軸Cを含む面で光結合デバイス10を切断したときの断面を示している。
【0015】
光結合デバイス10は、当該円柱の第1端側の底面11が平坦面とされ、当該円柱の第2端側の上面12に凹部13が形成されている。この凹部13の断面(当該円柱の中心軸Cに垂直な断面)の形状が一定径の円形であり、凹部13の底部13aが平坦である。凹部13は、光ファイバの端部を挿入し得る内径を有しており、光ファイバの外径(一般には125μm)に50μmを加えた値以下であるのが好適である。
【0016】
底面11と凹部13の底部13aとの間に導波領域部14が設けられている。この導波領域部14は、導波領域部14以外の周辺部15の屈折率より高い屈折率を有しており、第1端(底面11)側から第2端(凹部13の底部13a)側へ光を導波することが可能であり、また、第2端側から第1端側へ光を導波することが可能である。
【0017】
第1端と第2端との間の光路上の各位置での等価導波領域の断面の最大幅および最小幅の双方が該光路に沿って連続的に変化している。ここで、等価導波領域は、導波領域部14を導波する光のエネルギが導波領域部14近傍の周辺部15にも存在することを考慮して導波光の実質的な導波領域を表すものであり、光ファイバにおけるモードフィールドに相当するものである。具体的には導波領域部14は円錐台形状であり、この場合、等価導波領域の断面は円形状であって最大幅と最小幅とが互いに等しく、第1端と第2端との間の光路上の各位置での等価導波領域の断面の径が該光路に沿って連続的に変化している。
【0018】
第1端と第2端との間の光路上の各位置での屈折率が該光路に沿って連続的に変化している。この屈折率の変化は、光路に沿って導波領域部14の材料の組成を変化させることで可能である。
【0019】
光結合デバイス10の導波領域部14および周辺部15それぞれは、石英ガラスまたは半導体からなり、屈折率調整の為に組成が相違している。例えば、光結合デバイス10が石英ガラスからなる場合、Ge元素、Ti元素、P元素、B元素、N元素、F元素およびAl元素などの添加物が導波領域部14または周辺部15に添加される。また、例えば、導波領域部14がGaAsであって周辺部15がAlGaAsであり、導波領域部14がGaInAsPであって周辺部15がInPであり、導波領域部14がGaNAsであって周辺部15がGaAsであり、或いは、導波領域部14がGaInNAsであって周辺部15がGaAsである。なお、周辺部15のうち導波領域部14の周囲の部位は透明であることが望ましいが、周辺部15の他の部位は、透明でなくてもよく、例として挙げた上記の材料以外の材料からなっていてもよい。
【0020】
図3は、本実施形態に係る光結合デバイス10の使用例の説明図である。この図に示される使用例では、光結合デバイス10は、平面型光導波路80および光ファイバ90とともに用いられる。
【0021】
平面型光導波路80は、基板上にアンダークラッド領域82,コア領域81およびオーバークラッド領域83が順に形成されたものである。コア領域81は、アンダークラッド領域82およびオーバークラッド領域83より高屈折率であり、断面形状が矩形であって、チャネル型の光導波路を構成している。コア領域81は端面まで達しており、その端面は平坦である。その平面型光導波路80の平坦な端面は、光結合デバイス10の平坦な底面11に対向していて、平面型光導波路80のコア領域81と光結合デバイス10の導波領域部14との間で光結合される。光結合デバイス10の底面11での等価導波領域の断面の形状および寸法は、平面型光導波路80の端面での等価導波領域と略等しく設定されており、光結合デバイス10の底面11での導波領域部14の屈折率は、平面型光導波路80のコア領域81と略等しく設定されている。
【0022】
光ファイバ90は、光軸中心を含むコア領域91と、このコア領域91を取り囲むクラッド領域92とを有する。コア領域91は、クラッド領域92より高屈折率であり、断面形状が円形であって、光導波路を構成している。コア領域91は端面まで達しており、その端面は平坦である。また、クラッド領域92の断面形状は円形である。光ファイバ90の端部は、光結合デバイス10の上面12側の凹部13に挿入されていて、光ファイバ90のコア領域91と光結合デバイス10の導波領域部14との間で光結合される。光結合デバイス10の凹部13の底部13aでの等価導波領域の断面の形状および寸法は、光ファイバ90の端部での等価導波領域と略等しく設定されており、光結合デバイス10の凹部13の底部13aでの導波領域部14の屈折率は、光ファイバ90のコア領域91と略等しく設定されている。
【0023】
このように光結合デバイス10,平面型光導波路80および光ファイバ90が配置されることで、平面型光導波路80のコア領域81を伝搬してきた光は、その端面から出射されて、光結合デバイス10の導波領域部14に入射し、この導波領域部14を導波した後に、導波領域部14から出射されて、光ファイバ90のコア領域91に入射する。逆に、光ファイバ90のコア領域91を伝搬してきた光は、その端面から出射されて、光結合デバイス10の導波領域部14に入射し、この導波領域部14を導波した後に、導波領域部14から出射されて、平面型光導波路80のコア領域81に入射する。
【0024】
光結合デバイス10の導波領域部14における光路上の各位置での等価導波領域の断面が光路に沿って連続的に変化しているので、光が導波領域部14を導波するに従って光のスポットサイズが連続的に変化する。また、光結合デバイス10と平面型光導波路80との間の光結合位置では、各々の側のモードフィールドの形状が互いに近似しており、各々の側の屈折率が互いに近似しているから、光結合に因る損失が小さい。光結合デバイス10と光ファイバ90との間の光結合でも、各々の側のモードフィールドの形状が互いに近似しており、各々の側の屈折率が互いに近似しているから、光結合に因る損失が小さい。したがって、光結合デバイス10は、平面型光導波路80と光ファイバ90とを低損失で光結合することができる。
【0025】
平面型光導波路80および光ファイバ90とともに用いられる場合、光結合デバイス10の各部の寸法の具体例は以下のとおりである。平面型光導波路80のコア領域81の断面寸法が3μm×3μmである場合、光結合デバイス10の底面11での導波領域部14の断面寸法は3μmφである。光結合デバイス10の底面11での導波領域部14の屈折率は、平面型光導波路80のコア領域81と略等しく1.5010である。光ファイバ90のコア領域91の断面寸法が8μmφである場合、光結合デバイス10の凹部13の底部13aでの導波領域部14の断面寸法は8μmφである。光結合デバイス10の凹部13の底部13aでの導波領域部14の屈折率は、光ファイバ90のコア領域91と略等しく1.4570である。導波領域部14の光路に沿った長さは300μm〜500μmである。凹部13の内径は130μmφである。光結合デバイス10と平面型光導波路80との間の光結合、および、光結合デバイス10と光ファイバ90との間の光結合それぞれで、損失が0.1dB以下であり、偏波依存損失が0.05dB以下である。
【0026】
なお、導波領域部14の光路上に回折格子が形成されているのも好適である。この場合、光結合デバイス10と平面型光導波路80との間の光結合、および、光結合デバイス10と光ファイバ90との間の光結合それぞれの際に、導波領域部14の光路上に形成された回折格子の作用により、所定の透過スペクトルで光を透過させることができ、例えば、ノイズ光を遮断することができる。
【0027】
図4は、他の実施形態に係る光結合デバイス20の斜視図である。この図に示される光結合デバイス20は、既述した光結合デバイス10において凹部13を設けずに複数の導波領域部14を設けたものに相当する。すなわち、この光結合デバイス20は、平板21の一方の面から他方の面へ貫いて導波領域部241〜244が設けられている。導波領域部241〜244それぞれは、円錐台形状であり、屈折率が連続的に変化している。また、導波領域部241〜244それぞれの屈折率は、その周囲の周辺部25の屈折率より高い。
【0028】
図5は、更に他の実施形態に係る光結合デバイス30の斜視図である。この図に示される光結合デバイス30は、既述した光結合デバイス10において2つの凹部13を設けて各々の凹部13に対応して導波領域部14を設けたものに相当する。すなわち、この光結合デバイス30は、平板31の一方の面に2つの凹部331,332が設けられ、凹部331の底部から平板31の他方の面へ貫いて導波領域部341が設けられ、凹部332の底部から平板31の他方の面へ貫いて導波領域部342が設けられている。導波領域部341,342それぞれは、円錐台形状であり、屈折率が連続的に変化している。また、導波領域部341,342それぞれの屈折率は、その周囲の周辺部35の屈折率より高い。
【0029】
次に、本実施形態に係る光結合デバイスの製造方法について説明する。図6は、光結合デバイス30の製造工程の説明図である。先ず、一方の面に酸化膜42が形成された基板41を用意する(同図(a))。その酸化膜42の上に膜43を形成する(同図(b))。この膜43の形成に際しては、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法が用いられ、膜の厚み方向に組成が変化するように、供給ガスの組成を変化させる。
【0030】
続いて、この膜43に対して所定のパターンでエッチングを行って円錐台形状の島状部431,432を残し(同図(c))、これら島状部431,432の周囲を埋めるように埋め込み層44を形成する(同図(d))。このエッチングに際しては例えば反応性イオンエッチング(RIE)法が用いられ、埋め込み層44の形成に際しては例えばCVD法が用いられる。更に、両面アライナを行ない(同図(e))、基板41および酸化膜42それぞれに所定のパターンでエッチングを行って凹部451,452を形成する(同図(f),(g))。
【0031】
図6(g)に示された構成の各要素と、図5に示された光結合デバイス30の各要素との関係は、以下のとおりである。島状部431,432は、光結合デバイス30の導波領域部341,342に対応する。基板41,酸化膜42および埋め込み層44は、光結合デバイス30の周辺部35に対応する。また、凹部451,452は、光結合デバイス30の凹部331,332に対応する。
【0032】
また、図6(g)に示された構成の各要素の組成の例は以下のとおりである。基板41はシリコンである。酸化膜42は石英ガラスである。島状部431,432は石英ガラスである。また、埋め込み層44は石英ガラスである。
【0033】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。導波領域部14,241〜244および341,342それぞれの形状は、上記実施形態では円錐台としたが、これに限られるものではなく、例えば、一方の側では楕円や矩形であってもよい。また、光結合デバイスが光結合する対象は、上記実施形態では光ファイバや平面型光導波路としたが、これに限られるものではなく、例えば、レーザダイオードなどの半導体発光素子であってもよいし、フォトダイオードなどの半導体受光素子であってもよい。
【0034】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したとおり、本発明によれば、更なる結合損失の低減が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態に係る光結合デバイス10の斜視図である。
【図2】本実施形態に係る光結合デバイス10の断面図である。
【図3】本実施形態に係る光結合デバイス10の使用例の説明図である。
【図4】他の実施形態に係る光結合デバイス20の斜視図である。
【図5】更に他の実施形態に係る光結合デバイス30の斜視図である。
【図6】光結合デバイス30の製造工程の説明図である。
【符号の説明】
10…光結合デバイス、11…底面、12…上面、13…凹部、13a…凹部の底部、14…導波領域部、15…周辺部、80…平面型光導波路、81…コア領域、82,83…クラッド領域、90…光ファイバ、91…コア領域、92…クラッド領域。
Claims (6)
- 第1端に入力した光を導波しつつスポットサイズ変換して第2端から出力する光結合デバイスであって、
前記第1端と前記第2端との間の光路上の各位置での等価導波領域の断面の最大幅および最小幅の双方が前記光路に沿って連続的に変化しており、
前記光路上の各位置での屈折率が前記光路に沿って連続的に変化している、
ことを特徴とする光結合デバイス。 - 前記光路上の各位置での等価導波領域の断面形状が円形であることを特徴とする請求項1記載の光結合デバイス。
- 前記光路上に回折格子が形成されていることを特徴とする請求項1記載の光結合デバイス。
- 前記第1端側および前記第2端側の双方または何れか一方が平坦面とされており、その平坦面の一部に光入出射端が設けられている、ことを特徴とする請求項1記載の光結合デバイス。
- 前記第1端側および前記第2端側の双方または何れか一方に凹部が形成されており、その凹部の底部に光入出射端が設けられている、ことを特徴とする請求項1記載の光結合デバイス。
- 前記凹部の断面形状が円形であり、前記凹部の底部が平坦である、ことを特徴とする請求項5記載の光結合デバイス。
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