TWI693435B - 樹脂光波導 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種樹脂光波導，其特徵在於：其係具備芯體以及折射率低於該芯體之下包覆層及上包覆層者，於上述樹脂光波導之一端側，設置有不存在上包覆層而露出芯體之芯體露出部，且上述下包覆層中相當於上述芯體露出部之部位具有滿足下述(1)、(2)之芯體附近區域：(1)上述芯體附近區域係自上述芯體之距離為x以內之區域，該x為5μm以上且20μm以下；(2)上述芯體附近區域具有如下折射率分佈：與上述芯體之界面側之折射率為高，相對於與該芯體之界面之遠位側之折射率變低。
Description
本發明係關於一種樹脂光波導。
於非專利文獻1、2、或專利文獻1中提出有低損失且低成本地連接矽光波導與樹脂光波導之矽光子介面。本說明書中之所謂矽光波導係指於矽晶片上形成有作為(單模)光波導發揮功能之芯體包覆層構造者。
圖3係表示此種矽光子介面之一構成例之立體圖，圖4為其側視圖。
於圖3、4所示之樹脂光波導晶片300形成有1條或複數條樹脂光波導310。於樹脂光波導晶片300之一端側，樹脂光波導310與形成於矽光波導晶片200上之矽光波導(未圖示)連接。樹脂光波導晶片300之另一端側收容於連接器100內。
圖5係表示用於上述目的之樹脂光波導之一構成例之立體圖。
圖5所示之樹脂光波導310係於芯體320之周圍配置有下包覆層330及上包覆層340。但是，於圖3、4中，與形成於矽光波導晶片200上之矽光波導(未圖示)連接之側之前端成為未配置上包覆層340而使芯體320露出於外部之芯體露出部350。
圖6係表示於圖3、4所示之矽光子介面中矽光波導210與樹脂光波導310之連接部之剖視圖，樹脂光波導310係圖5所示之樹脂光波導310。於圖6中，將矽光波導210與樹脂光波導310以樹脂光波導310之
芯體320面向矽光波導210之狀態使用環氧樹脂連接。
圖7係用以說明圖3、4所示之矽光子介面中之光之傳輸之模式圖。於圖7中，藉由絕熱耦合(adiabatic coupling)，光自矽光波導210之芯體220向於樹脂光波導310前端露出之芯體320傳輸。繼而，光自樹脂光波導310之芯體320向光纖130之芯體140傳輸。
非專利文獻1：Jie Shu, Ciyuan Qiu,Xuezhi Zhang,and Qianfan Xu,"Efficient coupler between chip-level and board-level optical waveguides", OPTICS LETTERS, Vol.36, No.18,pp3614-3616(2011)
非專利文獻2：Tymon Barwics,and Yoichi Taira,"Low-Cost Interfacing of Fibers to Nanophotonic Waveguides: Design for Fabrication and Assembly Toleranes", IEEE Photonics Journal, Vol.6, No.4,August,660818(2014)
專利文獻1：美國專利第8,724,937號說明書
圖5所示之樹脂光波導310係於安裝於圖3、4所示之矽光子介面之前，以與先前之樹脂光波導同樣之程序實施性能評價。於樹脂光波導之性能評價中，將單模光纖連接於樹脂光波導之前端。圖8係用以說明於圖5所示之樹脂光波導310之前端連接有單模光纖時之光之傳播之模式圖。於圖5所示之樹脂光波導310與單模光纖400之連接中存在如下問題：一部分光自樹脂光波導310之前端之芯體320露出之部位放射後未得以傳輸，又，產生連接損失。該連接損失於安裝於圖3、4所示之矽光子介面時並未產生，對於性能評價結果之可靠性降低。
本發明之目的在於，為了解決上述先前技術之問題，提供一種樹脂光波導，其適宜用於低損失且低成本地連接矽光波導與樹脂光波導之矽光子介面，且使用單模光纖之性能評價之可靠性較高。
為了達成上述目的，本發明提供一種樹脂光波導，其特徵在於：其係具備芯體以及折射率低於該芯體之下包覆層及上包覆層者，於上述樹脂光波導之一端側，設置有不存在上包覆層而露出芯體之芯體露出部，上述下包覆層中相當於上述芯體露出部之部位具有滿足下述(1)、(2)之芯體附近區域：(1)上述芯體附近區域係自上述芯體之距離為x以內之區域，該x為5μm以上且20μm以下；(2)上述芯體附近區域具有如下折射率分佈：與上述芯體之界面側之折射率為高，相對於與該芯體之界面之遠位側之折射率變低。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為，上述芯體露出部之光傳輸方向之長度為100μm以上。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為，上述芯體附近區域之折射率分佈為0.00004/μm以上。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為，上述芯體附近區域中之上述下包覆層之折射率之最大值nmax與最小值nmin之差(nmax-nmin)為0.0001以上。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為，上述芯體中之折射率之最大值n'max與上述芯體附近區域中之上述下包覆層之折射率之最大值nmax之差(n'max-nmax)為0.008~0.02。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為，上述下包覆層之相當於上述芯體露出部之部位中，上述芯體附近區域以外之部位之折射率為上
述芯體附近區域中之上述下包覆層之折射率之最小值nmin以下。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為，上述下包覆層之厚度為10μm以上。
本發明之樹脂光波導較佳為於波長1310nm及波長1550nm之至少一者下為單模光波導。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為上述樹脂光波導之芯體尺寸為1~10μm。
於本發明之樹脂光波導中，較佳為上述樹脂光波導之芯體包含含有氟之樹脂。
又，本發明提供一種樹脂光波導，其特徵在於：其係具備芯體以及折射率低於該芯體之下包覆層及上包覆層者，於上述樹脂光波導之一端側，設置有不存在上包覆層而露出芯體及與該芯體鄰接之下包覆層之芯體露出部，樹脂光波導之光傳輸方向之該芯體露出部之長度為500μm以上，且上述下包覆層中相當於上述芯體露出部之部位具有滿足下述(1)~(3)之芯體附近區域：(1)上述芯體附近區域係自上述芯體之距離為x以內之區域，x為10μm以上且20μm以下；(2)上述芯體附近區域具有如下折射率分佈：與上述芯體之界面側之折射率為高，相對於與該芯體之界面之遠位側之折射率變低；(3)上述芯體附近區域中之上述下包覆層之折射率之最大值nmax與最小值nmin之差(nmax-nmin)為0.001以上。
本發明之樹脂光波導較佳為於上述芯體露出部與矽光波導連接。
本發明之樹脂光波導適宜用於低損失且低成本地連接矽光波導
與樹脂光波導之矽光子介面。
本發明之樹脂光波導於使用單模光纖之性能評價時之連接損失少，性能評價之可靠性高。
10‧‧‧樹脂光波導
11‧‧‧芯體
12‧‧‧下包覆層
13‧‧‧上包覆層
14‧‧‧芯體露出部
100‧‧‧連接器
130‧‧‧光纖
140‧‧‧芯體
200‧‧‧矽光波導晶片
210‧‧‧矽光波導
220‧‧‧芯體
230‧‧‧被覆
300‧‧‧樹脂光波導晶片
310‧‧‧樹脂光波導
320‧‧‧芯體
330‧‧‧下包覆層
340‧‧‧上包覆層
350‧‧‧芯體露出部
400‧‧‧單模光纖
410‧‧‧芯體
420‧‧‧包覆層
圖1係表示本發明之樹脂光波導之一構成例之立體圖。
圖2係表示實施例中之樹脂光波導與單模光纖之連接部之模式圖。
圖3係表示矽光子介面之一構成例之立體圖。
圖4係圖3之矽光子介面之側視圖。
圖5係表示用於圖3、4之矽光子介面之樹脂光波導之一構成例之立體圖。
圖6係表示於圖3、4所示之矽光子介面中形成於矽光波導晶片200上之矽光波導與樹脂光波導310之連接部之剖視圖。
圖7係用以說明圖3、4所示之矽光子介面中之光之傳輸之模式圖。
圖8係用以說明於圖5所示之樹脂光波導310之前端連接有單模光纖時之光之傳播之模式圖。
以下，參照圖式說明本發明。
圖1係表示本發明之樹脂光波導之一構成例之立體圖。圖1所示之樹脂光波導10具備芯體11以及折射率低於該芯體11之下包覆層12及上包覆層13。於芯體11之下方配置有下包覆層12，於芯體11之上方配置有上包覆層13。但是，於樹脂光波導10之一端側設置有不存在上包覆層13而露出芯體11之芯體露出部14。
再者，於本發明之樹脂光波導中，將配置於芯體周圍之下包覆層及上包覆層中不存在於芯體露出部之側作為上包覆層。因此，亦可
於芯體之上方配置下包覆層，於芯體之下方配置上包覆層。
該芯體露出部14成為將樹脂光波導10用作矽光子介面時與矽光波導之連接部位。因此，要求芯體露出部14具有足夠用作與矽光波導之連接部位的長度。本發明之樹脂光波導10較佳為樹脂光波導之光傳輸方向之芯體露出部14之長度為100μm以上，其係足夠用作與矽光波導之連接部位的長度。再者，所謂樹脂光波導之光傳輸方向係指芯體11之長軸方向。
芯體露出部14之樹脂光波導之光傳輸方向之長度更佳為300μm以上，進而較佳為500μm以上，進而更佳為1000μm以上。
但是，若樹脂光波導之光傳輸方向之芯體露出部14之長度過長，則於使用接著劑(例如環氧樹脂)與矽光波導連接時，有因接著劑之吸收而導致連接損失變大之虞。因此，樹脂光波導之光傳輸方向之芯體露出部14之長度較佳為10000μm以下，更佳為5000μm以下，進而較佳為3000μm以下。
於樹脂光波導10中，下包覆層12及上包覆層13之折射率低於芯體11之原因在於，防止於芯體11中傳播之光向下包覆層12側或上包覆層13側放射。
如上所述，如圖8所示，於連接具有芯體露出部之樹脂光波導310與單模光纖400時，於不存在上包覆層340之芯體露出部，成為芯體320露出之狀態。由於樹脂光波導310之性能評價係於芯體露出部存在於空氣中或水中之狀態下實施，故而芯體320之露出面與空氣或水接觸，但空氣或水之折射率小於樹脂光波導310之芯體320之材料或下包覆層330之材料。其結果為，於芯體320中傳輸之光之一部分向下包覆層330側放射，導致產生連接損失。
本發明之樹脂光波導10中，下包覆層12中相當於芯體露出部14之部位具有滿足下述(1)、(2)之芯體附近區域，藉此，抑制與單模光
纖之連接時之連接損失。
(1)芯體附近區域係自芯體11之距離為x以內之區域，x為5μm以上且20μm以下。
(2)芯體附近區域具有如下折射率分佈：與芯體11之界面側之折射率較高，相對於與該芯體11之界面之遠位側之折射率變低。
藉由於芯體附近區域設置芯體11近位側之折射率較高、芯體11遠位側之折射率變低之折射率分佈，從而，於芯體露出部14，可抑制於芯體11中傳輸之光向下包覆層12側放射，可抑制與單模光纖之連接時之連接損失。再者，上述(2)中之折射率分佈係藉由自與芯體11之界面側朝向相對於與該芯體11之界面之遠位側而折射率連續地變低而產生。
此處，將芯體附近區域設為自芯體11之距離為x以內之區域，x設為5μm以上，藉此，於芯體露出部14，抑制於芯體11中傳輸之光向下包覆層12側放射。再者，將x之上限設為20μm之原因在於，即便於自芯體11之距離為20μm以上之區域設置上述折射率分佈，對抑制與上述單模光纖之連接時之連接損失之效果之幫助亦較少。
於本發明之樹脂光波導10中，就抑制與上述單模光纖之連接時之連接損失之效果之方面而言，較佳為芯體附近區域之折射率分佈為0.00004/μm以上。
芯體附近區域之折射率分佈較佳為0.00007/μm以上，更佳為0.000075/μm以上，進而較佳為0.0001/μm以上，尤佳為0.0002/μm以上。
再者，折射率分佈之上限值並無特別限定，例如因下述製造方法等而可設為0.00035。
關於芯體附近區域中之下包覆層12之折射率，相對於芯體11之近位側之折射率成為最大值nmax，相對於芯體11之遠位側之折射率成為
最小值nmin。就抑制與單模光纖之連接時之連接損失之方面而言，芯體附近區域中之下包覆層12之折射率之最大值nmax與最小值nmin之差(nmax-nmin)較佳為0.0001以上，更佳為0.0002以上，進而較佳為0.0004以上，尤佳為0.0008以上。
再者，折射率之最大值nmax與最小值nmin之差之上限值並無特別限定，例如因下述製造方法等而可設為0.0035。
就兼顧抑制與矽光波導之連接損失、及抑制與單模光纖之連接時之連接損失之方面而言，芯體11中之折射率之最大值n'max與芯體附近區域中之下包覆層12之折射率之最大值nmax之差(n'max-nmax)較佳為0.008~0.02。此處，設為芯體11中之折射率之最大值n'max之原因在於，考慮到於芯體11亦存在折射率分佈之情形。
n'max-nmax更佳為0.010~0.015。
於本發明之樹脂光波導中，就抑制與單模光纖之連接時之連接損失之方面而言，較佳為下包覆層12之相當於芯體露出部之部位中芯體附近區域以外之部位之折射率為芯體附近區域中之下包覆層12之折射率之最小值nmin以下。該芯體附近區域以外之下包覆層12之折射率只要為最小值nmin以下，則無特別限定。因此，上述芯體附近區域以外之部位之折射率可為全部相同之數值，亦可與芯體附近區域之情形同樣地具有朝向相對於芯體11之遠位側而折射率進一步變低之折射率分佈。
又，於本發明之樹脂光波導中，根據下包覆層12之厚度，下包覆層12之相當於芯體露出部之部位整體亦可為滿足上述(1)、(2)、較佳為滿足上述(1)~(3)之芯體附近區域。於此情形時，下包覆層12之厚度與上述x一致。
又，於本發明之樹脂光波導中，關於在芯體11之上下配置有上包覆層13及下包覆層12的部位之下包覆層12之折射率，只要包含芯體附
近區域在內之所有區域均為低於芯體11之折射率之數值，則無特別限定。因此，例如關於該部位之下包覆層12，折射率可為全部相同之數值，亦可具有朝向相對於芯體11之遠位側而折射率變低之折射率分佈。又，亦可具有與滿足上述(1)~(3)之芯體附近區域相同之區域。
對本發明之樹脂光波導進一步記載。
(芯體11)
於圖1所示之樹脂光波導10中，芯體11之剖面形狀為矩形，但並不限於此，例如亦可為梯形、圓形、橢圓形。於芯體11之剖面形狀為多邊形之情形時，其角亦可帶有弧度。
芯體尺寸並無特別限定，可考慮與光源或受光元件之耦合效率等而適當設計。耦合效率依存於芯體直徑及數值孔徑(NA)。關於例如芯體11之芯體尺寸(如圖1所示之芯體11般芯體11之剖面形狀為矩形之情形時，為該矩形之寬度及高度)，若考慮用作矽光子介面時與所要連接之矽光波導之耦合效率，則較佳為1~10μm。更佳為1.5~8μm，進而較佳為2~7μm。此處，矩形之寬度係於高度中央位置上之寬度之長度，矩形之高度係於寬度中央位置上之高度之長度。再者，芯體尺寸亦可沿樹脂光波導之光傳輸方向呈錐狀變化。
芯體11亦可具有朝向相對於芯體中心之遠位側而折射率變低之折射率分佈。又，可具有上包覆層側之折射率較高而下包覆層側之折射率變低之折射率分佈，亦可具有上包覆層側之折射率較低而下包覆層側之折射率變高之折射率分佈。
(上包覆層13)
上包覆層13之折射率之數值只要低於芯體11之折射率，則無特別限定。因此，例如上包覆層13可為折射率均為相同之數值，可構成為朝向相對於芯體11之遠位側而折射率變低，亦可構成為朝向相對於芯體11之遠位側而折射率變高。
上包覆層13之厚度並無特別限定，於本發明之樹脂光波導10為單模光波導之情形時，存在傳輸之光亦洩露至位於距芯體11之中心10μm左右之範圍內之包覆層部分之情況。因此，於單模光波導之情形時，就減少光之傳輸損失之觀點而言，較佳為10μm以上。又，下包覆層12及上包覆層13之合計厚度較佳為20~90μm，更佳為30~70μm。
於本發明之樹脂光波導中，芯體11、下包覆層12、及上包覆層13之構成材料只要滿足作為樹脂光波導之要求特性，則無特別限定。就抑制於芯體11中傳輸之光之損失之觀點而言，芯體11之構成材料較佳為含有氟之樹脂。
又，關於芯體11、下包覆層12及上包覆層13之構成材料、以及樹脂光波導之製造程序，例如可參考下述文獻之記載。
國際公開第2010/107005號
日本專利特開2013-120338號公報
日本專利特開2012-63620號公報
以上述文獻作為參考，製造圖1所示之本發明之樹脂光波導10之情形時，樹脂光波導10之芯體露出部14可按照以下程序形成。
形成下包覆層，使用光微影製程於下包覆層上形成芯體後，於下包覆層及芯體上塗佈硬化物組合物，藉由加熱及/或光照射使硬化性樹脂組合物硬化，形成上包覆層。於形成上包覆層時，使用光微影製程，可形成具有上包覆層之區域及無上包覆層而露出芯體之區域(即芯體露出部)。
又，具有滿足上述(1)、(2)之芯體附近區域之下包覆層12可按照以下程序形成。
藉由調整形成上述下包覆層時之加熱溫度或加熱時間，及/或藉由調整光之照射強度或照射時間，可形成具有滿足上述(1)、(2)、較
佳為滿足上述(1)~(3)之芯體附近區域之下包覆層12。或者，藉由添加用以調整折射率之摻雜劑而加以調整，及/或藉由調整光之照射強度或照射時間，可形成具有滿足上述(1)、(2)、較佳為滿足上述(1)~(3)之芯體附近區域之下包覆層12。
再者，於藉由添加摻雜劑而調整折射率之情形時，該折射率依存於構成下包覆層之材料及摻雜劑之種類，因此為了獲得目標之折射率，根據構成下包覆層之材料而適當選擇該摻雜劑。
本發明之樹脂光波導係被用於低損失且低成本地連接矽光波導與光纖之矽光子介面，因此為單模光波導可使光信號高密度化，故而較佳。於此情形時，於波長1310nm及1550nm之至少一者下為單模光波導時，即便對於矽光波導或單模光纖亦可低損失地傳輸光，故而較佳。
於將本發明之樹脂光波導用於矽光子介面之情形時，於樹脂光波導之芯體露出部與矽光波導連接。
以下使用實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。
於以下所示之實施例中，以RSoft Design Group股份有限公司製造之RSoft CAD定義樹脂光波導與單模光纖之構造(尺寸與折射率)，藉由作為模擬‧引擎之RSoft Design Group股份有限公司製造之BeamProp(有限差分光束傳輸法)進行光傳輸之模擬。
圖2係表示實施例中之樹脂光波導與單模光纖之連接部之模式圖。
(例1~52)
例1~52中，例1~5、7~11、例13~52為實施例，例6、例12為比較例。
如以下所示，以RSoft CAD定義樹脂光波導與單模光纖之構造。
(單模光纖400)
芯體410
芯體直徑8.4μm
折射率1.47
包覆層420
包覆層直徑80μm
折射率1.4652
(樹脂光波導10)
單模光波導
芯體11
芯體尺寸 寬度方向5.9μm，縱向2.3μm
折射率1.534
下包覆層12
厚度40μm
與芯體11之界面之折射率1.52
於自芯體11之距離為10μm以內之芯體附近區域，具有與芯體11之界面側之折射率較高、相對於與芯體11之界面之遠位側之折射率變低之折射率分佈(0×10-4~3.5×10-4/μm)。
上包覆層13
厚度40μm
折射率1.52
芯體露出部14
關於將芯體露出部14以水(折射率1.32)或空氣(折射率1.00)填滿之狀態，根據BeamProp藉由計算求出波長1.55μm下之連接損失。將結果示於下述表。再者，表中，下包覆層12之折射率中，將與芯體11之
界面側之折射率設為n2，將自與芯體11之界面之距離為10μm之位置上之折射率設為n1。再者，n2為芯體附近區域中之下包覆層12之折射率之最大值nmax，n1為芯體附近區域中之下包覆層12之折射率之最小值nmin，又，光波導10之芯體11與單模光纖400之芯體410之偏移量Y如圖2所示。又，表中之指標如下述表所示。
上述表1~表6係將芯體露出部14之光傳輸方向之長度設為2000μm之實施例，於表7及表8中表示將芯體露出部14之長度設為500μm、1000μm、1500μm及3000μm者之結果。
由表可知，相當於芯體露出部之芯體附近區域不具有折射率分佈之例6、12之連接損失較大。相對於此，相當於芯體露出部之芯體附近區域之折射率分佈為0.00004μm以上之例1~5、例7~11、例13~例52之連接損失較小。
又，如表4~6所示，於將芯體露出部14以水填滿之狀態、或以空氣填滿之狀態之任一情形時，只要芯體附近區域之折射率分佈為0.00004μm以上，則無關於折射率分佈之大小如何，又，因光波導10之芯體14與單模光纖400之芯體410之偏移量Y所導致之影響較少。
(例53、例54)
例53為實施例，例54為比較例。作為例53，製作芯體之折射率
為1.53且芯體寬度為6.0μm，芯體高度為2.49μm，上包覆層之厚度為24μm，下包覆層之厚度為50μm之樹脂光波導。下包覆層之芯體界面側之折射率為1.516，且具有隨著自芯體之界面離開而折射率變低之折射率分佈0.00008/μm。關於下包覆層之折射率分佈，具有上包覆層之區域與不具有上包覆層之區域均具有相同之折射率分佈。芯體露出部14之光傳輸方向之長度為1750μm，芯體露出部之狀態為水。該實施例53之樹脂光波導與單模光纖之連接損失為7.0dB，連接損失之指標為「4」。
作為例54，下包覆層之折射率遍及厚度方向地設為固定，除此以外，製作與實施例53相同之構造之光纖。下包覆層之折射率固定為1.516。該例54之樹脂光波導與單模光纖之連接損失超過20dB，連接損失之指標為「1」。
已詳細地且參照特定之實施態樣對本發明進行了說明，但業者明白，可不脫離本發明之精神及範圍而添加各種變更或修正。本申請案係基於2015年8月4日提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2015-154011號)者，其內容作為參照引入本文。
Claims (11)
- 一種樹脂光波導，其特徵在於：其係具備芯體以及折射率低於該芯體之下包覆層及上包覆層者，於上述樹脂光波導之一端側，設置有不存在上包覆層而露出芯體及與該芯體鄰接之下包覆層之芯體露出部，且上述下包覆層中相當於上述芯體露出部之部位具有滿足下述(1)、(2)之芯體附近區域：(1)上述芯體附近區域係自上述芯體之距離為x以內之區域，該x為5μm以上且20μm以下；(2)上述芯體附近區域具有如下折射率分佈：與上述芯體之界面側之折射率為高，相對於與該芯體之界面之遠位側之折射率變低。
- 如請求項1之樹脂光波導，其中上述芯體露出部之光傳輸方向之長度為100μm以上。
- 如請求項1或2之樹脂光波導，其中上述芯體附近區域之折射率分佈為0.00004/μm以上。
- 如請求項1或2之樹脂光波導，其中上述芯體附近區域中之上述下包覆層之折射率之最大值nmax與最小值nmin之差(nmax-nmin)為0.0001以上。
- 如請求項1或2之樹脂光波導，其中上述芯體中之折射率之最大值n'max與上述芯體附近區域中之上述下包覆層之折射率之最大值nmax之差(n'max-nmax)為0.008~0.02。
- 如請求項1或2之樹脂光波導，其中上述下包覆層之相當於上述芯體露出部之部位中，上述芯體附近區域以外之部位之折射率為上述芯體附近區域中之上述下包覆層之折射率之最小值nmin以 下。
- 如請求項1或2之樹脂光波導，其中上述樹脂光波導於波長1310nm及波長1550nm之至少一者下為單模光波導。
- 如請求項1或2之樹脂光波導，其中上述樹脂光波導之芯體尺寸為1~10μm。
- 如請求項1或2之樹脂光波導，其中上述樹脂光波導之芯體包含含有氟之樹脂。
- 一種樹脂光波導，其特徵在於：其係具備芯體以及折射率低於該芯體之下包覆層及上包覆層者，於上述樹脂光波導之一端側，設置有不存在上包覆層而露出芯體及與該芯體鄰接之下包覆層之芯體露出部，樹脂光波導之光傳輸方向之該芯體露出部之長度為500μm以上，且上述下包覆層中相當於上述芯體露出部之部位具有滿足下述(1)~(3)之芯體附近區域：(1)上述芯體附近區域係自上述芯體之距離為x以內之區域，x為10μm以上且20μm以下；(2)上述芯體附近區域具有如下折射率分佈：與上述芯體之界面側之折射率為高，相對於與該芯體之界面之遠位側之折射率變低；(3)上述芯體附近區域中之上述下包覆層之折射率之最大值nmax與最小值nmin之差(nmax-nmin)為0.001以上。
- 如請求項1、2、10中任一項之樹脂光波導，其係於上述芯體露出部與矽光波導連接。
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