CN103777275A - 提供绝热耦合的聚合物波导阵列和硅波导阵列的对准 - Google Patents

提供绝热耦合的聚合物波导阵列和硅波导阵列的对准 Download PDF

Info

Publication number
CN103777275A
CN103777275A CN201310489341.5A CN201310489341A CN103777275A CN 103777275 A CN103777275 A CN 103777275A CN 201310489341 A CN201310489341 A CN 201310489341A CN 103777275 A CN103777275 A CN 103777275A
Authority
CN
China
Prior art keywords
array
silicon
pwg
mask
polymkeric substance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310489341.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103777275B (zh
Inventor
沼田英俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Core Usa Second LLC
GlobalFoundries Inc
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of CN103777275A publication Critical patent/CN103777275A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103777275B publication Critical patent/CN103777275B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1221—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/138—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using polymerisation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

一种提供绝热耦合的聚合物波导阵列和硅波导阵列的对准。对准形成在聚合物上的（单模）聚合物波导（PWG）阵列与形成在硅（Si）芯片上的硅波导（SiWG）阵列。并且因此实现绝热耦合。使高精度形成的端头和高精度形成的凹槽用作绝对的定位基准以提供根据凹槽和端头的自对准。在通过光刻图案化的PWG中，采用多个掩模，但是沿着对准基线（用于掩模）进行形成，并且因此相对于误差δx实现高精度。在通过纳米压印图案化的PWG中，也相对于误差δx和δy实现形成上的高精度。

Description

提供绝热耦合的聚合物波导阵列和硅波导阵列的对准
技术领域
本发明涉及提供使得光在聚合物波导（PWG）阵列和硅波导（SiWG）阵列之间传输的耦合。
特别是，本发明涉及单模聚合物波导（PWG）中的阵列高精度对准的技术，从而提供绝热耦合。
背景技术
多模和单模聚合物波导（PWG）二者都广泛地以刚性形式应用于印刷板上或者以柔性形式应用于聚合物基膜上。
光学波导（WG）的原理是提供芯和包层的结合物，是具有不同折射系数的两种不同类型聚合物的结合物，并且芯用作光传输通道。
另一方面，也广泛地采用硅波导（SiWG），其中光传输通道形成在硅（Si）芯片上。
在聚合物波导（PWG）和在硅波导（SiWG）二者中，多通道波导（WG）在彼此平行的一个方向上以阵列方式形成，从而提供多通道的光传输通道。
已经进行了各种努力来在聚合物波导（PWG）和硅波导（SiWG）之间传输光。然而，使光在微观级别下有效传输的耦合要求高精度的定位。
在多模波导（WG）的情况下，在波导彼此耦合时或者在波导耦合到多模光纤时，大截面的芯以及几乎相同尺寸的芯截面和几乎相同的数值孔径可提供这样具有可接受级别损耗的耦合，只要在彼此连接的截面之间保证邻接截面的精确定位。
实际上，所谓的“端面耦合”用于提供上述的耦合。
然而，当单模波导（WG）耦合到硅波导（SiWG）时，芯的截面非常小，并且连接的波导在芯截面的尺寸上和数值孔径上非常不同。因此，甚至难以采用端面耦合。
在此情况下，绝热耦合可作为选择性的方法，通过该方法，在光轴方向上预定距离处捕获和传输沿阵列的光轴方向上的瞬逝光（evanescent light）。
然而，当单模波导（WG）耦合到硅波导（SiWG）时，提供高精度对准的阵列以提供绝热耦合的技术仍是未知的。
关于用于形成聚合物波导（PWG）或者定位多通道聚合物波导（PWG）的创新方法，已经知晓各种基本的技术，例如专利文件1至11中描述的那些技术。
然而，仍然没有文献提供绝热耦合或者涉及高精度对准，例如用于提供绝热耦合的自对准。
[引用列表]
[专利文件]
[专利文件1]日本专利申请公开No.2000-75158A
[专利文件2]日本专利申请公开No.2004-102220A
[专利文件3]日本专利申请公开No.2008-58530A
[专利文件4]日本专利申请公开No.6-109936A
[专利文件5]日本专利申请公开No.2006-139147A
[专利文件6]日本专利申请公开No.2005-208187A
[专利文件7]日本专利申请公开No.2008-89879A
[专利文件8]日本专利申请公开No.2009-31780A
[专利文件9]日本专利申请公开No.2007-212786A
[专利文件10]日本专利申请公开No.7-45811A
[专利文件11]日本专利申请公开No.11-258455A
发明内容
[技术问题]
本发明的目的是对准形成在聚合物上的（单模）聚合物波导（PWG）阵列和形成在硅（Si）芯片上的硅波导（SiWG）阵列，并且因此实现绝热耦合。
[解决问题的技术方案]
形成在聚合物上的（单模）聚合物波导（PWG）阵列和形成在硅（Si）芯片上的硅波导（SiWG）阵列根据两侧上高精度形成的端头和凹槽的结合而自对准。
[本发明的优点]
本发明能够高精度对准形成在聚合物上的（单模）聚合物波导（PWG）阵列和形成在硅（Si）芯片上的硅波导（SiWG）阵列，从而实现绝热耦合。
附图说明
图1是示出其中提供了本发明的绝热耦合的区域以及包含该区域的封装结构的总图；
图2是用于说明硅波导（SiWG）阵列和聚合物波导（PWG）阵列重叠以及用于说明绝热耦合中涉及的瞬逝波的俯视图；
图3是用于说明重叠硅波导（SiWG）阵列和聚合物波导（PWG）阵列的对准重要性的俯视图；
图4是示出形成在聚合物上的端头和形成在硅芯片上的凹槽的结合的总图，该结合使得能够对准形成在聚合物上的（单模）聚合物波导（PWG）阵列和形成在硅（Si）芯片上的硅波导（SiWG）阵列，从而根据本发明实现绝热耦合；
图5是示出在聚合物上高精度形成（单模）聚合物波导（PWG）阵列和端头的本发明方法的示意图；
图6是用于说明在根据本发明形成聚合物波导（PWG）阵列和端头时，通过光刻图案化的PWG和通过纳米压印图案化的PWG的各自优点的示意图；
图7是用于说明在根据本发明形成聚合物波导（PWG）阵列和端头时，通过光刻图案化的PWG和通过纳米压印图案化的PWG的各自方法的示意图；以及
图8是用于说明对准硅波导（SiWG）阵列和聚合物波导（PWG）阵列然后固定阵列的方法并且用于说明阵列已经固定后的状态的示意图。
具体实施方式
图1是示出其中提供了本发明的绝热耦合的区域和包括该区域的封装结构的总图。
绝热耦合通过对准形成在聚合物上的（单模）聚合物波导（PWG）阵列与形成在硅（Si）芯片上的硅波导（SiWG）阵列而实现。
其中提供该绝热耦合的结合耦合部分由光学环氧树脂或者UV粘合剂固定。
还包括固定到聚合物的MTP连接器和固定到硅芯片的内插器；这些器件被包封起来。
例如，采用填充有硅球（silica beads）的粘合剂。
还包括固定到硅芯片的散热器和盖板（封装的外壳）；整体由盖板覆盖。
盖板用作封装的外壳。
根据该封装结构的内在关系，可提供包括下列顺序步骤1至10的制造（装配）方法。
（1）首先，制备硅（Si）芯片，该硅芯片具有形成在其中的硅波导（SiWG）阵列。
（2）制备聚合物，使该聚合物具有形成在其中的（单模）聚合物波导（PWG）阵列。
（3）硅芯片和聚合物以可实现光学耦合的空间关系的方式对准。
（4）硅芯片和聚合物由光学环氧树脂或UV粘合剂彼此固定（而保持对准状态）。
（5）制备固定到聚合物的MTP连接器。
（6）制备固定到硅芯片的内插器。
（7）包封这些器件。可采用填充有硅球的粘合剂。
（8）制备固定到硅芯片的散热器。
（9）制备盖板（封装的外壳）。
（10）整体由盖板覆盖以形成封装结构。
图2是用于说明硅波导（SiWG）阵列和聚合物波导（PWG）阵列重叠以及用于说明绝热耦合中涉及的瞬逝波的俯视图。
如图2（a）所示，这些阵列在光轴方向上重叠在预定的距离上，因此捕获且传输瞬逝光。
在本发明的光轴方向上的预定距离的验证上，长度L约为3mm（制造误差为±20%）。然而，本领域技术人员可根据条件计算理论上的优化长度。
该类型的光学耦合已知为绝热耦合。
如图2（b）所示，硅波导（SiWG）阵列的核心的宽度小于聚合物波导（PWG）阵列的宽度。
在用于本发明的验证中，证明了这样的情况，其中形成在聚合物上的（单模）聚合物波导（PWG）阵列的芯的宽度为约5μm（制造误差为±20%），并且形成在硅（Si）芯片上的硅波导（SiWG）阵列的芯的宽度为约几百纳米至1μm（制造误差为±30%）。
硅波导（SiWG）阵列和聚合物波导（PWG）阵列之间存在双向光学传输。然而，因为SiWG阵列和PWG阵列之间存在芯的宽度上的级差，所以光学损耗的大小上存在差别。
从SiWG侧传输到PWG侧的瞬逝波易于在PWG侧捕获。
从PWG侧传输到SiWG侧的瞬逝波相对难于在SiWG侧捕获。
该验证表示，在采用上述芯的宽度的结合时，适合于将间隙g设定为3μm或附近（制造误差为±20%）。
然而，间隙g的适当大小受传输光的波长和模场直径（MFD）的影响。本领域技术人员可以确定间隙g的适当大小。
图3是用于说明重叠硅波导（SiWG）阵列和聚合物波导（PWG）阵列的对准重要性的俯视图。
图3（a）所示的微量错位δx导致光传输损耗。
图3（b）所示的微量错位（倾斜）δθ导致光传输损耗。
可见，当错位δx和倾斜δθ的如图3（c）所示结合时，引起的损耗量较大。
由上面的描述可理解，对准对于重叠硅波导（SiWG）阵列和聚合物波导（PWG）阵列是非常重要的。
图4是示出形成在聚合物上的端头和形成在硅芯片上的凹槽的结合的总图，该结合使得能够对准形成在聚合物上的（单模）聚合物波导（PWG）阵列和形成在硅（Si）芯片上的硅波导（SiWG）阵列，从而根据本发明实现绝热耦合。
在本发明中，形成在聚合物上的（单模）聚合物波导（PWG）阵列和形成在硅（Si）芯片上的硅波导（SiWG）阵列根据高精度形成在两侧上的凹槽和端头自对准。
本发明的目标是使凹槽和端头用作绝对的定位基准以根据凹槽和端头执行自对准。
图5是示出在聚合物上高精度形成（单模）聚合物波导（PWG）阵列和端头的本发明方法的示意图。
（单模）聚合物波导（PWG）阵列和端头可以集成方式高精度形成，从而端头和凹槽用作绝对的定位基准。
（1）首先，在聚合物上涂覆（下）包层。
（2）沿着涂覆的芯层和（下）包层之上的对准基线制备第一掩模。
（3）通过采用第一掩模的光刻工艺在包层上形成多通道芯（或芯阵列）。
这里，芯层材料的折射系数大于包层材料的折射系数。
（4）采用与芯阵列材料相同类型的聚合物材料，用于形成端头的基底层涂覆为覆盖核心阵列。
（5）沿着用来制备第一掩模的同一对准基线制备第二掩模（具有与第一掩模不同的曝光图案）。
这里可见，因为采用同一对准基线（用于掩模），所以当用作绝对定位基准的端头和多通道芯（芯阵列或者阵列中芯之一）之间的距离为x（图4）时，x轴上的定位误差δx被最小化，从而高精度地实现了装配。
（6）通过采用第二掩模的光刻形成端头。
通过采用第一掩模的光刻工艺用于形成芯阵列的芯的材料和通过采用第二掩模的光刻工艺用于制造端头的基底层的材料二者可选自相同类型的聚合物材料，例如，丙烯酸树脂、环氧树脂或聚酰亚胺。
优选地，采用第一掩模的光刻工艺中所采用的显影剂和冲洗液类似于采用第二掩模的光刻工艺中采用的显影剂和冲洗液。
需要保证通过采用第一掩模光刻工艺形成的芯阵列在采用第二掩模的光刻工艺的显影步骤中保持它们的形状。当这样再一次使用显影剂和冲洗液时，整个工艺变得比较简单。
图6是用于说明在根据本发明形成聚合物波导（PWG）阵列和端头时，通过光刻图案化的PWG和通过纳米压印图案化PWG的各自优点的示意图。
在通过光刻图案化的PWG和通过纳米压印图案化PWG二者中，端头中可提供直线部分和锥形部分。
在端头中提供锥形部分具有这样的优点，在端头以滑动方式插入形成在硅芯片上的凹槽中时，更容易执行插入。
在通过光刻图案化的PWG中，端头的厚度控制可通过旋涂工艺精确实现。
在通过纳米压印图案化的PWG中，采用通过精密切割工艺事先制备的金属铸件；从而，端头的厚度控制和在高度方向上形成端头的复杂结构可以以亚微米精度实现。因此，可以以高精度提供斜面。
端头中斜面的提供具有这样的优点，当端头设置或者推入形成在硅芯片上的凹槽时，更加容易实现设置或插入。
这样，在采用通过光刻或者纳米压印图案化的PWG时，可更容易地以滑动或者推入的方式实现插入。此外，当用作绝对定位基准的端头和芯阵列（芯之一）之间的距离在水平方向上为x和在垂直方向上为y（图4）时，x轴上的定位误差δx和y轴上的误差δy被最小化，从而高精度地执行装配。
形成在硅芯片上的凹槽可通过蚀刻等与形成在硅（Si）芯片上的硅波导（SiWG）阵列一起高精度地形成。
图7是用于说明在根据本发明形成聚合物波导（PWG）阵列和端头时，通过光刻图案化的PWG和通过纳米压印图案化的PWG的各方法的示意图。
在通过纳米压印图案化的PWG中，
（1）首先，制备聚合物的基底层。作为选择，聚合物可涂覆在玻璃基板上。
（2）将具有对应于（单模）聚合物波导（PWG）阵列的芯的凹槽和对应于其端头的凹槽的铸件设置在聚合物的基底层上。铸件可为金属的。已经知晓，在采用金属铸件时易于实现高精度。
（3）硬化聚合物的基底层。可执行UV曝光。聚合物（基底层）和玻璃基板可为UV透明的。
（4）从硬化的聚合物的基底层去除铸件。
图8是用于说明对准硅波导（SiWG）阵列和聚合物波导（PWG）阵列然后固定这些阵列且用于说明已经固定这些阵列后的状态的示意图。
包括根据本发明提供的绝热耦合的封装结构也可提供为根据图1描述的内在关系的制造方法。

Claims (11)

1.一种包括形成在聚合物上的端头和形成在硅（Si）芯片上的凹槽的结构，通过对准形成在该聚合物上的聚合物波导（PWG）阵列与形成在该硅芯片上的硅波导（SiWG）阵列，可用该结构实现绝热耦合，
其中形成在该聚合物上的该端头沿着形成该PWG阵列的方向形成，并且
其中形成在该聚合物上的该端头采用第二掩模形成，该第二掩模沿着与形成该PWG阵列的光刻工艺中采用的第一掩模相同的对准基线设置，该第二掩模具有与第一掩模不同的曝光图案，并且
其中形成在该硅芯片上的该凹槽沿着形成该SiWG阵列的方向形成。
2.根据权利要求1所述的结构，该聚合物和该硅芯片由光学环氧树脂或UV粘合剂彼此固定。
3.根据权利要求2所述的结构，该结构进一步包括固定到该聚合物的MTP连接器和固定到该硅芯片的内插器，其中这些器件被包封起来。
4.根据权利要求3所述的结构，还包括固定到该硅芯片的散热器，其中所述结构还包括用作该结构外壳的盖板。
5.根据权利要求1所述的结构，
其中形成在该聚合物上的该聚合物波导（PWG）阵列的芯的宽度约为5μm，并且形成在该硅（Si）芯片上的该硅波导（SiWG）阵列的芯的宽度约为几百纳米至1μm。
6.一种形成一种结构的方法，所述结构包括形成在聚合物上的聚合物波导（PWG）阵列和端头，使该聚合物波导（PWG）阵列和该端头与形成在硅（Si）芯片上的硅波导（SiWG）阵列和沿着形成SiWG的方向形成的凹槽对准，从而实现绝热耦合，该方法包括如下步骤：
在该聚合物上涂覆包层；
沿着在芯层之上且在涂覆的包层之下的对准基线制备第一掩模；
根据采用该第一掩模的光刻工艺在该包层上制造芯阵列，该芯层的材料的折射系数大于该包层的材料的折射系数；
通过采用与该芯阵列的材料类型相同的聚合物材料涂覆用于形成该端头的基底层，从而该芯阵列由该基底层覆盖；
沿着制备该第一掩模所用的同一对准基线制备第二掩模，该第二掩模的暴露的图案与该第一掩模不同；以及
根据采用该第二掩模的光刻工艺形成该端头。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括如下步骤：
制备其上形成有硅波导（SiWG）阵列和该凹槽的该硅（Si）芯片；
制备其上形成有该聚合物波导（PWG）阵列和该端头的该聚合物；
对准该硅芯片与该聚合物，使得空间关系提供为实现该绝热耦合；以及
利用光学环氧树脂或UV粘合剂固定该硅芯片和该聚合物。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括如下步骤：
制备固定到该聚合物的MTP连接器；
制备固定到该硅芯片的内插器；以及
将这些器件包封起来。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括如下步骤：
制备固定到该硅芯片的散热器；以及
制备用作该结构外壳的盖板。
10.根据权利要求6所述的方法，
其中形成在该聚合物上的该聚合物波导（PWG）阵列的芯的宽度为约5μm，并且形成在该硅（Si）芯片上的该硅波导（SiWG）阵列的芯的宽度为约几百纳米至1μm。
11.根据权利要求6所述的方法，
其中通过采用该第一掩模的光刻工艺用于形成芯阵列的该芯的材料和通过采用该第二掩模的光刻工艺用于形成该端头的该基底层的材料二者选自相同类型的聚合物材料，例如，丙烯酸树脂、环氧树脂或聚酰亚胺，并且
其中在采用该第一掩模的光刻工艺中采用的显影剂和冲洗液可再一次用作采用该第二掩模的光刻工艺中所用的显影剂和冲洗液。
CN201310489341.5A 2012-10-18 2013-10-18 提供绝热耦合的聚合物波导阵列和硅波导阵列的对准 Active CN103777275B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012231090A JP2014081586A (ja) 2012-10-18 2012-10-18 アディアバティック結合を実現させる、シングルモード・ポリマー導波路（ＰＷＧ）アレイと、シリコン導波路（ＳｉＷＧ）アレイとの整列。
JP2012-231090 2012-10-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103777275A true CN103777275A (zh) 2014-05-07
CN103777275B CN103777275B (zh) 2017-06-06

Family

ID=50485411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310489341.5A Active CN103777275B (zh) 2012-10-18 2013-10-18 提供绝热耦合的聚合物波导阵列和硅波导阵列的对准

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9008477B2 (zh)
JP (1) JP2014081586A (zh)
CN (1) CN103777275B (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107144919A (zh) * 2017-06-28 2017-09-08 湖北工业大学 一种聚合物光波导芯片的制作方法
CN107688211A (zh) * 2016-08-04 2018-02-13 苏州旭创科技有限公司 一种光波导器件及其制作方法
CN107817562A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 格罗方德半导体公司 在光波导之间用于光信号传输的具有垂直对准光栅耦合器的多芯片模块
CN107850730A (zh) * 2015-08-04 2018-03-27 旭硝子株式会社 树脂光波导
CN108780192A (zh) * 2016-03-23 2018-11-09 Ａｇｃ株式会社 复合光波导
CN109196395A (zh) * 2016-06-02 2019-01-11 Ａｇｃ株式会社 树脂光波导路
CN109642986A (zh) * 2016-09-06 2019-04-16 Ａｇｃ株式会社 树脂光波导以及复合光波导
CN110554459A (zh) * 2018-05-31 2019-12-10 意法半导体股份有限公司 制造用于绝热耦合的器件的方法、对应的器件和系统
TWI693435B (zh) * 2015-08-04 2020-05-11 日商Ａｇｃ股份有限公司 樹脂光波導
CN112969942A (zh) * 2018-10-26 2021-06-15 Arm有限公司 光波导连接设备
CN113348390A (zh) * 2019-01-24 2021-09-03 京瓷株式会社 光连接器模块以及光波导基板的制造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014081587A (ja) * 2012-10-18 2014-05-08 International Business Maschines Corporation アディアバティック結合を実現させる、シングルモード・ポリマー導波路（ＰＷＧ）アレイと、シリコン導波路（ＳｉＷＧ）アレイとの整列。
US9726820B2 (en) 2014-08-14 2017-08-08 Raytheon Company End pumped PWG with tapered core thickness
JP7101454B2 (ja) * 2016-12-28 2022-07-15 日東電工株式会社 光電気混載基板
US10591687B2 (en) 2017-05-19 2020-03-17 Adolite Inc. Optical interconnect modules with 3D polymer waveguide
JP6909637B2 (ja) 2017-05-25 2021-07-28 新光電気工業株式会社 光導波路装置及びその製造方法
US10107966B1 (en) * 2017-09-06 2018-10-23 International Business Machines Corporation Single-mode polymer waveguide connector assembly
JP7396272B2 (ja) 2018-05-18 2023-12-12 Ａｇｃ株式会社 ポリマー光導波路及び複合光導波路
FR3084479B1 (fr) * 2018-07-25 2021-03-05 St Microelectronics Grenoble 2 Dispositif electronique et assemblage, incluant des guides d'ondes optiques
US10962711B2 (en) * 2018-11-29 2021-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor package and manufacturing method thereof
FR3089310A1 (fr) * 2018-12-04 2020-06-05 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Dispositif électronique comprenant une puce électronique pourvue d’un câble optique
JP7222136B2 (ja) * 2019-01-24 2023-02-14 京セラ株式会社 光コネクタモジュール及び光導波路基板の製造方法
JPWO2020226120A1 (zh) 2019-05-09 2020-11-12
WO2021014720A1 (ja) * 2019-07-25 2021-01-28 京セラ株式会社 光回路基板およびそれを用いた電子部品実装構造体
EP4323821A1 (en) * 2021-04-12 2024-02-21 Corning Research & Development Corporation Waveguide substrate connection systems and methods

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5909524A (en) * 1996-05-20 1999-06-01 Fujitsu Limited Optical coupling structure and a fabrication process thereof
US6709607B2 (en) * 1996-12-31 2004-03-23 Honeywell International Inc. Flexible optic connector assembly
JP2005017394A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Sharp Corp 光電気回路基板およびその製造方法
CN1690746A (zh) * 2003-12-22 2005-11-02 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司 将光纤与印刷布线板掩埋波导耦合的方法和结构

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3077720B2 (ja) 1992-09-30 2000-08-14 日本電信電話株式会社 光導波路の作製方法
JP3117107B2 (ja) 1993-08-03 2000-12-11 シャープ株式会社 光集積回路素子の組立構造
JPH11258455A (ja) 1998-03-11 1999-09-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路部品及びこれを用いた光導波路モジュール
JP2000075158A (ja) 1998-08-31 2000-03-14 Sony Corp 光導波路の製造方法、製造装置および光導波路
JP4014519B2 (ja) 2002-07-17 2007-11-28 日東電工株式会社 ポリマー光導波路の製造方法
JP2005208187A (ja) 2004-01-21 2005-08-04 Ricoh Opt Ind Co Ltd 導波路構造を有する光学デバイスとその製造方法
JP2006139147A (ja) 2004-11-12 2006-06-01 Bridgestone Corp 光導波路およびその製造方法
JP4807091B2 (ja) 2006-02-09 2011-11-02 パナソニック電工株式会社 光伝送モジュール用コネクタ構造
JP2008058530A (ja) 2006-08-30 2008-03-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 押し出しラミネートによる導波路作製方法および金型の作製方法
JP4730274B2 (ja) 2006-09-29 2011-07-20 ソニー株式会社 光結合器、光コネクタ及びレセプタクル型光伝送モジュール
JP5156502B2 (ja) 2007-06-26 2013-03-06 パナソニック株式会社 光モジュール
US8724937B2 (en) * 2011-12-20 2014-05-13 International Business Machines Corporation Fiber to wafer interface
US8534927B1 (en) * 2012-03-23 2013-09-17 International Business Machines Corporation Flexible fiber to wafer interface

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5909524A (en) * 1996-05-20 1999-06-01 Fujitsu Limited Optical coupling structure and a fabrication process thereof
US6709607B2 (en) * 1996-12-31 2004-03-23 Honeywell International Inc. Flexible optic connector assembly
JP2005017394A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Sharp Corp 光電気回路基板およびその製造方法
CN1690746A (zh) * 2003-12-22 2005-11-02 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司 将光纤与印刷布线板掩埋波导耦合的方法和结构

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ABDULLAH J ZAKARIYA,TAO LIU ET AL: "flexible optical probe for planar lightwave circuits testing", 《CLEO/QELS》 *

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107850730A (zh) * 2015-08-04 2018-03-27 旭硝子株式会社 树脂光波导
TWI693436B (zh) * 2015-08-04 2020-05-11 日商Ａｇｃ股份有限公司 樹脂光波導
TWI693435B (zh) * 2015-08-04 2020-05-11 日商Ａｇｃ股份有限公司 樹脂光波導
CN108780192A (zh) * 2016-03-23 2018-11-09 Ａｇｃ株式会社 复合光波导
CN108780192B (zh) * 2016-03-23 2021-01-05 Ａｇｃ株式会社 复合光波导
CN109196395A (zh) * 2016-06-02 2019-01-11 Ａｇｃ株式会社 树脂光波导路
CN107688211B (zh) * 2016-08-04 2020-09-25 苏州旭创科技有限公司 一种光波导器件及其制作方法
CN107688211A (zh) * 2016-08-04 2018-02-13 苏州旭创科技有限公司 一种光波导器件及其制作方法
CN109642986A (zh) * 2016-09-06 2019-04-16 Ａｇｃ株式会社 树脂光波导以及复合光波导
US10768372B2 (en) 2016-09-06 2020-09-08 AGC Inc. Resin optical waveguide and composite optical waveguide
CN107817562A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 格罗方德半导体公司 在光波导之间用于光信号传输的具有垂直对准光栅耦合器的多芯片模块
CN107144919A (zh) * 2017-06-28 2017-09-08 湖北工业大学 一种聚合物光波导芯片的制作方法
CN110554459A (zh) * 2018-05-31 2019-12-10 意法半导体股份有限公司 制造用于绝热耦合的器件的方法、对应的器件和系统
US10761279B2 (en) 2018-05-31 2020-09-01 Stmicroelectronics S.R.L. Method of producing a device for adiabatic coupling between waveguide arrays, corresponding device, and system
CN110554459B (zh) * 2018-05-31 2021-02-02 意法半导体股份有限公司 制造用于绝热耦合的器件的方法、对应的器件和系统
CN112969942A (zh) * 2018-10-26 2021-06-15 Arm有限公司 光波导连接设备
CN113348390A (zh) * 2019-01-24 2021-09-03 京瓷株式会社 光连接器模块以及光波导基板的制造方法
CN113348390B (zh) * 2019-01-24 2023-09-19 京瓷株式会社 光连接器模块以及光波导基板的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014081586A (ja) 2014-05-08
CN103777275B (zh) 2017-06-06
US9008477B2 (en) 2015-04-14
US20140112616A1 (en) 2014-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103777275A (zh) 提供绝热耦合的聚合物波导阵列和硅波导阵列的对准
US9658411B2 (en) Alignment of single-mode polymer waveguide (PWG) array and silicon waveguide (SiWG) array of providing adiabatic coupling
US10288812B1 (en) Fiber optic-to-waveguide coupling assembly with overlap for edge coupling
US20060215963A1 (en) Optical connecting device and connector
EP1271195B1 (en) Method of manufacturing optical waveguide device
US9389362B1 (en) Adaptive optical interconnection of components of an electro-optical circuit
CN104903768B (zh) 通过将紫外能量传输通过光纤包层使与光纤相邻的环氧树脂选择性紫外固化
JP2008216905A (ja) 光モジュール及び光導波路の製造方法
JP3866186B2 (ja) 単チャネル又は多チャネル導波装置をファイバへ接続する光コネクタ・アダプタ及びそれを製造する方法
US6400857B1 (en) Method for making integrated and composite optical devices utilizing prefabricated optical fibers and such devices
CN101093263B (zh) 光波导及其制造方法以及光通信模块
WO2022018816A1 (ja) 光モジュール
JP3595817B2 (ja) 光モジュールの実装方法及び実装構造
US6816653B2 (en) Passive alignment of optical fibers with optical elements
US6445837B1 (en) Hybrid opto-electronic circuits and method of making
US7620278B2 (en) Optical waveguide device
CN101393306A (zh) 光配线部件的制造方法及光配线部件
JP2009300562A (ja) 多チャンネル直角光路変換素子
JP4172097B2 (ja) ロッドレンズ付き光ファイバ配列部品の製造方法
GB2378316A (en) Passive alignment microstructures for electroptical devices
JPH08327844A (ja) 光導波路の作製方法
CN117452557B (zh) 3d硅基光端面耦合器及其制备方法
EP1098213A1 (en) Method of making pigtail arrays
JP2007298887A (ja) 光配線部材の製造方法及び光配線部材
JP2000314819A (ja) ファイバ端末、そのファイバ端末の組立方法および光結合装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171117

Address after: Grand Cayman, Cayman Islands

Patentee after: GLOBALFOUNDRIES INC.

Address before: American New York

Patentee before: Core USA second LLC

Effective date of registration: 20171117

Address after: American New York

Patentee after: Core USA second LLC

Address before: New York grams of Armand

Patentee before: International Business Machines Corp.