JP3077720B2 - 光導波路の作製方法 - Google Patents
光導波路の作製方法Info
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- JP3077720B2 JP3077720B2 JP04261708A JP26170892A JP3077720B2 JP 3077720 B2 JP3077720 B2 JP 3077720B2 JP 04261708 A JP04261708 A JP 04261708A JP 26170892 A JP26170892 A JP 26170892A JP 3077720 B2 JP3077720 B2 JP 3077720B2
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- deuterium
- optical waveguide
- polysiloxane
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路の作製方法、特
にポリシロキサンを用いた光集積回路用光導波路の作製
方法に関するものである。
にポリシロキサンを用いた光集積回路用光導波路の作製
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光学部品や光ファイバの基材としては光
伝送損失が小さく、伝送帯域が広いことから、一般に石
英ガラスや多成分ガラス等の無機系のものが使用されて
いる。一方、プラスチックを基材とする光導波路も開発
されている。これらのプラスチック光導波路は、無機系
に比べリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）等によ
る加工性が良く、取り扱い等の特徴をもつことから注目
されている。このようなプラスチックの中でポリシロキ
サン材料は耐熱性、光透過性の面で優れている。しかし
ながら、このポリシロキサンは一般にＲＩＥ耐性が良い
ことで知られており、パターン化されたポリシロキサン
光導波路を簡便に作製することは困難であった。
伝送損失が小さく、伝送帯域が広いことから、一般に石
英ガラスや多成分ガラス等の無機系のものが使用されて
いる。一方、プラスチックを基材とする光導波路も開発
されている。これらのプラスチック光導波路は、無機系
に比べリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）等によ
る加工性が良く、取り扱い等の特徴をもつことから注目
されている。このようなプラスチックの中でポリシロキ
サン材料は耐熱性、光透過性の面で優れている。しかし
ながら、このポリシロキサンは一般にＲＩＥ耐性が良い
ことで知られており、パターン化されたポリシロキサン
光導波路を簡便に作製することは困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような現
状に鑑みなされたものであり、その課題は加工が困難で
あるポリシロキサンを容易に加工可能にした光導波路の
作製方法を提供することである。
状に鑑みなされたものであり、その課題は加工が困難で
あるポリシロキサンを容易に加工可能にした光導波路の
作製方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明に従う
光導波路の作製方法は、下記一般式（１）（化１）〔式
中、Ｒ1 ，Ｒ2 は同一または異なり、Ｃn Ｙ2n+1（Ｙは
重水素もしくはハロゲン、ｎは５以下の正の整数を表
す）で表される重水素化またはハロゲン化アルキル基、
あるいはＣ6 Ｙ6 （Ｙは重水素もしくはハロゲンを表
す）で表される重水素化またはハロゲン化フェニル基〕
で表される繰り返し単位を有するハロゲンおよび／また
は重水素を含むポリシロキサン、下記一般式（２）（化
２）〔式中、Ｒ1 ，Ｒ2 は同一または異なり、Ｃn Ｙ
2n+1（Ｙは重水素もしくはハロゲン、ｎは５以下の正の
整数を表す）で表される重水素化またはハロゲン化アル
キル基、あるいはＣ6 Ｙ6 （Ｙは重水素もしくはハロゲ
ンを表す）で表される重水素化またはハロゲン化フェニ
ル基〕で表される繰り返し単位を有するハロゲンおよび
／または重水素を含むポリシロキサン、一般式（１）お
よび（２）で表される繰り返し単位の双方を含む共重合
体であるハロゲンおよび／または重水素を含むポリシロ
キサン、およびこれらの混合物、よりなる群から選ばれ
たポリマーの所望の部分に酸素存在下で光を照射し、溶
媒に対する溶解度を変化させ、所望のパターンをこの溶
解度の差を利用して作製し、このパターン部を光導波路
のコアあるいはクラッドとしたことを特徴とする。
光導波路の作製方法は、下記一般式（１）（化１）〔式
中、Ｒ1 ，Ｒ2 は同一または異なり、Ｃn Ｙ2n+1（Ｙは
重水素もしくはハロゲン、ｎは５以下の正の整数を表
す）で表される重水素化またはハロゲン化アルキル基、
あるいはＣ6 Ｙ6 （Ｙは重水素もしくはハロゲンを表
す）で表される重水素化またはハロゲン化フェニル基〕
で表される繰り返し単位を有するハロゲンおよび／また
は重水素を含むポリシロキサン、下記一般式（２）（化
２）〔式中、Ｒ1 ，Ｒ2 は同一または異なり、Ｃn Ｙ
2n+1（Ｙは重水素もしくはハロゲン、ｎは５以下の正の
整数を表す）で表される重水素化またはハロゲン化アル
キル基、あるいはＣ6 Ｙ6 （Ｙは重水素もしくはハロゲ
ンを表す）で表される重水素化またはハロゲン化フェニ
ル基〕で表される繰り返し単位を有するハロゲンおよび
／または重水素を含むポリシロキサン、一般式（１）お
よび（２）で表される繰り返し単位の双方を含む共重合
体であるハロゲンおよび／または重水素を含むポリシロ
キサン、およびこれらの混合物、よりなる群から選ばれ
たポリマーの所望の部分に酸素存在下で光を照射し、溶
媒に対する溶解度を変化させ、所望のパターンをこの溶
解度の差を利用して作製し、このパターン部を光導波路
のコアあるいはクラッドとしたことを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明の光導波路の作製方法において使用され
ているパターン化の原理を説明する。
ているパターン化の原理を説明する。
【０００６】まず、本発明に用いる材料ポリシロキサン
（Ｉ）の構造式（繰り返し単位）を以下に示す。
（Ｉ）の構造式（繰り返し単位）を以下に示す。
【０００７】（化１）〔式中、Ｒ1 ，Ｒ2 は、同一また
は異なり、Ｃn Ｙ2n+1（Ｙは重水素もしくはハロゲン、
ｎは５以下の正の整数を表す）で表される重水素化また
はハロゲン化アルキル基、あるいはＣ6 Ｙ6 （Ｙは重水
素もしくはハロゲンを表す）で表される重水素化または
ハロゲン化フェニル基を表す。〕同様に、本発明に用い
る材料ポリシロキサン（ＩＩ）の構造式（繰り返し単
位）を以下に示す。（化２）〔式中、Ｒ1 ，Ｒ2 は、同
一または異なり、Ｃn Ｙ2n+1（Ｙは重水素もしくはハロ
ゲン、ｎは５以下の正の整数を表す）で表される重水素
化またはハロゲン化アルキル基、あるいはＣ6 Ｙ6 （Ｙ
は重水素もしくはハロゲンを表す）で表される重水素化
またはハロゲン化フェニル基を表す。〕さらに、材料ポ
リシロキサン（ＩＩＩ）として、（Ｉ）と（ＩＩ）の繰
り返し単位の双方を含む共重合体も使用できる。
は異なり、Ｃn Ｙ2n+1（Ｙは重水素もしくはハロゲン、
ｎは５以下の正の整数を表す）で表される重水素化また
はハロゲン化アルキル基、あるいはＣ6 Ｙ6 （Ｙは重水
素もしくはハロゲンを表す）で表される重水素化または
ハロゲン化フェニル基を表す。〕同様に、本発明に用い
る材料ポリシロキサン（ＩＩ）の構造式（繰り返し単
位）を以下に示す。（化２）〔式中、Ｒ1 ，Ｒ2 は、同
一または異なり、Ｃn Ｙ2n+1（Ｙは重水素もしくはハロ
ゲン、ｎは５以下の正の整数を表す）で表される重水素
化またはハロゲン化アルキル基、あるいはＣ6 Ｙ6 （Ｙ
は重水素もしくはハロゲンを表す）で表される重水素化
またはハロゲン化フェニル基を表す。〕さらに、材料ポ
リシロキサン（ＩＩＩ）として、（Ｉ）と（ＩＩ）の繰
り返し単位の双方を含む共重合体も使用できる。
【０００８】さらにまた、材料ポリシロキサン（Ｉ），
（ＩＩ），（ＩＩＩ）を種々の比率で混合したブレンド
も使用できる。
（ＩＩ），（ＩＩＩ）を種々の比率で混合したブレンド
も使用できる。
【０００９】本発明の方法において使用する材料ポリシ
ロキサン（Ｉ），（ＩＩ），（ＩＩＩ）は特願平１−１
７８０９０に記載された方法で製造できる。
ロキサン（Ｉ），（ＩＩ），（ＩＩＩ）は特願平１−１
７８０９０に記載された方法で製造できる。
【００１０】本発明で用いる材料ポリシロキサン
（Ｉ），（ＩＩ）および（ＩＩＩ）はいずれも結合とし
てＲ1 −Ｓｉ−，Ｒ2 −Ｓｉを有する。これらの結合を
酸素雰囲気中、例えば空気中、でＵＶ光を照射し、光エ
ネルギーにより切断し、ポリマーの溶解度物性を変化さ
せ、照射部と未照射部の溶解度の差によりパターン化す
るものである。
（Ｉ），（ＩＩ）および（ＩＩＩ）はいずれも結合とし
てＲ1 −Ｓｉ−，Ｒ2 −Ｓｉを有する。これらの結合を
酸素雰囲気中、例えば空気中、でＵＶ光を照射し、光エ
ネルギーにより切断し、ポリマーの溶解度物性を変化さ
せ、照射部と未照射部の溶解度の差によりパターン化す
るものである。
【００１１】本発明による光導波路作製工程の中でパタ
ーン化工程について図１および図２にその方法を２種示
す。
ーン化工程について図１および図２にその方法を２種示
す。
【００１２】まず、図１に示す方法（ａ）について説明
する。
する。
【００１３】（ａ−１） 材料ポリシロキサンを溶解し
た溶液を用いて、基板１上にポリシロキサンのスピンコ
ート膜２を作製し、溶剤除去のため加熱する（製膜工
程、図１（Ａ））。
た溶液を用いて、基板１上にポリシロキサンのスピンコ
ート膜２を作製し、溶剤除去のため加熱する（製膜工
程、図１（Ａ））。
【００１４】（ａ−２） 次に任意のパターンが描かれ
たマスク３を用い、酸素存在下、例えば空気中、で波長
３００ｎｍ以下のＵＶ光４をマスク３ごしに照射する
（露光工程、図１（Ｂ））。
たマスク３を用い、酸素存在下、例えば空気中、で波長
３００ｎｍ以下のＵＶ光４をマスク３ごしに照射する
（露光工程、図１（Ｂ））。
【００１５】（ａ−３） 露光された基板１上のポリシ
ロキサンのスピンコート膜２を適当な有機溶剤５を用い
てエッチングして溶解度変化部２ａを残す（現像工程、
図１（Ｃ））。
ロキサンのスピンコート膜２を適当な有機溶剤５を用い
てエッチングして溶解度変化部２ａを残す（現像工程、
図１（Ｃ））。
【００１６】次に図２に示す方法（ｂ）について説明す
る。
る。
【００１７】（ｂ−１） 材料ポリシロキサンを溶解し
た溶液を用いて、基板１上にポリシロキサンのスピンコ
ート膜２を作製し、溶剤除去のため加熱する（製膜工
程、図２（Ａ））。
た溶液を用いて、基板１上にポリシロキサンのスピンコ
ート膜２を作製し、溶剤除去のため加熱する（製膜工
程、図２（Ａ））。
【００１８】（ｂ−２） 次にレーザ光（波長３００ｎ
ｍ以下のエキシマレーザ光）６を酸素存在下、例えば空
気中、で照射しながら、基板１を載せた移動ステージ７
を移動ステージ制御部８により走査して膜上に任意のパ
ターン２ｂを描く（露光工程、図２（Ｂ））。
ｍ以下のエキシマレーザ光）６を酸素存在下、例えば空
気中、で照射しながら、基板１を載せた移動ステージ７
を移動ステージ制御部８により走査して膜上に任意のパ
ターン２ｂを描く（露光工程、図２（Ｂ））。
【００１９】（ｂ−３） レーザ光６を照射した基板１
上のポリシロキサンのスピンコート膜２を適当な有機溶
剤５を用いてエッチングして溶解度変化部２ｂを残す
（現像工程、図２（Ｃ））。
上のポリシロキサンのスピンコート膜２を適当な有機溶
剤５を用いてエッチングして溶解度変化部２ｂを残す
（現像工程、図２（Ｃ））。
【００２０】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
【００２１】（実施例１） 式（３）
【００２２】
【化３】
【００２３】式（４）
【００２４】
【化４】
【００２５】材料ポリシロキサン（ＩＩ）であるポリシ
ロキサン（Ａ）（式（４）の繰り返し単位を有するポリ
マー）を溶かした１０％クロロベンゼン溶液を用いてシ
リコン基板上にスピンコートにより塗布した（回転数：
１０００ｒｐｍ）。得られた膜を１１０℃で加熱乾燥
し、十分に溶媒を除去して下部クラッド層を形成した。
完全に乾燥したことを確認してから、さらに、この膜上
に上記ポリシロキサン（Ａ）より屈折率が高い、材料ポ
リシロキサン（ＩＩＩ）であるポリシロキサン（Ｂ）
（式（３）の繰り返し単位を有するポリマー）と式
（４）の繰り返し単位を有するポリマーの１：５共重合
体）を含むクロロベンゼン溶液を用いて膜厚８μｍの膜
をコア層として堆積した。スピンコーターの回転数は１
０００ｒｐｍであった。
ロキサン（Ａ）（式（４）の繰り返し単位を有するポリ
マー）を溶かした１０％クロロベンゼン溶液を用いてシ
リコン基板上にスピンコートにより塗布した（回転数：
１０００ｒｐｍ）。得られた膜を１１０℃で加熱乾燥
し、十分に溶媒を除去して下部クラッド層を形成した。
完全に乾燥したことを確認してから、さらに、この膜上
に上記ポリシロキサン（Ａ）より屈折率が高い、材料ポ
リシロキサン（ＩＩＩ）であるポリシロキサン（Ｂ）
（式（３）の繰り返し単位を有するポリマー）と式
（４）の繰り返し単位を有するポリマーの１：５共重合
体）を含むクロロベンゼン溶液を用いて膜厚８μｍの膜
をコア層として堆積した。スピンコーターの回転数は１
０００ｒｐｍであった。
【００２６】次に、８μｍ幅の直線パターンを有するマ
スクを用意し、空気中で波長２６５ｎｍ付近の光をマス
クごしに照射した。この膜をクロロベンゼンにて現像処
理した。その結果、ＵＶ光照射部のみ、ポリシロキサン
（Ｂ）が残り、未照射部は溶出し、幅８μｍ・高さ８μ
ｍのパターンがリッジとして残った。十分に加熱乾燥し
た後にこのパターン上からポリシロキサン（Ａ）を塗布
して上部クラッド層とし、埋め込み型の３次元光導波路
を作製した。
スクを用意し、空気中で波長２６５ｎｍ付近の光をマス
クごしに照射した。この膜をクロロベンゼンにて現像処
理した。その結果、ＵＶ光照射部のみ、ポリシロキサン
（Ｂ）が残り、未照射部は溶出し、幅８μｍ・高さ８μ
ｍのパターンがリッジとして残った。十分に加熱乾燥し
た後にこのパターン上からポリシロキサン（Ａ）を塗布
して上部クラッド層とし、埋め込み型の３次元光導波路
を作製した。
【００２７】この光導波路に波長１３００ｎｍの光を一
端から照射し、他端から出てくる光量を測定することに
より光導波路の損失を測定した。この光導波路の損失は
０．１ｄＢ／ｃｍ以下であった。次に、波長１５５０ｎ
ｍの光を用いて同様な実験を行ったところ、この波長に
おいても損失は０．１ｄＢ／ｃｍ以下であった。また、
出射する光の近視野像を近赤外線用カメラを用いて観測
したところ、１３００ｎｍ，１５５０ｎｍ両者の波長域
においてシングルモードとなっていることがわかった。
端から照射し、他端から出てくる光量を測定することに
より光導波路の損失を測定した。この光導波路の損失は
０．１ｄＢ／ｃｍ以下であった。次に、波長１５５０ｎ
ｍの光を用いて同様な実験を行ったところ、この波長に
おいても損失は０．１ｄＢ／ｃｍ以下であった。また、
出射する光の近視野像を近赤外線用カメラを用いて観測
したところ、１３００ｎｍ，１５５０ｎｍ両者の波長域
においてシングルモードとなっていることがわかった。
【００２８】（実施例２）実施例１と同様にポリシロキ
サン（Ａ）を用いて下部クラッド層を堆積し、ポリシロ
キサン（Ｂ）を用いて膜厚８μｍの膜をコア層として堆
積した。移動ステージの制御部によりステージが一方向
に移動するよう設定されたＸＹ移動ステージ上にこの膜
を載せ、波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザ光を照射
しながら、ステージを移動した。この結果、照射部は幅
８μｍの直線となり、パターン化が可能であった。次
に、この膜を現像液で処理した。未照射部は溶出し、幅
８μｍ・高さ８μｍのパターンがリッジとして残った。
さらに、実施例１と同様に上部クラッド層を積層し、埋
め込み型の３次元光導波路を作製した。実施例１と同様
にして損失を測定したところ、波長１３００ｎｍ，１５
５０ｎｍにおいて損失は０．１ｄＢ／ｃｍ以下であっ
た。また、１３００ｎｍ，１５５０ｎｍ両者の波長域に
おいてシングルモードとなっていた。
サン（Ａ）を用いて下部クラッド層を堆積し、ポリシロ
キサン（Ｂ）を用いて膜厚８μｍの膜をコア層として堆
積した。移動ステージの制御部によりステージが一方向
に移動するよう設定されたＸＹ移動ステージ上にこの膜
を載せ、波長３００ｎｍ以下のエキシマレーザ光を照射
しながら、ステージを移動した。この結果、照射部は幅
８μｍの直線となり、パターン化が可能であった。次
に、この膜を現像液で処理した。未照射部は溶出し、幅
８μｍ・高さ８μｍのパターンがリッジとして残った。
さらに、実施例１と同様に上部クラッド層を積層し、埋
め込み型の３次元光導波路を作製した。実施例１と同様
にして損失を測定したところ、波長１３００ｎｍ，１５
５０ｎｍにおいて損失は０．１ｄＢ／ｃｍ以下であっ
た。また、１３００ｎｍ，１５５０ｎｍ両者の波長域に
おいてシングルモードとなっていた。
【００２９】上記実施例としては、いずれも直線の３次
元光導波路の作製例のみを説明したが、この他、光導波
路回路の基本構成をなす、分岐・合流回路、方向性結合
器、マッハツェンダ回路、リング回路等はマスクパター
ンの変更、ＸＹ移動ステージの制御部を調節することに
より、容易に作製可能であった。
元光導波路の作製例のみを説明したが、この他、光導波
路回路の基本構成をなす、分岐・合流回路、方向性結合
器、マッハツェンダ回路、リング回路等はマスクパター
ンの変更、ＸＹ移動ステージの制御部を調節することに
より、容易に作製可能であった。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による光導
波路の作製方法は、従来、加工困難であった可視〜近赤
外光域においてきわめて優れた光伝送特性を有するポリ
シロキサンを容易に微細加工できるため、近赤外光域に
おける低損失で信頼性が高い高品質な光集積回路を容易
に供給し得るという利点がある。すなわち、この作製方
法を用いた光回路を使用して作製した光部品により、経
済性に優れ、信頼性の高いローカルエリアネットワーク
等の光信号伝送システムを構成できる利点がある。
波路の作製方法は、従来、加工困難であった可視〜近赤
外光域においてきわめて優れた光伝送特性を有するポリ
シロキサンを容易に微細加工できるため、近赤外光域に
おける低損失で信頼性が高い高品質な光集積回路を容易
に供給し得るという利点がある。すなわち、この作製方
法を用いた光回路を使用して作製した光部品により、経
済性に優れ、信頼性の高いローカルエリアネットワーク
等の光信号伝送システムを構成できる利点がある。
【図１】本発明の光導波路の作製方法におけるパターン
化例（方法（ａ））を説明する模式的断面図である。
（Ａ）は製膜工程、（Ｂ）は露光工程、（Ｃ）は現像工
程を示す。
化例（方法（ａ））を説明する模式的断面図である。
（Ａ）は製膜工程、（Ｂ）は露光工程、（Ｃ）は現像工
程を示す。
【図２】本発明の光導波路の作製方法におけるパターン
化例（方法（ｂ））を説明する模式的断面図である。
（Ａ）は製膜工程、（Ｂ）は露光工程、（Ｃ）は現像工
程を示す。
化例（方法（ｂ））を説明する模式的断面図である。
（Ａ）は製膜工程、（Ｂ）は露光工程、（Ｃ）は現像工
程を示す。
１ 基板 ２ ポリシロキサンのスピンコート膜 ２ａ，２ｂ 溶解度変化部 ３ マスク ４ ＵＶ光（波長３００ｎｍ以下） ５ 有機溶剤 ６ レーザ光（波長３００ｎｍ以下） ７ 移動ステージ ８ 移動ステージ制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今村 三郎 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−188402（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−157402（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−12333（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−4256（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−316710（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−271306（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−128209（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/14 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 〔式中、Ｒ1 ，Ｒ2 は同一または異なり、Ｃn Ｙ
2n+1（Ｙは重水素もしくはハロゲン、ｎは５以下の正の
整数を表す）で表される重水素化またはハロゲン化アル
キル基、あるいはＣ6 Ｙ6 （Ｙは重水素もしくはハロゲ
ンを表す）で表される重水素化またはハロゲン化フェニ
ル基〕で表される繰り返し単位を有するハロゲンおよび
／または重水素を含むポリシロキサン、 下記一般式（２） 【化２】 〔式中、Ｒ1 ，Ｒ2 は同一または異なり、Ｃn Ｙ
2n+1（Ｙは重水素もしくはハロゲン、ｎは５以下の正の
整数を表す）で表される重水素化またはハロゲン化アル
キル基、あるいはＣ6 Ｙ6 （Ｙは重水素もしくはハロゲ
ンを表す）で表される重水素化またはハロゲン化フェニ
ル基〕で表される繰り返し単位を有するハロゲンおよび
／または重水素を含むポリシロキサン、 一般式（１）および（２）で表される繰り返し単位の共
重合体であるハロゲンおよび／または重水素を含むポリ
シロキサン、およびこれらの混合物よりなる群から選ば
れたポリマーの所望の部分に酸素存在下で光を照射し、
溶媒に対する溶解度を変化させ、所望のパターンをこの
溶解度の差を利用して作製し、このパターン部を光導波
路のコアあるいはクラッドとしたことを特徴とする光導
波路の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04261708A JP3077720B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 光導波路の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04261708A JP3077720B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 光導波路の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06109936A JPH06109936A (ja) | 1994-04-22 |
| JP3077720B2 true JP3077720B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=17365608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04261708A Expired - Fee Related JP3077720B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 光導波路の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3077720B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5972516A (en) * | 1996-02-29 | 1999-10-26 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing optical waveguide using siloxane polymer, and optoelectronic hybrid substrate using the optical waveguide |
| US7005245B1 (en) * | 1996-06-25 | 2006-02-28 | Kubacki Ronald M | Plasma deposited optical waveguide |
| EP0984304B1 (en) * | 1998-09-03 | 2005-08-24 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Planar lightwave circuit |
| AU2003273054A1 (en) | 2003-03-18 | 2004-10-11 | Jsr Corporation | Radiation curable composition, optical waveguide and method for formation thereof |
| WO2005054144A1 (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Lg Cable Ltd. | Fabrication method of optical fiber preform and optical fiber containing few hydroxyl groups |
| JP2014081586A (ja) | 2012-10-18 | 2014-05-08 | International Business Maschines Corporation | アディアバティック結合を実現させる、シングルモード・ポリマー導波路（ＰＷＧ）アレイと、シリコン導波路（ＳｉＷＧ）アレイとの整列。 |
| JP2014081587A (ja) | 2012-10-18 | 2014-05-08 | International Business Maschines Corporation | アディアバティック結合を実現させる、シングルモード・ポリマー導波路（ＰＷＧ）アレイと、シリコン導波路（ＳｉＷＧ）アレイとの整列。 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP04261708A patent/JP3077720B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH06109936A (ja) | 1994-04-22 |
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