JP2000075158A - 光導波路の製造方法、製造装置および光導波路 - Google Patents

光導波路の製造方法、製造装置および光導波路

Info

Publication number
JP2000075158A
JP2000075158A JP24594298A JP24594298A JP2000075158A JP 2000075158 A JP2000075158 A JP 2000075158A JP 24594298 A JP24594298 A JP 24594298A JP 24594298 A JP24594298 A JP 24594298A JP 2000075158 A JP2000075158 A JP 2000075158A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
forming
clad layer
substrate
spin coating
core
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP24594298A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Ogawa
剛 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP24594298A priority Critical patent/JP2000075158A/ja
Publication of JP2000075158A publication Critical patent/JP2000075158A/ja
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に均一厚のクラッド層、コア層を形成す
る光導波路の製造方法。 【解決手段】 基板1に下部クラッド層前駆体5薄膜を
形成する第1のスピンコート工程、これを硬化し下部ク
ラッド層2を形成する工程、下部クラッド層2上にコア
層前駆体薄膜を形成する第2のスピンコート工程、これ
を硬化しコア層を形成する工程、コア層をパターニング
しコア部を形成する工程、下部クラッド層2とコア部を
覆う上部クラッド層前駆体薄膜を形成する第3のスピン
コート工程、これを硬化し上部クラッド層を形成する工
程を有する光導波路の製造方法において、第1,2,3
のスピンコート工程が、何れも基板1の外径よりも僅か
に大径且つ基板1の厚さとほぼ同じ深さの凹部6a、即
ち基板1の雌型となる凹部6aを有する基板ホルダ6を
用いる工程を有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光導波路の製造方
法、製造装置および光導波路に関し、さらに詳しくは、
基板上に下部クラッド層が形成され、この下部クラッド
層上にコア層をパターニングしたコア部が形成され、こ
の下部クラッド層およびコア部を覆う上部クラッド層が
形成されている光導波路の製造方法、製造装置および光
導波路に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の分野では、動作速度のさら
なる高速化や集積規模のさらなる大規模化が図られ、た
とえばマイクロプロセッサの高性能化やメモリチップの
大容量化が急速に進展している。これらのさらなる進展
を図るためには、信号配線のさらなる高速且つ高密度化
および電気配線遅延の改善が必要であり、高速且つ高密
度化に伴うEMI(Electro Magnetic Interference) の
対策も不可欠となる。これらの問題点を解決するものと
して、光インターコネクション(光配線)が注目されて
いる。光インターコネクションは、機器装置間、機器装
置内ボード間、ボード内チップ間等、様々な状況におい
て適用可能と考えられているが、たとえばチップ間のよ
うに比較的短距離の伝送においては、光導波路を伝送路
とした光伝送通信手段が適していると考えられている。
そして、このような光導波路を使用した光伝送通信手段
の普及には、光導波路を作製するプロセスの確立が重要
な課題となっている。
【0003】光導波路に要求される条件として、光の伝
搬損失が小であること、および製造が容易であることが
挙げられる。このうち光の伝搬損失が小である材料とし
ては、石英系がある。たとえば石英は光ファイバーで実
証済みのように光透過性が極めて良好であり、この石英
で作製した光導波路では、0.1dB/cm以下の低損
失が達成されている。しかしながら、この石英で光導波
路を作製するには多くの工数を要すること、作製時に高
温(800℃以上)の工程があること、光導波路の大面
積化が困難であること、等の問題点がある。そこで、低
温プロセスでの作製が可能であるポリメチルメタクリレ
ート樹脂やポリイミド樹脂等の高分子材料を用いて光導
波路を作製することが従来より行われている。以下、基
板上に高分子材料を用いてコア部を形成する光導波路に
ついて、概略製造工程説明図である図3(a)〜(d)
を参照して説明する。
【0004】まず、図3(a)に示したように、シリコ
ンやガラス等で構成された基板1上に、スピンコートお
よび必要な熱処理等により、下部クラッド層2を形成す
る。
【0005】つぎに、図3(b)に示したように、スピ
ンコートおよび必要な熱処理等により、下部クラッド層
2上に下部クラッド層2よりも屈折率が大であるコア層
3を形成する。
【0006】つぎに、図3(c)に示したように、たと
えばコア層3に対してフォトリソグラフィによるパター
ニングおよびRIE(Reactive Ion Etching)等を行い、
導波路パターンとなる矩形状のコア部3aを形成する。
【0007】つぎに、図3(d)に示したように、スピ
ンコートおよび必要な熱処理等により、コア部3aおよ
び下部クラッド層2を覆う上部クラッド層4を形成すれ
ば、埋め込み型チャンネル光導波路の作製が完了する。
【0008】ところで、上記の図3(a)〜(d)に示
した下部クラッド層2、コア層3および上部クラッド層
4を形成する工程では、一般的にスピンコートが用いら
れている。そして、基板1上に形成される下部クラッド
層2、コア層3および上部クラッド層4の層厚は、求め
られる各々の層厚に対して均一であることが求められて
いる。このスピンコートによる、下部クラッド層2、コ
ア層3および上部クラッド層4の形成工程は同様であ
り、代表して下部クラッド層2を形成する概略工程説明
図である図4(a)〜(d)を参照して説明する。ま
ず、図4(a)に示したように、液状高分子材料である
下部クラッド層前駆体5を基板1の回転中心部に塗布す
る。つぎに、図4(b)に示したように、基板1の回転
数上昇に伴い、下部クラッド層前駆体5は、基板1上に
均一な厚さとなって展開していく。しかしながら、図4
(c)に示したように、基板1の内周側部分は下部クラ
ッド層前駆体5の層厚が均一化されるものの、基板1の
外周側部分には下部クラッド層前駆体5の隆起部5aが
形成される。
【0009】図4(d)に示したように基板1の回転を
止めた後、外周側部分の隆起部5aは時間の経過ととも
に基板1の内周側に移動する。この傾向は、下部クラッ
ド層前駆体5として、特に紫外線硬化型樹脂のように溶
剤フリーの液状高分子材料を用いた場合に顕著であるも
のの、隆起部5aの内周側への移動は遅々たる変化であ
る。したがって、隆起部5aの影響を残した状態のまま
後の工程で硬化され、基板1の外周側部分に層厚の厚い
部分を有する下部クラッド層2が形成されることとな
る。このような現象は、同様に液状高分子材料をスピン
コートしてコア層3および上部クラッド層4を形成する
際にも当然生じる。このように基板1の外周側部分に何
れも層厚の厚い下部クラッド層2およびコア層3が形成
されると、コア層3における基板1の外周側部分と内周
側部分との層厚差が大となり、このコア層3をたとえば
フォトリソグラフィによりパターニングしてコア部3a
を形成する場合、フォトマスクのコア層3との密着性が
悪くなるとともに解像度が低下し、高精度なコア部3a
の形成が困難となる。また、上部クラッド層4上にさら
に膜形成を行って、たとえばコア部3aが階層的に積層
する光導波路を作製する場合には、基板1の外周側部分
と内周側部分との各層の層厚差がさらに累積され、コア
部3aの高精度なパターニングはさらに困難となる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、基板
上に均一な層厚の下部クラッド層、コア層および上部ク
ラッド層を形成する光導波路の製造方法、製造装置を提
供し、高精度なコア部を有する光導波路を提供すること
である。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1の発明の光導波路の製造方法では、たとえ
ばシリコンやガラス等の基板上に液状高分子材料である
下部クラッド層前駆体の薄膜を形成する第1のスピンコ
ート工程と、下部クラッド層前駆体の薄膜を硬化して下
部クラッド層を形成する工程と、下部クラッド層上に液
状高分子材料であるコア層前駆体の薄膜を形成する第2
のスピンコート工程と、コア層前駆体の薄膜を硬化して
コア層を形成する工程と、コア層を、たとえばフォトリ
ソグラフィによりパターニングしてコア部を形成する工
程と、下部クラッド層およびコア部を覆う液状高分子材
料である上部クラッド層前駆体の薄膜を形成する第3の
スピンコート工程と、上部クラッド層前駆体を硬化して
上部クラッド層を形成する工程とを有する光導波路の製
造方法において、第1スピンコート工程、第2のスピン
コート工程および第3のスピン工程が、何れも基板の外
径よりも僅かに大径且つ基板の厚さとほぼ同じ深さの凹
部、すなわち基板の雌型となる凹部を有する基板ホルダ
を用い、この凹部に基板を収納してスピンコートするこ
とを特徴とする。
【0012】請求項4の発明の光導波路の製造方法で
は、たとえばシリコンやガラス等の基板上に紫外線硬化
樹脂で構成された下部クラッド層前駆体の薄膜を形成す
るとともに紫外線を照射し、下部クラッド層を形成する
工程と、下部クラッド層上に紫外線硬化樹脂で構成され
たコア層前駆体の薄膜を形成するとともに紫外線を照射
し、コア層を形成する工程と、前記コア層をパターニン
グしてコア部を形成する工程と、下部クラッド層および
コア部を覆う紫外線硬化樹脂で構成された上部クラッド
層前駆体の薄膜を形成するとともに紫外線を照射し、上
部クラッド層を形成する工程とを有し、下部クラッド層
を形成する工程、コア層を形成する工程および上部クラ
ッド層を形成する工程が、何れも基板の外径よりも僅か
に大径且つ前記基板の厚さとほぼ同じ深さの凹部、すな
わち基板の雌型となる凹部を有する基板ホルダを用い、
この凹部に基板を収納してスピンコートすることを特徴
とする。
【0013】請求項6の発明の光導波路の製造装置で
は、たとえばシリコンやガラス等の基板上に液状高分子
材料である下部クラッド層前駆体の薄膜を形成する第1
のスピンコート手段と、下部クラッド層前駆体の薄膜を
硬化して下部クラッド層を形成する手段と、下部クラッ
ド層上に液状高分子材料であるコア層前駆体の薄膜を形
成する第2のスピンコート手段と、コア層前駆体の薄膜
を硬化してコア層を形成する手段と、コア層を、たとえ
ばフォトリソグラフィによりパターニングしてコア部を
形成する手段と、下部クラッド層およびコア部を覆う液
状高分子材料である上部クラッド層前駆体の薄膜を形成
する第3のスピンコート手段と、上部クラッド層前駆体
を硬化して上部クラッド層を形成する手段とを有する光
導波路の製造装置において、第1スピンコート手段、第
2のスピンコート手段および第3のスピン手段が、何れ
も基板の外径よりも僅かに大径且つ基板の厚さとほぼ同
じ深さの凹部、すなわち基板の雌型となる凹部を有し、
この凹部に基板を収納してスピンコートする基板ホルダ
を有することを特徴とする。
【0014】請求項9の発明の光導波路の製造装置で
は、たとえばシリコンやガラス等の基板上に紫外線硬化
樹脂で構成された下部クラッド層前駆体の薄膜を形成す
るとともに紫外線を照射し、下部クラッド層を形成する
手段と、下部クラッド層上に紫外線硬化樹脂で構成され
たコア層前駆体の薄膜を形成するとともに紫外線を照射
し、コア層を形成する手段と、前記コア層をパターニン
グしてコア部を形成する手段と、下部クラッド層および
コア部を覆う紫外線硬化樹脂で構成された上部クラッド
層前駆体の薄膜を形成するとともに紫外線を照射し、上
部クラッド層を形成する手段とを有し、下部クラッド層
を形成する手段、コア層を形成する手段および上部クラ
ッド層を形成する手段が、何れも基板の外径よりも僅か
に大径且つ前記基板の厚さとほぼ同じ深さの凹部、すな
わち基板の雌型となる凹部を有し、この凹部に基板を収
納してスピンコートする基板ホルダを有することを特徴
とする。
【0015】また、請求項6または請求項9の発明の光
導波路の製造装置を用いて作製された光導波路を特徴と
する。
【0016】上述した手段のよる作用について以下に記
す。基板ホルダの凹部に収納された基板は、基板の外周
側面と凹部の周側面との間にほとんど隙間がなく、且つ
基板上の下部クラッド層、コア層、上部クラッド層の形
成面が、何れも基板ホルダの凹部形成側表面とほぼ同一
平面が形成された状態となる。すなわち、スピンコート
により基板の外周側部分に従来形成された下部クラッド
層前駆体、コア層前駆体および上部クラッド層前駆体の
隆起部は基板ホルダの外周側に移動する。したがって、
この段階で既に基板上に形成される下部クラッド層前駆
体、コア層前駆体および上部クラッド前駆体は、層厚の
均一化が図られ、これを硬化すれば、層厚が均一である
下部クラッド層、コア層および上部クラッド層を形成す
ることができる。これにより、たとえばコア層のフォト
リソグラフィによるパターニングにおいて、フォトマス
クのコア層との密着性が良好になるとともに解像度が向
上し、高精度なコア部の形成が可能となる。なお、基板
ホルダから基板を外す場合は、たとえば基板ホルダの凹
部が形成された面の反対面から基板を押し上げる機構等
を設け、凹部から基板を容易に外せるように構成してお
く。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明は、スピンコートにより基
板上に下部クラッド層が形成され、この下部クラッド層
上にコア層をパターニングしたコア部が形成され、この
下部クラッド層およびコア部を覆う上部クラッド層が形
成されている光導波路の製造方法、製造装置および光導
波路に適用することができる。以下、本発明を適用して
スピンコートにより基板上に下部クラッド層、コア層、
上部クラッド層を形成する工程について、図1〜図2を
参照して説明する。なお、図中の構成要素で従来の技術
と同様の構造を成しているものについては、同一の参照
符号を付すものとする。
【0018】まず、図1(a)に示したように、基板1
を基板ホルダ6の凹部6aに収納する。この凹部6aは
基板1の雌型になっており、基板1の外周側面と凹部6
aの周側面との間は僅かな隙間が存在している。そし
て、基板1を凹部6aに収納した状態において、基板1
の主面と基板ホルダ6の凹部6a形成面とはほぼ同一平
面が形成されている状態となっている。なお、基板ホル
ダ6の凹部6a形成面の表面積は、基板1の主面の表面
積に対して十分大であることが望ましい。
【0019】つぎに、図1(b)に示したように、基板
1の中心部に液状高分子材料である下部クラッド層前駆
体5を塗布する。
【0020】つぎに、図1(c)に示したように、基板
ホルダ6を回転させるとともに基板1を回転させ、図1
(d)に示したように、下部クラッド層前駆体5の薄膜
を形成する。このとき、基板1の外周側部分に従来形成
された下部クラッド層前駆体5の隆起部5aは基板ホル
ダ6の外周側に移動し、基板1の外周側部分に留まるこ
とがない。したがって、基板上には層厚が均一である下
部クラッド層前駆体5が形成されることとなる。
【0021】つぎに、図1(e)に示したように、基板
1を基板ホルダ6から外す。この場合、図示を省略する
が、たとえば基板ホルダ6の凹部6aが形成された面の
反対面から基板1を押し上げる機構等を設け、凹部6a
から基板1を容易に外せるように構成しておく。そし
て、下部クラッド層前駆体5が熱硬化樹脂であれば必要
な条件で熱硬化し、光硬化樹脂であれば必要な光照射条
件で硬化すれば、下部クラッド層2の形成を完了する。
【0022】そして、コア層3および上部クラッド層4
を形成する場合は同様の工程を経て、コア層前駆体から
はコア層3を、上部クラッド層前駆体からは上部クラッ
ド層4を形成することができる。なお、コア部3aは、
従来の技術の図3を参照し説明した事例と同様の工程に
より形成することができる。
【0023】以下、基板ホルダ6を用いてスピンコート
した場合の有効性について、外径3インチのSiで構成
された基板1上に粘度3000CPの紫外線硬化樹脂を
スピンコートした場合について記す。基板ホルダ6を用
いない従来のスピンコートでは、基板1の外周側部分を
除く内周側部分では硬化後の層厚が30±0.5μmの
範囲内で均一化されていたものの、外周縁から内周側5
mmの範囲の外周側部分では最大層厚60μmの厚い部
分が存在していた。これに対して、同条件で基板ホルダ
6を用いてスピンコートした場合では、外周側部分にお
ける最大層厚が33μmであり、本発明の基板ホルダ6
を用いてスピンコートする有効性が確認できた。
【0024】下部クラッド層前駆体5、コア層前駆体お
よび上部クラッド層前駆体の何れにも紫外線硬化樹脂を
使用する場合では、図1(d)に示したように、基板ホ
ルダ6の凹部6aに収納された基板1が回転して下部ク
ラッド層前駆体5、コア層前駆体、上部クラッド層前駆
体が何れも均一な薄膜となった状態で紫外線を照射し、
硬化させることが可能である。このようにして下部クラ
ッド層2、コア層3、上部クラッド層4を形成すれば、
より高精度な層厚の均一化を図ることができる。実際に
この方法を用いた場合では、基板1の外周側部分におけ
る最大層厚が31μmであった。
【0025】ところで、基板1上に形成される下部クラ
ッド層2、コア層3および上部クラッド層4では、基板
1の外周側部分が不要である場合がある。この不要とな
る基板1の外周側部分に形成された下部クラッド層前駆
体5、コア層前駆体、上部クラッド層前駆体を除去する
方法について、図1(d)に続く概略工程説明図である
図2(a),(b)を参照して説明する。まず、図2
(a)に示したように、基板1を基板ホルダ6から外し
た後、たとえば下部クラッド層前駆体5が形成された基
板1に対して、基板1の外周側部分を除く内周側部分に
紫外線を照射する開口孔が形成された紫外線遮断マスク
7を紫外線光源と基板1との間に配設する。そして、こ
の状態において、望ましくは平行紫外線ビームを所用の
パワーで照射し、基板1の内周側部分に形成されていた
下部クラッド層前駆体5を硬化させる。すなわち、基板
1の外周側部分に形成された不要となる下部クラッド層
前駆体5には紫外線が照射されず、未硬化の状態となっ
ている。
【0026】つぎに、図2(b)に示したように、たと
えばアセトンやエタノールのような有機溶剤を用いて上
記した未硬化の状態となっている部分を除去すれば、均
一な層厚を有する下部クラッド層2が形成されることと
なる。以下、同様の工程を経て、コア層前駆体からはコ
ア層3を、上部クラッド層前駆体からは上部クラッド層
4を形成することができる。なお、コア部3aは、従来
の技術の図3を参照し説明した事例と同様の工程により
形成することができる。
【0027】上記した紫外線遮断マスク7は、図1
(c),(d)に示したスピンコートにより下部クラッ
ド層前駆体5、コア層前駆体、上部クラッド層前駆体の
薄膜を形成する工程においても用いることができる。こ
の場合も同様にして、基板1が基板ホルダ6の凹部6a
に収納されて回転している状態で、下部クラッド層前駆
体5、コア層前駆体、上部クラッド層前駆体に紫外線を
照射して硬化されるので、より高精度に層厚の均一化を
図ることができる。
【0028】
【発明の効果】本発明の光導波路の製造方法、製造装置
によれば、スピンコートにより基板の外周側部分に従来
形成された下部クラッド層前駆体、コア層前駆体および
上部クラッド層前駆体の隆起部は基板ホルダの外周側に
移動し、基板上に形成される下部クラッド層前駆体、コ
ア層前駆体および上部クラッド層の層厚の均一化を図る
ことができ、層厚が均一である下部クラッド層、コア層
および上部クラッド層を形成することができる。したが
って、たとえばコア層をフォトリソグラフィの密着露光
によりパターニングを行う際、フォトマスクとの密着性
が改善するとともに解像度が向上し、高精度にパターニ
ングされたコア部を有する光導波路の提供が可能とな
る。また、基板上に形成された下部クラッド層、コア層
および上部クラッド層上に、さらにこれらの層を複数重
ねた場合でも層厚の均一性が保たれ、コア部が階層的に
積層する光導波路を容易に作製することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の光導波路の概略製造工程説明図であ
る。
【図2】 本発明の光導波路の他の概略製造工程説明図
である。
【図3】 従来の光導波路の概略製造工程説明図であ
る。
【図4】 従来のスピンコートによる、下部クラッド
層、コア層および上部クラッド層の形成工程を説明する
概略工程説明図である。
【符号の説明】
1…基板、2…下部クラッド層、3…コア層、3a…コ
ア部、4…上部クラッド層、5…下部クラッド層前駆
体、6…基板ホルダ、6a…凹部、7…紫外線遮断マス

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に下部クラッド層前駆体の薄膜を
    形成する第1のスピンコート工程と、 前記下部クラッド層前駆体の薄膜を硬化し、下部クラッ
    ド層を形成する工程と、 前記下部クラッド層上にコア層前駆体の薄膜を形成する
    第2のスピンコート工程と、 前記コア層前駆体の薄膜を硬化し、コア層を形成する工
    程と、 前記コア層をパターニングしてコア部を形成する工程
    と、 前記下部クラッド層および前記コア部を覆う上部クラッ
    ド層前駆体の薄膜を形成する第3のスピンコート工程
    と、 前記上部クラッド層前駆体の薄膜を硬化し、上部クラッ
    ド層を形成する工程とを有する光導波路の製造方法にお
    いて、 前記第1のスピンコート工程、前記第2のスピンコート
    工程および前記第3のスピンコート工程が、 何れも前記基板の外径よりも僅かに大径且つ前記基板の
    厚さとほぼ同じ深さの凹部を有する基板ホルダを用い、 前記凹部に前記基板を収納してスピンコートすることを
    特徴とする光導波路の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記下部クラッド層前駆体、前記コア層
    前駆体および前記上部クラッド層前駆体が何れも紫外線
    硬化樹脂であり、 前記下部クラッド層を形成する工程、前記コア層を形成
    する工程および前記上部クラッド層を形成する工程が、 何れも紫外線を照射する工程を有することを特徴とする
    請求項1に記載の光導波路の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記紫外線を照射する工程が、 前記基板の外周側部分を除く内周側部分に紫外線を照射
    して硬化し、硬化しない前記外周側部分を除去する工程
    を有することを特徴とする請求項2に記載の光導波路の
    製造方法。
  4. 【請求項4】 基板上に紫外線硬化樹脂で構成された下
    部クラッド層前駆体の薄膜を形成するとともに紫外線を
    照射し、下部クラッド層を形成する工程と、 前記下部クラッド層上に紫外線硬化樹脂で構成されたコ
    ア層前駆体の薄膜を形成するとともに紫外線を照射し、
    コア層を形成する工程と、 前記コア層をパターニングしてコア部を形成する工程
    と、 前記下部クラッド層および前記コア部を覆う紫外線硬化
    樹脂で構成された上部クラッド層前駆体の薄膜を形成す
    るとともに紫外線を照射し、上部クラッド層を形成する
    工程とを有し、 前記下部クラッド層を形成する工程、前記コア層を形成
    する工程および前記上部クラッド層を形成する工程が、 何れも前記基板の外径よりも僅かに大径且つ前記基板の
    厚さとほぼ同じ深さの凹部を有する基板ホルダを用い、 前記凹部に前記基板を収納してスピンコートすることを
    特徴とする光導波路の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記下部クラッド層を形成する工程、前
    記コア層を形成する工程および前記上部クラッド層を形
    成する工程が、 何れも前記基板の外周側部分を除く内周側部分に前記紫
    外線を照射して硬化し、硬化しない前記外周側部分を除
    去する工程を有することを特徴とする請求項4に記載の
    光導波路の製造方法。
  6. 【請求項6】 基板上に下部クラッド層前駆体の薄膜を
    形成する第1のスピンコート手段と、 前記下部クラッド層前駆体の薄膜を硬化し、下部クラッ
    ド層を形成する手段と、 前記下部クラッド層上にコア層前駆体の薄膜を形成する
    第2のスピンコート手段と、 前記コア層前駆体の薄膜を硬化し、コア層を形成する手
    段と、 前記コア層をパターニングしてコア部を形成する手段
    と、 前記下部クラッド層および前記コア部を覆う上部クラッ
    ド層前駆体の薄膜を形成する第3のスピンコート手段
    と、 前記上部クラッド層前駆体の薄膜を硬化し、上部クラッ
    ド層を形成する手段とを有する光導波路の製造装置にお
    いて、 前記第1のスピンコート手段、前記第2のスピンコート
    手段および前記第3のスピンコート手段が、 何れも前記基板の外径よりも僅かに大径且つ前記基板の
    厚さとほぼ同じ深さの凹部を有し、前記凹部に前記基板
    を収納してスピンコートする基板ホルダを有することを
    特徴とする光導波路の製造装置。
  7. 【請求項7】 前記下部クラッド層前駆体、前記コア層
    前駆体および前記上部クラッド層前駆体が何れも紫外線
    硬化樹脂であり、 前記下部クラッド層を形成する手段、前記コア層を形成
    する手段および前記上部クラッド層を形成する手段が、 何れも紫外線を照射する手段を有することを特徴とする
    請求項6に記載の光導波路の製造装置。
  8. 【請求項8】 前記紫外線を照射する手段が、 前記基板の外周側部分を除く内周側部分に紫外線を照射
    して硬化し、硬化しない前記外周側部分を除去する手段
    を有することを特徴とする請求項7に記載の光導波路の
    製造装置。
  9. 【請求項9】 基板上に紫外線硬化樹脂で構成された下
    部クラッド層前駆体の薄膜を形成するとともに紫外線を
    照射し、下部クラッド層を形成する手段と、 前記下部クラッド層上に紫外線硬化樹脂で構成されたコ
    ア層前駆体の薄膜を形成するとともに紫外線を照射し、
    コア層を形成する手段と、 前記コア層をパターニングしてコア部を形成する手段
    と、 前記下部クラッド層および前記コア部を覆う紫外線硬化
    樹脂で構成された上部クラッド層前駆体の薄膜を形成す
    るとともに紫外線を照射し、上部クラッド層を形成する
    手段とを有し、 前記下部クラッド層を形成する手段、前記コア層を形成
    する手段および前記上部クラッド層を形成する手段が、 何れも前記基板の外径よりも僅かに大径且つ前記基板の
    厚さとほぼ同じ深さの凹部を有し、前記凹部に前記基板
    を収納してスピンコートする基板ホルダを有することを
    特徴とする光導波路の製造装置。
  10. 【請求項10】 前記下部クラッド層を形成する手段、
    前記コア層を形成する手段および前記上部クラッド層を
    形成する手段が、 何れも前記基板の外周側部分を除く内周側部分に前記紫
    外線を照射して硬化し、硬化しない前記外周側部分を除
    去する手段を有することを特徴とする請求項9に記載の
    光導波路の製造装置。
  11. 【請求項11】 請求項6または請求項9に記載の光導
    波路の製造装置を用いて作製されたことを特徴とする光
    導波路。
JP24594298A 1998-08-31 1998-08-31 光導波路の製造方法、製造装置および光導波路 Abandoned JP2000075158A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24594298A JP2000075158A (ja) 1998-08-31 1998-08-31 光導波路の製造方法、製造装置および光導波路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24594298A JP2000075158A (ja) 1998-08-31 1998-08-31 光導波路の製造方法、製造装置および光導波路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000075158A true JP2000075158A (ja) 2000-03-14

Family

ID=17141158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24594298A Abandoned JP2000075158A (ja) 1998-08-31 1998-08-31 光導波路の製造方法、製造装置および光導波路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000075158A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9008477B2 (en) 2012-10-18 2015-04-14 International Business Machines Corporation Alignment of single-mode polymer waveguide (PWG) array and silicon waveguide (SiWG) array for providing adiabatic coupling
US9372305B2 (en) 2012-10-18 2016-06-21 International Business Machines Corporation Alignment of single-mode polymer waveguide (PWG) array and silicon waveguide (SIWG) array of providing adiabatic coupling

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9008477B2 (en) 2012-10-18 2015-04-14 International Business Machines Corporation Alignment of single-mode polymer waveguide (PWG) array and silicon waveguide (SiWG) array for providing adiabatic coupling
US9372305B2 (en) 2012-10-18 2016-06-21 International Business Machines Corporation Alignment of single-mode polymer waveguide (PWG) array and silicon waveguide (SIWG) array of providing adiabatic coupling
US9658411B2 (en) 2012-10-18 2017-05-23 International Business Machines Corporation Alignment of single-mode polymer waveguide (PWG) array and silicon waveguide (SiWG) array of providing adiabatic coupling

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1542045B1 (en) Method of manufacturing an optical waveguide
EP1701188B1 (en) Process for producing optical waveguide
US5265185A (en) Optical waveguides in electro-optical polymers and method
JP2004071587A (ja) スタンパとスタンパを用いたパターン転写方法及び転写パターンによる構造体の形成方法
US11693181B2 (en) High-density optical waveguide structure and printed circuit board and preparation method thereof
JP2006156439A (ja) 光電気混載基板の製造方法
JPH08286064A (ja) 高分子光導波路の作製方法
JP3903606B2 (ja) 光信号伝送システムおよびその製造方法
JP5820233B2 (ja) 光導波路の製法
JP3859473B2 (ja) スタンパの製造方法
JP2000035524A (ja) 光導波路およびその製造方法
JP2000075158A (ja) 光導波路の製造方法、製造装置および光導波路
JP5130671B2 (ja) 有機高分子組成物及び光導波路並びに光導波路の製造方法
JPH07241690A (ja) レーザ加工用誘電体マスクとその製造方法
JP2007108228A (ja) 光電気混載基板およびその製造方法
KR100444180B1 (ko) 핫엠보싱 공정을 이용하여 2차원 고분자 광도파로를제작하는 방법
JP2004051388A (ja) 光学素子の表面加工方法
JP2007133026A (ja) V溝付き光導波路の製造方法
KR100841797B1 (ko) 광도파로의 제조 방법 및 이로부터 제조된 광도파로
JP2010145938A (ja) 光モジュールの製造方法
TWI467256B (zh) 一種高分子波導的製作方法
KR100250265B1 (ko) 미세 패턴 형성 방법
KR20080072298A (ko) 패턴 롤 및 이것을 이용한 광도파로 제조방법
JPH1048441A (ja) 高分子光導波路および高分子光導波路回路、およびそれらの製造方法
CN115248478A (zh) 一种在板上制备光波导的方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20050308

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050315

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060814

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060829

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20061027