JPWO2017022717A1 - 樹脂光導波路 - Google Patents

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Abstract

コア、ならびに、該コアよりも屈折率が低いアンダークラッド、および、オーバークラッドを備える樹脂光導波路であって、前記樹脂光導波路の一端側に、オーバークラッドが存在せずコアおよび該コア周辺のアンダークラッドが露出したコア露出部が設けられており、前記アンダークラッドのうち、前記コア露出部に該当する部位が、特定の条件を満たす第1層および第2層を有する、ことを特徴とする樹脂光導波路。

Description

本発明は、樹脂光導波路に関する。
非特許文献1,2や、特許文献1では、シリコン光導波路と、樹脂光導波路と、を低損失、かつ、低コストで接続するシリコンフォトニクスインターフェースが提案されている。本明細書におけるシリコン光導波路とは、シリコンチップ上に(シングルモード)光導波路として機能するコアクラッド構造を形成したものである。
図3は、このようなシリコンフォトニクスインターフェースの一構成例を示した斜視図であり、図4はその側面図である。
図3、4に示す樹脂光導波路チップ300には、樹脂光導波路310が1本、もしく複数本が形成されている。樹脂光導波路チップ300の一端側では、樹脂光導波路310と、シリコン光導波路チップ200上に形成されたシリコン光導波路(図示せず)と、が接続されている。樹脂光導波路チップ300の他端側は、コネクタ100内に収容されている。
図5は、上記の目的で使用される樹脂光導波路の一構成例を示した斜視図である。
図5に示す樹脂光導波路310は、コア320の周囲にアンダークラッド330およびオーバークラッド340が配されている。但し、図3、4において、シリコン光導波路チップ200上に形成されたシリコン光導波路(図示せず)と接続される側の先端は、オーバークラッド340が配されておらず、コア320が外部に露出したコア露出部350になっている。
図6は、図3、4に示すシリコンフォトニクスインターフェースにおいて、シリコン光導波路210と、樹脂光導波路310と、の接続部を示した断面図であり、樹脂光導波路310は図5に示す樹脂光導波路310である。図6において、シリコン光導波路210と、樹脂光導波路310と、が、シリコン光導波路210に対し樹脂光導波路310のコア320が面した状態で、エポキシ樹脂を用いて接続されている。
図7は、図3、4に示すシリコンフォトニクスインターフェースにおける光の伝搬を説明するための模式図である。図7において、シリコン光導波路210のコア220から、樹脂光導波路310先端で露出しているコア320へとアディアバティックカップリングにより光が伝搬する。そして、樹脂光導波路310のコア320から光ファイバ130のコア140へと光が伝搬する。
Jie Shu, Ciyuan Qiu,Xuezhi Zhang,and Qianfan Xu,"Efficient coupler between chip−level and board−level optical waveguides", OPTICS LETTERS, Vol.36, No.18,pp3614−3616(2011) Tymon Barwics,and Yoichi Taira,"Low−Cost Interfacing of Fibers to Nanophotonic Waveguides: Design for Fabrication and Assembly Toleranes", IEEE Photonics Journal, Vol.6, No.4,August、660818( 2014)
米国特許第8,724,937号明細書
図5に示す樹脂光導波路310は、図3、4に示すシリコンフォトニクスインターフェースに実装する前に、従来の樹脂光導波路と同様の手順で性能評価が実施される。樹脂光導波路の性能評価では、樹脂光導波路の先端にシングルモード光ファイバを接続する。図8は、図5に示す樹脂光導波路310の先端に、シングルモード光ファイバを接続した際の光の伝播を説明するための模式図である。図5に示す樹脂光導波路310と、シングルモード光ファイバ400との接続では、樹脂光導波路310先端のコア320が露出した部位から一部の光が放射して伝搬されず、また、接続損失が生じる問題がある。この接続損失は、図3、4に示すシリコンフォトニクスインターフェースに実装した際には発生せず、性能評価の結果に対する信頼性を低下させる。
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、シリコン光導波路と、樹脂光導波路と、を低損失、かつ、低コストで接続するシリコンフォトニクスインターフェースでの使用に好適であり、かつ、シングルモード光ファイバを用いた性能評価の信頼性が高い、樹脂光導波路を提供することを目的とする。
上記した目的を達成するため、本発明は、コア、ならびに、該コアよりも屈折率が低いアンダークラッド、および、オーバークラッドを備える樹脂光導波路であって、
前記樹脂光導波路の一端側に、オーバークラッドが存在せずコアおよび該コア周辺のアンダークラッドが露出したコア露出部が設けられており、
前記アンダークラッドのうち、前記コア露出部に該当する部位が、下記(1)〜(3)を満たす第1層および第2層を有する、ことを特徴とする樹脂光導波路、を提供する。
(1)前記第1層および前記第2層は、前記コアとの界面、若しくは、前記アンダークラッドの露出面からの距離が互いに異なり、前記第1層がこれらの面に対し近位側であり、前記第2層がこれらの面に対し遠位側であるように位置する。
(2)前記第1層は前記コアとの界面、若しくは、前記アンダークラッドの露出面からの距離が15μm以内に位置する。
(3)前記第1層および前記第2層は屈折率が互いに異なり、前記第1層は前記第2層より屈折率が高い。
本発明の樹脂光導波路において、前記コア露出部の光伝搬方向の長さが100μm以上であることが好ましい。
本発明の樹脂光導波路において、前記第1層における屈折率の最大値n1, maxと、前記第2層における屈折率の最大値n2, maxと、の差(n1, max−n2, max)が0.001以上であることが好ましい。
本発明の樹脂光導波路において、前記第1層の厚みtは15μm以下であることが好ましい。
本発明の樹脂光導波路において、前記第1層の厚みtと、前記第1層における屈折率の最大値n1, maxと、前記第2層における屈折率の最大値n2, maxとの差(n1, max−n2, max)と、の積(t×(n1, max−n2, max))が、0.001〜0.2μmであることが好ましい。
本発明の樹脂光導波路において、前記コアにおける屈折率の最大値n´manと、前記第1層における屈折率の最大値n1, maxと、の差(n´max−n1, max)が0.008〜0.02であることが好ましい。
本発明の樹脂光導波路において、前記アンダークラッドの厚さが10μm以上であることが好ましい。
本発明の樹脂光導波路は、波長1310nmおよび波長1550nmの少なくとも一方において、シングルモード光導波路であることが好ましい。
本発明の樹脂光導波路において、前記樹脂光導波路のコアサイズが1〜10μmであることが好ましい。
本発明の樹脂光導波路において、前記樹脂光導波路のコアはフッ素を含む樹脂からなることが好ましい。
また、本発明は、コア、ならびに、該コアよりも屈折率が低いアンダークラッド、および、オーバークラッドを備える樹脂光導波路であって、
前記樹脂光導波路の一端側に、オーバークラッドが存在せずコアおよび該コア周辺のアンダークラッドが露出したコア露出部が設けられており、樹脂光導波路の光伝搬方向における該コア露出部の長さが500μm以上であり、
前記アンダークラッドのうち、前記コア露出部に該当する部位が、下記(1)〜(4)を満たす第1層および第2層を有する、ことを特徴とする樹脂光導波路を提供する。
(1)前記第1層および前記第2層は、前記コアとの界面、若しくは、前記アンダークラッドの露出面からの距離が互いに異なり、前記第1層がこれらの面に対し近位側であり、前記第2層がこれらの面に対し遠位側であるように位置する。
(2)前記第1層は前記コアとの界面、若しくは、前記アンダークラッドの露出面からの距離が8μm以内に位置する。
(3)前記第1層および前記第2層は屈折率が互いに異なり、前記第1層は前記第2層より屈折率が高い。
(4)前記第1層における屈折率の最大値n1, maxと、前記第2層における屈折率の最大値n2, maxと、の差(n1, max−n2, max)が0.002以上である。
本発明の樹脂光導波路は、前記コア露出部において、シリコン光導波路と接続されていることが好ましい。
本発明の樹脂光導波路は、シリコン光導波路と、樹脂光導波路と、を低損失、かつ、低コストで接続するシリコンフォトニクスインターフェースでの使用に好適である。
本発明の樹脂光導波路は、シングルモード光ファイバを用いた性能評価時の接続損失が少なく、性能評価の信頼性が高い。
図1は、本発明の樹脂光導波路の一構成例を示した斜視図である。 図2は、実施例での樹脂光導波路と、シングルモード光ファイバとの接続部を示した模式図である。 図3は、シリコンフォトニクスインターフェースの一構成例を示した斜視図である。 図4は、図3のシリコンフォトニクスインターフェースの側面図である。 図5は、図3、4のシリコンフォトニクスインターフェースで使用される樹脂光導波路の一構成例を示した斜視図である。 図6は、図3、4に示すシリコンフォトニクスインターフェースにおいて、シリコン光導波路チップ200上に形成されたシリコン光導波路と樹脂光導波路310と、の接続部を示した断面図である。 図7は、図3、4に示すシリコンフォトニクスインターフェースにおける光の伝搬を説明するための模式図である。 図8は、図5に示す樹脂光導波路310の先端に、シングルモード光ファイバを接続した際の光の伝播を説明するための模式図である。
以下、図面を参照して本発明を説明する。
図1は、本発明の樹脂光導波路の一構成例を示した斜視図である。図1に示す樹脂光導波路10は、コア11、ならびに、該コア11よりも屈折率が低いアンダークラッド12、および、同じく該コア11よりも屈折率が低いオーバークラッド13を備えている。コア11の下方には、アンダークラッド12が配されており、コア11の上方には、オーバークラッド13が配されている。但し、樹脂光導波路10の一端側には、オーバークラッド13が存在せずコア11が露出したコア露出部14が設けられている。
なお、本発明の樹脂光導波路では、コアの周囲に配されるアンダークラッド、および、オーバークラッドのうち、コア露出部には存在しない側をオーバークラッドとする。したがって、コアの上方にアンダークラッドが配され、コアの下方にオーバークラッドが配されていてもよい。
このコア露出部14は、樹脂光導波路10をシリコンフォトニクスインターフェースとして用いる際に、シリコン光導波路との接続部位となる。そのため、コア露出部14は、シリコン光導波路との接続部位として使用するのに十分な長さを有していることが求められる。本発明の樹脂光導波路10は、樹脂光導波路の光伝搬方向におけるコア露出部14の長さが100μm以上であることが好ましく、これはシリコン光導波路との接続部位として使用するのに十分な長さである。なお、樹脂光導波路の光伝搬方向とは、コア11の長軸方向である。
コア露出部14は、樹脂光導波路の光伝搬方向における長さが、300μm以上であることがより好ましく、500μm以上であることがさらに好ましく、1000μm以上であることがよりさらに好ましい。
但し、樹脂光導波路の光伝搬方向におけるコア露出部14の長さが長すぎると、シリコン光導波路と接着剤(例えば、エポキシ樹脂)を使って接続する際に、接着剤の吸収により接続損失が大きくなるおそれがある。そのため、樹脂光導波路の光伝搬方向におけるコア露出部14の長さは、10000μm以下であることが好ましく、5000μm以下であることがより好ましく、3000μm以下であることがさらに好ましい。
樹脂光導波路10において、コア11よりもアンダークラッド12、オーバークラッド13の屈折率を低くするのは、コア11を伝播する光が、アンダークラッド12側、若しくは、オーバークラッド13側に放射するのを防止するためである。
上述したように、図8に示すように、コア露出部を有する樹脂光導波路310と、シングルモード光ファイバ400と、を接続した際には、オーバークラッド340が存在しないコア露出部において、コア320が露出した状態になる。樹脂光導波路310の性能評価は、コア露出部が空気中、または、水中に存在する状態で実施されるため、コア320の露出面は空気または水と接するが、空気や水は、樹脂光導波路310のコア320材料やアンダークラッド330材料よりも屈折率が小さい。その結果、コア320を伝搬する光の一部がアンダークラッド330側に放射するのが接続損失の原因である。
本発明の樹脂光導波路10は、アンダークラッド12のうち、コア露出部14に該当する部位が下記(1)〜(3)を満たす第1層および第2層を有することにより、シングルモード光ファイバとの接続時の接続損失が抑制される。
(1)第1層および第2層は、コアとの界面、若しくは、アンダークラッドの露出面からの距離が互いに異なり、第1層がこれらの面に対し近位側であり、第2層がこれらの面に対し遠位側であるように位置する。
(2)第1層はコアとの界面、若しくは、アンダークラッドの露出面からの距離が15μm以内に位置する。
(3)第1層および第2層は屈折率が互いに異なり、第1層は第2層より屈折率が高い。
上記(1)に示すように、アンダークラッド12のうち、コア露出部14に該当する部位は、コア11の界面、若しくは、アンダークラッド12の露出面に対し近位側が第1層で、これらの面に対し遠位側が第2層の二層構造をなす。なお、コア11の界面、および、アンダークラッド12の露出面は第1層の一部をなす。
上記(3)に示すように、第1層は第2層より屈折率が高い。このような二層構造とすることにより、コア露出部14において、コア11を伝搬する光のアンダークラッド12側への放射が抑制され、シングルモード光ファイバとの接続時の接続損失が抑制される。
上記(2)に示すように、第1層はコア11との界面、若しくは、アンダークラッド12の露出面からの距離が15μm以内に位置する。したがって、第1層の厚みtは15μm以下である。第1層はコア11との界面、若しくは、アンダークラッド12の露出面からの距離を15μm以内とする理由は以下に示す通り。
コア11との界面、若しくは、アンダークラッド12の露出面からの距離を15μm以内とすることにより、コア11を伝搬する光のアンダークラッド12側への放射が抑制されて、シングルモード光ファイバとの接続時の接続損失が抑制される。
第1層はコア11との界面、若しくは、アンダークラッド12の露出面からの距離が10μm以内であることが好ましく、8μm以内であることがより好ましく、6μm以内であることがさらに好ましい。したがって、第1層の厚みtは、10μm以下であることが好ましく、8μm以下であることがより好ましく、6μm以下であることがさらに好ましい。
但し、第1層はコア11との界面、若しくは、アンダークラッド12の露出面からの距離が小さすぎると、コア11を伝搬する光のアンダークラッド12側への放射の抑制が不十分になる。第1層はコア11との界面、若しくは、アンダークラッド12の露出面からの距離が0.1μm以上であることが好ましく、0.2μm以上であることがより好ましく、0.5μm以上であることがさらに好ましい。したがって、第1層の厚みtは、0.1μm以上であることが好ましく、0.2μm以上であることがより好ましく、0.5μm以上であることがさらに好ましい。
シングルモード光ファイバとの接続時の接続損失を抑制するためには、第1層における屈折率の最大値n1, maxと、第2層における屈折率の最大値n2, maxと、の差(n1, max−n2, max)が0.001以上であることが好ましい。n1, max−n2, maxが0.001以上であることにより、上述したシングルモード光ファイバとの接続時の接続損失を抑制する効果が好ましく発揮される。n1, max−n2, maxが0.002以上であることが好ましく、0.004以上であることがより好ましい。
なお、第1層における屈折率の最大値n1,maxと、第2層における屈折率の最大値n2, maxと、の差(n1,max−n2,max)の上限値は特に限定されるものではないが、例えば後述する製造方法等に起因して0.020とすることができる。
ここで、第1層における屈折率の最大値n1, maxと、第2層における屈折率の最大値n2, maxと、の差、としているのは、第1層および第2層が、それぞれ屈折率が互いに異なる複数の層に分かれている場合を考慮しているからである。この場合、第1層を構成する複数の層、および、第2層を構成する複数の層は、コアとの界面、若しくは、アンダークラッドの露出面に対し近位側が屈折率が高く、これらの面に対し遠位側が屈折率が低いことが求められる。また、第1層を構成する複数の層は、その屈折率差の最大値が0.001未満であることが求められる。
シングルモード光ファイバとの接続時の接続損失を抑制するためには、第1層の厚みtと、第1層における屈折率の最大値n1, maxと、前記第2層における屈折率の最大値n2, maxとの差(n1, max−n2, max)と、の積(t×(n1, max−n2, max))が0.001〜0.2μmであることが好ましい。より好ましくは、0.004〜0.15μmであり、特に好ましくは、0.004〜0.12μmである。
シリコン光導波路との接続損失の抑制、および、シングルモード光ファイバとの接続時の接続損失の抑制という点では、コア11における屈折率の最大値n´maxと、第1層における屈折率の最大値nmaxと、の差(n´max−nmax)が0.008〜0.02であることが好ましい。ここで、コア11における屈折率の最大値n´maxとしているのは、コア11にも屈折率分布が存在する場合を考慮しているからである。
n´max−nmaxが0.010〜0.015であることがより好ましい。
アンダークラッド12の厚みは10μm以上であることが、剛性を持たせ、ハンドリングの扱いやすさが向上するため好ましい。アンダークラッド12の厚さは、15μm以上であることがより好ましく、20μm以上であることがさらに好ましい。アンダークラッド12が、第1層と第2層とで構成される場合、第2層は第1層よりも屈折率が低ければ、どのような厚さであっても光の放出が抑制できる。生産性を考慮すると70μm以下が好ましく、50μm以下がさらに好ましい。
また、本発明の樹脂光導波路において、コア11の上下にオーバークラッド13およびアンダークラッド12が配された部位のアンダークラッド12の屈折率は、コア11の屈折率よりも数値が低い限り特に限定されない。したがって、例えば当該部位のアンダークラッド12は、屈折率がすべて同一の数値であってもよいし、コア11に対し近位側と遠位側とで屈折率が異なる部位を有していてもよい。但し、このような部位は、コア11に対し近位側の屈折率が高く、コア11に対し遠位側の屈折率が低いことが求められる。また、上記(1)〜(3)を満たした第1層および第2層と同様の構成を有していてもよい。
本発明の樹脂光導波路についてさらに記載する。
(コア11)
図1に示す樹脂光導波路10では、コア11の断面形状が矩形であるが、これに限られず、例えば台形、円形、楕円形であってもよい。コア11の断面形状が多角形である場合は、その角が丸みを帯びていてもよい。
コアサイズは特に限定されず、光源または受光素子との結合効率等を考慮して適宜設計できる。結合効率はコア径と開口数(NA)に依存する。例えばコア11のコアサイズ(図1に示すコア11のように、コア11の断面形状が矩形の場合は、該矩形の幅および高さ)は、シリコンフォトニクスインターフェースとして用いる際に接続するシリコン光導波路との結合効率を考えると1〜10μmであることが好ましい。1.5〜8μmであることがより好ましく、2〜7μmであることがさらに好ましい。ここで、矩形の幅は、高さの中央の位置での幅の長さであり、矩形の高さは、幅の中央の位置での高さの長さである。なお、コアサイズは、樹脂光導波路の光伝搬方向に沿ってテーパー状に変化していてもよい。
コア11は、コアの中心に対し遠位側に向けて屈折率が低くなる屈折率分布を有していてもよい。また、オーバークラッド側の屈折率が高くてアンダークラッド側の屈折率が低くなる屈折率分布を有していてもよいし、オーバークラッド側の屈折率が低くてアンダークラッド側の屈折率が高くなる屈折率分布を有していてもよい。
ここで、コア11における屈折率の最大値n´maxとしているのは、例えば上述のように、コア11にも屈折率分布が存在する場合を考慮しているからである。
(オーバークラッド13)
オーバークラッド13は、コア11よりも屈折率が低い限り特に限定されない。したがって、オーバークラッド13は、屈折率がすべて同一の数値であってもよい。または、コア11に対し近位側と遠位側とで屈折率が異なる部位を有していてもよい。この場合、コア11に対し遠位側に向けて屈折率が低くなる構成であってもよく、コア11に対し遠位側に向けて屈折率が高くなる構成であってもよい。
オーバークラッド13の厚さは特に限定されないが、本発明の樹脂光導波路10がシングルモード光導波路の場合、コア11の中心から10μm程度の範囲内にあるクラッド部分にも伝搬する光が漏れ出るので、光の伝搬損失を少なくするという観点から、10μm以上であることが好ましい。また、アンダークラッド12およびオーバークラッド13の合計厚さが20〜90μmであることが好ましく、30〜70μmであることがより好ましい。
本発明の樹脂光導波路において、コア11、アンダークラッド12、および、オーバークラッド13の構成材料は、樹脂光導波路としての要求特性を満たす限り特に限定されないが、コア11の構成材料はフッ素を含む樹脂であることがコア11を伝搬する光の損失抑制という点で好ましい。
また、コア11、アンダークラッド12、および、オーバークラッド13の構成材料、ならびに、樹脂光導波路の製造手順については、例えば、下記文献の記載を参考にすることができる。
国際公開第2010/107005号
日本国特開2013−120338号公報
日本国特開2012−63620号公報
上記文献を参考にして、図1に示す本発明の樹脂光導波路10を製造する場合、樹脂光導波路の10のコア露出部14は以下の手順で形成することができる。
アンダークラッドを形成し、フォトリソグラフィプロセスを用いて、アンダークラッド上にコアを形成した後、アンダークラッドおよびコア上に硬化物組成物を塗布し、加熱および/または光照射により硬化性樹脂組成物を硬化させ、オーバークラッドを形成する。オーバークラッド層を形成する際に、フォトリソグラフィプロセスを用いて、オーバークラッドを有する領域と、オーバークラッドが無くコアが露出した領域(すなわち、コア露出部)と、を形成することができる。
また、上記(1)〜(3)を満たす第1層12aおよび第2層12bを有するアンダークラッド12は以下の手順で形成することができる。
上記、アンダークラッドを形成する際の、加熱温度や加熱時間を調整することにより、および/または、光の照射強度や照射時間を調整することにより、第1層12aおよび第2層12bを有するアンダークラッド12を形成できる。または、屈折率を調整するためのドーパントを添加することにより、第1層12aおよび第2層12bを有するアンダークラッド12を形成できる。また、アンダークラッド12bを形成する硬化性組成物(b)を塗布し、加熱および/または光照射を行って硬化させ、その上にアンダークラッド12aを形成する硬化性組成物(a)を塗布し、加熱および/または光照射を行って硬化させることにより、第1層12aおよび第2層12bを有するアンダークラッド12を形成できる。硬化性組成物(a)および硬化性組成物(b)には、上記文献に記載の材料を適宜用いることができる。
なお、ドーパント添加によって、屈折率を調整する場合は、当該屈折率は、アンダークラッドを構成する材料とドーパントの種類とに依存するので、目的とする屈折率を得るために、アンダークラッドを構成する材料に応じて当該ドーパントを適宜選択する。
本発明の樹脂光導波路は、シリコン光導波路と、光ファイバと、を低損失、かつ、低コストで接続するシリコンフォトニクスインターフェースに使用されるため、シングルモード光導波路であることが、光信号を高密度化できるため好ましい。この場合、波長1310nmおよび1550nmの少なくとも一方において、シングルモード光導波路であることが、シリコン光導波路やシングルモード光ファイバに対しても低損失で光を伝搬できるという点から好ましい。
本発明の樹脂光導波路をシリコンフォトニクスインターフェースに用いる場合、樹脂光導波路のコア露出部において、シリコン光導波路と接続される。
以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
以下に示す実施例では、樹脂光導波路とシングルモード光ファイバの構造(サイズと屈折率)をRSoft Design Group株式会社製のRSoft CADで定義し、シミュレーション・エンジンであるRSoft Design Group株式会社製のBeamProp(有限差分ビーム伝搬法)で光伝搬のシミュレーションを行った。図2は、実施例での樹脂光導波路と、シングルモード光ファイバとの接続部を示した模式図である。
(例1〜40)
例1〜40のうち、例1〜7、9〜23、例25〜40は実施例で、アンダークラッド12を第1層と第2層との2層構造としたものである。例8、例24が比較例でアンダークラッドを第1層のみの構造としたものである。
樹脂光導波路とシングルモード光ファイバの構造を、以下に示すように、RSoft CADにより定義した。
(シングルモード光ファイバ400)
コア410
コア径 8.4μm
屈折率 1.47
クラッド420
クラッド径 80μm
屈折率 1.4652
(樹脂光導波路10)
シングルモード光導波路
コア11
コアサイズ 幅方向5.9μm、縦方向2.3μm
屈折率 1.534
アンダークラッド12
厚み 40μm
第1層12a
屈折率 1.52
厚みt 2〜14μm
第2層12b
第1層12aと第2層12bとの屈折率差 0〜0.015
例8、例24は、アンダークラッド12が二層構造をなしておらず、アンダークラッド12全体の屈折率が1.52である。
オーバークラッド13
屈折率 1.52
厚み 40μm
コア露出部14
樹脂光導波路10の光伝搬方向における長さ 2000μm
コア露出部14を水(屈折率1.32)もしくは空気(屈折率1.00)で満たした状態について、波長1.55μmにおける接続損失をBeamPropにより計算により求めた。結果を下記表に示す。なお、表中、屈折率(n−n)のうち、第1層12aの屈折率をn、第2層12bの屈折率をnとする。また、表中の厚みは第1層12aの厚みである。また、光導波路10のコア11と、シングルモード光ファイバ400のコア410と、のオフセットYは、図2に示す通りである。また、表中の指標は下記表に示す通りである。
Figure 2017022717
Figure 2017022717
Figure 2017022717
Figure 2017022717
Figure 2017022717
Figure 2017022717
上記表1〜表6は、コア露出部14の光伝搬方向の長さを2000μmとした実施例であるが、表7および表8にはコア露出部14の長さを500μm、1000μm、1500μmおよび3000μmとしたものの結果を示す。
Figure 2017022717
Figure 2017022717
表から明らかなように、アンダークラッド12が二層構造をなしていない例8、24は接続損失が大きかった。
一方、アンダークラッド12が二層構造である例1〜7、例9〜23、例25〜例56は接続損失が小さかった。特に、屈折率差(n1−n2)で0.001以上の二層構造をなしている例1〜7、例9〜23、例25〜例56は接続損失が小さかった。
例1〜7、例9〜23、例25〜例32は、いずれも、第1層の厚みtと、第1層における屈折率n1と、第2層における屈折率n2との差(n1−n2)と、の積(t×(n1−n2))が、0.001〜0.2μmを満たしていた。また、表6に示すように、コア露出部14を水で満たした状態、もしくは空気で満たした状態のいずれの場合も、第1層12aと第2層12bの屈折率差(n1−n2)が0.001以上であれば、第1層12aと第2層12bの屈折率差(n1−n1)によらず、また、光導波路10のコア14と、シングルモード光ファイバ400のコア410と、のオフセットYによる影響が少ない。
本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。本出願は2015年8月4日出願の日本特許出願(特願2015−154192)に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
10:樹脂光導波路
11:コア
12:アンダークラッド
12a:第1層
12b:第2層
13:オーバークラッド
14:コア露出部
100:コネクタ
200:シリコン光導波路チップ
210:シリコン光導波路
220:コア
230:被覆
300:樹脂光導波路チップ
310:樹脂光導波路
320:コア
330:アンダークラッド
340:オーバークラッド
350:コア露出部
400:シングルモード光ファイバ

Claims (11)

  1. コア、ならびに、該コアよりも屈折率が低いアンダークラッド、および、オーバークラッドを備える樹脂光導波路であって、
    前記樹脂光導波路の一端側に、オーバークラッドが存在せずコアおよび該コア周辺のアンダークラッドが露出したコア露出部が設けられており、
    前記アンダークラッドのうち、前記コア露出部に該当する部位が、下記(1)〜(3)を満たす第1層および第2層を有する、ことを特徴とする樹脂光導波路。
    (1)前記第1層および前記第2層は、前記コアとの界面、若しくは、前記アンダークラッドの露出面からの距離が互いに異なり、前記第1層がこれらの面に対し近位側であり、前記第2層がこれらの面に対し遠位側であるように位置する。
    (2)前記第1層は前記コアとの界面、若しくは、前記アンダークラッドの露出面からの距離が15μm以内に位置する。
    (3)前記第1層および前記第2層は屈折率が互いに異なり、前記第1層は前記第2層より屈折率が高い。
  2. 前記コア露出部の光伝搬方向の長さが100μm以上である請求項1記載の樹脂光導波路。
  3. 前記第1層における屈折率の最大値n1, maxと、前記第2層における屈折率の最大値n2, maxと、の差(n1, max−n2, max)が0.001以上である請求項1または2に記載の樹脂光導波路。
  4. 前記コアにおける屈折率の最大値n´maxと、前記第1層における屈折率の最大値n1, maxと、の差(n´max−n1, max)が0.008〜0.02である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の樹脂光導波路。
  5. 前記第1層の厚みtが15μm以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の樹脂光導波路。
  6. 前記第1層の厚みtと、前記第1層における屈折率の最大値n1,maxと、前記第2層における屈折率の最大値n2,maxとの差(n1,max−n2,max)と、の積(t×(n1,max−n2,max))が、0.001〜0.2μmである、請求項5に記載の樹脂光導波路。
  7. 前記樹脂光導波路が、波長1310nmおよび波長1550nmの少なくても一方において、シングルモード光導波路である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の樹脂光導波路。
  8. 前記樹脂光導波路のコアサイズが1〜10μmである、請求項1〜7のいずれか1項に記載の樹脂光導波路。
  9. 前記樹脂光導波路のコアがフッ素を含む樹脂からなることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の樹脂光導波路。
  10. コア、ならびに、該コアよりも屈折率が低いアンダークラッド、および、オーバークラッドを備える樹脂光導波路であって、
    前記樹脂光導波路の一端側に、オーバークラッドが存在せずコアおよび該コア周辺のアンダークラッドが露出したコア露出部が設けられており、樹脂光導波路の光伝搬方向における該コア露出部の長さが500μm以上であり、
    前記アンダークラッドのうち、前記コア露出部に該当する部位が、下記(1)〜(4)を満たす第1層および第2層を有する、ことを特徴とする樹脂光導波路。
    (1)前記第1層および前記第2層は、前記コアとの界面、若しくは、前記アンダークラッドの露出面からの距離が互いに異なり、前記第1層がこれらの面に対し近位側であり、前記第2層がこれらの面に対し遠位側であるように位置する。
    (2)前記第1層は前記コアとの界面、若しくは、前記アンダークラッドの露出面からの距離が8μm以内に位置する。
    (3)前記第1層および前記第2層は屈折率が互いに異なり、前記第1層は前記第2層より屈折率が高い。
    (4)前記第1層における屈折率の最大値n1,maxと、前記第2層における屈折率の最大値n2,maxと、の差(n1,max−n2,max)が0.002以上である。
  11. 前記コア露出部において、シリコン光導波路と接続される、請求項1〜10のいずれか1項に記載の樹脂光導波路。
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