TWI690772B - 感光性樹脂組成物、感光性薄片、半導體裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- -1 photosensitive sheet Substances 0.000 title description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 100
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 24
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 21
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 18
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 77
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 48
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 19
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 7
- 125000004849 alkoxymethyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 125000004427 diamine group Chemical group 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 12
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 10
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 79
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 19
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 19
- WTFAGPBUAGFMQX-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-aminopropoxy)propoxy]propoxy]propan-2-amine Chemical compound CC(N)COCC(C)OCC(C)OCC(C)N WTFAGPBUAGFMQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 18
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000011161 development Methods 0.000 description 16
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 16
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 6
- 0 CCC(C)(CC(C)N)OC(C)CC(C)(*)OCC(C)N Chemical compound CCC(C)(CC(C)N)OC(C)CC(C)(*)OCC(C)N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 6
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 6
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 5
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 150000000000 tetracarboxylic acids Chemical class 0.000 description 5
- MSTZGVRUOMBULC-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-[2-(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC(C(C=2C=C(N)C(O)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 MSTZGVRUOMBULC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 4
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 4
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 4
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 150000003628 tricarboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUMMBDBTERQYCG-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(hydroxymethyl)-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC(CO)=C(O)C(CO)=C1 KUMMBDBTERQYCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BXVXPASMKWYBFD-UHFFFAOYSA-N 2-[[2-hydroxy-3-(hydroxymethyl)-5-methylphenyl]methyl]-6-(hydroxymethyl)-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC(CO)=C(O)C(CC=2C(=C(CO)C=C(C)C=2)O)=C1 BXVXPASMKWYBFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSSJQYMNCUJSBR-UHFFFAOYSA-N 4,5-dimethoxy-1,3-bis(methoxymethyl)imidazolidin-2-one Chemical compound COCN1C(OC)C(OC)N(COC)C1=O ZSSJQYMNCUJSBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHLBYJOGKPIERQ-UHFFFAOYSA-N 5-naphthoquinonediazidesulfonyl group Chemical group [N-]=[N+]=C1C=CC2=C(C=CC=C2S(=O)=O)C1=O KHLBYJOGKPIERQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N Bisphenol Z Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)CCCCC1 SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 229920002614 Polyether block amide Polymers 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUPYJHCZDLZNFP-UHFFFAOYSA-N butyl butanoate Chemical compound CCCCOC(=O)CCC XUPYJHCZDLZNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VFLDPWHFBUODDF-FCXRPNKRSA-N curcumin Chemical compound C1=C(O)C(OC)=CC(\C=C\C(=O)CC(=O)\C=C\C=2C=C(OC)C(O)=CC=2)=C1 VFLDPWHFBUODDF-FCXRPNKRSA-N 0.000 description 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 2
- FBSFWRHWHYMIOG-UHFFFAOYSA-N methyl 3,4,5-trihydroxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 FBSFWRHWHYMIOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- UNMJLQGKEDTEKJ-UHFFFAOYSA-N (3-ethyloxetan-3-yl)methanol Chemical compound CCC1(CO)COC1 UNMJLQGKEDTEKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYNQKSJRFHJZTK-UHFFFAOYSA-N (3-methoxy-3-methylbutyl) acetate Chemical compound COC(C)(C)CCOC(C)=O RYNQKSJRFHJZTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWSKJORLRSWYGK-UHFFFAOYSA-N (3-methoxy-3-methylbutyl) propanoate Chemical compound CCC(=O)OCCC(C)(C)OC OWSKJORLRSWYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNAGHMKIPMKKBB-UHFFFAOYSA-N 1-benzylpyrrolidine-3-carboxamide Chemical compound C1C(C(=O)N)CCN1CC1=CC=CC=C1 HNAGHMKIPMKKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTEAINVQJJJBSW-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-1-(3-ethylheptoxy)cyclobutane Chemical compound CCCCC(CC)CCOC1(CCC1)CC XTEAINVQJJJBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQCPOLNSJCWPGT-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Bisphenol F Chemical compound OC1=CC=CC=C1CC1=CC=CC=C1O MQCPOLNSJCWPGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCAXITAPTVOLGL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diaminophenol Chemical group NC1=CC=CC(O)=C1N PCAXITAPTVOLGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRMKFAFIVOVETG-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(methoxymethyl)-4-methylphenol Chemical compound COCC1=CC(C)=CC(COC)=C1O VRMKFAFIVOVETG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)CO WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical class CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOC(C)=O BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CN(C)CCOC(=O)C(C)=C JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLSFPMYASLXJC-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl acetate Chemical compound CN(C)CCOC(C)=O GOLSFPMYASLXJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)CO FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(4-amino-3-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(O)=C1 ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTKBNCABAMQDIG-UHFFFAOYSA-N 3-butoxypropan-1-ol Chemical compound CCCCOCCCO NTKBNCABAMQDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNYWFRSQRHGKJT-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxymethyl]oxetane Chemical compound C1OCC1(CC)COCC1(CC)COC1 FNYWFRSQRHGKJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNPOQXWAMXPTA-UHFFFAOYSA-N 3-methylbut-2-enamide Chemical compound CC(C)=CC(N)=O WHNPOQXWAMXPTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYKNBEUSHQHYSX-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-ethoxyphenyl)diazenyl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(OCC)=CC=C1N=NC1=CC=C(N(CC)CC)C=C1 AYKNBEUSHQHYSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOXSMAJIGCIVQY-UHFFFAOYSA-N 4-[(5-amino-3-methyl-1-phenylpyrazol-4-yl)diazenyl]phenol Chemical compound CC1=NN(C=2C=CC=CC=2)C(N)=C1N=NC1=CC=C(O)C=C1 MOXSMAJIGCIVQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQKQINNUKSBEQR-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)phenyl]diazenyl]phenol Chemical compound CN(C)c1ccc(cc1)N=Nc1ccc(O)cc1 CQKQINNUKSBEQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLIGPHACAFRDEN-UHFFFAOYSA-N 4-naphthoquinonediazidesulfonyl group Chemical group [N-]=[N+]=C1C=C(C2=C(C=CC=C2)C1=O)S(=O)=O OLIGPHACAFRDEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHDBJOYDLRRTRA-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butyl-2,6-bis(methoxymethyl)phenol Chemical compound COCC1=CC(C(C)(C)C)=CC(COC)=C1O SHDBJOYDLRRTRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- DIQMPQMYFZXDAX-UHFFFAOYSA-N Pentyl formate Chemical compound CCCCCOC=O DIQMPQMYFZXDAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOFSEHHMYPDWFR-UHFFFAOYSA-N [3-(acetyloxymethyl)-2-hydroxy-5-methylphenyl]methyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC(C)=CC(COC(C)=O)=C1O JOFSEHHMYPDWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- WETWJCDKMRHUPV-UHFFFAOYSA-N acetyl chloride Chemical compound CC(Cl)=O WETWJCDKMRHUPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012346 acetyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000012648 alternating copolymerization Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N azobenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- WXNRYSGJLQFHBR-UHFFFAOYSA-N bis(2,4-dihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1O WXNRYSGJLQFHBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012661 block copolymerization Methods 0.000 description 1
- OBNCKNCVKJNDBV-UHFFFAOYSA-N butanoic acid ethyl ester Natural products CCCC(=O)OCC OBNCKNCVKJNDBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N butyl propionate Chemical compound CCCCOC(=O)CC BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWLNAUNEAKQYLH-UHFFFAOYSA-N butyric acid octyl ester Natural products CCCCCCCCOC(=O)CCC PWLNAUNEAKQYLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 229940109262 curcumin Drugs 0.000 description 1
- 239000004148 curcumin Substances 0.000 description 1
- 235000012754 curcumin Nutrition 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001142 dicarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- VFLDPWHFBUODDF-UHFFFAOYSA-N diferuloylmethane Natural products C1=C(O)C(OC)=CC(C=CC(=O)CC(=O)C=CC=2C=C(OC)C(O)=CC=2)=C1 VFLDPWHFBUODDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Natural products C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- CKSRFHWWBKRUKA-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxyacetate Chemical compound CCOCC(=O)OCC CKSRFHWWBKRUKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZANNOFHADGWOLI-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxyacetate Chemical compound CCOC(=O)CO ZANNOFHADGWOLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJAKCEHATXBFJT-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-oxobutanoate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)CC FJAKCEHATXBFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-methoxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)CCOC IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N methyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OC HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBKQQKPQRYUGBJ-UHFFFAOYSA-N methyl gallate Natural products CC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 IBKQQKPQRYUGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N n-butyric acid methyl ester Natural products CCCC(=O)OC UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002921 oxetanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003880 polar aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N propionic acid ethyl ester Natural products CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUAZGNHGCJGYNP-UHFFFAOYSA-N propyl butyrate Chemical compound CCCOC(=O)CCC HUAZGNHGCJGYNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIDUKLCLJMXFEO-UHFFFAOYSA-N propylsilane Chemical compound CCC[SiH3] UIDUKLCLJMXFEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000009823 thermal lamination Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-M valerate Chemical compound CCCCC([O-])=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
本發明係關於一種感光性樹脂組成物、一種感光性薄片、一種半導體裝置及一種半導體裝置之製造方法。詳細而言,本發明係關於一種感光性樹脂組成物,其係含有交聯性化合物且用於可撓性材料之感光性樹脂組成物,例如,其適用於半導體元件的表面保護膜、層間絕緣膜、有機電激發光元件的絕緣層等;一種使用其之感光性薄片;一種使用該感光性樹脂組成物之半導體裝置及一種半導體裝置之製造方法。
以往,半導體元件的表面保護膜或層間絕緣膜、有機電解元件的絕緣層或TFT基板的平坦化膜中,係使用將一般稱為熱交聯劑的交聯性化合物與耐熱性或電絕緣性等優異的聚醯亞胺系樹脂、聚苯并唑系樹脂一起混合而成之組成物。形成此等塗膜後,藉由加熱燒成使樹脂交聯,得到耐熱性、機械特性優異的薄膜。
然而近年來,伴隨著裝置的薄膜化,因在加熱燒成時前述組成物會收縮,而對塗布基板的應力提高,產生因發生明顯翹曲而在製造步驟中變得無法自動運送等之嚴重問題。作為其應對方法,通常會在以350℃
以上的溫度下進行前述薄膜的加熱燒成後,再藉由以250℃左右的低溫進行,而抑制前述組成物的收縮,可期待減少薄膜的翹曲。
就可低溫加熱燒成的樹脂組成物而言,已揭示一種感光性樹脂組成物,其使用閉環而得的聚醯亞胺、光酸產生劑、含羥甲基的熱交聯劑(例如專利文獻1)。
再者,為了實現低應力(low stress),已介紹一種負型感光性組成物,其具有:具聚丙烯醚二胺(polyoxypropylene diamine)殘基的可溶性聚醯亞胺與光聚合性化合物、光聚合起始劑(例如專利文獻3)。
就正型感光性樹脂組成物而言,有許多使用含聚環氧乙烷的環氧交聯劑之實際成果。例如已介紹一種包含鹼溶性聚醯亞胺與環氧交聯劑之正型感光性樹脂組成物,其中該環氧交聯劑於主鏈中含有聚環氧乙烷(例如專利文獻4)。在此例中,已實現藉由降低應力來減少翹曲且高解析等之優異特性。
除此之外,已介紹一種含有使特定的二胺與酸二酐反應而成之重量平均分子量20,000~200,000的多成分系嵌段共聚聚醯亞胺樹脂、感光劑與水之水溶性感光性樹脂組成物(例如專利文獻5)。
專利文獻1 日本特許第4918968號公報
專利文獻2 日本特開2008-224984號公報
專利文獻3 日本特開2011-95355號公報
專利文獻4 日本特開2012-208360號公報
專利文獻5 日本特許第4438227號公報
然而,專利文獻1的技術係因彈性模數高,加熱燒成時,亦即硬化時的收縮大,故對於薄膜翹曲的改善無法得到滿足。
專利文獻3的技術,因為是負型的感光性組成物,就使用於半導體元件的保護膜而言,解析度並不足夠,期望一種具更高解析且能鹼顯影之正型感光性樹脂組成物。
專利文獻4的技術,因聚醯亞胺合成時產生的殘留胺的影響,而有環氧化合物引起暗反應之虞,對於時間穩定性(temporal stability)有所擔憂。
專利文獻5的技術中使用的水溶性感光性樹脂組成物,因使用用於作為低線膨脹性的材料而曝光感度低,再者因含有大量的水而不適用於半導體元件等的表面保護膜、層間絕緣膜、有機電激發光元件的絕緣層等,其用途受到限制。
本發明係鑑於如上之問題所作成者,以提供一種高感度、高解析性、及時間穩定性優異的感光性樹脂組成物為目的。詳細而言,係以提供一種能得到加熱燒成後的應力低且化學抗性高的硬化膜之含交聯性化合物的感光性樹脂組成物為目的。
為解決上述問題,本發明之感光性樹脂組成物具有下述的構成。亦即,係含有以下述通式(1)表示之化合物之感光性樹脂組成物。
(通式(1)中,R1~R4分別為氫原子或碳數1~4的有機基,可為相同,亦可為相異,X係表示於主鏈具有2個以上的下述通式(2)所示的結構單元之4價有機基。)
(通式(2)中,R5係表示氫原子或碳數1~20的烷基,同一分子中的複數個R5可為相同,亦可為相異。)
本發明之感光性薄片具有下述的構成。亦即,係使用上述感光性樹脂組成物所形成之感光性薄片。
本發明之半導體裝置具有下述的構成。亦即,係具有使用上述感光性樹脂組成物所形成之硬化膜之半導體裝置。
本發明之半導體裝置之製造方法具有下述的構成。亦即,係包含:將上述感光性樹脂組成物塗布或層合於基板上後,經由紫外線照射步驟與顯影步驟形成圖案,再進行加熱而形成硬化膜之步驟的半導體裝置之製造方法。
本發明之感光性樹脂組成物,較佳為以前述通式(1)表示之化合物為以下述通式(3)或(4)表示之化合物。
(通式(3)中,R1~R4分別為氫原子或碳數1~4的有機基,並且可為相同,亦可為相異。Y係表示於主鏈具有2個以上的下述通式(5)所示的結構單元之2價有機基。)
(通式(4)中,R1~R4分別為氫原子或碳數1~4的有機基,並且可為相同,亦可為相異,R6、R7分別為氫原子或碳數1~20的有機基,並且可為相同,亦可為相異。Y係表示於主鏈具有2個以上的下述通式(5)所示的結構單元之2價有機基。)
(通式(5)中,R5係表示氫原子或碳數1~20的烷基,同一分子中的複數個R5可為相同,亦可為相異。)
本發明之感光性樹脂組成物,較佳為含有以前述通式(1)表示之化合物作為(A)交聯性化合物,且進一步含有(B)鹼溶性樹脂、(C)光酸產生劑與(D)溶劑。
本發明之感光性樹脂組成物,較佳為前述(B)鹼溶性樹脂於主鏈具有2個以上之下述通式(6)所示的結構單元。
(通式(6)中,R5係表示氫原子或碳數1~20的烷基,同一分子中的複數個R5可為相同,亦可為相異。)
本發明之感光性樹脂組成物,較佳為前述(B)鹼溶性樹脂之上述通式(6)所示的結構單元來自二胺殘基。
本發明之感光性樹脂組成物,較佳為前述交聯性化合物(A)與(A’)的質量比為(A):(A’)=9:1~1:9。
若根據本發明,則能夠得到一種時間穩定性優異、具有高感度且高解析度之感光性樹脂組成物,並能夠在加熱燒成後得到一種低應力的硬化膜。
本發明之感光性樹脂組成物係含有以上述通式(1)表示之化合物之樹脂組成物。
本發明之樹脂組成物所含之以上述通式(1)表示之化合物,因具有交聯性,故以下有時稱為「(A)交聯性化合物」。上述通式(1)中,R1~R4分別為氫原子或碳數1~4的有機基,可為相同,亦可為不同。較佳為R1~R4中任一個以上為碳數1~4的有機基,更佳為R1~R4中任一個以上為甲基、三級丁基中之任一者。上述通式(1)中,X係表示於主鏈上具有2個以上的上述通式(2)所示之結構單元之4價有機基。
上述通式(2)中,R5係表示氫原子或碳數1~20的烷基,同一分子中的複數個R5可為相同,亦可為相異。較佳為同一分子中的複數個R5為氫原子或甲基中之任一者或是兩者。
以上述通式(1)表示之化合物,較佳為以上述通式(3)或上述通式(4)表示之化合物。以上述通式(3)表示之化合物係能夠藉由取代特定之具有聚烷二醇結構的二胺的氫原子來合成。就供予合成的化合物而言,較佳為JEFFAMINE KH-511、JEFFAMINE ED-600、JEFFAMINE ED-900、JEFFAMINE ED-2003、JEFFAMINE EDR-148、JEFFAMINE EDR-176、ELASTAMINE RP-409、ELASTAMINE RE-900、ELASTAMINE RE1-1000、ELASTAMINE RT-1000(以上為商品名,可從HUNTSMAN公司取得)等,具體而言,可列舉例如:以下述通式表示之化合物,惟不限於此等。
(式中,n為2以上的整數,l+m+n為3以上的整數。)
為了得到以上述通式(4)表示之化合物,能夠適用多數的合成方法。例如能夠合成具有聚烷二醇結構的環氧化合物作為原料。就供予合成的原料化合物而言,較佳為EPICLON EXA-4880、EPICLON EXA-4850-1000、EPICLON EXA-4822(以上為商品名,可從Dainippon Ink and Chemicals(股)取得)、RIKARESIN BEO-60E(商品名,可從新日本理化(股)取得)等,更具體而言,可列舉:以下述通式表示之化合物,惟不限於此等。
(式中,m為1以上的整數,n為2以上的整數。)
本發明之感光性樹脂組成物,在使加熱燒成後所得到的硬化膜的化學抗性與耐熱性提升之目的下,較佳為除了以通式(1)表示之化合物之外,併用(A’)其他交聯性化合物作為(A)交聯性化合物。就(A’)其他交聯性化合物而言,可列舉:具有苯并結構的化合物、具有環氧結構的化合物、具有氧環丁烷結構的化合物、具有烷氧基甲基結構的化合物。
就具有環氧結構的化合物的較佳例而言,可列舉例如:EPICLON 850-S、EPICLON HP-4032、EPICLON HP-7200、EPICLON HP-820、EPICLON HP-4700、EPICLON EXA-4710、EPICLON HP-4770、EPICLON EXA-859CRP、EPICLON EXA-4880、EPICLON EXA-4850、EPICLON EXA-4816、EPICLON EXA-4822(以上為商品名,可從Dainippon Ink and Chemicals(股)取得)、RIKARESIN BPO-20E、RIKARESIN BEO-60E(以上為商品名,可從新日本理化(股)取得)、EP-4003S、EP-4000S(以上為商品名,可從(股)ADEKA取得)等。
就氧環丁烷化合物而言,可列舉:於一分子中具有2個以上的氧環丁烷環之化合物、3-乙基-3-羥基甲基氧環丁烷、1,4-雙{[(3-乙基-3-氧環丁烷基)甲氧基]甲基}苯、3-乙基-3-(2-乙基己基甲基)氧環丁烷、1,4-苯二羧酸-雙[(3-乙基-3-氧環丁烷基)甲基]酯等。就具體例而言,可適當地使用東亞合成(股)的ARON OXETANE系列。
就具有烷氧基甲基結構的化合物的較佳例而言,可列舉例如:DML-PC、DML-PEP、DML-OC、DML-OEP、DML-34X、DML-PTBP、DML-PCHP、DML-OCHP、DML-PFP、DML-PSBP、DML-POP、DML-MBOC、DML-MBPC、DML-MTrisPC、DML-BisOC-Z、DML-BisOCHP-Z、DML-BPC、DML-BisOC-P、DMOM-PC、DMOM-PTBP、DMOM-MBPC、TriML-P、TriML-35XL、TML-HQ、
TML-BP、TML-pp-BPF、TML-BPE、TML-BPA、TML-BPAF、TML-BPAP、TMOM-BP、TMOM-BPE、TMOM-BPA、TMOM-BPAF、TMOM-BPAP、HML-TPPHBA、HML-TPHAP、HMOM-TPPHBA、HMOM-TPHAP(以上為商品名,可從本州化學工業(股)取得)、NIKALAC(註冊商標)MX-290、NIKALAC MX-280、NIKALAC MX-270、NIKALAC MX-279、NIKALAC MW-100LM、NIKALAC MX-750LM(以上為商品名,可從(股)Sanwa Chemical取得)。
在此等(A’)其他交聯性化合物之中,從與以通式(1)表示之化合物的親和性優異之觀點而言,較佳為併用具有烷氧基甲基結構的化合物,更佳為併用選自MX-290、NIKALAC MX-280、NIKALAC MX-270、NIKALAC MX-279、NIKALAC MW-100LM、NIKALAC MX-750LM中之任一者之化合物。
(A)交聯性化合物與(A’)其他交聯性化合物的質量比,較佳為(A):(A’)=9:1~1:9,更佳為(A):(A’)=9:1~6:4。若在此較佳的範圍內,則能夠在使加熱燒成後所得到的硬化膜的化學抗性進一步提升的同時兼具低應力。
(A)交聯性化合物的含量,相對於(B)鹼溶性樹脂100質量份而言,較佳為5~50質量份。若在5質量份以上,則能夠提升硬化膜的化學抗性,若在50質量份以下,則能夠減少熱硬化時的收縮。
本發明之樹脂組成物所使用的樹脂並沒有特殊的限定,但在作成具感光性或顯影性的機能性樹脂組成物的情況下,較佳為可溶於鹼性水溶液。就(B)鹼溶性樹脂而言,可列舉酚醛樹脂、丙烯酸樹脂、茀樹脂等,但特佳為聚醯亞胺樹脂、聚苯并唑樹脂或聚醯胺醯亞胺樹脂、該等任一種的前驅物或包含該等之中任1種以上之共聚物。若使用此等較佳的樹脂,則能夠使加熱燒成後所得到的硬化膜的耐熱性提升。又,前述(B)鹼溶性樹脂若為於主鏈上具有2個以上的下述通式(6)所示的結構單元之樹脂,則從加熱燒成後能夠得到低應力的硬化膜這樣的觀點而言為較佳,從製造步驟簡單、長期保管後亦能夠得到安定的樹脂、感光性樹脂組成物的時間穩定性變高之觀點而言,下述通式(6)所示的結構單元更佳為來自二胺。
(式中,R5係表示氫原子或碳數1~20的烷基,同一分子中的複數個R5可為相同,亦可為相異。)本發明之樹脂組成物中較佳使用的聚醯亞胺樹脂、聚醯亞胺前驅物樹脂,係能夠藉由使四羧酸或對應的四羧酸二酐、四羧酸二酯二醯氯(tetracarboxylic acid diester dichloride)等與二胺或對應的二異氰酸酯化合
物、三甲基矽烷基化二胺反應而得,且具有四羧酸殘基與二胺殘基。更佳係可列舉例如具有使四羧酸或對應的四羧酸二酐與具有烷二醇結構的二胺化合物反應而得之結構,藉由反應所得到的樹脂於主鏈具有2個以上的通式(6)所示的結構單元。就具有烷二醇結構的二胺化合物的例子而言,可列舉:JEFFAMINE KH-511、JEFFAMINE ED-600、JEFFAMINE ED-900、JEFFAMINE ED-2003、JEFFAMINE EDR-148、JEFFAMINE EDR-176、ELASTAMINE RP-409、ELASTAMINE RE-900、ELASTAMINE RE1-1000、ELASTAMINE RT-1000(以上為商品名,可從HUNTSMAN公司取得)。
本發明中較佳使用的聚苯并唑樹脂、聚苯并唑前驅物樹脂,係能夠使雙胺基苯酚化合物與二羧酸或對應的二羧醯氯、二羧酸活性酯等反應而得,且具有二羧酸殘基與雙胺基苯酚殘基。更佳係具有例如使雙胺基苯酚化合物與具有烷二醇結構的二羧酸反應而得之結構,藉由反應所得到的樹脂於主鏈具有2個以上的通式(6)所示的結構單元。又,藉由針對為聚苯并唑前驅物的1種之聚羥基醯胺進行加熱處理並脫水閉環,能夠得到聚苯并唑樹脂。
本發明之樹脂組成物中較佳使用的聚醯胺醯亞胺樹脂,係例如能夠藉由使三羧酸、對應的三羧酸酐、三羧醯氯等與二胺或二異氰酸酯反應而得。更佳係具有例如使三羧酸、對應的三羧酸酐、三羧醯氯等與具有烷
二醇結構的二胺化合物反應而得之結構,藉由反應所得到的樹脂於主鏈具有2個以上的通式(6)所示的結構單元。就具有烷二醇結構的二胺化合物的例子而言,可列舉:JEFFAMINE KH-511、JEFFAMINE ED-600、JEFFAMINE ED-900、JEFFAMINE ED-2003、JEFFAMINE EDR-148、JEFFAMINE EDR-176、ELASTAMINE RP-409、ELASTAMINE RE-900、ELASTAMINE RE1-1000、ELASTAMINE RT-1000(以上為商品名,可從HUNTSMAN公司取得)。
本發明之樹脂組成物中較佳使用的聚醯亞胺、聚苯并唑、聚醯胺醯亞胺、該等任一種的前驅物、或含有該等之中任1種以上之共聚物,較佳為嵌段共聚合、無規共聚合、交替共聚合、接枝共聚合中之任一種或該等的組合。例如,能夠使四羧酸、對應的四羧酸二酐、四羧酸二酯二醯氯等與聚羥基醯胺反應而得到嵌段共聚物。藉由共聚合而得到的樹脂,若於主鏈具有2個以上的通式(6)所示的結構單元,則為更佳。
本發明之樹脂組成物,藉由含有(C)酸產生劑可賦予感光性,因而較佳。就(C)酸產生劑而言,可列舉:醌二疊氮(quinone diazide)的磺酸以酯鍵鍵結於多羥基化合物而成者、醌二疊氮化物的磺酸以磺醯胺鍵鍵結於多胺基化合物而成者、醌二疊氮化物的磺酸以酯鍵及/或磺醯胺鍵鍵結於多羥基多胺基化合物而成者等。此等多羥基化合物、多胺基化合物、多羥基多胺基化合物的所有官能基亦可以醌二疊氮取代,但較佳為平均官能基
全體的40莫耳%以上以醌二疊氮取代。藉由使用這樣的醌二疊氮化合物,能夠得到對為一般紫外線之水銀燈的i線(波長365nm)、h線(波長405nm)、g線(波長436nm)感光之正型感光性樹脂組成物。
多羥基化合物係可列舉:Bis-Z、BisP-EZ、TekP-4HBPA、TrisP-HAP、TrisP-PA、TrisP-SA、TrisOCR-PA、BisOCHP-Z、BisP-AP、BisP-MZ、BisP-PZ、BisP-IPZ、BisOCP-IPZ、BisP-CP、BisRS-2P、BisRS-3P、BisP-OCHP、methylene tris-FR-CR、BisRS-26X、DML-MBPC、DML-MBOC、DML-OCHP、DML-PCHP、DML-PC、DML-PTBP、DML-34X、DML-EP、DML-POP、Dimethylol-BisOC-P、DML-PFP、DML-PSBP、DML-MTrisPC、TriML-P、TriML-35XL、TML-BP、TML-HQ、TML-pp-BPF、TML-BPA、TMOM-BP、HML-TPPHBA、HML-TPHAP(以上為商品名,可從本州化學工業(股)取得)、BIR-OC、BIP-PC、BIR-PC、BIR-PTBP、BIR-PCHP、BIP-BIOC-F、4PC、BIR-BIPC-F、TEP-BIP-A、46DMOC、46DMOEP、TM-BIP-A(以上為商品名,可從旭有機材工業(股)取得)、2,6-二甲氧基甲基-4-三級丁基苯酚、2,6-二甲氧基甲基-對甲酚、2,6-二乙醯氧基甲基-對甲酚、萘酚、四羥基二苯基酮、五倍子酸甲酯、雙酚A、雙酚E、亞甲基雙酚、酚醛樹脂等,惟不限於此等。
多胺基化合物係可列舉:1,4-苯二胺、1,3-苯二胺、4,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基二苯基硫醚等,惟不限於此等。
又,多羥基多胺基化合物係可列舉:2,2-雙(3-胺基-4-羥苯基)六氟丙烷、3,3’-二羥基聯苯胺等,惟不限於此等。
在本發明中,醌二疊氮係較佳使用5-萘醌二疊氮磺醯基、4-萘醌二疊氮磺醯基中之任一者。在本發明中,亦能夠得到在同一分子中併用4-萘醌二疊氮磺醯基、5-萘醌二疊氮磺醯基而成之萘醌二疊氮磺酸酯化合物,或是亦能夠混合4-萘醌二疊氮磺酸酯化合物與5-萘醌二疊氮磺酸酯化合物來使用。
在此等之中,更佳為(C)光酸產生劑含有藉由苯酚化合物的羥基與5-萘醌二疊氮磺醯基之反應而生成之酯化合物。藉此能夠在i線曝光下得到高感度。
(C)光酸產生劑的含量,相對於(B)鹼溶性樹脂100質量份而言,較佳為1~50質量份,更佳為10~40質量份。若在1質量份以上,則會顯現感光性;若在50質量份以下,則會變成更高感度化。此外,亦可視需要地添加增感劑等。
本發明之感光性樹脂組成物係可包含(D)溶劑。藉此能夠在清漆的狀態,能夠使塗布性提升。
就前述(D)溶劑而言,能夠單獨或混合使用乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單正丙基醚、乙二醇單正丁基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單正丙基醚、二乙二醇單正丁基醚、三乙二醇單甲基醚、三乙二醇單乙基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單正丙基醚、丙二醇單正丁基
醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單正丙基醚、二丙二醇單正丁基醚、三丙二醇單甲基醚、三丙二醇單乙基醚、四氫呋喃、二烷等之醚類;γ-丁內酯等之極性的非質子性溶媒;丙酮、甲基乙基酮、二異丁基酮、環己酮、2-庚酮、3-庚酮、二丙酮醇等之酮類;乙二醇單甲基醚乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、二乙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、乳酸乙酯等之酯類;2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、乙酸-3-甲氧基丁酯、乙酸-3-甲基-3-甲氧基丁酯、丙酸-3-甲基-3-甲氧基丁酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸正丁酯、甲酸正戊酯、丙酸正丁酯、丁酸乙酯、丁酸正丙酯、丁酸正丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸正丙酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、2-側氧丁酸乙酯等之其他酯類;甲苯、二甲苯等之芳香族烴類;N-甲基吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等之醯胺類等,惟不限於此等。
前述溶劑的使用量,相對於(B)鹼溶性樹脂100質量份而言,較佳為50~2000質量份,特佳為100~1500質量份。若在50質量份以上,則能夠輕易地進行對基板的塗布,若在2000質量份以下,則能夠穩定地製作硬化膜。
本發明之感光性樹脂組成物亦可含有無機粒子、有機粒子、或有機無機複合粒子。就較佳的具體例而言,可列舉:氧化矽、氧化鈦、鈦酸鋇、氧化鋁、滑石等,惟不限於此等。就使硬化膜的平滑性及透明性提升的觀點而言,此等粒子的平均一次粒徑較佳為100nm以下,更佳為60nm以下。平均一次粒徑係能夠藉由氮氣吸附法(BET法,依據JIS Z 8830(2013年修訂))而求得。
又,為了提高與基板的黏著性,在不損及保存穩定性的範圍內,本發明之感光性樹脂組成物亦可含有三甲氧基胺基丙基矽烷、三甲氧基環氧基矽烷、三甲氧基乙烯基矽烷、三甲氧基硫醇丙基矽烷等之矽烷偶合劑作為矽成分。矽烷偶合劑的較佳含量係相對於(B)鹼溶性樹脂100質量份為0.01~5質量份。若在0.01質量份以上,則會展現與基板的黏著性,若在5質量份以下,則對基板的塗布性會變良好。
本發明之感光性樹脂組成物亦可在不降低硬化後的收縮殘膜率的範圍內含有具有酚性羥基的化合物。藉此能夠調整顯影時間、防止產生浮渣。就此等的化合物而言,可列舉例如:Bis-Z、BisP-EZ、TekP-4HBPA、TrisP-HAP、TrisP-PA、BisOCHP-Z、BisP-MZ、BisP-PZ、BisP-IPZ、BisOCP-IPZ、BisP-CP、BisRS-2P、BisRS-3P、BisP-OCHP、methylene tris-FR-CR、BisRS-26X(以上為商品名,可從本州化學工業(股)取得)、BIP-PC、BIR-PTBP、BIR-BIPC-F(以上為商品名,可從旭有機材工業(股)取得)等。亦可含有此等的2種以上。
再者,在不損及本發明之目的之範圍內,能夠摻合用於防止光暈的紫外線吸收劑、用於防止輝紋(striation)的界面活性劑等。就紫外線吸收劑而言,可例示例如:2,2’,4,4’-四羥基二苯基酮、4-二甲基胺基-2’,4’-二羥基二苯基酮、5-胺基-3-甲基-1-苯基-4-(4-羥苯基偶氮)吡唑、4-二甲基胺基-4’-羥基偶氮苯、4-二乙基胺基偶氮苯、4-二乙基胺基-4’-乙氧基偶氮苯、薑黃素等。就界面活性劑而言,可列舉:FLUORAD FC-430、同FC431(以上商品名,可從3M Japan(股)取得)、F-Top EF122A、同EF122B、同EF122C、同EF126(以上商品名,可從(股)Tohkem Products取得)等之氟系界面活性劑等。
又,本發明之感光性薄片,係指將本發明之感光性樹脂組成物塗布於支撐體上,在能使溶媒揮發的範圍之溫度及時間下乾燥,未經完全硬化之片狀物,且為可溶於鹼性水溶液之狀態者。
支撐體並沒有特殊的限定,但可使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚苯硫醚膜、聚醯亞胺膜等一般市售的各種膜。支撐體與感光性樹脂組成物的接合面上亦可為了使密著性與剝離性提升而施予聚矽氧、矽烷偶合劑、鋁螯合劑、聚脲等之表面處理。又,支撐體的厚度並沒有特殊的限定,但從加工性的觀點而言,較佳為10~100μm的範圍。再者,為了保護藉由塗布所得到的感光性組成物的膜表面,膜表面上亦可具有保護薄膜。藉此能夠保護感光性樹脂組成物的表面不受到大氣中的污垢或灰塵等污染物質污染。
就將感光性樹脂組成物塗布在支撐體上之方法而言,可列舉:使用旋轉器的旋轉塗布、噴灑塗布、輥塗、網版印刷、刮刀塗布機、模具塗布機、壓延塗布機、液面彎曲式塗布機(meniscus coater)、棒塗布機、輥塗布機、刮刀式滾筒塗布機(comma roll coater)、凹版塗布機、網版塗布機、狹縫式模塗布機等之方法。又,塗布膜厚會隨著塗布手法、組成物的固體成分濃度、黏度等而不同,但通常乾燥後的膜厚較佳為0.5μm以上100μm以下。
乾燥係能夠使用烘箱、加熱板、紅外線等。乾燥溫度及乾燥時間只要是在能使溶媒揮發的範圍內即可,較佳為適當地設定成如感光性樹脂組成物變成未硬化或半硬化狀態之範圍。具體而言,較佳為在40℃至150℃的範圍內進行1分鐘至數十分鐘。又,亦可組合此等的溫度進行階段性的升溫,例如亦可在80℃、90℃下各進行2分鐘的熱處理。
接著,針對本發明之感光性樹脂組成物的使用方法舉例說明。
首先,針對本發明之感光性樹脂組成物清漆、或利用使用其所形成的感光性薄片而在基板上形成感光性樹脂組成物被膜之方法進行說明。
使用感光性樹脂組成物清漆時,首先將清漆塗布於基板上。就塗布方法而言,可列舉:使用旋轉器的旋轉塗布、噴灑塗布、輥塗、網版印刷等之方法。又,塗布膜厚會隨著塗布手法、樹脂組成物的固體成分濃度
及黏度等而不同,但通常較佳為以乾燥後的膜厚成為0.5μm以上100μm以下的方式進行塗布。接著,將塗布有感光性樹脂組成物清漆的基板進行乾燥,得到感光性樹脂組成物被膜。乾燥係能夠使用烘箱、加熱板、紅外線等。乾燥溫度及乾燥時間只要是在能使有機溶媒揮發的範圍內即可,較佳為適當地設定成如感光性樹脂組成物被膜變成未硬化或半硬化狀態之範圍。具體而言,較佳為在50~150℃的範圍內進行1分鐘至數小時。
另一方面,在使用感光性薄片的情況下,具有保護薄膜時將其剝離,使感光性薄片與基板相對向,藉由熱壓接合使其貼合,得到感光性樹脂組成物被膜。熱壓接合係能夠藉由熱壓處理、熱層合處理、熱真空層合處理等來進行。從對基板的密著性、嵌埋性(embedding property)之觀點而言,貼合溫度較佳為40℃以上。又,為了防止在貼合時感光性薄片硬化而曝光/顯影步驟中之圖案形成的解析度變差,貼合溫度較佳為150℃以下。
在任一情況下,所使用的基板可列舉:矽晶圓、陶瓷類、砷化鎵、有機系電路基板、無機系電路基板、及將電路的構成材料配置於此等的基板而成者等,惟不限於此等。就有機系電路基板的例子而言,可列舉:玻璃布/環氧銅箔基板等之玻璃基板銅箔基板;玻璃不織布/環氧銅箔基板等之複合銅箔基板;聚醚醯亞胺樹脂基板、聚醚酮樹脂基板、聚碸系樹脂基板等之耐熱/熱塑性基板;聚酯覆銅箔膜基板、聚醯亞胺覆銅箔膜基板等之可撓基板。又,無機系電路基板的例子係可列舉:氧化
鋁基板、氮化鋁基板、碳化矽基板等之陶瓷基板;鋁基基板、鐵基基板等之金屬系基板。電路的構成材料的例子係可列舉:含有銀、金、銅等之金屬的導體、含有無機系氧化物等之電阻器、含有玻璃系材料及/或樹脂等之低介電體、含有樹脂或高介電率無機粒子等之高介電體、含有玻璃系材料等之絕緣體等。
接著,通過具有所期望的圖案的遮罩照射光化射線至藉由上述方法所形成的感光性樹脂組成物被膜上進行曝光。就曝光所使用的光化射線而言,有紫外線、可見光線、電子射線、X射線等,但在本發明中較佳為使用水銀燈的i線(365nm)、h線(405nm)、g線(436nm)等之紫外線。在感光性薄片中,於支撐體相對於此等光線為透明的材質的情況下,亦可不從感光性薄片將支撐體剝離而進行曝光。
為了形成圖案,於曝光後使用顯影液去除曝光部。就顯影液而言,較佳為氫氧化四甲銨的水溶液;二乙醇胺、二乙基胺基乙醇、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、三乙胺、二乙基胺、甲基胺、二甲基胺、乙酸二甲基胺基乙酯、二甲基胺基乙醇、甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯、環己胺、乙二胺、六亞甲二胺等之顯示鹼性的化合物的水溶液。又,在某些情況下,此等的鹼性水溶液中亦可含有單獨或組合數種的N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、γ-丁內酯、二甲基丙烯醯胺等之極性溶媒;甲醇、乙醇、異丙醇等之醇類;乳酸乙酯、丙二醇單甲基醚乙
酸酯等之酯類;環戊酮、環己酮、異丁基酮、甲基異丁基酮等之酮類等。
顯影係能夠藉由將上述顯影液噴灑至被膜面上、浸漬在顯影液中、或是一面浸漬一面施加超音波、一面使基板旋轉一面噴灑顯影液等之方法來進行。所謂顯影時間或顯影步驟顯影液的溫度之顯影條件,只要是能去除曝光部的條件即可,為了加工微細圖案或去除圖案間的殘渣,較佳為去除曝光部後再進行顯影。
顯影後亦可以水進行淋洗處理。在此,亦可在水中加入乙醇、異丙醇等之醇類;乳酸乙酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯等之酯類等進行淋洗處理。
在顯影時的圖案解析度提升或是顯影條件的容許範圍增加的情況下,即便加入顯影前進行烘烤處理的步驟也不會有影響。就其溫度而言,較佳為50~180℃的範圍,特佳為80~150℃的範圍。時間較佳為5秒鐘~數小時。
圖案形成後,從降低殘留於感光性樹脂組成物被膜中之溶劑、揮發性物質、水之觀點而言,可在70~150℃的範圍內進行加熱乾燥,時間較佳為1分鐘~數小時。
對形成有如上述進行所得到之經圖案加工的感光性樹脂組成物被膜之基板施加150℃至450℃的溫度而製成硬化膜。此加熱處理係在選擇溫度進行逐步升溫、或是選擇某個溫度範圍進行連續升溫的同時,實施5分鐘至10小時。就一例而言,係在110℃、250℃下
各自進行熱處理60分鐘。或者,可舉出花費2小時從室溫直線升溫至220℃等之方法。此時,為了抑制應力的上升,加熱溫度較佳為150℃~300℃的溫度,更佳為180℃~250℃。
硬化膜的膜厚係可任意地設定,但較佳為0.5μm以上100μm以下。
接著,針對具有使用本發明之感光性樹脂組成物所形成的硬化膜之半導體裝置進行說明。還有,近年來已提出各式各樣結構的半導體裝置,本發明之感光性樹脂組成物的用途並不受限於以下。
使用本發明之感光性樹脂組成物所形成的硬化膜係經由前述步驟而形成,能夠適合地作為半導體元件的表面保護膜、層間絕緣膜使用。形成半導體元件的表面保護膜、層間絕緣膜後,在包含研磨基板背面使基板變薄的步驟之半導體裝置中,因基板翹曲的影響變大,導致自動運送變得非常困難,但使用本發明之感光性樹脂組成物所形成的硬化膜由於應力值小,因此能夠適用於包含將基板研磨成10μm~100μm的厚度之步驟之半導體裝置。又,本發明中所稱的半導體裝置,不僅是指半導體元件本身、或將其連接至基板而成者、將半導體元件彼此或基板彼此連接而成者,更是指能透過利用半導體元件的特性而運作的裝置整體,半導體裝置包含所有電光學裝置、半導體電路基板及含此等的電子零件。
以下根據實施例具體地說明本發明,惟本發明不受限於此等實施例。
以下列舉實施例說明本發明,惟本發明不受到此等例子的限定。首先,針對各實施例及比較例中的評定方法進行說明。
使用預先以1μm的聚四氟乙烯製的過濾器(住友電氣工業(股)製)過濾的感光性樹脂組成物(以下為清漆),關於以下的(1)應力值的測定、(2)感度的評定、(3)解析度的評定、(5)化學抗性的評定,係利用使用該清漆形成於基板上之感光性樹脂組成物被膜、以及使使用該清漆所形成的感光性薄片與基板相對向並藉由熱壓接合進行貼合所得到的感光性樹脂組成物被膜之兩者實施評定。
感光性薄片的製作方法係使用刮刀式滾筒塗布機將感光性樹脂組成物清漆塗布於厚度38μm的PET膜上,在75℃下進行乾燥6分鐘後,層合厚度10μm的PP膜作為保護薄膜,得到PET膜/感光性樹脂薄片/保護薄膜的積層體。
使用塗布顯影裝置ACT-8(TOKYO ELECTRON(股)製)並以旋轉塗布法將供給各實施例及比較例的清漆塗布於8吋(203.2mm)的矽晶圓上,接著以120℃的加熱板(DAINIPPON SCREEN製造(股)製SKW-636)烘焙5分鐘,製作厚度10μm±1μm的預焙膜。接著使用INERT OVEN CLH-21CD-S(KOYO THERMO SYSTEMS(股)製),於氧濃度20ppm以下以3.5℃/分鐘升
溫至250℃,在250℃下進行加熱處理1小時之後,溫度降溫至50℃以下後取出晶圓,以應力裝置FLX2908(KLA Tencor公司製)測定該硬化膜。將其結果設為35MPa以上者為不充分(D),30MPa以上且小於35MPa的情況為良好(C),15MPa以上且小於30MPa的情況為更良好(B),小於15MPa者為極良好(A)。
在使用感光性薄片的情況下,將由供給各實施例及比較例的清漆所製作的感光性薄片的保護薄膜剝離,使用層合裝置(Takatori股份有限公司製,VTM-200M),並以級溫度120℃、滾筒溫度120℃、真空度150Pa、貼附速度5mm/秒鐘、貼附壓力0.2Mpa的條件,將該剝離面層合於矽晶圓基板上後,將支撐體的PET膜剝離而製作厚度10μm±1μm的預焙膜。之後以與上述相同的方法進行加熱處理,以相同的測定方法對所得到的硬化膜進行應力值的測定及評定。
使用塗布顯影裝置ACT-8(TOKYO ELECTRON(股)製)並以旋轉塗布法將供給各實施例及比較例的清漆塗布於8吋(203.2mm)的矽晶圓上,以及在120℃下進行預焙3分鐘。使用曝光機i線分步曝光器NSR-2005i9C((股)Nikon製)進行曝光。曝光後,使用ACT-8的顯影裝置,使用2.38質量%的氫氧化四甲銨水溶液(以下為TMAH。多摩化學工業(股)製)並以覆液法重複顯影液的噴出時間10秒鐘、覆液時間40秒鐘的顯影3次,之後以純水淋洗後抖動乾燥,將曝光部完全溶解
時的最低曝光量設為感度。將感度為500mJ/cm2以上者設為不充分(C),將300mJ/cm2以上且小於500mJ/cm2者設為良好(B),將小於300mJ/cm2者設為更良好(A)。
在使用感光性薄片的情況下,將由供給各實施例及比較例的清漆所製作的感光性薄片的保護薄膜剝離,使用層合裝置(Takatori股份有限公司製,VTM-200M),並以級溫度120℃、滾筒溫度120℃、真空度150Pa、貼附速度5mm/秒鐘、貼附壓力0.2Mpa的條件,將該剝離面層合於矽晶圓基板上後,將支撐體的PET膜剝離而製作厚度10μm±1μm的預焙膜。之後以與上述相同的方法進行曝光、顯影,進行感度的評定。
使用塗布顯影裝置ACT-8(TOKYO ELECTRON(股)製)並以旋轉塗布法將供給各實施例及各比較例的清漆塗布於8吋(203.2mm)的矽晶圓上,以及在120℃下進行預焙3分鐘。將切圖案的標線設置在曝光機i線分步曝光器NSR-2005i9C((股)Nikon製)上,以800mJ/cm2的曝光量進行曝光。曝光後,使用ACT-8的顯影裝置,使用2.38質量%的TMAH並以覆液法重複顯影液的噴出時間10秒鐘、覆液時間40秒鐘的顯影3次,之後以純水淋洗後抖動乾燥,得到正型圖案後,以顯微鏡觀察圖案,將線寬與間隔(line-and-space)解析的最小尺寸設為解析度。將10μm以上的解析度設為不充分(C),將5μm以上且小於10μm者設為良好(B),將小於5μm者設為更良好(A)。
在使用感光性薄片的情況下,將由供給各實施例及比較例的清漆所製作的感光性薄片的保護薄膜剝離,使用層合裝置(Takatori股份有限公司製,VTM-200M),並以級溫度120℃、滾筒溫度120℃、真空度150Pa、貼附速度5mm/秒鐘、貼附壓力0.2Mpa的條件,將該剝離面層合於矽晶圓基板上後,再將支撐體的PET膜剝離而製作厚度10μm±1μm的預焙膜。之後以與上述相同的方法進行曝光、顯影,進行解析度的評定。
測定供給各實施例及比較例的清漆的黏度後裝入密閉容器,將該容器放置在23℃的恆溫槽中2週。之後再次測定黏度,計算其變化率。將其計算結果所得到的變化率為20%以上者設為不穩定(D),將10%以上且小於20%者設為普通(C),將5%以上且小於10%者設為良好(B),將小於5%者設為更良好(A)。
使用塗布顯影裝置ACT-8(TOKYO ELECTRON(股)製)並以旋轉塗布法將供給各實施例及比較例的清漆塗布於8吋(203.2mm)的矽晶圓上,接著以120℃的加熱板(DAINIPPON SCREEN製造(股)製SKW-636)烘焙5分鐘,製作厚度10μm±1μm的預焙膜。接著使用INERT OVEN CLH-21CD-S(KOYO THERMO SYSTEMS(股)製),於氧濃度20ppm以下以3.5℃/分鐘升溫至250℃,在250℃下進行加熱處理1小時之後,將溫度下降至50℃以下後取出矽晶圓,測定膜厚後,將矽
晶圓浸漬於N-甲基吡咯啶酮15分鐘。之後,以純水充分洗淨矽晶圓後,再次測定膜厚,將膜厚的變化率的絕對值超過20%者設為不充分(C),將20%以內且超過5%者設為良好(B),將5%以內者設為更良好(A)。
在使用感光性薄片的情況下,將由供給各實施例及比較例的清漆所製作的感光性薄片的保護薄膜剝離,使用層合裝置(Takatori股份有限公司製,VTM-200M),並以級溫度120℃、滾筒溫度120℃、真空度150Pa、貼附速度5mm/秒鐘、貼附壓力0.2Mpa的條件,將該剝離面層合於矽晶圓基板上後,將支撐體的PET膜剝離而製作厚度10μm±1μm的預焙膜。之後以與上述相同的方法進行加熱處理與對N-甲基吡咯啶酮的浸漬,進行膜厚的測定及評定。
在特定之具有聚烷二醇結構的二胺化合物之中,將以下述式表示之化合物6g與對甲醛12g在氫氧化鈉溶液中以標準方法進行反應,得到交聯性化合物(a-1),其中該以下述式表示之化合物係具有分別為多個的乙二醇與丙二醇結構單元之二胺化合物。以13C-NMR測定的結果,對羥甲基的取代率為100%。之後,將化合物(a-1)溶解於100g的甲醇中,在回流下進行12小時的反應,得到具有甲氧基甲基的交聯性化合物(A-1)。對甲基的取代率為99%。
在特定之具有聚烷二醇結構的二胺化合物之中,使下述式表示之化合物10g及對甲醛12g與前述合成例1同樣地進行反應,得到交聯性化合物(a-2),其中該下述式表示之化合物係具有多個伸丁二醇與丙二醇結構單元的二胺化合物。以13C-NMR測定的結果,對羥甲基的取代率為100%。之後,將化合物(a-2)溶解於160g的丁醇中,在回流下進行15小時的反應,得到具有丁氧基甲基的交聯性化合物(A-2),對丁基的取代率為68%。
在具有聚烷二醇結構的環氧化合物之中,使以下述式表示之化合物5.4g與對甲酚1.8g以標準方法進行加成反應,再將21g的對甲醛與前述合成例1同樣地進行反應,得到交聯性化合物(a-3),其中該以下述式表示之化合物係具有6個乙二醇結構單元的環氧化合物。以13C-NMR測定的結果,對羥甲基的取代率為100%。之後,將化合物(a-3)溶解於100g的甲醇中,在回流下進行12小時的反應,得到具有甲氧基甲基的交聯性化合物(A-3)。對甲基的取代率為55%。
在乾燥的氮氣流下,使62.0g(0.2莫耳)的3,3’,4,4’-二苯基醚四羧酸二酐(以下為ODPA)溶解於1000g的N-甲基吡咯啶酮(以下為NMP)中。在此,將47.5g(0.13莫耳)的2,2-雙(3-胺基-4-羥苯基)六氟丙烷(以下為BAHF)、60.0g(0.06莫耳)的為具有多個伸丁二醇與丙二醇結構單元的二胺化合物之以下述式表示之化合物、2.5g(0.01莫耳)的1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷與250g的NMP一起加入,在60℃下反應1小時,接著在140℃下反應6小時。反應結束後,將溶液冷卻至室溫後,將溶液透入至10L的水中,得到白色沉澱。藉由過濾收集此沉澱並以水洗淨3次後,以80℃的真空乾燥機乾燥40小時,得到為目標樹脂之聚醯亞胺的共聚物(B-1)。
在乾燥的氮氣流下,使62.0g(0.2莫耳)的ODPA溶解於1000g的NMP中。在此將73.1g(0.2莫耳)
的BAHF與250g的NMP一起加入,在60℃下反應1小時,接著在160℃下反應6小時。反應結束後,將溶液冷卻至室溫後,將溶液透入至10L的水中,得到白色沉澱。藉由過濾收集此沉澱並以水洗淨3次後,以80℃的真空乾燥機乾燥40小時,得到聚醯亞胺前驅物樹脂(B-2)。
將間甲酚、對甲酚以莫耳比成為4:6的方式混合,接著使用草酸作為酸觸媒,使用甲醛及柳醛作為縮合劑,以常規方法進行縮合反應,合成酚醛樹脂。
將所得到的酚醛樹脂的低分子量部分(low-molecular-weight fraction)去除,得到以聚苯乙烯換算之質量平均分子量(Mw)為7000的鹼溶性酚醛樹脂(B-3)。
在乾燥的氮氣流下,使21.22g(0.05莫耳)的為多羥基化合物之TrisP-PA(商品名,本州化學工業(股)製)與26.8g(0.1莫耳)的5-萘醌二疊氮磺醯氯(東洋合成(股)製,NAC-5)溶解於450g的1,4-二烷中,達到室溫。在此將與50g的1,4-二烷混合的12.65g的三乙胺,以系統內不變成35℃以上的方式滴入。滴入後,在40℃下攪拌2小時。過濾三乙胺鹽,將濾液加入至水中。之後,藉由過濾收集析出的沉澱,再以1L的1%鹽酸水洗淨。之後,再以2L的水洗淨2次。將此沉澱以真空乾燥機乾燥,得到以下述式表示之光酸產生劑化合物(C-1)。
又,就其他交聯性化合物的一例而言,係使用為具有烷氧基甲基結構的化合物之「NIKALAC MW-100LM」(商品名,可從(股)Sanwa Chemical取得。以下為A’-1)。將該化合物的化學式示於下方。
又,就其他交聯性化合物的其他例子而言,係使用為具有氧環丁烷結構的化合物之「ARON
OXETANE OXT-221」(商品名,可從東亞合成(股)取得。以下為A’-2),將該化合物的化學式示於下方。
以表1所示的質量比調製清漆,藉由上述評定方法測定此等的特性,將所得到的結果示於表2。
若根據本發明,則能夠得到一種時間穩定性優異、具有高感度且高解析度之感光性樹脂組成物,並能夠在加熱燒成後得到一種低應力的硬化膜,因此能夠適用於半導體元件的表面保護膜、層間絕緣膜、有機電激發光元件的絕緣層等。就含有該半導體元件的基板而言,可列舉:矽晶圓、陶瓷類、砷化鎵、有機系電路基板、無機系電路基板、及將電路的構成材料配置於此等的基板而成者等。就有機系電路基板的具體例而言,可列舉:玻璃布/環氧銅箔基板等之玻璃基板銅箔基板;玻璃不織布/環氧銅箔基板等之複合銅箔基板;聚醚醯亞胺樹脂基板、聚醚酮樹脂基板、聚碸系樹脂基板等之耐熱‧熱塑性基板;聚酯覆銅箔膜基板、聚醯亞胺覆銅箔膜基板等之可撓基板。又,就無機系電路基板的具體例而言,可列舉:氧化鋁基板、氮化鋁基板、碳化矽基板等之陶瓷基板;鋁基基板、鐵基基板等之金屬系基板。
Claims (11)
- 一種感光性樹脂組成物,其包含以下述通式(1)表示之化合物,該以通式(1)表示之化合物為以下述通式(3)或(4)表示之化合物,
- 如請求項1之感光性樹脂組成物,其含有該以通式(1)表示之化合物作為(A)交聯性化合物,並進一步含有(B)鹼溶性樹脂、(C)光酸產生劑與(D)溶劑。
- 如請求項4之感光性樹脂組成物,其中該(B)鹼溶性樹脂之上述通式(6)所示的結構單元係來自二胺殘基。
- 如請求項6之感光性樹脂組成物,其中該交聯性化合物(A)與(A’)的質量比為(A):(A’)=9:1~1:9。
- 一種感光性薄片,其係使用如請求項1至7中任一項之感光性樹脂組成物所形成。
- 一種半導體裝置,其具有使用如請求項1至7中任一項之感光性樹脂組成物所形成之硬化膜。
- 一種半導體裝置之製造方法,其包含:將如請求項1至7中任一項之感光性樹脂組成物塗布或層合於基板上後,經由紫外線照射步驟與顯影步驟形成圖案,再進行加熱而形成硬化膜之步驟。
- 一種半導體裝置之製造方法,其包含:將形成有如請 求項1至7中任一項之感光性樹脂組成物之硬化膜之基板研磨成10μm~100μm的厚度之步驟。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015066010 | 2015-03-27 | ||
JP2015-066010 | 2015-03-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201642026A TW201642026A (zh) | 2016-12-01 |
TWI690772B true TWI690772B (zh) | 2020-04-11 |
Family
ID=57007031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW105107857A TWI690772B (zh) | 2015-03-27 | 2016-03-15 | 感光性樹脂組成物、感光性薄片、半導體裝置及半導體裝置之製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10705425B2 (zh) |
JP (1) | JP6743692B2 (zh) |
KR (1) | KR102445235B1 (zh) |
CN (1) | CN107407879B (zh) |
TW (1) | TWI690772B (zh) |
WO (1) | WO2016158150A1 (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102341494B1 (ko) * | 2016-11-02 | 2021-12-23 | 도레이 카부시키가이샤 | 수지 조성물, 수지 시트, 경화막, 유기 el 표시 장치, 반도체 전자 부품, 반도체 장치 및 유기 el 표시 장치의 제조 방법 |
KR102207604B1 (ko) * | 2018-11-06 | 2021-01-26 | (주)이녹스첨단소재 | Fpic 필름 및 이의 제조방법 |
KR102427008B1 (ko) * | 2019-12-02 | 2022-08-01 | 도레이 카부시키가이샤 | 감광성 조성물, 네거티브형 감광성 조성물, 화소 분할층 및 유기 el 표시 장치 |
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JP7495897B2 (ja) | 2021-03-23 | 2024-06-05 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、ポジ型感光性ドライフィルムの製造方法、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
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JPS4918968B1 (zh) | 1968-10-16 | 1974-05-14 | ||
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JP5663526B2 (ja) | 2012-06-06 | 2015-02-04 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、マスクブランクス、及びレジストパターン形成方法 |
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JP6286227B2 (ja) | 2014-02-21 | 2018-02-28 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
-
2016
- 2016-02-29 KR KR1020177025142A patent/KR102445235B1/ko active IP Right Grant
- 2016-02-29 CN CN201680018650.6A patent/CN107407879B/zh active Active
- 2016-02-29 JP JP2016511459A patent/JP6743692B2/ja active Active
- 2016-02-29 WO PCT/JP2016/056053 patent/WO2016158150A1/ja active Application Filing
- 2016-02-29 US US15/559,632 patent/US10705425B2/en active Active
- 2016-03-15 TW TW105107857A patent/TWI690772B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2016158150A1 (ja) | 2018-01-18 |
CN107407879A (zh) | 2017-11-28 |
TW201642026A (zh) | 2016-12-01 |
CN107407879B (zh) | 2020-10-16 |
JP6743692B2 (ja) | 2020-08-19 |
KR20170131392A (ko) | 2017-11-29 |
KR102445235B1 (ko) | 2022-09-20 |
WO2016158150A1 (ja) | 2016-10-06 |
US10705425B2 (en) | 2020-07-07 |
US20180342386A1 (en) | 2018-11-29 |
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