TWI690767B - 光罩基底、相位偏移光罩、半調光罩、光罩基底之製造方法、及相位偏移光罩之製造方法 - Google Patents

光罩基底、相位偏移光罩、半調光罩、光罩基底之製造方法、及相位偏移光罩之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI690767B
TWI690767B TW107104675A TW107104675A TWI690767B TW I690767 B TWI690767 B TW I690767B TW 107104675 A TW107104675 A TW 107104675A TW 107104675 A TW107104675 A TW 107104675A TW I690767 B TWI690767 B TW I690767B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
etching
light
phase shift
mask
Prior art date
Application number
TW107104675A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
TW201905581A (zh
Inventor
野口鳩徳
磯博幸
望月聖
影山景弘
諸沢成浩
Original Assignee
日商阿爾貝克成膜股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商阿爾貝克成膜股份有限公司 filed Critical 日商阿爾貝克成膜股份有限公司
Publication of TW201905581A publication Critical patent/TW201905581A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI690767B publication Critical patent/TWI690767B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
TW107104675A 2017-06-28 2018-02-09 光罩基底、相位偏移光罩、半調光罩、光罩基底之製造方法、及相位偏移光罩之製造方法 TWI690767B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-126258 2017-06-28
JP2017126258 2017-06-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201905581A TW201905581A (zh) 2019-02-01
TWI690767B true TWI690767B (zh) 2020-04-11

Family

ID=64741343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107104675A TWI690767B (zh) 2017-06-28 2018-02-09 光罩基底、相位偏移光罩、半調光罩、光罩基底之製造方法、及相位偏移光罩之製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6659855B2 (ja)
KR (1) KR102170424B1 (ja)
CN (1) CN109478012B (ja)
TW (1) TWI690767B (ja)
WO (1) WO2019003486A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7402002B2 (ja) * 2019-09-19 2023-12-20 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス、位相シフトマスク、製造方法
JP7258717B2 (ja) * 2019-10-18 2023-04-17 Hoya株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法
KR102598440B1 (ko) * 2019-12-20 2023-11-07 주식회사 에스앤에스텍 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크
JP6987912B2 (ja) * 2020-03-16 2022-01-05 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス、位相シフトマスク、製造方法
JP2021176002A (ja) * 2020-04-28 2021-11-04 株式会社エスケーエレクトロニクス フォトマスクの製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070076833A1 (en) * 2003-09-05 2007-04-05 Hans Becker Attenuated phase shift mask blank and photomask
JP2014211501A (ja) * 2013-04-17 2014-11-13 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク
TW201502693A (zh) * 2013-04-17 2015-01-16 Ulvac Coating Corp 相位移光罩之製造方法及相位移光罩
CN104471478A (zh) * 2012-06-20 2015-03-25 爱发科成膜株式会社 相移掩模坯料、相移掩模及其制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3256345B2 (ja) * 1993-07-26 2002-02-12 アルバック成膜株式会社 フォトマスクブランクスおよびフォトマスク
JPH08272071A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Toppan Printing Co Ltd 位相シフトマスクとその製造方法、ならびにマスクブランク
JP4987075B2 (ja) * 2007-11-01 2012-07-25 アルバック成膜株式会社 ハーフトーンマスク、ハーフトーンマスクブランクス、及びハーフトーンマスクの製造方法
JP5231956B2 (ja) 2008-11-25 2013-07-10 アルバック成膜株式会社 ハーフトーンマスク、ハーフトーンマスクブランクス、ハーフトーンマスクの製造方法、及びハーフトーンマスクブランクスの製造方法
JP5588633B2 (ja) * 2009-06-30 2014-09-10 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスク
US20110159411A1 (en) * 2009-12-30 2011-06-30 Bennett Olson Phase-shift photomask and patterning method
TWI461833B (zh) * 2010-03-15 2014-11-21 Hoya Corp 多調式光罩、多調式光罩之製造方法及圖案轉印方法
JP5605917B2 (ja) * 2011-12-27 2014-10-15 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法
KR101282040B1 (ko) * 2012-07-26 2013-07-04 주식회사 에스앤에스텍 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크
US9093385B2 (en) * 2013-05-28 2015-07-28 Infineon Technologies Ag Method for processing a semiconductor workpiece with metallization
JP6396118B2 (ja) * 2014-08-20 2018-09-26 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070076833A1 (en) * 2003-09-05 2007-04-05 Hans Becker Attenuated phase shift mask blank and photomask
CN104471478A (zh) * 2012-06-20 2015-03-25 爱发科成膜株式会社 相移掩模坯料、相移掩模及其制造方法
JP2014211501A (ja) * 2013-04-17 2014-11-13 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク
TW201502693A (zh) * 2013-04-17 2015-01-16 Ulvac Coating Corp 相位移光罩之製造方法及相位移光罩

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190015182A (ko) 2019-02-13
JPWO2019003486A1 (ja) 2019-06-27
JP6659855B2 (ja) 2020-03-04
CN109478012B (zh) 2022-05-13
CN109478012A (zh) 2019-03-15
WO2019003486A1 (ja) 2019-01-03
KR102170424B1 (ko) 2020-10-27
TW201905581A (zh) 2019-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI690767B (zh) 光罩基底、相位偏移光罩、半調光罩、光罩基底之製造方法、及相位偏移光罩之製造方法
TWI417648B (zh) 空白光罩
CN103324024B (zh) 光掩模基板以及光掩模制作方法
TWI621906B (zh) 光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
JP5009649B2 (ja) マスクブランク、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及びインプリント用テンプレートの製造方法
JP2015049282A (ja) 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
JP5795991B2 (ja) フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、および位相シフトマスクの製造方法
KR102291478B1 (ko) 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법
KR100885636B1 (ko) 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크의 제조방법
TW201600921A (zh) 光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
TWI557497B (zh) 半色調光罩、半色調空白光罩及半色調光罩之製造方法
CN104937490B (zh) 相移掩膜的制造方法及相移掩膜
JP2017033004A (ja) 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
KR20100084130A (ko) 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크 블랭크 및 드라이 에칭 방법
JP2017182052A (ja) 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び表示装置の製造方法
JP2018116269A (ja) 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
JP5917020B2 (ja) マスクブランクおよび多階調マスクの製造方法
JP2010128003A (ja) ハーフトーンマスク、ハーフトーンマスクブランクス、ハーフトーンマスクの製造方法、及びハーフトーンマスクブランクスの製造方法
TW201115644A (en) Etching method and photomask blank processing method
KR102442936B1 (ko) 포토마스크 블랭크 및 포토마스크의 제조 방법
JP7062381B2 (ja) マスクブランクスおよびその製造方法、バイナリマスク
JP2001147516A (ja) ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JP7062377B2 (ja) 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク
JPH1115135A (ja) ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JP2017161931A (ja) マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees