TWI689604B - 含磷銅粉及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於提供一種藉由即便小徑化亦將氧之量抑制為相對較低而使體積電阻率良好,且碳量亦較少之含磷銅粉及其製造方法。本發明提供一種含磷銅粉及與其相關之技術,該含磷銅粉係含有磷者,其氧量(wt%)相對於BET比表面積(m2/g)之比(氧量/BET比表面積)為0.90wt%‧g/m2以下,於構成含磷銅粉之粒子之表面存在二價銅化合物,碳量為0.10wt%以下,且D50為7.11μm以下。
Description
本發明係關於一種含有磷之銅粉(之後,稱為含磷銅粉)及其製造方法。
銅粉藉由進行糊化,而使用作為導體電路或電極之接點構件之材料。
已知使該銅粉中含有磷(P)(例如專利文獻1之[0015]、[0016])。於專利文獻1之該段落中記載有利用磷對銅氧化物之還原性;其結果為,耐氧化性優異,體積電阻率較低,進而於半導體元件與半導體元件搭載用支持構件之間形成具有較高之接著力之接著層。而且,於專利文獻1中,藉由水霧化法形成含磷銅合金粒子。
另外,藉由水霧化法形成金屬粉末之技術亦揭示於專利文獻2中,但沒有關於含磷銅粉之記載。於專利文獻2之[0016]中記載有使用包含有機酸之pH 7~11之水溶液作為水霧化法中之噴霧水。
[專利文獻1]日本專利特開2014-77101號公報
[專利文獻2]日本專利特開平5-195024號公報
本發明者研究構成含磷銅粉之粒子之小徑化。此時,本發明者欲藉由使應用水霧化法時之熔液溫度及噴霧壓力較高而達成粒子之小徑化。然而,若採用該方法,則受到水之噴霧而成為粒子狀之銅之耐氧化性降低,其結果可知含磷銅粉之氧含量(wt%)增加。若含磷銅粉之氧含量增加,則於使用含磷銅粉作為電氣材料時,體積電阻率上升。
除此以外,本發明者發現:於含磷銅粉之製造步驟中,噴霧水之液性會對氧含量造成影響。具體而言,若藉由水霧化法製作含磷銅粉,則粒子中之磷溶出。獲得以下見解:若此時噴霧水之pH較低,則漿體之pH偏離銅之鈍態區域,進行粒子之腐蝕,結果進行氧化。又,獲得以下見解:隨著小徑化而粒子之比表面積增大,故而該氧化係越小徑化則越明顯。又,若如專利文獻2般於水霧化法中使用有機酸,則有所獲得之銅粉之碳含量變高,將銅粉進行糊化,將其塗佈於基板上並進行煅燒等所形成之導體電路等之體積電阻率上升之虞。再者,於專利文獻2中未製造銅粉。
本發明之課題在於提供一種藉由即便小徑化亦將氧之量抑制為相對較低,而使體積電阻率良好,且碳量亦較少之含磷銅粉及其製造方法。
本發明者研究上述問題,結果想到採用以下之構成作為製造方法。
‧自熔融之銅中添加有磷之熔液藉由水霧化法製造含磷銅粉。
‧將水霧化法中所使用之噴霧水設為鹼性水溶液。
再者,於專利文獻2中記載有作為水霧化法中之噴霧水(含有有機酸),為了提高由有機酸所產生之抗氧化效果,使用pH 7~11之水溶液。然而,本發明設為對象者係「含磷銅粉」。一般而言,熟悉本技藝者為了排除因來自噴霧水且混入至粒子中之雜質所引起之電阻增加等不良影響,水霧化法中所使用之噴霧水採用純水係常識。
然而,本發明者顛覆該常識,於含磷銅粉之製造步驟中,採用使用鹼性水溶液作為噴霧水之水霧化法。其結果,如以下之構成所示,獲得即便小徑化亦將氧之量抑制為相對較低,且亦使碳量減少之含磷銅粉。具體而言,本發明者著眼於在製造步驟中粒子中之磷溶出。即,不僅留意製造步驟後所製作之含磷銅粉本身之耐氧化性,亦留意製造步驟中之噴霧水之pH控制,正因有此見解,才產生顛覆常識之動機,其結果為想到本發明。藉由於使用磷時進行噴霧水之pH控制,磷之脫氧效果最大限度地提高,無須使用有機酸。其結果,可同時降低含磷銅粉之氧量及碳量。
基於上述見解而完成之本發明之態樣係如下所述。
本發明之第1態樣係一種含磷銅粉,其係含有磷者,其氧量(wt%)相對於BET比表面積(m2/g)之比(氧量/BET比表面積)為0.90wt%‧g/m2以下,於構成含磷銅粉之粒子之表面存在二價銅化合物,碳量為0.10wt%以下,且
D50為7.11μm以下。
本發明之第2態樣,係於第1態樣記載之發明中,含有之磷之量為10~1000ppm。
本發明之第3態樣,係於第1或第2態樣記載之發明中,含磷銅粉中之氧量×D50之值為1.40wt%‧μm以下。
本發明之第4態樣,係於第1至第3中任一態樣記載之發明中,D50未滿1.0μm。
本發明之第5態樣,係於第1至第4中任一態樣記載之發明中,含磷銅粉之碳量(wt%)相對於BET比表面積(m2/g)之比(碳量/BET比表面積)為0.03wt%‧g/m2以下。
本發明之第6態樣係一種含磷銅粉之製造方法,其係自熔融之銅中添加有磷之熔液藉由水霧化法製造含磷銅粉之方法,且上述水霧化法中所使用之噴霧水為鹼性水溶液。
本發明之第7態樣,係於第6態樣記載之發明中,添加之磷之量係上述熔液中之磷之比例成為10~2000ppm的量。
本發明之第8態樣,係於第6或第7態樣記載之發明中,上述鹼性水溶液中之鹼性係主要藉由無機鹽而調整為pH 8~12。
根據本發明,可提供一種藉由即便小徑化亦將氧之量抑制為相對較低而使體積電阻率良好,而且碳量較少之含磷銅粉及其製造方法。
圖1係表示藉由ESCA測定實施例2之試樣所獲得之銅之狀態分析之結果的圖。
圖2係表示藉由ESCA測定比較例1之試樣所獲得之銅之狀態分析之結果的圖。
以下,按以下之順序對本實施形態進行說明。
1.含磷銅粉之製造方法
1-1.銅原料熔融步驟
1-2.磷添加步驟
1-3.噴霧水之pH調整步驟
1-4.水霧化步驟
1-5.乾燥及其他
2.含磷銅粉
3.實施形態之效果
於本說明書中,「~」係指既定之值以上且既定之值以下。
於本步驟中,使成為含磷銅粉之製作之基礎之銅原料熔融,形成熔液。再者,可使用公知者作為銅原料,例如,可使銅合金熔融。作為構成合金之銅以外之元素,可列舉:鋅、鎳、錳、鋁、銀、錫。該等元素於銅合金中之含量通常為1~50重量%,較佳為5~40重量%。又,關於熔融時所使用之設備或各條件,亦無特別限定,可使用公知者。
於本步驟中,對上述熔液添加磷。關於添加之方法,並無特別限定。例如,可對熔液添加磷本身,亦可添加磷與銅之合金。
再者,添加之磷之量較佳為設為添加有磷之熔液中之磷之量成為10~2000ppm的量。又,較佳為將含磷銅粉中所含有之磷之量設為10~1000ppm(更佳為305~405ppm)。雖即便為該範圍外亦發揮本發明之效果,但若為10ppm以上,則可充分地發揮由含有磷所產生之耐氧化性,若為1000ppm以下,則於使用含磷銅粉作為電氣材料時亦可有效地實現適度之體積電阻率。尤其是若將磷之添加量設為1200~1600ppm左右(含磷銅粉中之磷含量成為500~650ppm左右),則尤其良好地發揮磷之耐氧化性,可降低含磷銅粉之氧量或氧量/BET比表面積,故而較佳。又,若將磷之添加量設為850~1200ppm左右(含磷銅粉中之磷含量成為380~550ppm左右),則亦可使所獲得之含磷銅粉之D50減小。
又,本步驟中之熔液之溫度較佳係設為1700℃以下。藉由如此進行操作,可有效地抑制含磷銅粉之氧化。另一方面,就使含磷銅粉之粒徑減小之觀點而言,較佳為熔液之溫度較高,較佳
係設為1200~1700℃。
於本步驟中,調整水霧化步驟中使用之噴霧水之pH。具體而言,使用鹼性水溶液作為噴霧水,以使pH大於7之方式調整pH。藉由如此進行操作,可有效地產生耐氧化性。即,藉由將噴霧水pH設為鹼性,而即便磷溶出,漿體pH亦保持於銅之鈍態區域,可抑制粒子之氧化。其結果,即便於將粒子小徑化之情形時,亦可有效地產生含磷銅粉之氧量降低。藉此,於本發明之含磷銅粉之製造方法中,無須如專利文獻2般為了抑制氧化而使用有機酸。因此,於本實施形態中,使用實質上不包含有機酸之(於噴霧水中有機酸為1質量%以下之)噴霧水。
再者,本步驟中之鹼性水溶液之pH較佳為8~12(更佳為8~11、9~12,進而較佳為9~11)之範圍。若pH為8以上,則可更有效地產生上述之氧量降低。又,若pH超過12,則銅粉表面之氧化銅容易進行離子化而氧化,但若pH為12以下,則可有效地抑制因鹼性水溶液而對含磷銅粉中所含有之磷或製造設備造成之影響。又,為了使含磷銅粉之D50減小,較佳為將鹼性水溶液之pH設為10~12。
再者,使用作為噴霧水之鹼性水溶液中之鹼性較佳為主要由無機鹽產生。藉由如此進行操作,可將含磷銅粉之碳含量抑制為較低,於將含磷銅粉用於導電材料之情形時,可將體積電阻率抑制為較低。其亦為與專利文獻2記載之構成大為不同之方面。再者,作為無機鹽,可列舉:苛性鈉、磷酸鹽、苛性鉀、氨水、碳酸
鹽等。又,此處,「主要」由無機鹽產生之含義係指於溶解於水中時成為鹼性之物質中無機鹽超過50質量%。較佳為使用實質上不包含有機鹽之(有機鹽為1質量%以下之)鹼性水溶液。
於本步驟中,亦如上所述,採用(實質上不包含有機酸之)鹼性水溶液作為噴霧水,而且採用水霧化法,製作含磷銅粉。再者,作為水霧化步驟,除鹼性水溶液之條件等以外,亦可採用公知者。例如,可採用50~200MPa左右之高壓水霧化法。若提高噴霧壓力,則可使所獲得之含磷銅粉之D50減小。
如前所述,於本步驟中,為了排除因來自噴霧水且混入至粒子中之雜質所引起之電阻增加等不良影響,而顛霧水霧化法中所使用之噴霧水採用純水之常識,採用使用鹼性水溶液作為噴霧水之水霧化法,獲得即便小徑化亦將氧之量抑制為相對較低之含磷銅粉。獲得此種含磷銅粉之原因在於,亦留意製造步驟中之粒子中之磷之溶出,且藉由使用鹼性水溶液作為噴霧水而抑制漿體pH之降低。抑制漿體pH之降低之結果為,抑制粒子之腐蝕,最大限度地發揮由磷所產生之脫氧效果,如下文揭示實施例之結果之表1所示,即便於將粒子小徑化之情形時,亦可抑制粒子之氧化。其結果,進而可提昇含磷銅粉之耐氧化性。又,無須於噴霧水中包含有機酸,故而含磷銅粉之碳量較少,體積電阻率優異。
於本步驟中,將藉由水霧化步驟所形成之含磷銅粒子進行固液
分離、乾燥、壓碎、分級,獲得含磷銅粉。又,可進行含磷銅粉之製作所需之各步驟。例如,可對乾燥前之含磷銅漿體通入氮氣。又,可進行自含磷銅粉製作糊劑所需之各步驟。再者,之後所述之<2.含磷銅粉>中之各條件係指分級後之條件。
藉由上述步驟所製作之本實施形態中之含磷銅粉具備以下之構成。
‧氧量(wt%)相對於BET比表面積(m2/g)之比(氧量/BET比表面積)為0.90wt%‧g/m2以下。
‧於構成含磷銅粉之粒子之表面存在二價銅化合物。
‧碳量為0.10wt%以下。
‧D50為7.11μm以下。
首先,本實施形態中之含磷銅粉之氧量/BET比表面積之值成為0.90wt%‧g/m2以下。其表示於與BET、即含磷銅粉之比表面積進行比對時,氧量較低之狀態。再者,作為於分母配置BET比表面積之原因,係如下所述。若將構成含磷銅粉之粒子小徑化,則自然每單位質量之表面積變大,附著於粒子表面之氧量之比例變大,故而若僅使用氧量作為指標,則難以判定於含磷銅粉中氧量是否真正地變少。因此,使用於分母配置BET比表面積而表示比表面積與氧量之平衡之值作為指標。使用上述方法所製作之本實施形態中之含磷銅粉,係與BET比表面積相應之氧量成為既定之值、即0.90wt%‧g/m2以下,就達成良好之體積電阻率之觀點而言,較佳為0.70wt%‧g/m2以下(再者,若提及下限,則通常係氧
量/BET比表面積之值為0.30wt%‧g/m2以上)。
除上述規定以外,於本實施形態中之含磷銅粉中,於構成含磷銅粉之粒子之表面存在二價銅化合物。作為二價銅化合物之例,可列舉:氧化銅(II)、碳酸銅(II)。此處,是否存在二價銅化合物係藉由於X射線光電子光譜分析時是否出現二價銅化合物之伴峰(945~940eV附近)進行判斷。具體而言,於(伴峰之峰值強度/Cu2p峰之峰值強度)≧0.06之情形時,判斷為二價銅化合物存在於粒子表面。再者,此處所謂之Cu2p峰之峰值強度係指峰位置處之最大強度。又,伴峰之峰值強度係945~940eV之間之最大強度。
如上述方法所述,於本實施形態中,於製作含磷銅粉時,採用鹼性水溶液作為水霧化法中之噴霧水。其結果,可提昇耐氧化性。具體而言,於構成所製作之含磷銅粉之各粒子之表面,氧化得到抑制,即便產生氧化亦係穩定地產生,產生穩定之二價銅化合物而非不穩定之一價銅化合物。二價銅化合物係以非常穩定之鈍態被膜之形式存在,因此抑制其以上之氧化之進行,藉此,結果為各粒子、進而含磷銅粉之耐氧化性提昇。即,於本實施形態中之含磷銅粉中,於粒子之表面存在二價銅化合物表示於構成含磷銅粉之各粒子之表面有效地抑制氧化。又,如上所述,於本實施形態中,於水霧化法中無須使用有機酸,故而含磷銅粉之碳量為0.10wt%以下,碳成分非常少。因此,若使用本實施形態之含磷銅粉,則可形成體積電阻率較低之導體。就此種低體積電阻率之觀點而言,含磷銅粉之碳量較佳為0.04wt%以下。
進而,除上述規定以外,本實施形態中之含磷銅粉之D50(求出方法之具體例係參照下述實施例之項目)為7.11μm以
下。亦如上所述,藉由採用本實施形態之方法,即便謀求小徑化,亦可將氧之量抑制為較低。因此,於本實施形態中,藉由將含磷銅粉之D50規定為7.11μm以下之小徑,而使上述效果顯著。就該效果之觀點而言,含磷銅粉之D50較佳為0.2~5.0μm,更佳為0.3~4.0μm。
再者,作為上述以外之本發明之含磷銅粉中之較佳之構成,可列舉以下者。
‧碳量(wt%)相對於BET比表面積(m2/g)之比(碳量/BET比表面積)為0.03wt%‧g/m2以下。
‧含有之磷之量為10~1000ppm。
‧氧量(wt%)×D50之值為1.40wt%‧μm以下。
碳量/BET比表面積與氧量/BET比表面積同樣地,係表示與BET、即含磷銅粉之比表面積進行比對時之碳量。若將構成含磷銅粉之粒子小徑化,則自然每單位質量之表面積變大,附著於粒子表面之碳量之比例變大,故而使用於分母配置BET比表面積而表示比表面積與碳量之平衡之值作為指標。就良好之體積電阻率之觀點而言,碳量/BET比表面積較佳為0.025wt%‧g/m2以下,更佳為0.020wt%‧g/m2以下。關於含磷銅粉中所含有之磷之量,係如1-2.磷添加步驟中所述。
氧量(wt%)×D50係與[{(氧量)×(粒子之體積×銅之密度)}/粒子之表面積]成比例之值。該值為1.40wt%‧μm以下表示於與含磷銅粉之表面積進行比對時,含磷銅粉中之氧量較低之狀態。習知,若使D50減小,則通常氧量(wt%)因之前所列舉之原因而變大,氧量×D50之值難以變低。然而,若採用本實施形態之方法,
則即便使D50減小,亦可抑制氧量之增加。鑒於下述實施例之結果所規定者係1.40wt%‧μm以下之範圍。
進而,於本實施形態中,極佳為D50未滿1.0μm。就本發明者所知,滿足「氧量/BET比表面積之值為0.90wt%‧g/m2以下」、「於構成含磷銅粉之粒子之表面存在二價銅化合物」之條件,而且滿足D50未滿1.0μm(奈米級)之條件之含磷銅粉尚屬未知。即,藉由採用本實施形態之方法,即便係小徑化為奈米級之含磷銅粉,亦可將氧含量抑制為較低,於使用該構成之銅粉作為電氣材料時,可期待極其良好之體積電阻率。又,伴隨於此,可謀求電極之細線化或薄膜化。
作為上述以外之構成,較佳為構成含磷銅粉表面之銅化合物中之二價銅化合物所占之比例為10%以上。藉此,表示形成如上所述之穩定之鈍態被膜。
本實施形態發揮以下之效果。於本實施形態中,採用鹼性水溶液作為噴霧水,而且採用水霧化法,製作含磷銅粉。藉由如此進行操作,抑制製造步驟中之漿體pH之降低,即便於將粒子小徑化之情形時,亦可抑制粒子之氧化。其結果為,即便於將粒子小徑化之情形時,亦可提昇含磷銅粉之耐氧化性。其結果,獲得藉由即便小徑化亦將氧之量抑制為相對較低而使體積電阻率良好之含磷銅粉。又,無須為了降低氧量而使噴霧水中含有有機酸,故而亦可降低所獲得之含磷銅粉之碳量。其結果,獲得體積電阻率良好之含磷銅粉。
其次,示出實施例,對本發明具體地進行說明。當然,本發明並不限定於以下之實施例。
於本實施例中,使用上述實施形態中所述之含磷銅粉之製造方法而製造含磷銅粉。以下,描述各條件,關於無特別記載之內容,係如下文揭示之表1所記載。
於本步驟中,將無氧銅球熔融15kg,準備熔液。熔液之溫度係設為1300℃。
於本步驟中,使用磷銅原料金屬(磷含量15%),以熔液中之磷含量成為400ppm之方式添加至熔液中。
於本步驟中,準備水霧化步驟中所使用之噴霧水。具體而言,準備對純水15.8m3添加苛性鈉25.1g所製作之鹼性水溶液作為噴霧水。噴霧水之pH之值為9.6(15℃下之數值)。
於本步驟中,進行水霧化。作為各種條件(水壓等),係如下所
述。
‧水壓100MPa
‧水量160L/min.
於本步驟中,於將水霧化步驟中所獲得之漿體進行固液分離後進行乾燥、壓碎,藉由風力分級而獲得細粉末。
然後,對所獲得之含磷銅粉進行各種評價。將其結果示於下文揭示之表1。再者,各種參數係使用以下之裝置或方法而求出。
‧D50(μm)...使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置(SYMPATEC公司製造,Helos粒度分佈測定裝置(HELOS&RODOS(氣流式分散模組))),於分散壓5Bar下求出體積基準之累積50%粒徑。
‧含磷銅粉中之氧含量(wt%)...O/N計(堀場製作所股份有限公司製造,EMGA-920)
‧是否於構成含磷銅粉之粒子之表面存在二價銅化合物...X射線光電子光譜裝置(Ulvac-Phi股份有限公司製造,ESCA5800)(之後,簡稱為ESCA)
‧X射線源...Al單色
‧功率...150W
‧光電子掠出角...45°
‧通過能...23.5eV
‧磷之含量...感應耦合電漿(ICP,inductively coupled plasma)
發射光譜分析裝置(日立高新科技股份有限公司製造,SPS3520V)
‧BET比表面積(m2/g)...使用BET比表面積測定裝置(Yuasa Ionics股份有限公司製造,4 Sorb US),一邊通入N2一邊於105℃下脫氣20分鐘後,一邊通入N2-He混合氣體(N2 30體積%、He 70體積%),一邊藉由BET單點法進行測定。
‧含磷銅粉中之碳含量(wt%)...藉由碳-硫分析裝置(堀場製作所製造之EMIA-220V)進行測定。
將苛性鈉之添加量設為126.1g,除此以外,以與實施例1相同之方式製作細粉末。然後,進行與實施例1相同之各種評價。
將熔液溫度設為1600℃,以熔液中之磷含量成為950ppm之方式添加磷銅原料金屬,將苛性鈉之添加量設為316.7g,將水壓設為150MPa,除此以外,以與實施例1相同之方式製作細粉末。然後,進行與實施例1相同之各種評價。
以熔液中之磷含量成為1400ppm之方式添加磷銅原料金屬,將苛性鈉之添加量設為126.1g,除此以外,以與實施例3相同之方式製作細粉末。然後,進行與實施例1相同之各種評價。
以熔液中之磷含量成為790ppm之方式添加磷銅原料金屬,將苛性鈉之添加量設為100.3g,將水壓設為65MPa,除此以外,以與實施例1相同之方式製作細粉末。然後,進行與實施例1相同之各種評價。
以熔液中之磷含量成為1800ppm之方式添加磷銅原料金屬,除此以外,以與實施例3相同之方式製作細粉末。然後,進行與實施例1相同之各種評價。
以熔液中之磷含量成為300ppm之方式添加磷銅原料金屬,將水壓設為150MPa,除此以外,以與實施例2相同之方式製作細粉末。然後,進行與實施例1相同之各種評價。
將苛性鈉之添加量設為631.5g,將水壓設為150MPa,除此以外,以與實施例5相同之方式製作細粉末。然後,進行與實施例1相同之各種評價。
於本比較例中,將熔液溫度設為1200℃,於熔液中不添加磷。噴霧水係使用純水。於水壓150MPa、水量160L/min之條件下進行水霧化。除該等以外,以與實施例1相同之方式製作細粉末。然
後,進行與實施例1相同之各種評價。
於本比較例中,將熔液溫度設為1300℃,以熔液中之磷含量成為300ppm之方式添加磷銅原料金屬,除此以外,以與比較例1相同之方式製作細粉末。然後,進行與實施例1相同之各種評價。
於本比較例中,將熔液溫度設為1300℃,將苛性鈉之添加量變更為126.1g,除此以外,以與比較例1相同之方式製作細粉末。然後,進行與實施例1相同之各種評價。
於本比較例中,將水壓設為100MPa,除此以外,以與比較例1相同之方式製作細粉末。然後,進行與實施例1相同之各種評價。
將上述實施例、比較例之結果示於以下之表1。
若觀察表1,則於各實施例中,均滿足以下條件:
‧氧量(wt%)/BET比表面積之值為0.90wt%‧g/m2以下。
‧碳量(wt%)為0.10wt%以下。
‧碳量(wt%)/BET比表面積之值為0.03wt%‧g/m2以下。
‧氧量(wt%)×D50之值為1.40wt%‧μm以下。
‧於構成含磷銅粉之粒子之表面存在二價銅化合物。
‧D50為7.11μm以下。
另一方面,若觀察各比較例,則不存在滿足上述各條件之全部者。
再者,藉由ESCA調查是否於構成含磷銅粉之粒子之表面存在二價銅化合物,將此時獲得之具體之結果示於圖1及圖2。圖1係表示藉由ESCA測定實施例2之試樣所獲得之銅之狀態分析之結果的圖。圖2係表示藉由ESCA測定比較例1之試樣所獲得之銅之狀態分析之結果的圖。如圖1所示,於實施例2中存在表示二價銅化合物之存在之伴峰,相對於此,如圖2所示,於比較例1中不存在表示二價銅化合物之存在之峰。
根據以上之結果,本實施例與本比較例相比,成為即便小徑化,氧之量亦抑制為相對較低之含磷銅粉。因此,於使用本實施例之含磷銅粉作為電氣材料時,可期待良好之體積電阻率及密接性。
Claims (9)
- 一種含磷銅粉,其係含有磷者,其氧量(wt%)相對於BET比表面積(m2/g)之比(氧量/BET比表面積)為0.90wt%‧g/m2以下,於構成上述含磷銅粉之粒子之表面存在二價銅化合物,碳量為0.10wt%以下,上述含磷銅粉中之上述磷之量為305~405ppm,且D50為7.11μm以下。
- 一種含磷銅粉,其係含有磷者,其氧量(wt%)相對於BET比表面積(m2/g)之比(氧量/BET比表面積)為0.90wt%‧g/m2以下,於構成上述含磷銅粉之粒子之表面存在二價銅化合物,碳量為0.10wt%以下,上述含磷銅粉中之上述磷之量為500~650ppm,且D50為7.11μm以下。
- 一種含磷銅粉,其係含有磷者,其氧量(wt%)相對於BET比表面積(m2/g)之比(氧量/BET比表面積)為0.90wt%‧g/m2以下,於構成上述含磷銅粉之粒子之表面存在二價銅化合物,碳量為0.10wt%以下,上述含磷銅粉中之上述磷之量為380~550ppm,且D50為7.11μm以下。
- 如請求項1至3中任一項之含磷銅粉,其中,上述含磷銅粉中之氧量×D50之值為1.40wt%‧μm以下。
- 如請求項1至3中任一項之含磷銅粉,其中,上述D50未滿1.0μm。
- 如請求項1至3中任一項之含磷銅粉,其中,上述含磷銅粉之碳量(wt%)相對於上述BET比表面積(m2/g)之比(碳量/BET比表面積)為0.03wt%‧g/m2以下。
- 一種含磷銅粉之製造方法,其係自熔融之銅中添加了磷之熔液藉由水霧化法製造含磷銅粉之方法,上述熔液中之上述磷之量,係1200~1600ppm,上述水霧化法中所使用之噴霧水為pH大於7之鹼性水溶液。
- 一種含磷銅粉之製造方法,其係自熔融之銅中添加了磷之熔液藉由水霧化法製造含磷銅粉之方法,上述熔液中之上述磷之量係850~1200ppm,上述水霧化法中所使用之噴霧水為pH大於7之鹼性水溶液。
- 如請求項7或8之含磷銅粉之製造方法,其中,上述鹼性水溶液中之鹼性係藉由無機鹽而調整為pH 8~12。
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