TWI686414B - 樹脂組成物、使用其的半導體元件的製造方法、光阻劑及半導體裝置 - Google Patents

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Abstract

藉由如下樹脂組成物而提供可應用為即使在高溫製程處理後，亦可維持高解析度與圖案形狀，在製程處理後可剝離的光阻劑的樹脂組成物，所述樹脂組成物的特徵在於含有(A1)具有特定結構單元的鹼可溶性樹脂、(A2)選自由具有與所述鹼可溶性樹脂的反應性基反應的取代基的聚醯亞胺、聚苯并噁唑、聚醯胺醯亞胺、該些的前驅物及該些的共聚物所組成的群組的一種以上樹脂、及(B)感光劑，相對於100重量份(A1)的樹脂而言，(A2)的樹脂為310重量份~2000重量份。

Description

樹脂組成物、使用其的半導體元件的製造方法、 光阻劑及半導體裝置
本發明是有關於一種樹脂組成物、使用其的半導體元件的製造方法及半導體裝置。
在半導體裝置的製造步驟中，在半導體基板中形成離子雜質區域，因此一般情況下使用光阻劑等抗蝕劑。例如，經由具有所期望的圖案的遮罩或網線(reticle)而對半導體基板上所形成的抗蝕膜照射活性光化射線，藉由顯影液進行顯影，進行加熱而使其硬化(以下稱為「熱硬化」)，藉此而形成抗蝕膜的硬化圖案。將所形成的硬化圖案作為離子注入遮罩或摻雜劑暴露遮罩，自含有形成離子雜質區域的元素的化合物將該元素離子化而使其與半導體基板碰撞(以下稱為「離子注入」)、或使含有形成離子雜質區域的元素的化合物暴露於半導體基板上(以下稱為「摻雜劑暴露」)，藉此形成所期望的圖案狀的離子雜質區域。
在藉由離子注入或摻雜劑暴露而在半導體基板中形成離子雜質區域時，為了將離子雜質區域形成為所期望的圖案狀，對離子注入遮罩及摻雜劑暴露遮罩要求高解析度的圖案加工性。而且，為了如所期望的圖案尺寸那樣形成離子雜質區域，離子注入遮罩及摻雜劑暴露遮罩需要矩形形狀的圖案加工性。進而，對 離子注入遮罩及摻雜劑暴露遮罩要求高耐熱性及抗龜裂性。特別是在離子注入時，藉由高能量而得到加速的離子進行碰撞，因此由於碰撞能量而產生多餘的熱，因此對離子注入遮罩要求可耐受離子注入時的衝擊的高度的高耐熱性及抗龜裂性。
近年來，不僅僅在藉由離子注入的基板加工中，而且在藉由乾式蝕刻或離子研磨的基板加工中，亦根據欲使冷卻機構簡易化，提高加工速度的要求，而要求耐熱性高的光阻劑。
然而，聚醯亞胺是耐熱性優異的樹脂，可藉由賦予感光性而進行圖案加工。揭示了利用聚醯亞胺系的感光性組成物作為半導體裝置的絕緣膜或離子注入遮罩的技術(例如參照專利文獻1~專利文獻3)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]美國專利第5114826號
[專利文獻2]國際公開第2004/97914號
[專利文獻3]日本專利特開2014-137523號公報
然而，在專利文獻1中所記載的技術中存在如下問題：由於150℃以上的高溫處理中的圖案回流、硬化收縮，圖案形狀並不為矩形，解析度降低。
在專利文獻2中所記載的技術中存在如下問題：負型聚 醯亞胺的高溫處理膜的剝離變困難，因此在聚醯亞胺的下層形成二氧化矽薄膜或金屬薄膜，藉由舉離(liftoff)進行剝離，從而製程複雜。進而亦存在解析度不足的問題。
在專利文獻3中所記載的技術中存在如下問題：雖然是高解析度，但由於是絕緣保護膜，因此不溶於抗蝕劑剝離液中，並不適合作為光阻劑或離子注入遮罩。
本發明的目的在於解決如上所述的現有技術所伴隨的問題點，提供一種可應用為即使在高溫製程處理後亦可維持高解析度與圖案形狀，在製程處理後可剝離的光阻劑的樹脂組成物。
本發明是一種樹脂組成物，其特徵在於含有(A1)具有通式(1)所表示的結構單元的鹼可溶性樹脂、(A2)選自由具有與所述鹼可溶性樹脂的反應性基反應的取代基的聚醯亞胺、聚苯并噁唑、聚醯胺醯亞胺、該些的前驅物及該些的共聚物所組成的群組的一種以上樹脂、及(B)感光劑，相對於100重量份(A1)的樹脂而言，(A2)的樹脂為310重量份~2000重量份；[化1]
Figure 105112440-A0305-02-0005-1
式(1)中，R1表示氫原子或碳數1~5的烷基，R2表示氫原子或碳數1~6的烷基；a表示0~4的整數，b表示1~3的整數，a+b表示1~5的整數。
本發明提供一種光阻劑，其包含所述的樹脂組成物。
本發明提供一種半導體元件的製造方法，其包含：(1)在基板上形成所述的樹脂組成物的圖案的步驟；(2)在150℃以上進行選自由如下步驟所組成的群組的一個以上處理的步驟：(a)對所述基板摻雜雜質離子的步驟、(b)對所述基板進行蝕刻的步驟、及(c)在所述基板上進行乾式製膜的步驟；以及(3)將所述圖案剝離的步驟。
本發明提供一種半導體裝置，其包含所述的方法而所得的半導體元件。
本發明提供一種可應用為即使在高溫製程處理後亦可維持高解析度與圖案形狀，在製程處理後可剝離的光阻劑的樹脂 組成物。
本發明的樹脂組成物的特徵在於含有(A1)具有通式(1)所表示的結構單元的鹼可溶性樹脂、(A2)選自由具有與所述鹼可溶性樹脂的反應性基反應的取代基的聚醯亞胺、聚苯并噁唑、聚醯胺醯亞胺、該些的前驅物及該些的共聚物所組成的群組的一種以上樹脂、及(B)感光劑，相對於100重量份(A1)的樹脂而言，(A2)的樹脂為310重量份~2000重量份。
Figure 105112440-A0305-02-0006-2
式(1)中，R1表示氫原子或碳數1~5的烷基，R2表示氫原子或碳數1~6的烷基。a表示0~4的整數，b表示1~3的整數，a+b表示1~5的整數。
(A1)的樹脂
本發明的樹脂組成物含有(A1)具有通式(1)所表示的結構單元的鹼可溶性樹脂。
在本發明中，所謂「鹼可溶性」是在100g的2.38%四甲基氫氧化銨水溶液中，0.1g(A1)的樹脂在23℃下完全溶解。
在通式(1)中，R1較佳的是氫原子。而且，R2較佳的是氫原子、甲基、乙基或丙基，特佳的是氫原子或甲基。
(A1)的樹脂例如可藉由如下方式而獲得：在藉由公知的方法使對羥基苯乙烯、間羥基苯乙烯、鄰羥基苯乙烯、對異丙烯基苯酚、間異丙烯基苯酚、鄰異丙烯基苯酚等具有酚性羥基的芳香族乙烯基化合物、及苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯等芳香族乙烯基化合物單獨或兩種以上聚合而所得的聚合物的一部分上，使用公知的方法加成反應醛基。而且，其後亦可在酸性條件下，使其與所期望的醇反應，藉此對羥甲基末端進行烷氧基化。
具有酚性羥基的芳香族乙烯基化合物可較佳地使用對羥基苯乙烯、及/或間羥基苯乙烯。芳香族乙烯基化合物可較佳地使用苯乙烯。
(A1)的樹脂較佳的是含有通式(2)、通式(3)及通式(4)所表示的結構單元的聚合物。
[化3]
Figure 105112440-A0305-02-0008-3
式(2)中，R4表示氫原子或碳數1~5的烷基，R3表示氫原子、甲基、乙基、丙基的任意者。c表示1~4的整數，d表示1~3的整數，c+d表示2~5的整數。
式(3)中，R5表示氫原子或碳數1~5的烷基，e表示1~5的整數。
式(4)中，R6表示氫原子或碳數1~5的烷基。
較佳的是R3~R6為氫原子。
(A1)的樹脂的聚苯乙烯換算平均分子量(Mw)較佳的是3000~60000的範圍，更佳的是3000~25000的範圍。若為該範圍內，則鹼溶解性最適合，特別是可獲得高解析度的圖案。
(A2)的樹脂
本發明的樹脂組成物含有選自由具有與(A1)的樹脂的反應性基反應的取代基的聚醯亞胺、聚苯并噁唑、聚醯胺醯亞胺、該些的前驅物及該些的共聚物所組成的群組的鹼可溶性樹脂(A2)。
(A2)的樹脂可為所述各成分的兩種以上的混合物，亦可為具有該些的兩種以上重複單元的共聚物。
(A1)的樹脂的所謂「反應性基」是指烷氧基甲基或羥 甲基，(A2)的樹脂若具有與烷氧基甲基或羥甲基反應的取代基，則其結構並無特別限定。作為與烷氧基甲基或羥甲基反應的取代基，可列舉羧基、酚性羥基、磺酸基、硫醇基等。
(A2)的樹脂較佳的是於主鏈或末端具有至少一個以上選自由羧基、酚性羥基、磺酸基及硫醇基所組成的群組的基。
(A2)的樹脂可使二羧酸、四羧酸、對應的二羧酸二醯氯、四羧酸二酐、四羧酸二酯二醯氯等與二胺、對應的二異氰酸酯化合物、三甲基矽烷基化二胺進行反應，獲得為前驅物，或者可藉由加熱或者酸或鹼等化學處理對前驅物進行脫水閉環而獲得。
在聚醯亞胺、聚苯并噁唑或聚醯胺醯亞胺的情況下，其閉環率較佳為50%以上，更佳為70%以上，進一步更佳為85%以上。閉環率可藉由如下方式而求出：將(A2)的樹脂塗佈於矽晶圓上，藉由紅外線吸收光譜比較固化前後的1377cm-1附近的峰值強度而計算醯亞胺化率。
較佳的是(A2)的樹脂含有以下所示的六氟丙烯結構及/或丙烯結構。
Figure 105112440-A0305-02-0009-4
藉由使二胺殘基及/或酸二酐殘基含有六氟丙烯結構及/或丙烯結構，可將該些結構導入至(A2)的樹脂中。在所有二胺殘基及所有酸二酐殘基中，具有六氟丙烯結構及/或丙烯結構的二胺殘基及所有酸二酐殘基較佳的是20莫耳%以上，更佳的是30莫耳%以上。藉此可使高溫處理後的溶解性更高。而且，上限較佳的是所有二胺殘基及所有酸二酐殘基中的80莫耳%以下，更佳的是60莫耳%以下。藉此可進一步提高耐熱性。
作為含有六氟丙烯結構及/或丙烯結構的二胺或酸二酐，可列舉聚氧化丙烯二胺雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷、雙(3-胺基-4-羥基苯基)丙烷、2,2'-六氟亞丙基二鄰苯二甲酸二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐等，但並不限定於該些。
較佳的是(A2)的樹脂具有聚環氧乙烷結構及/或聚環氧丙烷結構。聚環氧乙烷結構、聚環氧丙烷結構較佳的是下述通式(5)所表示者。
Figure 105112440-A0305-02-0010-5
式(5)中，R7及R8表示氫或甲基，f表示2以上的整 數。f較佳的是2~15。
藉由使二胺殘基及/或酸二酐殘基含有聚環氧乙烷結構及/或聚環氧丙烷結構，可將該些結構導入至(A2)的樹脂中。
其中，較佳的是二胺殘基具有聚環氧乙烷結構或聚環氧丙烷結構。此時，在所有二胺殘基中，具有聚環氧乙烷結構或聚環氧丙烷結構的二胺殘基較佳為10莫耳%以上，更佳為20莫耳%以上。藉此可進一步提高高溫處理後的溶解性。而且，上限較佳的是所有二胺殘基中的50莫耳%以下，更佳的是40莫耳%以下。藉此可進一步提高耐熱性。
作為含有聚環氧乙烷基的二胺，可列舉亨斯邁聚醚胺(JEFFAMINE)KH-511、亨斯邁聚醚胺(JEFFAMINE)ED-600、亨斯邁聚醚胺(JEFFAMINE)ED-900、亨斯邁聚醚胺(JEFFAMINE)ED-2003、亨斯邁聚醚胺(JEFFAMINE)EDR-148、亨斯邁聚醚胺(JEFFAMINE)EDR-176(以上為商品名、亨斯邁(HUNTSMAN)股份有限公司製造)，作為含有聚環氧丙烷基的二胺，可列舉D-200、D-400、D-2000、D-4000(以上為商品名、亨斯邁股份有限公司製造)等，但並不限定於該些。
[化6]
Figure 105112440-A0305-02-0012-6
作為在(A2)的樹脂中構成其他二胺殘基的二胺，例如可列舉：雙(3-胺基-4-羥基苯基)碸、雙(3-胺基-4-羥基苯基)亞甲基、雙(3-胺基-4-羥基苯基)醚、雙(3-胺基-4-羥基)聯苯、雙(3-胺基-4-羥基苯基)茀等含有羥基的二胺；3-磺酸-4,4'-二胺基二苯醚等含有磺酸的二胺、二巰基苯二胺等含有硫醇基的二胺；3,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯甲烷、4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,4'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二苯基碸、3,4-二胺基二苯硫醚、4,4'-二胺基二苯硫醚、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、石油醚(benzine)、間苯二胺、對苯二胺、1,5-萘二胺、2,6-萘二胺、雙(4-胺基苯氧基苯基)碸、雙(3-胺基苯氧基苯基)碸、雙(4-胺基苯氧基)聯苯、雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}醚、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二乙基-4,4'-二胺基聯苯、3,3-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基聯苯、2,2',3,3'-四甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,3',4,4'-四甲基 -4,4'-二胺基聯苯、2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯等芳香族二胺，或該些芳香族環的氫原子的一部分經碳數1~10的烷基或氟烷基、鹵素原子等取代的化合物；環己二胺、亞甲基雙環己胺等脂環式二胺等。
該些二胺可直接使用或製成對應的二異氰酸酯化合物、三甲基矽烷基化二胺而使用。而且，亦可將該些兩種以上二胺成分組合使用。在要求耐熱性的用途中，較佳的是使用二胺總體的50莫耳%以上的芳香族二胺。
較佳的是於(A2)的樹脂的結構單元中具有氟原子。藉由氟原子而在鹼性顯影時對膜的表面賦予撥水性，可抑制自表面滲入顯影液等。作為(A2)的樹脂中的氟原子含量，為了充分獲得表面或基板界面的顯影液滲入防止效果，較佳的是10重量%以上，而且，自對鹼性水溶液的溶解性的方面考慮，較佳的是20重量%以下。
而且，亦可在不使耐熱性降低的範圍內共聚具有矽氧烷結構的脂肪族基。藉此可使與基板的黏著性提高。具體而言，二胺成分可列舉共聚有1莫耳%~15莫耳%的雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷、雙(對胺基苯基)八甲基五矽氧烷等的二胺成分等。
作為在(A2)的樹脂中構成其他酸二酐殘基的酸二酐，例如可列舉均苯四甲酸二酐、4,4'-氧雙鄰苯二甲酸酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、2,2- 雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、2,2-雙(3,3-羧基苯基)乙烷二酐、3,3',4,4'-聯苯醚四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯醚四羧酸二酐、2,3,5,6-吡啶四羧酸二酐、均苯四甲酸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、2,3,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐等。該些亦可使用兩種以上。
而且，為了使樹脂組成物的保存穩定性提高，(A2)的樹脂較佳的是藉由單胺、酸酐、單羧酸、單醯氯化合物、單活性酯化合物等封端劑對主鏈末端進行密封。作為封端劑而使用的單胺的導入比例，相對於所有胺成分而言較佳為0.1莫耳%以上、特佳為5莫耳%以上，較佳為60莫耳%以下、特佳為50莫耳%以下。作為封端劑而使用的酸酐、單羧酸、單醯氯化合物或單活性酯化合物的導入比例，相對於二胺成分而言較佳為0.1莫耳%以上、特佳為5莫耳%以上，較佳為100莫耳%以下、特佳為90莫耳%以下。藉由使多種封端劑反應，亦可導入多種不同的末端基。
作為單胺，較佳的是M-600、M-1000、M-2005、M-2070(以上為商品名、亨斯邁股份有限公司製造)、苯胺、2-乙炔基苯胺、3-乙炔基苯胺、4-乙炔基苯胺、5-胺基-8-羥基喹啉、1-羥基-7-胺基萘、1-羥基-6-胺基萘、1-羥基-5-胺基萘、1-羥基-4-胺基萘、2-羥基-7-胺基萘、2-羥基-6-胺基萘、2-羥基-5-胺基萘、1-羧基-7-胺基萘、1-羧基-6-胺基萘、1-羧基-5-胺基萘、2-羧基-7-胺基萘、2-羧基-6-胺基萘、2-羧基-5-胺基萘、2-胺基苯甲酸、3-胺基苯甲酸、4-胺基苯甲酸、4-胺基水楊酸、5-胺基水楊酸、6-胺基水楊酸、2- 胺基苯磺酸、3-胺基苯磺酸、4-胺基苯磺酸、3-胺基-4,6-二羥基嘧啶、2-胺基苯酚、3-胺基苯酚、4-胺基苯酚、2-胺基苯硫酚、3-胺基苯硫酚、4-胺基苯硫酚等。該等亦可使用兩種以上。該等中，M-600、M-1000、M-2005、M-2070含有聚環氧乙烷基，因此於可溶性中優異的方面而言較佳。
作為酸酐、單羧酸、單醯氯化合物、單活性酯化合物，較佳的是鄰苯二甲酸酐、馬來酸酐、耐地酸酐、環己二羧酸酐、3-羥基鄰苯二甲酸酐等酸酐，3-羧基苯酚、4-羧基苯酚、3-羧基苯硫酚、4-羧基苯硫酚、1-羥基-7-羧基萘、1-羥基-6-羧基萘、1-羥基-5-羧基萘、1-巰基-7-羧基萘、1-巰基-6-羧基萘、1-巰基-5-羧基萘、3-羧基苯磺酸、4-羧基苯磺酸等單羧酸類及該些的羧基進行醯氯化而成的單醯氯化合物，對苯二甲酸、鄰苯二甲酸、馬來酸、環己二羧酸、1,5-二羧基萘、1,6-二羧基萘、1,7-二羧基萘、2,6-二羧基萘等二羧酸類的僅僅其中一個羧基進行醯氯化而成的單醯氯化合物、藉由單醯氯化合物與N-羥基苯并三唑或N-羥基-5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺的反應而所得的活性酯化合物等。該些亦可使用兩種以上。
導入至(A2)的樹脂的封端劑可藉由以下方法而容易地檢測。例如，將導入有封端劑的樹脂溶解於酸性溶液中，分解為作為構成單元的胺成分與酸酐成分，對其進行氣相層析(Gas Chromatography，GC)或核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance，NMR)測定，藉此可容易地檢測在本發明中使用的封端劑。與其 不同地直接藉由熱裂解氣相層析(pyrolysis gas chromatography，PGC)或紅外線光譜及13C-NMR光譜對導入有封端劑的樹脂成分進行測定，藉此亦可容易地檢測。
(A2)的樹脂較佳的是重量平均分子量為5,000以上、40,000以下。藉由將重量平均分子量設為利用凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)的聚苯乙烯換算為5,000以上，可抑制顯影後的龜裂。另一方面，藉由將重量平均分子量設為40,000以下，可使利用鹼性水溶液的顯影性提高。為了獲得耐熱特性，更佳的是10,000以上。而且，在(A2)的樹脂含有兩種以上的樹脂的情況下，若至少一種的重量平均分子量為所述範圍即可。
(A1)的樹脂與(A2)的樹脂的含量
在本發明的樹脂組成物中，相對於100重量份(A1)的樹脂而言，(A2)的樹脂為310重量份~2000重量份。(A2)的樹脂的含量更佳的是相對於100重量份(A1)的樹脂而言為350重量份以上，進一步更佳的是375重量份以上，特佳的是400重量份以上。而且，(A2)的樹脂的含量更佳的是相對於100重量份(A1)的樹脂而言為1750重量份以下，進一步更佳的是1500重量份以下，特佳的是1000重量份以下。藉由將(A2)的樹脂的含量設為該範圍，可獲得高的解析度及耐熱性，進一步具有在抗蝕劑剝離液中的溶解性。
(B)感光劑
本發明的樹脂組成物含有(B)感光劑。(B)感光劑可為藉由光而硬化的負型，亦可為藉由光而可溶化的正型，可較佳地使用(b-1)聚合性不飽和化合物及光聚合起始劑、或(b-2)醌二疊氮化合物等。
作為(b-1)中的聚合性不飽和化合物所含的聚合性不飽和基，例如可列舉乙烯基、烯丙基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基等不飽和雙鍵官能基及/或炔丙基等不飽和三鍵官能基。該些中，共軛型的乙烯基或丙烯醯基、甲基丙烯醯基於聚合性的方面較佳。而且，作為該官能基的含有數量，自穩定性的方面而言較佳為1~6，分別亦可為並不相同的基。
而且，聚合性不飽和化合物較佳的是分子量為30~2000。若分子量為30~2000的範圍，則與聚合物、反應性稀釋劑的相溶性良好。具體而言，可列舉二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、1,2-二氫萘、1,3-二異丙烯基苯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2-乙烯基萘、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸環己酯、1,3-丁二醇二丙烯酸酯、1,3-丁二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸 酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、1,9-壬二醇二甲基丙烯酸酯、1,10-癸二醇二甲基丙烯酸酯、二羥甲基-三環癸烷二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、乙氧基化季戊四醇四丙烯酸酯、乙氧基化甘油三丙烯酸酯、1,3-二丙烯醯氧基-2-羥基丙烷、1,3-二甲基丙烯醯氧基-2-羥基丙烷、亞甲基雙丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、甲基丙烯酸-2,2,6,6-四甲基哌啶基酯、丙烯酸-2,2,6,6-四甲基哌啶基酯、甲基丙烯酸-N-甲基-2,2,6,6-四甲基哌啶基酯、丙烯酸-N-甲基-2,2,6,6-四甲基哌啶基酯、環氧乙烷改質雙酚A二丙烯酸酯、環氧乙烷改質雙酚A二甲基丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等。該些可單獨使用或將兩種以上組合使用。
該些中特佳的是1,9-壬二醇二甲基丙烯酸酯、1,10-癸二醇二甲基丙烯酸酯、二羥甲基-三環癸烷二丙烯酸酯、丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸異冰片酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四丙烯酸酯、乙氧基化甘油三丙烯酸酯、亞甲基雙丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、甲基丙烯酸-2,2,6,6-四甲基哌啶基酯、丙烯酸-2,2,6,6-四甲基哌啶基酯、甲基 丙烯酸-N-甲基-2,2,6,6-四甲基哌啶基酯、丙烯酸-N-甲基-2,2,6,6-四甲基哌啶基酯、環氧乙烷改質雙酚A二丙烯酸酯、環氧乙烷改質雙酚A二甲基丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等。
(b-1)中的所謂「光聚合起始劑」是表示藉由照射紫外~可見光區域的光而主要產生自由基，藉此使聚合性不飽和化合物的聚合起始者。自可使用通用的光源的方面及快速硬化性的觀點考慮，較佳的是選自苯乙酮衍生物、二苯甲酮衍生物、安息香醚衍生物、呫噸酮衍生物的光聚合起始劑。作為較佳的光聚合起始劑的例子，可列舉二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羥基-環己基苯基酮、異丁基安息香醚、安息香甲醚、噻噸酮、異丙基噻噸酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉代苯基)-丁酮-1等，但並不限定於該些。
作為(b-2)醌二疊氮化合物，可列舉於多羥基化合物上藉由酯鍵結有醌二疊氮的磺酸的化合物、於多胺基化合物上磺醯胺鍵結有醌二疊氮的磺酸的化合物、於多羥基多胺基化合物上酯鍵結及/或磺醯胺鍵結有醌二疊氮的磺酸的化合物等。該些多羥基化合物、多胺基化合物、多羥基多胺基化合物的所有官能基亦可並未經醌二疊氮取代，較佳的是平均而言官能基全體的40莫耳%以上經醌二疊氮取代。藉由使用此種醌二疊氮化合物，可獲得對作為一般的紫外線的水銀燈的i射線(波長為365nm)、h射線(波 長為405nm)、g射線(波長為436nm)感光的正型感光性樹脂組成物。
多羥基化合物可列舉Bis-Z、BisP-EZ、TekP-4HBPA、TrisP-HAP、TrisP-PA、TrisP-SA、TrisOCR-PA、BisOCHP-Z、BisP-MZ、BisP-PZ、BisP-IPZ、BisOCP-IPZ、BisP-CP、BisRS-2P、BisRS-3P、BisP-OCHP、亞甲基三-FR-CR、BisRS-26X、DML-MBPC、DML-MBOC、DML-OCHP、DML-PCHP、DML-PC、DML-PTBP、DML-34X、DML-EP、DML-POP、二羥甲基-BisOC-P、DML-PFP、DML-PSBP、DML-MTrisPC、TriML-P、TriML-35XL、TML-BP、TML-HQ、TML-pp-BPF、TML-BPA、TMOM-BP、HML-TPPHBA、HML-TPHAP、Ph-cc-AP(以上為商品名、本州化學工業公司製造)、BIR-OC、BIP-PC、BIR-PC、BIR-PTBP、BIR-PCHP、BIP-BIOC-F、4PC、BIR-BIPC-F、TEP-BIP-A、46DMOC、46DMOEP、TM-BIP-A(以上為商品名、旭有機材工業公司製造)、2,6-二甲氧基甲基-4-第三丁基苯酚、2,6-二甲氧基甲基-對甲酚、2,6-二乙醯氧基甲基-對甲酚、萘酚、四羥基二苯甲酮、沒食子酸甲酯、雙酚A、雙酚E、亞甲基雙酚、BisP-AP(商品名、本州化學工業公司製造)、酚醛清漆樹脂等，但並不限定於該些。
多胺基化合物可列舉1,4-苯二胺、1,3-苯二胺、4,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二苯硫醚等，但並不限定於該些。
而且，多羥基多胺基化合物可列舉2,2-雙(3-胺基-4-羥基 苯基)六氟丙烷、3,3'-二羥基聯苯胺等，但並不限定於該些。
該些中，更佳的是(b-2)醌二疊氮化合物包含與酚化合物及5-萘醌二疊氮磺醯基的酯。藉此可獲得在i射線曝光中高的感度、及更高的解析度。
(b-2)醌二疊氮化合物的含量較佳的是相對於100重量份(A1)的樹脂而言為1重量份~50重量份，更佳的是10重量份~40重量份。藉由將醌二疊氮化合物的含量設為該範圍，可實現更高感度化。進而，亦可視需要添加增感劑等。
(d)熱交聯性化合物
本發明的樹脂組成物可視需要進一步含有與(A1)的樹脂不同的(d)熱交聯性化合物。具體而言較佳的是具有至少兩個烷氧基甲基或羥甲基的化合物。藉由具有至少兩個該些基，可與樹脂及同種分子進行縮合反應而製成交聯結構物。
作為此種化合物的較佳例，例如可列舉DML-PC、DML-PEP、DML-OC、DML-OEP、DML-34X、DML-PTBP、DML-PCHP、DML-OCHP、DML-PFP、DML-PSBP、DML-POP、DML-MBOC、DML-MBPC、DML-MTrisPC、DML-BisOC-Z、DML-BisOCHP-Z、DML-BPC、DML-BisOC-P、DMOM-PC、DMOM-PTBP、DMOM-MBPC、TriML-P、TriML-35XL、TML-HQ、TML-BP、TML-pp-BPF、TML-BPE、TML-BPA、TML-BPAF、TML-BPAP、TMOM-BP、TMOM-BPE、TMOM-BPA、TMOM-BPAF、TMOM-BPAP、HML-TPPHBA、HML-TPHAP、HMOM-TPPHBA、 HMOM-TPHAP(以上為商品名、本州化學工業股份有限公司製造)、尼卡萊克(NIKALAC，註冊商標)MX-290、尼卡萊克MX-280、尼卡萊克MX-270、尼卡萊克MX-279、尼卡萊克MW-100LM、尼卡萊克MX-750LM(以上為商品名、三和化學股份有限公司製造)。該些亦可含有兩種以上。於該些中，在HMOM-TPHAP、MW-100LM的情況下，變得難以產生由於固化時的回流所造成的圖案填埋，解析度提高，因此更佳。
具有至少兩個烷氧基甲基或羥甲基的化合物的含量較佳的是相對於100重量份(A2)的樹脂而言為10重量份以下。若為該範圍內，則可為了提高感度或硬化膜的機械特性而更適宜地進行範圍廣泛的設計。
(其他成分)
而且，亦可視需要在不使固化後的收縮殘膜率變小的範圍內含有具有酚性羥基的低分子化合物。藉此可縮短顯影時間。
作為該些化合物，例如可列舉Bis-Z、BisP-EZ、TekP-4HBPA、TrisP-HAP、TrisP-PA、BisOCHP-Z、BisP-MZ、BisP-PZ、BisP-IPZ、BisOCP-IPZ、BisP-CP、BisRS-2P、BisRS-3P、BisP-OCHP、亞甲基三-FR-CR、BisRS-26X(以上為商品名、本州化學工業股份有限公司製造)、BIP-PC、BIR-PC、BIR-PTBP、BIR-BIPC-F(以上為商品名、旭有機材工業股份有限公司製造)等。該些亦可含有兩種以上。
具有酚性羥基的低分子化合物的含量較佳的是相對於 100重量份(A1)的樹脂而言為1重量份~40重量份。
本發明的樹脂組成物亦可視需要以提高與基板的濕潤性為目的而含有界面活性劑、乳酸乙酯或丙二醇單甲醚乙酸酯等酯類，乙醇等醇類，環己酮、甲基異丁基酮等酮類，四氫呋喃、二噁烷等醚類。
本發明的樹脂組成物亦可含有溶劑。藉此可製成清漆的狀態，可使塗佈性提高。
溶劑可單獨或混合使用γ-丁內酯等極性非質子性溶媒；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單正丙醚、乙二醇單正丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單正丙醚、二乙二醇單正丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單正丙醚、丙二醇單正丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單正丙醚、二丙二醇單正丁醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單乙醚、四氫呋喃、二噁烷等醚類；丙酮、甲基乙基酮、二異丁基酮、環己酮、2-庚酮、3-庚酮、二丙酮醇等酮類；乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、乳酸乙酯等酯類；2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、 羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、乙酸-3-甲氧基丁酯、乙酸-3-甲基-3-甲氧基丁酯、丙酸-3-甲基-3-甲氧基丁酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、甲酸正戊酯、乙酸異戊酯、丙酸正丁酯、丁酸乙酯、丁酸正丙酯、丁酸異丙酯、丁酸正丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸正丙酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、2-氧代丁酸乙酯等其他酯類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；N-甲基吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺類；等溶劑。該些中，γ-丁內酯可良好地溶解其他成分而形成平坦性良好的塗膜，因此較佳。
溶劑的含量可根據所需的膜厚或所採用的塗佈方法而變更，因此並無特別限定，較佳的是相對於100重量份(A1)的樹脂而言為50重量份~2000重量份，特佳為100重量份~1500重量份。
本發明的樹脂組成物可作為乾式蝕刻、離子研磨、離子注入製程等中的光阻劑而適宜使用。
本發明的樹脂組成物較佳的是在250℃下進行1小時熱處理後，可溶於重量比為二甲基亞碸/單乙醇胺=3/7的溶液中。其原因在於：即使暴露在150℃以上的高溫下，在一般的抗蝕劑剝離液中亦可剝離。
在本發明中所謂「可溶於重量比為二甲基亞碸/單乙醇胺 =3/7的溶液中」是指相對於100重量份將二甲基亞碸與單乙醇胺以3：7的重量比加以混合而成的溶液而言，1重量份在250℃下進行1小時熱處理後的本發明的樹脂組成物在80℃的溫度下溶解為無法目視確認溶解殘渣的程度。
作為剝離液的例子，可列舉剝離液104、剝離液106(東京應化工業股份有限公司製造)、EKC100系列、EKC270、EKC2255、EKC2300(註冊商標、杜邦股份有限公司製造)、N-322、N-306、N-327、N-339、N-342、N-300、N-530、N-530HS(長瀨化成股份有限公司製造)等，但並不限定於該些。
剝離液的處理條件依存於本發明的樹脂膜所暴露的溫度條件，較佳的是20℃~120℃。自可以並無抗蝕劑殘渣、且並無對基板表面的損傷的方式剝離的方面考慮，較佳的是20℃~120℃。處理時間並無限制，自生產的節拍時間(takt time)的觀點考慮，較佳的是1分鐘至20分鐘。而且，可藉由浸漬方式、噴淋、超音波輔助等製程而使抗蝕劑溶解。
在150℃以上的製程中使用本發明的樹脂組成物的情況下，較佳的是將固化溫度設為150℃以上、300℃以下。藉由設為150℃以上，可抑制自製程中的樹脂膜的脫氣或產生爆裂。藉由設為300℃以下，可確保對抗蝕劑剝離液的溶解性。
自將抗蝕劑容易地除去的觀點考慮，較佳的是在除去抗蝕劑之前暴露於400℃以上、較佳為500℃以上、更佳為600℃以上的高溫中，預先使有機物熱分解。進一步在暴露於高溫的情況 下，較佳的是在氧的存在下進行暴露。
(半導體元件的製造方法)
本發明的半導體元件的製造方法是包含如下步驟的半導體元件的製造方法：(1)在基板上形成本發明的樹脂組成物的圖案的步驟；(2)在150℃以上進行選自由如下步驟所組成的群組的一個以上處理的步驟：(a)對所述基板摻雜雜質離子的步驟、(b)對所述基板進行蝕刻的步驟、及(c)在所述基板上進行乾式製膜的步驟；以及(3)將所述圖案剝離的步驟。
作為本發明的樹脂組成物的應用方法而言較佳的是(a)的步驟是如下步驟的任意者：(a-1)對所述基板進行離子注入的步驟、或(a-2)對所述圖案樹脂膜形成基板進行摻雜劑暴露的步驟。
作為本發明的樹脂組成物的應用方法而言較佳的是(b)的步驟是如下步驟的任意者：(b-1)藉由乾式蝕刻對所述基板進行圖案加工的步驟、或(b-2)藉由濕式蝕刻對所述基板進行圖案加工的步驟。
作為本發明的樹脂組成物的應用方法而言較佳的是(c)的步驟是在所述基板上乾式製膜金屬膜的步驟。
在形成金屬膜的步驟中，金屬較佳的是鋁、金、銅、鎢、鈦、銀、鉬、鉻。
作為藉由乾式蝕刻或離子研磨進行蝕刻的基板、或摻雜雜質離子的基板，若為包含選自由矽、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化 鎵(GaAs)、砷化鎵鋁(GaAlAs)、鎵銦氮砷(GaInNAs)、氮化銦(InN)、磷化銦(InP)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、砷化銦鎵(InGaAs)、銦鎵鋁磷(InGaAlP)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、金剛石、藍寶石(Al2O3)、氧化鋁鋅(AZO)、氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)及碲化鎘(CdTe)、鋁(Al)、金(Au)所組成的群組的一種以上的基板，則獲得本樹脂組成物的製程簡便化的優點。進而，在矽、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、金剛石、藍寶石(Al2O3)、鋁(Al)、金(Au)中，自需要高溫處理的觀點而言較佳。
(在基板中摻雜雜質離子的步驟)
將由本發明的樹脂組成物而所得的圖案作為離子注入遮罩，在形成有圖案的基板上進行離子注入，藉此可在基板中形成圖案狀的離子雜質區域。
關於離子摻雜步驟，將本發明的樹脂膜圖案作為離子摻雜遮罩，在形成有圖案的基板上進行離子摻雜，藉此可於基板上形成圖案狀的離子雜質區域。
在本發明的半導體元件的製造方法中，離子摻雜步驟是在基板上形成離子雜質區域的步驟。以下將離子摻雜步驟中所使用的含有形成離子雜質區域的元素的化合物稱為「摻雜劑物質」。
作為離子摻雜步驟，可例示離子注入步驟與摻雜劑暴露步驟。離子注入步驟是自含有形成離子雜質區域的元素的化合物，將該元素離子化而使其與半導體基板碰撞的步驟。摻雜劑暴 露步驟是使含有形成離子雜質區域的元素的化合物暴露於半導體基板上的步驟。
在本發明的半導體元件的製造方法中，作為離子摻雜步驟中所使用的形成離子雜質區域的元素，例如可列舉硼、鋁、鎵、銦、氮、磷、砷、銻、碳、矽、鍺、錫、氧、硫、硒、碲、氟、氯、溴、碘、鎘、鋅、鈦、鎢或鐵。自形成離子雜質區域的觀點考慮，較佳的是硼、鋁、鎵、銦、氮、磷、砷、銻、碳、矽、鍺、氧或氟，更佳的是硼、鋁、鎵、銦、氮、磷、砷或銻。
作為摻雜劑物質，例如可列舉三氟化硼、三氯化硼、三溴化硼、硼酸三甲酯、二硼烷、三氯化鋁、三氯化鎵、三氯化銦、氨、一氧化二氮、氮、膦、三氟化磷、五氟化磷、磷醯氯、五氧化二磷、磷酸、胂、三氟化砷、五氯化銻、四氯化碳、單矽烷、二矽烷、三矽烷、二氯矽烷、三氯矽烷、四氟化矽、四氯化矽、鍺烷、四氯化錫、氧、硫化氫、硒化氫、碲化氫、氟化氫、氟氯烷(freon)、氟、三氟化氯、氯化氫、氯、溴化氫、溴、碘化氫、碘、二氯化鎘、二氯化鋅、四氯化鈦、六氟化鎢或三氯化鐵。
在本發明的半導體元件的製造方法中，離子摻雜步驟較佳的是使含有形成離子雜質區域的元素的化合物暴露於基板上而進行加熱。作為離子摻雜步驟中的離子摻雜溫度，一般是10℃~1,500℃，較佳為100℃以上，更佳為200℃以上。離子摻雜溫度若為所述範圍內，則形成離子雜質區域的元素變得容易擴散於基板中。
在本發明的半導體元件的製造方法中，作為離子摻雜步驟的離子摻雜時間，較佳為1分鐘以上，更佳為5分鐘以上，進一步更佳為10分鐘以上，特佳為30分鐘以上。離子摻雜時間若為所述範圍內，則形成離子雜質區域的元素變得容易擴散於基板中。另一方面，自節拍時間的觀點考慮，離子摻雜時間較佳為300分鐘以下，更佳為240分鐘以下，進一步更佳為180分鐘以下，特佳為120分鐘以下。
於本發明的半導體元件的製造方法中，離子注入步驟較佳的是對離子施加偏壓使其加速而與基板碰撞。作為離子注入步驟的離子的加速能量，一般是1keV~10,000keV。自離子在基板中的注入深度的觀點考慮，較佳為1keV~5000keV，更佳為5keV~1000keV，進一步更佳為10keV~500keV。
在本發明的半導體元件的製造方法中，作為離子注入步驟的離子劑量，一般是1×1010cm-2~1×1022cm-2。自抑制對基板的晶體結構的損傷及在基板中的離子的注入深度的觀點考慮，較佳為1×1010cm-2~1×1020cm-2，更佳為1×1011cm-2~1×1019cm-2。
(對基板進行蝕刻的步驟)
將由本發明的樹脂組成物而所得的圖案作為遮罩，對形成有圖案的基板進行乾式蝕刻或濕式蝕刻，藉此可將基板加工為圖案狀。
蝕刻氣體例如可列舉氟甲烷、二氟甲烷、三氟甲烷、四氟甲烷、氯氟甲烷、氯二氟甲烷、氯三氟甲烷、二氯氟甲烷、二 氯二氟甲烷、三氯氟甲烷、六氟化硫、二氟化氙、氧、臭氧、氬、氟、氯或三氯化硼。
作為乾式蝕刻的方法，例如可列舉：反應性氣體蝕刻，在由本發明的樹脂組成物而形成有樹脂膜圖案的基板上，暴露所述蝕刻氣體；電漿蝕刻，暴露藉由電磁波而進行了離子化或自由基化的蝕刻氣體；或反應性離子蝕刻，對藉由電磁波進行了離子化或自由基化的蝕刻氣體施加偏壓而使其加速，使其與形成有圖案的基板碰撞等，所述圖案是含有聚矽氧烷的組成物的圖案。
在本發明的半導體裝置的製造方法中，基板的乾式蝕刻步驟中的蝕刻溫度較佳為10℃~400℃，更佳為20℃~350℃，進一步更佳為30℃~300℃，特佳為40℃~250℃。若蝕刻溫度為所述範圍內，則可使蝕刻速率提高。
在本發明的半導體裝置的製造方法中，基板的乾式蝕刻步驟中的蝕刻時間較佳為10秒以上，更佳為30秒以上，進一步更佳為1分鐘以上，特佳為3分鐘以上，最佳為5分鐘以上。另一方面，自節拍時間的觀點考慮，蝕刻時間較佳為60分鐘以下，更佳為45分鐘以下，進一步更佳為30分鐘以下，特佳為15分鐘以下。
作為蝕刻液，可將酸性或鹼性的藥液用作蝕刻液。
酸性的蝕刻液例如可列舉氫氟酸、鹽酸、氫溴酸、氫碘酸、過氯酸、氯酸、亞氯酸、次氯酸、過溴酸、溴酸、亞溴酸、次溴酸、過碘酸、碘酸、亞碘酸、次碘酸、硫酸、亞硫酸、次硫 酸、硝酸、亞硝酸、磷酸、亞磷酸、次磷酸、膦酸、次膦酸、六氟磷酸、六氟銻酸、硼酸、四氟硼酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、三氟乙酸、草酸、乳酸、甲磺酸、對甲苯磺酸、三氟甲磺酸或氟磺酸等顯示酸性的化合物的溶液。
作為鹼性的蝕刻液，較佳的是有機系的鹼溶液或顯示鹼性的化合物的水溶液。
作為有機系的鹼溶液或顯示鹼性的化合物，例如可列舉2-胺基乙醇、2-(二甲基胺基)乙醇、2-(二乙基胺基)乙醇、二乙醇胺、甲胺、乙胺、二甲胺、二乙胺、三乙胺、乙酸(2-二甲基胺基)乙酯、(甲基)丙烯酸(2-二甲基胺基)乙酯、環己胺、乙二胺、六亞甲基二胺、氨、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鎂、氫氧化鈣、氫氧化鋇、碳酸鈉或碳酸鉀。
作為蝕刻液，亦可使用含有鹼性蝕刻液與有機溶媒此兩者的混合用液。
作為有機溶媒，例如可列舉所述溶劑、二乙二醇單正丁醚、乙酸乙酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、N-乙醯基-2-吡咯啶酮、二甲基亞碸、六甲基磷醯三胺、甲醇、乙醇、異丙醇、甲苯或二甲苯。
作為濕式蝕刻的方法，例如可列舉以下等方法：在形成有本發明的樹脂膜圖案的基板上，直接塗佈所述蝕刻液或將所述蝕刻液以霧狀射出；將形成有圖案的基板浸漬於所述蝕刻液中，所述圖案是含有聚矽氧烷的組成物的圖案；或將形成有圖案的基 板浸漬於所述蝕刻液中後照射超音波，所述圖案是含有聚矽氧烷的組成物的圖案。
在本發明的半導體裝置的製造方法中，基板在濕式蝕刻步驟中的蝕刻溫度較佳為10℃~180℃，更佳為20℃~160℃，進一步更佳為30℃~140℃，特佳為40℃~120℃。若蝕刻溫度為所述範圍內，則可使蝕刻速率提高。在蝕刻液中的成分的沸點不足180℃的情況下，較佳的是蝕刻溫度不超過蝕刻液中的成分的沸點的溫度。
在本發明的半導體裝置的製造方法中，基板在濕式蝕刻步驟中的蝕刻時間較佳為10秒以上，更佳為30秒以上，進一步更佳為1分鐘以上，特佳為3分鐘以上，最佳為5分鐘以上。另一方面，自節拍時間的觀點考慮，蝕刻時間較佳為60分鐘以下，更佳為45分鐘以下，進一步更佳為30分鐘以下，特佳為15分鐘以下。
較佳的是在濕式蝕刻後，藉由淋洗液對藉由濕式蝕刻而進行了圖案加工的基板進行清洗。
淋洗液例如可列舉水、甲醇、乙醇、異丙醇、乙酸乙酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯或2-庚酮。在使用酸性的蝕刻液或顯示鹼性的化合物的水溶液而作為蝕刻液的情況下，淋洗液較佳的是含有水者。
所謂「離子研磨」是利用對基板照射並未集束的寬的氬 離子束將基板原子彈飛的濺鍍現象而對基板進行削去，形成圖案的步驟，其是一種乾式蝕刻步驟。
關於離子研磨，可將本發明的樹脂膜圖案作為離子研磨遮罩，對形成有圖案的基板進行離子研磨，藉此於基板上形成圖案。所謂「離子研磨」是利用對基板照射並未集束的寬的氬離子束將基板原子彈飛的濺鍍現象而對基板進行削去，形成圖案的步驟，其是一種乾式蝕刻步驟。氬離子較佳的是在1kV~20kV下，以5°~20°的入射角而進行。關於處理時間、溫度，與所述乾式蝕刻相同。
使用本發明的半導體元件的製造方法而製造的半導體元件具有半導體製造步驟縮短，低成本化的優點。另外，含有本發明的本半導體元件的半導體裝置亦同樣地變得具有低成本化的優點。
作為可應用本發明的半導體裝置的製造方法的半導體裝置，例如可列舉肖特基二極體(Schottky diode)、肖特基勢壘二極體(Schottky barrier diode，SBD)、pn接合二極體、PIN二極體、閘流體、閘極截止閘流體(gate turn-off thyristor，GTO)、雙極電晶體(bipolar transistor)、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)或絕緣閘雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)、發光二極體(light emitting diode，LED)元件等半導體元件，或包含所述半導體元件的任意一種以上的太陽能發電功率調節器、 車載電力控制單元、太陽能發電逆變器、開關電源、逆變器、轉換器或光學元件、影像感測器等，但並不限定於該些。
[實施例]
以下，列舉實施例對本發明加以說明，但本發明並不受該些例限定。
首先，關於各實施例及比較例中的評價方法而加以說明。在評價中使用預先藉由1μm的聚四氟乙烯製過濾器(住友電氣工業股份有限公司製造)進行了過濾的樹脂組成物(以下稱為「清漆」)。
(1)感度的評價
使用塗佈顯影裝置ACT-8(東京電子公司製造)藉由旋塗法將清漆塗佈於8吋的矽晶圓上及在120℃下進行3分鐘的預烘烤。 使用曝光機i射線步進機NSR-2005i9C(尼康公司製造)進行曝光。在曝光後，使用ACT-8的顯影裝置，使用2.38重量%的四甲基氫氧化銨水溶液(以下稱為「TMAH」、多摩化學工業公司製造)，藉由覆液法反覆進行2次顯影液的噴出時間為10秒、覆液時間為40秒的顯影，其後藉由純水進行淋洗後甩乾，將曝光部完全溶解時的最低曝光量作為感度。將感度為500mJ/cm2以上的情況視為不充分(×)，將300mJ/cm2以上、不足500mJ/cm2的情況視為良好(B)，將不足300mJ/cm2的情況視為更良好(A)。
(2)解析度的評價
使用塗佈顯影裝置ACT-8藉由旋塗法將清漆塗佈於8吋的矽 晶圓上，且在120℃下進行3分鐘的預烘烤。在曝光機i射線步進機NSR-2005i9C(尼康公司製造)上安放圖案斷開的網線，藉由800mJ/cm2的曝光量進行曝光。在曝光後，使用ACT-8的顯影裝置，使用2.38重量%的TMAH，藉由覆液法反覆進行2次顯影液的噴出時間為10秒、覆液時間為40秒的顯影，其後藉由純水進行淋洗後甩乾，獲得樹脂膜圖案。使用惰性烘箱CLH-21CD-S(光洋熱系統公司製造)，在氮氣流下、氧濃度為20ppm以下，以毎分鐘3.5℃的升溫速度而升溫至200℃，在200℃下進行1小時的加熱處理。在溫度成為50℃以下時取出晶圓，藉由顯微鏡觀察圖案，將解析線與空間的最小尺寸作為解析度。將10μm以上的解析度視為不充分(C)，將5μm以上、不足10μm的情況視為良好(B)，將不足5μm的情況視為更良好(A)。
而且，藉由利用掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)的剖面觀察，觀察圖案的形狀(錐角)。較佳的是矩形形狀(錐角為90°)。將不足70°的錐角視為不充分(C)，將70°以上、不足80°視為良好(B)，將80°以上、90°以下視為更良好(A)。
(3)二次加工性評價
對在(1)中進行了圖案加工的矽晶圓，使用惰性烘箱INH-21CD，在氮氣流下、氧濃度為20ppm以下，以毎分鐘3.5℃的升溫速度升溫至200℃，在250℃下進行1小時加熱處理。在溫度成為50℃以下時，取出晶圓而製作樹脂覆膜。將所得的樹脂覆 膜浸漬於剝離液106(東京應化工業公司製造)中，在70℃下進行10分鐘處理後進行水洗。藉由光學顯微鏡對晶圓表面進行觀察，將圖案完全不溶解的情況視為不充分(C)，將雖然在晶圓表面殘留殘渣但圖案溶解的情況視為良好(B)，將在晶圓表面並無殘渣且圖案溶解的情況視為更良好(A)。
合成例1 感光劑的合成
在乾燥氮氣流下，使21.22g(0.05莫耳)TrisP-PA(商品名、本州化學工業股份有限公司製造)與26.8g(0.1莫耳)5-萘并醌二疊氮磺醯氯(東洋合成股份有限公司製造、NAC-5)溶解於450g的1,4-二噁烷中，設為室溫。於其中，以系統內並不成為35℃以上的方式滴加與50g的1,4-二噁烷混合所得的12.65g三乙胺。 滴加後，在40℃下進行2小時攪拌。過濾三乙胺鹽，將濾液投入至水中。其後，過濾收集所析出的沈澱，進一步藉由1L的1%鹽酸水溶液進行清洗。其後，進一步藉由2L水進行2次清洗。藉由真空乾燥機對該沈澱進行乾燥，獲得下述式所表示的醌二疊氮化合物(感光劑B)。
[化7]
Figure 105112440-A0305-02-0037-7
合成例2 聚羥基苯乙烯樹脂(A0-1)的合成
在加入500mL四氫呋喃、0.01莫耳作為起始劑的第二丁基鋰的混合溶液中，以莫耳比為3：1的比例添加合計20g的對第三丁氧基苯乙烯與苯乙烯，一面攪拌3小時一面使其聚合。在反應溶液中添加0.1莫耳甲醇而進行聚合終止反應。其次，為了對聚合物進行純化而將反應混合物注入至甲醇中，使沈降的聚合物乾燥，結果獲得白色聚合物。進一步溶解於400mL丙酮中，在60℃下加入少量濃鹽酸而進行7小時攪拌後，注入至水中，使聚合物沈澱，將對第三丁氧基苯乙烯去保護而轉換為對羥基苯乙烯，進行清洗乾燥，結果獲得純化的對羥基苯乙烯與苯乙烯的共聚物(以下稱為「(A0-1)」)。而且，根據利用GPC的分析，重量平均分子量(Mw)為3500(GPC聚苯乙烯換算)、分散度為(Mw/Mn)2.80。
合成例3 聚羥基苯乙烯樹脂(A0-2)的合成
使用間第三丁氧基苯乙烯代替所述合成例2的對第三丁氧基苯乙烯，除此以外同樣地進行。關於所得的間羥基苯乙烯與苯乙烯的共聚物(以下稱為「(A0-2)」)，根據利用GPC的分析，重量 平均分子量(Mw)為5000(GPC聚苯乙烯換算)、分散度為(Mw/Mn)3.20。
合成例4 鹼可溶性樹脂(A1-1)的合成
使聚羥基苯乙烯樹脂(A0-1)溶解於在800g純水中溶解有80g(2.0莫耳)氫氧化鈉的溶液中。使其完全溶解後，在20℃~25℃下以2小時滴加686g的36重量%~38重量%的福馬林水溶液。其後，在20℃~25℃下進行17小時攪拌。於其中加入98g硫酸與552g水而進行中和，保持該狀態而放置2天。用100mL水對放置後在溶液中所產生的白色固體進行清洗。將該白色固體在50℃下進行48小時的真空乾燥。
其次，使如上所述而所得的化合物溶解於300mL甲醇中，加入2g硫酸而在室溫下進行24小時攪拌。在該溶液中加入15g陰離子型離子交換樹脂(羅門哈斯(Rohm and Haas)公司製造、阿爾伯特(Amberlyst)IRA96SB)而進行1小時攪拌，藉由過濾將離子交換樹脂除去。其後，加入500mL的γ-丁內酯，藉由旋轉蒸發器將甲醇除去，製成γ-丁內酯溶液。藉由NMR(日本電子股份有限公司製造、GX-270)對該樹脂進行分析，結果獲得作為芳香族氫的一部分被羥甲基化的聚羥基苯乙烯樹脂的鹼可溶性樹脂(以下稱為「(A1-1)」)。根據利用GPC的分析，重量平均分子量(Mw)為8000(GPC聚苯乙烯換算)，羥甲基化的羥基苯乙烯是每1莫耳羥基苯乙烯中為35莫耳%的導入率。
合成例5 鹼可溶性樹脂(A1-2)的合成
使用(A0-2)代替所述合成例5的(A0-1)，除此以外在同樣的製法中進行合成。關於所得的作為羥甲基化的聚羥基苯乙烯樹脂的鹼可溶性樹脂(以下稱為「(A1-2)」)，根據利用GPC的分析，重量平均分子量(Mw)為7500(GPC聚苯乙烯換算)，羥甲基化的羥基苯乙烯是每1莫耳羥基苯乙烯中為55莫耳%的導入率。
合成例6 鹼可溶性聚醯亞胺樹脂(A2-1)的合成
在乾燥氮氣流下，使31.13g(0.085莫耳)2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷(以下稱為「BAHF」)、3.27g(0.03莫耳)作為封端劑的3-胺基苯酚(以下稱為「MAP」)溶解於80g的N-甲基吡咯啶酮(NMP)中。於其中與20g的NMP一同加入31.2g(0.1莫耳)3,3',4,4'-二苯醚四羧酸二酐(以下稱為「ODPA」)，於20℃下進行1小時反應，繼而於50℃下進行4小時反應。其後，添加15g二甲苯，一面使水與二甲苯一同共沸，一面在150℃下進行5小時攪拌。攪拌結束後，將溶液投入至3L水中而獲得白色沈澱。過濾收集該沈澱，藉由水進行3次清洗後，藉由80℃的真空乾燥機進行20小時乾燥，獲得作為具有酚性羥基的鹼可溶性樹脂的聚醯亞胺樹脂(以下稱為「(A2-1)」)。樹脂(A2-1)的重量平均分子量為25000，醯亞胺化率為92%。
合成例7 鹼可溶性聚醯亞胺樹脂(A2-2)的合成
在乾燥氮氣流下，使23.83g(0.065莫耳)BAHF、8.00g(0.02莫耳)D-400(亨斯邁股份有限公司製造)、3.27g(0.03莫耳)作為封端劑的4-胺基苯酚(東京化成工業股份有限公司製造)溶解 於80g的NMP中。於其中與20g的NMP一同加入31.2g(0.1莫耳)ODPA，在60℃下進行1小時反應，其次在180℃下進行4小時攪拌。攪拌結束後，將溶液投入至3L水中而獲得白色沈澱。過濾收集該沈澱，藉由水進行3次清洗後，藉由80℃的真空乾燥機進行20小時乾燥，獲得鹼可溶性聚醯亞胺樹脂(A2-2)的粉末。樹脂(A2-2)的重量平均分子量為23000，醯亞胺化率為90%。
合成例8 鹼可溶性聚醯亞胺樹脂(A2-3)的合成
在乾燥氮氣流下，使23.83g(0.065莫耳)BAHF、12.00g(0.02莫耳)ED-600(亨斯邁股份有限公司製造)、3.27g(0.03莫耳)作為封端劑的4-胺基苯酚(東京化成工業股份有限公司製造)溶解於80g的NMP中。於其中與20g的NMP一同加入31.2g(0.1莫耳)ODPA，在60℃下進行1小時反應，其次在180℃下進行4小時攪拌。攪拌結束後，將溶液投入至3L水中而獲得白色沈澱。過濾收集該沈澱，藉由水進行3次清洗後，藉由80℃的真空乾燥機進行20小時乾燥，獲得鹼可溶性聚醯亞胺樹脂(A2-3)的粉末。樹脂(A2-3)的重量平均分子量為26000，醯亞胺化率為95%。
合成例9 鹼可溶性聚醯亞胺樹脂(A2-4)的合成
在乾燥氮氣流下，使23.83g(0.065莫耳)BAHF、18.00g(0.02莫耳)ED-900(亨斯邁股份有限公司製造)、3.27g(0.03莫耳)作為封端劑的4-胺基苯酚(東京化成工業股份有限公司製造)溶解於80g的NMP中。於其中與20g的NMP一同加入31.2 g(0.1莫耳)ODPA，在60℃下進行1小時反應，其次在180℃下進行4小時攪拌。攪拌結束後，將溶液投入至3L水中而獲得白色沈澱。過濾收集該沈澱，藉由水進行3次清洗後，藉由80℃的真空乾燥機進行20小時乾燥，獲得鹼可溶性聚醯亞胺樹脂(A2-4)的粉末。樹脂(A2-4)的重量平均分子量為25000，醯亞胺化率為89%。
合成例10 鹼可溶性聚醯亞胺樹脂(A2-5)的合成
在乾燥氮氣流下，使23.83g(0.065莫耳)BAHF、18.00g(0.02莫耳)ED-900(亨斯邁股份有限公司製造)、3.27g(0.03莫耳)作為封端劑的4-胺基苯酚(東京化成工業股份有限公司製造)溶解於80g的NMP中。於其中與20g的NMP一同加入17.68g(0.04莫耳)4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸二酐(6FDA)與18.72g(0.06莫耳)ODPA，在60℃下進行1小時反應，其次在180℃下進行4小時攪拌。攪拌結束後，將溶液投入至3L水中而獲得白色沈澱。過濾收集該沈澱，藉由水進行3次清洗後，藉由80℃的真空乾燥機進行20小時乾燥，獲得鹼可溶性聚醯亞胺樹脂(A2-5)的粉末。樹脂(A2-5)的重量平均分子量為28000，醯亞胺化率為93%。
合成例11 聚醯亞胺樹脂(A2-6)的合成
在乾燥氮氣流下，使18.0g(0.09莫耳)DAE溶解於80g的NMP中。於其中與20g的NMP一同加入31.2g(0.1莫耳)ODPA，在20℃下進行1小時反應，其次在50℃下進行4小時反應。其後 進而在180℃下進行5小時攪拌。攪拌結束後，將溶液投入至3L水中而獲得白色沈澱。藉由過濾收集該沈澱，藉由水進行3次清洗後，藉由80℃的真空乾燥機進行20小時乾燥，獲得並不具有與(A1)的反應性基反應的取代基的聚醯亞胺樹脂(以下稱為「(A2-6)」)。
實施例1~實施例14、比較例1~比較例4
藉由以下表1中所示的重量比將各成分加以混合後，加入溶劑而製備固體成分濃度為40%的清漆，藉由所述評價方法測定該些特性。將所得的結果示於表2中。
實施例15
使用塗佈顯影裝置ACT-8藉由旋塗法將實施例10的清漆以7μm的厚度塗佈於8吋的矽晶圓上所形成的5μm厚的鋁膜上，且在120℃下進行3分鐘預烘烤。在曝光機i射線步進機NSR-2005i9C(尼康公司製造)上安放圖案斷開的網線，藉由500mJ/cm2的曝光量進行曝光。在曝光後，使用ACT-8的顯影裝置，使用2.38重量%的TMAH，藉由覆液法反覆進行2次顯影液的噴出時間為10秒、覆液時間為40秒的顯影，其後藉由純水進行淋洗後甩乾，獲得樹脂膜圖案。使用惰性烘箱CLH-21CD-S(光洋熱系統公司製造)，在氮氣流下、氧濃度為20ppm以下，以毎分鐘3.5℃的升溫速度而升溫至200℃，在200℃下進行1小時的加熱處理。在溫度成為50℃以下時取出晶圓。其後，在RIE-200iP(莎姆克(SAMCO)公司製造)0.5Pa、400W、Cl2/BCl3=10/45sccm的條件下進行乾 式蝕刻，其後藉由純水進行5分鐘清洗。此時，雖然基板溫度到達210℃，但在樹脂膜上並未產生剝落、龜裂、膨脹等。其後，在重量比為二甲基亞碸/單乙醇胺=3/7的80℃的溶液中進行10分鐘處理，進行樹脂膜圖案的溶解剝離。其結果在5μm厚的鋁膜中確認到3μm的微細的解析。
實施例16
藉由旋塗法將實施例10的清漆以3μm的厚度塗佈於4吋的SiC晶圓上，且在120℃下進行3分鐘的預烘烤。在曝光機i射線步進機NSR-2005i9C(尼康公司製造)上安放圖案斷開的網線，藉由500mJ/cm2的曝光量進行曝光。在曝光後，使用自動顯影裝置，使用2.38重量%的TMAH，藉由覆液法反覆進行2次顯影液的噴出時間為10秒、覆液時間為40秒的顯影，其後藉由純水進行淋洗後甩乾，獲得樹脂膜圖案。使用惰性烘箱CLH-21CD-S(光洋熱系統公司製造)，在氮氣流下、氧濃度為20ppm以下，以毎分鐘3.5℃的升溫速度而升溫至250℃，在250℃下進行1小時的加熱處理。在溫度成為50℃以下時取出晶圓。其後，藉由離子注入裝置(日新離子公司製造)進行離子注入。離子注入是在離子注入溫度為250℃、離子注入能量為300keV、離子劑量為1×1013cm-2、離子種類為鋁、電流值為500μA下實施。在離子注入後，在樹脂膜上並未產生剝落、龜裂、膨脹等。其後，在重量比為二甲基亞碸/單乙醇胺=3/7的80℃的溶液中進行10分鐘處理，進行樹脂膜圖案的溶解剝離。其結果可確認到以2μm的解析度在SiC 上形成Al的離子注入。
實施例17
藉由旋塗法將實施例10的清漆以3μm的厚度塗佈於4吋的SiC晶圓上，且在120℃下進行3分鐘的預烘烤。在曝光機i射線步進機NSR-2005i9C(尼康公司製造)上安放圖案斷開的網線，藉由500mJ/cm2的曝光量進行曝光。在曝光後，使用自動顯影裝置，使用2.38重量%的TMAH，藉由覆液法反覆進行2次顯影液的噴出時間為10秒、覆液時間為40秒的顯影，其後藉由純水進行淋洗後甩乾，獲得樹脂膜圖案。使用惰性烘箱CLH-21CD-S(光洋熱系統公司製造)，在氮氣流下、氧濃度為20ppm以下，以毎分鐘3.5℃的升溫速度而升溫至250℃，在250℃下進行1小時的加熱處理。在溫度成為50℃以下時取出晶圓。其後，藉由離子研磨裝置(日本電子(JEOL)公司製造的IB-09020CP)，在離子加速電壓為4kV、離子束直徑為500μm(半高寬)、研磨速率為100μm/H下進行離子研磨。在離子研磨後，在樹脂膜上並未產生剝落、龜裂、膨脹等。其後，在重量比為二甲基亞碸/單乙醇胺=3/7的80℃的溶液中進行10分鐘處理，進行樹脂膜圖案的溶解剝離。其結果可確認到以2μm的解析度在Si晶圓上形成溝。
Figure 105112440-A0305-02-0044-8
Figure 105112440-A0305-02-0045-9
Figure 105112440-A0305-02-0046-10

Claims (11)

  1. 一種樹脂組成物，其特徵在於含有(A1)具有通式(1)所表示的結構單元的鹼可溶性樹脂、(A2)選自由具有與所述鹼可溶性樹脂的反應性基反應的取代基的聚醯亞胺、聚苯并噁唑、聚醯胺醯亞胺、該些的前驅物及該些的共聚物所組成的群組的一種以上樹脂、及(B)感光劑，相對於100重量份(A1)的樹脂而言，(A2)的樹脂為310重量份~2000重量份；
    Figure 105112440-A0305-02-0047-11
     (式中，R1表示氫原子或碳數1~5的烷基，R2表示氫或碳數1~6的烷基；a表示0~4的整數，b表示1~3的整數，a+b表示1~5的整數)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的樹脂組成物，其中，(A2)的樹脂含有以下所示的六氟丙烯結構及/或丙烯結構；
    Figure 105112440-A0305-02-0048-12
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的樹脂組成物，其中，(A2)的樹脂具有聚環氧乙烷結構及/或聚環氧丙烷結構。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的樹脂組成物，其進一步含有(d)熱交聯性化合物。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的樹脂組成物，其中，於250℃下進行1小時的熱處理後，可溶於重量比為二甲基亞碸/單乙醇胺=3/7的溶液中。
  6. 一種光阻劑，其包含如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的樹脂組成物。
  7. 一種半導體元件的製造方法，其包含：(1)在基板上形成如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的樹脂組成物的圖案的步驟；(2)在150℃以上進行選自由如下步驟所組成的群組的一個以上處理的步驟：(a)對所述基板摻雜雜質離子的步驟、及(b)對所述基板進行蝕刻的步驟；以及(3)將所述圖案剝離的步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的半導體元件的製造方法，其中，所述(a)的步驟是如下步驟的任意者：(a-1)對所述基板進行離子注入的步驟、或 (a-2)對形成圖案樹脂膜的所述基板進行摻雜劑暴露的步驟。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的半導體元件的製造方法，其中，所述(b)的步驟是如下步驟的任意者：(b-1)藉由乾式蝕刻對所述基板進行圖案加工的步驟、或(b-2)藉由濕式蝕刻對所述基板進行圖案加工的步驟。
  10. 如申請專利範圍第7項至第9項中任一項所述的半導體元件的製造方法，其中，所述基板是包含選自由矽、二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵鋁(GaAlAs)、鎵銦氮砷(GaInNAs)、氮化銦(InN)、磷化銦(InP)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、砷化銦鎵(InGaAs)、銦鎵鋁磷(InGaAlP)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、金剛石、藍寶石(Al2O3)、氧化鋁鋅(AZO)、氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)及碲化鎘(CdTe)、鋁(Al)、金(Au)所組成的群組的一種以上的基板。
  11. 一種半導體裝置，其包含藉由如申請專利範圍第7項至第10項中任一項所述的半導體元件的製造方法而所得的半導體元件。
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