TWI684825B - 化學增幅型正型感光性樹脂組成物、厚膜感光性乾薄膜、厚膜光阻圖型之製造方法、附有模具的基板之製造方法，及鍍敷成型體之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種即使於形成膜厚10μm以上之厚膜之光阻圖型的情形中，也可以低曝光量形成具有良好截面形狀的矩形之非光阻部的厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物，與具備有由該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物所形成之感光性樹脂層的厚膜感光性乾薄膜，與使用該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物的厚膜光阻圖型之製造方法及附有模具的基板之製造方法，與使用該方法所製造之附有模具的基板的鍍敷成型體之製造方法。

本發明之厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其為含有，(A)酸產生劑，與(S)有機溶劑，其中，(B)經由酸之作用而增大對鹼之溶解性的樹脂，為加入(B-3)含有包含：含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基的丙烯酸酯所衍生之結構單位的丙烯酸樹脂。

Description

化學增幅型正型感光性樹脂組成物、厚膜感光性乾薄膜、厚膜光阻圖型之製造方法、附有模具的基板之製造方法，及鍍敷成型體之製造方法

本發明為有關一種厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物，與具備有由該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物所形成之感光性樹脂層的厚膜感光性乾薄膜，與使用該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物的厚膜光阻圖型之製造方法，與使用該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物的附有模具的基板之製造方法，與使用經由該方法所製造之附有模具的基板的鍍敷成型體之製造方法。

目前，感光蝕刻加工(photofabrication)已形成為精密微細加工技術之主流。感光蝕刻加工係指，將光阻劑組成物塗佈於被加工物表面以形成光阻劑層，經由光微影蝕刻技術對光阻劑層進行圖型形成(Patterning)，以形成圖型之光阻劑層(光阻圖型)作為遮罩，進行以化學蝕刻、電解蝕刻，或電氣鍍敷為主體之電鑄(electroforming)等，以製造半導體封裝(Semiconductor package)等各種精密零件之技術的總稱。

又，近年來，伴隨電子機器之縮小化(downsizing)，半導體封裝的高密度實裝技術提升，而有尋求裝置之多針角薄膜實裝化、裝置尺寸之小型化、以覆晶(Flip-Chip)方式進行之2次元實裝技術、3次元實裝技術為基礎的實裝密度之提昇的需求。該些高密度實裝技術中，連接端子，可列舉如，於封裝上突出之凸點等突起電極(實裝端子)，或晶圓上之由周邊端子(peripheral terminal)所延伸之再配線與實裝端子連接的金屬台(metal post)等高精度地配置於基板上。

上述感光蝕刻加工中，為使用光阻劑組成物，該些光阻劑組成物，已知例如含有酸產生劑之化學增幅型光阻劑組成物(參考專利文獻1、2等)。化學增幅型光阻劑組成物，為經由輻射線照射(曝光)而由酸產生劑產生酸，經由加熱處理而促進酸之擴散，進而對組成物中之基礎樹脂等引起酸觸媒反應，使該鹼溶解性產生變化者。

又，上述感光蝕刻加工所使用之光阻劑組成物，可例如厚膜用光阻劑組成物等(參考專利文獻3等)。厚膜用光阻劑組成物，可列舉如，可使用於鍍敷步驟中以形成凸點或金屬台等。可列舉如，於支撐體上形成膜厚約20μm之厚膜光阻劑層，介由特定遮罩圖型進行曝光、顯影，而形成選擇性地去除(剝離)凸點或金屬台之部份的之光阻圖型。隨後，將敷銅等導體藉由鍍敷埋入該被去除之部份(非光阻部)之後，再將其周圍之光阻圖型 去除，而可形成凸點或金屬台。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開平9-176112號公報

[專利文獻2]特開平11-52562號公報

[專利文獻3]特開2010-185986號公報

不僅感光蝕刻加工用途，於其他各種用途中，使用厚膜用光阻劑組成物形成光阻圖型之情形，通常，期待經由顯影而被去除之處所(非光阻部)之截面形狀為矩形之光阻圖型。

又，專利文獻3所記載之厚膜用光阻劑組成物，多以經溶劑稀釋後之狀態予以使用者。但，使用含有溶劑之厚膜用光阻劑組成物，以形成膜厚為10μm以上之厚膜之光阻圖型的情形，於低曝光量下常會有無法形成所期待形狀之光阻圖型、難以形成非光阻部之截面形狀為良好矩形之光阻圖型之情形。該情形中，光阻圖型中之非光阻部的截面形狀，多為於相當於光阻圖型的厚度方向的中央部之位置的寬度極為寬廣的桶型。

上述非光阻部的截面形狀不良，推測應為溶劑容易殘留於作為曝光對象的由厚膜用光阻劑組成物所形 成之被膜中者為原因。被曝光之被膜中，若殘留某種程度多量的溶劑之情形，推測將會受到被膜中之溶劑的影響，使受到曝光而由酸產生劑產生之酸，不容易於曝光部中產生均勻地擴散。

本發明為鑑於上述問題所提出者，而以提供一種於形成膜厚10μm以上之厚膜之光阻圖型的情形中，也可以低曝光量形成具有良好截面形狀的矩形之非光阻部的厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物，與具備有由該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物所形成之感光性樹脂層的厚膜感光性乾薄膜，與使用該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物的厚膜光阻圖型之製造方法，與使用該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物的附有模具的基板之製造方法，與使用該方法所製造之附有模具的基板的鍍敷成型體之製造方法為目的。

本發明者們，於含有(A)經由活性光線或輻射線之照射而產生酸之酸產生劑，與(S)有機溶劑的厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中，作為(B)經由酸之作用而增大對鹼之溶解性的樹脂，加入(B-3)含有包含：含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基之丙烯酸酯所衍生之結構單位的丙烯酸樹脂時，即可解決上述問題，因而完成本發明。

本發明之第一態樣為，一種形成膜厚10μm以 上之厚膜光阻圖型所使用之厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其為含有(A)經由活性光線或輻射線之照射而產生酸之酸產生劑，與(B)經由酸之作用而增大對鹼之溶解性的樹脂，與(S)有機溶劑之厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其特徵為，(B)經由酸之作用而增大對鹼之溶解性的樹脂為，含有(B-3)含有包含：含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基之丙烯酸酯所衍生之結構單位的丙烯酸樹脂，相對於前述厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物所含的樹脂成份之全質量，前述(B-3)丙烯酸樹脂之質量之比例為70質量%以上。

本發明之第二態樣為，一種厚膜感光性乾薄膜，其特徵為具有基材薄膜，與形成於基材薄膜之表面的厚膜感光性樹脂層，並且厚膜感光性樹脂層為由第一態樣之該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物所形成者。

本發明之第三態樣為，一種厚膜光阻圖型之製造方法，其特徵為包含，將第一態樣之該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物所形成之感光性樹脂層層合於基板上之層合步驟，與使用活性光線或輻射線照射感光性樹脂層之曝光步驟，與使曝光後之感光性樹脂層顯影之顯影步驟。

本發明之第四態樣為，一種附有模具的基板 之製造方法，其特徵為包含，於金屬基板上，層合製作以形成鍍敷成型體為目的之模具所使用之由第一態樣的該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物所形成之感光性樹脂層之層合步驟，與使用活性光線或輻射線照射感光性樹脂層之曝光步驟，與使曝光後之感光性樹脂層顯影，製作以形成鍍敷成型體為目的之模具之顯影步驟。

本發明之第五態樣為，一種鍍敷成型體之製造方法，其特徵為包含，對第四態樣之該附有模具的基板施以鍍敷處理，以於模具內形成鍍敷成型體之步驟。

依本發明，可提供一種即使形成膜厚10μm以上之厚膜之光阻圖型的情形，也可以低曝光量形成具有良好截面形狀的矩形之非光阻部的厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物，與具備有由該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物所形成之感光性樹脂層的厚膜感光性乾薄膜，與使用該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物的厚膜光阻圖型之製造方法，與使用該厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物之附有模具的基板之製造方法，與使用該方法所製造之附有模具的基板的鍍敷成型體之製造方法。

≪化學增幅型正型感光性樹脂組成物≫

化學增幅型正型感光性樹脂組成物(以下，亦記載為感光性樹脂組成物)為含有，(A)經由活性光線或輻射線之照射而產生酸之酸產生劑(以下，亦記載為(A)酸產生劑)，與(B)經由酸之作用而增大對鹼之溶解性的樹脂(以下，亦記載為(B)樹脂)，與(S)有機溶劑。感光性樹脂組成物，依其必要性，可含有由(C)鹼可溶性樹脂，及(D)酸擴散抑制劑所選擇之1個以上之成份。

感光性樹脂組成物適合使用於形成厚膜之光阻圖型。使用感光性樹脂組成物所形成之光阻圖型之膜厚，具體而言，可列舉如，10μm以上，較佳為10~150μm，更佳為20~120μm，特佳為20~80μm。

<(A)酸產生劑>

(A)酸產生劑為，經由活性光線或輻射線之照射而產生酸之化合物，其只要係經由光而直接或間接地產生酸之化合物者時，並未有特別之限定。(A)酸產生劑，以以下說明之第一~第五態樣之酸產生劑為佳。以下，將對感光性樹脂組成物中，較佳使用之(A)酸產生劑中之較佳者，以第一至第五態樣之方式進行說明。

(A)酸產生劑中之第一態樣，例如，下述式 (a1)所表示之化合物等。

上述式(a1)中，X^1a表示原子價g之硫原子或碘原子，g為1或2。h表示括弧內之結構的重複單位數。R^1a表示，X^1a所鍵結之有機基，例如，碳原子數6~30之芳基、碳原子數4~30之雜環基、碳原子數1~30之烷基、碳原子數2~30之烯基，或碳原子數2~30之炔基，R^1a，可被烷基、羥基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳基氧羰基、芳基硫代羰基、醯氧基、芳基硫代基、烷基硫代基、芳基、雜環、芳基氧基、烷基亞磺醯基、芳基亞磺醯基、烷基磺醯基、芳基磺醯基、伸烷基氧基、胺基、氰基、硝基等各基，及鹵素所成群所選出之至少1種所取代亦可。R^1a之個數為g+h(g-1)+1，R^1a可分別為相同或相異皆可。又，2個以上之R^1a可互相直接，或介由-O-、-S-、-SO-、-SO₂-、-NH-、-NR^2a-、-CO-、-COO-、-CONH-、碳原子數1~3之伸烷基，或伸苯基進行鍵結，亦可形成含X^1a之環結構。R^2a為碳原子數1~5之烷基或碳原子數6~10之芳基。

X^2a為下述式(a2)所表示之結構。

上述式(a2)中，X^4a表示碳原子數1~8之伸烷基、碳原子數6~20之伸芳基，或碳原子數8~20之雜環化合物之2價之基，X^4a可被由碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數6~10之芳基、羥基、氰基、硝基等各基，及鹵素所成群所選出之至少1種所取代。X^5a表示-O-、-S-、-SO-、-SO₂-、-NH-、-NR^2a-、-CO-、-COO-、-CONH-、碳原子數1~3之伸烷基，或伸苯基。h表示括弧內之結構的重複單位數。h+1個之X^4a及h個之X^5a可分別為相同或相異皆可。R^2a與前述之定義為相同之內容。

X^3a-為鎓之對離子，例如，下述式(a17)所表示之氟化烷基氟磷酸陰離子或下述式(a18)所表示之硼酸鹽陰離子等。

【化3】[(R ^3a ) _j PF _6-j ] ^- (a17)

上述式(a17)中，R^3a表示80%以上之氫原子被氟原子所取代之烷基。j表示其個數，其為1~5之整數。j個之R^3a可分別為相同或相異皆可。

上述式(a18)中，R^4a~R^7a，各自獨立表示氟原子或苯基，該苯基的一部份或全部之氫原子，可被氟原子及三氟甲基所成群所選出之至少1種所取代亦可。

上述式(a1)所表示之化合物中之鎓離子，可列舉如，三苯基鋶、三-p-甲苯基鋶、4-(苯基硫基)苯基二苯基鋶、雙〔4-(二苯基鋶基)苯基〕硫化物、雙〔4-{雙〔4-(2-羥基乙氧基)苯基〕鋶基}苯基〕硫化物、雙{4-〔雙(4-氟苯基)鋶基〕苯基}硫化物、4-(4-苯醯基-2-氯苯基硫基)苯基雙(4-氟苯基)鋶、7-異丙基-9-側氧基-10-硫-9,10-二氫蒽-2-基二-p-甲苯基鋶、7-異丙基-9-側氧基-10-硫-9,10-二氫蒽-2-基二苯基鋶、2-〔(二苯基)鋶基〕硫雜蒽酮(thioxanthone)、4-〔4-(4-tert-丁基苯醯基)苯基硫代〕苯基二-p-甲苯基鋶、4-(4-苯醯基苯基硫基)苯基二苯基鋶、二苯基苯甲醯甲基鋶、4-羥基苯基甲基苄基鋶、2-萘甲基(1-乙氧基羰基)乙基鋶、4-羥基苯基甲基苯甲醯甲基鋶、苯基〔4-(4-聯苯硫基)苯基〕4-聯苯鋶、苯基〔4-(4-聯苯硫基)苯基〕3-聯苯鋶、〔4-(4-乙醯苯基硫基)苯基〕二苯基鋶、十八烷基甲基苯甲醯甲基鋶、二苯基錪、二-p-甲苯基錪、雙(4-十二烷基苯基)錪、雙(4-甲氧基苯基)錪、(4-辛基氧苯基)苯基錪、雙(4-癸基氧基)苯基錪、4-(2-羥 基十四烷基氧基)苯基苯基錪、4-異丙基苯基(p-甲苯基)錪，或4-異丁基苯基(p-甲苯基)錪等。

上述式(a1)所表示之化合物中之鎓離子中，較佳之鎓離子，可列舉如，下述式(a19)所表示之鋶離子等。

上述式(a19)中，R^8a各自獨立表示，由氫原子、烷基、羥基、烷氧基、烷基羰基、烷基羰基氧基、烷基氧羰基、鹵素原子、可具有取代基之芳基、芳基羰基所成之群所選出之基。X^2a表示與上述式(a1)中之X^2a相同之意義。

上述式(a19)所表示之鋶離子之具體例，可列舉如，4-(苯基硫基)苯基二苯基鋶、4-(4-苯醯基-2-氯苯基硫基)苯基雙(4-氟苯基)鋶、4-(4-苯醯基苯基硫基)苯基二苯基鋶、苯基〔4-(4-聯苯硫基)苯基〕4-聯苯鋶、苯基〔4-(4-聯苯硫基)苯基〕3-聯苯鋶、〔4-(4-乙醯苯基硫基)苯基〕二苯基鋶、二苯基〔4-(p-三聯苯硫基)苯基〕二苯基鋶等。

上述式(a17)所表示之氟化烷基氟磷酸陰離 子中，R^3a表示氟原子所取代之烷基，較佳之碳原子數為1~8、更佳之碳原子數為1~4。烷基之具體例，可列舉如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、辛基等直鏈烷基；異丙基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基等支鏈烷基；又例如，環丙基、環丁基、環戊基、環己基等環烷基等，烷基之氫原子被氟原子所取代之比例，通常為80%以上，較佳為90%以上，更佳為100%。氟原子之取代率未達80%之情形中，會使上述式(a1)所表示之鎓氟化烷基氟磷酸鹽的酸強度降低。

特佳之R^3a為，碳原子數為1~4，且氟原子之取代率為100%之直鏈狀或支鏈狀之全氟烷基，具體例如，CF₃、CF₃CF₂、(CF₃)₂CF、CF₃CF₂CF₂、CF₃CF₂CF₂CF₂、(CF₃)₂CFCF₂、CF₃CF₂(CF₃)CF、(CF₃)₃C等。R^3a之個數j為1~5之整數，較佳為2~4，特佳為2或3。

較佳氟化烷基氟磷酸陰離子之具體例，可列舉如，[(CF₃CF₂)₂PF₄]^-、[(CF₃CF₂)₃PF₃]^-、[((CF₃)₂CF)₂PF₄]^-、[((CF₃)₂CF)₃PF₃]^-、[(CF₃CF₂CF₂)₂PF₄]^-、[(CF₃CF₂CF₂)₃PF₃]^-、[((CF₃)₂CFCF₂)₂PF₄]^-、[((CF₃)₂CFCF₂)₃PF₃]^-、[(CF₃CF₂CF₂CF₂)₂PF₄]^-，或[(CF₃CF₂CF₂)₃PF₃]^-等，該些之中，又以[(CF₃CF₂)₃PF₃]^-、[(CF₃CF₂CF₂)₃PF₃]^-、[((CF₃)₂CF)₃PF₃]^-、[((CF₃)₂CF)₂PF₄]^-、[((CF₃)₂CFCF₂)₃PF₃]^-，或[((CF₃)₂CFCF₂)₂PF₄]^-為特佳。

上述式(a18)所表示之硼酸鹽陰離子之較佳具體例，例如，四(五氟苯基)硼酸鹽([B(C₆F₅)₄]^-)、四 [(三氟甲基)苯基]硼酸鹽([B(C₆H₄CF₃)₄]^-)、二氟雙(五氟苯基)硼酸鹽([(C₆F₅)₂BF₂]^-)、三氟(五氟苯基)硼酸鹽([(C₆F₅)BF₃]^-)、四(二氟苯基)硼酸鹽([B(C₆H₃F₂)₄]^-)等。該些之中，又以四(五氟苯基)硼酸鹽([B(C₆F₅)₄]^-)為特佳。

(A)酸產生劑中之第二態樣，可列舉如，2,4-雙(三氯甲基)-6-向日葵基-1,3,5-三

、2,4-雙(三氯甲基)-6-〔2-(2-呋喃基)乙烯基〕-s-三

、2,4-雙(三氯甲基)-6-〔2-(5-甲基-2-呋喃基)乙烯基〕-s-三

、2,4-雙(三氯甲基)-6-〔2-(5-乙基-2-呋喃基)乙烯基〕-s-三

、2,4-雙(三氯甲基)-6-〔2-(5-丙基-2-呋喃基)乙烯基〕-s-三

、2,4-雙(三氯甲基)-6-〔2-(3,5-二甲氧基苯基)乙烯基〕-s-三

、2,4-雙(三氯甲基)-6-〔2-(3,5-二乙氧基苯基)乙烯基〕-s-三

、2,4-雙(三氯甲基)-6-〔2-(3,5-二丙氧基苯基)乙烯基〕-s-三

、2,4-雙(三氯甲基)-6-〔2-(3-甲氧基-5-乙氧基苯基)乙烯基〕-s-三

、2,4-雙(三氯甲基)-6-〔2-(3-甲氧基-5-丙氧基苯基)乙烯基〕-s-三

、2,4-雙(三氯甲基)-6-〔2-(3,4-伸甲基二氧苯基)乙烯基〕-s-三

、2,4-雙(三氯甲基)-6-(3,4-伸甲基二氧苯基)-s-三

、2,4-雙-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯基-s-三

、2,4-雙-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯基-s-三

、2,4-雙-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯乙烯基苯基-s-三

、2,4-雙-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯乙烯基苯基-s-三

、2-(4-甲氧基苯 基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三

、2-(4-甲氧基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三

、2-〔2-(2-呋喃基)乙烯基〕-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三

、2-〔2-(5-甲基-2-呋喃基)乙烯基〕-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三

、2-〔2-(3,5-二甲氧基苯基)乙烯基〕-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三

、2-〔2-(3,4-二甲氧基苯基)乙烯基〕-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三

、2-(3,4-伸甲基二氧苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三

、三(1,3-二溴丙基)-1,3,5-三

、三(2,3-二溴丙基)-1,3,5-三

等含有鹵素之三

化合物，及三(2,3-二溴丙基)異三聚氰酸酯等下述式(a3)所表示之含有鹵素之三

化合物等。

上述式(a3)中，R^9a、R^10a、R^11a，各自獨立表示鹵化烷基。

又，(A)酸產生劑中之第三態樣，可列舉如，α-(p-甲苯磺醯基氧亞胺基)-苯基乙腈、α-(苯磺醯基氧亞胺基)-2,4-二氯苯基乙腈、α-(苯磺醯基氧亞胺基)-2,6-二氯苯基乙腈、α-(2-氯苯磺醯基氧亞胺基)-4-甲氧基苯基乙腈、α-(乙基磺醯基氧亞胺基)-1-環戊烯基 乙腈，及含有肟磺酸酯基之下述式(a4)所表示之化合物等。

上述式(a4)中，R^12a表示1價、2價，或3價之有機基，R^13a表示被取代或未取代之飽和烴基、不飽和烴基，或芳香族性化合物基，n表示括弧內之結構的重複單位數。

上述式(a4)中，芳香族性化合物基為表示，可顯示出芳香族化合物特有之物理性‧化學性性質之化合物之基，可列舉如，苯基、萘基等芳基，或，呋喃基、噻吩基等雜芳基等。該些之環上所適合之取代基，可列舉如，可具有1個以上之鹵素原子、烷基、烷氧基、硝基等。又，R^13a，以碳原子數1~6之烷基為特佳，例如，甲基、乙基、丙基、丁基等。特別是以R^12a為芳香族性化合物基，R^13a為碳原子數1~4之烷基的化合物為佳。

上述式(a4)所表示之酸產生劑，於n=1之時，R^12a為苯基、甲基苯基、甲氧基苯基之任一者，R^13a為甲基之化合物，具體內容，可列舉如，α-(甲基磺醯基氧亞胺基)-1-苯基乙腈、α-(甲基磺醯基氧亞胺基)-1-(p-甲基苯基)乙腈、α-(甲基磺醯基氧亞胺基)-1-(p-甲氧基苯基)乙腈、〔2-(丙基磺醯基氧亞胺基)-2,3-二 羥基噻吩-3-亞基〕(o-甲苯基)乙腈等。n=2之時，上述式(a4)所表示之酸產生劑，具體內容，可列舉如，下述式所表示之酸產生劑等。

又，(A)酸產生劑中之第四態樣，例如，陽離子部具有萘環之鎓鹽等。該「具有萘環」係指，具有由萘產生之結構之意，且係至少2個之環的結構，與可維持該些之芳香族性之意。該萘環可具有作為取代基之碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷基、羥基、碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷氧基等。由萘環產生之結構，可為一價基(遊離原子價為1價)亦可、2價基(遊離原子價為2價)以上亦可，又以一價基為佳(但，此時，為去除與上述取代基鍵結之部份後，所計算之遊離原子價之數)。萘環之數以1~3為佳。

該些陽離子部具有萘環之鎓鹽的陽離子部，以下述式(a5)所表示之結構為佳。

上述式(a5)中，R^14a、R^15a、R^16a中之至少一個表示下述式(a6)所表示之基，其他為碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷基、可具有取代基之苯基、羥基，或碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷氧基。或，R^14a、R^15a、R^16a中之1個為下述式(a6)所表示之基，其他2個各自獨立為碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，該些之末端可鍵結形成環狀。

上述式(a6)中，R^17a、R^18a，各自獨立表示羥基、碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷氧基，或碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷基，R^19a表示單鍵或可具有取代基之碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基。l及m各自獨立表示0~2之整數，l+m為3以下。但，R^17a為複數存在之情形、該些可互相為相同或相異皆可。又，R^18a為複數存在之情形，該些可互相為相同或相異皆可。

上述R^14a、R^15a、R^16a中之上述式(a6)所表 示之基之數，就化合物之安定性之觀點，較佳為1個，其他為碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，該些之末端可鍵結形成環狀。該情形中，上述2個伸烷基，包含硫原子為具有3~9員環之構成。構成環之原子(包含硫原子)之數目，較佳為5~6。

又，上述伸烷基所可具有之取代基，可列舉如，氧原子(該情形中，與構成伸烷基之碳原子一同形成羰基)、羥基等。

又，苯基所可具有之取代基，可列舉如，羥基、碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷氧基、碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷基等。

作為該些陽離子部，較佳者，可列舉如，下述式(a7)、(a8)所表示者等，特別是以下述式(a8)所表示之結構為佳。

該些陽離子部，可為錪鹽亦可、鋶鹽亦可，就酸產生效率等之觀點，又以鋶鹽為更佳。

因此，作為陽離子部具有萘環之鎓鹽的陰離子部較適合者，以可形成鋶鹽之陰離子者為佳。

該些酸產生劑之陰離子部，為氫原子之一部 份或全部被氟化之氟烷基磺酸離子或芳基磺酸離子。

氟烷基磺酸離子中之烷基，為碳原子數1~20之直鏈狀亦可、支鏈狀亦可、環狀亦可，就所產生之酸的體積大小與其之擴散距離之觀點，以碳原子數1~10為佳。特別是，就支鏈狀或環狀者，以擴散距離較短而為較佳。又，就可廉價合成之觀點，以使用甲基、乙基、丙基、丁基、辛基等為較佳之例示。

芳基磺酸離子中之芳基為，碳原子數6~20之芳基，且係可被烷基、鹵素原子所取代或未被取代之苯基、萘基等。特別是，就可廉價合成之觀點，以碳原子數6~10之芳基為佳。較佳之具體例如，苯基、甲苯磺醯基、乙基苯基、萘基、甲基萘基等。

上述氟烷基磺酸離子或芳基磺酸離子中，氫原子的一部份或全部被氟化之情形中的氟化率，較佳為10~100%、更佳為50~100%，特別是全部氫原子被氟原子所取代者，以其可增加酸之強度，而為更佳。該些化合物，具體而言，可列舉如，三氟甲烷磺酸酯、全氟丁烷磺酸酯、全氟辛烷磺酸酯、全氟苯磺酸酯等。

該些之中，較佳之陰離子部，可列舉如，下述式(a9)所表示者等。

【化12】R ^20a SO ₃ ^- (a9)

上述式(a9)中，R^20a為下述式(a10)、(a11)所表示之基，或下述式(a12)所表示之基。

上述式(a10)中，x表示1~4之整數。又，上述式(a11)中，R^21a表示氫原子、羥基、碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷基，或碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷氧基，y表示1~3之整數。該些之中，就安全性之觀點，又以三氟甲烷磺酸酯、全氟丁烷磺酸酯為佳。

又，陰離子部，可使用下述式(a13)、(a14)所表示之含氮化合物。

上述式(a13)、(a14)中，X^a表示至少1個氫原子被氟原子所取代之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，該伸烷基之碳原子數為2~6，較佳為3~5、最佳為碳原子數3。又，Y^a、Z^a，各自獨立表示至少1個氫原子被氟原 子所取代之直鏈狀或支鏈狀之烷基，該烷基之碳原子數為1~10，較佳為1~7，更佳為1~3。

X^a之伸烷基之碳原子數，或Y^a、Z^a之烷基之碳原子數越小時，以其對有機溶劑亦具有良好之溶解性，而為較佳。

又，X^a之伸烷基或Y^a、Z^a之烷基中，被氟原子所取代之氫原子數越多時，以其可增加酸之強度，而為更佳。該伸烷基或烷基中之氟原子之比例，即氟化率，較佳為70~100%，更佳為90~100%，最佳為全部氫原子被氟原子所取代之全氟伸烷基或全氟烷基。

該些陽離子部具有萘環之鎓鹽中，較佳之例示，可列舉如，下述式(a15)、(a16)所表示之化合物等。

又，(A)酸產生劑中之第五態樣，可列舉如，雙(p-甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(1,1-二甲基乙基磺醯基)重氮甲烷、雙(環己基磺醯基)重氮甲烷、雙(2,4-二甲基苯基磺醯基)重氮甲烷等雙磺醯基重氮甲烷類；p-甲苯磺酸2-硝基苄酯、p-甲苯磺酸2,6-二硝基苄酯、硝基苄基甲苯磺酸酯、二硝基苄基甲苯磺酸酯、硝基 苄基磺酸酯、硝基苄基碳酸酯、二硝基苄基碳酸酯等硝基苄基衍生物；五倍子酚三氟甲磺酸酯(Trimesylat)、五倍子酚三甲苯磺酸酯、苄基甲苯磺酸酯、苄基磺酸酯、N-甲基磺醯基氧琥珀醯亞胺、N-三氯甲基磺醯基氧琥珀醯亞胺、N-苯基磺醯基氧馬來醯亞胺、N-甲基磺醯基氧酞醯亞胺等磺酸酯類；N-羥基酞醯亞胺、N-羥基萘二醯亞胺等三氟甲烷磺酸酯類；二苯基錪六氟磷酸酯、(4-甲氧基苯基)苯基錪三氟甲烷磺酸酯、雙(p-tert-丁基苯基)錪三氟甲烷磺酸酯、三苯基鋶六氟磷酸酯、(4-甲氧基苯基)二苯基鋶三氟甲烷磺酸酯、(p-tert-丁基苯基)二苯基鋶三氟甲烷磺酸酯等鎓鹽類；苯偶姻甲苯磺酸酯、α-甲基苯偶姻甲苯磺酸酯等苯偶姻甲苯磺酸酯類；其他之二苯基錪鹽、三苯基鋶鹽、苯基重氮鎓鹽、苄基碳酸酯等。

該(A)酸產生劑可單獨使用，或將2種以上組合使用亦可。又，(A)酸產生劑之含量，相對於感光性樹脂組成物之全質量，以0.1~10質量%為佳，以0.5~3質量%為較佳。(A)酸產生劑之使用量於上述範圍時，可具備有良好之感度，形成均勻之溶液，而適合製作具有優良保存安定性之感光性樹脂組成物。

<(B)樹脂>

(B)經由酸之作用而增大對鹼之溶解性的樹脂為含有，(B-3)含有包含：含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基的丙烯酸酯所衍生之結構單位的丙烯酸樹脂(以下， 亦記載為(B-3)丙烯酸樹脂)。感光性樹脂組成物含有(B-3)丙烯酸樹脂時，可形成具有良好之截面形狀、膜厚為10μm以上的厚膜圖型。又，(B)經由酸之作用而增大對鹼之溶解性的樹脂，亦可含有以往添加於正型感光性樹脂組成物之上述(B-3)丙烯酸樹脂以外之樹脂。

感光性樹脂組成物所含的全樹脂成份中之(B-3)丙烯酸樹脂之含量，相對於(B)經由酸之作用而增大對鹼之溶解性的樹脂之質量，與後述(D)鹼可溶性樹脂之質量之合計，為70質量%以上，以90質量%以上為佳，以100質量%為較佳。

以下，將依序說明(B)經由酸之作用而增大對鹼之溶解性的樹脂之較佳例的(B1)酚醛清漆樹脂、(B2)聚羥基苯乙烯樹脂，及(B3)丙烯酸樹脂。

〔(B1)酚醛清漆樹脂〕

(B1)酚醛清漆樹脂，可使用含有下述式(b1)所表示之結構單位之樹脂。

上述式(b1)中，R^1b表示酸解離性溶解抑制基，R^2b、R^3b，各自獨立表示氫原子或碳原子數1~6之 烷基。

上述R^1b所表示之酸解離性溶解抑制基，以下述式(b2)、(b3)所表示之基、碳原子數1~6之直鏈狀、支鏈狀，或環狀之烷基、乙烯基氧乙基、四氫吡喃基、四氫呋喃基，或三烷基矽烷基為佳。

上述式(b2)、(b3)中，R^4b、R^5b，各自獨立表示氫原子，或碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷基，R^6b表示碳原子數1~10之直鏈狀、支鏈狀，或環狀之烷基，R^7b表示碳原子數1~6之直鏈狀、支鏈狀，或環狀之烷基，o表示0或1。

上述直鏈狀或支鏈狀之烷基，可列舉如，甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。又，上述環狀之烷基，可列舉如，環戊基、環己基等。

其中，上述式(b2)所表示之酸解離性溶解抑制基，具體而言，可列舉如，甲氧基乙基、乙氧基乙基、n-丙氧基乙基、異丙氧基乙基、n-丁氧基乙基、異丁氧基乙基、tert-丁氧基乙基、環己氧乙基、甲氧基丙基、乙氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基-乙基、1-乙氧基-1-甲基乙 基等。又，上述式(b3)所表示之酸解離性溶解抑制基，具體而言，可列舉如，tert-丁氧基羰基、tert-丁氧基羰基甲基等。又，上述三烷基矽烷基，可列舉如，三甲基矽烷基、三-tert-丁基二甲基矽烷基等各烷基之碳原子數為1~6者等。

〔(B2)聚羥基苯乙烯樹脂〕

(B2)聚羥基苯乙烯樹脂，可使用含有下述式(b4)所表示之結構單位之樹脂。

上述式(b4)中，R^8b表示氫原子或碳原子數1~6之烷基，R^9b表示酸解離性溶解抑制基。

上述碳原子數1~6之烷基，可列舉如，碳原子數1~6之直鏈狀、支鏈狀，或環狀之烷基。直鏈狀或支鏈狀之烷基，可列舉如，甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等，環狀之烷基，可列舉如，環戊基、環己基等。

上述R^9b所表示之酸解離性溶解抑制基，可使用與上述式(b2)、(b3)所例示者為相同之酸解離性溶 解抑制基。

此外，(B2)聚羥基苯乙烯樹脂，就將物理性、化學性特性進行適當控制之目的，可含有其他聚合性化合物作為結構單位。該些聚合性化合物，例如，公知之自由基聚合性化合物，或陰離子聚合性化合物等。又，該些聚合性化合物，可列舉如，丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等單羧酸類；馬來酸、富馬酸、依康酸等二羧酸類；2-甲基丙醯氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙醯氧基乙基馬來酸、2-甲基丙醯氧基乙基苯二甲酸、2-甲基丙醯氧基乙基六氫苯二甲酸等羧基及具有酯鍵結之甲基丙烯酸衍生物類；甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸烷酯類；2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸羥烷酯類；苯基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸芳酯類；馬來酸二乙酯、富馬酸二丁酯等二羧酸二酯類；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、羥基苯乙烯、α-甲基羥基苯乙烯、α-乙基羥基苯乙烯等含有乙烯基之芳香族化合物類；乙酸乙烯基等含有乙烯基之脂肪族化合物類；丁二烯、異戊二烯等共軛二烯類；丙烯腈、甲基丙烯腈等含有腈基之聚合性化合物類；聚氯乙烯、二氯乙烯等含氯之聚合性化合物；丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺等含有醯胺鍵結之聚合性化合物類；等。

〔(B3)丙烯酸樹脂〕

如上所述般，感光性樹脂組成物，必須含有(B-3)含有包含：含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基之丙烯酸酯所衍生之結構單位的丙烯酸樹脂。因此，(B3)丙烯酸樹脂，以(B-3)含有：包含含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基之丙烯酸酯所衍生之結構單位之丙烯酸樹脂為佳。以下，將對作為(B3)丙烯酸樹脂為較佳樹脂之(B-3)丙烯酸樹脂進行說明。

((B-3)丙烯酸樹脂)

(B-3)丙烯酸樹脂為含有含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基。因此，(B-3)丙烯酸樹脂，必須含有包含：含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基之結構單位(b-3)。

其中，「含-SO₂-之環式基」係指，其環骨架中含有含-SO₂-之環的環式基之意，具體而言為-SO₂-中之硫原子(S)形成為環式基之環骨架的一部份之環式基。該環骨架中，以含有-SO₂-之環作為一個環之方式計數，僅為該環之情形稱為單環式基、尚具有其他環結構之情形，無論其結構為何，皆稱為多環式基。含-SO₂-之環式基，可為單環式亦可、多環式亦可。

含-SO₂-之環式基，特別是其環骨架中含有-O-SO₂-之環式基、即以含有-O-SO₂-中之-O-S-形成環骨架之一部份的磺內酯(sultone)環之環式基為佳。

含-SO₂-之環式基之碳原子數，以3~30為佳，以4~20為較佳，以4~15為更佳，以4~12為特佳。該碳原子數為構成環骨架之碳原子之數，但不包含取代基中之碳原子數者。

含-SO₂-之環式基，可為含-SO₂-之脂肪族環式基亦可、含-SO₂-之芳香族環式基亦可。較佳為含-SO₂-之脂肪族環式基。

含-SO₂-之脂肪族環式基，可列舉如，由構成其環骨架之碳原子的一部份被-SO₂-，或-O-SO₂-所取代之脂肪族烴環去除至少1個氫原子所得之基等。更具體而言，由構成其環骨架之-CH₂-被-SO₂-所取代之脂肪族烴環去除至少1個氫原子所得之基、由構成其環之-CH₂-CH₂-被-O-SO₂-所取代之脂肪族烴環去除至少1個氫原子所得之基等。

該脂環式烴環之碳原子數，以3~20為佳，以3~12為較佳。該脂環式烴環，可為多環式者亦可、單環式者亦可。單環式之脂環式烴基，以由碳原子數3~6之單環鏈烷去除2個氫原子所得之基為佳。該單環鏈烷，可列舉如，環戊烷、環己烷等。作為多環式之脂環式烴環，以碳原子數7~12之多環鏈烷去除2個氫原子之基為佳，該多環鏈烷，具體而言，可列舉如，金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

含-SO₂-之環式基可具有取代基。該取代基，可列舉如，烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、 氧原子(=O)、-COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基、氰基等。

該作為取代基之烷基，以碳原子數1~6之烷基為佳。該烷基以直鏈狀或支鏈狀為佳。具體而言，可列舉如，甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、n-戊基、異戊基、新戊基、n-己基等。該些之中，又以甲基，或乙基為佳，以甲基為特佳。

該作為取代基之烷氧基，以碳原子數1~6之烷氧基為佳。該烷氧基以直鏈狀或支鏈狀為佳。具體而言，例如，前述作為取代基之烷基所列舉之烷基鍵結氧原子(-O-)所得之基等。

該作為取代基之鹵素原子，可列舉如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，氟原子為佳。

該取代基之鹵化烷基，例如，前述之烷基的一部份或全部之氫原子被前述鹵素原子所取代之基等。

該作為取代基之鹵化烷基，例如，前述作為取代基之烷基所列舉之烷基的一部份或全部之氫原子被前述鹵素原子所取代之基等。該鹵化烷基，以氟化烷基為佳，特別是以全氟烷基為佳。

前述-COOR”、-OC(=O)R”中之R”，其任一者皆為氫原子或碳原子數1~15之直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基。

R”為直鏈狀或支鏈狀烷基之情形，該鏈狀烷基之碳原子數，以1~10為佳，以1~5為較佳，以1或2為特佳。

R”為環狀之烷基之情形，該環狀之烷基之碳原子數以3~15為佳，以4~12為較佳，以5~10為特佳。具體而言，可列舉如，由可被氟原子，或氟化烷基所取代亦可、未被取代亦可之單環鏈烷，或二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等例示。更具體而言，例如，由環戊烷、環己烷等單環鏈烷，或金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。

作為該取代基之羥烷基，以碳原子數1~6之羥烷基為佳。具體而言，可列舉如，前述作為取代基之烷基所列舉之烷基中之至少1個氫原子被羥基所取代之基等。

含-SO₂-之環式基，更具體而言，可列舉如，下述式(3-1)~(3-4)所表示之基等。

(式中，A’為可含有氧原子或硫原子之碳原子數1~5之伸烷基、氧原子或硫原子，z為0~2之整數，R^10b為烷基、烷氧基、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基，或氰基，R”為氫原子，或烷基。)

上述式(3-1)~(3-4)中，A’為可含有氧原 子(-O-)或硫原子(-S-)之碳原子數1~5之伸烷基、氧原子，或硫原子。A’中之碳原子數1~5之伸烷基，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基為佳，可列舉如，伸甲基、伸乙基、n-伸丙基、異伸丙基等。

該伸烷基含有氧原子或硫原子之情形，其具體例如，於前述之伸烷基之末端或碳原子間介有-O-，或-S-所得之基等，可列舉如-O-CH₂-、-CH₂-O-CH₂-、-S-CH₂-、-CH₂-S-CH₂-等。A’以碳原子數1~5之伸烷基，或-O-為佳，以碳原子數1~5之伸烷基為較佳，以伸甲基為最佳。

z可為0~2之任一者，又以0為最佳。z為2之情形，複數個R^10b分別為相同亦可、相異亦可。

R^10b中之烷基、烷氧基、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基，分別與含-SO₂-之環式基所可具有之取代基所列舉之烷基、烷氧基、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”，及羥烷基於上述說明之內容為相同之內容。

以下為前述式(3-1)~(3-4)所表示之具體環式基之例示。又，式中之「Ac」表示乙醯基。

含-SO₂-之環式基，於上述之中，又以由前述式(3-1)所表示之基為佳，前述化學式(3-1-1)、(3-1-18)、(3-3-1)，及(3-4-1)之任一者所表示之基所成之群所選出之至少一種為較佳，以前述化學式(3-1-1)所表示之基為最佳。

「含內酯之環式基」係指，其環骨架中含有含-O-C(=O)-之環(內酯環)的環式基。以內酯環作為一個環之方式計數，僅為內酯環之情形稱為單環式基，尚具有其他環結構之情形，無論其結構為何，皆稱為多環式基。含內酯之環式基，為單環式基亦可、多環式基亦可。

結構單位(b-3)中之內酯環式基，並未有特別之限定，而可使用任意之內容。具體而言，含內酯之單環式基為由4~6員環內酯去除1個氫原子所得之基，可列舉如，由β-丙內酯去除1個氫原子所得之基、由γ-丁內酯去除1個氫原子所得之基、δ-戊內酯去除1個氫原子所得之基等。又，含內酯之多環式基，例如，由具有內酯環之二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷去除1個氫原子所得之基等。

結構單位(b-3)，只要為具有含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基者時，其他部份之結構並未有特別之限定，又以由α位的碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有含-SO₂-之環式基的結構單位(b-3-S)，及α位的碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有含內酯之環式基之結構單位(b-3-L)所成之群所選出之至少1種之結構單位為佳。

〔結構單位(b-3-S)〕

結構單位(b-3-S)之例，更具體而言，可列舉如， 下述式(b-S1)所表示之結構單位等。

(式中，R為氫原子、碳原子數1~5之烷基，或碳原子數1~5之鹵化烷基，R^11b為含-SO₂-之環式基，R^12b為單鍵，或2價之連結基。)

式(b-S1)中，R與前述為相同之內容。

R^11b，與前述所列舉之含-SO₂-之環式基為相同之內容。

R^12b，可為單鍵、2價之連結基中之任一者皆可。就使本發明效果更優良之觀點，以2價之連結基為佳。

作為R^12b中之2價之連結基，並未有特別之限定，又以可具有取代基之2價之烴基、含有雜原子之2價之連結基等為較佳之例示。

(可具有取代基之2價之烴基)

作為2價之連結基之烴基，可為脂肪族烴基亦可、芳香族烴基亦可。脂肪族烴基係指，不具有芳香族性之烴基之意。該脂肪族烴基，可為飽和者亦可、不飽和亦可。通常以飽和烴基為佳。該脂肪族烴基，更具體而言，例如，直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、結構中含有環之脂肪族烴 基等。

前述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之碳原子數，以1~10為佳，以1~8為較佳，以1~5為更佳。

直鏈狀之脂肪族烴基，以直鏈狀之伸烷基為佳。具體而言，可列舉如，伸甲基[-CH₂-]、伸乙基[-(CH₂)₂-]、伸三甲基[-(CH₂)₃-]、伸四甲基[-(CH₂)₄-]、伸五甲基[-(CH₂)₅-]等。

支鏈狀之脂肪族烴基，以支鏈狀之伸烷基為佳。具體而言，可列舉如-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等烷基伸甲基；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-、-C(CH₂CH₃)₂-CH₂-等烷基伸乙基；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等烷基伸三甲基；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等烷基伸四甲基等烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，以碳原子數1~5之直鏈狀烷基為佳。

上述之直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，可具有取代氫原子之取代基(氫原子以外之基或原子)亦可，不具有亦可。該取代基，可列舉如，氟原子、氟原子所取代之碳原子數1~5之氟化烷基、側氧基(=O)等。

上述結構中含有環之脂肪族烴基，可列舉如，環結構中可含有含雜原子之取代基的環狀之脂肪族烴基(由脂肪族烴環去除2個氫原子所得之基)、該環狀之 脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基末端之基、該環狀之脂肪族烴基介於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基中途之基等。上述之直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基與前述為相同之內容。

環狀之脂肪族烴基之碳原子數，以3~20為佳，以3~12為較佳。

環狀之脂肪族烴基，可為多環式者亦可、單環式者亦可。單環式之脂肪族烴基，以由單環鏈烷去除2個氫原子所得之基為佳。該單環鏈烷之碳原子數，以3~6為佳。具體而言，可列舉如，環戊烷、環己烷等。多環式之脂肪族烴基，以由多環鏈烷去除2個氫原子所得之基為佳。該多環鏈烷之碳原子數，以7~12為佳。具體而言，可列舉如，金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

環狀之脂肪族烴基，可具有取代氫原子之取代基(氫原子以外之基或原子)亦可、不具有亦可。該取代基，可列舉如，烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、側氧基(=O)等。

上述作為取代基之烷基，以碳原子數1~5之烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基，及tert-丁基為較佳。

上述作為取代基之烷氧基，以碳原子數1~5之烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基，及tert-丁氧基為較佳，以甲氧基，及乙氧 基為特佳。

上述作為取代基之鹵素原子，例如，氟原子、氯原子、溴原子，及碘原子等，又以氟原子為佳。

上述作為取代基之鹵化烷基，例如，前述之烷基的一部份或全部之氫原子被上述鹵素原子所取代之基等。

環狀之脂肪族烴基中，構成該環結構之碳原子之一部份可被-O-，或-S-所取代。該含有雜原子之取代基，以-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂-、-S(=O)₂-O-為佳。

作為2價烴基之芳香族烴基，為至少具有1個芳香環之2價之烴基，其可具有取代基。芳香環，只要為具有4n+2個π電子之環狀共軛系時，並未有特別之限定，其可為單環式或多環式皆可。芳香環之碳原子數，以5~30為佳，以5~20為較佳，以6~15為更佳，以6~12為特佳。但，該碳原子數中，為不包含取代基之碳原子數者。

芳香環，具體而言，可列舉如，苯、萘、蒽，及菲等芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子中之一部份被雜原子所取代之芳香族雜環；等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉如，氧原子、硫原子、氮原子等。芳香族雜環，具體而言，可列舉如，吡啶環、噻吩環等。

作為2價烴基之芳香族烴基，具體而言，可列舉如，由上述芳香族烴環或芳香族雜環去除2個氫原子 所得之基(伸芳基，或雜伸芳基)；由含有2個以上之芳香環之芳香族化合物(可列舉如，聯苯、茀等)去除2個氫原子所得之基；由上述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子所得之基(芳基，或雜芳基)中之1個氫原子被伸烷基所取代之基(可列舉如，苄基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳基烷基中之芳基再去除1個氫原子所得之基)；等。

上述芳基，或雜芳基所鍵結之伸烷基之碳原子數，以1~4為佳，以1~2為較佳，以1為特佳。

上述芳香族烴基中，該芳香族烴基所具有之氫原子可被取代基所取代亦可。可列舉如，該芳香族烴基中之芳香環所鍵結之氫原子可被取代基所取代亦可。該取代基，可列舉如，烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、側氧基(=O)等。

上述作為取代基之烷基，以碳原子數1~5之烷基為佳，以甲基、乙基、n-丙基、n-丁基，及tert-丁基為較佳。

上述作為取代基之烷氧基，以碳原子數1~5之烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基，及tert-丁氧基為佳，以甲氧基，及乙氧基為較佳。

上述作為取代基之鹵素原子，可列舉如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，氟原子為佳。

上述作為取代基之鹵化烷基，例如，前述之 烷基之氫原子的一部份或全部被前述鹵素原子所取代之基等。

(含有雜原子之2價之連結基)

含有雜原子之2價之連結基中之雜原子，係為碳原子及氫原子以外之原子，可列舉如，氧原子、氮原子、硫原子，及鹵素原子等。

作為含有雜原子之2價之連結基、具體而言，例如-O-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂-、-S(=O)₂-O-、-NH-、-NH-C(=O)-、-NH-C(=NH)-、=N-等非烴系連結基、該些非烴系連結基中之至少1種與2價烴基之組合等。該2價之烴基，可列舉如，與上述可具有取代基之2價之烴基為相同之內容等，又以直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基為佳。

上述之中-C(=O)-NH-中之-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-中之H，可分別被烷基、醯基等取代基所取代。該取代基之碳原子數，以1~10為佳，以1~8為較佳，以1~5為特佳。

作為R^12b中之2價之連結基，特別是以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、環狀之脂肪族烴基，或含有雜原子之2價之連結基為佳。

R^12b中之2價之連結基為直鏈狀或支鏈狀伸烷基之情形，該伸烷基之碳原子數，以1~10為佳，以1~6為較佳，以1~4為特佳，以1~3為最佳。具體而言， 可列舉如，與前述作為2價之連結基之「可具有取代基之2價之烴基」的說明中，被列舉為直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基的直鏈狀之伸烷基、支鏈狀之伸烷基為相同之內容。

R^12b中之2價之連結基為環狀之脂肪族烴基之情形，該環狀之脂肪族烴基，與前述作為2價之連結基之「可具有取代基之2價之烴基」的說明中，被列舉作為「結構中含有環之脂肪族烴基」的環狀之脂肪族烴基為相同之內容。

該環狀之脂肪族烴基，以由環戊烷、環己烷、降莰烷、異莰烷、金剛烷、三環癸烷，或四環十二烷去除2個以上之氫原子所得之基為特佳。

R^12b中之2價之連結基，為含有雜原子之2價之連結基的情形，該連結基中較佳者，可列舉如-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-(H可被烷基、醯基等取代基所取代)、-S-、-S(=O)₂-、-S(=O)₂-O-、通式-Y¹-O-Y²-、-[Y¹-C(=O)-O]_m’-Y²-，或-Y¹-O-C(=O)-Y₂-所表示之基〔式中，Y¹，及Y²各自獨立表示可具有取代基之2價之烴基，O為氧原子，m’為0~3之整數〕等。

R^12b中之2價之連結基為-NH-之情形，-NH-中之氫原子可被烷基、醯基等取代基所取代。該取代基(烷基、醯基等)之碳原子數，以1~10為佳，以1~8為較佳，以1~5為特佳。

式-Y¹-O-Y²-、-[Y¹-C(=O)-O]_m’-Y²-，或-Y¹-O-C(=O)-Y²-中，Y¹，及Y²，各自獨立表示可具有取代基之2價之烴基。該2價之烴基，與前述作為2價之連結基之說明所列舉之「可具有取代基之2價之烴基」為相同之內容。

Y¹，以直鏈狀之脂肪族烴基為佳，直鏈狀之伸烷基為較佳，以碳數1~5之直鏈狀之伸烷基為較佳，以伸甲基，及伸乙基為特佳。

Y²，以直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基為佳，以伸甲基、伸乙基，及烷基伸甲基為較佳。該烷基伸甲基中之烷基，以碳數1~5之直鏈狀烷基為佳，以碳數1~3之直鏈狀烷基為較佳，以甲基為特佳。

式-[Y¹-C(=O)-O]_m’-Y²-所表示之基中，m’為0~3之整數，又以0~2之整數為佳，以0或1為較佳，以1為特佳。即，式-[Y¹-C(=O)-O]_m’-Y²-所表示之基，以式-Y¹-C(=O)-O-Y²-所表示之基為特佳。其中，又以式-(CH₂)_a’-C(=O)-O-(CH₂)_b’-所表示之基為佳。該式中，a’為1~10之整數，以1~8之整數為佳，以1~5之整數為較佳，以1，或2為更佳，以1為最佳。b’為1~10之整數，以1~8之整數為佳，以1~5之整數為較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。

R^12b中之2價之連結基中，作為含有雜原子之2價之連結基，以至少1種的非烴基與2價烴基之組合所形成之有機基為佳。其中，具有作為雜原子之氧原子的直 鏈狀之基，可列舉如，以含有醚鍵結，或酯鍵結之基為佳，以前述式-Y¹-O-Y²-、-[Y¹-C(=O)-O]_m’-Y²-，或-Y¹-O-C(=O)-Y²-所表示之基為較佳，以前述式-[Y¹-C(=O)-O]_m’-Y²-，或-Y¹-O-C(=O)-Y²-所表示之基為特佳。

作為R^12b中2價之連結基，以伸烷基，或含有酯鍵結(-C(=O)-O-)者為佳。

該伸烷基，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基為佳。該直鏈狀之脂肪族烴基的較佳例，可列舉如，伸甲基[-CH₂-]、伸乙基[-(CH₂)₂-]、伸三甲基[-(CH₂)₃-]、伸四甲基[-(CH₂)₄-]，及伸五甲基[-(CH₂)₅-]等。該支鏈狀之伸烷基之較佳例，可列舉如-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等烷基伸甲基；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-、-C(CH₂CH₃)₂-CH₂-等烷基伸乙基；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等烷基伸三甲基；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等烷基伸四甲基等烷基伸烷基等。

含有酯鍵結之2價之連結基，特別是以式：-R^13b-C(=O)-O-〔式中，R^13b為2價之連結基〕所表示之基為佳。即，結構單位(b-3-S)，以下述式(b-S1-1)所表示之結構單位為佳。

(式中，R，及R^11b分別與前述為相同之內容，R^13b為2價之連結基。)

R^13b，並未有特別之限定，可列舉如，前述R^12b中之2價之連結基為相同之內容。

R^13b之2價之連結基，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、結構中含有環之脂肪族烴基，或含有雜原子之2價之連結基為佳，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或含有作為雜原子之氧原子的2價之連結基為佳。

直鏈狀之伸烷基，以伸甲基，或伸乙基為佳，以伸甲基為特佳。支鏈狀之伸烷基，可列舉如，以烷基伸甲基，或烷基伸乙基為佳，以-CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂-，或-C(CH₃)₂CH₂-為特佳。

作為含有氧原子之2價之連結基，以含有醚鍵結，或酯鍵結之2價之連結基為佳，以前述-Y¹-O-Y²-、-[Y¹-C(=O)-O]_m’-Y²-，或-Y¹-O-C(=O)-Y²-為較佳。Y¹，及Y²各自獨立表示可具有取代基之2價之烴基，m’為0~3之整數。其中，又以-Y¹-O-C(=O)-Y²-為佳，以-(CH₂)_c-O-C(=O)-(CH₂)_d-所表示之基為特佳。c為1~5之整數，以1或2為佳。d為1~5之整數，以1或2為 佳。

結構單位(b-3-S)，特別是以下述式(b-S1-11)，或(b-S1-12)所表示之結構單位為佳，以式(b-S1-12)所表示之結構單位為較佳。

(式中，R、A’、R^10b、z，及R^13b分別與前述為相同之內容。)

式(b-S1-11)中，A’為伸甲基、氧原子(-O-)，或硫原子(-S-)為佳。

R^13b，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或含氧原子的2價之連結基為佳。作為R^13b中之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、含有氧原子之2價之連結基，分別與前述之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、含氧原子的2價之連結基為相同之內容。

式(b-S1-12)所表示之結構單位，特別是以下述式(b-S1-12a)，或(b-S1-12b)所表示之結構單位為佳。

(式中，R，及A’分別與前述為相同之內容，c~e各自獨立為1~3之整數。)

〔結構單位(b-3-L)〕

結構單位(b-3-L)之例，可列舉如，前述式(b-S1)中之R^11b被含內酯之環式基所取代者等，更具體而言，可列舉如，下述式(b-L1)~(b-L5)所表示之結構單位等。

(式中，R為氫原子、碳原子數1~5之烷基，或碳原子數1~5之鹵化烷基；R’各自獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基，或氰基，R”為氫原子，或烷基；R^12b為單鍵，或2價之連結基，s”為0~2之整數；A”為可含有氧原子或硫原子之碳原子數1~5之伸烷基、氧原子，或硫原子；r為0或1。)

式(b-L1)~(b-L5)中之R，與前述為相同之內容。

R’中之烷基、烷氧基、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基，分別與含-SO₂-之環式基所可具有之取代基所列舉之烷基、烷氧基、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基中之前述內容為相同之內容。

R’，於考慮工業上容易取得等觀點，以氫原子為佳。

R”中之烷基，可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者皆 可。

R”為直鏈狀或支鏈狀烷基之情形，以碳原子數1~10為佳，以碳原子數1~5為更佳。

R”為環狀之烷基之情形，以碳原子數3~15為佳，以碳原子數4~12為更佳，以碳原子數5~10為最佳。具體而言，可列舉如，由可被氟原子或氟化烷基所取代亦可、未被取代亦可之單環鏈烷、二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等例示。具體而言，可列舉如，由環戊烷、環己烷等單環鏈烷，或金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。

A”，與前述式(3-1)中之A’為相同之內容。A”以碳數1~5之伸烷基、氧原子(-O-)或硫原子(-S-)為佳，以碳原子數1~5之伸烷基，或-O-為較佳。碳原子數1~5之伸烷基，以伸甲基，或二甲基伸甲基為較佳，以伸甲基為最佳。

R^12b，與前述式(b-S1)中之R^12b為相同之內容。

式(b-L1)中，s”以1~2為佳。

以下為前述式(b-L1)~(b-L3)所表示之結構單位的具體例示。以下各式中，R^α表示氫原子、甲基，或三氟甲基。

結構單位(b-3-L)，以由前述式(b-L1)~(b-L5)所表示之結構單位所成之群所選出之至少1種為佳，以由式(b-L1)~(b-L3)所表示之結構單位所成之群所選出之至少1種為較佳，以由前述式(b-L1)，或(b-L3)所表示之結構單位所成之群所選出之至少1種為特佳。

其中，又以由前述式(b-L1-1)、(b-L1-2)、(b-L2-1)、(b-L2-7)、(b-L2-12)、(b-L2-14)、(b-L3-1)，及(b-L3-5)所表示之結構單位所成之群所選出之至少1種為佳。

又，結構單位(b-3-L)，以下述式(b-L6)~(b-L7)所表示之結構單位亦佳。

式(b-L6)及(b-L7)中，R及R^12b與前述為相同之 內容。

又，(B-3)丙烯酸樹脂中，經由酸之作用而提高(B-3)丙烯酸樹脂對鹼之溶解性的結構單位，為含有具有酸解離性基之下述式(b5)~(b7)所表示之結構單位。

上述式(b5)~(b7)中，R^14b，及R^18b~R^23b，各自獨立地表示氫原子、碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷基、氟原子，或碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之氟化烷基，R^15b~R^17b，各自獨立表示碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之烷基，或碳原子數1~6之直鏈狀或支鏈狀之氟化烷基，R^16b及R^17b可互相鍵結，而與兩者所鍵結之碳原子共同形成碳原子數5~20之烴環，Y^b表示可具有取代基之脂肪族環式基或烷基，p表示0~4之整數，q表示0或1。

又，上述直鏈狀或支鏈狀之烷基，可列舉 如，甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。又，氟化烷基係指，上述烷基的一部份或全部之氫原子被氟原子所取代者。

上述R^16b及R^17b未相互鍵結而形成烴環之情形，上述R^15b、R^16b，及R^17b中，就具有高對比度，且具有良好解析度、焦點景深寬度等觀點，以碳原子數2~4之直鏈狀或支鏈狀之烷基為佳。上述R^19b、R^20b、R^22b、R^23b，以氫原子或甲基為佳。

上述R^16b及R^17b，亦可與兩者所鍵結之碳原子共同形成碳原子數5~20之脂肪族環式基。該些脂肪族環式基之具體例，例如，由單環鏈烷、二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。具體而言，可列舉如，由環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷等單環鏈烷，或金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。特別是，由環己烷、金剛烷去除1個以上之氫原子所得之基(其可再具有取代基)為佳。

此外，上述R^16b及R^17b所形成之脂肪族環式基，其環骨架上具有取代基之情形，該取代基之例，可列舉如，羥基、羧基、氰基、氧原子(=O)等極性基，或碳原子數1~4之直鏈狀或支鏈狀之烷基等。極性基，特別是以氧原子(=O)為佳。

上述Y^b，可列舉如，由脂肪族環式基或烷基，例如單環鏈烷、二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等多 環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。具體而言，例如，由環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷等單環鏈烷，或金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。特別是以由金剛烷去除1個以上之氫原子所得之基(其可再具有取代基)為佳。

此外，上述Y^b之脂肪族環式基，於其環骨架上具有取代基之情形，該取代基之例，例如，羥基、羧基、氰基、氧原子(=O)等極性基，或碳原子數1~4之直鏈狀或支鏈狀之烷基等。極性基，特別是以氧原子(=O)為佳。

又，Y^b為烷基之情形，以碳原子數1~20、較佳為6~15之直鏈狀或支鏈狀之烷基為佳。該些烷基，特別是以烷氧基烷基為佳，該些烷氧基烷基，可列舉如，1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-n-丙氧基乙基、1-異丙氧基乙基、1-n-丁氧基乙基、1-異丁氧基乙基、1-tert-丁氧基乙基、1-甲氧基丙基、1-乙氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基-乙基、1-乙氧基-1-甲基乙基等。

上述式(b5)所表示之結構單位之較佳具體例，例如，下述式(b5-1)~(b5-33)所表示者等。

上述式(b5-1)~(b5-33)中，R^24b表示氫原子或甲基。

上述式(b6)所表示之結構單位之較佳具體例，例如，下述式(b6-1)~(b6-25)所表示者等。

上述式(b6-1)~(b6-25)中，R^24b表示氫原子或甲基。

上述式(b7)所表示之結構單位之較佳具體例，例如，下述式(b7-1)~(b7-15)所表示者等。

上述式(b7-1)~(b7-15)中，R^24b表示氫原子或甲基。

以上說明之式(b5)~(b7)所表示之結構單位之中，就合成之容易度且容易具有較高感度化之觀點，以式(b6)所表示之結構單位為佳。又，式(b6)所表示之結構單位之中，又以Y^b為烷基之結構單位為佳，以R^19b及R^20b中之一者或二者為烷基之結構單位為佳。

此外，(B-3)丙烯酸樹脂，以含有上述式 (b5)~(b7)所表示之結構單位，同時再含有由具有醚鍵結之聚合性化合物所衍生的結構單位的共聚物所形成之樹脂為佳。

上述具有醚鍵結之聚合性化合物，可列舉如，具有醚鍵結及酯鍵結之(甲基)丙烯酸衍生物等自由基聚合性化合物等，其具體例如，2-甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、3-甲氧基丁基(甲基)丙烯酸酯、乙基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、四氫糠基(甲基)丙烯酸酯等。又，上述具有醚鍵結之聚合性化合物，較佳為2-甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯。該些之聚合性化合物，可單獨使用亦可、將2種以上組合使用亦可。

此外，(B-3)丙烯酸樹脂中，就可適當控制物理性、化學性特性之目的時，可添加含有其他聚合性化合物作為結構單位。該些聚合性化合物，例如，公知之自由基聚合性化合物，或陰離子聚合性化合物等。

該些聚合性化合物，可列舉如，丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等單羧酸類；馬來酸、富馬酸、依康酸等二羧酸類；2-甲基丙醯氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙醯氧基乙基馬來酸、2-甲基丙醯氧基乙基苯二甲酸、2-甲基丙醯氧基乙基六氫苯二甲酸等具有羧基及酯鍵結之甲基丙烯 酸衍生物類；甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸烷酯類；2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸羥烷酯類；苯基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸芳酯類；馬來酸二乙酯、富馬酸二丁酯等二羧酸二酯類；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、羥基苯乙烯、α-甲基羥基苯乙烯、α-乙基羥基苯乙烯等含有乙烯基之芳香族化合物類；乙酸乙烯基等含有乙烯基之脂肪族化合物類；丁二烯、異戊二烯等共軛二烯類；丙烯腈、甲基丙烯腈等含有腈基之聚合性化合物類；聚氯乙烯、二氯乙烯等含氯之聚合性化合物；丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺等含有醯胺鍵結之聚合性化合物類；等。

如上所述般，(B-3)丙烯酸樹脂，可含有由上述單羧酸類或二羧酸類般具有羧基之聚合性化合物所產生之結構單位。但是，就可形成含有具有良好截面形狀之矩形的非光阻部之光阻圖型之觀點，(B-3)丙烯酸樹脂，以實質上不含有由具有羧基之聚合性化合物所產生之結構單位為佳。具體而言，(B-3)丙烯酸樹脂中之具有羧基之聚合性化合物所產生之結構單位之比率，以5質量%以下為佳，以3質量%以下為較佳，以1質量%以下為特佳。

又，聚合性化合物，可列舉如，具有非酸解 離性之脂肪族多環式基之(甲基)丙烯酸酯類、含乙烯基之芳香族化合物類等。非酸解離性之脂肪族多環式基，特別是以三環癸基、金剛烷基、四環十二烷基、異莰基、降莰基等，就工業上容易取得等觀點，而為較佳。該些脂肪族多環式基，可具有碳原子數1~5之直鏈狀或支鏈狀烷基作為取代基。

具有非酸解離性之脂肪族多環式基之(甲基)丙烯酸酯類，具體而言，可列舉如，下述式(b8-1)~(b8-5)之結構等。

上述式(b8-1)~(b8-5)中，R^25b表示氫原子或甲基。

(B-3)丙烯酸樹脂中，含有含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基的結構單位(b-3)，以含有5質量%以上者為佳，以含有10質量%以上者為較佳，以含有10~50質量%者為特佳，以含有10~30質量%者為最佳。感光性樹脂組成物，如含有上述範圍內之量的含有含 -SO₂-之環式基，或含內酯之環式基的結構單位(b-3)時，可容易兼具良好之顯影性，與良好的圖型形狀。

又，(B-3)丙烯酸樹脂中，前述式(b5)~(b7)所表示之結構單位，以含有5質量%以上者為佳，以含有10質量%以上者為較佳，以含有10~50質量%者為特佳。

(B-3)丙烯酸樹脂，以含有由上述具有醚鍵結之聚合性化合物所產生之結構單位者為佳。(B-3)丙烯酸樹脂中之具有醚鍵結之聚合性化合物所產生之結構單位之含量，以0~50質量%為佳，以5~30質量%為較佳。

(B-3)丙烯酸樹脂，以含有上述具有非酸解離性之脂肪族多環式基之(甲基)丙烯酸酯類所產生之結構單位者為佳。(B-3)丙烯酸樹脂中之具有非酸解離性之脂肪族多環式基的(甲基)丙烯酸酯類所產生之結構單位之含量，以0~50質量%為佳，以5~30質量%為較佳。

感光性樹脂組成物只要含有特定量之(B-3)丙烯酸樹脂，亦可使用以上說明之(B-3)丙烯酸樹脂以外的丙烯酸樹脂或(B)樹脂。該些(B-3)丙烯酸樹脂以外之丙烯酸樹脂，只要為含有前述式(b5)~(b7)所表示之結構單位之樹脂時，並未有特別之限定。

以上說明之(B)樹脂的聚苯乙烯換算質量平均分子量，較佳為10000~600000，更佳為20000~ 400000，最佳為30000~300000。於該些質量平均分子量範圍時，不會降低與基板之剝離性，而可使感光性樹脂層保持充分之強度，此外，也可防止鍍敷時外觀之膨脹或龜裂之發生。

又，(B)樹脂之分散度以1.05以上為佳。其中，分散度係指，質量平均分子量除以數平均分子量之值。具有該些分散度時，可迴避相對於所期待之鍍敷的耐應力性，或經由鍍敷處理所得到的金屬層容易膨脹等問題。

(B)樹脂之含量，以相對於感光性樹脂組成物全質量，為5~60質量%者為佳。

<(C)鹼可溶性樹脂>

感光性樹脂組成物，就提高耐龜裂性之觀點，可配合必要時再含有(C)鹼可溶性樹脂。其中，鹼可溶性樹脂係指，將樹脂濃度20質量%之樹脂溶液(溶劑：丙二醇單甲基醚乙酸酯)，於基板上形成膜厚1μm之樹脂膜，在將其浸漬於2.38質量%之TMAH水溶液1分鐘之際，可被溶解0.01μm以上者之意。

(C)鹼可溶性樹脂，只要是不會阻礙本發明目的之範圍，可使用以往添加於正型感光性樹脂組成物之各種樹脂。但，感光性樹脂組成物，以不含具有作為鹼可溶性基之羧基的樹脂為佳。(C)鹼可溶性樹脂，以由(C1)酚醛清漆樹脂、(C2)聚羥基苯乙烯樹脂，及 (C3)丙烯酸樹脂所成群所選出之至少1種之樹脂為佳。

〔(C1)酚醛清漆樹脂〕

(C1)酚醛清漆樹脂，可列舉如，由具有酚性羥基之芳香族化合物(以下，亦簡稱為「酚類」)與醛類於酸觸媒下進行加成縮合而可製得。

上述酚類，可列舉如，酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、o-乙酚、m-乙酚、p-乙酚、o-丁酚、m-丁酚、p-丁酚、2,3-二甲酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、2,6-二甲酚、3,4-二甲酚、3,5-二甲酚、2,3,5-三甲酚、3,4,5-三甲酚、p-苯酚、間苯二酚、氫醌、氫醌單甲基醚、五倍子酚、間苯三酚、羥基二苯酯、雙酚A、没食子酸、没食子酸酯、α-萘酚、β-萘酚等。

上述醛類，可列舉如，甲醛、糠醛、苯甲醛、硝基苯甲醛、乙醯醛等。

加成縮合反應時之觸媒，並未有特別之限定，可列舉如，酸觸媒可使用鹽酸、硝酸、硫酸、甲酸、草酸、乙酸等。

又，使用o-甲酚、樹脂中之羥基的氫原子被其他取代基所取代、或使用大體積醛類時，可使酚醛清漆樹脂之柔軟性更向上提升。

(C1)酚醛清漆樹脂之質量平均分子量，於未阻礙本發明目的之範圍時，並未有特別之限定，又以1000~50000為佳。

〔(C2)聚羥基苯乙烯樹脂〕

構成(C2)聚羥基苯乙烯樹脂之羥基苯乙烯系化合物，可列舉如，p-羥基苯乙烯、α-甲基羥基苯乙烯、α-乙基羥基苯乙烯等。

此外，(C2)聚羥基苯乙烯樹脂，又以與苯乙烯樹脂之共聚物為佳。構成該些苯乙烯樹脂之苯乙烯系化合物，可列舉如，苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯等。

(C2)聚羥基苯乙烯樹脂之質量平均分子量，於未阻礙本發明目的之範圍時，並未有特別之限定，又以1000~50000為佳。

〔(C3)丙烯酸樹脂〕

(C3)丙烯酸樹脂，以含有由具有醚鍵結之聚合性化合物所衍生之結構單位，及由具有羧基之聚合性化合物所衍生之結構單位者為佳。

上述具有醚鍵結之聚合性化合物，可列舉如，2-甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、3-甲氧基丁基(甲基)丙烯酸酯、乙基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、四氫糠基(甲基)丙烯酸酯等具有醚鍵結及酯鍵結之(甲基)丙烯酸衍生物等。上述具有醚鍵結之聚合性化合物，較佳為、 2-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇丙烯酸酯。該些聚合性化合物，可單獨使用亦可、將2種以上組合使用亦可。

上述具有羧基之聚合性化合物，可列舉如，丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等單羧酸類；馬來酸、富馬酸、依康酸等二羧酸類；2-甲基丙醯氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙醯氧基乙基馬來酸、2-甲基丙醯氧基乙基苯二甲酸、2-甲基丙醯氧基乙基六氫苯二甲酸等具有羧基及酯鍵結之化合物；等例示。上述具有羧基之聚合性化合物，較佳為丙烯酸、甲基丙烯酸。該些聚合性化合物，可單獨使用亦可、將2種以上組合使用亦可。

(C3)丙烯酸樹脂之質量平均分子量，於未阻礙本發明目的之範圍，並未有特別之限定，又以50000~800000為佳。

(C)鹼可溶性樹脂，於感光性樹脂組成物中，相對於上述(B)樹脂，及(C)鹼可溶性樹脂之總質量，前述(B-3)含有包含：含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基的丙烯酸酯所衍生之結構單位的丙烯酸樹脂之含量，為使用70質量%以上。因此，感光性樹脂組成物中，(C)鹼可溶性樹脂之含量，相對於上述(B)樹脂及(C)鹼可溶性樹脂之總量，為30質量%以下，又以20質量%以下為佳，以10質量%以下為較佳，以0質量%為特佳。(C)鹼可溶性樹脂之含量越少時，感光性樹脂組成物之感度會有越優良之傾向。

<(D)酸擴散控制劑>

感光性樹脂組成物，就提高良好形狀之圖型形狀，或提升感光性樹脂膜之靜置安定性等，以再含有(D)酸擴散控制劑為佳。(D)酸擴散控制劑，以(D1)含氮化合物為佳，再依其必要性，可再含有(D2)有機羧酸，或磷之含氧酸或其衍生物亦可。

〔(D1)含氮化合物〕

(D1)含氮化合物，可列舉如，三甲基胺、二乙基胺、三乙基胺、二-n-丙基胺、三-n-丙基胺、三-n-戊基胺、三苄基胺、二乙醇胺、三乙醇胺、n-己基胺、n-庚基胺、n-辛基胺、n-壬基胺、伸乙基二胺、N,N,N’,N’-四甲基伸乙基二胺、伸四甲基二胺、伸六甲基二胺、4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯甲酮、4,4’-二胺基二苯基胺、甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、丙醯胺、苯甲醯胺、吡咯啶酮、N-甲基吡咯啶酮、甲基脲、1,1-二甲基脲、1,3-二甲基脲、1,1,3,3-四甲基脲、1,3-二苯基脲、咪唑、苯併咪唑、4-甲基咪唑、8-氧喹啉、吖啶、嘌呤、吡咯嗪、哌啶、2,4,6-三(2-吡啶基)-S-三

、嗎啉、4-甲基嗎啉、哌嗪、1,4-二甲基哌嗪、1,4-二氮雜二環〔2.2.2〕辛烷、吡啶等。該些可單獨使用亦可、將2種以上組合使用亦可。

(D1)含氮化合物，相對於上述(B)樹脂及上述(C)鹼可溶性樹脂之合計質量100質量份，通常為使用0~5質量份之範圍，又以使用0~3質量份之範圍為特佳。

〔(D2)有機羧酸，或磷之含氧酸或其衍生物〕

(D2)有機羧酸，或磷之含氧酸或其衍生物中，有機羧酸，具體而言，丙二酸、枸椽酸、蘋果酸、琥珀酸、安息香酸、水楊酸等為佳，特別是以水楊酸為佳。

磷之含氧酸或其衍生物，可列舉如，磷酸、磷酸二-n-丁酯、磷酸二苯酯等磷酸及該些之酯等衍生物；膦酸、膦酸二甲酯、膦酸-二-n-丁酯、膦酸苯酯、膦酸二苯酯、膦酸二苄酯等膦酸及該些之酯等衍生物；膦酸、膦酸苯酯等膦酸及該些之酯等衍生物；等。該些之中，又特別是以膦酸為佳。該些可單獨使用亦可、將2種以上組合使用亦可。

(D2)有機羧酸，或磷之含氧酸或其衍生物，相對於上述(B)樹脂及上述(C)鹼可溶性樹脂之合計質量100質量份，通常為使用0~5質量份之範圍，又以使用0~3質量份之範圍者為特佳。

又，就可形成鹽而使其安定之觀點，(D2)有機羧酸，或磷之含氧酸或其衍生物，以使用與(D1)上述含氮化合物為同等量者為佳。

<(S)有機溶劑>

感光性樹脂組成物，就塗佈性之製作目的等，可含有(S)有機溶劑。(S)有機溶劑之種類，只要未阻礙本發明目的之範圍時，並未有特別之限定，其可由以往正型之感光性樹脂組成物所使用的有機溶劑中，適當地選擇使用。

(S)有機溶劑之具體例，可列舉如，丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基異戊酮、2-庚酮等酮類；乙二醇、乙二醇單乙酸酯、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、二丙二醇、二丙二醇單乙酸酯之單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚、單苯基醚等多元醇類及其衍生物；二噁烷等環式醚類；甲酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁烷酸甲酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯等酯類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；等。該些可單獨使用亦可、將2種以上混合使用亦可。

(S)有機溶劑之含量，只要未阻礙本發明目的之範圍時，並未有特別之限定。感光性樹脂組成物，於作為使用旋轉塗佈法等所得之感光性樹脂層的膜厚為10μm以上之厚膜用途之情形，感光性樹脂組成物之固形 分濃度以具有20~80質量%，較佳為30~70質量%之範圍之方式，使用(S)有機溶劑為佳。

<化學增幅型正型感光性樹脂組成物之製作方法>

化學增幅型正型感光性樹脂組成物，可將上述各成份以通常之方法混合、攪拌之方式予以製作。上述各成份，於混合、攪拌之際所可使用之裝置，可列舉如，直立式攪拌機(DISSOLVER)、均質攪拌機、3輥攪拌機等。將上述各成份均勻混合之後，所得之混合物，再使用網式、薄膜過濾器等進行過濾亦可。

<厚膜感光性乾薄膜>

以上所說明之感光性樹脂組成物，亦適合作為厚膜感光性乾薄膜之感光性樹脂層之材料。厚膜感光性乾薄膜，為具有基材薄膜，與形成於該基材薄膜表面之厚膜感光性樹脂層，該厚膜感光性樹脂層為由前述感光性樹脂組成物所形成者。

基材薄膜，以具有光透過性者為佳。具體而言，聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜、聚丙烯(PP)薄膜、聚乙烯(PE)薄膜等，就具有優良之光透過性及斷裂強度之平衡性等觀點，以聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜為佳。

於基材薄膜上形成厚膜之感光性樹脂層之際，可使用塗佈機(applicator)、棒狀塗佈機、線棒式 塗佈機、輥塗佈機、簾流式塗佈機等，以於基材薄膜上乾燥後之膜厚較佳為5~300μm、更佳為25~150μm、特佳為40~130μm之方式塗佈本發明感光性樹脂組成物後，再使其乾燥。

厚膜感光性乾薄膜，可於感光性樹脂層上再具有保護薄膜。該保護薄膜，可列舉如，聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜、聚丙烯(PP)薄膜、聚乙烯(PE)薄膜等。

≪厚膜光阻圖型之製造方法≫

使用上述說明之感光性樹脂組成物的厚膜光阻圖型之形成方法，並未有特別之限定，較佳之方法為，包含於基板上，使感光性樹脂組成物所形成之感光性樹脂層層合之層合步驟，與使用活性光線或輻射線照射感光性樹脂層之曝光步驟，與使曝光後之前述感光性樹脂層顯影之顯影步驟，之方法等。

層合感光性樹脂層之基板，並未有特別之限定，其可使用以往公知之物，可列舉如，電子零件用之基板，或於其上形成特定配線圖型之物等例示。該基板，可列舉如，矽、氮化矽、鈦、鉭、鈀、鈦鎢、銅、鉻、鐵、鋁等金屬製之基板或玻璃基板等。配線圖型之材料，可列舉如，可使用銅、焊錫、鉻、鋁、鎳、金等。

感光性樹脂層，例如，如以下所示般，層合於基板上。例如，將液狀之感光性樹脂組成物塗佈於基板上，經由加熱去除溶劑，而形成具有所期待膜厚之感光性樹脂層。感光性樹脂層之厚度，只要可形成厚度10μm以上之厚膜的光阻圖型的厚度時，並未有特別之限定。感光性樹脂層之膜厚並未有特別之限定，一般以10~150μm為佳，以20~120μm為較佳，以20~100μm為特佳。

又，經由於基板上貼合前述厚膜感光性乾薄膜之方式，也可於基板上層合感光性樹脂層。

將感光性樹脂組成物塗佈於基板上之方法，可採用旋轉塗佈法、狹縫塗佈法、輥塗佈法、網版印刷法、塗佈機(applicator)法等方法。對感光性樹脂層塗佈後，以進行燒焙為佳。塗佈後之燒焙條件，依感光性樹脂組成物中之各成份之種類、配合比例、塗佈膜厚等而有所不同，通常為於70~150℃、較佳為於80~140℃，進行2~60分鐘左右。

對於依上述方式所形成之感光性樹脂層，可介由特定圖型之遮罩，使用活性光線或輻射線，可列舉如，波長300~500nm之紫外線或可見光線進行選擇性照射(曝光)。

輻射線之線源，可使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、氬氣雷射等。又，輻射線為包含，微波、紅外線、可見光線、紫外線、X線、γ線、電子線、陽子線、中性子線、離子線等。輻射 線照射量，依感光性樹脂組成物之組成或感光性樹脂層之膜厚等而有所不同，例如，使用超高壓水銀燈之情形，為100~10000mJ/cm²。又，輻射線中，為使其產生酸，可包含使(A)酸產生劑活化之光線。

曝光後，可使用公知之方法加熱感光性樹脂層，以促進酸之擴散，於感光性樹脂膜中之被曝光部份，會使感光性樹脂層之鹼溶解性產生變化。

其次，對於被曝光之感光性樹脂層，可依以往已知之方法進行顯影，經由將不溶部份溶解、去除之方式，形成特定之光阻圖型。此時，顯影液為使用鹼性水溶液。

顯影液，可列舉如，可使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水、乙基胺、n-丙基胺、二乙基胺、二-n-丙基胺、三乙基胺、甲基二乙基胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、吡咯、哌啶、1,8-二氮雜二環〔5,4,0〕-7-十一烯、1,5-二氮雜二環〔4,3,0〕-5-壬烷等鹼類的水溶液。又，上述鹼類之水溶液經適量添加甲醇、乙醇等水溶性有機溶劑或界面活性劑所得之水溶液可作為顯影液使用。

顯影時間，依感光性樹脂組成物之組成或感光性樹脂層之膜厚等而有所不同，通常為1~30分鐘。顯影方法可使用液相法(liquid phase method)、浸漬法、覆液(puddle development)法、噴霧顯影法等任一種。

顯影後，使用流水洗淨30~90秒鐘後，使用 空氣槍，或烘箱等進行乾燥。經此方式，而可製造光阻圖型。

≪附有模具的基板之製造方法≫

為形成鍍敷成型體所使用的具備模具之附有模具的基板中，感光性樹脂組成物所形成之光阻圖型作為模具而被使用。光阻圖型中之非光阻部中，經由鍍敷而填充金屬，而形成鍍敷成型體。

形成附有模具的基板之際，基板為使用金屬基板。又，金屬基板中，只要形成鍍敷成型體之面的材質為金屬者即可。因此，金屬基板，其全體可為由金屬所形成之基板亦可，形成鍍敷成型體之面中的至少一部份為由金屬所形成之基板亦可。作為基板材質之較佳金屬例，又以銅、金、鋁為佳，以銅為較佳。

除使用上述金屬基板作為基板，與光阻圖型中之非光阻部的形狀為配合鍍敷成型體之形狀而設計者以外，附有模具的基板，為依與前述厚膜光阻圖型之製造方法為相同之方法予以製造。

≪鍍敷成型體之製造方法≫

上述方法所形成之附有模具的基板的模具中之非光阻部(以顯影液去除之部份)，經由鍍敷而埋入金屬等導體之方式，例如，可形成凸點或金屬台等連接端子般之鍍敷成型體。又，鍍敷處理方法並未有特別之限制，其可使用 以往公知之各種方法。鍍敷液，特別是以使用焊錫鍍敷、銅鍍敷、金鍍敷、鎳鍍敷液為較佳之例示。剩餘之模具，最後可依通常之方法，使用剝離液等予以去除。

上述鍍敷成型體之製造方法中，為使用感光性樹脂組成物，以具備具良好矩形之截面形狀的非光阻部的模具形成鍍敷成型體，故所形成之鍍敷成型體的截面形狀亦為良好之矩形。

[實施例]

以下，本發明將以實施例作更詳細之說明，但本發明並不受該些實施例所限定者。

〔實施例1~13，及比較例1~4〕

實施例，及比較例中，(A)酸產生劑為使用下式之化合物。

實施例，及比較例中，(B)經由酸之作用而增大對鹼之溶解性的樹脂，或(D)鹼可溶性樹脂，為使 用下述聚合物A~J、L，及M，與甲酚酚醛清漆樹脂之聚合物K。又，聚合物為共聚物之情形，構成共聚物之各單位中之括弧的右下數值為，相對於共聚物之質量，各單位含量之比例(質量%)之意。又，聚合物K~M之質量平均分子量(Mw)，與分散度(Mw/Mn)記載如表1所示。

實施例，及比較例中，酸擴散控制劑為使用三-n-戊基胺。

將表2所記載之種類及量的樹脂，與上述酸產生劑2質量份，與上述酸擴散控制劑0.02質量份，以固形分濃度為55質量%之方式，溶解於丙二醇單甲基醚乙酸酯中，製得實施例1~13，及比較例1~4之感光性樹脂組成物。使用所得之感光性樹脂組成物，形成厚膜光阻圖型之際的感度，與厚膜光阻圖型中之非光阻部之截面形狀，為依以下之方法進行評估。

〔感度之評估〕

將實施例1~13，及比較例1~4之感光性樹脂組成物，使用旋轉塗佈器塗佈於8英吋之銅基板上，形成可形 成膜厚10μm、65μm，或100μm之光阻圖型的膜厚之感光性樹脂層。隨後，將此感光性樹脂層於140℃下進行5分鐘預燒焙。預燒焙後，使用具有特定形狀之孔洞圖型的遮罩，與曝光裝置Prisma GHI(超級科技公司製)，將曝光量以進行段階性變化中，使用ghi線對圖型曝光。其次，將基板載置於加熱板上，進行100℃、3分鐘之曝光後加熱(PEB)。隨後，將2.38%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液滴入感光性樹脂層，於23℃下放置60秒鐘，將其進行4次重複顯影。隨後，使用流水洗淨，於氮氣流中製得具有60μm徑之接觸孔圖型的厚膜光阻圖型。

隨後，求取至未發現圖型殘渣之曝光量、即，形成厚膜光阻圖型所必需之最低曝光量，作為感度之指標。其結果係如下述表2所示。

〔非光阻部的截面形狀之評估〕

除將曝光量設定為上述最低曝光量的1.2倍以外，其他為使用實施例1~13，及比較例1~4之感光性樹脂組成物，與感度之評估相同方法般，形成具有60μm徑之接觸孔圖型的厚膜光阻圖型。又，厚膜光阻圖型，為使用1個感光性組成物樹脂分別形成膜厚10μm、65μm，及100μm等3種。對所形成之光阻圖型中之非光阻部(孔洞)的截面，測定CDmax及CDmin，並將CDmax/CDmin之值所得之孔洞的截面之矩形性，依以下基準進行 評估。CDmax及CDmin，為使用掃瞄型電子顯微鏡觀察光阻圖型之截面形狀，測定非光阻部的最大寬(CDmax)，與最小寬(CDmin)者。CDmax/CDmin之值越接近1時，表示孔洞之截面形狀為良好之矩形。非光阻部的截面形狀之評估結果，記載於下述表2之中。

◎：CDmax/CDmin未達1.1。

○：CDmax/CDmin為1.1以上、未達1.2。

△：CDmax/CDmin為1.2以上、未達1.3。

×：CDmax/CDmin為1.3以上。

依實施例1~13結果，得知其為含有(A)經由活性光線或輻射線之照射而產生酸之酸產生劑，與(B)經由酸之作用而增大對鹼之溶解性的樹脂，與(S)有機溶劑，其中，(B)樹脂為含有(B-3)含有包含：含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基的丙烯酸酯所衍生之結構單位的丙烯酸樹脂，其可以低曝光量形成具備有具良好的矩形之截面形狀的非光阻部的光阻圖型。

依比較例1及2，得知其為使用(B)樹脂為 不含有，含有含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基的丙烯酸酯所衍生之結構單位，而含有由不飽和羧酸所產生之結構單位的樹脂之感光性樹脂組成物之情形，使用該感光性樹脂組成物所形成之感光性樹脂膜，完全溶解於顯影液中，而無法形成光阻圖型。

依比較例3及4，得知其為使用(B)樹脂中所含有之含有包含：含-SO₂-之環式基，或含內酯之環式基的丙烯酸酯所衍生之結構單位的樹脂之含量未達70質量%之感光性樹脂組成物的情形，其為膜厚10μm左右之光阻圖型時，雖尚可以高曝光量形成光阻圖型，但光阻圖型之膜厚為65μm以上之情形，即使使用2000mJ/cm²以上之曝光量進行曝光時，其曝光部也無法完全溶解於顯影液中，而無法形成所期待之形狀的光阻圖型。

〔實施例14〕

將實施例1之感光性樹脂組成物，使用塗佈機(applicator)塗佈於PET薄膜上之後，將塗佈膜乾燥，得具備有膜厚120μm之感光性樹脂層的實施例14之厚膜感光性乾薄膜。

使用實施例14之厚膜感光性乾薄膜，以乾薄膜層合機(EXL-1200HSF1-CE、帝國層合系統股份有限公司製)，於速度1m/分鐘、壓力0.5MPa(G)、平台溫度80℃、滾筒溫度30℃之條件，將厚膜之感光性樹脂層貼付於銅濺鍍晶圓基板之表面，於基板上形成膜厚120μm 之感光性樹脂層。將所形成之感光性樹脂層，使用Prisma GHI(超級科技公司製)進行選擇性之曝光。其次，將基板載置於加熱板上，進行85℃、3分鐘之曝光後加熱(PEB)。隨後，將2.38%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液滴入感光性樹脂層，於23℃下放置60秒鐘，重複4次此步驟進行顯影。隨後，使用流水洗淨，於氮氣流下製得60μm徑之具有接觸孔圖型的厚膜光阻圖型。

Claims (9)

1. 一種厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其係圖型形成方法之為了形成感光性樹脂層而使用之厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物；前述圖型形成方法具備：於基板上形成膜厚10μm以上之感光性樹脂層之步驟、選擇性地曝光前述感光性樹脂層之步驟、與使經曝光之前述感光性樹脂層顯影之步驟；前述厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物含有：(A)經由活性光線或輻射線之照射而產生酸之酸產生劑，與(B)經由酸之作用而增大對鹼之溶解性的樹脂，與(S)有機溶劑；前述(B)經由酸之作用而增大對鹼之溶解性的樹脂為含有，(B-3)含有包含：含磺內酯之環式基，或含內酯之環式基的丙烯酸酯所衍生之結構單位的丙烯酸樹脂，相對於前述厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物所含的樹脂成份之全質量，前述(B-3)丙烯酸樹脂之質量之比例為70質量%以上。
2. 如請求項1之厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中，前述感光性樹脂層的膜厚為20μm以上。
3. 如請求項1之厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物，其中，前述厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物之固形分濃度為30~80質量%。
4. 如請求項1~3中任1項之厚膜用化學增幅型正型 感光性樹脂組成物，其為作為於金屬基板上製作以形成鍍敷成型體為目的之模具所使用者。
5. 一種厚膜感光性乾薄膜，其特徵為，具有基材薄膜，與形成於前述基材薄膜表面之厚膜之感光性樹脂層，又前述厚膜之感光性樹脂層為由如請求項1~4中任1項之厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物所形成者。
6. 如請求項5之厚膜感光性乾薄膜，其中，前述厚膜之感光性樹脂層的乾燥後之膜厚為5~300μm。
7. 一種厚膜光阻圖型之製造方法，其特徵為包含，於基板上，層合請求項1~3中任1項之厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物所形成之感光性樹脂層之層合步驟，與使用活性光線或輻射線照射前述感光性樹脂層之曝光步驟，與使曝光後之前述感光性樹脂層顯影之顯影步驟。
8. 一種附有模具的基板之製造方法，其特徵為包含，於金屬基板上，層合請求項4之厚膜用化學增幅型正型感光性樹脂組成物所形成之感光性樹脂層之層合步驟，與使用活性光線或輻射線照射前述感光性樹脂層之曝光步驟，與使曝光後之前述感光性樹脂層顯影，製作以形成鍍敷成型體為目的之模具的顯影步驟。
9. 一種鍍敷成型體之製造方法，其特徵為包含，對依請求項8之方法所製造之前述附有模具的基板施以鍍敷，於前述模具內形成鍍敷成型體之步驟。