TWI683030B - 金屬圖型外析出防止處理劑、及使用此處理劑之印刷配線基板與封裝之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明課題在於提供一種以使用直接有助於Pd殘渣之去活化的過氧化氫為前提，可抑制處理劑的歷時劣化，具體而言為鹼區域之過氧化氫的消耗，同時可抑制基底金屬的溶解，並可去除引起無電解鍍敷之圖型外析出的Pd殘渣的無電解鍍敷之圖型外析出防止處理劑。
解決手段為，本發明之金屬圖型外析出防止處理劑，其特徵為含有過氧化氫；及選自由醛醣、醛醣酸、醛醣二酸、彼等之鹽、及彼等之內酯體所成之群中的1種以上之化合物，且為pH7.1以上。
Description
本發明係有關於一種金屬圖型外析出防止處理劑、及使用此處理劑之印刷配線基板與封裝之製造方法。特別是，係有關於一種可去除金屬圖型外析出之成因的Pd殘渣及使其去活化的金屬圖型外析出防止處理劑、及使用該處理劑之印刷配線基板與封裝之製造方法。
基板上的印刷配線，一般係藉由在基材上形成金屬圖型，並進一步重複進行其他金屬皮膜之形成而得。例如，一般係在基板上形成作為前述金屬圖型的Cu圖型，並進一步僅在上述Cu圖型上選擇性地藉由鎳鍍敷等形成作為前述其他金屬皮膜的Ni皮膜。
此時，首先為了形成Cu圖型，而在基板上形成作為鍍敷觸媒核的鈀觸媒核(鍍敷觸媒處理)，接著進行無電解鍍銅處理。其後，遮蔽需要之導體迴路圖型，蝕刻掉不要的部分。藉此蝕刻可去除不要部分的Cu與鈀觸媒核，但有時鈀觸媒核會部分性地殘留(以下，有將附著
於金屬圖型以外之處的鈀稱為「Pd殘渣」)。於此狀態下進行下一步驟之無電解鍍鎳等時，有會對不要的部位實施上述鎳鍍敷等的問題。
因此，一般是在上述Cu圖型形成後，將附著於Cu圖型以外之處的多餘的鈀去除後，再進行下一步驟之無電解鍍敷處理(例如無電解鍍鎳等)。作為在此Pd殘渣去除步驟中使用的處理劑，迄今已提出有下述方式者。
首先第1種為將Pd殘渣溶解之方式的處理劑。例如專利文獻1中提出，藉由以選自硫氰酸鹽、硫代硫酸鹽、氰化合物、亞硫酸鹽及過錳酸鹽之至少1種為主成分的溶液，來去除不要的無電解鍍敷用觸媒。然而，於此方式中，為了發揮充分的Pd殘渣去除效果而進行過度的處理，而有作為基底金屬的Cu圖型溶解等問題。第2種為藉由使抑制劑吸附於Pd殘渣上，而使Pd殘渣去活化之方式的處理劑。然而，於此方式中，有起因於吸附之處理劑而容易發生其後之未鍍著或不均、特性的降低等問題。
第3種為藉由過氧化氫使Pd殘渣氧化，形成氧化鈀而予以去活化之方式的處理劑。以下，包含此Pd殘渣之去活化而稱為「去除Pd殘渣」。例如專利文獻2中揭示一種將形成於樹脂表面的鍍敷觸媒核氧化，再將氧化之鍍敷觸媒核溶解去除的鍍敷觸媒核去除方法。又，其中揭示前述鍍敷觸媒核係使用以過錳酸鹽、鉻酸鹽、過氧
化氫、過氯酸鹽、氯酸鹽、亞氯酸鹽、過氧酸鹽中至少任一種為主成分的氧化劑而氧化。於此方式中，雖然不會引起上述之未鍍著或不均、特性的降低，但有在鹼性下使用上述過氧化氫時，該過氧化氫顯著消耗，即處理劑之歷時劣化顯著而不耐實用等問題。
〔專利文獻1〕日本特開平8-139435號公報
〔專利文獻2〕日本特開2001-342574號公報
本發明係著眼於如上述之實情而完成者，其目的在於提供一種可抑制歷時劣化，且可抑制作為基底之Cu等金屬圖型的溶解，同時可充分去除屬無電解鍍敷之圖型外析出源的Pd殘渣(予以去活化)的金屬圖型外析出防止處理劑。以下，有將本發明之「金屬圖型外析出防止處理劑」稱為「圖型外析出防止處理劑」或僅稱「處理劑」。
可解決上述課題的本發明之金屬圖型外析出防止處理劑，其特徵為含有過氧化氫；及選自由醛醣、醛
醣酸、醛醣二酸、彼等之鹽、及彼等之內酯體所成之群中的1種以上之化合物，且為pH7.1以上。
較佳的是，前述化合物為前述醛醣、前述醛醣酸時其碳數為3~6，為前述醛醣二酸時其碳數為4~6。更佳的是，前述化合物其碳數為5及6之至少一者。
又，於本發明中，係規定一種使用上述金屬圖型外析出防止處理劑的印刷配線基板之製造方法。該印刷配線基板之製造方法係對形成有金屬圖型的基材，進行無電解鍍敷處理而製造印刷配線基板的方法，其特徵為依序至少包含：使前述形成有金屬圖型的基材與前述金屬圖型外析出防止處理劑接觸的步驟、及無電解鍍敷處理步驟。較佳的是，在前述與金屬圖型外析出防止處理劑接觸的步驟之後，經過以含有氰化合物的溶液進行處理的步驟後，實施前述無電解鍍敷處理步驟。
於本發明中，亦規定一種使用上述金屬圖型外析出防止處理劑的封裝之製造方法。該封裝之製造方法係對形成有金屬圖型的基材，進行無電解鍍敷處理而製造封裝的方法，其特徵為依序至少包含：使前述形成有金屬圖型的基材與前述金屬圖型外析出防止處理劑接觸的步驟、及無電解鍍敷處理步驟。較佳的是，在前述與金屬圖型外析出防止處理劑接觸的步驟之後，經過以含有氰化合物的溶液進行處理的步驟後，實施前述無電解鍍敷處理步驟。
透過使用本發明之圖型外析出防止處理劑，可抑制溶液的歷時劣化，具體而言為鹼區域之過氧化氫的劇烈消耗，因此，可抑制作為基底之金屬圖型的溶解同時可有效地進行引起行金屬圖型外析出之Pd殘渣的去除。
第1圖為按實施例之化合物的有無及種類別示出過氧化氫之歷時劣化的圖。
第2圖為按比較例之化合物的有無及種類別示出過氧化氫之歷時劣化的圖。
本案發明人等為解決前述課題而致力重複研究。最終，以不會在金屬圖型外析出而形成外觀良好的無電解鍍敷皮膜為目的，對無電解鍍敷處理前所實施之圖型外析出防止處理中使用的處理劑進行探討。以下，就本發明之處理劑加以說明。
首先，本發明之處理劑，為了去除Pd殘渣，係於鹼區域使用過氧化氫。過氧化氫可於鹼區域引起生成氧之反應，藉由此氧將Pd殘渣氧化而去活化。由於此反應係以Pd殘渣為觸媒，故可在Pd殘渣上選擇性地發生而將Pd殘渣有效地去活化。又，可去除Pd殘渣而不會溶解
作為基底之金屬圖型，例如Cu圖型。
然，如上述，若於鹼區域使用過氧化氫，則會因自分解而使過氧化氫劇烈消耗，即歷時劣化顯著而不耐實用。因此，為獲得可抑制處理劑的歷時劣化，具體而言為鹼區域之過氧化氫的消耗，可持續發揮上述過氧化氫的Pd殘渣去除效果，實用上可使用的處理劑而致力進行研究。
其結果，發現只要與上述過氧化氫共同含有選自由醛醣、醛醣酸、醛醣二酸、彼等之鹽、及彼等之內酯體所成之群中的1種以上之化合物即可，而完成本發明。
作為前述醛醣、前述醛醣酸，分別較佳使用碳數為3~6者。詳而言之，作為上述醛醣，可舉出碳數3之甘油醛、碳數4之赤蘚糖、蘇糖、碳數5之核糖、阿拉伯糖、木糖、來蘇糖、碳數6之阿洛糖、阿卓糖、葡萄糖、甘露糖、古羅糖、艾杜糖、半乳糖、塔羅糖。作為上述醛醣酸，可舉出碳數3之甘油酸、碳數4之三羥丁酸、蘇糖酸、碳數5之核糖酸、阿拉伯糖酸、木糖酸、來蘇糖酸、碳數6之阿洛糖酸、阿卓糖酸、葡萄糖酸、甘露糖酸、古羅糖酸、艾杜糖酸、半乳糖酸、塔羅糖酸。作為前述醛醣二酸，較佳使用碳數為4~6者。詳而言之，可舉出碳數4之赤蘚糖二酸、蘇糖二酸、碳數5之核糖二酸、阿拉伯糖二酸、木糖二酸、碳數6之阿洛糖二酸、阿卓糖二酸、葡萄糖二酸、甘露糖二酸、艾杜糖二酸、半乳糖二
酸。上述醛醣等可不區分立體異構物地使用。
又，可使用此等之鹽。作為鹽，可舉出Na、K等鹼金屬之鹽、Ca、Mg等鹼土金屬之鹽等。再者，亦可使用此等化合物之內酯體。
上述化合物當中，更佳為碳數為5及6的化合物。亦即，作為醛醣，更佳為碳數5之核糖、阿拉伯糖、木糖、來蘇糖、碳數6之阿洛糖、阿卓糖、葡萄糖、甘露糖、古羅糖、艾杜糖、半乳糖、塔羅糖。作為醛醣酸，更佳為碳數5之核糖酸、阿拉伯糖酸、木糖酸、來蘇糖酸、碳數6之阿洛糖酸、阿卓糖酸、葡萄糖酸、甘露糖酸、古羅糖酸、艾杜糖酸、半乳糖酸、塔羅糖酸。作為醛醣二酸，更佳為碳數5之核糖二酸、阿拉伯糖二酸、木糖二酸、碳數6之阿洛糖二酸、阿卓糖二酸、葡萄糖二酸、甘露糖二酸、艾杜糖二酸、半乳糖二酸。又，可使用此等之鹽。再者，亦可使用此等化合物之內酯體。
上述化合物的濃度係隨下述之過氧化氫量而異，但可含有例如0.0007mol/L以上，進一步為0.010mol/L以上，更進一步為0.07mol/L以上。此外，化合物的含量再多，其效果仍會達飽和，因此，上述化合物之含量的上限為7mol/L左右。該上限可進一步設為2mol/L以下，更進一步設為1mol/L以下。例如使用葡糖酸鈉作為前述化合物時，可取葡糖酸鈉濃度：0.07mol/L。
本發明中，如上述過氧化氫為必需者。該過
氧化氫的濃度可取例如0.03mol/L以上。前述過氧化氫的濃度可進一步取0.10mol/L以上，更進一步取0.50mol/L以上。此外，過氧化氫再多，其效果仍會達飽和，因此含量的上限為30mol/L左右。此上限可進一步設為20mol/L以下，更進一步設為10mol/L以下。
本發明之處理劑係以呈鹼性為前提，pH為7.1以上。pH較此為低時無法充分發揮過氧化氫之上述Pd殘渣去除效果。pH較佳為7.5~10。就本發明之處理劑而言，較佳為對上述化合物與過氧化氫添加水，並添加pH調整劑而控制成既定的pH。pH調整劑的種類，只要是可調整成上述之鹼性區域者則不特別限定，例如，可使用氫氧化鈉或硫酸等。本發明中，pH調整劑對處理劑總量的較佳含量，只要依據處理劑的組成適當地控制，以獲得較佳之pH即可。
其次，就使用上述處理劑之印刷配線基板與封裝之製造方法加以說明。
本發明之印刷配線基板與封裝之製造方法係對形成有金屬圖型的基材，進行用於在上述金屬圖型上形成其他金屬皮膜的無電解鍍敷處理，而製造印刷配線基板或封裝的方法，其特徵為依序至少包含：使前述形成有金屬圖型的基材，(i)與金屬圖型外析出防止處理劑接觸的步驟、(ii)用於形成其他金屬皮膜的無電解鍍敷處理步驟。
構成前述金屬圖型，即導體迴路的金屬只要是一般所使用者即可，可舉出例如Cu、W、Mo、Ag、Al、或以此等為基體的合金。此等當中，較佳使用導電性較高且可降低成本的Cu或Cu合金。
以下，以採無電解鍍敷處理法形成作為前述金屬圖型的Cu圖型，並形成作為前述其他金屬皮膜的Ni皮膜之場合為例加以說明。
採無電解鍍敷處理法形成前述金屬圖型時的條件，只要採用一般所施行的條件即可。例如形成Cu圖型時，係在基板上形成作為鍍敷觸媒核的鈀觸媒核(鍍敷觸媒處理)，接著進行無電解鍍銅處理。其後，遮蔽需要之導體迴路圖型，蝕刻掉不要的部分。接著按下述步驟，使形成有Cu圖型的基材與金屬圖型外析出防止處理劑接觸。
使用本發明之處理劑，進行向金屬圖型外(即Cu圖型外)的析出防止處理。只要使前述形成有Cu圖型的基材之表面接觸本發明之處理劑即可，可舉出例如以浸漬等方法來進行。
處理劑的液溫不特別限定，可取例如0~80℃的範圍內。尤以25~60℃的範圍內為佳。為提高該液溫，可舉出藉由如後述之實施例中所實施之使用水浴的間接加熱、或使用加熱器的直接加熱等進行加熱。
與上述處理劑的接觸時間(若採浸漬時為對上述處理劑的浸漬時間)較佳取1分鐘以上30分鐘以下。其原因在於，若未達1分鐘，無法充分進行處理，而容易殘留Pd殘渣。另一方面，即使過長，仍會引起生產性的降低，因此，宜如上述取30分鐘以下。
較佳的是，係以在上述步驟(i)之後，經過以含有氰化合物的溶液進行處理的步驟後，實施上述步驟(ii)之無電解鍍敷處理步驟為佳。就此以含有氰化合物的溶液進行處理的步驟，可舉出浸漬於含有例如0.01~1.5mol/L之氰化鉀等的氰化合物，液溫為例如0~80℃的溶液中達例如1分鐘以上30分鐘以下。
為了對上述施有Cu圖型等的基材，進一步形成作為其他金屬皮膜的例如Ni皮膜，而在上述金屬圖型外析出防止處理步驟後(較佳為進一步在以含有氰化合物的溶液進行處理的步驟之後)進行無電解鍍鎳處理。此步驟之條件不特別限定，可採用一般所進行的步驟。
本發明之印刷配線基板或封裝之製造方法中，對於上述說明以外的步驟不特別侷限，可採用一般所進行的步驟。例如，可舉出依序實施：作為實施前述無電解鍍鎳處理前之處理，以例如65℃、5分鐘使其浸漬於呈酸性溶液或鹼溶液的脫脂溶液中，而脫去表面之油脂等的脫脂步驟；以硫酸或過硫酸鈉等的蝕刻液將基板表面輕輕
地粗化(軟蝕刻)後，使用硫酸等的酸洗液去除表面所殘留之殘渣的軟蝕刻步驟；以周知之方法實施的酸洗步驟；形成用於無電解鍍鎳形成之鈀觸媒核的步驟等。又，在封裝之製造方法中，可進一步採用作為上述印刷配線基板之搭載方法或樹脂密封方法一般所進行的方法。
本發明之金屬圖型外析出防止處理劑，除如上述所例示使用於施加有Cu圖型的基材以外，亦可使用於例如形成上述Ni皮膜後，於此Ni皮膜上，進一步形成作為其他金屬皮膜的例如金皮膜之場合。亦即，亦可在對形成有Ni皮膜的基材，進一步進行用於形成其他金屬皮膜(金皮膜)的無電解鍍金處理前，以上述處理劑進行處理，而去除用於無電解鍍鎳處理之Pd的殘渣。
以下，舉出實施例對本發明更具體地加以說明，惟本發明理當不受下述實施例所限制，在可符合前‧後述之意旨的範圍內適當加以變更而實施亦屬理所當然者，而此等均包含於本發明技術範圍。此外，實施例中，作為金屬圖型係形成Cu圖型，惟本發明對於此Cu以外之金屬的圖型亦可適用。
實施例1中，係對化合物的種類與過氧化氫消耗率的關係進行探討。
詳言之，依下述程序求取過氧化氫消耗率。
1.對各燒杯裝入0.07mol/L的表1之化合物，添加去離子水(DI水)使其完全溶解。
2.對上述1之溶液添加過氧化氫水使濃度成為3mol/L，並進一步添加氫氧化鈉將pH調整為9，再加入去離子水使各燒杯的液面保持一致。
3.將上述2之燒杯置入設定成40℃的水浴中，使液溫成為40℃，於此40℃之狀態下放置6小時。然後，自開始放置起每隔1小時(1h)至達6小時(6h)為止，測定設上述過氧化氫濃度：3mol/L為100%時之過氧化氫濃度的比例。將其結果示於第1圖及第2圖。又，求出放置6小時後的過氧化氫消耗率。此過氧化氫消耗率係由100×〔(開始放置時的過氧化氫濃度)-(6小時後的過氧化氫濃度)〕/(開始放置時的過氧化氫濃度)之算式求得。將其結果示於表1。
由表1、第1圖及第2圖可知下述事實。亦即，可知在使用本發明之化合物時，開始放置後均幾乎未發生過氧化氫的消耗，經過6小時後仍有8成以上的過氧化氫存在。尤為表1之實施例1~8之化合物，經過6小時後過氧化氫消耗率仍為1%而幾乎未消耗。若與過氧化氫共同使用本發明所規定之化合物，可知可持續發揮過氧化氫之上述Pd殘渣去除效果而未發生歷時劣化。此外，由第1圖之結果可知，化合物的碳數較高者可得較高之效果。
相對於此，若為未添加化合物之空白組時(比較例1)，如第1圖及第2圖所示，自開始放置後隨即開始發生過氧化氫的消耗，於3小時(3h)後低於50%，於6小時後消耗達70%。又由第2圖之結果，若為比較例2~5時，也與前述比較例1之空白組同樣地，自開始放置後隨即開始發生過氧化氫的消耗，於3小時(3h)後低於50%，於6小時後消耗達70%。亦即，如比較例2或比較例3，包含羧酸的檸檬酸或乙酸無其效果。又，表1及第2圖中雖未示出，但甲酸亦無效果。由此等可知，糖類系統以外的羧酸無法獲得效果。又如比較例4所示，使用具有羧酸但不具羥基之碳數5的戊二酸亦無法獲得效果。再者，如比較例5所示，具有羥基但不具醛基或羧基之葡萄糖醇等的糖醇也無法獲得效果。
於實施例2中，係使用葡糖酸鈉作為化合物，並改變該葡糖酸鈉的濃度、或過氧化氫濃度、液性，來探討對作為基底金屬之Cu的溶解量、過氧化氫消耗率、及圖型外析出與鍍敷皮膜外觀所造成的影響。
依下述程序調製處理劑。
(1)對各燒杯裝入葡糖酸鈉，添加去離子水(DI水)使葡糖酸鈉的濃度成為表2所示濃度，使其完全溶解。
(2)對上述1之溶液添加過氧化氫而成為表2所示濃度，進而，在實施例1~8及比較例4中添加氫氧化鈉來調整pH，在比較例3中添加硫酸來調整pH，再加入去離子水使各燒杯的液面保持一致。
(3)將上述2之燒杯置入設定成與所表2所示液溫相同溫度的水浴中，如表2所示設定處理劑的液溫。
此外，作為比較例1，係準備使用氰化鉀：0.25mol/L(15g/L)來替代前述過氧化氫與葡糖酸鈉的處理劑；作為比較例2，係準備使用硫脲0.025mol/L(2g/L)、濃鹽酸0.6mol/L、及硝酸銨0.1mol/L來替代前述過氧化氫與葡糖酸鈉的處理劑。
將各處理劑在表2所示液溫下放置1小時。其後求取放置1小時後的過氧化氫消耗率。此過氧化氫消耗率係由100×〔(開始放置時的過氧化氫濃度)-(1小時後的過氧
化氫濃度)〕/(開始放置時的過氧化氫濃度)之算式求得。然後，將過氧化氫消耗率未達20%之場合評為合格。
其次，作為被處理體，係準備在尺寸5cm×5cm之銅板上形成有0.7mg/dm2之Pd皮膜者。將該被處理體以表2所示處理時間浸漬於上述處理劑。此外，在表2之實施例8中，係在浸漬於前述處理劑後，接著將其浸漬於0.25mol/L氰化鉀(40℃)1分鐘。浸漬於前述處理劑後，在實施例8中係浸漬於前述氰化鉀溶液之後，經洗淨後獲得評定用試樣。
使用該評定用試樣，依下述要領測定作為基底金屬之Cu的溶解量。進而，如下述進行圖型外析出的有無與鍍敷皮膜外觀的觀察。
以按處理劑每1升浸漬5000cm2的方式將銅板浸漬30分鐘後，測定處理劑中的銅濃度。其後，將該處理劑中的銅濃度為10mg/L以下之場合評為「可抑制基底金屬的溶解」而屬合格。
圖型外析出之評定係製作以下試樣後進行。亦即，準備在3cm×3cm的玻璃環氧樹脂基板上，使用Pd觸媒形成無電解鍍銅，再實施蝕刻而形成有線與間隔(L/S)=50μm/50μm之Cu圖型的試樣。接著，將該試樣以表2
所示處理時間浸漬於前述處理劑。然後，經洗淨後，進行無電解鍍鎳處理，形成厚度7μm的無電解鍍鎳。此外，在表2之實施例8中，係浸漬於前述處理劑後，接著將其浸漬於0.25mol/L氰化鉀(40℃)1分鐘。其後，經洗淨後，進行無電解鍍鎳處理，形成厚度7μm的無電解鍍鎳。
然後，以Cu圖型外未形成有鍍鎳之場合作為合格而評為OK，以Cu圖型外形成有鍍鎳之場合作為不合格而評為NG。又，以目視觀察鍍敷外觀，以未發生不均之場合作為鍍敷皮膜外觀合格而評為OK，以發生不均之場合作為鍍敷皮膜外觀不合格而評為NG。
將此等結果併記於表2。
由表2可知以下事實。比較例1係使用向來使用的Pd殘渣去除劑：氰化鉀水溶液來替代本發明所規定之過氧化氫與化合物的實例。就此比較例1，作為基底金屬之Cu的溶解量偏多。比較例2係使用含有含吸附系添加劑之Pd殘渣去除劑：硫脲、濃鹽酸、及硝酸銨的水溶液來替代本發明所規定之過氧化氫與化合物的實例。就此比較例2，作為基底金屬之Cu的溶解量亦偏多。又，鍍敷皮膜外觀發生不均。
比較例3係使用本發明所規定之過氧化氫與化合物，但因液性為酸性，作為基底金屬之Cu的溶解量偏多。液性若為酸性，一般認為主要是過氧化氫會使Cu溶出。又無法發揮過氧化氫所產生的Pd去除效果，Pd殘渣大量殘留而發生圖型外析出。而且，也發生了外觀不均，使得鍍敷皮膜外觀劣化。
比較例4係使用過氧化氫但未使用規定之化合物的實例。就此比較例4，可知過氧化氫消耗率極高，實用上無法使用。
相對於此，就實施例1~8，由於使用了本發明所規定之處理劑，未發生處理劑的歷時劣化，可抑制基底金屬的溶解同時良好地進行引起無電解鍍敷之圖型外析出的Pd殘渣的去除。
Claims (7)
- 一種金屬圖型外析出防止處理劑，其特徵為含有過氧化氫；及選自由醛醣、醛醣酸、醛醣二酸、彼等之鹽、及彼等之內酯體所成之群中的1種以上之化合物，且為pH7.1以上。
- 如請求項1之金屬圖型外析出防止處理劑，其中前述化合物為前述醛醣、前述醛醣酸時其碳數為3~6，為前述醛醣二酸時其碳數為4~6。
- 如請求項1之金屬圖型外析出防止處理劑，其中前述化合物其碳數為5及6之至少任一者。
- 一種印刷配線基板之製造方法，其係對形成有金屬圖型的基材，進行無電解鍍敷處理而製造印刷配線基板的方法，其特徵為依序至少包含：使前述形成有金屬圖型的基材與如請求項1至3中任一項之金屬圖型外析出防止處理劑接觸的步驟、及無電解鍍敷處理步驟。
- 如請求項4之印刷配線基板之製造方法，其中在前述與金屬圖型外析出防止處理劑接觸的步驟之後，經過以含有氰化合物的溶液進行處理的步驟後，實施前述無電解鍍敷處理步驟。
- 一種封裝之製造方法，其係對形成有金屬圖型的基材，進行無電解鍍敷處理而製造封裝的方法，其特徵為依序至少包含：使前述形成有金屬圖型的基材與如請求項1至3中任 一項之金屬圖型外析出防止處理劑接觸的步驟、及無電解鍍敷處理步驟。
- 如請求項6之封裝之製造方法，其中在前述與金屬圖型外析出防止處理劑接觸的步驟之後，經過以含有氰化合物的溶液進行處理的步驟後，實施前述無電解鍍敷處理步驟。
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