TWI681907B - 夾鏈帶、附夾鏈帶之袋體、及附夾鏈帶之袋體之製造方法、以及可良好接合長形構件之長形構件之接合方法、其裝置及夾鏈帶之接合裝置 - Google Patents

夾鏈帶、附夾鏈帶之袋體、及附夾鏈帶之袋體之製造方法、以及可良好接合長形構件之長形構件之接合方法、其裝置及夾鏈帶之接合裝置 Download PDF

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Abstract

於一體地設置有陽部(212)之帶狀之陽側基體部(211A)、及一體地設置有陰部(222)之陰側基體部(221A)，在與設置有陽部(212)或陰部(222)之側為相反側之面，積層形成吸光層(23)與接合層(24)。吸光層(23)含有波長吸收區域為800nm以上1200nm以下之吸收雷射光之吸光材料。接合層(24)含有熔點為60℃以上120℃以下之作為低熔點樹脂之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯。將夾鏈帶(20)接合於基材膜(11)時，藉由雷射光之照射，吸光層(23)加熱而將接合層(24)熔融。將已熔融之接合層(24)壓接於基材膜(11)並接合。基材膜(11)可在不產生熱劣化的情況下接合。

Description

夾鏈帶、附夾鏈帶之袋體、及附夾鏈帶之袋體之製造方法、以及可良好接合長形構件之長形構件之接合方法、其裝置及夾鏈帶之接合裝置
本發明係關於一種夾鏈帶、附夾鏈帶之袋體、及附夾鏈帶之袋體之製造方法、以及可良好地接合長形構件之長形構件之接合方法、其裝置及夾鏈帶之接合裝置。
先前，作為製造附夾鏈帶之袋體之方法，已知有將夾鏈帶藉由雷射照射而接著於膜之方法(例如，參照文獻1：美國專利第5279693號說明書)。
文獻1中記載之方法採用如下構成，即，使相互咬合之扣結件配置於摺疊之片材之間，使雷射光束以聚光之方式經由片材而照射至扣結件與片材之接合部分，而使相互接合。
然而，於如文獻1中所記載之先前之方法中，有產生如下不良之虞，即，藉由雷射之照射而產生片材之熱劣化，使片材之阻擋性降低，或因片材之熱收縮而產生皺褶或鬆馳等。
本發明之目的在於提供一種能夠利用能量線良好地接著之夾鏈帶、附夾鏈帶之袋體、及附夾鏈帶之袋體之製造方法、以及可良好地接合長形構件之長形構件之接合方法、其裝置及夾鏈帶之接合裝置。
本發明之夾鏈帶特徵在於：其係具備成對之陽構件及陰構件 者，且於至少一部分含有波長吸收區域為800nm以上1200nm以下之吸光材料。
該發明中，於至少一部分含有波長吸收區域為800nm以上1200nm以下之吸收能量線之吸光材料，故能夠使吸光材料效率良好地吸收能量線，且能夠僅熔融含有吸光構件之部分或與含有吸光構件之部分相鄰之含有樹脂之部分。藉此，可抑制安裝夾鏈帶之膜等產生熱劣化，從而可良好地接著。
此處，本發明中所謂能量線，只要係可照射者，則並無特別限制，可較佳地使用例如不可見光區域之波長之雷射光，例如可適當地選擇使用紫外區域之波長、紅外區域之波長等。
而且，本發明中，亦可設為如下構成：上述吸光材料係有機系化合物與無機系化合物中之至少任一者，該有機系化合物係酞菁系化合物、花青系化合物、銨鎓系(aminium)化合物、亞銨系化合物、方鎓(squalium)系化合物、聚次甲基系化合物、蒽醌系化合物、偶氮系化合物中之至少任一種，該無機系化合物係碳黑、金屬之單體、鹽、錯合物、氮化物、氧化物、氫氧化物中之至少任一種。
又，本發明中，亦可設為如下構成：上述陽構件係至少2層以上之積層構造，且具備陽側帶狀基部、及設置於上述陽側帶狀基部之一面之陽部，上述陰構件係至少2層以上之積層構造，且具備陰側帶狀基部、及設置於上述陰側帶狀基部之一面之能夠與上述陽部卡合之陰部，於上述陽側帶狀基部及上述陰側帶狀基部之至少任一者，將含有上述吸光材料之吸光層至少設置於除設置上述陽部及上述陰部之一面之表面層以外之至少1層。
該發明中，吸光層面向陽側帶狀基部及上述陰側帶狀基部之除設置有陽部及陰部之一面之表面層以外之至少1層、即安裝夾鏈帶時成為接合部分之側，故能夠藉由能量線之照射而僅使成為接合部分之 側熔融，可不損傷其他部位而效率良好地安裝夾鏈帶。
進而，本發明中，亦可設為如下構成：上述陽構件係至少3層以上之積層構造，且具備陽側帶狀基部、及設置於上述陽側帶狀基部之一面之陽部，上述陰構件係至少3層以上之積層構造，且具備陰側帶狀基部、及設置於上述陰側帶狀基部之一面之能夠與上述陽部卡合之陰部，上述陽側帶狀基部及上述陰側帶狀基部之至少任一者係具備接合層及吸光層，該接合層係面向與設置有上述陽部及上述陰部之一面為相反側之面而設置且含有熔點為60℃以上120℃以下之樹脂，該吸光層與上述接合層相鄰且含有上述吸光材料。
該發明中，於陽側帶狀基部及上述陰側帶狀基部之與設置有陽部及陰部之一面為相反側之面、即安裝夾鏈帶時成為接合部之側設置有含有特定熔點之樹脂之接合層。而且，與接合層相鄰之吸光層之吸光材料吸收所照射之能量線而溫度上升，從而使接合層熔融。藉此，能夠藉由能量線之照射而僅使成為接合部分之側熔融，可不損傷其他部位而效率良好地安裝夾鏈帶。進而，由於設為接合層本身不含吸光材料之構成，故亦可防止因吸光材料而損及與被安裝部位之接合性。
又，本發明中，亦可設為如下構成：上述陽部及上述陰部之至少任一者係由對800nm以上1200nm以下之波長未表現出吸收之樹脂而形成。
該發明中，藉由利用對800nm以上1200nm以下之波長未表現出吸收之樹脂而形成陽部及陰部，即便將能量線照射至陽部及陰部，亦可防止陽部及陰部熔融變形之不良狀況。
而且，本發明中，亦可設為如下構成：含有上述吸光材料之部分含有熔點為60℃以上120℃以下之樹脂。
該發明中，於含有吸光材料之部分含有特定熔點之樹脂，故可使藉由能量線之照射而使吸光材料吸光所產生之熱能直接作用於樹脂 之熔融，從而可將能量線之照射能量效率良好地利用於夾鏈帶之安裝。
又，本發明中，亦可設為如下構成：上述樹脂係以藉由茂金屬觸媒而生成之茂金屬系烯烴為主成分。
該發明中，使用以藉由茂金屬觸媒而生成之茂金屬系烯烴為主成分之樹脂，故可使分子量分佈狹小，且亦可謀求低熔點化，因此能以較低之能量效率良好地接合。
本發明之附夾鏈帶之袋體之特徵在於具備：袋本體，其係將膜重疊而成者；及本發明之夾鏈帶，其安裝於該袋本體之內表面。
該發明中，可使夾鏈帶之僅含有吸光構件之部分熔融，可抑制膜因能量線而熱劣化，從而可防止良率變差。
本發明之附夾鏈帶之袋體之製造方法之特徵在於：其係將本發明之夾鏈帶安裝於膜上而製造附夾鏈帶之袋體之製造方法，且實施：照射步驟，其係對上述夾鏈帶照射800nm以上1200nm以下之能量線；及接合步驟，其係使上述膜壓接於在上述照射步驟中熔融之上述夾鏈帶之被照射了上述能量線之部分。
該發明中，在對含有吸收特定之能量線之吸光材料之本發明之夾鏈帶照射能量線而使接合部分熔融之後，使膜壓接於熔融之接合部分，故可防止膜因能量線而熱劣化，從而可防止良率變差。進而，可將能量線之照射能量效率良好地利用於夾鏈帶之熔融，從而可效率良好地安裝夾鏈帶。
而且，本發明中，亦可設為如下構成：於上述照射步驟中，在使上述夾鏈帶保持於輥之周面之狀態下，使上述夾鏈帶沿上述輥移動，並且對上述夾鏈帶之面向上述輥之外表面方向且使上述膜接合之部分照射上述能量線，於上述接合步驟中，在較照射上述能量線之位置更靠上述輥之上述夾鏈帶移動之方向之下游側之位置，將上述膜捲 繞於上述輥之周面並使其移動，並且使上述膜壓接於上述夾鏈帶之接合部分並接合。
該發明中，對保持於輥之周面之夾鏈帶之接合部分照射能量線而使其熔融之後，將膜捲繞於輥且使其壓接於夾鏈帶並接合。藉此，不會產生由能量線導致之膜損傷或變形等不良，從而可將夾鏈帶良好地接合。進而，可將能量線之照射能量僅利用於夾鏈帶之熔融，從而可效率良好地接合。
再者，本發明中，夾鏈帶或膜可由合成樹脂較佳地製造，作為合成樹脂，並無特別限制，可較佳地使用例如聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴構件等。
又，本發明中，輥只要為可旋轉之形狀則並無特別限制，可適當地使用例如圓柱狀、多角柱狀等形狀。
而且，本發明中所謂能量線，只要為可照射者則並無特別限制，可較佳地使用例如不可見光區域之波長之雷射光，例如可適當地選擇使用紫外區域之波長、紅外區域之波長等。
又，本發明中，亦可設為如下構成：於上述照射步驟中，使用沿圓周方向具有凹槽狀之導入槽之輥，在使上述夾鏈帶插入至上述導入槽內之狀態下，使上述夾鏈帶沿上述輥移動，並且對上述夾鏈帶之接合部分照射能量線。
該發明中，一面使夾鏈帶插入至輥之導入槽且移動，一面照射能量線而連續地熔融，由此可藉由能量線將夾鏈帶在短時間內熔融，從而可縮短接合作業。
進而，本發明中，亦可設為如下構成：上述輥之導入槽具有使上述夾鏈帶之接合部分與上述輥之周面成為同一面之深度。
該發明中，將導入槽之深度設為使插入至導入槽中之夾鏈帶之接合部分與輥之周面成為同一面，故在將膜壓接於夾鏈帶時，可防止 膜上產生皺褶或鬆馳等。因此，可將夾鏈帶及膜良好地接合。
又，本發明中，亦可設為如下構成：於上述照射步驟中，在使上述夾鏈帶之長邊方向沿上述輥之軸方向而保持之狀態下，使上述夾鏈帶沿上述輥環繞移動，並且對上述夾鏈帶之面向上述輥之外表面方向之接合部分照射上述能量線。
該發明中，對將長邊方向沿輥之軸方向予以保持之夾鏈帶之接合部分照射能量線而使其熔融，由此可藉由能量線將夾鏈帶在短時間內熔融。因此，可將夾鏈帶在短時間內依序接合於膜。
而且，本發明中，亦可設為如下構成：上述輥對上述夾鏈帶之保持係藉由上述輥之周面之吸氣而吸附保持。
該發明中，藉由吸氣以吸附保持之方式保持夾鏈帶，由此可將夾鏈帶適當地保持，且可確實地接合於膜之特定之位置。
此處，該吸氣係於輥之與夾鏈帶相接之周面設置有至少1個以上之吸氣孔，藉由來自輥內表面之吸氣而可適當地保持夾鏈帶。該吸氣孔只要為至少1個以上，則可保持夾鏈帶，較佳為於輥之周面設置複數個，又，更佳為分散設置，如此可更穩定地保持夾鏈帶。
又，本發明中，於上述照射步驟中，一面追隨沿上述輥環繞移動之夾鏈帶，一面照射上述能量線。
該發明中，追隨沿輥環繞移動之夾鏈帶而照射能量線，由此可使夾鏈帶確實地熔融，且可與膜確實地接合。
進而，本發明中，亦可設為如下構成：於上述照射步驟中，以相對於上述輥之周面之垂線交叉之入射角而照射上述能量線。
該發明中，以相對於輥之周面之垂線交叉之入射角照射能量線，由此可不產生與其他部位之干涉而將能量線之能量效率良好地供給至接合面。因此，在夾鏈帶冷卻固化之前，容易使其接合於膜。
又，本發明中，亦可設為如下構成：上述夾鏈帶係至少上述接 合部分由對上述能量線表現出吸收能力之組成而形成者。
該發明中，只要夾鏈帶之至少接合部分係藉由對能量線表現出吸收能力之組成而形成，則可將夾鏈帶與膜藉由能量線之照射而較佳地接合。又，於夾鏈帶包含至少2層以上之積層體之情形時，只要夾鏈帶之未與膜接合之層之至少1層係對能量線表現出吸收能力之組成，則可將夾鏈帶與膜藉由能量線之照射而較佳地接合。
此處，對能量線表現出吸收能力之組成並無特別限定，但可較佳地使用例如酞菁系化合物、花青系化合物、銨鎓系化合物、亞銨系化合物、方鎓系化合物、聚次甲基系化合物、蒽醌系化合物、偶氮系化合物等有機系化合物、與碳黑、金屬之單體、鹽、錯合物、氮化物、氧化物、氫氧化物等無機系化合物等。
進而，本發明中，亦可設為如下構成：上述夾鏈帶包含至少2層以上之積層體，上述夾鏈帶之未與上述膜接合之層之至少1層為對上述能量線表現出吸收能力之組成。
該發明中，作為夾鏈帶之未與膜接合之層之1層，設為對能量線表現出吸收能力之組成，由此即便於對夾鏈帶之接合部分無法直接照射能量線之情形，亦能夠自未接合之側照射能量線，且藉由表現出吸收能力之組成之層之發熱而使接合部分熔融、接合。
而且，本發明中，亦可設為如下構成：上述能量線係不可見光區域之波長之雷射光。
該發明中，使用不可見光區域之波長之雷射光，由此可藉由得以廣泛利用之雷射光之利用而使操作容易且良好地接合。
又，本發明中，亦可設為如下構成：藉由本發明之附夾鏈帶之袋體之製造方法將安裝有上述夾鏈帶之膜製袋。
該發明中，將接合有夾鏈帶之膜效率良好地製袋，故可縮短製袋之前之時間，可提高製袋效率。進而，由於僅夾鏈帶熔融，故不會 損及膜之例如阻擋性或透光性、柔軟性等特性，可提供良好之附夾鏈帶之袋體，並且可將能量線之照射能量僅利用於夾鏈帶之熔融，從而亦可提高能量效率。
本發明之夾鏈帶之接合裝置之特徵在於：其係使夾鏈帶接合於膜者，且具備：輥，其將上述夾鏈帶保持於周面；照射部分，其對保持於上述輥之上述夾鏈帶之面向上述輥之外表面方向、且使上述膜接合之部分照射能量線；及壓接部分，其在較照射上述能量線之位置更靠上述輥之上述夾鏈帶移動之方向之下游側之位置，將上述膜捲繞於上述輥之周面並使其移動，並且使上述膜壓接於上述夾鏈帶之接合部分。
該發明中，對保持於輥之周面之夾鏈帶之接合部分照射能量線使其熔融之後，將膜捲繞於輥且使其壓接於夾鏈帶並接合。藉此，不會產生因能量線而使膜損傷或變形等不良，從而可將夾鏈帶良好地接合。進而，可將能量線之照射能量僅利用於夾鏈帶之熔融，從而可效率良好地接合。
本發明之長形構件之接合方法之特徵在於：其係第一長形構件對第二長形構件之接合方法，且實施：照射步驟，其係在使上述第一長形構件保持於輥之周面之狀態下使上述第一長形構件沿上述輥移動，並且對上述第一長形構件之面向上述輥之外表面方向且使上述第二長形構件接合之部分照射能量線；及接合步驟，其係於上述照射步驟之後，在較照射上述能量線之位置更靠上述輥之上述第一長形構件移動之方向之下游側之位置，將上述第二長形構件捲繞於上述輥之周面並使其移動，並且使上述第二長形構件壓接於上述第一長形構件之接合部分並接合。
該發明中，對保持於輥之周面之第一長形構件之接合部分照射能量線而使其熔融之後，將第二長形構件捲繞於輥且使其壓接於第一 長形構件並接合。藉此，不會產生因能量線而使第二長形構件損傷或變形等不良，可將第一長形構件良好地接合。進而，可將能量線之照射能量僅利用於第一長形構件之熔融，從而可效率良好地接合。
再者，本發明中，第一長形構件或第二長形構件可由合成樹脂較佳地製造，作為合成樹脂，並無特別限制，但可較佳地使用例如聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴構件等。
又，本發明中，輥只要為可旋轉之形狀，則並無特別限制，可較佳地使用例如圓柱狀、多角柱狀等形狀。
而且，本發明中，所謂能量線只要係可照射者，則並無特別限制，可較佳地使用例如不可見光區域之波長之雷射光，例如可適當地選擇使用紫外區域之波長、紅外區域之波長等。
而且，本發明中，較佳為設為如下構成：於上述照射步驟中，使用沿圓周方向具有凹槽狀之導入槽之輥，在使上述第一長形構件插入至上述導入槽內之狀態下使上述第一長形構件沿上述輥移動，並且對上述第一長形構件之接合部分照射能量線而使上述第一長形構件接合於上述第二長形構件。
該發明中，一面使第一長形構件插入至輥之導入槽並移動，一面照射能量線而使其連續地熔融，由此可藉由能量線將第一長形構件在短時間內熔融，從而可縮短接合作業。
進而，本發明中，較佳為上述輥之導入槽具有使上述第一長形構件之接合部分與上述輥之周面成為同一面之深度。
該發明中，將導入槽之深度設為使插入至導入槽之第一長形構件之接合部分與輥之周面成為同一面，由此在將第二長形構件壓接於第一長形構件時，可防止第二長形構件上產生皺褶或鬆馳等。因此，可將第一長形構件及第二長形構件良好地接合。
又，本發明中，較佳設為如下構成：於上述照射步驟中，在使 上述第一長形構件之長邊方向沿上述輥之軸方向而保持之狀態下使上述第一長形構件沿上述輥環繞移動，並且對上述第一長形構件之面向上述輥之外表面方向之接合部分照射上述能量線使其接合。
該發明中，對將長邊方向沿輥之軸方向予以保持之第一長形構件之接合部分照射能量線而使其熔融，由此，可藉由能量線將第一長形構件在短時間內熔融，故可將第一長形構件在短時間內依序接合於第二長形構件。
而且，本發明中，較佳為上述輥對上述第一長形構件之保持係藉由上述輥之周面之吸氣而吸附保持。
該發明中，藉由吸氣以吸附保持之方式保持第一長形構件，由此可將第一長形構件適當地保持，且可確實地接合於第二長形構件之特定之位置。
此處，該吸氣係於輥之與第一長形構件相接之周面設置至少1個以上之吸氣孔，且藉由來自輥內表面之吸氣而可將第一長形構件較佳地保持。該吸氣孔只要為至少1個以上，則可保持第一長形構件，但較佳為於輥之周面設置複數個，又，更佳為分散設置，如此可更穩定地保持第一長形構件。
進而，本發明中，較佳為於上述照射步驟中，一面追隨沿上述輥環繞移動之第一長形構件一面照射上述能量線。
該發明中，追隨沿輥環繞移動之第一長形構件而照射能量線，由此可使第一長形構件確實地熔融，且可與第二長形構件確實地接合。
又，本發明中，較佳為於上述照射步驟中，以相對於上述輥之周面之垂線交叉之入射角而照射上述能量線。
該發明中，以相對於輥之周面之垂線交叉之入射角而照射能量線，由此可不產生與其他部位之干涉而將能量線之能量效率良好地供 給至接合面，容易使第一長形構件於冷卻固化之前接合於第二長形構件。
而且，本發明中，較佳為上述第一長形構件係至少上述接合部分由對上述能量線表現出吸收能力之組成而形成者。
該發明中，只要第一長形構件之至少接合部分係藉由對能量線表現出吸收能力之組成而形成，則可將第一長形構件與第二長形構件藉由能量線之照射而較佳地接合。又，於第一長形構件包含至少2層以上之積層體之情形時，只要上述第一長形構件之未與上述第二長形構件接合之層之至少1層係對上述能量線表現出吸收能力之組成，則可將上述第一長形構件與第二長形構件藉由能量線之照射而較佳地接合。
此處，對能量線表現出吸收能力之組成並無特別限定，但可較佳地使用例如酞菁系化合物、花青系化合物、銨鎓系化合物、亞銨系化合物、方鎓系化合物、聚次甲基系化合物、蒽醌系化合物、偶氮系化合物等有機系化合物、與碳黑、金屬之單體、鹽、錯合物、氮化物、氧化物、氫氧化物等無機系化合物等。
又，本發明中，較佳為上述第一長形構件包含至少2層以上之積層體，上述第一長形構件之未與上述第二長形構件接合之層之至少1層為對上述能量線表現出吸收能力之組成。
該發明中，作為第一長形構件之未與第二長形構件接合之層之1層，設為對能量線表現出吸收能力之組成，由此即便於對第一長形構件之接合部分無法直接照射能量線之情形時，亦能夠自未接合之側照射能量線，藉由表現出吸收能力之組成之層之發熱而使接合部分熔融、接合。
進而，本發明中，較佳為上述能量線係不可見光區域之波長之雷射光。
該發明中，使用不可見光區域之波長之雷射光，由此可藉由得以廣泛利用之雷射光之利用而使操作容易且良好地接合。
又，本發明中，較佳為上述第一長形構件為夾鏈帶，上述第二長形構件為膜。
該發明中，設為將夾鏈帶接合於膜之構成，由此可縮短將夾鏈帶熔融而接合於膜之前之時間，可連續地接合，從而可提高作業效率。進而，不會產生因能量線照射至膜而使膜損傷或變形等不良，可良好地接合。
本發明之附夾鏈帶之袋體之製造方法之特徵在於：藉由本發明之接合方法而將安裝有上述夾鏈帶之膜製袋。
該發明中，將接合有夾鏈帶之膜效率良好地製袋，故可縮短製袋之前之時間，從而可提高製袋效率。進而，僅夾鏈帶熔融，故不會損及膜之例如阻擋性或透光性、柔軟性等特性，可提供良好之附夾鏈帶之袋體，並且可將能量線之照射能量僅利用於夾鏈帶之熔融，從而亦可提高能量效率。
本發明之長形構件之接合裝置之特徵在於：其係使第一長形構件接合於第二長形構件者，且具備：吸氣，其將上述第一長形構件保持於周面；照射部分，其對保持於上述輥之上述第一長形構件之面向上述輥之外表面方向且使上述第二長形構件接合之部分照射能量線；及壓接部分，其在較照射上述能量線之位置更靠上述輥之上述第一長形構件移動之方向之下游側之位置，將上述第二長形構件捲繞於上述輥之周面並使其移動，並且使上述第二長形構件壓接於上述第一長形構件之接合部分。
該發明中，在對保持於輥之周面之第一長形構件之接合部分照射能量線而使其熔融之後，將第二長形構件捲繞於輥且使其壓接於第一長形構件並接合。藉此，不會產生因能量線而使第二長形構件損傷 或變形等不良，可將第一長形構件良好地接合。進而，可將能量線之照射能量僅利用於第一長形構件之熔融，從而可效率良好地接合。
1‧‧‧附夾鏈帶之袋體
10‧‧‧袋本體
10A‧‧‧投入口
10B‧‧‧收納空間
10C‧‧‧收納面
11‧‧‧基材膜
11A‧‧‧基材端部
11B‧‧‧外層
11C‧‧‧密封劑層
11D‧‧‧膜捲取輥
11E‧‧‧附夾鏈帶之膜輥
12‧‧‧側密封部
13‧‧‧頂端密封部
14‧‧‧開口部
15‧‧‧密封部
16‧‧‧壓扁部
17‧‧‧側區間部
18‧‧‧角撐
19‧‧‧頂端區間部
20‧‧‧夾鏈帶
21‧‧‧陽構件
21A‧‧‧接合面
21B‧‧‧接合面
22‧‧‧陰構件
23‧‧‧吸光層
24‧‧‧接合層
25‧‧‧吸光接合層
30‧‧‧附夾鏈帶之袋體之製造裝置
31‧‧‧捲出輥
32‧‧‧捲出輥
33‧‧‧捲出輥
34‧‧‧雷射照射裝置
35‧‧‧壓接輥
36‧‧‧壓扁形成裝置
37‧‧‧側密封形成裝置
38‧‧‧頂端密封形成裝置
39‧‧‧間隔片
40‧‧‧附夾鏈帶之袋體
40A‧‧‧投入口
41‧‧‧袋本體
42‧‧‧夾鏈帶
50‧‧‧附夾鏈帶之袋體之製造裝置
51‧‧‧接合裝置
52‧‧‧製袋裝置
56‧‧‧壓扁形成裝置
58‧‧‧頂端密封形成裝置
60‧‧‧夾鏈帶
61‧‧‧密封層
61A‧‧‧接合面
61B‧‧‧接合面
62‧‧‧帶層
62A‧‧‧基材對向面
62B‧‧‧咬合面
63‧‧‧陽構件
64‧‧‧陰構件
65‧‧‧折彎部
70‧‧‧附夾鏈帶之袋體之製造裝置
71‧‧‧帶供給機構
71A‧‧‧帶捲取輥
71B‧‧‧分離機構
71C‧‧‧中間輥
72A‧‧‧第1膜供給機構
72B‧‧‧第2膜供給機構
72C‧‧‧中間輥
73A‧‧‧第1接合機構
73B‧‧‧第2接合機構
74‧‧‧再嵌合機構
74A‧‧‧導引構件
74B‧‧‧輥
75‧‧‧製袋機
80‧‧‧附夾鏈帶之袋體
80A‧‧‧投入口
81‧‧‧袋本體
91‧‧‧中心壓板
92‧‧‧導板
93‧‧‧熱密封棒
211‧‧‧陽側帶狀基部
211A‧‧‧陽側基體部
212‧‧‧陽部
221‧‧‧陰側帶狀基部
221A‧‧‧陰側基體部
222‧‧‧陰部
411‧‧‧側密封部
412‧‧‧頂端密封部
413‧‧‧開口部
414‧‧‧壓扁部
421‧‧‧陽構件
421A‧‧‧陽側帶狀基部
421B‧‧‧凸部
422‧‧‧陰構件
422A‧‧‧陰側帶狀基部
422B‧‧‧凹部
511‧‧‧帶捲取輥
512‧‧‧轉筒
512A‧‧‧導入槽
512B‧‧‧卡合槽
513‧‧‧導入輥
514‧‧‧雷射照射裝置
514A‧‧‧平板
515‧‧‧壓接輥
521‧‧‧爪形壓扁棒
522‧‧‧圓筒模型
523‧‧‧進給帶
524‧‧‧密封棒
525‧‧‧側密封棒
526‧‧‧三角板
811‧‧‧頂端密封部
812‧‧‧背貼部
813‧‧‧點密封部
S‧‧‧卡合部
X‧‧‧雷射光
θ‧‧‧入射角
圖1係表示本發明之第一實施形態之附夾鏈帶之袋體之前視圖。
圖2係圖1中II-II剖視圖。
圖3係表示上述附夾鏈帶之袋體之製造裝置之概念圖。
圖4係表示製造上述附夾鏈帶之袋體之接合步驟之說明圖。
圖5A係表示製造上述附夾鏈帶之袋體之步驟之說明圖，其係表示將夾鏈帶安裝於基材膜之狀態之俯視圖。
圖5B係表示製造上述附夾鏈帶之袋體之步驟之說明圖，其係表示形成壓扁之狀態之俯視圖。
圖5C係表示製造上述附夾鏈帶之袋體之步驟之說明圖，其係表示形成有側密封部之狀態之俯視圖。
圖5D係表示製造上述附夾鏈帶之袋體之步驟之說明圖，其係表示形成有頂端密封部之狀態之俯視圖。
圖5E係表示製造上述附夾鏈帶之袋體之步驟之說明圖，其係表示附夾鏈帶之袋體之俯視圖。
圖6係已確認上述附夾鏈帶之袋體之製袋狀況之形態之剖視圖。
圖7係表示本發明之第二實施形態之附夾鏈帶之袋體之前視圖。
圖8係表示上述附夾鏈帶之袋體之剖視圖。
圖9係表示上述附夾鏈帶之袋體之製造裝置之立體圖。
圖10係表示上述附夾鏈帶之袋體之製造裝置之一部分之立體圖。
圖11係表示上述附夾鏈帶之袋體之製造裝置之一部分之側視圖。
圖12係表示本發明之另一實施形態之夾鏈帶之剖視圖。
圖13係表示本發明之又一實施形態之夾鏈帶之剖視圖。
圖14係本發明之第三實施形態之附夾鏈帶之袋體之前視圖。
圖15係上述附夾鏈帶之袋體之剖視圖。
圖16係表示上述附夾鏈帶之袋體之製造裝置之立體圖。
圖17係表示上述附夾鏈帶之袋體之製造裝置之一部分之立體圖。
圖18係表示上述附夾鏈帶之袋體之製造裝置之一部分之側視圖。
圖19係表示圖18之製造裝置之變化例之側視圖。
圖20係本發明之第四實施形態之附夾鏈帶之袋體之前視圖。
圖21係上述附夾鏈帶之袋體之剖視圖。
圖22係表示上述附夾鏈帶之袋體之製造裝置之概念圖。
圖23係本發明之第五實施形態之附夾鏈帶之袋體之前視圖。
圖24係表示將上述夾鏈帶接合於基材膜之步驟之說明圖。
圖25係表示製袋上述附夾鏈帶之袋體之步驟之說明圖。
以下，基於圖式對本發明之實施形態進行說明。
[第一實施形態]
第一實施形態中，作為附夾鏈帶之袋體，例示用以包裝食品、藥品、醫療品、雜貨等各種物品之包裝袋。
圖1係表示第一實施形態之附夾鏈帶之袋體之前視圖。圖2係附夾鏈帶之袋體之圖1中之II-II之位置之剖視圖。
(附夾鏈帶之袋體之構成)
如圖1、2所示，第一實施形態之附夾鏈帶之袋體1具備袋本體10、及安裝於該袋本體10之內表面之夾鏈帶20。
袋本體10係將兩片作為成為包裝材之膜之基材膜11重疊，將三面密封而製成袋者。該袋本體10之周緣形成有一對側密封部12及頂端密 封部13，於未密封之一面(一邊)形成有將被包裝物裝入至內部之投入口10A。而且，於袋本體10之開口部14之內表面安裝有夾鏈帶20。又，於夾鏈帶20之長邊方向之兩端之側密封部12之位置，形成有將夾鏈帶20壓扁而成之壓扁部16。
再者，該袋本體10在將未圖示之被包裝物自袋本體10之投入口10A收納之後，將袋本體10之底邊密封，藉此成為密封狀態。
基材膜11作為將直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、及未延伸聚丙烯(CPP)以乾式層壓法或擠壓層疊貼合而成之層壓膜，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)/LLDPE、PET/CPP、雙軸延伸聚丙烯(OPP)/CPP、尼龍/直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、金屬或無機蒸鍍PET/LLDPE等。又，作為基材膜11，除於由雙軸延伸聚丙烯(OPP)形成之外表面側之外層11B積層有由未延伸聚丙烯(CPP)形成之密封劑層11C之積層構造之外，亦可使用將包含直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)及高密度聚乙烯(HDPE)等之密封劑、與聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、尼龍(聚醯胺)、金屬或無機蒸鍍PET等基材以乾式層壓法或擠壓層疊法貼合而成之層壓膜。
如圖2所示之夾鏈帶20之剖面構成般，該夾鏈帶20具備成對之陽構件21及陰構件22，藉由將該等陽構件21與陰構件22分離或卡合而進行袋本體10之開口部14之開封或再次密封。
陽構件21具備：縱向帶狀之陽側帶狀基部211，其作為接合於基材膜11之接合部分；及陽部212，其於陽側帶狀基部211之一面沿長邊方向設置於寬度方向之大致中央之位置，且剖面為大致箭頭形狀。
陰構件22具備：縱向帶狀之陰側帶狀基部221，其作為接合於基材膜11之接合部分；及陰部222，其於陰側帶狀基部221之一面沿長邊方向設置於寬度方向之大致中央之位置，且與陽部212卡合。藉由陽部212及陰部222而構成卡合部S。
陽側帶狀基部211形成為積層構造，該積層構造具備：帶狀之陽側基體部211A，其與陽部212連續而一體地形成；吸光層23，其積層形成於陽側基體部211A之與設置有陽部212之側為相反側之面；及接合層24，其積層形成於吸光層23。
陰側帶狀基部221形成為積層構造，該積層構造具備：帶狀之陰側基體部221A，其與陰部222連續而一體地形成；吸光層23，其積層形成於陰側基體部221A之與設置有陰部222之側為相反側之面；及接合層24，其積層形成於吸光層23。
此處，陽部212及陽側基體部211A、與陰部222及陰側基體部221A係即便被照射作為能量線之雷射光X(參照圖3)，亦不易使雷射光X透過而熔融之組成。即，較佳為至少由波長吸收區域不在800nm以上1200nm以下之範圍之組成而形成。具體而言，可使用例如各種聚乙烯、各種聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、雙軸延伸尼龍膜(ONy)、乙烯-乙烯醇共聚物等樹脂。
在主要用於通用之夾鏈帶之方面，尤佳為各種聚乙烯、各種聚丙烯。
又，吸光層23係於樹脂組成物中含有波長吸收區域為800nm以上1200nm以下之吸光材料而形成。
而且，吸光材料係波長吸收區域為800nm以上1200nm以下之吸收雷射光X之有機系化合物及無機系化合物中之至少任一者。
作為有機系化合物，可使用選自酞菁系化合物、花青系化合物、銨鎓系化合物、亞銨系化合物、方鎓系化合物、聚次甲基系化合物、蒽醌系化合物、及偶氮系化合物之群中之至少任一種。
作為無機系化合物，可使用選自金屬之單體、金屬鹽、金屬錯合物、金屬氮化物、金屬氧化物、及金屬氫氧化物之群中之至少任一種。
尤佳為，使用對光幾乎全吸收之碳黑。
又，作為含有吸光材料之樹脂組成物，可使用各種聚乙烯、各種聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、雙軸延伸尼龍膜(ONy)、及乙烯-乙烯醇共聚物等樹脂。
在主要用於通用之夾鏈帶之方面，尤佳為各種聚乙烯、各種聚丙烯。
接合層24係由波長吸收區域為800nm以上1200nm以下之能夠使雷射光X透過之各種樹脂材料而形成。該接合層24係藉由利用透過該接合層24之雷射光X使吸光層23發熱而熔融、並接合於基材膜11。
作為用於接合層24之樹脂材料，可較佳地使用例如熔點為60℃以上120℃以下之低熔點樹脂，具體而言，由茂金屬觸媒生成之茂金屬系烯烴。更詳細而言，較佳為例如相對於接合層24整體含有50質量%以上之密度為920kg/m3以下、熔體流動速率(MFR，melt flow rate)為5g/10分鐘以下之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯。更佳為，含有50質量%以上99質量%以下，尤佳為含有70質量%以上99質量%以下。
在含有50質量%以上之密度超出920kg/m3或MFR超出5g/10分鐘之直鏈狀低密度聚乙烯之情形時，與基材膜11之接著性變差。而且，即便與該基材膜11接合，亦會成為用手便可簡單地剝離之程度之接著強度。尤其在由聚丙烯系樹脂構成基材膜11之情形時，有無法良好地接合之虞。
該茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯之密度較佳為850kg/m3以上910kg/m3以下，尤佳為860kg/m3以上905kg/m3以下。又，MFR較佳為1g/10分鐘以上5g/10分鐘以下。
再者，密度只要依據JIS K7121而測定，且MFR依據JIS K7210(190℃，負載21.18N)而測定即可。
另一方面，作為構成接合層24之其他樹脂，較佳為與上述作為 必要之構成材料之特定之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯之相容性或混合性良好，且可維持與基材膜11良好之接著性者。例如，可使用密度為920kg/m3以下、熔體流動速率(MFR)超出5.0g/10分鐘之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯、MFR(190℃，負載21.18N)較佳為0.5g/10分鐘以上20g/10分鐘以下之丙烯、與碳數為4~8之α-烯烴共聚物、齊格勒系直鏈狀低密度聚乙烯、及乙烯-極性乙烯酯共聚物等樹脂，可將該等中之一種單獨使用，或可將兩種以上組合而使用。
此處，於藉由共擠壓成形而製造夾鏈帶20之情形時，若對接合層24僅使用熔體流動速率(MFR)為5g/10分鐘以下之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯，則有於模具內接合層24之樹脂流入至陽部212、陰部222之虞。因此，尤其有如下之虞：陰部222之各鉤部之前端變得易閉合，故不易擠壓成能夠再開閉之特定之形狀。對構成接合層24之MFR為5g/10分鐘以下之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯，使用流動性較高、且MFR超出5g/10分鐘之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯、或丙烯與碳數為4~8之α-烯烴共聚物即可。藉此，可防止該陰部222等之形狀崩壞。
又，該等樹脂相對於接合層24之含量較佳為1質量%以上50質量%以下，尤佳為5質量%以上40質量%以下。若含量小於1質量%，則有無法發揮防止卡合部S之形狀崩壞之效果之情形。另一方面，若含量大於50質量%，則有低溫密封性受損之情形，並且關於與基材膜11之良好之接合性，尤其在將基材膜11設為聚丙烯系樹脂之情形時，有接合性變差之情形，故欠佳。
再者，該等樹脂中，作為MFR為0.5g/10分鐘以上20g/10分鐘以下之丙烯與碳數為4~8之α-烯烴共聚物，可使用丙烯與1-丁烯之共聚物。藉此，除上述效果之外，接合層24與吸光層23之層間之接著強度亦優異，故較佳。此處，該共聚物之MFR更佳為1g/10分鐘以上10 g/10分鐘以下，尤佳為2g/10分鐘以上8g/10分鐘以下。
又，如上所述，作為構成接合層24之樹脂，使用特定之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯為50質量%以上99質量%以下、與密度為920kg/m3以下、MFR超出5.0g/10分鐘之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯、及丙烯中之一者、及碳數為4~8之α-烯烴共聚物1質量%以上50質量%以下，作為構成吸光層23之樹脂，可使用無規聚丙烯。藉此，於以共擠壓成形而製造夾鏈帶20之情形時，接合層24與吸光層23之流動性變得均勻，擠壓速度亦可大致相等。因此，亦不會對構成吸光層23之無規聚丙烯施加多餘之剪切應力，從而可更適當地防止產生卡合部S之形狀之崩壞。
而且，用作吸光層23之無規聚丙烯(RPP)較佳為含有乙烯成分2.0質量%以上8.0質量%以下，尤佳為含有3.0質量%以上6.0質量%以下。若相對於無規聚丙烯所含有之乙烯成分小於2.0質量%，則有卡合部S之再開閉性變差情形。另一方面，若乙烯成分大於8.0質量%，則在使用主要用於接合層24之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯之情形時，吸光層23之無規聚丙烯之乙烯量變多，與接合層24相同之組成會增加。藉此，熔點亦下降，故有與接合層24之熔點差變小，且夾鏈帶20之接合變得複雜之虞。
又，該無規聚丙烯(RPP)之熔體流動速率(MFR)較佳為3g/10分鐘以上10g/10分鐘以下，尤佳為5g/10分鐘以上9g/10分鐘以下。若無規聚丙烯之MFR小於3g/10分鐘，則有將吸光層23、與陽側基體部211A及陽部212、或陰側基體部221A及陰部222連續地一體形成之卡合部S之擠壓成形性變差之情形。另一方面，若MFR大於10g/10分鐘，則有如下之情形：陰部222之各鉤部之前端變得易閉合，或陽部212變得易傾倒，故不易擠壓成能夠再開閉之特定之形狀。
而且，吸光層23及陽側基體部211A或陰側基體部221A可與接合 層24藉由共擠壓成形法而一體化獲得。只要將夾鏈帶20藉由此種共擠壓法而成形，則可連續而穩定地製造夾鏈帶20。
再者，附夾鏈帶之袋體1之開封位置只要為較由陽部212及陰部222所構成之卡合部S之位置更靠開口側即可。例如，亦可藉由於基材膜11上開設凹口、或於陽部212或陰部222附近設置開封條而易打開。
(附夾鏈帶之袋體之製造裝置)
其次，對附夾鏈帶之袋體之製造裝置進行說明。
圖3係表示附夾鏈帶之袋體之製造裝置之概念圖。圖4係表示製造附夾鏈帶之袋體之接合步驟之說明圖。
如圖3所示，製造裝置30具備：捲出輥31、32、33、四台雷射照射裝置34、成對之壓接輥35、壓扁形成裝置36、側密封形成裝置37、及頂端密封形成裝置38等。
此處，作為雷射照射裝置34，可利用由夾鏈帶20之吸光層23吸光，且能夠將接合層24熔融之任一者。例如，可利用二極體雷射或YAG(yttrium aluminum garnet，釔鋁石榴石)雷射等固體雷射、色素雷射等液體雷射、CO2雷射等氣體雷射。尤佳為連續地照射雷射光X而能夠將接合層24熔融之構成。
而且，使雷射照射裝置34之四台中之兩台朝陽側帶狀基部211之長邊方向之兩側分別照射雷射光X。又，使剩餘之兩台朝陰側帶狀基部221之長邊方向之兩側分別照射雷射光X。
又，雷射照射裝置34配置成使雷射光X朝接合層24之平面之入射角θ大於0°且為90°以下，較佳為使相對於接合層24之平面交叉之入射角θ成為45°以上85°以下。其原因在於，尤其若成為小於45°之入射角θ，則有無法將雷射光X之照射能量效率良好地供給至吸光層23之虞。又，若入射角θ大於85°，則有如下之虞：因雷射照射裝置34與製造裝置30之其他構成之干涉，而於雷射光X之照射後起至利用壓接輥 35使接合層24壓接於基材膜11為止需要花費時間。因此，有熔融之接合層24開始冷卻固化而無法獲得充分之接合之虞。
即，必須以在照射雷射光X而將接合層24熔融後，將接合層24在冷卻固化之前快速地壓接於基材膜11之方式配置雷射照射裝置34。
又，如圖4所示，於壓接輥35之間，將卡合之夾鏈帶20之陽部212及陰部222之厚度尺寸之一對間隔片39隔著卡合之陽部212及陰部222之寬度尺寸之程度之間隙而配置。
即，於以壓接輥35推壓介存於兩片基材膜11間之夾鏈帶20時，基材膜11與陽側帶狀基部211或陰側帶狀基部221充分地壓接。
再者，作為壓接之構成，除壓接輥35之外，可應用例如利用環形帶進行壓接、或利用推壓棒進行壓抵之各種構成。
(附夾鏈帶之袋體之製造方法)
其次，對附夾鏈帶之袋體之製造方法進行說明。
圖5A係表示製造附夾鏈帶之袋體之步驟之說明圖，其係表示將夾鏈帶安裝於基材膜之狀態之俯視圖。圖5B係表示製造附夾鏈帶之袋體之步驟之說明圖，其係表示形成壓扁之狀態俯視圖，圖5C係表示製造附夾鏈帶之袋體之步驟之說明圖，其係表示形成有側密封部之狀態之俯視圖。圖5D係表示製造附夾鏈帶之袋體之步驟之說明圖，其係表示形成有頂端密封部之狀態之俯視圖。圖5E係表示製造附夾鏈帶之袋體之步驟之說明圖，其係表示附夾鏈帶之袋體之俯視圖。
首先，圖3所示之製造裝置30之捲出輥31、32將基材膜11預先捲裝，且以使基材膜11相互對向之狀態送出。
又，捲出輥33將預先卡合有陽構件21及陰構件22之夾鏈帶20捲裝，且送出至兩片基材膜11間。
繼而，實施照射步驟，即，在將夾鏈帶20即將夾入至壓接輥35間之前，藉由雷射照射裝置34而對夾鏈帶20之接合層24之長邊方向之 兩側分別同時照射雷射光X。藉由該雷射光X之照射，透過接合層24且到達吸光層23之雷射光X使吸光層23發熱，且藉由該熱而使接合層24於寬度方向大致均勻地熔融。
藉由該照射步驟使接合層24熔融之後，立即實施接合步驟，即，以藉由壓接輥35將夾鏈帶20夾入至基材膜11間之方式，使熔融之接合層24壓接於基材膜11。再者，在以壓接輥35壓接於基材膜11之狀態下，接合層24逐漸冷卻固化，牢固地接合於基材膜11。如圖5A所示，藉由該接合步驟而將夾鏈帶20安裝於基材膜11間。
此後，如圖5B所示，藉由壓扁形成裝置56將安裝於基材膜11之夾鏈帶20以特定間隔加熱並壓扁，形成壓扁部16。
繼而，如圖5C所示，藉由側密封形成裝置37而於每一壓扁部16之位置，在相對於成為基材膜11之捲出方向之長邊方向垂直之方向上，形成成為側密封部12之側區間部17。
此後，如圖5D所示，藉由頂端密封形成裝置58而形成成為頂端密封部13之頂端區間部19。
繼而，藉由將基材膜11沿側區間部17之中心線切斷，而如圖5E所示，獲得開設有投入口10A之附夾鏈帶之袋體1。
(第一實施形態之效果)
如上所述，上述第一實施形態中，設置有含有波長吸收區域為800nm以上1200nm以下之吸收雷射光X之吸光材料之吸光層23。
因此，可使吸光材料效率良好地吸收雷射光X而加熱，且僅使與吸光層23相鄰之含有低熔點樹脂之接合層24接合。因此，可抑制安裝夾鏈帶20之基材膜11等產生熱劣化，從而可防止製造之附夾鏈帶之袋體1之良率變差。進而，藉由僅對夾鏈帶20照射雷射光X而可將雷射光X之能量效率良好地利用於接合層24之熔融，從而可提高能量效率。又，藉由數位信號之雷射光X而僅使接合層24熔融，故可快速地 實施接合層24之熔融及與基材膜11之接合，能夠加快製袋速度，從而可提高製袋效率。
具體而言，如圖6所示，即便為將吸光層23及接合層24作為一個吸光接合層25而構成者，亦確認到可接合。即，將碳黑以1：99之比例混合於熔點95℃、MFR為4.0g/10分鐘之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯中，形成厚度25μm之吸光接合層25。而且，確認到藉由波長1.07μm之纖維雷射而可以夾鏈帶20之線速度60m/分鐘(間距100mm=600次射出)接合。
而且，上述第一實施形態中，使用波長吸收區域為800nm以上1200nm以下之吸收雷射光X之吸光材料，故可使吸光材料效率良好地吸收雷射光X，且僅使與吸光層23相鄰之含有低熔點樹脂之接合層24熔融。
因此，可抑制安裝夾鏈帶20之基材膜11等產生熱劣化，從而可良好地接著。
尤其作為接合層24，使用熔點為60℃以上120℃以下之低熔點樹脂，具體而言，使用由茂金屬觸媒生成之茂金屬系烯烴，尤其茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯。
因此，可將藉由雷射光X之照射而由吸光層23之吸光材料吸光所產生之熱能直接作用於相鄰之接合層24之低熔點樹脂之熔融，從而可將雷射光X之照射能量效率良好地利用於夾鏈帶20之安裝。
又，上述第一實施形態中，將接合層24積層於吸光層23，藉由雷射光X之照射而加熱之吸光層23使相鄰之接合層24熔融，故可使接合層24整體均勻地熔融，而可良好地接合於基材膜11。進而，於熔融而接合於基材膜11之接合層24中不含有吸光材料，故亦可防止與基材膜11之接合性被吸光材料損害，從而可獲得良好之接合性。
進而，於上述第一實施形態中，作為陽部212及陽側基體部 211A、陰部222及陰側基體部221A、與吸光層23，使用對800nm以上1200nm以下之波長未表現出吸收之樹脂而形成。
因此，可防止藉由雷射光X之照射而熔融且變形之不良。
[第二實施形態]
其次，參照圖式對本發明之第二實施形態進行說明。
第二實施形態係使用1片基材膜11製袋而成者。再者，對於與第一實施形態相同或同等之構成，標註相同之符號並省略或簡化說明。
圖7係表示第二實施形態之附夾鏈帶之袋體之前視圖。圖8係表示附夾鏈帶之袋體之夾鏈帶附近之剖視圖。
(附夾鏈帶之袋體之構成)
如圖7、8所示，附夾鏈帶之袋體40於袋本體41之內表面安裝有夾鏈帶20。
袋本體41具有將基材膜11之一個基材端部11A重疊於另一個基材端部11A而成之密封部15。又，於基材膜11之兩側端部，設置有將彼此之基材膜11熱密封而成之側密封部12。於該側密封部12，熱密封有夾鏈帶20之長邊方向之兩端部。
於袋本體41，藉由密封部15及側密封部12而形成有收納空間10B。於該收納空間10B，能夠收納粉體等固體或液體。
又，於袋本體41之底部，形成有角撐18。
(附夾鏈帶之袋體之製造裝置)
其次，對附夾鏈帶之袋體之製造裝置進行說明。
圖9係表示附夾鏈帶之袋體之製造裝置之立體圖。圖10係表示附夾鏈帶之袋體之製造裝置之將夾鏈帶接合於基材膜之接合裝置之立體圖。圖11係表示圖10之接合裝置之側視圖。再者，圖9、10中，為方便起見，僅記載陽構件21及陰構件22中之一者而省略另一者。
如圖9所示，製造裝置50具備接合裝置51及製袋裝置52。
接合裝置51具備：帶捲取輥511(僅圖示一者)，其分別供給未咬合之一對陽構件21及陰構件22；未圖示之膜捲取輥，其供給基材膜11；轉筒512，其藉由圖示省略之驅動源而旋轉；導入輥513，其將供給之陽構件21及陰構件22分別導入至轉筒512之周面；雷射照射裝置514；及壓接輥515等。
於轉筒512之周面，設置有導入槽512A(僅圖示一者)，該導入槽512A沿圓周方向形成為凹槽狀，且供陽構件21及陰構件22分別插入。再者，亦可不設置導入槽512A。
導入槽512A形成為使藉由導入輥513所插入之陽構件21或陰構件22之接合層24之表面位於與轉筒512之周面大致同一面上之深度。
如圖11所示，雷射照射裝置514將雷射光X以相對於接合層24之表面之垂線傾斜交叉之方式而照射。具體而言，配置成使入射角θ相對於轉筒512之周面之切線方向大於0°且為90°以下，較佳為使入射角θ為45°以上85°以下。尤其若成為小於45°之入射角θ，則有無法將雷射光X之照射能量效率良好地供給至吸光層23之虞。另一方面，若大於85°，則有如下之虞：因雷射照射裝置514與製造裝置50之其他構成之干涉，而自雷射光X之照射後起至利用壓接輥515使接合層24壓接於基材膜11為止需要花費時間。因此，有熔融之接合層24開始冷卻固化而無法獲得充分之接合之虞。
再者，雷射照射裝置514例如亦可配置4台，對接合層24之長邊方向之兩側部分分別照射雷射光X。藉此，可容易使接合層24整體均勻地熔融，並且可進一步縮短使接合層24熔融所需之時間，從而可將夾鏈帶20在更短時間內接合於基材膜11。
一對壓接輥515使基材膜11導入至轉筒512之周面，並伴隨轉筒512之旋轉使其連續移行，而壓接於轉筒512之周面。藉由該等壓接輥515將陽構件21及陰構件22之已熔融之接合層24與所導入之基材膜11 壓接並接合。
再者，一對壓接輥515亦可配置成例如使導入之基材膜11直接壓接於轉筒512之周面。
如圖9所示，製袋裝置52具備：一對爪形壓扁棒521；圓筒模型522，其供接合有夾鏈帶20之基材膜11捲繞；進給帶523，其配設於該圓筒模型522之側部；密封棒524，其將基材膜11之兩基材端部11A接合而形成密封部15；側密封棒525，其形成側密封部12；及三角板526，其形成角撐18。
一對爪形壓扁棒521隔著陽構件21及陰構件22而對向配置。而且，每特定之間隔，各爪形壓扁棒521將陽構件21及陰構件22壓扁而熔融扁平化。熔融扁平化之未圖示之爪形壓扁部形成於附夾鏈帶之袋體40之與側密封部12對應之位置。
圓筒模型522形成為中空，且通過內部空間而向附夾鏈帶之袋體40中填充收納物。
(附夾鏈帶之袋體之製造方法)
其次，對附夾鏈帶之袋體之製造方法進行說明。
該製造方法中實施：照射步驟，其係藉由接合裝置51對陽構件21及陰構件22分別照射雷射光X而使其熔融；接合步驟，其係將基材膜11壓接於接合層24已被熔融之陽構件21及陰構件22並接合；及製袋步驟，其係藉由製袋裝置52而將安裝有陽構件21及陰構件22之基材膜11製袋。
自帶捲取輥511分別引出之陽構件21及陰構件22藉由接合裝置51之導入輥513而保持於轉筒512之周面，即一面通過轉筒512之導入槽512A內，一面藉由轉筒512之旋轉而連續移行。再者，轉筒512並不限於連續旋轉，亦可設為間歇旋轉。
繼而，實施照射步驟，該照射步驟係於供給基材膜11之位置之 前，藉由雷射照射裝置514對陽構件21及陰構件22之接合層24照射雷射光X，使接合層24於寬度方向上大致均勻地熔融。
藉由該照射步驟而使接合層24熔融之後，立即實施接合步驟，即，藉由壓接輥515將基材膜11導入至轉筒512之周面，且壓接於陽構件21及陰構件22並接合。
如此般，將接合有陽構件21及陰構件22之基材膜11輸送至製袋裝置52，藉由爪形壓扁棒521而於陽構件21及陰構件22形成爪形壓扁部。
此後，將基材膜11一面被捲繞至圓筒模型522一面藉由進給帶523被向下方輸送。此處，以使爪形壓扁部與側密封部12一致之方式輸送。繼而，一面藉由密封棒524形成密封部15，一面藉由三角板526在與底對應之部分形成角撐18。
又，藉由側密封棒525形成一個側密封部12。繼而，通過圓筒模型522之內部空間進行收納物之填充之後，再次藉由側密封棒525而形成另一個側密封部12。繼而，進行附夾鏈帶之袋體40之切斷。
(第二實施形態之效果)
於如上述第二實施形態般之製袋方法中，亦發揮與第一實施形態相同之效果。
又，第二實施形態中，由於使用轉筒512，故不會產生與製造裝置50之其他部位之干涉，可將雷射光X照射至陽構件21及陰構件22之接合層24，從而可使製造裝置50之製造容易。
[變化例]
再者，用以實施本發明之最佳之構成等於以上之記載中有所揭示，但本發明並不限定於此。即，本發明主要關於特定之實施形態而說明，但業者可不脫離本發明之技術思想及目的之範圍而對以上所述之實施形態，於材質、數量、及其他詳細之構成方面實施各種變化。
因此，對上述揭示之材質、層構成等加以限定之記載係為容易理解本發明而例示性記載者，其並非限定本發明，故除去其等材質等之限定之一部分或全部限定後之名稱下之記載包含於本發明。
例如，於第一實施形態中，將陽側帶狀基部211及陰側帶狀基部221之包裝設為積層構造，但亦可僅將任一者設為積層構造。
而且，作為積層構造，例如圖12所示，亦可僅形成於陽側帶狀基部211及陰側帶狀基部221之與基材膜11接合之寬度方向之兩側部分。進而，陽側帶狀基部211及陰側帶狀基部221亦可形成為於長邊方向以波形狀蜿蜒之形狀，或形成為複數個點狀。
又，作為積層構造，亦可設為例如圖13所示之構成：不設置接合層24，而是如吸光接合層25般，使吸光層23含有特定之熔點(60℃以上120℃以下)之樹脂，且僅使該吸光層23積層。
進而，亦可將陽側帶狀基部211及陰側帶狀基部221之一者設為設置有吸光層23及接合層24之積層構造，且將另一者設為僅設置有含有特定之熔點之樹脂之吸光層23之積層構造，從而成為不同之積層構造。
又，亦可不設置吸光層23及接合層24，而是使陽側帶狀基部211及陰側帶狀基部221含有波長吸收區域為800nm以上1200nm以下之吸光材料。該構成中，尤佳為使卡合部S不含有吸光材料之構成。即，其目的在於確實地防止對卡合部S照射雷射光X而導致卡合部S變形等不良。
再者，即便卡合部S含有吸光材料，只要不照射雷射光X即可。
又，作為用於熔融之部分之特定熔點之樹脂，可使用60℃以上120℃以下之任一種樹脂，進而亦可使用該溫度範圍以外之樹脂材料。
於第二實施形態中，例示有分別安裝有一對陽構件21及陰構件 22之構成，但並不限於此。例如，亦可將陽構件21及陰構件22並排而一體地設置，且使用於中央具有用於折彎之折彎部之夾鏈帶構件，直接一體地安裝於基材膜11等。
本發明除應用於第一實施形態及第二實施形態之外，進而對於各種製袋方法均可應用。
又，亦可將雷射光X垂直地照射至夾鏈帶20。
而且，並不限於對夾鏈帶20之兩側分別照射雷射光X之情形，亦可對寬度方向之中央部分或全域進行照射。又，亦可於寬度方向上以掃描之方式照射而使整體熔融。而且，除對陽構件21及陰構件22同時照射雷射光X之外，亦可並不同時，例如交替照射，或單側逐一照射。
[第三實施形態]
其次，參照圖式對本發明之第三實施形態進行說明。
第三實施形態中，作為附夾鏈帶之袋體，例示用以包裝食品、藥品、醫療品、雜貨之各種物品之包裝袋。
圖14係表示第三實施形態之附夾鏈帶之袋體之前視圖。圖15係附夾鏈帶之袋體之剖視圖。
(附夾鏈帶之袋體之構成)
如圖14、15所示，第三實施形態之附夾鏈帶之袋體1具備包含作為第二長形構件之基材膜11之袋本體10、及作為第一長形構件之夾鏈帶60。
袋本體10具有將基材膜11之一個基材端部11A重疊於另一個基材端部11A而成之密封部15。又，於基材膜11之兩側端部，設置有將彼此之基材膜11熱密封而成之側密封部12。於該側密封部12，熱密封有夾鏈帶60之長邊方向之兩端部。
於袋本體10，藉由密封部15及側密封部12而形成有收納空間 10B。於該收納空間10B，能夠收納粉體等固體或液體。
又，於基材膜11之底部，形成有角撐18。
基材膜11具有與收納空間10B對向之收納面10C，於該收納面10C，接合有夾鏈帶60，具體而言熔合有夾鏈帶60。
此處，作為基材膜11，其作為將直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、及未延伸聚丙烯(CPP)以乾式層壓法或擠壓層疊貼合而成之層壓膜，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)/LLDPE、PET/CPP、雙軸延伸聚丙烯(OPP)/CPP、尼龍/直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、金屬或無機蒸鍍PET/LLDPE等。
夾鏈帶60具備作為接合部分之密封層61、積層形成於該密封層61之帶狀之帶層62、設置於該帶層62之一對陽構件63及陰構件64、以及形成於陽構件63及陰構件64間之折彎部65。
密封層61接合於基材膜11之收納面10C。又，於密封層61之收納空間10B側積層形成有帶層62。
帶層62具有：基材對向面62A，其與密封層61對向；及咬合面62B，其形成於與該基材對向面62A為相反側，且與收納空間10B對向。
於帶層62之咬合面62B，突設有陽構件63及陰構件64。陽構件63及陰構件64咬合而形成咬合部。
又，於帶層62之咬合面62B，形成有折彎部65。該折彎部65自一個側密封部12跨及另一個側密封部12而與陽構件63及陰構件64大致平行地形成為長條狀。又，折彎部65形成於陽構件63及陰構件64之大致中間位置，且與陽構件63及陰構件64彼此隔開等距離之位置。
此處，折彎部65係於帶層62藉由特定深度尺寸之切入而形成之虛線。切入形狀為剖面V形狀，但亦可為U形狀。又，虛線係跨及帶層62之長邊方向之兩端部而連續形成之格線，但亦可為以特定間隔具 有切割線之格線、縫線孔線、半切割線。再者，所謂切入之特定深度尺寸係指即便帶層62折彎，亦不會分離為陽構件63側與陰構件64側之程度之尺寸。藉由折彎部65而能夠將帶層62呈陽構件63及陰構件64相互接近之狀態折彎。
作為密封層61，較佳為設為吸收下述作為能量線之雷射光之組成。即，密封層61較佳為以含有吸收雷射光之有機系化合物及無機系化合物中之至少任一者之樹脂組成物而形成。
此處，作為有機系化合物，可使用選自酞菁系化合物、花青系化合物、銨鎓系化合物、亞銨系化合物、方鎓系化合物、聚次甲基系化合物、蒽醌系化合物、偶氮系化合物之群中之至少任一種。
又，作為無機系化合物，可使用選自金屬之單體、金屬鹽、金屬錯合物、金屬氮化物、金屬氧化物、金屬氫氧化物之群中之至少任一種。
尤佳為使用對光幾乎全吸收之碳黑。
而且，作為樹脂，例如相對於密封層61整體含有50質量%以上之密度為920kg/m3以下、熔體流動速率(MFR)為5g/10分鐘以下之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯。較佳為含有50質量%以上99質量%以下，尤佳為含有70質量%以上99質量%以下。
於含有50質量%以上之密度超出920kg/m3、或MFR超出5g/10分鐘之直鏈狀低密度聚乙烯之情形時，與基材膜11之接著性變差。而且，即便與該基材膜11接合亦會成為用手便可簡單地剝離之程度之接著強度。尤其在由聚丙烯系樹脂構成基材膜11之情形時，有無法良好地接合之虞。
該茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯之密度較佳為850kg/m3以上910kg/m3以下，尤佳為860kg/m3以上905kg/m3以下。又，MFR較佳為1g/10分鐘以上5g/10分鐘以下。
再者，只要密度係依據JIS K7121而測定，MFR係依據JIS K7210(190℃，負載21.18N)而測定即可。
另一方面，作為構成密封層61之其他樹脂，較佳為與上述作為必要之構成材料之特定之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯之相容性或混合性良好、且可維持與基材膜11良好之接著性者，例如可使用密度為920kg/m3以下、熔體流動速率(MFR)超出5.0g/10分鐘之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯、MFR(190℃，負載21.18N)較佳為0.5g/10分鐘以上20g/10分鐘以下之丙烯及碳數為4~8之α-烯烴共聚物、齊格勒系直鏈狀低密度聚乙烯、乙烯-極性乙烯酯共聚物等樹脂，可將該等之一種單獨使用，或可將兩種以上組合而使用。
此處，於藉由共擠壓成形而製造夾鏈帶60之情形時，若對密封層61僅使用熔體流動速率(MFR)為5g/10分鐘以下之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯，則有於模具內密封層61之樹脂流入至陽構件63、陰構件64之虞。藉此，尤其有如下之情形：陰構件64之各鉤部之前端變得易閉合，故不易擠壓成能夠再開閉之特定之形狀。對構成密封層61之MFR為5g/10分鐘以下之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯，使用流動性較高、且MFR超出5g/10分鐘之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯、或丙烯及碳數為4~8之α-烯烴共聚物。藉此，可防止該陰構件64等之形狀崩壞。
又，該等樹脂相對於密封層61之含量較佳為1質量%以上50質量%以下，尤佳為5質量%以上40質量%以下。若含量小於1質量%，則有無法發揮防止咬合部之形狀崩壞之效果之情形。另一方面，若含量大於50質量%，則有低溫密封性受損之情形，並且關於與基材膜11之良好之接合性，尤其將基材膜11設為聚丙烯系樹脂之情形時，有接合性變差情形，故欠佳。
再者，該等樹脂中，作為MFR為0.5g/10分鐘以上20g/10分鐘以 下之丙烯及碳數為4~8之α-烯烴共聚物，可使用丙烯與1-丁烯之共聚物。藉此，除上述效果之外，密封層61與帶層62之層間之接著強度亦變得優異，故較佳。此處，更佳為該共聚物之MFR為1g/10分鐘以上10g/10分鐘以下，尤佳為2g/10分鐘以上8g/10分鐘以下。
其次，帶層62與陽構件63及陰構件64較佳為由即便被照射雷射光X亦不易使雷射光透過而導致熔融之組成、即雷射光X之波長中不存在吸收帶之組成而形成。具體而言，例如可使用各種聚乙烯、各種聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、雙軸延伸尼龍膜(ONy)、乙烯-乙烯醇共聚物等樹脂。尤其在主要用於通用之夾鏈帶之方面，較佳為各種聚乙烯、各種聚丙烯。
又，如上所述，作為構成密封層61之樹脂，使用50質量%以上99質量%以下之特定之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯、及1質量%以上50質量%以下之密度為920kg/m3以下、MFR超出5.0g/10分鐘之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯及丙烯中之一者與碳數為4~8之α-烯烴共聚物，作為構成帶層62與陽構件63及陰構件64之樹脂，可使用無規聚丙烯。藉此，於藉由共擠壓成形而製造夾鏈帶60之情形時，密封層61與帶層62、陽構件63及陰構件64之流動性變得均勻，從而可使擠壓速度亦大致相等。因此，亦不會對構成帶層62與陽構件63及陰構件64之無規聚丙烯施加多餘之剪切應力，可更進一步較佳地防止咬合部產生形狀崩壞。
用作帶層62、陽構件63及陰構件64之無規聚丙烯(RPP)較佳為含有乙烯成分2.0質量%以上8.0質量%以下，尤佳為含有乙烯成分3.0質量%以上6.0質量%以下。若相對於無規聚丙烯含有之乙烯成分小於2.0質量%，則有咬合部之再開閉性變差之情形。另一方面，若乙烯成分大於8.0質量%，則在使用主要用於密封層61之茂金屬系直鏈狀低密度聚乙烯之情形時，帶層62之無規聚丙烯之乙烯量變多，如此則導致 與密封層61相同之組成增加。藉此，熔點亦下降，故有與密封層61之熔點差變小，且夾鏈帶60之接合變得複雜之虞。
又，該無規聚丙烯(RPP)之熔體流動速率(MFR)較佳為3g/10分鐘以上10g/10分鐘以下，尤佳為5g/10分鐘以上9g/10分鐘以下。若無規聚丙烯之MFR小於3g/10分鐘，則有將帶層62與陽構件63及陰構件64連續而一體地形成之咬合部之擠壓成形性變差之情形。另一方面，若MFR大於10g/10分鐘，則有如下之情形：陰構件64之各鉤部之前端變得易閉合，或陽構件63變得易傾倒，故不易擠壓成能夠再開閉之特定之形狀。
而且，帶層62與陽構件63及陰構件64可與密封層61藉由共擠壓成形法一體化而獲得。若將夾鏈帶60藉由此種共擠壓法而成形，則可連續且穩定地製造夾鏈帶60。
再者，附夾鏈帶之袋體1之開封位置只要為較由陽構件63及陰構件64所構成之咬合部之位置更靠開口側即可。例如，亦可藉由於基材膜11中開設凹口，或於陽構件63或陰構件64附近設置開封條而易打開。
(附夾鏈帶之袋體之製造裝置)
其次，對附夾鏈帶之袋體之製造裝置進行說明。
圖16係表示附夾鏈帶之袋體之製造裝置之立體圖。圖17係表示附夾鏈帶之袋體之製造裝置之將夾鏈帶接合於基材膜之接合裝置之立體圖。圖18係表示圖17之接合裝置之側視圖。再者，圖16、17中，為方便起見，省略陽構件63及陰構件64。
如圖16所示，製造裝置30具備如圖17、18所示之接合裝置51、及製袋裝置52。
接合裝置51具備：帶捲取輥511，其將形成有折彎部65之帶狀之夾鏈帶60供給至未咬合之一對陽構件63及陰構件64間；未圖示之膜捲 取輥，其供給單層或多層之合成樹脂製之基材膜11；作為輥之轉筒512，其藉由圖示省略之驅動源而旋轉；導入輥513，其將所要供給之夾鏈帶60導入至轉筒512之周面；作為照射部分之雷射照射裝置514；及作為壓接部分之壓接輥515等。
於轉筒512之周面，設置有導入槽512A，該導入槽512A沿圓周方向形成為凹槽狀，且供夾鏈帶60插入。
導入槽512A形成為使藉由導入輥513而插入之夾鏈帶60之密封層61之表面位於與轉筒512之周面大致同一面上之深度。而且，於導入槽512A內，設置有兩條分別導入引導陽構件63及陰構件64之卡合槽512B。卡合槽512B形成為較陽構件63及陰構件64之突出尺寸更深。
作為雷射照射裝置514，可利用能夠將夾鏈帶60之密封層61之表面、即作為與基材膜11之接合部分之接合面61A熔融之任一者。例如，可利用二極體雷射或YAG雷射等固體雷射、色素雷射等液體雷射、CO2雷射等氣體雷射。尤佳為連續地照射雷射光X而能夠將接合面21A熔融之構成。
而且，如圖18所示，雷射照射裝置514將雷射光X以相對於接合面61A之垂線傾斜交叉之方式而照射。具體而言，以入射角θ相對於轉筒512之周面之切線方向大於0°且為90°以下，較佳為入射角θ成為45°以上85°以下之方式配置。尤其若入射角θ小於45°，則有無法將雷射光X之照射能量效率良好地供給至接合面61A之虞。另一方面，若大於85°，則有如下之虞：因雷射照射裝置514與製造裝置50之其他構成之干涉，而自雷射光X之照射後至利用壓接輥515使接合面61A壓接於基材膜11為止需要花費時間。因此，有已熔融之接合面61A開始冷卻固化而無法獲得充分之接合之虞。
即，必須以在照射雷射光X而將接合面61A熔融後，將接合面61A在冷卻固化之前快速地壓接於基材膜11之方式配置雷射照射裝置 514。
再者，雷射照射裝置514例如亦可配置兩台，對密封層61之長邊方向之兩側部分分別照射雷射光X。藉此，可容易使密封層61整體均勻地熔融，並且可進一步縮短使密封層61熔融之時間，從而可將夾鏈帶60在更短時間內接合於基材膜11。
一對壓接輥515使基材膜11導入至轉筒512之周面，伴隨轉筒512之旋轉使其連續移行，且壓接於轉筒512之周面。藉由該等壓接輥515將夾鏈帶60之已熔融之密封層61與所導入之基材膜11壓接並接合。
再者，一對壓接輥515亦可配置成例如圖19所示使導入之基材膜11直接壓接於轉筒512之周面。
如圖16所示，製袋裝置52具備：一對爪形壓扁棒521；圓筒模型522，其供接合有夾鏈帶60之基材膜11捲繞；進給帶523，其配設於該圓筒模型522之側部；密封棒524，其將基材膜11之兩基材端部11A接合而形成密封部15；側密封棒525，其形成側密封部12；及三角板526，其形成角撐18。
一對爪形壓扁棒521隔著夾鏈帶60而對向配置。而且，每特定之間隔，各爪形壓扁棒521將陽構件63及陰構件64壓扁而熔融扁平化。熔融扁平化之未圖示之爪形壓扁部形成於附夾鏈帶之袋體1之與側密封部12對應之位置。
圓筒模型522形成為中空，且通過內部空間而向附夾鏈帶之袋體1中填充收納物。
(附夾鏈帶之袋體之製造方法)
其次，對附夾鏈帶之袋體之製造方法進行說明。
該製造方法實施：照射步驟，其係藉由接合裝置51對夾鏈帶60之密封層61照射作為能量線之雷射光X而使其熔融；接合步驟，其係將基材膜11壓接於密封層61已被熔融之夾鏈帶60並使其接合；及製袋 步驟，其係藉由製袋裝置52而使用具有夾鏈帶60之基材膜11進行製袋。
自帶捲取輥511引出之夾鏈帶60一面藉由接合裝置51之導入輥513而保持於轉筒512之周面、即通過轉筒512之導入槽512A內，一面藉由轉筒512之旋轉而連續移行。
繼而，實施照射步驟，即，於供給基材膜11之位置之前，藉由雷射照射裝置514對夾鏈帶60之密封層61之接合面61A照射雷射光X，使接合面61A於寬度方向上大致均勻地熔融。
藉由該照射步驟將接合面61A熔融之後，立即實施接合步驟，即，藉由壓接輥515將基材膜11導入至轉筒512之周面，且使其壓接於夾鏈帶60並接合。
如此般，將接合有夾鏈帶60之基材膜11輸送至製袋裝置52，藉由爪形壓扁棒521而於夾鏈帶60之陽構件63及陰構件64形成爪形壓扁部。
此後，將基材膜11一面捲繞至圓筒模型522一面藉由進給帶523向下方輸送。此處，以使爪形壓扁部與側密封部12一致之方式輸送。繼而，一面藉由密封棒524而形成密封部15，一面藉由三角板526在與底對應之部分形成角撐18。
又，藉由側密封棒525形成一個側密封部12。繼而，通過圓筒模型522之內部空間進行收納物之填充之後，再次藉由側密封棒525而形成另一個側密封部12。繼而，進行附夾鏈帶之袋體1之切斷。
(第三實施形態之效果)
如上所述，於上述實施形態中，在對導入至轉筒512之周面之夾鏈帶60之接合面61A照射雷射光X而使其熔融之後，將基材膜11捲繞於轉筒512而壓接於夾鏈帶60並接合。
因此，雷射光X未照射至基材膜11，故不會產生基材膜11因雷射 光X而損傷或變形等之不良，可良好地接合夾鏈帶60。因此，可防止所要製造之附夾鏈帶之袋體1之良率變差。進而，可將雷射光X之照射能量僅利用於夾鏈帶60之熔融，從而可提高能量效率，可效率良好地接合。
又，藉由數位信號之雷射光X而僅使接合面61A熔融，故可快速地實施接合面61A之熔融及與基材膜11之接合，能夠加快製袋速度，從而可提高製袋效率。進而，可將雷射光X之照射能量效率良好地利用於夾鏈帶60之熔融，可效率良好地安裝夾鏈帶60。
而且，於第三實施形態中，一面使夾鏈帶60插入至轉筒512之導入槽512A並使其連續移動，一面照射雷射光X而使其連續地熔融。
因此，藉由雷射光X而可將夾鏈帶60在短時間內熔融，從而可縮短接合作業。
又，於第三實施形態中，將導入槽512A之深度設為使插入至導入槽512A之夾鏈帶60之接合面61A與轉筒512之周面成為大致同一面。
因此，在將基材膜11壓接於夾鏈帶60時，可防止基材膜11產生皺褶或鬆馳等，從而可將夾鏈帶60及基材膜11良好地接合。
而且，於第三實施形態中，以相對於轉筒512之周面之垂線交叉之入射角θ而照射雷射光X。
因此，可不產生與其他部位之干涉而將雷射光X之能量效率良好地供給至接合面61A，可容易地將密封層61在冷卻固化之前接合於基材膜11。又，由於抑制雷射照射裝置514與其他部位之干涉，故亦可謀求接合裝置51之小型化。
又，於夾鏈帶60之與基材膜11接合之部分，設置有對雷射光表現出吸收能力之密封層61。
因此，可將雷射光之能量效率良好地利用於接合面61A之熔融， 從而可將夾鏈帶60效率良好地與基材膜11接合。
進而，將夾鏈帶60之除接合面61A以外、即帶層62與陽構件63及陰構件64以雷射光X之吸收能力較低之組成、具體而言以雷射光X之波長中不存在吸收帶之組成而形成，從而不易使雷射光X透過而導致熔融。
因此，例如，可防止如下之不良：陽構件63及陰構件64變形而產生咬合不良，或帶層62變形而無法適當地接合於基材膜11，使基材膜11產生皺褶或鬆馳。
而且，將製袋附夾鏈帶之袋體1時之夾鏈帶60應用於與基材膜11接合之用途。
因此，可應對製袋速度之更高速化之要求，藉由附夾鏈帶之袋體1之有效地製袋而可廉價地提供附夾鏈帶之袋體1。
[第四實施形態]
其次，參照圖式對本發明之第四實施形態進行說明。
第四實施形態係藉由三面製袋而製造附夾鏈帶之袋體。再者，對於與第三實施形態相同或同等之構成，標註相同之符號並省略或簡化說明。
圖20係表示第四實施形態之附夾鏈帶之袋體之前視圖。圖21係表示第四實施形態之附夾鏈帶之袋體之剖視圖。
(附夾鏈帶之袋體之構成)
如圖20、21所示，附夾鏈帶之袋體40於袋本體41之內表面安裝有夾鏈帶42。
袋本體41係將兩片成為包裝材之基材膜11重疊，將三面密封而形成袋者。該袋本體41於周緣形成有一對側密封部411及頂端密封部412，於未密封之一面(一邊)形成有將被包裝物裝入至內部之投入口40A。而且，於袋本體41之開口部413之內表面安裝有夾鏈帶42。 又，於夾鏈帶42之長邊方向之兩端之側密封部411之位置，形成有將夾鏈帶42壓扁而成之壓扁部414。
再者，該袋本體41係藉由在將未圖示之被包裝物自袋本體41之投入口40A收納之後，將袋本體41之底邊密封而成為密封狀態。
如圖21中所示之基材膜11之剖面構成般，該基材膜11例如包含位於袋本體41之外側之外層11B、及位於袋本體41之內側且安裝夾鏈帶42之密封劑層11C。其中，外層11B例如由雙軸延伸聚丙烯(OPP)而形成，密封劑層11C例如由未延伸聚丙烯(CPP)而形成。再者，作為基材膜11，除該等之外，可使用將包含直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等之密封劑、與聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、尼龍(聚醯胺)、金屬或無機蒸鍍PET等基材以乾式層壓法或擠壓層疊法貼合而成之層壓膜。
夾鏈帶42具備成對之陽構件421及陰構件422，藉由該等陽構件421與陰構件422分離或咬合而進行袋本體41之開口部413之開封或再次密封。
陽構件421具備：縱向帶狀之陽側帶狀基部421A，其作為接合於基材膜11之接合部分；及凸部421B，其於陽側帶狀基部421A之寬度方向之大致中央沿長邊方向而設置，且剖面為大致箭頭形狀。
陰構件422具備：縱向帶狀之陰側帶狀基部422A，其作為接合於基材膜11之接合部分；及凹部422B，其於陰側帶狀基部422A之寬度方向之大致中央沿長邊方向而設置，且與凸部421B咬合。
而且，於陽側帶狀基部421A及陰側帶狀基部422A，安裝於基材膜11之縱向帶狀之面成為接合面61A。
再者，較佳為夾鏈帶42至少於接合面61A為下述之吸收雷射光之構成，例如調配有碳黑，或設置有密封層61之構成。又，夾鏈帶42為如下之組成：於凸部421B及凹部422B，進而於陽側帶狀基部421A及 陰側帶狀基部422A，與接合面61A為相反之側即便被照射雷射光亦不易使雷射光透過而導致熔融。即，較佳為以於雷射光之波長中不存在吸收帶之組成而形成。
具體而言，例如，可使用各種聚乙烯、各種聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、雙軸延伸尼龍膜(ONy)、乙烯-乙烯醇共聚物等樹脂。尤其在主要用於通用之夾鏈帶之方面，較佳為各種聚乙烯、各種聚丙烯。
(附夾鏈帶之袋體之製造裝置)
其次，對附夾鏈帶之袋體之製造裝置進行說明。
圖22係表示附夾鏈帶之袋體之製造裝置之概念圖。
於圖22中，製造裝置70具備：帶供給機構71，其供給陽構件421及陰構件422；第1及第2膜供給機構72A、72B，其等供給兩片基材膜11；第1接合機構73A，其將陽構件421接合於藉由第1膜供給機構72A所供給之基材膜11；第2接合機構73B，其將陰構件422熱接合於藉由第2膜供給機構72B所供給之基材膜11；再嵌合機構74，其將陽構件421及陰構件422再嵌合；及製袋機75，其使用接合有藉由該再嵌合機構74所嵌合之夾鏈帶42之兩片基材膜11，將附夾鏈帶之袋體40製袋。
帶供給機構71將凸部421B及凹部422B被咬合之陽構件421及陰構件422相互分離而供給。帶供給機構71包含將凸部421B及凹部422B咬合之夾鏈帶42捲繞成輥狀之帶捲取輥71A、及將自該帶捲取輥71A引出之陽構件421及陰構件422分離之分離機構71B而構成。
再者，相互分離之陽構件421及陰構件422分別經由中間輥71C而被輸送至第1及第2接合機構73A、73B。
第1及第2膜供給機構72A、72B安裝有將基材膜11捲繞成輥狀之膜捲取輥11D。再者，自各膜捲取輥11D引出之基材膜11經由中間輥72C而分別被輸送至第1及第2接合機構73A、73B。
第1及第2接合機構73A、73B與第一實施形態同樣地分別具備：轉筒512，其藉由圖示省略之驅動源而旋轉；導入輥513，其將供給之陽構件421或陰構件422導入至轉筒512之周面；雷射照射裝置514；及壓接輥515等。
再者，轉筒512之導入槽512A形成為陽構件421或陰構件422能夠卡合之槽狀，且形成為使所卡合之陽構件421或陰構件422之接合面61A與轉筒512之周面成為大致同一面之深度。
再嵌合機構74將藉由該等第1及第2接合機構73A、73B分別接合之陽構件421之凸部421B與陰構件422之凹部422B再嵌合。
再嵌合機構74具備導引陽構件421及陰構件422之導引構件74A、及使其等再嵌合之一對輥74B。
(附夾鏈帶之袋體之製造方法)
其次，對製造附夾鏈帶之袋體40之方法進行說明。
自帶捲取輥71A引出之夾鏈帶42由分離機構71B解除咬合而分離為陽構件421及陰構件422之後，分別被供給至第1及第2接合機構73A、73B。又，將自膜捲取輥11D分別引出之基材膜11分別輸送至第1及第2接合機構73A、73B。
繼而，陽構件421及陰構件422分別藉由導入輥513而導入至轉筒512之導入槽512A，且伴隨轉筒512之旋轉而連續移行。對該等連續移行之陽構件421及陰構件422之接合面61A，實施藉由雷射照射裝置514而同時照射雷射光X以使其熔融之照射步驟。
藉由該照射步驟而使接合面61A熔融之後，立即將所供給之基材膜11藉由壓接輥515而捲繞於轉筒512之周面且使其連續移行。繼而，實施使熔融之接合面61A壓接於基材膜11之密封劑層11C之接合步驟。再者，在以壓接輥515壓接於基材膜11之狀態下，接合面61A逐漸被冷卻固化，牢固地接合於基材膜11。
如此般，於第1及第2接合機構73A、73B中，接合有陽構件421及陰構件422之基材膜11藉由再嵌合機構74而將凸部421B及凹部422B再嵌合。
繼而，於製袋機75中，設置側密封部411及頂端密封部412，將附夾鏈帶之袋體40製袋。
(第四實施形態之效果)
如上所述，上述第四實施形態中，與第一實施形態同樣地，對導入至轉筒512之周面之夾鏈帶42之接合面21A照射雷射光X而使其熔融。此後，使基材膜11捲繞於轉筒512，且壓接於夾鏈帶42並接合。因此，第四實施形態可取得與第一實施形態相同之效果。
又，解除夾鏈帶42之咬合，對陽構件421及陰構件422之接合面61A藉由雷射照射裝置514而同時照射雷射光X以使其熔融。繼而，分別同時接合於基材膜11之後，將陽構件421及陰構件422再咬合而製袋。因此，於兩片基材膜11上安裝有夾鏈帶42之構成中，亦可將陽構件421及陰構件422良好地安裝於基材膜11而不會於基材膜11上產生皺褶或鬆馳等。
[第五實施形態]
其次，參照圖式對本發明之第五實施形態進行說明。
第五實施形態係藉由所謂背靠背之枕形製袋而製造附夾鏈帶之袋體者。再者，對於與第三實施形態及第四實施形態相同或同等之構成，標註相同之符號並省略或簡化說明。
圖23係表示第五實施形態之附夾鏈帶之袋體之前視圖。
(附夾鏈帶之袋體之構成)
如圖23所示，附夾鏈帶之袋體80具備袋本體81、及安裝於袋本體81之內表面之夾鏈帶42。
袋本體81係將1片基材膜11之端部重疊而形成者。袋本體81具有 形成於上端部之頂端密封部811、形成於下端部且填充內容物之後底部被密封之預定之投入口80A、及自頂端密封部811跨及投入口80A而形成之背貼部812。
再者，於夾鏈帶42之兩端部設置有點密封部813，防止內容物自附夾鏈帶之袋體80之內部漏出。
(附夾鏈帶之袋體之製造方法)
其次，參照圖式對製造附夾鏈帶之袋體80之方法進行說明。
圖24係表示將夾鏈帶接合於基材膜之步驟之說明圖。圖25係對由安裝有夾鏈帶之基材膜製造附夾鏈帶之袋體之步驟進行說明之說明圖。
將凸部421B及凹部422B被咬合之夾鏈帶42切斷成基材膜11之寬度尺寸之大致一半之長度尺寸，具體而言，與附夾鏈帶之袋體80之橫寬尺寸(圖23中左右方向)相同之長度尺寸。繼而，如圖24所示，將所切斷之夾鏈帶42以長邊方向沿轉筒512之軸方向之方式間歇地供給至轉筒512之上部之周面，且保持於轉筒512之周面。
該夾鏈帶42之保持可利用如下方法，例如，藉由設置於轉筒512之周面之黏著層而能夠剝離地黏著保持；或自設置於轉筒512之周面之吸氣口吸氣而吸引保持；或於為了提高雷射光X之吸收能力而於接合面61A中混合有磁性材料之情形時，藉由轉筒512之周面產生之磁場而吸附保持。
繼而，實施照射步驟，即，對被保持且藉由轉筒512之旋轉而回轉移動之夾鏈帶42之接合面61A，藉由安裝於平板514A之雷射照射裝置514而同時照射雷射光X以使其熔融。
以如下方式照射該雷射光X，即，使平板514A追隨轉筒512之旋轉而移動，從而使接合面61A確實地熔融。
藉由該照射步驟而使接合面61A熔融之後，立即實施接合步驟， 即，將供給之基材膜11藉由壓接輥515而捲繞於轉筒512之周面且使其連續移行，使熔融之接合面61A壓接於基材膜11。再者，在以壓接輥515壓接於基材膜11之狀態下，接合面61A逐漸被冷卻固化，而牢固地接合於基材膜11。
如此般，如圖25所示，於基材膜11之寬度方向沿夾鏈帶42之長邊方向安裝，獲得附夾鏈帶之膜輥11E。
此後，實施製袋步驟，即，將基材膜11自附夾鏈帶之膜輥11E捲出，對準基材膜11之寬度方向端部，使用中心壓板91進行背貼式密封(枕形製袋)。此時，為對準基材膜11之寬度方向而利用導板92。
再者，並不限於將基材膜11自附夾鏈帶之膜輥11E捲出之情形，亦可自上述接合步驟後之安裝有夾鏈帶42之基材膜11直接背貼式密封而不形成輥狀。
其次，使用與基材膜11之寬度方向平行地配置之熱密封棒93，將夾鏈帶42之兩端部進行點密封，並且將未接合於基材膜11之側之夾鏈帶42之接合面61B(參照圖24)熱密封於基材膜11。進而，執行使用熱密封棒93設置頂端密封部811之步驟。
其次，於已進行頂端密封之部分之上游側切斷，製造其相反側開口之附夾鏈帶之袋體80。
如此般獲得之附夾鏈帶之袋體80可自投入口80A填充內容物之後進行熱密封(底部密封)而加以利用。
(第五實施形態之效果)
如上所述，於上述實施形態中，與第三實施形態及第四實施形態同樣地，對導入至轉筒512之周面之夾鏈帶42之接合面61A照射雷射光X而使其熔融。此後，使基材膜11捲繞於轉筒512且壓接於夾鏈帶42並接合，故可取得相同之效果。
又，於第五實施形態中，將長邊方向沿轉筒512之軸方向而保持 夾鏈帶42，且對夾鏈帶42之接合面61A照射雷射光X而使其熔融。因此，可藉由雷射光X而將夾鏈帶42在短時間內熔融，可將夾鏈帶42在短時間內依序接合於基材膜11。
而且，第五實施形態中，藉由轉筒512之黏著層以黏著保持、或藉由吸氣以吸附保持之方式保持夾鏈帶42。
因此，可將夾鏈帶42適當地保持於轉筒512，從而可確實地接合於基材膜11之特定之位置。
進而，第五實施形態中，追隨藉由轉筒512之旋轉而環繞移動之夾鏈帶42而照射雷射光X。
因此，可使夾鏈帶42確實地熔融，可與基材膜11確實地接合。
[變化例]
再者，用以實施本發明之最佳之構成等於以上之記載中有所揭示，但本發明並不限定於此。即，本發明主要關於特定之實施形態而說明，但業者可不脫離本發明之技術思想及目的範圍而對以上所述之實施形態，於材質、數量、及其他詳細之構成方面實施各種變化。
因此，對上述揭示之材質、層構成等加以限定之記載係為容易理解本發明而例示性記載者，其並非限定本發明，故除去其等材質等之限定之一部分或全部限定後之名稱下之記載包含於本發明。
例如，轉筒512之旋轉並不限於連續旋轉，亦可為間歇旋轉。
又，於第三實施形態及第四實施形態之轉筒512中，亦可不設置導入槽512A。
而且，作為第五實施形態之轉筒512，並不限於黏著或吸附於周面而保持之情形，例如亦可與保持之夾鏈帶42對應，設置複數個長邊方向沿轉筒512之軸方向之導入槽512A，且保持於導入槽512A內。
又，作為夾鏈帶60、42，對具有縱向帶狀之平坦之接合面61A之構成進行了說明，但並不限於該構成。例如，在對接合面61A之長邊 方向之兩側部分照射雷射光X之情形時，亦可設置一對呈軌道狀突出之肋，且將其突出之頂部分別作為接合面61A。又，亦可將陽側帶狀基部421A及陰側帶狀基部422A設為於長邊方向以波形狀蜿蜒之形狀，且將接合面61A設為蜿蜒之形狀。
進而，並不限於將接合面61A之整個面熔融之情形，亦可以僅使寬度方向之一部分沿長邊方向熔融之方式照射雷射光X。
而且，亦可將雷射光X垂直地照射至接合面61A。
進而，將夾鏈帶60、42之接合面61A之部分以具有雷射光之吸收能力之組成而形成，但並不限於此。
又，已對將夾鏈帶60、42接合於基材膜11之構成進行了說明，但並不限於此。
例如，可應用於將用於開封之帶狀之開封條或開封線、具有抗氧化劑或吸氧劑等之功能性片材、用於維持開封狀態之補強帶、或殘留開封痕之防篡改帶等長形構件接合於膜或帶等各種長形構件之方法等。
又，於第四實施形態中，照射至陽構件421與陰構件422之雷射光X亦可並不同時。
而且，於第五實施形態中，使咬合之夾鏈帶42之接合面61A藉由雷射光X之照射而熔融，且將接合面21B側熱密封，但並不限於此。例如，使雷射照射裝置514以位於背貼式密封後之筒狀之基材膜11之內側之方式而配置於平板等。而且，亦可於對接合面61B照射雷射光X使其熔融之後，藉由輥等自基材膜11之外表面側壓接並接合，且設置頂端密封部811等。
又，夾鏈帶60、42與基材膜11之壓接時，並不限於使用壓接輥515之情形，例如亦可利用對應於轉筒512之旋轉而回轉之環形帶進行壓接，或以推壓棒進行壓抵。
1‧‧‧附夾鏈帶之袋體
10‧‧‧袋本體
10B‧‧‧收納空間
11‧‧‧基材膜
13‧‧‧頂端密封部
14‧‧‧開口部
20‧‧‧夾鏈帶
21‧‧‧陽構件
22‧‧‧陰構件
23‧‧‧吸光層
24‧‧‧接合層
211‧‧‧陽側帶狀基部
211A‧‧‧陽側基體部
212‧‧‧陽部
221‧‧‧陰側帶狀基部
221A‧‧‧陰側基體部
222‧‧‧陰部
S‧‧‧卡合部

Claims (36)

  1. 一種夾鏈帶，其特徵在於：其係具備成對之陽構件及陰構件者，且上述陽構件係至少2層以上之積層構造，且具備陽側帶狀基部、及設置於上述陽側帶狀基部之一面之陽部，上述陰構件係至少2層以上之積層構造，且具備陰側帶狀基部、及設置於上述陰側帶狀基部之一面且能夠與上述陽部卡合之陰部，上述陽構件之積層構造及上述陰構件之積層構造之至少任一者包含吸光層，上述吸光層係含有波長吸收區域為800nm以上1200nm以下之吸光材料而形成。
  2. 如請求項1之夾鏈帶，其中上述吸光層係於樹脂組成物中含有波長吸收區域為800nm以上1200nm以下之上述吸光材料而形成。
  3. 如請求項1之夾鏈帶，其中上述吸光材料係有機系化合物與無機系化合物中之至少任一者，該有機系化合物係酞菁系化合物、花青系化合物、銨鎓系(aminium)化合物、亞銨系化合物、方鎓系(squalium)化合物、聚次甲基系化合物、蒽醌系化合物、偶氮系化合物中之至少任一種，該無機系化合物係碳黑、金屬之單體、鹽、錯合物、氮化物、氧化物、氫氧化物中之至少任一種。
  4. 如請求項1之夾鏈帶，其中於上述陽側帶狀基部及上述陰側帶狀基部之至少任一者，將含有上述吸光材料之吸光層至少設置於除設置有上述陽部及上述陰部之一面之表面層以外之至少1層。
  5. 如請求項1之夾鏈帶，其中上述陽構件係至少3層以上之積層構造，上述陰構件係至少3層以上之積層構造，上述陽側帶狀基部及上述陰側帶狀基部之至少任一者係具備：面向與設置有上述陽部及上述陰部之一面為相反側之面而設置且含有熔點為60℃以上120℃以下之樹脂之接合層、及與上述接合層相鄰之上述吸光層。
  6. 如請求項4之夾鏈帶，其中上述陽部及上述陰部之至少任一者係藉由對800nm以上1200nm以下之波長未表現出吸收之樹脂而形成。
  7. 如請求項5之夾鏈帶，其中上述陽部及上述陰部之至少任一者係藉由對800nm以上1200nm以下之波長未表現出吸收之樹脂而形成。
  8. 如請求項1之夾鏈帶，其中含有上述吸光材料之部分含有熔點為60℃以上120℃以下之樹脂。
  9. 如請求項5之夾鏈帶，其中上述樹脂係以藉由茂金屬觸媒而生成之茂金屬系烯烴為主成分。
  10. 一種附夾鏈帶之袋體，其特徵在於具備：袋本體，其係將膜重疊而成；及如請求項1至9中任一項之夾鏈帶，其安裝於該袋本體之內表面。
  11. 一種附夾鏈帶之袋體之製造方法，其特徵在於：其係將如請求項1至9中任一項之夾鏈帶安裝於膜上而製造附夾鏈帶之袋體之製造方法，且實施： 照射步驟，其係對上述夾鏈帶照射800nm以上1200nm以下之能量線；及接合步驟，其係使上述膜壓接於在上述照射步驟中熔融之上述夾鏈帶之被照射了上述能量線之部分。
  12. 如請求項11之附夾鏈帶之袋體之製造方法，其中於上述照射步驟中，在使上述夾鏈帶保持於輥之周面之狀態下，使上述夾鏈帶沿上述輥移動，並且對上述夾鏈帶之面向上述輥之外表面方向且使上述膜接合之部分照射上述能量線，於上述接合步驟中，在較照射上述能量線之位置更靠上述輥之上述夾鏈帶移動之方向之下游側之位置，將上述膜捲繞於上述輥之周面並使其移動，並且使上述膜壓接於上述夾鏈帶之接合部分並接合。
  13. 如請求項11之附夾鏈帶之袋體之製造方法，其中於上述照射步驟中，使用沿圓周方向具有凹槽狀之導入槽之輥，使上述夾鏈帶插入至上述導入槽內之狀態下，使上述夾鏈帶沿上述輥移動，並且對上述夾鏈帶之接合部分照射上述能量線。
  14. 如請求項13之附夾鏈帶之袋體之製造方法，其中上述輥之導入槽具有使上述夾鏈帶之接合部分與上述輥之周面成為同一面之深度。
  15. 如請求項12之附夾鏈帶之袋體之製造方法，其中於上述照射步驟中，在使上述夾鏈帶之長邊方向沿上述輥之軸方向而保持之狀態下，使上述夾鏈帶沿上述輥環繞移動，並且對上述夾鏈帶之面向上述輥之外表面方向之接合部分照射上述能量線。
  16. 如請求項15之附夾鏈帶之袋體之製造方法，其中 上述輥對上述夾鏈帶之保持係藉由上述輥之周面之吸氣而吸附保持。
  17. 如請求項15之附夾鏈帶之袋體之製造方法，其中於上述照射步驟中，一面追隨沿上述輥環繞移動之夾鏈帶，一面照射上述能量線。
  18. 如請求項12之附夾鏈帶之袋體之製造方法，其中於上述照射步驟中，以相對於上述輥之周面之垂線交叉之入射角而照射上述能量線。
  19. 如請求項12之附夾鏈帶之袋體之製造方法，其中上述夾鏈帶係至少上述接合部分藉由對上述能量線表現出吸收能力之組成而形成者。
  20. 如請求項12之附夾鏈帶之袋體之製造方法，其中上述夾鏈帶包含至少2層以上之積層體，上述夾鏈帶之未與上述膜接合之層之至少1層為對上述能量線表現出吸收能力之組成。
  21. 如請求項11之附夾鏈帶之袋體之製造方法，其中上述能量線係不可見光區域之波長之雷射光。
  22. 一種附夾鏈帶之袋體之製造方法，其特徵在於：其係藉由如請求項11之附夾鏈帶之袋體之製造方法將安裝有上述夾鏈帶之膜製袋。
  23. 一種夾鏈帶之接合裝置，其特徵在於：其係使夾鏈帶接合於膜者，且具備：輥，其將上述夾鏈帶保持於周面；照射部分，其對保持於上述輥之上述夾鏈帶之面向上述輥之外表面方向且使上述膜接合之部分照射能量線；及壓接部分，其在較照射上述能量線之位置更靠上述輥之上述 夾鏈帶移動之方向之下游側之位置，將上述膜捲繞於上述輥之周面並使其移動，並且使上述膜壓接於上述夾鏈帶之接合部分。
  24. 一種長形構件之接合方法，其特徵在於：其係第一長形構件對第二長形構件之接合方法，且實施：照射步驟，其係於使上述第一長形構件保持於輥之周面之狀態下使上述第一長形構件沿上述輥移動，並且對上述第一長形構件之面向上述輥之外表面方向且使上述第二長形構件接合之部分照射能量線；及接合步驟，於上述照射步驟之後，在較照射上述能量線之位置更靠上述輥之上述第一長形構件移動之方向之下游側之位置，將上述第二長形構件捲繞於上述輥之周面並使其移動，並且使上述第二長形構件壓接於上述第一長形構件之接合部分並接合。
  25. 如請求項24之長形構件之接合方法，其中於上述照射步驟中，使用沿圓周方向具有凹槽狀之導入槽之上述輥，在使上述第一長形構件插入至上述導入槽內之狀態下使上述第一長形構件沿上述輥移動，並且對上述第一長形構件之接合部分照射上述能量線，而使上述第一長形構件接合於上述第二長形構件。
  26. 如請求項25之長形構件之接合方法，其中上述輥之導入槽具有使上述第一長形構件之接合部分與上述輥之周面成為同一面之深度。
  27. 如請求項24之長形構件之接合方法，其中於上述照射步驟中，在使上述第一長形構件之長邊方向沿上述輥之軸方向而保持之狀態下使上述第一長形構件沿上述輥環 繞移動，並且對上述第一長形構件之面向上述輥之外表面方向之接合部分照射上述能量線使其接合。
  28. 如請求項27之長形構件之接合方法，其中上述輥對上述第一長形構件之保持係藉由上述輥之周面之吸氣而吸附保持。
  29. 如請求項27之長形構件之接合方法，其中於上述照射步驟中，一面追隨沿上述輥環繞移動之第一長形構件一面照射上述能量線。
  30. 如請求項24之長形構件之接合方法，其中於上述照射步驟中，以相對於上述輥之周面之垂線交叉之入射角而照射上述能量線。
  31. 如請求項24之長形構件之接合方法，其中上述第一長形構件係至少上述接合部分藉由對上述能量線表現出吸收能力之組成而形成者。
  32. 如請求項24之長形構件之接合方法，其中上述第一長形構件包含至少2層以上之積層體，上述第一長形構件之未與上述第二長形構件接合之層之至少1層為對上述能量線表現出吸收能力之組成。
  33. 如請求項24之長形構件之接合方法，其中上述能量線係不可見光區域之波長之雷射光。
  34. 如請求項24之長形構件之接合方法，其中上述第一長形構件係夾鏈帶，上述第二長形構件係膜。
  35. 一種附夾鏈帶之袋體之製造方法，其特徵在於：其係藉由如請求項34之長形構件之接合方法而將安裝有上述夾鏈帶之上述膜製袋。
  36. 一種長形構件之接合裝置，其特徵在於：其係使第一長形構件接合於第二長形構件者，且具備：輥，其將上述第一長形構件保持於周面；照射部分，其對保持於上述輥之上述第一長形構件之面向上述輥之外表面方向且使上述第二長形構件接合之部分照射能量線；及壓接部分，其在較照射上述能量線之位置更靠上述輥之上述第一長形構件移動之方向之下游側之位置，將上述第二長形構件捲繞於上述輥之周面並使其移動，並且使上述第二長形構件壓接於上述第一長形構件之接合部分。
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