TWI679693B - 晶圓的加工方法 - Google Patents

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Yuki Ogawa
長岡健輔
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小幡翼
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

提供一種晶圓的加工方法，其可抑制搬送時晶圓破損之 情形，且可容易地補正雷射光線的照射位置。
晶圓的加工 方法具備保護膠帶貼著步驟、切削溝形成步驟與分割步驟。保護膠帶貼著步驟是於晶圓的功能層之表面貼著會因外界刺激而硬化之保護膠帶。切削溝形成步驟是自基板的背面側沿分割預定線以切削刀片切削，並形成未到達功能層之留下殘存部的切削溝。分割步驟是於實施切削溝形成步驟後，沿切削溝照射對基板具有吸收性之波長的雷射光線，而將殘存部分割並將晶圓分割為元件晶片。在切削溝形成步驟中，會於晶圓之外周剩餘區域形成未形成切削溝之非加工部。

Description

晶圓的加工方法 發明領域
本發明是關於晶圓的加工方法。
發明背景
形成有IC或LSI等的元件之半導體晶圓，為了提升處理能力而於基板的表面，藉由積層由SiOF、BSG(SiOB)等的無機物系的膜，或是聚醯亞胺系、聚對二甲苯系等為聚合物膜之有機物系的膜所構成的低介電常數絕緣體被膜(Low-k膜)之功能層，來形成半導體元件之製造方法已被實用化。因為此膜有容易因切削刀片的切削而自基板剝離之較脆的性質，所以已有下列的加工方法被實施：藉由雷射光線將膜開槽來去除，並於其間定位切削刀片來分割基板(專利文獻1)。
然而，在此加工方法上存在以下課題：因為是超出切削刀片的寬度來將功能層去除，所以會因需要進行複數次的雷射掃描而花費了較長的加工時間之去除功能層所形成之溝槽的形狀，導致刀片發生偏磨耗；或為了防止雷射加工所產生碎屑之附著而必需被覆保護膜；或因為於功能層的表面形成有含有SiO2、SiN等的鈍化膜，因此當照射 雷射時即會穿透鈍化膜並到達功能層的內部，而有損傷元件之疑慮。
於是，本發明之申請人提出可利用下列作法解決這樣的課題之加工方法，其為：自晶圓的背面以切削刀片形成具備有預定量切剩部的溝槽，並以隔著溝槽的方式藉由雷射或電漿蝕刻將功能層去除。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2005-64231號公報
發明概要
然而，在自晶圓的背面以切削刀片形成具備有預定量切剩部之溝槽，並以隔著溝槽的方式藉由雷射或電漿蝕刻將功能層去除之加工方法中，因為是以切削刀片將晶圓(基板)的厚度的大部分切削之後，再搬入至雷射加工裝置，並分割晶圓，所以留下了恐有於搬送時使晶圓破損之疑慮。又，還有下列的課題：雖然對切削溝之溝底照射雷射光線，但是即便拍攝溝底也不容易看出雷射光線的照射痕跡，故即使照射位置已偏離，也難以發現位置偏離，因而難以補正雷射光線的照射位置。
本發明是有鑑於上述事實而作成的發明，其技術課題是提供一種晶圓的加工方法，其可以抑制搬送時晶圓破損之情形，並且可容易地補正雷射光線的照射位置。
根據本發明所提供的一種晶圓的加工方法，為具備元件區域與圍繞該元件區域之外周剩餘區域之晶圓的加工方法，該元件區域在積層於基板的表面之功能層上形成有形成為格子狀之複數條分割預定線、與複數個元件，該等元件是在被該分割預定線所劃分之複數個區域中各自形成元件，該晶圓的加工方法具備：保護膠帶貼著步驟，將會因外界刺激而硬化之保護膠帶貼著於功能層之表面；切削溝形成步驟，在實施該保護膠帶貼著步驟之後，自基板的背面側沿分割預定線以切削刀片切削，並形成未到達功能層之留下殘存部的切削溝；及分割步驟，在實施該切削溝形成步驟之後，沿著該切削溝照射對基板具有吸收性之波長的雷射光線，以將該殘存部分割而將晶圓分割成複數個元件晶片，在該切削溝形成步驟中，是使其於外周剩餘區域殘存未形成切削溝之非加工部。
較理想的是，晶圓的加工方法的該分割步驟是在包含該非加工部之對應於分割預定線之區域照射雷射光線，而於該非加工部之表面形成雷射加工溝，且更具備偏離量檢測步驟與位置補正步驟，該偏離量檢測步驟是以攝像機構拍攝形成於該非加工部之該雷射加工溝，以檢測所期望之雷射光線照射位置與該雷射加工溝之位置之偏離量作為加工位置補正資訊，該位置補正步驟是根據該加工位置補 正資訊補正雷射光線之照射位置。
以本發明之晶圓的加工方法，可達到下述效果：由於在切削溝形成步驟於晶圓之外周剩餘區域形成非加工部，所以於晶圓之外周形成如同有補強部的狀態，因此可以抑制搬送時晶圓破損之情形。此外，也可達到下述效果：因為也以雷射光線照射於非加工部，所以可在為平坦的表面之非加工部上明確地確認雷射光線之照射位置，因而可容易地補正雷射光線的照射位置。
10‧‧‧切削裝置
11、21‧‧‧工作夾台
12‧‧‧高度位置測定器
13‧‧‧厚度測定器
14‧‧‧切削刀片
20‧‧‧雷射加工裝置
22‧‧‧攝像機構
23‧‧‧雷射光線照射機構
B‧‧‧基板
Ba‧‧‧表面
Bb‧‧‧背面
CR‧‧‧切削溝
D‧‧‧元件
DT‧‧‧元件晶片
DA‧‧‧偏離量
DR‧‧‧元件區域
S1、S2‧‧‧分割預定線
SL‧‧‧基準線
FL‧‧‧功能層
GR‧‧‧外周剩餘區域
L‧‧‧雷射光線
LR‧‧‧雷射加工溝
TG‧‧‧保護膠帶
UC‧‧‧非加工部
UP‧‧‧殘存部
W‧‧‧晶圓
ST1‧‧‧保護膠帶貼著步驟
ST2‧‧‧高度記錄步驟
ST3‧‧‧厚度記錄步驟
ST4‧‧‧切削溝形成步驟
ST5‧‧‧分割步驟
ST51‧‧‧形成雷射加工溝之步驟
ST52‧‧‧判斷是否有對預定之分割預定線照射雷射光線之步驟
ST53‧‧‧偏離量檢測步驟
ST54‧‧‧位置補正步驟
ST55‧‧‧判斷是否完成之步驟
圖1是顯示實施形態之晶圓的加工方法之加工對象的晶圓的立體圖。
圖2是加工對象的晶圓的主要部位之剖面圖。
圖3(a)、(b)是顯示保護膠帶貼著步驟的概要之立體圖。
圖4是顯示保護膠帶貼著步驟後之晶圓被保持於切削裝置之工作夾台上的狀態之立體圖。
圖5(a)、(b)是顯示高度記錄步驟的概要之側面圖。
圖6(a)、(b)是顯示厚度記錄步驟的概要之側面圖。
圖7(a)、(b)是顯示切削溝形成步驟的概要之剖面圖。
圖8(a)、(b)是圖7所顯示的晶圓之放大剖面圖。
圖9是顯示切削溝形成步驟後的晶圓被保持於雷射加工裝置之工作夾台上的狀態之立體圖。
圖10是顯示分割步驟的概要之剖面圖。
圖11(a)、(b)是顯示分割步驟的概要之晶圓的主要部位 之放大剖面圖。
圖12是顯示分割步驟的雷射加工溝形成途中的晶圓等之立體圖。
圖13是顯示分割步驟的雷射加工溝形成途中的晶圓等之其他的立體圖。
圖14是顯示雷射加工裝置的攝像機構拍攝圖9中的XⅣ部位而得到的圖像之一例的圖。
圖15是顯示雷射加工裝置的攝像機構拍攝圖12及圖13中的XV部位而得到的圖像之一例的圖。
圖16是顯示實施形態之晶圓的加工方法的流程之一例的圖。
用以實施發明之形態
針對用於實施本發明之形態(實施形態)，參照圖式作更詳細之說明。本發明不因以下的實施形態所記載之內容而受到限定。又，在以下所記載之構成要素中含有本發明所屬技術領域中具有通常知識者可輕易設想得到的或實質上是相同者。此外，以下所記載之構成均可適當地組合。又，在不脫離本發明之要旨的範圍內，可進行各種構成之省略、置換或變更。
[實施形態]
根據圖1至圖16說明實施形態之晶圓的加工方法。圖1是顯示實施形態之晶圓的加工方法之加工對象的晶圓的立體圖，圖2是實施形態之晶圓的加工方法之加工對象的晶圓 的主要部位之剖面圖，圖3(a)是顯示實施型態之晶圓的加工方法之保護膠帶貼著步驟的保護膠帶貼著前之晶圓等之立體圖，圖3(b)是顯示實施形態之晶圓的加工方法之保護膠帶貼著步驟的保護膠帶貼著後之晶圓等之立體圖，圖4是顯示實施形態之晶圓的加工方法之保護膠帶貼著步驟後之晶圓被保持於切削裝置之工作夾台上的狀態之立體圖，圖5(a)是顯示實施形態之晶圓的加工方法之高度記錄步驟前的概要之側面圖，圖5(b)是顯示實施形態之晶圓的加工方法之高度記錄步驟後的概要之側面圖，圖6(a)是顯示實施形態之晶圓的加工方法之厚度記錄步驟前的概要之側面圖，圖6(b)是顯示實施形態之晶圓的加工方法之厚度記錄步驟後的概要之側面圖，圖7(a)是顯示實施形態之晶圓的加工方法之切削溝形成步驟的切削溝開始形成時之剖面圖，圖7(b)是顯示實施形態之晶圓的加工方法之切削溝形成步驟的切削溝形成完成時之剖面圖，圖8(a)是沿圖7(a)中的ⅧA-ⅧA線的剖面圖，圖8(b)是沿圖7(b)中的ⅧB-ⅧB線的剖面圖，圖9是顯示實施形態之晶圓的加工方法之切削溝形成步驟後的晶圓被保持於雷射加工裝置之工作夾台上的狀態之立體圖，圖10是顯示實施形態之晶圓的加工方法之分割步驟的概要之剖面圖，圖11(a)是實施形態之晶圓的加工方法之分割步驟的雷射加工溝形成前的晶圓的主要部位之剖面圖，圖11(b)是實施形態之晶圓的加工方法之分割步驟的雷射加工溝形成後的晶圓的主要部位之剖面圖，圖12是顯示實施型態之晶圓的加工方法之分割步驟的雷射加工溝形成途中的晶圓 等之立體圖，圖13是顯示實施形態之晶圓的加工方法之分割步驟的雷射加工溝形成途中的晶圓等之其他的立體圖，圖14是顯示雷射加工裝置的攝像機構拍攝圖9中的XⅣ部位而得到的圖像之一例的圖，圖15是顯示雷射加工裝置的攝像機構拍攝圖12及圖13中的XV部位而得到的圖像之一例的圖，圖16是顯示實施形態之晶圓的加工方法的流程之一例的圖。
實施形態之晶圓的加工方法(以下僅稱為加工方法)，是加工於圖1及圖2所示之晶圓W的加工方法，其為於自表面Ba積層有功能層FL之基板B的背面Bb側形成切削溝CR(如圖8等所示)之後，對切削溝CR之底面照射雷射光線L(如圖10所示)以分割成一個個元件晶片DT(如圖13所示)之方法。再者，作為藉由本實施形態之晶圓的加工方法而被分割成一個個元件晶片DT之加工對象的晶圓W，如圖1及圖2所示，具備有用厚度為50μm~300μm之以矽、藍寶石、鎵等作為母材之圓盤狀的半導體晶圓或光元件晶圓所構成的基板B、以及於基板B之表面Ba積層有形成絕緣膜與電路之功能膜之功能層FL。晶圓W是在積層於基板B的表面Ba之功能層FL上形成有複數個分割預定線S1、S2與元件D之晶圓，該等分割預定線S1、S2形成為格子狀，該等元件在被分割預定線S1、S2所劃分的複數個區域中構成IC、LSI等的元件晶片DT。亦即，元件晶片DT是包含元件D而被構成。
再者，作為分割預定線S1、S2，設置有互相平 行的複數條分割預定線S1、以及正交於此等複數條分割預定線S1之複數條平行的分割預定線S2。又，晶圓W具備形成有元件D之元件區域DR、以及圍繞元件區域DR且未形成有元件D之外周剩餘區域GR。
在本實施形態中，形成功能層FL的絕緣膜是由低介電常數絕緣體被膜(Low-k膜)構成，並將厚度設定為10μm，其中該低介電常數絕緣體被膜(Low-k膜)是由SiO2膜或SiOF、BSG(SiOB)等無機物系的膜，或是聚醯亞胺系、聚對二甲苯系等為聚合物膜的有機物系之膜所構成。這樣做而構成之功能層FL，會在表面形成有包含SiO2、SiN等的鈍化膜。如圖2所示，是將分割預定線S1、S2上的功能層FL之表面形成為比元件D上的功能層FL之表面稍低。
實施形態之晶圓的加工方法是將晶圓W沿著分割預定線S1、S2分割之加工方法，並如圖16所示，具備保護膠帶貼著步驟ST1、高度記錄步驟ST2、厚度記錄步驟ST3、切削溝形成步驟ST4、以及分割步驟ST5。
實施形態之晶圓的加工方法，首先，於保護膠帶貼著步驟ST1中，是如圖3(a)所示，使具有會因外界刺激而硬化之黏著層的保護膠帶TG與構成晶圓W之功能層FL的表面相向之後，如圖3(b)所示，於功能層FL之表面上貼著保護膠帶TG以用於保護元件D。再者，保護膠帶TG是包含以聚乙烯薄膜等之樹脂片等所構成的母材、以及設置於母材的表面之黏著層而構成。黏著層可以使用會因作為外界刺激之照射紫外線、或作為外界刺激而被加熱的作法而硬 化之黏著層。接著，進入高度記錄步驟ST2。
如圖4所示，在高度記錄步驟ST2中，是將已實施保護膠帶貼著步驟ST1之晶圓W的保護膠帶TG側載置於切削裝置10之工作夾台11的保持面上。並且，藉由透過未圖示的真空吸引路徑而連接至工作夾台11之真空吸引源以於保持面進行吸引，並隔著保護膠帶TG將晶圓W吸引保持於工作夾台11的保持面。
然後，如圖5(a)所示，將晶圓W的預定的分割預定線S1、S2之一端定位於切削裝置10之高度位置測定器12的正下方。其次，作動高度位置測定器12，並且將切削裝置10的未圖示之加工進給機構等作動，以沿分割預定線S1、S2移動工作夾台11。然後，如圖5(b)所示，當分割預定線S1、S2之另一端到達高度位置測定器12的正下方後，即停止加工進給機構並且停止高度位置測定器12。接著，藉由高度位置測定器12，檢測與被吸引且保持於工作夾台11之晶圓W的預定的分割預定線S1、S2相對應之基板B的背面Bb之高度位置。再者，作為高度位置測定器12，可以使用將雷射光線照射於基板B之背面Bb來測定背面Bb之高度位置的測定器、雷射位移計、背壓感測器、測微計(micro gauge)等。接著，進入厚度記錄步驟ST3。
在厚度記錄步驟ST3中，如圖6(a)所示，是將晶圓W的預定的分割預定線S1、S2之一端定位於切削裝置10之厚度測定器13的正下方。其次，作動厚度測定器13，並且作動切削裝置10的未圖示的加工進給機構等，以沿分割 預定線S1、S2移動工作夾台11。然後，如圖6(b)所示，當分割預定線S1、S2之另一端到達厚度測定器13的正下方後，即停止加工進給機構，並且停止厚度測定器13。然後，藉由厚度測定器13檢測與被吸引保持於工作夾台11之晶圓W的預定的分割預定線S1、S2相對應之區域的厚度。厚度可以從晶圓W整體之厚度、基板B之厚度、功能層FL之厚度中進行各種選擇。再者，作為厚度測定器13，可以使用向基板B之背面Bb發射超音波來測定厚度之測定器、超音波厚度計、雷射干涉計等。接著，進入切削溝形成步驟ST4。
切削溝形成步驟ST4，是自被吸引保持於工作夾台11之晶圓W的基板B的背面Bb側沿分割預定線S1、S2以切削裝置10之切削刀片14切削，而形成未到達功能層FL之留下殘存部UP(如圖8(a)及圖8(b)所示)的切削溝CR的步驟。又，切削溝形成步驟ST4，是於晶圓W的外周剩餘區域GR形成並未形成切削溝CR之非加工部UC(如圖7(b)等所示)的步驟。切削溝形成步驟ST4，是根據切削裝置10之未圖示之攝像機構所取得之圖像，實行用於進行基板B的背面Bb之與分割預定線S1、S2對應的區域和切削刀片14(如圖4所示)之位置對齊的型樣匹配等的圖像處理，而完成校準。
之後，由基板B的背面Bb側將切削刀片14定位於與分割預定線S1、S2對應之區域，並留下切削刀片14不切到功能層FL之基板B的一部分，而依序形成切削溝CR(圖7及圖8等所示)。於與分割預定線S1、S2對應之區域形成切削溝CR時，是如圖7(a)中以二點鏈線表示的方式，使切削 刀片14與相較於與分割預定線S1、S2對應之區域之一端更稍微靠近中央之元件區域DR之端相向。之後，以產生離功能層FL的表面例如厚度10μm左右之殘存部UP之形式，根據在高度記錄步驟ST2中所測定之背面Bb的高度位置及在厚度記錄步驟ST3中所測定之厚度，來算出對應於分割預定線S1、S2之表面的高度位置，以如圖7(a)所示，將切削刀片14以不切到功能層FL之形式切入晶圓W。
然後，使工作夾台11移動，並使切削刀片14朝向分割預定線S1、S2之另一端移動。之後，在切削刀片14如圖7(b)所示地位於相較於與分割預定線S1、S2對應之區域之另一端更稍微靠近中央之元件區域DR之端之後，如圖7(b)中以二點鏈線表示的形式，使切削刀片14上升。如此一來，於切削溝形成步驟ST4中，會於晶圓W之外周剩餘區域GR留下非加工部UC(示於圖9)，而沿分割預定線S1、S2形成切削溝CR。亦即，在切削溝形成步驟ST4中，是將於晶圓W之外周剩餘區域GR中未被施行切削刀片14的切削加工之非加工部UC沿晶圓W的整個周圍形成。當在全部之與分割預定線S1、S2對應的區域中均形成切削溝CR後，即進入分割步驟ST5。
分割步驟ST5是於實施切削溝形成步驟ST4後，將殘存部UP分割並且將晶圓W分割成元件晶片DT之步驟。在分割步驟ST5中，首先會在要對已實施切削溝形成步驟ST4之晶圓W照射雷射光線L的雷射加工裝置20的工作夾台21(示於圖9)之多孔狀的保持面上，隔著保護膠帶TG載置晶 圓W。藉由透過未圖示之真空吸引路徑而被連接到工作夾台21之真空吸引源以於保持面進行吸引，並如圖9所示，隔著保護膠帶TG以工作夾台21之保持面吸引保持晶圓W。
然後，根據雷射加工裝置20的攝像機構22所取得之圖像(將其中一例顯示於圖14)，而完成校準。之後，沿著保持於工作夾台21的晶圓W之分割預定線S1、S2，藉由移動機構使工作夾台21及雷射加工裝置20之雷射光線照射機構23相對地移動，並且如圖10及圖11(a)所示，沿著切削溝CR照射對晶圓W的基板B具有吸收性之波長(例如355nm)的雷射光線L。在本實施形態中，是遍及於各分割預定線S1、S2之全長來照射已對焦於殘存部UP的表面的雷射光線L，以遍及於各分割預定線S1、S2之全長來施行燒蝕加工，並如圖11(b)所示，形成雷射加工溝LR(步驟ST51)。如此一來，在分割步驟ST5中，是將雷射光線L照射於對應於包含非加工部UC之各分割預定線S1、S2之全長之區域，而如圖12所示，於非加工部UC的表面形成雷射加工溝LR。
具體而言，在分割步驟ST5中，首先，是沿著分割預定線S1相對地移動工作夾台21及雷射加工裝置20之雷射光線照射機構23，並且對複數條分割預定線S1一條一條地依序照射雷射光線L，而形成雷射加工溝LR(步驟ST51)。然後，雷射加工裝置20之未圖式之控制機構判斷是否有對複數條分割預定線S1之中預定之分割預定線S1照射雷射光線L(步驟ST52)。如果雷射加工裝置20之控制機構判斷為有對預定之分割預定線S1照射雷射光線L(步驟ST52：是)，即 以攝像機構22拍攝形成於非加工部UC之雷射加工溝LR，而得到圖15中顯示其中一例的圖像。然後，實施偏離量檢測步驟，其為使控制機構於圖15中顯示其中一例的圖像中檢測例如，將切削溝CR之寬度方向的中央等之預先決定的基準線SL(於圖15中以兩點鏈線表示，相當於所期望的雷射光線照射位置)、與雷射加工溝LR之位置的偏離量DA，以作為加工位置補正資訊(步驟ST53)。再者，預定之分割預定線S1可以使用複數條分割預定線S1之中自加工開始第複數條之線。
然後，實施位置補正步驟，其為在使控制機構對接下來之分割預定線S1照射雷射光線L時，根據作為偏離量DA之加工位置補正資訊，補正雷射光線L的照射位置(步驟ST54)。具體而言，控制機構會根據偏離量DA補正雷射光線照射機構23與晶圓W之相對的位置，以使雷射加工溝LR形成於基準線SL上。若控制機構在判斷為並未對預定之分割預定線S1照射雷射光線L(步驟ST52：否)、或於實施位置補正步驟ST54之後，判斷是否於全部之分割預定線S1、S2上均形成有雷射加工溝LR(步驟ST55)，而判斷為尚未在全部之分割預定線S1、S2上均形成雷射加工溝LR(步驟ST55：否)時，即返回到步驟ST51。
又，控制機構在已於全部之分割預定線S1上形成雷射加工溝LR時，會使工作夾台21旋轉90度，之後，再沿分割預定線S2使工作夾台21與雷射加工裝置20之雷射光線照射機構23相對地移動，並且對複數條分割預定線S2一條 一條地依序照射雷射光線L，以形成雷射加工溝LR(步驟ST51)。接著，控制機構會判斷是否有對預定之分割預定線S2照射雷射光線L(步驟ST52)。如果控制機構判斷為有對預定之分割預定線S2照射雷射光線L(步驟ST52：是)時，即實施以攝像機構22拍攝形成於非加工部UC之雷射加工溝LR，而從圖15中顯示其中一例的圖像中檢測偏離量DA之偏離量檢測步驟(步驟ST53)。再者，預定的分割預定線S2，可以使用複數條分割預定線S2之中自加工開始第複數條之線。
然後，控制機構會實施根據加工位置補正資訊，補正雷射光線L的照射位置之位置補正步驟(步驟ST54)。控制機構在判斷為並未對預定之分割預定線S2照射雷射光線L((步驟ST52：否)、或於實施位置補正步驟ST54之後，判斷是否於全部之分割預定線S1、S2上均形成有雷射加工溝LR(步驟ST55)，而判斷為尚未在全部之分割預定線S1、S2上均形成雷射加工溝LR(步驟ST55：否)時，即返回到步驟ST51，當判斷為在全部之分割預定線S1、S2上均形成有雷射加工溝LR(步驟ST55：是)時，則進行解除工作夾台21之吸引保持等，並完成加工方法。
根據實施形態之加工方法，可達到下述的效果：因為在切削溝形成步驟ST4中於晶圓W之外周剩餘區域GR形成非加工部UC，所以於晶圓W之外周形成如同有補強部之狀態，因此即使形成有切削溝CR，還是可在自切削裝置10往雷射加工裝置20等之搬送時，變得難以發生晶圓W之 破碎。此外，根據加工方法，於分割步驟ST5中形成雷射加工溝LR時(步驟ST51)，藉由對非加工部UC也照射雷射光線L，而可在為平坦之表面的非加工部UC上明確地確認雷射光線L的照射位置。因此，根據加工方法，也有以下的效果：可以找出雷射光線L的照射位置之偏離量DA、或將所找出之偏離量DA作為補正值來利用，以將雷射光線L照射到所期望之位置。因此，根據加工方法，可達到以下的效果：可以抑制搬送時晶圓W破損之情形，並可以容易地補正雷射光線L之照射位置。
再者，本發明並不受限於上述實施形態。亦即，在不脫離本發明之要點之範圍內，可進行各種變形來實施。例如，在前述之實施形態中，在位置補正步驟ST54中，雖然使雷射加工裝置20的控制機構根據偏離量DA來補正雷射光線L的照射位置，但在本發明中，亦可使雷射加工裝置20的操作者觀看攝像機構22所拍攝而得的圖像，並讀取偏離量DA，再由操作者補正雷射光線L之照射位置。

Claims (1)

  1. 一種晶圓的加工方法，為具備元件區域與圍繞該元件區域之外周剩餘區域之晶圓的加工方法，該元件區域在積層於基板的表面之功能層上形成有形成為格子狀之複數條分割預定線、與複數個元件，該等元件是在被該分割預定線所劃分之複數個區域中各自形成元件，該晶圓的加工方法具備：保護膠帶貼著步驟，將會因外界刺激而硬化之保護膠帶貼著於功能層之表面；切削溝形成步驟，在實施該保護膠帶貼著步驟之後，自基板的背面側沿分割預定線以切削刀片切削，並形成未到達功能層之留下殘存部的切削溝；及分割步驟，在實施該切削溝形成步驟之後，沿著該切削溝照射對基板具有吸收性之波長的雷射光線，以將該殘存部分割而將晶圓分割成複數個元件晶片，在該切削溝形成步驟中，是使其於外周剩餘區域殘存未形成切削溝之非加工部，且在該分割步驟中，是在包含該非加工部之對應於分割預定線之區域照射雷射光線，而於該非加工部之表面形成雷射加工溝，並具備：偏離量檢測步驟，以攝像機構拍攝形成於該非加工部之該雷射加工溝，以檢測所期望之雷射光線照射位置與該雷射加工溝之位置的偏離量作為加工位置補正資訊；及位置補正步驟，實施該偏離量檢測步驟之後，根據該加工位置補正資訊補正雷射光線之照射位置。
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