TWI675610B - 電路基板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供於製造電路基板時，可於包含無機填充材之絕緣層中形成具有良好通孔形狀之小徑通孔之技術。
一種電路基板，其係包含形成有開口徑為15μm以下之通孔的絕緣層之電路基板，絕緣層之表面之算術平均粗糙度(Ra)為150nm以下，絕緣層包含無機填充材，於垂直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面中，特定寬度之區域中所含之無機填充材之最大徑平均值設為n1(μm)時，n1×1.27之值(n2)為0.2μm以下。

Description

電路基板及其製造方法
本發明有關電路基板及其製造方法。
各種電子機器所廣泛使用之電路基板，為了電子機器之小型化、高性能化，而要求電路配線之微細化、高密度化。作為電路基板之製造技術，已知有利用於內層基板上交互重疊絕緣層與導體層之增層方式之製造方法。利用增層方式之製造方法中，絕緣層係藉由例如使用包含支撐體與設於該支撐體上之樹脂組成物層之接著薄膜，將樹脂組成物層積層於內層基板上，使樹脂組成物層熱硬化而形成。其次，於所形成之絕緣層上藉由雷射進行開孔加工而形成通孔，藉由進行去膠渣處理，同時進行通孔內部之樹脂殘渣(smear)之去除與絕緣層表面之粗化(例如專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-37957號公報
欲達成電路配線之更高密度化時，期望通孔之小徑化。通孔一般係藉由利用雷射之開孔加工而形成，作為雷射，現在主要使用穿孔速度高而於製造成本方面有利之二氧化碳氣體雷射。然而，於通孔之小徑化有界限，例如利用二氧化碳氣體雷射有難以形成開口徑25μm以下之通孔之狀況。
通孔之形成中可使用之雷射除了二氧化碳氣體雷射以外，舉例為UV-YAG雷射等之UV固體雷射。UV固體雷射不常利用於通孔之形成中，但一般由於獲得強的紫外線區域之雷射，故與二氧化碳氣體雷射等之紅外線雷射不同，不產生熱。因此，可進行更微細之加工，被期待有助於通孔之小徑化。
另一方面，已進展應對應於高速信號傳送之絕緣層之低介電率化，較好於絕緣層中含有無機填充材。
本發明人等嘗試利用UV-YAG雷射等之UV固體雷射於含有無機填充材之絕緣層中形成小徑之通孔。結果發現有雷射加工性降低，通孔之形狀(有時亦簡稱「通孔形狀」)惡化之情況。尤其，於欲達成介電率低之絕緣層而提高絕緣層中之無機填充材含量時成為較大問題。又，發現於利用UV固體雷射形成通孔之絕緣層之算術平均粗糙度(Ra)之值較高時亦同樣有問題。通孔形狀之 惡化導致導通信賴性降低，且通孔內部之膠渣量之增大對於有必要於嚴格條件下進行去膠渣處理之電路配線之微細化造成障礙。
本發明之課題在於提供於製造電路基板時，可於含有無機填充材之絕緣層上形成具有良好通孔形狀之小徑通孔之技術。
本發明人等針對上述課題積極檢討之結果，發現藉由使用特定之無機填充材製造電路基板可解決上述課題，因而完成本發明。
亦即，本發明包含以下內容。
[1]一種電路基板，其係包含形成有開口徑為15μm以下之通孔的絕緣層之電路基板，絕緣層之表面之算術平均粗糙度(Ra)為150nm以下，絕緣層包含無機填充材，於垂直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面中，特定寬度之區域中所含之無機填充材之最大徑平均值設為n1(μm)時，n1×1.27之值(n2)為0.2μm以下。
[2]如[1]記載之電路基板，其中絕緣層表面之Ra為100nm以下。
[3]如[1]或[2]記載之電路基板，其中通孔之開口徑為12μm以下。
[4]如[1]至[3]中任一項記載之電路基板，其中於垂 直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面中，特定寬度之區域之樹脂面積A1與無機填充材面積A2滿足0.1≦A2/(A1+A2)。
[5]如[1]至[4]中任一項記載之電路基板，其中通孔之開口徑D與通孔之最小徑Dmin滿足0.65≦Dmim/D。
[6]如[1]至[5]中任一項記載之電路基板，其中絕緣層包含以含有具有芳香環之有機基之矽烷化合物進行表面處理之無機填充材。
[7]如[1]至[6]中任一項記載之電路基板，其中無機填充材為氧化矽。
[8]一種半導體裝置，其包含如[1]至[7]中任一項記載之電路基板。
[9]一種電路基板之製造方法，其包含下述步驟：(A)將包含支撐體及設於該支撐體上之樹脂組成物層之接著薄膜，以樹脂組成物層與內層基板接合之方式，積層於內層基板上之步驟；(B)以附有支撐體之狀態使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟；及(C)藉由UV固體雷射於絕緣層上形成開口徑為15μm以下之通孔之步驟；且步驟(B)所形成之絕緣層包含無機填充材，於垂直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面中，特定寬度之區域中所含之無機填充材之最大徑平均值設為n1(μm)時，n1×1.27之值(n2)為0.2μm以下。
[10]一種電路基板之製造方法，其包含下述步驟：(A)將包含支撐體及設於該支撐體上之樹脂組成物層之接著薄膜，以樹脂組成物層與內層基板接合之方式，積層於內層基板上之步驟；(B)以附有支撐體之狀態使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟；及(C)藉由UV固體雷射於絕緣層上形成開口徑為15μm以下之通孔之步驟；且步驟(A)中使用之接著薄膜之樹脂組成物層包含30質量%以上之BET比表面積為20m2/g以上之無機填充材。
[11]一種電路基板之製造方法，其包含下述步驟：(A)將包含支撐體及設於該支撐體上之樹脂組成物層之接著薄膜，以樹脂組成物層與內層基板接合之方式，積層於內層基板上之步驟；(B)以附有支撐體之狀態使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟；及(C)藉由UV固體雷射於絕緣層上形成開口徑為15μm以下之通孔之步驟；且步驟(A)中使用之接著薄膜之樹脂組成物層包含30質量%以上之平均粒徑0.2μm以下之無機填充材。
[12]如[10]記載之方法，其中無機填充材之BET比表面積為20m2/g以上500m2/g以下。
[13]如[11]記載之方法，其中無機填充材之平均粒徑 為0.01μm以上0.2μm以下。
[14]如[9]至[13]中任一項記載之方法，其中於步驟(C)之前，去除支撐體。
[15]如[9]至[14]中任一項記載之方法，其中絕緣層之表面之算術平均粗糙度(Ra)為150nm以下。
[16]如[9]至[15]中任一項記載之方法，其中於垂直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面中，特定寬度之區域之樹脂面積A1與無機填充材面積A2滿足0.1≦A2/(A1+A2)。
[17]如[9]至[16]中任一項記載之方法，其中通孔之開口徑D與通孔之最小徑Dmin滿足0.65≦Dmim/D。
[18]如[9]至[17]中任一項記載之方法，其中絕緣層包含以含有具有芳香環之有機基之矽烷化合物進行表面處理之無機填充材。
[19]如[9]至[18]中任一項記載之方法，其中無機填充材為氧化矽。
依據本發明，於製造電路基板時，可於含有無機填充材之絕緣層上形成具有良好通孔形狀之小徑通孔。
1‧‧‧內層基板
10‧‧‧絕緣層
11‧‧‧樹脂成分
12‧‧‧無機填充材
圖1係用以說明算出絕緣層之剖面中特定寬度區域之無機填充材之最大徑之平均值之方法的概略圖。
圖2係用以說明通孔形狀之概略圖。
首先針對本發明之概念加以說明。
本發明中，滿足下述條件(i)及(ii)並且藉由UV固體雷射於絕緣層上形成小徑(例如開口徑為15μm以下)之通孔： (i)絕緣層之表面之算術平均粗糙度(Ra)為150nm以下， (ii)於垂直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面中，特定寬度之區域中所含之無機填充材之最大徑平均值設為n1(μm)時，n1×1.27之值(n2)為0.2μm以下。 本發明人等係以滿足上述特定條件(i)及(ii)並且藉由UV固體雷射進行開孔加工，而可於含無機填充材之絕緣層上形成具有良好通孔形狀之小徑通孔因而完成者。
-條件(i)-
條件(i)係關於絕緣層之表面之算術平均粗糙度(Ra)。本發明人等發現於藉由UV固體雷射形成小徑通孔時，絕緣層表面之Ra對於通孔形狀大有影響。
基於形成具有良好通孔形狀之小徑通孔之觀 點，絕緣層表面之算術平均粗糙度(Ra)為150nm以下，較好140nm以下，更好130nm以下，又更好120nm以下，再更好110nm以下，特佳為100nm以下、90nm以下、80nm以下或70nm以下。該Ra之下限並未特別限制，但基於使絕緣層與導體層之密著強度安定化之觀點，通常可設為1nm以上、5nm以上、10nm以上等。絕緣層表面之算術平均粗糙度(Ra)可使用非接觸型表面粗糙度計測定。作為非接觸型表面粗糙度計之具體例舉例為VECCO儀器公司製之「WYKO NT3300」。
-條件(ii)-
條件(ii)係有關絕緣層中之無機填充材粒徑。本發明人等發現於藉由UV固體雷射形成小徑通孔時，絕緣層中之無機填充材之粒徑對於通孔形狀大有影響。
基於形成具有良好通孔形狀之小徑通孔之觀點，於垂直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面(有時簡稱為「絕緣層剖面」)中，無機填充材之最大徑平均值設為n1(μm)時，n1×1.27之值(n2)為0.2μm以下，較好為0.18μm以下，更好為0.16μm以下，又更好為0.14μm以下、0.12μm以下或0.1μm以下。n2之下限並未特別限制，通常為0.01μm以上，更好為0.02μm以上，又更好為0.03μm以上、0.04μm以上或0.05μm以上。又，n2確認與實際之無機填充材之平均粒徑大致一致。
絕緣層剖面可較好地使用FIB-SEM複合裝置 觀察。作為FIB-SEM複合裝置，舉例為例如SII Nanotechnology(股)製之「SMI3050SE」。藉由FIB(集束離子束)削取垂直於絕緣層表面之方向上之該絕緣層剖面後，藉由SEM(掃描型電子顯微鏡)觀察該剖面，可取得剖面SEM圖像。SEM之觀察寬度、觀察倍率只要可適當計算絕緣層剖面中特定寬度區域所含之無機填充材之最大徑則未特別限制，只要根據使用之裝置規格決定即可。
獲得最大徑之平均值n1時，所謂「特定寬度之區域」係指剖面SEM圖像中，絕緣層之全厚t(μm)×寬度w(μm)之區域。寬度w於SEM圖像中若為可觀察之範圍則無特別限制，但較好為例如15μm。亦即獲得最大徑之平均值n1時，較好可為剖面SEM圖像中，絕緣層之全厚t(μm)×寬度15(μm)之區域。
且所謂「最大徑」意指剖面SEM圖像中所觀察之無機填充材粒子中最大之直徑。又，無機填充材之最大徑的超過1/2進入寬度w(μm)之區域時，該無機填充材判定為「包含於寬度w(μm)之區域」。參考圖1，更詳細說明無機填充材之最大徑之平均值之算出方法。圖1係顯示包含樹脂成分10與無機填充材12，且厚度t之絕緣層10之剖面。圖1記載之絕緣層剖面中，作為代表所選擇之無機填充材之最大徑以一點鏈線表示。左右側之無機填充材中，於寬度w(μm)之區域中僅其最大徑之小於1/2進入之無機填充材判定為不含於寬度w(μm)之區域。因此，關於圖1記載之絕緣層之剖面，判定為於寬度w(μm)之區域存在之 無機填充材之數為2個時則分別求出其最大徑，算出最大徑之平均值。針對絕緣層樣品，取得充分數(N1)之剖面SEM圖像，求出寬度w(μm)之區域所含之無機填充材之最大徑之平均值，且設為最大徑之平均值n1。此處，N1較好為10以上。本發明中，最大徑之平均值n1可根據後述之<絕緣層中之無機填充材之粒徑評價>中記載之順序算出。
依據滿足上述條件(i)及(ii)之本發明，可形成具有良好通孔形狀之小徑通孔。隨著通孔之小徑化，有通孔形狀或內部膠渣量之問題變顯著之傾向，但依據本發明之方法，可不使通孔形狀惡化而有利地形成例如15μm以下，較好14μm以下，更好12μm以下，又更好10μm以下、9μm以下、8μm以下、7μm以下、6μm以下或5μm以下之開口徑(頂口徑)之通孔。通孔之開口徑之下限並未特別限定，但通常可為1μm以上、2μm以上、3μm以上等。
如前述，本發明人等發現絕緣層中若含有一定量以上之粒徑較大之無機填充材，則有利用UV固體雷射之雷射加工性降低，通孔之形狀(亦簡稱為「通孔形狀」)惡化，通孔內部之膠渣量增大之情況。尤其無機填充材之含量變高時問題更顯在化。相對於此，依據本發明，即使絕緣層中之無機填充材含量高時，亦可於該絕緣層上形成具有良好通孔形狀之小徑通孔。
絕緣層中之無機填充材含量可使用絕緣層之 剖面中之無機填充材之面積比評價。詳細而言，絕緣層中之無機填充材含量，於將絕緣層剖面中之特定寬度區域之樹脂面積設為A1、無機填充材面積設為A2時，可使用A2/(A1+A2)之值評價。A2/(A1+A2)之值越大，表示絕緣層中之無機填充材含量越高。基於絕緣層之低介電率化之觀點，A2/(A1+A2)之值較好為0.1以上(亦即0.1≦A2/(A1+A2))，更好為0.2以上，又更好為0.25以上，再更好為0.26以上。A2/(A1+A2)之值之上限並未特別限制，但基於絕緣層之機械強度等之觀點，較好為0.9以下，更好為0.8以下。又本發明中，所謂「樹脂面積」意指樹脂成分所佔之面積。樹脂面積中之「樹脂成分」意指構成絕緣層之成分中無機填充材除外之成分。絕緣層之剖面中之A2/(A1+A2)之值可依據後述之<絕緣層剖面中之樹脂面積及無機填充材面積之測定>中記載之順序求得。特定之寬度區域係如前述。
本發明中，滿足上述條件(i)及(ii)，並且於絕緣層上藉由UV固體雷射形成小徑之通孔。
作為UV固體雷射可使用習知之各種者，舉例為例如UV-YAG雷射、UV-YLF雷射、UV-YVO4雷射等，其中，較好為UV-YAG雷射。
UV-YAG雷射係UV固體雷射之一種，可使用釔/鋁/石榴石(簡稱YAG)結晶中摻雜其他元素之結晶構造內之釔的一部分經取代者作為固體雷射之激振用介質之雷射。一般使用摻雜銣(Nd)之Nd：YAG。係使用將Nd：YAG 之雷射光之基本波長利用LBO(LiB3O5)結晶將波長轉換之雷射光(3倍波：355nm，4倍波：266nm)等。且亦可利用使用BBO(β-BaB2O4)結晶或KTP(KTiOPO4)結晶作為高諧波產生用元件之雷射。
利用UV固體雷射之開孔加工條件(例如雷射波長、脈波數、脈波寬、輸出)只要能形成具有良好通孔形狀之小徑通孔，則無特別限制，可根據使用之UV固體雷射加工機之規格，於一般加工條件之範圍適當決定。UV固體雷射可使用市售之UV固體雷射加工機，具體而言，作為市售之UV-YAG雷射加工機舉例為例如VIA MECHANICAL(股)製之「LU-2L212/M50L」。
依據滿足前述條件(i)及(ii)且藉由UV固體雷射進行開孔加工之本發明之方法，可於含有無機填充材之絕緣層(即使為無機填充材含量高的絕緣層)形成具有良好通孔形狀之小徑通孔。
參考圖2，針對通孔之形狀加以說明。圖2中顯示內層基板1及與該內層基板接合之方式設置之厚度t之絕緣層10，於該絕緣層10上形成(a)至(c)之示意通孔。本發明中，通孔之「開口徑」(D)係指絕緣層表面(圖2中Z=0之位置)之通孔徑。且通孔之「最小徑」(Dmin)係指Z為0~t之範圍內之通孔最小徑。通孔之「最大徑」(Dmax)係指Z為0~t之範圍內之通孔最大徑。例如圖2之(a)之通孔具有隨著自絕緣層表面進入絕緣層深度方向(Z)徑緩緩變小之正錐體形狀。該通孔(a)中，開口徑D為最大徑 Dmax，於通孔底部(圖2中Z=t之位置)呈現最小徑Dmin。使用UV固體雷射形成通孔時，一般形成(a)之通孔。且有形成圖2之(b)或(c)之通孔之情況。(b)之通孔於自絕緣層表面進入絕緣層深度方向(Z)一定距離(k1t；但k1係滿足0<k1<1之數)之間，徑緩緩變小，進而進入深度方向徑緩緩變大。該通孔(b)之開口徑D或通孔底部(Z=t之位置)之徑為最大徑Dmax，於深度k1t之位置呈現最小徑Dmin。(c)之通孔於自絕緣層表面進入絕緣層深度方向(Z)一定距離(k2t；但k2係滿足0<k2<1之數)之間，徑緩緩變大，進而進入深度方向徑緩緩變小。該通孔(c)於深度k2t之位置呈現最大徑Dmax，開口徑D或通孔底部(Z=t之位置)之徑為最小徑Dmin。
不管(a)至(c)之通孔類別，基於獲得良好導通信賴性之觀點，通孔之開口徑D與通孔之最小徑Dmin較好滿足0.65≦Dmim/D。係因為若Dmim/D之值低，歸咎於鍍敷液之對於通孔之滲透之惡化，則反倒導致導通信賴性降低。基於獲得更良好導通信賴性之觀點，Dmim/D之值較好為0.66以上，更好為0.68以上，進而更好為0.70以上、0.72以上、0.74以上、0.75以上、0.76以上或0.77以上。Dmim/D之值之上限為1，通常為0.99以下、0.98以下、0.95以下、0.90以下。依據本發明之方法，Dmim/D之值較高可有利於形成小徑之通孔。Dmim/D之值可針對充分數量(N2)之通孔利用SEM對通孔開口部進行表面觀察而求得。關於(c)之通孔，於通孔底部之徑小於開口徑D 時，亦可藉由利用SEM之表面觀察測定最小徑Dmin之故(未辨識到通孔底部之徑時，開口徑D為最小徑Dmin)。N2較好為10以上。
又，形成較多(c)之通孔之情況較稀少，但該情況下，通孔之開口徑D與通孔之最大徑Dmax較好滿足Dmax/D≦1.35。Dmax/D之值較好為1.30以下，更好為1.20以下，又更好為1.10以下或1.05以下。Dmax/D之值之下限為1。Dmax/D之值可針對充分數量(N2)之通孔利用SEM對通孔剖面觀察而求得。N2較好為10以上。
本發明中，絕緣層之厚度t(μm)與通孔之開口徑D(μm)，基於形成良好通孔形狀之小徑通孔之觀點，較好滿足t≦3D，更好滿足t≦2.5D，又更好滿足t≦2D，進而更好滿足t≦1.8D、t≦1.6D、t≦1.4D、或t≦1.2D。絕緣層厚度t之下限並未特別限制，通常為1μm以上、2μm以上、3μm以上等。
較佳實施形態中，絕緣層係使含無機填充材之樹脂組成物層熱硬化而形成。
基於使絕緣層之介電率充分降低並達成高速信號傳送之觀點，構成樹脂組成物層之樹脂組成物中之無機填充材含量較好為20質量%以上，更好為25質量%以上。
又，本發明中，構成樹脂組成物之各成分含量為將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時之值。
使用含無機填充材之樹脂組成物形成絕緣層 時，會有UV固體雷射之雷射加工性降低、通孔形狀惡化之情況。相對於此，滿足上述特定條件(i)及(ii)且利用UV固體雷射形成通孔之本發明中，並無通孔形狀之問題，可使用無機填充材含量高的樹脂組成物。例如樹脂組成物中之無機填充材含量宜高至30質量%以上、40質量%以上、50質量%以上、60質量%以上或70質量%以上。
樹脂組成物中之無機填充材含量之上限，基於防止絕緣層之機械強度降低之觀點，較好為90質量%以下，更好85質量%以下。
無機填充材之平均粒徑，基於較好滿足上述條件(i)及(ii)之觀點，較好為0.2μm以下，更好0.15μm以下，又更好0.1μm以下。無機填充材之平均粒徑之下限並未特別限制，通常可設為0.01μm以上、0.02μm以上。具有此平均粒徑之無機填充材之市售品舉例為例如電氣化學工業(股)製「UFP-30」、ADOMATEX(股)製「YC100C」、「YA050C-MJE」等。無機填充材之平均粒徑可利用基於Mie散射理論之雷射繞射/散射法測定。具體而言可利用雷射繞射散射粒度分佈測定裝置，以體積基準作成無機填充材之粒度分佈，將其中值徑設為平均粒徑而測定。測定樣品可較好地使用利用超音波將無機填充材分散於水中者。作為雷射繞射散射粒度分佈測定裝置可使用堀場製作所(股)製「LA-500」等。
無機填充材之BET比表面積，基於較好滿足上述條件(i)及(ii)之觀點，較好為20m2/g以上，更好為 25m2/g以上，又更好為30m2/g以上。上限並未特別限定，較好為500m2/g以下，更好為400m2/g以下，又更好為300m2/g以下。無機填充材之BET比表面積(m2/g)可如以下測定。具體而言，於液態氮之溫度將吸附佔有面積已知之分子吸附於無機填充材試料上，可由其吸附量求出無機填充材試料之比表面積。作為吸附佔有面積為已知之分子較好使用氮氣、氦氣等之惰性氣體。無機填充材之比表面積S(m2/g)可使用自動比表面積測定裝置測定，該自動比表面積測定裝置舉例為例如MOUNTECH(股)製「Macsorb HM-1210」。
作為無機填充材舉例為例如氧化矽、氧化鋁、玻璃、堇青石、矽氧化物、硫酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯及磷酸鎢酸鋯等。該等中特佳為無定形氧化矽、熔融氧化矽、結晶氧化矽、合成氧化矽、中空氧化矽等之氧化矽。且作為氧化矽較好為球形氧化矽。無機填充材可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
為了提高耐濕性，無機填充材較好以矽烷化合物、有機矽氮烷化合物、鋁系偶合劑、鈦系偶合劑、鋯系偶合劑等之1種以上的表面處理劑處理。
尤其，本發明人等發現藉由使用以含有具有芳香環之有機基之矽烷化合物進行表面處理之無機填充 材，可實現上述之A2/(A1+A2)之值高，且上述條件(ii)之n2低之絕緣層。因此較佳一實施形態中，構成樹脂組成物層之樹脂組成物，進而絕緣層係含有以含有具有芳香環之有機基之矽烷化合物表面處理之無機填充材。
基於可實現A2/(A1+A2)之值高，且n2低之絕緣層之觀點，作為具有芳香環之有機基較好為碳原子數為6~20(較好6~14，更好6~12，又更好6~10)之芳基，其中較好為苯基。
無機填充材之處理所使用之含具有芳香環之有機基之矽烷化合物，只要可於無機填充材表面導入上述之具有芳香環之有機基則無特別限制，亦可進而具有可與後述之環氧樹脂等之樹脂成分反應之反應基(例如胺基、環氧基、巰基等)。該矽烷化合物之具體例舉例為苯基三甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、縮水甘油氧基丙基苯基二乙氧基矽烷、巰基丙基苯基二甲氧基矽烷。矽烷化合物之市售品舉例為例如信越化學工業(股)製「KBM103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)等。矽烷化合物可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
利用表面處理劑之表面處理程度可根據無機填充材之每單位表面積之碳量評價。無機填充材之每單位表面積之碳量，基於可實現A2/(A1+A2)之值高，且n2低之絕緣層之觀點，較好為0.02mg/m2以上，更好為 0.1mg/m2以上，又更好為0.2mg/m2以上。另一方面，基於防止樹脂清漆之熔融黏度或薄膜形態之熔融黏度上升之觀點，較好為1mg/m2以下，更好0.8mg/m2以下，又更好0.5mg/m2以下。
無機填充材之每單位表面積之碳量可藉由溶劑(例如甲基乙基酮(MEK))對表面處理後之無機填充材進行洗淨處理後予以測定。具體而言，將作為溶劑之充分量之MEK添加於以表面處理劑表面處理之無機填充材中，在25℃進行5分鐘超音波洗淨。去除上澄液，使固體成分乾燥後，使用碳分析計，可測定無機填充材之每單位表面積之碳量。作為碳分析計可使用堀場製作所(股)製「EMIA-320V」等。
一實施形態中，構成樹脂組成物層之樹脂組成物除了上述無機填充材以外，包含熱硬化性樹脂。作為熱硬化性樹脂，可使用形成電路基板之絕緣層時使用之以往習知之熱硬化性樹脂，其中較好為環氧樹脂。構成樹脂組成物層之樹脂組成物亦可含有硬化劑。因此一實施形態中，樹脂組成物除了無機填充材以外，含有環氧樹脂及硬化劑。
-環氧樹脂-
作為環氧樹脂舉例為例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆 型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、第三丁基兒茶酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含螺環之環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂等。環氧樹脂可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
環氧樹脂較好包含於1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂。環氧樹脂中之不揮發成分設為100質量%時，較好至少50質量%以上為1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂。其中，樹脂組成物較好單獨含有在溫度20℃為固體狀環氧樹脂(亦稱為「固體狀環氧樹脂」)，或組合使用固體狀環氧樹脂與在溫度20℃為液狀環氧樹脂(以下稱為「液狀環氧樹脂」)。作為固體狀環氧樹脂，較好為1分子中具有3個以上環氧基之固體狀環氧樹脂，更好為1分子中具有3個以上環氧基之芳香族系固體狀環氧樹脂。作為液體狀環氧樹脂，較好為1分子中具有2個以上環氧基之液狀環氧樹脂，更好為1分子中具有2個以上環氧基之芳香族系液狀環氧樹脂。本發明中，所謂芳香族系環氧樹脂意指其分子內具有芳香環之環氧樹脂。
作為液狀環氧樹脂較好為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘型環氧 樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有酯骨架之脂環式環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、及具有丁二烯構造之環氧樹脂，更好為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂及萘型環氧樹脂。作為液狀環氧樹脂之具體例舉例為DIC(股)製之「HP4032」、「HP4032H」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「jER828EL」、「828US」(雙酚A型環氧樹脂)、「jER807」(雙酚F型環氧樹脂)、「jER152」(酚酚醛清漆型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(股)製之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品)、NAGASE CHEMTEX(股)製之「EX-721」(縮水甘油酯型環氧樹脂)、DAICEL(股)製之「CELLOXIDE2021P」(具有酯骨架之脂環式環氧樹脂)、「PB-3600」(具有丁二烯構造之環氧樹脂)。該等可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
作為固體狀環氧樹脂較好為萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、四苯基甲烷型環氧樹脂，更好為萘型4官能環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂及雙酚AF型環氧樹脂。作為固體狀環氧樹脂之具體例舉例為DIC(股)製之「HP- 4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)、「N-690」、「N-695」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「HP7200」、「HP7200H」、「HP7200HH」(二環戊二烯型環氧樹脂)、「EXA7311」、「EXA7311-G3」、「EXA7311-G4」、「EXA7311-G4S」、「HP6000」(萘醚型環氧樹脂)、日本化藥(股)製之「EPPN-502H」(三酚型環氧樹脂)、「NC7000L」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(股)製之「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂)、「ESN485」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「YX4000H」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)、「YX4000HK」(雙二甲酚型環氧樹脂)、「YX8800」(蒽型環氧樹脂)、大阪瓦斯化學(股)製之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學(股)製之「YL7800」(茀型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「jER1010」(固體狀雙酚A型環氧樹脂)、「YL7723」、、「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂)、「jER1031S」(四苯基甲烷型環氧樹脂)等。該等可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂作為環氧樹脂時，其量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)，以質量比計，較好為1：0.1~1：5之範圍。藉由使液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比成為該範圍，可獲得如下效果：i)以後述之接著薄膜形態使用時具有適度黏著性，ii) 以接著薄膜之形態使用時獲得充分可撓性，處理性提高，以及iii)可獲得具有充分破裂強度之絕緣層等。基於上述i)~iii)之效果之觀點，液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)，以質量比計，更好為1：0.5~1：5之範圍，又較好為1：1~1：4.5之範圍，特佳為1：1.5~1：4.5之範圍。
樹脂組成物中之環氧樹脂含量較好為3質量%~60質量%，更好為5質量%~55質量%，又更好為5質量%~45質量%。
環氧樹脂之環氧當量較好為50~5000，更好為50~3000，又更好為80~2000，再更好為110~1000。藉由成為該範圍，可成為硬化物之交聯密度充分且表面粗糙度小之絕緣層。又，環氧當量可依據JIS K7236測定，為含一當量環氧基之樹脂的質量。
環氧樹脂之重量平均分子量較好為100~5000，更好為250~3000，又更好為400~1500。此處，環氧樹脂之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法測定之聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
-硬化劑-
作為硬化劑只要具有使環氧樹脂硬化之機能則無特別限定，舉例為例如酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯并噁嗪系硬化劑、氰酸酯系硬化劑及碳二醯亞胺系硬化劑。硬化劑可單獨使用1種，亦可組合2種以上 使用。
作為酚系硬化劑及萘酚系硬化劑，基於耐熱性及耐水性之觀點，較好為具有酚醛清漆構造之酚系硬化劑或具有酚醛清漆構造之萘酚系硬化劑。又基於與導體層之密著強度之觀點，較好為含氮酚系硬化劑或含氮萘酚系硬化劑，更好為含有三嗪構造之酚系硬化劑或含有三嗪構造之萘酚系硬化劑。其中，基於高度滿足耐熱性、耐水性及與導體層之密著強度之觀點，較好為含有三嗪構造之酚酚醛清漆樹脂或含有三嗪構造之萘酚酚醛清漆樹脂。該等可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之具體例舉例為例如明和化成(股)製之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥(股)製之「NHN」、「CBN」、「GPH」、新日鐵住金化學(股)製之「SN-170」、「SN-180」、「SN-190」、「SN-475」、「SN-485」、「SN-495」、「SN-375」、「SN-395」、DIC(股)製之「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-3018」、「LA-1356」、「TD2090」、「LA-3018-50P」等。
作為活性酯系硬化劑並未特別限制，一般較好使用酚酯類、噻吩酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等之1分子中具有2個以上之反應活性高的酯基之化合物。該活性酯系硬化劑較好為藉由使羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物之縮和反應而得者。尤其基於耐熱性提高之觀點，較好為由羧酸 化合物與羥基化合物所得之活性酯系硬化劑，更好為由羧酸化合物與酚化合物及/或萘酚化合物所得之活性酯系硬化劑。羧酸化合物舉例為例如苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、依康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、均苯四甲酸等。酚化合物或萘酚化合物舉例為例如氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、鄰-甲酚、間-甲酚、對-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三醇、二環戊二烯型二酚化合物、酚酚醛清漆等。此處所謂「二環戊二烯型二酚化合物」意指對二環戊二烯1分子中縮合2分子酚所得之二酚化合物。
活性酯系硬化劑之較佳具體例舉例為含二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物、含萘構造之活性酯化合物、含酚酚醛清漆之乙醯化物之活性酯化合物、含酚酚醛清漆之苯甲醯化物之活性酯化合物、芳香族羧酸與具有酚性羥基之含磷原子之寡聚物反應而得之活性酯化合物，其中更好為含二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物、含萘構造之活性酯化合物、芳香族羧酸與具有酚性羥基之含磷原子之寡聚物反應而得之活性酯化合物。又本發明中，所謂「二環戊二烯型二酚構造」表示由伸苯基-二伸環戊基-伸苯基所成之2價構造單位。
作為活性酯系硬化劑可使用日本特開2004- 277460號公報、日本特開2013-40270號公報中揭示之活性酯化合物，且亦可使用市售之活性酯化合物。作為活性酯化合物之市售品舉例為例如DIC(股)製之「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000L-65M」(含二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物)、DIC(股)製之「9416-70BK」(含萘構造之活性酯化合物)、三菱化學(股)製之「DC808」(含酚酚醛清漆之乙醯化物之活性酯化合物)、三菱化學(股)製之「YLH1026」(含酚酚醛清漆之苯甲醯化物之活性酯化合物)、DIC(股)製之「EXB9050L-62M」(含磷原子之活性酯化合物)。
苯并噁嗪系硬化劑之具體例舉例為昭和高分子(股)製之「HFB2006M」、四國化成工業(股)製之「P-d」、「F-a」。
作為氰酸酯系硬化劑並未特別限制，舉例為例如酚醛清漆型(酚酚醛清漆型、烷基酚酚醛清漆型等)氰酸酯系硬化劑、二環戊二烯型氰酸酯系硬化劑、雙酚型(雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型等)氰酸酯系硬化劑、及該等經一部分三嗪化之聚合物等。作為具體例舉例為雙酚A二異氰酸酯、多酚氰酸酯(寡聚(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯))、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙 基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚、及雙(4-氰酸酯苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂、由酚酚醛清漆及甲酚酚醛清漆等衍生之多官能氰酸酯樹脂、該等氰酸酯樹脂經一部分三嗪化之預聚物等。作為氰酸酯系硬化劑之市售品舉例為例如日本RONZA(股)製之「PT30」及「PT60」(均為酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂)、「BA230」(雙酚A二異氰酸酯之一部分或全部經三嗪化之三聚物之預聚物)等。
作為碳二醯亞胺系硬化劑之具體例舉例為日清紡化學(股)製之「V-03」、「V-07」等。
環氧樹脂與硬化劑之量比，基於提高所得絕緣層之機械強度及耐水性之觀點，[環氧樹脂之環氧基之合計數]：[硬化劑之反應基之合計數]之比率，較好為1：0.2~1：2之範圍，更好為1：0.3~1：1.5之範圍，又更好為1：0.4~1：1.2之範圍。此處，所謂硬化劑之反應基為活性羥基、活性酯基等，隨硬化劑種類而異。且，環氧樹脂之環氧基之合計數為對所有環氧樹脂將各環氧樹脂之固體成分質量除以環氧當量之值予以合計之值，硬化劑之反應基之合計數為對所有硬化劑將各硬化劑之固體成分質量除以反應基當量之值予以合計之值。
樹脂組成物根據需要亦可進而含有自熱可塑性樹脂、硬化促進劑、難燃劑及有機填充材所成之群選擇之1種以上之添加劑。
-熱可塑性樹脂-
作為熱可塑性樹脂舉例為例如苯氧樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、聚烯烴樹脂、聚丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酯樹脂。熱可塑性樹脂可單獨使用1種，或可組合2種以上使用。
熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量較好為8,000~70,000之範圍，更好為10,000~60,000之範圍，又更好為20,000~60000之範圍。熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量係以凝膠滲透層析(GPC)法測定。具體而言，熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量可使用島津製作所(股)製LC-9A/RID-6A作為測定裝置，使用昭和電工(股)製Shodex K-800P/K-804L/K-804L作為管柱，使用氯仿等作為移動相，於管柱溫度40℃測定，使用標準聚苯乙烯之校正線算出。
作為苯氧樹脂舉例為例如具有自雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、茀骨架、二環戊二烯骨架、降冰片烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜品骨架及三甲基環己烷骨架所組成之群選擇之1種以上骨架之苯氧樹脂。苯氧樹脂之末端可為酚性羥基、環氧基等之任一官能基。苯氧樹脂可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。苯氧樹脂之具體例舉例為三菱化學(股)製之「1256」及「4250」(均為含雙酚A骨架之苯氧樹脂)、「YX8100」 (含雙酚S骨架之苯氧樹脂)、及「YX6954」(為含雙酚苯乙酮骨架之苯氧樹脂)，除此以外，舉例為新日鐵住金化學(股)製之「FX280」及「FX293」、三菱化學(股)製之「YX7553BH30」、「YX7553」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及「YL7482」等。
聚乙烯縮醛樹脂之具體例舉例為聚乙醯縮甲醛樹脂、聚乙醯縮丁醛樹脂，較好為聚乙烯縮丁醛樹脂。舉例為電氣化學工業(股)製之電化縮丁醛4000-2、5000-A、6000-C、6000-EP、積水化學工業(股)製之SLEC BH系列、BX系列、KS系列(具體為「KS-1」等)、BL系列、BM系列等。
作為聚醯亞胺樹脂之具體例舉例為新日本理化(股)製之「RIKACOTE SN20」及「RIKACOTE PN20」。作為聚醯亞胺樹脂之具體例又舉例為由2官能性羥基末端聚丁二烯、聚異氰酸酯化合物及四氯基酸酐反應所得之線狀聚醯亞胺(日本特開2006-37083號公報記載者)、含聚矽氧烷骨架之聚醯亞胺(日本特開2002-12667號公報及日本特開2000-319386號公報等記載者)等之改性聚醯亞胺。
作為聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例舉例為東洋紡績(股)製之「VYLOMAX HR11NN」及「VYLOMAX HR16NN」。作為聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例又舉例為日立化成工業(股)製之含聚矽氧烷骨架之聚醯胺醯亞胺等「KS9100」、「KS9300」等之改性聚醯胺醯亞胺。
作為聚醚碸樹脂之具體例舉例為住友化學(股)製之「PES5003P」等。
作為聚碸樹脂之具體例舉例為SOLVAY ADVANCED POLYMERS(股)製之聚碸「P1700」、「P3500」等。
樹脂組成物中之熱可塑性樹脂之含量較好為0.1質量%~20質量%，更好為0.5質量%~10質量%，又更好為1質量%~5質量%。
-硬化促進劑-
作為硬化促進劑舉例為例如磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑(例如4-二甲胺基吡啶)、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等，較好為磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑。硬化促進劑可使用單獨1種，亦可組合2種以上使用。樹脂組成物層中之硬化促進劑含量，將環氧樹脂與硬化劑之不揮發成分之合計設為100質量%時，較好以0.05質量%~3質量%之範圍使用。
-難燃劑-
作為難燃劑舉例為有機磷系難燃劑、含有機系氮之磷化合物、氮化合物、聚矽氧系難燃劑、金屬氫氧化物等。難燃劑可單獨使用1種，或亦可組合2種以上使用。樹脂組成物中之難燃劑含量並未特別限定，但較好為0.5質量 %~10質量%，更好為1質量%~9質量%。作為難燃劑可使用例如三光(股)製「HCA-HQ」。
-有機填充材-
作為有機填充材可使用形成印刷配線板之絕緣層時可使用之任意有機填充材，舉例為例如橡膠粒子、聚醯胺微粒子、聚矽氧粒子等，較好為橡膠粒子。
作為橡膠粒子只要為對顯示橡膠彈性之樹脂施以化學交聯處理而於有機溶劑中不溶且不熔之樹脂的微粒子體則未特別限定，舉例為例如丙烯腈丁二烯橡膠粒子、丁二烯橡膠粒子、丙烯酸橡膠粒子等。作為橡膠粒子具體舉例為XER-91(日本合成橡膠(股)製)、STAFYROID AC3355、AC3816、AC3816N、AC3832、AC4030、AC3364、IM101(以上為AICA工業(股)製)PARAOID EXL2655、EXL2602(以上為吳羽化學工業(股)製)等。
有機填充材之平均粒徑較好為0.005μm~1μm之範圍，更好為0.2μm~0.6μm之範圍。有機填充材之平均粒徑可使用動態光散射法測定。例如於適當有機溶劑中以超音波等使有機填充材均一分散，使用濃厚系粒徑分析儀(大塚電子(股)製「FPAR-1000」)，以質量基準作成有機填充材之粒度分佈，將其中值徑設為平均粒徑而測定。樹脂組成物層中之有機填充材之含量較好為1質量%~10質量%，更好為2質量%~5質量%。
-其他成分-
樹脂組成物根據需要亦可含其他成分。作為該其他成分舉例為例如有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等之有機金屬化合物，以及增黏劑、消泡劑、調平劑、密著性賦予劑、著色劑等之樹脂添加劑等。
樹脂組成物之調製方法並非特別限定者，舉例為例如將調配成分根據需要添加溶劑等，使用旋轉混合機等混合/分散之方法等。又，基於上述條件(ii)中之n2為0.2μm以下之觀點，根據需要，亦可以過濾器過濾樹脂組成物等除去具有特定粒徑之粒子。因此，一實施形態中，絕緣層係使藉由過濾器過濾進行去除粒徑d(μm)以上之粒子之處理後之樹脂組成物之層熱硬化而形成。此處，d較好為4以下，更好為3以下，又更好為2以下，再更好為1以下。過濾器之過濾精度較好為4μm以下，更好為3μm以下，又更好為2μm以下，再更好為1μm以下。樹脂組成物之過濾可使用之較佳過濾器舉例為例如ROKITECHNO(股)製之「SCP-010」、「SHP-020」、「SHP-030」。
[電路基板]
針對基於上述本發明之概念所得之電路基板加以說明。
本發明之電路基板之特徵係包含形成有開口徑為15μm以下之通孔的絕緣層之電路基板，
絕緣層之表面之算術平均粗糙度(Ra)為150nm以下，
絕緣層包含無機填充材，於垂直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面中，特定寬度之區域中所含之無機填充材之最大徑平均值設為n1(μm)時，n1×1.27之值(n2)為0.2μm以下。
本發明之電路基板之特徵為於含無機填充材之絕緣層上形成通孔形狀良好之小徑通孔。
通孔之開口徑之較佳範圍、通孔之形狀(亦即Dmim/D及Dmax/D之較佳範圍)、絕緣層表面之較佳Ra值、絕緣層厚度、n2及A2/(A1+A2)之較佳範圍係如前述。絕緣層之組成亦如前述。較佳一實施形態中，絕緣層含有以含具有芳香環之有機基之矽烷化合物表面處理之無機填充材。具有芳香環之有機基之細節、較佳之矽烷化合物係如前述。
本發明之電路基板進而包含形成於絕緣層表面之導體層(電路)。導體層之細節如後述之[電路基板之製造方法]所記載。較佳一實施形態中，本發明之電路基板包含電路寬(線；L)與電路間之寬(間隔；S)之比(L/S)為10μm/10μm以下(亦即配線間距20μm以下)之電路。更佳一實施形態中，包含L/S=9μm/9μm以下(配線間距18μm以下)、L/S=8μm/8μm以下(配線間距16μm以下)、L/S=7μm/7μm以下(配線間距14μm以下)、L/S=6μm/6μm以下(配線間距12μm以下)、L/S=5μm/5μm以下(配線間距10μm以下)或L/S=4μm/4μm以下(配線間距8μm以下)之微 細電路。
[半導體裝置]
使用本發明之電路基板可製造半導體裝置。
作為半導體裝置，舉例為供於電氣製品(例如電腦、行動電話、數位相機及電視等)及交通工具(例如機車、汽車、電車、船舶及飛機等)等之各種半導體裝置。
本發明之半導體裝置可藉由於電路基板之導通部位安裝零件(半導體晶片)而製造。所謂「導通部位」意指「電路基板中傳遞電訊號之部位」，且該部位可為表面亦可為嵌埋部位之任一者均無妨。又，半導體晶片若為以半導體為材料之電性電路元件則無特別限制。
製造本發明之半導體裝置時之半導體晶片之安裝方法若能有效發揮半導體晶片之功能則未特別限制，具體舉例為線接合安裝方法、覆晶安裝方法、利用凸塊及增層(BBUL)之安裝方法、利用異向性導電薄膜(ACF)之安裝方法、利用非導電性薄膜(NCF)之安裝方法等。此處，所謂「利用凸塊及增層(BBUL)之安裝方法」意指「將半導體晶片直接嵌埋於印刷配線板之凹部，使半導體晶片與電路基板上之配線連接之安裝方法」。
[電路基板之製造方法]
本發明之電路基板之製造方法只要能達成上述本發明之概念則未特別限制。以下，例示可達成本發明概念之較 佳實施形態。
<第1實施形態>
本發明之電路基板之製造方法包含下述步驟：(A)將包含支撐體及設於該支撐體上之樹脂組成物層之接著薄膜，以樹脂組成物層與內層基板接合之方式，積層於內層基板上之步驟；(B)以附有支撐體之狀態使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟；及(C)藉由UV固體雷射於絕緣層上形成開口徑為15μm以下之通孔之步驟；且步驟(B)所形成之絕緣層包含無機填充材，於垂直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面中，特定寬度之區域中所含之無機填充材之最大徑平均值設為n1(μm)時，n1×1.27之值(n2)為0.2μm以下。
-步驟(A)-
步驟(A)中，將包含支撐體及設於該支撐體上之樹脂組成物層之接著薄膜，以樹脂組成物層與內層基板接合之方式，積層於內層基板上。
構成樹脂組成物層之樹脂組成物如上述。樹脂組成物層之厚度只要所得絕緣層之厚度t(μm)與通孔之開口徑D(μm)之間滿足上述特定關係(亦即t≦3D)則無特別限制，適當決定即可。
作為支撐體舉例為例如由塑膠材料所成之薄膜、金屬箔、脫模紙，較好為由塑膠材料所成之薄膜、金屬箔。
使用由塑膠材料所成之薄膜作為支撐體時，作為塑膠材料舉例為例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等之丙烯酸系、環狀聚烯烴、三乙醯纖維素(TAC)、聚醚硫化物(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中，較好為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯，特佳為便宜之聚對苯二甲酸乙二酯。聚對苯二甲酸乙二酯可使用市售品，例如可使用TORAY(股)製之「LUMIRROR T6AM」等。
使用金屬箔作為支撐體時，作為金屬箔較好為例如銅箔、鋁箔等，較好為銅箔。作為銅箔可使用由銅之單金屬所成之箔，亦可使用銅與其他金屬(例如錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)之合金所成之箔。
支撐體亦可於與樹脂組成物層接合之側的表面施以霧面處理、電暈處理。且作為支撐體，亦可使用於與樹脂組成物層接合之側的表面具有脫模層之附脫模層之支撐體。作為附脫模層之支撐體之脫模層中使用之脫模劑舉例為例如由醇酸樹脂、烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂、及聚矽氧樹脂所成之群選擇之1種以上之脫模劑。脫模劑之市售品舉例為例如醇酸樹脂系脫模劑之LINTEK(股)製之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」等。
支撐體之與樹脂組成物層接合之側的表面之算術平均粗糙度(Ra)，基於使步驟(B)中形成之絕緣層表面之Ra值降低之觀點，為150nm以下，較好為140nm以下，更好為130nm以下，又更好為120nm以下，再更好為110nm以下，特佳為100nm以下、90nm以下、80nm以下或70nm以下。該Ra之下限並未特別限制，但基於獲得與導體層之密著性良好之絕緣層之觀點，通常可設為1nm以上、5nm以上、10nm以上等。支撐體之與樹脂組成物層接合之側的表面之算術平均粗糙度(Ra)可藉由絕緣層表面之Ra所說明者同樣之方法測定。
支撐體之厚度並未特別限制，較好為75μm以下，更好為60μm以下、50μm以下或40μm以下。支撐體之厚度下限並未特別限定，通常可設為1μm以上、2μm以上、5μm以上等。又，支撐體為附脫模層之支撐體時，較好附脫模層之支撐體全體厚度為上述範圍。
接著薄膜可藉由例如將樹脂組成物溶解於有機溶劑中調製樹脂清漆，使用模嘴塗佈器將該樹脂清漆塗佈於支撐體上，進而乾燥形成樹脂組成物層而製造。
作為有機溶劑舉例為例如丙酮、甲基乙基酮(MEK)及環己酮等之酮類，乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖素乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等之乙酸酯類，溶纖素及丁基卡必醇等之卡必醇類，甲苯及二甲苯等之芳香族烴類，二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基吡咯啶酮等之醯胺系溶劑，溶劑石油腦等。有 機溶劑可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
乾燥可藉由加熱、熱風吹拂等習知方法實施。乾燥條件並未特別限定，但係乾燥至樹脂組成物層中之有機溶劑含量為10質量%以下，較好為5質量%以下。雖隨樹脂清漆中有機溶劑之沸點而異，但例如使用含30質量%~60質量%之有機溶劑之樹脂清漆時，藉由在50℃~150℃乾燥3分鐘~10分鐘，可形成樹脂組成物層。
接著薄膜中，於樹脂組成物層之未與支撐體接合之面(亦即與支撐體相反側之面)上可進而積層以支撐體為準之保護薄膜。保護薄膜之厚度並未特別限定，但可為例如1μm~40μm。藉由積層保護薄膜，可防止於樹脂組成物層表面附著髒污或傷痕。接著薄膜可捲成滾筒狀保存。接著薄膜具有保護薄膜時，可藉由剝離保護薄膜而使用。
步驟(A)所用之「內層基板」主要意指玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等之基板，或於該基板之單面或兩面形成圖型加工之導體層(電路)之基板。且製造電路基板時，進行形成有絕緣層及/或導體層之所有中間製造物之內層電路基板均包含於本發明所稱之「內層基板」。電路基板為部分內建電路板時，只要使用內建零件之內層基板即可。
內層基板與接著薄膜之積層可藉由例如自支撐體側將接著薄膜加熱壓著於內層基板而進行。作為將接 著薄膜加熱壓著於內層基板之構件(以下亦稱為「加熱壓著構件」)舉例為例如經加熱之金屬板(SUS鏡面板等)或金屬輥(SUS輥)等。又，由於並非將加熱壓著構件直接加壓於接著薄膜上，故較好以使接著薄膜充分追隨內層基板之表面凹凸之方式，介隔耐熱橡膠等之彈性構件加壓。
內層基板與接著薄膜之積層亦可藉由真空積層法實施。真空積層法中，加熱壓著溫度較好為60℃~160℃，更好為80℃~140℃之範圍，加熱壓著壓力較好為0.098MPa~1.77MPa，更好為0.29MPa~1.47MPa之範圍，加熱壓著時間較好為20秒~400秒，更好為30秒~300秒之範圍。積層較好於壓力26.7hPa以下之減壓條件下實施。
積層可藉由市售之真空積層機進行。市售之真空積層機舉例為例如名機製作所(股)製之真空加壓式積層機、Nichigo-Morton(股)製之真空敷料器等。
積層後，亦可在常壓下(大氣壓下)藉由例如自支撐體側對加熱壓著構件加壓，而進行所積層之接著薄膜之平滑化處理。平滑化處理之加壓條件可設為與上述積層之加熱壓著條件相同之條件。平滑化處理可藉由市售之積層機進行。又，積層與平滑化處理亦可使用上述之市售真空積層機連續進行。
-步驟(B)-
步驟(B)中，以附有支撐體之狀態使樹脂組成物層熱 硬化而形成絕緣層。
熱硬化條件並未特別限定，可使用形成電路基板之絕緣層時通常採用之條件。
樹脂組成物層之熱硬化條件係隨樹脂組成物層所用之樹脂組成物之組成等而異，若為最終可形成適當絕緣層之條件則未特別限制，例如熱硬化溫度較好為120℃~240℃之範圍，更好為150℃~210℃之範圍，又更好為160℃~190℃之範圍。此處，熱硬化溫度並無必要固定於上述溫度範圍中之特定溫度，若最終可形成適當絕緣層則亦可經時變化，亦可以不同硬化溫度分為複數階段硬化。且硬化溫度之最高到達溫度較好在上述範圍內。
熱硬化時間雖隨樹脂組成物層所用之樹脂組成物之組成及熱硬化溫度而異，但若最終可形成適當絕緣層則未特別限制，例如可為20分鐘~150分鐘，較好為30分鐘~120分鐘，更好為40分鐘~120分鐘。
樹脂組成物層之熱硬化較好在大氣壓下(常壓下)進行。
如前述，本發明中，絕緣層之表面之算術平均粗糙度(Ra)設為150nm以下(條件(i))。Ra值超過150nm時，雷射加工性降低，產生通孔形狀惡化之問題。一般使樹脂組成物熱硬化形成絕緣層時，藉由樹脂之熔融使無機填充材自絕緣層表面露出，而於表面產生起伏等而使平滑性降低，難以使Ra處於較低值，但依據於樹脂組成物層上附有支撐體之狀態使樹脂組成物層熱硬化之本發明之電 路基板之製造方法，可容易地達成低的Ra值。又，熱硬化時，階段性使溫度上升對於用以使Ra值更低亦有效。舉例為例如於熱硬化溫度T1(但50℃≦T1<150℃)加熱10分鐘~60分鐘後，於溫度T2(但150℃≦T2≦240℃)加熱5分鐘~90分鐘進行熱硬化之方法。該Ra值之較佳範圍如前述。
步驟(B)中形成之絕緣層包含無機填充材，於垂直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面中，特定寬度之區域中之n2為0.2μm以下(條件(ii))。n2超過0.2μm時，雷射加工性降低，產生通孔形狀惡化之問題。一般n2於絕緣層中之無機填充材含量高的情況有增大之傾向。降低n2時，下述為有效：1)使用平均粒徑小的無機填充材，2)使用以含具有芳香環之有機基之矽烷化合物予以表面處理之無機填充材，3)實施樹脂組成物之過濾器過濾。n2之較佳範圍如前述。
支撐體亦可於步驟(B)後去除。於較佳一實施形態中，於步驟(C)之前去除支撐體。又，使用極薄(例如厚度2μm以下或1μm以下)之金屬箔作為支撐體時，亦可以於絕緣層上附有支撐體之狀態實施步驟(C)。
-步驟(C)-
步驟(C)中，藉由UV固體雷射於絕緣層上形成開口徑為15μm以下之通孔。
關於UV固體雷射之細節(雷射波長等)、通孔 之開口徑或形狀如前述。
-步驟(D)-
本發明之電路基板之製造方法，於步驟(C)後，亦可進而包含(D)去膠渣處理之步驟。
依據本發明之方法，可於含無機填充材之絕緣層(即使絕緣層中之無機填充材含量高時)上，形成通孔內部之膠渣量少的小徑通孔。因此，本發明之方法中，步驟(D)可實施亦可不實施。實施步驟(D)時，亦可以比通常之去膠渣處理更溫和之條件下實施。因此，可抑制去膠渣處理所致之絕緣層表面之粗化，可實現適於形成微細配線之表面粗糙度低之絕緣層。
去膠渣處理並未特別限制，可藉由習知各種方法進行。一實施形態中，去膠渣處理可為使用氧化劑溶液之濕式去膠渣處理。
使用氧化劑溶液之濕式去膠渣處理中，較好依序進行利用膨潤液之膨潤處理、利用氧化劑溶液之氧化處理、利用中和液之中和處理。作為膨潤液並未特別限制，舉例為鹼溶液、界面活性劑溶液等，較好為鹼溶液，作為該鹼溶液更好為氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液。作為市售之膨潤液舉例為例如日本ATOTECH(股)製之Swelling Dip Securiganth P、Swelling Dip Securiganth SBU等。利用膨潤液之膨潤處理並未特別限定，但可在例如30~90℃之膨潤液中浸漬絕緣層1~20分鐘而進行。基 於將絕緣層之樹脂膨潤抑制在適度程度之觀點，較好硬化體在40~80℃之膨潤液中浸漬5~15分鐘。作為氧化劑溶液並未特別限定，但舉例為例如於氫氧化鈉水溶液中溶解過錳酸鉀或過錳酸鈉之鹼性過錳酸溶液。利用鹼性過錳酸溶液等之氧化劑之氧化處理較好在加熱至60~80℃之氧化劑溶液中浸漬絕緣層10~30分鐘而進行。且，鹼性過錳酸溶液中之過錳酸鹽濃度較好為5質量%~10質量%。作為市售之氧化劑溶液舉例為例如日本ATOTECH(股)製之「Concentrate Compact CP」、「Doesing Solution Securiganth P」等鹼性過錳酸溶液。且作為中和液較好為酸性水溶液，市售品列舉為例如日本ATOTECH(股)製之「Reduction Solution Securiganth P」。利用中和液之處理係在30~80℃之中和液中浸漬以氧化劑進行粗化處理之處理面5~30分鐘而進行。基於作業性等之方面，較好為將以氧化劑進行粗化處理之對象物在40~70℃之中和液中浸漬5分鐘~20分鐘之方法。
-步驟(E)-
本發明之電路基板之製造方法於步驟(C)之後，亦可進而包含於(E)於絕緣層表面形成導體層之步驟。
導體層中使用之導體材料並未特別限制。較佳之實施形態中，導體層包含由金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所成之群選擇之1種以上之金屬。導體層可為單金屬層亦可為合金層， 作為合金層舉例為由例如自上述之群選擇之2種以上之金屬之合金(例如鎳/鉻合金、銅/鎳合金及銅/鈦合金)所形成之層。其中，基於導體層形成之廣泛利用性、成本、圖型化之容易性等之觀點，較好為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層，或鎳/鉻合金、銅/鎳合金、銅/鈦合金之合金層，更好為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層，或鎳/鉻合金之合金層，更好為銅之單金屬層。
導體層可為單層構造亦可為由不同種類之金屬或合金所成之單金屬層或合金層以2層以上積層之複層構造。導體層為複層構造時，與絕緣層接觸之層較好為鉻、鋅或鈦之單金屬層，或鎳/鉻合金之合金層。
導體層之厚度係根據期望之電路基板之設計而定，但通常為35μm以下，較好為30μm以下，更好為25μm以下。導體層厚度之下限並未特別限定，但通常為3μm以上，較好為5μm以上。
步驟(E)中，導體層可藉由乾式鍍敷、濕式鍍敷、或該等之組合而形成。
作為乾式鍍敷舉例為例如蒸鍍、濺鍍、離子電鍍、雷射剝蝕等之物理氣相成長(PVD)法、熱CVD法、電漿CVD等之化學氣相成長(CVD)法，其中較好為蒸鍍、濺鍍。導體層僅以乾式鍍敷形成時，亦可藉由全加成法等之習知方法形成導體層(電路)。
藉由濕式鍍敷形成導體層時，亦可藉由組合 無電解鍍敷及電解鍍敷之半加成法形成導體層，亦可藉由形成與導體層相反圖型之鍍敷抗蝕劑，僅以無電解鍍敷藉由全加成法形成導體層。且使用極薄金屬箔作為支撐體時，亦可藉由改質半加成法形成導體層。該等方法亦可依據本領域之習知順序實施。
亦可組合乾式鍍敷與濕式鍍敷形成導體層。例如可利用藉由乾式鍍敷形成之金屬層作為鍍敷種晶層，藉由使用電解鍍敷或無電解鍍敷之半加成法形成導體層。
於半加成法中，藉由蝕刻去除不要之鍍敷種晶層，形成具有期望配線圖型之導體層(電路)。此時，絕緣層表面粗糙度大時，配線圖型形成時藉由蝕刻去除不要之鍍敷種晶層時難以去除粗度大區域之鍍敷種晶層，且於以可充分去除粗度大區域之鍍敷種晶層之條件進行蝕刻時，配線圖型之溶解變顯著，成為電路配線之微細化之障礙。相對於此，本發明之方法中，如前述，由於可不需要去膠渣處理或可以溫和條件實施，故可實現表面粗度低的絕緣層。亦與可實現通孔形狀良好之小徑通孔之效果相輔，本發明之電路基板之製造方法係顯著有助於電路配線之高密度化與微細化雙方者。
<第2實施形態>
本發明之電路基板之製造方法之特徵係包含下述步驟：(A)將包含支撐體及設於該支撐體上之樹脂組成物層 之接著薄膜，以樹脂組成物層與內層基板接合之方式，積層於內層基板上之步驟；(B)以附有支撐體之狀態使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟；及(C)藉由UV固體雷射於絕緣層上形成開口徑為15μm以下之通孔之步驟；且步驟(A)中使用之接著薄膜之樹脂組成物層包含30質量%以上之BET比表面積為20m2/g以上之無機填充材。
第2實施形態之無機填充材之BET比表面積及含量之較佳範圍等如前述。
第2實施形態之步驟(A)~步驟(C)如第1實施形態之「步驟(A)」~「步驟(C)」中所說明。且，步驟(C)之後，亦可進而包含上述之步驟(D)、步驟(E)。步驟(D)、步驟(E)如第1實施形態之「步驟(D)」、「步驟(E)」中所說明。
<第3實施形態>
本發明之電路基板之製造方法之特徵為包含下述步驟：(A)將包含支撐體及設於該支撐體上之樹脂組成物層之接著薄膜，以樹脂組成物層與內層基板接合之方式，積層於內層基板上之步驟；(B)以附有支撐體之狀態使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟；及 (C)藉由UV固體雷射於絕緣層上形成開口徑為15μm以下之通孔之步驟；且步驟(A)中使用之接著薄膜之樹脂組成物層包含30質量%以上之平均粒徑0.2μm以下之無機填充材。
第3實施形態之無機填充材之平均粒徑及含量之較佳範圍等如上述。
第3實施形態之步驟(A)~步驟(C)如第1實施形態之「步驟(A)」~「步驟(C)」中所說明。且，步驟(C)之後，亦可進而包含上述之步驟(D)、步驟(E)。步驟(D)、步驟(E)如第1實施形態之「步驟(D)」、「步驟(E)」中所說明。
以上雖針對本發明之電路基板之製造方法之較佳實施形態予以例示，但只要可達成上述本發明之概念，則本發明方法亦可包含上述以外之步驟。
[實施例]
以下使用實施例更詳細說明本發明，但本發明不限定於該等實施例。且以下記載中，只要未另外明示，則「份」及「%」分別意指「質量份」及「質量%」。
<測定/評價方法>
首先，針對本說明書中之物性評價中之測定/評價方法加以說明。
[測定/評價用基板之調製]
(1)內層電路基板之底層處理
於形成有電路之玻璃布基材環氧樹脂兩面貼銅積層板(銅箔厚度18μm，基板厚度0.4mm，PANASONIC(股)製「R1515A」)之兩面以微蝕刻劑(MERCK(股)製「CZ8100」)蝕刻1μm進行銅表面之粗化處理。
(2)接著薄膜之積層
自實施例及比較例製作之接著薄膜剝離保護薄膜。使用批式真空加壓積層機(Nichigo-Morton(股)製之2階段增層積層機「CVP700」)，將露出樹脂組成物層之接著薄膜以樹脂組成物層與內層電路基板接合之方式積層於內層電路基板之兩面。積層係在30秒減壓氣壓設為13hPa以下後，於100℃、壓力0.74MPa壓著30秒而實施。其次使所積層接著薄膜在大氣壓下，於100℃、壓力0.5MPa熱加壓60秒而平滑化。
(3)樹脂組成物層之硬化
接著薄膜積層後，使樹脂組成物層熱硬化，於內層電路基板之兩面上形成絕緣層。此時，以附有支撐體之狀態使樹脂組成物層熱硬化，熱硬化後剝離支撐體。所得基板稱為「評價基板a」。
樹脂組成物層之熱硬化係於100℃(投入100 ℃之烘箱後)30分鐘，其次於170℃(改移至170℃之烘箱後)30分鐘，而熱硬化。隨後將基板取出於室溫氛圍下。
(4)UV-YAG雷射之通孔之形成
使用UV-YAG雷射加工機(VIA MECHANICAL(股)製之「LU-2L212/M50L」)，於評價基板a之絕緣層上形成小徑之通孔。實施例1以下述條件I-1，實施例2及比較例1、3係以下述條件I-2，實施例3以下述條件I-3，比較例2以下述條件I-4，形成通孔。所得基板稱為「評價基板b」。
條件I-1：功率0.08W，照射數15，攻擊之孔口徑10μm
條件I-2：功率0.08W，照射數25，攻擊之孔口徑10μm
條件I-3：功率0.17W，照射數25，攻擊之孔口徑15μm
條件I-4：功率0.17W，照射數60，攻擊之孔口徑15μm
<算術平均粗糙度(Ra)之測定>
針對評價基板a，使用非接觸型表面粗糙度計(VECCO儀器公司製之「WYKO NT3300」)，藉由VSI接觸模式以50倍透鏡將測定範圍設定為121μm×92μm所得之數值求出Ra值。針對各樣品求出隨機選取之10點之平 均值。
<絕緣層中之無機填充材之粒徑評價>
針對評價基板b，使用FIB-SEM複合裝置(SII Nanotechnology(股)製之「SMI3050SE」)，進行絕緣層之剖面觀察。詳細而言，藉由FIB(集束離子束)削取垂直於評價基板表面之方向上之剖面，取得剖面SEM圖像(觀察寬度30μm，觀察倍率x9000)。對各樣品取得隨機選取之10部位之剖面SEM圖像。
針對取得之10部位之剖面SEM圖像之各者，測量於寬度15μm之區域亦即縱向為絕緣層總厚，橫向設為15μm之四角形區域(絕緣層總厚(縱)×15μm(橫)之區域)所含之無機填充材之最大徑，獲得其平均值n1。將其平均值n1乘以1.27倍算出值n2(平均粒徑)。且無機填充材之最大徑之超過1/2進入寬度15μm之區域時，該無機填充材判定為「包含於寬度15μm之區域」。
<絕緣層剖面之樹脂面積及無機填充材面積之測定>
針對評價基板b，使用FIB-SEM複合裝置(SII Nanotechnology(股)製之「SMI3050SE」)，進行絕緣層之剖面觀察。詳細而言，藉由FIB(集束離子束)削取垂直於評價基板表面之方向上之剖面，取得剖面SEM圖像(觀察寬度30μm，觀察倍率x9000)。對各樣品取得隨機選取之10部位之剖面SEM圖像。針對取得之10部位之剖面 SEM圖像之各者，測定於寬度15μm之區域亦即縱向為絕緣層總厚，橫向設為15μm之四角形區域(絕緣層總厚(縱)×15μm(橫)之區域)之樹脂面積A1，與無機填充材面積A2，自所得A1值及A2值算出A2/(A1+A2)之值。
具體而言，所謂樹脂面積A1及無機填充材面積A2，係將SEM觀察像作為圖像予以保存，使用圖像解析軟體，將樹脂部分作為黑色，樹脂以外之無機填充材部分作為白色予以白黑2值化，將黑色部分之位元數設為樹脂面積A1，將白色部分之位元數設為無機填充材面積A2。
<通孔形狀之評價>
針對評價基板b使用掃描型電子顯微鏡(日立高科技(股)製「S-4800」)表面觀察通孔開口部。由所得圖像測定通孔之開口徑D與通孔之最小徑Dmin。針對10個通孔測定D及Dmin，求出Dmim/D比之平均值。通孔形狀係基於所得之Dmim/D比之平均值由下述評價基準評價。
評價基準：
○：Dmim/D比為0.65以上
×：Dmim/D比未達0.65
<調製例1>樹脂清漆1之調製
使雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YL7760」，環氧當量約238)10份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000L」，環氧當量約269)15份、雙二甲酚型環氧 樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」，環氧當量約185)10份及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7553BH30」，固體成分30質量%之環己酮：甲基乙基酮(MEK)之1：1溶液)35份於溶劑石油腦5份、MEK 2份中邊攪拌邊加熱溶解。冷卻至室溫後，於其中混合含有三嗪骨架之酚酚醛清漆系硬化劑(羥基當量125，DIC(股)製「LA-7054」，固體成分60%之MEK溶液)4份、活性酯系硬化劑(DIC(股)製「HPC-8000-65T」，活性基當量約223，不揮發成分65質量%之甲苯溶液)18份、胺系硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶(DMAP)，固體成分5質量%之MEK溶液)2份、以N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理之球形氧化矽(電氣化學工業(股)製「UFP-30」，平均粒徑0.1μm，比表面積30m2/g，每單位表面積之碳量0.36mg/m2)40份，以高速旋轉混合機均勻分散後，以匣過濾器(ROKITECHNO製「SCP-010」，過濾效率(製造商公稱值)：1μm以上之粒子截取99.9%以上)過濾，調製樹脂清漆1。
<調製例2>樹脂清漆2之調製
使雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YL7760」，環氧當量約238)12份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000L」，環氧當量約269)12份、雙二甲酚型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」，環氧當量約185)12份及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7553BH30」，固 體成分30質量%之環己酮：甲基乙基酮(MEK)之1：1溶液)10份於溶劑石油腦25份、MEK 6份中邊攪拌邊加熱溶解。冷卻至室溫後，於其中混合含有三嗪骨架之甲酚酚醛清漆系硬化劑(羥基當量151，DIC(股)製「LA-3018-50P」，固體成分50%之2-甲氧基丙醇溶液)6份、活性酯系硬化劑(DIC(股)製「HPC-8000-65T」，活性基當量約223，不揮發成分65質量%之甲苯溶液)16份、胺系硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶(DMAP)，固體成分5質量%之MEK溶液)2份、以N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理之球形氧化矽(電氣化學工業(股)製「UFP-30」，平均粒徑0.1μm，比表面積30m2/g，每單位表面積之碳量0.36mg/m2)80份，以高速旋轉混合機均勻分散後，以匣過濾器(ROKITECHNO製「SCP-010」，過濾效率(製造商公稱值)：1μm以上之粒子截取99.9%以上)過濾，調製樹脂清漆2。
<調製例3>(樹脂清漆3之調製)
使雙酚型環氧樹脂(新日鐵住金化學(股)製「ZX1059」，雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品，環氧當量約169)5份、萘型環氧樹脂(DIC(股)製「HP4032SS」，環氧當量約144)5份、二環戊二烯型環氧樹脂(DIC(股)製「HP-7200HH」，環氧當量約280)20份及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7553BH30」，固體成分30質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)20份於 MEK 6份中邊攪拌邊加熱溶解。冷卻至室溫後，於其中混合含有三嗪骨架之酚酚醛清漆系硬化劑(羥基當量125，DIC(股)製「LA-7054」，固體成分60%之MEK溶液)10份、萘酚系硬化劑(新日鐵住金化學(股)製「SN-485」，羥基當量215，固體成分60%之MEK溶液)10份、聚乙烯縮丁醛樹脂(玻璃轉移溫度105℃，積水化學工業(製)「KS-1」)之固體成分15%之乙醇與甲苯之1：1之混合溶液15份、胺系硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶(DMAP)，固體成分5質量%之MEK溶液)1份、難燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」，10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物，平均粒徑2μm)2份、以N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理之球形氧化矽(電氣化學工業(股)製「UFP-60S」，平均粒徑0.08μm，比表面積60m2/g，每單位表面積之碳量0.34mg/m2)25份，以高速旋轉混合機均勻分散後，以匣過濾器(ROKITECHNO製「SCP-010」，過濾效率(製造商公稱值)：1μm以上之粒子截取99.9%以上)過濾，調製樹脂清漆3。
<調製例4>(樹脂清漆4之調製)
使雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YL7760」，環氧當量約238)12份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000L」，環氧當量約269)12份、雙二甲酚型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」，環氧當量約185) 12份及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7553BH30」，固體成分30質量%之環己酮：甲基乙基酮(MEK)之1：1溶液)10份於溶劑石油腦20份、MEK 4份中邊攪拌邊加熱溶解。冷卻至室溫後，於其中混合含有三嗪骨架之甲酚酚醛清漆系硬化劑(羥基當量151，DIC(股)製「LA-3018-50P」，固體成分50%之2-甲氧基丙醇溶液)6份、活性酯系硬化劑(DIC(股)製「HPC-8000-65T」，活性基當量約223，不揮發成分65質量%之甲苯溶液)16份、胺系硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶(DMAP)，固體成分5質量%之MEK溶液)2份、以N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理之球形氧化矽(電氣化學工業(股)製「SO-C1」，平均粒徑0.30μm，比表面積10m2/g，每單位表面積之碳量0.36mg/m2)80份，以高速旋轉混合機均勻分散後，以匣過濾器(ROKITECHNO製「SHP-030」，過濾效率(製造商公稱值)：2μm以上之粒子截取99.9%以上)過濾，調製樹脂清漆4。
<調製例5>(樹脂清漆5之調製)
使雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YL7760」，環氧當量約238)12份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000L」，環氧當量約269)12份、雙二甲酚型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」，環氧當量約185)12份及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7553BH30」，固體成分30質量%之環己酮：甲基乙基酮(MEK)之1：1溶液) 10份於溶劑石油腦15份、MEK 2份中邊攪拌邊加熱溶解。冷卻至室溫後，於其中混合含有三嗪骨架之甲酚酚醛清漆系硬化劑(羥基當量151，DIC(股)製「LA-3018-50P」，固體成分50%之2-甲氧基丙醇溶液)6份、活性酯系硬化劑(DIC(股)製「HPC-8000-65T」，活性基當量約223，不揮發成分65質量%之甲苯溶液)16份、胺系硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶(DMAP)，固體成分5質量%之MEK溶液)2份、以N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理之球形氧化矽(ADOMATEX(股)製「SO-C2」，平均粒徑0.50μm，比表面積6m2/g，每單位表面積之碳量0.39mg/m2)80份，以高速旋轉混合機均勻分散後，以匣過濾器(ROKITECHNO製「SHP-050」，過濾效率(製造商公稱值)：3μm以上之粒子截取99.9%以上)過濾，調製樹脂清漆5。
<製作例1>接著薄膜1之製作
準備以醇酸樹脂系脫模劑(LINTEK(股)製「AL-5」)進行脫模處理之PET薄膜(TORAY(股)製「LUMIRROR T6AM」，厚度38μm，軟化點130℃)作為支撐體。於該支撐體之脫模面上以模嘴塗佈器塗佈樹脂清漆1，於80℃~110℃(平均100℃)乾燥1.5分鐘，形成樹脂組成物層。樹脂組成物層厚度為10μm。其次，將樹脂組成物層之未與支撐體接合之面上，將作為保護薄膜之聚丙烯薄膜(王子特殊紙(股)製「ALPHAND MA-411」，厚度15μm)以該保護薄膜之粗面與樹脂組成物層接合之方式積層，製作接著薄膜1。
<製作例2>接著薄膜2之製作
準備以醇酸樹脂系脫模劑(LINTEK(股)製「AL-5」)進行脫模處理之PET薄膜(TORAY(股)製「LUMIRROR T6AM」，厚度38μm，軟化點130℃)作為支撐體。於該支撐體之脫模面上以模嘴塗佈器塗佈樹脂清漆2，於80℃~110℃(平均100℃)乾燥2分鐘，形成樹脂組成物層。樹脂組成物層厚度為15μm。其次，將樹脂組成物層之未與支撐體接合之面上，將作為保護薄膜之聚丙烯薄膜(王子特殊紙(股)製「ALPHAND MA-411」，厚度15μm)以該保護薄膜之粗面與樹脂組成物層接合之方式積層，製作接著薄膜2。
<製作例3>接著薄膜3之製作
除了使用樹脂清漆3代替樹脂清漆2以外，與製作例2同樣，製作接著薄膜3。
<製作例4>接著薄膜4之製作
除了使用樹脂清漆4代替樹脂清漆2以外，與製作例2同樣，製作接著薄膜4。
<製作例5>接著薄膜5之製作
除了使用樹脂清漆5代替樹脂清漆2以外，與製作例2同樣，製作接著薄膜5。
<實施例1>
使用接著薄膜1，依據上述[測定/評價用基板之調製]，調製評價基板，進行各評價。
<實施例2>
使用接著薄膜2，依據上述[測定/評價用基板之調製]，調製評價基板，進行各評價。
<實施例3>
使用接著薄膜3，依據上述[測定/評價用基板之調製]，調製評價基板，進行各評價。
<比較例1>
使用接著薄膜4，依據上述[測定/評價用基板之調製]，調製評價基板，進行各評價。
<比較例2>
使用接著薄膜4，依據上述[測定/評價用基板之調製]，調製評價基板，進行各評價。
<比較例3>
使用接著薄膜5，依據上述[測定/評價用基板之調製]，調製評價基板，進行各評價。
評價結果示於表2。

Claims (19)

  1. 一種電路基板，其係包含形成有開口徑為15μm以下之通孔的絕緣層之電路基板，絕緣層之表面之算術平均粗糙度(Ra)為150nm以下，絕緣層包含無機填充材，於垂直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面中，將特定寬度之區域中所含之無機填充材之最大徑平均值設為n1(μm)時，n1×1.27之值(n2)為0.2μm以下。
  2. 如請求項1之電路基板，其中絕緣層表面之Ra為100nm以下。
  3. 如請求項1之電路基板，其中通孔之開口徑為12μm以下。
  4. 如請求項1之電路基板，其中於垂直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面中，特定寬度之區域之樹脂面積A1與無機填充材面積A2滿足0.1≦A2/(A1+A2)。
  5. 如請求項1之電路基板，其中通孔之開口徑D與通孔之最小徑Dmin滿足0.65≦Dmim/D。
  6. 如請求項1之電路基板，其中絕緣層包含以含有具有芳香環之有機基之矽烷化合物進行表面處理之無機填充材。
  7. 如請求項1之電路基板，其中無機填充材為氧化矽。
  8. 一種半導體裝置，其包含如請求項1~7中任一項之電路基板。
  9. 一種電路基板之製造方法，其包含下述步驟：(A)將包含支撐體及設於該支撐體上之樹脂組成物層之接著薄膜，以樹脂組成物層與內層基板接合之方式，積層於內層基板上之步驟；(B)以附有支撐體之狀態使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟；及(C)藉由UV固體雷射於絕緣層上形成開口徑為15μm以下之通孔之步驟；且步驟(B)所形成之絕緣層包含無機填充材，於垂直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面中，將特定寬度之區域中所含之無機填充材之最大徑平均值設為n1(μm)時，n1×1.27之值(n2)為0.2μm以下。
  10. 一種電路基板之製造方法，其包含下述步驟：(A)將包含支撐體及設於該支撐體上之樹脂組成物層之接著薄膜，以樹脂組成物層與內層基板接合之方式，積層於內層基板上之步驟；(B)以附有支撐體之狀態使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟；及(C)藉由UV固體雷射於絕緣層上形成開口徑為15μm以下之通孔之步驟；且步驟(A)中使用之接著薄膜之樹脂組成物層包含30質量%以上之BET比表面積為20m2/g以上之無機填充材。
  11. 一種電路基板之製造方法，其包含下述步驟：(A)將包含支撐體及設於該支撐體上之樹脂組成物層之接著薄膜，以樹脂組成物層與內層基板接合之方式，積層於內層基板上之步驟；(B)以附有支撐體之狀態使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟；及(C)藉由UV固體雷射於絕緣層上形成開口徑為15μm以下之通孔之步驟；且步驟(A)中使用之接著薄膜之樹脂組成物層包含30質量%以上之平均粒徑0.2μm以下之無機填充材。
  12. 如請求項10之方法，其中無機填充材之BET比表面積為20m2/g以上500m2/g以下。
  13. 如請求項11之方法，其中無機填充材之平均粒徑為0.01μm以上0.2μm以下。
  14. 如請求項9~11中任一項之方法，其中於步驟(C)之前，去除支撐體。
  15. 如請求項9~11中任一項之方法，其中絕緣層之表面之算術平均粗糙度(Ra)為150nm以下。
  16. 如請求項9~11中任一項之方法，其中於垂直於絕緣層表面之方向之該絕緣層剖面中，特定寬度之區域之樹脂面積A1與無機填充材面積A2滿足0.1≦A2/(A1+A2)。
  17. 如請求項9~11中任一項之方法，其中通孔之開口徑D與通孔之最小徑Dmin滿足0.65≦Dmim/D。
  18. 如請求項9~11中任一項之方法，其中絕緣層包含以含有具有芳香環之有機基之矽烷化合物進行表面處理之無機填充材。
  19. 如請求項9~11中任一項之方法，其中無機填充材為氧化矽。
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