CN203325962U - 表面安装型发光装置用树脂成形体以及表面安装型发光装置 - Google Patents

表面安装型发光装置用树脂成形体以及表面安装型发光装置 Download PDF

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掛桥泰
真锅贵雄
堀充启
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Abstract

本实用新型提供一种表面安装型发光装置用树脂成形体以及表面安装型发光装置。该表面安装型发光装置用树脂成形体将树脂固化物和多个引线一体成形,且具有上述多个引线在底部露出的凹部,凹部开口面的微观不平度十点高度(Rz)为1μm以上且10μm以下,树脂固化物的玻璃化转变温度为10℃以上,玻璃化转变温度为使用热机械分析装置(TMA)、在温度范围-50~250℃、升温速度5℃/分钟及样品尺寸长度1~5mm的条件下所测得的值,且凹部的开口面对波长为460nm的光的光反射率为80%以上,将树脂成形体在180℃下加热72小时后的凹部开口面的光反射率的保持率为90%以上。

Description

表面安装型发光装置用树脂成形体以及表面安装型发光装置
技术领域
本实用新型涉及一种表面安装型发光装置用树脂成形体以及表面安装型发光装置。 
背景技术
安装了发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等发光元件的表面安装型发光装置具有可发色可见度优异的高亮度的光,并且可小型化、消耗功率低且长寿命这样的许多优点。因此,表面安装型发光装置例如可用作电灯泡、筒灯、底座灯(base light)、路灯、信号机等照明器具、液晶显示器等背光光源等,其用途正迅速扩大。 
代表性表面安装型发光装置例如含有一对引线以互相隔离的方式配置的引线框架、具有引线框架在底部露出的凹部及使一对引线绝缘的绝缘部的树脂成形体、安装于在凹部的底部露出的引线框架且与一对引线可通电地连接的发光元件和通过在凹部填充透明树脂而形成的透明树脂层(参照专利文献1及2)。在此,树脂成形体保护发光元件,并且将发光元件所发出的光反射至发光装置的前面,具有提高亮度的功能。 
在以发光元件面向垂直方向上方的方式设置这样的表面安装型发光装置的情况下,从发光元件向下方所发出的光入射到在凹部的底部露出的引线框架的表面,从发光元件向所照射的横向(水平方向)的光入射到树脂成形体的凹部内壁面。为了将从发光元件入射的光向前面反射而提高亮度,要求提高引线框架及树脂成形体的表面的光反射率(以下,称为“光反射率”)。因此,例如在引线框架表面形成镀Ag层作为反射膜。 
在此,由于可用作引线框架表面的镀敷层的Ag在金属中显示最高的光反射率,因此,为了反射大量的光而优选作为反射膜的材料。然而,Ag存在如下问题:伴随表面安装型发光装置的使用时间的增加,与大气及密封树脂中所含的卤离子或硫反应,生成氯化物(AgCl)等卤化物或硫化物(Ag2S)等使反射膜表面变色成黑褐色的物质,由此,使光反射率降低。另外,Ag具有因从发光元件产生的热而凝聚的特性,存在由于该特性也使光反射率降低的问题。 
为了解决这些问题,例如在专利文献3中记载有一种密封树脂使用有机硅树脂并在反射面的镀纯Ag层上进一步包覆不易形成氯化物或硫化物的镀Ag-Au合金层而形成的引线框架。然而,镀Ag-Au合金层由以将Ag含量限制为低于50质量%的Au作为主要成分的合金构成,因为其形成操作繁杂,另外,由于厚度为0.1μm以上且0.6μm以下,因此,成本也变高。 
另一方面,表面安装型发光装置例如使用热固性树脂作为提供树脂成形体的树脂材料,通过传递模塑成形来制造。更具体而言,使用具备具有在规定位置形成有与树脂成形体的立体形状对应的凹部的上侧对齐面的上模具、具有平坦的下侧对齐面的下模具和树脂注入孔的模具,通过含有下述(a)~(f)的工序的方法来制造表面安装型发光装置(参照专利文献1、4)。 
(a)将引线框架用上侧对齐面和下侧对齐面夹持而进行固定的工序。 
(b)从树脂注入孔向通过上侧对齐面的凹部和引线框架和/或下侧对齐面所形成的内部空间注入液状的热固性树脂的工序。 
(c)通过对模具进行加热,使所注入的液状的热固性树脂固化,使树脂固化物粘接于引线框架的规定位置的工序。 
(d)对模具进行脱模,得到引线框架和树脂固化物被一体成形且具有引线框架在底部露出的凹部的树脂成形体的工序。 
(e)将发光元件可通电地安装于在凹部的底部露出的引线框架的工序。 
(f)在凹部填充透明性树脂而密封发光元件的工序。 
对上述现有的制造方法而言,可得到如下优点:通过利用传递模塑成形,可一次制造多个表面安装型发光装置。然而,在(d)的脱模工序中,树脂成形体由模具的脱模性非常差,因此,存在如下问题:容易引起树脂成形体的变形,根据情况产生凝聚破坏,树脂成形体被破坏。因此,对现有的制造方法而言,有时不良品率会变得非常高。 
进而,对上述现有的制造方法而言,存在如下问题:在具有凹部的树脂成形体和引线框架相接的部分的树脂成形体上产生缺口,另外,在树脂成形体的凹部底部产生树脂毛刺,由此,产品成品率降低。 
现有技术文献 
专利文献 
专利文献1日本特开平11-307820号公报 
专利文献2日本专利第4608294号公报 
专利文献3日本特开2008-091818号公报 
专利文献4日本特开2007-235085号公报 
发明内容
发明要解决的问题 
本实用新型的目的在于提供一种由模具的脱模性优异、模具在脱模时不易引起变形、树脂缺口或凝聚破坏,进而抑制树脂毛刺附着在引线框架部分的表面安装型发光装置用树脂成形体及其制造方法、以及使用其的表面安装型发光装置。 
用于解决问题的方法 
本实用新型人等为了解决上述问题进行了潜心研究,结果发现,在将上模具的上侧对齐面上所形成的上侧凹部的底面的微观不平度十点高度(Rz)调整为特定的范围的情况下,不会对得到的树脂成形体的光反射率等造成不良影响,树脂成形体由模具的脱模性显著提高,在树脂成形体从模具上脱模时,几乎不会引起树脂成形体的变形、树脂缺口或凝聚破坏、树脂毛刺附着在引线框架部分等。而且,本实用新型人等发现,通过使用含有具备这样的上侧凹部的上模具的模具而实施传递模塑成形,可有效地批量生产立体形状基本相同的的树脂成形体。本实用新型人等基于这些见解,以至完成了本实用新型。 
即,本实用新型提供一种以下所示的表面安装型发光装置用树脂成形体、其制造方法及使用有该树脂成形体的表面安装型发光装置。 
1.一种表面安装型发光装置用树脂成形体,其为将树脂固化物和多个引线一体成形,且具有多个引线在底部露出的凹部的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中,凹部的开口面的微观不平度十点高度(Rz)为1μm以上且10μm以下,树脂固化物的玻璃化转变温度为10℃以上,玻璃化转变温度为使用热机械分析装置(TMA)、在温度范围-50~250℃、升温速度5℃/分钟及样品尺寸长度1~5mm的条件下所测得的值,并且凹部的开口面对波长为460nm的光的光反射率为80%以上,将树脂成形体在180℃下加热72小时后的开口面的光反射率的保持率为90%以上。 
2.根据上述1所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中,树脂固化物的固体13C-核磁共振光谱中的峰顶存在于-1ppm~2ppm及13ppm~18ppm的范围中的至少一个处。 
3.根据上述1或2所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中,树脂固化 物为含有(A)在1分子中含有至少2个与SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物,(B)在1分子中含有至少2个SiH基的化合物,(c)氢化硅烷化催化剂,(D)在1分子中含有至少1个与SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机硅化合物,以及(E)含有无机填充材料的热固性树脂组合物(X)的固化物。 
4.根据上述1~3中任一项所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中,多个引线中的至少1个在其表面具有金属层,金属层在其表面侧具有外表面层,外表面层为厚度0.003~0.05μm的Au层、Au系合金层或光泽Ni层。 
5.根据上述4所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中,金属层具有外表面层,以及介于引线的表面和外表面层之间的第二金属层,第二金属层为Ag层、Pd层或者Ag层和Pd层的叠层体。 
6.根据上述4或5所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中,金属层为镀敷层。 
7.根据上述1~6中任一项所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中,凹部具有在底部露出多个引线的表面即底面,凹部的内壁面包含:与底面相连续且从底面的边缘立起且相对于底面的倾斜角为45°~90°的第二斜面,和与第二斜面相连续且从第二斜面的边缘向开口面立起且相对于底面的倾斜角为大于0°且45°以下的第一斜面,第一斜面和第二斜面的边界位于凹部的内壁面的、距离底面的高度大于0μm且在100μm以下的位置处。 
8.根据上述1~7中任一项所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中,多个引线含有以互相隔离的方式配置的第一引线和第二引线,树脂固化物含有介于第一引线和第二引线之间并使它们绝缘的绝缘部,绝缘部在被第一引线和第二引线所夹持的状态下在凹部的底部露出。 
9.根据上述8所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中,第一引线含有在凹部的底部露出的第一内部引线部和与树脂固化物接触的第一外部引线部,且第二引线含有在凹部的底部露出的第二内部引线部和与树脂固化物接触的第二外部引线部。 
10.根据上述9所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中,第一外部引线部和/或第二外部引线部在外侧面露出。 
11.根据上述10所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中,在外侧面,树脂固化物的露出面和第一外部引线部和/或第二外部引线部的露出面基本存在于同一平面上。 
12.根据上述9~11中任一项所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中,第一内部引线部及第二内部引线部在其表面具有上述金属层,第一外部引线部及所述第二外部引线部在其表面不具有金属层。 
13.根据上述1~12中任一项所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中,多个引线具有填充有树脂固化物的凹口部(切り欠き部)。 
14.一种表面安装型发光装置用树脂成形体的制造方法,该表面安装型发光装置用树脂成形体为将树脂固化物和多个引线一体成形,且具有多个引线在底部露出的凹部,树脂固化物的凹部的开口面的微观不平度十点高度(Rz)为0.5μm以上且15μm以下的表面安装型发光装置用树脂成形体的制造方法,其包括:(1)使用模具利用上侧对齐面和下侧对齐面夹持多个引线而进行固定的工序,该模具具有与树脂固化物的立体形状对应的内部空间、上模具、下模具、和树脂注入孔,所述上模具具有上侧对齐面,在上侧对齐面中,具有底面的微观不平度十点高度(Rz)为1μm以上且10μm以下的上侧凹部形成在规定位置,下模具具有平坦的下侧对齐面;(2)从树脂注入孔向模具内的通过上侧凹部和多个引线和/或下侧对齐面所形成的内部空间注入液状的热固性树脂的工序;(3)通过将模具加热至规定的温度,使液状的热固性树脂固化,从而制作在多个引线的规定位置一体成形了由热固性树脂的固化物形成的树脂固化物的树脂成形体的工序;(4)将树脂成形体从模具脱模的工序。 
15.根据上述14所述的表面安装型发光装置用树脂成形体的制造方法,其中,多个引线含有以互相隔离的方式配置的第一引线和第二引线,在工序(2)中,在第一引线和第二引线之间的空间注入液状的热固性树脂。 
16.根据上述14或15所述的表面安装型发光装置用树脂成形体的制造方法,其中,通过使用在上侧对齐面的规定位置形成了上侧凹部的上模具、具有平坦的下侧对齐面的下模具,以及空出规定的间隔沿长宽方向形成有凹口部的多个引线,在每个多个引线的凹口部所包围的区域均形成树脂固化物,接着,通过沿凹口部切断多个引线,得到多个树脂成形体。 
17.根据上述16所述的表面安装型发光装置用树脂成形体的制造方法,其中,多个引线的至少1个在表面具有金属层。 
18.根据上述16或17所述的表面安装型发光装置用树脂成形体的制造方法,其中,多个引线的凹口部被上侧对齐面的未形成有上侧凹部的区域和下侧对齐面所夹持。 
19.一种表面安装型发光装置,其具备:上述1~13中任一项所述的表面安装型 发光装置用树脂成形体、安装于树脂成形体的凹部底部且与多个引线可通电地连接的发光元件和密封发光元件的透明树脂层。 
20.根据上述19所述的表面安装型发光装置,其安装有多个发光元件。 
发明效果 
本实用新型的表面安装型树脂成形体(以下,除非特别说明有时简称为“树脂成形体”)通过凹部开口面具有特定范围的微观不平度十点高度,在具有高光反射率,并且适于大量生产。另外,根据本实用新型,在将树脂成形体从模具上脱模时,树脂成形体由模具的脱模性良好,因此,可显著抑制发生树脂成形体的变形或破坏。因此,根据本实用新型,可高效且以低不良品率批量生产立体形状一致的表面安装型发光装置用的树脂成形体。另外,根据本实用新型,能够以低成本提供树脂成形体,所述树脂成形体通过使用具有规定的玻璃化转变温度、光反射率及光反射率的保持率的固化物作为树脂成形体中的树脂固化物,可长期保持良好的发光亮度。 
具有上述4~6的技术特征的本实用新型的树脂成形体可以利用作为引线框架厚度方向的外表面层所形成的Au层、Au系合金层或光泽Ni层显著地抑制存在于大气及密封树脂中的卤离子或硫等引起的化学劣化。因此,能够提供可长期保持更为良好的发光亮度的树脂成形体。另外,即使使Au层、Au系合金层或光泽Ni层的厚度非常薄也可发挥抑制化学劣化的效果,因此,在成本方面也是有利的。 
具有上述7的技术特征的本实用新型的树脂成形体通过将树脂成形体的凹部内壁面设计成相对于凹部底面的倾斜角度不同的第一斜面和第二斜面这两段,进而使第二斜面的倾斜角度特别为45°~90°,可显著抑制开模时的引线接触部的树脂缺口和在凹部底面的引线部分容易产生的树脂毛刺的产生。进而,根据本实用新型,通过抑制树脂缺口和树脂毛刺,可提高产品成品率,另外,能够省略去毛刺工序等从而简化制造工序,因此,能够以进一步低的成本提供表面安装型发光装置。另外,通过将相对于第一斜面的凹部底面的倾斜角度设为超过0°且为45°,将第一斜面和第二斜面的边界设在距离凹部底面规定的高度的区域,作为凹部内壁面整体的倾斜变缓,可提高树脂成形体的光反射率。 
附图说明
图1是示意性地表示本实用新型的树脂成形体的一实施方式的构成的平面图; 
图2是图1所示的树脂成形体的剖面图; 
图3是示意性地表示本实用新型的树脂成形体的其它的实施方式的构成的剖面 图; 
图4是示意性地表示本实用新型的树脂成形体的其它的实施方式的构成的剖面图; 
图5是示意性地表示本实用新型的树脂成形体的其它的实施方式的构成的立体图; 
图6是示意性地表示本实用新型的树脂成形体的其它的实施方式的构成的剖面图; 
图7是示意性地表示含有图6所示的树脂成形体的表面安装型发光装置的构成的立体图; 
图8是示意性地表示本实用新型的树脂成形体的其它的实施方式的构成的剖面图; 
图9是示意性地表示现有的树脂成形体中的树脂缺口及树脂毛刺的产生的剖面图; 
图10(a)~(c)是示意性地表示本实用新型的树脂成形体的制造方法的一实施方式的工序(1)的侧面图; 
图11(a)~(b)是示意性地表示本实用新型的树脂成形体的制造方法的一实施方式的工序(2)的侧面图; 
图12是示意性地表示本实用新型的树脂成形体的制造方法的一实施方式的工序(3)的侧面图; 
图13是示意性地表示本实用新型的树脂成形体的制造方法的一实施方式的工序(4)的侧面图; 
图14是构成本实用新型的树脂成形体中所使用的引线框架的框架单元的平面图; 
图15是示意性地表示通过本实用新型的树脂成形体的制造方法得到的树脂成形体的构成的附图;图15(a)为平面图、图15(b)为部分放大平面图及图15(c)为图15(b)中的X-X线的部分放大剖面图。 
符号说明 
1、2、3、4、5、6树脂成形体 
1a、4a、4b、4c、4d外侧面 
10、56a第一引线 
10a第一内部引线部,10b第一外部引线部 
11、56b第二引线 
11a第二内部引线部,11b第二外部引线部 
12、14、16、19、17、57树脂固化物 
12a、17a反射部,12b、17b绝缘部,12c、17c、19c凹部开口面 
13、15凹部 
13a底部,13b内壁面 
18镀敷层 
18a外表面层,18b第二金属层 
20模具 
21引线框架,22框架单元,23第一引线,24第二引线 
25带树脂固化物的引线框架 
30上模具,31上侧对齐面,32第一凸部,34第二凸部 
32a顶面,32b外周面 
33上侧凹部,33a底面 
35下模具,36下侧对齐面 
40树脂注入孔,41柱塞,42流道,43通孔 
44柱塞筒,45热固性树脂片(タブレット)或液状的热固性树脂 
50表面安装型发光装置,51发光元件 
52a第一金线,52b第二金线 
55现有的树脂成形体 
58树脂毛刺,59树脂缺口 
60第二斜面,61第一斜面 
具体实施方式
[表面安装型发光装置用树脂成形体] 
本实用新型的树脂成形体的特征之一在于,一体成形树脂固化物和多个引线,且具有多个引线在底部露出的凹部,凹部的开口面的微观不平度十点高度(以下,有时简称为“Rz”)为1μm以上且10μm以下。 
更具体而言、本实用新型的树脂成形体为具有厚度方向的通孔的树脂固化物和多个引线的一体成形物。多个引线通过一体成形被固定在树脂固化物的一方的厚度方向的表面。由此,树脂固化物的通孔的一方的开口的至少一部分被多个引线堵塞, 形成在底部有多个引线露出的凹部。上述凹部开口在树脂成形体的另一方的厚度方向的表面。在本说明书中,将该表面设为树脂成形体的凹部开口面。凹部开口面的Rz为1μm~10μm,优选为1.5~7.0μm。 
另外,本实用新型的树脂成形体的特征在于,树脂固化物的玻璃化转变温度为10℃以上,凹部的开口面对波长为460nm的光的光反射率为80%以上,且将树脂成形体在180℃下加热72小时后的凹部的开口面的光反射率的保持率为90%以上。需要说明的是,玻璃化转变温度为使用热机械分析装置(TMA)、在温度范围-50~250℃、升温速度5℃/分钟及样品尺寸长度1~5mm的条件下所测得的值。 
本实用新型的树脂成形体通过具有这些特征,具有高光反射率,且适于大量生产。 
图1是示意性地表示本实用新型的一实施方式的树脂成形体1的构成的平面图。图2是图1所示的树脂成形体1的剖面图。树脂成形体1具备作为多个引线的第一引线10及第二引线11,以及树脂固化物12,且具有凹部13。进而,对树脂成形体1而言,第一引线10及第二引线11在外侧面(厚度方向的侧面)1a的至少一部分上露出。本实施方式的树脂成形体1如图1所示,平面形状基本为正方形,且具有薄板状的形状,在其中心部分具有开口形状基本为圆形的凹部13。 
第一引线10及第二引线11为正负一对,以互相隔离的方式基本平行地配置而形成1个框架单元(未图示)。将多个框架单元沿长宽平行配置并进行一体化,由此构成引线框架。引线框架可以通过对薄板状金属板实施冲压加工或蚀刻加工来制作。引线框架使用作为良导电体的金属材料而形成。作为这样的金属材料没有特别限定,优选体积电阻低于0.07Ω·m,且热导率为60W/(m·k)以上的金属材料,例如可以举出:铁、磷青铜、铜合金等。 
也可以在第一引线10及第二引线11的厚度方向的两面的至少一方、特别是露出在凹部13的底部13a的面上形成镀敷层等金属层。由此,可以进一步提高从发光元件所发出的光的光反射率。作为金属层的材质,例如可以举出:金、银、铜、铝等。例如在金属层由银构成的情况下,其厚度没有特别限定,优选为0.5μm~20μm,更优选为1μm~15μm。厚度低于0.5μm时,金属层的结晶性变低,容易进行硫化或氧化而变色。变色部分容易吸收光而放热,因此,有可能促进树脂成形体1的热劣化。另外,厚度超过20μm时,在安装发光元件时,金属层有可能容易从第一、第二引线10、11上剥离。 
另外,金属层的形成均可以使用用于制作金属包覆膜或金属薄膜的公知的方 法。作为这样的方法,例如可以举出:电镀、化学镀敷、蒸镀、溅射、扩散等。其中,如果考虑得到的金属层的致密性、形成的简便性等,则优选电镀、化学镀敷等镀敷法。金属层中,优选镀敷层。 
第一引线10具有在凹部13的底部13a露出的第一内部引线部10a和与第一内部引线部10a连接且与树脂固化物12接触的第一外部引线部10b。在图2中,在第一内部引线部10a和第一外部引线部10b之间图示的虚线表示它们的边界。另外,第二引线11具备在凹部13的底部13a露出的第二内部引线部11a和与第二内部引线部11a连接且与树脂固化物12接触的第二外部引线部11b。在图2中,在第二内部引线部11a和第二外部引线部11b之间图示的虚线表示它们的边界。 
后述的树脂固化物12的一部分即绝缘部12b介于第一引线10和第二引线11之间,使第一、第二引线10、11间绝缘。 
在本实施方式中,虽然使用有第一引线10及第二引线11这样的一对引线,但并不限定于此,也可以使用3根以上的任意数目的引线。 
树脂固化物12具备从第一引线10及第二引线11的表面向外部立起的反射部12a和介于第一引线10和第二引线11之间的绝缘部12b。在第一、第二内部引线部10a、11a的表面安装发光元件(未图示)而制作发光装置的情况下,反射部12a具有将发光元件所发出的光反射至发光装置的前方,并且保护发光元件的功能。反射部12a的顶部的表面为树脂成形体1的凹部13的开口面12c(以下,有时简称为“开口面12c”)。另外,绝缘部12b具有在支承第一引线10及第二引线11,并且使它们电绝缘的功能。 
开口面12c的Rz为1μm以上且10μm以下。由此,在批量生产树脂成形体1的情况下,可高效地制造形状一致的树脂成形体1。Rz低于1μm时,在使用传递模塑成形用模具制造树脂成形体1的情况下,存在树脂成形体1由模具的脱模性降低,产生树脂成形体1的变形或凝聚破坏的趋势。Rz超过10μm时,存在光反射率降低的趋势。因此,通过Rz为1μm以上且10μm以下,可以兼备树脂成形体1(包装成形体)的生产时的脱模性的提高和树脂成形体1的高光反射率。 
开口面12c的形状在本实施方式中基本为正方形,但并不限定于此,例如也可以为矩形、五边形、六边形、八边形、椭圆形、长圆形、圆形等形状。另外,长圆形为由长方形和从其长方形的相对的2个边以与2个边相同长度的直径向外部突出的2个半圆构成的形状。 
树脂固化物12的玻璃化转变温度为10℃以上,优选为20℃以上,更优选为 20℃以上且250℃以下,进一步优选为30℃以上且200℃以下。该玻璃化转变温度为使用热机械分析装置(TMA)、在温度范围-50~250℃、升温速度5℃/分钟及样品尺寸长度1~5mm的条件下所测得的值。通过树脂固化物12的玻璃化转变温度为10℃以上,树脂固化物12具有高耐热性,即使暴露于起因于发光元件的高温,也可抑制伴随有变色的热劣化。其结果,能够以高水平保持使用初期的光反射率。 
另外,对树脂固化物12的开口面12c而言,对波长为460nm的光的光反射率为80%以上,且将树脂固化物12在180℃下加热72小时后的开口面12c的光反射率的保持率为90%以上。通过使用这样的树脂固化物12,可得到作为表面安装型发光装置用树脂成形体的可靠性显著高的树脂成形体1。 
另外,树脂固化物12的固体13C-核磁共振光谱(以下,称为“固体13CNMR光谱”)中的峰顶进一步优选存在于-1ppm~2ppm及13ppm~18ppm的范围中的至少1个处。这样的树脂固化物12更进一步提高表面安装型发光装置的可靠性。 
另外,关于用于得到具有如上所述的特性的树脂固化物12的树脂材料,在后面详细叙述。另外,关于玻璃化转变温度、光反射率、光反射率的保持率及固体 13CNMR光谱的测定方法,在后述实施例中详细叙述。 
通过第一引线10及第二引线11和树脂固化物12所形成的凹部13具有绝缘部12b在被第一引线10和第二引线11所夹持的状态下露出的底部13a和也作为树脂固化物12的反射部12a的内侧斜面的内壁面13b。在制作表面安装型发光装置时,在底部13a安装有发光元件。内壁面13b成为使发光元件所发出的光向前方反射的反射面。 
在图1中,凹部13的内壁面13b相对于底部13a的倾斜角度基本为一定。因此,伴随从底部13a远离,以其内径以基本一定的比例连续变大的方式形成凹部13。即,对凹部13而言,其内部空间的形状为倒圆锥台,以在开口方向为广口的方式使内壁面13b倾斜。由此,提高从发光元件所发出的光的反射效率。另外,在传递模塑成形时,使自模具的树脂成形体1的剥离性提高。 
凹部13的内部空间的形状在本实施方式中为倒圆锥台,但不限定于此,例如也可以为圆柱状、棱柱状等形状。内壁面13b相对于凹部13的底面的倾斜角度(底面和内壁面13b所成角的角度)没有特别限定,优选为30°~85°,进一步优选为60°~80°。另外,在本说明书中,凹部13的底面是指凹部13的底部13a的表面。另外,以下,有时将凹部13的底面称为凹部13的水平面。 
在本实施方式中,内壁面13b相对于凹部13的底面的倾斜角度基本为一定, 但并不限定于此,内壁面13b也可以由倾斜角度的不同的2阶段以上的面构成。此时,至少1个面优选为相对于凹部13的底面的倾斜角度为70°~80°。另外,在其它的实施方式中,优选底部13a附近的面相对于底部13a的底面的倾斜角度为40°~60°,开口面12c附近的面相对于底部13a的底面的倾斜角度为70°~90°。 
另外,通过将凹部13的内壁面13b的倾斜角度在距离凹部13的底面的高度为100μm以下的区域中设为2阶段,可以抑制在树脂固化物12和引线10、11所接触的部位产生树脂缺口或树脂毛刺等。关于该实施方式,基于图8及图9在后面进行详细叙述。 
进而,如本实施方式的树脂成形体1那样,平面形状基本为正方形,且在具有开口形状基本为圆形的凹部13的情况下,可以以与上述不同的基准对内壁面13b相对于凹部13的底面的倾斜角度进行适宜变更。例如,在图1中,优选在树脂成形体1的四角附近(内壁面13b的外周侧),将内壁面13b相对于凹部13的底面的倾斜角度设为70~95°,在其以外的部分,将内壁面13b相对于凹部13的底面的倾斜角度设为55~70°。由此,不会增大树脂成形体1的整体尺寸,可以将底部13a的面积增大10%以上。其结果,发光元件的安装变容易。 
凹部13的底部13a的形状在本实施方式中为圆形,但并不限定于此,例如也可以为椭圆形、长圆形(卵形(oval))、正方形、长方形、六边形、八边形等形状。凹部13的底部13a的面积优选为7mm2以上。通过具有这样的面积,例如可以容易地安装多个发光元件。 
凹部13的深度没有特别限定,但优选为0.5~5mm,更优选为0.5~2mm的范围。另一方面,也可以将凹部13的深度优选设为450μm以下,更优选设为250~450μm。这样,使凹部13的深度最小化,且增大内壁面13b相对于底部13a的倾斜角度,由此,可以增加侧面型发光装置中的光强度及光量。 
开口面12c中的凹部13的开口形状在本实施方式中基本为圆形,但并不限定于此,例如也可以为椭圆形、长圆形(卵形)、卵形、矩形、五边形、六边形等。 
树脂成形体1的立体形状在本实施方式中基本为平板状,但并不限定于此,可以根据发光装置的设计等从各种形状中适宜选择。 
图3是示意性地表示本实用新型的其它的实施方式的树脂成形体2的构成的剖面图。在图3中,与树脂成形体1共通的构件标注与树脂成形体1相同的参照符号而省略说明。树脂成形体2的特征在于,隔着第一、第二引线10、11在与树脂固化物12相反的一侧具有树脂固化物14,第一、第二引线10、11的一端部从其外侧 面2a分别向反方向突出。 
树脂固化物14在与凹部13对应的位置具有向与凹部13相反侧凹下的凹部15。树脂固化物14除其高度比树脂固化物2低以外,具有与树脂成形体2基本相同的平面形状及立体形状。即,凹部15的内部空间的立体形状在本实施方式中为倒圆锥台,但并不限定于此,例如也可以为圆柱状、棱柱状等。凹部15的开口形状在本实施方式中基本为圆形,但并不限定于此,例如也可以为圆形、圆形、长圆形、矩形、五边形、六边形等形状。用于得到树脂固化物14的树脂材料可以与用于得到树脂固化物2的树脂材料相同,也可以不同。即,作为树脂固化物14用的树脂材料,可以使用在本说明书中后述的树脂材料,还可以使用表面安装型发光装置用的树脂成形体中所使用的现有的树脂材料。通过设置树脂固化物14,第一、第二引线10、11与其它的部件或装置直接接触变少,因此,例如可可靠地保护第一、第二引线10、11,以及随后安装的发光元件。 
图4为示意性地表示本实用新型的其它的实施方式的树脂成形体3的构成的剖面图。在图4中,与树脂成形体1共通的构件标注与树脂成形体1相同的参照符号而省略说明。树脂成形体3的特征在于,隔着第一引线10及第二引线11在与树脂固化物12的相反一侧具有树脂固化物16,第一、第二引线10、11的一端部从其外侧面3a分别向反方向突出。 
树脂固化物16具有基本为正方形的平面形状及平板状的立体形状,与第一、第二内部引线部10a、11a及绝缘部12b接触,进而分别与第一、第二外部引线部10b、11b的一部分接触。作为用于得到树脂固化物16的树脂材料,可以使用与用于得到树脂固化物14的树脂材料相同的树脂材料。通过设置树脂固化物16,作为树脂成形体3整体的刚性提高,且可基本可靠地防止第一、第二引线10、11或绝缘层12b与其它的部件或装置(未图示)直接接触,因此,例如可进一步可靠地保护第一、第二引线10、11,以及随后安装的发光元件等。 
图5是示意性地表示本实用新型的其它的实施方式的树脂成形体4的构成的立体图。在图5中,与树脂成形体1共通的构件标注与树脂成形体1相同的参照符号而省略说明。树脂成形体4的特征在于,具有一体成形第一、第二引线10、11和树脂固化物17而成的平板状的立体形状,第一、第二外部引线部10b、11b在外侧面4a、4b、4c、4d的四角分别各露出2处。 
另外,树脂成形体4的特征在于,其外侧面4a、4b、4c、4d的树脂固化物17的露出面和第一、第二外部引线部10b、11b的露出面基本存在于同一平面上。进 而,图5虽然未进行图示,但树脂成形体4在第一引线10和/或第二引线11的厚度方向的面上具有镀敷层等金属层,外侧面4a、4b、4c、4d的第一、第二外部引线部10b、11b的露出面可以构成为不具有金属层。金属层的材质与树脂成形体1任选具有的金属层具有相同的材质。 
树脂成形体4将第一引线10及第二引线11和树脂固化物17一体成形且具有凹部13。凹部13的开口面17c的Rz为1μm以上且10μm以下。在凹部13的底面上,绝缘层17b以被夹持于第一内部引线部10a和第二内部引线部11a之间的状态下露出。另外,树脂成形体4例如被记载于日本特开2010-62272号公报的图1。 
通过采用这样的构成,也可以可靠地保护第一引线10及第二引线11,可以提高使用了树脂成形体4的表面安装型发光装置的可靠性。 
本实用新型的其它的实施方式的树脂成形体为一体成形树脂固化物和多个引线且在底部具有露出上述多个引线的凹部的树脂成形体,其特征在于,上述引线电极(多个引线)的厚度方向的面具有镀敷层,外表面层为0.003~0.05μm的Au即包装成形体,上述凹部的开口面的微观不平度十点高度(Rz)为1μm以上且10μm以下,使用热机械分析装置(TMA)、在温度范围-50~250℃、升温速度5℃/分钟及样品尺寸长度1~5mm的条件下测得的上述树脂固化物的玻璃化转变温度为10℃以上,上述树脂固化物的上述开口面对波长为460nm的光的光反射率为80%以上,将上述树脂固化物在180℃下加热72小时后的上述开口面及上述内壁面的光反射率的保持率为90%以上。 
作为这样的其它的实施方式的树脂成形体,例如可以举出图6及图7所示的树脂成形体5。图6是示意性地表示本实用新型的其它的实施方式的树脂成形体5的构成的剖面图。图7是示意性地表示在图6所示的树脂成形体5上安装了发光元件51的表面安装型发光装置50的构成的立体图。在图6及图7中,与树脂成形体1共通的构件标注与树脂成形体1相同的参照符号而省略说明。树脂成形体5的特征在于,在引线电极(第一引线10及第二引线11)的厚度方向的面(与树脂固化物17相接触一侧的表面)具有镀敷层18作为金属层,镀敷层18的外表面层18a由0.003~0.05μm的Au构成。 
树脂成形体5除在第一、第二引线10、11与树脂固化物17相接触侧的表面的第一、第二内部引线部10a、11a的表面具有镀敷层18以外,具有与树脂成形体1相同的构成。另外,树脂固化物17具有与树脂成形体4中的树脂固化物17相同的结构。镀敷层18由外表面层18a和介于第一、第二内部引线部10a、11a的厚度方 向的表面和外表面层18a之间的第二金属层18b构成。镀敷层18由材质不同的2层镀敷层构成。外表面层18a为厚度0.003~0.05μm的Au镀敷层。通过设置外表面层18a,可以提高第一引线10及第二引线11的耐硫化性及光反射率。 
根据该构成,设置有镀敷层18的第一、第二内部引线部10a、11a的光反射率优异,特别是在将树脂成形体5用于半导体发光装置的情况下,可以高效地反射发光元件的后方光并作为装置整体实现高发光效率。 
另外,不仅在第一、第二内部引线部10a、11a设置镀敷层18,而且在第一、第二外部引线部10b、11b也设置镀敷层18。由此,第一、第二外部引线部10b、11b的热稳定性以及焊锡性显著提高。在本实施方式中在第一、第二内部引线部10a、11a的一方的表面设置镀敷层18,但并不限定于此、也可以在两方的表面设置镀敷层18。另外,也可以在第一、第二引线10、11的两方或一方的表面的整个面上设置镀敷层18。另外,通过形成作为厚度0.003~0.05μm的Au镀敷层的外表面层18a,可以兼备耐硫化性及光反射率的提高和材料成本的抑制。 
从作为一个例子的耐硫化性的观点考虑,作为外表面层18a的Au镀敷层的厚度的下限为0.003μrn以上,优选0.005μm以上。厚度变厚时,耐硫化性提高,但一般认为Au的价格为Ag的约100倍左右,从成本的观点考虑,Au镀敷层的厚度的上限为0.05μm以下,优选0.03μm以下。另外,外表面层18a在本实施方式中为Au镀敷层,但并不限定于此,也可以为镀Au系合金层。作为Au系合金,例如可以举出:Ag-Au合金、Ag-Nd-Au合金等。 
第二金属层18b为由Au、Ag、Cu、Pd、Ni、Al等金属构成的镀敷层。这些金属中,从降低成本的观点考虑,优选Ag、Cu、Pd、Ni、Al等,更优选Ag、Pd、Ni等。进而,进一步优选镀Pd层、镀Ag层、镀Ag层和镀Pd层的叠层体等。构成第二金属层18b的各镀敷层例如可发挥如下那样的优异的特性。 
镀银层不仅实现优异的光反射率,而且,与所载置的发光元件的连接性及引线接合性优异。镀钯层化学稳定,在高温环境下的抗蚀性优异。镀镍层具有作为底层镀敷的特性,有助于引线接合性、无铅焊锡带来的焊锡性、抗蚀性、及与形成外围器件的树脂固化物12的密合性。如以上说明那样,本实用新型的半导体装置用引线框架(第一、第二引线10、11)通过在内部部分(inner section)(第一、第二内部引线部10a、11a)的表面具有镀敷层18且镀敷层18的外表面层18a为镀金或镀金系合金层的特征的构成来实现良好的光反射率。 
镀敷层18的厚度没有特别限定,可以根据第一、第二引线10、11及第二金属 层18b的材质、第一、第二引线10、11的厚度、构成树脂固化物12的树脂的种类、最终得到的发光元件的用途等各种条件适宜选择。例如在第二金属层18b由银构成的情况下,镀敷层18的厚度优选为0.5μm~20μm,更优选为1μm~15μm。厚度低于0.5μm时,镀敷层18的结晶性变低,容易进行硫化或氧化而变色。由于变色部分容易吸收光而放热,因此,有可能促进树脂成形体5的热劣化。另外,膜厚超过20μm时,在安装发光元件时,镀敷层18容易从第一引线10或第二引线11上剥离。 
另外,作为镀敷层18的形成方法没有特别限定,均可以采用公知的镀敷处理方法,例如最优选卷对卷方式、使用了虫胶的浸渍镀敷方式等。进而,在如本实施方式那样在第一、第二引线10、11的第一、第二内部引线部10a、11a表面设置镀敷层18的情况下,镀敷处理也可以在形成树脂成形体5后实施。这样的镀敷处理被称为后镀敷工序。 
在本实施方式中,在第一、第二引线10、11的第一、第二内部引线部10a、11a表面设置镀敷层18作为金属层,但不限定于镀敷层,可以形成镀敷层以外的各种金属层(金属包覆膜)。金属层的形成均可采用公知的金属层的形成方法,例如可以举出:电镀、化学镀敷、蒸镀、溅射、扩散等。 
图7表示树脂成形体5的使用例。图7所示的表面安装型发光装置50具备在第一、第二内部引线部(未图示)的表面具有镀敷层18的树脂成形体5、安装于第一内部引线部的发光元件51、将发光元件51和第一内部引线部电连接的第一金线52a和将发光元件51和第二内部引线部电连接的第二金线52b。通过树脂成形体5在第一、第二引线的表面具有材质不同的2层的镀敷层,表面安装型发光装置50特别是可抑制第一、第二引线的热劣化,可长期高水准地保持光反射率,长期的可靠性非常高。 
本实用新型的其它的实施方式的树脂成形体为一体成形树脂固化物和多个引线,且在底部具有上述多个引线露出的凹部的树脂成形体,其特征在于,与上述凹部开口部底面的引线接触的第一树脂成形体斜面与上述引线水平面的角度为45°以下,从距上述引线水平面100μm以下的高度产生的第二树脂成形体斜面相对于引线水平面为45°~90°的范围。在此、凹部开口部底面为在凹部的底部露出引线的表面,也可以为引线水平面。另外,凹部的内壁面由相对于引线水平面的倾斜角不同的两个斜面,即第一树脂成形体斜面和第二树脂成形体斜面构成。相对于引线水平面的倾斜角为在表面安装型发光装置用树脂成形体的厚度方向的剖面图中,引线水平面和第一或第二树脂成形体斜面所形成的角。 
在这样的实施方式的树脂成形体中,在该成形体中安装发光元件的情况下,将由发光元件所发出的横向的光反射至正面方向(相对于凹部底部的垂直方向)的成为光反射部位的凹部内侧树脂成形部(凹部内壁面)的引线接触部设计成:上述树脂成形部的斜面角度在从锐角至垂直的范围分段。更具体而言,在树脂固化物和多个引线被一体成形且在底部具有上述多个引线露出的凹部的树脂成形体中,在凹部开口部底面的与引线接触的树脂成形体第一斜面与引线水平面的角度设为45°的情况下,使在距引线水平面100μm以下的高度产生的树脂成形体第二斜面,相对于引线水平面为45°~90°。 
作为这样的实施方式的树脂成形体,例如可以举出:图8所示的树脂成形体6。图8为示意性地表示本实用新型的其它的实施方式的树脂成形体6的构成的剖面图。图9为示意性地表示现有的树脂成形体55中的树脂毛刺58及树脂缺口59的产生的剖面图。在图8及图9中,与树脂成形体1共通的构件标注与树脂成形体1相同的参照符号而省略说明。树脂成形体6的特征在于,将第一、第二引线10、11和树脂固化物19一体成形,凹部13的内壁面13b由第一斜面61和第二斜面60构成且具有差异,其以外的构成与树脂成形体1相同。 
如图9所示那样,在制作一体成形的第一、第二引线56a、56b和树脂固化物57的现有的树脂成形体55时,由于要流入模具(未图示)和第一、第二引线56a、56b的界面的树脂流动,在上述界面附近在第一、第二引线56a、56b上产生树脂毛刺58或在对得到的树脂成形体55进行脱模时,在树脂固化物57和第一、第二引线56a、56b的接触部分引起树脂固化物57的凝聚破坏,由此,在树脂固化物57上产生树脂缺口59。本实施方式的树脂成形体6在抑制如上所述的树脂毛刺58或树脂缺口59的产生方面有效。以下,对树脂成形体6的各构成进行说明。 
第二斜面60为与凹部13的底面连接并从该底面的边缘立起且相对于底面的倾斜角α2为45°~90°的范围。在此,凹部13的底面为凹部13的底部13a露出的第一、第二引线10、11(即第一、第二内部引线部10a、11a)的表面。凹部13的底面也被称为引线水平面。第二斜面60相对于底面的倾斜角α2在图8中为凹部13的底面和第二斜面60所成的角。第一斜面61为与第二斜面60连接并从第二斜面60的边缘向开口面19c立起,且相对于底面的倾斜角α1为大于0°且在45°以下。第一斜面61相对于底面的倾斜角α1为在图8中凹部13的底面和将第一斜面61向底面直线延长的虚拟线所成的角。 
进而,第二斜面60和第一斜面61的边界处于凹部13的内壁面13b上的距离 底面超过高度(图8中的h)0μm且100μm以下的位置处。这样,在本实施方式中,在凹部13的内壁面13b上,在距凹部13的底面的高度(h)为100μm以下的区域设置倾斜角不同的第二斜面60和第一斜面61的边界,形成2阶段。 
这样,通过在规定的区域设置分别具有规定的倾斜角的第一斜面61和第二斜面60,且设置第一斜面61和第二斜面60的边界,在凹部13的内壁面13b设置规定的差异的构成,可得到如下所述的(a)~(c)的效果。 
(a)通过上述构成,可知在树脂成形体6成形时,妨碍要流入模具和第一、第二引线10、11的界面的树脂流动。其结果,也可知可显著抑制容易在凹部13的底部周边产生的树脂毛刺的产生。也可知第二斜面60的倾斜角α2越接近垂直,抑制树脂毛刺的产生的效果越变大。从抑制树脂毛刺的产生的观点考虑,第二斜面60的倾斜角α2优选为60°以上,进一步优选为80°以上且90°以下。 
(b)通过上述构成,可大幅抑制树脂缺口的产生。即,如图9所示那样,可大幅改善如下故障:在成形时的开模中,起因于树脂成形体55密合在模具(未图示)表面而在模具上具有树脂固化物57的一部分来进行,在与第一、第二引线56a、56b接触部分的树脂固化物57的一部分引起凝聚破坏(Cohesive failure)而缺损,产生树脂缺口。从提高抑制树脂成形体6的树脂缺口的效果的观点考虑,第二斜面60和第一斜面61的边界距离凹部13底面的高度(h)优选为10μm~100μm,更优选为30μm~80μm。 
(c)通过上述构成,在树脂成形体6上安装了发光元件(未图示)的发光装置中,可以提高由发光元件所发出的光向相对于凹部13的底面基本垂直的方向的反射效率,可以提高发光装置的产品化率。从进一步提高由发光元件所发出的光的反射效率的观点考虑,第1斜面61的倾斜角α1优选为20°~45°,进一步优选为30°~40°。 
进而,本实用新型的树脂成形体只要凹部开口面的Rz为1μm以上且10μm以下,则可以形成各种各样的形态。例如在日本特开2010-62272号公报中记载的图6、图9及图11~13中示出的一体成形的树脂固化物和第一引线及第二引线,且具有平板状的立体形状的树脂成形体。该树脂成形体具有开口形状为圆形的凹部,第一引线和第二引线以隔着绝缘部而相对的状态下在凹部的底部露出,凹部开口面的形状为矩形。 
以下,对日本特开2010-62272号公报的图6、图9及图11~13所示的各树脂成形体的特征进行说明。日本特开2010-62272号公报的图6所示的树脂成形体与上述树脂成形体4同样,第一引线及第二引线的各自的一部分在其侧面的四角下部露 出。对树脂固化物而言,其四角向内侧圆弧状地缺失,在四角下部露出的第一引线及第二引线也向内侧圆弧状地缺失。树脂固化物的缺失部分的圆弧的半径比第一引线及第二引线的缺失部分的圆弧的半径大,因此,在树脂成形体的四角,在树脂固化物和第一引线或第二引线的交接处产生差异。 
在日本特开2010-62272号公报的图9所示的树脂成形体中,树脂固化物在纵向相对的2个侧面的下部具有从横向一方的侧面至另一边的侧面延伸的缺失部分,纵向的剖面形状为T字形。第一引线及第二引线的一部分分别在树脂固化物的2个缺失部分露出。 
第一引线的露出部分从横向的一边的侧面至另一边的侧面延伸,纵向的剖面具有将L字向右旋转90°而成的形状。第二引线的露出部分从横向的一边的侧面至另一边的侧面延伸,纵向的剖面具有将L字向右旋转90°后,再左右反转而成的形状。进而,在树脂成形体的横向相对的2个侧面中,树脂固化物的露出面和第一引线及第二引线的露出面基本在同一平面上。 
在日本特开2010-62272号公报的图11所示的树脂成形体中,树脂固化物在纵向相对的2个侧面的下部具有从横向的一边的侧面至另一边的侧面延伸的缺失部分,纵向的剖面形状为T字形。第一引线及第二引线的一部分分别在树脂固化物的2个缺失部分露出。 
第一引线及第二引线的露出部分分别从横向的一边的侧面至另一边的侧面延伸,纵向的剖面形状为矩形。进而,对这些露出部分在横向的大致中央部分,纵向的剖面形状为长方形,具有向横向延伸的缺失部分。也可以在面向该缺失部分的各表面形成镀敷层。进而,也可以在于树脂成形体的底部露出的第一引线及第二引线的至少一部分上形成镀敷层。 
对日本特开2010-62272号公报的图12所示的树脂成形体而言,第一引线及第二引线在其厚度方向的侧面的四角的下部及在纵向相对的2个侧面的下部露出。第一引线在四角中在横向相邻的2个角的下部及在纵向相对的一方的侧面的下部露出。树脂固化物介于在2个角露出的第一引线和在侧面露出的第一引线之间。进而,在侧面露出的第一引线向横向延伸,具有与日本特开2010-62272号公报的图11所示的树脂成形体同样的向横向延伸的缺失部分(长方体状的空间)。也可以在面向该缺失部分的各表面上形成镀敷层。 
另一方面,第二引线在第一引线露出的2角之外的在横向上相邻的2角的下部及在纵向相对的另一边的侧面的下部露出,除此以外,具有与第一引线的露出部同 样的构成。 
进而,在本实施方式中,也可以在于树脂成形体的底部露出的第一引线及第二引线的至少一部上形成镀敷层。 
对日本特开2010-62272号公报的图12所示的树脂成形体而言,树脂固化物在纵向相对的2个侧面的下部具有从横向的一边的侧面至另一边的侧面延伸的缺失部分,纵向的剖面形状为T字形。缺失部分的空间形状基本为长方体状。第一引线及第二引线的一部分分别在树脂固化物的2个缺失部分露出。 
第一引线在纵向的一边的侧面的下部露出,从横向的一边的侧面至另一边的侧面延伸且横向的大致中央部分的纵向的剖面形状为矩形,在横向相邻的2角具有缺失部分。缺失部分的空间形状为长方体状或立方体状。另外,第二引线在纵向的另一边的侧面的下部露出,除此以外,具有与第一引线同样的构成。 
在上述的各实施方式中,作为用于得到用于反射由发光元件所发出的光的树脂固化物的树脂材料,没有特别限定,但从实施传递模塑成形的观点考虑,优选使用热固性树脂。作为热固性树脂,可没有特别限定地使用表面安装型发光装置的领域中所使用的树脂,例如可以举出:环氧树脂、改性环氧树脂、有机硅树脂、改性有机硅树脂、丙烯酸酯树脂、聚氨酯等。这些热固性树脂可以单独使用1种或组合使用2种以上。 
这些热固性树脂中,优选环氧树脂、改性环氧树脂、有机硅树脂及改性有机硅树脂。例如可以使用通过在环氧树脂和当量的酸酐的混合物100重量份中添加固化促进剂0.1~2重量份、助催化剂0.5~3重量份、白色颜料5~30重量份及无机填料30~70重量份而得到的环氧树脂组合物。进而,也可以使用通过加热该组合物而使其部分固化而B阶化的环氧树脂组合物。 
在上述的环氧树脂组合物中,作为环氧树脂,例如可以举出:由三缩水甘油基异氰脲酸酯、氢化双酚A二缩水甘油基醚等得到的环氧树脂。作为酸酐,例如可以举出:六氢邻苯二甲酸酐、3-甲基六氢邻苯二甲酸酐、4-甲基六氢邻苯二甲酸酐等。作为固化促进剂,可以举出:DBU(1,8-二氮杂双环[5,4,0]十一烯-7)等。作为助催化剂,例如可以举出:乙二醇等,作为白色颜料,例如可以举出:氧化钛等。作为无机填料,例如可以举出:二氧化硅粒子、玻璃纤维等。 
另外,从进一步抑制发光元件的发热等引起的树脂固化物的翘曲的产生及伴随变色的热劣化的观点考虑,优选含有(A)在1分子中含有至少2个与SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物、(B)在1分子中含有至少2个SiH基的化合物及(C) 氢化硅烷化催化剂的热固性树脂组合物,进一步优选与上述(A)成分、(B)成分及(C)成分一起含有(D)在1分子中含有至少1个与SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机硅化合物及(E)无机填充材料的热固性树脂组合物(X)。 
热固性树脂组合物(X)由于线膨胀系数较低,因此,与引线中所使用的金属材料的线膨胀系数的差变小。另外,热固性树脂组合物(X)的耐热性高,不易引起伴随变色的热劣化,因此,即使暴露于高温也可将光反射率保持在使用初期的高水准。 
以下,对(A)~(E)的各成分详细地进行说明。 
(A)成分只要是在1分子中含有至少2个与SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物就没有特别限定。 
(A)成分的骨架更优选作为有机化合物,不是含有如聚硅氧烷-有机嵌段共聚物或聚硅氧烷-有机接枝共聚物这样的硅氧烷单元(Si-O-Si)的物质,作为构成元素,未含有C、H、N、O、S及卤素以外的元素的化合物。在含有硅氧烷单元的物质的情况下,存在半导体的包装和引线框架或密封树脂的粘接性容易变低的问题。 
(A)成分可以分类为有机聚合物类化合物和有机单体类化合物。 
作为有机聚合物类化合物即(A)成分,例如可以举出具有聚醚类、聚酯类、聚芳酯类、聚碳酸酯类、饱和烃类、不饱和烃类、聚丙烯酸酯类、聚酰胺类、酚醛类(酚树脂类)、聚酰亚胺类的骨架的化合物。 
其中,作为聚醚类聚合物,例如可以举出:聚氧乙烯、聚氧丙烯、聚四氢呋喃(Polyoxytetramethylene)、聚氧乙烯-聚氧丙烯共聚物等。进而,如果示出具体的例子,则可以举出下述[化学式1]所示的聚合物。 
[化学式1] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000211
(式中,Rl、R2表示未含有C、H、N、O、S、卤素以外的元素作为构成元素的碳原子数1~6的2价的有机基团,n、m、l表示1~300的数。) 
作为其它的有机聚合物类化合物,例如可以举出:通过己二酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、六氢邻苯二甲酸等二元酸和乙二醇、二乙二醇、丙二醇、四亚甲基二醇、新戊二醇等二醇的缩合或内酯类的开环聚合而得到的聚酯类聚合物;乙烯-丙烯类共聚物、聚异丁烯、异丁烯和异戊二烯等的共聚物、聚氯丁二烯、聚异戊二烯、异戊二烯和丁二烯、丙烯腈、苯乙烯等的共聚物、聚丁二烯、丁二烯 和苯乙烯、丙烯腈等的共聚物、聚异戊二烯、聚丁二烯、异戊二烯或丁二烯和丙烯腈、苯乙烯等的共聚物进行氢化而得到的聚烯烃类(饱和烃类)聚合物;对丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯等单体进行自由基聚合而得到的聚丙烯酸酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯等丙烯酸酯和乙酸乙烯酯、丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯等的丙烯酸酯类共聚物;上述有机聚合物中对乙烯基单体进行聚合而得到的接枝聚合物;聚硫化物类聚合物;利用ε-氨基己内酰胺的开环聚合的尼龙6、利用六亚甲基二胺和己二酸的缩聚的尼龙66、利用六亚甲基二胺和癸二酸的缩聚的尼龙610、利用ε-氨基十一酸的缩聚的尼龙11、利用ε-氨基月桂内酰胺的开环聚合的尼龙12、上述的尼龙中具有2种成分以上的成分的共聚尼龙等聚酰胺类聚合物;例如由双酚A和碳酰氯进行缩聚而制造的聚碳酸酯类聚合物;邻苯二甲酸二烯丙基酯类聚合物;酚醛清漆型酚树脂、甲阶酚醛型酚树脂、氨甲阶酚醛型酚树脂、苯甲基醚型酚树脂等酚醛类树脂(酚类树脂)等。 
可以在有机聚合物类化合物的聚合物骨架中导入具有碳-碳双键的烯基而制成(A)成分。此时,具有碳-碳双键的烯基可以存在分子内的任意位置,但从反应性的方面考虑,优选存在于聚合物骨架的侧链或末端。 
关于将烯基导入聚合物骨架的方法,可以使用各种提出的方法,但基本分为在聚合后导入烯基的方法和在聚合中导入烯基的方法。 
作为在聚合后导入烯基的方法,例如可以通过使在末端、主链或侧链具有羟基、烷氧基、羧基、环氧基等官能团的有机聚合物与具有相对于这些官能团显示反应性的活性基和烯基两者的有机化合物进行反应,在末端、主链或侧链导入烯基。 
作为具有相对于上述官能团显示反应性的活性基和烯基两者的有机化合物的例子,可以举出:丙烯酸、甲基丙烯酸、乙酸乙烯酯、丙烯酰氯、丙烯酰溴等碳原子数3~20的不饱和脂肪酸、酰卤、酸酐等或氯甲酸烯丙酯(CH2=CHCH2OCOCl)、溴甲酸烯丙酯(CH2=CHCH2OCOBr)等C3~C20的不饱和脂肪族醇取代碳酰卤、烯丙基氯、烯丙基溴、乙烯基(氯甲基)苯、烯丙基(氯甲基)苯、烯丙基(溴甲基)苯、烯丙基(氯甲基)醚、烯丙基(氯甲氧基)苯、1-丁烯基(氯甲基)醚、1-己烯基(氯甲氧基)苯、烯丙氧基(氯甲基)苯、烯丙基异氰酸酯等。 
另外,有使用酯交换法导入烯基的方法。该方法为使用酯交换催化剂将聚酯树脂或丙烯酸树脂的酯部分的醇残基与含烯基醇或含烯基酚衍生物进行酯交换的方法。用于与醇残基的酯交换的含烯基醇及含烯基酚衍生物只要为具有至少1个烯基且具有至少1个羟基的醇或酚衍生物即可,但优选具有1个羟基者。可以使用催化 剂,也可以不使用催化剂,但优选钛系及锡系催化剂。 
作为含烯基醇,例如可以举出:乙烯基醇、烯丙基醇、3-丁烯-1-醇、4-戊烯-1-醇、5-己烯--1-醇、6-庚烯-1-醇、7-辛烯-1-醇、8-壬烯-1-醇、9-癸烯-1-醇、2-(烯丙氧基)乙醇、新戊二醇单烯丙基醚、甘油二烯丙基醚、三羟甲基丙烷三烯丙基醚、三羟甲基乙烷三烯丙基醚、季戊四醇四烯丙基醚、1,2,6-己烷三醇三烯丙基醚、失水山梨糖醇三烯丙基醚等。另外,作为含烯基酚衍生物,例如可以举出:下述[化学式2]所示的各化合物。 
[化学式2] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000231
其中,从获得的容易性考虑,优选烯丙基醇、乙烯基醇、3-丁烯-1-醇、2-(烯丙氧基)乙醇及下述[化学式3]所示的各化合物。 
[化学式3] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000232
进而,也存在如下方法:一边将上述醇或酚衍生物的乙酸酯等酯化物和聚酯树 脂或丙烯酸树脂的酯部分使用酯交换催化剂进行酯交换,一边通过减压挥发等使生成的聚酯树脂或丙烯酸树脂的酯部分的醇残基的乙酸酯等低分子量酯化物蒸馏除去至体系外的方法导入烯基。 
另外,也可以利用在通过活性聚合进行了(甲基)丙烯酸甲酯等的聚合后,通过结合在活性末端具有烯基的化合物,停止聚合反应的方法在末端导入烯基。 
作为在聚合中导入烯基的方法,例如在通过自由基聚合法制造用于本实用新型的(A)成分的有机聚合物骨架的情况下,可以通过使用具有自由基反应性低的烯基的自由基链转移剂,可以在有机聚合物骨架的侧链或末端导入烯基。作为这样的自由基链转移剂,例如可以举出:甲基丙烯酸烯丙基酯、丙烯酸烯丙基酯等在分子中具有自由基反应性低的烯基的乙烯基单体、烯丙基硫醇等。 
(A)成分的分子量没有特别限定,可优选使用100~100,000、优选300~100,000的任意的物质,如果为含烯基有机聚合物,则特别优选500~20,000的物质。分子量低于300时,不易表现出可挠性的赋予等利用有机聚合物带来的特征,分子量超过100,000时,不易表现出烯基和SiH基的反应带来的交联的效果。 
作为有机单体类化合物即(A)成分,例如可以举出:酚类、双酚类、苯、萘等芳香族烃类;直链类、脂环类等脂肪族烃类:杂环类的化合物及这些的混合物等。 
在(A)成分中,相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的键合位置没有特别限定,可以存在于分子内的任意位置。作为相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键,没有特别限定,但从反应性的方面考虑,优选通式(1):CH2=C(R1)-(式中,R1表示氢原子或甲基。)表示的基团。另外,从原料获得的容易性方面考虑,特别优选式:CH2=CH-表示的基团。 
作为(A)成分的与SiH基具有反应性的碳-碳双键,从树脂固化物的耐热性高的方面考虑,优选通式(II):-C(R2)=C(R2)-(式中,R2表示氢原子或甲基。)所示的脂环式基团。另外,从原料获得的容易性方面考虑,特别优选式:-CH=CH-所示的脂环式基团。 
相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键可以直接键合于(A)成分的骨架部分,也可以经由2价以上的取代基进行共价键合。作为2价以上的取代基,只要为碳原子数0~10的取代基就没有特别限定,作为构成元素,优选未含有C、H、N、O、S、及卤素以外的元素。作为这些取代基的例子,例如可以举出下述[化学式4]及[化学式5]所示的各化合物。另外,这些2价以上的取代基的2个以上也可以通过共价键连接而构成1个2价以上的取代基。 
[化学式4] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000251
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000252
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000253
(n表示1~10的数) 
(n表示1~4的数) 
[化学式5] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000255
(n表示0~4的数) 
作为如上所述的共价键合于骨架部分的基团的例子,可以举出:乙烯基、烯丙基、甲烯丙基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、2-羟基-3-(烯丙氧基)丙基、2-烯丙基苯基、3-烯丙基苯基、4-烯丙基苯基、2-(烯丙氧基)苯基、3-(烯丙氧基)苯基、4-(烯丙氧基)苯基、2-(烯丙氧基)乙基、2,2-双(烯丙氧基甲基)丁基、3-烯丙氧基-2,2-双(烯丙氧基甲基)丙基、下述[化学式6]表示的基团等。 
[化学式6] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000256
(n表示满足5≥n≥2的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000257
(R表示选自
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000261
的2价基团), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000262
(n表示0~4的数。) 
作为有机聚合物类化合物即(A)成分的具体例,可以举出:1,2-聚丁二烯(1,2比率为10~100%的物质、优选1,2比率为50~100%的物质)、酚醛树脂的烯丙基醚、烯丙基化聚苯醚、下述[化学式7]~[化学式11]所示的聚合物等。 
[化学式7] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000263
(式中、R1表示H或CH3、R2、R3表示未含有C、H、N、O、S、卤素以外的元素作为构成元素的碳原子数1~6的2价的有机基团,X、Y表示碳原子数0~10的2价的取代基、n、m、1表示1~300的数。) 
[化学式8] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000264
(式中、R1表示H或CH3,R4、R5表示碳原子数1~6的2价的有机基团,X、Y表示碳原子数0~10的2价的取代基,n、m、l表示1~300的数。) 
[化学式9] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000265
(式中、R1表示H或CH3,R6、R7表示碳原子数1~20的2价的有机基团,X、Y表示碳原子数0~10的2价的取代基,n、m、1表示1~300的数。) 
[化学式10] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000271
(式中、R1表示H或CH3,R8、R9表示碳原子数1~6的2价的有机基团,X、Y表示碳原子数0~10的2价的取代基,n、m、1表示1~300的数。) 
[化学式11] 
(式中,R1表示H或CH3,Rl0、R11、R12表示碳原子数1~6的2价的有机基团,X、Y表示碳原子数0~10的2价的取代基,n、m、1、p表示1~300的数。)等。 
作为有机单体类化合物即(A)成分的具体的例子,可以举出:邻苯二甲酸二烯丙基酯、偏苯三酸三烯丙基酯、二乙二醇双烯丙基碳酸酯、三羟甲基丙烷二烯丙基醚、季戊四醇三烯丙基醚、1,1,2,2-四烯丙氧基乙烷、二亚烯丙基季戊四醇酯、三烯丙基氰脲酸酯、三烯丙基异氰脲酸酯、1,2,4-三乙烯基环己烷、二乙烯基苯类(纯度50~100%的物质,优选纯度80~100%的物质)、二乙烯基联苯、1,3-二异丙烯基苯、1,4-二异丙烯基苯及它们的低聚物、如下述[化学式12]~[化学式13]所示那样的将现有公知的环氧树脂的缩水甘油基的一部分或全部取代为烯丙基的化合物等。 
[化学式12] 
(R表示选自
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000282
的2价的基团。) 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000283
[化学式13] 
作为(A)成分,也可以使用难以如上分成骨架部分和烯基且低分子量的化合物。作为这些低分子量化合物的具体例,可以举出:丁二烯、异戊二烯、辛二烯、癸二烯等脂肪族链状多烯化合物类、环戊二烯、环己二烯、环辛二烯、二环戊二烯、三环戊二烯、降冰片二烯等脂肪族环状多烯化合物类、乙烯基环戊烯、乙烯基环己烯等取代脂肪族环状烯烃化合物类等。 
作为(A)成分,从可进一步提高耐热性的观点考虑,优选每1g(A)成分含有0.001mol以上相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键,更优选每1g(A)成分含有0.005mol以上,进一步优选每1g(A)成分含有0.008mol以上的物质。 
在(A)成分中,相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键数只要平均每1分子为至少2个即可,在要进一步提高力学强度的情况下,优选超过2个,更优选为3个以上。在(A)成分的相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键数每1分子内为1个以下的 情况下,即使(A)成分和(B)成分反应也仅生成接枝结构,未生成交联结构。 
作为(A)成分,从反应性良好的观点考虑,优选在1分子中含有1个以上乙烯基,更优选在1分子中含有2个以上乙烯基。另外,从储存稳定性容易变得良好的观点考虑,优选在1分子中含有6个以下乙烯基,更优选在1分子中含有4个以下乙烯基。 
从力学性耐热性高的观点及原料液的拉丝性小且成形性、操作性良好的观点、与(E)成分及(F)成分等粉体的均匀混合容易的观点及制成热固性树脂组合物片时的成形性良好的观点考虑,(A)成分的分子量优选低于900,更优选低于700,进一步优选低于500。 
为了与其它成分均匀混合及得到良好的操作性,(A)成分的粘度在23℃下优选低于1000泊,更优选低于300泊,进一步优选低于30泊。粘度可以通过E型粘度计进行测定。 
作为(A)成分,从耐光性更高的观点考虑,优选具有酚性羟基和/或酚性羟基的衍生物的化合物的含量少的物质,优选未含有具有酚性羟基和/或酚性羟基的衍生物的化合物。本实用新型中的酚性羟基为直接键合于苯环、萘环、蒽环等中所例示的芳香族烃核的羟基,酚性羟基的衍生物表示利用甲基、乙基等烷基、乙烯基、烯丙基等烯基、乙酰氧基等酰基等取代上述的酚性羟基的氢原子而成的基团。 
另外,特别是从耐光性良好的观点考虑,(A)成分中的芳香环的成分重量比优选为50重量%以下,更优选为40重量%以下,进一步优选为30重量%以下。最优选的是不含芳香族烃环的物质。 
从得到的树脂固化物的着色少且耐光性高的观点考虑,作为(A)成分,优选乙烯基环己烯、二环戊二烯、乙烯基降冰片烯、三烯丙基异氰脲酸酯、2,2-双(4-羟基环己基)丙烷的二烯丙基醚、1,2,4-三乙烯基环己烷,特别优选三烯丙基异氰脲酸酯、2,2-双(4-羟基环己基)丙烷的二烯丙基醚、1,2,4-三乙烯基环己烷。 
作为(A)成分,从耐热性及耐光性特别高的观点考虑,优选下述通式(III)所示的化合物。 
[化学式14] 
(式中,3个R1相同或不同,表示碳原子数1~50的一价的有机基团。) 
从得到的树脂固化物的耐热性可变得更高的观点考虑,上述通式(III)的R1优选为碳原子数1~20的一价的有机基团,更优选为碳原子数1~10的一价的有机基团,进一步优选为碳原子数1~4的一价的有机基团。作为这些优选的R1的例子,可以举出:甲基、乙基、丙基、丁基、苯基、苄基、苯乙基、乙烯基、烯丙基、缩水甘油基、下述[化学式15]中所例示的各一价基团等。 
[化学式15] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000311
(式中,n表示4~19的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000312
(式中,n表示2~18的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000313
(式中,n表示0~17的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000314
(式中,n表示0~19的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000315
作为上述通式(III)的R1,从树脂成形体和引线或树脂成形体和密封剂的粘接性可变得良好,或得到的树脂成形体的力学强度可变高的观点考虑,优选为3个R1 中的至少1个含有1个以上环氧基的碳原子数1~50的一价的有机基团,更优选为含有1个以上下述[化学式16]所示的环氧基的碳原子数1~50的一价的有机基团。 
[化学式16] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000321
作为这些优选的R1的例子,可以举出缩水甘油基、[化学式17]所示的各基团。 
[化学式17] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000322
(式中,n表示2~18的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000323
从得到的树脂固化物的耐热性可变得良好的观点考虑,上述通式(III)的R1优选为含有2个以下的氧原子且仅含有C、H、O作为构成元素的碳原子数1~50的一价的有机基团,更优选为碳原子数1~50的一价的烃基。作为这些优选的R1的例子,可以举出:甲基、乙基、丙基、丁基、苯基、苄基、苯乙基、乙烯基、烯丙基、缩水甘油基、下述[化学式18]所示的各基团等。 
[化学式18] 
(式中,n表示4~49的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000325
(式中,n表示2~48的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000326
(式中,n表示0~47的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000327
(式中,n表示0~49的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000331
作为上述通式(III)的R1,从反应性变得良好的观点考虑,优选3个R1中的至少1个为含有1个以上式:-C(=CH2)-表示的基团的碳原子数1~50的一价的有机基团。另外,更优选3个R1中的至少1个为含有1个以上通式(IV):CH2=C(R2)-[式中,R2表示氢原子或甲基。]表示的基团的碳原子数1~50的一价的有机基团。另外,进一步优选3个R1中的至少2个为通式(V)所示的有机化合物。 
CH2=C(R4)-R3-(V) 
[式中,R3表示直接键或碳原子数1~48的二价的有机基团,R4表示氢原子或甲基。] 
上述通式(V)的R3为直接键或碳原子数1~48的二价的有机基团,但从进一步提高得到的树脂成形体的耐热性的观点考虑,优选为直接键或碳原子数1~20的二价的有机基团,更优选为直接键或碳原子数1~10的二价的有机基团,进一步优选为直接键或碳原子数1~4的二价的有机基团。作为这些优选的R3的例子,可以举出下述[化学式19]所示的各基团。 
[化学式19] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000332
(式中,n表示1~17的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000341
(式中,n表示0~16的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000342
(式中,n表示0~16的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000343
(式中,n表示0~16的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000344
作为上述通式(V)的R3,从进一步提高得到的树脂成形体的耐热性的观点考虑,优选为直接键合或含有2个以下的氧原子且仅含有C、H、O作为构成元素的碳原子数1~48的二价的有机基团,更优选为直接键或碳原子数1~48的二价的烃基。作为这些优选的R3的例子,可以举出:下述[化学式20]所示的各基团等。 
[化学式20] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000345
(式中,n表示1~47的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000346
(式中,n表示0~46的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000347
(式中,n表示0~46的数), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000348
上述通式(V)的R4为氢原子或甲基,从反应性良好的观点考虑,优选氢原子。 
但是,即使在如上所述的通式(III)所示的有机化合物的优选的例子中,也需要在1分子中含有至少2个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键。从进一步提高耐热性的观点考虑,更优选为在1分子中含有3个以上相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物。 
作为如上所述的通式(III)所示的有机化合物的优选的具体例,可以举出:三烯丙基异氰脲酸酯、下述[化学式21]所示的各化合物等。 
[化学式21] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000351
作为其它方式的(A)成分的优选的具体例,作为(A)成分的例子,可以举出:如上所述的选自在1分子中含有至少2个与SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物中的1种以上的化合物和具有SiH基的化合物(β)(以下,称为“(β)成分”)的反应物。这样的反应物与(B)成分具有良好的相容性,并且其挥发性低,因此,具有难以产生由得到的树脂成形体脱气问题这样的优点。 
(β)成分为具有SiH基的化合物,具有SiH基的链状和/或环状的聚有机硅氧烷 也为其例子。具体而言,例如可以举出:[化学式22]~[化学式23]所示的各化合物等。 
[化学式22] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000361
[化学式23] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000371
在此,从与在1分子中含有至少2个与SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物的相容性容易变得良好的观点考虑,优选下述通式(VI)所示的在1分子中具有至少3个SiH基的环状聚有机硅氧烷。 
[化学式24] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000372
(式中、R1表示碳原子数1~6的有机基团,n表示3~10的数。) 
通式(VI)所示的化合物中的取代基R1优选为不含有除C、H、O以外的构成元素的基团,更优选为烃基,进一步优选为甲基。另外,从获得容易性等方面考虑,通式(VI)所示的化合物优选为1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷。 
作为(β)成分的其它的例子,可以举出:双二甲基甲硅烷基苯等具有SiH基的化 合物。 
如上所述的各种(β)成分可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
在本实用新型中,如上所述,可以将通过对在1分子中含有至少2个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物和(β)成分进行氢化硅烷化反应而得到的化合物用作(A)成分。另外,使在1分子中具有至少2个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物和(β)成分进行氢化硅烷化反应时,有时可得到含有可成为本实用新型的(A)成分的化合物和其以外的多个化合物的混合物。也可以不从这样的混合物中分离可成为(A)成分的化合物而直接使用来制作本实用新型的热固性树脂组合物。 
在此,对该氢化硅烷化反应详细地进行说明。 
在该氢化硅烷化反应中,在1分子中含有至少2个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物和(β)成分的混合比率没有特别限定,但从可抑制反应中的凝胶化的方面考虑,通常前者中的相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的总数(X)和后者中的SiH基的总数(Y)的比优选为X/Y≥2,更优选为X/Y≥3。另外,从(A)成分的相对于(B)成分的相容性容易变得良好的观点考虑,优选为10≥X/Y,更优选为5≥X/Y。 
在该氢化硅烷化反应中,也可以使用适当的催化剂。作为催化剂,例如可以举出:铂的单质、氧化铝、二氧化硅、炭黑等载体上负载了固体铂的物质、氯铂酸、氯铂酸和醇、醛、酮等的络合物、铂-烯烃络合物(例如,Pt(CH2=CH2)2(PPh3)2、Pt(CH2=CH2)2Cl2)、铂-乙烯基硅氧烷络合物(例如,Pt(ViMe2SiOSiMe2Vi)n、Pt[(MeViSiO)4]m)、铂-膦络合物(例如,Pt(PPh3)4、Pt(PBu3)4)、铂-亚磷酸酯络合物(例如,Pt[P(OPh)3]4、Pt[P(OBu)3]4)(式中,Me表示甲基,Bu表示丁基,Vi表示乙烯基,Ph表示苯基,n、m表示整数。)、二羰基二氯铂、卡斯特(Karstedt)催化剂、Ashby(アシュビー)的美国专利第3159601号及3159662号说明书中所记载的铂-烃复合体、Lamoreaux(ラモロー)的美国专利第3220972号说明书中所记载的铂醇化物催化剂、Modic(モディック)的美国专利第3516946号说明书中所记载的氯化铂-烯烃复合体等。 
另外,作为铂化合物以外的催化剂的例子,可以举出:RhCl(PPh)3、RhCl3、RhA12O3、RuCl3、IrCl3、FeCl3、AICl3、PdCl2·2H2O、NiCl2、TiC14等。 
这些催化剂中,从催化剂活性的观点考虑,优选氯铂酸、铂-烯烃络合物、铂-乙烯基硅氧烷络合物等。另外,这些催化剂可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
催化剂的添加量没有特别限定,为了得到具有充分的固化性且可抑制成本使其较低的热固性树脂组合物,相对于(β)成分的SiH基1摩尔,优选为10-8~10-1摩尔,更优选为10-6~10-2摩尔。 
另外,可以与上述催化剂一起使用助催化剂。作为助催化剂的具体例,可以举出:三苯基膦等磷类化合物、马来酸二甲酯等1,2-二酯类化合物、2-羟基-2-甲基-1-丁炔等乙炔醇类化合物、单质的硫等硫类化合物、三乙胺等胺类化合物等。助催化剂的添加量没有特别限定,相对于氢化硅烷化催化剂1摩尔,优选为10-2~102摩尔,更优选为10-1摩尔~10摩尔。 
在氢化硅烷化反应中,作为在1分子中含有至少2个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物、(β)成分及催化剂的混合的方法,可以采用各种方法,但优选如下方法:在于1分子中含有至少2个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物混合催化剂,混合得到的混合物和(β)成分。在混合在1分钟中含有至少2个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物和(β)成分,在得到的混合物中混合催化剂的方法中,担心难以控制反应。另外,在采用混合(β)成分和催化剂,混合得到的混合物和在1分子中含有至少2个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物的方法的情况下,在催化剂的存在下(β)成分相对于混入的水分具有反应性,因此,担心最终得到的化合物变质。 
反应温度可以进行各种设定,但优选为30℃~200℃,更优选为50℃~150℃。反应温度低时,进行充分反应的反应时间变长,反应温度高时,不实用。反应可以在一定的温度下进行,但也可以根据需要多阶段或连续地改变温度。 
反应时间、反应时的压力也可以根据需要进行各种设定。 
氢化硅烷化反应可以使用溶剂。可以使用的溶剂只要不阻碍氢化硅烷化反应就没有特别限定,如果具体地进行例示,则可优选实用苯、甲苯、己烷、庚烷等烃类溶剂、四氢呋喃、1,4-二
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000391
烷、1,3-二氧戊环、二乙醚等醚类溶剂、丙酮、甲基乙基酮等酮类溶剂、氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷等卤系溶剂。溶剂也可以以2种以上的混合溶剂的形式进行使用。这些溶剂中,优选甲苯、四氢呋喃、1,3-二氧戊环、氯仿。使用的溶剂量也可适宜设定。 
此外,为了控制反应性的目的等,也可以使用各种添加剂。 
使在1分子中含有至少2个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物和(β)成分反应后,也可以除去溶剂和/或未反应的在1分子中含有至少2个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物和/或(β)成分。这些为挥发成分,通 过除去这些成分,得到的(A)成分未含有挥发成分。其结果,在(A)成分和(B)成分的固化的情况下,不易产生因挥发成分的挥发引起的空隙(void)、裂纹的问题。作为除去的方法,例如除减压脱挥发成分以外,可以举出利用活性炭、硅酸铝、二氧化硅凝胶等的处理等。在减压脱挥发成分的情况下,优选在低温下进行处理。此时的温度的上限优选为100℃,更优选为60℃。在高温下进行处理时,容易伴有增粘等变质。 
作为如上所述的在1分子中含有至少2个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物和(β)成分的氢化硅烷化反应物即(A)成分的例子,可以举出:双酚A二烯丙基醚和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、乙烯基环己烯和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、二乙烯基苯和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、二环戊二烯和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、三烯丙基异氰脲酸酯和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、二烯丙基单缩水甘油基异氰脲酸酯和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、乙烯基降冰片烯和双二甲基甲硅烷基苯的反应物等。 
(A)成分也可以具有其它的反应性基团。作为此时的反应性基团,可以举出:环氧基、氨基、自由基聚合性不饱和基团、羧基、异氰酸酯基、羟基、烷氧基甲硅烷基等。在具有这些官能团的情况下,得到的热固性树脂组合物的粘接性容易变高,得到的树脂固化物的强度容易变高。从粘接性可进一步变高的观点考虑,这些官能团中,优选环氧基。另外,从得到树脂固化物的耐热性容易变高的观点考虑,优选平均在1分子中具有1个以上反应性基团。 
(A)成分可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
接着,对(B)成分详细地进行说明。(B)成分为在1分子中含有至少2个SiH基的化合物。 
作为(B)成分,只要为在1分子中含有至少2个SiH基的化合物就没有特别限定,例如可以使用国际公开WO96/15194中所记载的化合物即在1分子中具有至少2个SiH基的化合物等。 
其中,从获得性的方面考虑,优选在1分子中具有至少2个SiH基的链状和/或环状有机聚硅氧烷,从与(A)成分的相容性良好的观点考虑,进一步优选下述通式(VI)所示的在1分子中具有至少2个SiH基的环状有机聚硅氧烷。 
[化学式25] 
(式中,R1表示碳原子数1~6的有机基团,n表示3~10的数。) 
通式(VI)所示的化合物中的取代基R1优选由C、H、O构成,更优选为烃基,进一步优选为甲基。另外,作为通式(VI)所示的化合物,从获得容易性的观点考虑,优选为1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷。 
(B)成分的分子量没有特别限定,但从更容易表现出流动性,容易与(E)成分及(F)成分等粉体均匀地进行混合的观点考虑,可优选使用低分子量的物质。此时,分子量优选为50~100,000,更优选为50~1,000,进一步优选为50~700。 
作为(B)成分,为了容易地进行与其它的成分、特别是(E)成分及(F)成分等粉体的均匀的混合,更详细而言,为了均匀的混合,需要加热至熔点以上使其液化,因此,优选在23℃为液体,其粘度在23℃优选为50Pa·s以下,更优选为20Pa·s以下,进一步优选为5Pa·s以下。粘度可以通过E型粘度计进行测定。 
(B)成分可以单独使用一种或组合2种以上使用。 
作为(B)成分的优选的具体例,可以举出在1分子中含有1个以上相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物(α)(以下,称为“α成分”)和在1分子中具有至少2个SiH基的化合物(β)进行氢化硅烷化反应而能够得到的化合物。这些化合物与(A)成分具有良好的相容性,并且其挥发性低,因此具有不易产生来自得到的热固性树脂组合物的脱气的问题的优点。 
在此,(α)成分也可以使用与上述的(A)成分即在1分子中含有至少2个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物相同的物质(以下,称为“(α1)成分”)。使用(α1)成分时,得到的树脂固化物的交联密度变高,容易成为力学强度高的树脂固化物。 
除此以外,也可以使用在1分子中含有1个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物(α2)(以下,称为“α2成分”)。使用(α2)成分时,得到的树脂固化物容易形成低弹性。 
作为(α2)成分,只要为在1分子中含有1个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物就没有特别限定,从(B)成分相对于(A)成分的相容性变得良好的观点考虑,优选不是如聚硅氧烷有机嵌段共聚物或聚硅氧烷有机接枝共聚物之类的含 有硅氧烷单元(Si-O-Si)的化合物,而是仅含有C、H、N、O、S、及卤素作为构成元素的化合物。另外,在(α2)成分中,相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的键合位置没有特别限定,可以存在于分子内的任意处。 
作为(α2)成分的化合物可以分类为聚合物类化合物和单体类化合物。 
作为聚合物类化合物,例如可以举出:聚硅氧烷类、聚醚类、聚酯类、聚芳酯类、聚碳酸酯类、饱和烃类、不饱和烃类、聚丙烯酸酯类、聚酰胺类、酚醛类(酚树脂类)、聚酰亚胺类的化合物等。 
作为单体类化合物,例如可以举出:酚类、双酚类、苯、萘等芳香族烃类;直链类、脂环类等脂肪族烃类:杂环类的化合物;有机硅类的化合物;这些的混合物等。 
作为(α2)成分中的与SiH基具有反应性的碳-碳双键,没有特别限定,但例如从反应性的观点考虑,优选通式(1):CH2=C(R1)-[式中,R1表示氢原子或甲基。]表示的基团。另外,从原料的获得的容易性方面考虑,特别优选式:CH2=CH-表示的基团。 
另外,作为(α2)成分中的与SiH基具有反应性的碳-碳双键,从树脂固化物的耐热性高的方面考虑,优选通式(II):-C(R2)=C(R2)-[式中,R2表示氢原子或甲基。]表示的脂环式基团。另外,从原料的获得的容易性方面考虑,特别优选式:-CH=CH-表示的脂环式基团。 
相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键可以直接键合于(α2)成分的骨架部分,也可以经由2价以上的取代基进行共价键合。作为2价以上的取代基,只要为碳原子数0~10的取代基就没有特别限定,但从(B)成分相对于(A)成分的相容性容易变得良好的方面考虑,优选仅含有C、H、N、O、S及卤素作为构成元素的物质。作为这些取代基的例子,可以举出下述[化学式26]及[化学式27]所示的2价以上的基团。另外,这些2价以上的取代基的2个以上也可以通过共价键连接而构成1个2价以上的取代基。 
[化学式26] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000431
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000432
(n表示1~10的数。), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000433
(n表示0~4的数。) 
[化学式27] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000434
(n表示0~4的数。) 
作为如上所述的共价键合于骨架部分的基团的例子,可以举出:乙烯基、烯丙基、甲烯丙基、丙烯基、甲基丙烯基、2-羟基-3-(烯丙氧基)丙基、2-烯丙基苯基、3-烯丙基苯基、4-烯丙基苯基、2-(烯丙氧基)苯基、3-(烯丙氧基)苯基、4-(烯丙氧基)苯基、2-(烯丙氧基)乙基、2,2-双(烯丙氧基甲基)丁基、3-烯丙氧基-2,2-双(烯丙氧基甲基)丙基、下述[化学式28]所示的各基团等。 
[化学式28] 
(n表示满足5≥n≥2的数。), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000436
(R表示选自
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000441
的2价的基团。), 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000442
(n表示0~4的数。) 
作为(α2)成分的具体例,可以列举丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十一烯、出光石油化学公司制Linealene、4,4-二甲基-1-戊烯、2-甲基-1-己烯、2,3,3-三甲基-1-丁烯、2,4,4-三甲基-1-戊烯等链状脂肪族烃类化合物类、环己烯、甲基环己烯、亚甲基环己烷、降冰片烯、亚乙基环己烷、乙烯基环己烷、莰烯、蒈烯、α蒎烯、β蒎烯等环状脂肪族烃类化合物类、苯乙烯、α甲基苯乙烯、茚、苯基乙炔、4-乙炔基甲苯、烯丙基苯、4-苯基-1-丁烯等芳香族烃类化合物、烷基烯丙基醚、烯丙基苯基醚等烯丙基醚类、甘油单烯丙基醚、乙二醇单烯丙基醚、4-乙烯基-1,3-二氧戊环-2-酮等脂肪族类化合物类、1,2-二甲氧基-4-烯丙基苯、邻烯丙基苯酚等芳香族类化合物类、单烯丙基二苄基异氰脲酸酯、单烯丙基二缩水甘油基异氰脲酸酯等取代异氰脲酸酯类、乙烯基三甲基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三苯基硅烷等硅化合物等。 
进而,作为(α2)成分的具体例,可以举出:单末端烯丙基化聚环氧乙烷、单末端烯丙基化聚环氧丙烷等聚醚类树脂、单末端烯丙基化聚异丁烯等烃类树脂、单末端烯丙基化聚丙烯酸丁酯、单末端烯丙基化聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸类树脂等在单末端具有乙烯基的聚合物或低聚物类等。 
(α2)成分的结构可以为线状,也可以为分支状,分子量没有特别限制,可以使用各种分子量。分子量分布也没有特别限制,但从热固性树脂组合物的粘度变低,成形性容易变得良好的方面考虑,分子量分布优选为3以下,更优选为2以下,进一步优选为1.5以下。在本说明书中,分子量分布(重均分子量和数均分子量的比)通过使用了凝胶渗透色谱(GPC)的标准聚苯乙烯换算法来算出。其中,作为GPC柱,使用填充了聚苯乙烯交联凝胶的柱(shodex GPC K-804、K-802.5、昭和电工株式会社制),作为GPC溶剂,使用氯仿。 
在(α2)成分具有Tg的情况下,对于Tg也没有特别限定,可使用各种Tg,但从得到的树脂固化物容易变得坚韧的方面考虑,Tg优选为100℃以下,更优选为50℃以下,进一步优选为0℃以下。作为优选的树脂的例子,可以举出聚丙烯酸丁酯树脂等。相反,从得到的树脂固化物的耐热性变高的方面考虑,Tg优选为100℃以上,更优选为120℃以上,进一步优选为150℃以上,最优选为170℃以上。Tg可以在动态粘弹性测定中作为tanδ显示最大的温度求得。 
从得到的树脂固化物的耐热性变高的观点考虑,(α2)成分优选为烃化合物。此时,优选的碳原子数为7~10。 
(α2)成分也可以具有其它的反应性基团。作为此时的反应性基团,可以举出:环氧基、氨基、自由基聚合性不饱和基团、羧基、异氰酸酯基、羟基、烷氧基甲硅烷基等。在具有这些官能团的情况看下,得到的热固性树脂组合物的粘接性容易变高,得到的树脂固化物的强度容易变高。从粘接性可变得更高的方面考虑,在这些官能团中,优选环氧基。另外,从得到的树脂固化物的耐热性容易变高的方面考虑,优选平均在1分子中具有1个以上反应性基团。具体而言,可以举出:单烯丙基二缩水甘油基异氰脲酸酯、烯丙基缩水甘油基醚、烯丙氧基乙基甲基丙烯酸酯、烯丙氧基乙基丙烯酸酯、乙烯基三甲氧基硅烷等。 
如上所述的(α1)成分可以单独使用1种或组合2种以上使用。另外,(α2)成分也可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
接着,对用于(B)成分的(β)成分详细地进行说明。(β)成分为在1分子中具有至少2个SiH基的化合物,链状和/或环状的聚有机硅氧烷也为其例子。具体而言,例如可以举出:下述[化学式29]及[化学式30]所示的各化合物。 
[化学式29] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000461
[化学式30] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000471
在此,从与(α)成分的相容性容易变得良好的观点考虑,优选下述通式(VI)所示的在1分子中具有至少3个SiH基的环状聚有机硅氧烷。下述通式(VI)所示的化合物中的取代基R1优选为由C、H、O构成的基团,更优选为烃基,进一步优选为甲基。另外,从获得容易性等方面考虑,优选为1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷。 
[化学式31] 
(式中、R1表示碳原子数1~6的有机基团,n表示3~10的数。) 
作为(β)成分的其它的例子,可以举出:双二甲基甲硅烷基苯等具有SiH基的化合物。 
上述的各种(β)成分可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
如上所述,在本实用新型中,可以将使(α)成分和(β)成分进行氢化硅烷化反应而得到的化合物用作(B)成分。另外,使(α)成分和(β)成分进行氢化硅烷化反应时,有时可得到含有能够用作本实用新型的(B)成分的化合物和其它的1种以上的化合物的混合物。这样的混合物然后也可以不分离能够用作(B)成分的化合物而直接用作(B)成分来制作本实用新型的热固性树脂组合物。 
(α)成分和(β)成分的氢化硅烷化反应具体而言如下上述。(α)成分和(β)成分的混合比率没有特别限定,在考虑得到的(B)成分和(A)成分的氢化硅烷化得到的树脂固化物的强度的情况下,优选(B)成分的SiH基多的情况,因此,通常混在(α)成分中的具有相对于SiH基的反应性的碳-碳双键的总数(X)和混在(β)成分中的SiH基的总数(Y)的比(Y/X)优选为Y/X≥2,更优选为Y/X≥3。另外,从(B)成分相对于(A)成分的相容性容易变得良好的观点考虑,优选为10≥Y/X,更优选为5≥Y/X。 
用于得到(B)成分的(α)成分和(β)成分的氢化硅烷化反应中的催化剂的种类、催化剂的添加量、助催化剂的使用、各成分的使用量及混合方法、反应时间、反应温度、反应时的压力以及挥发成分的除去(脱挥发成分)及其带来的效果等均与用于得到(A)成分的氢化硅烷化反应相同。 
作为(α)成分和(β)成分的氢化硅烷化反应物即(B)成分的具体例,可以举出:双酚A二烯丙基醚和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、乙烯基环己烯和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、二乙烯基苯和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、二环戊二烯和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、三烯丙基异氰脲酸酯和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、二烯丙基单缩水甘油基异氰脲酸酯和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、烯丙基缩水甘油基醚和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、α甲基苯乙烯和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、单烯丙基二缩水甘油基异氰脲酸酯和1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的反应物、乙烯基降冰片烯和双二甲基甲硅烷基苯的反应物等。 
在混合(A)成分和(B)成分的情况下,作为(A)成分和(B)成分的组合,可以举出:选自上述列举的(A)成分中的至少1种和选自上述列举的(B)成分中的至少1种的各种组合。 
(A)成分和(B)成分的混合比率只要未丧失必要的强度就没有特别限定,(B)成分中的SiH基的数(Y)相对于(A)成分中的碳-碳双键的数(X)的比(Y/X)优选为0.3≤Y/X≤3,更优选为0.5≤Y/X≤2,进一步优选为0.7≤Y/X≤1.5。在偏离优选的范围的情况下,有时无法得到充分的强度或变得容易热劣化。 
本实用新型的(C)成分为氢化硅烷化催化剂。作为氢化硅烷化催化剂,只要有氢化硅烷化反应的催化剂活性就没有特别限定,例如可任意使用用于得到(A)成分的氢化硅烷化反应及用于得到(B)成分的氢化硅烷化反应中所使用的氢化硅烷化催化剂,优选的氢化硅烷化催化剂也相同。氢化硅烷化催化剂可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
氢化硅烷化催化剂的添加量没有特别限定,但为了具有充分的固化性且抑制热固性树脂组合物的成本使其较低,相对于(B)成分的SiH基1摩尔,优选为10-8摩尔~10-1摩尔,更优选为10-6摩尔~10-2摩尔。另外,可以与氢化硅烷化催化剂一起使用助催化剂。助催化剂的种类及添加量也与用于得到(A)成分的氢化硅烷化反应及用于得到(B)成分的氢化硅烷化反应相同。 
本实用新型的(D)成分为在1分子中含有至少1个相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机硅化合物。通过使用(D)成分,在与(E)成分的无机填充材料进行混合的情况下,可以制成提供具有更小的线膨胀类数的树脂固化物的热固性树脂组合物(X)。 
(D)成分的有机硅化合物实质上为其骨架通过Si-O-Si键形成的化合物,可使用具有直链状、环状、分枝状、部分网络的化合物等各种物质。在这样的骨架中也可以键合各种取代基。 
作为键合于骨架取代基,可以举出:甲基、乙基、丙基、辛基等烷基、苯基、2-苯基乙基、2-苯基丙基等芳基、甲氧基、乙氧基、异丙氧基等烷氧基、羟基等基团。其中,从耐热性容易变高的方面考虑,优选甲基、苯基、羟基、甲氧基,更优选甲基、苯基。另外,作为具有相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键的取代基,可以举出:乙烯基、烯丙基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧丙基、甲基丙烯酰氧丙基等。其中,从反应性良好的观点考虑,优选乙烯基。 
(D)成分可以为下式所示的化合物。 
Rn(CH2=CH)mSiO(4-n-m)/2
(式中,R表示选自羟基、甲基或者苯基的基团,n、m为满足0≤n<4、0<m≤4、0<n+m≤4的数) 
作为(D)成分的具体例,可以举出:具有乙烯基作为末端基或侧链基的聚二甲基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷、聚甲基苯基硅氧烷、选自这些硅氧烷的2种或3种的无规或嵌段共聚物、1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷、1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷等。(D)成分可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
其中,从可更容易得到本实用新型的效果的方面考虑,优选在末端具有乙烯基的直链状聚硅氧烷,更优选在两末端具有乙烯基的直链状聚硅氧烷,进一步优选在两末端具有乙烯基的直链状聚甲基苯基硅氧烷,特别优选在两末端具有乙烯基的直链状聚甲基苯基硅氧烷,且苯基相对于总取代基的量为20摩尔%以上的硅氧烷。 
对(D)成分的分子量而言,作为重均分子量(Mw),优选为1,000以上且1,000,000以下,更优选为5,000以上且100,000以下,进一步优选为10,000以上且100,000以下。在分子量小的情况下,得到的树脂固化物容易形成低应力。在分子量大的情况下,不易得到与(A)成分的相容性。 
(D)成分的使用量相对于(A)成分和(B)成分的合计量优选为30重量%以上,更优选为50重量%以上,进一步优选为80重量%以上。 
另外,(A)成分、(B)成分及(D)成分的混合比率只要未丧失必要的强度就没有特别限定,但(B)成分中的SiH基数(Y)相对于(A)成分及(D)成分中的相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键数(X)的比优选为0.3≤Y/X≤3,更优选为0.5≤Y/X≤2,进一步优选为0.7≤Y/X≤1.5。在偏离优选的范围的情况下,有时无法得到充分的强度或变得容易热劣化。 
本实用新型的(E)成分为无机填充材料。(E)成分具有提高得到树脂固化物的强度及硬度或减少线膨胀率的效果。 
作为(E)成分的无机填充材料,可使用作为现有的环氧类等的密封材料的填充材料而通常使用和/或提案的各种无机填充材料,例如可以举出:石英、气相二氧化硅、沉降性二氧化硅、硅酸酐、熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅、超微粉无定型二氧化硅等二氧化硅类无机填充材料、氧化铝、锆石、氮化硅、氮化铝、碳化硅、玻璃纤维、氧化铝纤维、碳纤维、云母、石墨、炭黑、石墨、硅藻土、陶土、粘土、滑石、氢氧化铝、碳酸钙、钛酸钾、硅酸钙、无机粒子、银粉等。作为无机填充材料,从不易对半导体元件造成损伤的观点考虑,优选为低放射线性。 
无机填充材料也可以适宜进行表面处理。作为表面处理,可以举出:利用偶联剂的处理、烷基化处理、三甲基甲硅烷基化处理、有机硅处理等。 
作为此时的偶联剂的例子,可以举出硅烷偶联剂作为硅烷偶联剂,只要为在 分子中分别具有1个与有机基团具有反应性的官能团和1个水解性的硅基的化合物就没有特别限定。作为与有机基团具有反应性的基团,从操作性的方面考虑,优选选自环氧基、甲基丙烯基、丙烯基、异氰酸酯基、异氰脲酸酯基、乙烯基、氨基甲酸酯基的至少1个官能团,从固化性及粘接性的方面考虑,特别优选环氧基、甲基丙烯基、丙烯基。作为水解性的硅基,从操作性的方面考虑,优选烷氧基甲硅烷基,从反应性的方面考虑,特别优选甲氧基甲硅烷基、乙氧基甲硅烷基。 
作为优选的硅烷偶联剂,可以举出:3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三乙氧基硅烷等具有环氧官能团的烷氧基硅烷类:3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧甲基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧甲基三乙氧基硅烷、丙烯酰氧甲基三甲氧基硅烷、丙烯酰氧甲基三乙氧基硅烷等具有甲基丙烯基或丙烯基的烷氧基硅烷类等。 
此外,也可以举出添加无机化合物的方法。例如可以举出如下方法:在本实用新型中使用的热固性树脂组合物中添加无机化合物,在热固性树脂组合物中或热固性树脂组合物的部分反应物中使其反应,在热固性树脂组合物中生成无机填充材料。作为这样的无机化合物,可以举出:烷氧基硅烷、酰氧基硅烷、卤化硅烷等水解性硅烷单体或低聚物、钛、铝等金属的醇盐、酰氧化物(アシロキシド)、卤化物等。 
在如上所述的无机填充材料中,从不易阻碍固化反应、线膨胀系数的减少效果大、与引线或引线框架的粘接性容易变高的观点考虑,优选二氧化硅类无机填充材料。进而,从成形性、电特性等物性平衡良好的观点考虑,优选熔融二氧化硅,从树脂固化物的热传导性容易变高、可进行放热性高的树脂成形体设计的观点考虑,优选结晶性二氧化硅。从放热性容易变得更高的观点考虑,优选氧化铝。另外,从树脂成形体中所使用的树脂的光反射率高,得到的发光装置中的光提取效率容易变高的观点考虑,优选氧化钛。此外,从增强效果高,树脂成形体的强度容易变高的观点考虑,优选玻璃纤维、钛酸钾、硅酸钙。 
作为无机填充材料的平均粒径及粒径分布,以作为环氧类等的现有的密封材料的填充材料使用和/或提案的粒径为代表,可没有特别限定地使用各种粒径,但通常所使用的平均粒径为0.1μm~120μm,但从流动性容易变得良好的观点考虑,优选为0.5μm~60μm,更优选为0.5μm~15μm。 
对于无机填充材料的比表面积,以作为环氧类等的现有的密封材料的填充材料使用和/或提案的比表面积为代表,也可以进行各种设定。 
作为无机填充材料的形状,可使用破碎状、片状、球状、棒状等各种形状,也可以使用各种长宽比。从得到的树脂固化物的强度容易变高的观点考虑,优选长宽比为10以上。另外,从树脂的等方性收缩的观点考虑,与纤维状相比,优选粉末状。在高填充时,从成形时的流动性容易变得良好的观点考虑,优选球状。 
上述的各种的无机填充材料可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
(E)成分的使用量没有特别限定,但优选(E)成分合计的量在热固性树脂组合物(X)整体中所占的比例为70重量%以上,更优选为80重量%以上,进一步优选为90重量%以上。(E)成分的量少时,不易得到使强度及硬度提高的效果、以及降低线膨胀率的效果等。 
作为(E)成分的无机填充材料的混合的顺序,可以采用各种方法,但从热固性树脂组合物(X)的中间原料的储存稳定性容易变得良好的观点考虑,优选将在(A)成分中混合(C)成分及无机填充材料而成的物质与(B)成分混合的方法。在采用在(B)成分中混合(C)成分和/或无机填充材料而成的物质中混合(A)成分的方法的情况下,在(C)成分的存在下和/或非存在下(B)成分具有与环境中的水分和/或无机填充材料的反应性,因此,有时储存中等也会变质。另外,从反应成分即(A)成分、(B)成分及(C)成分被良好混合且可容易得到稳定的成形物的观点考虑,优选将混合(A)成分、(B)成分及(C)成分而成的物质和无机填充材料进行混合。 
作为混合(E)成分的无机填充材料的装置,可以使用现有环氧树脂等中所使用和/或提案的各种装置。例如可以举出:双轴辊、3轴辊、行星式搅拌脱泡装置、均质器、溶解器、行星式搅拌机等搅拌机、Plasto mill等熔融混炼机等。其中,从即使为高填充也容易得到无机填充材料的充分的分散性的观点考虑,优选3轴辊、熔融混炼机。无机填充材料的混合可以在常温下进行,也可以进行加热来进行。另外,可以在常压下进行,也可以在减压状态下进行。从即使为高填充也可容易得到无机填充材料的充分的分散性的观点考虑,优选在加热状态下进行混合,从提高无机填充材料表面的湿润性、可容易得到充分的分散性的观点考虑,优选在减压状态下进行混合。 
热固性树脂组合物(X)优选含有(F)成分。(F)成分为白色颜料,具有提高得到的树脂固化物的光反射率的效果。 
作为(F)成分,可使用各种成分,例如可以举出:氧化钛、氧化锌、氧化镁、氧 化锑、氧化锆、氧化锶、氧化铌、氮化硼、钛酸钡、硫化锌、硫酸钡、碳酸镁、无机中空粒子等。作为无机中空粒子,例如可以举出:硅酸钠玻璃、铝硅酸玻璃、硼硅酸钠玻璃、火山灰(シラス)等。其中,从操作的容易性及获得性、成本的观点考虑,优选氧化钛或氧化锌。 
作为(F)成分的氧化钛,可以使用各种氧化钛,可以为锐钛矿型,也可以为金红石型,但从没有光催化剂作用且热固性树脂组合物(X)容易变得稳定的方面考虑,优选为金红石型。另外,作为氧化钛的制造方法,也可以使用通过硫酸法、氯法等任意方法而制造的氧化钛。 
作为(F)成分的平均粒径,没有特别限定,可以使用各种平均粒径,但从得到的树脂固化物的光反射率容易变高,另外,热固性树脂组合物(X)的片容易变得更硬的观点考虑,优选为1μm以下,更优选为0.3μm以下,进一步优选为0.25μm以下。对于热固性树脂组合物(X)的片,在后面进行叙述。另一方面,从热固性树脂组合物(X)的流动性高的观点考虑,优选为0.05μm以上,更优选为0.1μm以上。 
平均粒径可以使用激光衍射散射式粒度分布计进行测定。 
(F)成分也可以实施表面处理。在(F)成分的表面处理中,在(F)成分的表面包覆选自无机化合物及有机化合物中的至少1种。作为无机化合物,例如可以举出:铝化合物、硅化合物、锆化合物、锡化合物、钛化合物、锑化合物等,另外,作为有机化合物,可以举出:多元醇、烷醇胺或其衍生物、有机硅氧烷等有机硅化合物、高级脂肪酸及其金属盐、有机金属化合物等。 
可以使用湿式法或干式法的公知的方法进行无机化合物或有机化合物在(F)成分表面的包覆,例如在对氧化钛进行干式粉碎时、湿式粉碎时或浆料化时进行。此外,也可以举出:液相法、气相法等各种方法。 
其中,从得到的树脂固化物的光反射率高、耐热性及耐光性变得良好的观点考虑,优选用有机硅氧烷进行处理。另外,通过含有经有机硅氧烷处理的氧化钛,可以得到光提取效率高、即使长期间使用光提取效率也不会降低的优良的发光装置。 
在此,作为有机硅氧烷处理剂,可以使用各种处理剂,例如可以举出:硅烷偶联剂及六甲基二硅氧烷、六甲基二硅氮烷等。作为硅烷偶联剂,可使用各种硅烷类,例如可以举出:聚二甲基硅氧烷、聚甲基苯基硅氧烷、聚甲基氢硅氧烷、它们的2种以上的共聚物等聚硅氧烷类、六甲基环三硅氧烷、七甲基环四硅氧烷、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷等环硅氧烷类、三甲基氯硅烷、二甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷等氯硅烷类、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、 2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三乙氧基硅烷等具有环氧官能团的硅烷类、3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧甲基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧甲基三乙氧基硅烷、丙烯酰氧甲基三甲氧基硅烷、丙烯酰氧甲基三乙氧基硅烷等具有甲基丙烯基或丙烯基的硅烷类、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷等具有乙烯基的硅烷类、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷等巯基硅烷类、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-[双(β-羟基乙基)]氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(β-氨基乙基)氨基丙基二甲氧基甲基硅烷、N-(三甲氧基甲硅烷基丙基)乙二胺、N-(二甲氧基甲基甲硅烷基异丙基)乙二胺、N-β-(N-乙烯基苄基氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷等具有氨基的硅烷类、异氰酸酯丙基三甲氧基硅烷、异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷等具有异氰酸酯基的硅烷类、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、己基三乙氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷等具有烷基的硅烷类、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、γ-苯胺基丙基三甲氧基硅烷等其它的硅烷类等。这些有机硅氧烷处理剂中,优选含有碳-碳双键的处理剂。含有碳-碳双键时,耐热性容易降低。另外,也可以并用有机硅氧烷以外的表面处理剂。作为这样的表面处理剂,可以举出:AI、Zr、Zn等。 
另外,(F)成分也可以利用无机化合物进行表面处理。作为利用无机化合物的表面处理方法没有特别限定,可以举出使用铝化合物、硅化合物、锆化合物等的各种表面处理方法。作为表面处理的方法,可以应用各种方法,可例示:湿式法、干式法、液相法、气相法等各种方法。氧化钛出于提高耐久性、提高与介质的亲和性、进而防止粒子形状的崩溃等目的,有时用无机化合物、有机化合物进行表面处理。一般认为,通过用无机化合物对(F)成分进行表面处理,可以使与热固性树脂组合物(X)中所含的各成分的亲和性提高,(F)成分相对于热固性树脂组合物(X)的分散性变得良好,使树脂固化物的强度提高。 
(F)成分的使用量没有特别限定,优选在热固性树脂组合物(X)整体中(F)成分所占的量为10重量%以上,更优选为15重量%以上,进一步优选为20重量%以上。低于10重量%时,有时得到的树脂固化物的光反射率降低。 
(E)成分及(F)成分的合计量没有特别限定,但优选(E)成分及(F)成分的合计量在热固性树脂组合物(X)整体中所占的比例为85重量%以上,更优选为90重量%以上。 
(E)成分及(F)成分的合计量少时,不易得到提高强度及硬度的效果及减少线膨胀率的效果。 
作为(F)成分的混合的顺序,可以采用各种方法,但优选的方式与已说明的(E)相同。另外,(F)成分和(E)成分也可以同时进行添加。作为混合(F)成分的装置,可以使用与混合(E)成分的装置相同的装置。 
热固性树脂组合物(X)优选含有(G)成分。 
(G)成分为金属皂,为了改良以热固性树脂组合物(X)的脱模性为代表的成形性而进行添加。 
作为(G)成分,可以举出现有使用的各种金属皂。在此所谓的金属皂通常为链状脂肪酸和金属离子结合而成的,只要在一分子中兼具基于脂肪酸的无极性或低极性的部分和基于与金属的结合部分的极性的部分就可以在本实用新型使用。作为链状脂肪酸,例如可以举出:碳原子数1~18的饱和脂肪酸、碳原子数3~18的不饱和脂肪酸、脂肪族二羧酸等。其中,从获得性容易且工业上实现性高的观点考虑,优选碳原子数1~18的饱和脂肪酸,进而,从脱模性的效果高的观点考虑,更优选碳原子数6~18的饱和脂肪酸。作为金属离子,可以举出:碱金属、碱土类金属、锌、钴、铝、锶等离子。 
如果更具体地例示金属皂,则硬脂酸锂、12-羟基硬脂酸锂、月桂酸锂、油酸锂、2-乙基己酸锂、硬脂酸钠、12-羟基硬脂酸钠、月桂酸钠、油酸钠、2-乙基己酸钠、硬脂酸钾、12-羟基硬脂酸钾、月桂酸钾、油酸钾、2-乙基己酸钾、硬脂酸镁、12-羟基硬脂酸镁、月桂酸镁、油酸镁、2-乙基己酸镁、硬脂酸钙、12-羟基硬脂酸钙、月桂酸钙、油酸钙、2-乙基己酸钙、硬脂酸钡、12-羟基硬脂酸钡、月桂酸钡、硬脂酸锌、12-羟基硬脂酸锌、月桂酸锌、油酸锌、2-乙基己酸锌、硬脂酸铅、12-羟基硬脂酸铅、硬脂酸钴、硬脂酸铝、油酸锰、蓖麻油酸钡等。这些金属皂中,从获得性容易、安全性高且工业上实现性高的观点考虑,优选硬脂酸金属盐类,特别是从经济性的观点考虑,最优选选自硬脂酸钙、硬脂酸镁及硬脂酸锌构成的组中的一种以上。 
金属皂的添加量没有特别限制,相对于热固性树脂组合物(X)整体100重量份,优选为0.01重量份~5重量份,更优选为0.025重量份~4重量份,进一步优选为0.05重量份~4重量份。在添加量过多的情况下,得到的树脂固化物的物性降低,在添加量过少的情况下,有时无法得到模具脱模性。 
可以在热固性树脂组合物(X)中添加各种添加剂。作为添加剂,均可使用表面 安装型发光装置用的树脂固化物中所使用的各种添加剂,例如可以举出:固化延迟剂、粘接性改良剂、抗老化剂、自由基抑制剂、紫外线吸收剂、溶剂、用于发光元件的添加剂、脱模剂等。 
固化延迟剂例如可以出于改良热固性尉脂组合物(X)的保存稳定性的目的或调整制造过程中的氢化硅烷化反应的反应性的目的进行使用。作为固化延迟剂,可以举出:含有脂肪族不饱和键的化合物、有机磷化合物、有机硫化合物、含氮化合物、锡类化合物、有机过氧化物等。 
作为含有脂肪族不饱和键的化合物,可以举出:3-羟基-3-甲基-1-丁炔、3-羟基-3-苯基-1-丁炔、1-乙炔基-1-环己醇等丙炔醇类、烯-炔化合物类、马来酸二甲酯等马来酸酯类等。作为有机磷化合物,三有机膦类、二有机膦类、有机膦类、三有机亚磷酸酯类等。作为有机硫化合物,可以举出:有机硫醇类、二有机硫化物类、硫化氢、苯并噻唑、噻唑、苯并噻唑二硫化物等。作为含氮化合物,可以举出:氨、伯~叔烷基胺类、芳基胺类、尿素、肼等。作为锡类化合物,可以举出:卤化亚锡二水合物、羧酸亚锡等。作为有机过氧化物,可以举出:二叔丁基过氧化物、二异丙苯过氧化物、苯甲酰过氧化物、过苯甲酸叔丁酯等。 
这些固化延迟剂中,从延迟活性良好且原料获得性良好的观点考虑,优选苯并噻唑、噻唑、马来酸二甲酯、3-羟基-3-甲基-1-丁炔、1-乙炔基-1-环己醇。这些固化延迟剂可以单独使用1种或组合2种以上使用。固化延迟剂的添加量可以进行各种设定,但相对于(C)成分即氢化硅烷化催化剂1mol,优选为10-1摩尔~103摩尔,更优选为1摩尔~50摩尔。 
作为粘接性改良剂,例如可以举出:通常所使用的粘接剂、各种偶联剂、环氧化合物、酚树脂、香豆酮-茚树脂、松香酯树脂、萜烯-酚树脂、α-甲基苯乙烯-乙烯基甲苯共聚物、聚乙基甲基苯乙烯、芳香族聚异氰酸酯等。 
作为偶联剂,例如可以举出:硅烷偶联剂、钛酸酯系偶联剂等。偶联剂的例子或优选的例子与上述的情况相同。这些偶联剂可以单独使用1种或组合2种以上使用。偶联剂的添加量可以进行各种设定,但相对于(A)成分和(B)成分的合计量100重量份,优选为0.1重量份~50重量份,更优选为0.5重量份~25重量份。添加量少时,无法表现出粘接性改良效果,添加量多时,有时对得到的树脂固化物的物性造成不良影响。 
作为环氧化合物,例如可以举出:线型酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、双酚F二缩水甘油醚、双酚A二缩水甘油醚、2,2’-双(4-缩 水甘油氧基环己基)丙烷、3,4-环氧环己基甲基-3,4-环氧环己烷羧酸酯、乙烯基环己烯二氧化物、2-(3,4-环氧环己基)-5,5-螺-(3,4-环氧环己烷)-1,3-二烷、双(3,4-环氧环己基)己二酸酯、1,2-环丙烷二羧酸双缩水甘油酯、三缩水甘油基异氰脲酸酯、单烯丙基二缩水甘油基异氰脲酸酯、二烯丙基单缩水甘油基异氰脲酸酯等。这些环氧化合物可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
环氧化合物的添加量相对于(A)成分和(B)成分的合计量100重量份,优选为1重量份~50重量份,更优选为3重量份~25重量份。添加量少时,无法表现出粘接性改良效果,添加量多时,有时对树脂固化物的物性造成不良影响。 
另外,在本实用新型中,为了提高上述的偶联剂及环氧化合物的效果,可以进一步使用硅烷醇缩合催化剂。由此,可以提高粘接性和/或稳定化。作为这样的硅烷醇缩合催化剂没有特别限定,但优选选自硼类化合物、铝类化合物及钛类化合物构成的组中的至少1种。 
作为成为硅烷醇缩合催化剂的铝类化合物,三异丙氧基铝、仲丁氧基二异丙氧基铝、三仲丁醇铝等铝醇盐类、乙酰乙酸乙酯二异丙氧基铝、三(乙酰乙酸乙酯)铝、Alumichelate M(川研精细化学制、烷基乙酰乙酸酯二异丙氧基铝)、三(乙酰丙酮)铝、单乙酰丙酮双(乙酰乙酸乙酯)合铝等铝螯合物类等。从操作性的观点考虑,更优选铝螯合物类。作为成为硅烷醇缩合催化剂的钛类化合物,可以举出:四异丙氧基钛、四丁氧基钛等四烷氧基钛类:四乙酰丙酮钛等钛螯合物类:具有氧乙酸或乙二醇等残基的一般的钛酸酯偶联剂。 
作为成为硅烷醇缩合催化剂的硼类化合物,可以举出硼酸酯。作为硼酸酯,可优选使用下述通式(VII)、(VIII)所示的硼酸酯。 
B(OR1)3    (VII) 
B(OCOR1)3    (VIII) 
(式中,R1表示碳原子数1~48的有机基团。) 
作为硼酸酯的具体例,可以举出:硼酸三-2-乙基己酯、硼酸正三(十八烷基)酯、硼酸三正辛酯、硼酸三苯酯、三亚甲基硼酸酯、三(三甲基甲硅烷基)硼酸酯、硼酸三正丁酯、硼酸三仲丁酯、硼酸三叔丁酯、硼酸三异丙酯、硼酸三正丙酯、硼酸三烯丙酯、硼酸三乙酯、硼酸三甲酯、甲氧基乙氧基硼(Boron methoxyethoxide)等。这些硼酸酯可以单独使用1种,也可以混合2种以上使用。混合可以预先进行,另外,也可以在树脂固化物制作时进行混合。 
这些硼酸酯中,从可容易获得且工业上实用性高的观点考虑,优选硼酸三甲酯、 硼酸三乙酯、硼酸三正丁酯,其中,更优选硼酸三甲基。 
从可以抑制固化时的挥发性的观点考虑,优选硼酸正三(十八烷基)酯、硼酸三正辛酯、硼酸三苯酯、三亚甲基硼酸酯、三(三甲基甲硅烷基)硼酸酯、硼酸三正丁酯、硼酸三仲丁酯、硼酸三叔丁酯、硼酸三异丙酯、硼酸三正丙酯、硼酸三烯丙酯、甲氧基乙氧基硼,其中,更优选硼酸正三(十八烷基)酯、硼酸三叔丁酯、硼酸三苯酯、硼酸三正丁酯。 
从挥发性的抑制及作业性良好的观点考虑,优选硼酸三正丁酯、硼酸三异丙酯、硼酸三正丙酯,其中,更优选硼酸三正丁酯。另外,从高温下的着色性低的观点考虑,优选硼酸三甲酯、硼酸三乙酯,其中,更优选硼酸三甲酯。 
硅烷醇缩合催化剂的使用量可以进行各种设定,但相对于偶联剂和/或环氧化合物100重量份,优选为0.1重量份~50重量份,更优选为1重量份~30重量份。添加量少时,无法表现出粘接性改良效果,添加量多时,有时对树脂固化物的物性造成不良影响。 
这些硅烷醇缩合催化剂可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
另外,在本实用新型中,为了进一步提高粘接性改良效果,可以进一步使用硅烷醇源化合物。由此,可提高粘接性和/或稳定化。作为这样的硅烷醇源化合物,例如可以举出:三苯基硅烷醇、二苯基二羟基硅烷等硅烷醇化合物、二苯基二甲氧基硅烷、四甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷等烷氧基硅烷类等。这些硅烷醇源化合物可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
硅烷醇源化合物的使用量可以进行各种设定,但相对于偶联剂和/或环氧化合物100重量份,优选为0.1重量份~50重量份,更优选为1重量份~30重量份。添加量少时,无法表现出粘接性改良效果,添加量多时,有时对得到的树脂固化物的物性造成不良影响。 
在本实用新型中,为了提高偶联剂或环氧化合物的效果,可以使用选自羧酸类及酸酐类中的至少1种。由此,可以提高粘接性和/或稳定化。作为这样的羧酸类及酸酐类,没有特别限定,但优选下述[化学式32]所示的各羧酸、2-乙基己酸、环己烷羧酸、环己烷二羧酸、甲基环己烷二羧酸、四氢邻苯二甲酸、甲基四氢邻苯二甲酸、甲基纳迪克酸、降冰片烯二羧酸、氢化甲基纳迪克酸、马来酸、乙炔二羧酸、乳酸、苹果酸、柠檬酸、酒石酸、苯甲酸、羟基苯甲酸、肉桂酸、邻苯二甲酸、偏苯三酸、均苯四酸、萘羧酸、萘二羧酸、及它们的单独或者复合酸酐。这些羧酸类和/或酸酐类可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
[化学式32] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000591
(n表示0~30的数。) 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000593
这些羧酸类及酸酐类中,从具有氢化硅烷化反应性、从树脂固化物渗出的可能性少且不易损伤得到的树脂固化物的物性的观点考虑,优选含有与SiH基具有反应性的碳-碳双键的羧酸及酸酐。作为优选的羧酸类和/或酸酐类,例如可以举出:式:CH2=CH(CH2)nCOOH(式中,n表示0~30的数。)表示的羧酸、四氢邻苯二甲酸、甲基四氢邻苯二甲酸、这些的单独酸酐、这些的复合酸酐等。 
羧酸类和/或酸酐类的使用量可以进行各种设定,但相对于偶联剂和/或环氧化合物100重量份,优选为0.1重量份~50重量份,更优选为1重量份~10重量份。添加量少时,无法表现出粘接性改良效果,添加量多时,有时对树脂固化物的物性造成不良影响。 
本实用新型的热固性树脂组合物(X)可以使用上述的硅烷化合物。硅烷化合物有助于提高与引线的密合性,对防止水分从树脂固化物和引线的界面浸入有效。作为这样的硅烷化合物的具体例,可以举出:二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷、甲基苯基二乙氧基硅烷等,其中,特别优选二甲基二甲氧基硅烷。 
作为抗老化剂,除受阻酚系等通常使用的抗老化剂以外,可以举出:柠檬酸及 磷酸、硫系抗老化剂等。 
作为受阻酚系抗老化剂,以可从Ciba Specialty Chemicals公司获得的Irganox1010作为代表,可使用各种抗老化剂。 
作为硫系抗老化剂,可以举出:硫醇类、硫醇的盐类、硫化物羧酸酯类或含有受阻酚系硫化物类的硫化物类、多硫化物类、二硫代羧酸盐类、硫脲类、硫代磷酸盐类、锍化合物、硫醛类、硫酮类、缩硫醛类、缩硫醇类、单硫代酸类、聚硫代酸类、硫代酰胺类、亚砜类等。 
这些抗老化剂可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
作为自由基抑制剂,例如可以举出:2,6-二叔丁基-3-甲基苯酚(BHT)、2,2’-亚甲基-双(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、四(亚甲基-3(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯)甲烷等酚系自由基抑制剂及苯基-β-萘基胺、α-萘基胺、N,N’-仲丁基对苯二胺、酚噻嗪、N,N’-二苯基-对苯二胺等胺系自由基抑制剂等。这些自由基抑制剂可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
作为紫外线吸收剂,例如可以举出:2(2’-羟基-3’,5’-二叔丁基苯基)苯并三唑、双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶)癸二酸酯等。紫外线吸收剂可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
热固性树脂组合物(X)也可以溶剂于溶剂而使用。可使用的溶剂没有特别限定,如果具体地进行例示,则可优选使用苯、甲苯、己烷、庚烷等烃类溶剂、四氢呋喃、1,4-二
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烷、1,3-二氧戊环、二乙醚等醚类溶剂、丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮类溶剂、氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷等卤系溶剂。其中,优选甲苯、四氢呋喃、1,3-二氧戊环、氯仿。这些溶剂可单独使用1种或混合2种以上使用。 
溶剂的使用量可以进行适宜设定,相对于使用的热固性树脂组合物(X)1g,优选为0.1mL~10mL。使用量少时,不易得到低粘度化等使用溶剂的效果,另外,使用量多时,溶剂残留在材料中而容易形成热裂纹等问题,另外,成本方面也变得不利,工业利用价值降低。 
用于发光元件的添加剂例如可用于改善发光元件的各种特性。作为添加剂,例如可以举出:吸收来自发光元件的光并发出更长波长的荧光的用铈赋活的钇·铝·石榴石类荧光体等荧光体、吸收特定的波长的上蓝剂等着色剂、用于使光扩散的氧化钛、氧化铝、三聚氰胺树脂、CTU胍胺树脂、苯并胍胺树脂等之类的扩散材料、铝硅酸盐等金属氧化物、氮化铝、氮化硼等金属氮化物等热传导性填充材料等。这些添加剂可以单独使用1种或组合2种以上使用。另外,这些添加剂可以均匀地含 有,也可以以不同梯度的含量含有。 
脱模剂用于改良热固性树脂组合物(X)的成形时的脱模性。作为脱模剂,可以举出:已说明的(G)成分及蜡类等。作为蜡类,可以举出:天然蜡、合成蜡、氧化或非氧化的聚烯烃、聚乙烯蜡等。另外,在即使不添加脱模剂也可得到充分的脱模性的情况下,可以不使用脱模剂。 
此外,可以在不损伤本实用新型的目的及效果的范围内在热固性树脂组合物(X)中添加着色剂、阻燃剂、阻燃助剂、表面活性剂、消泡剂、乳化剂、流平剂、防缩孔剂(はじき防止剂)、锑-铋等离子捕获剂、触变性赋予剂、粘合性赋予剂、保存稳定改良剂、抗臭氧剂、光稳定剂、增粘剂、增塑剂、反应性稀释剂、抗氧化剂、热稳定剂、导电性赋予剂、抗静电剂、放射线阻断剂、成核剂、磷系过氧化物分解剂、润滑剂、颜料、金属钝化剂、热传导性赋予剂、物性调节剂等。 
进而,出于对特性进行改性等目的,也可以在热固性树脂组合物(X)中添加各种热塑性树脂。作为热塑性树脂,可以使用各种树脂,例如可例示:甲基丙烯酸甲酯的均聚物、甲基丙烯酸甲酯和其它单体的无规、嵌段或接枝聚合物等聚甲基丙烯酸甲酯类树脂(例如,日立化成公司制OPTOREZ等)、丙烯酸丁酯的均聚物、丙烯酸丁酯和其它单体的无规、嵌段或接枝聚合物等聚丙烯酸丁酯类树脂等所代表的丙烯酸类树脂;含有双酚A、3,3,5-三甲基亚环己基双酚等作为单体结构的聚碳酸酯树脂等聚碳酸酯类树脂(例如帝人公司制APEC等);对降冰片烯衍生物、乙烯基单体等进行均聚或共聚的树脂、对降冰片烯衍生物进行开环易位聚合而成的树脂、其加氢物等环烯烃类树脂(例如,三井化学公司制APEL、日本瑞翁公司制ZEONOR、ZEONEX、JSR公司制ARTON等);乙烯和马来酰亚胺的共聚物等烯烃-马来酰亚胺类树脂(例如东曹公司制TI-PAS等);使双酚A、双(4-(2-羟基乙氧基)苯基)芴等双酚类及二乙二醇等二醇类和对苯二甲酸、间苯二甲酸等邻苯二甲酸类及脂肪族二羧酸类进行缩聚而成的聚酯等聚酯类树脂(例如钟纺公司制O-PET等);聚醚砜树脂;聚芳酯树脂;聚乙烯醇缩醛树脂;聚乙烯树脂;聚丙烯树脂;聚苯乙烯树脂;聚酰胺树脂;有机硅树脂;氟树脂等,此外,可例示:天然橡胶、EPDM等橡胶状树脂,但并不限定于此。 
热塑性树脂也可以具有在分子中相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键和/或SiH基。从得到的树脂固化物容易变得更坚韧的观点考虑,优选平均在1分子中具有1个以上在分子中相对于SiH基具有反应性的碳-碳双键和/或SiH基。 
热塑性树脂也可以具有其它的交联性基团。作为交联性基团,可以举出:环氧 基、氨基、自由基聚合性不饱和基团、羧基、异氰酸酯基、羟基、烷氧基甲硅烷基等。从得到的树脂固化物的耐热性容易变高的观点考虑,优选平均在1分子中具有1个以上交联性基团。 
热塑性树脂的分子量没有特别限定,从与(A)成分或(B)成分的相容性容易变得良好的观点考虑,数均分子量优选为10000以下,更优选为5000以下。相反,从得到的树脂固化物容易变得坚韧的观点考虑,数均分子量优选为10000以上,更优选为100000以上。分子量分布也没有特别限定,从热固性树脂组合物(X)的粘度变低且成形性容易变得良好的观点考虑,分子量分布优选为3以下,更优选为2以下,进一步优选为1.5以下。 
热塑性树脂的使用量没有特别限定,但优选为热固性树脂组合物(X)全部的5重量%~50重量%,更优选为10重量%~30重量%。添加量少时,得到的树脂固化物容易变脆,添加量多时,耐热性(高温下的弹性模量)容易变低。 
热塑性树脂可以单独使用1种或组合2种以上使用。 
热塑性树脂可以溶于(A)成分和/或(B)成分制成均匀的状态进行混合,也可以进行粉碎在粒子状态下进行混合,还可以溶于溶剂进行混合等来制成分散状态。从得到的树脂固化物容易变得更透明的观点考虑,优选溶于(A)成分和/或(B)成分制成均匀的状态进行混合。此时,也可以将热塑性树脂直接溶解于(A)成分和/或(B)成分,也可以使用溶剂等均匀地进行混合,还可以之后除去溶剂而制成均匀的分散状态和/或混合状态。 
在使热塑性树脂分散而使用的情况下,平均粒径可以进行各种设定,但优选为10nm~10μm。可以具有粒径分布,即使为单一分散也可以具有多个峰粒径,但从热固性树脂组合物(X)的粘度变低且成形性容易变得良好的观点考虑,优选粒径的变动系数为10%以下。 
进而,也可以在热固性树脂组合物(X)中混合其以外的热固性树脂的粒子。热固性树脂粒子可以通过使热固性树脂固化并进行粉碎来得到。在使热固性树脂粒子分散在热固性树脂组合物(X)中进行使用的情况下,平均粒径可以进行各种设定,但优选为10nm~10μm。可以存在粒径分布,即使为单一分散也可以具有多个峰粒径,但从热固性树脂组合物(X)的粘度变低且成形性容易变得良好的观点考虑,优选粒径的变动系数为10%以下。 
热固性树脂组合物(X)例如可以通过上述的方法将上述的(A)~(E)的必需成分以及(F)~(G)及其它的任意成分进行混合来制备。这样得到的热固性树脂组合物(X)可 以直接以液状物或糊状物的形式进行使用。进而,热固性树脂组合物(X)也可以在混合各成分及添加剂等后,通过加热等使其部分反应(B阶化)后进行使用。可通过进行B阶化来调整粘度,也可以调整传递模塑成形性。另外,也具有进一步抑制固化收缩的效果。 
从利用传递模塑成形等的成形性良好的观点考虑,热固性树脂组合物(X)优选在150℃以下的温度具有流动性。 
另外,热固性树脂组合物(X)的固化性可以任意设定,但从成形周期可以变短的观点考虑,优选120℃下的凝胶化时间为120秒以内,更优选为60秒以内。另外,优选150℃下的凝胶化时间为60秒以内,更优选为30秒以内。另外,优选100℃下的凝胶化时间为180秒以内,更优选为120秒以内。 
此时的凝胶化时间可以如下进行测定。在调整为设定温度的热板上放置厚度50μm的铝箔,在其上放置热固性树脂组合物(X)100mg并测定至凝胶化为止的时间,设为凝胶化时间。 
在使用热固性树脂组合物(X)制造树脂成形体的工序中,从不易在热固性树脂组合物(X)中产生空隙及不易产生自热固性树脂组合物(X)的脱气引起的工序上的问题的观点考虑,固化中的重量损失优选为5重量%以下,更优选为3重量%以下,进一步优选为1重量%以下。另外,固化中的重量损失可以使用热重量分析装置,将样品(热固性树脂组合物(X))10mg从室温以10℃/分钟的升温速度升温至150℃,作为减少的重量相对于初期重量的比例求得。 
另外,在用作电子材料等的情况下,从不易引起有机硅污染的问题的观点考虑,优选挥发成分中的Si原子的含量为1%以下。 
从以下的理由考虑,热固性树脂组合物(X)优选含有N元素。电气和/或电子零件通常要求阻燃性,目前主要使用卤系阻燃剂,但为了减少环境负荷,转变为非卤系阻燃剂。另外,从RoHS(Restriction of Hazardous Substances)对应等电机业界的规则的方面考虑,也优选考虑了环境的阻燃剂。 
例如,日本特开2010-77333号公报中所记载的含有膦酸金属盐和有机磷系阻燃剂的非卤素系阻燃剂;日本特表2007-514828号公报中所记载的包括选自三嗪、胍、氰脲酸酯及异氰脲酸酯构成的组中的至少1种含氮阻燃剂和膦酸盐或二膦酸盐和/或其聚合物和炭生成聚合物的非卤系阻燃剂;日本特开2002-128969号公报中所记载的包括含有至少1个氮原子的胺化合物和选自磷酸、焦磷酸、缩合磷酸及三聚氰酸中的至少1种酸反应而生成的胺盐和三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯和异氰酸酯化 合物的反应物的非卤素系阻燃剂;日本特开2002-60385号公报中所记载的通过三(2-羟基烷基)异氰脲酸酯和有机二异氰酸酯化合物的加成反应而得到的三嗪系含氮化合物等为非卤系阻燃剂的强有力的一种。因此,即使在本实用新型的树脂成形体中也特别优选在树脂成分中含有氮原子。特别优选装入有特别是作为氮系阻燃剂的主要骨架即异氰脲酸酯骨架的骨架。 
另外,日本特开平5-148423号公报、日本特开2004-67948号公报、日本特开2009-117809号公报、日本特开2010-77333号公报等中所记载的三丁基胺,四甲基乙二胺,苯并三唑、苯并噻唑、噻唑等含氮有机化合物也作为氢化硅烷化固化反应中的反应延迟剂起作用。因此,通过在提供树脂成形体的热固性树脂组合物中添加这些氮化合物,可以对热固性树脂赋予充分的储存稳定性,并且可以使热固性树脂组合物完全固化。从这样的观点考虑,也优选树脂成分含有氮原子。另外,除树脂骨架外,现有已知的氢化硅烷化反应的反应控制剂即三丁基胺、四甲基乙二胺、苯并三唑等含氮有机化合物也可以共存。 
对于求出热固性树脂组合物中的N含量的方法没有特别制限,通过利用 14N-NMR或14N-固体NMR的测定,可以检测装入树脂骨架的N原子或含氮有机化合物的N原子。热固性树脂组合物中的N含量没有特别限制,但优选含有1000ppm以上。另外,作为填料成分,即使含有氮化硼、氮化铝等含氮无机填料也完全没有问题,即使引出有机成分自身通过含有N原子而带来的阻燃效果、无机填料通过含有N原子而带来的阻燃效果两者也没有关系。 
另外,从耐热性良好的观点考虑,优选使热固性树脂组合物(X)固化而得到的树脂固化物的Tg为100℃以上,更优选为150℃以上。Tg使用动态粘弹性测定装置(商品名:DVA-200、IT计测控制株式会社制)及3mm×5mm×30mm的棱柱状试验片,在规定的测定条件(拉伸模式、测定频率10Hz、变形0.1%、静/动力比1.5、升温速度5℃/分钟)下进行动态粘弹性测定,作为测定结果中的tanδ的峰温度求得。 
另外,从引线框架等上不易产生离子迁移等问题,可靠性变高的观点考虑,从树脂固化物提取的离子含量优选低于10ppm,更优选低于5ppm,进一步优选低于1ppm。 
此时,提取离子含量可如下进行调查。将裁断的树脂固化物1g与超纯水50ml一起放入特氟纶(注册商标)制容器并密闭,在121℃、2气压、20小时的条件下进行处理。将得到的提取液利用ICP质量分析装置(商品名:HP-4500、横河Analytical Systems(株)制)进行分析,将得到的Na及K的含量的值换算为作为样品的树脂固化 物中的浓度来求得。另一方面,将相同的提取液利用离子色谱法(使用Dionex公司制DX-500、柱:AS12-SC)进行分析,将得到的Cl及Br的含量的值换算为作为样品的树脂固化物中的浓度来求得。将如上得到的Na、K、Cl、Br的树脂固化物中的含量进行合计而作为提取离子含量。 
树脂固化物的线膨胀系数没有特别限制,但从与由金属形成的引线框架等的粘接性容易变得良好的方面或抑制在金属片的单侧一体成形了固化性树脂的树脂成形体的翘曲的观点考虑,从23℃至150℃的平均线膨胀系数优选为30ppm以下,更优选为20ppm以下,进一步优选为10ppm以下。 
另外,热固性树脂组合物(X)优选固化后的对波长为420nm、440nm、460nm的光的光反射率(在本说明书中,将特定波长的反射率记为光反射率)为80R%以上,180℃×72小时的耐热试验后的光反射率的保持率(耐热试验后的光反射率/初期的光反射率X100)为90%以上。从发光元件的提取效率容易变高的观点考虑,光反射率优选在420~700nm的波长带宽中为75%以上,更优选为80%以上。 
树脂固化物的光反射率为使用微小面分光色差计(商品名:VSS400、日本电色工业(株)制)在波长400nm~700nm(20nm间隔)中所测定的各波长的各个反射率。例如将对波长为460nm的光的光反射率作为460nm的光反射率,将对波长为500nm的光的光反射率作为500nm的光反射率。在此各波长下的测定值(反射率)采用树脂成形体的凹部开口面的任意的4处(测定面积0.1φmm)的测定值的平均值。 
利用下述计算式求得耐热试验(例如,用180℃的烤箱加热72小时的试验)后的光反射率相对于初期的光反射率的保持率。 
保持率(%)=[(耐热试验后的光反射率)/(初期的光反射率)]×100 
从用作电子材料时可靠性高的观点考虑,保持率优选为80%以上,更优选为85%以上,进一步优选为90%以上。 
对热固性树脂组合物(X)进行固化而得到的成形体表面对波长为460nm的光的光反射率优选为90%以上,更优选为95%以上,进一步优选为97%以上,特别优选为99%以上。 
热固性树脂组合物(X)优选在发光元件用的引线框架的单面进行成形而形成包装时的树脂固化物的翘曲为±1.0mm以下。 
此时的的翘曲基于JIS C6481中记载的最大翘曲的测定方法进行测定。将发光装置一边的中央垂直吊挂,使该边平行地接触标尺(直定規)。标尺与发光装置的凹面接触,用金属制直尺测定标尺和发光装置的基底材料面的最大的间隔为1.0mm 单位。在发光装置的凹面成形有树脂的情况下,用金属制直尺测定标尺和发光装置上所成形树脂面的最大的间隔为1.0mm单位,将从该值中减去树脂的厚度量的值四舍五入为1.0mm单位。 
对于其它的边也依次进行测定,将最大的间隔设为翘曲。另外,用于翘曲的测定的发光装置使用实施例的(成形方法)所示的发光装置。 
在热固性树脂组合物(X)除(A)~(E)成分以外至少含有(F)成分的情况下,可以制成片。在此所谓的片是指在室温下保持一定的形状,实质上没有经时的形状变化,另外,在互相接触时也没有互粘或一体化的固体。片的形状没有特别限定,包括圆柱状、棱柱状、圆盘状、球状等形状,但传递模塑成形优选一般的圆柱状。 
具体而言,片的特征在于,含有至少一方为23℃时的粘度为50Pa秒以下的液体的(A)成分及(B)成分、用于使(A)成分及(B)成分固化的(C)成分、均为粉体的(E)成分及(F)成分、以及(D)成分。这样的片在高温下(A)成分及(B)成分粘度降低,由此热固性树脂组合物(X)整体可流动,进而,继续加热时,固化反应进行可成形为期望的形状。 
作为成形方法,没有特别限定,热固性树脂组合物的成形可以使用一般的传递模塑成形或压缩成形等成形方法。在使用这些成形方法的情况下,作为原料的热固性树脂组合物为糊状或粘土状时,无法保持一定的形状,发生互粘或一体化或变形,因此,测量或输送、向成形机的供给非常困难。另一方面,为片形状时,测量或输送、向成形机的供给变容易,自动化也成为可能,使生产率大幅提高。 
片中所占的(E)成分及(F)成分的合计的比例(以下,有时称为“填充率”)优选为70~95重量%。对于填充率中的(E)成分和(F)成分的分配没有特别限定,可以自由设定。填充率低于70重量%时,得到的树脂固化物的热膨胀率变大而导致树脂成形体的尺寸变化成为问题或得到的热固性树脂组合物(X)成为硬的糊状或粘土状而存在无法形成片的问题。填充率超过95重量%时,热固性树脂组合物(X)的高温下的粘度变得过高而使成形性降低或得到的片变得过脆。 
在热固性树脂组合物(X)中,(A)成分及(B)成分的至少一方在常温下为液体时,在填充率低的情况下,容易成为糊状或粘土状。此时,虽然无法成为片,但存在高温下的成形性容易变得良好的倾向。另一方面,在填充率高的情况下,流动的成分少,因此,容易成为片状或粉状。这些可通过压缩来压固成片状,存在缺乏高温下的流动性且成形性容易降低的倾向。迄今为止,仅通过单纯地增加填充率难以兼具片的形成和成形性。 
但是,在热固性树脂组合物(X)中,在合计(E)成分及(F)成分进行的粉体中,通过将12μm以下的粒子所占的比例设为40体积%以上,发现可以兼具片的形成和成形性。 
作为该理由,推测可如下考虑。在液体和粒子的混合体系中,一般认为液体成分包覆粒子的表面,一般认为包覆了全部的粒子的剩余的液体成分有助于变形。因此,一般认为,即使填充率相同,小粒子的比例越高总表面积变得越大,包覆所消耗的液体成分增加,不易变形。在高温时,液体的粘度显著降低,因此,在高温下相对于小粒子的比例的流动性变化小,但在低温下粘度高,因此,一般认为,小粒子多时,无法如糊状或粘土状那样流动而形成片状或粉状。 
换言之,通过增加粒子中的小粒子的比例,可以在保持热固性树脂组合物的高温下的流动性的状态下稳固常温下的状态。这无法由在常温下使用了固体的环氧树脂或有机硅类树脂的文献(日本特开2008-112977号公报或日本特开2009-155415号公报)、另外,未提及粒子的粒度分布而仅记载平均粒径的专利文献3想出。 
[树脂成形体的制造方法] 
本实用新型的树脂成形体例如可通过含有如下工序的制造方法进行制造:将多个引线用模具夹持而进行固定的工序(1);在模具内注入液状的热固性树脂的工序(2);使模具内所注入的液状的热固性树脂固化的工序(3)和将树脂成形体从模具中脱模的工序(4)。作为模具,具有上模具和下模具,与上模具中的树脂成形体的凹部开口面对应的面具有规定的微观不平度十点高度(Rz),除此之外,可以使用与现有的传递模塑成形用模具相同的模具。以下,对工序(1)~(4)详细地进行说明。 
在工序(1)中,使用具备具有在规定位置形成有上侧凹部的上侧对齐面的上模具、具有平坦的下侧对齐面的下模具和树脂注入孔的模具,通过上述上侧对齐面和上述下侧对齐面夹持多个引线进行固定。 
更具体而言,工序(1)如图10所示那样进行实施。图10为示意性地表示本实用新型的树脂成形体的制造方法的一实施方式中的工序(1)的剖面图。在图10中,将向左右延伸的方向设为长度方向,将模具20的下侧对齐面36的面内垂直于长度方向的方向设为宽度方向。在图11~图13中也相同。 
图10(a)所示的模具20具备具有上侧对齐面31的上模具30、具有下侧对齐面36的下模具35、树脂注入孔、以与树脂注入孔连通的方式设置于下模具35的柱塞41、未图示的模具加热装置和未图示的真空泵。另外,在叠合上侧对齐面31和下侧对齐面36时,通过上侧对齐面31的表面上所形成的第二凸部34和下侧对齐面 36形成树脂注入孔,例如在图11中作为树脂注入孔40进行图示。对第二凸部34在后面进行叙述。 
上模具30和下模具35以上侧对齐面31和下侧对齐面36平行的方式进行配置。 
上模具30配置于下模具35的垂直方向上方,通过未图示的驱动装置可上下运动地支撑。对上模具30的上侧对齐面31而言,在规定的位置形成有多个第一凸部32。对上模具30的上侧对齐面31而言,形成有具有多个第一凸部32的上侧凹部33,第一凸部32优选空开规定的间隔,在纵向及横向基本等间隔地形成。 
而且,通过连续相邻的3个第一凸部32,形成邻接且连通的内部空间,该内部空间与要得到的树脂固化物的立体形状对应。另外,在连续相邻的3个第一凸部32中,正中的第一凸部32的前端面以与后述的构成引线框架21的框架单元22(参照图14)中的第一引线23的内部引线部及第二引线24的内部引线部接触的方式进行定位。液状的热固性树脂未流入这样的接触部分。 
上侧凹部33的底面33a的微观不平度十点高度(Rz)为0.5μm以上且15μm以下。通过使用有具有这样的Rz的底面33a的模具,可以得到凹部开口面的Rz为1~10μm的树脂成形体。Rz超过15μm时,容易因锚固效果引起凝聚破坏。如果考虑树脂固化物的模具脱模性和相对于树脂成形体的光反射率的影响的平衡,则底面33a的微观不平度十点高度(Rz)的范围优选为0.5μm以上且12μm以下,更优选为0.5μm以上且11μm以下,进一步优选为0.9μm以上且10.6μm以下。在上侧凹部33的内部空间填充液状的热固性树脂并通过加热使其固化时,可得到在中央开通孔且凹部的内部空间的立体形状为倒圆锥台状的树脂成形体的集合体。作为将上侧凹部33的底面33a的Rz调整为上述范围的方法,例如可以举出日本专利第3907948号说明书中所记载的放电加工方法等。在该放电加工方法中,更具体而言,使用在放电表面处理对象的模具的雌型中填充金属粉末、金属化合物粉末等材料粉末并通过模具的雄型对雌型内的材料粉末进行加压成形而成的压粉体总型电极,在压粉体总型电极和模具的雌型或雄型之间产生脉冲状的放电,通过放电能使电极材料或者电极材料因放电能发生反应而生成的物质堆积在雌型或雄型的分型面,进行上述模具分型面的放电表面处理。 
进而,如图11所示,在叠合上侧对齐面31和下侧对齐面36时,在设置于下侧对齐面36的柱塞筒44附近的上侧对齐面31形成有剖面形状基本为直角三角形的第二凸部34。第二凸部34在上侧对齐面31沿上模具30的宽度方向延伸,越接近第一凸部32其高度连续地变大,在最接近于第一凸部32的位置中,具有比第一 凸部32的高度稍小的高度。由此,在叠合上侧对齐面31和下侧对齐面36时,通过该第二凸部34和下侧对齐面36,形成有与柱塞筒44连通且热固性树脂的熔融液流下的流道42和与流道42相连的树脂注入孔40。 
树脂注入孔40从液状的热固性树脂的入口向出口以直径变小的方式形成。从使液状的热固性树脂向模具20的内部空间的注入顺利的观点考虑,优选形成树脂注入孔40使其剖面形状为半圆形。另外,对流道42而言,在本实施方式中,从柱塞41附近向树脂注入孔40以直径连续地变小的方式构成,但并不限定于此,例如通过上侧对齐面31中的第二凸部34的下面以与下侧对齐面36平行方式构成,也可以设置具有一定的宽度的流道(未图示)。 
下模具35通过未图示的支撑手段进行固定。下模具35具有平坦的下侧对齐面36。另外,在下模具35中形成有厚度方向的通孔43,在该通孔43中通过未图示的驱动装置可上下移动地设置柱塞41。柱塞41也可以在其内部具备加热装置。通过使柱塞41下降,可形成柱塞筒44。在柱塞筒44中填充有通过加热成为液状的热固性树脂的热固性树脂片或液状的热固性树脂。柱塞筒44内的液状的热固性树脂通过使柱塞41上升,经由流道42从树脂注入孔40压入上侧凹部33内。 
在图10(b)中,在下模具35的下侧对齐面36上放置平面形状为长方形的引线框架21。图14为构成引线框架21的框架单元22的平面图。 
引线框架21在宽度方向及长度方向平行地排列多个图14所示的框架单元22并进行一体化。而且,在一个框架单元22中以第一引线23、第一引线23和第二引线24互相隔开的方式进行配置。通过使用在宽度方向及长手方向排列有多个框架单元22的引线框架21,可以一次制作多个树脂成形体,因此,使树脂成形体的批量生产性提高。引线框架21的材质没有特别限定,但优选铜等金属材料。另外,可以使用在由陶瓷材料或塑料材料构成的基板的表面印刷了第一引线23和第二引线24的引线框架。 
在引线框架21的表面沿框架单元22之间的边界在长宽形成有凹口部(未图示)。该凹口部通过上侧对齐面31中的未形成有第一凸部32及第二凸部34的平坦的区域和下侧对齐面36进行夹持。或也可以以将凹口部通过上侧对齐面31的第一凸部32的前端面和下侧对齐面36夹持的方式进行定位。由此,可抑制凹口部引起引线框架21的不均,可减少树脂毛刺的产生。在后述的工序(2)中,在该凹口部填充有液状的热固性树脂。进而,在后述的工序(3)中,凹口部中所填充的液状的热固性树脂通过加热而固化,成为树脂固化物的一部分。 
由此,引线框架21和树脂固化物12的接触面积增加,使这些的密合性提高。另外,在使树脂固化物在各框架单元22的表面一体成形而制作多个树脂成形体的集合体的情况下,如果沿凹口部切断,则应切断的金属的厚度变小。其结果,容易将树脂成形体一个个切开,使批量生产性进一步提高。 
进而,也可以在引线框架21的厚度方向的至少一方的表面形成有镀敷层等金属层。作为金属层的材质,例如可以举出:金、银、铜、铝等。由此,可以省略对分别形成片的一个个树脂成形体的引线实施镀敷这样繁杂的作业。 
对引线框架21而言,在重叠上侧对齐面31和下侧对齐面36时,放置下侧对齐面36使得上侧凹部33和框架单元22在规定的位置重叠。 
在图10(c)中,在柱塞筒44中填充了热固性树脂的片45后,通过使上模具30沿垂直方向下方下降,上侧对齐面31和下侧对齐面36夹持引线框架21并固定。接下来,移至工序(2)。 
在工序(2)中,从树脂注入孔40在模具20内的成形用内部空间注入液状的热固性树脂。在此,成形用内部空间通过上侧凹部33和引线框架21或上侧凹部33和下侧对齐面36形成。 
更具体而言,工序(2)如图11所示那样实施。图11为示意性地表示本实用新型的树脂成形体的制造方法的一实施方式中的工序(2)的剖面图。在图11(a)中,通过在上述工序(1)中用上侧对齐面31下侧对齐面36夹持引线框架21,通过上侧凹部33和引线框架21及上侧凹部33和下侧对齐面36在模具20内形成成形用内部空间。由此,使柱塞41及柱塞筒44中所填充的热固性树脂片45上升。 
在图11(b)中,就利用柱塞41将对热固性树脂片45进行加热而得到的液状的热固性树脂45而言,通过使柱塞41进一步上升及利用真空泵(未图示)使模具20内的成形用内部空间成为减压状态来经由树脂注入孔40从流道42填充于成形用内部空间。在框架单元22中的第一引线23和第二引线24之间的内部空间也填充有液状的热固性树脂。接下来,移至工序(3)。 
在工序(3)中,通过将在多个内部空间填充有液状的热固性树脂的模具在规定的温度下进行加热,使液状的热固性树脂固化而制作在引线框架的规定位置一体成形有树脂固化物的树脂成形体的集合体。 
更具体而言,工序(3)如图12所示那样进行实施。图12为示意性地表示本实用新型的树脂成形体的制造方法的一实施方式中的工序(3)的剖面图。在此,在模具20内的成形用内部空间中填充有液状的热固性树脂。在该状态下,利用模具20所 具备的加热装置对模具20进行加热。加热温度及加热时间可以根据内部空间所填充的热固性树脂的固化温度进行适宜选择。由此,可得到在构成引线框架21的各框架单元22的表面一体成形有树脂固化物12的树脂成形体的集合体25。另外,在树脂固化物12的与上侧凹部33的底面33a相接的面(凹部13的开口面)转印有底面33a的Rz,Rz为1~10μm。接下来,移至工序(4)。 
在工序(4)中,将带树脂固化物的引线框架25从模具中脱模。更具体而言,工序(4)如图13所示那样进行实施。图13为示意性地表示本实用新型的树脂成形体的制造方法的一实施方式中的工序(4)的剖面图。在图13所示的工序(4)中,通过使上模具30上升并从模具20中取出带树脂固化物的引线框架25,在引线框架21的一方的表面一体成形有树脂固化物12,从模具20中脱模作为树脂成形体的集合体的带树脂固化物的引线框架25。 
此时,树脂固化物12的与上侧凹部33的底面33a相接的面(凹部13的开口面)的Rz为1μm~10μm的范围,因此,从上模具30的树脂固化物12的脱模性显著提高。由此,可显著抑制也含有树脂固化物12的树脂成形体的变形或凝聚破坏,不良品率变得极低。在使用上述的热固性树脂组合物(X)作为提供树脂固化物12的热固性树脂或热固性树脂组合物的情况下,从上模具30的树脂固化物12的脱模性进一步显著提高。 
这样得到的带树脂固化物的引线框架25例如具有图15所示那样的构成。图15为示意性地表示通过本实用新型的树脂成形体的制造方法得到的树脂成形体的构成的图。图15(a)为平面图、图15(b)为部分放大平面图及图15(c)为图15(b)中的X-X线的部分放大剖面图。带树脂固化物的引线框架25为树脂固化物12和引线框架21的一体成形体,在长宽排列多个凹部13,构成引线框架21的第一、第二引线经由树脂固化物12的绝缘层在各凹部13的底部露出(未图示)。即,带树脂固化物的引线框架25为多个树脂成形体的集合体。带树脂固化物的引线框架25可以直接供于发光元件的安装工序,或可以将其裁断而得到的一个个树脂成形体供于发光元件的安装工序。 
在本实施方式中,作为用于制造树脂成形体的成形方法,利用了传递模塑成形,但并不限定于此,可使用注射成形、RIM成形、浇注成形、压制成形、压塑成形等通常用于热塑性树脂或环氧树脂、有机硅树脂等热固性树脂的各种成形方法。其中,从成形周期短且成形性良好的方面考虑,优选传递模塑成形。成形条件也可以任意地设定,例如对于成形温度也为任意的,但从固化快、成形周期短且成形性容易变 得良好的观点考虑,优选100℃以上,更优选120℃以上,进一步优选150℃以上的温度。在通过如上所述的各种方法进行成形后,根据需要进行后固化(affer cure)也是任意的。后固化者容易提高耐热性。 
成形可以在一定的温度下进行,但可以根据需要多阶段或连续地改变温度。从容易得到没有变形的均匀的树脂固化物的方面考虑,优选一边在一定的温度下进行的更多阶段或者连续地使温度上升一边进行反应的情况。另一方面,从可以缩短成形周期的方面考虑,优选在一定温度下进行的情况。 
固化时间也可以进行各种设定,从容易得到没有变形的均匀的树脂固化物的方面考虑,优选在较低温长时间下进行反应的情况。另一方面,从可以缩短成形周期的方面考虑,优选在高温短时间下进行反应的情况。 
成形时的压力也可以根据需要进行各种设定,也可以在常压、高压、或减压状态下进行成形。从抑制空隙的产生或使填充性良好或容易除去根据情况产生的挥发成分的方面考虑,优选在减压状态下进行固化。另一方面,从可以防止成形体中的裂纹的方面考虑,优选在加压状态下进行固化。 
[表面安装型发光装置] 
对本实用新型的表面安装型发光装置(以下,简称为“发光装置”)而言,其具备:将树脂固化物和多个引线一体成形,且在底部具有多个引线露出的凹部,凹部的开口面的Rz为1μm以上且10μm以下,并具有规定的玻璃化转变温度、光反射率及光反射率的保持率的树脂成形体;安装于树脂成形体的凹部底部且与多个引线可通电地连接的发光元件;以及密封发光元件的透明树脂层。另外,也可以在树脂成形体的凹部底部安装多个发光元件。 
即,对本实用新型的发光装置而言,作为树脂成形体,使用将树脂固化物和多个引线一体成形且在底部具有多个引线露出的凹部,凹部的开口面的Rz为1μm以上且10μm以下的树脂成形体,除此以外,可以具有与现有的表面安装型发光装置相同的构成。 
在此,作为树脂成形体,可以使用上述的各种的树脂成形体。 
另外,作为发光元件,可使用现有使用的发光元件中的任意,例如可以举出:发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等。对上述发光二极管而言,例如有蓝色LED芯片、紫外线LED芯片、红色LED芯片、绿色LED芯片、黄绿色LED芯片等,含有具有PN接合结构或NPN接合结构的芯片、2个电极水平型或垂直型地配置的芯片等。 
发光元件例如可以通过引线接合、倒装芯片安装等公知的连接方法与多个引线可通电地连接。可通电的连接如下:例如在发光元件具有2个电极,多个引线具有第一引线和第二引线的情况下,将发光元件一侧的电极连接于第一引线的内部引线部,将发光元件另一侧的电极连接于第二引线的内部引线部。 
另外,作为将发光元件固定于树脂成型体的凹部的底部的方法,例如可以举出:使用粘接剂进行粘接的方法。作为粘接剂,例如可使用银浆、共晶焊锡(AuSn、AuGe、AuSi等)、金凸块等。共晶焊锡的熔点优选为200℃~350℃的范围。在使用高输出型LED的情况下,p-n接合温度上升,因此,优选使用在高温下可得到稳定的接合强度的共晶焊锡或金凸块等。发光元件例如在树脂成形体的凹部底部的具有镀敷层的引线表面形成粘接剂层(此时,引线和粘接剂层被电连接)并在其上载置发光元件,进行加热熔融,由此被固定于引线表面。粘接剂层例如可通过糊状材料的印刷、分配(dispense)、预成形、箔成形、金属喷涂、球成形等一般的方法进行形成。通过设置由金属构成的粘接剂层,可以提高发光装置的放热性。 
另外,引线表面与发光元件接合的区域的平坦度优选为0.001~50μm。所谓平坦度是指,在将含有测定的区域的任意的3角的的面设为基准面时,作为相对于基准面的测定区域的中央的高度进行表示。平坦度低于0.001μm时,存在引线表面上所形成的镀敷层的表面变得过于光滑,镀敷层和粘接剂层的密合强度降低,粘接剂层容易剥离的倾向。另外,平坦度超过50μm时,镀敷层和粘接剂层的接合面积变小。其结果,存在发光装置的放热性降低或发光元件和引线框架的接合强度降低的倾向。 
作为密封发光元件的透明性树脂,可使用现有用于表面安装型发光装置的密封用的透明性树脂中的任意,例如可以举出:环氧树脂、有机硅树脂、丙烯酸树脂、脲树脂、酰亚胺树脂等。另外,从与树脂成形体中所含的树脂固化物的粘接性、透明性及耐光性的观点考虑,优选将如日本特开2002-80733号公报及日本特开2002-88244号公报中所提出那样的在1分子中至少具有2个与SiH基具有反应性的碳-碳双键的脂肪族类有机化合物、在1分子中至少具有2个SiH基的化合物及含有氢化硅烷化催化剂的热固性树脂组合物用作密封剂。 
透明性树脂层例如可以用分配以外的方法在于底部配置了发光元件的杯、腔室、包装(树脂成形体)凹部等中注入液状的透明性树脂并通过加热等使其固化,也可以对固体状或者高粘度液状的组合物进行加热等使其流动,与上述同样地注入包装凹部等,进而进行加热等使其固化。另外,也可以通过传递模塑成形、注射成形、 嵌入成形形成透明性树脂。 
另外,代替透明性树脂,也可以在安装了发光元件后的树脂成形体的凹部上安装透镜。作为透镜没有特别限定,可使用表面安装型发光元件的领域中通常所使用的任何透镜,另外,也可以将透明性树脂成形为透镜的形状来使用。另一方面,也可以不进行利用透明性树脂的密封及透镜的安装,用玻璃等覆盖而进行气密密封。 
对于发光装置的形状也没有限定,可采用表面安装型发光装置的领域中所使用的各种形状,但优选在金属制引线框架的单面附着有树脂固化物的MAP型。通过使用MAP型,容易获得本实用新型的效果。 
本实用新型的发光装置可以用于现有公知的各种用途。具体而言,例如可以举出:液晶表示装置等背光、照明、传感器光源、车辆用计器光源、信号灯、标志灯、显示装置、面状发光体的光源、显示器、装饰、各种灯等。 
实施例 
以下,举出实施例及比较例进一步具体地说明本实用新型。另外,在本实施例中,微观不平度十点高度(Rz)、玻璃化转变温度(Tg)、光反射率及固体13CNMR光谱如下进行测定。 
[微观不平度十点高度(Rz)] 
使用轮廓形状测定器(Surfcom500DX、株式会社东京精密制)基于JISB0633:01/ISO04288:96在探针R:2μm的条件下对树脂成形体的凹部开口面的微观不平度十点高度(Rz)进行测定。 
[玻璃化转变温度(Tg)] 
使用ELP公司制手术用手术刀从树脂成形体中切出具有长度方向2~5mm×宽度方向0.5~1mm×厚度0.5~1mm尺寸的树脂样品。将该样品投入热机械分析装置(商品名:TMA、类型:TMA/SS6100、SII Nano Technology(株)制),在氮气流下,在从-50℃至250℃的范围以升降温速度5℃/分钟、压缩加重29.4mN测定膨胀率的变化,算出玻璃化转变温度。另外,将上述测定时的23℃~150℃的平均的热膨胀系数设为平均线膨胀系数。 
[光反射率] 
使用微小面分光色差计(商品名:VSS400、日本电色工工(株)制)测定波长400nm~700nm(20nm间隔)的反射率,设为光反射率。在此,在各波长下,在树脂成形体的凹部开口面的任意的4处(测定面积0.1mmφ)进行测定,将得到的测定值 的平均值设为该波长的光反射率。 
另外,通过下述式算出耐热试验(在180℃的烤箱中加热72小时的试验)后的光反射率(B)相对于初期的光反射率(A)的保持率(%)。 
保持率(%)=[光反射率(B)/光反射率(A)]×100 
[固体13CNMR光谱] 
从树脂成形体中切出树脂样品0.5g,用乳钵捣碎,装入3.2mmφ的固体NMR样品管。将该样品管装填于VARIANNMR装置(600MHz),以魔角旋转速度20kHz实施13CCP/MAS NMR测定,求出样品的固体13CNMR光谱。 
(合成例1) 
在5L的四口烧瓶中设置搅拌装置、滴液漏斗及冷凝管。在该烧瓶中放入甲苯1800g及1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷1440g,在120℃的油浴中进行加热及搅拌。在其中经50分钟滴加三烯丙基异氰脲酸酯200g、甲苯200g及铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(以铂计,含有3重量%)1.44ml的混合液。将得到的溶液直接进行6小时加温及搅拌后,减压蒸馏除去未反应的1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷及甲苯。通过 1H-NMR的测定可知,得到的化合物具有1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的SiH基的一部分与三烯丙基异氰脲酸酯反应的下述[化学式33]所示的结构。 
[化学式33] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000751
(合成例2) 
在2L高压釜中放入甲苯720g及1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷240g,将气相部用氮取代后,在套管温度50℃下进行加热及搅拌。经90分钟向其中滴加烯丙基缩水 甘油基醚171g、甲苯171g及铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(以铂计,含有3重量%)0.049g的混合液。滴加结束后,将套管温度上升至60℃进一步使其反应40分钟,通过1H-NMR确认了烯丙基的反应率为95%以上。 
在得到的反应混合物中滴加了三烯丙基异氰脲酸酯17g及甲苯17g的混合液后,将套管温度上升至105℃,进一步经30分钟滴加三烯丙基异氰脲酸酯66g、甲苯66g及铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(以铂计,含有3重量%)0.033g的混合液。在滴加结束4小时后,通过1H-NMR确认了烯丙基的反应率为95%以上,通过冷却结束反应。 
1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的未反应率为0.8%。减压蒸馏除去未反应的1,3,5,7--四甲基环四硅氧烷、甲苯和烯丙基缩水甘油基醚的副产物(烯丙基缩水甘油基醚的乙烯基的内转移物(顺式体及反式体))至其合计为5,000ppm以下,得到无色透明的液体。通过1H-NMR的测定可知得到的化合物为1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的SiH基的一部分与烯丙基缩水甘油基醚及三烯丙基异氰脲酸酯进行反应,平均具有下述[化学式34]所示的结构。在下述[化学式34]中,a+b=3、c+d=3、e+f=3、a+c+e=3.5、b+d+f=5.5。 
[化学式34] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000761
(配合例1) 
根据表1的内容配合各成分来制备热固性树脂组合物A~D。 
表1 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000771
(实施例1) 
将表1所示的配合例中得到的热固性树脂组合物C50重量份、下述(D)成分27重量份、下述(E)成分557重量份及下述(F)成分239重量份均匀地混合,制备热固性树脂组合物(Xa)。另外,以上述各成分的比率进行称量使得总计为100g并均匀地进行混合。以下的实施例也相同。 
(D)成分:两末端含乙烯基的直链状甲基苯基有机硅(商品名:PDV2331、Gelest公司制、相对于总取代基,苯基的量为22~25摩尔%) 
(E)成分:球状二氧化硅(商品名:MSR-2212-TN、(株)龙森制、比重2.2、平均粒径24.8μm、12μm以下的粒子的比例:28%) 
(F)成分:氧化钛(商品名:TIPAQUE PC-3、石原产业(株)制、金红石型、比重4.2、氯法、表面有机:Al、Si、聚甲基氢硅氧烷、平均粒径0.21μm、12μm以下的粒子的比例:100%) 
(MAP(Mold Array Package)状带引线框架的树脂成形体的制作) 
准备在表面镀敷有厚度3μm的Ag的长50mm、宽55mm、厚度0.25mm的Cu制的引线框架。引线框架为图14所示的框架单元22遍及纵15列、横12列平行地排列而成的一体成形品。在该引线框架的各框架单元22使长宽向的间隔为1.1mm形成树脂成形体(反射镜)180个。对各树脂成形体而言,凹部的内部空间的形状为倒圆锥台状,凹部开口面的直径为2.1mm,凹部底部的直径为1.8mm,凹部内壁面相对于凹部底面的倾斜角度为75°,高度为0.55mm,在沿凹部底部的横向直径距右端0.45mm处具有沿纵向延伸的宽度约0.2mm的绝缘部,框架单元22的第一、第二引线23、24电绝缘。 
使用Apicyamada株式会社制G-Line手压机实施传递模塑成形。合模力设为 30ton、注入压力设为7.7MPa、注入速度设为3mm/s。称量5.0g白色复合物(热固性树脂组合物(Xa)),赋形为圆柱状片,填充于柱塞筒内,在面临模具的成形用内部空间的表面涂布喷淋式氟系脱模剂(商品名:Die FREE GA-7500、大金工业(株)制)。成形条件设为170℃/3分钟、7.8~13.7MPa。另外,在用于传递模塑成形的模具中,将上模具的上侧对齐面上所形成的上侧凹部的底面的Rz调整成6.0μm。 
进而,在上述成形后,在180℃进行1小时的固化。将树脂成形体从上模具中脱模时,未产生因树脂成形体的变形或界面剥离引起的破坏。 
对得到的树脂成形体调查微观不平度十点高度(Rz)、玻璃化转变温度(Tg)、光反射率及固体13CNMR光谱。将结果示于表2。 
(实施例2) 
混合表1所示的配合例中得到的热固性树脂组合物D5.25重量份、下述(D)成分2.81重量份、下述(E)成分58.23重量份、下述(F)成分33.51重量份及下述(G)成分0.20重量份,制备热固性树脂组合物(Xb)。 
(D)成分:两末端含乙烯基的直链状甲基苯基有机硅(PDV-2331) 
(E)成分:二氧化硅(MSR-2212-TN) 
(F)成分:氧化锌(氧化锌1种、比重5.6、平均粒径0.6μm、SAKAI CHEMICAL INDUSTRY(株)制) 
(G)成分:硬脂酸钙 
使用上述得到的热固性树脂组合物(Xb)代替热固性树脂组合物(Xa),除此以外,与实施例1同样地制作树脂成形体。将树脂成形体从上模具中脱模时,未产生因树脂成形体的变形或界面剥离引起的破坏。对得到的树脂成形体调查微观不平度十点高度(Rz)、玻璃化转变温度(Tg)、光反射率及固体13CNMR光谱。将结果示于表2。 
另外,在实施例1,即使使用表1所示的热固性树脂组合物A或B代替热固性树脂组合物C,也可得到与实施例1同样的结果。 
(比较例1) 
将甲基三氯硅烷100重量份、甲苯200重量份放入1L的烧瓶中,在冰浴下将水8重量份及异丙醇60重量份的混合液将内温设为-5~0℃并经5~20小时进行液中滴加。然后,对反应混合物进行加热在回流温度下搅拌20分钟。然后冷却至室温,将水12重量份设为30℃以下并在30分钟内滴加,搅拌20分钟。进而滴加水25重量份后,在40~45℃下搅拌60分钟。然后,加入水200重量份分离有机层。对该有机层进行清洗至中性,然后,通过进行共沸脱水、过滤、减压汽提,得到下述 式所示的无色透明的固体(熔点76℃)36.0质量部的热固性有机聚硅氧烷。 
(CH3)1.0Si(OC3H7)0.06(OH)0.11O1.4
将上述得到的热固性有机聚硅氧烷100重量份、二氧化钛(白色颜料、金红石型、平均粒径0.3μm,商品名:PFC-104、石原产业株式会社制)100重量份、无机填充材料(球状熔融二氧化硅、平均粒径20μm、商品名:MSR-200、株式会社龙森制)560重量份、无机填充材料(球状熔融二氧化硅、平均粒径0.5μm,商品名:Admafine S0-25R、Adomatec株式会社)40重量份及固化催化剂(苯甲酸锌、和光纯药工业(株)制)3重量份用连续混炼捏合机均匀地熔融混合,进行冷却及粉碎而制备有机硅类热固性树脂组合物。 
使用上述得到的有机硅类热固性树脂组合物,且不对上模具上所形成的上侧凹部底面的Rz进行调整,除此以外,与实施例1同样地制作树脂成形体。将树脂成形体从上模具中脱模时,未产生树脂成形体的变形或破坏。对得到的树脂成形体调查凹部开口面的微观不平度十点高度(Rz)、玻璃化转变温度(Tg)、光反射率及固体 13CNMR光谱。将结果示于表2。 
(比较例2) 
从市售的白色LED灯泡(商品名:EVERREDS、Panasonic(株)制)中取出发光装置,调查树脂成形体的微观不平度十点高度(Rz)、玻璃化转变温度(Tg)、光反射率及固体13CNMR光谱。将结果示于表2。 
[表2] 
※1有机硅树脂雾度 
※2EVERLEDS(商品名、Panasonic(株)制)安装的LED包装 
如实施例1及2所示,通过调整树脂成形体的凹部开口面的Rz为1μm~10μm,在将树脂成形体从上模具中脱模时,可显著抑制因树脂成形体的变形或界面剥离引起的破坏的产生。 
另外,由表2中的实施例1及2和比较例1及2的比较可知,通过使用热固性树脂组合物(X),光反射率、耐热性及反射保持率显著地提高。另外,比较例1显示良好的光反射率,但玻璃化转变温度低达-2℃,因此,自模具的脱模时强度不充分,在进行伴随树脂成形体的形成为一个个片的切削加工时,机械强度变得不充分,树脂成形部缺口等不能满足作为制品的充分的品质。 
(实施例3~10、比较例3~4) 
在精密热压机(商品名:CYPF-10、新东工业(株)制)的上下压板的上模具中安装表面粗糙度不同的模具套管[(微观不平度十点高度(Rz)=0.9、2.5、5.8、10.6、15.6(μm)],在下模具中安装微观不平度十点高度(Rz)=0.9的模具。使用该装置,将热固性树脂组合物(Xa)或(Xb)以170℃×固化时间2分钟、脱模速度0.2mm/s、样品形状:φ30×厚度1mm的方式进行压制成形。然后,评价开模时的成形物的剥离模式。 
此时,将于在树脂成形体上没有裂纹或破坏等缺陷的状态下从模具界面中剥离的情况设为AF:界面剥离(Adhesive Failure)、将树脂成形体粘贴在模具上等产生裂纹或破坏的情况设为CF:凝聚破坏(Cohesive failure)。 
另外,在可取得平板样品的情况下,测量成形体表面的微观不平度十点高度Rz(μm)和成形体表面的光反射率(%)(在460nm、N=5平均)。观察表面外观。用肉眼观察表面状态(凸凹)并进行评价。将具有表面光泽且平滑的外观设为○,将具有表面光泽且可肉眼观察到凹凸的外观设为△,将表面光泽低且可肉眼观测到凸凹的外观设为×。 
另外,调查固体13CNMR光谱。 
将实施例3~6及比较例3的结果示于表3。将实施例7~10及比较例4的结果示于表4。 
[表3] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000811
[表4] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000812
由表3及表4可知,由实施例3~6及实施例7~10中使用的热固性树脂组合物(Xa,Xb)得到的树脂成形体在使用微观不平度十点高度不同的(Rz=0.9~10.6)模具进行成形时,显示优异的脱模性和机械强度。 
另外,树脂成形体表面的Rz为10以上时(比较例3、比较例4),与实施例3~6及7~10中得到的成形体相比,成形体表面的光反射率降低约2%。进而,通过目视进行观察,光泽度降低且用肉眼观察到表面的凸凹。 
通过这样规定成形体表面的Rz,明确了可得到具有优异的光反射率的树脂成形体的条件。 
(配合例2) 
通过表5所示的配合比例均匀地混合下述表5所示的各成分,制备热固性树脂 组合物(Xc)及(Xd)。 
[表5] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000821
1)有机硅树脂(商品名:OE6630A/BKet、将A剂和B剂以1:4混合,东丽道康宁(株)制) 
2)环氧树脂(商品名:Pelnox(注册商标)ME-500、将日本Pelnox(株)制)和固化剂(商品名:Pelcure(注册商标)HV-540、日本Pelnox(株)制)以重量比1:1混合。 
(参考例1~10) 
在与实施例3~10及比较例3~4同样的条件下如下实施压制成形。在精密热压机(CYPF-10)的上下压板的上模具中安装表面粗糙度不同的模具套管[(微观不平度十点高度(Rz)=0.9、2.5、5.8、10.6、15.6(μm)],在下模具中安装微观不平度十点高度(Rz)=0.9的模具。使用该装置,将热固性树脂组合物(X)以170℃×固化时间2分钟、脱模速度0.2mm/s、样品形状:φ30×厚度1mm的方式进行压制成形。然后,评价开模时的成形物的剥离模式,另外,评价固体13CNMR光谱。将参考例1~5的结果示于表6,将参考例6~10的结果示于表7。 
在应用的固化条件(170℃×2分钟)中,如表6及表7所示,与模具粗糙度无关,将热固性树脂组合物(Xc)及(Xd)作为材料的任何树脂成形物均为凝聚破坏(CF),脱模性差且树脂强度也低,无法得到令人满意的成形体。因此,无法测定玻璃化转变温度(Tg)。 
[表6] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000831
[表7] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000832
(实施例11) 
将热固性树脂组合物D:5.25重量份、下述(D)成分2.81重量份、下述(E)成分58.23重量份、下述(F)成分33.51重量份及下述(G)成分0.20重量份进行混合,与实施例2同样地制备热固性树脂组合物(Xb)。使用该热固性树脂组合物(Xb),如下制作树脂成形体的集合体。 
(D)成分:两末端含乙烯基的直链状甲基苯基有机硅(PDV-2331) 
(E)成分:二氧化硅(MSR-2212-TN) 
(F)成分:氧化锌(氧化锌1种、比重5.6、平均粒径0.6μm、SAKAI CHEMICAL INDUSTRY(株)制) 
(G)成分:硬脂酸钙 
(MAP(Mold Array Package)状带引线框架的树脂成形体的制作) 
准备长50mm、宽55mm、厚度0.25mm的Cu制的引线框架。引线框架为图14所示的框架单元22遍及纵15列、横12列平行地排列而成的一体成形品。在该引线框架表面上形成厚度3μm的Ag镀敷层,进而,在镀Ag层的表面以厚度0.005μm~0.006μm的范围形成镀Au层。在该引线框架的各框架单元22使长宽向的间隔为1.1mm形成树脂成形体(反射镜)180个。对各树脂成形体而言,凹部的内部空间的形状为倒圆锥台状,凹部开口面的直径为2.1mm,凹部底部的直径为1.8mm,凹部内壁面相对于凹部底面的倾斜角度为75°,高度为0.55mm,在沿凹部底部的横向直径距右端0.45mm处具有沿纵向延伸的宽度约0.293mm的绝缘部,将框架单元22的第一、第二引线23、24电绝缘。 
使用Compact manual molding装置(商品名:G-Line manualsystem、Apicyamada(株)制)实施传递模塑成形。设为合模力30ton、注入压力7.7MPa、注入速度3mm/s。称量白色复合物(热固性树脂组合物Xb)5.0g,制成赋形为圆柱状的片,装填于柱塞筒内,在面临模具的成形用内部空间的表面涂布喷淋式氟系脱模剂(商品名:Die FREE GA-7500、大金工业(株)制)。成形条件设为170℃/3分钟、7.8~13.7MPa。另外,在用于传递模塑成形的模具中,将上模具的上侧对齐面上所形成的上侧凹部的底面的Rz调整为6.0μm。进而,在上述成形后,在180℃下进行1小时的固化。将树脂成形体从上模具中脱模时,未产生因树脂成形体的变形或界面剥离引起的破坏。 
(实施例12) 
在长50mm、宽55mm、厚度0.25mm的Cu制引线框架的表面以镀Au层为外表面层的方式形成Ni-Pd-Au的3层镀敷层。镀Ni层的厚度设为0.5~2.0μm的范围。镀Pd层的厚度设为0.01~0.15μm的范围。镀Au层的厚度设为0.003~0.01μm的范围。使用该引线框架,除此以外,与实施例11同样地制作树脂成形体的集合体。 
(实施例13) 
使用在表面形成了厚度2~5μm的范围的镀Ag层的长50mm、宽55mm、厚度0.25mm的Cu制的引线框架,除此以外,与实施例11同样地制作树脂成形体的集合体。 
对实施例11~13中得到的树脂成形体调查凹部开口面的微观不平度十点高度(Rz)、玻璃化转变温度(Tg)、光反射率、安装了发光元件的发光装置的初期亮度及使用的引线框架的耐硫化性。将结果示于表8。 
[发光特性评价] 
使用接合装置(ダイボンダー装置)及环氧性接合剂(エポキシ性ダイボンド剤)(商品名:DX-20C、Henkel公司制造),在上述得到的树脂成形体的集合体(带引线框架的树脂成形体)的各凹部上接合发光元件(商品名:B1213、Genetits公司制造),并通过线接合装置将在各凹部底部露出的第1、第2内部引线部和发光元件接线。然后,针对各凹部,通过分散装置分散有机硅类密封剂(东丽道康宁公司制造OE6630、A剂和B剂各自的比例为1:4混合的透明固化性树脂),对安装了发光元件的部位进行密封。然后,进行了150℃2小时的固化,得到了表面安装型发光装置的集合基板。通过切割装置将表面安装型发光装置的集合基板切割成30mm×30mm大小,得到形成为一个个片的表面安装型发光装置。发光特性的评价使用光度测定装置,依据CIE127(ConditionB)来实施。此外,将表面安装发光装置安装在通电评价用印刷基板上,测定了通电恒电流20mA时的初期亮度(cd:相当于CANDELA)。 
[引线框架耐硫化试验] 
按照下述方法对实施了镀Ag、镀Au-Ag以及镀Au-Pd-Ni的Cu制的引线框架的耐硫化性进行了评价。预先测定了引线框架表面的光泽度(值)。然后,向烧杯(1L)中添加纯水200mL、含有多硫化硫的成分(商品名:汤之素、村上商会制造)5mL,边利用带磁性搅拌器的加热器搅拌边加温至80℃。将各个引线框架贴附在丙烯酸类板上,盖上盖子使得引线框架进入烧杯的开口部中。这期间,产生了硫化氢并暴露于引线框架。30分钟后打开盖子,利用微小面分光色差计(商品名:VSS400、日本电色工业株式会社制造)测定了引线框架样品的反射浓度(BLK值)。 
[表面安装型发光装置的耐硫化试验] 
将形成为一个个片的表面安装型发光装置在60℃、湿度80%、硫化氢3ppm的环境下放置96小时。然后,取出该发光装置,测定了引线框架的色变化(目测)以及利用上述方法测定了初期亮度。 
[表8] 
Figure DEST_PATH_GDA0000362071830000861
实施例11~13的树脂成形体均未在模具脱模时产生变形或破坏,光反射率及光反射保持率也良好,另外,硫化试验前后的初期亮度为0.5~1左右的范围,均在实用方面是充分的。另外,实施例13的树脂成形体在硫化试验后镀Ag层变色成茶褐色,在硫化试验前后初期亮度降低约70%左右。与此相对,实施例11及12的树脂成形体通过形成镀Au层作为外表面层,虽然确认到认为起因于镀敷材质的硫化试验前的初期亮度的稍微降低,但没有硫化试验前后的初期亮度的变化,因此,明确了通过形成规定厚度的镀Au层作为外表面层,可抑制发光亮度的降低,可进一步提高表面安装型发光元件的长期的可靠性。 
(实施例14~16) 
在图10所示的模具20中,将第一凸部32的外周面32b分为与第一凸部32的顶面32a相连的第一外周面和与第一外周面相连的第二外周面。将第一外周面相对于顶面32a的倾斜角(顶面32a和第一外周面所成角的角度)设为90°(实施例14及15)或120°(实施例16),将第二外周面相对于顶面32的倾斜角(顶面32a和第二外周面的延长线所成角的角度)设为140°(实施例14)或150°(实施例15、16),将第一外周面和第二外周面的边界设在距外周面32b中的顶面32a高度100μm(实施例14、15) 或50μm(实施例16)的区域。另外,在长宽交替设有具有由第一外周面和第二外周面构成的外周面32b的第一凸部32和具有相对于底面32a的倾斜角为一定即140°的外周面32b的第一凸部32。另外,将上侧凹部33的底面33a的微观不平度十点高度Rz调整成6.0μm。 
使用上述模具,且使用热固性树脂组合物(Xb)代替热固性树脂组合物(Xa),除此以外,与实施例1同样地制作MAP状带引线框架的树脂成形体。将得到的树脂成形体从上模具中脱模时,未产生因树脂成形体的变形或界面剥离引起的破坏,另外,也未在与树脂固化物的引线框架接触的部分中产生树脂缺口或树脂毛边(以下,简称为“树脂毛刺”)对引线框架的附着。根据本实施例,得到具有图8所示的第一斜面61的倾斜角α1、第二斜面60的倾斜角α2及第一斜面61和第二斜面60的边界距凹部内壁面13b的底面13a的高度(h)为图9所示的值的凹部的树脂成形体的集合体。 
(实施例17~18) 
未将第一凸部32的外周面32b分为第一外周面和第二外周面,将顶面32a和外周面32b所成的角的角度设为150°(实施例17)或140°(实施例18),除此以外,与实施例14同样地制作MAP状带引线框架的树脂成形体。将得到的树脂成形体从上模具中脱模时,未产生因树脂成形体的变形或界面剥离引起的破坏。根据本实施例,得到具有内壁面13b相对于底面13a的倾斜角为表9所示的值的凹部的树脂成形体的集合体。 
[表9] 
  实施例14 实施例15 实施例16 实施例17 实施例18
α1(°) 40 30 30 30 40
α2(°) 90 90 60 30 40
h(μm) 100 100 50 0 0
树脂缺口
树脂毛刺
成形后,目视确认在树脂固化物和引线框架的界面及露出凹部的引线框架,结果,在实施例14~16的树脂成形体的集合体中几乎未确认到树脂缺口及树脂毛刺。另一方面,在实施例17及18的树脂成形体的集合体中,通过目视确认到微少的树脂缺口及树脂毛刺,进而,通过利用光学显微镜进行确认,确认到极微细的树脂缺口及树脂毛刺。由实施例14~16和实施例17及18的比较明确了通过形成具有由倾斜角为45°~90°的第二斜面和倾斜角为超过0°且45°以下的第一斜面构成的内壁面的凹部,可显著地抑制树脂缺口或树脂毛刺的产生。 

Claims (23)

1.一种表面安装型发光装置用树脂成形体,其为将树脂固化物和多个引线一体成形,且具有所述多个引线在底部露出的凹部的表面安装型发光装置用树脂成形体,其中, 
所述凹部的开口面的微观不平度十点高度为1μm以上且10μm以下, 
所述树脂固化物的玻璃化转变温度为10℃以上,所述玻璃化转变温度为使用热机械分析装置、在温度范围-50~250℃、升温速度5℃/分钟及样品尺寸长度1~5mm的条件下所测得的值,并且 
所述凹部的开口面对波长为460nm的光的光反射率为80%以上,将所述树脂成形体在180℃下加热72小时后的所述开口面的光反射率的保持率为90%以上。 
2.根据权利要求1所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述多个引线的至少1个在其表面具有金属层,所述金属层在其表面侧具有外表面层,所述外表面层为厚度0.003~0.05μm的Au层、Au系合金层或光泽Ni层。 
3.根据权利要求2所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述金属层具有所述外表面层,以及介于所述引线的表面和所述外表面层之间的第二金属层,所述第二金属层为Ag层、Pd层或者Ag层和Pd层的叠层体。 
4.根据权利要求2所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述金属层为镀敷层。 
5.根据权利要求3所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述金属层为镀敷层。 
6.根据权利要求1~5中任一项所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于, 
所述凹部具有在所述底部露出所述多个引线的表面即底面, 
所述凹部的内壁面包含:与所述底面相连续且从所述底面的边缘立起且相对于所述底面的倾斜角为45°~90°的第二斜面,和与所述第二斜面相连续且从所述第二斜面的边缘向所述开口面立起且相对于所述底面的倾斜角为大于0°且45°以下的第一斜面,所述第一斜面和所述第二斜面的边界位于所述内壁面的、距离所述底面高度大于0μm且100μm以下的位置处。 
7.根据权利要求1~5中任一项所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于, 
所述多个引线含有以互相隔离的方式配置的第一引线和第二引线, 
所述树脂固化物含有介于所述第一引线和所述第二引线之间并使它们绝缘的绝缘部,所述绝缘部在被所述第一引线和所述第二引线所夹持的状态下在所述凹部的底部露出。 
8.根据权利要求6所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于, 
所述多个引线含有以互相隔离的方式配置的第一引线和第二引线, 
所述树脂固化物含有介于所述第一引线和所述第二引线之间并使它们绝缘的绝缘部,所述绝缘部在被所述第一引线和所述第二引线所夹持的状态下在所述凹部的底部露出。 
9.根据权利要求7所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述第一引线含有在所述凹部的底部露出的第一内部引线部和与所述树脂固化物接触的第一外部引线部,且所述第二引线含有在所述凹部的底部露出的第二内部引线部和与所述树脂固化物接触的第二外部引线部。 
10.根据权利要求9所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述第一外部引线部和/或所述第二外部引线部在外侧面露出。 
11.根据权利要求10所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,在所述外侧面,所述树脂固化物的露出面与所述第一外部引线部和/或所述第二外部引线部的露出面基本存在于同一平面上。 
12.根据权利要求9所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述第一内部引线部及所述第二内部引线部在其表面具有所述金属层,所述第一外部引线部及所述第二外部引线部在其表面不具有金属层。 
13.根据权利要求10所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述第一内部引线部及所述第二内部引线部在其表面具有所述金属层,所述第一外部引线部及所述第二外部引线部在其表面不具有金属层。 
14.根据权利要求11所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述第一内部引线部及所述第二内部引线部在其表面具有所述金属层,所述第一外部引线部及所述第二外部引线部在其表面不具有金属层。 
15.根据权利要求1~5中任一项所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述多个引线具有填充有所述树脂固化物的凹口部。 
16.根据权利要求6所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述多个引线具有填充有所述树脂固化物的凹口部。 
17.根据权利要求7所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述多个引线具有填充有所述树脂固化物的凹口部。 
18.根据权利要求9所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述多个引线具有填充有所述树脂固化物的凹口部。 
19.根据权利要求10所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述多个引线具有填充有所述树脂固化物的凹口部。 
20.根据权利要求11所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述多个引线具有填充有所述树脂固化物的凹口部。 
21.根据权利要求12所述的表面安装型发光装置用树脂成形体,其特征在于,所述多个引线具有填充有所述树脂固化物的凹口部。 
22.一种表面安装型发光装置,其具备:权利要求1~21中任一项所述的表面安装型发光装置用树脂成形体、安装于所述树脂成形体的凹部底部且与多个引线可通电地连接的发光元件和密封所述发光元件的透明树脂层。 
23.根据权利要求22所述的表面安装型发光装置,其特征在于,其安装有多个所述发光元件。 
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106932879A (zh) * 2015-11-12 2017-07-07 日月光半导体制造股份有限公司 光学器件封装及其制造方法
CN110076953A (zh) * 2014-09-29 2019-08-02 日亚化学工业株式会社 封装的制造方法、发光装置的制造方法及封装、发光装置
TWI675610B (zh) * 2015-02-24 2019-10-21 日商味之素股份有限公司 電路基板及其製造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2782150B1 (en) * 2011-11-17 2018-08-15 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package and backlight including same
JP6107559B2 (ja) * 2012-11-09 2017-04-05 豊田合成株式会社 発光装置
US9708492B2 (en) * 2013-01-10 2017-07-18 Konica Minolta, Inc. LED device and coating liquid used for production of same
TWI619208B (zh) * 2014-03-31 2018-03-21 具聚光結構之光學模組的封裝方法
US9929319B2 (en) * 2014-06-13 2018-03-27 General Electric Company LED package with red-emitting phosphors
JP6448986B2 (ja) * 2014-10-31 2019-01-09 Shマテリアル株式会社 リードフレームの製造方法
US10253963B2 (en) * 2015-04-27 2019-04-09 Hangzhou Hpwinner Opto Corporation LED module with high flame retardant grade
JP6518902B2 (ja) * 2016-05-31 2019-05-29 積水ポリマテック株式会社 熱伝導性部材、熱伝導性組成物および熱伝導性組成物の製造方法
US9847468B1 (en) * 2016-06-20 2017-12-19 Asm Technology Singapore Pte Ltd Plated lead frame including doped silver layer
JP6443429B2 (ja) * 2016-11-30 2018-12-26 日亜化学工業株式会社 パッケージ及びパッケージの製造方法、発光装置及び発光装置の製造方法
EP3802685A1 (en) * 2018-05-24 2021-04-14 Momentive Performance Materials Inc. Oil-bleed self-bonding liquid silicone rubber composition
KR102560908B1 (ko) * 2018-07-20 2023-07-31 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원 모듈
DE102018123031A1 (de) * 2018-09-19 2020-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und herstellungsverfahren für ein bauelement
JP6933817B2 (ja) * 2019-04-05 2021-09-08 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN114868235A (zh) * 2019-11-21 2022-08-05 德克萨斯仪器股份有限公司 具有低电阻背面触点的封装电子器件
CN115497387A (zh) * 2021-06-19 2022-12-20 深圳星河像素电子有限公司 一种防火led模组及其制作方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61269338A (ja) * 1985-05-24 1986-11-28 Hitachi Ltd 樹脂封止半導体装置およびその製造に用いるモ−ルド型
JPS63107532A (ja) * 1986-10-24 1988-05-12 Hitachi Ltd 成形金型
JP4065051B2 (ja) 1998-04-17 2008-03-19 スタンレー電気株式会社 表面実装ledとその製造方法
JP2000269551A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
JP3939177B2 (ja) * 2002-03-20 2007-07-04 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
JP2004152952A (ja) 2002-10-30 2004-05-27 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP5021151B2 (ja) 2003-11-19 2012-09-05 株式会社カネカ 半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物および半導体
JP4608294B2 (ja) 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
US7943946B2 (en) * 2005-11-21 2011-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
JP5232369B2 (ja) 2006-02-03 2013-07-10 日立化成株式会社 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
JP2007218980A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 反射体及びその製造方法
JP2008091818A (ja) * 2006-10-05 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法
JP2008162016A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP4623322B2 (ja) * 2007-12-26 2011-02-02 信越化学工業株式会社 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース及びその成形方法
US8030674B2 (en) * 2008-04-28 2011-10-04 Lextar Electronics Corp. Light-emitting diode package with roughened surface portions of the lead-frame

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110076953A (zh) * 2014-09-29 2019-08-02 日亚化学工业株式会社 封装的制造方法、发光装置的制造方法及封装、发光装置
CN110076953B (zh) * 2014-09-29 2021-06-04 日亚化学工业株式会社 封装的制造方法、发光装置的制造方法及封装、发光装置
TWI675610B (zh) * 2015-02-24 2019-10-21 日商味之素股份有限公司 電路基板及其製造方法
CN106932879A (zh) * 2015-11-12 2017-07-07 日月光半导体制造股份有限公司 光学器件封装及其制造方法
US10862014B2 (en) 2015-11-12 2020-12-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical device package and method of manufacturing the same

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