CN105916293B

CN105916293B - 电路基板及其制造方法

Info

Publication number: CN105916293B
Application number: CN201610095073.2A
Authority: CN
Inventors: 西村嘉生; 中村茂雄
Original assignee: Ajinomoto Co Inc
Current assignee: Ajinomoto Co Inc
Priority date: 2015-02-24
Filing date: 2016-02-22
Publication date: 2020-04-10
Anticipated expiration: 2036-02-22
Also published as: JP6413831B2; TWI675610B; KR20160103519A; CN105916293A; TW201635867A; JP2016157821A; KR102472271B1

Abstract

本发明提供制造电路基板时能够在含有无机填充材料的绝缘层上形成具有良好通孔形状的小直径通孔的技术。本发明的电路基板包含形成有开口直径为15μm以下的通孔的绝缘层，绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为150nm以下，绝缘层含有无机填充材料，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，将规定宽度的区域中所含的无机填充材料的最大直径的平均值设为n¹(μm)时，n¹×1.27的值(n²)为0.2μm以下。

Description

电路基板及其制造方法

技术领域

本发明涉及电路基板及其制造方法。

背景技术

为了电子设备的小型化、高功能化，广泛用于各种电子设备的电路基板要求电路布线的微细化、高密度化。作为电路基板的制造技术，已知采用将绝缘层和导体层交替层叠于内层基板上的堆叠(build up)方式的制造方法。在采用堆叠方式的制造方法中，通过例如使用包含支撑体和设置在该支撑体上的树脂组合物层的粘接膜等，将树脂组合物层层压在内层基板上，使树脂组合物层热固化，从而形成绝缘层。然后，通过在形成的绝缘层上利用激光进行开孔加工而形成通孔，进行除污处理，从而同时进行通孔内部的树脂残渣(沾污，smear)的除去和绝缘层表面的粗糙化(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-37957号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

在实现电路布线的进一步高密度化之际，期望通孔的小直径化。通孔通常利用激光进行开孔加工而形成，作为激光，目前主要使用穿孔速度快的在制造成本方面有利的二氧化碳激光。但是，通孔的小直径化有限制，例如利用二氧化碳激光难以形成开口直径25μm以下的通孔。

作为可用于形成通孔的激光，除了二氧化碳激光以外，还可列举出UV-YAG激光等UV固体激光。UV固体激光虽然不大用于形成通孔，但由于通常可获得较强的紫外区域的激光，所以不同于二氧化碳激光等的红外线激光，不产生热量。因此，UV固体激光能够进行更微细的加工，期待其有助于通孔的小直径化。

另一方面，为了应对高速信号传输，绝缘层的低介电常数化正在发展，适宜在绝缘层中含有无机填充材料。

本发明人等尝试在含有无机填充材料的绝缘层上利用UV-YAG激光等UV固体激光形成小直径通孔。结果发现，有时激光加工性降低，通孔的形状(也简称为“通孔形状”)劣化。尤其在为了实现介电常数低的绝缘层而提高绝缘层中无机填充材料含量的情况下，会产生较大问题。另外还发现，即便在利用UV固体激光形成通孔的绝缘层的算术平均粗糙度(Ra)值较高的情况下，也存在同样的问题。通孔形状的劣化导致导通可靠性的降低，而且通孔内部的沾污量的增大需要在严苛的条件下进行除污处理，阻碍了电路布线的微细化。

本发明要解决的技术问题在于提供制造电路基板时能够在含有无机填充材料的绝缘层上形成具有良好通孔形状的小直径通孔的技术。

用于解决技术问题的方案

本发明人等对上述课题进行了深入研究，结果发现通过使用规定的无机填充材料来制造电路基板能够解决上述课题，从而完成了本发明。

即，本发明包括以下内容，

[1]电路基板，其是包含绝缘层的电路基板，所述绝缘层形成有开口直径为15μm以下的通孔，其中，

绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为150nm以下，

绝缘层包含无机填充材料，

在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，将规定宽度的区域中所含的无机填充材料的最大直径的平均值设为n¹(μm)时，n¹×1.27的值(n²)为0.2μm以下；

[2]上述[1]所述的电路基板，其中，绝缘层表面的Ra为100nm以下；

[3]上述[1]或[2]所述的电路基板，其中，通孔的开口直径为12μm以下；

[4]上述[1]~[3]中任一项所述的电路基板，其中，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，规定宽度的区域的树脂面积A₁与无机填充材料面积A₂满足0.1≤A₂/(A₁＋A₂)；

[5]上述[1]~[4]中任一项所述的电路基板，其中，通孔的开口直径D与通孔的最小直径D_min满足0.65≤D_min/D；

[6]上述[1]~[5]中任一项所述的电路基板，其中，绝缘层包含用硅烷化合物进行了表面处理的无机填充材料，所述硅烷化合物包含具有芳香环的有机基团；

[7]上述[1]~[6]中任一项所述的电路基板，其中，无机填充材料为二氧化硅；

[8] 半导体装置，其包含上述[1]~[7]中任一项所述的电路基板；

[9]电路基板的制造方法，其包括：

(A)将包含支撑体和设置在该支撑体上的树脂组合物层的粘接膜层压在内层基板上，使树脂组合物层与内层基板接合的工序；

(B)在带有支撑体的状态下使树脂组合物层热固化而形成绝缘层的工序；以及

(C)利用UV固体激光在绝缘层上形成开口直径为15μm以下的通孔的工序；

其中，工序(B)中形成的绝缘层包含无机填充材料，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，将规定宽度的区域中所含的无机填充材料的最大直径的平均值设为n¹(μm)时，n¹×1.27的值(n²)为0.2μm以下；

[10]电路基板的制造方法，其包括：

其中，工序(A)中使用的粘接膜的树脂组合物层包含30质量%以上的BET比表面积为20m²/g以上的无机填充材料；

[11]电路基板的制造方法，其包括：

(C)利用UV固体激光在绝缘层上形成开口直径为15μm以下的通孔的工序，

其中，工序(A)中使用的粘接膜的树脂组合物层包含30质量%以上的平均粒径0.2μm以下的无机填充材料；

[12]上述[10]所述的方法，其中，无机填充材料的BET比表面积为20m²/g以上且500m²/g以下；

[13]上述[11]所述的方法，其中，无机填充材料的平均粒径为0.01μm以上且0.2μm以下；

[14]上述[9]~[13]中任一项所述的方法，其中，在工序(C)之前除去支撑体；

[15]上述[9]~[14]中任一项所述的方法，其中，绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为150nm以下；

[16]上述[9]~[15]中任一项所述的方法，其中，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，规定宽度的区域的树脂面积A₁与无机填充材料面积A₂满足0.1≤A₂/(A₁＋A₂)；

[17]上述[9]~[16]中任一项所述的方法，其中，通孔的开口直径D与通孔的最小直径D_min满足0.65≤D_min/D；

[18]上述[9]~[17]中任一项所述的方法，其中，绝缘层包含用硅烷化合物进行了表面处理的无机填充材料，所述硅烷化合物包含具有芳香环的有机基团；

[19]上述[9]~[18]中任一项所述的方法，其中，无机填充材料为二氧化硅。

发明的效果

根据本发明，在制造电路基板时，能够在含有无机填充材料的绝缘层上形成具有良好通孔形状的小直径通孔。

附图说明

图1是用于说明计算在绝缘层的截面中、规定宽度的区域内的无机填充材料的最大直径平均值的方法的示意图；

图2是用于说明通孔形状的示意图。

具体实施方式

首先，对本发明的构思进行说明。

本发明中，在满足下列条件(i)和(ii)的情况下，在绝缘层上利用UV固体激光形成小直径(例如开口直径为15μm以下)的通孔：

(i)绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为150nm以下；以及

(ii)在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，将规定宽度的区域中所含的最大直径的平均值设为n¹(μm)时，n¹×1.27的值(n²)为0.2μm以下。

本发明人等通过在制造电路基板时，在满足上述特定条件(i)和(ii)的情况下利用UV固体激光进行开孔加工，从而实现能够在含有无机填充材料的绝缘层上形成具有良好通孔形状的小直径通孔。

-条件(i)-

条件(i)涉及绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)。本发明人等发现，在利用UV固体激光形成小直径通孔的情况下，绝缘层表面的Ra对通孔形状有很大影响。

从形成具有良好通孔形状的小直径通孔的观点出发，绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为150nm以下，优选为140nm以下，更优选为130nm以下，进一步优选为120nm以下，进一步更优选为110nm以下，特别优选为100nm以下，90nm以下，80nm以下，或70nm以下。该Ra的下限没有特别限定，从使绝缘层与导体层的密合强度稳定化的观点出发，通常可为1nm以上、5nm以上、10nm以上等。绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)可以使用非接触型表面粗糙度仪测定。作为非接触型表面粗糙度仪的具体例，可列举出维易科精密仪器有限公司(ビーコインスツルメンツ社)制的“WYKO NT3300”。

-条件(ii)-

条件(ii)涉及绝缘层中的无机填充材料的粒径。本发明人等发现，在利用UV固体激光形成小直径通孔的情况下，绝缘层中的无机填充材料的粒径对通孔形状有很大影响。

从形成具有良好通孔形状的小直径通孔的观点出发，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面(简称为“绝缘层的截面”)中，将无机填充材料的最大直径的平均值设为n¹(μm)时的n¹×1.27的值(n²)为0.2μm以下，优选为0.18μm以下，更优选为0.16μm以下，进一步优选为0.14μm以下，0.12μm以下，或0.1μm以下。n²的下限没有特别限定，通常为0.01μm以上，优选为0.02μm以上，进一步优选为0.03μm以上、0.04μm以上、或者0.05μm以上。应予说明，经确认n²与实际的无机填充材料的平均粒径大致一致。

绝缘层的截面可以适宜使用FIB-SEM复合装置进行观察。作为FIB-SEM复合装置，例如可列举出SII Nano Technology (株)制“SMI 3050SE”。可以利用FIB(聚焦离子束)对该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面进行切削后，使用SEM(扫描型电子显微镜)观察该截面，获取截面SEM图像。采用SEM的观察范围、观察倍率只要能够适当计算绝缘层的截面中规定宽度的区域中所含的无机填充材料的最大直径，则没有特别限定，可以根据所用装置的使用说明来决定。

在获取最大直径的平均值n¹时，“规定宽度的区域”是指，截面SEM图像中绝缘层的总厚度t(μm)×宽度w(μm)的区域。宽度w只要在截面SEM图像中可观察的范围内则没有特别限制，例如优选为15μm。即，在获取最大直径的平均值n¹时，优选在截面SEM图像中绝缘层的总厚度t(μm)×宽度15(μm)的区域内获取n¹。

另外，“最大直径”是指，截面SEM图像内观察到的无机填充材料粒子中最大的直径。应予说明，在无机填充材料的超过最大直径的1/2进入宽度w(μm)的区域内的情况下，该无机填充材料判定为“宽度w(μm)的区域中所含的无机填充材料”。参照图1，对无机填充材料的最大直径平均值的计算方法进行更详细的说明。图1示出了含有树脂成分10和无机填充材料12的、厚度t的绝缘层10的截面。图1所示的绝缘层的截面中，用点划线表示作为代表选择的无机填充材料的最大直径。在左右侧的无机填充材料中，仅不足其最大直径的1/2进入宽度w(μm)的区域中的无机填充材料判定为不包含在宽度w(μm)的区域内。因此，对于图1所示的绝缘层的截面，宽度w(μm)的区域内存在的无机填充材料的数量判定为2个，分别求出其最大直径，计算出最大直径的平均值。对于绝缘层样品，可以获取足够数量(N₁)的截面SEM图像，求出宽度w(μm)的区域中所含的无机填充材料的最大直径的平均值，作为最大直径的平均值n¹。此处，N₁适宜为10以上。本发明中，最大直径的平均值n¹可以按照后述<绝缘层中的无机填充材料的粒径的评价>中所记载的步骤进行计算。

根据满足上述条件(i)和(ii)的本发明，可以形成具有良好通孔形状的小直径通孔。随着通孔的小直径化，存在通孔形状、内部沾污量的问题变得显著的趋势，但根据本发明的方法，能够不使通孔形状劣化而有利地形成具有例如15μm以下，优选为14μm以下，更优选为12μm以下，进一步优选为10μm以下，9μm以下，8μm以下，7μm以下，6μm以下，或5μm以下的开口直径(顶部直径)的通孔。通孔的开口直径的下限没有特别限定，通常可为1μm以上、2μm以上、3μm以上等。

如上所述，本发明人等发现，如果绝缘层中含有一定量以上的粒径大的无机填充材料，则利用UV固体激光的激光加工性降低，有时通孔的形状(也简称为“通孔形状”)劣化、或者通孔内部的沾污量增大。尤其如果无机填充材料的含量增加则问题更为显著。对此，根据本发明，即使在绝缘层中的无机填充材料含量高的情况下，也能在该绝缘层上形成具有良好通孔形状的小直径通孔。

绝缘层中的无机填充材料含量可以采用绝缘层的截面中无机填充材料的面积比进行评价。详细而言，绝缘层中的无机填充材料含量可以采用将绝缘层的截面中规定宽度的区域的树脂面积设为A₁、将无机填充材料面积设为A₂时的A₂/(A₁+A₂)的值来进行评价。A₂/(A₁+A₂)的值越大，则表示绝缘层中的无机填充材料含量越高。从绝缘层的低介电常数化的观点出发，A₂/(A₁+A₂)的值优选为0.1以上(即0.1≤A₂/(A₁+A₂))，更优选为0.2以上，进一步优选为0.25以上，进一步更优选为0.26以上。A₂/(A₁+A₂)的值的上限没有特别限定，但从绝缘层的机械强度等观点出发，优选为0.9以下，更优选为0.8以下。应予说明，本发明中，“树脂面积”是指树脂成分所占的面积。关于树脂面积，所谓“树脂成分”是指，构成绝缘层的成分中，除无机填充材料以外的成分。绝缘层的截面中A₂/(A₁+A₂)的值可以按照后述<绝缘层截面中的树脂面积和无机填充材料面积的测定>中所记载的步骤求出。规定宽度的区域如上所述。

本发明中，在满足上述条件(i)和(ii)的情况下，利用UV固体激光在绝缘层上形成小直径通孔。

作为UV固体激光，可以使用公知的各种UV固体激光，例如可列举出UV-YAG激光、UV-YLF激光、UV-YVO₄激光等，其中优选UV-YAG激光。

UV-YAG激光是UV固体激光的一种，是将钇铝石榴石(简称YAG)结晶中掺杂其他元素取代晶体结构内的钇的一部分而得的物质用作固体激光的振荡用介质的激光。通常使用掺杂钕(Nd)的Nd:YAG。使用将Nd:YAG的激光的基本波长用LBO(LiB₃O₅)结晶进行波长转换而成的激光(3倍波：355nm、4倍波：266nm)等。另外，还使用将BBO(β-BaB₂O₄)结晶、KTP(KTiOPO₄)结晶用作高次谐波发生用元件的激光。

利用UV固体激光的开孔加工条件(例如激光波长、脉冲数、脉宽、输出功率)只要能形成具有良好通孔形状的小直径通孔则没有特别限定，可以根据所用UV固体激光加工机的使用说明，在常规加工条件的范围内适当决定。UV固体激光可以使用市售的UV固体激光加工机，具体而言，作为市售的UV-YAG激光加工机，例如可列举出ビアメカニクス(株)制“LU-2L212/M50L”。

根据在满足上述条件(i)和(ii)的情况下利用UV固体激光进行开孔加工的本发明的方法，能够在含有无机填充材料的绝缘层(即便是无机填充材料含量高的绝缘层)上形成具有良好通孔形状的小直径通孔。

参照图2，对通孔的形状进行说明。图2示出了内层基板1、和以与该内层基板接合的方式设置的厚度t的绝缘层10，该绝缘层10上形成有(a)至(c)的典型的通孔。本发明中，通孔的“开口直径”(D)是指，绝缘层表面(图2中Z＝0的位置)的通孔的直径。另外，通孔的“最小直径”(D_min)是指，Z为0~t的范围内通孔的最小直径。通孔的“最大直径”(D_max)是指Z为0~t的范围内通孔的最大直径。例如，图2中(a)的通孔具有从绝缘层表面沿绝缘层的深度方向(Z)前进直径逐渐缩小的正向锥形形状(forward tapered shape)。该通孔(a)中，开口直径D为最大直径D_max，在通孔底部(图2中Z＝t的位置)呈现出最小直径D_min。在利用UV固体激光形成通孔的情况下，通常形成(a)的通孔。另外，有时形成图2中(b)或(c)的通孔。(b)的通孔是从绝缘层表面沿绝缘层的深度方向(Z)前进一定距离(k₁t；其中k₁为满足0<k₁<1的数值)的期间直径逐渐缩小，若进一步沿深度方向前进则直径逐渐增大。该通孔(b)中，开口直径D或通孔底部(Z＝t的位置)的直径为最大直径D_max，深度k₁t的位置呈现出最小直径D_min。(c)的通孔是从绝缘层表面沿绝缘层的深度方向(Z)前进一定距离(k₂t；其中k₂为满足0<k₂<1的数值)的期间直径逐渐增大，若进一步沿深度方向前进则直径逐渐缩小。该通孔(c)中，深度k₂t的位置呈现出最大直径D_max，开口直径D或通孔底部(Z＝t的位置)的直径为最小直径D_min。

从获得良好的导通可靠性的观点出发，无论(a)、(b)还是(c)的通孔，通孔的开口直径D与通孔的最小直径D_min均适宜满足0.65≤D_min/D。这是因为如果D_min/D值低，则会造成镀液向通孔内部的渗透劣化，进而导致导通可靠性降低。从获得更良好的导通可靠性的观点出发，D_min/D值优选为0.66以上，更优选为0.68以上，进一步优选为0.70以上、0.72以上、0.74以上、0.75以上、0.76以上、或者0.77以上。D_min/D值的上限为1，通常为0.99以下，0.98以下，0.95以下，0.90以下等。根据本发明的方法，能够有利地形成D_min/D值高的小直径通孔。D_min/D值可以如下求出：对于足够数量(N₂)的通孔，使用SEM对通孔开口部进行表面观察而求出。这是因为即使对于(c)的通孔，在通孔底部的直径小于开口直径D的情况下，也能够通过利用SEM的表面观察而测定最小直径D_min(在无法目视确认通孔底部直径的情况下，开口直径D为最小直径D_min)。N₂适宜为10以上。

应予说明，虽然大量形成(c)的通孔的情形稀少，但在此情况下通孔的开口直径D与通孔的最大直径D_max适宜满足D_max/D≤1.35。D_max/D值优选为1.30以下，更优选为1.20以下，进一步优选为1.10以下或1.05以下。D_max/D值的下限为1。D_max/D值可以如下求出：对于足够数量(N₂)的通孔，使用SEM对通孔截面进行观察而求出。N₂适宜为10以上。

本发明中，从形成良好通孔形状的小直径通孔的观点出发，绝缘层的厚度t(μm)与通孔的开口直径D(μm)优选满足t≤3D，更优选满足t≤2.5D，进一步优选满足t≤2D，进一步更优选满足t≤1.8D、t≤1.6D、t≤1.4D、或者t≤1.2D。绝缘层厚度t的下限没有特别限定，通常为1μm以上、2μm以上、3μm以上等。

在适宜的实施方式中，绝缘层通过将含有无机填充材料的树脂组合物层热固化而形成。

从充分降低绝缘层的介电常数而实现高速信号传输的观点出发，构成树脂组合物层的树脂组合物中无机填充材料的含量优选为20质量%以上，更优选为25质量%以上。

应予说明，本发明中，构成树脂组合物的各成分的含量是将树脂组合物中不挥发成分设为100质量%时的值。

如果使用含有无机填充材料的树脂组合物来形成绝缘层，则有时利用UV固体激光的激光加工性降低，通孔形状劣化。对此，在满足上述特定条件(i)和(ii)的情况下利用UV固体激光形成通孔的本发明中，可以使用无机填充材料含量高的树脂组合物而没有通孔形状的问题。例如，树脂组合物中无机填充材料的含量可提高至30质量%以上、40质量%以上、50质量%以上、60质量%以上、或者70质量%以上。

从防止绝缘层的机械强度下降的观点出发，树脂组合物中无机填充材料含量的上限优选为90质量%以下，更优选为85质量%以下。

从适宜满足上述条件(i)和(ii)的观点出发，无机填充材料的平均粒径优选为0.2μm以下，更优选为0.15μm以下，进一步优选为0.1μm以下。无机填充材料的平均粒径的下限没有特别限定，通常可为0.01μm以上、0.02μm以上等。作为具有如此平均粒径的无机填充材料的市售品，例如可列举出电气化学工业(株)制“UFP-30”、(株)アドマテックス制“YC100C”、“YA050C-MJE”等。无机填充材料的平均粒径可以通过基于米氏(Mie)散射理论的激光衍射散射法进行测定。具体而言，可以通过使用激光衍射散射式粒度分布测定装置，以体积标准制成无机填充材料的粒度分布，将其中值粒径作为平均粒径进行测定。测定样品可优选使用将无机填充材料用超声波分散于水中而成的样品。作为激光衍射散射式粒度分布测定装置，可以使用(株)堀场制作所制“LA-500”等。

从适宜满足上述条件(i)和(ii)的观点出发，无机填充材料的BET比表面积优选为20m²/g以上，更优选为25m²/g以上，进一步优选为30m²/g以上。上限没有特别限定，优选为500m²/g以下，更优选为400m²/g以下，进一步优选为300m²/g以下。无机填充材料的BET比表面积(m²/g)可以如下进行测定。具体而言，可以使吸附占有面积已知的分子在液氮温度下吸附于无机填充材料试样，由其吸附量求出无机填充材料试样的比表面积。作为吸附占有面积已知的分子，适宜使用氮、氦等惰性气体。无机填充材料的比表面积S(m²/g)可以使用自动比表面积测定装置进行测定，作为该自动比表面积测定装置，例如可列举出(株)マウンテック制“Macsorb HM-1210”。

作为无机填充材料，例如可列举出二氧化硅、氧化铝、玻璃、堇青石、硅氧化物、硫酸钡、滑石、粘土、云母粉、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、氧化镁、氮化硼、氮化铝、氮化锰、硼酸铝、钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、钛酸铋、氧化钛、锆酸钡、锆酸钙、磷酸锆、以及磷酸钨酸锆等。其中，无定形二氧化硅、熔融二氧化硅、结晶二氧化硅、合成二氧化硅、空心二氧化硅等二氧化硅特别适宜。另外，二氧化硅优选为球形二氧化硅。无机填充材料可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。

为了提高耐湿性，无机填充材料优选使用硅烷化合物、有机硅氮烷化合物、铝系偶联剂、钛系偶联剂、锆系偶联剂等的一种以上的表面处理剂进行处理。

特别是本发明人等发现，通过使用用硅烷化合物进行了表面处理的无机填充材料，所述硅烷化合物包含具有芳香环的有机基团，可以实现上述A₂/(A₁+A₂)值高且上述条件(ii)的n²低的绝缘层。因此，在适宜的一实施方式中，构成树脂组合物层的树脂组合物、进而绝缘层含有用硅烷化合物进行了表面处理的无机填充材料，所述硅烷化合物包含具有芳香环的有机基团。

从可实现A₂/(A₁+A₂)值高且n²低的绝缘层的观点出发，作为具有芳香环的有机基团，优选碳原子数为6~20(优选为6~14、更优选为6~12、进一步优选为6~10)的芳基，其中优选苯基。

作为无机填充材料的处理中所用的包含具有芳香环的有机基团的硅烷化合物，只要能够将上述具有芳香环的有机基团引入无机填充材料的表面则没有特别限定，可以进一步具有能与后述环氧树脂等树脂成分反应的反应基团(例如，氨基、环氧基、巯基等)。作为该硅烷化合物的具体例，可列举出苯基三甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、缩水甘油氧基丙基苯基二乙氧基硅烷、巯丙基苯基二甲氧基硅烷。作为硅烷化合物的市售品，例如可列举出信越化学工业(株)制“KBM103”(苯基三甲氧基硅烷)、信越化学工业(株)制“KBM573”(N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷)等。硅烷化合物可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。

利用表面处理剂的表面处理程度可以通过无机填充材料的每单位表面积的碳量进行评价。从可实现A₂/(A₁+A₂)值高且n²低的绝缘层的观点出发，无机填充材料的每单位表面积的碳量优选为0.02mg/m²以上，更优选为0.1mg/m²以上，进一步优选为0.2mg/m²以上。另一方面，从防止树脂清漆的熔融粘度、膜形态下的熔融粘度上升的观点出发，优选为1mg/m²以下，更优选为0.8mg/m²以下，进一步优选为0.5mg/m²以下。

无机填充材料的每单位表面积的碳量可以在使用溶剂(例如甲基乙基酮(MEK))对表面处理后的无机填充材料进行洗涤处理之后测定。具体而言，向用表面处理剂进行了表面处理的无机填充材料中加入足量的MEK作为溶剂，25℃下超声洗涤5分钟。可以在除去上清液，将固体成分干燥后，使用碳分析仪测定无机填充材料的每单位表面积的碳量。作为碳分析仪，可以使用(株)堀场制作所制“EMIA-320V”等。

在一个实施方式中，构成树脂组合物层的树脂组合物除了含有上述无机填充材料以外，还含有热固性树脂。作为热固性树脂，可以使用形成电路基板的绝缘层时所用的现有公知的热固性树脂，其中优选环氧树脂。构成树脂组合物层的树脂组合物还可以含有固化剂。因此，在一个实施方式中，树脂组合物除了含有无机填充材料以外，还含有环氧树脂和固化剂。

-环氧树脂-

作为环氧树脂，例如可列举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、三酚型环氧树脂、萘酚酚醛(naphtholnovolak)型环氧树脂、苯酚酚醛(phenol novolak)型环氧树脂、叔丁基邻苯二酚型环氧树脂、萘型环氧树脂、萘酚型环氧树脂、蒽型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂、甲酚甲醛(cresol novolak)型环氧树脂、联苯型环氧树脂、线型脂肪族环氧树脂、具有丁二烯结构的环氧树脂、脂环式环氧树脂、杂环式环氧树脂、含螺环环氧树脂、环己烷二甲醇型环氧树脂、亚萘基醚(naphthylene ether)型环氧树脂、三羟甲基型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂等。环氧树脂可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。

环氧树脂优选包含1分子中具有2个以上环氧基的环氧树脂。以环氧树脂的不挥发成分为100质量%时，优选至少50质量%以上为1分子中具有2个以上环氧基的环氧树脂。其中，树脂组合物优选单独包含温度20℃下为固态的环氧树脂(也称为“固态环氧树脂”)，或者包含固态环氧树脂与温度20℃下为液态的环氧树脂(以下称为“液态环氧树脂”)的组合。作为固态环氧树脂，优选为1分子中具有3个以上环氧基的固态环氧树脂，更优选为1分子中具有3个以上环氧基的芳香族系固态环氧树脂。作为液态环氧树脂，优选为1分子中具有2个以上环氧基的液态环氧树脂，更优选为1分子中具有2个以上环氧基的芳香族系液态环氧树脂。本发明中，芳香族系的环氧树脂是指在其分子内具有芳香环的环氧树脂。

作为液态环氧树脂，优选为双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、萘型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、苯酚酚醛型环氧树脂、具有酯骨架的脂环式环氧树脂、环己烷二甲醇型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、以及具有丁二烯结构的环氧树脂，更优选为双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、以及萘型环氧树脂。作为液态环氧树脂的具体例，可列举出DIC(株)制的“HP4032”、“HP4032H”、“HP4032D”、“HP4032SS”(萘型环氧树脂)、三菱化学(株)制的“jER828EL”、“828US”(双酚A型环氧树脂)、“jER807”(双酚F型环氧树脂)、“jER152”(苯酚酚醛型环氧树脂)、新日铁住金化学(株)制的“ZX1059”(双酚A型环氧树脂和双酚F型环氧树脂的混合物)、ナガセケムテックス(株)制的“EX-721”(缩水甘油酯型环氧树脂)、(株)ダイセル制的“Celloxide 2021P”(具有酯骨架的脂环式环氧树脂)、“PB-3600”(具有丁二烯结构的环氧树脂)。这些环氧树脂可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。

作为固态环氧树脂，优选为萘型4官能环氧树脂、甲酚甲醛型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、三酚型环氧树脂、萘酚型环氧树脂、联苯型环氧树脂、亚萘基醚型环氧树脂、蒽型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂，更优选为萘型4官能环氧树脂、萘酚型环氧树脂、联苯型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、以及双酚AF型环氧树脂。作为固态环氧树脂的具体例，可列举出DIC(株)制的“HP-4700”、“HP-4710”(萘型4官能环氧树脂)、“N-690”、“N-695”(甲酚甲醛型环氧树脂)、“HP7200”、“HP7200H”、“HP7200HH”(二环戊二烯型环氧树脂)、“EXA7311”、“EXA7311-G3”、“EXA7311-G4”、“EXA7311-G4S”、“HP6000”(亚萘基醚型环氧树脂)、日本化药(株)制的“EPPN-502H”(三酚型环氧树脂)、“NC7000L”(萘酚酚醛型环氧树脂)、“NC3000H”、“NC3000”、“NC3000L”、“NC3100”(联苯型环氧树脂)、新日铁住金化学(株)制的“ESN475V”(萘酚型环氧树脂)、“ESN485”(萘酚酚醛型环氧树脂)、三菱化学(株)制的“YX4000H”、“YL6121”(联苯型环氧树脂)、“YX4000HK”(联二甲酚型环氧树脂)、“YX8800”(蒽型环氧树脂)、大阪ガスケミカル(株)制的“PG-100”、“CG-500”、三菱化学(株)制的“YL7800”(芴型环氧树脂)、三菱化学(株)制的“jER1010”(固态双酚A型环氧树脂)、“YL7723”、“YL7760”(双酚AF型环氧树脂)、“jER1031S”(四苯基乙烷型环氧树脂)等。这些环氧树脂可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。

作为环氧树脂，在并用液态环氧树脂和固态环氧树脂的情况下，二者的量比(液态环氧树脂：固态环氧树脂)以质量比计优选为1:0.1~1:5的范围。通过使液态环氧树脂与固态环氧树脂的量比在该范围内，可以获得以下效果：i)在以后述粘接膜的形态使用的情况下可产生适度的粘着性；ii)在以粘接膜的形态使用的情况下可获得充分的挠性，操作性提高；以及iii)可得到具有充分断裂强度的绝缘层等效果。从上述i)~iii)的效果的观点出发，液态环氧树脂与固态环氧树脂的量比(液态环氧树脂：固态环氧树脂)以质量比计更优选为1:0.5~1:5的范围，进一步优选为1:1~1:4.5的范围，特别优选为1:1.5~1:4.5的范围。

树脂组合物中环氧树脂的含量优选为3质量%~60质量%，更优选为5质量%~55质量%，进一步优选为5质量%~45质量%。

环氧树脂的环氧当量优选为50~5000、更优选为50~3000、进一步优选为80~2000、进一步更优选为110~1000。通过使环氧树脂的环氧当量在此范围内，可以得到固化物的交联密度充分、表面粗糙度小的绝缘层。应予说明，环氧当量可按照日本工业标准JIS K7236进行测定，是含有1当量环氧基的树脂的质量。

环氧树脂的重均分子量优选为100~5000、更优选为250~3000、进一步优选为400~1500。此处，环氧树脂的重均分子量是采用凝胶渗透色谱(GPC)法测定的聚苯乙烯换算的重均分子量。

-固化剂-

作为固化剂，只要具有使环氧树脂固化的功能则没有特别限定，例如可列举出苯酚系固化剂、萘酚系固化剂、活性酯系固化剂、苯并噁嗪系固化剂、氰酸酯系固化剂、以及碳二亚胺系固化剂。固化剂可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。

从耐热性和耐水性的观点出发，苯酚系固化剂和萘酚系固化剂优选为具有酚醛树脂(novolak)结构的苯酚系固化剂、或者具有酚醛树脂结构的萘酚系固化剂。另外，从与导体层的密合强度的观点出发，优选为含氮苯酚系固化剂或含氮萘酚系固化剂，更优选为具有三嗪结构的苯酚系固化剂、或者具有三嗪结构的萘酚系固化剂。其中，从高度满足耐热性、耐水性、以及与导体层的密合强度的观点出发，优选为具有三嗪结构的苯酚酚醛树脂、或者具有三嗪结构的萘酚酚醛树脂。这些固化剂可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。

作为苯酚系固化剂和萘酚系固化剂的具体例，例如可列举出明和化成(株)制的“MEH-7700”、“MEH-7810”、“MEH-7851”、日本化药(株)制的“NHN”、“CBN”、“GPH”、新日铁住金化学(株)制的“SN-170”、“SN-180”、“SN-190”、“SN-475”、“SN-485”、“SN-495”、“SN-375”、“SN-395”、DIC(株)制的“LA-7052”、“LA-7054”、“LA-3018”、“LA-1356”、“TD2090”、“LA-3018-50P”等。

作为活性酯系固化剂没有特别限制，通常优选使用苯酚酯类、苯硫酚酯类、N-羟基胺酯类、杂环羟基化合物的酯类等1分子中具有2个以上反应活性高的酯基的化合物。该活性酯系固化剂优选为通过羧酸化合物和/或硫代羧酸化合物与羟基化合物和/或硫醇化合物的缩合反应所得的活性酯系固化剂。尤其从耐热性提高的观点出发，优选为由羧酸化合物与羟基化合物所得的活性酯系固化剂，更优选为由羧酸化合物与苯酚化合物和/或萘酚化合物所得的活性酯系固化剂。作为羧酸化合物，例如可列举出苯甲酸、乙酸、琥珀酸、马来酸、衣康酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、苯均四酸等。作为苯酚化合物或萘酚化合物，例如可列举出对苯二酚、间苯二酚、双酚A、双酚F、双酚S、酚酞啉、甲基化双酚A、甲基化双酚F、甲基化双酚S、苯酚、邻甲酚、间甲酚、对甲酚、邻苯二酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羟基萘、1,6-二羟基萘、2,6-二羟基萘、二羟基二苯甲酮、三羟基二苯甲酮、四羟基二苯甲酮、间苯三酚、苯三酚、二环戊二烯型联苯酚化合物、苯酚酚醛树脂等。此处，“二环戊二烯型联苯酚化合物”是指，1分子二环戊二烯与2分子苯酚缩合所得的联苯酚化合物。

作为活性酯系固化剂的适宜的具体例，可列举出含有二环戊二烯型联苯酚结构的活性酯化合物、含有萘结构的活性酯化合物、含有苯酚酚醛树脂的乙酰化物的活性酯化合物、含有苯酚酚醛树脂的苯甲酰化物的活性酯化合物、芳香族羧酸与具有酚羟基的含磷原子低聚物反应所得的活性酯化合物，其中更优选含有二环戊二烯型联苯酚结构的活性酯化合物、含有萘结构的活性酯化合物、芳香族羧酸与具有酚羟基的含磷原子低聚物反应所得的活性酯化合物。应予说明，本发明中，“二环戊二烯型联苯酚结构”表示由亚苯基-二亚环戊基(ジシクロペンチレン)-亚苯基组成的2价结构单元。

作为活性酯系固化剂，可以使用日本特开2004-277460号公报、日本特开2013-40270号公报公开的活性酯化合物，还可以使用市售的活性酯化合物。作为活性酯化合物的市售品，例如可列举出DIC(株)制的“EXB9451”、“EXB9460”、“EXB9460S”、“HPC-8000-65T”、“HPC-8000L-65M”(含有二环戊二烯型联苯酚结构的活性酯化合物)、DIC(株)制的“9416-70BK”(含有萘结构的活性酯化合物)、三菱化学(株)制的“DC808”(含有苯酚酚醛树脂的乙酰化物的活性酯化合物)、三菱化学(株)制的“YLH1026”(含有苯酚酚醛树脂的苯甲酰化物的活性酯化合物)、DIC(株)制的“EXB9050L-62M”(含磷原子活性酯化合物)。

作为苯并噁嗪系固化剂的具体例，可列举出昭和高分子(株)制的“HFB2006M”、四国化成工业(株)制的“P-d”、“F-a”。

作为氰酸酯系固化剂没有特别限定，例如可列举出酚醛树脂型(苯酚酚醛树脂型、烷基苯酚酚醛树脂型等)氰酸酯系固化剂、二环戊二烯型氰酸酯系固化剂、双酚型(双酚A型、双酚F型、双酚S型等)氰酸酯系固化剂、以及这些固化剂一部分三嗪化的预聚物等。作为具体例，可列举出双酚A二氰酸酯、多酚氰酸酯(低聚(3-亚甲基-1,5-亚苯基氰酸酯))、4,4’-亚甲基双(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亚乙基二苯基二氰酸酯、六氟双酚A二氰酸酯、2,2-双(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-双(4-氰酸酯苯基甲烷)、双(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-双(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亚乙基))苯、双(4-氰酸酯苯基)硫醚、以及双(4-氰酸酯苯基)醚等双官能氰酸酯树脂、由苯酚酚醛树脂和甲酚甲醛树脂等衍生的多官能氰酸酯树脂、这些氰酸酯树脂一部分三嗪化的预聚物等。作为氰酸酯系固化剂的市售品，例如可列举出ロンザジャパン(株)制的“PT30”和“PT60”(均为苯酚酚醛树脂型多官能氰酸酯树脂)、“BA230”(双酚A二氰酸酯的一部分或全部三嗪化形成三聚物的预聚物)等。

作为碳二亚胺系固化剂的具体例，可列举出日清纺ケミカル(株)制的“V-03”、“V-07”等。

从提高所得绝缘层的机械强度、耐水性的观点出发，环氧树脂与固化剂的量比以[环氧树脂的环氧基的总数]:[固化剂的反应基团的总数]的比率计，优选为1:0.2~1:2的范围，更优选为1:0.3~1:1.5的范围，进一步优选为1:0.4~1:1.2的范围。此处，固化剂的反应基团是指活性羟基、活性酯基等，根据固化剂的种类而不同。另外，环氧树脂的环氧基的总数是指，将所有环氧树脂中各环氧树脂的固体成分质量除以环氧当量所得的值的总和值，固化剂的反应基团的总数是指，所有固化剂中各固化剂的固体成分质量除以反应基团当量所得的值的总和值。

树脂组合物根据需要还可以含有选自热塑性树脂、固化促进剂、阻燃剂、以及有机填充材料中的一种以上的添加剂。

-热塑性树脂-

作为热塑性树脂，例如可列举出苯氧树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、聚烯烃树脂、聚丁二烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚亚苯基醚树脂、聚碳酸酯树脂、聚醚醚酮树脂、聚酯树脂。热塑性树脂可以单独使用一种，或者也可以两种以上组合使用。

热塑性树脂的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为8000~70000的范围，更优选为10000~60000的范围，进一步优选为20000~60000的范围。热塑性树脂的聚苯乙烯换算的重均分子量采用凝胶渗透色谱(GPC)法测定。具体而言，热塑性树脂的聚苯乙烯换算的重均分子量可以通过以下方式计算：使用(株)岛津制作所制LC-9A/RID-6A作为测定装置、使用昭和电工(株)制Shodex K-800P/K-804L/K-804L作为色谱柱、使用氯仿等作为流动相，在柱温40℃下测定，利用标准聚苯乙烯的标准曲线进行计算。

作为苯氧树脂，例如可列举出具有选自双酚A骨架、双酚F骨架、双酚S骨架、双酚苯乙酮骨架、酚醛树脂骨架、联苯骨架、芴骨架、二环戊二烯骨架、降冰片烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金刚烷骨架、萜骨架、以及三甲基环己烷骨架中的一种以上的骨架的苯氧树脂。苯氧树脂的末端可为酚羟基、环氧基等任意官能团。苯氧树脂可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。作为苯氧树脂的具体例，可列举出三菱化学(株)制的“1256”和“4250”(均为含有双酚A骨架的苯氧树脂)、“YX8100”(含有双酚S骨架的苯氧树脂)、以及“YX6954”(含有双酚苯乙酮骨架的苯氧树脂)，除此之外，还可列举出新日铁住金化学(株)制的“FX280”和“FX293”、三菱化学(株)制的“YX7553BH30”、“YX7553”、“YL6794”、“YL7213”、“YL7290”和“YL7482”等。

作为聚乙烯醇缩醛树脂的具体例，可列举出聚乙烯醇缩甲醛树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂，优选为聚乙烯醇缩丁醛树脂。可列举出电气化学工业(株)制的电化ブチラール4000-2、5000-A、6000-C、6000-EP、积水化学工业(株)制的エスレツクBH系列、BX系列、KS系列(具体而言“KS-1”等)、BL系列、BM系列等。

作为聚酰亚胺树脂的具体例，可列举出新日本理化(株)制的“リカコ一トSN20”和“リカコ一トPN20”。作为聚酰亚胺树脂的具体例，还可列举出双官能性羟基末端聚丁二烯、二异氰酸酯化合物和四元酸酐反应所得的线型聚酰亚胺(记载于日本特开2006-37083号公报)、含有聚硅氧烷骨架的聚酰亚胺(记载于日本特开2002-12667号公报和日本特开2000-319386号公报等)等改性聚酰亚胺。

作为聚酰胺酰亚胺树脂的具体例，可列举出东洋纺绩(株)制的“バイロマックスHR11NN”和“バイロマックスHR16NN”。作为聚酰胺酰亚胺树脂的具体例，还可列举出日立化成工业(株)制的含有聚硅氧烷骨架的聚酰胺酰亚胺“KS9100”、“KS9300”等改性聚酰胺酰亚胺。

作为聚醚砜树脂的具体例，可列举出住友化学(株)制的“PES5003P”等。

作为聚砜树脂的具体例，可列举出ソルベイアドバンストポリマーズ(株)制的聚砜“P1700”、“P3500”等。

树脂组合物中热塑性树脂的含量优选为0.1质量%~20质量%、更优选为0.5质量%~10质量%、进一步优选为1质量%~5质量%。

-固化促进剂-

作为固化促进剂，例如可列举出磷系固化促进剂、胺系固化促进剂(例如4-二甲基氨基吡啶)、咪唑系固化促进剂、胍系固化促进剂、金属系固化促进剂等，优选为磷系固化促进剂、胺系固化促进剂、咪唑系固化促进剂。固化促进剂可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。树脂组合物层中固化促进剂的含量优选为，以环氧树脂和固化剂的不挥发成分之和为100质量%时，在0.05质量%~3质量%的范围内使用。

-阻燃剂-

作为阻燃剂，例如可列举出有机磷系阻燃剂、有机系含氮磷化合物、氮化合物、有机硅系阻燃剂、金属氢氧化物等。阻燃剂可以单独使用一种，或者也可以两种以上组合使用。树脂组合物中阻燃剂的含量没有特别限定，优选为0.5质量%~10质量%、更优选为1质量%~9质量%。作为阻燃剂，例如可以使用三光(株)制“HCA-HQ”。

-有机填充材料-

作为有机填充材料，可以使用形成印刷线路板的绝缘层时可用的任意有机填充材料，例如可列举出橡胶粒子、聚酰胺微粒、有机硅粒子等，优选为橡胶粒子。

作为橡胶粒子，只要是对显示出橡胶弹性的树脂实施化学交联处理，不溶且不融于有机溶剂的树脂的微粒则没有特别限定，例如可列举出丙烯腈丁二烯橡胶粒子、丁二烯橡胶粒子、丙烯酸橡胶粒子等。作为橡胶粒子，具体而言可列举出XER-91(日本合成橡胶(株)制)、スタフィロイドAC3355、AC3816、AC3816N、AC3832、AC4030、AC3364、IM101(以上为アイカ工业(株)制)、パラロイドEXL2655、EXL2602(以上为吴羽化学工业(株)制)等。

有机填充材料的平均粒径优选为0.005μm~1μm的范围，更优选为0.2μm~0.6μm的范围。有机填充材料的平均粒径可以采用动态光散射法进行测定。例如，可以通过以下方式测定：利用超声等使有机填充材料均匀分散于适当的有机溶剂中，使用高浓度粒径分析仪(大塚电子(株)制“FPAR-1000”)，按照质量标准制成有机填充材料的粒度分布，将其中值粒径作为平均粒径。树脂组合物层中有机填充材料的含量优选为1质量%~10质量%、更优选为2质量%~5质量%。

-其他成分-

树脂组合物可以根据需要含有其他成分。作为所述其他成分，例如可列举出有机铜化合物、有机锌化合物和有机钴化合物等有机金属化合物、以及增粘剂、消泡剂、流平剂、密合性赋予剂、着色剂等树脂添加剂等。

树脂组合物的制备方法没有特别限定，例如可列举出将配合成分根据需要添加到溶剂等中，使用旋转式搅拌机等进行混合、分散的方法等。应予说明，从使上述条件(ii)中的n²为0.2μm以下的观点出发，根据需要，可以用过滤器将树脂组合物过滤等除去具有规定粒径的粒子。因此，在一个实施方式中，绝缘层通过将进行了过滤器过滤除去粒径d(μm)以上的粒子的处理的树脂组合物层热固化而形成。此处，d优选为4以下，更优选为3以下，进一步优选为2以下，进一步更优选为1以下。过滤器的过滤精度优选为4μm以下，更优选为3μm以下，进一步优选为2μm以下，进一步更优选为1μm以下。作为可用于树脂组合物的过滤的适宜过滤器，例如可列举出(株)ロキテクノ制“SCP-010”、“SHP-020”、“SHP-030”。

[电路基板]

对根据上述本发明的构思所得的电路基板进行说明。

本发明的电路基板包含形成有开口直径为15μm以下的通孔的绝缘层，其特征在于，

绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为150nm以下，

绝缘层含有无机填充材料，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，将规定宽度的区域中所含的无机填充材料的最大直径的平均值设为n¹(μm)时，n¹×1.27的值(n²)为0.2μm以下。

本发明的电路基板的特征在于，在含有无机填充材料的绝缘层上形成有通孔形状良好的小直径通孔。

通孔的开口直径的适宜范围、通孔的形状(即D_min/D和D_max/D的适宜范围)、绝缘层表面的适宜Ra值、绝缘层的厚度、n²和A₂/(A₁+A₂)的适宜范围如上所述。绝缘层的组成也如上所述。在适宜的一个实施方式中，绝缘层包含用硅烷化合物进行了表面处理的无机填充材料，所述硅烷化合物包含具有芳香环的有机基团。具有芳香环的有机基团的详细情况、适宜的硅烷化合物如上所述。

本发明的电路基板还包含形成于绝缘层表面的导体层(电路)。导体层的详细情况如后述[电路基板的制造方法]的记载所述。在适宜的一个实施方式中，本发明的电路基板包含电路宽度(line，L)与电路间的宽度(space，S)之比(L/S)为10μm/10μm以下(即布线间距20μm以下)的电路。在更适宜的一个实施方式中，包含L/S＝9μm/9μm以下(布线间距18μm以下)、L/S＝8μm/8μm以下(布线间距16μm以下)、L/S＝7μm/7μm以下(布线间距14μm以下)、L/S＝6μm/6μm以下(布线间距12μm以下)、L/S＝5μm/5μm以下(布线间距10μm以下)、或者L/S＝4μm/4μm以下(布线间距8μm以下)的微细电路。

[半导体装置]

可以使用本发明的电路基板制造半导体装置。

作为半导体装置，可列举出供于电气制品(例如计算机、手机、数码相机、以及电视机等)和交通工具(例如摩托车、汽车、电车、船舶、以及航空器等)等使用的各种半导体装置。

本发明的半导体装置可以通过将部件(半导体芯片)安装在电路基板的导通位置进行制造。“导通位置”是指“电路基板上传导电信号的位置”，其场所可以是表面，也可以是埋入的位置中的任一种。另外，半导体芯片只要是以半导体为材料的电路元件则没有特别限定。

制造本发明的半导体装置时的半导体芯片的安装方法，只要半导体芯片有效发挥作用则没有特别限定，具体而言可列举出引线接合安装方法、倒装芯片安装方法、利用内建非凹凸层(バルプなしビルドアップ層、BBUL)的安装方法、利用各向异性导电膜(ACF)的安装方法、利用非导电性膜(NCF)的安装方法等。此处，“利用内建非凹凸层(BBUL)的安装方法”是指，“将半导体芯片直接埋入印刷线路板的凹部，使半导体芯片与电路基板上的布线连接的安装方法”。

[电路基板的制造方法]

本发明的电路基板的制造方法只要能够实现上述本发明的构思则没有特别限定。以下，对能够实现本发明构思的适宜实施方式进行举例说明。

<第一实施方式>

本发明的电路基板的制造方法的特征在于，其包括：

其中，工序(B)中形成的绝缘层包含无机填充材料，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，将规定宽度的区域中所含的无机填充材料的最大直径的平均值设为n¹(μm)时，n¹×1.27的值(n²)为0.2μm以下。

-工序(A)-

工序(A)中，将包含支撑体和设置在该支撑体上的树脂组合物层的粘接膜层压在内层基板上，使树脂组合物层与内层基板接合。

构成树脂组合物层的树脂组合物如上所述。树脂组合物层的厚度只要所得绝缘层的厚度t(μm)与通孔的开口直径D(μm)之间满足上述特定关系(即t≤3D)则没有特别限定，可以适当决定。

作为支撑体，例如可列举出由塑料材料制成的薄膜、金属箔、脱模纸，优选为由塑料材料制成的薄膜、金属箔。

在使用由塑料材料制成的薄膜作为支撑体的情况下，作为塑料材料，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸类、环状聚烯烃、三乙酰基纤维素(TAC)、聚醚硫化物(PES)、聚醚酮、聚酰亚胺等。其中，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯，特别优选价格低廉的聚对苯二甲酸乙二醇酯。聚对苯二甲酸乙二醇酯可以使用市售品，例如可以使用东丽(株)制“ルミラーT6AM”等。

在使用金属箔作为支撑体的情况下，作为金属箔，例如可列举出铜箔、铝箔等，优选为铜箔。作为铜箔，可以使用由铜单金属制成的箔，也可以使用由铜与其他金属(例如锡、铬、银、镁、镍、锆、硅、钛等)的合金制成的箔。

可以对支撑体的与树脂组合物层接合侧的表面实施消光处理、电晕处理。另外，作为支撑体，可以使用与树脂组合物层接合侧的表面具有脱模层的带脱模层支撑体。作为用于带脱模层支撑体的脱模层的脱模剂，例如可列举出选自醇酸树脂、烯烃树脂、聚氨酯树脂、以及有机硅树脂中的一种以上的脱模剂。作为脱模剂的市售品，例如可列举出醇酸树脂系脱模剂即リンテック(株)制的“SK-1”、“AL-5”、“AL-7”等。

从降低工序(B)中形成的绝缘层表面的Ra值的观点出发，支撑体的与树脂组合物层接合侧的表面的算术平均粗糙度(Ra)为150nm以下，优选为140nm以下，更优选为130nm以下，进一步优选为120nm以下，进一步更优选为110nm以下，特别优选为100nm以下、90nm以下、80nm以下、或者70nm以下。该Ra的下限没有特别限定，从得到与导体层的密合强度良好的绝缘层的观点出发，通常可为1nm以上、5nm以上、10nm以上等。支撑体的与树脂组合物层接合侧的表面的算术平均粗糙度(Ra)可以采用与对绝缘层表面的Ra的说明相同的方法进行测定。

支撑体的厚度没有特别限定，优选为75μm以下，更优选为60μm以下、50μm以下、或者40μm以下。支撑体的厚度的下限没有特别限定，通常可为1μm以上、2μm以上、5μm以上等。应予说明，在支撑体为带脱模层支撑体的情况下，优选带脱模层支撑体整体的厚度在上述范围内。

粘接膜例如可通过以下方式制造：将树脂组合物溶解于有机溶剂中制备树脂清漆，使用金属型涂布机(die coater)等将该树脂清漆涂布在支撑体上，进而干燥形成树脂组合物层。

作为有机溶剂，例如可列举出丙酮、甲基乙基酮(MEK)和环己酮等酮类；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸溶纤剂、丙二醇单甲基醚乙酸酯和卡必醇醋酸酯等乙酸酯类；溶纤剂和丁基卡必醇等卡必醇类；甲苯和二甲苯等芳香烃类；二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺(DMAc)和N-甲基吡咯烷酮等酰胺系溶剂；溶剂石脑油等。有机溶剂可以单独使用一种，也可以两种以上组合使用。

干燥可以采用加热、热风干燥等公知方法实施。干燥条件没有特别限定，干燥至树脂组合物层中有机溶剂的含量为10质量%以下、优选为5质量%以下。根据树脂清漆中有机溶剂的沸点而不同，例如在使用含有30质量%~60质量%有机溶剂的树脂清漆的情况下，可以通过在50℃~150℃下3分钟~10分钟的干燥，形成树脂组合物层。

在粘接膜中，树脂组合物层的未与支撑体接合的面(即与支撑体相反侧的面)上可以进一步层压以支撑体为基准的保护膜。保护膜的厚度没有特别限定，例如为1μm~40μm。通过层压保护膜，可以防止树脂组合物层的表面附着灰尘等或产生损伤。粘接膜可以绕成卷来保存。在粘接膜具有保护膜的情况下，将保护膜剥去即可使用。

工序(A)中使用的“内层基板”主要是指玻璃环氧基板、金属基板、聚酯基板、聚酰亚胺基板、BT树脂基板、热固化型聚苯醚基板等基板、或者形成有对该基板的单面或双面进行图案加工而成的导体层(电路)的基板。另外，在制造电路基板时，应进而形成绝缘层和/或导体层的中间制造物的内层电路基板也包含在本发明所述的“内层基板”中。在电路基板为部件内装电路板的情况下，使用内装部件的内层基板即可。

内层基板与粘接膜的层压可以通过例如从支撑体侧将粘接膜热压在内层基板上来进行。作为将粘接膜热压在内层基板上的构件(以下称为“热压构件”)，例如可列举出加热后的金属板(SUS端板等)或金属辊(SUS辊)等。应予说明，优选将热压构件隔着耐热橡胶等弹性材料压在粘接膜上以使粘接膜充分贴合内层基板的表面凹凸，而非将热压构件直接压在粘接膜上。

内层基板与粘接膜的层压可以通过真空层压法进行。在真空层压法中，热压温度优选为60℃~160℃、更优选为80℃~140℃的范围，热压压力优选为0.098MPa~1.77MPa、更优选为0.29MPa~1.47MPa的范围，热压时间优选为20秒~400秒、更优选为30秒~300秒的范围。层压优选在压力26.7hPa以下的减压条件下进行。

层压可以使用市售的真空层压机进行。作为市售的真空层压机，例如可列举出(株)名机制作所制的真空加压式层压机、ニチゴー・モートン(株)制的真空敷料机等。

进行层压后，可以通过在常压下(大气压下)例如从支撑体侧向热压构件加压，从而对层压后的粘接膜进行平滑化处理。平滑化处理的加压条件可以是与上述层压的热压条件相同的条件。平滑化处理可以使用市售的层压机进行。应予说明，层压和平滑化处理可以使用上述市售真空层压机连续进行。

-工序(B)-

在工序(B)中，以带有支撑体的状态将树脂组合物层热固化而形成绝缘层。

热固化的条件没有特别限定，可以使用形成电路基板的绝缘层时通常采用的条件。

树脂组合物层的热固化条件根据树脂组合物层所用树脂组合物的组成等而不同，只要是最终能够形成合适的绝缘层的条件则没有特别限定，例如热固化温度优选为120℃~240℃的范围，更优选为150℃~210℃的范围，进一步优选为160℃~190℃的范围。此处，热固化温度不一定要固定于上述温度范围内的规定温度，只要最终能够形成合适的绝缘层则也可以经时变化，还可以在不同固化温度下分多阶段进行固化。另外，优选固化温度的最高到达温度在上述范围内。

热固化时间根据树脂组合物层所用树脂组合物的组成、热固化温度而不同，只要最终形成合适的绝缘层则没有特别限定，例如可为20分钟~150分钟、优选为30分钟~120分钟、更优选为40分钟~120分钟。

树脂组合物层的热固化优选在大气压下(常压下)进行。

如上所述，本发明中，绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为150nm以下(条件(i))。在Ra值大于150nm的情况下，会产生激光加工性降低，通孔形状劣化的问题。通常在将树脂组合物热固化形成绝缘层时，树脂的熔融使无机填充材料在绝缘层表面露出、或在表面产生起伏等导致平滑性降低，Ra难以达到低值，而根据以树脂组合物层带有支撑体的状态将树脂组合物层热固化的本发明的电路基板的制造方法，能够容易地达到低Ra值。另外，在热固化时，使温度梯度上升也对进一步降低Ra值有效。例如，可列举出在热固化温度T1(其中50℃≤T1<150℃)下加热10分钟~60分钟后，在温度T2(其中150℃≤T2≤240℃)下加热5分钟~90分钟进行热固化的方法。该Ra值的适宜范围如上所述。

工序(B)中形成的绝缘层含有无机填充材料，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，规定宽度的区域内的n²为0.2μm以下(条件(ii))。在n²大于0.2μm的情况下，会产生激光加工性降低，通孔形状劣化的问题。通常在绝缘层中的无机填充材料含量高的情况下n²具有增大的趋势。在降低n²时，1)使用平均粒径小的无机填充材料；2)使用由硅烷化合物进行了表面处理的无机填充材料、所述硅烷化合物包含具有芳香环的有机基团；3)对树脂组合物实施过滤器过滤等是有效的。n²的适宜范围如上所述。

支撑体可以在工序(B)之后除去。在适宜的一个实施方式中，在工序(C)之前除去支撑体。应予说明，在使用极薄(例如厚度2μm以下或1μm以下)的金属箔作为支撑体的情况下，可以在绝缘层带有支撑体的状态下实施工序(C)。

-工序(C)-

在工序(C)中，利用UV固体激光在绝缘层上形成开口直径为15μm以下的通孔。

关于UV固体激光的详细情况(激光波长等)、通孔的开口直径或形状如上所述。

-工序(D)-

本发明的电路基板的制造方法在工序(C)之后还包括(D)除污处理的工序。

根据本发明的方法，在含有无机填充材料的绝缘层(即便在绝缘层中的无机填充材料含量高的情况下)上可形成通孔内部的沾污量少的小直径通孔。因此，在本发明的方法中，工序(D)可以实施也可以不实施。即使在实施工序(D)的情况下，也能够在与通常的除污处理相比更温和的条件下实施。因此，能够抑制因除污处理而造成的绝缘层表面的粗糙化，可实现适合形成微细布线的表面粗糙度低的绝缘层。

除污处理没有特别限制，可以通过公知的各种方法进行。在一个实施方式中，除污处理可为使用氧化剂溶液的湿式除污处理。

在使用氧化剂溶液的湿式除污处理中，优选依次进行采用了膨胀液的膨胀处理、采用了氧化剂溶液的氧化处理、和采用了中和液的中和处理。作为膨胀液没有特别限制，可以列举碱溶液、表面活性剂溶液等，优选为碱溶液，作为该碱溶液，更优选氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液。作为市售的膨胀液，可以列举例如Atotech Japan(株)制的“スウェリング・ディップ・セキュリガンスP(Swelling Dip Securiganth P)”、“スウェリング・ディップ・セキュリガンスSBU(Swelling Dip Securiganth SBU)”等。采用了膨胀液的膨胀处理没有特别限制，例如可以通过将绝缘层在30℃~90℃的膨胀液中浸渍1分钟~20分钟来进行。从将绝缘层的树脂的膨胀抑制在适度水平的观点出发，优选将固化体在40℃~80℃的膨胀液中浸渍5分钟~15分钟。作为氧化剂溶液没有特别限定，例如可列举出将高锰酸钾或高锰酸钠溶解于氢氧化钠的水溶液中制成的碱性高锰酸溶液。采用了碱性高锰酸溶液等氧化剂的氧化处理优选通过将绝缘层在加热至60℃~80℃的氧化剂溶液中浸渍10分钟~30分钟来进行。另外，碱性高锰酸溶液中高锰酸盐的浓度优选为5质量%~10质量%。作为市售的氧化剂溶液，例如可列举出Atotech Japan(株)制的“コンセントレート・コンパクトCP”、“ドージングソリューション・セキュリガンスP”等碱性高锰酸溶液。另外，作为中和液，优选为酸性水溶液，作为市售品，例如可列举出Atotech Japan(株)制的“リダクションソリューション・セキュリガントP”。采用了中和液的处理可以通过将经氧化剂进行了粗糙化处理的处理面在30℃~80℃的中和液中浸渍5分钟~30分钟来进行。从操作性等方面出发，优选将采用氧化剂进行了的粗糙化处理的对象物在40℃~70℃的中和液中浸渍5分钟~20分钟的方法。

-工序(E)-

本发明的电路基板的制造方法在工序(C)之后还可包括(E)在绝缘层表面形成导体层的工序。

用于导体层的导体材料没有特别限定。在适宜的实施方式中，导体层含有选自金、铂、钯、银、铜、铝、钴、铬、锌、镍、钛、钨、铁、锡、以及铟中的一种以上的金属。导体层可以是单金属层也可以是合金层，作为合金层，例如可列举出由选自上述金属中的两种以上的金属的合金(例如镍-铬合金、铜-镍合金和铜-钛合金)形成的层。其中，从导体层形成的通用性、成本、图案形成的容易性等观点出发，优选为铬、镍、钛、铝、锌、金、钯、银或铜的单金属层、或者镍-铬合金、铜-镍合金、铜-钛合金的合金层，更优选为铬、镍、钛、铝、锌、金、钯、银或铜的单金属层、或者镍-铬合金的合金层，进一步优选为铜的单金属层。

导体层可以是单层结构，也可以是将两层以上由不同种类的金属或合金制成的单金属层或合金层层压而成的多层结构。在导体层为多层结构的情况下，与绝缘层相接的层优选为铬、锌或钛的单金属层、或者镍-铬合金的合金层。

导体层的厚度取决于所需电路基板的设计，通常为35μm以下，优选为30μm以下，更优选为25μm以下。导体层的厚度的下限没有特别限定，通常为3μm以上，优选为5μm以上。

在工序(E)中，导体层可以通过干法镀、湿法镀、或者二者的组合来形成。

作为干法镀，例如可列举出蒸镀、溅射、离子镀、激光烧蚀等物理气相沉积(PVD)法、热CVD、等离子CVD等化学气相沉积(CVD)法，其中优选蒸镀、溅射。在仅用干法镀形成导体层的情况下，可以通过全添加法等公知方法形成导体层(电路)。

在采用湿法镀形成导体层的情况下，可以将化学镀与电镀组合利用半添加法形成导体层，也可以形成与导体层图案相反的抗蚀图形(メッキレジスト)，仅用化学镀通过全添加法形成导体层。另外，在使用极薄的金属箔作为支撑体的情况下，也可以采用改良型半添加法形成导体层。这些方法可以按照本领域公知的步骤实施。

还可以将干法镀与湿法镀组合形成导体层。例如，可以将由干法镀形成的金属层用作镀种层(plating seed layer)，采用电镀或化学镀通过半添加法形成导体层。

在半添加法中，利用蚀刻等除去不需要的镀种层，形成具有所需布线图案的导体层(电路)。此时，如果绝缘层表面粗糙度大，则在布线图案形成时利用蚀刻除去不需要的镀种层之际，难以除去粗糙度大区域的镀种层，另外，在以可充分除去粗糙度大区域的镀种层的条件进行蚀刻的情况下，布线图案的溶解显著，有碍于电路布线的微细化。对此，本发明的方法中，如上所述，无需除污处理或者可在温和的条件下实施除污处理，因此能够实现表面粗糙度低的绝缘层。与能够实现通孔形状良好的小直径通孔的效果相结合，本发明的电路基板的制造方法显著有助于电路布线的高密度化和微细化这两种效果。

<第二实施方式>

本发明的电路基板的制造方法特征在于，其包括：

其中，工序(A)中使用的粘接膜的树脂组合物层包含30质量%以上的BET比表面积为20m²/g以上的无机填充材料。

第二实施方式中，无机填充材料的BET比表面积和含量的优选范围等如上所述。

第二实施方式的工序(A)~工序(C)如第一实施方式的“工序(A)”~“工序(C)”的说明所述。另外，在工序(C)之后，还可包括上述工序(D)、工序(E)。工序(D)、工序(E)如第一实施方式的“工序(D)”、“工序(E)”的说明所述。

<第三实施方式>

本发明的电路基板的制造方法特征在于，其包括：

其中，工序(A)中使用的粘接膜的树脂组合物层包含30质量%以上的平均粒径0.2μm以下的无机填充材料。

第三实施方式中，无机填充材料的平均粒径和含量的优选范围等如上所述。

第三实施方式的工序(A)~工序(C)如第一实施方式的“工序(A)”~“工序(C)”的说明所述。另外，在工序(C)之后，还可包括上述工序(D)、工序(E)。工序(D)、工序(E)如第一实施方式的“工序(D)”、“工序(E)”的说明所述。

以上，对本发明的电路基板的制造方法的适宜实施方式进行了举例说明，只要能够实现上述本发明的构思，则本发明的方法也可以包括上述以外的工序。

实施例

以下，利用实施例对本发明进行更详细的说明，但本发明并不限于这些实施例。应予说明，以下的记载中，只要无另行说明，则“份”和“%”分别表示“质量份”和“质量%”。

<测定、评价方法>

首先，对本说明书中物性评价的测定、评价方法进行说明。

[测定、评价用基板的制备]

(1)内层电路基板的衬底处理

利用微蚀刻剂(メック(株)制“CZ8100”)，将形成有电路的玻璃布基材环氧树脂双面覆铜层压板(铜箔厚度18μm、基板厚度0.4mm，パナソニック(株)制“R1515A”)的两面蚀刻1μm进行铜表面的粗糙化处理。

(2)粘接膜的层压

将保护膜从实施例和比较例中制成的粘接膜剥离。使用间歇式真空加压层压机(ニチゴー・モートン(株)制两阶段堆叠层压机(two stage build-up laminator)“CVP700”)，将露出树脂组合物层的粘接膜层压于内层电路基板的两面，使树脂组合物层与内层电路基板接合。层压通过以下方式实施：30秒减压使气压为13hPa以下后，在100℃、压力0.74MPa下进行30秒压接。接着，在大气压、100℃、压力0.5MPa下对层压后的粘接膜进行60秒热压使其平滑化。

(3)树脂组合物层的固化

在粘接膜的层压后，使树脂组合物层热固化，在内层电路基板的两面形成绝缘层。此时，在带有支撑体的状态下使树脂组合物层热固化，热固化后将支撑体剥离。所得的基板称为“评价基板a”。

树脂组合物层的热固化在100℃下(投入100℃的烘箱后)进行30分钟，接着在170℃下(移入170℃的烘箱后)进行30分钟，使树脂组合物层热固化。然后，将基板取出至室温环境下。

(4)利用UV-YAG激光的通孔形成

使用UV-YAG激光加工机(ビアメカニクス(株)制“LU-2L212/M50L”)，在评价基板a的绝缘层上形成小直径通孔。实施例1在下列条件I-1下形成通孔，实施例2和比较例1、3在下列条件I-2下形成通孔，实施例3在下列条件I-3下形成通孔，比较例2在下列条件I-4下形成通孔。所得的基板称为“评价基板b”。

条件I-1：功率0.08W、射孔数15、目标顶部直径10μm

条件I-2：功率0.08W、射孔数25、目标顶部直径10μm

条件I-3：功率0.17W、射孔数25、目标顶部直径15μm

条件I-4：功率0.17W、射孔数60、目标顶部直径15μm。

<算术平均粗糙度(Ra)的测定>

对于评价基板a，通过使用非接触型表面粗糙度仪(维易科精密仪器有限公司制“WYKO NT3300”)，在VSI接触模式(contact mode)、50倍透镜下，以121μm×92μm为测定范围所得的数值，求出Ra值。对各样品求出随机选择10点的平均值。

<绝缘层中无机填充材料的粒径的评价>

对于评价基板b，使用FIB-SEM复合装置(SII Nano Technology (株)制“SMI3050SE”)，进行绝缘层的截面观察。详细而言，利用FIB(聚焦离子束)削出垂直于评价基板表面的方向的截面，获取截面SEM图像(观察宽度30μm、观察倍率×9000)。对各样品获取随机选择的10个位置的截面SEM图像。

对获取的10个位置的截面SEM图像分别计量宽度15μm的区域，即以纵为绝缘层总厚度、横为15μm的四边形区域(绝缘层总厚度(纵)×15μm(横)的区域)内所含的无机填充材料的最大直径，得到其平均值n¹。计算其平均值n¹乘以1.27倍的值n²(平均粒径)。另外，在无机填充材料的超过最大直径的1/2进入宽度15μm的区域内的情况下，该无机填充材料判定为“宽度15μm的区域所含的无机填充材料”。

<绝缘层截面中树脂面积和无机填充材料面积的测定>

对于评价基板b，使用FIB-SEM复合装置(SII Nano Technology(株)制“SMI3050SE”)，进行绝缘层的截面观察。详细而言，利用FIB(聚焦离子束)削出垂直于评价基板表面的方向的截面，获取截面SEM图像(观察宽度30μm、观察倍率×9000)。对各样品获取随机选择的10个位置的截面SEM图像。对获取的10个位置的截面SEM图像分别测定宽度15μm的区域，即以纵为绝缘层总厚度、横为15μm的四边形区域(绝缘层总厚度(纵)×15μm(横)的区域)的树脂面积A₁、以及无机填充材料面积A₂，由所得的A₁值和A₂值计算A₂/(A₁+A₂)的值。

具体而言，树脂面积A₁和无机填充材料面积A₂是指，将SEM观察图保存为图像，使用图像分析软件以树脂部分为黑色、树脂以外的无机填充材料部分为白色进行黑白二值化，将黑色部分的比特数(ビット数)作为树脂面积A₁，将白色部分的比特数作为无机填充材料面积A₂。

<通孔形状的评价>

对于评价基板b，使用扫描电子显微镜((株)日立ハイテクノロジーズ制“S-4800”)对通孔开口部进行表面观察。从所得的图像测定通孔的开口直径D和通孔的最小直径D_min。测定10个的通孔的D和D_min，求出D_min/D比的平均值。通孔形状根据所得D_min/D比的平均值按照下列评价标准进行评价；

评价标准：

○：D_min/D比为0.65以上

×：D_min/D比小于0.65。

<制备例1>树脂清漆1的制备

将双酚AF型环氧树脂(三菱化学(株)制“YL7760”，环氧当量约238)10份、联苯型环氧树脂(日本化药(株)制“NC3000L”，环氧当量约269)15份、联二甲酚型环氧树脂(三菱化学(株)制“YX4000HK”，环氧当量约185)10份、以及苯氧树脂(三菱化学(株)制“YX7553BH30”，固体成分30质量%的环己酮：甲基乙基酮(MEK)的1:1溶液)35份边搅拌边加热溶解于溶剂石脑油5份、MEK 2份中。冷却至室温后，向其中混合含三嗪骨架的苯酚酚醛树脂系固化剂(羟基当量125，DIC(株)制“LA-7054”，固体成分60%的MEK溶液)4份、活性酯系固化剂(DIC(株)制“HPC-8000-65T”，活性基当量约223，不挥发成分65质量%的甲苯溶液)18份、胺系固化促进剂(4-二甲基氨基吡啶(DMAP)，固体成分5质量%的MEK溶液)2份、经N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业(株)制“KBM573”)表面处理后的球形二氧化硅(电气化学工业(株)制“UFP-30”，平均粒径0.1μm、比表面积30m²/g、每单位表面积的碳量0.36mg/m²)40份，所得混合液用高速选择式搅拌机均匀分散，然后用筒式过滤器((株)ロキテクノ制“SCP-010”，过滤效率(制造商标称值)：1μm以上的粒子拦截99.9%以上)过滤，制成树脂清漆1。

<制备例2>树脂清漆2的制备

将双酚AF型环氧树脂(三菱化学(株)制“YL7760”，环氧当量约238)12份、联苯型环氧树脂(日本化药(株)制“NC3000L”，环氧当量约269)12份、联二甲酚型环氧树脂(三菱化学(株)制“YX4000HK”，环氧当量约185)12份、以及苯氧树脂(三菱化学(株)制“YX7553BH30”，固体成分30质量%的环己酮：甲基乙基酮(MEK)的1:1溶液)10份边搅拌边加热溶解于溶剂石脑油25份、MEK6份中。冷却至室温后，向其中混合含三嗪骨架的甲酚甲醛树脂系固化剂(羟基当量151，DIC(株)制“LA-3018-50P”，固体成分50%的2-甲氧基丙醇溶液)6份、活性酯系固化剂(DIC(株)制“HPC-8000-65T”，活性基当量约223，不挥发成分65质量%的甲苯溶液)16份、胺系固化促进剂(4-二甲基氨基吡啶(DMAP)，固体成分5质量%的MEK溶液)2份、经N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业(株)制“KBM573”)表面处理后的球形二氧化硅(电气化学工业(株)制“UFP-30”，平均粒径0.1μm、比表面积30m²/g、每单位表面积的碳量0.36mg/m²)80份，所得混合液用高速旋转式搅拌机均匀分散，然后用筒式过滤器((株)ロキテクノ制“SCP-010”，过滤效率(制造商标称值)：1μm以上的粒子拦截99.9%以上)过滤，制成树脂清漆2。

<制备例3>(树脂清漆3的制备)

将双酚型环氧树脂(新日铁住金化学(株)制“ZX1059”，双酚A型与双酚F型的1:1混合物，环氧当量约169)5份、萘型环氧树脂(DIC(株)制“HP4032SS”，环氧当量约144)5份、二环戊二烯型环氧树脂(DIC(株)制“HP-7200HH”，环氧当量约280)20份、以及苯氧树脂(三菱化学(株)制“YX7553BH30”，固体成分30质量%的环己酮：MEK的1:1溶液)20份边搅拌边加热溶解于MEK6份中。冷却至室温后，向其中混合含三嗪骨架的苯酚酚醛树脂系固化剂(羟基当量125，DIC(株)制“LA-7054”，固体成分60%的MEK溶液)10份、萘酚系固化剂(新日铁住金化学(株)制“SN-485”，羟基当量215，固体成分60%的MEK溶液)10份、聚乙烯醇缩丁醛树脂(玻璃化转变温度105℃，积水化学工业(株)制“KS-1”)的固体成分15%的乙醇和甲苯的1:1混合溶液15份、胺系固化促进剂(4-二甲基氨基吡啶(DMAP)，固体成分5质量%的MEK溶液)1份、阻燃剂(三光(株)制“HCA-HQ”，10-(2,5-二羟基苯基)-10-氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物，平均粒径2μm)2份、经N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业(株)制“KBM573”)表面处理后的球形二氧化硅(电气化学工业(株)制“UFP-60S”，平均粒径0.08μm、比表面积60m²/g、每单位表面积的碳量0.34mg/m²)25份，所得混合液用高速旋转式搅拌机均匀分散，然后用筒式过滤器((株)ロキテクノ制“SCP-010”，过滤效率(制造商标称值)：1μm以上的粒子拦截99.9%以上)过滤，制成树脂清漆3。

<制备例4>(树脂清漆4的制备)

将双酚AF型环氧树脂(三菱化学(株)制“YL7760”，环氧当量约238)12份、联苯型环氧树脂(日本化药(株)制“NC3000L”，环氧当量约269)12份、联二甲酚型环氧树脂(三菱化学(株)制“YX4000HK”，环氧当量约185)12份、以及苯氧树脂(三菱化学(株)制“YX7553BH30”，固体成分30质量%的环己酮：甲基乙基酮(MEK)的1:1溶液)10份边搅拌边加热溶解于溶剂石脑油20份、MEK4份中。冷却至室温后，向其中混合含三嗪骨架的甲酚甲醛树脂系固化剂(羟基当量151，DIC(株)制“LA-3018-50P”，固体成分50%的2-甲氧基丙醇溶液)6份、活性酯系固化剂(DIC(株)制“HPC-8000-65T”，活性基当量约223，不挥发成分65质量%的甲苯溶液)16份、胺系固化促进剂(4-二甲基氨基吡啶(DMAP)，固体成分5质量%的MEK溶液)2份、经N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业(株)制“KBM573”)表面处理后的球形二氧化硅((株)アドマテックス制“SO-C1”，平均粒径0.30μm、比表面积10m²/g、每单位表面积的碳量0.36mg/m²)80份，用高速旋转式搅拌机均匀分散，然后用筒式过滤器((株)ロキテクノ制“SHP-030”，过滤效率(制造商标称值)：2μm以上的粒子拦截99.9%以上)过滤，制成树脂清漆4。

<制备例5>(树脂清漆5的制备)

将双酚AF型环氧树脂(三菱化学(株)制“YL7760”，环氧当量约238)12份、联苯型环氧树脂(日本化药(株)制“NC3000L”，环氧当量约269)12份、联二甲酚型环氧树脂(三菱化学(株)制“YX4000HK”，环氧当量约185)12份、以及苯氧树脂(三菱化学(株)制“YX7553BH30”，固体成分30质量%的环己酮：甲基乙基酮(MEK)的1:1溶液)10份边搅拌边加热溶解于溶剂石脑油15份、MEK2份中。冷却至室温后，向其中混合含三嗪骨架的甲酚甲醛树脂系固化剂(羟基当量151，DIC(株)制“LA-3018-50P”，固体成分50%的2-甲氧基丙醇溶液)6份、活性酯系固化剂(DIC(株)制“HPC-8000-65T”，活性基当量约223，不挥发成分65质量%的甲苯溶液)16份、胺系固化促进剂(4-二甲基氨基吡啶(DMAP)，固体成分5质量%的MEK溶液)2份、经N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业(株)制“KBM573”)表面处理后的球形二氧化硅((株)アドマテックス制“SO-C2”，平均粒径0.50μm、比表面积6m²/g、每单位表面积的碳量0.39mg/m²)80份，用高速旋转式搅拌机均匀分散，然后用筒式过滤器((株)ロキテクノ制“SHP-050”，过滤效率(制造商标称值)：3μm以上的粒子拦截99.9%以上)过滤，制成树脂清漆5。

[表1]

。

<制作例1>粘接膜1的制作

准备经醇酸树脂系脱模剂(リンテック(株)制“AL-5”)脱模处理后的PET膜(东丽(株)制“ルミラーT6AM”，厚度38μm、软化点130℃)作为支撑体。使用金属型涂布机在该支撑体的脱模面涂布树脂清漆1，在80℃~110℃(平均100℃)下干燥1.5分钟，形成树脂组合物层。树脂组合物层的厚度为10μm。接着，在树脂组合物层的未与支撑体接合的面上层压聚丙烯膜(王子特殊纸(株)制“アルファンMA-411”，厚度15μm)作为保护膜，使该保护膜的粗糙面与树脂组合物层接合，制成粘接膜1。

<制作例2>粘接膜2的制作

准备经醇酸树脂系脱模剂(リンテック(株)制“AL-5”)脱模处理后的PET膜(东丽(株)制“ルミラーT6AM”，厚度38μm、软化点130℃)作为支撑体。使用金属型涂布机在该支撑体的脱模面涂布树脂清漆2，在80℃~110℃(平均100℃)下干燥2分钟，形成树脂组合物层。树脂组合物层的厚度为15μm。接着，在树脂组合物层的未与支撑体接合的面上层压聚丙烯膜(王子特殊纸(株)制“アルファンMA-411”，厚度15μm)作为保护膜，使该保护膜的粗糙面与树脂组合物层接合，制成粘接膜2。

<制作例3>粘接膜3的制作

除了使用树脂清漆3代替树脂清漆2以外，与制作例2同样制成粘接膜3。

<制作例4>粘接膜4的制作

除了使用树脂清漆4代替树脂清漆2以外，与制作例2同样制成粘接膜4。

<制作例5>粘接膜5的制作

除了使用树脂清漆5代替树脂清漆2以外，与制作例2同样制成粘接膜5。

<实施例1>

使用粘接膜1，按照上述[测定、评价用基板的制备]制成评价基板，进行各评价。

<实施例2>

使用粘接膜2，按照上述[测定、评价用基板的制备]制成评价基板，进行各评价。

<实施例3>

使用粘接膜3，按照上述[测定、评价用基板的制备]制成评价基板，进行各评价。

<比较例1>

使用粘接膜4，按照上述[测定、评价用基板的制备]制成评价基板，进行各评价。

<比较例2>

<比较例3>

使用粘接膜5，按照上述[测定、评价用基板的制备]制成评价基板，进行各评价。

评价结果示于表2。

[表2]

。

-符号说明-

1：内层基板

10：绝缘层

11：树脂成分

12：无机填充材料。

Claims

1.电路基板，其是包含绝缘层的电路基板，所述绝缘层形成有开口直径为15μm以下的通孔，其中，

绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为150nm以下，

绝缘层包含无机填充材料，

在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，将规定宽度的区域中所含的无机填充材料的最大直径的平均值设为n¹(μm)时，n¹×1.27的值(n²)为0.2μm以下，

所述规定宽度的区域是指绝缘层的总厚度×宽度的区域。

2.根据权利要求1所述的电路基板，其中，n¹×1.27的值(n²)为0.18μm以下。

3.根据权利要求1所述的电路基板，其中，n¹×1.27的值(n²)为0.14μm以下。

4.根据权利要求1所述的电路基板，其中，n¹×1.27的值(n²)为0.1μm以下。

5.根据权利要求1所述的电路基板，其中，n¹×1.27的值(n²)为0.01μm以上。

6.根据权利要求1所述的电路基板，其中，绝缘层表面的Ra为140nm以下。

7.根据权利要求1所述的电路基板，其中，绝缘层表面的Ra为100nm以下。

8.根据权利要求1所述的电路基板，其中，绝缘层表面的Ra为70nm以下。

9.根据权利要求1所述的电路基板，其中，绝缘层表面的Ra为1nm以上。

10.根据权利要求1所述的电路基板，其中，通孔的开口直径为14μm以下。

11.根据权利要求1所述的电路基板，其中，通孔的开口直径为12μm以下。

12.根据权利要求1所述的电路基板，其中，通孔的开口直径为1μm以上。

13.根据权利要求1所述的电路基板，其中，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，规定宽度的区域的树脂面积A₁与无机填充材料面积A₂满足0.1≤A₂/(A₁＋A₂)。

14.根据权利要求1所述的电路基板，其中，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，规定宽度的区域的树脂面积A₁与无机填充材料面积A₂满足0.2≤A₂/(A₁＋A₂)。

15.根据权利要求1所述的电路基板，其中，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，规定宽度的区域的树脂面积A₁与无机填充材料面积A₂满足A₂/(A₁＋A₂)≤0.9。

16.根据权利要求1所述的电路基板，其中，通孔的开口直径D与通孔的最小直径D_min满足0.65≤D_min/D。

17.根据权利要求1所述的电路基板，其中，通孔的开口直径D与通孔的最小直径D_min满足0.66≤D_min/D。

18.根据权利要求1所述的电路基板，其中，绝缘层包含用硅烷化合物进行了表面处理的无机填充材料，所述硅烷化合物包含具有芳香环的有机基团。

19.根据权利要求1所述的电路基板，其中，无机填充材料为二氧化硅。

20.半导体装置，其包含权利要求1至19中任一项所述的电路基板。

21.电路基板的制造方法，其包括：

其中，工序(B)中形成的绝缘层包含无机填充材料，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，将规定宽度的区域中所含的无机填充材料的最大直径的平均值设为n¹(μm)时，n¹×1.27的值(n²)为0.2μm以下，

所述规定宽度的区域是指绝缘层的总厚度×宽度的区域。

22.电路基板的制造方法，其包括：

23.根据权利要求22所述的方法，其中，无机填充材料的BET比表面积为20m²/g以上且500m²/g以下。

24.根据权利要求22所述的方法，其中，无机填充材料的BET比表面积为25m²/g以上且400m²/g以下。

25.电路基板的制造方法，其包括：

26.根据权利要求25所述的方法，其中，无机填充材料的平均粒径为0.01μm以上且0.2μm以下。

27.根据权利要求25所述的方法，其中，无机填充材料的平均粒径为0.02μm以上且0.15μm以下。

28.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，在工序(C)之前除去支撑体。

29.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为150nm以下。

30.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为140nm以下。

31.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为100nm以下。

32.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为70nm以下。

33.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra)为1nm以上。

34.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，通孔的开口直径为14μm以下。

35.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，通孔的开口直径为12μm以下。

36.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，通孔的开口直径为1μm以上。

37.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，规定宽度的区域的树脂面积A₁与无机填充材料面积A₂满足0.1≤A₂/(A₁＋A₂)，

所述规定宽度的区域是指绝缘层的总厚度×宽度的区域。

38.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，规定宽度的区域的树脂面积A₁与无机填充材料面积A₂满足0.2≤A₂/(A₁＋A₂)，

所述规定宽度的区域是指绝缘层的总厚度×宽度的区域。

39.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，在该绝缘层的与绝缘层表面垂直的方向上的截面中，规定宽度的区域的树脂面积A₁与无机填充材料面积A₂满足A₂/(A₁＋A₂)≤0.9，

所述规定宽度的区域是指绝缘层的总厚度×宽度的区域。

40.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，通孔的开口直径D与通孔的最小直径D_min满足0.65≤D_min/D。

41.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，通孔的开口直径D与通孔的最小直径D_min满足0.66≤D_min/D。

42.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，绝缘层包含用硅烷化合物进行了表面处理的无机填充材料，所述硅烷化合物包含具有芳香环的有机基团。

43.根据权利要求21、22及25中任一项所述的方法，其中，无机填充材料为二氧化硅。