TWI685285B - 電路基板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種電路基板，其在具備被覆表面粗糙度小的導體層之厚度較薄之絕緣層的電路基板，藉由雷射照射而形成小直徑之通孔時，可抑制經時產生之缺陷。

本發明之電路基板係具備導體層(24)與被覆導體層之絕緣層(30)，且具備使導體層之一部分自絕緣層露出之通孔(40)之電路基板(10)，導體層之表面(24a)之算術平均粗糙度為350nm以下，通孔之深度為30μm以下，通孔之孔頂直徑(Z)為50μm以下，通孔之孔頂直徑(Z)與通孔之最小直徑(Y)與通孔之底部直徑(X)之關係滿足Y/Z=0.7~0.99及Y/X=0.7~1(Z>Y)。

Description

電路基板及其製造方法

本發明係關於電路基板及其製造方法。

電子設備中廣泛使用之電路基板為了電子設備之小型化、高功能化，而要求配線之微細化、高密度化。作為電路基板之製造技術，已知有對內層基板交互重疊絕緣層與導體層而形成多層配線構造之增層方式之製造方法。

利用增層方式之電路基板之製造方法中，絕緣層係係例如使用含支撐體與樹脂組成物層之附支撐體之樹脂片等使樹脂組成物層層合於內層基板上，且使樹脂組成物層熱硬化形成。接著，對形成之絕緣層進行孔洞加工而形成通孔(參照例如專利文獻1)。

電路基板中之電訊號衰減之要因之一已知係含配線之導體層之表面粗糙度大，為了抑制因導體層之表面粗糙度大造成之電訊號之衰減，而期望使導體層之表面粗糙度變得更小。尤其是使用高頻之電訊號時因導體層之表面粗糙度大使傳送損失顯著，對於要求對伺服器等之電 訊號之高傳送之所謂高頻電路基板尤其期望導體層之表面粗糙度更小。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本特開2008-37957號公報

本發明人等鑑於上述之問題點，發現對於使導體層之表面粗糙度更小，覆蓋該導體層之絕緣層之厚度更薄之電路基板之絕緣層，藉雷射照射形成通孔時，導體層之表面因雷射光反射、擴散，而挖入導體層附近之絕緣層且不可避免地形成挖入部，於形成孔頂直徑較小之通孔時尤其顯著，因使用而可能經時產生起因於該挖入部而於導體層、絕緣層產生龜裂等之缺陷。

據此，本發明之課題係提供一種電路基板，其在具備更薄之絕緣層之薄型電路基板中，導體層之表面粗糙度更小時，即使因雷射之照射而於絕緣層上形成小徑之通孔時，亦不易產生龜裂之發生等之因使用造成之經時缺陷。

本發明人等針對上述課題積極檢討之結果，發現將電路基板之導體層與絕緣層之密著強度設為0.15kgf/cm以上，且藉由使通孔之孔頂直徑(Z)與通孔之最小徑(Y)及通孔之底部直徑(X)之關係滿足Y/Z=0.7~0.99、Y/X=0.7~1(Z>Y)，可解決上述課題，因而完成本發明。

亦即，本發明提供下述[1]~[20]。

[1]一種電路基板，其係具備導體層與被覆導體層之絕緣層，且具備使前述導體層之一部分自該絕緣層露出之通孔之電路基板，其中前述導體層之表面之算術平均粗糙度為350nm以下，前述通孔之深度為30μm以下，前述通孔之孔頂直徑(Z)為50μm以下，前述通孔之孔頂直徑(Z)與前述通孔之最小直徑(Y)與前述通孔之底部直徑(X)之關係滿足Y/Z=0.7~0.99及Y/X=0.7~1(Z>Y)。

[2]如[1]所記載之電路基板，其中前述最小直徑之位置以前述通孔之深度為基準時，係位在靠近前述導體層。

[3]如[1]或[2]所記載之電路基板，其中前述導體層之表面之算術平均粗糙度為300nm以下。

[4]如[1]~[3]中任一項所記載之電路基板，其中前述通孔之深度為25μm以下。

[5]如[1]~[4]中任一項所記載之電路基板，其中前述導體層與前述絕緣層之密著強度為0.15kgf/cm以上。

[6]如[1]~[4]中任一項所記載之電路基板，其中前述 導體層與前述絕緣層之密著強度為0.2kgf/cm以上。

[7]如[1]~[6]中任一項所記載之電路基板，其中前述通孔之孔頂直徑(Z)為40μm以下。

[8]如[1]~[7]中任一項所記載之電路基板，其中前述絕緣層為樹脂組成物之硬化物。

[9]如[1]~[8]中任一項所記載之電路基板，其中前述通孔為藉由照射雷射而形成之通孔。

[10]一種半導體裝置，其具備如[1]~[9]中任一項所記載之電路基板。

[11]一種電路基板之製造方法，其包含下列步驟：步驟(A)將包含塑膠薄膜支撐體、及與該塑膠薄膜支撐體接合之樹脂組成物層之附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片接合於設置有含表面之算術平均粗糙度為350nm以下之導體圖型的導體層之配線基板之該導體層上之步驟，步驟(B)使前述樹脂組成物層熱硬化，形成前述導體層上之厚度為30μm以下之絕緣層且該絕緣層與前述導體層之密著強度為0.15kgf/cm以上之絕緣層之步驟，步驟(C)自前述塑膠薄膜支撐體側照射雷射，於前述絕緣層上形成孔頂直徑(Z)為50μm以下之通孔，且該通孔之孔頂直徑(Z)與該通孔之最小直徑(Y)與該通孔之底部直徑(X)之關係滿足Y/Z=0.7~0.99及Y/X=0.7~1(Z>Y)之前述通孔之步驟，步驟(D)進行去膠渣處理之步驟，步驟(E)自前述絕緣層剝離前述塑膠薄膜支撐體之步驟，與步驟(F)於前述絕緣層上進一步形成導體層之步驟。

[12]如[11]所記載之電路基板之製造方法，其中前述步驟(C)中，前述通孔係形成為以該通孔之深度為基準時最小直徑(Y)之位置位在靠近前述導體層。

[13]如[11]或[12]所記載之電路基板之製造方法，其中前述步驟(D)之去膠渣處理為濕式去膠渣處理。

[14]如[11]~[13]中任一項所記載之電路基板之製造方法，其中前述步驟(F)係藉由乾式鍍敷而於前述絕緣層之表面上形成金屬層，且藉由濕式鍍敷於該金屬層之表面上形成前述導體層之步驟。

[15]如[11]~[14]中任一項所記載之電路基板之製造方法，其中前述塑膠薄膜支撐體為附脫模層之塑膠薄膜支撐體。

[16]如[11]~[15]中任一項所記載之電路基板之製造方法，其中前述樹脂組成物層包含環氧樹脂、硬化劑及無機填充材。

[17]如[16]所記載之電路基板之製造方法，其中前述無機填充材之平均粒徑為0.01μm~3μm。

[18]如[16]所記載之電路基板之製造方法，其中前述無機填充材之平均粒徑為0.01μm~0.4μm。

[19]如[16]~[18]中任一項所記載之電路基板之製造方法，其中前述樹脂組成物層中之前述無機填充材之含量 於將前述樹脂組成物層中之不揮發成分設為100質量%時為40質量%~95質量%。

[20]如[16]~[19]中任一項所記載之電路基板之製造方法，其中前述無機填充材係以表面處理劑予以表面處理者。

依據本發明，可提供具備表面粗糙度小且被覆導體層之厚度更薄之絕緣層之電路基板中，藉雷射之照射而形成小直徑之通孔時，不易於導體層、絕緣層產生龜裂等之因使用所致之經時缺陷的電路基板。

10‧‧‧電路基板

20‧‧‧配線基板

22‧‧‧基板

24‧‧‧導體層

24a‧‧‧導體層之表面

30‧‧‧絕緣層

30X‧‧‧樹脂組成物層

30a‧‧‧絕緣層之表面

40‧‧‧通孔

42‧‧‧挖入部

44‧‧‧底部

50‧‧‧塑膠薄膜支撐體

60‧‧‧附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片

70‧‧‧配線層

X‧‧‧底部直徑

Y‧‧‧最小直徑

Z‧‧‧孔頂直徑

t‧‧‧絕緣層之厚度

d‧‧‧通孔深度

圖1為平面顯示電路基板之概略圖。

圖2為顯示圖1中之以II-II一點鏈線切斷之端面之概略圖。

圖3為說明電路基板之製造方法之概略圖。

圖4為說明電路基板之製造方法之概略圖。

以下，參照圖式針對本發明之實施形態加以說明。又，各圖式不過是在發明可理解之程度下，概略顯示構成要素之形狀、大小及配置。本發明並不因以下之描 述而受到限制，各構成要素在不脫離本發明要旨之範圍內可適當地變更。以下說明所使用之圖式中，相同之構成要素係賦予相同之符號表示，關於重複之說明有時會省略。又，本實施形態之該構成並非必定以圖示之配置、形狀予以製造、使用。

〔具備導體層與被覆該導體層之絕緣層之電路基板〕

本發明之電路基板係具備導體層與被覆該導體層之絕緣層，且具備使導體層之一部分自該絕緣層露出之通孔之電路基板，導體層之表面之算術平均粗糙度為350nm以下，通孔之深度為30μm以下，通孔之孔頂直徑(Z)為50μm以下，通孔之孔頂直徑(Z)與通孔之最小直徑(Y)與通孔之底部直徑(X)之關係滿足Y/Z=0.7~0.99及Y/X=0.7~1(Z>Y)。

參照圖1及圖2，針對電路基板之構成例加以說明。

圖1為平面顯示電路基板之概略圖。係將電路基板中設置1個通孔之區域放大顯示。圖2為圖1中之以II-II一點鏈線切斷之端面之概略圖。

如圖1及圖2所示，本實施形態之電路基板10包含配線基板(內層基板)20。配線基板20包含基板22、與設置於基板22之主面上之半導體層24。於設置導體層24之側設置被覆該導體層24與自導體層24露出之基板22之主面之絕緣層30。

圖示例中僅在基板22之一主面側設置導體層24及絕緣層30。然而，本實施形態中該電路基板10之構成並不限於圖示例，亦可為在基板22之兩面側設置導體層24及絕緣層30，進而於基板22之兩面側設置增層層之構成。該情況下配線基板20相當於所謂的內層電路基板。

以下說明中，為了簡略說明而更容易理解，而針對僅於基板22之一主面側設置導體層24及絕緣層30之構成加以說明。

此處該導體層24之表面24a之表面粗糙度，亦即平均粗糙度(算術平均粗糙度Ra)為350nm以下，較好為300nm以下。因此導體層24之表面粗糙度比以往之導體層小。

本實施形態之該導體層24上之絕緣層30厚度為30μm以下，較好為25μm以下。因此絕緣層30比以往之電路基板之絕緣層薄。亦即本發明之該電路基板10具有整體更薄型之特徵。

針對絕緣層30之製造方法之細節描述於後，但絕緣層30係以樹脂組成物之硬化物構成。該硬化物亦可使用含樹脂組成物與薄片狀纖維基材之預浸體形成。

電路基板10上設置1個以上之通孔40，其使導體層24之其一部份自絕緣層30之表面30a露出至表面24a。本實施形態中通孔40之由絕緣層30之表面30a劃分成之略圓形之輪廓之直徑(開口徑)的孔頂直徑(Z) 為50μm以下，較好為40μm以下。換言之，本發明之設置於電路基板10上之通孔40係設為以電路基板10之厚度方向觀看時之最大直徑的孔頂直徑(Z)比以往之通孔小直徑之通孔。

針對通孔40之形成方法之細節敘述於後，但通孔40較好藉由照射雷射形成。

本實施形態之通孔40其孔頂直徑(Z)與最小直徑(Y)與通孔之底部直徑(X)之關係滿足Y/Z在0.7~0.99之範圍(Y/Z=0.7~0.99)及Y/X在0.7~1之範圍Z>Y(Y/X=0.7~1(Z>Y))。

本實施形態之通孔40中，深度d相當於使通孔40內朝與絕緣層30之表面30a及/或導體層24之表面24a正交之方向延伸，一端部位於表面24a另一端部位於與表面30a高度相等位置之線段之長度。通孔40中，最小直徑(Y)以通孔40之深度d為基準時其位置位於靠近導體層24。換言之，最小直徑(Y)之位置係以通孔40之深度d為基準，比距孔頂直徑(Z)之位置或底部直徑(X)之距離相等之位置亦即d/2之位置更靠近導體層24，亦即，以通孔40之深度d為基準時位於距底部直徑(X)側之通孔40之底部44(0d)為d/2之範圍內之位置，進而換言之，位於距孔頂直徑(Z)側為0.5d~1.0d之範圍內之位置。

此處絕緣層30包含源自預浸體之薄片狀纖維基材時，通常薄片狀纖維基材之一部分自絕緣層30(通 孔40之側壁)突出至通孔40內之位置相當於最小直徑(Y)。

通常，通孔40之輪廓之形狀具有其孔頂直徑(Z)比底部直徑(X)大之倒圓錐梯形之形狀，但圖示例之通孔40中，自導體層24之表面24a至導體層24之附近之區域中形成挖入部42。又，亦有本實施形態之通孔40中，不具有挖入部40，而最小直徑(Y)與底部直徑(X)一致，且孔頂直徑(Z)比底部直徑(X)大之倒圓錐梯形之形狀的情況。

挖入部42係藉由通孔40之形成所用之雷射光在導體層24之表面24a反射、擴散而形成。

挖入部42在圖示例中其輪廓形狀為其底面之直徑比上面直徑大之圓錐梯形。然而，挖入部42之形狀並不限於此。挖入部42之最大直徑在圖示例中與通孔40之底部44之底部直徑(X)一致。

電路基板10中，挖入部42較好其輪廓之直徑(圓錐梯形之底面及上面之直徑)、尺寸(輪廓所畫出之區域之容積)較小較佳，更好不存在挖入部42，亦即Y/X成為1，通孔40之輪廓形狀成為倒圓錐梯形之形狀。

本實施形態之導體層24與絕緣層30之密著強度為0.15kgf/cm以上，較好為0.18kgf/cm以上，更好為0.20kgf/cm以上。藉由使該導體層24與絕緣層30之密著強度成為0.15kgf/cm以上，而使通孔40之輪廓形狀滿足上述關係。藉此可形成不具有挖入部42，或即使不可避免地具有則挖入部42之直徑、挖入部42之尺寸亦更小之通孔40。結果，不易發生於絕緣層30、導體層24中產生龜裂等之因使用導致之經時缺陷故壽命長，例如可提供即使以高頻訊號作動信賴性亦高之電路基板10。

另一方面，導體層24與絕緣層30之密著強度小於0.15kgf/cm時，通孔40之輪廓形狀無法滿足上述關係，挖入部42之直徑、尺寸變大而容易發生於絕緣層30、導體層24中產生龜裂等之因使用所致之經時缺陷，故有經時之特性劣化，且裝置之壽命變短之虞。

圖示例係在絕緣層30之表面30a上設置配線層70。配線層70係以包含複數配線之配線圖型構成。此處配線層70之材料係以填充於通孔40內之方式，以例如填充通孔而構成，藉此配線層70到達至導體層24之表面24a，使配線層70與導體層24電性連接。

〔電路基板之製造方法〕

本實施形態之該電路基板之製造方法包含步驟(A)將包含塑膠薄膜支撐體、及與該塑膠薄膜支撐體接合之樹脂組成物層之附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片接合於設置有含表面之算術平均粗糙度為350nm以下之導體圖型的導體層之配線基板之該導體層上之步驟，步驟(B)使前述樹脂組成物層熱硬化，形成導體層上之厚度為30μm以下之絕緣層且絕緣層與導體層之密著強度為0.15kgf/cm以上之絕緣層之步驟，步驟(C)自塑膠薄膜支撐體側照射雷 射，於絕緣層上形成孔頂直徑(Z)為50μm以下之通孔，且通孔之孔頂直徑(Z)與通孔之最小直徑(Y)與通孔之底部直徑(X)之關係滿足Y/Z=0.7~0.99及Y/X=0.7~1(Z>Y)之通孔之步驟，步驟(D)進行去膠渣處理之步驟，步驟(E)自絕緣層剝離塑膠薄膜支撐體之步驟，與步驟(F)於絕緣層上進一步形成導體層之步驟。

參照圖3及圖4，針對本實施形態之該電路基板之製造方法加以說明。圖3及圖4為用以說明與圖2同樣顯示之電路基板之製造方法之概略圖。

〈步驟(A)〉

步驟(A)為將包含塑膠薄膜支撐體、及與該塑膠薄膜支撐體接合之樹脂組成物層之附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片接合於設置有含表面之算術平均粗糙度為350nm以下之導體圖型的導體層之配線基板之該導體層上之步驟。

如圖3所示，步驟(A)中，準備將包含塑膠薄膜支撐體50、及與該塑膠薄膜支撐體50接合之樹脂組成物層30X之附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60，以附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60之樹脂組成物層30X與配線基板20之導體層24之表面24a接合之方式層合。

配線基板20所含之基板22之例列舉為例如玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等。於基板22之單面 (或兩面)上形成有已說明之含經圖型化之1個以上之配線圖型之導體層(電路)24。

配線基板20之導體層24之表面24a之表面粗糙度，基於降低電訊號之導體損失之觀點，平均表面粗糙度(Ra)設為350nm以下，較好為300nm以下。導體層24之表面粗糙度可藉導體層24之表面處理而調整。

基於兼具導體層24之表面24a之低粗糙度、與導體層24及絕緣層30之密著性之觀點，較好導體層24之表面24a之表面處理之例列舉為使用有機酸系微蝕刻劑的「MECetchBOND CZ8100」、「MECetchBOND CZ8101」(MEC(股)製)之粗化處理、藉由使用錫系處理劑「Secure HFz」(Atotech公司製)、「FLATBOND」(MEC(股)製)之錫系處理劑之表面處理等。此處所謂錫系處理意指於導體層24之表面24a上形成至少含金屬錫或錫氧化物之層。具體而言，係對於配線基板20藉由使用含取代錫鍍敷或錫鹽、有機及/或無機酸、還原劑等之處理液等浸漬等之處理而進行表面處理。

步驟(A)中使用之附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60之構成、製造方法之細節敘述於後。

附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60與配線基板20之接合(層合)可藉由例如自塑膠薄膜支撐體50側對配線基板20加熱壓著附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60之加熱壓著步驟而進行。將附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60加熱壓著於配線基板20上之構件(以下亦稱為「加熱 壓著構件」)列舉為例如經加熱之金屬板(SUS鏡面板等)或金屬輥(SUS輥)等。又，較好並非將加熱壓著構件直接加壓於附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60上，而是如使樹脂組成物層30X充分追隨於電路基板20之表面凹凸之方式，透過以耐熱橡膠等作為材料之彈性材加壓。

加熱壓著步驟之溫度較好為80℃~160℃之範圍，更好為90℃~140℃之範圍，又更好為100℃~120℃之範圍。加熱壓著步驟之壓力較好為0.098MPa~1.77MPa之範圍，更好為0.29MPa~1.47MPa之範圍。加熱壓著步驟之處理時間較好為20秒~400秒之範圍，更好為30秒~300秒之範圍。層合較好在壓力26.7hPa以下之減壓條件下實施。

層合可使用市售之真空層合機進行。市售之真空層合機列舉為例如名機製作所(股)製之真空加壓式層合機、Nichigo-Morton(股)製之真空塗佈機等。

步驟(A)中，附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60可僅層合於配線基板20之兩主面中之單面，亦可層合於兩面上。

層合後，亦可在常壓下(大氣壓下)，例如自塑膠薄膜支撐體50側加壓加熱壓著構件，藉此進行層合之附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60之平滑化處理。平滑化處理之加壓條件與上述加熱壓著步驟中之各條件相同之條件即可。平滑化處理可藉市售之層合機進行。又，層合與平滑化處理亦可使用上述市售之真空層合機連續進 行。

〈步驟(B)〉

步驟(B)為使樹脂組成物層30X熱硬化，形成前述導體層24上之厚度為30μm以下的絕緣層30且絕緣層30與導體層24之密著強度為0.15kgf/cm以上之絕緣層30之步驟。

步驟(B)中，使樹脂組成物層30X熱硬化形成絕緣層30。熱硬化前亦可自樹脂組成物層30X剝離(去除)塑膠薄膜支撐體50。對塑膠薄膜支撐體50之表面施以脫模處理，使經脫模處理之面與樹脂組成物層30X鄰接之情況等，絕緣層30形成後，可自絕緣層30之表面30a容易地剝離塑膠薄膜支撐體50時，亦可不剝離塑膠薄膜支撐體50而直接熱硬化形成絕緣層30。

步驟(B)中，樹脂組成物層30X之熱硬化條件並無特別限制，例如可將硬化溫度設為120℃~240℃之範圍(較好為150℃~210℃之範圍，更好為160℃~200℃之範圍)，將硬化時間設為5分鐘~90分鐘之範圍(較好為10分鐘~75分鐘之範圍，更好為15分鐘~60分鐘之範圍)。又，熱硬化時之壓力並無特別限制，可為常壓下、加壓下、減壓下之任一者。

樹脂組成物層30X熱硬化前，亦可以比硬化溫度低之溫度加熱處理樹脂組成物層30X進行預加熱處理。例如，使樹脂組成物層30X熱硬化前，亦可進行以 50℃以上且未達120℃(較好60℃以上110℃以下)之溫度加熱處理樹脂組成物層30X 5分鐘以上(較好5分鐘~150分鐘)之預加熱處理。

藉由樹脂組成物層30X之熱硬化形成之導體層24上之絕緣層30之厚度，亦即上述通孔40之深度d基於成為薄型之電路基板10之觀點係設為30μm以下。基於薄型化之觀點，導體層24上之絕緣層30之厚度較好為25μm以下。導體層24上之絕緣層30之厚度之下限並無特別限制，但通常為3μm以上。絕緣層30之厚度t及絕緣層30之導體層24上之厚度(d)可藉由調整附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60之樹脂組成物層30X之厚度而適當調整。

藉樹脂組成物層30X之熱硬化形成之絕緣層30與導體層24之密著強度係設為0.15kgf/cm以上。絕緣層30與導體層24之密著強度較好為0.2kgf/cm以上。密著強度未達0.15kgf/cm時，藉雷射之照射形成通孔40時，因位在通孔40之底部側之導體層24之表面24a中之雷射光之反射、擴散，而有引起絕緣層30與導體層24因雷射能量之熱而剝離之缺陷之情況。

形成之絕緣層30與導體層24之密著強度可依據用以形成絕緣層30之樹脂組成物之成分、形成絕緣層30時之硬化條件(構成絕緣層30之樹脂之剝離轉移溫度(Tg))、導體層24之表面24a之表面粗糙度、用以提高導體層24之表面24a之密著性之處理等整予以調 整。

基於絕緣層30與導體層24之密著強度之調整之觀點，較好例如於樹脂組成物之成分中使用以環氧樹脂作為主成分之樹脂組成物，且使用酚性硬化劑、活性指係硬化劑作為硬化劑。該樹脂組成物之硬化條件較好為在樹脂組成物之Tg成為100℃以上之硬化條件下硬化。使用具有三嗪構造之環氧樹脂、具有三嗪構造之酚系硬化劑作為樹脂組成物之材料時，有提高絕緣層30與導體層24之密著強度之傾向。另一方面，使用脂環式環氧樹脂作為環氧樹脂時有使絕緣層30與導體層24之密著強度下降之傾向，且使用乙烯基聚合系之樹脂作為樹脂組成物之成分時亦有密著強度下降之傾向。

導體層24之表面24a之表面粗糙度愈大，則愈有因所謂投錨效果而提高絕緣層30與導體層24之密著強度之傾向。然而，導體層24之表面24a之表面粗糙度愈大，愈有訊號之傳送損失亦增大之傾向。因此，本實施形態之該電路基板10中導體層24之表面24a之表面粗糙度設為350μm以下。且藉由進行用以提高導體層24之表面24a之密著強度之表面處理，亦可提高絕緣層30與導體層24之密著強度。

可一方面使導體層24之表面24a成為低粗糙度一方面提高密著強度之表面處理之例列舉為使用有機酸系微蝕刻劑的「MECetchBOND CZ8100」、「MECetchBON CZ8101」(MEC(股)製)之粗化處 理。又，用以提高導體層24之表面24a之密著強度之表面處理之例列舉為使用錫系處理劑的「Secure HFz」(Atotech公司製)之表面處理等。且，進行粗化處理、用以提高密著強度之處理後，亦可藉由進而施以使用偶合劑之處理，提高密著強度。可使用之偶合劑之例列舉為矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑、鋁酸鹽系偶合劑等。其中，以矽烷偶合劑較佳，矽烷偶合劑之例列舉為胺基矽烷偶合劑、環氧矽烷偶合劑、苯乙烯矽烷偶合劑等。該表面處理列舉為藉由包含以錫系處理劑之處理與使用偶合劑之處理之「FLATBOND」(MEC(股)製)之表面處理。

本實施形態之該電路基板10之製造方法係於絕緣層30上形成通孔。如已說明，形成之通孔40之孔頂直徑(Z)為50μm以下，通孔40之孔頂直徑(Z)與通孔40之最小直徑(Y)及通孔40之底部直徑(X)之關係滿足Y/Z=0.7~0.99、Y/X=0.7~1(Z>Y)。此時通孔40之最小直徑之位置以通孔40之深度d為基準係位於靠近導體層24。

〈步驟(C)〉

本實施形態之該電路基板10可藉由例如步驟(A)及步驟(B)之實施後，實施步驟(C)而製造。

步驟(C)為自塑膠薄膜支撐體50側，亦即塑膠薄膜支撐體50之上方照射雷射，於絕緣層30上形成孔頂直徑(Z)為50μm以下之通孔40，且該通孔40之孔頂直徑(Z)與該通孔40之最小直徑(Y)與該通孔40之底部直徑(X)之關係滿足Y/Z=0.7~0.99及Y/X=0.7~1(Z>Y)之通孔40之步驟。

如圖4所示，步驟(C)係照射雷射，於絕緣層30上形成孔頂直徑(Z)為50μm以下之通孔40。如圖示例般塑膠薄膜支撐體50以與絕緣層30接合之狀態存在時，可自塑膠薄膜支撐體50之上方對塑膠薄膜支撐體50照射雷射，亦可對剝離了塑膠薄膜支撐體50後之絕緣層30直接照射雷射。基於精度良好地形成通孔40之觀點，較好不剝離塑膠薄膜支撐體50而自其上方照射雷射形成通孔40。

步驟(C)中形成之通孔40之孔頂直徑(Z)基於電路基板10所具備之配線圖型之更高密度化之觀點，較好未達50μm，更好為40μm以下，又更好為35μm以下，最好為30μm以下。

步驟(C)中形成之通孔40之個數並無特別限制，可依據電路基板10之設計設為任意適當之個數。形成之複數通孔40之孔頂直徑(Z)可相同亦可彼此不同。又，步驟(C)中形成之通孔40之全部孔頂直徑(Z)不須均為50μm以下。依據電路基板10之設計，亦可一併形成具有超過50μm之孔頂直徑(Z)之通孔40。

本實施形態之該電路基板10之製造方法中形成之通孔40之孔頂直徑(Z)與通孔40之最小直徑(Y)與通孔40之底部直徑(X)之關係滿足Y/Z=0.7~ 0.99及Y/X=0.7~1(Z>Y)。而且通孔40之最小直徑之位置以通孔40之深度d為基準時位於靠近導體層24。

步驟(C)中，雷射之照射可使用之雷射光源列舉為例如碳酸氣體雷射、YAG雷射、UV-YAG雷射、YVO₄雷射、YLF雷射、準分子雷射等。可依據塑膠薄膜支撐體50、絕緣層30之吸光特性等，使用任意適當之雷射光源。

雷射之照射條件只要是可形成具有已說明程度之孔頂直徑(Z)之小直徑通孔40即無特別限制，只要依據雷射光源之種類等、有無塑膠薄膜支撐體50及其厚度及絕緣層30之厚度適當決定即可。

以下，針對使用碳酸氣體雷射作為雷射光源時之照射條件加以說明。使用碳酸氣體雷射作為雷射光源時，一般使用9.3μm~10.6μm之波長的雷射光。照射(shot)數例根據欲形成之通孔40深度d、孔頂直徑(Z)而異，但通常在1次照射~10次照射之範圍選擇。基於提高加工速度並提高電路基板之生產性之觀點，照射次數較少較佳，較好為1次照射~5次照射之範圍，更好為1次照射~3次照射之範圍。又，照射次數為2次照射以上時，可以連續模式、循環模式之任一種模式照射雷射。雷射之能量隨照射次數、通孔40之深度d、塑膠薄膜支撐體50之有無、其厚度而定，較好設定為0.2mJ以上，更好為0.3mJ以上，又更好為0.4mJ以上。雷射之能量之上限較好為20mJ以下，更好為15mJ以下，又更好為10mJ以下。

步驟(C)可使用市售之雷射裝置實施。市售之雷射裝置列舉為例如日立VIAMECHANICS(股)製之「LC-2E21B/1C」(碳酸氣體雷射裝置)、三菱電機(股)製之「605GTWIII(-P)」(碳酸氣體雷射裝置)、ESI公司製之「MODEL5330xi」、「MODEL5335」(UV-YAG雷射裝置)等。

步驟(C)中形成之通孔40之內部(尤其是通孔40之底部)一般會附著樹脂殘渣(膠渣)。由於此膠渣將成為層間之電性連接不良之原因，故通孔40形成後，通常進行去除膠渣之去膠渣處理(步驟(D))。

〈步驟(D)〉

步驟(D)為進行去膠渣處理之步驟。

步驟(D)中之去膠渣處理並無特別限制，可進行任意適當之過去習知之去膠渣處理。去膠渣處理可藉由例如乾式去膠渣處理、濕式去膠渣處理或該等之組合而進行。自塑膠薄膜支撐體50之上方進行以雷射形成通孔40時，通孔40剛形成後為絕緣層30與塑膠薄膜支撐體50接合之狀態，去膠渣處理可在塑膠薄膜支撐體50與絕緣層30接合之狀態下直接進行，亦可在自絕緣層30剝離塑膠薄膜支撐體50後進行。

乾式去膠渣處理之例列舉為使用電漿之去膠渣處理。使用電漿之去膠渣處理可使用市售之電漿去膠渣處理裝置實施。市售之電漿去膠渣處理裝置中，適於本發 明之電路基板之製造用途之例列舉為NISSIN(股)製之微波電漿裝置、積水化學工業(股)製之常壓電漿蝕刻裝置等。

乾式去膠渣處理之例列舉為自噴嘴吹拂研磨材而研磨處理對象獲得之乾式噴砂處理。乾式噴砂處理可使用市售之乾式噴砂處理裝置實施。使用水溶性之研磨材作為研磨材時，乾式噴砂處理後藉水洗處理，可不使研磨材殘留在通孔40之內部，有效地去除膠渣。

濕式去膠渣處理列舉為例如使用氧化劑溶液之去膠渣處理等。使用氧化劑溶液之去膠渣處理時，較好依序進行以膨潤液之膨潤處理、以氧化劑溶液之氧化處理、以中和液之中和處理。膨潤液可列舉為日本ATOTECH(股)製之「Sweeling Dip Securiganth P」、「Sweeling Dip Securiganth SBU」等。膨潤處理較好將形成有通孔40之基板浸漬於加熱至60℃~80℃之膨潤液中5分鐘~10分鐘而進行。作為氧化劑溶液，較好為鹼性過錳酸水溶液，可列舉為例如將過錳酸鉀或過錳酸鈉溶解於氫氧化鈉之水溶液中而成之溶液。以氧化劑溶液之氧化處理較好藉由將膨潤處理後之基板浸漬於加熱至60℃~80℃之氧化劑溶液中10分鐘~30分鐘而進行。鹼性過錳酸水溶液之市售品列舉為例如日本ATOTECH(股)製之「Concentrate．Compact CP」、「Dosing Solution‧Securiganth P」等。以中和液之中和處理較好藉由將氧化處理後之基板浸漬於30℃~50℃之中和液中3分鐘~10分 鐘而進行。作為中和液較好為酸性水溶液，市售品列舉為例如日本ATOTECH(股)製之「Reduction Solution Securiganth P」。

濕式去膠渣處理亦可使用自噴嘴吹拂研磨材與分散介質而研磨處理對象之濕式噴砂處理。濕式噴砂處理可使用市售之濕式噴砂處理裝置實施。

組合乾式去膠渣處理與濕式去膠渣處理而實施時，可先實施乾式去膠渣處理，亦可先實施濕式去膠渣處理。

基於更可享受本發明效果之觀點，步驟(D)之去膠渣處理較好為濕式去膠渣處理。

〈步驟(E)〉

步驟(E)為自絕緣層30剝離塑膠薄膜支撐體50之步驟。

塑膠薄膜支撐體50之剝離方法並無特別限制，可藉過去習知之任意較佳方法進行。塑膠薄膜支撐體50可利用自動剝離裝置機械地剝離。

〈步驟(F)〉

步驟(F)為於絕緣層30上形成配線層70之步驟。

去膠渣處理後，於絕緣層30之表面30a上形成配線層70(增層配線層)。

配線層70中可使用之導體材料並無特別限制。較佳 之實施形態中，配線層70包含選自由金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所組成群之1種以上之金屬作為材料。配線層70可為單金屬層亦可為合金層，合金層列舉為例如選自由上述之群之2種以上之金屬的合金(例如，鎳．鉻合金、銅．鎳合金及銅．鈦合金)所形成之層。其中，就配線層70形成之容易性、成本、圖型化之容易性等之觀點而言，配線層70較好為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層，或鎳．鉻合金、銅．鎳合金、銅．鈦合金之合金層，更好為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層，或鎳．鉻合金之合金層，又更好為銅之單金屬層。

配線層70可為單層構造，亦可為層合2層以上之由不同種類之金屬或合金所成之單金屬層或合金層所成之多層構造。配線層70為多層構造時，與絕緣層30相接之層較好為鉻、鋅或鈦之單金屬層，或鎳．鉻合金之合金層。

配線層70之厚度係依據期望之電路基板之設計而定，通常為35以下，較好為30μm以下，更好為25μm以下。配線層70之厚度之下限並無特別限制，但通常為3μm以上，較好為5μm以上。

較佳之實施形態中，步驟(F)係依序包含下列步驟(以下稱為「步驟(F-1)」)：以乾式鍍敷於絕緣層30之表面形成金屬層之步驟，以濕式鍍敷於金屬層之表面形成配線層70之步驟。

步驟(F-1)中，首先以乾式鍍敷於絕緣層30之表面30a上形成金屬層。

乾式鍍敷列舉為例如蒸鍍、濺鍍、離子鍍敷、雷射剝蝕等、物理氣相成長(PVD)法、熱CVD、電漿CVD等化學氣相成長(CVD)法。其中以蒸鍍、濺鍍較佳。金屬層亦可組合該等乾式鍍敷中之2種以上形成。

所形成之金屬層之厚度雖無特別限制，但較好為5nm~2μm，更好為10nm~1μm，又更好為20nm~500nm。又，金屬層可為單層構造，亦可為多層構造。金屬層為多層構造時，金屬層整體之厚度較好在上述範圍內。

步驟(F-1)中，金屬層形成後，藉濕式鍍敷於該金屬層之表面形成配線層70。

使用金屬層作為鍍敷種晶層，可藉半加成法利用濕式鍍敷形成含具有期望圖型之配線圖型之配線層70。詳言之，於鍍敷種晶層(金屬層)上，形成使對應於期望之配線圖型之鍍敷種晶層之一部分露出之遮罩圖型，於露出之鍍敷種晶層上利用電解鍍敷形成配線層70後，去除遮罩圖型。隨後。以蝕刻等去除不要之鍍敷種晶層，可形成含期望之配線圖型之配線層70。

又，形成配線層70時，亦可預先對絕緣層30之表面30a粗化處理。該情況下，步驟(F-1)依序包含下列步驟：粗化處理絕緣層30之表面30a之步驟， 以乾式鍍敷於絕緣層30之表面30a形成金屬層之步驟，以濕式鍍敷於金屬層之表面形成配線層70之步驟。

粗化處理列舉為例如乾式粗化處理、濕式粗化處理，亦可組合該等實施粗化處理。

乾式粗化處理可與已說明之乾式去膠渣處理同樣進行。且，濕式粗化處理可與已說明之濕式去膠渣處理同樣進行。組合乾式粗化處理與濕式粗化處理而實施時，可先實施乾式粗化處理，亦可先實施濕式粗化處理。粗化處理之目的係使絕緣層30露出之表面30a粗化者，但關於通孔40內部之膠渣去除亦能發揮一定效果。步驟(D)在溫和條件下進行時，仍可防止膠渣之殘留。

較佳之其他實施形態中，步驟(F)依序包含下列步驟(以下稱為「步驟(F-2)」)：粗化處理絕緣層30之表面30a之步驟， 以濕式鍍敷於絕緣層30之表面30a形成配線層70之步驟。

粗化處理之細節先前已說明。

步驟(F-2)中，粗化處理絕緣層30之表面30a後，以濕式鍍敷於絕緣層30之表面30a上形成配線層70。

例如，可以組合無電解鍍敷與電解鍍敷之半加成法形成含具有期望圖型之配線圖型之配線層70。

為了可使所得絕緣層30之表面30a之表面粗 糙度更低，更有助於配線之微細化、高密度化，較好進行步驟(F-1)作為步驟(F)。

利用以上之步驟製造電路基板10。又，此處雖說明僅形成1層絕緣層30之例，但亦可進而形成1層以上之含絕緣層及設置於絕緣層之配線層之所謂增層之層。

〈附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片〉

針對本發明之製造方法中使用之附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60加以說明。

本發明之製造方法中使用之附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60包含塑膠薄膜支撐體50、及與塑膠薄膜支撐體50接合之樹脂組成物層30X。以下針對該等加以說明。

(塑膠薄膜支撐體)

至於塑膠薄膜支撐體50之材料列舉為例如聚對苯二甲酸乙二酯(稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二酯(稱為「PEN」)等聚酯，聚碳酸酯(稱為「PC」)、聚甲基丙烯酸甲酯(稱為PMMA)等之丙烯酸、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素(稱為TAC)、聚醚硫醚(稱為PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中，較好為PET、PEN、聚醯亞胺，更好為PET、PEN。較佳之一實施形態中塑膠薄膜支撐體50為PET薄膜支撐體或PEN薄膜支撐體。

製造本發明之電路基板10時，較好自塑膠薄膜支撐體50側之上方照射雷射，於絕緣層30上形成小直徑之通孔40。基於藉雷射之照射順利形成通孔40之觀點，塑膠薄膜支撐體50較好可吸收雷射能量。例如PEN薄膜支撐體由於具有紫外線(UV)吸收性，故利用UV照射進行通孔40之形成中可適當地使用作為塑膠薄膜支撐體50。

藉由於塑膠薄膜支撐體50中含有雷射能量吸收性成分，可賦予或增大雷射能量之吸收性。雷射能量吸收性成分只要可吸收通孔40之形成所使用之雷射即無特別限制，列舉為例如碳粉、金屬化合物粉、金屬粉及黑色染料等。雷射能量吸收性成分可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。

碳粉列舉為例如爐黑、煙囪黑、乙炔黑、熱黑、蒽黑等碳黑之粉末、石墨粉末及該等之混合物之粉末。金屬化合物列舉為例如氧化鈦等氧化鈦類、氧化鎂等氧化鎂類、氧化鐵等鐵氧化物、氧化鎳等鎳氧化物、二氧化錳、氧化鋅等鋅氧化物、二氧化矽、氧化鋁、稀土類氧化物、氧化鋯等鋯氧化物、氧化錫等錫氧化物、氧化鎢等鎢氧化物、碳化矽、碳化鎢、氮化硼、氮化矽、氮化鈦、氮化鋁、硫酸鋇、稀土類硫化物、及該等之混合物之粉末。金屬粉列舉為例如銀、鋁、鉍、鈷、銅、鐵、鎂、錳、鉬、鎳、鈀、銻、矽、錫、鈦、釩、鎢、鋅、及該等之合金或混合物之粉末等。黑色染料列舉為例如偶氮(單 偶氮、雙偶氮等)染料、偶氮-次甲基染料、蒽醌系染料喹啉染料、酮亞胺染料、螢光酮(fluorone)染料、硝基染料、氧雜蒽染料、苊染料、喹酞酮(quinophthalone)染料、胺基酮染料、次甲基染料、苝系染料、香豆素染料、紫環酮(perinone)染料、三苯基染料、三烯丙基甲烷冉亮、酞菁染料、inkro-phenol dye染料、嗪染料、及該等之混合物等。黑色染料為了提高分散性，較好使用對溶劑為可溶性之黑色染料。其中，作為雷射能量吸收性成分，基於雷射能量轉換為熱之轉換效率、或廣用性等之觀點，較好為碳粉，尤其是碳黑。又，雷射能量吸收性成分之平均粒徑之上限，基於效率良好地吸收雷射能量之觀點，較好為20μm以下，更好為10μm以下。該平均粒徑之下限，基於分散性之觀點，較好為0.001μm以上，更好為0.002μm以上。此處所謂「平均粒徑」可藉粒度分佈測定裝置、BET法測定。所謂BET法係以液體氮之溫度使吸附占有面積為已知之分子吸附於粉體粒子之表面上，由其量求出試料之比表面積之方法。進而可由以BET法求出之比表面積算出平均粒徑。

雷射能量吸收性成分之含量，於將構成塑膠薄膜支撐體50之全部成分設為100質量%時，基於順利地形成通孔40之觀點，較好為0.01質量%以上，更好為0.03質量%，又更好為0.05質量%以上。該含量之上限，基於獲得具有良好可撓性之塑膠薄膜支撐體50之觀點，較好為40質量%以下，更好為20質量%以下，又更好為 10質量%以下。又，雷射能量吸收性成分亦可含於後述之脫模層中。

作為塑膠薄膜支撐體50之市售品，舉例有例如Toray(股)製之「LUMIRROR R56」、「LUMIRROR R80」、「LUMIRROR T6AM」(PET薄膜)、帝人度方薄膜(股)製之「G2LA」(PET薄膜)、「TEONEX Q83」(PEN薄膜)、宇部興產(股)製之「UPILEX-S」(聚醯亞胺薄膜)、KANEKA(股)製之「APICAL AH」、「APICAL NPI」(聚醯亞胺薄膜)等。

塑膠薄膜支撐體50亦可於與樹脂組成物層30X接合之面施以消光處理、電暈處理。

基於易於將步驟(B)中之絕緣層30與塑膠薄膜支撐體50之間之密著強度調整至期望範圍，作為塑膠薄膜支撐體50，較好為於與樹脂組成物層30X接合之面上具有脫模層之附脫模層之塑膠薄膜支撐體50。作為脫模層中可使用之脫模劑，舉例為例如醇酸樹脂、三聚氰胺樹脂、烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂等之非矽氧系脫模劑，及矽氧系脫模劑。脫模劑可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。其中，基於製作附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60時對於樹脂漆料顯示高的濡濕性、與樹脂組成物層30X之接觸狀態遍及全面易於均一之觀點，脫模層較好為含非矽氧系脫模劑之脫模層，更好為含醇酸樹脂及/或烯烴樹脂之脫模層。

脫模劑根據其構成成分之種類等，可分類為 剝離強度低之所謂輕剝離型脫模劑、剝離強度高之所謂重剝離型脫模劑、顯示輕剝離型之脫模劑與重剝離型之脫模劑之中間剝離強度之所謂中剝離型脫模劑，但基於於步驟(B)中易於將密著強度調整至期望範圍，較好為重剝離型脫模劑。用以形成絕緣層30之樹脂組成物層30X之組成，亦根據步驟(A)之層合條件、步驟(B)之熱硬化條件等而異，但作為脫模劑，可使用初期密著強度較好為100(mN/20mm)以上，更好為300(mN/20mm)以上，又更好為500(mN/20mm)以上、700(mN/20mm)以上、800(mN/20mm)以上、900(mN/20mm)以上或1000(mN/20mm)以上之脫模劑。初期密著強度之上限並未特別限定，但基於步驟(E)中順利剝離塑膠薄膜支撐體50之觀點，通常可為8000(mN/20mm)以下，可為7500(mN/20mm)以下等。初期之密著強度可藉由如下測定：使用2kg輥將丙烯酸系黏著膠帶(日東電工(股)製之「31B」)貼附於以脫模劑進行脫模處理之面上，放置30分鐘後，剝離丙烯酸系黏著膠帶之一端並以夾具夾住，測定在室溫下，以30cm/分鐘之速度、剝離角度180°之條件拉離時之荷重(mN/20mm)而求得。測定亦可使用例如TSE(股)製之「AC-50C-SL」等之拉伸試驗機實施。

作為脫模劑之市售品舉例為例如LINTEC(股)製之「X」(含矽氧之醇酸樹脂系脫模劑；490mN/20mm)、「SK-1」(含矽氧之醇酸樹脂系脫模劑；1250 mN/20mm)、「AL-5」(非矽氧．醇酸樹脂系脫模劑；1480mN/20mm)、「6050」(非矽氧．醇酸樹脂系脫模劑；2400mN/20mm)、「6051」(非矽氧．醇酸樹脂系脫模劑；2800mN/20mm)、「6052」(非矽氧．醇酸樹脂系脫模劑；4000mN/20mm)等(括弧內表示初期密著強度之值)。脫模劑之市售品又舉例有例如LINTEC(股)製之「AL-7」(非矽氧．醇酸樹脂系脫模劑；重剝離型)、藤森工業(股)製之「NSP-4」(非矽氧．醇酸樹脂系脫模劑；重剝離型)等。

塑膠薄膜支撐體50之厚度並未特別限制，較好在10μm~100μm之範圍，更好在15μm~75μm之範圍。基於易於形成特別小直徑之通孔之觀點，塑膠薄膜支撐體50之厚度更好在20μm~50μm之範圍。又，塑膠薄膜支撐體50為附脫模層之塑膠薄膜支撐體50時，附脫模層之塑膠薄膜支撐體50之全體厚度較好在上述範圍內。

(樹脂組成物層)

樹脂組成物層30X所用之樹脂組成物只要其硬化物具有充分之硬度與絕緣性，並且與塑膠薄膜支撐體50具有期望之密著強度，即無特別限制。樹脂組成物可使用例如含環氧樹脂、硬化劑及無機填充材之樹脂組成物。樹脂組成物層30X所用之樹脂組成物亦可視需要進而含有熱可塑性樹脂、硬化促進劑、難燃劑及有機填充材等添加劑。以下，針對樹脂組成物之成分加以說明。

-環氧樹脂-

環氧樹脂列舉為例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、第三丁基-兒茶酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、鏈狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含螺環之環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂等。環氧樹脂可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。

環氧樹脂較好為1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂。以環氧樹脂之不揮發成分作為100質量%時，較好至少50質量%以上為1分子中具有2個以上之環氧基之環氧樹脂。其中，較好包含1分子中具有2個以上環氧基且在溫度20℃為液狀之環氧樹脂(以下稱為「液狀環氧樹脂」)、與1分子中具有3個以上環氧基且在溫度20℃為固體狀之環氧樹脂(以下稱為「固體狀環氧樹脂」)，藉由併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂作為環氧樹脂，而獲得具有優異可撓性之樹脂組成物。且，亦提高樹脂組成物之硬化物之破裂強度。

至於液狀環氧樹脂，較好為雙酚A型環氧樹 脂、雙酚F型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有酯骨架之脂環式環氧樹脂、及具有丁二烯構造之環氧樹脂，更好為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、及萘型環氧樹脂。液狀環氧樹脂之具體例列舉為DIC(股)製之「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「jER828EL」(雙酚A型環氧樹脂)、「jER807」(雙酚F型環氧樹脂)、「jER152」(酚酚醛清漆型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(股)製之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品)、NAGASE CHEMTEX(股)製之「EX-721」(縮水甘油酯型環氧樹脂)、DAICEL化學工業(股)製之、「PB-3600」(具有丁二烯構造之環氧樹脂)。該等可單獨使用1種，或亦可組合2種以上使用。

至於固體狀環氧樹脂較好為萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂，更好為萘型4官能環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂及聯苯型環氧樹脂。固體狀環氧樹脂之具體例列舉為DIC(股)製之「HP-4302H」、「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)、「N-690」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「N-695」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「HP-7200」(二環戊二烯型環氧樹脂)、「EXA7311」、「EXA7311-G3」、「EXA7311-G4 」、「EXA7311-G4S」、「HP6000」(萘醚型環氧樹脂)、日本化藥(股)製之「EPPN-502H」(三酚型環氧樹脂)、「NC7000L」(萘酚酚醛清漆環氧樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(股)製之「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂)、「ESN485V」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「YX4000H」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)、「YX4000HK」(聯二甲酚型環氧樹脂)、「YX8800」(蒽型環氧樹脂)、大阪氣體化學(股)製之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學(股)製之「YL7800」(茀型環氧樹脂)等。

併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂作為環氧樹脂時，該等之量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)以質量比計，較好為1：0.1~1：6之範圍。藉由使液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比成為該範圍，而獲得下述效果：i)以附塑膠支撐薄膜之樹脂薄片之形態使用時保有適度之黏著性，ii)以附塑膠支撐薄膜之樹脂薄片之形態使用時獲得充分之可撓性，提高了作業性，以及iii)可獲得具有充分破裂強度之硬化物等。就上述i)~iii)的效果之觀點而言，液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)以質量比計，更好為1：0.3~1：5之範圍，又更好為1：0.6~1：4.5之範圍。

樹脂組成物中之環氧樹脂含量較好為3質量 %~40質量%。更好為5質量%~35質量%，又更好為10質量%~30質量%。

本發明中，樹脂組成物中之各成分含量只要未特別說明，則為將樹脂組成物中之不揮發成分設為100質量%時之值。

環氧樹脂之重量平均分子量較好為100~5000，更好為250~3000，又更好為400~1500。此處，環氧樹脂之重量平均分子量係以凝膠滲透層析(GPC)法測定之聚苯乙烯換算之重量平均分子量。

環氧樹脂之環氧當量較好為50~3000，更好為80~2000，又更好為110~1000。藉由成為該範圍，而保有硬化物之交聯密度充分且表面粗糙度低的絕緣層。又，環氧當量可根據JIS K7236測定，為含1當量環氧基之樹脂質量。

-硬化劑-

作為硬化劑，只要具有使環氧樹脂硬化之功能即無特別限制，列舉為例如酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯并噁嗪系硬化劑、氰酸酯系硬化劑及碳二醯亞胺系硬化劑等。硬化劑可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。

就耐熱性及耐水性之觀點而言，酚系硬化劑及萘酚系硬化劑較好為具有酚醛清漆構造之酚系硬化劑，或具有酚醛清漆構造之萘酚系硬化劑。且，就獲得與導體 層之密著強度之觀點而言，以含氮酚系硬化劑及含氮萘酚系硬化劑較佳，更好為含有三嗪骨架之酚系硬化劑或含有三嗪骨架之萘酚系硬化劑。其中，就高度滿足耐熱性、耐水性及與導體層之密著強度之觀點而言，較好為含有三嗪骨架之酚酚醛清漆樹脂。該等可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。

酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之具體例列舉為例如明和化成(股)製之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥(股)製之「NHN」、「CBN」、「GPH」、東都化成(股)製之「SN-170」、「SN-180」、「SN-190」、「SN-475」、「SN-485」、「SN-495」、「SN-375」、「SN-395」、DIC(股)製之「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-3018」、「LA-1356」等。

就提高與導體層24之密著強度之觀點，活性酯系硬化劑較佳。活性酯系硬化劑並無特別限制，但一般較好使用例如酚酯類、硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等之1分子中具有2個以上反應活性高之酯基的活性酯化合物。該活性酯系硬化劑較好藉由羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物之縮合反應而獲得者。尤其基於提高耐熱性之觀點，較好為由羧酸化合物與羥基化合物獲得之活性酯系硬化劑，更好為由羧酸化合物與酚化合物及/或萘酚化合物所得之活性酯系硬化劑。羧酸化合物列舉為例如苯甲酸、乙酸、琥 珀酸、馬來酸、衣康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、均苯四酸等。酚化合或萘酚化合物列舉為例如氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、鄰-甲酚、間-甲酚、對-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、均苯三酚(phloroglucin)、苯三酚、二環戊二烯型二酚化合物、酚酚醛清漆等。此處，所謂「二環戊二烯型二酚化合物」係指二環戊二烯1分子中縮合有酚2分子而得之二酚化合物。

至於活性酯系硬化劑較好為含二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物、含萘構造之活性酯化合物、含酚酚醛清漆之乙醯化物之活性酯化合物、含酚酚醛清漆之苯甲醯化物之活性酯化合物，其中更好為含萘構造之活性酯化合物、含二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物。又，所謂「二環戊二烯型二酚構造」係表示由伸苯基-二環戊二烯-伸苯基所成之2價之構造單位。

至於活性酯系硬化劑之市售品，含二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物列舉為「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」(DIC(股)製)、含萘構造之活性酯化合物列舉為「EXB9416-70BK」(DIC(股)製)、含酚酚醛清漆之乙醯化物之活性酯化合物列舉為「DC808」(三菱化學 (股)製)、含酚酚醛清漆之苯甲醯化物之活性酯化合物列舉為「YLH1026」(三菱化學(股)製)等。

至於苯并噁嗪系硬化劑之具體例列舉為昭和高分子(股)製之「HFB2006M」、四國化成工業(股)製之「P-d」、「F-a」。

至於氰酸酯系硬化劑並無特別限制，列舉為例如酚醛清漆型(酚酚醛清漆型、烷基酚酚醛清漆型等)氰酸酯系硬化劑、二環戊二烯型氰酸酯系硬化劑、雙酚型(雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型等)氰酸酯系硬化劑，及該等之一部分經三嗪化而成之預聚物等。具體例列舉為雙酚A二氰酸酯(BADCy，亦稱為2,2-雙(4-氰酸酯苯基)丙烷)、多酚氰酸酯(寡聚(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、1,1-雙(4-氰酸酯基苯基)甲烷、雙(4-氰酸酯基-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯基苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯基苯基)硫醚、及雙(4-氰酸酯基苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂，由酚酚醛清漆及甲酚酚醛清漆等衍生之多官能氰酸酯樹脂，該等氰酸酯樹脂經部分三嗪化而成之預聚物等。氰酸酯系硬化劑之市售品列舉為日本LONZA(股)製之「PT30」及「PT60」(均為酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂)、「BA230」(雙酚A二氰酸酯之一部分或全部經三嗪化成三聚物之預聚物)、「Primaset(註冊商標)BADCy」等。

碳二醯亞胺系硬化劑之具體例列舉為日清紡化學(股)製之「V-03」、「V-07」等。

環氧樹脂與硬化劑之量比，就提高所得絕緣層之機械強度或耐水性之觀點而言，以[環氧樹脂之環氧基之合計數]：[硬化劑之反應基之合計數]之比率計，較好為1：0.2~1：2之範圍，更好為1：0.3~1：1.5之範圍，又更好為1：0.4~1：1之範圍。此處，所謂硬化劑之反應基為活性羥基、活性酯基等，依硬化劑之種類而異。此外，環氧樹脂之環氧基之合計數係針對所有環氧樹脂，將各環氧樹脂之不揮發成分除以環氧當量而得之值予以合計之值，所謂硬化劑之反應基之合計數為針對所有硬化劑，將各硬化劑之不揮發成分之質量除以反應基當量而得之值予以合計之值。

-無機填充材-

無機填充材之材料並無特別限制，列舉為例如二氧化矽、氧化鋁、玻璃、堇青石(cordierite)、矽氧化物、、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、勃姆石(Boehmite)、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯及磷酸鎢酸鋯等。該等中以無定形二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽最佳。且二 氧化矽較好為球狀二氧化矽。無機填充材可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。市售之球狀熔融二氧化矽列舉為Admatechs(股)製之「SO-C3」。「SO-C2」、「SO-C1」、「YA100C」、「YA050C」、「YA010C」等。

無機填充材之平均粒徑就獲得可於其上形成微細配線圖型之絕緣層之觀點而言，較好為3μm以下，更好為1μm以下，又更好為0.7μm以下，又再更好為0.5μm以下、0.4μm以下、或0.3μm以下。無機填充材之平均粒徑之下限就使用樹脂組成物形成樹脂漆料時獲得具有適度黏度之操作性良好之樹脂漆料之觀點而言，較好為0.01μm以上，更好為0.03μm以上，又更好為0.05μm以上、再更好為0.07μm以上、最好為0.1μm以上。無機填充材之平均粒徑可基於Mie散射理論，以雷射繞射．散射法進行測定。具體而言，可利用雷射繞射式粒度分佈測定裝置，以體積基準作成無機填充材之粒度分佈，以其中值直徑作為平均粒徑而測定。測定樣品可適當地使用以超音波將無機填充材分散於水中而成者。雷射繞射式粒度分佈測定裝置可使用堀場製作所(股)製之「LA-500」、「LA-750」、「LA-950」等。

本實施形態之製造方法中所用之無機填充材較好使用利用分級去除粗大粒子之無機填充材。一實施形態中，較好使用利用分級去除粒徑10μm以上之粒子之無機填充材，更好使用利用分級去除粒徑5μm以上之粒子之無機填充材，又更好為利用分級去除粒徑3μm以上之 粒子之無機填充材。

無機填充材之平均粒徑較好為0.01μm~3μm，更好為0.01μm~0.4μm。

無機填充材，基於提高分散性、耐濕性之觀點而言，較好以表面處理劑處理。表面處理劑列舉為例如胺基矽烷系偶合劑、環氧矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑。表面處理劑可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。表面處理劑之市售品列舉為例如信越化學工業(股)製之「KBM403」(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製之「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製之「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業(股)製之「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製之「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)等。

無機填充材之表面處理後，鍵結於無機填充材表面之每單位表面積之碳量較好為0.05mg/m²以上，更好為0.08mg/m²以上，又更好為0.11mg/m²以上，再更好為0.14mg/m²以上，最好為0.17mg/m²以上、0.20mg/m²以上、0.23mg/m²以上或0.26mg/m²以上。碳量之上限較好為1.00mg/m²以下，更好為0.75mg/m²以下，又更好為0.70mg/m²以下，再更好為0.65mg/m²以下、0.60mg/m²以下、0.55mg/m²以下、0.50mg/m²以下。

與無機填充材之表面鍵結之每單位面積之碳量可藉以下順序算出。將作為溶劑之充分量之甲基乙基酮(MEK)添加於表面處理後之無機填充材中，進行超音波洗淨。去除上澄液，使所得不揮發成分乾燥後，使用碳分析計測定無機填充材之表面所鍵結之碳量。所得之碳量除以無機填充材之比表面積，藉此算出無機填充材所鍵結之每單位表面積之碳量。至於碳分析計可使用例如堀場製作所製之「EMIA-320V」等。

基於降低絕緣層30之熱膨脹率、防止因絕緣層30與導體層24之熱膨脹之差造成之龜裂或電路變形發生之觀點，將樹脂組成物層中不揮發成份設為100質量%時，樹脂組成物中之無機填充材之含量較好為40質量%以上，更好為50質量%以上，又更好為60質量%以上。使用無機填充材含量高之樹脂組成物形成絕緣層30時，會有絕緣層30與導體層24之密著強度降低之情況，但根據本發明之電路基板之製造方法，即使使用無機填充材之含量高之樹脂組成物時亦可實現絕緣層30與導體層24之充分密著強度。本發明之電路基板之製造方法中，不會使絕緣層30與導體層24之密著強度下降，可進一步提高樹脂組成物中之無機填充材之含量。例如，樹脂組成物中之無機填充材之含量可提高至62質量%以上、64質量%以上、66質量%以上、68質量%以上或70質量%以上。

無機填充材之含量上限，就絕緣層30之機械強度之觀點，將樹脂組成物層中之不揮發成分設為100質 量%時，較好為95質量%以下，更好為90質量%以下，又更好為85質量%以下。

一實施形態中，樹脂組成物層30X中所使用之樹脂組成物包含上述環氧樹脂、硬化劑及無機填充材。其中，樹脂組成物分別較好包含液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之混合物(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂之質量比較好為1：0.1~1：6，更好為1：0.3~1：5，又更好為1：0.6~1：4.5)作為環氧樹脂，由酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑及氰酸酯系硬化劑所組成之群選出之1種以上作為硬化劑，包含二氧化矽作為無機填充材。關於組合包含該特定成分之樹脂組成物層30X，環氧樹脂、硬化劑及無機填充材之較佳含量亦如上述，但其中較好環氧樹脂之含量為5質量%~35質量%，無機填充材之含量為40質量%~95質量%，更好環氧樹脂之含量為10質量%~30質量%，無機填充材含量為50質量%~90質量%。關於硬化劑之含量，較好紫環氧樹脂之環氧基之合計數與硬化劑之反應基之合計數之比成為1：0.2~1：2，更好為1：0.3~1：1.5之方式含有，更好以成為1：0.4~1：1之方式含有。

樹脂組成物層30X之形成所用之樹脂組成物亦可視需要進一步包含熱可塑性樹脂、硬化促進劑、難燃劑及有機填充材等。以下，針對該等成分加以說明。

-熱可塑性樹脂-

熱可塑性樹脂列舉為例如苯氧樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、聚烯烴樹脂、聚丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚伸苯基醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酯樹脂。熱可塑性樹脂可單獨使用1種，或亦可組合2種以上使用。

熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量較好為8000~70000之範圍，更好為10000~60000之範圍，又更好為20000~60000之範圍。熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量係以凝膠滲透層析(GPC)法測定。具體而言，熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量可使用島津製作所(股)製之LC-9A/RID-6A作為測定裝置，使用昭和電工(股)製之Shodex K-800P/K-804L/K-804L作為管柱，且使用氯仿作為移動相，於管柱溫度40℃進行測定，且使用標準聚苯乙烯之校正線而算出。

至於苯氧樹脂列舉為例如具有由雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、茀骨架、二環戊二烯骨架、降冰片烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜烯骨架及三甲基環己烷骨架所組成之群中選出之1種以上之骨架的苯氧樹脂。苯氧樹脂之末端亦可為酚性羥基、環氧基等之任一官能基。苯氧樹脂可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。苯氧樹脂之具體例列舉為三菱化學(股)製之「1256」及 「4250」(均為含雙酚A骨架之苯氧樹脂)、「YX8100」(含雙酚S骨架之苯氧樹脂)、及「YX6954」(含雙酚苯乙酮骨架之苯氧樹脂)。此外列舉為東都化成(股)製之「FX280」及「FX293」、三菱化學(股)製之「YL7553」、「YX7553BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及「YL7482」等。

聚乙烯縮醛樹脂之具體例列舉為電化學工業(股)製之電化丁醛4000-2、5000-A、6000-C、6000-EP、積水化學工業(股)製之S-LEC BH系列、BX系列、KS系列、BL系列、BM系列等。

聚醯亞胺樹脂之具體例列舉為新日本理化(股)製之「RIKACOAT SN20」及「RIKACOAT PN20」。聚醯亞胺樹脂之具體例列舉為使2官能性羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四元酸酐反應獲得之直鏈狀聚醯亞胺(例如日本特開2006-37083號公報記載之直鏈狀聚醯亞胺)、含聚矽氧烷骨架之聚醯亞胺(日本特開2002-12667號公報及日本特開2000-319386號公報等所記載之含聚矽氧烷骨架之聚醯亞胺)等之改質聚醯亞胺。

聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例列舉為東洋紡績(股)製之「VYLOMAX HR11NN」及「VYLOMAX HR16NN」。聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例另列舉為日立化成工業(股)製含聚矽氧烷骨架之聚醯胺醯亞胺「KS9100」、「KS9300」等之改質聚醯胺醯亞胺。

聚醚碸樹脂之具體例列舉為住友化學(股)製之「PES5003P」等。

聚碸樹脂之具體例列舉為Solvay Advanced Polymers(股)製之聚碸「P1700」、「P3500」等。

樹脂組成物中之熱可塑性樹脂之含量較好為0.1質量%~20質量%，更好為0.5質量%~10質量%，又更好為1質量%~5質量%。

-硬化促進劑-

硬化促進劑列舉為例如磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑等，且以磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑較佳。硬化促進劑可單獨使用1種，或亦可組合2種以上使用。將環氧樹脂與硬化劑之不揮發成分之合計設為100質量%時，硬化促進劑之含量較好在0.05質量%~3質量%之範圍使用。硬化促進劑列舉為例如4-二甲基胺基吡啶(DMAP)、乙醯基丙酮酸鈷(III)(Co(III)-1M)(東京化成(股))。

-難燃劑-

難燃劑列舉為例如有機磷系難燃劑、有機系含氮磷化合物、氮化合物、聚矽氧系難燃劑、金屬氫氧化物等。難燃劑可單獨使用1種，或亦可併用2種以上。樹脂組成物層中之難燃劑之含量並無特別限制，但較好為0.5質量 %~10質量%，更好為1質量%~9質量%。難燃劑列舉為例如HCA-HQ(三光(股)製)。

-有機填充材-

有機填充材可使用形成電路基板之絕緣層時可使用之任意有機填充材，列舉為例如橡膠粒子、聚醯胺微粒子、矽氧粒子等，較好為橡膠粒子。

橡膠粒子只要能對顯示橡膠彈性之樹脂施以化學交聯處理，且不溶於有機溶劑中且為不熔之樹脂之微粒子體即無特別限制，列舉為例如丙烯腈丁二烯橡膠粒子、丁二烯橡膠粒子、丙烯酸橡膠粒子等。橡膠粒子具體而言列舉為XER-91(日本合成橡膠(股)製)、STAFYROID AC3355、AC3816、AC3816N、AC3832、AC4030、AC3364、IM101(以上為AICA工業(股)製、PARALOID EXL2655、EXL2602(以上為吳羽化學工業(股)製)等。

有機填充材之平均粒徑較好為0.005μm~1μm之範圍，更好為0.2μm~0.6μm之範圍。橡膠粒子之平均粒徑可使用動態光散射法測定。例如，以超音波等將橡膠粒子均勻分散於適當之有機溶劑中，使用濃厚系粒徑分析儀(大塚電子(股)製「FPAR-1000」)，以質量基準製作橡膠粒子之粒度分佈，且測定其中值徑作為平均粒徑。樹脂組成物中橡膠粒子之含量較好為1質量%~10質量%，更好為2質量%~5質量%。

-其他成分-

樹脂組成物層中所用之樹脂組成物亦可視需要含其他成分。其他成分列舉為例如有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等有機金屬化合物，以及增黏劑、消泡劑、調平劑、密著性賦予劑、著色劑及硬化性樹脂等之樹脂添加劑等。

附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60中，樹脂組成物層30X亦可為由2層以上之層所成之多層構造。成為多層構造之樹脂組成物層30X時，其整體厚度較好為上述範圍。

附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60可藉由以與塑膠薄膜支撐體50接合之方式形成樹脂組成物層30而製造。

樹脂組成物層30X可藉過去習知之任意較佳方法，於塑膠薄膜支撐體50上形成。例如，使樹脂組成物溶解於溶劑中調製樹脂漆料，使用模嘴塗佈器等塗佈裝置將樹脂漆料塗佈於塑膠薄膜支撐體50之表面，使塗佈膜乾燥形成樹脂組成物層30X。

樹脂漆料之調製所使用之溶劑可列舉為例如丙酮、甲基乙基酮及環己酮等酮類，乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖素乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等乙酸酯系溶劑、溶纖素及丁基卡必醇等卡必醇系溶劑，甲苯及二甲苯等芳香族烴類，二甲基甲醯胺、二甲基 乙醯胺及N-甲基吡咯啶酮等醯胺系溶劑等。溶劑可單獨使用1種，或亦可組合2種以上使用。

塗佈膜之乾燥亦可利用加熱、熱風吹拂等習知之乾燥方法實施。樹脂組成物層30X中殘留較多溶劑時，由於硬化後成為產生膨脹之原因，故以使樹脂組成物中之殘留溶劑量通常成為10質量%以下，較好成為5質量%以下之方式乾燥。亦隨樹脂漆料中之有機溶劑之沸點而異，但例如使用含30質量%~60質量%之溶劑之樹脂漆料時，藉由在50℃~150℃乾燥3分鐘~10分鐘，可形成樹脂組成物層30X。

附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60中，樹脂組成物層30X之未與塑膠薄膜支撐體50接合之面(亦即，與塑膠薄膜支撐體50相反側之面)可依據塑膠薄膜支撐體50進一步層合保護薄膜。保護薄膜之厚度並無特別限制，為例如1μm~40μm即可。藉由層合保護薄膜，可防止髒污等附著於樹脂組成物層30X之表面或擦傷。附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片60可捲成捲筒狀保存，製造電路基板10時，可藉由剝離保護薄膜而使用。

〔半導體裝置〕

使用利用本發明之製造方法製造之電路基板10，於其上搭載例如具有期望功能之半導體晶片，藉此可製造具備電路基板10之半導體裝置。

至於半導體裝置之例列舉為提供於電氣製品 (例如電腦、行動電話、數位相機及電視等)及載具(例如機車、汽車、電車、船舶及飛機等)等之各種半導體裝置。

〔實施例〕

以實施例具體說明本發明，但本發明並不限於該等實施例。又，以下中，「份」及「%」只要未另外指明，則分別意指「質量份」及「質量%」。

以下，針對實施例1~3及比較例1~4加以說明。

〔樣品之製作及評價〕 (1)破線基板之基底處理

準備對於兩面形成有直徑150μm之圓形導體圖型(配線圖型)之玻璃布基材環氧樹脂層合板(銅箔厚度18μm，基板厚度0.3mm，尺寸510mm×340mm，使用Panasonic(股)製之「R5715ES」形成導體圖型(殘銅率約70%)之配線基板)之兩面，進行處理(i)以MEC(股)製之「CZ8100」蝕刻去除厚度約0.6μm之導體圖型表面之粗化處理所得之樣品(i)，與代替處理(i)而以處理(ii)對導體圖型之表面進行MEC(股)製之「FLATBOND」處理而得之樣品(ii)。

(導體層表面之算術平均粗糙度(Ra值)之測定)

使用非接觸型表面粗糙度計(Veeco Instruments公司製之WYKO NT3300)，依據以VSI接觸模式、50倍透鏡將測定範圍設為121μm×92μm獲得之數值求出Ra值。又，Ra值係藉由求出樣品(i)及樣品(ii)各10點之測定值之平均值而得之值。以CZ8100處理之樣品(i)之Ra值為270nm，進行FLATBOND處理之樣品(ii)之Ra值為160nm。如此本實施例中，Ra值與利用以往之處理(蝕刻厚度1μm~2μm左右)之Ra值(500nm~700nm)相較較小。

(2)附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片之層合步驟

剝離如下述製作例所示般製作之附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片(附塑膠薄膜支撐體之預浸體)(尺寸504mm×334mm)之保護薄膜，使用批式真空加壓層合機(Nichigo-Morton(股)製，2階段增層層合機，CVP700)，以與樹脂組成物層經前述(I)處理之配線基板相接之方式，層合於配線基板之兩面。該層合步驟係在減壓30秒使氣壓成為13hPa以下之後，以溫度110℃、壓力0.74MPa之條件，壓著30秒而實施。接著，以溫度110℃、壓力0.5MPa之條件進行60秒之熱壓步驟。

附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片為附塑膠薄膜支撐體之預浸體時，於配線基板之兩面接合附塑膠薄膜支撐體之預浸體後，藉由減壓30秒使氣壓成為13hPa以下，在溫度120℃、壓力0.74MPa之條件下壓著60秒而 實施層合步驟。接著，在溫度120℃、壓力0.5MPa之條件下進行熱壓步驟90秒。

(導體層與絕緣層之密著強度(剝離強度)之測定及評價)

藉下述(a)~(c)之處理測定剝離強度。

(a)銅箔之基底處理

準備使三井金屬鑛山(股)製之3EC-III(電解銅箔，厚度35μm)之光澤面側進行處理(i)以MEC(股)製之「CZ8100」蝕刻去除厚度約0.6μm之粗化處理所得之樣品(i)，與藉由處理(ii)MEC(股)製之「FLATBOND」處理代替處理(i)，進行銅箔表面之處理而得之樣品(ii)。銅箔表面之粗糙度關於以CZ8100處理之樣品(i)之Ra值為270(nm)，關於進行FLATBOND處理之樣品(ii)之Ra值為160(nm)。

(b)銅箔之層合及絕緣層之形成

上述(2)中自層合之附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片(附塑膠薄膜支撐體之預浸體)剝離塑膠薄膜支撐體(PET薄膜)，且使以上述(a)處理之銅箔之光澤面朝向樹脂組成物層側，以與上述(2)之層合步驟相同之條件，將銅箔層合於在配線基板之兩面上形成之樹脂組成物層上。在120℃加熱處理30分鐘，接著在175℃加熱處理30分鐘，使樹脂組成物層熱硬化而獲得作為絕緣層之評價用之樣品(電路基板)。所得電路基板稱為「評價基板 A」。又層合之銅箔稱為導體層。

(c)導體層之拉離剝離強度(剝離強度)之測定

將上述(b)獲得之評價基板A切斷成150mm×30mm之小片。小片之銅箔部分上切出寬度10mm、長度100mm之短條狀切口，剝離銅箔中之短條狀之切口之一端且以夾具(TSI(股)，AUTOCOM型試驗機AC-50C-SL)捏住，使用INSTRON萬能試驗機，測定在室溫下以50mm/分鐘之速度朝對評價基板A之表面垂直方向拉離35mm時之荷重。

測定之剝離強度為0.15kgf/cm以上之樣品評價為「○」，未達0.15kgf/cm之樣品評價為「×」。

上述(2)之附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片之層合步驟之後，實施下述(3)~(7)，藉此獲得評價基板B及評價基板C。

(3)樹脂組成物層之硬化

使層合有附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片的配線基板在120℃加熱30分鐘，接著在175℃加熱30分鐘，或在165℃加熱30分鐘(比較例1及2)，使樹脂組成物層熱硬化成為絕緣層。

(4)通孔之形成

自塑膠薄膜支撐體側之上方照射雷射，於內側為直徑 150μm之圓形導體圖型之正上方之絕緣層上形成小直徑通孔。

通孔之形成步驟係如下述(A)~(D)般改變條件而進行。此處說明實施例1~3及比較例1~4之對應關係。

實施例1、比較例1及比較例3係依據下述(A)之順序，實施例2及實施例4係依據下述(B)之順序，實施例3及比較例4係依據下述(C)之順序，比較例2係依據下述(D)之順序，於各絕緣層形成小直徑通孔。

(A)使用三菱電機(股)製之CO₂雷射機加工機「605GTWIII(-P)」，自塑膠薄膜支撐體側之上方照射雷射，於絕緣層上形成孔頂直徑(直徑)為30或31μm之通孔。雷射之照射條件係遮罩直徑為1mm，脈衝寬度為16μs，能量為0.20mJ/次照射，照射數為2，以連續模式(10kHz)進行。

(B)使用三菱電機(股)製之CO₂雷射機加工機「605GTWIII(-P)」，自塑膠薄膜支撐體側之上方照射雷射，於絕緣層上形成孔頂直徑(直徑)為25μm之通孔。雷射之照射條件係遮罩直徑為0.9mm，脈衝寬度為16μs，能量為0.18mJ/次照射，照射數為2，以連續模式(10kHz)進行。

(C)使用VIA MECHANICS(股)製之CO₂雷射機 加工機「LC-2k212/2C」，自塑膠薄膜支撐體側之上方照射雷射，於絕緣層上形成孔頂直徑(直徑)為40或41μm之通孔。雷射之照射條件係遮罩直徑為2.5mm，脈衝寬度為4μs，功率為0.7W，照射數為3，以循環模式(2kHz)進行。

(D)使用三菱電機(股)製之CO₂雷射機加工機「605GTWIII(-P)」，自塑膠薄膜支撐體側之上方照射雷射，於絕緣層上形成孔頂直徑(直徑)為29μm之通孔。雷射之照射條件係遮罩直徑為0.9mm，脈衝寬度為16μs，能量為0.36mJ/次照射，照射數為2，以連續模式(10kHz)進行。

實施例1、實施例2、實施例4及比較例1~3中形成之通孔之深度d為15μm，實施例3及比較例4中形成之通孔之深度d為23μm。

(5)去膠渣處理

通孔形成後，剝離塑膠薄膜支撐體，對設有通孔之電路基板進行去膠渣處理。又，去膠渣處理係進行下述之濕式去膠渣處理。

濕式去膠渣處理：將設有通孔之電路基板在60℃下浸漬於膨潤液(日本ATOTECH(股)製之「Sweeling Dip Securiganth P」、二乙二醇單丁基醚及氫氧化鈉之水溶液)中10分鐘，接著在80℃下浸漬於氧化劑溶液(日本ATOTECH (股)製之「Concentrate．Compact CP」、過錳酸鉀濃度約6%，氫氧化鈉濃度約4%之水溶液)中20分鐘，最後在80℃下浸漬於中和液(日本ATOTECH(股)製之「Reduction Solution Securiganth P」、硫酸水溶液)中5分鐘後，在80℃乾燥15分鐘。所得基板稱為「評價基板B」。

(6)通孔形狀之確認

針對上述(5)所得之評價基板，以掃描型電子顯微鏡(SII Nanotechnology(股)製之SMI3050SE FIB-SEM複合裝置)自表面觀察通孔之開口部後，以集束離子束加工觀察裝置(FIB)切削出中央部剖面，由所得圖像測定通孔之孔頂直徑(Z)、通孔之最小直徑(Y)、通孔之底部直徑(X)及最小直徑(Y)距離通孔底部之距離，分別求出10個通孔之平均值。

(7)導體層之形成

為了於評價基板B之表面形成導體層，而進行包含下述1~7之步驟之鍍敷步驟(使用日本ATOTECH(股)製之藥液之銅鍍敷步驟)形成導體層。

1. 鹼清洗(設有通孔之絕緣層之表面之洗淨與電荷調整)

使用商品名：Cleaning Cleaner Securiganth 902(商 品名)在60℃洗淨5分鐘。

2. 軟蝕刻(通孔內之洗淨)

使用硫酸酸性過氧二硫酸鈉水溶液，在30℃處理1分鐘。

3. 電鍍(為賦予Pd而於絕緣層表面之電荷調整)

使用Pre.Dip Neoganth B(商品名)，在室溫下處理1分鐘。

4. 活化劑賦予(對絕緣層表面之Pd賦予)

使用Activator Neoganth 834(商品名)，在35℃下處理5分鐘。

5. 還原(使賦予至絕緣層之Pd還原)

使用Reducer Neoganth WA(商品名)與Reducer Acceralator 810 mod.(商品名)之混合液，在30℃處理5分鐘。

6. 無電解銅鍍敷步驟(使Cu析出於絕緣層表面(Pd表面))

使用Basic Solution Prinyganth MSK-DK(商品名)、Copper Solution Printganth MSK(商品名)、Stabilizer Printganth MSK-DK(商品名)、與Reducer Cu(商品名)之混合液，在35℃處理20分鐘。形成之無電解銅鍍敷層之厚度為1μm。

7. 電解銅鍍敷步驟

接著，使用日本ATOTECH(股)製之藥液，以使銅 填充於通孔內之條件進行電解銅鍍敷步驟。隨後，形成對應於通孔之直徑80μm之焊墊圖型作為用以藉由蝕刻而圖型化之阻劑圖型，使用該焊墊圖型於絕緣層之表面以15μm之厚度形成具有導體圖型之導體層。接著，於190℃進行退火處理60分鐘獲得電路基板。所得電路基板稱為「評價基板C」。

〈熱循環試驗〉

對上述(7)獲得之評價基板C，使用ESPEC(股)製之小型冷熱衝擊裝置「TSE-11」，以連續進行在-55℃下30分鐘之處理a及在120℃下30分鐘之處理b之處理作為1次循環，將其進行1000次循環進行熱循環試驗(TCB)。隨後，以掃描型電子顯微鏡(SII Nanotechnology(股)製之SM13050SE FIB-SEM複合裝置)自表面觀察藉由上述鍍敷步驟填充於通孔內之以銅構成之填充孔後，以FIB切削出中央部剖面，對10處之填充通孔觀察絕緣層及導體層之龜裂、及導體層中之孔洞，以下述基準進行評價。

評價基準：

○：所有通孔均未確認到龜裂或孔洞

×：於1個以上之填充孔確認到龜裂或孔洞。

〈調製例1〉樹脂漆料1之調製

邊將雙酚型環氧樹脂(環氧當量約165，新日鐵住金 化學(股)製之「ZX1059」、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品)6份、聯二甲苯酚型環氧樹脂(環氧當量約185，三菱化學(股)製之「YX4000HK」)10份、聯苯型環氧樹脂(環氧當量約290，日本化藥(股)製之「NC3000H」)10份及苯氧樹脂(三菱化學(股)製之「YX7553BH30」，不揮發成分30質量%之甲基乙基酮(MEK)溶液)10份攪拌於溶劑石油腦20份中邊加熱溶解。冷卻至室溫後，於其中混合含有三嗪骨架之酚酚醛清漆系硬化劑(羥基當量146，DIC(股)製之「LA-1356」，不揮發成分60質量%之MEK溶液)10份、活性酯系硬化劑(DIC(股)製之「HPC8000-65T」，活性基當量約223，不揮發成分65質量%之甲苯溶液)10份、硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶(DMAP)，不揮發成分2質量%之MEK溶液)4份、難燃劑(三光(股)製之「HCA-HQ」，10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-菲繞啉-10-氧化物，平均粒徑1μm)2份、橡膠粒子(AICA工業(股)製造之「STAFYROID AC3816N」，微粉碎品)2份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製之「KBM573」)進行表面處理且利用分級去除3μm以上之粒子之小直徑球狀二氧化矽(ADMATECHS(股)製之「SO-C1」，平均粒徑0.25μm，每單位表面積之碳量0.36mg/m²)100份，以高速旋轉混練機均勻分散，調製樹脂漆料1。樹脂漆料1之調配成分及調配量示於表1

〈調製例2〉樹脂漆料2之調製

邊將雙酚型環氧樹脂(環氧當量約165，新日鐵住金化學(股)製之「ZX1059」、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品)6份、萘型環氧樹脂(DIC(股)製之「HP-4032SS」，環氧當量約144)3份，聯二甲苯酚型環氧樹脂(環氧當量約185，三菱化學(股)製之「YX4000HK」)9份、聯苯型環氧樹脂(環氧當量約290，日本化藥(股)製之「NC3000H」)8份、及苯氧樹脂(三菱化學(股)製之「YX7553BH30」，不揮發成分30質量%之甲基乙基酮(MEK)溶液)10份攪拌於溶劑石油腦20份中邊加熱溶解。冷卻至室溫後，於其中混合活性酯系硬化劑(DIC(股)製之「HPC8000-65T」，活性基當量約223，不揮發成分65質量%之甲苯溶液)30份、硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶(DMAP)，不揮發成分2質量%之MEK溶液)10份、難燃劑(三光(股)製之「HCA-HQ」，10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-菲繞啉-10-氧化物，平均粒徑1μm)2份、橡膠粒子(AICA工業(股)製之「STAFYROID AC3816N」，微粉碎品)2份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製之「KBM573」)進行表面處理且利用分級去除3μm以上之粒子之小直徑球狀二氧化矽(ADMATECHS(股)製之「SO-C1」，平均粒徑0.25μm，每單位表面積之碳量0.36mg/m²)100份，且以高速旋轉混練機均勻分 散，調製樹脂漆料2。樹脂漆料2之調配成分及調配量示於表1

〈調製例3〉樹脂漆料3之調製

邊將雙酚型環氧樹脂(環氧當量約165，新日鐵住金化學(股)製之「ZX1059」、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品)2份、聯二甲苯酚型環氧樹脂(環氧當量約185，三菱化學(股)製之「YX4000HK」)12份、聯苯型環氧樹脂(環氧當量約290，日本化藥(股)製之「NC3000H」)12份、及苯氧樹脂(三菱化學(股)製之「YX7553BH30」，不揮發成分30質量%之甲基乙基酮(MEK)溶液)10份攪拌於溶劑石油腦20份中邊加熱溶解。冷卻至室溫後，於其中混合活性酯系硬化劑(DIC(股)製之「HPC8000-65T」，活性基當量約223，不揮發成分65質量%之甲苯溶液)10份、氰酸酯系硬化劑(BADCy，LONZA(股)製之「Primaset(註冊商標)BADCy」)5份、硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶(DMAP)，不揮發成分2質量%之MEK溶液)1份、硬化促進劑(東京化成(股)製，乙醯基丙酮酸鈷(III)(Co(III)-1M)，不揮發成分1質量%之MEK溶液)2份、難燃劑(三光(股)製之「HCA-HQ」，10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-菲繞啉-10-氧化物，平均粒徑1μm)2份、橡膠粒子(AICA工業(股)製之「STAFYROID AC3816N」，微粉碎品)2份、以胺基矽 烷系偶合劑(信越化學工業(股)製之「KBM573」)進行表面處理且利用分級去除3μm以上之粒子之小直徑球狀二氧化矽(ADMATECHS(股)製之「SO-C1」，平均粒徑0.25μm，每單位表面積之碳量0.36mg/m²)100份，且以高速旋轉混練機均勻分散，調製樹脂漆料3。樹脂漆料3之調配成分及調配量示於表1

〈製作例1〉附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片1之製作

準備以非矽氧系脫模劑(LINTEC(股)製之「AL-5」)進行脫模處理之PET薄膜(TORAY(股)製造之「LUMIRROR T6AM」，厚度38μm)作為塑膠薄膜支撐體。以模嘴塗佈器將樹脂漆料1塗佈於該塑膠薄膜支撐體之脫模面上，以80℃~110℃(平均100℃)乾燥3分鐘，形成樹脂組成物層。樹脂組成物層之厚度為20μm。接著，於樹脂組成物層之未與塑膠薄膜支撐體接合之面上貼合作為保護薄膜之聚丙烯薄膜(王子特殊紙(股)製之「ALPHAND MA-411」，厚度15μm)之粗面側，獲得附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片1(樹脂薄片1)。

〈製作例2〉附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片2之製作

以溶劑法將有澤製作所(股)製之1000玻璃布(厚度14μm)浸漬、含浸於前述樹脂漆料1中，藉加熱使溶劑揮發，以使預浸體中殘留之溶劑量成為0.5%之方式，且以使厚度成為28μm之方式乾燥，自兩面貼合以非矽氧 系脫模劑(LINTEC(股)製之「AL-5」)進行脫模處理之PET薄膜(TORAY(股)製造之「LUMIRROR T6AM」，厚度38μm)之脫模面，與聚丙烯薄膜(王子特殊紙(股)製之「ALPHAND MA-411」，厚度15μm)之粗面側，獲得附塑膠薄膜支撐體之預浸體2(預浸體2)。

〈製作例3〉附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片3之製作

準備以非矽氧系脫模劑(LINTEC(股)製之「AL-5」)進行脫模處理之PET薄膜(TORAY(股)製之「LUMIRROR T6AM」，厚度38μm)作為塑膠薄膜支撐體。以模嘴塗佈器將樹脂漆料2塗佈於該塑膠薄膜支撐體之脫模面上，以80℃~110℃(平均100℃)乾燥3分鐘，形成樹脂組成物層。樹脂組成物層之厚度為20μm。接著，於樹脂組成物層之未與塑膠薄膜支撐體接合之面上貼合作為保護薄膜之聚丙烯薄膜(王子特殊紙(股)製之「ALPHAND MA-411」，厚度15μm)之粗面側，獲得附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片3(樹脂薄片3)。

〈製作例4〉附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片4之製作

準備以非聚矽氧系脫模劑(LINTEC(股)製之「AL-5」)進行脫模處理之PET薄膜(TORAY(股)製之「LUMIRROR T6AM」，厚度38μm)作為塑膠薄膜支撐體。以模嘴塗佈器將樹脂漆料3塗佈於該塑膠薄膜支撐體 之脫模面上，以80℃~110℃(平均100℃)乾燥3分鐘，形成樹脂組成物層。樹脂組成物層之厚度為20μm。接著，於樹脂組成物層之未與塑膠薄膜支撐體接合之面上貼合作為保護薄膜之聚丙烯薄膜(王子特殊紙(股)製之「ALPHAND MA-411」，厚度15μm)之粗面側，獲得附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片4(樹脂薄片4)。

〈製作例5〉附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片5之製作

以溶劑法將有澤製作所(股)製之1000玻璃布(厚度14μm)浸漬、含浸於前述樹脂漆料3中，藉加熱使溶劑揮發，以使預浸體中殘留之溶劑量成為0.5%之方式且使厚度成為28μm之方式乾燥，自兩面貼合以非矽氧系脫模劑(LINTEC(股)製之「AL-5」)進行脫模處理之PET薄膜(TORAY(股)製之「LUMIRROR T6AM」，厚度38μm)之脫模面，與聚丙烯薄膜(王子特殊紙(股)製之「ALPHAND MA-411」，厚度15μm)之粗面側，獲得附塑膠薄膜支撐體之預浸體5(預浸體5)。

又，樹脂薄片1、預浸體2、樹脂薄片3、樹脂薄片4及預浸體5之樹脂組成物層之厚度(預浸體時為包含玻璃布之厚度)係使用接觸式層厚計(MITSUTOYO(股)製，MCD-25MJ)測定。

[表1]

實施例1之樣品係藉由使用樹脂薄片1，以上述之粗化處理使導體層表面之Ra值(表面粗糙度)成為270(nm)，上述(3)之步驟中，在120℃加熱30分鐘，接著在175℃加熱30分鐘，使樹脂組成物層熱硬化成為絕緣層而製作。

實施例2之樣品係除了藉由FLATBOND處理使導體層之表面之Ra值成為160(nm)以外，餘與實施例1同樣製作。

實施例3之樣品係除了使用預浸體2作為附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片以外，餘與實施例1同樣製作。

又，實施例4之樣品係除了使用樹脂薄片3以外，餘與實施例2同樣製作。

比較例1之樣品係除了上述(3)之步驟中在 165℃加熱30分鐘使樹脂組成物層熱硬化而成為絕緣層以外，餘以與實施例1之樣品同樣地製作。

比較例2之樣品係除了藉由FLATBOND處理使導體層之表面之Ra值(表面粗糙度)成為160(nm)以外，餘與比較例1同樣形成。

比較例3之樣品係除了使用樹脂薄片4作為附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片以外，餘與實施例1般同樣製作。

比較例4之樣品係除了使用預浸體5作為附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片以外，餘與實施例1般同樣製作。

實施例1~4之樣品之製作條件、樣態及評價結果示於下述表2，及比較例1~4之樣品之製作條件、樣態及評價結果示於下述表3。

[表2]

[表3]

由表2及表3可了解，藉由熱循環試驗可明瞭通孔40之孔頂直徑(Z)與最小直徑(Y)及底部直徑(X)滿足特定關係之實施例1~4之電路基板，即使藉雷射之照射形成小直徑之通孔時，仍可有效抑制導體層、絕緣層上產生龜裂等之經時缺陷產生。因此依據本發明，因抑制了經時特性之劣化故可提高信賴性，可使製品壽命更長，且可提供薄型化之電路基板。

10‧‧‧電路基板

24a‧‧‧導體層之表面

30‧‧‧絕緣層

30a‧‧‧絕緣層之表面

40‧‧‧通孔

44‧‧‧底部

70‧‧‧配線層

X‧‧‧底部直徑

Y‧‧‧最小直徑

Z‧‧‧孔頂直徑

Claims (20)

1. 一種電路基板，其係具備導體層與被覆導體層之絕緣層，且具備使前述導體層之一部分自該絕緣層露出之通孔之電路基板，其中前述導體層之表面之算術平均粗糙度為350nm以下，前述通孔之深度為30μm以下，前述通孔之孔頂直徑Z為50μm以下，前述通孔之孔頂直徑Z與前述通孔之最小直徑Y與前述通孔之底部直徑X之關係滿足Y/Z=0.7~0.99及Y/X=0.7~1(Z>Y)。
2. 如請求項1之電路基板，其中前述最小直徑之位置以前述通孔之深度為基準時，係位在靠近前述導體層。
3. 如請求項1之電路基板，其中前述導體層之表面之算術平均粗糙度為300nm以下。
4. 如請求項1之電路基板，其中前述通孔之深度為25μm以下。
5. 如請求項1之電路基板，其中前述導體層與前述絕緣層之密著強度為0.15kgf/cm以上。
6. 如請求項1之電路基板，其中前述導體層與前述絕緣層之密著強度為0.2kgf/cm以上。
7. 如請求項1之電路基板，其中前述通孔之孔頂直徑(Z)為40μm以下。
8. 如請求項1之電路基板，其中前述絕緣層為樹脂 組成物之硬化物。
9. 如請求項1之電路基板，其中前述通孔為藉由照射雷射而形成之通孔。
10. 一種半導體裝置，其具備如請求項1~9中任一項之電路基板。
11. 一種電路基板之製造方法，其包含下列步驟：步驟(A)將包含塑膠薄膜支撐體、及與該塑膠薄膜支撐體接合之樹脂組成物層之附塑膠薄膜支撐體之樹脂薄片接合於設置有含表面之算術平均粗糙度為350nm以下之導體圖型的導體層之配線基板之該導體層上之步驟，步驟(B)使前述樹脂組成物層熱硬化，形成前述導體層上之厚度為30μm以下之絕緣層且該絕緣層與前述導體層之密著強度為0.15kgf/cm以上之絕緣層之步驟，步驟(C)自前述塑膠薄膜支撐體側照射雷射，於前述絕緣層上形成孔頂直徑Z為50μm以下之通孔，且該通孔之孔頂直徑Z與該通孔之最小直徑Y與該通孔之底部直徑X之關係滿足Y/Z=0.7~0.99及Y/X=0.7~1(Z>Y)之前述通孔之步驟，步驟(D)進行去膠渣處理之步驟，步驟(E)自前述絕緣層剝離前述塑膠薄膜支撐體之步驟，與步驟(F)於前述絕緣層上進一步形成導體層之步驟。
12. 如請求項11之電路基板之製造方法，其中前述 步驟(C)中，前述通孔係形成為以該通孔之深度為基準時最小直徑(Y)之位置位在靠近前述導體層。
13. 如請求項11之電路基板之製造方法，其中前述步驟(D)之去膠渣處理為濕式去膠渣處理。
14. 如請求項11之電路基板之製造方法，其中前述步驟(F)係藉由乾式鍍敷而於前述絕緣層之表面上形成金屬層，且藉由濕式鍍敷於該金屬層之表面上形成前述導體層之步驟。
15. 如請求項11之電路基板之製造方法，其中前述塑膠薄膜支撐體為附脫模層之塑膠薄膜支撐體。
16. 如請求項11之電路基板之製造方法，其中前述樹脂組成物層包含環氧樹脂、硬化劑及無機填充材。
17. 如請求項16之電路基板之製造方法，其中前述無機填充材之平均粒徑為0.01μm~3μm。
18. 如請求項16之電路基板之製造方法，其中前述無機填充材之平均粒徑為0.01μm~0.4μm。
19. 如請求項16之電路基板之製造方法，其中前述樹脂組成物層中之前述無機填充材之含量於將前述樹脂組成物層中之不揮發成分設為100質量%時為40質量%~95質量%。
20. 如請求項16之電路基板之製造方法，其中前述無機填充材係以表面處理劑予以表面處理者。

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