TWI668781B - 除電裝置及除電方法 - Google Patents

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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於提供一種可根據基板主面之各區域適當地降低蓄積於基板主面之電荷之量的除電裝置。 本發明之除電裝置10對帶電之基板W1進行降低其帶電量之處理。除電裝置10具備基板保持機構1與紫外線照射機構2。基板保持機構1保持基板W1。紫外線照射機構2可以於分割基板W1之主面之複數個區域的每一者不同的照射量對基板之主面照射紫外線。

Description

除電裝置及除電方法
本發明係關於一種除電裝置及除電方法。
先前以來，於半導體基板(以下簡單稱為「基板」)之製造步驟中，使用基板處理裝置對具有氧化膜等絕緣膜之基板實施各種處理。例如，藉由對在表面上形成有抗蝕劑圖案之基板供給處理液，而對基板之表面進行蝕刻等處理。又，於蝕刻等結束後，亦進行去除基板上之抗蝕劑之處理。
對要於基板處理裝置進行處理之基板，於搬入至基板處理裝置之前，進行乾式蝕刻或電漿CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沈積)等乾燥步驟。於此種乾燥步驟中，由於於器件內產生電荷而帶電，故基板以帶電之狀態被搬入至基板處理裝置(所謂之搬入帶電)。而且，於基板處理裝置中，於將如SPM(Suspended Particulate Matter：浮移顆粒物質)液之比電阻較小之處理液供給至基板上時，器件內之電荷自器件向處理液急劇地移動(即，向處理液中放電)，故有因伴隨該移動之發熱而於器件產生損傷之虞。
因此，自先前以來，使用除電裝置(例如專利文獻1)。該除電裝置具有一對放電針，且藉由對該一對放電針施加電壓而產生離子，向除電對象物供給包含該離子之空氣。又，於該除電裝置設置有於除電對象物之一個 部位測定表面電位之表面測定計。除電裝置基於該一個部位之表面電位而控制施加於一對放電針之電壓。藉此，可將包含對應於表面電位之適當之離子之空氣供給至除電對象物。
又，先前以來，亦使用具備紫外線之除電裝置。該除電裝置藉由對基板照射紫外線而進行除電處理。
再者，作為與本發明關聯之技術亦揭示有專利文獻2、3。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-186148號公報
[專利文獻2]日本專利特開2009-158375號公報
[專利文獻3]日本專利特開平11-329783號公報
圖28係概略性表示基板主面之表面電位分佈之一例的圖。圖28係表示紫外線照射前之表面電位之分佈V1、紫外線照射後之表面電位之分佈V2、及分佈V2之平均分佈V3。圖29係概略性表示基板主面之中心附近之表面電位之時間變化之一例的圖。
於圖28及圖29之例中，於紫外線之照射前，表面電位取負值。其係意指基板之主面蓄積有負電荷。於紫外線照射前之分佈V1中，表面電位於基板主面之中央附近較低，隨著朝向其周緣而增大。即，表面電位之絕對值(以下稱為帶電量)於基板主面之中央附近較大，隨著朝向其周緣而降低。表面電位V1之分佈具有盤狀之形狀。
藉由將紫外線照射至基板之主面，表面電位隨著時間之經過而增大 (即，帶電量降低)。即，去除電荷。然而，如圖28所示，於紫外線照射後，該表面電位根據主面上之位置而取正負值。具體而言，表面電位之分佈V3(塗白之四角形)於基板主面之周緣附近取負值，但於中央附近取正值。其係意指基板之主面於其中央附近帶正電。
即，得知於對基板之主面均勻照射紫外線之情形時，基板主面之表面電位不會收斂為零，根據基板主面之場所有殘留負電荷，或蓄積正電荷之情況。因此，即使對基板之主面均勻照射紫外線，於基板主面之整個區域中亦無法均一地降低表面電位。先前以來此種現象並不為人所知，而係藉由本案申請人首次確認到。
因此，本發明目的在於提供一種可根據基板主面之各區域適當地降低蓄積於基板主面之電荷之量的除電裝置。
為了解決上述課題，除電裝置之第1態樣係對基板進行去除電荷之處理之裝置，且具備基板保持機構與紫外線照射機構。基板保持機構保持基板。紫外線照射機構以針對分割基板之主面之複數個區域之相互間而不同的照射量對基板之複數個區域照射紫外線。
除電裝置之第2態樣係如第1態樣之除電裝置，其中對複數個區域之來自紫外線照射機構之紫外線之照射量為可變。除電裝置進而具備複數個表面電位測定機構、與照射量控制機構。複數個表面電位測定機構分別測定該等複數個區域內之表面電位。照射量控制機構根據由複數個表面電位測定機構測定之表面電位而控制複數個區域各者之照射量。
除電裝置之第3態樣係如第1或第2態樣之除電裝置，其中紫外線照射機構具有複數個單位照射機構。複數個單位照射機構分別對複數個區域照 射紫外線。
除電裝置之第4態樣係如第2態樣之除電裝置，其具備控制紫外線照射機構之紫外線控制機構。紫外線照射機構具有複數個單位照射機構。複數個單位照射機構分別對複數個區域照射紫外線，複數個表面電位測定機構於利用紫外線照射機構之紫外線照射中測定基板主面之表面電位，且紫外線控制機構判斷由複數個表面電位測定機構之一者測定之複數個區域之一者之表面電位的絕對值是否低於基準值，於判斷為複數個區域之該一者之表面電位之絕對值低於基準值時，使複數個單位照射機構中對應於複數個區域之該一者之單位照射機構停止。
除電裝置之第5態樣係如第3或4態樣之除電裝置，其中複數個單位照射機構具有包含互不相同之直徑之圓弧狀或環狀之形狀，且複數個單位照射機構係同心圓狀地配置。
除電裝置之第6態樣係如第3或4態樣之除電裝置，其進而具備旋轉機構。旋轉機構以垂直於基板主面之軸為旋轉軸使基板保持機構旋轉。複數個單位照射機構具有於平行於基板主面之第1方向延伸之棒狀之形狀，並沿著平行於基板主面且垂直於第1方向之第2方向排列配置。
除電裝置之第7態樣係如第3至第6中任一態樣之除電裝置，其進而具備接通/斷開控制機構。接通/斷開控制機構切換複數個單位照射機構各者之紫外線之照射及停止，而控制對複數個區域各者之紫外線之照射量。
除電裝置之第8態樣係如第3至第7中任一態樣之除電裝置，其進而具備強度控制機構。強度控制機構控制複數個單位照射機構，而控制自複數個單位照射機構各者照射之紫外線之強度。
除電裝置之第9態樣係如第2態樣之除電裝置，其進而具備第1移動機 構、旋轉機構、及速度控制機構。第1移動機構使紫外線照射機構及基板保持機構於沿著基板主面之方向相對移動。旋轉機構以垂直於基板主面之軸為旋轉軸使基板保持機構旋轉。速度控制機構控制第1移動機構，並基於由複數個表面電位測定機構測定之表面電位而控制紫外線照射機構與基板保持機構之間之相對性移動速度之樣式。
除電裝置之第10態樣係如第9態樣之除電裝置，其進而具備第2移動機構。第2移動機構於複數個表面電位測定機構與基板之主面對向之位置、及複數個表面電位測定機構不與基板之主面對向之位置之間，使複數個表面電位測定機構與基板保持機構相對性地移動。
除電方法之第11態樣係一種降低帶電之基板之帶電量之除電方法，且具備第1步驟與第2步驟。於第1步驟中，將基板配置於基板保持機構。於第2步驟中，使紫外線照射機構以針對分割基板之主面之複數個區域而不同的照射量對基板之複數個區域照射紫外線。
除電方法之第12態樣係如第11態樣之除電方法，其中第2步驟包含以下步驟：包含於紫外線照射機構之複數個單位照射機構分別對複數個區域開始紫外線之照射；於利用紫外線照射機構之紫外線照射中，複數個表面電位測定機構測定基板主面之表面電位；判斷由複數個表面電位測定機構之一者測定之複數個區域之一者之表面電位的絕對值是否低於基準值；於判斷為複數個區域之該一者之表面電位之絕對值低於基準值時，使複數個單位照射機構中對應於複數個區域之該一者之單位照射機構停止。
除電方法之第13態樣係如第11態樣之除電方法，其中上述紫外線照射機構具有複數個單位照射機構，上述複數個單位照射機構分別對上述複數個區域照射紫外線。
除電方法之第14態樣係如第13態樣之除電方法，其中上述複數個單位照射機構具有包含互不相同之直徑之圓弧狀或環狀之形狀，且上述複數個單位照射機構係同心圓狀地配置。
除電方法之第15態樣係如第13態樣之除電方法，其中上述複數個單位照射機構具有於平行於基板主面之第1方向延伸之棒狀之形狀，並沿著平行於基板主面且垂直於上述第1方向之第2方向排列配置，且於上述第2步驟中，以垂直於基板主面之軸為旋轉軸使上述基板保持機構旋轉。
除電方法之第16態樣係如第13態樣之除電方法，其中於上述第2步驟中，切換上述複數個單位照射機構各者之紫外線之照射及停止，而控制對上述複數個區域各者之紫外線之照射量。
除電方法之第17態樣係如第14態樣之除電方法，其中於上述第2步驟中，控制上述複數個單位照射機構，而控制自上述複數個單位照射機構各者照射之紫外線之強度。
除電方法之第18態樣係如第11態樣之除電方法，其中上述第2步驟包含以下步驟：於利用上述紫外線照射機構之紫外線照射中，複數個表面電位測定機構測定基板主面之表面電位；包含於上述紫外線照射機構之複數個單位照射機構分別對上述複數個區域開始紫外線之照射；一面以垂直於基板主面之軸為旋轉軸使上述基板保持機構旋轉，一面以基於由上述複數個表面電位測定機構測定之表面電位而控制之移動速度之樣式，使上述紫外線照射機構及上述基板保持機構於沿著基板主面之方向相對移動。
除電方法之第19態樣係如第18態樣之除電方法，其中上述第2步驟進而具備以下步驟：於上述複數個表面電位測定機構與基板之主面對向之位置、及上述複數個表面電位測定機構不與基板之主面對向之位置之間，使 上述複數個表面電位測定機構與上述基板保持機構相對性地移動。
根據除電裝置及除電方法，可根據基板主面之各區域適當地降低蓄積於基板主面之電荷之量。
1‧‧‧基板保持機構(基板保持部)
1a‧‧‧上表面
1b‧‧‧側面
1c‧‧‧下表面
2‧‧‧紫外線照射機構(紫外線照射器)
2a‧‧‧第1面
2b‧‧‧第2面
3‧‧‧筒構件
3b‧‧‧外周面
3c‧‧‧上表面
3d‧‧‧下表面
5‧‧‧隔板
7‧‧‧控制機構(控制部)
8‧‧‧表面電位測定機構(表面電位測定部)
8a~8i‧‧‧表面電位測定部
8A~8C‧‧‧表面電位測定部
10‧‧‧除電裝置
10A‧‧‧除電裝置
10B‧‧‧除電裝置
11‧‧‧槽
12‧‧‧移動機構(移動機構)
14‧‧‧旋轉機構(旋轉機構)
21‧‧‧單位照射機構(單位照射器)
21a~21c‧‧‧單位照射器
21A~21E‧‧‧單位照射器
22‧‧‧移動機構
42‧‧‧氣體供給部
42a‧‧‧氣體供給部
42b‧‧‧氣體供給部
50‧‧‧腔室
51‧‧‧地板部
52‧‧‧連結構件
53‧‧‧貫通孔
54‧‧‧貫通孔
61‧‧‧排氣部
80‧‧‧測定單元
81‧‧‧構件
81b‧‧‧部分
81c‧‧‧部分
82‧‧‧移動機構
82b‧‧‧部分
82c‧‧‧部分
100‧‧‧基板處理系統
110‧‧‧收納器保持部
120‧‧‧基板通過部
121‧‧‧分度機器人
122‧‧‧通過部
123‧‧‧搬送機器人
124‧‧‧分度搬送路徑
130‧‧‧基板處理部
130a~130d‧‧‧基板處理部
131‧‧‧流體箱
321‧‧‧貫通孔
322‧‧‧貫通孔
421‧‧‧配管
422‧‧‧開閉閥
423‧‧‧氣體收納器
611‧‧‧配管
A1‧‧‧假想圓
A2‧‧‧假想圓
B1‧‧‧假想圓
B2‧‧‧假想圓
B3‧‧‧假想圓
B21‧‧‧假想圓
H1‧‧‧作用空間
R1‧‧‧區域
R21‧‧‧區域
R22‧‧‧區域
R31‧‧‧區域
R33‧‧‧區域
S1~S12‧‧‧步驟
S21~S32‧‧‧步驟
S41~48‧‧‧步驟
V1‧‧‧分佈
V2‧‧‧分佈
V3‧‧‧分佈
W1‧‧‧基板
W1a‧‧‧區域
W1b‧‧‧區域
W1c‧‧‧區域
W1A~W1E‧‧‧區域
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
圖1係概略性表示基板處理系統之構成之一例的圖。
圖2係概略性表示除電裝置之構成之一例的圖。
圖3係概略性表示除電裝置之構成之一例的圖。
圖4係概略性表示基板及紫外線照射器之構成之一例的圖。
圖5係表示除電裝置之動作之一例的流程圖。
圖6係概略性表示除電裝置之構成之另一例的圖。
圖7係概略性表示基板、紫外線照射器及表面電位測定部之構成之另一例的圖。
圖8係概略性表示基板及紫外線照射器之圖。
圖9係概略性表示基板及紫外線照射器之圖。
圖10係概略性表示基板及紫外線照射器之圖。
圖11係概略性表示除電裝置之動作之一例之流程圖。
圖12係概略性表示紫外線照射器及表面電位測定部之另一例的圖。
圖13係概略性表示紫外線照射器及表面電位測定部之另一例的圖。
圖14係概略性表示紫外線照射器及表面電位測定部之另一例的圖。
圖15係概略性表示紫外線照射器及表面電位測定部之另一例的圖。
圖16係概略性表示除電裝置之構成之另一例之圖。
圖17係概略性表示基板、紫外線照射器及測定單元之一例的圖。
圖18係概略性表示除電裝置之一例的圖。
圖19係概略性表示基板、紫外線照射器及測定單元之一例的圖。
圖20係概略性表示除電裝置之一例的圖。
圖21係概略性表示基板、紫外線照射器及測定單元之一例的圖。
圖22係概略性表示除電裝置之一例的圖。
圖23係概略性表示基板、紫外線照射器及測定單元之一例的圖。
圖24係概略性表示除電裝置之一例的圖。
圖25係概略性表示基板、紫外線照射器及測定單元之一例的圖。
圖26係概略性表示基板及測定單元之一例的圖。
圖27係表示除電裝置之動作之一例的流程圖。
圖28係概略性表示表面電位之分佈之一例之曲線圖。
圖29係表示表面電位之時間變化之一例之曲線圖。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態詳細地進行說明。
第1實施形態
<基板處理系統之整體構成之一例>
圖1係概略性表示基板處理系統100之整體構成之一例的圖。再者，於圖1及後續之各圖中，為了易於理解，根據需要將各部之尺寸或數量誇大或簡略化地加以描繪。
基板處理系統100係用以對半導體基板實施各種處理之裝置。該基板處理系統100具備例如收納器保持部110、基板通過部120及基板處理部130。收納器保持部110保持基板收納器。於該基板收納器收納有例如複數個基板。於圖1之例中，設置有複數個收納器保持部110，該等沿著平行 於水平面之一方向(以下亦稱為X方向)排列。
基板處理部130係用以對基板實施特定處理之裝置。於圖1之例中，設置有複數個基板處理部130(於圖示例中係基板處理部130a~130d)。基板處理部130a~130d各自對基板進行各種處理。為了說明之方便起見，設想各基板依基板處理部130a~130d之順序接受處理之情形。例如，基板處理部130a對基板供給處理液(藥液、清洗液或IPA(異丙醇)液等處理液)。藉此，對基板進行對應於處理液之處理。對後續之基板處理部130c之處理而言，不期望於基板蓄積有電荷。又，有時會因基板處理部130b之處理(例如使用IPA之處理)而將有機物作為雜質殘留於基板之主面上，故期望去除此種有機物。
基板通過部120位於收納器保持部110與基板處理部130a~130d各者之間。未處理之基板自收納器保持部110經由基板通過部120向基板處理部130a交付。於基板處理部130a中已實施處理之處理完畢之基板自該基板處理部130a經由基板通過部120向收納器保持部110、或其他基板處理部130b交付。基板處理部130b~130d之間之基板之時間順次之搬送亦同樣。
基板通過部120具備分度機器人121、通過部122及搬送機器人123。分度機器人121可於以下說明之分度搬送路徑124於X方向往復移動。分度搬送路徑124係與複數個收納器保持部110相鄰而於X方向延伸之搬送路徑。分度機器人121可於該分度搬送路徑124中於與各收納器保持部110對向之位置停止。
分度機器人121具有例如臂與手。手設置於臂之前端，可保持基板或釋放保持之基板。手可藉由臂之驅動而於平行於水平面且垂直於X方向之 方向(以下亦稱為Y方向)往復移動。分度機器人121可以與收納器保持部110對向之狀態使手向收納器保持部110移動，而自收納器保持部110取出未處理之基板，或將已處理之基板交付至收納器保持部110。
通過部122相對於分度搬送路徑124位於與收納器保持部110相反側。例如通過部122可形成於與分度搬送路徑124之X方向之中央部對向之位置。例如，通過部122可具有載置基板之載置台或載置架。分度機器人121可使臂於水平面180度旋轉。藉此，分度機器人121可使手向通過部122移動。分度機器人121可將自收納器保持部110取出之基板交付至通過部122，或自通過部122取出載置於通過部122之基板。
搬送機器人123相對於通過部122設置於與分度搬送路徑124相反側。又，以包圍搬送機器人123之方式配置複數個(於圖1中係4個)基板處理部130。於圖1之例中，設置有與基板處理部130各者相鄰之流體箱131。流體箱131可向相鄰之基板處理部130供給處理液，又，自該基板處理部130回收已使用之處理液。
搬送機器人123亦與分度機器人121同樣具有臂及手。該搬送機器人123可自通過部122取出基板，或將基板交付至通過部122。又，搬送機器人123可向各基板處理部130交付基板、或自各基板處理部130取出基板。再者，分度機器人121及搬送機器人123可視為搬送基板之搬送機構。
藉由該等構成，可獲得例如如下之概略動作。即，收納於收納器保持部110之各半導體基板由分度機器人121順次搬送至通過部122。而且，基板由搬送機器人123順次搬送至基板處理部130a~130d，而於基板處理部130a~130d中接受各種處理。一連串之處理完成之基板藉由通過部122及分度機器人121返回至收納器保持部110。
<除電裝置>
圖2及圖3係概略性表示除電裝置10之構成之一例的圖。該除電裝置10可設置於例如通過部122。圖2及圖3係表示例如垂直於Y方向之剖面之構成之一例。再者，除電裝置10並非必須設置於通過部122，亦可作為例如基板處理部130d而設置。換言之，除電裝置10可作為複數個基板處理部130中之一部分而設置。
除電裝置10具備基板保持部1、移動機構12、紫外線照射器2、表面電位測定部8、筒構件3、氣體供給部42、排氣部61及控制部7。
<基板保持部>
基板保持部1係水平保持基板W1之構件。於基板W1為半導體基板(即半導體晶圓)之情形時，基板W1為大致圓形之平板狀。基板保持部1具有圓柱狀之形狀，具有上表面1a、側面1b、及下表面1c。側面1b連結上表面1a之周緣及下表面1c之周緣。於基板保持部1之上表面1a之上載置有基板W1。
如圖2至圖3所例示，於上表面1a形成有一對槽11。於一對槽11之內部插入分度機器人121或搬送機器人123之手。
基板W1如下所述般載置於基板保持部1。即，基板W1以載置於手上之狀態被搬送至基板保持部1之上方。其次，手自上方向基板保持部1移動。伴隨該移動，手自上方插入一對槽11。又，藉由移動，將基板W1載置於基板保持部1而自手離開。隨後，分度機器人121或搬送機器人123使手於Y方向移動，將手自槽11之內部拔出。藉此，將基板W1載置於基板保持部1。
基板保持部1之上表面1a可於與槽11不同之區域中具有朝向基板W1 突起之複數個突起形狀(以下稱為突起部)。亦將該突起部稱為銷。該突起部具有例如圓柱形狀。於設置有突起部之情形時，基板W1由該突起部之前端支持。
<紫外線照射器>
紫外線照射器2相對於基板W1配置於上方側(與基板保持部1相反側)。即，紫外線照射器2、基板W1及基板保持部1依該順序於Z方向上排列。紫外線照射器2可產生紫外線，並將該紫外線向基板W1之主面(與基板保持部1相反側之主面)照射。該紫外線照射器2可以於基板W1之主面之複數個區域之相互間不同的照射量，對基板W1之主面照射紫外線。該等複數個區域之一例於下文詳細敍述，但係俯視基板W1之主面時進行分割之區域。因此，複數個區域之一組與主面一致，並覆蓋該主面。照射量係紫外線之強度之時間積分。因此，照射時間越長照射量增大，紫外線之強度越大照射量增大。
圖4係概略性表示紫外線照射器2之構成之一例的立體圖。紫外線照射器2具備複數個單位照射器21(於圖中係單位照射器21a~21c)。單位照射器21a於自Z方向觀察之俯視時具有圓形狀，單位照射器21b、21c於自Z方向觀察之俯視時具有環形形狀。單位照射器21b之內徑大於單位照射器21a之外徑，單位照射器21c之內徑大於單位照射器21b之外徑。該等單位照射器21a~21c係同心圓狀地配置。具體而言，單位照射器21a較單位照射器21b位於更內周側，單位照射器21b較單位照射器21c位於更內周側。單位照射器21a~21c之中心軸通過基板W1之中心。再者，單位照射器21a於俯視時具有圓形狀，但亦可具有環形形狀。
單位照射器21a~21c於Z方向上與基板W1隔開間隙地對向。具體而 言，單位照射器21a與基板W1之主面中包含其中心之圓狀之區域W1a對向，單位照射器21b與基板W1之主面中較區域W1a位於更外側且具有特定寬度之環狀區域W1b對向，單位照射器21c與基板W1之主面中較區域W1b更外側之環狀之區域W1c對向。即，單位照射器21a~21c分別對應於區域W1a~W1c而配置。
單位照射器21a~21c主要分別向區域W1a~W1c照射紫外線。單位照射器21a亦可對區域W1a之外側照射紫外線，於以下，為了說明之方便起見，假定單位照射器21a僅對區域W1a照射紫外線。單位照射器21b、21c亦同樣。
作為單位照射器21可採用例如準分子UV(Ultraviolet)(紫外線)燈。該單位照射器21具備例如填充放電用之氣體(例如稀有氣體或稀有氣體鹵素化合物)之石英管、及一對電極。放電用之氣體存在於一對電極間。藉由對一對電極間以高頻施加高電壓，激發放電用氣體而成為準分子狀態。於放電用氣體自準分子狀態向基底狀態返回時產生紫外線。
<表面電位測定部>
複數個表面電位測定部8(於圖2~圖4之例中係表面電位測定部8a~8c)分別測定複數個區域W1a~W1c內之表面電位。即，表面電位測定部8a~8c分別對應區域W1a~W1c而設置。表面電位測定部8係例如非接觸式之表面電位計，且配置於紫外線照射器2與基板W1之間。例如，表面電位測定部8具有探針。於探針包含有電極。於特定時，探針之前端與基板W1之主面之間之距離設定為數[mm](例如5[mm])以下程度。表面電位測定部8基於探針之電極所產生之電壓測定與探針對向之部分之表面電位。
於圖2~圖4之例中，表面電位測定部8a配置於與區域W1a之中心於Z 方向上對向之位置，並測定該中心之表面電位。表面電位測定部8b配置於與區域W1b內之第1測定對象部分於Z方向上對向之位置，並測定該第1測定對象部分之表面電位。表面電位測定部8c配置於與區域W1c內之第2測定對象部分於Z方向上對向之位置，並測定第2測定對象部分之表面電位。基板W1之中心、第1測定對象部分及第2測定對象部分沿著基板W1之徑向以該順序排列。即，表面電位測定部8a~8c沿著基板W1之徑向以該順序排列而配置。
表面電位測定部8例如測定相對於接地電位之表面電位。於該情形時，可使基板保持部1(具體而言係與基板W1之接觸部，例如銷)電性接地。藉此，表面電位測定部8可以更高之精度測定蓄積於基板W1之電荷量(即帶電量)作為表面電位。
<移動機構>
移動機構12可使基板保持部1沿著Z方向移動。例如，移動機構12安裝於基板保持部1之下表面1c。該移動機構12可使基板保持部1於基板保持部1靠近紫外線照射器2之第1位置(參照圖3)、與基板保持部1遠離紫外線照射器2之第2位置(參照圖2)之間往復移動。如隨後說明般，第1位置係對基板W1進行使用紫外線之處理時之基板保持部1之位置，第2位置係進行基板W1之授受時之基板保持部1之位置。移動機構12可採用例如油壓缸、單軸載台或馬達等。移動機構12可由波紋管覆蓋周圍。
<筒構件及氣體供給部>
筒構件3具有內周面3a、外周面3b、上表面3c及下表面3d而具有筒狀形狀。上表面3c係連結內周面3a與外周面3b之面，且係紫外線照射器2側之面。下表面3d係連結內周面3a與外周面3b之面，且係與紫外線照射器2 相反側之面。筒構件3之內周面3a之直徑大於基板保持部1之側面1b之直徑。參照圖3，筒構件3於基板保持部1於第1位置停止之狀態下自外側包圍基板保持部1。
於基板保持部1於第1位置停止之狀態(圖3)下，紫外線照射器2照射紫外線。藉此，對基板W1進行使用紫外線之處理。另一方面，於基板保持部1於第1位置停止之狀態中，由紫外線照射器2、筒構件3及基板保持部1包圍基板W1之周圍。因此，於該狀態下不易將基板W1自基板保持部1取出。
因此，移動機構12使基板保持部1移動至第2位置(圖2)。藉此，基板保持部1自筒構件3之內周面3a之內部朝相對於紫外線照射器2遠離之方向後退。於該第2位置上，基板W1相對於筒構件3之下表面3d位於鉛直下方側(與紫外線照射器2相反側)。因此，分度機器人121或搬送機器人123可不受筒構件3妨礙地使基板W1沿著Y方向移動而取出基板W1。相反，分度機器人121或搬送機器人123可於基板保持部1於第2位置停止之狀態，將基板W1載置於基板保持部1。
於筒構件3形成有貫通孔321、322。貫通孔321、322貫通筒構件3而與紫外線照射器2與基板W1之間之作用空間H1連通。具體而言，貫通孔321、322之一端於筒構件3之上表面3c開口。於形成有該開口部之位置上，筒構件3之上表面3c隔開空隙與紫外線照射器2對向。該等開口部各者與紫外線照射器2之間之空間與作用空間H1連續。即，貫通孔321、322與作用空間H1連通。
貫通孔321、322之另一端於筒構件3之外周面3b開口。貫通孔321、322之另一端連結於氣體供給部42。具體而言，貫通孔321之另一端連接 於氣體供給部42a，貫通孔322之另一端連接於氣體供給部42b。氣體供給部42a、42b將氧氣或惰性氣體(例如氮氣或氬氣等)等氣體分別經由貫通孔321、322供給至作用空間H1。即，貫通孔321、322作為給氣用路徑發揮功能。
氣體供給部42a、42b各自具備配管421、開閉閥422及氣體收納器423。氣體供給部42a、42b除了配管421之連接目的地以外互為相同。因此，首先對共通之內容進行敍述。氣體收納器423收納應向作用空間H1供給之氣體。氣體收納器423連結於配管421之一端。開閉閥422設置於配管421，並切換配管421之開閉。其次，對氣體供給部42a、42b之配管421之另一端之連接目的地進行說明。氣體供給部42a之配管421之另一端連結於貫通孔321之另一端，氣體供給部42b之配管421之另一端連結於貫通孔322之另一端。
<密閉空間>
除電裝置10可形成密閉空間。於圖2及圖3之例中，紫外線照射器2、筒構件3、隔板5、地板部51及連結構件52相互連結而形成密閉空間。連結構件52係筒狀之構件，且連結紫外線照射器2之外周側之面、筒構件3之上表面3c中外周側之部分。貫通孔321、322之開口部形成於上表面3c中內周側之部分，且與紫外線照射器2之下表面於Z方向上隔開空隙地對向。隔板5與筒構件3之下表面3d連結。隔板5於Z方向延伸並連結於地板部51。於藉由紫外線照射器2、筒構件3、隔板5、地板部51及連結構件52形成之密閉空間收納有基板保持部1、移動機構12及表面電位測定部8。
<排氣>
於隔板5形成有排氣用之貫通孔53。該貫通孔53沿著X方向貫通隔板 5。該貫通孔53連結於排氣部61。排氣部61具備例如連結於貫通孔53之配管611等。除電裝置10之內部之空氣經由配管611向外部排氣。
<擋板>
於隔板5設置有作為基板W1用之進出口發揮功能之擋板(未圖示)。藉由將該擋板打開，除電裝置10之內部與外部連通。分度機器人121或搬送機器人123可經由該打開之擋板使基板W1進入除電裝置10之內部、且可取出基板W1。於將除電裝置10設置於通過部122之情形時，設置分度機器人121用之擋板、與搬送機器人123用之擋板。
<控制部>
紫外線照射器2、移動機構12、氣體供給部42之開閉閥422及擋板由控制部7控制。又，對控制部7輸入由表面電位測定部8測定之表面電位Va~Vc。控制部7基於表面電位Va~Vc控制複數個區域W1a~W1c各者之照射量。此時，控制部7作為控制照射量之照射量控制機構發揮功能。
控制部7係電路機器，可具有例如資料處理裝置及記憶媒體。資料處理裝置可為例如CPU(Central Processor Unit：中央處理單元)等運算處理裝置。記憶部可具有非暫時性之記憶媒體(例如ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)或硬碟)及暫時性之記憶媒體(例如RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體))。可於非暫時性之記憶媒體記憶有規定例如由控制部7執行之處理之程式。藉由處理裝置執行該程式，控制部7可執行程式所規定之處理。當然，可由硬體執行由控制部7執行之處理之一部分或全部。
<除電裝置之動作>
圖5係表示除電裝置10之動作之一例的流程圖。移動機構12首先使基 板保持部1於第2位置停止(圖2)。又，此處作為一例，始終進行排氣部61之排氣。於步驟S1，控制部7將擋板打開，並且控制分度機器人121或搬送機器人123將基板W1配置於基板保持部1之上方，且關閉擋板。其次，於步驟S2，控制部7例如控制氣體供給部42(具體而言係開閉閥422)而開始氣體之供給。藉此，自貫通孔321、322之開口部噴出氣體。作為氣體可採用例如氮氣。再者，步驟S1、S2之執行順序可相反，亦可並行執行該等。
其次，於步驟S3，控制部7控制移動機構12，使基板保持部1靠近紫外線照射器2，並於第1位置停止。於第1位置上，基板W1與紫外線照射器2之間之距離係例如數[mm]至數十[mm]左右。作為更具體之一例可採用例如2[mm]。
其次，於步驟S4，控制部7使紫外線照射器2照射紫外線。更具體而言，控制部7使單位照射器21a~21c照射紫外線。再者，控制部7可於作用空間H1之環境變為特定之環境時，執行步驟S3。例如，控制部7計時自步驟S2之經過時間。經過時間之計時可藉由計時器電路等計時電路進行。控制部7可判斷該經過時間是否大於特定之基準值，於肯定之判斷時，執行步驟S3。或，可計測作用空間H1之環境，且控制部7基於該計測值判斷作用空間H1之環境是否變為特定之環境。
藉由單位照射器21a~21c之紫外線之照射，基板W1之電荷隨著時間之經過而降低。即，基板W1之帶電量降低。其理由之一係認為於基板W1產生光電效應之故。可採用例如252[nm]以下之波長作為紫外線之波長。其係由於該波長範圍中，可有效地去除基板W1之電荷之故。可採用172±20[nm]內之波長作為更有效之波長。
其次，於步驟S5，表面電位測定部8a~8c分別測定表面電位Va~Vc，並向控制部7輸出測定之表面電位Va~Vc。控制部7執行步驟S6、S7之一組、步驟S8、S9之一組、及步驟S10、S11之一組。於步驟S6中，控制部7判斷表面電位Va之絕對值是否低於基準值Vref。基準值Vref係例如預先設定，且採用接近零之值。於步驟S6判斷為表面電位Va低於基準值Vref時，控制部7執行後述之步驟S12。
於判斷為表面電位Va之絕對值低於基準值Vref時，於步驟S7，控制部7停止單位照射器21a之紫外線之照射。該控制部7作為控制紫外線之紫外線控制機構發揮功能。藉此，停止向區域W1a之紫外線之照射。因此，可抑制或避免於區域W1a中因紫外線之過度照射所致之相反極性之電荷之蓄積。其次，控制部7執行後述之步驟S12。
於步驟S8中，控制部7判斷表面電位Vb之絕對值是否低於基準值Vref。於判斷為表面電位Vb不低於基準值Vref時，控制部7執行後述之步驟S12。於判斷為表面電位Vb之絕對值低於基準值Vref時，於步驟S9，控制部7停止單位照射器21b之紫外線之照射。藉此，停止向區域W1b之紫外線之照射。因此，可抑制或避免於區域W1b中因紫外線之過度照射所致之相反極性之電荷之蓄積。其次，控制部7執行後述之步驟S12。
於步驟S10中，控制部7判斷表面電位Vc之絕對值是否低於基準值Vref。於判斷為表面電位Vb不低於基準值Vref時，控制部7執行後述之步驟S12。於判斷為表面電位Vc之絕對值低於基準值Vref時，於步驟S11，控制部7停止單位照射器21c之紫外線之照射。藉此，停止向區域W1c之紫外線之照射。因此，可抑制或避免於區域W1c中因紫外線之過度照射所致之相反極性之電荷之蓄積。其次，控制部7執行後述之步驟S12。
於步驟S12中，控制部7判斷是否結束除電處理。具體而言，控制部7於判斷表面電位Va、Vb、Vc之絕對值全部低於基準值Vref時，結束處理。另一方面，於判斷表面電位Va、Vb、Vc之絕對值之至少任一者不低於基準值Vref時，控制部7再次執行步驟S5。
如以上般，控制部7切換單位照射器21a~21c各者之紫外線之照射及停止，而作為控制對複數個區域W1a~W1c各者之紫外線之照射量之接通/斷開控制機構發揮功能。藉此，可以適於各個除電之照射量向區域W1a~W1c照射紫外線。因此，可抑制對各區域W1a~W1c之紫外線之過度之照射，可抑制或避免因該過度之照射而蓄積之相反極性之電荷。
根據圖5之動作，表面電位測定部8a~8c於各個單位照射器21a~21c之紫外線之照射中測定表面電位Va~Vc(步驟S4、S5)，控制部7基於該表面電位Va~Vc決定各個單位照射器21a~21c之停止(步驟S6~S11)。即，一面監視照射中各區域之表面電位一面基於該表面電位依區域決定照射之停止。據此，於各區域W1a~W1c中，可更確實地抑制或避免相反極性之電荷之蓄積而去除電荷。
<除電裝置之另一例>
圖6係概略性表示除電裝置10之另一例中之除電裝置10A之構成的圖。除電裝置10A與除電裝置10之不同之點在於紫外線照射器2之構成及旋轉機構14之有無。
<旋轉機構>
旋轉機構14使基板保持部1進而使基板W1於水平面上旋轉。具體而言，旋轉機構14以通過基板W1之中心且垂直於基板W1之主面之軸為旋轉軸，使基板保持部1旋轉。旋轉機構14具有例如馬達，且由控制部7控制 其旋轉。
<紫外線照射器>
圖7係概略性表示基板W1、紫外線照射器2及表面電位測定部8之構成之一例的圖。紫外線照射器2具備複數個單位照射器21(於圖中係單位照射器21A~21E)。單位照射器21A~21E相互具有相同之形狀。更具體而言，單位照射器21A~21E具有沿著與基板W1水平之方向(圖中係Y方向)延伸之棒狀之形狀。又，單位照射器21A~21E並排排列。具體而言，單位照射器21A~21E沿著X方向以該順序排列而配置。即，單位照射器21A、21E分別位於X方向之兩端，單位照射器21C位於X方向之中央。
單位照射器21A~21E與基板W1之主面於Z方向上對向。具體而言，位於中央之單位照射器21C與基板W1之X方向之中央區域W1C於Z方向上對向。更詳細而言，以單位照射器21C及基板W1之X方向之中心相互一致之方式配置單位照射器21C。即，單位照射器21A~21E相對於基板W1之中心而線對稱地配置。位於X方向兩端之單位照射器21A、21E與基板W1之X方向之兩端附近區域W1A、W1E分別於Z方向對向。單位照射器21B與區域W1A、W1C間之區域W1B於Z方向上對向，單位照射器21D與區域W1C、W1E間之區域W1D於Z方向上對向。單位照射器21A~21E之長邊方向之長度長於基板W1之直徑。
單位照射器21A~21E主要對基板W1之主面中與自身對向之區域W1A~W1E照射紫外線。於以下，為了說明之簡單起見，假定單位照射器21A僅對區域W1A照射紫外線。單位照射器21B~21E亦同樣。
<表面電位測定部>
於圖6及圖7中，表示表面電位測定部8A~8C作為複數個表面電位測 定部8。表面電位測定部8A測定基板W1之中心之表面電位VA。表面電位測定部8B測定區域W1D內特定之測定對象部分之表面電位VB。表面電位測定部8C測定區域W1E內特定之測定對象部分之表面電位VC。表面電位測定部8A~8C沿著基板W1之徑向依序排列而配置。因此，區域W1D、W1E內之測定對象部分亦沿著徑向排列。
<控制部>
控制部7一面控制旋轉機構14使基板保持部1進而使基板W1旋轉，一面使單位照射器21A~21E照射紫外線。基板W1之旋轉速度可設定為例如1[rpm]~1000[rpm]左右。
圖8係概略性表示單位照射器21A~21E與基板W1之構成之一例。於圖8中，以基板W1之紙面右側之箭頭表示基板W1旋轉。於以下參照之圖式中亦適當地附記同樣之箭頭。於單位照射器21A~21E照射紫外線時，對基板W1之主面之整個區域均一地照射紫外線。於圖8中，以基板W1之斜線之陰影線表示對基板W1之主面之整個區域照射紫外線。
此外，鑒於圖28之表面電位之分佈V3，認為基板W1之中央附近之電荷與基板W1之周緣附近之電荷相比更容易去除。因此，意圖與向基板W1之中心附近之紫外線照射量相比，增大向基板W1之周緣附近之紫外線照射量。
控制部7於使基板W1旋轉之狀態，使中央之單位照射器21C之紫外線之照射停止。圖9係概略性表示單位照射器21A、21B、21D、21E與基板W1之構成之一例。由於控制部7使單位照射器21C停止，故於圖9中，省略單位照射器21C。
此時，於基板W1之主面中較假想圓A1更外側之區域，藉由單位照射 器21A、21B、21D、21E照射紫外線，另一方面，對假想圓A1之內側區域未照射紫外線。該假想圓A1係與單位照射器21B、21D之相互相向之面之兩者相切之圓。藉由如此停止單位照射器21C之紫外線之照射，停止向假想圓A1之內側區域之紫外線之照射。因此，可使向假想圓A1之外側區域之紫外線之照射量較向假想圓A1內側區域之紫外線之照射量增大。
再者，假想圓A1之外側區域內之各點有時會因基板W1之旋轉而位於單位照射器21B、21D之間。此時，不對該點照射紫外線。另一方面，當藉由基板W1之旋轉而該點位於單位照射器21A、21B、21D、21E正下方時，對該點照射紫外線。即，於基板W1之1個旋轉中，並非始終對該點照射紫外線。因此，假想圓A1之外側區域之紫外線之照射量(基板W1之每1個旋轉之照射量)，與單位照射器21A~21E之全部均照射紫外線之情形相比減小。於圖8及圖9中，以附記於基板W1之陰影線之疏密模式性表示每1個旋轉之照射量之大小。
控制部7於使基板W1旋轉之狀態，進而使單位照射器21B、21D之紫外線之照射停止。圖10係概略性表示單位照射器21A、21E與基板W1之構成之一例。由於控制部7使單位照射器21B~21D之紫外線之照射停止，故於圖10中省略該等之圖示。
此時，對基板W1之主面中較假想圓A2更外側之區域，藉由單位照射器21A、21E照射紫外線，另一方面，對假想圓A2之內側區域未照射紫外線。假想圓A2係與單位照射器21A、21E之相互相向之面之兩者相切之圓。假想圓A2之直徑大於假想圓A1之直徑。即，藉由停止單位照射器21B~21D之紫外線之照射，而停止向更寬之假想圓A2之內側區域之紫外線之照射。因此，亦可使向假想圓A2之外側區域，即更靠近周緣側之區 域之紫外線之照射量，較向假想圓A2之內側區域之紫外線之照射量增大。
再者，並非始終對假想圓A2之外側區域照射紫外線。於假想圓A2之外側區域內之各點位於單位照射器21A、21E之間時不對該點照射紫外線。藉由亦停止單位照射器21B、21D，由於不照射紫外線之範圍擴大，故向假想圓A2之外側區域之每1個旋轉之照射量與圖9之情形相比減少。於圖9及圖10中，以附記於基板W1之陰影線之疏密模式性表示每1個旋轉之照射量之大小。
圖11係表示除電裝置10A之動作之一例之流程圖。此處設想藉由向基板W1之整個面照射紫外線，而使基板W1之中央附近之表面電位較周緣附近之表面電位更先接近零的情形。
步驟S21~S23分別與步驟S1~S3相同。於步驟S23後之步驟S24，控制部7控制旋轉機構14使基板保持部1進而使基板W1旋轉。其次，於步驟S25，控制部7使單位照射器21A~21E照射紫外線。藉此，對基板W1主面之整個面照射紫外線。其次，於步驟S26，表面電位測定部8A~8C分別測定表面電位VA~VC，並將測定之表面電位VA~VC向控制部7輸出。
其次，於步驟S27，控制部7判斷表面電位VA之絕對值是否低於基準值Vref。於判斷為表面電位VA不低於基準值Vref時，控制部7再次執行步驟S26。於判斷為表面電位VA之絕對值低於基準值Vref時，於步驟S28，控制部7停止中央之單位照射器21C之紫外線之照射。藉此，停止向假想圓A1之內側區域之紫外線之照射。因此，可抑制或避免於假想圓A1之內側區域中因紫外線之過度照射所致之相反極性之電荷之蓄積。
其次，於步驟S29，控制部7判斷表面電位VB之絕對值是否低於基準 值Vref。於判斷為表面電位VB不低於基準值Vref時，控制部7再次執行步驟S26。於判斷為表面電位VB之絕對值低於基準值Vref時，於步驟S30，控制部7停止單位照射器21B、21D之紫外線之照射。因此，可抑制或避免於假想圓A2之內側區域中因紫外線之過度照射所致之相反極性之電荷之蓄積。
其次，於步驟S31，控制部7判斷表面電位VC之絕對值是否低於基準值Vref。於判斷為表面電位VC不低於基準值Vref時，控制部7再次執行步驟S26。於判斷為表面電位VC之絕對值低於基準值Vref時，於步驟S32，控制部7停止單位照射器21A、21E之紫外線之照射。藉此，停止向基板W1之主面之紫外線之照射。即，基板W1之除電處理結束。
於除電裝置10A中，如上所述，亦可以適於各個除電之照射量向基板W1之主面之各區域照射紫外線。藉此，可抑制對各區域之紫外線之過度之照射，可抑制或避免因該過度之照射而蓄積之相反極性之電荷。
而且，根據除電裝置10A，藉由停止中央之單位照射器21C之照射，而可停止向假想圓A1之內側區域之紫外線之照射，並且降低假想圓A1之外側區域之照射量(亦參照圖9)。同樣地，藉由停止單位照射器21B~21C之照射，而可停止向假想圓A2之內側區域之紫外線之照射，且進一步降低假想圓A2之外側區域之照射量(亦參照圖10)。藉此，可降低周緣附近之電荷之除去速度，可進一步精度良好地控制周緣附近之表面電位。另一方面，基板W1之中央附近之帶電量初期較大(圖28)，然而藉由初期之單位照射器21A~21D之照射，可快速地去除基板W1之中央附近之電荷。
再者，於上述之例中，自X方向中央朝向兩側依順使單位照射器21停止，但並非限定於此。簡而言之，控制部7係只要於各區域之表面電位隨 著時間之經過而降低時，使對應於該表面電位之單位照射器21停止即可。
<表面電位之測定時序>
於上述之例中，於紫外線之照射中測定表面電位。然而，表面電位測定部8可於紫外線之照射前測定表面電位。於該情形時，控制部7基於該表面電位決定各區域之除電所需之必要之照射量。表面電位與必要照射量之關係例如可根據實驗或模擬而預先設定。該關係例如可記憶於控制部7之記憶部等。而且，控制部7基於必要照射量決定各單位照射器21之照射時間。控制部7可基於該照射時間而控制各單位照射器21。即，控制部7計時自利用單位照射器21之紫外線照射之經過時間，並於該經過時間超過決定之照射時間時，停止利用該單位照射器21之紫外線照射。
藉此，各單位照射器21亦可以適於各區域之照射量照射紫外線。因此，可抑制或避免因紫外線之過度照射所致之相反極性之電荷之蓄積。
又，於該情形時，表面電位測定部8並非必須設置於除電裝置10。表面電位測定部8可設置於除電裝置10之外部，並測定基板W1之表面電位。控制部7可以例如通信等取得該表面電位之資訊。
<單位照射器21之紫外線之照射強度>
控制部7控制複數個單位照射器21，使來自複數個單位照射器21之紫外線之強度互不相同。於該情形時，控制部7作為強度控制部發揮功能。例如，單位照射器21之一對電極安裝於石英玻璃之外側。根據該構造，紫外線之強度依存於一對電極間之電壓。控制部7對該一對電極間施加可變之電壓。例如，單位照射器21具有變流器。變流器以可變之振幅輸出交流電壓。振幅越高紫外線之強度越高。
控制部7例如可將單位照射器21c之紫外線之強度控制為高於單位照 射器21b之紫外線之強度，將單位照射器21b之紫外線之強度控制為高於單位照射器21a之紫外線之強度。據此，可對除電緩慢之區域W1c提高紫外線之強度，而提高除電之速度。又，可藉由降低單位照射器21a之紫外線之強度，而降低消耗電力。
同樣地，控制部7可將單位照射器21A、21E之紫外線之強度控制為高於單位照射器21B、21D之紫外線之強度，將單位照射器21B、21D之紫外線之強度控制為高於單位照射器21C之紫外線之強度。
<單位照射器之形狀及表面電位測定部之配置>
於上述之例中，單位照射器21具有圓狀、環狀、或直線狀(棒狀)之形狀。圖12係概略性表示紫外線照射器2之另一例的立體圖。自Z方向觀察，單位照射器21a具有半圓形狀，單位照射器21b、21c圓弧狀地延伸。即，單位照射器21b、21c可具有C字狀之形狀。單位照射器21a~21c具有不同之直徑。具體而言，單位照射器21a之外徑小於單位照射器21b之內徑，單位照射器21b之外徑小於單位照射器21c之內徑。單位照射器21a~21c同心圓狀地配置。於該情形時，亦可藉由使基板W1旋轉，單位照射器21a~21c分別向區域W1a~W1c之整個區域照射紫外線。
又，表面電位測定部8並非必須沿著半徑方向排列配置。例如可如圖12所示，表面電位測定部8沿著直徑方向排列配置。於圖12中，作為複數個表面電位測定部8表示表面電位測定部8a~8e。表面電位測定部8a配置於與基板W1之中心對向之位置。表面電位測定部8a~8e沿著基板W1之直徑方向排列配置。具體而言，表面電位測定部8b、8d配置於隔著表面電位測定部8a之位置，且與區域W1b對向之位置。表面電位測定部8c、8e配置於隔著表面電位測定部8a之位置，且與區域W1c對向之位置。
作為區域W1b之表面電位，可採用由表面電位測定部8b、8d測定之表面電位之統計值(例如平均值)。即，控制部7於由表面電位測定部8b、8d測定之表面電位之統計值之絕對值低於基準值Vref時，可使對應於區域W1b之單位照射器21b(或，單位照射器21B、21D)停止。同樣地，作為區域W1c之表面電位，可採用由表面電位測定部8c、8e測定之表面電位之統計值(例如平均值)。
又，表面電位測定部8可十字狀地配置。圖13係概略性表示基板W1及表面電位測定部8之一例之圖。於圖13之例中，作為9個表面電位測定部8表示表面電位測定部8a~8i。該等係十字狀地配置。表面電位測定部8a配置於與基板W1之中心對向之位置，表面電位測定部8a~8e沿著X方向排列配置，8a、8f~8i沿著Y方向排列配置。表面電位測定部8b、8d、8f、8g與區域W1b對向，表面電位測定部8c、8e、8h、8i與區域W1c對向。
作為區域W1b之表面電位，可採用由表面電位測定部8b、8d、8f、8g測定之表面電位之統計值(例如平均值)。區域W1c之表面電位亦同樣。
又，可將複數個單位照射器21格子狀地配置。圖14係概略性表示基板W1、紫外線照射器2及表面電位測定部8之一例的圖。自Z方向觀察，複數個單位照射器21具有矩形狀之形狀，該等係格子狀地配置。複數個表面電位測定部8亦與單位照射器21對應而格子狀地配置。各表面電位測定部8測定基板W1之主面中由對應之單位照射器21照射之區域內之表面電位。
控制部7基於由表面電位測定部8測定之表面電位，而控制紫外線照射器2之紫外線之照射及停止。具體而言，控制部7於判斷為由各表面電位 測定部8測定之表面電位之絕對值低於基準值Vref時，使對應之單位照射器21停止。
單位照射器21可蜂窩狀地配置。圖15係概略性表示基板W1、紫外線照射器2及表面電位測定部8之一例的圖。自Z方向觀察，複數個單位照射器21具有六角形之形狀，該等係蜂窩狀地配置。複數個表面電位測定部8配置於與單位照射器21對應之位置。各表面電位測定部8測定基板W1之主面中由對應之單位照射器21照射之區域內之表面電位。
控制部7基於由表面電位測定部8測定之表面電位，控制紫外線照射器2之紫外線之照射及停止。具體而言，控制部7於判斷為由各表面電位測定部8測定之表面電位之絕對值低於基準值Vref時，使對應之單位照射器21停止。
第2實施形態
圖16係概略性表示除電裝置10之一例中之除電裝置10B之構成之圖。除電裝置10B具備腔室50、基板保持部1、旋轉機構14、紫外線照射器2、測定單元80、移動機構22、82、氣體供給部42及排氣部61。圖17係概略性表示基板W1、測定單元80及紫外線照射器2之構成之一例的圖。
腔室50形成密閉空間，且收納基板保持部1、紫外線照射器2、測定單元80、移動機構22、82。基板保持部1之具體之一例與第1實施形態同樣。
於腔室50之例如頂面部分形成有貫通孔54。貫通孔54沿著Z方向貫通頂面部分。該貫通孔54連接於氣體供給部42。氣體供給部42經由貫通孔54向腔室50內供給氣體。該貫通孔54與基板W1於Z方向上對向，並將來自氣體供給部42之氣體供給至基板W1之主面上之作用空間。氣體供給部 42之具體之一例與第1實施形態同樣。
於腔室50之例如側壁形成有貫通孔53。貫通孔53例如沿著X方向貫通該側壁。貫通孔53連接於排氣部61。排氣部61將腔室50內之空氣經由貫通孔53向外部排氣。
於腔室50形成有作為基板W1之進出口發揮功能之開閉式之擋板(未圖示)。擋板由控制部7控制。
測定單元80具備棒狀之構件81、及複數個表面電位測定部8a~8c。構件81以其長邊方向沿著Y方向之姿勢配置。表面電位測定部8a~8c安裝於構件81之下方側(基板W1側)之面。表面電位測定部8a~8c於Y方向上排列設置。
移動機構82使測定單元80於接下來說明之測定位置與非測定位置之間移動。測定位置係使測定單元80相對於基板W1之主面於Z方向上以特定距離對向之位置。特定距離可設定為例如數[mm]以下。圖18係概略性表示測定單元80於測定位置停止時之除電裝置10B之構成之一例。於圖18中，為簡化圖而省略移動機構22、82、氣體供給部42及排氣部61之圖示。圖19係表示測定單元80於測定位置停止時之基板W1、測定單元80及紫外線照射器2之構成之一例的圖。
於測定單元80於測定位置停止之狀態下，表面電位測定部8a~8c於Z方向上與基板W1之主面對向。具體而言，表面電位測定部8a與基板W1之主面之中心於Z方向上對向。由於表面電位測定部8a~8c沿著Y方向排列設置，故表面電位測定部8a~8c沿著基板W1之徑向排列。即，表面電位測定部8a~8c於徑向上不同之位置測定基板W1之主面之表面電位。表面電位測定部8c位於較表面電位測定部8b更靠近基板W1之周緣側。
非測定位置係與上述測定位置不同之位置，係例如測定單元80與基板W1於Z方向上不對向之位置(圖16及圖17)。
可對移動機構82採用例如油壓缸、單軸載台或馬達等。移動機構82由控制部7控制。
紫外線照射器2照射紫外線。紫外線照射器2係例如準分子UV燈。紫外線照射器2具有例如棒狀之形狀，且以其長邊方向沿著Y方向之姿勢配置。紫外線照射器2之沿著Y方向之長度長於基板W1之直徑，紫外線照射器2之沿著X方向之寬度短於基板W1之半徑。
移動機構22於基板W1之上方使紫外線照射器2沿著基板W1之主面(於圖中係沿著X方向)移動。具體而言，移動機構22使紫外線照射器2自紫外線照射器2與基板W1於X方向偏移之初期位置(圖16及圖17)沿著X方向向基板W1側移動。而且，移動機構22使紫外線照射器2自基板W1之X方向之一端至少移動至基板W1之中央。可對移動機構22採用例如油壓缸、單軸載台或馬達等。移動機構22由控制部7控制。
再者，於圖16中，測定單元80與紫外線照射器2配置於Z方向上相同之位置。因此，控制部7以該等不干涉之方式控制移動機構22、82。
旋轉機構14與第1實施形態同樣，使基板保持部1進而基板W1旋轉。控制部7控制旋轉機構14而以使基板W1旋轉之狀態，使紫外線照射器2照射紫外線，且使紫外線照射器2自基板W1之X方向一端至少移動至中央。圖20至圖25係概略性表示使紫外線照射器2移動之狀態之一例。圖20、圖22及圖24係概略性表示除電裝置10B之構成之一例，圖21、圖23及圖25係概略性表示基板W1、紫外線照射器2及測定單元80之構成之一例。
於圖20及圖21中，紫外線照射器2位於基板W1之X方向之端附近。 於該情形時，對基板W1中之假想圓B1之內側區域中不照射紫外線，而對假想圓B1之外側區域照射紫外線。該假想圓B1係基板W1之同心圓，且係與基板W1中心側之紫外線照射器2之第1面2a相切之圓。再者，於基板W1之1個旋轉中，越是靠近基板W1之周緣之部分，於紫外線照射器2之正下方移動之距離越長。即，越是靠近基板W1之周緣之部分照射時間越長。因此，越靠近基板W1之周緣紫外線之照射量(每1個旋轉之照射量)越大。
於圖22及圖23中，紫外線照射器2於X方向上位於基板W1之中心與周緣之間。於該情形時，對基板W1中假想圓B2之內側區域中不照射紫外線，而對假想圓B2之外側區域中照射紫外線。假想圓B2係基板W1之同心圓，且係與紫外線照射器2之第1面2a相切之圓。由於紫外線照射器2與圖21相比位於更靠基板W1之中心側，故假想圓B2之直徑窄於假想圓B1。換言之，可對更寬之區域照射紫外線。
此處，導入假想圓B21。假想圓B21係基板W1之同心圓，且係與基板W1周緣側之紫外線照射器2之第2面2b相切之圓。該假想圓B21上之點伴隨基板W1之旋轉而於紫外線照射器2之正下方移動最長之距離。即，越是靠近假想圓B21之部分紫外線之照射時間越長。因此，越靠近假想圓B21紫外線之照射量(每1個旋轉之照射量)越大。即，藉由紫外線照射器2朝基板W1之中心側移動，每1個旋轉之照射量較大之區域亦朝基板W1之中心側移動。
於圖24及圖25中，紫外線照射器2位於基板W1之中心。於該情形時，於基板W1之全域中照射紫外線。此處，導入假想圓B3。假想圓B3係基板W1之同心圓，且係與紫外線照射器2之第1面2a及第2面2b相切之圓。由於假想圓B3之內側區域始終照射紫外線，故該區域之每1個旋轉之 照射量與其他區域相比更大。
如以上般，伴隨紫外線照射器2之移動，每1個旋轉之照射量較大之區域移動。
控制部7可控制移動機構22之紫外線照射器2之移動速度。藉此，可控制向基板W1照射之紫外線之照射量。例如，控制部7藉由降低移動速度，可延長紫外線照射器2之基板W1上之滯留時間。藉此，可增大向基板W1之紫外線之照射量。相反，控制部7藉由提高移動速度，可降低向基板W1之紫外線之照射量。
而且，控制部7根據紫外線照射器2相對於基板W1之位置而控制移動速度。即，控制部7作為控制移動速度之樣式(移動速度之對應於位置之變化樣式)之速度控制機構發揮功能。換言之，控制部7藉由移動速度控制對基板W1之各位置之照射量。例如，控制部7可使紫外線照射器2於X方向上位於基板W1之端附近(圖20及圖21)時之移動速度低於紫外線照射器2位於基板W1之中央附近(圖24及圖25)時之移動速度。據此，可延長紫外線照射器2於基板W1之周緣附近滯留之時間。即，可增大對基板W1之周緣附近之區域之照射時間。因此，可增大向周緣附近之區域照射之紫外線之照射量。
控制部7基於紫外線照射前由表面電位測定部8a~8c測定之表面電位Va~Vc控制紫外線照射器2之移動速度之樣式。即，基於紫外線照射前之表面電位Va~Vc，決定基板W1各位置之去除電荷所需之紫外線之必要照射量，且為了於各位置中以該照射量照射紫外線，決定紫外線照射器2之各位置之移動速度。表面電位Va~Vc各者與各位置之必要照射量之關係例如預先設定，並記憶於控制部7之記憶部等。
此處，對紫外線照射器2之位置設定複數個區域。圖26係表示該區域之圖。於圖26之例中，表示區域R1、R21、R22、R31、R32。該等區域係沿著Y方向延伸之區域，且於X方向上相鄰而配置。區域R1係包含基板W1之中心之區域，區域R1之X方向之中心與基板W1之中心一致。區域R31係位於基板W1之X方向之一端之區域，區域R32係位於基板W1之X方向之另一端之區域。區域R21位於區域R1、R31之間，區域R22位於區域R1與區域R31之間。區域R1、R21、R22、R31、R32之沿著X方向之寬度設定為相互相等。
於以下，於紫外線照射器2之X方向之中心位於區域R1內時，定義為紫外線照射器2位於區域R1。區域R21、R22、R31、R32亦同樣。
其次，對區域R1、R21、R22、R31、R32與表面電位測定部8a~8c之關係進行敍述。表面電位測定部8a於測定單元80於測定位置停止之狀態(圖19)位於與基板W1之中心對向之位置。該位置包含於區域R1。
表面電位測定部8b對應於區域R21、R22而設置。具體而言，於測定單元80於測定位置停止之狀態下，使表面電位測定部8b之測定對象部分相對於基板W1之中心±90度旋轉之部分81b、82b分別包含於區域R21、R22內。由於基於表面電位之對稱性，認為表面電位於周方向上大致相同，故可認為表面電位測定部8b測定區域R21、R22內之部分81b、82b之表面電位。
表面電位測定部8c對應於區域R31、R32而設置。具體而言，於測定單元80於測定位置停止之狀態下，使表面電位測定部8c之測定對象部分相對於基板W1之中心±90度旋轉之部分81c、82c分別包含於區域R31、R32內。由於基於表面電位之對稱性，認為表面電位於周方向上大致相同，故 可認為表面電位測定部8c測定區域R31、R32內之部分81c、82c之表面電位。
其次，對移動速度之決定方法之一例進行敍述。此處，考慮紫外線照射器2自區域R31向區域R1移動，並於區域R1停止之情形。於該情形時，控制部7決定區域R1、R21、R31之紫外線照射器2之移動速度。
然而，基板W1之中心附近之區域係僅於紫外線照射器2位於基板W1之中心附近時照射有紫外線。例如，如圖21及圖23所示，於紫外線照射器2遠離基板W1之中心時，不對基板W1之中心附近之區域照射紫外線。即，紫外線照射器2必須於位於區域R1之第1期間照射基板W1之中心附近之區域之除電所需之必要照射量。
因此，控制部7基於基板W1中心之表面電位Va決定區域R1之移動速度。具體而言，控制部7基於表面電位Va決定基板W1之中心附近之區域之除電所需之必要照射量Ua，並以可於第1期間照射該必要照射量Ua之方式決定區域R1之移動速度。表面電位Va~Vc與各區域之必要照射量之關係如上所述，可根據例如試驗或模擬而預先設定。
於紫外線照射器2位於區域R21時，可對包含表面電位測定部8b之測定對象部分之環狀之區域(亦稱為環狀區域)，以更大之照射量(每1個旋轉之照射量)照射紫外線(亦參照圖23)。因此，若簡單考慮，則該環狀區域主要於紫外線照射器2位於區域R21之第2期間除電。
因此，控制部7基於表面電位Vb決定環狀區域之除電所需之必要照射量Ub，並以可於第2期間照射該必要照射量Ub之方式決定區域R21之移動速度。
或，亦可考慮於紫外線照射器2位於區域R1時照射至第1環狀區域之紫外線之照射量，而決定區域R21之移動速度。此外，區域R1之移動速度越低，第1期間中照射至第1環狀區域之照射量越大。而且，鑒於表面電位Va越高則區域R1之移動速度越低，可認為表面電位Va越高，第1期間中照射至第1環狀區域之照射量越大。換言之，表面電位Va越高，第2期間中應照射之照射量越低。
因此，控制部7可基於表面電位Va、Vb決定區域R21之移動速度。具體而言，控制部7可進行以下修正：表面電位Vb越高，將區域R21之移動速度設定為越低，且表面電位Va越高，越增大區域R21之移動速度。
於紫外線照射器2位於區域R31時，可對包含表面電位測定部8c之測定對象部分之周緣區域，以更大之照射量(每1個旋轉之照射量)照射紫外線(亦參照圖25)。因此，若簡單考慮，則該周緣區域主要於紫外線照射器2位於區域R31之第3期間除電。
因此，控制部7基於表面電位Vc決定周緣區域之除電所需之必要照射量Uc，並以可賦予該必要照射量Uc之方式決定區域R31之移動速度。
或，亦可考慮於紫外線照射器2位於區域R1、R21時照射至周緣區域之紫外線之照射量，而決定區域R31之移動速度。此外，區域R1、R21之移動速度越低，第1期間及第2期間中照射至周緣區域之照射量越大。而且，鑒於表面電位Va、Vb越高，各個區域R1、R21之移動速度越低，表面電位Va、Vb越高，各個第1期間及第2期間中照射至周緣區域之照射量越大。換言之，表面電位Va越高，第3期間中應照射之照射量越低，表面電位Vb越高，第3期間中應照射之照射量越低。
因此，控制部7基於表面電位Va~Vc決定區域R31之移動速度。具體 而言，控制部7可進行以下修正：表面電位Vc越高，將區域R31之移動速度設定為越低，且表面電位Va、Vb各者越高，越增大區域R31之移動速度。
圖27係表示除電裝置10B之動作之一例之流程圖。首先，紫外線照射器2及測定單元80相對於基板W1位於相同側。步驟S41、S42分別與步驟S1、S2相同。於步驟S42後之步驟S43，控制部7控制移動機構82使測定單元80移動至測定位置(圖19)。其次，於步驟S44，控制部7控制旋轉機構14使基板保持部1進而基板W1旋轉。其次，於步驟S45，表面電位測定部8a~8c分別測定表面電位Va~Vc。於步驟S45中，由於基板W1旋轉，故控制部7可於複數個時序測定表面電位Va~Vc，並採用該統計值(例如平均值等)作為表面電位Va~Vc。
其次，於步驟S46，控制部7基於測定之表面電位Va~Vc，決定紫外線照射器2之移動速度之樣式。此處所提之移動速度之樣式表示紫外線照射器2之位置與移動速度之關係。例如控制部7決定區域R1、R21、R31之移動速度。
其次，於步驟S47，控制部7使測定單元80移動至非測定位置。具體而言，控制部7使測定單元80沿著X方向，朝與紫外線照射器2相反側移動，並使測定單元80於不與基板W1對向之非測定位置停止。藉此，即使使紫外線照射器2移動，亦不會與測定單元80碰撞。再者，步驟S46、S47之執行順序可相反，亦可並行執行該等。
其次，於步驟S48，控制部7以決定之移動速度使紫外線照射器2移動。藉此，將來自紫外線照射器2之紫外線適當地照射至基板W1之主面。而且，以適於基板W1之各位置之照射量照射紫外線。因此，可抑制或避 免因紫外線之過度照射所致之相反極性之電荷之蓄積。
於上述之例中，控制部7控制移動機構22使紫外線照射器2自基板W1之端移動至中央，但亦可使紫外線照射器2自基板W1之端移動至端。即，可使紫外線照射器2依序經由區域R31、R21、R1、R22、R32而向基板W1之主面照射紫外線。
於第2實施形態中，亦可於紫外線之照射中測定表面電位。例如，可於紫外線照射器2與基板W1之間，且與Y方向之基板W1之中心對向之位置配置單一之表面電位測定部8。而且，可固定紫外線照射器2與表面電位測定部8之位置關係而使該等一體移動。或，於X方向上於與紫外線照射器2相鄰之位置設置表面電位測定部8，並使該等一體移動。而且，控制部7可基於紫外線照射中測定之表面電位使紫外線照射器2於X方向移動。
<表面電位測定部8>
表面電位測定部8並非必須設置於除電裝置10。表面電位測定部8可設置於除電裝置10之外部而測定基板W1之表面電位。控制部7可以例如通信等取得該表面電位之資訊。
<移動機構>
移動機構22、82分別使紫外線照射器2及測定單元80移動，但並非限定於此。例如可設置一個移動機構，且該移動機構使基板保持部1於X方向移動。藉此，可使紫外線照射器2及測定單元80各者、與基板保持部1沿著X方向相對移動。

Claims (19)

  1. 一種除電裝置，其係對帶電之基板進行降低其帶電量之處理者，且具備：基板保持機構，其保持基板；及紫外線照射機構，其以針對分割基板之主面之複數個區域之相互間為不同且與上述複數個區域相對應的照射量對基板之上述複數個區域照射紫外線。
  2. 如請求項1之除電裝置，其中對上述複數個區域之來自上述紫外線照射機構之紫外線之照射量可變，上述除電裝置進而具備：複數個表面電位測定機構，其等分別測定上述複數個區域內之表面電位；及照射量控制機構，其根據由上述複數個表面電位測定機構測定之表面電位而控制上述複數個區域各者之照射量。
  3. 如請求項1或2之除電裝置，其中上述紫外線照射機構具有複數個單位照射機構，且上述複數個單位照射機構分別對上述複數個區域照射紫外線。
  4. 如請求項3之除電裝置，其中上述複數個單位照射機構具有包含互不相同之直徑之圓弧狀或環狀之形狀，且上述複數個單位照射機構係同心圓狀地配置。
  5. 如請求項3之除電裝置，其進而具備以垂直於基板主面之軸為旋轉軸使上述基板保持機構旋轉之旋轉機構，且上述複數個單位照射機構具有於平行於基板主面之第1方向延伸之棒狀之形狀，且沿著平行於基板主面且垂直於上述第1方向之第2方向排列配置。
  6. 如請求項3之除電裝置，其進而具備接通/斷開控制機構，該接通/斷開控制機構切換上述複數個單位照射機構各者之紫外線之照射及停止，而控制對上述複數個區域各者之紫外線之照射量。
  7. 如請求項3之除電裝置，其進而具備強度控制機構，該強度控制機構控制上述複數個單位照射機構，而控制自上述複數個單位照射機構各者照射之紫外線之強度。
  8. 一種除電裝置，其係對帶電之基板進行降低其帶電量之處理者，且具備：基板保持機構，其保持基板；及紫外線照射機構，其以針對分割基板之主面之複數個區域之相互間為不同的照射量對基板之上述複數個區域照射紫外線；其中對上述複數個區域之來自上述紫外線照射機構之紫外線之照射量可變，上述除電裝置進而具備：複數個表面電位測定機構，其等分別測定上述複數個區域內之表面電位；照射量控制機構，其根據由上述複數個表面電位測定機構測定之表面電位而控制上述複數個區域各者之照射量；及控制上述紫外線照射機構之紫外線控制機構，上述紫外線照射機構具有複數個單位照射機構，上述複數個單位照射機構分別對上述複數個區域照射紫外線，上述複數個表面電位測定機構於利用上述紫外線照射機構之紫外線照射中測定基板主面之表面電位，且上述紫外線控制機構判斷由上述複數個表面電位測定機構之一者測定之上述複數個區域之一者的表面電位之絕對值是否低於基準值，於判斷為上述複數個區域之上述一者之表面電位之絕對值低於上述基準值時，使上述複數個單位照射機構中對應於上述複數個區域之上述一者之單位照射機構停止。
  9. 一種除電裝置，其係對帶電之基板進行降低其帶電量之處理者，且具備：基板保持機構，其保持基板；及紫外線照射機構，其以針對分割基板之主面之複數個區域之相互間為不同的照射量對基板之上述複數個區域照射紫外線；其中對上述複數個區域之來自上述紫外線照射機構之紫外線之照射量可變，上述除電裝置進而具備：複數個表面電位測定機構，其等分別測定上述複數個區域內之表面電位；照射量控制機構，其根據由上述複數個表面電位測定機構測定之表面電位而控制上述複數個區域各者之照射量；第1移動機構，其使上述紫外線照射機構及上述基板保持機構於沿著基板主面之方向相對移動；旋轉機構，其以垂直於基板主面之軸為旋轉軸使上述基板保持機構旋轉；及速度控制機構，其控制上述第1移動機構，基於由上述複數個表面電位測定機構測定之表面電位而控制上述紫外線照射機構與上述基板保持機構之間的相對性移動速度之樣式(pattern)。
  10. 如請求項9之除電裝置，其進而具備第2移動機構，其於上述複數個表面電位測定機構與基板之主面對向之位置、及上述複數個表面電位測定機構不與基板之主面對向之位置之間，使上述複數個表面電位測定機構與上述基板保持機構相對性地移動。
  11. 一種除電方法，其係降低帶電之基板之帶電量者，且具備：第1步驟，其將基板配置於基板保持機構；及第2步驟，其使紫外線照射機構以針對分割基板之主面之複數個區域為不同且與上述複數個區域相對應的照射量對基板之上述複數個區域照射紫外線。
  12. 如請求項11之除電方法，其中上述紫外線照射機構具有複數個單位照射機構，上述複數個單位照射機構分別對上述複數個區域照射紫外線。
  13. 如請求項12之除電方法，其中上述複數個單位照射機構具有包含互不相同之直徑之圓弧狀或環狀之形狀，且上述複數個單位照射機構係同心圓狀地配置。
  14. 如請求項12之除電方法，其中上述複數個單位照射機構具有於平行於基板主面之第1方向延伸之棒狀之形狀，且沿著平行於基板主面且垂直於上述第1方向之第2方向排列配置，且於上述第2步驟中，以垂直於基板主面之軸為旋轉軸使上述基板保持機構旋轉。
  15. 如請求項12之除電方法，其中於上述第2步驟中，切換上述複數個單位照射機構各者之紫外線之照射及停止，而控制對上述複數個區域各者之紫外線之照射量。
  16. 如請求項12之除電方法，其中於上述第2步驟中，控制上述複數個單位照射機構，而控制自上述複數個單位照射機構各者照射之紫外線之強度。
  17. 一種除電方法，其係降低帶電之基板之帶電量者，且具備：第1步驟，其將基板配置於基板保持機構；及第2步驟，其使紫外線照射機構以針對分割基板之主面之複數個區域而不同的照射量對基板之上述複數個區域照射紫外線；其中上述第2步驟包含以下步驟：包含於上述紫外線照射機構之複數個單位照射機構分別對上述複數個區域開始紫外線之照射；於利用上述紫外線照射機構之紫外線照射中，複數個表面電位測定機構測定基板主面之表面電位；判斷由上述複數個表面電位測定機構之一者測定之上述複數個區域之一者的表面電位之絕對值是否低於基準值；於判斷為上述複數個區域之上述一者之表面電位之絕對值低於上述基準值時，使上述複數個單位照射機構中對應於上述複數個區域之上述一者之單位照射機構停止。
  18. 一種除電方法，其係降低帶電之基板之帶電量者，且具備：第1步驟，其將基板配置於基板保持機構；及第2步驟，其使紫外線照射機構以針對分割基板之主面之複數個區域而不同的照射量對基板之上述複數個區域照射紫外線；其中上述第2步驟包含以下步驟：於利用上述紫外線照射機構之紫外線照射中，複數個表面電位測定機構測定基板主面之表面電位；包含於上述紫外線照射機構之複數個單位照射機構分別對上述複數個區域開始紫外線之照射；以一面以垂直於基板主面之軸為旋轉軸使上述基板保持機構旋轉，一面以基於由上述複數個表面電位測定機構測定之表面電位而控制之移動速度之樣式，使上述紫外線照射機構及上述基板保持機構於沿著基板主面之方向相對移動。
  19. 如請求項18之除電方法，其中上述第2步驟進而具備以下步驟：於上述複數個表面電位測定機構與基板之主面對向之位置、及上述複數個表面電位測定機構不與基板之主面對向之位置之間，使上述複數個表面電位測定機構與上述基板保持機構相對性地移動。
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