JP2020068290A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板に対する除電速度の低下を抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、紫外線照射部３と、電子受け部５と、磁場発生部７とを備える。紫外線照射部３は、基板Ｗに紫外線を照射する。電子受け部５は、紫外線の照射によって基板Ｗから放出される電子ＥＬを受け取る。磁場発生部７は、電子ＥＬが電子受け部５に向かって移動するように磁場ＭＦを発生する。磁場発生部７は、複数の永久磁石７１又は複数の電磁石７２を含む。【選択図】図３

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

一般的に、半導体ウエハ等の基板が、様々な要因によって帯電することが知られている。例えば、イオンを使って半導体ウエハをエッチングしたり、純水等の比抵抗の大きい液体を半導体ウエハに形成された酸化膜にかけたりすると、半導体ウエハが帯電する。例えば、半導体ウエハが負に帯電する。

帯電は、半導体ウエハ等の基板に対して軽微な影響を及ぼす可能性がある。例えば、近年、半導体ウエハの微細化が進んでおり、半導体ウエハに対する軽微な影響でさえも低減することが要求される場合がある。例えば、半導体ウエハを薬液によって処理する場合、帯電した半導体ウエハと薬液との間の電位差によって、アーク放電が発生する可能性がある。その結果、半導体ウエハに形成された微細構造物が、アーク放電の影響を受ける可能性がある。

そこで、基板の帯電量を低減するために、基板処理装置が使用されている（例えば特許文献１）。基板処理装置は紫外線照射器を備える。紫外線照射器は、紫外線を基板の主面に照射して、基板から電子を放出させる。その結果、基板の帯電量を低減できる。つまり、基板の電荷を除電できる。

特開２０１８−１０７４０１号公報

しかしながら、一般的な基板処理装置では、基板に対する除電速度が低下する可能性がある。除電速度とは、紫外線の照射によって基板から単位時間当りに除去される電荷の量のことである。

本願の発明者は、鋭意研究の結果、基板に対する除電速度が低下する原因を突き止めた。図１２を参照して、除電速度が低下する原因を説明する。図１２は、一般的な基板処理装置による基板Ｗの除電時の電子ＥＣを示す図である。

図１２に示すように、一般的な基板処理装置では、紫外線照射部４００は、石英ガラス板４０１を介して基板Ｗの主面に紫外線ＵＶを照射する。紫外線ＵＶが基板Ｗの主面に照射されると、光電効果に起因して電子ＥＣが基板Ｗから飛び出す。そして、電子ＥＣは、石英ガラス板４０１へ到達する。従って、電子ＥＣによって石英ガラス板４０１が帯電する。さらに、基板Ｗの表面の帯電量が低減して基板Ｗの表面の電位が０Ｖに近づくと、石英ガラス板４０１と基板Ｗとの間の電子ＥＣは、帯電した石英ガラス板４０１から斥力ＲＰを受けて、基板Ｗに向かって移動する。従って、基板Ｗが再帯電する。その結果、基板Ｗに対する除電速度が低下する。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に対する除電速度の低下を抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、紫外線照射部と、電子受け部と、磁場発生部とを備える。紫外線照射部は、基板に紫外線を照射する。電子受け部は、前記紫外線の照射によって前記基板から放出される電子を受け取る。磁場発生部は、前記電子が前記電子受け部に向かって移動するように磁場を発生する。

本発明の基板処理装置において、前記磁場発生部は、複数の永久磁石を含むことが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記磁場発生部は、複数の電磁石を含むことが好ましい。

本発明の基板処理装置は、制御部をさらに備えることが好ましい。制御部は、前記電磁石を制御することが好ましい。前記制御部は、前記電磁石に流す電流の電流値を、前記基板の帯電量に応じて制御することが好ましい。

本発明の基板処理装置は、電流測定部と、制御部とをさらに備えることが好ましい。電流測定部は、前記電子受け部が受け取った前記電子に基づく電流を測定することが好ましい。制御部は、前記電子に基づく前記電流の大きさに応じて、前記電磁石に流す電流の電流値を制御することが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記磁場発生部は、複数の磁石ペアを含むことが好ましい。前記複数の磁石ペアは、間隔をあけて配置されることが好ましい。前記複数の磁石ペアの各々は、一対の磁石を含むことが好ましい。前記一対の磁石のうちの一方の磁石のＮ極と他方の磁石のＳ極とは、互いに隣り合って配置されることが好ましい。前記複数の磁石ペアの各々において、前記他方の永久磁石に対する前記一方の永久磁石の相対位置は一定であることが好ましい。前記一方の磁石と前記他方の磁石との間隔は、前記複数の磁石ペアのうち互いに隣り合う２つの磁石ペアの間隔よりも短いことが好ましい。

本発明の基板処理装置は、基板保持部をさらに備えることが好ましい。基板保持部は、前記基板を保持することが好ましい。前記磁場発生部は、前記基板保持部に埋め込まれていることが好ましい。

本発明の基板処理装置は、基板保持部をさらに備えることが好ましい。基板保持部は、前記基板を保持することが好ましい。前記基板保持部と前記電子受け部とのうちの少なくとも一方は、強磁性体を含むことが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記電子受け部は、接地されることが好ましい。

本発明の基板処理装置は、帯電部をさらに備えることが好ましい。帯電部は、前記電子受け部を正に帯電することが好ましい。

本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、基板に紫外線を照射する紫外線照射工程と、前記紫外線の照射によって前記基板から放出される電子が電子受け部に向かって移動するように磁場を発生する磁場発生工程と、前記電子受け部が前記電子を受け取る電子受け工程とを含む。

本発明の基板処理方法において、前記磁場発生工程では、複数の永久磁石が磁場を発生することが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記磁場発生工程では、複数の電磁石が磁場を発生することが好ましい。

本発明の基板処理方法は、前記電磁石に流す電流の電流値を、前記基板の帯電量に応じて制御する工程をさらに含むことが好ましい。

本発明の基板処理方法は、前記電子受け工程で受け取った前記電子に基づく電流を測定する工程と、前記電子に基づく前記電流の大きさに応じて、前記電磁石に流す電流の電流値を制御する工程とをさらに含むことが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記電子受け部は、接地されることが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記電子受け部は、正に帯電していることが好ましい。

本発明によれば、基板に対する除電速度の低下を抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供できる。

本発明の実施形態１に係る基板処理システムを示す模式的平面図である。 実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的斜視図である。 実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的平面図である。 （ａ）は、比較例に係る基板処理装置による基板の除電時の電子を示す図である。（ｂ）は、実施形態１に係る基板処理装置による基板の除電時の電子を示す図である。 実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。 実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 実施形態１の変形例に係る基板処理装置を示す模式的平面図である。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置を示す模式的平面図である。 実施形態２に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態３に係る基板処理装置を示す模式的側面図である。 実施形態３に係る基板処理装置を示す模式的平面図である。 一般的な基板処理装置による基板の除電時の電子を示す図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。

（実施形態１）
図１〜図６を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理システム１００を説明する。基板処理システム１００は基板Ｗを処理する。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。基板Ｗは、例えば、略円板状である。

まず、図１を参照して基板処理システム１００を説明する。図１は、基板処理システム１００を示す模式的平面図である。図１に示すように、基板処理システム１００は、インデクサーユニットＵ１と、処理ユニットＵ２とを備える。インデクサーユニットＵ１は、複数の基板収容器Ｃと、インデクサーロボットＩＲとを含む。処理ユニットＵ２は、複数の処理装置２００と、搬送ロボットＣＲと、受渡部ＰＳとを含む。

基板収容器Ｃの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、複数の基板収容器Ｃのうちのいずれかの基板収容器Ｃから未処理の基板Ｗを取り出して、基板Ｗを受渡部ＰＳに渡す。そして、受渡部ＰＳには、基板収容器Ｃから取り出された基板Ｗが載置される。搬送ロボットＣＲは、受渡部ＰＳから未処理の基板Ｗを受け取って、複数の処理装置２００のうちのいずれかの処理装置２００に基板Ｗを搬入する。

そして、処理装置２００は、未処理の基板Ｗを処理する。処理装置２００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。例えば、処理装置２００は、処理液又は処理ガスを用いて基板Ｗを処理する。例えば、処理装置２００は、ブラシ等の接触部材及び水等の液体を用いて基板Ｗを処理する。なお、処理装置２００による基板Ｗの処理内容は、特に限定されない。

処理装置２００による処理後に、搬送ロボットＣＲは、処理済みの基板Ｗを処理装置２００から取り出して、基板Ｗを受渡部ＰＳに渡す。そして、受渡部ＰＳには、処理装置２００で処理された基板Ｗが載置される。インデクサーロボットＩＲは、受渡部ＰＳから処理済みの基板Ｗを受け取って、複数の基板収容器Ｃのうちのいずれかの基板収容器Ｃに基板Ｗを収容する。

次に、図２〜図４（ｂ）を参照して、基板処理システム１００に含まれる基板処理装置１を説明する。図２は、基板処理装置１を示す模式的斜視図である。図３は、基板処理装置１を示す模式的平面図である。図３では、図２に示すＺ軸方向から基板処理装置１を見ている。

図２及び図３に示す基板処理装置１は、基板Ｗに帯電した電荷を除電する。本明細書において、「除電」は、基板Ｗの帯電量を低減することを含む。基板処理装置１は、例えば、図１に示す受渡部ＰＳに設置される。なお、基板処理装置１の設置位置は特に限定されない。例えば、基板処理装置１は、図１に示す処理装置２００として、基板処理システム１００に含まれていてもよい。また、基板処理装置１は、基板処理システム１００に含まれていなくてもよく、単体の装置であってもよい。

図２に示すように、基板処理装置１は、紫外線照射部３と、電子受け部５と、基板保持部９とを備える。また、図３に示すように、基板処理装置１は、磁場発生部７をさらに備える。なお、図面の簡略化のため、図２では、磁場発生部７を省略し、図３では、紫外線照射部３を省略している。

基板保持部９は基板Ｗを保持する。具体的には、基板保持部９は、基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線ＡＸの回りに基板Ｗを回転させる。回転軸線ＡＸは鉛直方向に略平行であり、基板Ｗの中心を通る。更に具体的には、基板保持部９は、スピンベース９１と、複数のチャック部材９３とを含む。複数のチャック部材９３は、回転軸線ＡＸの回りの周方向ＣＤに沿って、スピンベース９１に設けられる。複数のチャック部材９３は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース９１は、略円板状又は略円柱状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材９３を支持する。スピンベース９１が、回転軸線ＡＸの回りに回転すると、複数のチャック部材９３に保持された基板Ｗが回転軸線ＡＸの回りに回転する。基板保持部９は接地される。

紫外線照射部３は、基板Ｗに紫外線を照射して、基板Ｗに帯電した電荷を除電する。紫外線照射部３と基板保持部９とは、回転軸線ＡＸに沿って配置され、互いに対向している。具体的には、紫外線照射部３は、基板Ｗの主面に紫外線を照射して、基板Ｗから電子を放出する。その結果、基板Ｗの帯電量が低減する。特に、実施形態１では、紫外線照射部３は、基板Ｗの回転中に、基板Ｗの主面に紫外線を照射する。従って、静止している基板Ｗに紫外線を照射する場合と比較して、より均一に紫外線を基板Ｗの主面に照射できる。その結果、基板Ｗからより均一に電子を放出できて、基板Ｗの帯電量を更に効果的に低減できる。

以下、紫外線の照射によって基板Ｗから放出される電子を「電子ＥＬ」と記載する場合がある。

磁場発生部７は、紫外線照射部３と基板保持部９との間の空間に磁場ＭＦを発生する。具体的には、磁場発生部７は、電子ＥＬが紫外線照射部３から離れるように磁場ＭＦを発生する。磁場ＭＦは静磁場である。特に、実施形態１では、電子ＥＬが電子受け部５に向かって移動するように、磁場発生部７は磁場ＭＦを発生する。つまり、電子ＥＬに対して、電子受け部５に向かってローレンツ力ＬＺが作用するように、磁場発生部７は磁場ＭＦを発生する。なお、図３では、図面の簡略化のため、代表的な磁力線に対応する磁場ＭＦだけを図示している。

電子受け部５は、磁場ＭＦに基づくローレンツ力ＬＺによって移動した電子ＥＬを受け取る。従って、実施形態１によれば、電子ＥＬによって紫外線照射部４００が帯電することを抑制できて、紫外線照射部４００の帯電に起因する基板Ｗの再帯電を抑制できる。その結果、基板処理装置１は、基板Ｗに対する除電速度の低下を抑制できる。除電速度とは、紫外線の照射によって基板Ｗから単位時間当りに除去される電荷の量のことである。除電速度の低下を抑制できると、紫外線の照射時間を短縮できる。従って、基板Ｗに対する紫外線の影響を更に低減できる。例えば、基板Ｗに形成した膜の性質の変化を抑制できたり、自然酸化膜の成長促進を抑制できたりする。

また、基板Ｗに対する除電速度の低下を抑制できると、基板処理システム１００における基板Ｗの処理のスループットを向上できる。

特に、実施形態１では、電子受け部５は接地される。従って、実施形態１によれば、電子受け部５が受け取った電子ＥＬが接地に流れる。従って、電子受け部５が電子ＥＬによって帯電することを抑制できて、電子受け部５は、更に効果的に電子ＥＬを受け取ることができる。その結果、基板処理装置１は、基板Ｗの再帯電を更に抑制できて、基板Ｗに対する除電速度の低下を更に抑制できる。

電子受け部５は電気伝導体を含む。電気伝導体は、特に限定されないが、例えば、アルミニウム又はステンレスである。電子受け部５は、オゾン耐性を有することが好ましい。紫外線によってオゾンが発生する可能性があるからである。

また、実施形態１では、紫外線及び磁場ＭＦを用いた非接触処理によって、基板Ｗに帯電した電荷を除電する。従って、基板Ｗに対して物理的なダメージが発生することを防止できる。

さらに、実施形態１では、永久磁石７１の磁力によって磁場ＭＦの強度が定まる。そして、磁場ＭＦの強度によって基板Ｗの除電速度が定まる。つまり、磁場ＭＦの強度が大きいほど、基板Ｗの除電速度が速くなる。一方、磁場ＭＦの強度は、紫外線照射部３が照射する紫外線の波長及び強度に依存しない。従って、紫外線照射部３の選択の幅を広げることができる。

次に、図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照して、電子ＥＬの移動を説明する。図４（ａ）は、比較例に係る基板処理装置による基板Ｗの除電時の電子ＥＬを示す図である。図４（ｂ）は、実施形態１に係る基板処理装置１による基板Ｗの除電時の電子ＥＬを示す図である。

図４（ａ）に示すように、比較例に係る基板処理装置では、紫外線照射部３００が基板Ｗに紫外線を照射すると、基板Ｗから電子ＥＬが放出される。そして、電子ＥＬは紫外線照射部３００に向かって移動する。従って、紫外線照射部３００の石英ガラス板が、電子ＥＬによって帯電する可能性がある。その結果、石英ガラス板の帯電に基づく斥力によって電子ＥＬが基板Ｗに移動して、基板Ｗが再帯電する可能性がある。

一方、図４（ｂ）に示すように、実施形態１に係る基板処理装置１では、紫外線照射部３が基板Ｗに紫外線を照射すると、基板Ｗから電子ＥＬが放出される。基板Ｗから放出された直後の電子ＥＬは、紫外線照射部３００に向かって移動する。しかしながら、磁場発生部７によって磁場ＭＦが発生しているため、電子ＥＬに対して、電子受け部５に向かうローレンツ力ＬＺが作用する。従って、電子ＥＬは、方向転換して、電子受け部５に向かって移動する。その結果、紫外線照射部３の石英ガラス板が電子ＥＬによって帯電することを抑制できて、基板Ｗが再帯電することを抑制できる。基板Ｗの再帯電の抑制によって、基板Ｗに対する除電速度の低下を抑制できる。

特に、実施形態１では、基板処理装置１による処理対象である基板Ｗは、非磁性体であることが好ましい。また、基板Ｗの本体部に膜が成膜されている場合は、基板Ｗの本体部と膜との双方が非磁性体であることが好ましい。非磁性体は、例えば、銅又はアルミニウムである。基板Ｗが非磁性体であることが好ましい理由は、磁場ＭＦの影響がないか、又は、磁場ＭＦの影響が軽微だからである。

例えば、強磁性薄膜が成膜された基板は、基板処理装置１による処理対象から除外することが好ましい。磁場ＭＦの影響を受け易いからである。強磁性薄膜は、例えば、コバルト膜である。

再び図２及び図３を参照して、電子受け部５及び磁場発生部７を説明する。図２に示すように、電子受け部５は、紫外線照射部３と基板保持部９との間の空間に対向している。また、図３に示すように、電子受け部５は、基板保持部９よりも、回転軸線ＡＸに対する径方向ＲＤの外側に配置される。

具体的には、電子受け部５は、複数の電子受け部材５１を含む。電子受け部材５１の各々は電子ＥＬを受け取る。電子受け部材５１の各々は電気伝導体である。電子受け部材５１の各々は接地される。電子受け部材５１の各々は、オゾン耐性を有することが好ましい。複数の電子受け部材５１は、周方向ＣＤに沿って、紫外線照射部３と基板保持部９との間の空間を囲んでいる。実施形態１では、電子受け部材５１の各々は、周方向ＣＤに沿って湾曲しており、略板状である。

磁場発生部７は、紫外線照射部３と基板保持部９との間の空間に対向している。また、磁場発生部７は、基板保持部９よりも径方向ＲＤの外側に配置される。

具体的には、磁場発生部７は複数の磁石ペア７０を含む。複数の磁石ペア７０は、周方向ＣＤに間隔をあけて配置される。実施形態１では、複数の磁石ペア７０は、周方向ＣＤに等間隔で配置される。磁石ペア７０は、互いに隣り合う２つの電子受け部材５１の間の空間に対応して配置される。複数の磁石ペア７０の各々は、一対の永久磁石７１を含む。換言すれば、磁場発生部７は、磁場ＭＦを発生する複数の永久磁石７１を含む。従って、実施形態１によれば、簡易な構成により磁場ＭＦを発生できる。永久磁石７１の各々は、Ｎ極ＮＰとＳ極ＳＰとを有する。永久磁石７１は、例えば、ネオジム磁石又はフェライト磁石である。永久磁石７１は「磁石」の一例に相当する。

一対の永久磁石７１のうちの一方の永久磁石７１ａのＮ極ＮＰと他方の永久磁石７１ｂのＳ極ＳＰとは、周方向ＣＤに互いに隣り合って配置される。また、紫外線照射部３の側から磁場発生部７を見たときに、複数の永久磁石７１ｂのうちの１つの永久磁石７１ｂを始点とすると、永久磁石７１ｂと永久磁石７１ａとは、周方向ＣＤに沿って交互に配置される。そして、紫外線照射部３の側から磁場発生部７を見たときに、磁石ペア７０の各々において、永久磁石７１ａは、永久磁石７１ｂに対して反時計回りの方向に位置する。

永久磁石７１ａのＮ極ＮＰは、径方向ＲＤ内側を向いている。永久磁石７１ｂのＮ極ＮＰは、径方向ＲＤ外側を向いている。つまり、永久磁石７１ｂのＳ極ＳＰは、径方向ＲＤ内側を向いている。

一対の永久磁石７１のうちの一方の永久磁石７１ａと他方の永久磁石７１ｂとの周方向ＣＤの間隔は、複数の磁石ペア７０のうち互いに隣り合う２つの磁石ペア７０の周方向ＣＤの間隔よりも短い。加えて、複数の磁石ペア７０の各々において、他方の永久磁石７１ｂに対する一方の永久磁石７１ａの相対位置は一定である。

従って、実施形態１によれば、電子ＥＬに対して電子受け部材５１に向かうローレンツ力ＬＺが作用するように、更に効果的に磁場ＭＦを発生できる。その結果、紫外線照射部３の石英ガラス板が電子ＥＬによって帯電することを更に効果的に抑制できて、基板Ｗが再帯電することを更に効果的に抑制できる。よって、基板Ｗに対する除電速度の低下を更に効果的に抑制できる。

具体的には、互いに周方向ＣＤに隣り合う２つの磁石ペア７０において、一方の磁石ペア７０の永久磁石７１ａのＮ極ＮＰから他方の磁石ペア７０の永久磁石７１ｂのＳ極ＳＰに向かって磁場ＭＦが形成される。従って、磁場ＭＦに基づくローレンツ力ＬＺは、電子ＥＬに対して、径方向ＲＤ外側に向かって作用する。その結果、電子ＥＬは電子受け部材５１に向かって移動する。

特に、実施形態１では、図３に示すように、紫外線照射部３の側から磁場発生部７を見たときに、磁場ＭＦに基づく磁力線が反時計回りに向くように、磁場発生部７は磁場ＭＦを発生する。

また、実施形態１では、基板保持部９と電子受け部５とのうちの少なくとも一方が、強磁性体を含んでいてもよい。従って、実施形態１によれば、強磁性体によって磁場ＭＦを増強できる。その結果、電子ＥＬに作用するローレンツ力ＬＺを増大できて、紫外線照射部３の石英ガラス板が電子ＥＬによって帯電することを更に効果的に抑制できる。

例えば、チャック部材９３の各々が強磁性体を含む。例えば、電子受け部材５１の各々が強磁性体を含む。

次に、図５を参照して、基板処理装置１を説明する。図５は、基板処理装置１を示す模式的断面図である。図５では、図面の簡略化のため、磁場発生部７を省略している。図５に示すように、基板処理装置１は、収容部１１と、複数の気体供給部１３と、排気部１５と、移動機構１７と、回転機構１９と、制御部２１とをさらに備える。

収容部１１は、電子受け部５、基板保持部９、移動機構１７、回転機構１９、及び磁場発生部７（図３）を収容する。そして、紫外線照射部３は、収容部１１の上部開口を塞ぐ。従って、紫外線照射部３と収容部１１とはチャンバーとして機能する。

具体的には、収容部１１は、筒部１１１と、側壁部１１３と、底部１１５とを含む。筒部１１１の下部と側壁部１１３の上部とが連結される。側壁部１１３の下部と底部１１５とが連結される。筒部１１１は、複数の貫通孔１１１ａを有する。貫通孔１１１ａの各々は、筒部１１１を貫通し、空間ＳＰＡに連通する。空間ＳＰＡは、紫外線照射部３と基板保持部９との間の空間である。側壁部１１３は貫通孔１１３ａを有する。貫通孔１１３ａは側壁部１１３を貫通している。

気体供給部１３の各々は、貫通孔１１１ａから、不活性ガスを空間ＳＰＡに供給する。不活性ガスは、例えば、窒素又はアルゴンである。具体的には、気体供給部１３の各々は、配管１３１と、開閉弁１３３と、気体収容器１３５とを含む。気体収容器１３５は、空間ＳＰＡに供給する不活性ガスを収容している。気体収容器１３５は配管１３１の一端に連結される。開閉弁１３３は配管１３１に設けられて、配管１３１の開閉を切り替える。配管１３１の他端は貫通孔１１１ａに連結される。排気部１５は、貫通孔１１３ａから、収容部１１の内部の気体を排気する。

気体供給部１３の各々は、酸素よりイオン化しにくい不活性ガスを空間ＳＰＡに供給して、空間ＳＰＡの酸素濃度を低減している。従って、酸素濃度が高い場合に比べて、基板Ｗから放出された電子ＥＬは基板Ｗからより離れた位置でイオン化する。その結果、実施形態１によれば、基板Ｗへの再帯電を更に効果的に抑制できる。

移動機構１７は基板保持部９を鉛直方向に沿って移動させる。具体的には、移動機構１７は、第１位置と第２位置との間で、基板保持部９を往復移動させる。第１位置は、基板保持部９が紫外線照射部３に近い位置を示す。図５では、第１位置に位置する基板保持部９を図示している。第２位置は、基板保持部９が紫外線照射部３から遠い位置を示す。第１位置は、紫外線を用いた処理を基板Ｗに対して行うときの基板保持部９の位置である。第２位置は、基板Ｗの授受を行うときの基板保持部９の位置である。移動機構１７は、例えば、ボールねじ機構を含む。

回転機構１９は、回転軸線ＡＸの回りに基板保持部９を回転させる。その結果、基板保持部９に保持された基板Ｗが、回転軸線ＡＸの回りに回転する。回転機構１９は、例えば、モーターを含む。

紫外線照射部３は、空間ＳＰＡを隔てて、基板Ｗと対向する。紫外線照射部３は紫外線を発生し、紫外線を基板Ｗの主面（基板保持部９に対して反対側の主面）へ照射する。

具体的には、紫外線照射部３は、電極３３と、電極３５と、石英ガラス板３１とを含む。電極３３は略平板状の形状を有している。電極３５は略板平板状の形状を有している。また、電極３５は複数の開口３５１を有する。開口３５１の各々は鉛直方向に電極３５を貫通する。電極３５は、空間を隔てて電極３３と対向する。電極３５は、電極３３に対して石英ガラス板３１側に位置している。石英ガラス板３１は基板Ｗ側に設けられている。石英ガラス板３１は、紫外線に対して透光性を有するとともに、耐熱性かつ耐食性を有している。石英ガラス板３１は絶縁体である。

電極３３と電極３５との間の空間には放電用ガスが存在している。そして、電極３３と電極３５との間には高い周波数の高電圧が印加される。その結果、放電用ガスが励起されてエキシマ状態となる。放電用ガスはエキシマ状態から基底状態へ戻る際に紫外線を発生する。紫外線は電極３５の開口３５１を通過し、さらに石英ガラス板３１を透過して基板Ｗに照射される。なお、紫外線照射部３が紫外線を照射できる限りにおいては、紫外線照射部３の構成及び形状は特に限定されない。

制御部２１は、紫外線照射部３、基板保持部９、気体供給部１３、排気部１５、移動機構１７、及び、回転機構１９を制御する。制御部２１はコンピューターである。具体的には、制御部２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーと、記憶装置とを含む。記憶装置は、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶装置は、半導体メモリーのような主記憶装置と、半導体メモリー及び／又はハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶装置は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部２１のプロセッサーは、制御部２１の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、紫外線照射部３、基板保持部９、気体供給部１３、排気部１５、移動機構１７、及び、回転機構１９を制御する。

次に、図３、図５、及び図６を参照して、実施形態１に係る基板処理方法を説明する。基板処理装置１が基板処理方法を実行する。図６は、基板処理方法を示すフローチャートである。図６に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１〜工程Ｓ１０を含む。

図３及び図６に示すように、工程Ｓ１において、磁場発生部７は磁場ＭＦを発生する。具体的には、磁場発生部７は、紫外線の照射（工程Ｓ６）によって基板Ｗから放出される電子ＥＬが電子受け部５に向かって移動するように磁場ＭＦを発生する。なお、工程Ｓ１では、複数の永久磁石７１が磁場ＭＦを発生する。従って、磁場ＭＦは常に発生している。工程Ｓ１は、「磁場発生工程」の一例に相当する。

図５及び図６に示すように、工程Ｓ２において、基板保持部９は、制御部２１の制御に従って、基板Ｗを保持する。

工程Ｓ３において、気体供給部１３の各々は、制御部２１の制御に従って、不活性ガスを空間ＳＰＡに供給する。

工程Ｓ４において、移動機構１７は、制御部２１の制御に従って、基板保持部９を紫外線照射部３へと近づけ、第１位置で停止させる。その結果、基板Ｗが上方へ移動して停止する。

工程Ｓ５において、回転機構１９は、制御部２１の制御に従って、基板保持部９の回転を開始する。その結果、基板Ｗの回転が開始される。

工程Ｓ６において、紫外線照射部３は、制御部２１の制御に従って、基板Ｗに対する紫外線の照射を開始する。紫外線の照射によって基板Ｗに光電効果が生じて、基板Ｗから電子ＥＬが放出される。その結果、基板Ｗの帯電量が低減する。工程Ｓ６は、「紫外線照射工程」の一例に相当する。

工程Ｓ７において、電子受け部５が電子ＥＬを受け取る。工程Ｓ７は、「電子受け工程」の一例に相当する。

工程Ｓ８において、制御部２１は、基板Ｗに対する処理を終了すべきか否かを判定する。例えば、制御部２１は、工程Ｓ６からの経過時間が所定時間を超えているときに、処理を終了すべきと判定する。又は、例えば、基板Ｗの表面電位を測定する表面電位計を基板処理装置１に設け、制御部２１が、表面電位計の測定値に基づいて処理を終了すべきか否かを判定する。

工程Ｓ８で処理を終了すべきでないと判定された場合は、再び工程Ｓ８が実行される。

一方、工程Ｓ８で処理を終了すべきであると判定された場合は、処理は工程Ｓ９に進む。

工程Ｓ９において、回転機構１９は、制御部２１の制御に従って、基板保持部９の回転を停止する。その結果、基板Ｗの回転が停止される。

工程Ｓ１０において、紫外線照射部３は、制御部２１の制御に従って、紫外線の照射を停止する。紫外線の照射の停止により、基板Ｗに帯電した電荷の除電が終了して、基板処理方法の実行が終了する。

以上、図３、図５、及び図６を参照して説明したように、実施形態１に係る基板処理方法によれば、工程Ｓ７では、電子受け部５は、磁場ＭＦに基づくローレンツ力ＬＺによって移動した電子ＥＬを受け取る。従って、電子ＥＬによって石英ガラス板３１が帯電することを抑制できて、石英ガラス板３１の帯電に起因する基板Ｗの再帯電を抑制できる。その結果、基板処理装置１は、基板Ｗに対する除電速度の低下を抑制できる。

なお、工程Ｓ２が工程Ｓ４及び工程Ｓ５の前段で実行される限りにおいては、工程Ｓ１〜工程Ｓ６の実行順序は適宜変更されてよいし、工程Ｓ１〜工程Ｓ６のうちのいくつかの工程は並行して実行されてよい。さらに、工程Ｓ９及び工程Ｓ１０の実行順序は、適宜変更されてよいし、工程Ｓ９及び工程Ｓ１０は並行して実行されてよい。

（変形例）
図７を参照して、本発明の実施形態１の変形例に係る基板処理装置１Ａを説明する。変形例では、電子受け部５が正に帯電する点で、変形例は図１〜図６を参照して説明した実施形態１と主に異なる。以下、変形例が実施形態１と異なる点を主に説明する。

図７は、変形例に係る基板処理装置１Ａを示す模式的平面図である。図７では、図面の簡略化のため、紫外線照射部３（図５）を省略している。図７に示すように、基板処理装置１Ａは、図３を参照して説明した基板処理装置１の構成に加えて、帯電部２７をさらに備える。帯電部２７は電子受け部５の電位を、接地電位よりも高い電位に設定する。つまり、帯電部２７は、電子受け部５を正に帯電する。従って、電子受け部５は正に帯電している。その結果、変形例によれば、電子受け部５は、紫外線によって基板Ｗから放出された電子ＥＬを効果的に捕捉できる。

電子受け部５が電子ＥＬを効果的に捕捉できると、電子ＥＬによって石英ガラス板３１が帯電することを効果的に抑制できる。従って、石英ガラス板３１の帯電に起因する基板Ｗの再帯電を効果的に抑制できる。その結果、基板処理装置１は、基板Ｗに対する除電速度の低下を効果的に抑制できる。

また、変形例では、帯電部２７は直流電源（不図示）を含む。そして、帯電部２７は、複数の電子受け部材５１の各々の電位を、接地電位よりも高い電位に設定する。つまり、帯電部２７は、複数の電子受け部材５１の各々を正に帯電する。その結果、複数の電子受け部材５１の各々は、紫外線によって基板Ｗから放出された電子ＥＬを効果的に捕捉できる。

（実施形態２）
図８及び図９を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理システム１００の基板処理装置１Ｂを説明する。実施形態２に係る基板処理システム１００では、磁場発生部７が電磁石７２を含む点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。

まず、図８を参照して、実施形態２に係る基板処理装置１Ｂを説明する。図８は、基板処理装置１Ｂを示す模式的平面図である。図８では、図面の簡略化のため、紫外線照射部３（図５）を省略している。図８に示すように、基板処理装置１Ｂは磁場発生部７を備えている。そして、基板処理装置１Ｂの磁場発生部７の配置は、図３を参照して説明した磁場発生部７の配置と同様である。

磁場発生部７は複数の磁石ペア７３を含む。複数の磁石ペア７３の配置は、図３を参照して説明した磁石ペア７０の配置と同様である。複数の磁石ペア７３の各々は、一対の電磁石７２を含む。換言すれば、磁場発生部７は、磁場ＭＦを発生する複数の電磁石７２を含む。電磁石７２の各々は、Ｎ極ＮＰとＳ極ＳＰとを有する。電磁石７２は、「磁石」の一例に相当する。

複数の電磁石７２の各々は、芯（不図示）及びコイル（不図示）を含む。電磁石７２の各々は、磁性材料の芯のまわりにコイルを巻き、通電することによって磁力を発生する。なお、電磁石７２の各々は、芯を含まなくてもよい。

複数の電磁石７２の配置は、図３を参照して説明した複数の永久磁石７１の配置と同様である。従って、一対の電磁石７２のうちの一方の電磁石７２ａと他方の電磁石７２ｂとの配置は、図３を参照して説明した一対の永久磁石７１のうちの一方の永久磁石７１ａと他方の永久磁石７１ｂとの配置と同様である。

以上、図８を参照して説明したように、実施形態２に係る基板処理装置１Ｂは、実施形態１に係る基板処理装置１の磁場発生部７（図３）と同様の磁場発生部７を備えている。従って、実施形態２では、実施形態１と同様の磁場ＭＦが発生する。その結果、紫外線によって基板Ｗから放出される電子ＥＬに対して、電子受け部５に向かうローレンツ力ＬＺが作用して、電子ＥＬが電子受け部５に向かって移動する。

そして、電子受け部５は電子ＥＬを受け取る。従って、紫外線照射部３の石英ガラス板３１（図５）が電子ＥＬによって帯電することを抑制できて、基板Ｗが再帯電することを抑制できる。その結果、実施形態２では、実施形態１と同様に、基板Ｗに対する除電速度の低下を抑制できる。その他、実施形態２に係る基板処理装置１Ｂは、実施形態１に係る基板処理装置１と同様の効果を有する。

特に、実施形態２では、磁場発生部７は複数の電磁石７２を含む。従って、複数の電磁石７２の各々に流す電流の電流値を制御することで、磁場ＭＦの強度を容易に制御できる。例えば、磁場ＭＦの強度が大きくなるように電磁石７２に流す電流の電流値を制御すると、基板Ｗに対する除電速度を速くできる。例えば、磁場ＭＦの強度が小さくなるように電磁石７２に流す電流の電流値を制御すると、基板Ｗに対する除電速度を遅くできる。実施形態２によれば、磁場ＭＦの強度の制御によって基板Ｗの除電速度を容易に制御できる。

引き続き図８を参照して、基板処理装置１Ｂを説明する。基板処理装置１Ｂは電源２５をさらに備える。電源２５は直流電源である。電源２５は、複数の電磁石７２の各々に電流を流す。その結果、複数の電磁石７２の各々は、電流の大きさに応じた磁場ＭＦを発生する。複数の電磁石７２の各々に流れる電流は直流であるため、磁場ＭＦは静磁場である。

また、基板処理装置１Ｂの制御部２１は、電源２５を介して電磁石７２の各々を制御することが好ましい。具体的には、制御部２１は、電磁石７２の各々に流す電流の電流値を、電源２５を介して基板Ｗの帯電量に応じて制御することが好ましい。この好ましい例によれば、過剰な強度を有する磁場ＭＦの発生を抑制しつつ、基板Ｗに帯電した電荷を除電できる。例えば、基板Ｗの帯電量が小さくなった場合には、電磁石７２に流す電流の電流値を小さくして、磁場ＭＦを弱める。例えば、過剰な強度を有する磁場ＭＦの発生を抑制できると、磁場ＭＦが、基板Ｗに形成された膜に影響を及ぼすことを抑制できる。例えば、電磁石７２に流す電流の電流値を小さくできると、基板処理装置１Ｂの消費電力を抑制できる。

また、基板処理装置１Ｂは電流測定部２３をさらに備えることが好ましい。電流測定部２３は、電子受け部５が受け取った電子ＥＬに基づく電流Ｉｘを測定する。つまり、電流測定部２３は、電子受け部材５１が受け取った電子ＥＬに基づく電流Ｉｘを測定する。具体的には、電流測定部２３は、電子受け部材５１が受け取った電子ＥＬが接地に向かって流れるときの電流Ｉｘを測定する。電流測定部２３は電流計（不図示）を含む。

電流測定部２３が測定した電流Ｉｘの電流値は、基板Ｗの帯電量に相関している。つまり、電流Ｉｘの電流値が大きいことは、基板Ｗに対する除電速度が速いことを示す。従って、電流Ｉｘの電流値が大きいことは、基板Ｗの帯電量が小さいことを示す。一方、電流Ｉｘの電流値が小さいことは、基板Ｗに対する除電速度が遅いことを示す。従って、電流Ｉｘの電流値が小さいことは、基板Ｗの帯電量が大きいことを示す。

実施形態２によれば、制御部２１が、電流測定部２３が測定した電流Ｉｘの電流値を監視することで、基板Ｗの帯電量を容易に推測できる。

そして、制御部２１は、電磁石７２に流す電流の電流値を、電流測定部２３の測定結果に基づいて電源２５を介して制御することが好ましい。つまり、制御部２１は、電磁石７２に流す電流の電流値を、電子ＥＬに基づく電流Ｉｘの大きさに応じて電源２５を介して制御することが好ましい。この好ましい例によれば、電流Ｉｘが大きいほど、制御部２１は、電磁石７２に流す電流の電流値を小さくして、磁場ＭＦの強度を弱めることができる。基板Ｗの帯電量が小さいからである。一方、電流Ｉｘが小さいほど、制御部２１は、電磁石７２に流す電流の電流値を大きくして、磁場ＭＦの強度を強めることができる。基板Ｗの帯電量が大きいからである。従って、この好ましい例によれば、基板Ｗの帯電量に応じて適切な大きさの電流を電磁石７２に流して、基板Ｗの除電のために適切な大きさの磁場ＭＦを発生できる。

次に、図８及び図９を参照して、実施形態２に係る基板処理方法を説明する。基板処理装置１Ｂが基板処理方法を実行する。図９は、基板処理方法を示すフローチャートである。図９に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ２１〜工程Ｓ３４を含む。

図９に示す工程Ｓ２１〜工程Ｓ２４は、それぞれ、図６に示す工程Ｓ２〜工程Ｓ５と同様であり、説明を省略する。

図８及び図９に示すように、工程Ｓ２５において、電源部２５は、制御部２１の制御に従って、複数の電磁石７２の各々に電流を流す。つまり、電磁石７２がオンする。その結果、複数の電磁石７２が磁場ＭＦを発生する。つまり、磁場発生部７は磁場ＭＦを発生する。具体的には、磁場発生部７は、紫外線の照射（工程Ｓ２６）によって基板Ｗから放出される電子ＥＬが電子受け部５に向かって移動するように磁場ＭＦを発生する。工程Ｓ２５は、「磁場発生工程」の一例に相当する。

工程Ｓ２６において、紫外線照射部３は、制御部２１の制御に従って、基板Ｗに対する紫外線の照射を開始する。紫外線の照射によって基板Ｗに光電効果が生じて、基板Ｗから電子ＥＬが放出される。その結果、基板Ｗの帯電量が低減する。工程Ｓ２６は、「紫外線照射工程」の一例に相当する。

工程Ｓ２７において、電子受け部５が電子ＥＬを受け取る。工程Ｓ２７は、「電子受け工程」の一例に相当する。

工程Ｓ２８において、電流測定部２３は、工程Ｓ２７で電子受け部５が受け取った電子ＥＬに基づく電流Ｉｘを測定する。

工程Ｓ２９において、制御部２１は、電流測定部２３から電流Ｉｘの電流値を取得する。

工程Ｓ３０において、制御部２１は、複数の電磁石７２の各々に流す電流の電流値を、電流Ｉｘの電流値に基づいて電源２５を介して制御する。つまり、制御部２１は、電流Ｉｘの大きさに応じて、複数の電磁石７２の各々に流す電流の電流値を制御する。電流Ｉｘは基板Ｗの帯電量に相関しているため、工程Ｓ３０は、「電磁石７２に流す電流の電流値を、基板Ｗの帯電量に応じて制御する工程」の一例に相当する。

工程Ｓ３１において、制御部２１は、基板Ｗに対する処理を終了すべきか否かを判定する。工程Ｓ３１の判定内容は、図６の工程Ｓ８の判定内容と同様である。

工程Ｓ３１で処理を終了すべきでないと判定された場合は、処理は工程Ｓ２８に進む。

一方、工程Ｓ３１で処理を終了すべきであると判定された場合は、処理は工程Ｓ３２に進む。

工程Ｓ３２において、回転機構１９は、制御部２１の制御に従って、基板保持部９の回転を停止する。その結果、基板Ｗの回転が停止される。

工程Ｓ３３において、紫外線照射部３は、制御部２１の制御に従って、紫外線の照射を停止する。紫外線の照射の停止により、基板Ｗに帯電した電荷の除電が終了する。

工程Ｓ３４において、電源部２５は、制御部２１の制御に従って、複数の電磁石７２の各々に流している電流を停止する。つまり、電磁石７２がオフする。その結果、磁場ＭＦが消失する。電磁石７２のオフにより、基板処理方法の実行が終了する。

以上、図８及び図９を参照して説明したように、実施形態２に係る基板処理方法によれば、工程Ｓ２７では、電子受け部５は、磁場ＭＦに基づくローレンツ力ＬＺによって移動した電子ＥＬを受け取る。従って、電子ＥＬによって石英ガラス板３１が帯電することを抑制できて、石英ガラス板３１の帯電に起因する基板Ｗの再帯電を抑制できる。その結果、基板処理装置１Ｂは、基板Ｗに対する除電速度の低下を抑制できる。

なお、工程Ｓ２２〜工程Ｓ２６の実行順序は適宜変更されてよいし、工程Ｓ２２〜工程Ｓ２６は並行して実行されてよい。さらに、工程Ｓ３２〜工程Ｓ３４の実行順序は、適宜変更されてよいし、工程Ｓ３２〜工程Ｓ３４は並行して実行されてよい。

（実施形態３）
図１０及び図１１を参照して、本発明の実施形態３に係る基板処理システム１００の基板処理装置１Ｃを説明する。実施形態３に係る基板処理システム１００では、磁場発生部７が基板保持部９に埋め込まれている点で、実施形態３は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態３が実施形態１と異なる点を主に説明する。

図１０及び図１１を参照して、実施形態３に係る基板処理装置１Ｃを説明する。図１０は、基板処理装置１Ｃを示す模式的側面図である。図１１は、基板処理装置１Ｃを示す模式的平面図である。図１１では、図面の簡略化のため、紫外線照射部３を省略している。

図１０及び図１１に示すように、基板処理装置１Ｃは電子受け部５を備える。電子受け部５は電子受け部材５１Ａを含む。電子受け部材５１Ａは、紫外線の照射によって基板Ｗから放出された電子ＥＬを受け取る。電子受け部材５１Ａは電気伝導体である。電子受け部材５１Ａは接地される。電子受け部材５１Ａは、オゾン耐性を有することが好ましい。電子受け部材５１Ａは、略円筒形状を有し、紫外線照射部３と基板保持部９との間の空間を囲んでいる。

また、基板処理装置１Ｃは磁場発生部７を備えている。磁場発生部７は、基板保持部９に埋め込まれている。従って、実施形態３によれば、磁場発生部７の設置場所を別途確保することが要求されない。その結果、省スペースを実現できて、基板処理装置１Ｃのサイズが大きくなることを抑制できる。

具体的には、磁場発生部７の磁石ペア７０の各々が、基板保持部９に埋め込まれている。つまり、複数の永久磁石７１の各々が、基板保持部９に埋め込まれている。

複数の磁石ペア７０は、周方向ＣＤに間隔をあけて配置される。実施形態３では、複数の磁石ペア７０は、周方向ＣＤに等間隔で配置される。複数の磁石ペア７０の各々は、一対の永久磁石７１を含む。

一対の永久磁石７１のうちの一方の永久磁石７１ａのＮ極ＮＰと他方の永久磁石７１ｂのＳ極ＳＰとは、周方向ＣＤに互いに隣り合って配置される。また、紫外線照射部３の側から磁場発生部７を見たときに、複数の永久磁石７１ａのうちの１つの永久磁石７１ａを始点とすると、永久磁石７１ａと永久磁石７１ｂとは、周方向ＣＤに沿って交互に配置される。そして、紫外線照射部３の側から磁場発生部７を見たときに、磁石ペア７０の各々において、永久磁石７１ｂは、永久磁石７１ａに対して反時計回りの方向に位置する。

永久磁石７１ａのＮ極ＮＰは、紫外線照射部３に向いている。つまり、永久磁石７１ａのＮ極ＮＰは上方に向いている。永久磁石７１ａのＳ極ＳＰは下方に向いている。永久磁石７１ｂのＳ極ＳＰは、紫外線照射部３に向いている。つまり、永久磁石７１ｂのＳ極ＳＰは上方に向いている。永久磁石７１ｂのＮ極ＮＰは下方に向いている。

永久磁石７１ａと永久磁石７１ｂとの周方向ＣＤの間隔は、複数の磁石ペア７０のうち互いに隣り合う２つの磁石ペア７０の周方向ＣＤの間隔よりも短い。加えて、複数の磁石ペア７０の各々において、永久磁石７１ａに対する永久磁石７１ｂの相対位置は一定である。

特に、実施形態３では、図１１に示すように、紫外線照射部３の側から磁場発生部７を見たときに、磁場ＭＦに基づく磁力線が反時計回りに向くように、磁場発生部７は磁場ＭＦを発生する。具体的には、複数の磁石ペア７０の各々において、永久磁石７１ａのＮ極ＮＰから永久磁石７１ｂのＳ極ＳＰに向かって磁場ＭＦが形成される。従って、磁場ＭＦに基づくローレンツ力ＬＺは、電子ＥＬに対して、径方向ＲＤ外側に向かって作用する。その結果、電子ＥＬは電子受け部５に向かって移動する。

そして、電子受け部５は電子ＥＬを受け取る。従って、紫外線照射部３の石英ガラス板３１（図５）が電子ＥＬによって帯電することを抑制できて、基板Ｗが再帯電することを抑制できる。その結果、実施形態３では、実施形態１と同様に、基板Ｗに対する除電速度の低下を抑制できる。その他、実施形態３に係る基板処理装置１Ｃは、実施形態１に係る基板処理装置１と同様の効果を有する。

なお、磁場発生部７の一部が基板保持部９から露出していてもよいし、磁場発生部７の全体が基板保持部９に埋没していてもよい。換言すれば、磁石ペア７０の各々の一部が基板保持部９から露出していてもよいし、磁石ペア７０の各々の全体が基板保持部９に埋没していてもよい。更に換言すれば、永久磁石７１の各々の一部が基板保持部９から露出していてもよいし、永久磁石７１の各々の全体が基板保持部９に埋没していてもよい。

また、基板処理装置１Ｃは、図７を参照して説明した帯電部２７を備えていてもよい。基板処理装置１Ｃは、永久磁石７１に代えて、図８を参照して説明した電磁石７２を備えていてもよい。この場合、基板処理装置１Ｃは、図８を参照して説明した制御部２１、電流測定部２３、及び電源２５を備えていてもよい。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

特に、実施形態１（変形例を含む。）〜実施形態３において、電子受け部５を向くローレンツ力ＬＺが電子ＥＬに作用するように磁場ＭＦを発生できる限りにおいては、磁石ペア７０の数、磁石ペア７３の数、永久磁石７１の数、及び電磁石７２の数は、特に限定されない。

また、実施形態１（変形例を含む。）〜実施形態３において、回転機構１９を設けて基板保持部９を回転させることが好ましいが、回転機構１９を設けなくてもよい。換言すれば、基板保持部９を回転させなくてもよい。更に換言すれば、基板Ｗを回転させなくてもよい。基板Ｗを回転させない場合は、基板保持部９のスピンベース９１は、複数のチャック部材９３を支持するベースとして機能するが、回転しない。

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 基板処理装置
３ 紫外線照射部
５ 電子受け部
７ 磁場発生部
９ 基板保持部
２１ 制御部
２３ 電流測定部
２７ 帯電部
７０、７３ 磁石ペア
７１ 永久磁石（磁石）
７２ 電磁石（磁石）
Ｗ 基板

Claims (17)

1. 基板に紫外線を照射する紫外線照射部と、
   前記紫外線の照射によって前記基板から放出される電子を受け取る電子受け部と、
   前記電子が前記電子受け部に向かって移動するように磁場を発生する磁場発生部と
   を備える、基板処理装置。
2. 前記磁場発生部は、複数の永久磁石を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記磁場発生部は、複数の電磁石を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記電磁石を制御する制御部をさらに備え、
   前記制御部は、前記電磁石に流す電流の電流値を、前記基板の帯電量に応じて制御する、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記電子受け部が受け取った前記電子に基づく電流を測定する電流測定部と、
   前記電子に基づく前記電流の大きさに応じて、前記電磁石に流す電流の電流値を制御する制御部と
   をさらに備える、請求項３に記載の基板処理装置。
6. 前記磁場発生部は、複数の磁石ペアを含み、
   前記複数の磁石ペアは、間隔をあけて配置され、
   前記複数の磁石ペアの各々は、一対の磁石を含み、
   前記一対の磁石のうちの一方の磁石のＮ極と他方の磁石のＳ極とは、互いに隣り合って配置され、
   前記複数の磁石ペアの各々において、前記他方の永久磁石に対する前記一方の永久磁石の相対位置は一定であり、
   前記一方の磁石と前記他方の磁石との間隔は、前記複数の磁石ペアのうち互いに隣り合う２つの磁石ペアの間隔よりも短い、請求項１に記載の基板処理装置。
7. 前記基板を保持する基板保持部をさらに備え、
   前記磁場発生部は、前記基板保持部に埋め込まれている、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 前記基板を保持する基板保持部をさらに備え、
   前記基板保持部と前記電子受け部とのうちの少なくとも一方は、強磁性体を含む、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 前記電子受け部は、接地される、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
10. 前記電子受け部を正に帯電する帯電部をさらに備える、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
11. 基板に紫外線を照射する紫外線照射工程と、
    前記紫外線の照射によって前記基板から放出される電子が電子受け部に向かって移動するように磁場を発生する磁場発生工程と、
    前記電子受け部が前記電子を受け取る電子受け工程と
    を含む、基板処理方法。
12. 前記磁場発生工程では、複数の永久磁石が磁場を発生する、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記磁場発生工程では、複数の電磁石が磁場を発生する、請求項１１に記載の基板処理方法。
14. 前記電磁石に流す電流の電流値を、前記基板の帯電量に応じて制御する工程をさらに含む、請求項１３に記載の基板処理方法。
15. 前記電子受け工程で受け取った前記電子に基づく電流を測定する工程と、
    前記電子に基づく前記電流の大きさに応じて、前記電磁石に流す電流の電流値を制御する工程と
    をさらに含む、請求項１３に記載の基板処理方法。
16. 前記電子受け部は、接地される、請求項１１から請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
17. 前記電子受け部は、正に帯電している、請求項１１から請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理方法。

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