TWI664766B - 取像模組及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種取像模組，其包括發光元件、感測元件、第一線路基板、第二線路基板以及第三線路基板。第一線路基板位於第二線路基板與第三線路基板之間且包括具有第一貫孔以及第二貫孔的第一基板。發光元件安裝在第三線路基板上且配置在第一貫孔中。感測元件配置在第二貫孔中。第二線路基板包括具有第三貫孔以及第四貫孔的第二基板。第三貫孔暴露出配置在第一貫孔中的發光元件的發光面。第四貫孔暴露出配置在第二貫孔中的感測元件的感測面。另提供取像模組的製造方法。

Description

取像模組及其製造方法
本發明是有關於一種光學模組及其製造方法，且特別是有關於一種取像模組及其製造方法。
生物辨識的種類包括臉部、聲音、虹膜、視網膜、靜脈、掌紋和指紋辨識等。依照感測方式的不同，生物特徵辨識裝置可分為光學式、電容式、超音波式及熱感應式。目前的光學式生物特徵辨識裝置已成為生物特徵辨識技術的主流之一。因此，如何提升所屬公司的光學式生物特徵辨識裝置的市場競爭力，便成為此領域從業人員的研發重點之一。
本發明提供一種取像模組，其厚度薄且具有良好的辨識能力。
本發明提供一種取像模組的製造方法，其可製造出厚度薄且具有良好的辨識能力的取像模組。
本發明的一種取像模組包括發光元件、感測元件、第一線路基板、第二線路基板以及第三線路基板。第一線路基板包括第一基板。第一基板具有第一貫孔以及第二貫孔。發光元件配置在第一貫孔中。感測元件配置在第二貫孔中。第二線路基板配置在第一線路基板的一側且包括第二基板。第二基板具有第三貫孔以及第四貫孔。第三貫孔與第一貫孔重疊且暴露出配置在第一貫孔中的發光元件的發光面。第四貫孔與第二貫孔重疊且暴露出配置在第二貫孔中的感測元件的感測面。第三線路基板配置在第一線路基板的另一側，且第一線路基板位於第二線路基板與第三線路基板之間。發光元件安裝在第三線路基板上且與第三線路基板電性連接。
在本發明的一實施例中，發光元件的發光面與第二基板遠離第一線路基板的表面位在同一平面上。
在本發明的一實施例中，感測元件的感測面與第一基板面向第二線路基板的表面位在同一平面上。
在本發明的一實施例中，感測元件的感測面與第二基板遠離第一線路基板的表面位在同一平面上，或者感測元件的感測面高於第一基板面向第二線路基板的表面且低於第二基板遠離第一線路基板的表面。
在本發明的一實施例中，取像模組更包括第一黏著層，其中第一線路基板與第二線路基板透過第一黏著層而彼此接合。
在本發明的一實施例中，取像模組更包括第二黏著層，其中第二線路基板與第三線路基板透過第二黏著層而彼此接合。
在本發明的一實施例中，取像模組更包括第三黏著層。第三黏著層配置在第二貫孔中，且感測元件透過第三黏著層而固定於第一基板的第二貫孔中。
在本發明的一實施例中，取像模組更包括第四黏著層。第四黏著層配置在第一貫孔中，且發光元件透過第四黏著層而固定於第一基板的第一貫孔中。
在本發明的一實施例中，第一線路基板更包括貫穿第一基板的第一導電柱。第二線路基板更包括第一線路層。第一線路層配置於第二基板上且位於第二基板與第一基板之間。第一線路層電性連接感測元件以及第一導電柱。第三線路基板包括第三基板、貫穿第三基板的多個第二導電柱、第二線路層以及第三線路層。第二線路層以及第三線路層分別配置在第三基板的相對表面上，其中第二線路層位於第三基板與第一線路基板之間且電性連接發光元件、第一導電柱以及多個第二導電柱。第三線路層電性連接多個第二導電柱。
在本發明的一實施例中，感測元件的導電墊位於感測元件面向第二線路基板的一側，且感測元件的導電墊透過第一線路層、第一導電柱、第二線路層以及第二導電柱而電性連接於第三線路層。發光元件表面黏著於第二線路層上，且發光元件透過第二線路層以及第二導電柱而電性連接於第三線路層。
在本發明的一實施例中，取像模組更包括透光保護層。透光保護層配置在第三貫孔中以及第四貫孔中。
在本發明的一實施例中，取像模組更包括透光保護層。透光保護層配置在第二基板遠離第一線路基板的表面上且覆蓋發光元件的發光面以及感測元件的感測面。
本發明的一種取像模組的製造方法包括以下步驟。在第一基板中形成第一貫孔以及第二貫孔。在第二基板中形成第三貫孔以及第四貫孔。將感測元件配置在第二貫孔中。在第三基板上配置發光元件。接合第一基板、第二基板以及第三基板，其中發光元件配置在第一貫孔中，第三貫孔與第一貫孔重疊且暴露出配置在第一貫孔中的發光元件的發光面，第四貫孔與第二貫孔重疊且暴露出配置在第二貫孔中的感測元件的感測面。
在本發明的一實施例中，在將感測元件配置在第二貫孔中之前，取像模組的製造方法更包括使感測元件的厚度等於第一基板的厚度。
在本發明的一實施例中，接合第一基板、第二基板以及第三基板的方法包括透過第一黏著層接合第一基板與第二基板，以及透過第二黏著層接合第二基板與第三基板。
在本發明的一實施例中，將感測元件配置在第二貫孔中的方法包括透過第三黏著層將感測元件固定於第一基板的第二貫孔中。
在本發明的一實施例中，將發光元件配置在第一貫孔中的方法包括透過第四黏著層將發光元件固定於第一基板的第一貫孔中。
在本發明的一實施例中，在接合第一基板、第二基板以及第三基板之前，取像模組的製造方法更包括以下步驟。在第一基板中形成第一導電柱。在第二基板上形成第一線路層。在第三基板中形成多個第二導電柱。在第三基板的相對表面上分別形成第二線路層以及第三線路層。在接合第一基板、第二基板以及第三基板之後，第一線路層位於第二基板與第一基板之間，且第一線路層電性連接感測元件以及第一導電柱，第二線路層位於第三基板與第一基板之間且電性連接發光元件、第一導電柱以及多個第二導電柱，第三線路層電性連接多個第二導電柱。
在本發明的一實施例中，在將發光元件配置在第一貫孔中之前，取像模組的製造方法更包括使發光元件的厚度等於第一基板的厚度、第二基板的厚度以及第一線路層的厚度的總和。
在本發明的一實施例中，在將感測元件配置在第二貫孔中之前，取像模組的製造方法更包括使發光元件的厚度等於第一基板的厚度、第二基板的厚度以及第一線路層的厚度的總和，或使發光元件的厚度大於第一基板的厚度且小於第一基板的厚度、第二基板的厚度以及第一線路層的厚度的總和。
在本發明的一實施例中，在接合第一基板、第二基板以及第三基板之後，取像模組的製造方法更包括在第三貫孔中以及第四貫孔中形成透光保護層。
在本發明的一實施例中，在接合第一基板、第二基板以及第三基板之後，取像模組的製造方法更包括在第二基板遠離第一線路基板的表面上形成透光保護層，其中透光保護層覆蓋發光元件的發光面以及感測元件的感測面。
基於上述，在本發明實施例的取像模組中，發光元件以及感測元件配置在第一基板的貫孔中，而有助於降低取像模組的總體厚度。此外，在第一基板中形成貫孔且將發光元件以及感測元件配置在第一基板的貫孔中可讓發光元件以及感測元件之間自然形成隔牆，可有效避免來自發光元件的大角度光束直接照射到感測元件所造成的光干擾，從而提升取像模組的辨識能力。據此，取像模組的厚度薄且具有良好的辨識能力。另外，還提出上述取像模組的一種製造方法。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A及圖1B分別是本發明的第一實施例的取像模組的不同部分的剖面示意圖。圖1C是本發明的第一實施例的取像模組的上視示意圖。圖1C中剖線A-A’的剖面示意圖請參照圖1A，且圖1C中剖線B-B’的剖面示意圖請參照圖1B。圖1C中未繪示出圖1A中的第二基板、第一黏著層以及透光保護層，以清楚表示位於這些膜層下的元件的相對配置關係。
請參照圖1A至圖1C，第一實施例的取像模組100適於擷取待測物10的生物特徵。在本實施例中，待測物10例如為手指，且生物特徵例如為指紋或靜脈，但不以此為限。在另一實施例中，待測物10也可為手掌，且生物特徵可為掌紋。
取像模組100包括發光元件110、感測元件120、第一線路基板130、第二線路基板140以及第三線路基板150。
發光元件110提供照射待測物10的光束（未繪示）。依據不同的需求，取像模組100可包括一個或多個發光元件110。在本實施例中，取像模組100包括多個發光元件110（圖1C繪示出五個發光元件110），且多個發光元件110排列在感測元件120的同一側。然而，發光元件110的數量以及發光元件110與感測元件120的相對配置關係可依需求改變，而不以圖1C所顯示的為限。
多個發光元件110可包括發光二極體、雷射二極體或上述兩個的組合。此外，光束可以包括可見光、非可見光或上述兩個的組合。非可見光可為紅外光，但不以此為限。
感測元件120接收光束被待測物10反射的部分（即帶有指紋圖案資訊的反射光束），以辨識待測物10的生物特徵。感測元件120可為電荷耦合元件（Charge Coupled Device, CCD）、互補式金屬氧化物半導體元件（Complementary Metal-Oxide Semiconductor, CMOS）或其他適當種類的影像感測元件。
在一實施例中，感測元件120內可整合有脈寬調變電路。藉由脈寬調變電路控制多個發光元件110的發光時間與感測元件120的取像時間，使多個發光元件110的發光時間與感測元件120的取像時間同步，從而達到精確控制的效果，但不以此為限。
第一線路基板130包括第一基板132。第一基板132可為單層板或多層板。此外，第一基板132可具有線路。舉例而言，第一基板132可為印刷電路板(Printed circuit board, PCB)、可撓式印刷電路板(Flexible printed circuit board, FPCB)、具有線路的玻璃載板或具有線路的陶瓷基板，但不以此為限。在一實施例中，第一基板132可為不具有線路的透光基板。
第一基板132具有第一貫孔T1以及第二貫孔T2。多個發光元件110配置在第一貫孔T1中。感測元件120配置在第二貫孔T2中。在本實施例中，感測元件120的感測面S120與第一基板132面向第二線路基板140的表面S132位在同一平面上，但本發明不以此為限。依據不同的需求，感測元件120的感測面S120可高於或低於第一基板132的表面S132。
依據不同的需求，第一線路基板130可進一步包括其他元件。舉例而言，第一線路基板130可進一步包括一個或多個第一導電柱134。所述一個或多個第一導電柱134貫穿第一基板132，以電性連接位於第一基板132相對側的線路層。在本實施例中，第一線路基板130包括多個第一導電柱134（圖1C繪示出五個第一導電柱134），且多個第一導電柱134排列在多個發光元件110遠離感測元件120的一側，使得多個發光元件110位於感測元件120與多個第一導電柱134之間。然而，第一導電柱134的數量以及第一導電柱134與其他元件的相對配置關係可依需求改變，而不以圖1C所顯示的為限。
第二線路基板140配置在第一線路基板130的一側。舉例而言，第二線路基板140配置在各發光元件110的發光面S110、感測元件120的感測面S120以及第一基板132面向第二線路基板140的表面S132上。
第二線路基板140包括第二基板142。第二基板142可為單層板或多層板。此外，第二基板142可具有線路。舉例而言，第二基板142可為印刷電路板、可撓式印刷電路板、具有線路的玻璃載板或具有線路的陶瓷基板，但不以此為限。在一實施例中，第二基板142可為不具有線路的透光基板。
第二基板142具有第三貫孔T3以及第四貫孔T4。第三貫孔T3以及第四貫孔T4適於讓光束穿透。第三貫孔T3與第一貫孔T1重疊且暴露出配置在第一貫孔T1中的各發光元件110的發光面S110。第四貫孔T4與第二貫孔T2重疊且暴露出配置在第二貫孔T2中的感測元件120的感測面S120。如此，來自各發光元件110的光束可通過第三貫孔T3而照射到待測物10，且光束被待測物10反射的部分可通過第四貫孔T4而被感測元件120接收。在本實施例中，第三貫孔T3以及第四貫孔T4的數量分別為一，但不以此為限。舉例而言，第二基板142可具有多個第三貫孔T3，且多個第三貫孔T3可分別設置在多個發光元件110的上方，但不以此為限。
在本實施例中，各發光元件110的發光面S110與第二基板142遠離第一線路基板130的表面S142位在同一平面上，但本發明不以此為限。依據不同的需求，各發光元件110的發光面S110可高於或低於第二基板142的表面S142。
依據不同的需求，第二線路基板140可進一步包括其他元件。舉例而言，第二線路基板140可進一步包括第一線路層144。第一線路層144配置於第二基板142上且位於第二基板142與第一基板132之間。第一線路層144電性連接感測元件120以及多個第一導電柱134。舉例而言，第一線路層144可包括與感測元件120的多個導電墊P120電性連接的多個導電墊144A、與多個導電墊144A電性連接的多條導線144B、與多條導線144B電性連接的多個導電墊144C及其他未繪示的導線及導電墊。感測元件120的每一個導電墊P120例如透過其中一個導電墊144A、其中一條導線144B以及其中一個導電墊144C而電性連接於對應的一個第一導電柱134。
第三線路基板150配置在第一線路基板130的另一側，且第一線路基板130位於第二線路基板140與第三線路基板150之間。換句話說，第二線路基板140與第三線路基板150分別位於第一線路基板130的相對側。發光元件110安裝在第三線路基板150上且與第三線路基板150電性連接。具體地，第三線路基板150可包括第三基板152、貫穿第三基板152的多個第二導電柱154、第二線路層156以及第三線路層158。
第三基板152可為單層板或多層板。此外，第三基板152可具有線路。舉例而言，第三基板152可為印刷電路板、可撓式印刷電路板、具有線路的玻璃載板或具有線路的陶瓷基板，但不以此為限。在一實施例中，第三基板152可為不具有線路的透光基板。
第二線路層156以及第三線路層158分別配置在第三基板152的相對表面上，且多個第二導電柱154將第二線路層156以及第三線路層158電性連接。
進一步而言，第二線路層156位於第三基板152與第一線路基板130之間且電性連接多個發光元件110、多個第一導電柱134以及多個第二導電柱154。第二線路層156可包括與多個第一導電柱134電性連接的多個導電墊156A、與多個發光元件110電性連接的多個導電墊156B、與多個導電墊156B電性連接的多條導線156C、與多條導線156C電性連接的多個導電墊156D及其他未繪示的導線及導電墊。多個第二導電柱154可包括與多個導電墊156A電性連接的多個第二導電柱154A以及與多個導電墊156D電性連接的多個第二導電柱154B。第三線路層158可包括與多個第二導電柱154A電性連接的多個導電墊158A、與多個第二導電柱154B電性連接的多個導電墊158B及其他未繪示的導線及導電墊。每一導電墊156A例如透過其中一個第二導電柱154A而電性連接於對應的一個導電墊158A，使得感測元件120的每一個導電墊P120可透過其中一個導電墊144A、其中一條導線144B、其中一個導電墊144C、其中一個第一導電柱134、其中一個導電墊156A以及其中一個第二導電柱154A而電性連接於對應的一個導電墊158A。另外，每一發光元件110例如透過其中一個導電墊156B、其中一條導線156C、其中一個導電墊156D以及其中一個第二導電柱154B而電性連接於對應的一個導電墊158B。
如此，雖然感測元件120的多個導電墊P120位於感測元件120面向第二線路基板140的一側，感測元件120的多個導電墊P120仍可透過位於第一基板132與第二基板142之間的第一線路層144、貫穿第一基板132的多個第一導電柱134、位於第一基板132與第三基板152之間的第二線路層156以及貫穿第三基板152的多個第二導電柱154A而電性連接於位於第三基板152遠離第二線路基板140的表面上的第三線路層158，並藉由第三線路層158而與外部線路連接。另一方面，多個發光元件110可表面黏著（surface mounted）於第二線路層156上，且多個發光元件110可透過第二線路層156以及貫穿第三基板152的多個第二導電柱154B而電性連接於第三線路層158，並藉由第三線路層158而與外部線路連接。
依據不同的需求，取像模組100可進一步包括其他膜層。舉例而言，取像模組100可進一步包括用於固定的多個黏著層。如圖1A及圖1B所示，第一線路基板130與第二線路基板140可透過第一黏著層AD1而彼此接合。第二線路基板140與第三線路基板150可透過第二黏著層AD2而彼此接合。第二貫孔T2中可進一步配置有第三黏著層AD3，且感測元件120透過第三黏著層AD3而固定於第一基板130的第二貫孔T2中。第一貫孔T1中可進一步配置有第四黏著層AD4，且發光元件110透過第四黏著層AD4而固定於第一基板130的第一貫孔T1中。在一實施例中，可藉由固定用的機構件或卡固結構取代上述任一個黏著層。
另外，取像模組100也可進一步包括透光保護層160。透光保護層160配置在第三貫孔T3中以及第四貫孔T4中，以保護感測元件120以及多個發光元件110（例如防止感測元件120的感測面S120以及各發光元件110的發光面S110被刮傷）。除了提供保護的功用之外，透光保護層160還可將第三貫孔T3以及第四貫孔T4的所在處填平，也就是使透光保護層160遠離發光面S110的表面S160以及第二基板142遠離第一線路基板130的表面S142位於同一平面上。如此，可達到按壓面（待測物10接觸的表面）為全平面的結構，讓取像模組100更容易與其他電子裝置結合。在一實施例中，可省略透光保護層160，並在第二基板142上進一步設置透光的保護蓋板，且使保護蓋板覆蓋第二基板142、感測元件120以及多個發光元件110，其中第二基板142與保護蓋板可以透過黏著層、機構件或卡固結構而固定。
相較於將發光元件110以及感測元件120設置在第一基板132上再藉由打線製程使發光元件110以及感測元件120電性連接於第一基板132，將發光元件110以及感測元件120設置在第一基板132的貫孔（包括第一貫孔T1以及第二貫孔T2）中並在第一基板132的相對側上形成所需的線路，有助於降低取像模組100的總體厚度。另外，在第一基板132中形成貫孔且將發光元件110以及感測元件120配置在第一基板132的貫孔中可讓發光元件110以及感測元件120之間自然形成隔牆。如此，可以不用在發光元件110以及感測元件120之間額外設置遮光元件，即可有效避免來自發光元件110的大角度光束直接照射到感測元件120所造成的光干擾，從而提升取像模組100的辨識能力。據此，取像模組100的厚度薄且具有良好的辨識能力。
圖2A至圖9是本發明的第一實施例的取像模組的製造流程的示意圖。然而，圖1A至圖1C的取像模組100的製造方法不以圖2A至圖9所繪示的為限。另一提的是，圖2A、圖3A、圖4A、圖5A、圖6A、圖7A及圖8A顯示對應於圖1A的剖面的製造流程。圖2B、圖3B、圖4B、圖5B、圖6B、圖7B及圖8B顯示對應於圖1B的剖面的製造流程。圖9是上視示意圖，其顯示經由裁切步驟形成多個取像模組。
請參照圖2A及圖2B，提供第一基板132，並在第一基板132中形成用以配置發光元件的第一貫孔T1以及用以配置感測元件的第二貫孔T2。在此步驟中，還可進一步形成貫穿第一基板132的第一導電柱134。
請參照圖3A及圖3B，提供第二基板142，並在第二基板142中形成第三貫孔T3以及第四貫孔T4。在此步驟中，還可進一步在第二基板142的一側上形成第二線路層144。第二線路層144為一圖案化的導電層，其所包括的元件請參照前述對應的段落，於此不再重述。
請參照圖4A及圖4B，將感測元件120配置在第二貫孔T2中。在本實施例中，將感測元件120配置在第二貫孔T2中的方法包括使感測元件120的導電墊P120朝向第一基板132待配置第二基板142的一側，再藉由底部填充（underfill）的方式將第三黏著層AD3填充於第二貫孔T2中，以藉由第三黏著層AD3將感測元件120固定於第一基板132的第二貫孔T2中，但本發明不以此為限。在另一實施例中，感測元件120可透過其他方式而固定於第一基板132的第二貫孔T2中，以省略第三黏著層AD3。
另外，將感測元件120配置在第二貫孔T2中之前，可先對感測元件120進行研磨製程，使感測元件120的厚度T120等於第一基板132的厚度T132。如此，將感測元件120配置於第二貫孔T2之後，感測元件120的感測面S120以及第一基板132的表面S132可位在同一平面上，但本發明不以此為限。依據不同的需求，感測元件120的感測面S120也可高於或低於第一基板132的表面S132。或者，在感測元件120的厚度T120已經是預設的厚度的情況下，可省略所述研磨製程。
請參照圖5A及圖5B，提供第三基板152，並在第三基板152上配置發光元件110。在本實施例中，在第三基板152上配置發光元件110之前，可先於第三基板152中形成多個第二導電柱154（包括第二導電柱154A以及第二導電柱154B），並於第三基板152的相對兩表面上分別形成第二線路層156以及第三線路層158。然後，再將發光元件110固定於第二線路層156上。第二線路層156以及第三線路層158分別為圖案化的導電層，其所包括的元件請參照前述對應的段落，於此不再重述。
在第三基板152上配置發光元件110之前，還可先對發光元件110進行研磨製程，使發光元件110的厚度T110等於待接合的第一基板132的厚度T132、待接合的第二基板142的厚度T142以及待接合的第一線路層144的厚度T144（或是第一黏著層AD1的厚度）的總和（參見圖7B）。如此，將發光元件110配置於第一貫孔T1之後（參見圖7B），發光元件110的發光面S110以及第二基板142遠離第一基板132的表面S142可位在同一平面上，但本發明不以此為限。依據不同的需求，發光元件110的發光面S110也可高於或低於第二基板142的表面S142。或者，在發光元件110的厚度T110已經是預設的厚度的情況下，可省略所述研磨製程。
應說明的是，圖2A以及圖2B的步驟至圖5A及圖5B的步驟是在接合第一基板132、第二基板142以及第三基板152之前的前置步驟，此些步驟可視情況改變順序，而不以本實施例所顯示的順序為限。
請參照圖6A及圖6B，使位於第二基板142上的第一線路層144面向第一基板132，再藉由第一黏著層AD1接合第一基板132與第二基板142。在接合第一基板132與第二基板142之後，第三貫孔T3與第一貫孔T1重疊，第四貫孔T4與第二貫孔T2重疊且暴露出配置在第二貫孔T2中的感測元件120的感測面S120。此外，第一線路層144位於第二基板142與第一基板132之間，且第一線路層144電性連接感測元件120以及第一導電柱134。在一實施例中，在接合第一基板132與第二基板142之前，可先於感測元件120的導電墊P120上植入錫球（未繪示），再使導電墊P120上的錫球分別與第一線路層144中對應的線路電性連接，但不以此為限。
請參照圖7A及圖7B，透過第二黏著層AD2接合第二基板142與第三基板152。在接合第二基板142與第三基板152之後，第二線路層156位於第三基板152與第一基板132之間且電性連接發光元件110、第一導電柱134以及多個第二導電柱154，第三線路層158電性連接多個第二導電柱154。此外，發光元件110配置在第一貫孔T1中。在本實施例中，發光元件110透過第四黏著層AD4而固定於第一基板132的第一貫孔T1中，但不以此為限。
請參照圖8A及圖8B，在第三貫孔T3中以及第四貫孔T4中形成透光保護層160。在本實施例中，形成透光保護層160的方法例如是將透光材料以塗佈的方式形成於第三貫孔T3以及第四貫孔T4中，再藉由熱固化或光固化製程使透光材料固化，但不以此為限。
透光保護層160遠離發光面S110的表面S160以及第二基板142遠離第一線路基板130的表面S142可位於同一平面上，但不以此為限。在另一實施例中，也可使透光材料進一步覆蓋第二基板142的表面S142。如此亦可達到按壓面（待測物接觸的表面）為全平面的結構。
經由上述步驟，便初步完成取像模組100。在一實施例中，如圖9所示，也可同時製造多個取像單元U，再藉由切割製程（沿圖9中的虛線）切割出多個取像模組100。
圖10A及圖10B分別是本發明的第二實施例的取像模組的不同部分的剖面示意圖。請參照圖10A及圖10B，第二實施例的取像模組200相似於圖1A及圖1B所示的取像模組100，其中相同的元件以相同的標號表示，於此不再重述這些元件的材質、相對配置關係、製造方法以及功效等。取像模組200與取像模組100的主要差異如下所述。
在取像模組200中，感測元件120的感測面S120與第二基板142遠離第一線路基板130的表面S142位在同一平面上。對應地，在將感測元件120配置於第二貫孔T2之前，可先使發光元件120的厚度T120等於待接合的第一基板132的厚度T132、待接合的第二基板142的厚度T142以及待接合的第一線路層144的厚度T144的總和。
藉由使感測元件120的感測面S120與第二基板142遠離第一線路基板130的表面S142位在同一平面上，可使感測面S120更接近待測物，從而達到增強影像的效果。在此架構下，可省略圖4A中薄化感測元件120的厚度的步驟或縮減薄化感測元件120的厚度的時間，而有助於縮減取像模組200的製程時間。在一實施例中，感測元件120的感測面S120也可高於第一基板132面向第二線路基板140的表面S132且低於第二基板142遠離第一線路基板130的表面S142。對應地，在將感測元件120配置於第二貫孔T2之前，可先使發光元件120的厚度T120大於第一基板132的厚度T132且小於第一基板132的厚度T132、第二基板142的厚度T142以及第一線路層144的厚度T144的總和。
在本實施例中，取像模組200也可包括透光保護層160。透光保護層160配置在第二基板142遠離第一線路基板130的表面S142上且覆蓋發光元件110的發光面S110以及感測元件120的感測面S120。在另一實施例中，可省略透光保護層160，並在第二基板142上進一步設置透光的保護蓋板，且使保護蓋板覆蓋第二基板142、感測元件120以及多個發光元件110，其中第二基板142與保護蓋板可以透過黏著層、機構件或卡固結構而固定。
綜上所述，在本發明實施例的取像模組中，發光元件以及感測元件配置在第一基板的貫孔中，而有助於降低取像模組的總體厚度。此外，在第一基板中形成貫孔且將發光元件以及感測元件配置在第一基板的貫孔中可讓發光元件以及感測元件之間自然形成隔牆，可有效避免來自發光元件的大角度光束直接照射到感測元件所造成的光干擾，從而提升取像模組的辨識能力。據此，取像模組的厚度薄且具有良好的辨識能力。在一實施例中，可藉由透光保護層將貫孔的所在處填平。如此，可達到按壓面為全平面的結構，讓取像模組更容易與其他電子裝置結合。在另一實施例中，還可藉由縮減感測元件的感測面與待測物之間的距離，以達到增強影像的效果。另外，在本發明實施例的取像模組的製造方法中，在填充用以固定第一基板與第二基板的黏著層之前，發光元件以及感測元件已固定在第一基板的貫孔中，且相關的線路透過壓合製成而與發光元件以及感測元件電性連接。因此，在填充用以固定第一基板與第二基板的黏著層時，發光元件、感測元件以及相關的線路不容易產生位移或斷線的問題。此外，由於可以不用在發光元件與感測元件之間額外形成遮光元件，因此有助於節省製成時間及成本。在一實施例中，還可省略薄化感測元件的步驟或是縮減薄化感測元件的厚度所需的時間。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧待測物
100、200‧‧‧取像模組
110‧‧‧發光元件
120‧‧‧感測元件
130‧‧‧第一線路基板
132‧‧‧第一基板
134‧‧‧第一導電柱
140‧‧‧第二線路基板
142‧‧‧第二基板
144‧‧‧第一線路層
144A、144C、156A、156B、158A、158B、P120‧‧‧導電墊
144B、156C、156D‧‧‧導線
150‧‧‧第三線路基板
152‧‧‧第三基板
154、154A、154B‧‧‧第二導電柱
156‧‧‧第二線路層
158‧‧‧第三線路層
160‧‧‧透光保護層
AD1‧‧‧第一黏著層
AD2‧‧‧第二黏著層
AD3‧‧‧第三黏著層
AD4‧‧‧第四黏著層
S110‧‧‧發光面
S120‧‧‧感測面
S132、S142、S160‧‧‧表面
T1‧‧‧第一貫孔
T2‧‧‧第二貫孔
T3‧‧‧第三貫孔
T4‧‧‧第四貫孔
T110、T120、T132、T142、 T144‧‧‧厚度
U‧‧‧取像單元
A-A’、B-B’‧‧‧剖線
圖1A及圖1B分別是本發明的第一實施例的取像模組的不同部分的剖面示意圖。 圖1C是本發明的第一實施例的取像模組的上視示意圖。 圖2A至圖9是本發明的第一實施例的取像模組的製造流程的示意圖。 圖10A及圖10B分別是本發明的第二實施例的取像模組的不同部分的剖面示意圖。

Claims (19)

  1. 一種取像模組，包括：一發光元件；一感測元件；一第一線路基板，包括一第一基板，該第一基板具有一第一貫孔以及一第二貫孔，其中該發光元件配置在該第一貫孔中，且該感測元件配置在該第二貫孔中；一第二線路基板，配置在該第一線路基板的一側且包括一第二基板，該第二基板具有一第三貫孔以及一第四貫孔，其中該第三貫孔與該第一貫孔重疊且暴露出配置在該第一貫孔中的該發光元件的一發光面，該第四貫孔與該第二貫孔重疊且暴露出配置在該第二貫孔中的該感測元件的一感測面；以及一第三線路基板，配置在該第一線路基板的另一側，且該第一線路基板位於該第二線路基板與該第三線路基板之間，其中該發光元件安裝在該第三線路基板上且與該第三線路基板電性連接；其中，該發光元件的該發光面與該第二基板遠離該第一線路基板的表面位在同一平面上；或者，該感測元件的該感測面與該第一基板面向該第二線路基板的表面位在同一平面上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的取像模組，其中該感測元件的該感測面與該第二基板遠離該第一線路基板的表面位在同一平面上，或者該感測元件的該感測面高於該第一基板面向該第二線路基板的表面且低於該第二基板遠離該第一線路基板的表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的取像模組，更包括：一第一黏著層，其中該第一線路基板與該第二線路基板透過該第一黏著層而彼此接合。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的取像模組，更包括：一第二黏著層，其中該第二線路基板與該第三線路基板透過該第二黏著層而彼此接合。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的取像模組，更包括：一第三黏著層，配置在該第二貫孔中，且該感測元件透過該第三黏著層而固定於該第一基板的該第二貫孔中。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的取像模組，更包括：一第四黏著層，配置在該第一貫孔中，且該發光元件透過該第四黏著層而固定於該第一基板的該第一貫孔中。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的取像模組，其中該第一線路基板更包括貫穿該第一基板的一第一導電柱，該第二線路基板更包括一第一線路層，該第一線路層配置於該第二基板上且位於該第二基板與該第一基板之間，該第一線路層電性連接該感測元件以及該第一導電柱，該第三線路基板包括一第三基板、貫穿該第三基板的多個第二導電柱、一第二線路層以及一第三線路層，該第二線路層以及該第三線路層分別配置在該第三基板的相對表面上，其中該第二線路層位於該第三基板與該第一線路基板之間且電性連接該發光元件、該第一導電柱以及該些第二導電柱，該第三線路層電性連接該些第二導電柱。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的取像模組，其中該感測元件的一導電墊位於該感測元件面向該第二線路基板的一側，且該感測元件的該導電墊透過該第一線路層、該第一導電柱、該第二線路層以及該第二導電柱而電性連接於該第三線路層，該發光元件表面黏著於該第二線路層上，且該發光元件透過該第二線路層以及該第二導電柱而電性連接於該第三線路層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的取像模組，更包括：一透光保護層，配置在該第三貫孔中以及該第四貫孔中。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的取像模組，更包括：一透光保護層，配置在該第二基板遠離該第一線路基板的表面上且覆蓋該發光元件的該發光面以及該感測元件的該感測面。
  11. 一種取像模組的製造方法，包括：在一第一基板中形成一第一貫孔以及一第二貫孔；在一第二基板中形成一第三貫孔以及一第四貫孔；將一感測元件配置在該第二貫孔中；在一第三基板上配置一發光元件；使該感測元件的厚度等於該第一基板的厚度，或者使該發光元件的一發光面與該第二基板的頂面位在同一平面上；接合該第一基板、該第二基板以及該第三基板，其中該發光元件配置在該第一貫孔中，該第三貫孔與該第一貫孔重疊且暴露出配置在該第一貫孔中的該發光元件的一發光面，該第四貫孔與該第二貫孔重疊且暴露出配置在該第二貫孔中的該感測元件的一感測面。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的取像模組的製造方法，其中接合該第一基板、該第二基板以及該第三基板的方法包括透過一第一黏著層接合該第一基板與該第二基板，以及透過一第二黏著層接合該第二基板與該第三基板。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的取像模組的製造方法，其中將該感測元件配置在該第二貫孔中的方法包括透過一第三黏著層將該感測元件固定於該第一基板的該第二貫孔中。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的取像模組的製造方法，其中將該發光元件配置在該第一貫孔中的方法包括透過一第四黏著層將該發光元件固定於該第一基板的該第一貫孔中。
  15. 如申請專利範圍第11項所述的取像模組的製造方法，其中在接合該第一基板、該第二基板以及該第三基板之前，該取像模組的製造方法更包括：在該第一基板中形成一第一導電柱；在該第二基板上形成一第一線路層；在該第三基板中形成多個第二導電柱；以及在該第三基板的相對表面上分別形成一第二線路層以及一第三線路層，其中在接合該第一基板、該第二基板以及該第三基板之後，該第一線路層位於該第二基板與該第一基板之間，且該第一線路層電性連接該感測元件以及該第一導電柱，該第二線路層位於該第三基板與該第一基板之間且電性連接該發光元件、該第一導電柱以及該些第二導電柱，該第三線路層電性連接該些第二導電柱。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的取像模組的製造方法，其中在將該發光元件配置在該第一貫孔中之前，該取像模組的製造方法更包括：使該發光元件的厚度等於該第一基板的厚度、該第二基板的厚度以及該第一線路層的厚度的總和。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的取像模組的製造方法，其中在將該感測元件配置在該第二貫孔中之前，該取像模組的製造方法更包括：使該發光元件的厚度等於該第一基板的厚度、該第二基板的厚度以及該第一線路層的厚度的總和，或使該發光元件的厚度大於該第一基板的厚度且小於該第一基板的厚度、該第二基板的厚度以及該第一線路層的厚度的總和。
  18. 如申請專利範圍第11項所述的取像模組的製造方法，其中在接合該第一基板、該第二基板以及該第三基板之後，該取像模組的製造方法更包括：在該第三貫孔中以及該第四貫孔中形成一透光保護層。
  19. 如申請專利範圍第11項所述的取像模組的製造方法，其中在接合該第一基板、該第二基板以及該第三基板之後，該取像模組的製造方法更包括：在該第二基板遠離該第一線路基板的表面上形成一透光保護層，其中該透光保護層覆蓋該發光元件的該發光面以及該感測元件的該感測面。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111339799B (zh) * 2018-12-18 2023-02-28 广州印芯半导体技术有限公司 指纹感测装置以及指纹感测方法
TWI732172B (zh) * 2019-01-29 2021-07-01 巧連科技股份有限公司 微針及指紋的辨識模組
TWI714025B (zh) * 2019-03-19 2020-12-21 緯創資通股份有限公司 影像辨識方法及影像辨識裝置
CN112580392B (zh) * 2019-09-27 2024-03-22 宏碁股份有限公司 指纹识别装置及其驱动方法
CN112101194B (zh) * 2020-01-21 2024-09-13 神盾股份有限公司 电子装置及其操作方法
US20230069164A1 (en) * 2021-08-30 2023-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor image sensor and method for forming the same

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006189949A (ja) * 2004-12-28 2006-07-20 Mitsumi Electric Co Ltd 画像検出装置
TWM301406U (en) * 2006-05-05 2006-11-21 Lite On Semiconductor Corp Package structure of optical fingerprint gathering module
JP2007179434A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Casio Comput Co Ltd 画像読取装置
TWI505414B (zh) * 2013-07-25 2015-10-21
US20160041029A1 (en) * 2014-08-06 2016-02-11 Pixart Imaging (Penang) Sdn. Bhd. Image module package and manufacturing method thereof
TWI556177B (zh) * 2015-09-18 2016-11-01 Tong Hsing Electronic Ind Ltd 指紋感測裝置及其製造方法
TWI562011B (en) * 2016-03-09 2016-12-11 Chipmos Technologies Inc Optical fingerprint sensor package structure
US20170061193A1 (en) * 2015-09-02 2017-03-02 Synaptics Incorporated Fingerprint sensor under thin face-sheet with aperture layer

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3844654A1 (de) * 1988-11-23 1990-06-07 Messerschmitt Boelkow Blohm Bildsensor
US6506632B1 (en) * 2002-02-15 2003-01-14 Unimicron Technology Corp. Method of forming IC package having downward-facing chip cavity
TWI241688B (en) * 2003-09-01 2005-10-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Photosensitive semiconductor device and method for fabrication the same
JP2005317878A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Citizen Electronics Co Ltd フォトリフレクタ装置及びその製造方法
EP1789908B1 (en) * 2004-06-01 2013-04-10 Lumidigm, Inc. Multispectral imaging biometrics
WO2006030781A1 (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 The Ritsumeikan Trust 指先からの生体情報の抽出方法およびその装置
TWI241040B (en) * 2004-09-22 2005-10-01 Ching-Fu Tzou Modulized structure of the array LED and its packaging method
TWI277004B (en) * 2005-03-18 2007-03-21 Chuan Liang Ind Co Ltd Compact and thin contact type image sensor
US7505613B2 (en) * 2005-07-12 2009-03-17 Atrua Technologies, Inc. System for and method of securing fingerprint biometric systems against fake-finger spoofing
EP1643556A3 (en) * 2006-01-16 2006-11-22 Elec Vision Inc. Contact image capturing structure
TW200807745A (en) * 2006-07-28 2008-02-01 Delta Electronics Inc Light-emitting heat-dissipating device and packaging method thereof
JP4951291B2 (ja) * 2006-08-08 2012-06-13 株式会社日立メディアエレクトロニクス 生体認証装置
TWI426602B (zh) * 2007-05-07 2014-02-11 Sony Corp A solid-state image pickup apparatus, a manufacturing method thereof, and an image pickup apparatus
CN100492400C (zh) * 2007-07-27 2009-05-27 哈尔滨工程大学 手指静脉特征提取与匹配识别方法
TW200933866A (en) * 2008-01-16 2009-08-01 Lingsen Precision Ind Ltd Chip stacking method using light hardened glue
TWI382350B (zh) * 2009-02-19 2013-01-11 Gingy Technology Inc Optical Fingerprint Identification System
JP4842363B2 (ja) * 2009-11-17 2011-12-21 シャープ株式会社 ポインティング装置および電子機器
EP2596478B1 (en) * 2010-07-19 2019-09-04 Risst Ltd. Fingerprint sensors and systems incorporating fingerprint sensors
CN102386107B (zh) * 2010-09-01 2015-04-01 群成科技股份有限公司 四边扁平无接脚封装方法
CN102446268A (zh) * 2010-09-30 2012-05-09 神盾股份有限公司 指纹防伪装置及其方法
JP5541137B2 (ja) * 2010-12-15 2014-07-09 ソニー株式会社 撮像装置、電子機器、太陽電池、および、撮像装置の製造方法
TWI456510B (zh) * 2011-08-24 2014-10-11 Gingy Technology Inc 用於指紋接觸之面板
TWM428490U (en) * 2011-09-27 2012-05-01 Lingsen Precision Ind Ltd Optical module packaging unit
FR2980643A1 (fr) * 2011-09-28 2013-03-29 St Microelectronics Grenoble 2 Boitier electronique optique
TWI562077B (en) * 2012-01-04 2016-12-11 Gingy Technology Inc Method for fingerprint recognition using dual camera and device thereof
TWI486844B (zh) * 2012-09-25 2015-06-01 Au Optronics Corp 光學觸控掃描裝置
JP5682638B2 (ja) * 2013-01-15 2015-03-11 株式会社ニコン 撮像素子
CN103116763B (zh) * 2013-01-30 2016-01-20 宁波大学 一种基于hsv颜色空间统计特征的活体人脸检测方法
TWI517054B (zh) * 2013-04-24 2016-01-11 金佶科技股份有限公司 指紋取像裝置
TW201505135A (zh) * 2013-07-25 2015-02-01 Lingsen Precision Ind Ltd 光學模組的封裝結構
CN104463074B (zh) * 2013-09-12 2017-10-27 金佶科技股份有限公司 真伪指纹的辨识方法及辨识装置
US20150084994A1 (en) * 2013-09-23 2015-03-26 Qualcomm Incorporated Touch-enabled field-sequential color (fsc) display using a light guide with light turning features
JP6340793B2 (ja) * 2013-12-27 2018-06-13 セイコーエプソン株式会社 光学装置
TWM491210U (zh) * 2014-02-18 2014-12-01 Image Match Desgin Inc 具有防偽功能之指紋感測裝置
TWI578411B (zh) * 2014-04-03 2017-04-11 精材科技股份有限公司 晶片封裝體的製造方法
US8917387B1 (en) * 2014-06-05 2014-12-23 Secugen Corporation Fingerprint sensing apparatus
CN104103650B (zh) * 2014-07-09 2018-03-23 日月光半导体制造股份有限公司 光学模块及其制造方法以及包括光学模块的电子装置
TWM537678U (zh) * 2016-09-26 2017-03-01 金佶科技股份有限公司 指紋辨識裝置的封裝結構
JP2015038991A (ja) * 2014-09-03 2015-02-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
TWI549065B (zh) * 2015-01-26 2016-09-11 Gingytech Technology Inc Fingerprint identification method and device thereof
TWI539385B (zh) * 2015-01-28 2016-06-21 金佶科技股份有限公司 光動能指紋辨識模組
US20160240575A1 (en) * 2015-02-13 2016-08-18 Novatek Microelectronics Corp. Optical device
CN104616001B (zh) * 2015-03-04 2018-04-03 上海箩箕技术有限公司 指纹识别系统以及指纹识别方法
CN204424252U (zh) * 2015-03-27 2015-06-24 蔡亲佳 半导体芯片的包埋式板级封装结构
US20160307881A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical sensor module and method for manufacturing the same
KR102434562B1 (ko) * 2015-06-30 2022-08-22 삼성전자주식회사 위조 지문 검출 방법 및 장치, 지문 인식 방법 및 장치
TWI547884B (zh) * 2015-07-09 2016-09-01 金佶科技股份有限公司 指紋辨識模組
TW201705031A (zh) * 2015-07-22 2017-02-01 Egalax_Empia Tech Inc 生物特徵辨識裝置
US10002242B2 (en) * 2015-08-17 2018-06-19 Qualcomm Incorporated Electronic device access control using biometric technologies
WO2017043823A1 (ko) * 2015-09-07 2017-03-16 엘지이노텍 주식회사 감지 장치
CN105205464A (zh) * 2015-09-18 2015-12-30 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 指纹识别方法、指纹识别装置和终端
CN106558572A (zh) * 2015-09-30 2017-04-05 茂丞科技股份有限公司 指纹感测封装模块及其制造方法
CN205354054U (zh) * 2015-12-17 2016-06-29 江苏鼎云信息科技有限公司 基于生命体征的指纹采集器
CN105654469B (zh) * 2015-12-22 2018-11-16 深圳贝申医疗技术有限公司 一种婴儿大便颜色的自动分析方法及系统
CN105512648A (zh) * 2016-01-21 2016-04-20 广东欧珀移动通信有限公司 移动设备及指纹识别感测装置
CN105787322B (zh) * 2016-02-01 2019-11-29 北京京东尚科信息技术有限公司 指纹识别的方法及装置、移动终端
TWM522420U (zh) * 2016-02-17 2016-05-21 Metrics Technology Co Ltd J 指紋感測模組
CN106229331B (zh) * 2016-08-31 2019-03-29 上海箩箕技术有限公司 自发光显示像素
CN106529487A (zh) * 2016-11-18 2017-03-22 上海箩箕技术有限公司 光学指纹传感器模组

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006189949A (ja) * 2004-12-28 2006-07-20 Mitsumi Electric Co Ltd 画像検出装置
JP2007179434A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Casio Comput Co Ltd 画像読取装置
TWM301406U (en) * 2006-05-05 2006-11-21 Lite On Semiconductor Corp Package structure of optical fingerprint gathering module
TWI505414B (zh) * 2013-07-25 2015-10-21
US20160041029A1 (en) * 2014-08-06 2016-02-11 Pixart Imaging (Penang) Sdn. Bhd. Image module package and manufacturing method thereof
US20170061193A1 (en) * 2015-09-02 2017-03-02 Synaptics Incorporated Fingerprint sensor under thin face-sheet with aperture layer
TWI556177B (zh) * 2015-09-18 2016-11-01 Tong Hsing Electronic Ind Ltd 指紋感測裝置及其製造方法
TWI562011B (en) * 2016-03-09 2016-12-11 Chipmos Technologies Inc Optical fingerprint sensor package structure

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