TWI661549B - 有機發光顯示器 - Google Patents

Abstract

根據本揭示的示範性實施例，提供一種製造有機發光顯示器的方法。可在一基板上設置複數個電極。可透過噴墨印刷方式以在該基板的複數個電極上沉積一第一電洞傳導層。可改變該第一電洞傳導層之選定表面局部的液體親近性質以定義發射層侷限範圍。各個發射層侷限範圍可具有一個別地對應於經設置在該基板上之複數個電極各者的局部。可透過噴墨印刷將一有機發光層沉積在各個發射層侷限範圍內。

Description

有機發光顯示器

技術領域

本揭示的觀點大致上關於電子顯示器以及用於製作電子顯示器的方法。尤其，本揭示的觀點是關於在基板上沉積並侷限主動式有機發光二極體(OLED)顯示材料，以製造OLED顯示器。

相關申請案之交互參照

本申請案為2013年9月18日申審之美國專利申請案第14/030,776號的部份接續案，其主張2013年1月17日申審之美國臨時專利申請案第61/753,692號的優先權。此申請案亦主張2013年1月17日申審之美國臨時專利申請案第61/753,713號的優先權。茲將前述該等申請案各者依其整體而按參考方式併入本案。

本揭所使用的段落係為組織性之目的所運用，並且在各方面皆不應詮釋為限制所述的主題項目。

電子顯示器出現在各種不同的電子設備裡，例如像是電視螢幕、電腦監視器、行動電話、智慧型電話、平板電腦、手持式遊戲機等等。而其中一種電子顯示器是仰賴於有機發光二極體(OLED)技術。OLED技術是 運用經夾置於裝設在一基板上之兩個電極間的有機發光層。可將一電壓施加跨於該等電極上，藉以激發電荷載體並注入於該有機發光層內。可透過電荷載體鬆釋返回至正常能量狀態的發光作用來發射光線。OLED技術可提供具有相當高對比度的顯示結果，因為可個別地定址各個像素以僅在所針對像素裡產生光線發射。OLED顯示器亦可由於像素的發光本性以提供寬廣的視角。OLED顯示器相較於其他顯示技術具有改善的電力效率，原因是OLED像素僅在當被直接地驅動時才會耗用電力。此外，由於該技術的光線產生性質無須在顯示器本身內部設置光源以及輕巧的裝置結構之故，因此比起其他顯示器技術來說所生產的面板可更為輕薄。由於主動式OLED覆層的相符性質，所以OLED顯示器亦可製造為具有彈性且可彎折。

噴墨印刷是一種可運用於OLED製造的技術並且可減少製造成本。噴墨印刷利用含有OLED覆層材料的墨劑液滴以及一或更多自噴嘴依高速射出的載荷流體來生產一或更多主動式OLED覆層，其中包含例如電洞注入層、電洞傳送層、電子阻擋層、有機發光層、電子傳送層、電子注入層及/或電洞阻擋層。

同時通常會在基板上提供像是邊堤的侷限結構以定義侷限凹井，其中各個侷限凹井可為關聯於一或更多子像素，例如不同顏色或波長發射的子像素。侷限凹井可防止所沉積主動式OLED材料在相鄰的子像素之間出現擴漫。噴墨印刷方法會要求高精準度。尤其，當像素密度提高及/或顯示器尺寸減小時，侷限凹井的侷限面積會減少，並且液滴設置上的微小誤差可能造成所沉積液滴偏離到所欲侷限凹井之外。此外，液滴容積相對於侷限凹井也可能會過大，並且液滴可能非所樂見地溢流到相鄰的子 像素內。

此外，由於薄膜乾燥的不完美性，所以可能會在接觸到侷限結構的邊緣處形成不均勻的主動式OLED覆層。薄膜乾燥的不完美結果可能肇因於製造程序及/或侷限結構所使用的材料。由於侷限凹井面積減小，因此覆層的不均勻度可能會侵蝕像素的主動發光區域，從而該不均勻度對該像素所發射光線造成非所欲的視覺假影。與像素之主動發光區域相關聯的覆層均勻度相對減少也可能會負面地影響到顯示器的效率度，因為必須更激烈地驅動電極始能獲得相當程度的亮度輸出。當用於侷限結構的材料影響到薄膜乾燥的不完美性時，就可能需要重新調配主動式OLED材料。

此外，主動區域對總體區域之比值的減少，其中該總體區域包含各個像素因侷限結構之故的主動區域與非主動區域以及不均勻主動發光區域，可能會縮短顯示器的壽命。這是因為必須運用更多電流來驅動各個電極以達到等同的顯示器亮度位準，而現已知利用更多電流來驅動各個電極會縮短像素壽命。主動區域對總體區域的比值稱為「填佔因數」。

傳統的噴墨式方法雖可解決一部份與OLED顯示器製造相關聯的問題，然確需持續地加以改善。例如，一直都會需要地改良在OLED製造上的液滴沉積精確度，特別是對於具有高解析度(亦即高像素密度)的OLED顯示器而言尤甚。同時，需要減少在高解析度顯示器中因有機發光層沉積所產生的非所欲視覺假影。而且也需要藉由提高各個像素的填佔因數以改善裝置壽命。除此之外，會需要改善OLED顯示器在高解析度顯示器應用設備上，包含例如高解析度行動電話和平板電腦在內，的使用與製造作業，然不限於此，而這在達到可接受的解析度、電力效率、顯示器壽命 與製造成本方面都會是挑戰。

本揭示可解決一或更多的前述問題，並且/或是達到一或更多的前述所欲特性。自後文說明將隨能知曉其他特性及/或優點。

根據本揭示的示範性實施例，茲提供一種製造有機發光顯示器的方法。可在一基板上設置複數個電極。可透過噴墨印刷方式以在該基板的複數個電極上沉積一第一電洞傳導層。可改變該第一電洞傳導層之選定表面局部的液體親近性質以定義發射層侷限範圍。各個發射層侷限範圍可具有一個別地對應於經設置在該基板上之複數個電極各者的局部。有機發光層可透過噴墨印刷沉積在各個發射層侷限範圍內。

根據本揭示的另一示範性實施例，茲提供一種有機發光顯示器。可在一基板上設置複數個電極。該等複數個電極可為依照陣列組態方式所排置。可在該基板設置一侷限結構。該侷限結構可環繞於該等複數個電極。可在該侷限結構內將一第一傳導層設置在該等複數個電極之上。可改變該第一電洞傳導層之表面局部的液體親近性質以在該第一電洞傳導層內定義發射層侷限範圍。可將一有機發光層沉積在各個發射層侷限範圍內。

在本揭示的另一示範性實施例裡，可藉由所提供製程以製作一種有機發光顯示器。提供一基板，在該基板上設置有複數個電極。透過噴墨印刷方式以在該基板的複數個電極上沉積至少一第一電洞傳導層。可改變該至少一第一電洞傳導層之選定局部的液體親近性質以在該至少一第一電洞傳導層的表面上定義發射層侷限範圍。一有機發光層可透過噴墨印刷沉積在經定義於該至少一第一電洞傳導層中的各個發射層侷限範圍內。

本發明之額外目標與優點將在後文說明中部分地陳述，並且部分地可自該說明而屬顯見，或者可藉由實作本揭教示所習知。可藉由在後載申請專利範圍中所特別指出之各項要素及組合，來瞭解並獲致本揭示的至少一部份目標與優點。

應瞭解前文概要敘述與後文詳細說明兩者皆僅具示範及解釋性質，而非為以限制該等請求項。應瞭解可按其廣義觀點以實作本發明的各種實施例，而無須具備該等示範性特點和實施例的一或更多特性。

A‧‧‧長度

B‧‧‧寬度

B1、B1’、B2‧‧‧延伸維度

BW‧‧‧相鄰凹井

C‧‧‧寬度

CW‧‧‧寬度

C₁、C₂、C₃、C₄‧‧‧縱行

D‧‧‧寬度

E‧‧‧間隔

F‧‧‧間隔

G‧‧‧間隔

H‧‧‧高度

P‧‧‧像素間距

R₁、R₂、R₃、R₄、R₅‧‧‧橫列

S‧‧‧間距

SB1、SB2‧‧‧延伸維度

W‧‧‧主動式區域顯示器凹井

W1‧‧‧寬度

W2‧‧‧寬度

R/G/B‧‧‧色彩(紅光/綠光/藍光)

a、b、c、d、e、f、a’、b’、f’‧‧‧間隔/間距

g‧‧‧預設距離

m、n‧‧‧間隔/間距

100‧‧‧有機發光二極體(OLED)顯示器

102‧‧‧基板

104‧‧‧侷限結構

106‧‧‧電極

106a‧‧‧頂部表面

106b‧‧‧側邊邊緣

107‧‧‧電極

108‧‧‧電極

108a‧‧‧頂部表面

108b‧‧‧側邊邊緣

109‧‧‧電極

110‧‧‧電洞傳導層

112‧‧‧有機發光層

120‧‧‧侷限凹井

130‧‧‧侷限凹井

136‧‧‧電極

137‧‧‧電極

138‧‧‧電極

139‧‧‧電極

140‧‧‧侷限凹井

142‧‧‧電極

144‧‧‧電極

150‧‧‧像素

151‧‧‧像素

152‧‧‧像素

200‧‧‧顯示器

204‧‧‧侷限凹井結構

206‧‧‧電極

208‧‧‧電極

210‧‧‧覆層

212‧‧‧覆層

216‧‧‧表面特性

220‧‧‧侷限凹井

300‧‧‧OLED顯示器

302‧‧‧基板

304‧‧‧侷限結構

306‧‧‧電極

308‧‧‧電極

310‧‧‧電洞傳導層

312‧‧‧有機發光層

314‧‧‧定義層

320‧‧‧侷限凹井

330‧‧‧侷限凹井

336‧‧‧電極

338‧‧‧電極

400‧‧‧顯示器

402‧‧‧基板

404‧‧‧侷限結構

406‧‧‧電極

408‧‧‧電極

410‧‧‧電洞傳導層

412‧‧‧有機發光層

414‧‧‧定義層

416‧‧‧額外定義層

417‧‧‧槽格

420‧‧‧侷限凹井

500‧‧‧OLED顯示器

502‧‧‧基板

504‧‧‧侷限結構

506‧‧‧電極

508‧‧‧電極

510‧‧‧電洞傳導層

512‧‧‧有機發光層

514‧‧‧定義層

516‧‧‧表面特性

600‧‧‧OLED顯示器

602‧‧‧基板

604‧‧‧侷限結構

604’‧‧‧覆層

605‧‧‧局部

606‧‧‧電極

607‧‧‧遮罩

608‧‧‧電極

610‧‧‧電洞傳導層

612‧‧‧有機發光層

614‧‧‧定義層

616‧‧‧表面特性

618‧‧‧額外定義層

620‧‧‧侷限凹井

650‧‧‧噴墨噴嘴

651‧‧‧有機發光材料液滴

700‧‧‧OLED顯示器

704‧‧‧侷限結構

706‧‧‧電極

707‧‧‧電極

708‧‧‧電極

709‧‧‧電極

720‧‧‧侷限凹井

730‧‧‧侷限凹井

736‧‧‧電極

737‧‧‧電極

738‧‧‧電極

739‧‧‧電極

740‧‧‧侷限凹井

742‧‧‧電極

744‧‧‧電極

750‧‧‧像素

751‧‧‧像素

752‧‧‧像素

753‧‧‧像素

800‧‧‧OLED顯示器

806‧‧‧電極

807‧‧‧電極

808‧‧‧電極

809‧‧‧電極

820‧‧‧侷限凹井

830‧‧‧侷限凹井

836‧‧‧電極

837‧‧‧電極

838‧‧‧電極

839‧‧‧電極

840‧‧‧侷限凹井

842‧‧‧電極

844‧‧‧電極

850‧‧‧像素

851‧‧‧像素

852‧‧‧像素

853‧‧‧像素

900‧‧‧OLED顯示器

904‧‧‧侷限結構

920‧‧‧侷限凹井

926‧‧‧電極

928‧‧‧電極

930‧‧‧侷限凹井

936‧‧‧電極

938‧‧‧電極

940‧‧‧侷限凹井

946‧‧‧電極

950‧‧‧像素

951‧‧‧像素

1000‧‧‧OLED顯示器

1004‧‧‧侷限結構

1020‧‧‧凹井

1026‧‧‧電極

1027‧‧‧電極

1028‧‧‧電極

1029‧‧‧電極

1030‧‧‧凹井

1036‧‧‧電極

1037‧‧‧電極

1038‧‧‧電極

1039‧‧‧電極

1040‧‧‧凹井

1046‧‧‧電極

1048‧‧‧電極

1050‧‧‧像素

1051‧‧‧像素

1100‧‧‧OLED顯示器

1104‧‧‧侷限結構

1120‧‧‧侷限凹井

1126‧‧‧電極

1127‧‧‧電極

1128‧‧‧電極

1129‧‧‧電極

1130‧‧‧侷限凹井

1136‧‧‧電極

1137‧‧‧電極

1138‧‧‧電極

1139‧‧‧電極

1140‧‧‧侷限凹井

1146‧‧‧電極

1148‧‧‧電極

1150‧‧‧像素

1151‧‧‧像素

1200‧‧‧OLED顯示器

1204‧‧‧侷限結構

1220‧‧‧侷限凹井

1230‧‧‧侷限凹井

1240‧‧‧侷限凹井

1250‧‧‧像素

1251‧‧‧像素

1252‧‧‧像素

1254‧‧‧像素

1255‧‧‧像素

1300‧‧‧OLED顯示器

1304‧‧‧侷限結構

1320‧‧‧侷限凹井

1330‧‧‧侷限凹井

1340‧‧‧侷限凹井

1350‧‧‧像素

1351‧‧‧像素

1352‧‧‧像素

1354‧‧‧像素

1355‧‧‧像素

1400‧‧‧顯示器

1404‧‧‧侷限結構

1420‧‧‧侷限凹井

1430‧‧‧侷限凹井

1440‧‧‧侷限凹井

1450‧‧‧像素

1500‧‧‧OLED顯示器/監視器

1502‧‧‧外框

1504‧‧‧支架

1506‧‧‧顯示器局部

1600‧‧‧OLED顯示器

1602‧‧‧主體

1064‧‧‧顯示器局部

1606‧‧‧操作切換器

1700‧‧‧傳統像素佈置

1704‧‧‧侷限結構

1720‧‧‧子像素

1726‧‧‧電極

1730‧‧‧子像素

1736‧‧‧電極

1740‧‧‧子像素

1746‧‧‧電極

1750‧‧‧像素

1900‧‧‧OLED顯示器

1902‧‧‧基板

1904‧‧‧侷限結構

1906‧‧‧電極

1908‧‧‧主動式範圍

1910‧‧‧非主動式範圍

1911‧‧‧第一電洞傳導材料

1912‧‧‧第一電洞傳導層

1913‧‧‧單一電洞傳導層

1914‧‧‧噴墨噴嘴

1916‧‧‧液滴

1917‧‧‧第二電洞傳導材料

1918‧‧‧第二電洞傳導層

1920‧‧‧液滴

1922‧‧‧遮罩

1923‧‧‧輻射來源

1924‧‧‧液體親近範圍

1924r/g/b‧‧‧液體親近範圍(紅/綠/藍)

1925‧‧‧液體排斥局部

1926‧‧‧液體排斥範圍

1928‧‧‧液體親近範圍的區域

1930‧‧‧液體親近範圍邊際

1932‧‧‧有機發光層

1933‧‧‧乾燥化之有機發光層

1934‧‧‧液滴

1936‧‧‧第二電極層

1938‧‧‧像素定義層

2000‧‧‧OLED顯示器

2006‧‧‧電極

2007‧‧‧電極

2008‧‧‧電極

2009‧‧‧電極

2016‧‧‧電極

2017‧‧‧電極

2018‧‧‧電極

2019‧‧‧電極

2020‧‧‧子像素

2022‧‧‧電極

2024‧‧‧電極

2026‧‧‧第二電洞傳導層

2030‧‧‧子像素

2034‧‧‧發射層侷限範圍

2036‧‧‧電極

2037‧‧‧電極

2038‧‧‧電極

2039‧‧‧電極

2040‧‧‧子像素

2042‧‧‧電極

2044‧‧‧電極

2050‧‧‧像素

2051‧‧‧像素

2052‧‧‧像素

經併入在本專利文件內且組成其一部分的隨附圖式敘述本揭示的多項示範性實施例，並且連同於該說明而用以解釋其原理。在各圖式中：圖1為一傳統像素排置的部份平面視圖；圖2為一根據本揭示之示範性像素排置的部份平面視圖；圖3A為一根據本揭示的圖1示範性實施例之侷限凹井沿直線3A-3A的截面視圖；圖3B為一根據本揭示的圖1示範性實施例之複數個侷限凹井沿直線3B-3B的截面視圖；圖4為一根據本揭示類似於圖3A視圖之另一侷限凹井示範性實施例的截面視圖；圖5A為一根據本揭示類似於圖3A視圖之另一侷限凹井示範性實施例的截面視圖；圖5B為一根據本揭示類似於圖3B視圖之另一侷限凹井實施例的截面 視圖；圖6為一根據本揭示又另一侷限凹井示範性實施例的截面視圖；圖7為一根據本揭示又另一侷限凹井示範性實施例的截面視圖；圖8-11為另一侷限凹井示範性實施例的截面視圖以及用於產生根據本揭示之OLED顯示器的示範性步驟；圖12-19為各種根據本揭示之示範性像素排置的部份平面視圖；圖20為一含有根據本揭示的電子顯示器之示範性設備的前側視圖；圖21為一含有根據本揭示的電子顯示器之另一示範性設備的前側視圖；圖22為一含有根據本揭示的OLED顯示器之示範性設備的平面視圖；圖23為一根據本揭示的圖22示範性實施例之OLED沿直線23-23的截面視圖；圖24-29為另一OLED顯示器示範性實施例的截面視圖，圖中描繪用以產生根據本揭示之OLED顯示器的示範性步驟；圖30為圖29所述之放大局部M的截面視圖；圖31為圖29所述之放大局部M的平面視圖；圖32為根據本揭示的另一OLED顯示器示範性實施例之放大局部的另一平面視圖；圖33為圖29放大局部M之替代性示範性實施例的截面視圖；圖34-36為另一OLED顯示器示範性實施例的截面視圖，圖中描繪用以產生根據本揭示之OLED顯示器的示範性步驟；圖37為根據本揭示圖29放大局部M之另一替代性示範性實施例的截 面視圖；圖38及39為另一OLED顯示器示範性實施例的截面視圖，圖中描繪用以產生根據本揭示之OLED顯示器的示範性步驟；圖40為根據本揭示圖39所示另一OLED顯示器示範性實施例之放大局部的截面視圖；以及圖41為一根據本揭示之示範性像素排置的部份平面視圖。

現將詳細參照於本揭示的各種示範性實施例，其等範例可如隨附圖式中所示。將在全篇各圖式中盡可能地使用相同的參考編號，藉以指稱相同或類似的部分。

對於本說明書與後載申請專利範圍而言，除另表明者外，所有表示數量、百分比或比例的數字以及在本說明書與申請專利範圍中所使用的其他數值皆應詮釋為在所有實例中皆按「概約」而修改至該等未作如此修改的程度。因此，除另說明外，在如後說明與後載申請專利範圍中所陳述的數值參數為確可依照所欲獲得之性質而變的近似值。在至少情況下，同時非為限制本申請專利範圍等同項目之教義的運用性，各個數值參數應至少是藉由所述有效數字的數量所詮釋，並且藉常規捨入技術所施用。

注意到，即如在本申請案文和後載申請專利範圍中所使用者，除顯著地且明確地外受限於單一參照物者外，單數形式「一」和「該」以及任何字詞的單數運用皆包含複數性的參照。即如本揭中所使用者，該詞彙「包含」及其文法變化項係欲為非限制性，使得在列表中的項目引述並不排除可取代或增添於該等所列項目的其他類似項目。

此外，本案文中的術語詞彙非為限制本發明。例如，空間性相對詞彙-像是「下方」、「低於」、「底下」、「頂部」、「底部」、「高於」、「上方」、「水平」、「垂直」等等-可用以描述某一構件或特性按附圖所表示相對於另一構件或特性的關係。這些空間性相對詞彙係欲以涵蓋一裝置，除圖式所示之位置與指向外，在使用或操作中的不同定位(亦即位置)與指向(亦即旋轉設置)。例如，若圖式中某一裝置翻轉，則原先描述為位於其他構件或特性「底下」或「之下」的構件就會位於其他構件或特性「頂上」或「之上」。因此，該示範性詞彙「之下」可依照該裝置的整體指向而定涵蓋上方與下方的位置及指向兩者。可另變一裝置的指向(旋轉90度或其他指向)，同時在此使用的空間相對描述詞則為據此所解譯。

即如本文所述，「像素」係為表示一發光像素陣列之最小功能性完整且重複性的單元。該詞彙「子像素」係為表示一像素中組成該像素之離散性發光部份的局部，然非必然是所有的發光部份。例如，在完整的彩色顯示器裡，一像素中可含有像是紅、綠及藍的三原色子像素。而在單色顯示器裡，該詞彙子像素與像素則為等同，並且可互換地運用。

該辭彙「耦接」在當用以參照電子元件時是為表示兩個或更多電子元件、電路、系統或是下列項目之任何組合的連接、鏈結或關聯：(1)至少一電子元件，(2)至少一電路，或(3)至少一系統，而藉此可將信號(即如電流、電壓或光學信號)自其一者傳送至另一者。這些兩個或更多電子元件、電路或系統的連接、鏈結或關聯可為直接；或另者，可出現中介性的連接、鏈結或關聯，且因而耦接不必然地需為實體連接。

熟習本項技藝之人士概能接受詞彙「高解析度」是表示每英 吋大於100像素(ppi)的解析度，其中300ppi有時是表示非常高的解析度。熟習本項技藝之人士亦能認知像素密度並不直接地關聯於顯示器的尺寸。本揭各種示範性實施例可用以在小型與大型顯示器尺寸達到高解析度。例如，具有3英吋至11英吋之尺寸的顯示器可實作為高解析度顯示器。此外，亦可將具有更大尺寸的顯示器，像是達55”或更大的電視機螢幕，運用於本揭示的各種示範性實施例，以達高解析度顯示。

即如本揭所述，位於一表面「之上」的覆層或結構是包含兩種情況，即其中該覆層為直接地相鄰且直接地接觸到構成於其上的表面，以及其中在構成於此表面上的覆層或結構之間存在有中介性覆層或結構。

該詞彙「反應性表面-主動式材料」是表示一種材料，可利用此材料以在顯示器的製造過程中當施用於該覆層的表面時對OLED顯示器之覆層的至少一性質加以修改。例如，當處理該反應性表面-主動式材料時，像是令該材料受曝於輻射，則可改變該覆層中與該反應性表面-主動式材料之物理、化學及/或電氣性質的至少一者。在一示範性實施例裡，利用該等詞彙「液體親近範圍」和「液體排斥範圍」以表示，於對該反應性表面-主動式材料進行處理之前及/或之後，在與該反應性表面-主動式材料相關聯之覆層的表面上產生的所獲相對表面能量。例如，該「液體親近範圍」可用來表示該覆層表面中的一局部，此局部具有傾向於吸引液體的表面能量，使得例如當該液體為水性流體時一液體親近範圍局部可為相當地親水性。而該「液體排斥範圍」可用來表示該覆層表面中的一局部，此局部具有傾向於斥離液體的表面能量，使得例如當該液體為水性流體時一液體排斥局部可為相當地斥水性。然液體排斥局部並非全然地對流體為完全排斥 性。換言之，液體排斥局部並非具有全然斥離流體的表面能量，而是當一液體排斥局部鄰近一液體親近範圍時，液體將傾向於移離於該液體排斥範圍且被吸引至該液體親近範圍。

在OLED顯示器製造技術中各種因素皆可能對有機發光層的沉積精準度產生影響。這些因素包含例如顯示器解析度、液滴大小、目標液滴區域、液滴設置誤差、與OLED層材料(即如主動式OLED材料)墨劑相關聯的流體性質(即如表面張力、黏滯度、沸點)，而這些墨劑含有OLED層材料與一或更多載荷流體的組合，以及液滴沉積的速度。隨著顯示器解析度增高，例如大於100ppi或大於300ppi，在將噴墨印刷技術運用於OLED顯示器製造上就會出現各種問題。傳統印刷技術中所使用的高精準度噴墨頭可產生範圍自約1微微升(pL)至約50微微升(pL)的液滴大小，而對於高精準度噴墨印刷應用項目約10pL則是相當普遍的尺寸。傳統噴墨印刷系統的液滴設置正確度約為±10μm。在各種示範性實施例中，可在基板上提供侷限凹井以補償液滴設置誤差。侷限凹井是一種可避免OLED材料移離越過所欲子像素區域的結構。為確保液滴能夠正確地登著於一基板上的所欲位置處，像是完全地位於一侷限凹井內，各種示範性實施例可將該侷限凹井的寬度組態設定為該液滴直徑再加上該系統之液滴設置誤差的兩倍。例如，一10pL液滴的直徑約為25μm，因而前述參數是表示利用在其最小維度上具有至少45μm(亦即25μm+(2*10μm))的侷限凹井。而即使是對於1pL的液滴，液滴直徑為12μm，這表示在其最小維度上為至少32μm的侷限凹井。

在具有達100ppi解析度的OLED顯示器裡，可運用仰賴於 在其最小維度上為至少45μm之侷限凹井的各種像素佈置。不過，在具有高於100ppi的高解析度顯示器裡，例如10pL液滴會過大，同時液滴設置正確度不良以至於無法可靠地供以將液滴一致性地載入至各子像素附近的侷限凹井內。此外，即如前述，對於高解析度顯示器而言，用於定義侷限凹井之結構覆蓋到顯示區域的量增加會對各個像素的填佔因數造成負面影響，其中填佔因數是定義為該像素之發光面積相對於總像素面積的比值。當填佔因數減小，就必須更激烈地驅動各個像素才能達到相同的整體顯示亮度，從而劣化顯示器之各個像素的壽命與效能。

為進一步說明一部份有關運作於極高解析度顯示器的前述問題，圖1顯示一傳統的像素佈置1700。該像素1750可含有子像素1720、1730、1740，此等係依逐側組態的方式所排置，其中子像素1720為關聯於紅光頻譜範圍的發光，子像素1730為關聯於綠光頻譜範圍的發光，並且子像素1740為關聯於藍光頻譜範圍的發光。而各個子像素是由形成直接地對應於該等子像素1720、1730、1740之侷限凹井的侷限結構1704所環繞。一子像素電極可為關聯於各個侷限凹井，使得電極1726對應於子像素1720，電極1736對應於子像素1730，而且電極1746對應於子像素1740。子像素1720可具有寬度D，子像素1730可具有寬度C並且子像素1740可具有寬度B，這些值可為相同或彼此互異。即如圖示，所有子像素皆可具有長度A。此外，維度E、F和G可表示這些侷限凹井開口之間的間隔。在一些實例裡，維度E、F、G所指配的數值可能很大，像是大於100μm，特別是在較低解析度的顯示器中尤甚。然而，對於高解析度顯示器來說，會希望是將這些維度最小化，藉以令主動像素區域最大化並因此使得填佔因數為最高。即 如圖1所示，由陰影範圍所表示的主動像素區域為該等子像素侷限凹井各者之內的整個區域。

各種因素都可能對維度E、F、G造成影響，例如像是這些維度E、F、G的最小值可能會受限於處理方法。例如，在本揭所述的各式示範性實施例裡，是以E=F=G=12μm來作為最小維度。例如，在具有326ppi解析度的顯示器中，像素間距可為等於78μm，並且E=F=G=12μm。與該等子像素1720、1730、1740各者相關聯的侷限凹井可具有14μm×66μm(亦即維度B×A、C×A及D×A)的目標液滴區域，其中14μm顯著地小於45μm，即前文關於利用具有10pL容積之噴墨液滴所述的最小維度。此值亦小於前文中對於1pL液滴所述的32μm維度。此外，該像素的填佔因數，被定義為主動式像素區域(亦即與光線發射相關聯的區域)對總像素區域的比值，為46%。換言之，54%的像素面積是對應於侷限結構1704。沿著相同直線，在具有440ppi解析度的顯示器中，像素間距P可為等於58μm，並且E=F=G=12μm。與該等發光子像素1720、1730、1740各者相關聯的侷限凹井可具有例如7μm×46μm的目標液滴區域，其中7μm顯著地小於前文對於10pL和1pL噴墨液滴兩者之正確液滴設置所述的最小維度。在本例中，對於具有440ppi之顯示器的填佔因數約為30%。

根據本揭所述之各式示範性實施例的沉積技術在對於例如像是高解析度顯示器之電子顯示器的侷限凹井載入與主動式OLED覆層沉積作業方面可提供改良的可靠度。主動式OLED覆層可包含例如下列覆層的一或更多者：電洞注入層、電洞傳送層、電子阻擋層、有機發光層、電子傳送層、電子注入層及電洞阻擋層。對於電子顯示器來說，有些前述主 動式OLED覆層的實作較受偏好，而有些前述主動式OLED覆層的實作則為選擇性質。例如，必須出現有至少一電洞傳導層，像是電洞注入層或電洞傳送層，以及有機發光層。所有其他的前述覆層可為依照需求所納入，藉以改變(即如改善)像是OLED顯示器之電子顯示器的光線發射和電力效率。

本揭所述的各種侷限凹井組態示範性實施例可增大侷限凹井的尺寸而同時維持高像素解析度。例如，各種示範性實施例可運用相對較大而展跨複數個子像素的侷限凹井，藉以在沉積這些主動式OLED覆層時提供使用可達到的液滴大小和傳統的印刷系統正確度，並同時獲得相當高的像素密度。從而，可使用在1pL至50pL範圍內沉積液滴容積的噴墨噴嘴，而不必以較小的液滴容積和新的印刷系統特殊地組態設定或重新組態設定印刷頭，這些可能是無法獲用。此外，藉由使用這些較大的侷限凹井，微小的製造誤差並不會對沉積精準度造成顯著的負面影響，同時所沉積的主動式OLED覆層會維持包含在該侷限凹井內。

根據各種示範性實施例，噴墨印刷技術可供足夠均勻地沉積該等主動式OLED覆層。例如，在OLED顯示器內通常使用到的各種元件會在侷限凹井之頂部表面層上造成不同高度的形貌，例如約100奈米(nm)或更高而多變的高度。例如，像是電極的元件可沉積在基板上使得在相鄰電極之間形成溝隔，藉以構成可分別定址的電極而各者為關聯於一不同子像素。然無論是將哪些主動式OLED覆層沉積在裝設於該顯示器之基板的電極上，這些電極之頂部表面的平面與該顯示器基板在相鄰電極間之範圍內的頂部表面間之高度差異都會對後續沉積之OLED覆層的形貌產生貢 獻。根據本揭示的示範性噴墨印刷技術和所獲顯示器可供沉積出主動式OLED覆層而使得該等主動式OLED覆層的厚度在例如主動式電極範圍上為足夠地均勻，其中該等主動式電極範圍可為與發出光線的主動式子像素區域相關聯之電極的範圍。在一示範性實施例裡，該OLED層的厚度至少在該主動式電極範圍上可為小於該子像素電極的厚度。該等OLED層在該主動式電極範圍上的足夠均勻厚度可減少非所欲的視覺假影。例如，可實作OLED墨劑配方和印刷製程以將一給定沉積區域內之所沉積薄膜厚度的非均勻度最小化，即使是當該區域含有電極與非電極範圍兩者時亦然。換言之，在沉積區域裡未被電極結構所覆蓋的局部可對OLED覆層形貌有所貢獻，使得該OLED覆層能夠足夠相符於該沉積區域內沉積於其上的底層結構。將所沉積之薄膜厚度的非均勻度最小化可在當定址並啟動一特定子像素電極時提供顯著均勻的光線發射。

根據又另一示範性實施例，本揭示所考量的像素佈置組態可增加主動式範圍面積。例如，侷限結構可定義具有跨展於複數個子像素上之連續區域的侷限凹井，使得該顯示器的非主動式局部(即如與侷限結構相關聯的基板區域)減小。例如，不以即如在各種傳統的OLED顯示器中侷限結構是環繞於各個子像素電極，而是可由一侷限結構環繞複數個經個別定址的子像素電極，其中各個子像素電極可關聯於一不同像素。藉由減少侷限結構所佔面積即可將填佔因數最大化，因為各個像素裡非主動式範圍對主動式範圍的比值提高。此填佔因數增大可在較小尺寸的顯示器中提供高解析度，並且改善顯示器的壽命。

根據又另一其他示範性實施例，本揭示考量到一種有機發光 顯示器，此者含有一經設置在基板上的侷限結構，其中該侷限結構定義按陣列組態的複數個凹井。該顯示器進一步含有複數個經設置在各個凹井內且為彼此相隔的電極。該顯示器進一步在該等複數個凹井的至少一者內可含有第一、第二及第三有機發光覆層，而各覆層分別地具有第一、第二及第三發光波長範圍。經設置在與該等第一及第二有機發光覆層相關聯之凹井內的多個電極是不同於經設置在與該第三有機發光覆層相關聯之凹井內的多個電極。

根據又另一其他示範性實施例，本揭示考量到一種有機發光顯示器，此者含有一經設置在基板上的侷限結構，其中該侷限結構定義按陣列組態的複數個凹井，包含第一凹井、第二凹井和第三凹井。該顯示器進一步可含有第一複數個電極，此等設置在該第一凹井內且關聯於一不同像素；第二複數個電極，此等設置在該第二凹井內且關聯於一不同像素；以及至少一第三電極，此等設置在該第三凹井內，其中設置在該等第一及第二凹井各者之內的多個電極不同於設置在該第三凹井之內的多個電極。該顯示器可進一步含有第一有機發光層，此覆層具有第一發光波長範圍而設置在該第一凹井內；第二有機發光層，此覆層具有第二發光波長範圍而設置在該第二凹井內；以及第三有機發光層，此覆層具有第三發光波長範圍而設置在該第三凹井內。

根據各種其他示範性實施例，像素佈置組態可予設置以延長該裝置的壽命。例如，子像素電極大小可為基於相對應的有機發光覆層波長範圍。例如，與藍光波長範圍發光相關聯的子像素電極可為分別地大於與紅光或綠光波長範圍發光相關聯的子像素電極。在OLED裝置中與藍光 發射相關聯的有機層相比於與紅光或綠光發射相關聯的有機層通常會具有較短的壽命。此外，操作OLED裝置以達到較低亮度位準是能夠延長裝置的壽命。除驅動藍光子像素以達到低於紅光與綠光子像素之亮度的相對亮度外(即如熟習本項技藝之人士所熟知者，在定址該子像素時藉由調整所供應電流)，藉由分別地相對於紅光與綠光子像素擴增藍光子像素的發射區域，藍光子像素可更佳地平衡不同色彩之子像素的壽命，而同時仍能提供該顯示器適當的整體色彩平衡性。這種壽命平衡改善可藉由延長藍光子像素的壽命以增加顯示器的整體壽命。

圖2說明一根據本揭示範性實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器100之示範性像素排置的部份、平面視圖。圖3A說明一基板示範性實施例中沿圖2之區段3A-3A的截面視圖，圖中描繪各種用以形成OLED顯示器的結構。圖3B說明一基板示範性實施例中沿圖2之區段3B-3B的截面視圖，圖中描繪各種用以形成OLED顯示器的結構。

該OLED顯示器100概略含有複數個像素，即如像是由虛線邊界150、151、152所定義者，而當被選擇性地驅動時可發射光線以對使用者產生待予顯示的影像。在全彩顯示器中，像素150、151、152可含有複數個具有不同色彩的子像素。例如，即如圖2所示，像素150可含有紅光子像素R，綠光子像素G和藍光子像素B。即如可自圖2的示範性實施例所見，該等子像素無需擁有相同尺寸，然在一示範性實施例中則確為如此。像素150、151、152可為由驅動電路所定義，此電路可令光線發射而使得無需額外結構即能定義像素。或另者，本揭示的示範性實施例考量到各種新穎的像素定義結構排置，而可供納入在該顯示器100之內俾界定該等複數個像 素150、151、152。熟習本項技藝之人士確明瞭為提供像素與子像素間之清晰界定的傳統像素定義結構之材料與排置方式。

除圖2之外，現連同參照圖3A和3B，該OLED顯示器100含有一基板102。該基板102可為任何硬固或彈性結構，可包含一或更多個含有一或更多種材料的覆層。該基板102可為例如玻璃、聚合物、金屬、陶瓷或該等的組合。雖為簡明之故而未另加說明，然該基板102確可包含熟習本項技藝之人士所眾知的額外電子元件、電路或傳導構件。例如，薄膜電晶體(TFT)(未予圖示)可在沉積後文詳加討論的任何其他結構之前先構成於該基板上。TFT可包含例如主動式半導體覆層薄膜、介電層以及金屬接點的至少一者，並且熟習本項技藝之人士將能知曉製造此等TFT所使用的材料。可沉積任何主動式OLED覆層以配合於由TFT或該基板102上形成之其他結構所產生的任何形貌，即如後文所詳述。

可將多個侷限結構104沉積在該基板102上，使得該等侷限結構104定義複數個侷限凹井。例如，該等侷限結構104可為一種邊堤結構。複數個子像素可為關聯於各個侷限凹井，並且沉積在各個侷限凹井內的有機發光材料可讓所有與該侷限凹井相關聯的子像素能夠具有相同的發光色彩。例如，在圖2的排置中，侷限凹井120可收納與發射標為紅光R之子像素相關聯的OLED墨劑液滴，侷限凹井130可收納與發射標為綠光G之子像素相關聯的OLED墨劑液滴，並且侷限凹井140可收納與發射標為藍光B之子像素相關聯的OLED墨劑液滴。熟習本項技藝之人士將能瞭解，即如後文中進一步詳述者，這些侷限凹井亦可收納各種其他的主動式OLED覆層，包含例如額外的有機發光材料和電洞傳導層，然不限於此。

該等侷限結構104可定義侷限凹井120、130、140以侷限與複數個子像素相關聯的材料。此外，侷限結構104可避免OLED墨劑漫流到相鄰的凹井內，並且/或者能夠輔助(透過適當的幾何與表面化學)進行載入且乾燥製程，使得所沉積薄膜在由該等侷限結構104所界定的範圍內為連續。例如，所沉積薄膜的邊緣可接觸到環繞於該等侷限凹井120、130、140的侷限結構104。該等侷限結構104可為單一結構，或者可為由複數個形成該等侷限結構104的分別結構所組成。

該等侷限結構104可為由各種材料所構成，例如像是即如光可成像聚合物的光阻材料或光敏矽質介電物。該等侷限結構104可含有一或更多有機成份，而且在經處理之後，大致惰性於OLED墨劑的侵蝕作用，具有低排氣性，在侷限凹井邊緣處具有顯淺(即如小於25度)的側壁斜度，及/或對於沉積在該侷限凹井內的一或更多OLED墨劑具有高恐斥性，同時可為依照所欲應用項目而選定。適當材料的範例包含PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PMGI(聚甲基戊二酰亞胺)、DNQ-酚醛清漆(化學重氮萘醌與不同苯酚甲醛樹脂的組合)、SU-8阻劑(一種由MicroChem Corp.製造且廣泛使用、私屬的環氧樹脂式阻劑)、傳統光阻劑的氟化變異物，及/或任何前文所述材料，以及有機矽質阻劑，而該等各者可為進一步彼此合併或合併於一或更多添加劑，藉以進一步調整該等侷限結構104的所欲特徵。

該等侷限結構104可定義具有任何形狀、組態或排置的侷限凹井。例如，該等侷限凹井120、130、140可具有任何形狀，像是長方形、正方形、圓形、六角形等等。在單一顯示器基板中的侷限凹井可具有相同的形狀及/或尺寸，或者是不同的形狀及/或尺寸。與不同發光色彩相關聯的 侷限凹井可具有不同或相同的形狀及/或尺寸。此外，相鄰的侷限凹井可為關聯於交替的發光色彩，或者相鄰的侷限凹井可為關聯於相同的發光色彩。此外，侷限凹井可為依照縱行及/或橫列所排置，其中這些縱行及/或橫列可具有均勻或非均勻的對準性。

侷限凹井可為利用任何各種製造方法所構成，例如像是噴墨印刷、噴嘴印刷、狹縫塗覆、自旋塗覆、噴灑塗覆、網版印刷、真空熱性汽化、濺射(或其他物理汽相沉積方法)、化學汽相沉積等等，同時可藉由利用陰影遮罩、一或更多微影蝕刻步驟(即如光阻塗覆、曝光、顯影和剝除)、濕性蝕刻、乾性蝕刻、提移等等，以完成任何其他在沉積技術過程中未另達成的圖案化處理。

即如圖2所示，可藉由該等侷限結構104來定義根據各種示範性實施例的侷限凹井120、130、140以令該等展跨於複數個像素150、151、152。例如，像素150含有一紅光子像素R、一綠光子像素G和一藍光子像素B，而這些是不同侷限凹井120、130、140的各個部份。各個侷限凹井120、130、140可含有複數個電極，像是106、107、108、109、136、137、138、139、142、144，其中位於該等侷限凹井120、130、140之內的電極可為彼此相隔而使得在一侷限凹井內相鄰的電極之間可形成一間隔S。在示範性實施例中，該間隔S可具有足夠大小以將一電極電性隔離於任何相鄰電極，並且尤其是相鄰電極的主動式電極範圍可為彼此互相隔離。該間隔或空間S可減少電流溢漏，並且改善子像素定義與整體的像素定義。

雖為簡明目的而未加說明，然確可在該基板102上設置驅動電路，並且可將此電路設置在主動式像素區域的下方(亦即發光範圍)或是非 主動式像素區域的內部(亦即非發光範圍)。此外，雖未說明，然亦可將電路設置在侷限結構104的下方。驅動電路可耦接於各個電極，使得各個電極可為無關於該侷限凹井內的其他電極而選擇性地定址。由於電極間之間隔S所得到的非均勻形貌範圍可如後文所詳述。

在120、130、140侷限凹井內的各個電極106、107、108、109、136、137、138、139、142、144可為關聯於不同的子像素。例如，即如圖2所示，該侷限凹井120可為關聯於紅光發射。電極106、107、108、109可為設置在該侷限凹井120內，其中各個電極可運作以定址不同像素(即如所示的像素151及152)的子像素。至少兩個電極可為設置在各個侷限凹井120、130、140內。設置在各個侷限凹井120、130、140內之電極的數量對於其他的侷限凹井可為相同或彼此互異。例如，如圖2所示，該侷限凹井140可含有兩個關聯於藍光發射的子像素電極142、144，並且該侷限凹井130可含有四個關聯於綠光發射的子像素電極136、137、138、139。

在一示範性實施例裡，該等侷限結構104可為設置在該等電極106、107、108、109、136、137、138、139、142、144的一局部上。即如圖3A及3B，該侷限凹井120可為由該等侷限結構104所定義，其中該等侷限結構104係經部份地設置在電極106、108的一局部之上，同時也部份地直接在該基板102之上而不在電極上。或另者，該等侷限結構104可在相鄰的侷限凹井之電極間設置在該基板102上。例如，該等侷限結構104可在與不同子像素發射色彩相關聯之電極間所形成的空間內設置在該基板102上，使得該等侷限結構104為直接地設置在該基板102上，而不是設置在電極的任何局部上。按此組態(未予圖示)，對應於子像素的電極可為設置成要 不直接地相鄰於(抵接於)該等侷限結構104，要不該等電極可為相隔於該等侷限結構104從而達成子像素定義。

當將電壓選擇性地施加於一電極106、107、108、109、136、137、138、139、142、144時，就可在一像素，像是像素150、151、152，的子像素內產生發光。電極106、107、108、109、136、137、138、139、142、144可為透明性或反射性，並且可為由導體材料，像是金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物、混合氧化物或其等的組合，所構成。例如，在各種示範性實施例中，該等電極可為由氧化銦錫、鎂銀或者鋁質所製成。電極106、107、108、109、136、137、138、139、142、144可具有任何形狀、排置或組態。例如，參照圖3A，電極106、107、108、109、136、137、138、139、142、144可具有一廓形，使得頂部表面106a、108a可為大致平面性且平行於該基板102的表面，而該等電極的側邊邊緣106b、108b相對於該基板的表面則為大致垂直或者傾角及/或圓角。

進一步注意到電極的主動式局部，亦即與光線發射相關聯的局部，為該電極裡直接地設置在所沉積OLED覆層下方處的局部，而於電極表面與OLED覆層之間並無任何中介性的絕緣基板結構。藉由範例，再度參照圖3A，電極106和108中設置在該等侷限結構104下方的局部會自該電極區域的主動式局部排除，而電極106和108的其餘範圍則是包含在該電極區域的主動式局部內。

該等電極可為依照各種方式所沉積，像是藉由熱性汽化、化學汽相沉積或濺射方法。而電極的圖案化可為例如運用陰影遮罩或微影蝕刻處理所達成。即如前述，電極106、107、108、109、136、137、138、139、 142、144可具有一厚度且為相互分隔而能夠在該基板102上形成一形貌，即如像是在圖3A中按照各種截面視圖所最佳顯示。在一示範性實施例裡，這些電極106、107、108、109、136、137、138、139、142、144的厚度可為自60nm至120nm的範圍，然此範圍並非限制性並亦可能為更大或更小的厚度。

可在各個侷限凹井120、130、140內設置一或更多的主動式OLED覆層，像是圖3A及3B中所示的電洞傳導層110及有機發光層112。該等主動式OLED覆層可為沉積而使得該等可足夠地符合於由侷限凹井120、130、140內之電極106、107、108、109、136、137、138、139、142、144的厚度與其等間隔，以及個別主動式OLED覆層之厚度，所獲致的形貌。例如，該等主動式OLED覆層在一凹井內可為連續並具有厚度，藉以足夠地符合且依循於設置在各侷限凹井內之底層電極結構的所獲形貌。

因此，所沉積的OLED覆層可獲致一並非位在與該基板相平行而跨於整個侷限凹井之單一平面內的表面形貌。例如，由於與經設置在該基板102上之電極所含任何表面特性相關聯的相對凹陷或突出之故，OLED覆層(即，電洞傳導層110和有機發光層112)其一或兩者在該顯示器的單一平面內可為非平面且非連續(其中該顯示器平面係作為一與該基板102相平行的平面)。即如圖示，該等OLED覆層(即，電洞傳導層110和有機發光層112)可足夠地符合於底層表面特性形貌，使得該OLED覆層的頂部表面能夠具有依循這些底層表面特性之形貌的所獲形貌。換言之，各個所沉積OLED覆層足夠地符合於底設覆層及/或沉積在該基板102上的所有表面特性，使得該等底設覆層會貢獻於該等OLED覆層在沉積之後的所獲 非平面頂部表面形貌。依此方式，在跨於該侷限凹井上而與該顯示器之平面相平行的平面裡，可能會藉該侷限凹井內之電極、電路、像素定義層等等所提供的現有表面特性相對於該平面隨此(等)覆層上揚及/或下降而產生出電洞傳導層110和有機發光層112或兩者內的不連續性。該等主動式OLED覆層(即，電洞傳導層110和有機發光層112)雖不需要完美地配合於底層表面形貌(例如於邊緣範圍等等附近處可能在厚度上會有局部的不均勻性，即如後文所詳述)，然足夠高合配度且其中並無顯著材料建積或耗除的鍍層確可有助於產生更加勻稱、平均且重複性的鍍層。

即如圖3A所示，各個電洞傳導層110和有機發光層112在整個侷限凹井120內可為大致地連續，使得各個覆層設置在該侷限凹井120裡大致所有的表面特性上(即如子像素電極、電路、像素定義層等等)，其中各個覆層的邊緣會接觸到環繞該侷限凹井120的侷限結構104。在各種示範性實施例中，可沉積主動式OLED覆層材料以構成完全位於一侷限凹井內部的離散連續層，藉以大致避免該凹井裡該覆層之內出現任何不連續性(亦即該凹井裡無含主動式OLED覆層材料的範圍)。此等不連續性可能會在子像素之發光範圍內導致非所欲的視覺假影。值得注意的是各個電洞傳導層110和有機發光層112在該侷限凹井內雖為大致連續，然因為覆層會足夠地配合於經設置在該等覆層沉積其上之侷限凹井上之特性的現有形貌而上升及/或下降，所以如前文所述在單一平面內仍有可能為不連續。例如，在示範性實施例裡，若此上升及/或下降為一量值，即如100nm，而此值是大於該凹井中所沉積覆層之最薄部份的厚度，即如50nm，則該OLED材料層在該凹井裡與該顯示器相平行的平面內將不會是連續。

電洞傳導層110和有機發光層112在各個侷限凹井內可具有大致均勻的厚度，這可提供更為均勻地發射光線。為本申請案之目的，所謂大致均勻厚度是指OLED覆層在平面性表面範圍上，像是在主動式電極範圍上，的平均厚度，然確亦涵蓋在厚度上的微小變異或局部非均勻性，即如後文所述。在即如106a、108a的平面性表面範圍以及圖3A裡間隔的底部表面上，對於大致均勻OLED鍍層而言，可預期在厚度上肇因於該OLED覆層之平均厚度的變化會小於±20%，像是小於±10%或低於±5%。

不過，即如前述，考量到厚度上的區域性不均勻可能會發生在電洞傳導層110和有機發光層112環繞表面形貌及/或表面化學出現變易的局部內，而且在此等範圍裡薄膜厚度有可能會局部性地顯著偏離前述的±20%、±10%或±5%參數。例如，一連續覆層在厚度上的局部不均勻可能是因為關聯於設置在該基板102上之表面特性的形貌及/或設置在該基板102上之表面特性間，像是在該等侷限凹井結構104的邊緣處、在像素定義層的邊緣處(即如後述)、在電極邊緣側壁上(像是沿著106b、108b)或者電極相會於該基板表面之處，的表面化學變化所導致。局部不均勻可能會造成薄膜厚度的偏差。例如，局部不均勻可能偏離於經設置在該等電極106、108的主動式電極範圍(即如沿著106a、108a)上之電洞傳導層110和有機發光層112的厚度。這些不均勻性通常可在該侷限凹井裡經設置於該基板102上之此等表面特性附近，像是在電極、電路、像素定義層等等的邊緣處，產生約5μm-10μm範圍內的區域性「邊緣效應」偏離。為本申請案之目的，當將OLED薄膜鍍層描述為在該凹井內具有「大致均勻厚度」時是涵蓋這些「邊緣效應」偏離。

在一示範性實施例裡，各個電洞傳導層110和有機發光層112的厚度可為等於或小於電極的厚度，這是由於薄膜內當覆層橫越該等電極的主動式範圍間之間隔時形成凹坑而使得各個覆層的上方表面並非位在與該顯示器之平面相平行的單一平面(亦即與該基板相平行的平面)內。這可如像是圖3A所示，其中提供虛線來說明一與該基板102之平面相平行的平面P。即如圖示，電洞傳導層110和有機發光層112各者在電洞傳導層110和有機發光層112的位於電極106、108之主動式電極範圍上方的範圍內可具有大致均勻的平均厚度。然而，電洞傳導層110和有機發光層112亦可在與因表面特性所造成之形貌變化相關聯的區域裡，像是在這些表面特性的邊緣附近(即如鄰近該間隔之電極106、108的邊緣)，含有微小且區域性的不均勻厚度。

電洞傳導層110和有機發光層112110、112可為利用任何製造方法所沉積。在一示範性實施例裡，該電洞傳導層110和該有機發光層112可為利用噴墨印刷技術所沉積。例如，該電洞傳導層110的材料可與一載荷流體相為混合，藉此構成一經調配以供可靠地且均勻地載送該等侷限凹井內的噴墨墨劑。用以沉積該電洞傳導層110的墨劑可為依高速自噴墨頭噴嘴至各個侷限凹井裡的方式遞送到該基板上。在各種示範性實施例中，可將相同的電洞傳導材料遞送至所有的侷限凹井120、130、140，藉此供以在所有的侷限凹井120、130、140內沉積相同的電洞傳導層110。在將材料載入至侷限凹井裡以形成電洞傳導層110之後，可令該顯示器100乾燥化以使得任何載荷流體蒸發，而此製程可包含令該顯示器受曝於熱能、真空或週遭條件一段設定時間。在乾燥化之後，可依高溫來烘烤該顯示器以 處理所沉積的薄膜材料，藉此例如在薄膜形態上引生有利於所沉積薄膜之品質或是整體製程的化學反應或變化。與各個有機發光層112相關聯的材料可為類似地混合於載荷流體，像是有機溶劑或溶劑混合物，藉此形成一經調配以供可靠地且均勻地載入至侷限凹井內的噴墨墨劑。然後利用噴墨製程以將這些墨劑沉積在與各個發光色彩相關聯的適當侷限凹井120、130、140裡。例如，可將與紅光有機發光層相關聯的墨劑、與綠光有機發光層相關聯的墨劑以及與藍光有機發光層相關聯的墨劑分別地沉積在相對應的侷限凹井120、130、140中。可同時地或按循序方式沉積不同的有機發光層112。在載入一或更多與有機發光層相關聯的墨劑之後，可如前文對於電洞傳導層所述類似地乾燥且烘烤該顯示器。

雖未說明，然確可將另外的主動式OLED覆層材料沉積在侷限凹井內。例如，該OLED顯示器100可進一步含有電洞注入層、電洞傳送層、電子阻擋層、電洞阻擋層、電子傳送層、電子注入層、潮濕保護層、裹封層等等，熟習本項技藝之人士明瞭所有該等項目，然未在此詳加討論。

該電洞傳導層110可含有一或更多有助於將電洞注入至該有機發光層112內的材料覆層。例如，該電洞傳導層110可包含單個像是電洞注入層的電洞傳導材料覆層。或者，該電洞傳導層110可包含複數個覆層，像是電洞注入層，例如聚(3,4-乙烯二氧噻吩：聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT：PSS)，和電洞傳送層，例如N,N’-二-(((1-萘基)-N,N’-二苯基)-1,1’-聯苯)-4,4’-二胺(NPB)，之至少一者。

該有機發光層112可為沉積在該電洞傳導層110上，使得該有機發光層112能夠足夠地符合於由電極、電極間之空間以及該電洞傳導 層之形貌所產生的形貌。該有機發光層112可含有促成光線發射的材料，像是有機電子螢光材料。

在一示範性實施例裡，該OLED堆疊(即如經沉積在一侷限凹井內之電極上的所有主動式OLED覆層)的厚度範圍可為自10nm至250nm。例如，電洞傳送層可具有自10nm至40nm的厚度；電洞注入層可具有自60nm至150nm的厚度；有機發光層可具有自30nm至150nm的厚度；此外，選擇性地，電洞阻擋層、電子傳送層和電子注入層可具有自10nm至60nm的合併厚度。

在一示範性實施例裡，可考量到運用具有約10pL或更小容積的液滴來產生各個電洞傳導層110和有機發光層112。在各種示範性實施例中，可運用5pL或更小、3pL或更小，或者2pL或更小的液滴容積。可利用1到20個具有前述所欲容積的液滴來形成該等OLED覆層(即，電洞傳導層110和有機發光層112)。

在一示範性且非限制性的實施例裡，本揭示考量到侷限凹井係經排置以使得，對於具有解析度326ppi(即如間距=78μm)的顯示器，與紅光、綠光或藍光發射相關聯之凹井120、130、140的面積可為66μm×66μm，其中在本實施例裡相鄰凹井之間的寬度可為12μm。而與此排置之紅光或綠光子像素光線發射相關聯的面積可為31.5μm×31.5μm，並且與藍光子像素光線發射相關聯的面積可為66μm×30μm，如此導致整體像素的填佔因數為65%，相較於參照圖1所述之傳統RGB逐側佈置的填佔因數則是46%。對於另一示範性且非限制性的實施例，即具有解析度440ppi(即如間距=58μm)的顯示器，可考量到排置侷限凹井而使得與紅光、綠光或 藍光發射相關聯之凹井120、130、140的面積為46μm×46μm，其中在本實施例裡相鄰凹井之間的寬度可再度為12μm。與此顯示器結構之紅光或綠光子像素光線發射相關聯的面積可為20.3μm×20.3μm，並且與藍光子像素光線發射相關聯的面積可為76μm×49.1μm，故而產生約46%的填佔因數，相較於參照圖1所述之傳統RGB逐側佈置的填佔因數則是30%。在這些實施例裡，相鄰凹井之間的寬度可為12μm，然如前文討論此寬度可採用不同的數值，同時較小數值雖可能為佳(藉以將較大比例的基板區域提供予主動式電極區域)，然對於凹井結構形成作業之處理限項與電路佈置限項確可在此維度上有效地設定較低的限界。此數值12μm係經選定以作為這些範例的代表，然熟習本項技藝之人士將能瞭解確可採用其他維度，例如像是20μm的較大維度或是如8μm、6μm或甚1μm的較小維度，而不致悖離本揭示和申請專利範圍的範疇。熟習本項技藝之人士將能進一步知曉，在前述範例中，紅光、綠光與藍光侷限凹井各者雖具相同維度，然其他排置方式亦確為可行。

例如，兩個與不同發射色彩相關聯的侷限凹井可具有相同的維度，而一個與又另一不同發射色彩相關聯的侷限凹井則具有不同的維度，或者是與各個發射色彩相關聯的侷限凹井皆具有不同的維度。

這些根據本揭示的示範性、非限制性排置甚可對於極高解析度440ppi情況提供具有大於45μm之凹井維度的侷限凹井，並因此可供使用例如約10pL的液滴容積，從而可藉由運用能夠自現有噴墨印刷獲用的液滴容積來簡化製造作業。此外，相比於傳統RGB逐側佈置方式，前述的示範性、非限制性排置可提高像素填佔因數，對於326ppi和440ppi情況而言， 分別為提高約43%及84%。更普遍地說，根據本揭示的各種示範性實施例可在利用噴墨處理所製造之高解析度顯示器，像是極高解析度顯示器，的填佔因數上提供強化效果，且其強化效果可達40%或更高。

即如熟習本項技藝之人士所深知，在沉積作業後可將共同電極(未予圖示)設置在該有機發光層112上。在沉積出共同電極後，該共同電極的所獲形貌可足夠地配合於該有機發光層112的形貌。該共同電極可為利用任何製造技術所沉積，例如藉由真空熱性汽化、濺射處理、化學汽相沉積、噴灑塗覆、噴墨印刷或是其他技術。該共同電極可為透明性或反射性，並且可為由導體材料，像是金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物、混合氧化物或其等的組合，所構成。例如像是氧化銦錫或鎂銀薄膜。共同電極厚度的範圍則是從約30nm至500nm。

此外，該共同電極可具有任何形狀、排置或組態。例如，該共同電極可為設置成與單一子像素或單一像素相關聯的離散覆層。或另者，該共同電極可為設置在多個子像素或像素的上方，例如在該顯示器100的整個像素排置之上。例如，該共同電極可為一經沉積在侷限凹井120、130、140之內並且在侷限結構104之上的毯覆物。此外，在沉積共同電極，像是電子傳送層、電子注入層及/或電洞阻擋層，之前，可先將一些額外的主動式OLED覆層(為簡化說明而未予圖示)沉積在該有機發光層112上。這些額外的OLED覆層可為藉由噴墨印刷、真空熱性汽化或是藉由其他方法所沉積。

根據示範性實施例，該OLED裝置100可具有頂部發射組態或是底部發射組態。例如，即如圖3A所示，在一頂部發射組態裡，電極106、 108可為反射性電極，而經設置在該有機發光層之上的共同電極則為透明性電極。或另者，在一底部發射組態中，電極106、108可為透明性而共同電極則是反射性。

在另一示範性實施例裡，該OLED顯示器100可為主動式矩陣OLED(AMOLED)。相較於被動式矩陣OLED(PMOLED)顯示器，AMOLED顯示器可強化顯示器效能，然需仰賴於位在基板上的主動式驅動電路，其中含有薄膜電晶體(TFT)，並且此電路並非透明性。PMOLED顯示器雖具有一些非透明的構件，像是導體性匯流排線路，然AMOLED確擁有顯著更多的不透明構件。因此，對於底部發射AMOLED顯示器來說，相較於PMOLED其填佔因數會減少，原因是只能在非透明的電路構件間透過基板的底部發射光線。基於此一理由，對於AMOLED顯示器會希望是利用頂部發射組態，因為運用這種組態可供將OLED裝置建構在這些不透明主動式電路構件的頂上。所以能夠經由OLED裝置的頂上發射光線，而又無須關切底層構件的不透明性。一般說來，利用頂部發射結構可提高顯示器100之各個像素150的填佔因數，因為光線發射不會被沉積在基板102上的額外非透明構件(即如TFT、驅動電路元件等等)所阻擋。

此外，各個像素的非主動式區域會受限於構成在該基板102之上的侷限結構、表面特性及/或像素定義層(其等範例可如後文進一步詳述)。亦可將導體格線設置在該基板102上藉以避免跨於該顯示器100上非所樂見的電壓降，這種狀況可能會發生，原因是在頂部發射OLED結構中所運用的透明頂部電極通常具有低傳導性。當該共同電極為經沉積在侷限凹井120、130、140內且在侷限結構104上的毯覆物時，可將此導體格線設 置在該基板102的非主動式局部上，並且經由在所選定侷限結構104之內形成的孔洞耦接至該共同電極。然而，本揭示並不受限於這種頂部發射主動式矩陣OLED組態。本文所討論的技術與排置可運用於任何其他類型的顯示器，像是底部發射及/或被動式顯示器，以及熟習本項技藝之人士瞭解如何利用適當修改作業而配用者。

在一示範性實施例裡，即如圖3A所示，各個侷限凹井可含有複數個主動式子像素範圍，此等範圍分別地跨展於W1和W2而以間隔S分離，並且侷限在一具有寬度CW的凹井內。這些維度W1、W2和CW主要是相關於像素間距，而這是與該顯示器的解析度(即如326ppi、440ppi)相關聯。該間隔S的維度是有關於與製造技術與製程以及佈置方式相關聯的限制。一般說來，會希望將與該間隔S相關聯的維度最小化。例如，3μm可為此最小維度；然熟習本項技藝之人士確能瞭解自低如1μm至大於10μm的維度亦屬可能。同時，侷限結構104的高度H也是關聯於處理限項，而不非特定的顯示器佈置或解析度。侷限結構104之高度H的示範性數值雖可為1.5μm，然在各種示範性實施例裡此高度H的範圍可為自0.5μm至5μm。現參照圖3B，BW為相鄰凹井(即如圖3B裡凹井120和130)之間侷限結構104的寬度。即如前述，可能會希望是將此維度最小化，並且示範性數值為12μm。然而，熟習本項技藝之人士將會瞭解在一些實例裡此數值可為任意大(即如數百微米)，同時亦可依據足可提供微小BW數值的製造技術與製程而低達1μm。

現參照圖4，圖中說明一顯示器200之侷限凹井220示範性實施例的截面視圖。圖4排置是類似於前文參照圖3A所述者，其中，除不 同於100系列而是利用200系列外，運用類似編號以表示相仿構件。然而，即如所述，該OLED顯示器200亦含有經設置在電極206、208間之間隔S內的額外表面特性216。

該表面特性216可為任何不會將電流直接地提供至設置於其上之OLED薄膜內的結構，故而在與電極206和208相關聯之主動式範圍間含有像素區域的非主動式範圍。例如，該表面特性216可進一步含有不透明材料。即如圖4所示，電洞傳導層210及有機發光層212可為沉積在此等電路構件的一局部上，即如以形貌方式表示為表面特性216。在該表面特性216含有電性構件的情況下，可對此等構件進一步塗覆以電性絕緣材料，藉此將這些構件電性隔絕於沉積在該表面特性216上的OLED薄膜。

在一示範性實施例裡，該表面特性216可包含驅動電路，包括例如互連、排線、電晶體以及熟習本項技藝之人士所知曉的其他電路，然不限於此。在一些顯示器裡，會將驅動電路設置在受此電路所驅動之像素的主動式範圍附近處，藉以令複雜互連減至最低並且縮小電壓降。在有些情況下，侷限凹井環繞於個別子像素，並且此電路可位於侷限凹井範圍的外部以使得不會對該電路塗覆以主動式OLED覆層。不過，在如圖4所示之示範性實施例及其他的示範性實施例裡，由於該侷限凹井220可含有與不同像素相關聯的複數個子像素，因此可將這些驅動電路構件設置在該等侷限凹井內，從而優化驅動電子元件的電性效能，優化驅動電子元件的佈置並且/或者優化填佔因數。

該電洞傳導層210和該有機發光層212可為沉積(即如前文中例如參照圖3A及3B所述者)至由該等侷限凹井結構204所定義的範圍內 並且在該表面特性216上，使得覆層210、212足夠地符合於底層表面特性形貌，同時在該侷限凹井裡具有大致均勻的厚度，導致覆層210與212具有非平面的頂部表面。在其中該表面特性216是在該電極的頂部表面平面上依一大於該等覆層210和212其一或兩者厚度之距離而延伸的組態裡，這些覆層之其一或兩者於該凹井220裡在與該顯示器平面相平行的平面內亦將會是不連續。因此，由於與該表面特性216相關聯的突出之故，其一或兩者覆層210、212在平行於該顯示器之平面的平面裡將會是非平面且不連續。即如前述，這可例如由說明一平面P的虛線所表示，該平面是與經設置在電極206、208上之覆層212的表面共平面。即如圖示，覆層212在跨於整個侷限凹井上並非平面性而是足夠地符合於底層形貌，使得覆層212由於間隔範圍S與突出216之故具有整體非平面性的頂部表面。換言之，在沉積覆層210、212之前，覆層210、212之其一或兩者會跨於該侷限凹井上揚升或落降以足夠地符合於該凹井的現有形貌。

該表面特性216雖如圖4所示為具有大於該等電極的厚度，然該表面特性216可另替地具有小於或等於該等電極的厚度。此外，該表面特性216雖如圖4所示為設置在基板202上，然該表面特性216可進一步設置在電極206、208的其一或兩者上。對於各個侷限凹井該表面特性216可為相異，而且並非所有的侷限凹井都必須含有表面特性。該表面特性216可進一步運作如一像素定義層，其中可利用該表面特性216的不透明性質以定義子像素的局部或是整體的像素排置。

現參照圖5A及5B，圖中說明一根據本揭示之顯示器侷限凹井另一示範性實施例的部份截面視圖。圖5A及5B排置是類似於前文參照 圖3A及3B所述者，其中，除不同於100系列而是利用300系列外，運用類似編號以表示相仿構件。然而，即如圖5A及5B所示，該OLED顯示器300亦含有定義層314。該定義層314可為沉積在基板302上，而侷限結構304則是設置在該定義層314之上。此外，該定義層314可為設置在電極306、308的非主動式局部上。該定義層314可為任何具有電性絕緣性質並可用以定義該OLED顯示器300之多個局部的實體結構。在一實施例裡，該定義層314可為一像素定義層，此者可為任何用以在該像素陣列中界定像素的實體結構。該定義層314亦可界定子像素。

即如前述，在一示範性實施例裡，該定義層314可延伸越過侷限結構304至電極306、308的一局部之上。該定義層314可為由電阻材料製成，使得該定義層314能夠防止電流流動，並因此藉由顯著地避免光線發射穿透子像素的邊緣以減少非所欲的視覺假影。該定義層314亦可設置為具有一結構及化學成分，以利減少或避免在OLED薄膜塗覆於該定義層之邊緣處形成不均勻性。按此方式，該定義層314可協助遮除在表面特性附近所形成的薄膜不均勻性，否則就會被納入在像素區域的主動式範圍裡並且接著貢獻於像素不均勻性；此等不均勻性可能出現在例如各個子像素的外部邊緣處，而該等OLED薄膜在此會接觸到侷限凹井，或者在各個子像素的內部邊緣，而該等OLED薄膜在此會接觸到基板表面。

該電洞傳導層310和該有機發光層312各者可沉積在由侷限結構304所定義的範圍裡以及在該像素定義層之上，藉此在該侷限凹井320中形成一連續覆層。即如前文參照圖3A及3B所述，該等覆層310、312可足夠地相符於該侷限凹井的整體形貌，且因此在該顯示器的平面裡具有非 平面表面及/或成為不連續，即如例如藉圖5中的平面P所示者。而如前文參照圖3A所解釋，該電洞傳導層310與該有機發光層312的厚度可如前述般大致均勻。

在一示範性實施例裡，即如圖5A所示，各個侷限凹井可含有複數個主動式子像素範圍，這些含有W1及W2而依間隔S所分別，同時是包含在一具有寬度CW的侷限凹井內，而W1、W2及CW主要為關聯於像素間距，即如前文參照圖3A所述者。同樣地，間隔S的維度是與製造與處理技術以及佈置相關聯，其中在示範性實施例裡此S的範圍可為自1μm至大於10μm，而以3μm為此S的示範性維度。該等侷限結構304的高度H可為前文參照圖3A所述者。現參照圖5B，即如前述，BW為侷限結構304相鄰凹井之間的寬度，並且可依前文參照圖3B所述而選定。

與定義層厚度相關聯的維度T可為基於製造技術與處理條件，以及所使用之定義層材料的種類，而改變。在各種示範性實施例中，與定義層厚度相關聯之維度T的範圍可為自25nm至2.5μm，然自100nm至500nm會被視為最典型的範圍。圖5A中經標註為B1、B2以及圖5B之B1、B1’的該等維度是關聯於該定義層在侷限凹井裡超出侷限結構104之邊緣的延伸，並且可視需要而選定。不過，較大維度會因降低可獲用主動式像素電極面積量值而造成填佔因數減少。因此，會希望是選定最小維度以用於所欲功能，這通常是要從該主動式電極區域中排除邊緣不均勻性。在各種示範性實施例中，此維度的範圍可自1μm至20μm，並且可例如從2μm至5μm。

現參照圖6，圖中說明一顯示器400之侷限凹井420示範性 實施例的截面視圖。圖6排置是類似於前文參照圖5A和5B所述者，其中，除不同於300系列而是利用400系列外，運用類似編號以表示相仿構件。然而，即如所述，該OLED顯示器400亦含有經設置在電極406、408間之間隔S內的額外定義層416。即如圖6所示，該定義層416可為一具有略微不同於圖4表面特性之結構的表面特性，這是在於該額外定義層416的一局部延伸越過該基板402上的間隔S並且位在相鄰於間隔的電極406、408局部之上。該額外定義層416可具有任何形貌，圖6所說明者僅屬示範性質。即如圖6所示，在該額外定義層416的表面裡可有一面朝離於基板102的槽格417。該槽格417可為利用各種方法所形成。例如，該槽格417可為自製造程序所獲得，使得在該額外定義層416的沉積過程中，該覆層416可大概相符於在該侷限凹井裡出現的任何形貌，像是電極406、408，其中該槽格417是藉由不同厚度所形成，此不同厚度是在電極406、408上的大致均勻厚度與表面不與電極406、408頂部表面相關聯的大致不均勻厚度之間。或另者，可省略該槽格417並且該額外定義層416的頂部表面可具有大致平面性形貌，例如在運用非相符沉積方法來沉積該額外定義層416的情況下，可將底層的表面形貌平滑消除。

在任一組態中，可沉積該電洞傳導層410及/或該有機發光層412(例如像是前文中參照圖3A及3B所述)以使得該等覆層410、412能夠足夠地符合該額外定義層416的形貌並且具有大致均勻的厚度，即如前文所敘述者。

該額外定義層416之頂部表面(亦即朝離於該基板的表面)與該基板402間的距離可大於或小於該等電極406、408之頂部表面與該基板 402間的距離。或另者，該額外定義層416之頂部表面與該基板402間的距離可為大致相等於該等電極406、408之頂部表面與該基板402間的距離。換言之，該額外定義層416的厚度可為使得其範圍是在被設置於該基板的頂部表面與週繞侷限結構404的頂部表面之間，或者是使得其大致位於與該等侷限結構404之頂部表面相同的平面裡。或另者，該額外定義層416可具有與該等電極406、408大致相同的高度，使得該額外定義層416不會重疊於該等電極406、408的一局部，而是填入該等之間的間隔S裡。

該電洞傳導層410及該有機發光層412可為設置在該定義層414中延伸越出該侷限結構404而進入該凹井420內的局部上，並且該等覆層410、412可在由侷限結構404所定義的侷限凹井420之內延伸過該額外定義層416。該額外定義層416可為由電阻材料製成，使得該額外定義層416能夠防止電流流動，並因此藉由避免光線發射穿透子像素的邊緣以減少非所欲的視覺假影。該定義層414及該額外定義層416可為由相同或不同材料所製成。

在一示範性實施例裡，即如圖6所示，各個侷限凹井可含有複數個主動式子像素範圍，這些含有W1及W2而依間隔S所分別，同時是包含在一具有寬度CW的侷限凹井內，而W1、W2、CW及S主要為關聯於像素間距，即如前文所述者。即如前述，3μm可為S的最小維度，然熟習本項技藝之人士將能瞭解該等維度可微小達1μm至大如甚達10μm。侷限結構404的高度H可為選定，其範圍可如前文中參照圖3A和3B所述。

與該定義層之厚度相關聯的維度T1以及與該額外定義層之厚度相關聯的維度T2可為基於製造技術、處理條件和所使用之定義層材料 的類型而改變。因此，與該定義層之厚度相關聯的維度T1以及與該額外定義層之厚度相關聯的維度T2的範圍可為自50nm至2.5μm，例如從100nm至500nm。與定義層在侷限凹井邊緣內部之延伸相關聯的維度SB1、SB2及B2可為視需要而選定。不過，較大維度會因降低可獲用主動式像素電極面積量值而造成填佔因數減少。因此，會希望是選定最小維度以用於所欲功能，這通常是要從該主動式電極區域中排除邊緣不均勻性。在各種示範性實施例中，此維度的範圍可自1μm至20μm，並且可例如從2μm至5μm。

熟習本項技藝之人士將能知曉，根據本揭示，任何所揭示的定義層組態皆可運用於不同方式的任何組合以利達到所欲的像素定義組態。例如，該定義層414及/或額外定義層416可為組態設定以定義任何像素及/或子像素範圍，或者是任何部份的像素及/或子像素範圍，其中該定義層414可為關聯於一經沉積於任何侷限結構404下方的定義層，而該額外定義層416則可為關聯於經沉積在該等電極間之侷限凹井裡，像是侷限凹井420，的任何定義層。熟習本項技藝之人士將能認知本揭示中所敘述的截面僅為示範性截面，且因此本揭示並不受限於該等所述特定截面。例如，圖3A及3B雖為分別地依照沿直線3A-3A和3B-3B所說明，然沿不同直線所採繪的不同截面視圖，例如包含在與3A-3A和3B-3B相正交的方向上，確可反映出不同的定義層組態。在一示範性實施例裡，可併同地運用該等定義層以外框界定一像素，像是圖2所示的像素150、151、152。或另者，該等定義層可為組態設定以定義一子像素，使得定義層能夠完全地或部份地環繞位在侷限凹井內的子像素電極。

現參照圖7，圖中說明又另一示範性實施例的一截面視圖。 該OLED顯示器500可含有表面特性516及定義層514。圖7排置是類似於前文參照圖4所述者，其中，除不同於200系列而是利用500系列外，運用類似編號以表示相仿構件。然而，即如圖7所示，該OLED顯示器500進一步含有一經設置在侷限結構504下方處的定義層514。該定義層514可為用以定義該OLED顯示器500之多個局部的任何實體結構。在一實施例裡，該定義層514可為一定義層，此者可為任何用以界定該像素陣列內之像素及/或一像素內之子像素的實體結構。即如前述，在一示範性實施例裡，該定義層514可延伸越過侷限結構504並且在電極506、508的一局部上。該定義層514可為由電阻材料製成，使得該定義層514能夠防止電流流動，並因此藉由避免光線發射穿透子像素的邊緣以減少非所欲的視覺假影。依此方式，該定義層514可有助於遮除在各個子像素之邊緣處所形成的薄膜層非均勻性，此等非均勻性可能是由於邊緣乾燥效果而出現。該電洞傳導層510及/或該有機發光層512(例如像是前文中參照圖3A及3B所述)可經沉積以使得該等覆層510、512能夠足夠地符合底層的表面特性形貌並且具有大致均勻的厚度，即如前文所敘述者。

熟習本項技藝之人士將會瞭解各種排置及結構，即如表面特性、定義層等等，皆僅為示範性，同時可設想出各式其他的組合與排置而仍歸屬於本揭示的範疇內。

現參照圖8-11，該等為一基板的部份截面視圖，展現於一OLED顯示器600之示範性製造方法過程中的各種示範性步驟。後文中雖參照該顯示器600以討論該製造方法，然任何及/或所有的所述步驟皆可運用於製造其他OLED顯示器，例如前文所述的OLED顯示器100、200、300、 400及500。即如圖8所示，可在該基板602上提供電極606、608以及表面特性616。可利用任何製造方法來構成這些電極606、608和表面特性616，像是噴墨印刷、噴嘴印刷、狹縫塗覆、自旋塗覆、真空熱性汽化、濺射(或其他物理汽相沉積方法)、化學汽相沉積等等，同時可藉由利用陰影遮罩、微影蝕刻(即如光阻塗覆、曝光、顯影和剝除)、濕性蝕刻、乾性蝕刻、提移等等，以完成任何在沉積技術過程中未另包含的額外圖案化處理。該等電極606、608可為與該等表面特性616同時地形成，或是循序地完成，並可先構成該等電極或該等表面特性。

然後可在該等表面特性616及電極606、608上沉積出定義層614和額外定義層618，即如圖9所示。這些覆層614和618可為利用任何製造方法所構成，像是噴墨印刷、噴嘴印刷、狹縫塗覆、自旋塗覆、真空熱性汽化、濺射(或其他物理汽相沉積方法)、化學汽相沉積等等，同時可藉由利用陰影遮罩、微影蝕刻(即如光阻塗覆、曝光、顯影和剝除)、濕性蝕刻、乾性蝕刻、提移等等，以完成在沉積技術過程中未另包含的任何所需額外圖案化處理。定義層614可與額外定義層618同時地形成，或者該等覆層614、618可為循序地構成，而可先構成覆層614或618。

侷限結構604是設置在定義層614之上。該等侷限結構604可為構成以定義多個侷限凹井620，此等環繞於複數個子像素電極606、608並同時展跨於複數個像素上。該等侷限結構604可為利用任何製造方法所構成，像是噴墨印刷、噴嘴印刷、狹縫塗覆、自旋塗覆、真空熱性汽化、濺射(或其他物理汽相沉積方法)、化學汽相沉積等等，同時可藉由利用陰影遮罩、微影蝕刻(即如光阻塗覆、曝光、顯影和剝除)、濕性蝕刻、乾性蝕刻、 提移等等，以完成在沉積技術過程中未另包含的任何額外圖案化處理。在一示範性實施例裡，即如圖10所示，該侷限結構材料可為在一連續層604’裡沉積在基板602上，並且接著可利用遮罩607來圖案化該覆層，使得能夠移除該覆層604’的局部605以曝出該子像素電極606、608。侷限結構604是由覆層604’的材料所構成，並且在移除該局部605之後仍維持不變。或另者，侷限結構604可為由主動式沉積材料所構成以僅形成該侷限結構，使得所沉積的侷限結構604能夠定義邊界，並且侷限凹井是形成在該等所沉積侷限結構604的邊界內。

在一示範性實施例裡，即如圖10所示，各個侷限凹井可包含複數個含有由間隔S所分隔之W1及W2的主動式子像素範圍。即如前述，該等維度W1、W2及侷限凹井可主要是關聯於像素間距。並且間隔S的維度為關聯於與製造技術和處理程序及佈置相關聯的限項，同時範圍可為自1μm至甚大於10μm，而3μm為示範性最小維度。與定義層在侷限凹井邊緣內部之延伸相關聯的維度SB1及SB2可為視需要而選定。不過，較大維度會因降低可獲用主動式像素電極面積量值而造成填佔因數減少。因此，會希望是選定最小維度以用於所欲功能，這通常是要從該主動式電極區域中排除邊緣不均勻性。在各種示範性實施例中，此維度的範圍可自1μm至20μm，並且可例如從2μm至5μm。

即如圖11所示，然後可利用噴墨印刷以在該侷限凹井620內沉積一電洞傳導層610。例如，該噴墨噴嘴650可在經定義於該侷限凹井620內之目標區域裡導引電洞傳導材料的(多個)液滴651。

該電洞傳導層610可進一步含有兩個離散層，例如一電洞注 入層及一電洞傳送層，並且可藉由即如前述的噴墨方法以循序地沉積這些覆層。同時可利用噴墨印刷以將該有機發光層612沉積於該電洞傳導層610上的侷限凹井620內。噴墨噴嘴650可將有機發光材料液滴651導引於該電洞傳導層610上的目標區域裡。熟習本項技藝之人士將能知曉在此雖參照圖11而討論單一個噴嘴，然確可實作多個噴嘴以將含有電洞傳導材料或有機發光材料的液滴提供在複數個侷限凹井裡。即如熟習本項技藝之人士所眾知，在一些實施例裡，可同時地自多個噴墨噴嘴頭以沉積相同或不同色彩的有機發光材料。而且可運用熟習本項技藝之人士所知曉的技術以將液滴射出並設置在目標基板表面上。

在一示範性實施例裡，單個有機發光層612可為沉積在侷限凹井620內，像是紅光、綠光或藍光層。在一替代性示範性實施例裡，則可將複數個有機發光層以一個在另一個之上的方式沉積在侷限凹井620內。這在例如當該等有機發光層具有不同的光線發射波長範圍，故而使得當啟動其一發光層以發射光線，然其他的發光層並不會發射光線或是干擾到該第一有機發光層的光線發射時就可適用這種排置方式。例如，可將紅光有機發光層或綠光有機發光層沉積在侷限凹井620內，然後再將藍光有機發光層沉積在該紅光或綠光有機發光層之上。所以，按此方式，一侷限凹井雖可含有兩個不同的發光層，然僅其一發光層係經組態設定以在該侷限凹井裡發射光線。

可沉積該等覆層610及612以令足夠地符合於該等定義層614、表面結構、額外定義層618及電極606、608的形貌，即如前文所述，並且能夠如前所述般具有大致均勻的厚度。

前文參照圖3A-11所述之各種特點可運用於根據本揭示的各式像素及子像素佈置，圖2僅為其一示範性且非限制性佈置。本揭示所考量到的各種額外示範性佈置可如圖12-18所示。各種示範性佈置說明可有眾多方式以供實作本揭所述的示範性實施例；在許多情況下，任何特定佈置的選擇是基於眾多因素而定，例如像是電路的底層佈置、所欲像素形狀(這些在所述實施例中是被描述為長方形和六角形，然確亦可為其他形狀，像是山形、圓形、六角形、三角形等等)，以及與顯示器之視覺外觀相關聯的因素(像是對於不同組態與不同類型之顯示內容，即如文字、圖形或動畫視訊，所能觀察到的視覺假影)。熟習本項技藝之人士將能瞭解其他佈置的數量歸屬於本揭示的範疇內，同時可透過修改並基於本揭所述原理而獲用。此外，熟習本項技藝之人士將能知曉，僅就簡化之目的，在後文的圖12-18中說明定義侷限凹井的侷限結構，而任何如前文參照圖3A-11所描述的特性，包含表面特性、電路、像素定義層和其他佈置，皆可與本揭的任何像素佈置方式組合運用。

圖12描繪對於一OLED顯示器700之像素及子像素佈置示範性實施例的部份平面視圖，而此圖為類似於圖2佈置方式，且後文中將說明該佈置的進一步特點。可將一侷限結構704，像是前文所述的邊堤結構，設置在基板上，藉以按陣列化組態定義出複數個侷限凹井720、730、740。各個侷限凹井720、730、740可含有大致連續的OLED材料覆層(圖中由陰影範圍所表示)，以使得有機層的邊緣能夠穿過該等侷限凹井720、730、740延伸至環繞於侷限凹井的侷限結構704；例如在各個凹井720、730、740裡該OLED材料覆層的邊緣可接觸到侷限結構704。OLED覆層可含有例如 下列項目的一或更多者，即電洞注入材料、電洞傳送材料、電子傳送材料、電子注入材料、電洞阻擋材料，以及可供不同發光波長範圍之光線發射的有機發光材料。例如，侷限凹井720可含有一與在紅光波長範圍內且經標註為R之光線發射相關聯的有機發光層，侷限凹井730可含有一與在綠光波長範圍內經標註為G之光線發射相關聯的有機發光層，並且侷限凹井740可含有一與在藍光波長範圍內經標註為B之光線發射相關聯的有機發光層。該等凹井720、730、740可具有各式排置和組態，包含彼此相對者(即如佈置)。例如，即如圖12所示，侷限凹井720和侷限凹井730分別地含有紅光有機發光層R以及綠光有機發光層G，並且是依交替排置方式設置在橫列R₁、R₃內。侷限凹井740，其中含有藍光有機發光層B，的橫列R₂和R₄是與橫列R₁和R₃相交替。而侷限凹井720、730在橫列R₁、R₃內也可為交替地排置。

複數個電極706、707、708、709、736、737、738、739和742、744可為分別地設置在各個侷限凹井720、730、740內，其中各個電極可為關聯於一與特定光線發射色彩，即如紅光、綠光或藍光發射，相關聯的子像素。在圖12中按虛線所識別的像素750、751、752、753可經定義為包含一個具有紅光發射的子像素，一個具有綠光發射的子像素以及一個具有藍光發射的子像素。例如，各個侷限凹井720、730、740可分別地含有複數個電極706、707、708、709、736、737、738、739和742、744，而該等係經組態設定以使得其等的相關聯電極主動式範圍是對應於圖12所示的電極框線且為彼此分隔。該等侷限凹井720、730、740在該侷限凹井內可擁有不同的電極數量及/或排置。或另者，亦可為其他排置，像是與除紅、綠及藍以外 之其他色彩集合的排置，包含牽涉到除三個子像素色彩外之色彩的組合。其他排置亦為可行，其中單個色彩的一個以上子像素是關聯於一特定像素，例如各個像素可有一個紅光、一個綠光以及兩個藍光子像素是與其相關聯，或者是一特定色彩和其他色彩組合的其他子像素數量組合。此外，若是將多個不同的有機發光材料覆層設置在彼此之上，則可考量到不同色彩的子像素可彼此重疊。即如圖12所示，子像素電極可為分隔於定義該等侷限凹井的結構。在一替代性實施例裡，可沉積子像素電極以使得該等為直接地相鄰於侷限凹井結構，而令電極與侷限結構之間並未出現間隔。此外，這些侷限凹井結構可為設置在該等子像素電極的其一局部上。

此外，相鄰的侷限凹井可具有不同的子像素排置。例如，即如圖12所示，侷限凹井720和730含有一2×2主動式電極範圍排置，並且侷限凹井740含有1×2主動式電極範圍排置，其中在該2×2排置內的主動式電極範圍為具有相同大小的正方形，而在該1×2排置內的主動式電極範圍則為具有相同大小的長方形。即如前述，在不同侷限凹井裡的電極可具有不同的主動式範圍表面積。

在一示範性排置裡，比起與用以定址在紅光及/或綠光波長範圍R、G裡光線發射之電極相關聯的主動式範圍，與用以定址在藍光波長範圍B裡光線發射的子像素之電極相關聯的主動式範圍可具有較大的表面積。可能希望的是與在藍光波長範圍B中發射光線的子像素相關聯之電極的主動式範圍比起在與關聯於紅光或綠光發射之子像素電極相關聯的主動式範圍會具有較大的表面積，這是因為，當依照相同的面積亮度位準進行操作時，與藍光光線發射相關聯的子像素一般說來比起與紅光或綠光光線 發射相關聯的子像素會具有顯著較短的壽命。增大與藍光光線發射相關聯之子像素的相對主動式區域可供依相對較低的面積亮度位準操作，而同時仍能維持相同的整體顯示器亮度，藉以延長與藍光光線發射相關聯之子像素的壽命以及該顯示器的整體壽命。注意到，相對於與藍光光線發射相關聯的子像素，如此可相應地減少與紅光和綠光光線發射相關聯的子像素。這可導致是按相對於與藍光光線發射相關聯的子像素為較高之亮度位準來驅動與紅光和綠光光線發射相關聯的子像素，如此會縮短紅光和綠光OLED裝置壽命。不過，相較於與藍光光線發射相關聯之子像素的壽命，因為與紅光和綠光光線發射相關聯之子像素的壽命會顯著地更長，所以相對於整體的顯示器壽命而言，與藍光光線發射相關聯的子像素仍維持為限制性的子像素。侷限凹井740內之電極的主動式範圍雖在圖12裡顯示為按水平方式地依其等的延長方向所排置，然該等電極可為另替地排置以使得其等的延長方向為圖12裡垂直地延伸。

相鄰侷限凹井之間的間距在整個像素佈置上可為相同，或者是有所改變。例如，參照圖12，在侷限凹井720、730之間的間距b’可大於或是等於侷限凹井720或730和740之間的間距f。換言之，按圖12所示指向，在一橫列裡相鄰侷限凹井之間的水平間距可不同於在相鄰橫列裡相鄰侷限凹井之間的垂直間距。此外，橫列R₁、R₃裡的水平間距b’可等於或不同於R₂、R₄裡的水平間距a’。

在不同侷限凹井720、730、740各者內的電極之主動式範圍間的間隔(分隔)亦可為相同或不同，並且可依照相隔方向(即如水平或垂直)而改變。在一示範性實施例裡，侷限凹井720、730內的電極之主動式範圍 間的間隔d和e可為等同於，並可不同於，侷限凹井740內的電極之主動式範圍間的間隔。更進一步，在各種示範性實施例裡，於相同或不同的橫列中，一侷限凹井裡相鄰主動式電極範圍之間的間隔是小於相鄰侷限凹井裡相鄰主動式電極範圍之間的間隔。例如，c、d及e各者可為小於圖12內的a、b或f。

圖12中顯示在各個侷限凹井，即如720，的內部邊緣，與各個與該侷限凹井相關聯之主動式電極範圍，即如706、707、708、709，的外部邊緣之間有一間隔。然而，就像圖2所示，根據各種示範性實施例，可能並未出現此一間隔，同時該等主動式電極範圍各者的邊緣可為與該侷限凹井的內部邊緣相同。可例如運用像是圖3A所示的結構來達到此組態，其中如圖12所示並且出現此一間隔的組態則可利用圖5A所說明的結構所達成。然而，其他結構也能達成如圖2和12所說明的相同組態。

像素750、751、752、753可為依照侷限凹井排置和相對應的子像素佈置所定義。像素750、751、752、753的整體間隔或間距可為基於顯示器的解析度而定。例如，顯示器解析度愈高，間距就會愈小。此外，相鄰像素可具有不同的子像素排置。例如，即如圖12所示，像素750含有一位於頂部左側局部內的紅光子像素R，一位於頂部右側局部內的綠光子像素G，以及一展跨於該像素之大部份底部局部的藍光子像素B。該像素751的子像素佈置是類似於像素750者，除綠光子像素G與紅光子像素R的相對位置交換以外，亦即綠光子像素G位在頂部左側局部內而紅光子像素R則位在頂部右側局部內。像素752和753為相鄰且分別地位於像素751、750的下方，同時亦分別為像素751和750的鏡映影像。因此，像素752含有一 位於頂部局部內的藍光子像素B，一位於底部左側局部內的綠光子像素G，以及一位於底部右側局部內的紅光子像素R。同時像素753含有一位於頂部局部內的藍光子像素，一位於底部左側局部內的綠光子像素以及一位於底部右側局部內的紅光子像素。

在一根據圖12且具有每英吋326像素(ppi)之高解析度顯示器的示範性實施例中，一個含有紅光子像素、綠光子像素及藍光子像素的像素可具有約78μm×78μm的整體維度，這是對應於為達到326ppi該顯示器所需要的整體間距。對此實施例假設a’=b’=f’=12μm，即如前述這是反映出目前業界最先進侷限範圍之間的最小間隔；進一步假設a=b=f=12μm+6μm=18μm，這是反映出一種情況，即採用一在侷限凹井邊緣內部延伸3μm的定義層；最後是假設c=d=e=3μm，此為在一侷限凹井中該等電極主動式範圍之間的典型間隔，從而與紅光和綠光子像素各者相關聯的面積可為28.5μm×28.5μm，並且與藍光子像素相關聯的面積可為60μm×27μm。該等藍光子像素的表面積可大於該等紅光和綠光子像素各者，藉以如前述般延長整體的顯示器壽命。這種佈置方式可擁有與具66μm×66μm維度之2×2紅光和綠光子像素群組相關聯的侷限凹井，以及與具66μm×66μm維度之1×2藍光子像素群組相關聯的侷限凹井。此等維度可供藉由傳統噴墨印刷頭和印刷系統以直觀地載入主動式OLED材料，而同時亦可提供具有大於50%，像是53%，之高填佔因數的高解析度顯示器。此等維度亦可在一具有定義層的結構中提供如下特性，即可藉由阻擋電流流過緊鄰於該侷限凹井邊壁的薄膜範圍以在該主動式電極範圍內提供強化的薄膜均勻度。

在一對於具有每英吋440像素(ppi)之高解析度顯示器的相對應示範性實施例中，一個含有紅光子像素、綠光子像素及藍光子像素的像素可具有約58μm×58μm的整體維度，其中維度a、b、c、d、e、f、a’、b’及f’是採用與前述範例的相同數值，則與該等紅光和綠光子像素各者相關聯的面積可為18.5μm×18.5μm，並且與該等藍光子像素相關聯的面積可為40μm×17μm。該等藍光子像素的表面積可大於該等紅光和綠光子像素各者，藉以如前述般延長整體的顯示器壽命。這種佈置方式可擁有與具46μm×46μm維度之2×2紅光和綠光子像素群組相關聯的侷限凹井，以及與具46μm×46μm維度之1×2藍光子像素群組相關聯的侷限凹井。此等維度可供藉由傳統噴墨印刷頭和印刷系統以相對直觀地載入主動式OLED材料，而同時亦可提供具有40%之高填佔因數的高解析度顯示器。

在前述各個示範性實施例中，可對於該等維度a、b、c、d、e、f、a’、b’、f’實作各種數值。然熟習本項技藝之人士將能認知這些維度可改變。例如，該等侷限凹井之間的間隔(a’,b’,f’)可改變，即如前文討論可自微小達1μm至大如對於較大ppi的數百微米。一侷限凹井內之主動式電極間的間隔(c,d,e)可改變，即如前文討論可自微小達1μm至大如數十微米。同時，主動式電極範圍與侷限凹井之邊緣間的間隔(實際上分別為a’與a、b’與b以及f’與f間之差值的一半)亦可改變，即如前文討論可自微小達1μm至大如10μm。此外，由於這些維度為可變，因此可施用許多限項並連同ppi(此值決定顯示器的整體間距)，從而對侷限凹井維度及其內所含之主動式電極範圍的可用數值範圍加以限制。在前述的示範性實施例裡，為利於簡化，對所有三種色彩是採用具有相同維度的方形侷限凹 井。然該等侷限凹井實無須為方形，並且無須具有相同大小。同時，對於圖12所提供的維度是表示各種共同維度，例如在紅光侷限凹井內與綠光侷限凹井內之主動式電極範圍間的間隔；不過，在一些示範性實施例裡，這些間隔並非共同維度而是彼此相異。

圖13描繪一OLED顯示器800之另一示範性像素/子像素佈置的部份平面視圖。在此不對與先前討論之示範性實施例共同的特性再行贅述。為利於簡化，將會對其差異加以說明。

相較於例如圖12所示之顯示器700的子像素電極，該顯示器800在與一侷限凹井內的子像素電極相關聯之主動式範圍間可具有較大分隔。在與個別侷限凹井820、830、840內的電極806、807、808、809、836、837、838、839和842、844相關聯之相鄰主動式範圍間的間隔可為大於在相鄰侷限凹井裡相鄰主動式電極範圍之間的間距。例如，與電極836相關聯的主動式範圍可彼此相隔一預設距離g，並且對於與電極838相關聯的主動式範圍亦為如此。在鄰接侷限凹井820、830內之相鄰電極範圍間的間距k可小於與電極836、838相關聯之主動式範圍間的間距g，並且在與電極842相關聯之主動式範圍間的間距m(並且同樣地對於電極844)可大於在鄰接侷限凹井840和侷限凹井820、830內之相鄰主動式電極範圍間的間距n。這種相隔方式可在經設置於一侷限凹井內且關聯於相同發光色彩之子像素電極間提供更大的間隔，而同時可供更緊密地排置與單一定義像素相關聯的子像素電極。這種相隔方式可減少非所欲的視覺假影，使得顯示器看起來像是緊密排置的RGB三項組陣列，而不是緊密排置的RRRR四項組、GGGG四項組和BB對組。

圖14中描繪對於一根據本揭示之顯示器的另一示範性像素/子像素佈置。可將一侷限結構904設置在基板上藉以按陣列化組態定義出複數個侷限凹井920、930、940。各個侷限凹井920、930、940可含有大致連續的OLED材料覆層(圖中由陰影範圍所表示)，以使得有機層的邊緣能夠穿過該等侷限凹井920、930、940延伸至環繞於侷限凹井的侷限結構904；例如在各個凹井920、930、940裡該OLED材料層的邊緣可接觸到侷限結構904。主動式OLED覆層可含有例如下列項目的一或更多者，即電洞注入材料、電洞傳送材料、電子傳送材料、電子注入材料、電洞阻擋材料，以及可供不同發光波長範圍之光線發射的有機發光材料，然不限於此。例如，侷限凹井920可含有一與在紅光波長範圍R內之光線發射相關聯的有機發光層，侷限凹井930可含有一與在綠光波長範圍G內之光線發射相關聯的有機發光層，並且侷限凹井940可含有一與在藍光波長範圍B內之光線發射相關聯的有機發光層。可依照任何排置及/或組態將該等有機發光覆層設置在凹井內。例如，設置在侷限凹井920、930、940內的這些有機發光覆層可經排置成在各個橫列裡具有交替性的排置方式。相鄰的橫列可具有相同排置或不同排置。此外，相鄰的侷限凹井920、930、940橫列雖經說明為均勻地對齊，然相鄰的侷限凹井920、930、940橫列確可另為不均勻地對齊，像是位移排置。同時，侷限凹井920和930可為依交替性圖案而倒反。

各個凹井920、930、940組態的形狀可為長方形，使得各個凹井在垂直方向上會延長。凹井920、930、940在長型垂直方向上可具有大致相同維度。此外，凹井920、930、940可具有大致相同的間距。不過，與藍光有機發光層相關聯的整個凹井940可為關聯於單一子像素，故因而單 一像素；然與紅光和綠光有機發光層相關聯的凹井920、930則可為關聯於複數個子像素，故因而複數個像素。例如，侷限凹井920、930可含有複數個電極，使得各個電極是關聯於不同像素的不同子像素。即如圖14所示，凹井920含有兩個電極926、928並且是與兩個不同像素950、951相關聯。

可將不同數量的電極926、928、936、938、946設置在不同的侷限凹井內。例如，一些侷限凹井920、930可含有複數個電極926、928以及936、938，藉以選擇性地定址經設置在相同侷限凹井內的電極，然對不同像素內的不同子像素產生光線發射，而同時其他的侷限凹井940則僅含有一個電極946，藉以定址經設置在與單一像素相關聯之一侷限凹井內的電極。或另者，可將設置在侷限凹井940內之電極的數量令為設置在其他侷限凹井920、930內電極之數量的一半。此外，在不同侷限凹井內的電極可具有不同的表面積。例如，與在藍光波長範圍內之光線發射相關聯的電極比起與在紅光及/或綠光波長範圍內之光線發射相關聯的電極可具有較大的表面積，藉以改善該顯示器900的壽命並減少耗電量。

像素950、951可為依照侷限凹井排置和相對應的子像素佈置所定義。像素950、951的整體間隔或間距可為基於顯示器的解析度而定。例如，顯示器解析度愈高，間距就會愈小。此外，相鄰像素可具有不同的像素排置。例如，即如圖14所示，像素950可含有一位於左側的綠光子像素G、一位於中間的藍光子像素B和一位於右側的紅光子像素R。像素951則可含有一位於左側的紅光子像素R、一位於中間的藍光子像素B和一位於右側的綠光子像素G。

圖15描繪對於一OLED顯示器1000之像素和子像素佈置示 範性實施例的部份平面視圖。前文中所討論之實施例的共同特性在此則不予贅述(然圖15中可見按1000系列的類似標號)。為利於簡化，將會對其差異加以說明。侷限結構1004可經組態設定以定義複數個凹井1020、1030、1040。凹井1020、1030、1040可為排置以使得凹井1020、1030、1040在均勻橫列內對齊，其中與紅光發射相關聯的凹井以及與綠光發射相關聯的凹井(例如1020、1030)是在單一橫列內相交替，而與藍光發射相關聯的凹井(例如1040)則是位在一橫列內。同時，凹井1020、1030、1040可為組態設定以令凹井1020、1030、1040是在一均勻縱行內對齊，使得凹井1020、1040的縱行是與凹井1030、1040的縱行相交替。而侷限凹井1020和1030可為交替地排置以使得此交替圖案自該侷限凹井1030起始。

各個侷限凹井1020、1030、1040可具有概略相同的大小。不過，與各個凹井1020、1030、1040相關聯之電極的數量確可有所差異。例如，即如圖5所示，與紅光發射相關聯的凹井1020可包含電極1026、1027、1028、1029，與綠光發射相關聯的凹井1030可包含電極1036、1037、1038、1039，並且與藍光發射相關聯的凹井1040可包含電極1046、1048。在侷限凹井1040內的電極雖顯示為水平相隔地排置，然確可另替地排置該等電極而成為垂直相隔。

電極1026、1027、1028、1029、1036、1037、1038、1039在圖15內雖經顯示為正方形而電極1046、1048顯示為長方形，然確能考量具有任何形狀的電極，例如像是圓形、山形、六角形、非對稱性、不規則曲形等等，並且仍歸屬於本揭示的範疇內。可在單一個侷限凹井裡實作複數個不同形狀的電極。此外，不同的侷限凹井可具有不同形狀的電極。這些 電極的尺寸與形狀可能會影響到電極之間的距離，並因而影響顯示器的整體佈置。例如，當考量到形狀時，電極分隔可更為緊密，而同時在相鄰電極之間仍保持為電性隔離。此外，該等電極的形狀和間隔會對所產生之視覺假影的程度造成影響。故而可選定電極形狀，藉以減少非所欲的視覺假影且強化影像混合俾產生連續影像。

以虛線所顯示的像素1050、1051可為依照侷限凹井排置和相對應的子像素佈置所定義。像素1050、1051的整體間隔或間距可為基於顯示器的解析度而定。例如，顯示器解析度愈高，間距就會愈小。此外，該等像素可經定義成具有非對稱的形狀。例如，即如圖5所示，像素1050、1051可具有「L」形狀。

圖16描繪對於一OLED顯示器1100之像素和子像素佈置示範性實施例的部份平面視圖。前文中所討論之示範性實施例的共同特性在此則不予贅述(然圖16中可見按1100系列的類似標號)。侷限結構1104可經組態設定以在複數個縱行C₁、C₂、C₃、C₄中定義複數個侷限凹井1120、1130、1140。該等縱行C₁、C₂、C₃、C₄可經排置以產生交錯狀排置。例如，在縱行C₁及C₃內的侷限凹井可為位移於縱行C₂及C₄之內者，故而產生交錯狀橫列排置然同時仍保持均勻的縱行排置。像素1150、1151可為依照該侷限凹井排置的間距所定義。該侷限凹井排置的間距可為基於該顯示器的解析度。例如，間距愈小，顯示器解析度就會愈高。此外，該等像素可經定義成具有非對稱的形狀。例如，即如圖6中以虛線所示，像素1150、1151可具有非均勻形狀。

圖17描繪對於一OLED顯示器1200之像素和子像素佈置示 範性實施例的部份平面視圖。前文中所討論之實施例的共同特性在此則不予贅述(然圖17中可見按1200系列的類似標號)。即如圖17所示，侷限結構1204可經組態設定以定義複數個侷限凹井1220、1230、1240。各個侷限凹井1220、1230、1240可具有不同的面積。例如，與紅光發射R相關聯的凹井1220比起與綠光發射G相關聯的凹井1230具有較大的面積。同時，該等侷限凹井1220、1230、1240可為關聯於不同數量的像素。例如，侷限凹井1220可為關聯於像素1251、1252、1254、1255，並且侷限凹井1230、1240可為關聯於像素1251、1252。該等凹井1220、1230、1240可為組態設定於均勻橫列R₁、R₂、R₃、R₄、R₅內。該等橫列R₂、R₃及R₅可為關聯於藍光發射凹井1240，並且該等橫列R₁和R₄可為關聯於交替的紅光發射凹井1220與綠光發射凹井1230。該侷限結構1204可具有各種維度D₁、D₂、D₃、D₄。例如，D₁可大於D₂、D₃或D₄，D₂可小於D₁、D₃或D₄，而D₃則是概約等於D₄。

圖18描繪對於一OLED顯示器1300之像素和子像素佈置示範性實施例的部份平面視圖。前文中對於例如圖17所討論之實施例的共同特性在此則不予贅述(然圖18中可見按1300系列的類似標號)。侷限結構1304可經組態設定以定義複數個侷限凹井1320、1330、1340。該等凹井1320、1330、1340可為排置以使得關聯於紅光發射的凹井1320以及關聯於綠光發射的凹井1330能夠在一橫列內跟關聯於藍光發射的凹井1340互相交替。

前文雖說明各式像素與子像素佈置，然該等示範性實施例絕非對如前所述跨展於複數個像素上之侷限凹井的形狀、排置及/或組態有所限制。相反地，與本揭示相關聯的侷限凹井併同於噴墨印刷製造方法可供 選定彈性的像素佈置排置方式。

各種像素佈置係經考量可利用噴墨印刷來提供高解析度OLED顯示器。例如，即如圖19中所示，侷限結構1404可產生六角形圖案以令像素1450能夠含有一與紅光發射R相關聯的侷限凹井1420，一與綠光發射G相關聯的侷限凹井1430以及一與藍光發射B相關聯的侷限凹井1440。由於該等侷限凹井的間距、形狀以及將該侷限凹井更緊密地封裝併合的能力，因而能夠利用噴墨印刷來產生具有高解析度的OLED顯示器。

利用根據本揭示之示範性實施例的各種特點，一些示範性維度與參數可適用於獲得具有更高填佔因數的高解析度OLED顯示器。表1-3含有根據本揭示示範性實施例與一具有解析度326ppi之OLED顯示器相關聯的傳統維度和參數以及預示性、非限制性範例，其中表1描述與紅光發射相關聯的子像素，表2描述與綠光發射相關聯的子像素並且表3描述與藍光發射相關聯的子像素。表4-6則含有根據本揭示示範性實施例與一具有解析度440ppi之顯示器相關聯的傳統維度和參數以及預示性、非限制性範例，其中表4描述與紅光發射相關聯的子像素，表5描述與綠光發射相關聯的子像素並且表6描述與藍光發射相關聯的子像素。

表7含有根據本揭示示範性實施例關聯於一解析度326ppi顯示器內之像素的傳統維度和參數以及預示性、非限制性範例，其中該像素含有紅光子像素、綠光子像素及綠光子像素。

即如按前文表7所述，考量到根據本揭示的各種示範性實施例能夠獲致優於傳統侷限結構的填佔因數改善結果。例如，考量到如圖3A和3B所示侷限結構之顯示器的填佔因數比起傳統結構可提升約43%，從而達到65%的總填佔因數。在另一實施例裡，考量到如圖5A和5B所示侷限結構之顯示器的填佔因數比起傳統結構可提升約51%，從而達到53%的總填佔因數。

表8含有根據本揭示示範性實施例關聯於一解析度440ppi顯示器內之像素的傳統維度和參數以及預示性、非限制性範例，其中該像素含有紅光子像素、綠光子像素及綠光子像素。

即如按前文表8所述，考量到根據本揭示的各種示範性實施例能夠獲致優於傳統侷限結構的填佔因數改善結果。例如，考量到如圖3A和3B所示侷限結構之顯示器的填佔因數比起傳統結構可改善約84%，從而達到55%的總填佔因數。在另一實施例裡，考量到如圖5A和5B所示侷限結構之顯示器的填佔因數比起傳統結構可改善約116%，從而達到40%的總填佔因數。

即如前述，各種因素都會影響到OLED顯示器噴墨式製造技術裡有機發光層的沉積精準度及均勻度。這些因素包含例如顯示器解析度、液滴大小、目標液滴區域、液滴設置誤差、與OLED層材料(即如主動式OLED材料)墨劑相關聯的流體性質(即如表面張力、黏滯度、沸點)，而這些墨劑含有OLED層材料與一或更多載荷流體的組合，以及液滴沉積的速度。

在各種示範性實施例中，不是以提供多個由環繞於各個像素或子像素之侷限結構所定義的侷限凹井(即如邊堤)，而是運用具有不同表面能量(即如液體親近或液體排斥範圍)的圖案化範圍來定義侷限範圍確可供簡化製造程序。利用邊堤結構會包含沉積該圖案化邊堤層的額外處理步驟。此外，當利用邊堤結構時，通常會需要利用圖案化沉積方法，即如噴墨處理，以在各個子像素內沉積所有子像素所共用的各種裝置覆層。例如，在各種實施例中，在將不同的紅光、綠光及藍光EML鍍層提供至相對應的色彩子像素內之前，一RGB OLED結構在紅光、綠光及藍光子像素各者內 可具有一共同HIL及一共同HTL鍍層。當運用邊堤結構時，會利用噴墨以圖案化的方式將這些HIT及HTL鍍層沉積至各個凹井內。不過，在這些實例裡可簡化製造程序，利用均勻、毯覆塗覆技術以將這些HIL和HTL覆層沉積至所有像素上，然後再對於EML利用圖案化沉積技術。邊堤結構的出現會增加均勻毯覆鍍層沉積的困難度。即如前述，在各種結構上的鍍層，即使是在含有相當微小之像素電極簇集的範圍上，也是會出現各種挑戰。藉由消除邊堤結構以定義侷限凹井並且另以利用毯覆沉積技術來提供HIL及HTL鍍層，然後再運用在HTL頂部表面上定義液體親近和液體排斥範圍的化學侷限機制，藉此侷限用以定義子像素色彩覆層的EML墨劑，如此即可簡化製造程序。

這些液體親近和液體排斥範圍亦可有助於依類似方式對邊堤結構補償OLED發光墨劑液滴的設置誤差，而在OLED發光材料沉積過程中容允較大的可接受液滴設置邊際，這是因為任何可部份地滴落在液體親近與液體排斥範圍間之邊界上的墨劑液滴在進行乾燥處理之前都會被自然地斥離於液體排斥範圍而被吸引到液體親近範圍，如此可使得製造程序更為強固。此外，即如後文中更進一步詳細解釋，可運用液體親近範圍邊際以進一步容忍潛在的液滴設置錯誤。即如前述，傳統印刷技術中所使用的高精準度噴墨頭可產生範圍自約1微微升(pL)至約50微微升(pL)的液滴大小，而對於高精準度噴墨印刷應用項目約10pL則是相當普遍的尺寸。傳統噴墨印刷系統的液滴設置正確度約為±10μm。

在各種示範性實施例中，可組態設定該電洞傳導層以產生液體親近範圍和液體排斥範圍，使得發射層侷限範圍可對應於該等液體親近 範圍，而液體排斥範圍則是作為邊界以容納並防止所沉積材料移離。該等發射層侷限範圍可為定義以考量到與沉積有機發光材料和其他主動式OLED材料相關聯的乾燥效果。例如，一子像素之主動式範圍裡的不均勻邊緣可能會產生非所欲的視覺假影。當該等發射層侷限範圍係經定義而使得任何不均勻邊緣位在該子像素之主動式區域的外部時，該等範圍即可將邊緣乾燥效果納入考量。除此之外，該等發射層侷限範圍可為基於有機發光材料以及與各個材料相關聯的乾燥效果所個別組態設定。同時，可能無需額外的材料和製造步驟(即如構成侷限結構)提供額外的侷限結構即可定義與各個子像素相關聯的侷限凹井。在一些情況下，可省略像是像素定義層的額外定義層，原因是該等發射層侷限範圍和後續的有機發光層沉積作業即可供適當地定義子像素及像素。不過，熟習本項技藝之人士將能瞭解該等像素定義層可與採用由具有不同表面能量的範圍所定義之侷限範圍的本揭實施例併同運用。

根據本揭的各種示範性實施例，可實作製造技術以將高度彈性引入至OLED製造程序內。例如，因為可藉由定義液體親近範圍和液體排斥範圍而獲以彈性地定義這些佈置，所以像素佈置及子像素排置可包含各種形狀、排置及組態。一般說來，OLED顯示器內的電路是隔離於主動式OLED層，其中電路是位在侷限凹井的外部並且個別地定址子像素電極。不過，根據本揭的示範性實施例，可將主動式OLED層沉積在基板之主動式範圍內部的電路上，藉以改善驅動電極的電性效能並同時提高各個像素的填佔因數。

雖可消除用以在顯示器之主動式區域裡於像素/子像素層級 處定義侷限凹井的侷限結構，然在透過具有不同表面能量之表面範圍來定義侷限範圍的示範性實施例中，仍可將侷限結構設置在該基板的非主動式局部上，藉以構成環繞著該基板之整個主動式範圍的單個主動式區域顯示器邊壁。例如，一侷限結構可經設置為環繞所有與該顯示器的影像產生局部內之像素相關聯的電極。藉由將該侷限結構放置在主動式像素範圍的外部，可使得在接觸或鄰近於該侷限結構之主動式OLED層邊緣處所造成的不均勻性會被侷限在主動式顯示器區域的外部，藉以令非所欲的視覺假影最小化，並可藉由防止材料移離到顯示器的非主動式範圍內以減少在製造過程中所使用的材料。此款組態亦可降低在製造過程中對於精準度方面的要求。例如，主動式有機材料沉積在一特定且精準界定區域上的正確度就不再是如同沉積主動式OLED層般地關鍵。當沉積液滴以構成像是電洞注入層及/或電洞傳送層的電洞傳導層時，沉積在單一主動式區域顯示器凹井內的所有液滴就會堆集以產生具有大致均勻厚度的連續覆層。

此外，在OLED顯示器基板之非主動式局部處實作單一侷限結構以定義主動式區域顯示器凹井可改善OLED顯示器製造的簡便度。例如，可利用噴墨噴嘴以在高解析度顯示器裡沉積主動式OLED層，並且任何液滴容積上的變異都會因為液滴相混合一以在侷限範圍裡形成單一、連續電洞傳導薄膜的平均化之故而不致對整體顯示器品質沉積造成重大影響。例如，可令像是電洞注入層及電洞傳送層之至少一者的電洞傳導層沉積在基板之主動式範圍內的主動式區域顯示器凹井裡整個電極上。由於所有的液體液滴堆集，從而可有助於沉積並且提高均勻度，原因是液滴容積上的任何變異都不會顯著同時也不會對所獲覆層造成影響。此外，無需額 外的製造步驟以從顯示器的非主動式局部上去除主動式OLED層，故而能夠簡化整體的製造程序。

根據前述的示範性實施例，利用由具有不同表面能量的範圍所定義之侷限範圍的實施例亦可併入可擴增主動式範圍面積的像素排置。例如，即如前文所述在像素/子像素層級處藉侷限結構來定義侷限凹井，可定義發光層侷限範圍(由具有不同表面能量的表面範圍所定義)以納入擴展於複數個與不同像素相關聯之子像素的區域，從而使得各像素的非主動式局部減小。例如，發光層侷限範圍可為定義在複數個個別定址的子像素電極上，而其中各個子像素電極可為關聯於不同的像素。藉由增大所定義之發光層侷限範圍的面積可令填佔因數最大化，因為主動式範圍對總像素面積的比值提高。此填佔因數增大可在較小尺寸的顯示器中提供高解析度，並且改善顯示器的壽命。

更進一步，即如前文中參照圖2及12-19之各種像素排置所敘述者，利用光線發射層侷限範圍組合於此等像素佈置排置的實施例可延長裝置的壽命。例如，子像素電極大小可為基於相對應的有機發光覆層波長發光。例如，與藍光發射相關聯的子像素電極可大於與紅光或綠光發射相關聯的子像素電極。在OLED裝置中與藍光發射相關聯的有機層相比於與紅光或綠光發射相關聯的有機層會具有較短的壽命。此外，操作OLED裝置以達到較低亮度位準是能夠延長裝置的壽命。藉由相對於紅光及綠光子像素而擴增藍光子像素的發射面積，並且驅動藍光子像素以達到一相對亮度而同時驅動紅光及綠光子像素以達到相較於藍光子像素為相對更高的亮度，如此可更佳地均衡不同色彩子像素的壽命，同時亦仍能提供適當的 整體顯示器色彩平衡。這種壽命平衡改善可藉由延長藍光像素的壽命以增加顯示器的整體壽命。

熟習本項技藝之人士亦能知曉確可採行替代性組態以供延長除藍光以外不同子像素色彩的壽命。例如，紅光子像素比起其他子像素可具有較大面積藉以延長紅光子像素的壽命。或另者，綠光子像素比起其他子像素可具有較大面積藉以延長綠光子像素的壽命。這些組態亦可適用於含有侷限結構以定義侷限凹井的OLED顯示器，同時也適用於運用液體親近和液體排斥範圍以定義侷限範圍的OLED顯示器。

現參照圖22-39，其中說明一OLED顯示器以及用於製造該OLED顯示器1900的示範性步驟。雖將參照顯示器1900以討論該製造方法，然任何及/或所有的所述步驟皆可運用於製造其他OLED顯示器，像是參照圖20及21所述的OLED顯示器1500、1600。該OLED顯示器1900含有一基板1902、一侷限結構1904和複數個電極1906，即如依圖22的平面視圖以及圖23裡沿圖22之直線23-23的截面視圖中所描述者。

該基板1902可含有一主動式範圍1908，而此範圍是由涵蓋該等電極1906的區域(即如圖22、23內之虛線所示的邊界)所定義，以及一非主動式範圍1910。該基板1902可為任何硬性或彈性並且概屬平面性的結構，同時可包含一或更多個含有一或更多種材料的覆層。該基板1902可為由例如玻璃、聚合物、金屬、陶瓷或該等的組合所製成。

侷限結構1904(即如邊堤)可為設置在該基板1902上，使得該侷限結構1904定義單個主動式區域顯示器凹井W。該侷限結構1904可為由各種材料所構成，例如像是即如光可成像聚合物的光阻材料或光敏矽質 介電物。該侷限結構1904可含有一或更多有機成份，而且在經處理之後，大致惰性於OLED墨劑的侵蝕作用，具有低排氣性，在該主動式區域顯示器凹井邊緣處具有顯淺(即如小於25度)的側壁斜度，及/或對於沉積在該主動式區域顯示器凹井內的一或更多OLED墨劑具有高恐斥性，同時可為依照所欲應用項目而選定。適當材料的範例包含PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PMGI(聚甲基戊二酰亞胺)、DNQ-酚醛清漆(化學重氮萘醌與不同苯酚甲醛樹脂的組合)、SU-8阻劑(一種由MicroChem Corp.製造且廣泛使用、私屬的環氧樹脂式阻劑)、傳統光阻劑的氟化變異物，及/或任何前文所述材料，以及有機矽質阻劑，而該等各者可為進一步彼此合併或合併於一或更多添加劑，藉以進一步調整該侷限結構1904的所欲特徵。

此外，該侷限結構1904可透過適當的幾何與表面化學以輔助於主動式OLED材料的載入及乾燥化製程，藉此在由該侷限結構1904所限界之凹井W範圍裡形成連續且均勻的覆層。該侷限結構1904可為單一結構，或者可為由複數個形成該侷限結構1904的分別結構所組成。該侷限結構1904可具有任何截面形狀。此外，圖22中雖將該侷限結構1904描述為具有與該基板1902相垂直的側邊邊緣，然該侷限結構1904可另替地相對於該基板1902的表面具有斜角化及/或圓化邊緣。

該侷限結構1904可為利用任何製造方法所形成，像是噴墨印刷、噴嘴印刷、狹縫塗覆、自旋塗覆、真空熱性汽化、濺射(或其他物理汽相沉積方法)、化學汽相沉積等等。而未另包含在沉積技術裡的任何其他圖案化處理則可藉由利用陰影遮罩、微影蝕刻(光阻塗覆、曝光、顯影和剝除)、濕性蝕刻、乾性蝕刻、提移等等達成。

定義出主動式區域顯示器凹井W的侷限結構1904可侷限經沉積在該基板1902上的主動式OLED材料。例如，該侷限結構1904可為設置在該基板1902的非主動式局部1910上並且環繞於該主動式範圍1908。在各種示範性實施例中，即如圖22-23裡，可例如將該侷限結構1904設置在距該主動式區域的外部一個距離D處。此距離D可為基於邊緣乾燥效果所決定，並且可予選定以令該基板1902之主動式範圍1908內的非所欲視覺假影最小化。例如，可將該侷限結構1904設置為足夠地遠離於任何電極1906，藉以避免任何邊緣乾燥不均勻性對所觀察到的像素光線發射造成影響，同時亦降低對於在製造過程中於凹井內沉積主動式OLED材料的載入精準度要求。在此同時，也希望能夠令該非主動式範圍的寬度為最小化，此範圍是位在該顯示器區域的外部，並且位在經設置以供外部電性連接至該顯示器之區域的內部。令非主動式範圍的寬度為最小化可供將多個顯示器更緊密地裹裝於單一基板片上，藉此提高製造效率度。如此亦可供縮小位於顯示器外部之斜面的寬度，這對於希望擁有較少廢置空間的較小型完工顯示器產品確為所樂見者。

在一示範性實施例裡，D的範圍可為自約10μm至約500μm；例如，D可為約50μm。該侷限結構1904可具有範圍自約10μm至約5mm的寬度B，其中B可為約20μm。此外，該侷限結構1904可具有範圍自約0.3μm至約10μm的高度T，其中此高度可為約1.5μm。

複數個電極1906可設置在該基板1902上於主動式範圍1908內，使得當選擇性地驅動該等電極1906時可發射光線以產生待顯示予使用者的影像。該等電極1906可為設置以定義一像素陣列，使得各個電極1906 為關聯於不同的子像素，例如像是一與紅光發射相關聯的子像素、一與綠光發射相關聯的子像素、一與藍光發射相關聯的子像素等等。或另者，各個電極1906可另為關聯於一含有紅光子像素、綠光子像素及藍光子像素的像素。該等電極1906可擁有任何形狀、排置及/或組態。例如，即如圖22所示，像素1906的形狀可為正方形。或另者，該等電極1906的形狀可為長方形、圓形、山形、六角形、非對稱性、不規則曲形或是該等的組合。該等電極1906可具有一廓形以使得頂部表面為大致平面性且平行於該基板的主表面，而同時該等電極的側邊邊緣相對於該基板1902的表面可為大致垂直或是斜角及/或圓化。

該等電極1906可為透明性或反射性，並且可為由導體材料，像是金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物、混合氧化物或其等的組合，所構成。例如，在各種示範性實施例中，該等電極可為由氧化銦錫、鎂銀或者鋁質所製成。

該等電極1906可為利用任何製造方法所形成，像是噴墨印刷、噴嘴印刷、狹縫塗覆、自旋塗覆、真空熱性汽化、濺射(或其他物理汽相沉積方法)、化學汽相沉積等等。而未另在沉積技術裡提供的任何所需其他圖案化處理則可藉由利用陰影遮罩、微影蝕刻(光阻塗覆、曝光、顯影和剝除)、濕性蝕刻、乾性蝕刻、提移等等達成。

像素可為基於該等電極1906的間距所定義。而該等電極的間距可為基於顯示器的解析度。例如，間距愈小，顯示器解析度就會愈高。像素可經選定以具有任何類型的排置，像是對稱或非對稱性，藉此減少非所欲的視覺假影並同時強化影像混合以利產生連續影像。

雖為清晰及簡便之目的而未加說明，然確可在該基板1902上設置進一步的額外電氣元件、電路及/或導體構件。這些電氣元件、電路及/或導體構件可包含驅動電路，包括例如互連、排線、電晶體以及熟習本項技藝之人士所知曉的其他電路，然不限於此。該等電氣元件、電路及/或導體構件可為耦接於各個電極1906，從而能夠選擇性地定址各個電極且無關於其他電極。例如，可在沉積任何其他結構，像是侷限結構1904及/或電極1906，之前及/或之後於該基板1902上形成薄膜電晶體(TFT)(未予圖示)。即如後文所詳述，主動式OLED層可為沉積在經設置於該基板1902之主動式範圍1908內的任何電氣元件、電路及/或導體構件上。

即如圖24所示，在既已沉積該等電極1906和其他包含像是TFT的電路(未予圖示)之後，可將一第一電洞傳導材料1911沉積在由該侷限結構1904所定義的主動式區域顯示器凹井W裡。該第一電洞傳導材料1911可為按如一或更多材料覆層所沉積，此者有助於將電洞注入至有機發光層內。例如，該第一電洞傳導層1911可為依照像是電洞注入材料之電洞傳導材料的單一覆層所沉積。或另者，該電洞傳導材料1911可為按複數個不同電洞傳導材料所沉積，而具有至少一電洞注入材料，此者可例如像是聚(3,4-亞乙基二氧噻吩：聚(對苯乙烯磺酸)(PEDOT：PSS)。

該第電洞傳導層1911可為利用噴墨印刷所沉積。例如，噴墨噴嘴1914可將多個含有電洞傳導材料之流體成份的液滴1916導引於該主動式區域顯示器凹井W裡。熟習本項技藝之人士將能瞭解圖24雖說明單一噴嘴，然確可實作多個噴嘴以在該主動式區域顯示器凹井W內同時地沉積多種電洞傳導材料液滴。

該第一電洞傳導材料1911可為混合於載荷流體以形成一噴墨成份，此成份係經調配以供可靠地且均勻地載入至該主動式區域顯示器凹井W裡。用以載入該第一電洞傳導材料1911的液滴可自噴墨頭噴嘴以高速度方式傳遞至該基板。用以構成該第一電洞傳導層的液滴1916可自所有的個別噴墨噴嘴沉積在該凹井W內，藉以堆集而產生具有大致均勻厚度的連續覆層，即如圖24所示。該第一電洞傳導材料1911可為沉積以令此材料的高度在進行乾燥及/或烘拷處理之前為大於該侷限結構1904的高度；然亦可採取等於或小於該侷限結構1904的高度。

即如圖25所示，在將該電洞傳導材料載入至該主動式區域顯示器凹井W內之後，即可處理該顯示器1900以形成該第一電洞傳導層1912。例如，可處理該顯示器1900藉以透過像是乾燥化製程令任何載荷流體自該第一電洞傳導材料1911汽化。此製程可包含令該基板1902承受於熱能、真空及/或週遭條件一段時間。在乾燥化之後，可依高溫來烘烤該基板1902以處理所沉積的薄膜材料，藉此例如在薄膜形態上引生有利於所沉積薄膜之品質或是整體製程的化學反應或變化。

該第一電洞傳導層1912在整個主動式區域顯示器凹井W內可為大致連續，使得該覆層1912是設置在該主動式區域顯示器凹井W之內的所有表面特性上(即如電極1906、電路(未予圖示)等等)，並且該覆層1912的邊緣會接觸到環繞於該主動式區域顯示器凹井W的侷限結構1904。該覆層1912雖經說明為具有平面性頂部表面，然該電洞傳導層1912可另替地依循底層表面特性的形貌，像是電極1906和任何電路(未予圖示)，藉以例如依照類似前文中參照圖3-11之示範性實施例所述的方式，即所沉積覆層是 依循表面形貌者，來產生與底層表面特性相關聯的非平面頂部表面。

即如圖26所示，可將一第二電洞傳導材料1917沉積在由該侷限結構1904所定義的主動式區域顯示器凹井W內並且位於該第一電洞傳導層1912之上。該第二電洞傳導材料1917可含有電洞傳送材料，例如像是N,N’-二-((1-萘)-N,N’-聯苯)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺(NPB)。

即如對於該第一電洞傳導材料1911，此第二電洞傳導材料1917可為利用噴墨印刷所沉積。例如，噴墨噴嘴1914可將多個含有電洞傳導材料之流體成份的液滴1920導引於該主動式區域顯示器凹井W裡。熟習本項技藝之人士將能瞭解圖26雖說明單一噴嘴，然確可實作多個噴嘴以在該主動式區域顯示器凹井W內同時地沉積多種電洞傳導材料1920液滴。此外，該噴墨噴嘴1914雖經描述為與用以沉積該第一電洞傳導材料1911的噴墨噴嘴相同，然用以沉積該第二電洞傳導材料1917的噴墨噴嘴可為不同。因此，與該第二電洞傳導材料1917相關聯之液滴1920的液滴容積可與該第一電洞傳導材料1911的液滴容積相同或不同。

該第二電洞傳導材料1917可為混合於載荷流體以形成一噴墨成份，此成份係經調配以供可靠地且均勻地載入至該主動式區域顯示器凹井W裡。用以載入該第二電洞傳導材料1917的液滴可自一噴墨頭噴嘴1914以高速度方式傳遞至該基板。該第二電洞傳導材料1917的液滴1920可自所有的個別噴墨噴嘴沉積在該凹井W內，藉以堆集而產生具有大致均勻厚度的連續覆層，即如圖26所示。該第二電洞傳導材料1917可為沉積以令此材料的高度在進行乾燥及/或烘拷處理之前為大於該侷限結構1904的高度；然亦可採取等於或小於該侷限結構1904的高度。

即如圖27所示，在將該第二電洞傳導材料1917載入至該主動式區域顯示器凹井W內之後，即可處理該顯示器1900以形成該第二乾燥化電洞傳導層1918。例如，可處理該顯示器1900藉以透過像是乾燥化製程令任何載荷流體自該第二電洞傳導材料1917汽化。此製程可包含令該基板1902承受於熱能、真空及/或週遭條件一段時間。在乾燥化之後，可依高溫來烘烤該基板1902以處理所沉積的材料1917，藉此例如在薄膜形態上引生有利於所沉積薄膜之品質或是整體製程的化學反應或變化。

該第二電洞傳導層1918在整個主動式區域顯示器凹井W內可為大致連續，使得該覆層1918是設置在該主動式區域顯示器凹井W之內的所有表面特性上(即如電極206、電路(未予圖示)、該第一電洞傳導層1912等等)，並且該覆層1912的邊緣會接觸到環繞於該主動式區域顯示器凹井W的侷限結構1918。

即如圖28所示，該第二電洞傳導層1918可予處理俾修改該第二電洞傳導層1918之局部的表面能量或親近性以供定義發射層侷限範圍。例如，可將一反應性表面主動式材料施用於該覆層1918的表面。在一示範性實施例裡，該反應性表面主動式材料可為透過遮罩1922受曝於來自輻射來源1923的輻射，其中可利用該遮罩內的開口(未予圖示)來定義在覆層1918內具有不同表面能量的範圍(即如液體親近範圍和液體排斥範圍)，藉以獲致發射層侷限範圍。在一替代性實施例裡，該覆層1918可進一步含有反應性表面主動式材料，使得能夠利用該輻射來源1923曝照該第二電洞傳導層1918以定義該等發射層侷限範圍。在一示範性實施例裡，該遮罩1922可為相對於電極1906所設置，使得該遮罩1922裡的各個開口可為依照各個 電極的寬度及長度而對齊。

該反應性表面主動式(RSA)材料可含有至少一幅射敏感性材料的組成成份。當令該RSA材料受曝於輻射時，可修改受曝於此輻射之相關聯覆層的表面能量或親近性。例如，該覆層1918中與受曝於該輻射之RSA材料相關聯的局部在物理、化學及/或電氣性質方面可產生不同於該覆層1918中並未與RSA材料相關聯及/或並未受曝於來自該光源1923輻射之局部的變化，使得該覆層1918中受曝於輻射之局部的表面能量或親近性是不同於該覆層1918中未受曝於輻射之局部的表面能量或親近性。

該輻射來源1923可包含任何可併同於該RSA材料以修改至少一物理、化學及/或電氣性質的輻射來源。例如，該輻射來源1923可包含紅外線輻射來源、可見光波長輻射來源、紫外線輻射來源，該等的組合等等。

所使用之輻射的類型可依照RSA的敏感性而定。該曝出作業可為毯覆式、整體受曝，或者該曝出作業可為依照圖案化方式。即如本揭中所使用者，此詞彙「圖案化」是表示僅一材料或覆層的選定局部受曝。圖案化方式曝出可為利用任何已知成影技術所達成。在一實施例裡，可經由遮罩進行曝出以達成該圖案。在一實施例裡，該圖案是藉由雷射而僅令選定局部受曝所達成。曝出時間的範圍可為自數秒鐘至數分鐘，這可依照所使用之RSA的特定化學物性而定。當使用雷射時，可根據雷射功率針對各個個別區域運用遠為較短的曝出時間。曝出步驟則可依照材料的敏感度在空氣中或是惰性大氣裡執行。

在一實施例裡，該輻射可選定為紫外線輻射(10-390nm)、可 見光輻射(390-770nm)、紅外線輻射(770-106nm)以及其等的組合，這包含同時性與循序性處理。在另一實施例裡，該輻射可為熱性輻射，即如藉由加熱方式所實行者。此加熱步驟的溫度和時段長度係為改變該RSA材料的至少一物理性質而仍不致毀損任何底設覆層。在一示範性實施例裡，該加熱溫度可為低於250℃，像是150℃。

在一示範性實施例裡，該輻射可為紫外線或可見光輻射，其中該輻射可為依照圖案化方式所施用，從而獲得RSA的受曝範圍以及RSA的未受曝範圍。在藉圖案化方式受曝於輻射之後，可處理該第一覆層以移除該RSA的受曝或未受曝範圍。

在另一示範性實施例裡，令該RSA受曝於輻射可導致RSA在溶劑內的可溶性或可散解性出現變化。例如，在以圖案化方式進行受曝作業時，當完成曝出後可接著進行濕性顯影處理。此處理可包含以溶劑沖洗，而該溶劑可溶除、散解或去離其中一種區域。依圖案化方式受曝於輻射可致使該RSA的受曝區域成為不溶解化，並且以溶劑進行處理可移除該RSA的未受曝區域。

在另一示範性實施例裡，該RSA受曝於可見光或UV輻射可達到受曝區域內之RSA揮發度出現降低的反應。當以圖案化進行受曝作業時，在完成之後即可接著進行熱性顯影處理。此處理可牽涉到加熱至高於該未受曝材料之揮發或昇華溫度並且低於該材料成為熱反應性之溫度的溫度處。例如，對於可聚合化單體，可將該材料加熱至高於昇華溫度並且低於熱性聚合化溫度的溫度處。不過，應注意到具有接近或低於揮發溫度之熱反應性溫度的RSA材料可能無法按此方式進行顯影處理。

在另一示範性實施例裡，令該RSA受曝於輻射可導致該材料在發生熔化、軟化或液流之溫度方面的變化。當以圖案化進行受曝作業時，在完成之即可接著進行乾性顯影處理。此乾性顯影處理可包含令該構件的最外部表面接觸於一吸收性表面以吸收或拭除較軟局部。此乾性顯影處理可在高溫處進行，只要不會對原先未受曝區域的性質造成進一步影響即可。

在令RSA材料受曝於輻射之後，可修改該覆層1918的物理性質以使得受曝局部的表面能量相較於未受曝局部出現提高或降低。例如，該等受曝局部可造成該覆層1918的局部變得可或多或少地溶解於或散離於液體材料中、或多或少地黏稠、或多或少地軟化、或多或少地可流動、或多或少地可提浮、或多或少地可吸收、相對於特定溶劑或墨劑具有較大或較小的接觸角度、相對於特定溶劑或墨劑具有較高或較低的液體親近性等等。可對該覆層1918的任何物理性質產生影響。

RSA材料可包含一或更多輻射敏感性材料。例如，這種RSA材料可包含具有輻射可聚合基的材料，像是烯烴、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基醚、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酮，聚碸、其等的共聚合物以及其等的混合物。RSA材料可進一步包含兩個或更多的可聚合基。當RSA材料含有兩個或更多的可聚合基時，就可能產生交聯。

在一示範性實施例裡，此RSA材料可含有至少一反應性材料和至少一輻射敏感性材料，其中該輻射敏感性材料可產生主動式物項，而在當受曝於輻射時可引起該反應性材料發生反應。這些輻射敏感性材料的範例可包含能夠產生自由基、酸類或該等的組合者，然不限於此。在一 實施例裡，該反應性材料具有可聚合性或是可交聯性。材料聚合或交聯反應可藉由該反應性物項所啟動或催化。該輻射敏感性材料通常是依據該RSA材料的總重量而以自0.001%到10.0%的量值出現。

在一示範性實施例裡，該RSA材料的反應性材料可為烯屬不飽和化合物，並且該RSA材料的輻射敏感性材料在當受曝於輻射時可產生自由基。此烯屬不飽和化合物可包含丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基化合物以及其等的組合，然不限於此。任何能夠產生自由基的已知輻射敏感性材料類屬皆可採用。例如，醌類、二苯甲酮類、苯偶姻醚、芳基酮、過氧化物、芐基二甲基縮酮、羥基烷基苯基苯乙酮、二烷氧基苯乙酮、三甲基氧化膦衍生物、氨基酮、苯甲醯基環己醇、甲基硫代苯基嗎啉酮、嗎啉代苯基氨基酮、α-鹵代苯乙酮、氧基磺醯基酮、磺醯基酮、氧基磺醯基酮、磺醯基酮、苯甲醯肟酯、噻噸、樟腦醌、酮基香豆素以及米其勒酮。或另者，該輻射敏感性材料可為多項化合物的混合，其中一項在當被一受輻射所啟動的敏感物而令以提供自由基時即可提供自由基。在一實施例裡，該輻射敏感性材料是對可見光或紫外線輻射敏感。

在一示範性實施例裡，該反應性材料可進行由酸質所引起的聚合化反應，而令該輻射敏感性材料受曝於輻射可產生此酸質。此等反應性材料的範例包含環氧樹脂，然不限於此。而可產生酸質之輻射敏感性材料的範例則包含鋶和碘鎓鹽，像是六氟磷酸二苯基，然不限於此。在一替代性實施例裡，該反應性材料可包含酚醛樹脂，並且該輻射敏感性材料可為重氮萘醌。

該RSA材料可進一步含有氟化材料。例如，該RSA材料可 包含具有一或更多氟烷基的不飽和材料，像是含氟丙烯酸酯、含氟酯或氟代烯烴單體。在一示範性實施例裡，該氟烷基具有2-20個碳原子。

圖29說明在該輻射來源1923透過該遮罩1922照射到經RSA處理之第二電洞傳導層1918後所形成的液體親近範圍1924和液體排斥範圍1926。圖30為圖29所示之放大局部M的示範性截面視圖，並且圖31為圖29所示之放大局部M的示範性平面視圖。注意到該等液體親近範圍1924以及該等液體排斥範圍1926在圖29中係經描述為被定義在該第二電洞傳導層1918的整個厚度之內。然而，熟習本項技藝之人士將能瞭解該等範圍1924及/或1926確可僅在該覆層1918的其一局部內形成，例如在該覆層1918的頂部表面上。

在一示範性實施例裡，液體親近範圍1924可為定義於液體排斥範圍1926之間。該等液體排斥範圍的寬度可為自約3μm至大於100μm之間的範圍內。可定義該等液體親近範圍1924以使得該等液體親近範圍1924具有略微大於各個電極1906表面積的表面，同時該等液體親近範圍1924中被定義在該等電極1906之主動式區域外部的局部可提供液體親近範圍邊際1930。例如，即如圖30和31所示，該等液體親近範圍1924可為定義以考量到與有機發光材料沉積相關聯的乾燥效應，故而使得該等液體親近範圍1924能夠將有機發光材料侷限在該等液體親近範圍1924裡。各個液體親近範圍1924可包含一與電極1906之主動式範圍相關聯的區域1928(即如圖30中以陰影局部所表示者)，以及一經設置在電極1906之主動式範圍外部的液體親近範圍邊際1930。當將有機發光材料沉積在該第二電洞傳導層1918上時，該有機發光材料可大致被侷限在各個液體親近範圍1924的區 域1928和液體親近範圍邊際1930之內。例如，當對該有機發光材料進行處理(即如乾燥化)時，就可能會在各個有機發光層的邊緣處出現不均勻性，故而使得此不均勻性被納入在該液體親近範圍邊際1930內。換言之，當處理該有機發光材料時，有一部份位在該液體親近範圍1924之區域1928內的材料會具有均勻的頂部表面，藉以減少所感知的視覺假影。當該等液體親近範圍1924係經定義以使得讓任何不均勻邊緣皆位在電極1906主動式區域之外部的距離能夠依照邊緣乾燥效果而改變時，該等範圍1924就可考量到此邊緣乾燥效果。在當定義液體親近範圍的形狀時亦可將此邊緣乾燥效果納入考量。例如，在各種實施例中(未予圖示)，有機發光材料可獲致圓化邊緣而並非如附圖中略圖表示的尖銳角落，藉此提供更均勻的乾燥化薄膜。除此之外，液體親近範圍1924可為基於有機發光材料以及與各個材料相關聯的乾燥效果所彈性地組態設定。在各種示範性實施例中，可實作約20μm或更小，或者約10μm或更小，或者約5μm或更小，或者約3μm或更小的液體親近範圍邊際1930(此者係經提供故而令邊緣乾燥效果對於發光區域的影響降至最低)。相對於光線發射範圍而增加液體親近範圍的大小亦可有助於在依圖案方式進行輻射曝光的製程裡補償對齊誤差。例如，在一示範性實施例裡，該圖案方式輻射曝光製程可具有約2μm的對齊正確度。因此，增加該等液體親近範圍的大小可解決相對於底層光線發射範圍大約正負2μm的可能對齊錯誤。

即如前述，電極1906可具有不同形狀、排置及/或組態。例如，與藍光發射相關聯的電極可大於與紅光或綠光發射相關聯的電極，這是因為在OLED裝置裡與藍光發射相關聯的有機發光層通常比起與紅光及 綠光發射相關聯的有機發光層會具有較短的壽命。此外，操作OLED裝置以達到較低亮度位準是能夠延長裝置的壽命。而藉由相對於與紅光及綠光發射相關聯的電極增大與藍光發射相關聯之電極的發射面積，可驅動與藍光發射相關聯的電極以令其亮度達至低於與紅光及綠光發射相關聯電極的亮度，藉此在不同的有機發光材料壽命中產生較佳的平衡結果，同時可提供適當的整體顯示器色彩均衡度。如此所改善的壽命均衡結果可進一步獲得更佳的整體顯示器壽命，原因是可延長與藍光發射相關聯之有機發光材料的壽命。此外，該液體親近範圍可對應於該等電極1906的不同形狀、排置及/或組態。例如，在一顯示出似於圖31之視圖的另一示範性實施例裡，圖32說明該等液體親近範圍1924r、1924g、1924b可為關聯於具有不同形狀的個別電極，使得該液體親近範圍1924r為關聯於用以達到紅光發射的電極，該液體親近範圍1924g為關聯於用以達到綠光發射的電極，該液體親近範圍1924b為關聯於用以達到藍光發射的電極。

在如圖33所示的替代性實施例裡，此者亦為如圖29所示之放大局部M的示範性實施例，在將電極1906設置於該基板1902上之後可沉積出一像素定義層1938。該像素定義層1938可為沉積在電極1906的一局部上，並且可定義該等液體親近範圍1924以使得該液體親近範圍邊際1930能夠疊覆於該像素定義層1938的至少一局部。該等像素定義層1938可為用以界定該顯示器1900主動式範圍1908的像素陣列內之像素的任何實體結構。該像素定義層1938可為由電阻材料製成，使得該定義層1938能夠防止電流流動，並因此藉由顯著地避免光線發射穿透電極1906的邊緣以減少非所欲的視覺假影。在一示範性實施例裡，該等像素定義層1938可具有在約 50nm至約1500nm範圍之內的厚度。

即如圖34所示，可將該有機發光材料1932沉積在由侷限結構1904所定義的主動式區域顯示器凹井W之內。例如，可利用噴墨印刷以將該有機發光層1932沉積於在該第二電洞傳導層之內經圖案化的發射層侷限範圍上。該噴墨噴嘴1914可即如經由該噴嘴1914及/或該基板1902的相對掃描移動以將包含有機發光材料之墨劑的液滴1934導引在該等液體親近範圍1924上。該有機發光材料液滴1934可在液體親近範圍1924內均勻地擴展，使得材料釘定於液體親近範圍1924的邊緣處(即如在液體親近範圍邊際1930裡)。熟習本項技藝之人士將能知曉，在此雖參照圖34討論並顯示單個噴嘴，然確可實作多個噴嘴以提供含有有機發光材料的墨劑。可自多個噴墨噴嘴頭同時地或是循序地沉積含有與不同發光色彩相關聯之相同或不同有機發光材料的墨劑。

而所沉積的有機發光材料1932包含可促成光線發射的材料，像是與紅光、綠光及/或藍光發射相關聯的有機電子螢光材料。然而，與其他光線發射色彩相關聯的有機電子螢光材料，像是與黃光及/或白光發射相關聯的有機電子螢光材料，亦可加以運用。

此有機電子螢光材料可與一載荷流體相混合以形成噴墨墨劑，此墨劑係經調配以在該液體親近範圍1924內提供可靠且均勻的載入物。經沉積以產生該有機發光材料1932的墨劑可為自該噴墨噴嘴1914高速地遞送至該液體親近範圍1924上。

該有機發光材料1932通常可維持在由該液體親近範圍1924所定義的表面區域內。例如，可藉由將墨劑液滴1934沉積在該液體親近範 圍1924裡以將有機發光材料1932載入至該基板1902上。由於該液體親近範圍1924的表面能量特徵之故，因此該有機發光材料1932的液滴能夠在該液體親近範圍1924內均勻地擴展，並且釘定於該液體親近範圍邊際1930的邊緣處。

在各種示範性實施例裡，考量到當沉積該有機發光材料1932時可運用許多具有約10pL或更小容積的墨劑液滴1934。在各種示範性實施例中，可運用約5pL或更小、約3pL或更小，或者約2pL或更小的墨劑液滴容積。藉由利用根據本揭示的圖案化液體親近範圍1924和液體排斥範圍1926，確可運用相對較大並符合於現有噴墨噴嘴技術的液滴容積大小。此外，對於液滴設置正確度而言，可有因液體親近範圍邊際1930所產生的額外邊際。

在將墨劑1934載入至該等液體親近範圍1924之上後，即可處理該顯示器1900以如圖35所示令任何載荷流體汽化俾產生該有機發光層1933。此乾燥化製程可包含令該顯示器受曝於熱能、真空及/或週遭條件一段預設時間。在乾燥化之後，可進一步以高溫烘烤該顯示器1900來處理所沉積的薄膜材料，藉此例如在薄膜形態上引生有利於所沉積薄膜之品質或是整體製程的化學反應或變化。而在乾燥化及/或烘烤處理過程中該有機發光層1933裡出現的任何邊緣變形皆可被包容於液體親近範圍邊際1930內，即如參照於圖30及31所說明和討論者。

即如圖36所示，可將一第二電極層1936沉積在位於經乾燥化之有機發光層1933上由該侷限結構1904所定義的主動式區域顯示器凹井W內。在一替代性實施例裡，該第二電極層1936可進一步延伸越過該侷限 結構1904。例如，該第二電極層1936可接觸到經設置在基板1902上的外部導體路徑(未予圖示)，藉以供應或竭汲由該第二電極層1936所載荷的電流。該第二電極層1936可為透明性或反射性，並且可為由導體材料，像是金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物、混合氧化物或其等的組合，所構成。例如，該第二電極層1936可為氧化銦錫或鎂銀。圖36中雖顯示為單一覆層，然該第二電極層1936確可擁有任何形狀、排置及/或組態，包含其中含有複數個導體覆層。在一示範性實施例裡，可利用毯覆技術來構成該第二電極層1936，使得該電極1936能夠在該顯示器1900的整個主動式範圍1908上獲致單一電極(參見圖22和23)。在一替代性實施例裡，該第二電極層1936可含有複數個電極，其中一第二電極為分別地關聯於(即如重疊於)各個電極1906。此外，該第二電極層1936在圖36中雖圖示為具有平面性的頂部表面，然確可沉積該第二電極層1936以使得該覆層1936反映出底層形貌，從而獲致非平面性的頂部表面。

該第二電極層1936可為利用任何製造方法所形成，像是噴墨印刷、噴嘴印刷、狹縫塗覆、自旋塗覆、真空熱性汽化、濺射(或其他物理汽相沉積方法)、化學汽相沉積等等。而在沉積過程中未另達成的任何其他圖案化處理則可在沉積作業之後藉由利用陰影遮罩、微影蝕刻(光阻塗覆、曝光、顯影和剝除)、濕性蝕刻、乾性蝕刻、提移等等達成。

當該第二電極層1936為跨展於該主動式區域顯示凹井W的連續覆層時，該覆層1936即能毯覆由該等先前設置覆層所形成的形貌。例如，該第二電極層1936可接觸到該等液體排斥範圍1926內的第二電洞傳導層1918以及構成於該第二電洞傳導層1918之液體親近範圍1924上的有機 發光層1933。

可在提供該第二電極層1936之前先將額外的OLED層設置在該等有機發光層1933上，這些額外的OLED層可包含例如像是電子傳送層、電子注入層、電洞阻擋層、溼氣防止層及/或保護層。這些額外的OLED層可藉由熟習本項技藝之人士眾知的各種技術，像是藉由噴墨印刷、真空熱性汽化或者像是藉由其他方法，所沉積。

在一替代性的示範性實施例裡，顯示器1900可包含如圖37所示的單個電洞傳導層1913，而非如圖28所示的第一電洞傳導層1912和第二電洞傳導層1918。可將該等液體親近範圍1924定義在該單個電洞傳導層1913內，使得該等液體親近範圍邊際1930是被定義在該單個電洞傳導層1913的局部之內而位於該等電極1906之主動式範圍的外部。該電洞傳導層1913可包含一或更多的電洞傳導材料。例如，該電洞傳導層1913可含有電洞注入材料及/或電洞傳送層。

此外，即如圖37所示，該電洞傳導層1913和該第二電極層1936可符合於底層形貌，故而使得該電洞傳導層1913及/或該第二電極層1936的頂部表面為非平面。因此，所沉積的OLED覆層可獲致一並非位在與該基板相平行而跨於整個侷限凹井之單一平面內的表面形貌。例如，由於與經設置在該基板1902上之電極所含任何表面特性相關聯的相對凹陷或突出之故，該等覆層1913、1936其一或兩者在該顯示器的單一平面內可為非平面且非連續(其中該顯示器平面係作為一與該基板1902相平行的平面)。即如圖示，該等覆層1913、1936可足夠地符合於底層表面特性形貌，使得該OLED覆層的頂部表面能夠具有依循這些底層表面特性之形貌的所 獲形貌。換言之，各個所沉積OLED覆層足夠地符合於底設覆層及/或沉積在該基板1902上的所有表面特性，使得該等底設覆層會貢獻於該等OLED覆層在沉積之後的所獲非平面頂部表面形貌。依此方式，在跨於該主動式區域顯示器凹井上而與該顯示器之平面相平行的平面裡，可能會藉該主動式區域顯示器凹井內之電極、電路、像素定義層等等所提供的現有表面特性相對於該平面隨此(等)覆層上揚及/或下降而產生出該等覆層1913或1936或兩者內的不連續性。該等覆層1913及/或1936雖不需要完美地配合於底層表面形貌(例如於邊緣範圍等等附近處可能在厚度上會有局部的不均勻性，即如前文所詳述)，然足夠高合配度且其中並無顯著材料建積或耗除的鍍層確可有助於產生更加勻稱、平均且重複性的鍍層。熟習本項技藝之人士將能知曉可將前述的相同考量運用於含有電洞注入層及電洞傳送層兩者的電洞傳導層，以使得此等覆層之其一或兩者足夠符合於底層表面特性形貌，其中任一覆層的頂部表面可擁有依循該等底層表面特性之形貌的所獲形貌。

在各種實施例中，可省略該侷限結構1904，然另外設計墨劑配方和印刷製程以使得該等液體排斥範圍是在位於顯示器主動式區域外部的範圍裡所形成，藉以有助於斥離任何沉積在該顯示器之非主動式區域內的流體。例如，即如圖38及39所示，可將第一電洞傳導層1912和第二電洞傳導層1918沉積在電極1906以及基板1902中位於該顯示器1900之非主動式範圍1910內的局部上。在一示範性實施例裡，該等覆層1912與1918可為經塗覆於整個基板上的毯覆物。該第二電洞傳導層1918可予處理俾修改該第二電洞傳導層1918之局部的表面能量或親近性以供定義發射層侷限 範圍。此外，該顯示器之非主動式範圍1910內的液體排斥局部1925可定義一侷限區域CA，其中該液體排斥局部1925可環繞於該主動式區域1908。即如前述，輻射來源1926可透過遮罩1922提供輻射，此輻射可撞擊到該第二電洞傳導層1918中一經RSA材料處理的表面上。來自該輻射來源1926的輻射可修改此RSA材料的至少一性質以形成液體親近範圍1924。而該等液體排斥範圍1925可具有能夠在這些範圍裡獲得液體排斥範圍的表面能量。在本實施例裡，由於並無環繞於該顯示器的整個主動式區域之週緣的侷限結構(即如不含主動式區域顯示器凹井)，因此是沒有結構來將所有的所印刷覆層侷限在納入且緊鄰環繞於該顯示器之主動式區域的範圍。如此可供簡化一些處理程序，然同時潛在地會需要一些後述的額外處理步驟以自該非主動式顯示器區域移除部份材料。有機發光材料1932可為沉積在該液體親近範圍1924內。同時，有機發光材料1932可因該等液體排斥局部1925之故而大致被侷限在該顯示器1900的主動式區域1908內。

圖40為圖39所示之放大局部的截面視圖，並且說明含有與電極1906的主動式區域相關聯之局部1928以及液體親近邊際範圍1930的液體親近範圍1924。該第二電洞傳導層的液體排斥局部1925可為分隔於與該主動式區域1908內之各個電極1906相關聯而相鄰於該非主動式區域1910的液體親近邊際範圍1930。該等液體排斥局部1925可供防止任何有機發光材料移離而進入到該顯示器1900的非主動式局部1910內。

根據示範性實施例，如圖22-40的OLED裝置可具有頂部發射組態或者是底部發射組態。例如，按一頂部發射組態，圖22-40所示的複數個電極1906可為反射性電極，並且圖36及37所示的第二電極層1936可 為透明性電極。或另者，在一底部發射組態中，該等複數個電極1906可為透明性，而該第二電極層1936則是反射性。

在另一示範性實施例裡，圖22-40的OLED顯示器可為主動式矩陣OLED(AMOLED)。相較於被動式矩陣OLED(PMOLED)顯示器，AMOLED顯示器可改善顯示器效能，然需要位在基板上的主動式驅動電路，其中含有薄膜電晶體(TFT)，並且此電路並非透明性。PMOLED顯示器雖具有一些非透明的構件，像是導體性匯流排線路，然AMOLED確擁有顯著更多的不透明構件。因此，對於底部發射AMOLED顯示器來說，相較於PMOLED其填佔因數會減少，原因是只能在非透明的電路構件間透過基板的底部發射光線。為此原因，對於AMOLED顯示器會希望是利用頂部發射組態，因為能夠將OLED裝置建構在此主動式電路構件的頂部上，並且可經由OLED裝置的頂部發射光線而無須憂慮底層構件的不透明性。一般說來，利用頂部發射結構可提高顯示器1900內定義之各個像素的填佔因數，因為光線發射不會被沉積在基板1902上的額外非透明構件(即如TFT、驅動電路元件等等)所阻擋。然而，本揭示並不受限於這種頂部發射主動式矩陣OLED組態。本文所討論的技術與排置可運用於任何其他類型的顯示器，像是底部發射及/或被動式顯示器，以及熟習本項技藝之人士瞭解如何利用適當修改作業而配用者。

前文參照圖22-40所說明的各種特點可運用於根據本揭示的各種像素與子像素佈置。本揭示所考量到的其一示範性佈置可如圖41所示。

在一示範性實施例裡，發射層侷限範圍可為定義以納入一展跨於複數個子像素的區域，使得該像素的非主動式局部縮小。例如，即如 圖41所示，發射層侷限範圍可為定義在複數個個別定址的子像素電極上，而各個子像素電極可為關聯於不同的像素。藉由增大該發射層侷限結構的面積即可令填佔因數最大化，因為主動式範圍對總像素面積的比值提高。此填佔因數增大可在較小尺寸的顯示器中提供高解析度，並且改善顯示器的壽命。

圖41說明一顯示器2000的部份平面視圖，此顯示器含有複數個像素，即如像是由虛線邊界2050、2051、2052所定義者，而當被選擇性地驅動時可發射光線以對使用者產生待予顯示的影像。在全彩顯示器中，像素2050、2051、2052可含有複數個具有不同色彩的子像素。例如，像素2050可含有一紅光子像素R、一綠光子像素G以及一藍光子像素B。多個發射層侷限範圍2034、2036、2038可為定義於一第二電洞傳導層2026之內，在此該發射層侷限範圍2034可為關聯於具有紅光波長範圍發射的有機發光材料，該發射層侷限範圍2036可為關聯於具有綠光波長範圍發射的有機發光材料，並且該發射層侷限範圍2038可為關聯於具有藍光波長範圍發射的有機發光材料。各個發射層侷限範圍2034、2036、2038可為關聯於複數個電極2006、2007、2008、2009、2016、2017、2018、2019、2022、2024。藉由將該等發射層侷限範圍2034、2036、2038組態設定為關聯於複數個電極，即可改善例如像是在高解析度顯示器裡顯示器2000的整體填佔因數。

圖41的示範性實施例並不具限制性，而可有眾多方式以供實作本揭示。在許多情況下，一特定佈置的選擇可為基於下列限項，即如對於電路的底層佈置、所欲的像素形狀，像是長方形、山形、圓形、六角形、三角形等等，以及與顯示器之視覺外觀相關聯的多項因素(即如對於不 同組態和對於像是文字、圖形或動態影像之不同顯示內容類型可觀察到的視覺假影)。熟習本項技藝之人士將能瞭解其他佈置的數量歸屬於本揭示的範疇內，同時可透過修改並基於本揭所述原理而獲用。此外，熟習本項技藝之人士將能知曉，雖為簡化之目的，該發射層侷限範圍是依圖41中的示範性佈置所說明，然任何如前文參照圖22-40所描述的特性，包含電極、表面特性、電路、像素定義層和其他佈置，皆可與本揭的任何像素佈置組合運用。

利用根據本揭示之示範性實施例的各種特點，一些示範性維度與參數可適用於獲得具有更高填佔因數的高解析度OLED顯示器。表9-11含有根據本揭示示範性實施例與一具有解析度326ppi之OLED顯示器相關聯的預示性、非限制性範例，其中表9描述與紅光發射相關聯的子像素，表10描述與綠光發射相關聯的子像素並且表11描述與藍光發射相關聯的子像素。表12-14則含有根據本揭示示範性實施例與一具有解析度440ppi之顯示器相關聯的傳統維度和參數以及預示性、非限制性範例，其中表12描述與紅光發射相關聯的子像素，表13描述與綠光發射相關聯的子像素並且表14描述與藍光發射相關聯的子像素。

本揭所示的實施例可用以在任何OLED顯示器中獲致高解析度。因此，本揭所說明的裝置、系統與技術可適用於各式電子顯示器設備。此等電子顯示器設備的一些非限制性範例包含電視顯示器、視訊相機、數位相機、頭戴式顯示器、汽車導航系統、含有顯示器的音訊系統、膝上型個人電腦、數位遊戲設備、可攜式資訊終端機(像是平板電腦、行動電腦、行動電話、行動遊戲設備或電子書)、裝設有記錄媒體的影像播放裝置。兩種電子顯示器設備的示範性實施例可如圖20和21中所示。

圖20說明併入任何根據本揭示的OLED顯示器之電視監視器及/或桌上型個人電腦的監視器。監視器1500可含有外框1502、支架1504及顯示器局部1506。本揭的OLED顯示器實施例可用來作為該顯示器局部1506。監視器1500可為任何尺寸，例如可達55”或更大。

圖21說明一併入任何根據本揭示OLED顯示器之行動裝置1600(像是行動手機、平板電腦、個人數位助理等等)的示範性實施例。該行動裝置1600可含有主體1062、顯示器局部1604以及操作切換器1606。本揭的OLED顯示器實施例可用來作為該顯示器局部1604。

熟習本項技藝之人士將能瞭解圖1-41為略圖表示並應視為僅具代表性質。例如，各種侷限結構1904及其他結構雖經說明為具有與基板相垂直所設置的平行邊壁而且具有尖銳邊緣，然該等結構可具有任何形狀，包含圓化邊緣及/或傾角邊壁在內。此外，任何覆層及/或侷限範圍皆可具有像是圓化、傾角等等的不均勻邊緣。

本揭示中如前文所述與後文說明的各式示範性實施例可藉由增大其內載有OLED材料液滴之侷限凹井及/或侷限區域的大小，故能根據本揭示運用可獲用的液滴大小和可獲用的噴墨系統液滴設置正確度，以噴墨印刷出具有相當高像素密度及高填佔因數的OLED顯示器。由於這些較大的侷限凹井和面積之故，因此可利用足夠大的噴墨液滴容積和可獲用的液滴設置正確度來製造高解析度OLED顯示器，而無須運用太小的液滴容積或過高的液滴設置正確度，這些在噴墨設備設計和印刷技術方面都會造成重大的難題。當運用侷限結構時，若不實作根據本揭示之各式實施例跨展於複數個子像素上的侷限凹井或侷限區域，則在任何利用現有噴墨頭的高解析度顯示器裡液滴大小及系統液滴設置誤差都會顯著地提高困難度，這是因為液滴會具有過大容積並且滿溢於各個子像素侷限凹井或區域，傳統的液滴設置正確度則是會導致液滴全然地或部份地誤置在目標侷限凹井或區域之外，而這兩者之中只要是其一者就會在薄膜沉積作業裡造 成非所欲的錯誤以及最終顯示器外觀上的相對應視覺瑕疵。這種藉由現有的液滴容積和液滴設置正確度以達高像素密度的能力可供將本揭各種示範性技術運用於針對許多應用項目製造出具有相對高解析度的顯示器，這些包含從小型尺寸顯示器，例如像是在智慧型手機及/或平板電腦中所見者，到大型尺寸顯示器，例如像是超高解析度電視。

此外，根據示範性實施例，獲致具有大致均勻厚度而足夠符合底層形貌的OLED材料覆層可有助於提升整體OLED顯示器效能與品質，並且特別是可供在高解析度OLED顯示器中達到所欲效能及品質。

前述實施例的一或更多者亦可獲以提高填佔因數。在傳統的像素排置裡，對於具300-440ppi範圍解析度之顯示器的填佔因數會低於40%，並且通常是低於30%。相對地，本揭示的示範性實施例可達到大於40%的填佔因數，並且在一些實例中對於具有300-440ppi範圍內之解析度的顯示器可高達60%。該等示範性實施例可運用於任何像素大小及排置，包含在高解析度顯示器內的像素排置。

該等示範性實施例可運用於任何尺寸的顯示器，且特別適用於具有高解析度的小型顯示器。例如，本揭示範性實施例適用於3-70英吋範圍，亦擁有大於100ppi，像是高於300ppi之解析度，的顯示器。

本揭各種示範性實施例雖考量為運用噴墨印刷技術，然本揭所述的各種像素和子像素佈置以及對於OLED顯示器產生出這些佈置的方式確亦能利用其他的製造技術所製得，像是熱性汽化、有機汽相沉積與有機汽相噴墨印刷。在示範性實施例裡亦可進行其他的有機層圖案化處理。例如，這些圖案化方法可包含陰影遮蔽(併同於熱性汽化作業)以及有機汽相 噴墨印刷。尤其，本揭所述之像素佈置雖為對於噴墨印刷應用所說明，其中具有相同色彩的多個子像素係經群組合一而且/或者其中所沉積OLED薄膜層展跨於該等群組化子像素範圍內的主要形貌，然此等佈置亦可有利地另行應用在為以沉積OLED薄膜層的真空熱性汽化技術，其中可利用陰影遮蔽來完成圖案化步驟。如前所述的此等佈置可提供較大的陰影遮罩孔洞以及該等孔洞之間的增長距離，藉以潛在地改善整體此等陰影遮罩的機械穩定度與一般實用性。藉陰影遮罩的真空熱性汽化技術在成本上雖可能不會比噴墨技術更高，然運用根據本揭示的像素佈置並且利用展跨於與相同色彩相關聯的群組化子像素內之大部份形貌的OLED薄膜層鍍層確亦表示如前文所述的本揭可能重要應用項目。

本揭示之前文與後載各種示範性實施例可，根據本揭示，藉由可供運用傳統墨劑液滴大小和傳統噴墨液滴設置正確度，利用發射層侷限範圍來侷限有機發光材料的噴墨液滴，而藉此縮減非像素之主動式區域面積以供噴墨印刷出具有相當高像素密度和高填佔因數的OLED顯示器。由於所定義的發射層侷限範圍之故，因此可利用足夠大的噴墨液滴容積和傳統的液滴設置正確度來製造高解析度OLED顯示器，而無須運用太小的液滴容積或過高的液滴設置正確度，這些在噴墨設備設計和印刷技術方面都會造成重大的難題。在任何利用傳統噴墨頭所製造的高解析度顯示器裡，對於液滴大小和系統液滴設置誤差度上的要求都會顯著地提高。這種可藉由傳統液滴容積和傳統液滴設置正確度以達高像素密度的能力可供將本揭技術運用於針對許多應用項目製造出具有相對高解析度的顯示器，這些包含從小型尺寸顯示器，例如像是在智慧型手機及/或平板電腦中所見 者，到大型尺寸顯示器，例如像是超高解析度電視。當運用傳統的像素排置方式時，前述實施例的一或更多者可供減小填佔因數。在傳統的像素排置裡，對於具300-440ppi範圍解析度之顯示器的填佔因數會低於40%，並且通常是低於30%，因為侷限凹井結構會對非主動式像素範圍有所貢獻。相對地，本揭示的示範性實施例可具有大於40%的填佔因數，並且在一些實例中對於具有300-440ppi範圍內之解析度的顯示器可高達60%。該等示範性實施例可運用於任何像素大小及排置，特別是對於在高解析度顯示器內的像素排置尤甚。

該等示範性實施例可運用於任何尺寸的顯示器，並且特別適用於具有高解析度的小型顯示器。例如，本揭示的示範性實施例可適用於3-70英吋範圍內，同時亦擁有大於100ppi且尤其是高於300ppi之解析度，的顯示器。

前文中雖僅詳細說明數個示範性實施例，然熟習本項技藝之人士將隨能瞭解確可在示範性實施例進行多項修改而不致實質地悖離本揭示範疇。從而，所有該等修改皆應納入在如後載申請專利範圍中所定義的本揭示範疇之內。

進一步特點可如後文章節中所揭示。

第一特點是關於一種製造有機發光顯示器的方法。該第一特點包含在一基板上提供複數個電極。可透過噴墨印刷方式以在該基板的複數個電極上沉積一第一電洞傳導層。可改變該第一電洞傳導層之選定表面局部的液體親近性質以定義發射層侷限範圍。各個發射層侷限範圍可具有一個別地對應於經設置在該基板上之複數個電極各者的局部。有機發光層 可透過噴墨印刷沉積在各個發射層侷限範圍內。

根據該第一特點的第二特點，該方法可進一步包含，透過噴墨印刷，在該等複數個電極與該第一電洞傳導層之間沉積一第二電洞傳導層。

根據前述特點之任一項的第三特點，該方法可進一步包含在該基板上提供一環繞於該等複數個電極的侷限結構。

根據前述特點之任一項的第四特點，該方法可進一步包含在該顯示器的主動式區域內設置複數個電極。

根據前述特點之任一項的第五特點，該方法可進一步包含在各個有機發光層上沉積一第二電極，其中該等複數個電極為複數個第一電極。

根據前述特點之任一項的第六特點，該方法可進一步包含在該等複數個電極之各者的一局部上沉積像素定義層。

根據前述特點之任一項的第七特點，該方法可進一步包含該像素定義層厚度的範圍是自50nm至1500nm。

根據前述特點之任一項的第八特點，該方法可進一步包含藉由經一遮罩的開口輻射照射該第一電洞傳導層的選定表面局部以改變該表面的液體親近性質。

根據前述特點之任一項的第九特點，該方法可進一步包含該輻射照射包含紅外線輻射、可見光波長輻射和紫外線輻射的至少一者。

根據前述特點之任一項的第十特點，該方法可進一步包含將一第一電洞傳導層毯覆物沉積在該等複數個電極上以構成大致連續的材料 覆層，並且其中該第一電洞傳導層中面朝離開該基板的表面具有非平面形貌。

根據前述特點之任一項的第十一特點，該方法可進一步包含將一第一電洞傳導層毯覆物沉積在一第二電洞傳導層上以構成大致連續的材料覆層，並且其中該第一電洞傳導層裡面朝離開該第二電洞傳導層的表面具有非平面形貌。

第十二特點是關於一種有機發光顯示器。該第十二特點可包含在一基板上設置複數個電極。該等複數個電極可為依照陣列組態方式所排置。可在該基板設置一侷限結構。該侷限結構可環繞於該等複數個電極。可在該侷限結構內將一第一傳導層設置在該等複數個電極之上。可改變該第一電洞傳導層之表面局部的液體親近性質以在該第一電洞傳導層內定義發射層侷限範圍。可將一有機發光層沉積在各個發射層侷限範圍內。

根據第十二特點的第十三特點，該顯示器可進一步包含第二電洞傳導層，此者是設置在該等複數個電極與該第一電洞傳導層之間。

根據第十二或第十三特點的第十四特點，該顯示器可進一步包含各個發射層侷限範圍是由一液體排斥範圍所環繞。

根據第十二至第十四特點的第十五特點，該顯示器可進一步包含各個發射層侷限範圍無法由一侷限結構個別地環繞。

根據第十二至第十五特點的第十六特點，該顯示器可進一步包含該等複數個電極係經設置在該顯示器的一主動式區域內。

第十七特點是關於一種由一製程所製作的有機發光顯示器。該第十七特點可包含提供一基板，該基板含有經設置於其上的複數個 電極。透過噴墨印刷方式以在該基板的複數個電極上沉積至少一第一電洞傳導層。可改變該至少一第一電洞傳導層之選定局部的液體親近性質以在該至少一第一電洞傳導層的表面上定義發射層侷限範圍。一有機發光層可透過噴墨印刷沉積在經定義於該至少一第一電洞傳導層中的各個發射層侷限範圍內。

根據第十七特點的第十八特點，由該製程所製作的顯示器可包含在該基板上提供一侷限結構，其中該侷限結構定義一環繞於該等複數個電極的凹井。

根據第十七特點或第十八特點的第十九特點，由該製程所製作的顯示器可包含透過噴墨印刷在該基板的複數個電極之上沉積一第一電洞傳導層，其中該等發射層侷限範圍係經定義在該第一電洞傳導層的表面上。

根據第十七至第十九特點的第二十特點，由該製程所製作的顯示器可包含透過噴墨印刷在該基板的複數個電極上沉積一第一電洞傳導層，並且透過噴墨印刷在該第一電洞傳導層之上沉積一第二電洞傳導層，其中該等發射層侷限範圍係經定義在該第二電洞傳導層的表面上。

根據第十七至第二十特點的第二十一特點，由該製程所製作的顯示器可包含經設置在該顯示器之一主動式區域內的複數個電極。

應瞭解本揭中所示且所述的各種實施例應被視為示範性質。構件和材料，以及該等構件和材料的排置方式，都可替換為本揭所敘述及說明者，同時各個局部可予倒轉，而所有皆為熟習本項技藝之人士經受惠於本揭說明後即能顯見知曉。可對本揭所述構件進行眾多變化，然仍 不致悖離本揭示及後載申請專利範圍之精神與範疇，包含其等的等同項目在內。

熟習本項技藝之人士將可認知到確能對本揭示範性實施例的組態及方法進行各式修改而不致悖離本教示的範疇。

熟習本項技藝之人士亦將能瞭解在本揭中針對其一示範性實施例所敘述的各種特性確可藉由適當修改而合併於其他的示範性實施例加以運用，即使是該等組合並未在此顯明地揭示亦然。

熟習本項技藝之人士將能顯知可對本揭示的裝置、方法與系統進行各式修改與變化，而不致悖離本揭示與後載申請專利範圍的範疇。自考量本揭示的說明文件與實作，本揭示的其他實施例對於熟習本項技藝之人士為明顯可見。故而應將該等文件和範例視為僅屬示範性質。

Claims (17)

1. 一種有機發光顯示器，其包括：一基板；複數個電極，其設置在該基板上；一第一電洞傳導層，其係覆蓋設置在該基板上的該複數個電極，其中該第一電洞傳導層包括：發射層侷限範圍，其個別覆蓋設置在該基板上的該複數個電極中的一個或多個電極，其中該發射層侷限範圍中的每個發射層侷限範圍跨展成比每個侷限範圍所覆蓋之個別的該一個或多個電極的主動式範圍的區域還大之區域；以及邊界範圍，其個別環繞該發射層侷限範圍，其中該發射層侷限範圍具有一第一液體親近性質且該邊界範圍具有與該第一液體親近性質不同的一第二液體親近性質；並且一有機發光層，其設置在覆蓋該發射層侷限範圍之位置處，該有機發光層係侷限於該發射層侷限範圍內。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其中，當有機發光材料沉積於該發射層侷限範圍內時，該邊界範圍的該第二液體親近性質係抑制該有機發光材料的移離。
3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其進一步包括一第二電洞傳導層，其設置在該複數個電極和該第一電洞傳導層之間。
4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其中，該第二液體親近性質使得該邊界範圍排斥液體。
5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其中，各個發射層侷限範圍無法由一侷限結構個別地環繞。
6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其中，該複數個電極係設置在該發光顯示器的主動式範圍內。
7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其進一步包括一第二電極，其設置於各個發射層侷限範圍中的有機發光層上，其中該複數個電極係複數個第一電極。
8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示器，其中，該複數個電極係反射性電極，且該第二電極係一透明性電極。
9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示器，其中，該複數個電極係透明性電極，且該第二電極係一反射性電極。
10. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示器，其中，該第二電極係一共同電極，其設置於所有的發射層侷限範圍上。
11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其進一步包括一像素定義層，其設置於該複數個電極的各者的局部上。
12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示器，其中，該像素定義層具有的厚度之範圍係從大約50nm到大約1500nm。
13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其中：該第一電洞傳導層係一實質上連續的材料層，並且該第一電洞傳導層之背對該基板的表面具有一非平面形貌(non-planar topography)，該非平面形貌依循該第一電洞傳導層所覆蓋的該複數個電極和該基板之形貌。
14. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光顯示器，其進一步包括一第二電洞傳導層，其設置在該第一電洞傳導層和該基板之間。
15. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其中，該有機發光顯示器係一主動式矩陣的顯示器，其包括的電路係設置在該基板上。
16. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其進一步包括一侷限結構，其設置在該基板上以環繞該複數個電極。
17. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其中，該複數個電極係以一陣列進行排置。