JP3879961B2 - El表示装置及びその製造方法 - Google Patents
El表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3879961B2 JP3879961B2 JP29110699A JP29110699A JP3879961B2 JP 3879961 B2 JP3879961 B2 JP 3879961B2 JP 29110699 A JP29110699 A JP 29110699A JP 29110699 A JP29110699 A JP 29110699A JP 3879961 B2 JP3879961 B2 JP 3879961B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- display device
- region
- contact
- regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 4
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ(TFT)を用いてエレクトロルミナッサンス(EL)素子を発光させるEL(エレクトロルミナッサンス)表示装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
EL素子の電気的特性は、ELの厚さによって大きく変動するので、インク吐出方式(インクジェット方式やバブルジェット方式)のプリンタによってEL層を形成する場合、仕切り壁に仕切られ、かつ囲まれた所定の大きさの凹部にEL材料が入ることが重要である。したがって、凹部の大きさ(内径や底面積等)はインクジェットプロセス条件と密接に関わっている。
【0003】
ここで、従来、インクジェット方式でEL材料を精度よくパターニングするための段差構造及びその製造方法が提案されている(一例として、特願平8−248087号公報(国際公開番号WO98/12689))。
【0004】
EL素子で階調を表現しようとする場合、ELに流れる電流を制御するアナログ方式と、EL素子をオン/オフ、すなわち全発光/全消灯のみの制御を行うディジタル方式とがある。
【0005】
ディジタル方式では、1画素内に複数の発光領域を設け、その発光領域に独立して対応する回路を組み合わせることで、発光するEL層の合計の面積を変化させることにより階調を表現するようにしている。これに上記従来技術等に記載のインクジェット方式を組み合わせると、1画素内に複数の発光領域を設けるためには、1画素内(すなわち、凹部)をさらに複数の仕切り壁によって仕切る必要がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
この場合、一般的には、インクジェットプロセスに適した大きさの段差凹部を形成しなければならない。但し、この段差凹部が画素内で占有する面積は大きくならざろう得ないために、階調数を増やそうとして段差部を多くすると、ELの発光領域や回路部が占める面積が小さくなってしまう。
【0007】
なお、階調表現という目的ではないが、1画素内に主たる発光領域と共に予備の発光領域を設けておき、主たる発光領域が劣化等の原因で使用できなくなった場合に予備の発光領域に切り替えたり、主と予備の発光領域を同時に使用することが考えらる。しかしながら、この場合でも、1画素内にさらに多くの発光領域を形成することは困難である。
【0008】
そこで、この発明は、1画素内にさらに仕切り壁を形成することなく、1画素内において複数の発光領域を形成することができるEL装置を提供することを目的とする。
【0009】
さらに、本発明の目的は、EL層と電極とのコンタクト領域で発光領域を任意に形成できるEL発光装置を提供することである。
【0010】
本発明のさらに他の目的は、1画素内に複数の発光領域を設けたいとき有効なEL装置の構造を提供することである。
【0011】
本発明のさらに他の目的は、1画素内において、回路部が占める面積を従来どおりとし、かつ1画素内において独立してオン、オフ可能な複数の発光領域を備えることができるEL表示装置の製造方法を得ることである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
第1の発明は、仕切り壁部に囲まれ、かつ仕切られた1画素の各領域にEL層が形成されてなるEL表示装置において、前記1画素内に複数の小領域があり、この各小領域で前記EL層を個別に発光させることにより前記1画素領域内に複数の表示領域が形成されてなることを特徴とする。
【0013】
ここで、前記小領域は、前記1画素の全面積が均等に分割されて形成されていることを特徴としている。
【0014】
また、前記小領域が、発光面積比に基づいて設定されていることを特徴としている。
【0015】
さらに、前記複数の小領域は、EL層と電極とのコンタクト領域からなることを特徴とする。
【0016】
第2の発明は、仕切り壁部に囲まれ、かつ仕切られた1画素内にEL層が設けられてなるEL表示装置において、前記1画素の領域内で前記EL層と電極とのコンタクト領域を複数形成し、各コンタクト領域で前記EL層を発光させるようにした。
【0017】
また、第3の発明は、インク吐出方式でEL材料を1画素となる領域毎にパターニングしてなるEL表示装置において、この1画画素の領域内で前記EL材料と電極とのコンタクト領域を複数形成し、各コンタクト領域でこのEL材料を発光させるように形成している。
【0018】
ここで、複数のコンタクト領域の面積が互いに異なるように形成されている。
【0019】
また、前記複数のコンタクト領域の面積が、最小面積のコンタクト領域を基準として、その他のコンタクト領域の面積が2n(nは0又は正の整数)倍とされている。
【0020】
前記複数のコンタクト領域に個別に通電できるスイッチング素子が設けられている。
【0021】
また、前記コンタクト領域の形状が、ループ形状、多角形(四角形)、並びに正六角形のコンタクト領域をハニカム状に複数集合させた構造や、円形、波紋状に拡がる円形とリング形状であることを特徴としている。
【0022】
前記1画素の領域が、3個の正三角形であり、R(レッド)、G(グリーン)、B(ブルー)の3色で1セットとされ、各三角形の1つの頂点が共通とされている、ことを特徴としている。
【0023】
第4の発明は、EL表示装置の製造方法であって、1画素に仕切るための凸状の仕切り壁部を形成する工程と、この仕切り壁部に囲まれて形成される1画素毎の凹部にEL層を塗膜形成する工程と、このEL層を複数の領域に分割し、これら複数の領域毎に前記スイッチング素子とのコンタクト領域を設ける工程と、前記のEL層に陰極を形成する工程と、からなることを特徴としている。
【0024】
本発明によれば、1画素を複数の分割したそれぞれの小領域を独立してオン・オフすることができるため、いわゆるデジタル駆動(オン・オフ制御)により、1画素の発光に階調を持たせることができる。また、例えば、デューティ制御と併用することにより、従来に対して分割数に対応する倍率で階調数を増加させることができる。
【0025】
1画素の形状が円形で、波紋状に分割することで、各分割領域の発光個所に関わらず光軸が変化せず、違和感のない光源とすることができる。
【0026】
多角形の場合、無駄のない配置が可能であり、小スペースに画素を増やすことができ、解像度アップにつながる。
【0027】
例えば、1画素の領域が、正三角形であり、R(レッド)、G(グリーン)、B(ブルー)の3色で1セットとされ、各三角形の1つの頂点が共通とすると、RGBが均等に配置でき、色むらの発生を防止することができる。
【0028】
また、前記コンタクト領域を1画素の全面積が均等に分割して形成した場合、例えば通常は一部を使用し、これが劣化したときに残りを使用することにより、実質的に寿命を延ばすことができる。
【0029】
また、複数のコンタクト領域の最小面積のコンタクト領域を基準として、その他のコンタクト領域の面積を基準に対して2n(nは0又は正の整数)倍とすれば、コンタクト領域の様々な組み合わせにより、分割した数以上の光量調整が可能となる。
【0030】
【発明の実施の形態】
(EL表示装置の1画素2分割構造)
図1には、本実施の形態に係るEL表示装置1の回路図であって、この表示装置1は、透明の表示基板上に、複数の走査線131(1画素に対して1本)と、これら走査線に対して交差する方向に延びる複数の信号線132(1画素に対して2本)と、これら信号線132に並列に延びる複数の共通給電線133と、がそれぞれ配線された構成を有すると共に、走査線131及び信号線132の各交点毎に、画素領域素1A(図1の鎖線枠内)が設けられている。ここでの説明の便宜上、1画素内に二つの発光層(表示層)が存在するEL表示装置が例示されている。
【0031】
信号線132に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路3が設けられている。また、走査線131に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路4が設けられている。
【0032】
さらに、また、画素領域1Aの各々には、走査線131を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ142と、このスイッチング薄膜トランジスタ142を介して信号線132から供給される画像信号を保持する保持容量capと、該保持容量capによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ143と、このカレント薄膜トランジスタ143を介して共通給電線133に電気的に接続したときに共通給電線133から駆動電流が流れ込む画素電極141と、この画素電極141と反射電極154との間に挟み込まれる発光素子140と、が設けられている。
【0033】
かかる構成であれば、走査線131が駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ142がオンとなると、その時の信号線132の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて、カレント薄膜トランジスタ143のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ143のチャネルを介して、共通給電線133から画素電極141に電流が流れ、さらに発光素子140を通じて反射電極154に電流が流れるから、発光素子140は、これを流れる電流に応じて発光する。
【0034】
ここで、各画素領域1Aは、平面形状が長方形の画素電極(EL層)141配置領域の四辺が、信号線132、共通給電線133、走査線131及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。なお、本実施の形態では、画素電極141自体が、長方形や正方形だけでなく、円形や多角形等が適用可能であるが(詳細後述)、ここでは、一般的な構造として長方形での説明とした。
【0035】
図2(A)乃至(D)並びに図3(A)乃至(C)は、画素領域1Aの製造過程を順次示す断面図であり、製造工程順に示している。
【0036】
まず、図2(A)に示すように、透明の表示基板121に対して、必要に応じて、TEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズマCVD法により厚さが約2000〜5000オングストロームのシリコン酸化膜からなる下地保護膜121Aを形成する。次いで、表示基板121の温度を約350℃に設定して、下地保護膜121Aの表面にプラズマCVD法により厚さが約300〜700オングストロームのアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜200を形成する。
【0037】
次にアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜200に対して、レーザアニール又は固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜200をポリシリコン膜に結晶化する。
【0038】
レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザビームの長寸が400mmのラインビームを用い、その出力強度はたとえば200mJ/cm2である。ラインビームについてはその短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の90%に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
【0039】
次いで、図2(B)に示すように、半等体膜200をパターニングして島状の半導体膜210とし、その表面に対して、TEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガスなとを原料ガスとしてプラズマCVD法により厚さが約600〜1500オングストロームのシリコン酸化膜または窒素膜からなるゲート絶縁膜220を形成する(図2(C)参照)。
【0040】
次いで、図2(C)に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、パターニングし、ゲート電極143Aを形成する。この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、シリコン薄膜210に、ゲート電極143Aに対して自己整合的にソース・ドレイン領域141a、141bを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域141cとなる。
【0041】
次いで、図2(D)に示すように、層間絶縁膜230を形成した後、ソース又はドレイン領域へのコンタクトホール232、234を形成し、それらコンタクトホール232、234内に中継電極236、238を埋め込む(図3(A)参照)。
【0042】
そして、図3(B)に示される如く、各配線の上面をも覆うように、層間絶縁膜240を形成し、中継電極236に対応する位置にコンタクトホール242を形成し、そのコンタクトホール242内にも埋め込まれるようにITO膜237を敷設し、そのITO膜237をパターニングして、画素電極141を形成する。
【0043】
ここで、絶縁層(アモルファスシリコン)239を1画素の中央に凸部が形成されるように形成し、かつその上層をポリイミド251によって1画素を仕切る仕切り壁部111を形成する。
【0044】
次いで、図3(C)に示すように、表示基板121の上面を上に向けた状態で、インクジェット方式により、発光素子140の上層部分に当たる有機半導体膜を形成するための液状(溶媒に溶かされた溶液状)の光学材料(EL)114を吐出し、これを仕切り壁部111で囲まれた領域内(所定位置)に選択的に塗布する。インクジェット方式の具体的な内容は、例えば、特開昭56−13184号公報や特開平2−167751号合公報に記載されている。
【0045】
この後、熱処理を行うと、仕切部材に囲まれた1画素の領域の底面に層状のEL発光層114が形成される。画素中央領域にはEL層が電極141と接触するのとを防ぐ段差239が存在している。したがって、この実施形態では、1画素内にEL層と電極とのコンタクト領域が互いに離れて2カ所形成されている。この段差部の数や形状(パターン)が適宜変更されることにより、このコンタクト領域の数や形状を後述のように所定のものに変更可能である。各コンタクト領域に対するスイッチング素子(TFT)を設けることにより、各コンタクト領域に個別に通電することができる。なお、バブルジェット方式によってインクを吐出する方式がインクジェット方式に代えて、ここでの製造工程に適用可能である。
【0046】
本実施の形態における特徴的構成
図4には、製品として仕上がったEL表示装置1の1画素の断面図が示されている。EL発光層114には、陰極であるアルミニウム電極が積層されている。この1画素は、複数の発光部(コンタクト領域)300を備えて構成されている。EL層と透明電極とのコンタクト領域を複数形成する上で、既述の段差239を利用することが好適である。1画素内にある複数の電極が互いに離間していれば、画素内にEL層を積層したときに、電極に接しない領域をEL層に形成することは可能である。しかしながら、段差を設けることにより、この部分でEL層が電極からある程度の距離をもって離れることになるために、電極に接しない領域のEL層が発光してしまうのを防止することができる。したがって、段差部の幅及び高さの好適な数値範囲は、次のとおりである。
【0047】
従来技術で説明したように、インクジェット方式でEL材料を1画素内に吐出するときの画素の大きさ、すなわち、画素周りの土手のサイズには自ずと制限があるのに対して、この実施形態のように、1画素内で透明電極をパターニングし、このパターンにEL層を積層する場合には、このような制限はなく、1画素内に所望のサイズや形状や数のコンタクト領域すなわちELの表示領域を形成することができる。
【0048】
複数の発光部300は、EL層141が1000オングストロームと非常に薄いため、1つのコンタクト領域に電流が流れると、そのコンタクト領域のみで電荷の注入及び再結合が発生し、独立して発光することができる。
【0049】
第2の実施の形態
以下、本発明の第2の実施の形態について説明する。
【0050】
第2の実施の形態の特徴は、図5に示される如く、1画素内において2個の凸部302を形成した点にある。この結果、3個の発光部300が存在する。この場合、中央に位置する発光部300は、図5では両サイドに位置するスイッチング素子(ITO膜237が導通されるべき中継電極を含む)が図示されていないが、別の切断面において両サイドのスイッチング素子と同等の構成が形成されている。従って、3個の発光部300をそれぞれ独立して発光させることができる。
【0051】
上記第1の実施の形態によれば、1画素を2個の発光部300に分割することが可能であり、さらに第2の実施の形態によれば、3個の発光部300に分割することが可能であるため、従来技術において1画素内の発光部300を所望の数に分割することができる。
【0052】
第1の実施例
図6には、EL表示装置の1画素の平面図(図6(A))と一部断面図(図6(B)が示されている。画素電極が同心円形であり、かつ画素電極間の凸部302が画素電極と同様に同心円形状に形成されている結果、中心部の円形の発光部300CIRCLE(1個)と、ドーナツ状の複数の発光部300RING(4個)とに分割されている。すなわち、発光部300CIRCLE、300RINGの中央から順番に発光エリアA乃至Eが存在する。
【0053】
凸部302は、発光エリアA乃至Eの面積SA乃至SEの比が2nに比例するように、形成されている。
【0054】
SA:SB:SC:SD:SE=1:2:4:8:16…(1)
ここで、それぞれの発光部300CIRCLE、300RINGが独立にオン・オフ(デューティ100%)することができるため、それぞれが2通り(オン・オフ)かつ面積がすべて異なるので、25通り(64通り)の階調を表現することができる。また、円形の場合、角部が存在しないため、エッジの影響が少なく、シェーディングも起こり難く、また、中心の周りに均等に発光するため、光の偏りも少ない。
【0055】
図7(A)に示される如く、コンタクト領域の面積比を(1)式にするべく、従来の矩形の1画素をマトリクス状に31分割した1つを1単位とし、この1単位を占める発光部300、2単位を占める発光部300、4単位を占める発光部300、8単位を占める発光部300、及び16単位を占める発光部300に分割するようにしてもよい。この図7(A)に示すような分割形状であれば、各発光部300は必ず1画素の周縁に直接接しているため、配線が容易となる。
【0056】
円形画素の配列は、マトリクス状でなくてもよく、例えば、図8に示されるような千鳥状に配列するようにしてもよい。また、画素電極141の分割数は上記5分割に限らず、2以上の分割数の何れであってもよい。例えば、図7(B)に示すように、4分割で面積比が(1)式に相当する関係とすることもできる。なお、この場合、面積比は、小さい面積から順に1:2:4:8となる。
【0057】
この図7(B)の分割形態は、図7(A)の変形であり、各発光部300が1画素の周縁に直接接していることを条件としているため、各発光部300への配線も簡単である。
【0058】
図9には、本実施の形態に係る他の実施例が示されている。この実施例における特徴は、画素電極141を正三角形としている点と、フルカラー対応の光源として三画素で構成される1セットが、均等配列されている点にある。
【0059】
すなわち、三個の画素電極141が共通の頂点を持ち、互いにこの頂点周りに均等に(120°間隔)に配置されている。各画素電極141は、それぞれがRGBの各色に対応している。
【0060】
画素電極141は、前記共通する頂点に対する底辺が平行に複数あり、この底辺が凸部302を形成し、この結果、複数の発光部300が設けられる。従って、この発光部300は、頂点に最も近い領域が正三角形の発光部300TA(1個)であり、その他が台形の発光部300TP(2個)となっている。なお、この第2実施例では、発光部300TA、300TPの共通の頂点から順番に発光エリアA乃至Cになる。
【0061】
前記凸部302は、前記発光エリアA乃至Eの面積SA乃至SCの比が2nに比例するように、作られている。
【0062】
SA:SB:SC=1:2:4…(2n)
ここで、それぞれの発光部300TA、300TPが独立にオン・オフ(デューティ100%)できるため、それぞれが2通り(オン・オフ)かつ面積がすべて異なるので、23通り(8通り)の階調を表現することができる。
【0063】
図10に示される如く、画素電極141が市松模様と同等の配置をもったEL発光素子光源が提供される。このような配列により、各画素電極141の3つの頂点がそれぞれ異なる組み合わせにおける共通の頂点となり得るため、3色が均等に振り分けられ、各頂点を擬似的な画素中心とすることができ、解像度を向上することができる。
【0064】
なお、上記第1及び第2の実施例は、画素電極141の形状の凡例を示したものであり、4角形以上の多角形であってもよいし、楕円形であってもよい。図11(A)乃至(E)にその一例を示す。図11(A)は円形の画素電極141を均等に3分割した場合、(B)は円形の画素電極141を面積比で2nに比例するように分割した場合、(C)は円形の画素電極141の中に円形の複数の発光部300を設けた場合、(D)は正方形の画素電極141を均等に4分割(各発光部300が三角形)した場合、(E)は正六角形の画素電極141を均等に6分割(発光部が300が正三角形)した場合を示している。また、発光部の分割数も限定されるものではなく、配線領域との兼ね合いで2分割以上であれば従来の階調よりも多く表現するという、本発明の目的を達成することができる。
【0065】
【発明の効果】
以上説明した如く本発明に係るEL発光表示装置及びその製造方法によれば、1画素内複数の表示領域を持つEL表示装置を提供することができる。
【0066】
1画素内でEL材料と電極とのコンタクト領域を任意に設定することにより、1画素内で複数の表示領域を形成できるとともに、表示領域のパターンを任意に形成することが可能となる。
【0067】
本発明によれば、1画素内に複数の発光領域を形成したために面積階調表示が可能なEL表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態に係るEL表示装置の一部を示す回路図である。
【図2】製造工程の流れを示す断面図(その1)である。
【図3】製造工程の流れを示す断面図(その2)である。
【図4】本発明の特徴である画素領域が2分割された構造を示す断面図である。
【図5】本発明の特徴である画素領域が3分割された構造を示す断面図である。
【図6】(A)は第1の実施例に係る画素形状(円形)の平面図、(B)は図7(A)の断面図である。
【図7】(A)及び(B)は第1の実施例の変形例に係る画素形状(矩形)の平面図である。
【図8】図6で説明した円形及びリング形状画素の配列形態を示す平面図である。
【図9】第2の実施例に係る画素形状(三角形)の平面図である。
【図10】図9で示した画素の配列形態を示す平面図である。
【図11】本実施の形態に係るEL表示装置の画素電極の変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
1A 画素領域
1 EL表示装置
3 データ側動回路
4 走査側駆動回路
111 段差部
114 EL
121 表示基板
140 発光素子
300 発光部
302 凸部
Claims (17)
- 仕切り壁部に囲まれ、かつ仕切られた1画素の領域と、
前記1画素内を複数の小領域に分割する絶縁層よりなる凸部と、
前記凸部上を含む前記仕切り壁部内に形成されたEL層と、を有し、
前記複数の小領域で前記EL層を個別に発光させることにより前記1画素の領域内に複数の表示領域が形成されてなるEL表示装置。 - 前記小領域は、前記1画素が均等に分割されて形成されていることを特徴とする請求項1記載のEL表示装置。
- 前記小領域が、発光面積比に基づいて設定されていることを特徴とする請求項1記載のEL表示装置。
- 前記複数の小領域は、EL層と電極とのコンタクト領域からなる請求項1乃至請求項3の何れか1項記載のEL表示装置。
- 仕切り壁部で仕切られた1画素の領域と、
前記1画素内に形成された絶縁層よりなる凸部と、
前記凸部上を含む前記仕切り壁部内に形成されたEL層と、を有し、
前記EL層と電極とのコンタクト領域が前記凸部により複数形成され、各コンタクト領域で前記EL層を発光させるようにしたEL表示装置。 - インク吐出方式でEL材料を1画素領域となる仕切り壁で囲まれた領域に吐出してなるEL表示装置において、
前記1画素領域内を複数の小領域に分割する絶縁層よりなる凸部を設け、前記凸部上を含む前記仕切り壁内にEL材料を吐出し、前記1画素領域内で前記EL材料と電極とのコンタクト領域を複数形成し、各コンタクト領域でこのEL材料を発光させるように形成されてなるEL表示装置。 - 複数のコンタクト領域の面積が互いに異なるように形成されてなる請求項4乃至6のいずれか1項記載のEL表示装置。
- 前記複数のコンタクト領域の面積が、最小面積のコンタクト領域を基準として、その他のコンタクト領域の面積が2n(nは0又は正の整数)倍とされたことを特徴とする請求項7記載のEL表示装置。
- 前記複数のコンタクト領域に個別に通電できるスイッチング素子が設けられてなる、請求項4乃至請求項8の何れか1項記載のEL表示装置。
- 前記コンタクト領域の形状が、ループ形状であることを特徴とする請求項4乃至請求項8の何れか1項記載のEL表示装置。
- 前記コンタクト領域の形状が、多角形であることを特徴とする請求項4乃至請求項8の何れか1項記載のEL表示装置。
- 前記コンタクト領域の形状が四角形である請求項11記載のEL表示装置。
- 前記1画素が、正六角形のコンタクト領域をハニカム状に複数集合させた構造をそなえてなる請求項4乃至請求項8の何れか1項記載のEL表示装置。
- 前記コンタクト領域の形状が円形である請求項4乃至請求項8の何れか1項記載のEL表示装置。
- 前記コンタクト領域の形状が波紋状に拡がる円形及びリング形状である請求項4乃至請求項8の何れか1項記載のEL表示装置。
- 前記1画素、それぞれR(レッド)、G(グリーン)、B(ブルー)の3色を発光するためのELと電極とのコンタクト領域をそなえてなる請求項4乃至請求項8の何れか1項記載のEL表示装置。
- EL表示装置の製造方法であって、
複数のスイッチング素子を形成する工程と、
1画素領域に仕切るための凸状の仕切り壁部を形成する工程と、
前記1画素領域を複数の小領域に分割する絶縁層よりなる凸部を形成する工程と、
前記凸部上を含む前記仕切り壁部に囲まれて形成される1画素毎の凹部にEL層を塗膜形成する工程と、
前記複数の小領域毎に前記スイッチング素子とのコンタクト領域を設ける工程と、
前記のEL層に陰極を形成する工程と、からなることを特徴とするEL表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29110699A JP3879961B2 (ja) | 1999-09-01 | 1999-10-13 | El表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-248047 | 1999-09-01 | ||
JP24804799 | 1999-09-01 | ||
JP29110699A JP3879961B2 (ja) | 1999-09-01 | 1999-10-13 | El表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001143868A JP2001143868A (ja) | 2001-05-25 |
JP3879961B2 true JP3879961B2 (ja) | 2007-02-14 |
Family
ID=26538557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29110699A Expired - Fee Related JP3879961B2 (ja) | 1999-09-01 | 1999-10-13 | El表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3879961B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7301273B2 (en) * | 2003-02-20 | 2007-11-27 | Barco Nv | Display element array for emissive, fixed format display |
JP2005261840A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | 遊技機用の表示装置及び遊技機 |
KR100634508B1 (ko) * | 2004-07-23 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 평면표시장치의 화소구조 |
KR100615274B1 (ko) | 2004-11-10 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
JP4792959B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-10-12 | パナソニック電工株式会社 | 有機el照明パネル及び有機el照明装置 |
JP5131446B2 (ja) * | 2007-09-19 | 2013-01-30 | カシオ計算機株式会社 | 表示パネル及びその製造方法 |
JP5707019B2 (ja) | 2008-08-26 | 2015-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP5850908B2 (ja) * | 2010-03-22 | 2016-02-03 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 空間的に隔離した発光領域を備えたoledの製造方法 |
RU2598158C2 (ru) * | 2011-06-22 | 2016-09-20 | Конинклейке Филипс Н.В. | Автостереоскопическое устройство отображения, имеющее оптическое увеличение |
JP5724828B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2015-05-27 | 株式会社デンソー | 発光素子 |
US9444050B2 (en) | 2013-01-17 | 2016-09-13 | Kateeva, Inc. | High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related method |
WO2014113497A1 (en) * | 2013-01-17 | 2014-07-24 | Kateeva, Inc. | High resolution organic light-emitting diode devices |
US9614191B2 (en) * | 2013-01-17 | 2017-04-04 | Kateeva, Inc. | High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related methods |
KR102435443B1 (ko) * | 2015-04-17 | 2022-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 거울형 표시 장치 |
KR20180077718A (ko) | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
CN110571255B (zh) * | 2019-09-10 | 2021-09-07 | 昆山国显光电有限公司 | 膜层结构、显示面板、显示装置及膜层结构制备方法 |
-
1999
- 1999-10-13 JP JP29110699A patent/JP3879961B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001143868A (ja) | 2001-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3879961B2 (ja) | El表示装置及びその製造方法 | |
CN110429113B (zh) | 高分辨率显示器的构造 | |
EP0932137B1 (en) | Display | |
US7443093B2 (en) | Light-emitting display device provided with light-emitting portions having varying areas | |
KR100857399B1 (ko) | 액티브 매트릭스형 디스플레이 장치 | |
US7190122B2 (en) | OLED display with improved active matrix circuitry | |
EP3531455B1 (en) | Electroluminescent display device | |
TWI261480B (en) | Display device, manufacturing method for display device, and electronic apparatus | |
JPH10172762A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法及び表示装置 | |
US20050087740A1 (en) | Organic electroluminescent display device of top emission type | |
JP2007115529A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
KR20000068316A (ko) | 표시 장치 | |
CN208271899U (zh) | 显示屏及显示装置 | |
US10790446B2 (en) | Electroluminescent display device | |
JP2006244892A (ja) | アクティブマトリックス有機el素子アレイ | |
JP2010085866A (ja) | アクティブマトリックス型表示装置 | |
US20110241036A1 (en) | Light-emitting apparatus | |
KR20220075412A (ko) | 유기 발광 다이오드 디스플레이 구조들을 위한 방법들 및 장치 | |
JP4446707B2 (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
JP2005129505A (ja) | 発光表示装置及びその画素レイアウト形成方法 | |
JP2005085737A (ja) | 自発光型表示装置および電子機器 | |
JP7117132B2 (ja) | 表示装置及びその設計方法 | |
KR20050052309A (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
JP2005129504A (ja) | 発光表示装置 | |
JP2004163941A (ja) | 表示装置及びアクテブマトリクス基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060414 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061020 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091117 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131117 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |