CN110085636A - 有机发光器件及其制作方法 - Google Patents

有机发光器件及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110085636A
CN110085636A CN201910278553.6A CN201910278553A CN110085636A CN 110085636 A CN110085636 A CN 110085636A CN 201910278553 A CN201910278553 A CN 201910278553A CN 110085636 A CN110085636 A CN 110085636A
Authority
CN
China
Prior art keywords
via hole
pixel
sub
organic luminescent
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910278553.6A
Other languages
English (en)
Inventor
刘华龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910278553.6A priority Critical patent/CN110085636A/zh
Priority to US16/497,972 priority patent/US11289554B2/en
Priority to PCT/CN2019/086845 priority patent/WO2020206803A1/zh
Publication of CN110085636A publication Critical patent/CN110085636A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种有机发光器件及其有机发光器件的制作方法。有机发光器件包括薄膜晶体管基板、像素定义层、反射电极层和多个子像素。像素定义层设置于薄膜晶体管基板上,包括多个过孔;多个子像素设置于相对应的过孔内;在薄膜晶体管基板上设有一台阶薄膜层,其对应于一部分过孔,使得一部分过孔的深度减小,而另一部分过孔的深度则大于一部分过孔的深度。有机发光器件的制作方法包括步骤:提供薄膜晶体管基板、制作台阶薄膜层、制作像素定义层、喷墨打印。本发明通过设置台阶薄膜层垫高红色子像素过孔、绿色子像素过孔可实现喷墨打印制作时像素膜层厚度满足器件性能,同时防止墨水溢流问题,提高有机发光器件的制作合格率。

Description

有机发光器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种有机发光器件及其制作方法。
背景技术
有机发光器件(Organic Light Emitting Diode,OLED)以其良好的自发光特性、高的对比度、快速响应等优势,在显示领域、照明领域以及智能穿戴领域等都得到了广泛的应用。
制备有机发光器件的主要方法有蒸镀法和打印法两种,现在利用全蒸镀方法制备大中小尺寸的有机发光器件的技术相对于打印技术来说已相当成熟,目前已经用于商业化生产,但全蒸镀技术存在材料利用率低,难用于制备高分辨率的器件的问题。打印技术制备器件的材料利用率高达90%以上,其制备器件的成本较全蒸镀技术低17%左右,且打印过程中无需掩模板,可用于高分辨率显示器件的制备。所以制备出大尺寸、高分辨率的有机发光器件是现在显示领域的研究热点。
如图1、图2所示,现有的有机发光器件制作步骤为:制备一薄膜晶体管(TFT)基板1,在其上制作像素定义层2并在所述像素定义层2上制作红色子像素(R)过孔21、绿色子像素(G)过孔22和蓝色子像素(B)过孔23,在RGB过孔(21、22、23)内制作反射电极层3,在反射电极层3上通过喷墨打印墨水填充RGB过孔(21、22、23),经干燥形成红色子像素201、绿色子像素202和蓝色子像素203。
由于像素尺寸较小,在打印过程中存在影响器件性能或混色的问题。如图1所示,若采用具有微腔效应的第一节点,红色子像素和绿色子像素可实现,但蓝光波长较短,第一节点器件结构空穴传输层(HTL)/空穴注入层(HIL)仅有十几纳米,膜层较薄,可能会存在影响器件性能问题。
如图2所示,若像素RGB均采用具有微腔效应的第二节点,器件像素RGB各层厚度较大,打印时易产生溢流和混色风险,若单独增加蓝色子像素的墨水浓度,则会导致打印困难。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种有机发光器件及其制作方法,可实现喷墨打印制作时像素膜层厚度满足器件性能,同时防止因打印墨水过多导致的溢流问题,从而提高有机发光器件的制作合格率。
为了解决上述问题,本发明一实施例中提供一种有机发光器件,包括薄膜晶体管基板、像素定义层、反射电极层以及多个子像素。所述像素定义层设置于所述薄膜晶体管基板上,包括多个过孔;所述多个子像素设置于相对应的过孔内;其中,在所述薄膜晶体管基板上设有一台阶薄膜层,其对应于一部分过孔,使得所述一部分过孔的深度减小,而另一部分过孔的深度则大于所述一部分过孔的深度。
进一步的,其中所述过孔包括至少一红色子像素过孔、至少一绿色子像素过孔和至少一蓝色子像素过孔;所述子像素包括至少一红色子像素、至少一绿色子像素和至少一蓝色子像素,分别对应设置于所述红色子像素过孔、绿色子像素过孔和蓝色子像素过孔内;所述台阶薄膜层设置于所述薄膜晶体管基板上,并对应于所述红色子像素过孔和绿色子像素过孔的位置,使得所述红色子像素过孔和绿色子像素过孔的深度小于所述蓝色子像素过孔的深度。
进一步的,其中所述台阶薄膜层的厚度范围为0.1-3um。
进一步的,其中所述台阶薄膜层的材料包括SiO2
进一步的,其中所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素通过喷墨打印方式制备。
进一步的,其中所述台阶薄膜层采用蒸镀、溅射或涂覆方式制备。
进一步的,其中所述像素定义层的厚度范围为1um-5um。
进一步的,其中所述的有机发光器件还包括反射电极层,形成于所述薄膜晶体管基板与所述像素定义层之间,并设置于所述红色子像素过孔、绿色子像素过孔和蓝色子像素过孔内。
本发明又一实施例中提供一种有机发光器件的制作方法,包括步骤:
提供薄膜晶体管基板;
制作台阶薄膜层步骤,在所述薄膜晶体管基板上采用蒸镀、溅射或涂覆方式制作台阶薄膜,所述台阶薄膜的材料包括SiO2,所述台阶薄膜的膜层的厚度范围为0.1-3um;对所述台阶薄膜进行图形化处理形成所述台阶薄膜层,所述台阶薄膜层与红光和绿光发光区域面积相同;
制作像素定义层步骤,在所述薄膜晶体管基板上制作所述像素定义层,所述像素定义层的厚度范围为1um-5um;对所述像素定义层进行图形化处理,形成红色子像素过孔、绿色子像素过孔和蓝色子像素过孔;
喷墨打印步骤,通过喷墨打印墨水填充所述红色子像素过孔、绿色子像素过孔和蓝色子像素过孔,经干燥形成红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
进一步的,其中还包括制作反射电极层步骤,所述制作反射电极层步骤是在所述制作像素定义层步骤之后,以及在所述喷墨打印步骤之前,在所述制作反射电极层步骤中,在所述红色子像素过孔、绿色子像素过孔和蓝色子像素过孔内制作反射电极层。
本发明的有益效果是:提供一种有机发光器件及其有机发光器件的制作方法,通过设置台阶薄膜层垫高所述红色子像素过孔、绿色子像素过孔可实现喷墨打印制作时像素膜层厚度满足器件性能,同时防止因打印墨水过多导致的溢流问题,从而提高有机发光器件的制作合格率。
附图说明
图1为现有技术采用第一微腔节点制作有机发光器件过程结构示意图;
图2为现有技术采用第二微腔节点制作有机发光器件过程结构示意图;
图3为本发明一实施例中的有机发光器件的结构示意图;
图4为本发明一实施例中的有机发光器件的制作流程图;
图5为本发明又一实施例中的有机发光器件的制作流程图;
图6为图5过程中的结构示意图。
图中部件标识如下:
1、薄膜晶体管基板,2、像素定义层,3、反射电极层,4、台阶薄膜层,
21、红色子像素过孔,22、绿色子像素过孔,23、蓝色子像素过孔,
201、红色子像素,202、绿色子像素,203、蓝色子像素。
具体实施方式
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
请参阅图3所示,本发明一实施例中,有机发光器件包括薄膜晶体管基板1、像素定义层2、反射电极层3、以及多个子像素21、22、23。所述像素定义层2设置于所述薄膜晶体管基板1上,包括多个过孔,例如至少一红色子像素过孔21、至少一绿色子像素过孔22和至少一蓝色子像素过孔23。所述反射电极层3设置于所述红色子像素过孔21、所述绿色子像素过孔22和所述蓝色子像素过孔23内。所述子像素包括至少一红色子像素201、至少一绿色子像素202和至少一蓝色子像素203,分别对应设置于所述红色子像素过孔21、所述绿色子像素过孔22和所述蓝色子像素过孔23内。其中,在所述薄膜晶体管基板1上设有一台阶薄膜层4,其对应于一部分过孔,使得所述一部分过孔的深度减小,而另一部分过孔的深度则大于所述一部分过孔的深度。在本实施例中,所述台阶薄膜层4对应于所述红色子像素过孔21和绿色子像素过孔22,并暴露于所述红色子像素过孔21和所述绿色子像素过孔22中。所述台阶薄膜层4用以减少所述红色子像素过孔21和所述绿色子像素过孔22深度,可使所述红色子像素过孔21和所述绿色子像素过孔22的深度小于所述蓝色子像素过孔23的深度。也可以说,位于所述红色子像素过孔21和所述绿色子像素过孔22之间的堤坝高度小于位于所述蓝色子像素过孔23两侧的堤坝高度。
由此可知,所述红色子像素过孔21和所述绿色子像素过孔22的孔底为所述台阶薄膜层4,所述蓝色子像素过孔23的孔底为所述薄膜晶体管基板1,所述蓝色子像素过孔23的深度等于所述像素定义层2的厚度。
其中,所述台阶薄膜层4的厚度范围为0.1-3um。
其中,所述台阶薄膜层4的材料包括SiO2
其中,所述红色子像素21、绿色子像素22和蓝色子像素23通过喷墨打印方式制备。
其中,所述台阶薄膜层4采用蒸镀、溅射或涂覆方式制备。
其中,所述像素定义层2的厚度范围为1um-5um。
其中,所述薄膜晶体管基板1与所述像素定义层2之间还包括一反射电极层3,设置于所述红色子像素过孔21、所述绿色子像素过孔22和所述蓝色子像素过孔23内。
请同时参阅图4和图6所示,本发明又一实施例中提供一种有机发光器件的制作方法,包括步骤:
S1提供薄膜晶体管基板1;
S2制作台阶薄膜层步骤,具体是,在所述薄膜晶体管基板1上采用蒸镀、溅射或涂覆方式制作台阶薄膜,所述台阶薄膜物质的材料包括SiO2,所述台阶薄膜物质膜的厚度范围为0.1-3um;对所述台阶薄膜进行图形化处理形成台阶薄膜层4,所述台阶薄膜图形化后的区域与红光和绿光发光区域面积相同;
S3制作像素定义层步骤,具体是,在所述薄膜晶体管基板1上制作像素定义层2,所述像素定义层2的厚度范围为1um-5um;对所述像素定义层2进行图形化处理,形成红色子像素过孔21、绿色子像素过孔22和蓝色子像素过孔23;
S4喷墨打印步骤,具体是,通过喷墨打印墨水填充所述红色子像素过孔21、绿色子像素过孔22和蓝色子像素过孔23,经干燥形成红色子像素201、绿色子像素202和蓝色子像素203。
请参阅图5所示,本发明又一实施例中,所述有机发光器件的制作方法还包括S31制作反射电极层步骤,所述制作反射电极层步骤S31是在所述制作像素定义层步骤S3之后,以及在所述喷墨打印步骤S4之前,在所述制作反射电极层步骤S31中具体是,在所述红色子像素过孔21、绿色子像素过孔22和蓝色子像素过孔23内制作反射电极层3。
本发明的有益效果是:提供一种有机发光器件及其有机发光器件的制作方法,通过设置台阶薄膜层垫高所述红色子像素过孔、绿色子像素过孔可实现喷墨打印制作时像素膜层厚度满足器件性能,同时防止因打印墨水过多导致的溢流问题,从而提高有机发光器件的制作合格率。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机发光器件,包括
薄膜晶体管基板;
像素定义层,设置于所述薄膜晶体管基板上,包括多个过孔;以及
多个子像素,设置于相对应的过孔内;
其特征在于,
在所述薄膜晶体管基板上设有一台阶薄膜层,其对应于一部分过孔,使得所述一部分过孔的深度减小,而另一部分过孔的深度则大于所述一部分过孔的深度。
2.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,
所述过孔包括至少一红色子像素过孔、至少一绿色子像素过孔和至少一蓝色子像素过孔;
所述子像素包括至少一红色子像素、至少一绿色子像素和至少一蓝色子像素,分别对应设置于所述红色子像素过孔、绿色子像素过孔和蓝色子像素过孔内;
所述台阶薄膜层设置于所述薄膜晶体管基板上,并对应于所述红色子像素过孔和绿色子像素过孔的位置,使得所述红色子像素过孔和绿色子像素过孔的深度小于所述蓝色子像素过孔的深度。
3.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述台阶薄膜层的厚度范围为0.1-3um。
4.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述台阶薄膜层的材料包括SiO2
5.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素通过喷墨打印方式制备。
6.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述台阶薄膜层采用蒸镀、溅射或涂覆方式制备。
7.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述像素定义层的厚度范围为1um-5um。
8.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,还包括
反射电极层,形成于所述薄膜晶体管基板与所述像素定义层之间,并设置于所述红色子像素过孔、绿色子像素过孔和蓝色子像素过孔内。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的有机发光器件的制作方法,包括步骤:
提供薄膜晶体管基板;
制作台阶薄膜层步骤,在所述薄膜晶体管基板上采用蒸镀、溅射或涂覆方式制作台阶薄膜,所述台阶薄膜的材料包括SiO2,所述台阶薄膜的膜层的厚度范围为0.1-3um;对所述台阶薄膜进行图形化处理形成所述台阶薄膜层,所述台阶薄膜层与红光和绿光发光区域面积相同;
制作像素定义层步骤,在所述薄膜晶体管基板上制作所述像素定义层,所述像素定义层的厚度范围为1um-5um;对所述像素定义层进行图形化处理,形成红色子像素过孔、绿色子像素过孔和蓝色子像素过孔;
喷墨打印步骤,通过喷墨打印墨水填充所述红色子像素过孔、绿色子像素过孔和蓝色子像素过孔,经干燥形成红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
10.根据权利要求9所述的有机发光器件的制作方法,其特征在于,还包括制作反射电极层步骤,所述制作反射电极层步骤是在所述制作像素定义层步骤之后,以及在所述喷墨打印步骤之前,在所述制作反射电极层步骤中,在所述红色子像素过孔、绿色子像素过孔和蓝色子像素过孔内制作反射电极层。
CN201910278553.6A 2019-04-09 2019-04-09 有机发光器件及其制作方法 Pending CN110085636A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910278553.6A CN110085636A (zh) 2019-04-09 2019-04-09 有机发光器件及其制作方法
US16/497,972 US11289554B2 (en) 2019-04-09 2019-05-14 Organic light emitting device and fabricating method thereof
PCT/CN2019/086845 WO2020206803A1 (zh) 2019-04-09 2019-05-14 有机发光器件及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910278553.6A CN110085636A (zh) 2019-04-09 2019-04-09 有机发光器件及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110085636A true CN110085636A (zh) 2019-08-02

Family

ID=67414558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910278553.6A Pending CN110085636A (zh) 2019-04-09 2019-04-09 有机发光器件及其制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11289554B2 (zh)
CN (1) CN110085636A (zh)
WO (1) WO2020206803A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114447258A (zh) * 2022-01-20 2022-05-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180254303A1 (en) * 2017-03-01 2018-09-06 Joled Inc. Organic electroluminescent element, organic electroluminescent panel, and luminescent unit
CN108565350A (zh) * 2018-04-13 2018-09-21 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件及其制造方法和显示面板
CN109273619A (zh) * 2018-08-27 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板、压印模板及制作方法
CN208489238U (zh) * 2018-05-16 2019-02-12 云谷(固安)科技有限公司 有机电致发光装置
CN109390372A (zh) * 2017-08-08 2019-02-26 上海视涯信息科技有限公司 像素结构及其形成方法、显示屏

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4483757B2 (ja) * 2005-09-30 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 有機el装置及び光学装置
JP6186697B2 (ja) * 2012-10-29 2017-08-30 セイコーエプソン株式会社 有機el装置の製造方法、有機el装置、電子機器
US9444050B2 (en) * 2013-01-17 2016-09-13 Kateeva, Inc. High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related method
JP2017182892A (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、及び電子機器
CN109037301B (zh) * 2018-09-07 2021-12-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及制作方法、显示装置
CN109273621A (zh) * 2018-09-13 2019-01-25 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180254303A1 (en) * 2017-03-01 2018-09-06 Joled Inc. Organic electroluminescent element, organic electroluminescent panel, and luminescent unit
CN109390372A (zh) * 2017-08-08 2019-02-26 上海视涯信息科技有限公司 像素结构及其形成方法、显示屏
CN108565350A (zh) * 2018-04-13 2018-09-21 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件及其制造方法和显示面板
CN208489238U (zh) * 2018-05-16 2019-02-12 云谷(固安)科技有限公司 有机电致发光装置
CN109273619A (zh) * 2018-08-27 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板、压印模板及制作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114447258A (zh) * 2022-01-20 2022-05-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端
CN114447258B (zh) * 2022-01-20 2023-12-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020206803A1 (zh) 2020-10-15
US20210066412A1 (en) 2021-03-04
US11289554B2 (en) 2022-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10461137B2 (en) Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing the same
CN104465671B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN107887423B (zh) 一种显示面板、其制备方法及显示装置
CN105118845B (zh) 有机电致发光显示基板及制备方法、显示面板、显示装置
CN103545457B (zh) 发光器件、阵列基板、显示装置及发光器件的制造方法
WO2018232806A1 (zh) Oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN105870346B (zh) Led显示屏的制造方法和led显示屏
CN109273621A (zh) 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置
CN104409647A (zh) 一种像素单元及其制作方法、发光器件、显示装置
CN107359274A (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
US10734583B2 (en) Electroluminescent substrate plate, method for manufacturing the same and display device
CN105932037A (zh) 一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置
CN108258012A (zh) 电致发光显示装置
WO2018120362A1 (zh) Oled基板及其制作方法
CN107968105A (zh) 像素结构、显示面板及显示装置
CN108922912A (zh) 用于有机发光显示装置的基板、显示面板、显示装置
CN109801955A (zh) Oled显示装置及其制作方法
CN107331681A (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示器件
CN104617130A (zh) 一种oled像素单元、oled显示面板及显示装置
CN109841661A (zh) 显示器及其制备方法
CN109346619A (zh) Oled显示面板及其制备方法
WO2019192421A1 (zh) Oled基板及其制备方法、显示装置
CN110085636A (zh) 有机发光器件及其制作方法
CN110400888A (zh) 用于oled的彩膜基板及其制备方法和oled显示装置
CN109148738A (zh) Oled面板及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190802