TWI654587B - 使用器件晶片之電子器件的製造裝置 - Google Patents

使用器件晶片之電子器件的製造裝置

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Abstract

本發明提供一種製造電子器件的方法及其製造裝置。本發明使具有複數個器件晶片的基板與包括有具有黏接性的選擇性區域的第一鼓輪接觸，一邊使第一鼓輪旋轉，一邊選擇性地剝離上述基板上的器件晶片的至少一部分，並黏接於第一鼓輪的選擇性黏接區域，藉此來進行移載，之後使第一鼓輪上的器件晶片與產品用基板接觸，一邊旋轉第一鼓輪一邊移載到產品用基板。另外，進而在將第一鼓輪上的器件晶片移載到第二鼓輪後，從第二鼓輪移載到產品用基板，藉此能夠反轉電子器件的表面及背面。採用本發明，能夠以低成本、配置精度良好地、選擇性地將器件晶片從器件晶片製造用基板移載到面積較大的產品用基板。

Description

使用器件晶片之電子器件的製造裝置
本發明涉及使用器件晶片的電子器件的製造方法，尤其涉及配置複數個與電子器件相比起來微細的器件晶片來藉此製造電子器件的方法及其製造裝置。
在使用發光元件也就是LED(發光二極體)的顯示裝置中，顯示畫面用基板上配置有複數個構成各像素的三色（RGB）的LED，各像素基於圖像訊號發光，顯示出圖像來作為顯示畫面的整體。各像素決定顯示畫面的解析度，解析度越大（像素越微細），越能再現光滑的圖像。在大畫面的顯示裝置中，像素的元件越大，則顯示的解析度越小，即成為粗糙的圖像。在顯示畫面用基板上直接製造LED，由於其大小以及伴隨其製造製程上存在技術問題而較為困難，因此例如是將在化合物半導體基板上另行製造的LED，移載到與各像素對應的顯示畫面用基板上，來製造顯示裝置。
專利文獻1中揭示了如下製造液晶顯示裝置的方法，即在大畫面的主動矩陣式的液晶顯示裝置中，在基板上製作複數個TFT(薄膜電晶體)元件，選擇性地將TFT元件轉印（原樣移載）到液晶顯示裝置用的基板上，在與配置有相對向的彩色濾光器的基板之間密封進液晶材料，以藉此製造液晶顯示裝置。在專利文獻1中還揭示了如下技術：將在基板上製作出的TFT元件等電子器件晶片透過板狀的中繼基板進行剝離，再將轉印到中繼基板上的TFT元件轉印到產品用基板。
另外，專利文獻2中揭示了使用貼片機按每個零件將電子部件壓接在印刷後的電路圖案上的技術。
[專利文獻1] 日本特開2009-152387號公報。 [專利文獻2] 日本特開平8-230367號公報。
(發明所欲解決的問題) 使用中繼基板，將晶片從電子器件晶片製作用基板剝離、移載到電子器件產品所用的基板的情況下，中繼基板的面積越大，則所需要剝離力差距越大，因此剝離不良（漏掉）造成的良率低下的風險增大。
另外，專利文獻1中雖揭示了用來改善剝離特性的方法，然而製造製程複雜，成本高，另外也需要整合所揭示的製程與電子器件晶片的製造製程，因此其開發成本也增大。
另外，從中繼基板向產品用基板轉印電子器件晶片時，在中繼基板較大或者為平板狀的情況下，需要在中繼基板的整個面上與器件晶片基材面或者產品用基板等接觸，而需要加大壓入量，因此由向中繼基板的壓入量而引起的失真量將增大。特別是，在外緣部與其中心部不同，沒有抑制擴展的結構體，變形量增大。因此，在微細的器件晶片的轉印中，很難抑制由於中心部及外緣部的失真而造成的變形。為此，例如針對轉印對象的電子器件晶片的尺寸為10×30[μm]左右、晶片與晶片之間以5[μm]左右的間隔進行排列的微型LED的情況，很難在中繼基板的整個面上，進行上述微米級的精準的位置對齊。
進而在專利文件1中未揭示由已形成了電子器件晶片的基板來製造產品用基板面積較大的顯示裝置的技術，因此存在製造大畫面顯示裝置較為困難的問題。另外，即使準備了複數個形成有電子器件晶片（TFT元件）的基板（玻璃基板），反復進行從這些基板（玻璃基板）剝離及轉印到產品用基板的操作，也將使生產節拍時間（takt time）顯著變長，製造成本也增大。
另外，在如專利文獻2揭示的那樣使用貼片機，將每個器件晶片（電子部件）移載到產品用基板的方式中，各器件晶片的位置精度不均，另外生產節拍時間顯著增大，因此大面積基板的製造難以在現實上實現，製造成本也將增大。再者，貼片機透過拾取頭把持器件晶片，因此在先前技術中所應用的真空吸附/卡盤方式中，器件晶片的尺寸有限制，要提高生產節拍而移載微細晶片，則有時需要進行裝置的大幅度的設計變更，比如變更拾取頭的機構。
鑒於上述問題，本發明提供一種製造電子器件的方法及用於該方法的裝置，能夠以低成本將器件晶片移載到產品用基板等上而且配置精度良好。
(用於解決問題的手段) 本發明的電子器件的製造方法，包括以下步驟：準備步驟，準備第一基板與第二基板，第一基板具有第一黏接層且在第一黏接層上黏接有複數個器件晶片，第二基板具有第二黏接層；第一取出步驟，一邊使具備包含選擇性黏接區域的第三黏接層的第一鼓輪旋轉，一邊將第一基板上的器件晶片的至少一部分接觸並黏接到選擇性黏接區域的至少一部分上，而將器件晶片的至少一部分從第一基板剝離；以及第一移載步驟，一邊使第一鼓輪旋轉，一邊將選擇性黏接區域的器件晶片接觸並黏接到第二基板的黏接層，而從選擇性黏接區域剝離器件晶片。
另外，本發明的電子器件的製造方法，在上述結構中，第一黏接層與器件晶片的黏接力比選擇性黏接區域與器件晶片的黏接力弱；選擇性黏接區域與器件晶片的黏接力比第二黏接層與器件晶片的黏接力弱。
透過這樣的製造方法，利用第一鼓輪來減輕要將複數個器件晶片從黏接有這些器件晶片的第一基板剝離的剝離力，而提高了均勻性，第二基板上的器件晶片的配置精度提高，並且降低了移載作業的生產節拍時間，進一步透過控制黏接力，能夠可靠地移載器件晶片。另外，由於不需要直接在第二基板上製造器件晶片，因此第二基板不會受到基於製造器件晶片的製程的制約（耐熱性、耐化學腐蝕性、以及隨之相伴的變形引起的位置精度偏移等）。
本發明的電子器件的製造方法，包括以下步驟：準備步驟，準備第一基板與第二基板，第一基板具有第一黏接層且在第一黏接層上黏接有複數個器件晶片，第二基板具有第二黏接層；第一取出步驟，一邊使具備包含選擇性黏接區域的第三黏接層的第一鼓輪旋轉，一邊將第一基板上的器件晶片的至少一部分接觸並黏接到選擇性黏接區域的至少一部分上，而將器件晶片的至少一部分從第一基板剝離；反轉步驟，使具備第四黏接層的第二鼓輪與第一鼓輪的選擇性黏接區域上的器件晶片接觸並黏接，使第二鼓輪與第一鼓輪在彼此相反的方向上旋轉，藉此將器件晶片從選擇性黏接區域剝離；以及第二移載步驟，一邊使第二鼓輪旋轉，一邊將器件晶片接觸並黏接到第二基板的黏接層上，而從第二鼓輪剝離器件晶片。
另外，本發明的電子器件的製造方法，在上述結構中，第一黏接層與器件晶片的黏接力比選擇性黏接區域與器件晶片的黏接力弱；選擇性黏接區域與器件晶片的黏接力比器件晶片與所述第四黏接層的黏接力弱；第四黏接層與器件晶片的黏接力比第二黏接層與器件晶片的黏接力弱。
另外，本發明的電子器件的製造方法，包括以下步驟：準備步驟，準備第一基板與第二基板，第一基板具有第一黏接層且在第一黏接層上黏接有複數個器件晶片，第二基板具有第二黏接層；第一取出步驟以及第一移載步驟；以及第一取出步驟、反轉步驟以及第二移載步驟。
透過使用第一鼓輪與第二鼓輪來進行移載，能夠在第一基板與第二基板之間反轉器件晶片的表面及背面的關係，在所製造的產品中，例如可對應於器件晶片與其他電路、元件等的連接，來適當地至少選擇性組合器件晶片的表面及背面。另外，可一括進行器件晶片的反轉，能夠將伴隨反轉的生產節拍時間的增加最小化。
另外，本發明的電子器件的製造方法，包括：透過反復進行複數次第一取出步驟與平行移動步驟，將器件晶片移載到第一鼓輪的選擇性黏接區域，上述平行移動步驟係在第一取出步驟之後使第一鼓輪與第一基板分開，並使第一基板在與第一鼓輪的旋轉軸平行的方向上移動。
透過這樣反復進行移載，即使在與第一基板的面積相比，第二基板的面積較大的情況下，也能夠在第二基板上的所需部位，用相同的第一基板來配置器件晶片，而能夠降低配置器件晶片的生產節拍時間，減低製造成本。
另外，本發明的電子器件的製造方法，在上述結構中，所述選擇性黏接區域是凸形狀部。
這樣，透過將第一鼓輪的選擇性黏接區域設為從周圍的黏接層突出形狀的凸形狀部，藉此能夠將器件晶片選擇性地黏接至第一鼓輪的特定區域。另外，藉由對應於電子器件來適當調整第一鼓輪的黏接層上的凸形狀部的配置，能夠以所需的位置精度將所需數量的器件晶片黏接至第一鼓輪的所需部位。
本發明的電子器件的製造裝置，具備：移動導向件、第一輸送台、第二輸送台與第一鼓輪；第一輸送台包括：第一移動裝置，使第一輸送台在移動導向件上移動；及橫移裝置，在與移動導向件的長側方向垂直的方向上移動；第二輸送台包括使第二輸送台在移動導向件上移動的第二移動裝置；第一鼓輪包括：第一旋轉軸；使第一鼓輪升降的第一升降裝置；使第一鼓輪圍繞第一旋轉軸旋轉的第一旋轉裝置；以及控制機構，控制第一鼓輪的第一旋轉軸的長側方向及/或其鉛直方向相對於第一輸送台的傾斜程度，在第一鼓輪上安裝有第三黏接層，第三黏接層具有選擇性黏接區域。
透過作成上述裝置結構，能夠利用升降裝置使第一鼓輪下降到選擇性黏接區域與載置於第一輸送台的第一基板的第一黏接層上的器件晶片相接觸的位置，使選擇性黏接區域與第一基板表面相接觸，旋轉第一鼓輪，並且移動第一輸送台，且透過選擇性黏接區域的黏接力與第一旋轉裝置所造成的旋轉運動，第一基板上的器件晶片至少選擇性地剝離並黏接於選擇性黏接區域，而藉此被取出，然後，第一鼓輪上升，第二輸送台向第一鼓輪下方移動，透過第一鼓輪的第一升降裝置使第一鼓輪下降，使選擇性黏接區域上的器件晶片與第二輸送臺上的第二基板的第二黏接層接觸，第一鼓輪旋轉並移動第二輸送台，藉此將已取出的選擇性黏接區域上的器件晶片依序移載到第二基板上。藉此，與使用平坦的中繼基板的情況相比較，面接觸變為線接觸，因此能夠縮小壓入量，以均勻的較弱的施力就能夠剝離第一基板上的器件晶片，將其移載到產品用基板也就是第二基板上，而能夠提高其配置精度，並且降低器件晶片移載所花的生產節拍時間，降低製造成本。
進而，由於第一輸送台具有橫移裝置，可在將器件晶片從第一基板黏接於第一鼓輪的第三黏接層的選擇性黏接區域後，使第一鼓輪離開第一基板，並透過橫移裝置來移動第一輸送台，將殘置在第一基板上的器件晶片選擇性地黏接在未黏接有器件晶片的第一鼓輪的選擇性黏接區域，並藉由反復進行上述步驟，將需要向第二基板移載的器件晶片從第一鼓輪的選擇性黏接區域進行移載。藉此，即使在第二基板的面積比第一基板的面積大的情況下，也能夠一括地將器件晶片從第一鼓輪移載到第二基板上，而能夠降低電子器件製造的生產節拍時間。
本發明的電子器件的製造裝置，在上述結構中更具有第二鼓輪，第二鼓輪包括：第二旋轉軸；使第二鼓輪升降的第二升降裝置；以及使第二鼓輪圍繞第二旋轉軸旋轉的第二旋轉裝置，第一鼓輪或者第二鼓輪中的至少一個具有在與移動導向件的長側方向平行的方向上移動的鼓輪移動裝置，第二鼓輪上安裝有第四黏接層，選擇性黏接區域的黏接力比第四黏接層的黏接力弱。
透過作成這樣的裝置結構，能夠至少選擇性地將載置於第一輸送台的第一基板的第一黏接層上的器件晶片黏接於第一鼓輪的第三黏接層的選擇性黏接區域上，旋轉第一鼓輪並移動第一輸送台，藉此加以取出，接著，透過鼓輪移動裝置移動第一鼓輪或第二鼓輪，使黏接在第一鼓輪的第三黏接層的選擇性黏接區域上的器件晶片與第二鼓輪的第四黏接層接觸，使第一鼓輪和第二鼓輪向彼此相反的方向旋轉，藉此將第一鼓輪的選擇性黏接區域上的器件晶片移載到第二鼓輪的第四黏接層上。此時，選擇性黏接區域的黏接力比第四黏接層的黏接力弱，因此能夠可靠地進行移載。
然後，使第一鼓輪及第二鼓輪分開，透過鼓輪移動裝置或第二輸送台的第二移動裝置，使第二鼓輪在載置於第二輸送台的第二基板上進行位置對齊，透過第二升降裝置，使第二鼓輪下降，直到第二鼓輪的第四黏接層上的器件晶片與第二基板的第二黏接層相接觸，旋轉第二鼓輪並移動第二輸送台，藉此將第四黏接層上的器件晶片移載到第二基板上。因此，能夠將第一基板上的器件晶片的表面背面關係進行反轉，將器件晶片可靠地移載到第二基板，而能夠提高第二基板上的器件晶片的配置精度，並且減低移載的生產節拍時間。
另外，由於第一輸送台具有橫移裝置，能夠在將器件晶片從第一基板黏接於第一鼓輪的第三黏接層的選擇性黏接區域後，使第一鼓輪離開第一基板，透過橫移裝置移動第一輸送台，將殘置在第一基板上的器件晶片至少選擇性地黏接在未黏接有器件晶片的第一鼓輪的選擇性黏接區域，並藉由反復進行上述步驟，將應該移載到第二基板的必要量的器件晶片黏接至第一鼓輪的選擇性黏接區域，藉此即使在第二基板的面積比第一基板的面積大的情況下，也能夠經由第二鼓輪來將器件晶片的表面背面關係進行反轉，一括地將器件晶片移載到第二基板上，而減低電子器件製造的生產節拍時間。
另外，本發明的電子器件製造裝置，在上述結構中，所述選擇性黏接區域係凸形狀部。
這樣，透過將第一鼓輪的選擇性黏接區域設為從周圍的黏接層突出的凸形狀部，便能夠將器件晶片選擇性地黏接到第一鼓輪的特定區域。另外，藉由對應電子器件來適當調整第一鼓輪的黏接層上的凸形狀部的配置，便能夠以所需的位置精度黏接將所需數量的器件晶片黏接到第一鼓輪的所需部位。
此外，本發明不限定於移載像LED(發光二極體)這樣的發光元件的例子，例如在為了將各種電子器件晶片排列配置在基板上而進行移載時，也可以使用本發明，上述各種電子器件包括使用了受光元件、壓電元件、加速度感測器、NEMS(奈米機電系統)或MEMS(微機電系統)等的微型器件晶片、基於電荷儲存方式或MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)、FeRaM(鐵電式隨機存取記憶體)、PCM(相變記憶體)等其他方式的記憶元件、開關元件、微型電腦等運算處理器件晶片等。 另外，本發明的製程中沒有包含升溫步驟，因此作為移載側的基板，也能夠有效地利用撓性基板、耐熱性為較低溫（80C以下）基板。
另外，根據本發明製造的電子器件，即可以是產品（最終產品）的一部分或者全部，也可以是用來製造最終產品而在產品的製造步驟中使用的中間產品（物）或者副產品的一部分或者全部。
(發明的功效) 根據本發明，形成在第一鼓輪的第三黏接層上的選擇性黏接區域（凸形狀部），相對於第一基板的第一黏接層上形成的器件晶片，是藉由進行線接觸以選擇性地取出器件晶片，因此可減輕接觸時的壓入量（附著效果），能夠抑制因具有彈性的黏接層的凸形狀部的彈性變形等所引起的配置位置精度下降的情形。另外，由於可使用第一鼓輪或第一鼓輪和第二鼓輪來將器件晶片從第一基板一括地移載到第二基板，因此能夠大幅消減產品製造的生產節拍時間。進而，能夠至少選擇性地取出器件晶片，並配置於適合最終產品的位置，因此能夠得到提高將器件晶片配置到最終產品的自由度的效果。
(第1實施型態) 以下，對本發明的第一實施型態進行說明。
(裝置結構) 第1圖係第一實施型態的電子器件製造裝置的剖面圖。 裝置基座1上設置有例如由複數條平行的軌道所構成的移動導向件2。進而，在移動導向件2上搭載有第一輸送台3及第二輸送台4，能夠分別透過第一移動裝置5、第二移動裝置6來沿著移動導向件2進行移動。
第一輸送台3在第一移動裝置5上具有對準裝置7，進而在對準裝置7上具有橫移裝置8，隨著第一輸送台的移動而移動。
橫移裝置8能夠使第一基板9在與移動導向件2的長側方向垂直的方向（第2圖中H方向）上移動。橫移裝置8具有第一基板支撐台（未圖示），該第一基板支撐台能夠載置並把持第一基板9，該第一基板9具有第一黏接層，並且在上述第一黏接層上黏接有複數個電子器件晶片（以下稱為器件晶片）17。第一基板支撐台防止由於第一輸送台沿著移動導向件2的移動，或是橫移裝置8的移動所造成的橫移裝置8上的第一基板9的位置發生偏移的情形。第一基板支撐台可以機械性按壓並把持第一基板9的側面或上表面，或者從背面吸引並把持第一基板9，或者不限於這些方式，只要是能夠固定第一基板9的位置的裝置即可。可以根據第一基板9的形狀、性質來選擇把持方法。
器件晶片17例如為LED等發光元件、受光元件、壓電元件、加速度感測器、使用NEMS或MEMS等的微型器件晶片、基於電荷儲存方式或MRAM、FeRaM、PCM等其他方式的記憶元件、開關元件、微型電腦等的運算處理器件晶片等器件晶片，但並不限於此。另外，第一基板9由具有第一黏接層並黏接複數個器件晶片的平坦的基板構成，該基板例如是利用矽晶圓、化合物半導體晶圓、玻璃基板、藍寶石等金屬氧化物等的基板製成，多數為4英寸到8英寸的圓形的基板，但並不限定於此。另外，第一基板9本身是具有黏著性的基板，因此也可以兼作第一黏接層。這些器件晶片17為所移載的對象物。
對準裝置7具有：在與移動導向件2的長側方向平行的方向上移動的機構、以及圍繞與上述長側方向垂直的鉛直方向的（與P方向平行的方向）旋轉軸旋轉的旋轉機構，並透過光學的手段等掌握第一基板9的位置（第一基板9的基準位置），在預定的位置，以空間解析度0.1[μm]的精度，在最大移動距離為數毫米（例如3～5毫米左右）的範圍內載置第一基板9（位置對齊）。透過上述旋轉機構，能夠調整相對於移動導向件2的長側方向、或後述的第一鼓輪11的旋轉軸15的長側方向的角度。
第二輸送台4在第二移動裝置6上具備對準裝置20。對準裝置20具有第二基板支撐台(未圖示)，以使得對準裝置20能夠載置器件晶片17的移動目的地也就是第二基板10(工件)。第二基板支撐台透過第二輸送台4在移動導向件2的長側方向上的移動，能夠防止第二基板10的位置發生偏移。在要將器件晶片17移載到第二基板10上的部位形成有第二黏接層。
此外，第二基板10不僅可以是玻璃等硬質的基板，還可以是具有可撓性的柔性基板、對器件晶片的製造步驟中的熱處理、藥品處理、電漿處理等步驟缺乏抵抗性的基板。
搭載於第二輸送台4的對準裝置20具有與對準裝置7同樣的對準精度。
第二基板支撐台可以是機械性按壓並固定第二基板10的側面或上表面的裝置，還可以是從背面吸引的裝置，另外也可以不限定於此，只要是能夠固定第二基板10的位置的裝置即可。可根據第二基板10的形狀、性質來選擇把持方法。
第二基板10例如在器件晶片17是LED的情況下，可以是顯示畫面用的基板，伴隨著顯示裝置的大畫面化，經常會比第一基板9的面積大。另外，第二基板10不限定於顯示畫面用的基板，其為載置器件晶片17的對象物，會依存於要製造的電子器件的種類、器件晶片17的種類。
如第1圖所示，在第一輸送台3及第二輸送台4的上方，設置有圓柱形狀的第一鼓輪11（取出用筒狀鼓輪）及第二鼓輪12（反轉用筒狀鼓輪）。
第一鼓輪11是圓柱形狀，如第2圖所示，具有與移動導向件2的長側方向垂直的旋轉軸15，還具有旋轉裝置（未圖示）以圍繞旋轉軸15旋轉。為了沿第1圖的P方向移動第一鼓輪11，在旋轉軸15的兩端分別具有升降裝置（未圖示），並透過分別在鉛直方向上獨立驅動來控制傾斜程度，而可進行調整以使得第一基板9的表面及旋轉軸15成為平行。
另外，具有以第一鼓輪11的旋轉軸15的一端為基準、在鉛直方向延伸的支撐軸，第一鼓輪11具備以支撐軸為旋轉中心而使旋轉軸15的另一端可在水平方向上旋轉的機構，藉此便能夠調整移動導向件2的長側方向及旋轉軸的交差角（傾斜程度）。該調整可透過手動來進行，亦可以用直動軌道來進行。
第二鼓輪12係圓柱狀，如第2圖所示，具有與移動導向件2的長側方向垂直的旋轉軸16（參考第2圖），並具有旋轉裝置（未圖示）以圍繞旋轉軸16旋轉。為了使第二鼓輪12在第1圖的P方向上移動，在旋轉軸16的兩端分別具有升降裝置（未圖示），透過分別獨立驅動，能夠進行調整以使得第二基板10的表面及旋轉軸16平行。進而，更具備使第二鼓輪12在與移動導向件2的長側方向平行的方向上前後移動的鼓輪移動裝置（未圖示）。
第一鼓輪11及第二鼓輪12的圍繞各旋轉軸15、16的旋轉，是透過與各旋轉軸15、16直接連結的直驅馬達和具有一定程度以上的高分辨精度的旋轉位置檢測編碼器的組合來進行驅動，並進行旋轉角的檢測。
如第2圖所示，第二鼓輪12的旋轉軸16以與第一鼓輪11的旋轉軸15平行的方式而設置。
作為第一鼓輪11、第二鼓輪12的直徑，從加工精度的觀點來看例如可以適合使用100～500[mm]，但並不限於該範圍。
第一鼓輪11的與旋轉軸15垂直的平面上的半徑R1及第二鼓輪12的與旋轉軸16垂直的平面上的半徑R2可以不相同。兩半徑相同的情況下，第一鼓輪11及第二鼓輪12接觸時，容易確保接觸面的壓力的均勻性。
如第2圖、第3圖所示，在第一鼓輪11的表面安裝有例如矽氧橡膠等樹脂製成的第三黏接層14a，該第三黏接層14a具有選擇性黏接區域，該選擇性黏接區域具體而言是凸形狀部13，而在第二鼓輪12上也安裝有由矽氧橡膠等樹脂製成的第四黏接層14b。此外，關於第一黏接層、第二黏接層，也可以使用同樣的樹脂。
另外，半徑R 1是從旋轉軸15的中心到凸形狀部13的表面為止的距離，半徑R 2是從旋轉軸16的中心到第四黏接層14b的表面為止的距離。器件晶片17黏接於凸形狀部13或第四黏接層14b的情況下，是從旋轉軸15或旋轉軸16的軸中心到器件晶片17的表面為止的距離、亦即到與所黏接的面相對的面為止的距離。進一步詳細地說，在使這些鼓輪接觸的情況下，為了給與壓入量，半徑基本定義為：半徑R1=(從第一鼓輪的中心到凸形狀部或器件晶片表面)-(壓入量或者其1/2)
半徑R2=(從第二鼓輪的中心到黏接面或器件晶片表面)-(壓入量或其1/2)，相接觸的對方表面堅硬(硬度高)時，則選擇「壓入量」，在彈性體的情況下選擇「-壓入量的1/2」。
在第一鼓輪的凸形狀部材料存在硬度差的情況下，有彈性的一方的變形量變大，因此在進行器件晶片的黏接及剝離時，隨著剝離的結束，彈在性變形恢復的瞬間，鼓輪的旋轉速度(圓周速度、角速度)加快，同樣地也有可能發生位置偏移。
為了抑制這些變動，需要控制壓入量(附著效果)，例如在形成有器件晶片的基板內的器件晶片的配置有疏密的情況下，附著效果發生變動而成為移載的位置精度不良的原因，因此需要控制鼓輪的旋轉速度(圓周速度、角速度)。
第三黏接層14a的凸形狀部13可如以下方式來形成：另行預備與凸形狀部13對應的凹部的圖案，例如金屬製的凹版，在凹版上澆入光固化樹脂或熱固化樹脂 進行固化。另外，作為第三黏接層14a而使用光固化樹脂，也可以使用微影法。第三黏接層14a的厚度例如為5~500[μm]，凸形狀部13中的黏接層的厚度依存於凸形狀部13的大小/黏接層的強度，凸形狀部13是從其他部分的第三黏接層14a突出例如5~250[μm]的形狀，但並不限定於上述形狀。
此外，也可以不像上述那樣由突出的圖形狀部13來形成選擇性黏接區域，而是透過將選擇性黏接區域與其他區域相比較，增大黏接力來形成。
亦即，也可以是透過具有黏接特性的樹脂等，例如紫外線固化樹脂來平面地形成第三黏接層14a，並針對第三黏接層14a，向除了與作為取出對象的器件晶片17的配置位置對應的選擇性黏接區域以外的區域，照射紫外線，藉此使該部分的樹脂聚合而提高硬度，同時使黏著性下降。此外，這種情況下，半徑R1的計算式中的「從第一鼓輪中心到凸形狀部或器件晶片表面」變為「從第一鼓輪中心到第三黏接層14a或器件晶片表面」。
作為選擇性照射紫外線的方法，可以使用遮罩來進行曝光處理，其中該遮罩選擇要透光或遮光的照射區域，或者亦可直接使用紫外線進行描繪。藉此，無需製作凹版，即可形成選擇性黏接區域。
此外，黏接層的材料可以是紫外線固化型樹脂，亦可以是熱固化型樹脂。另外，第三黏接層14a所使用的樹脂，不限定於此，只要是能夠針對該樹脂，配合器件晶片17的配置來使選擇性黏接區域以外的區域的黏接力降低的材料，便不特別對組成、方法進行限定。然而，選擇性黏接區域以外的區域與器件晶片17的黏接力，設定為低於第一黏接層與器件晶片17的黏接力。
能夠透過升降裝置使第一鼓輪11的位置下降，直到第一鼓輪11的第三黏接層14a的凸形狀部13與第一基板9上的器件晶片17接觸，而且能夠透過升降裝置使第二鼓輪12的位置下降，直到第二鼓輪12的第四黏接層14b與第二基板10的黏接層接觸。更準確地來說，第二鼓輪12的第四黏接層14b上所黏接的器件晶片17能夠下降到與第二基板10的黏接層相接觸的位置。此外，第四黏接層14b能夠使用黏著特性與第三黏接層14a相同的樹脂，其厚度例如為5～500[μm]。
第一鼓輪及第二鼓輪的外周面，從基準位置開始進行升降動作，該基準位置是相對於第一輸送台表面及第二輸送台表面成為平行的位置，鼓輪的旋轉中心軸與輸送台的移動軸，透過基準調整而確保了正交精度。
對準裝置7能夠檢測第一鼓輪11的基準位置，並進行第一基板9與第一鼓輪11的對準，對準裝置20能夠檢測第二鼓輪12的基準位置，並進行第二基板10與第二鼓輪12的對準。如以上所述，對準的空間解析度係0.1[μm]，能夠進行最大移動距離為數毫米左右的對準。
透過光學裝置識別被形成在第一鼓輪11上的凸形狀部13的位置，並參考其位置資訊，透過第一輸送台3的對準裝置7，與第一基板9上的各器件晶片的位置進行位置對齊。相對於在先前使用板狀中繼基板的情況下，需要在平面上的位置對齊，本實施型態實質上只要在直線上的區域的位置對齊即可，進一步地，由於能夠減低施加的應力，因此減輕應力引起的失真，而提高了位置對齊的精度。
根據第一基板9上的器件晶片的配置圖案，形成凸形狀部13。例如，在器件晶片在第一基板9上按固定的間距配置在格子點上的情況下，以與該間距相同、或者以該間距的整數倍的間距，在第一鼓輪11的表面形成凸形狀部13。另外，如第4圖(a)所示，間距不一定要是固定值，只要是以能夠配合移載到第二基板10的配置，選擇要取出(拾取)的器件晶片17的方式，來決定凸形狀部13的圖案配置即可。此外，第4圖是平面展開第一鼓輪11的第三黏接層14a的圖，在第4圖中，X方向表示平行於第一鼓輪11的旋轉軸15的方向，Y軸表示與平行於旋轉軸15的方向垂直的方向，並且是沿著第一鼓輪11的圓周的方向。
第一輸送台3在第1圖中箭頭A的方向上，透過第一移動裝置5，一邊維持第一基板支撐台表面的水準位準，一邊在移動導向件2上移動。第一基板9隨著第一輸送台3以相同速度進行移動。第一鼓輪11與第一移動裝置5同步，能夠以其位置被固定的狀態，藉由旋轉裝置來沿著第1圖中箭頭B的方向進行旋轉。
第一鼓輪11的旋轉裝置及第一移動裝置5獨立動作，相互不發生動作干涉，因此，易於使第一輸送台3及第一鼓輪11在鉛直方向的距離（旋轉軸15及第一基板9的表面的最短距離）精度良好地保持固定。
（器件晶片的移載製程） 以下，使用上述電子器件製造裝置來說明將器件晶片從第一基板9移載到第二基板10從而製造電子器件的方法。
首先，將第一黏接層黏接有複數個器件晶片17的第一基板9載置於第一輸送台3的第一基板支撐台，透過對準裝置7進行第一基板9與第一鼓輪11的對準之後，使第一鼓輪11位於第一基板9上。之後，第一鼓輪11下降，使第一基板9上的器件晶片17與第三黏接層14a的凸形狀部13接觸。
此外，在下降後的時點，凸形狀部13與器件晶片17不一定需要接觸，也可以是，在下降後的時點兩者尚不接觸，之後，如後述之方式使第一鼓輪旋轉，並使第一基板移動，藉此使凸形狀部13與器件晶片17相接觸。
第3圖與第一鼓輪11與第一基板9的接觸部的放大圖。凸形狀部13與第一基板9的第一黏接層（未圖示）上的器件晶片17相接觸，並進行黏接。 第一輸送台3在A方向上移動，第一鼓輪11在B方向上進行旋轉，藉此使器件晶片17從第一基板9上剝離，移載到第一鼓輪11上。
透過第一鼓輪11的旋轉運動，能夠以連續過程來執行以下動作：使凸形狀部13與第一基板9的器件晶片17接觸、從第一基板9剝離器件晶片17。這是由於，若第一鼓輪11旋轉，器件晶片17借助於凸形狀部13的黏接力而被施加相對於第一基板9朝斜上方的力，從而從第一基板9的表面剝離，然後，從第一基板9的表面剝離的器件晶片17被移載到形成在第一鼓輪11表面的第三黏接層14a上的凸形狀部13上。
這樣，在剝離過程中，器件晶片17分別從端面被抬起，能夠縮小要對各器件晶片17進行剝離時所需施加的力，從而使得器件晶片17穩定地向第一鼓輪11移載。
進而，相對於先前技術的中繼基板為平面，在上述實施型態的裝置中，凸形狀部13與器件晶片17的接觸區域，是在與第一鼓輪11的旋轉軸15平行的直線上進行接觸。因此，與先前技術相比，接觸區域變窄，還能減輕第一鼓輪11對於第一基板9的壓力，提高在接觸區域的壓力的均勻性。其結果抑制了壓力引起的在具有凸形狀部13的第三黏接層14a上的變形，而能夠降低器件晶片17在凸形狀部13上的偏移。
該效果與後述的將第二鼓輪12按壓在第二基板10的第二黏接層的情況相同，能夠抑制器件晶片17在第二基板10上的配置偏移。
為了要能夠將器件晶片17從第一基板9移栽到第一鼓輪11，只要相比於第一基板9的第一黏接層與器件晶片17的黏接力，增強第一鼓輪11的凸形狀部13與器件晶片17的黏接力即可。
使器件晶片17黏接於第一基板9的第一黏接層的方法，例如在晶圓上製造了LED的情況下，能夠利用先前的構裝技術。即，黏貼於切割框，使用切割後的晶圓（半導體基板）即可（例如參考日本特開2003-318205）。此時，切割框相當於第一基板9，切割框的樹脂製成的片材相當於第一黏接層，切割後的晶圓的各晶片相當於器件晶片17。切割框的樹脂製成的片材可以利用市售的已知黏接力的片材，也可以在樹脂製成的片材上形成調整了黏接力的黏接層。藉此，能夠調整第一基板9的第一黏接層與器件晶片17的黏接力。
此外，上述僅僅是一個例子，並不限定於上述例子。器件晶片17也可以是LED以外的器件晶片，只要是對應於器件晶片的種類、製造方法，根據能夠規定黏接力的方法，將第一基板9的第一黏接層與器件晶片17進行黏接即可。
如第3圖所示，第一鼓輪11的各凸形狀部13，其旋轉速度（角速度）被調整成分別與第一基板9的各器件晶片17接觸。例如，設凸形狀部13的間距為S，第一基板9的器件晶片17的間距為d。凸形狀部13的間距及器件晶片17相同時，設第一輸送台3的箭頭A方向的速度為V A、第一鼓輪11的角速度為ω，則以ω＝ω 0＝V A/R 1的角速度使第一鼓輪11旋轉即可。這裡，R 1如上所述是第一鼓輪11的半徑。此外，第3圖中表示出了間距S及d是固定值（等間隔）的例子。然而對於上述關係式來說，並不依存於S和d，在不是等間隔的情況下也成立，不一定需要是等間隔。
另外，透過從上述ω0開始變更角速度ω，也能夠相對地變更凸形狀部13的間距S與第一基板9的器件晶片17的間距d。例如，若將角速度ω變更為不同於ω 0的値ω 1，第一基板9的移動量達到間距d所需的時間為d/V A，因此凸形狀部13的間距S為S＝R 1ω 1（d/V A）。藉此，S/d＝R 1（ω 1/V A），因此間距S與d之比會跟第一鼓輪11的角速度ω 1與第一輸送台3的移動速度V A成比例，因此透過變更角速度，能夠使凸形狀部13的間距S與第一基板9上的器件晶片17的間距d不同，例如能夠變更數十[μm]左右。另外，相反地也可以去變更移動速度V A。
在這種情況下，透過將第一鼓輪11的角速度ω 1與第一輸送台3的移動速度V A之比設為固定值，能夠一律地變更間距之比。進而，在間距S和/或d不是固定值的情況下，將其位置依存性的資訊保管在儲存裝置等中，並按照該資訊設定角速度或移動速度，藉此便能夠相對於第一基板9上的器件間距d來任意變更凸形狀部13的間距S。
第4圖（b）表示出變更第4圖（a）的凸形狀部13的配置間距的一個例子的圖。透過調整角速度，能夠不改變第一基板9的器件晶片17的配置，而將Y軸方向的配置如第4圖（a）至第4圖（b）所示地來加以變更。
另外，能夠一邊使第一鼓輪11旋轉，一邊在A方向以及與A方向垂直的方向上移動第一基板9，而使得不僅在A方向，也在與A方向垂直的方向上變更凸形狀部13的配置。
第4圖（c）表示出變更凸形狀部13的配置的一個例子，該例子表示了上述狀況，是挪動（變更）X軸方向的配置的例子。能夠不改變第一基板9的器件晶片17的配置，僅透過第一基板9在與Ａ方向垂直的方向上的移動，就能夠將器件晶片17移載到變更了配置的凸形狀部13。此外，在該情況下，如第4圖（c）所示，不去變更凸形狀部13在與Ａ方向垂直的方向上的間距，而是平行移動各凸形狀部13的位置。
另外，第4圖（d）中，凸形狀部13的配置在X軸方向、Y軸方向都發生了偏移，透過調整第一基板9在與A方向垂直的方向上及在A方向上的移動以及第一鼓輪11的角速度，能夠不改變第一基板9的器件晶片17的配置而移載到凸形狀部13上。
如上述那樣，不改變第一基板9的器件晶片的配置，就能夠將凸形狀部13的配置從第4圖（a）變更為第4圖（b）、（c）、（d），從相同的第一基板9選擇器件晶片17並黏接到各凸形狀部13上，因此能夠如後述那樣，在第二基板上變更器件晶片17的配置。藉此，能夠製造豐富多彩的電子器件。這在先前的使用平坦的中繼基板的方式中，若不改變第一基板9的器件晶片17的配置是不可能實現的。
在將器件晶片17移載到第一鼓輪11的凸形狀部13上之後，如第5圖所示，使第一鼓輪11上升，使第二鼓輪在與A方向相反的方向（C方向）上移動到與第一鼓輪11接觸的位置。而且，使第一鼓輪11與第二鼓輪12向彼此相反的方向（B方向以及D方向）旋轉。第5圖表示出第一基板9在第一鼓輪11剛剛移載了器件晶片17之後的位置原地不動的狀態，然而第一基板9也可以在與A方向相反的方向上移動而返回原來的位置（參考第1圖）。
此時，以在第一鼓輪11與第二鼓輪12的接觸部位中，半徑的切線方向的速度彼此相同的方式，設定第一鼓輪11的角速度與第二鼓輪12的角速度。亦即，第一鼓輪11的旋轉軸15圓周的角速度為ω B、第二鼓輪12的旋轉軸16圓周的角速度為ω C，由於彼此的旋轉方向互為相反方向，因此設定為ω B＝－ω C（R 2/R 1）。
在第一鼓輪11與第二鼓輪12相接觸的部位中，由於施加到第一鼓輪11與第二鼓輪12上的力是均等的，因此較佳為，將第一鼓輪11的上述半徑R 1與第二鼓輪12的上述半徑R 2設為相同的值，即ω B＝－ω C。
與第一鼓輪11的第三黏接層14a相比較，第二鼓輪12的第四黏接層14b使用具有較強黏接力的樹脂。其結果使得，第一鼓輪11的器件晶片17從第一鼓輪的第三黏接層14a的凸形狀部13剝離，移載到第二鼓輪12的第四黏接層14b。此外，第四黏接層14b與第三黏接層14a不同，不具有凸形狀部(選擇性黏接區域)，是以第四黏接層14b整個表面來黏接器件晶片。
之後，如第6圖所示，第二鼓輪12透過鼓輪移動裝置移動到第二基板10上之後，透過升降裝置使第二鼓輪12下降，直到黏接在第二鼓輪12上的器件晶片17與第二基板10的第二黏接層表面接觸。之後，第二基板10透過移動裝置6在與A方向相反的方向即C方向上移動，並且第二鼓輪12按D方向旋轉。此外，也可以透過第二移動裝置6移動第二輸送台4，在第二基板10上進行第二鼓輪12的位置對齊。只要確定相對的位置關係，移動哪個裝置均可。這在其他確定相對位置的情況也是同樣的。
使與第二基板10接觸的第二鼓輪12的器件晶片17在第二鼓輪12的切線方向上的速度與第二基板10在C方向上的移動速度相同的方式，來設定第二鼓輪12的角速度，並使第二鼓輪12按D方向旋轉。例如，如果第二基板10在C方向上的移動速度設為VD，因為第二鼓輪12的上述半徑為R2，所以第二鼓輪12的角速度設為VD/R2即可。
此外，也可以如同第一鼓輪11的角速度與第一基板9的移動速度的關係那樣，將上述第二鼓輪12的角速度設為不同的角速度。由於黏接在第二鼓輪12上的器件晶片17其配置已經過調整而排列，因此通常第二鼓輪12的角速度設為上述關係的角速度即可。
另外，在上述實施型態中，表示出了第二基板10的移動方向為C方向的例子，但也可以在A方向上移動，並使第二鼓輪12按與Ｄ方向相反的方向旋轉。由於分別按照相對的關係確定，因此配合第二基板10的移動方向來決定第二鼓輪12的旋轉方向即可。這在第一鼓輪11及第一基板9的關係中也是同樣的，均不限定於上述實施型態的移動方向。
另外，也可以透過將第二鼓輪12例如一邊按D方向旋轉一邊在A方向上平行移動，而將器件晶片17移載到第二基板10。然而，第二鼓輪12的旋轉裝置與使第二基板10在水平方向上平行移動的移動裝置6獨立進行動作，藉此相互的動作不會發生干涉，容易使第二鼓輪12與第二基板10的鉛直方向的距離精度良好地保持固定。
這樣，器件晶片17從第一基板9經由第一鼓輪11的凸形狀部13及第二鼓輪12移載到第二基板10上。因此，凸形狀部13的配置決定第二基板10的器件晶片17的配置。凸形狀部13的配置可如上述那樣進行調整，例如在第二基板10的中心部分，可以擴大或者縮小器件晶片17之間的距離。
此外，以上說明了為了從第一鼓輪11向第二鼓輪12移載器件晶片17，平行移動第二鼓輪12而與第一鼓輪11接觸的例子。然而也可以在第一鼓輪11上具備鼓輪移動裝置，藉此使第一鼓輪11平行移動而與第二鼓輪12接觸。
這樣，能夠一括將器件晶片17從第二鼓輪12移載到第二基板10，因此能夠大幅削減生產節拍時間。
此外，為了使第二基板10上的器件晶片17的表面及背面的關係與第一基板9相同，也可以不使用第二鼓輪12，而將黏接在第一鼓輪11的凸形狀部13上的器件晶片17直接移載到第二基板10。此時，第一鼓輪11上也可以具有鼓輪移動裝置。
在不使用第二鼓輪12的情況下，不難理解在上述的說明中，只要將第二鼓輪12設為第一鼓輪11，即可將器件晶片17移載到第二基板10上，這裡省略其詳細的說明。
另外，透過區分使用第一鼓輪11與第二鼓輪12，組合僅使用第一鼓輪11的移載，以及使用第一鼓輪11與第二鼓輪12的移載，亦能夠選擇性地一括形成混編了器件晶片的表面及背面的配置。
例如，從第一基板9經由第一鼓輪11將反轉了表面背面關係的器件晶片17黏接到第二鼓輪12上，之後在第一鼓輪11上安裝具有不同配置的凸形狀部13的第三黏接層14a，從第一基板9將器件晶片17黏接到沒有反轉表面背面關係的第一鼓輪11的凸形狀部13上，之後依序將器件晶片17從第一鼓輪11移載到第二基板10，並將器件晶片17從第二鼓輪12移載到第二基板10，或者也可以按其相反順序依序進行移載。另外，首先將器件晶片17從第一基板9經由第一鼓輪11移載到第二基板10，之後在第一鼓輪11上安裝具有不同配置的凸形狀部13的黏接層14a，將器件晶片17從第一基板9經由第一鼓輪11和第二鼓輪12而移載到第二基板10，或者也可以按其相反的順序進行移載。
至於是否需要使用第二鼓輪12，只要比較在第二基板10上的器件晶片17的設置狀態與在第一基板9上的器件晶片17的設置狀態即可判斷。以下，關於是否需要使用第二鼓輪12，為了便於理解進行例示，但並不限於這些例子。
例如，將器件晶片17移載到第二基板10後，根據器件晶片17的電氣端子（例如，電力用連接端子、電訊號用連接端子）與第二基板10上的其他電路的電氣連接端子的電氣佈線的形成方法進行選擇即可。以下係一個例子，即器件晶片17為LED、發光面在第一基板9的上表面（表面），LED的電力供給端子位於其相對面的情況下，使用第二鼓輪來反轉表面背面關係，在第二基板10上，將具有LED的電力供給端子的面配置於上面，之後形成導電性佈線，與配置在第二基板10上的開關電路等進行電氣連接。
另外，在器件晶片17是記憶元件，且在第一基板9的上表面側具有電氣連接端子（電力供給用及電氣訊號用端子）的情況下，也可以不使用第二鼓輪12，不反轉儲存裝置的表面背面關係而從第一鼓輪11移載到第二基板10。
如上述那樣，為了要從第一基板9開始，依序向第一鼓輪11、第二鼓輪12、第二基板10移載器件晶片17，需要如已經說明的那樣的與器件晶片17的黏接力的關係。亦即、黏接力按（第一基板9的第一黏接層的黏接力）＜（第一鼓輪11的第三黏接層14a的選擇性黏接區域的黏接力）＜（第二鼓輪12的第四黏接層14b的黏接力）＜（第二基板10的第二黏接層的黏接力）的順序變大。此外，有時也不使用第二鼓輪12。另外，如上所述，選擇性黏接區域相當於凸形狀部13。
透過改變黏接層的材料的配合，可以控制黏接層的黏接力。作為黏接層的材料，沒有特別的限定。例如，作為公知的黏接劑，可以從如下黏接劑中選擇至少一種以上組合。即，丙烯酸類黏接劑、橡膠類黏接劑、乙烯基烷基醚類黏接劑、矽酮類黏接劑、聚酯類黏接劑、聚醯胺類黏接劑、聚氨酯類黏接劑、氟類黏接劑、環氧類黏接劑、聚醚類黏接劑等。 另外，上述黏接層的材料中，根據需要，也可以適當含有自以下添加物中選擇的至少一種以上添加物：黏度及剝離度的調節劑、黏接賦與劑、塑化劑、軟化劑、由玻璃纖維、玻璃珠、金屬粉或其他無機粉末等組成的填充劑、顏料、染料等著色劑、pH調節劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑等添加劑。
表1示出了變更黏接層的材料組成的配合，而調查其黏接力及硬度的結果的例子。如表1所示，透過變更配合能夠改變黏接力。另外，透過變更配合，也能改變黏接層的硬度。此外，硬度是根據JIS K6253進行測量，黏接力根據JIS Z 0237進行測量的。
[表1] <TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> 配合 </td><td> 黏接力[kg/cm<sup>2</sup>] </td><td> 硬度[º] </td></tr><tr><td> A </td><td> 0.36 </td><td> 60.0 </td></tr><tr><td> B </td><td> 0.46 </td><td> 43.0 </td></tr><tr><td> C </td><td> 0.73 </td><td> 27.7 </td></tr><tr><td> D </td><td> 0.83 </td><td> 42.7 </td></tr><tr><td> E </td><td> 0.92 </td><td> 35.3 </td></tr><tr><td> F </td><td> 0.74 </td><td> 14.7 </td></tr><tr><td> G </td><td> 0.85 </td><td> 16.7 </td></tr></TBODY></TABLE>
樹脂的硬度低的情況下，黏接層彼此接觸，會因為由於變形而降低器件晶片17的配置精度，因此需要一定程度的硬度。另外，硬度高的樹脂有黏接力變弱的傾向，因此也需要從黏接力的觀點出發進行考慮。例如，在表1的矽酮樹脂的情況下，可以較佳地在30～60的硬度範圍內，選擇期望硬度的樹脂作為各黏接層。
作為從表1列舉的樹脂中選擇的上述黏接力的組合，例如，能夠對第一基板9的第一黏接層使用A配合，對第一鼓輪11的第三黏接層使用B配合，對第二鼓輪12的第四黏接層使用D配合，對第二基板10的第二黏接層使用E配合。
關於黏接層的膜厚，可以在上述範圍內進行任意設定。例如較佳為5～100μm，更佳為10～60μm。
在黏接層的厚度未滿5μm的情況下，會顯現出貼合性的降低的情形，環境溫度變化較大時耐久性降低。另外，例如在厚度未滿5μm的情況下，將黏接材料使用於具有凸形狀部13的第一鼓輪11時，有可能會出現如下問題。（1）根據壓入量，有時還會黏接到除了黏接於凸形狀部13想取出的部分以外的器件晶片17。（2）在形成黏接層時，需要作為底層的底漆層等的情況下，由於底漆的浸透等，黏接層的組成/性能受到影響。（3）構成黏接層的彈性體層過薄時，不能獲得壓入時的厚度方向的逸散（應力的分散），使得器件晶片17的壓入應力增大，器件晶片17有可能破損，或者凸形狀部13發生變形。（4）存在有裝置的精度極限的問題隱患。另外，在用於第二鼓輪12的情況下，存在上述（2）、（3）以及（4）的問題隱患。
另一方面，黏接層的厚度為100μm以上的情況下，黏接材料的組成物的塗覆、乾燥時氣泡的殘留、黏接層的厚度平面內的均勻性不均勻的問題，有可能成為黏接性能低下的原因。例如，厚度為100μm以上的情況下，用於具有凸形狀部13的第一鼓輪11時，存在如下問題。（1）如果過厚則相對於壓入的反力減弱，取出時所需的對器件晶片17的附著力變小，有時會出現無法取出的情況，因此需要增大壓入量。（2）若壓入量變大，變形量將變大，使得位置精度下降。
另外，關於凸形狀部13的高度，由於與接地面積也具有關聯性，因此較佳長寬比為4以下。器件晶片17的位置精度受凸形狀部13變形等的影響。若考慮位置精度，凸形狀部13的形狀較佳為，從沒有凸形狀部13的部分的第三黏接層14a起，高度在5～60μm以下，長寬比在4以下、截面形狀的側面不是垂直而是具有20～80度的錐形角，尤其為了實現高位置精度（例如微米數量別），其最適合的形狀條件較佳為，從沒有凸形狀部13的部分的第三黏接層14a起，高度為10～40μm、長寬比為2～3、側面的錐形角為30～60度。凸形狀部13的形狀除了考慮位置精度，還要考慮作為移載對象的器件晶片的形狀、物理特性（硬度、表面狀態等）等，從上述範圍內適當選擇。這樣，關於選擇性黏接區域，不僅能夠根據凸形狀部13的配置來設定器件晶片的配置部位，還能夠對其形狀進行最佳化以適用於器件晶片。
進而，在形成黏接層的步驟中，一般若黏接層變厚，則會發生因樹脂固化時的收縮而造成的回縮情形（體積收縮），因此如果過厚，則會發生形狀穩定性降低、黏接層形成時混入氣泡的危險性增大這樣的問題。因此，關於氣泡等的混入，需要在材料的混合時採用真空攪拌技術，並透過介面的接觸角來控制材料流入母模（凹版）。另外，在黏接層較薄的情況下，存在表面張力引起的破裂/偏移的影響。若為了密合性而使用底漆層，則由於底漆層的溶解/浸透等，會出現對黏接層的組成造成影響的問題。
此外，也可以在第二基板10上配置了器件晶片17之後，例如透過將ＵＶ(紫外線)固化樹脂形成在器件晶片17和第二基板10上，藉此固接器件晶片17。
（第二實施型態） 以下說明第二實施型態。
例如，在移載LED情況下，為了製造要黏接於第一基板9的器件晶圓，使用在半導體製程中所使用的圓形的晶片，單晶矽的情況下，大多使用4～8英寸的晶圓，最大為12英寸。在III-V族化合物半導體的情況下，大多使用3～4英寸的晶圓，第一基板9的尺寸由這些晶圓尺寸所決定。相對之下，第二基板10有時例如可以是對角線長度為50英寸等的大畫面的顯示裝置。這樣，在第一基板9與第二基板10的大小互不相同的情況下，尤其在第二基板10的尺寸（寬度）比第一基板9大的情況下，本實施型態也能有效應對。
如第7圖所示，設定如下：第一鼓輪11上形成有凸形狀部13的區域在旋轉軸15方向上的長度L，與要將器件晶片17移載到第二基板10上的區域（移載區域18）的寬度（在與旋轉軸15平行的方向上的長度）W相同或者在其之上。
第一鼓輪11的凸形狀部13的一端，例如圖中右端（虛線α）與被形成在第一基板9上的器件晶片17之中、要為了移載而剝離的器件晶片17的剝離區域19的圖中右端（虛線β）進行位置對齊。亦即，在Ａ方向上移動第一基板9，使第一鼓輪11旋轉時，調整第一基板9的位置以使得凸形狀部13的兩端之中的一端黏接第一基板9上的器件晶片17。透過橫移裝置8，在與第一鼓輪11的旋轉軸15的長側方向平行的方向上移動第一基板9，藉此進行第一基板9的位置調整。
此外，凸形狀部13與第一基板9上的上述位置關係（虛線α與虛線β的關係）是一示例，該位置關係能夠根據凸形狀部13與第一基板9的器件晶片17的配置以及凸形狀部13的形狀與器件晶片17的形狀，來適當地進行設定。只要能夠從凸形狀部13取出規定區域的器件晶片17即可。
例如，各凸形狀部13的形狀能夠根據各器件晶片17的形狀而進行改變，可以是相同形狀，也可以是圓形、橢圓形、矩形等，與1個器件晶片17對應的凸形狀部13可以由1個凸形狀部構成，也可以是複數個凸形狀部的集合。另外，也可以將凸形狀部13的形狀設定得比器件晶片17的形狀更寬，或者更窄。例如，在凸形狀部13的形狀比器件晶片17更窄的情況下，虛線β可向圖面左側移位，而以在凸形狀部13的形狀比器件晶片17更寬的情況下，虛線β可向圖面右側移位。
之後，將第一鼓輪11的凸形狀部13下降到能夠與第一基板9的器件晶片17的表面相接觸的位置。而且，使第一基板9向A方向移動，並且旋轉第一鼓輪11，將第一基板9上的器件晶片17選擇性地黏接到凸形狀部13上。關於第一鼓輪11的旋轉速度與第一基板9的移動速度、移動方向的關係，如第一實施型態記載所述。
接著，如第8圖所示，使第一鼓輪11上升，將第一基板9返回到黏接器件晶片17之前的位置，在E方向上移動與從第一基板9剝離器件晶片17的區域（剝離區域19）的寬度相當的距離、亦即在與第一鼓輪11的旋轉軸15的長側方向平行的方向上、並且朝著第一鼓輪11的凸形狀部13中沒有黏接器件晶片17的區域，移動第一基板9。此時，如後述那樣，進一步移動第一基板9的距離使得器件晶片17能夠移載所需要的距離（所需間距量），另外，第一鼓輪11旋轉到使得沒有黏接器件晶片17的凸形狀部13能夠接著進行器件晶片17的移載的位置。
之後，重複上述步驟也就是基於第一鼓輪11的器件晶片17的剝離以及第一鼓輪11的旋轉與第一基板9的移動（參考第8圖），如第9圖所示，將器件晶片17黏接到第一鼓輪11的凸形狀部13的全部上、或者為了移載到第二基板10而所需要的部位的凸形狀部13上。
此外，為了移載到與複數個不同尺寸的產品對應的不同的第二基板10，預備好具有與最大尺寸對應的凸形狀部13的第一鼓輪11，則在製造對應較小尺寸的產品時，能夠利用對應最大尺寸的凸形狀部13的一部分。藉此，能夠利用相同的第一鼓輪的第三黏接層14a來製造複數種電子器件產品。
之後，與第一實施型態同樣地，將黏接在第一鼓輪11的凸形狀部13上的器件晶片17移載到第二鼓輪12，將黏接在第二鼓輪11上的器件晶片17移載到第二基板10上。
此外，如在第一實施型態中所述那樣，也可以不使用第二鼓輪12而將器件晶片17從第一鼓輪11移載到第二基板10。進而，也可以組合僅使用第一鼓輪11進行移載的步驟，與使用第一鼓輪11和第二鼓輪12進行移載的步驟，適當地進行表面背面關係不同的器件晶片的移載。
在上述實施型態中，進行了複數次將器件晶片17從第一基板9移載到第一鼓輪11。在一次的移載步驟中，移載到第一鼓輪11的器件晶片17即從第一基板9上消失。因此，在下一次的移載步驟中，為了要將器件晶片17從第一基板9移載到第一鼓輪11，需要適當調整第一基板9的位置，例如將第一基板上的器件晶片17移位一個間距量等。
以下使用第10圖說明為了進行複數次移載所需的第一基板9的位置調整。為了說明簡單，假想第一基板9上的器件晶片17位於等間隔的格子的各交點上的情況。第10圖表示出第一基板9的器件晶片17的移載過程的俯視圖。第10圖中，將與A方向平行的方向設為X軸，與A方向垂直的方向設為Y軸。
如第10圖（a）所示，將X方向上的m個、Y方向上的n個器件晶片17設為1個單位（單元）。m、n為正整數，任意一者為大於1的整數。1個單位上具有mn個器件晶片17。此外，在從第一基板9到第一鼓輪11，僅進行1次器件晶片17的移載步驟的情況下，m、n也可以都為1。
如第10圖（b）所示，透過第一次的移載，來自各單位的1個器件晶片17從第一基板9移載到第一鼓輪11。
如第10圖（c）所示，在要進行第二次移載的情況下，將第一基板9移動與剝離區域19的寬度相當的距離後，進一步在X方向、或Y方向上移動器件晶片17的配置的1個間距量，將器件晶片17從第一基板9移載到第一鼓輪11。第10圖（c）表示在X方向上移動1個間距量，然後移載器件晶片17的例子。
以下同樣，從第一基板9的mn個的器件晶片17的各單位中，一個一個地將器件晶片17從第一基板9移動到第一鼓輪11。
此外，第10圖中是在X方向上進行了移動，但也可以在Ｙ方向上進行移動，還可以在X方向及Ｙ方向都移動1個間距量。另外，只要在mn個的單位內，亦可以使第一基板9移動比一個間距量大的距離，能夠適當地移載單位內的任意位置的器件晶片17。
上述說明表示出了器件晶片17配置在等間隔格子點上的例子。只要按照所決定的規則配置器件晶片，就能夠將複數個器件晶片17構成為1個單位。藉此，透過重複複數次從1個相同的第一基板9向第一鼓輪11進行移載，便能夠將所需數量的器件晶片17移載（黏接）到凸形狀部13上。此外，所需數量，是指待移載到第二基板10上的器件晶片17的數量。
另外，上述例子例示了用於複數次移載器件晶片17的系統性的方法（手法），但不限定於該方法，為了複數次移載，也可以適當地移動第一基板9。
此外，為了將更多的器件晶片17移載到凸形狀部13，可以使用複數個第一基板9，並適當地交換基板。另外，也可以透過將黏接有不同種類的器件晶片17的複數種種類的第一基板9適當地進行交換，藉此將複數不同種類的器件晶片17移載到相同的第一鼓輪11上。
在該情況下，也能夠應對面積較大的產品的移載，並且能夠一括進行從第一鼓輪11到第二鼓輪12或者從第二鼓輪12到第二基板10的移載，而能夠降低生產節拍時間，從而降低產品的製造成本。
1：裝置基座 2：移動導向件 3：第一輸送台 4：第二輸送台 5：第一移動裝置 6：第二移動裝置 7：對準裝置 8：橫移裝置 9：第一基板 10：第二基板 11：第一鼓輪 12：第二鼓輪 13：凸形狀部 14a：第三黏接層 14b：第四黏接層 15：旋轉軸 16：旋轉軸 17：器件晶片 18：移載區域 19：剝離區域 20：對準裝置
第1圖表示出第一實施型態的電子器件製造裝置的剖面圖。 第2圖表示出第一實施型態的電子器件製造裝置的立體圖。 第3圖為第一實施型態的電子器件製造裝置中的第一鼓輪與第一基板的接觸部的放大圖。 第4圖表示出第一鼓輪的凸形狀部的配置例的展開圖。 第5圖表示出第一實施型態的電子器件製造裝置的動作狀態的剖面圖。 第6圖表示出第一實施型態的電子器件製造裝置的動作狀態的剖面圖。 第7圖表示出第二實施型態的電子器件製造裝置的動作狀態的俯視圖。 第8圖表示出第二實施型態的電子器件製造裝置的動作狀態的俯視圖。 第9圖表示出第二實施型態的電子器件製造裝置的動作狀態的俯視圖。 第10圖表示出第一基板上的器件晶片的移載過程的俯視圖。
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Claims (9)

  1. 一種電子器件的製造裝置，其針對經由第一黏接層而被黏貼至第一基板上的複數個器件晶片的至少一者，經由第一鼓輪來選擇性自前述第一黏接層剝離並取出，並移載至在表面上設有第二黏接層的第二基板上；並且，在前述第一鼓輪的表面上設有第三黏接層，該第三黏接層在其中的一部分區域中具有黏接力大於周圍區域的複數個黏接區域；前述第一黏接層至第三黏接層的黏接力滿足以下的關係：第一黏接層的黏接力<第三黏接層的前述黏接區域中的黏接力<第二黏接層的黏接力。
  2. 如請求項1所述之裝置，其中：根據JIS K6253所測量到的前述第一黏接層至第三黏接層的硬度在30至60的範圍中。
  3. 如請求項1所述之裝置，其中：前述第一黏接層至第三黏接層，是從如下黏接劑中選擇的至少一種以上的組合所構成：丙烯酸類黏接劑、橡膠類黏接劑、乙烯基烷基醚類黏接劑、矽酮類黏接劑、聚酯類黏接劑、聚醯胺類黏接劑、聚氨酯類黏接劑、氟類黏接劑、環氧類黏接劑、聚醚類黏接劑。
  4. 如請求項1所述之裝置，其中：前述第一黏接層至第三黏接層，含有作為添加物的以下至少一種：黏度及剝離度的調節劑、黏接賦與劑、塑化劑、軟化劑、由玻璃纖維、玻璃珠、金屬粉或其他無機粉末等組成的填充劑、包含顏料、染料在內的著色劑、pH調節劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、添加劑。
  5. 如請求項1所述之裝置，其中：前述第一黏接層至第三黏接層的膜厚在5μm以上100μm以下。
  6. 如請求項1所述之裝置，其中：前述第一黏接層至第三黏接層的膜厚在10μm以上60μm以下。
  7. 如請求項1所述之裝置，其中：前述第三黏接層在表面具備：具有凸形狀部的部分與沒有凸形狀部的部分；並且，前述凸形狀部的形狀，從前述沒有凸形狀部的部分起，高度在5μm以上60μm以下，且長寬比在4以下，其中該長寬比具有將前述凸部的高度作為縱向、前述凸部的底邊作為橫向的縱橫比。
  8. 如請求項7所述之裝置，其中：前述第三黏接層中，以垂直於前述第一鼓輪的旋轉軸的平面來加以切斷的剖面形狀的側表面，相對於前述凸部的垂線具有20度以上80度以下的錐形角。
  9. 如請求項7所述之裝置，其中：前述凸形狀部的形狀，從前述沒有凸形狀部的部分起，高度在10μm以上40μm以下，且長寬比在2以上3以下，其中該長寬比具有將前述凸部的高度作為縱向、前述凸部的底邊作為橫向的縱橫比；並且以垂直於前述第一鼓輪的旋轉軸的平面來加以切斷的剖面形狀的側表面，相對於前述凸部的垂線具有30度以上60度以下的錐形角。
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