TWI649566B - Substrate inspection device - Google Patents

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TWI649566B TW104108313A TW104108313A TWI649566B TW I649566 B TWI649566 B TW I649566B TW 104108313 A TW104108313 A TW 104108313A TW 104108313 A TW104108313 A TW 104108313A TW I649566 B TWI649566 B TW I649566B
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Abstract

提供一種基板檢查裝置，該基板檢查裝置，係不用使用IC測試器，進行探針及半導體元件之接觸確認，在接觸確認中確認為異常狀態時，可判別異常狀態的原因。
探測器(10)，係具備有探針卡(15)，該探針卡(15)，係具有接觸於形成在晶圓(W)之半導體元件(28)之各電極焊墊(37)的複數個探針(16)，該探針卡(15)，係具有：卡側檢測電路(18)，重現安裝有從晶圓(W)切出之半導體元件(28)之DRAM的電路構成；及比較器(34)，測定探針(16)及卡側檢測電路(18)之間之配線(19)的電位。

Description

基板檢查裝置
本發明，係關於不用將形成於基板之半導體元件從該基板切出而進行檢查的基板檢查裝置。
已知一種探測器以作為基板檢查裝置，該基板檢查裝置，係檢查形成於作為基板之半導體晶圓(以下，僅稱為「晶圓」。)的半導體元件，例如功率元件或記憶體之電性特性。
探測器，係具備有探針卡(該探針卡，係具有多數個針狀之探針)與平台(該平台，係載置晶圓而在上下左右自由移動)，藉由使探針卡之各探針接觸於半導體元件所具有的電極焊墊或焊錫凸塊，使檢查電流從各探針流至電極焊墊或焊錫凸塊的方式，檢查半導體元件的電性特性(例如，參閱專利文獻1。)。
以往，探測器雖係與判定半導體元件之電性特性或功能良否的IC測試器連接，但由於IC測試器之電路構成與安裝有製作成產品之半導體元件的電路構成例如母板或功能擴充卡的電路構成不同，故無法在安裝有IC 測試器的狀態中進行半導體元件的檢查，作為結果，存在有下述問題：發現了在將半導體元件安裝於功能擴充卡等時，IC測試器未檢測到之半導體元件的故障。特別是，近年來，伴隨著母板或功能擴充卡所進行之處理的複雜化、高速化，導致母板或功能擴充卡的電路構成亦複雜化，而與IC測試器之電路構成的差異變大，故上述問題更加明顯。
因此，為了保証半導體元件之品質，而提出下述技術：設置電路構成例如重現功能擴充卡之電路構成(該電路構成，係半導體元件被安裝於探針卡)的檢查電路，以取代藉由IC測試器進行檢查，在使用該探針卡模擬將半導體元件安裝於功能擴充卡的狀態下，不用將半導體元件從晶圓切出而測定半導體元件的電性特性(例如，參閱專利文獻2)。另外，將模擬了像這樣的安裝狀態下之狀態的檢查稱作晶圓系統層次測試。
然而，為了確實地進行半導體元件之電性特性的測定，而有在該測定之前，進行測試(接觸確認)之必要，該測試，係確認探針卡之探針與半導體元件之電極焊墊等是否電性接觸。在與IC測試器連接之以往的探測器中，係使用IC測試器所具備之DC模組的IFVM(I Force V Measure)功能，對半導體元件之電極焊墊施加電壓而進行接觸確認，而且，在以接觸確認來確認為異常狀態時，係根據電壓值來加以判別異常狀態的原因。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開平7-297242號公報
〔專利文獻2〕日本特願2013-192193號說明書
然而，在以進行晶圓系統層次測試來取代藉由IC測試器進行檢查的探測器中，係因為廢除昂貴的IC測試器，故無法藉由DC模組來進行接觸確認，當然亦無法判別有關於探針與電極焊墊等之接觸之異常狀態的原因。
本發明之目的，係提供一種基板檢查裝置，該基板檢查裝置，係不用使用IC測試器，進行探針及半導體元件之接觸確認，在接觸確認中確認為異常狀態時，可判別異常狀態的原因。
為了達成上述目的，本發明之基板檢查裝置，係具備有探針卡(該探針卡，係具有接觸於形成在基板之半導體元件之各電極的複數個探針)的基板檢查裝置，其特徵係，前述探針卡，係具有：檢測電路，重現安裝有從前述基板切出之前述半導體元件的電路構成；及電位測定手段，測定前述探針及前述檢測電路之間之配線的 電位。
根據本發明，予以測定在探針卡中探針及檢測電路之間之配線的電位。探針及檢測電路之間之配線的電位，係因應於探針及半導體元件之電極焊墊等的接觸狀態而產生變化，而且，亦因應於與探針及電極焊墊等之接觸相關之異常狀態的原因而產生變化。因此，藉由測定探針及檢測電路之間之配線的電位之方式，不用使用IC測試器，進行探針及半導體元件之接觸確認，在接觸確認中確認為異常狀態時，可判別異常狀態的原因。
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧探測器(基板檢查裝置)
12‧‧‧本體
13‧‧‧裝載器
14‧‧‧測試箱
15‧‧‧探針卡
16‧‧‧探針
17‧‧‧配線
18‧‧‧卡側檢測電路
19‧‧‧配線
20‧‧‧箱側檢測電路
21‧‧‧基座單元
22‧‧‧配線
23‧‧‧硬碟
24‧‧‧板體
28‧‧‧半導體元件
33‧‧‧高電阻
34‧‧‧比較器
37‧‧‧電極焊墊
38‧‧‧繼電器矩陣
〔圖1〕概略地說明作為本發明之實施形態之基板檢查裝置之探測器之構成的立體圖。
〔圖2〕概略地說明作為本實施形態之基板檢查裝置之探測器之構成的正視圖。
〔圖3〕說明包含探針卡之卡側檢測電路及晶圓之半導體元件之電路構成的電路圖。
〔圖4〕說明包含探針卡之卡側檢測電路及晶圓之半導體元件之電路構成之變形例的電路圖。
以下，參照圖面說明本發明的實施形態。
圖1，係概略地說明作為本實施形態之基板檢查裝置之探測器之構成的立體圖，圖2係同正視圖。圖2，係部分地描繪成剖面圖，且予以表示內建於後述之本體12、裝載器13及測試箱14的構成要素。
在圖1及圖2中，探測器10，係具備有：本體12，內建有載置晶圓W之平台11；裝載器13，配置為鄰接於該本體12；及測試箱14，配置為覆蓋本體12，且對形成於晶圓W之半導體元件進行電性特性的檢查。
本體12，係呈現內部為空洞的殼體形狀，在該內部，係除了上述的平台11以外，另配置有與該平台11相對向的探針卡15，探針卡15，係與晶圓W相對向。在探針卡15之與晶圓W相對向的下面，係與晶圓W之半導體元件的電極焊墊或焊錫凸塊對應地配置有多數個探針16。
晶圓W，係以相對於平台11之相對位置不會偏移的方式，被固定於該平台11，平台11，係可水平方向及上下方向地進行移動，從而調整探針卡15及晶圓W的相對位置，使半導體元件之電極焊墊等接觸於各探針16。測試箱14，係在覆蓋本體12時，經由可撓式的配線17，與探針卡15電性連接。
裝載器13，係被收容於搬送容器即FOUP(Front-Opening Unified Pod)(未圖示)，將形成有半導體元件的晶圓W取出而載置到本體12之內部的平台 11，又，從平台11去除半導體元件之電性特性之檢查已結束的晶圓W，而收容至FOUP。
探針卡15，係具有卡側檢測電路18，該卡側檢測電路18，係重現安裝有從晶圓W切出而被製作成產品之半導體元件的電路構成，例如DRAM的電路構成，該卡側檢測電路18，係經由後述的配線19而被連接於各探針16。在平台11往探針卡15接近而各探針16接觸於晶圓W之半導體元件的電極焊墊等(以下，僅稱為「電極焊墊」)時，各探針卡16，係將來自所接觸之電極焊墊的電信號傳達至卡側檢測電路18。
測試箱14，係具有：檢查控制單元或記錄單元(皆未圖示)；箱側檢測電路20，重現安裝有DRAM之電路構成例如母板之電路構成的一部分；及板體24，搭載由SSD(Solid State Drive)等所構成的硬碟23。配線17，係從探針卡15之卡側檢測電路18將電信號傳達至箱側檢測電路20。在探測器10中，係可藉由更換測試箱14所具有之箱側檢測電路20的方式，來重現複數種母板之電路構成的一部分。
裝載器13，係內藏有由電源、控制器或簡單的測定模組所構成的基座單元21。基座單元21，係藉由配線22而連接於箱側檢測電路20，控制器，係指示開始向箱側檢測電路20進行半導體元件之電性特性的檢查。
如上述，在探測器10中，雖係藉由箱側檢測電路20之更換，來重現複數種母板之電路構成的一部 分，但基座單元21，係重現共用於各種母板的電路構成。亦即，箱側檢測電路20及基座單元21會一起動作，重現作為母板全體的電路構成。
在探測器10中，係在進行半導體元件之電性特性的檢查時，例如箱側檢測電路20的檢查控制單元，係將資料發送到卡側檢測電路18，根據來自卡側檢測電路18的電信號，來判定所發送的資料是否被卡側檢測電路18(該卡側檢測電路18，係經由各探針16而連接於半導體元件)正確處理。
又，在探測器10中，卡側檢測電路18、箱側檢測電路20及基座單元21中之安裝有半導體元件的卡側檢測電路18，係物理性地被配置於最接近半導體元件。藉此，在檢查電性特性時，能夠儘可能地抑制因半導體元件及卡側檢測電路18之間之配線長的影響，例如配線電容之變化的影響，且能夠在極接近電腦(該電腦，係作為具有DRAM或母板的實機)中之配線環境的配線環境下進行半導體元件之電性特性的檢查。
圖3，係說明包含探針卡之卡側檢測電路及晶圓之半導體元件之電路構成的電路圖。
在圖3中，卡側檢測電路18，係經由配線19與探針16連接，並且經由保護二極體25與檢測電路電源26連接，開關27，係介於檢測電路電源26及保護二極體25之間。晶圓W之半導體元件28，係經由保護二極體29與元件電源30連接，保護二極體29及元件電源30之間 的配線31，係經由開關32而接地。
又，探針卡15，係具有作為在探針16及卡側檢測電路18之間經由高電阻33而連接於配線19之電位測定手段的比較器34。在配線19及比較器34之間的配線35中，係在比較器34的附近設置有拉升電阻36，該拉升電阻36，係拉升比較器34所測定的電位。
高電阻33，係例如具有500Ω以上的電阻值(在本實施形態中，係2kΩ)，進而抑制流經配線19的電流分支，經由配線35積極地流至比較器34的情形。比較器34，係視窗比較器，其判別配線35的電位是否屬於例如3個電位區域之任一，且連接於數位I/O卡(未圖示)。另外，在本實施形態中，探針卡15，雖係使用視窗比較器作為電位測定手段，但電位測定手段只要是可進行電位測定的機器，亦可使用其他機器，例如可使用DMM(數位萬用電錶)、一般的比較器或A/D轉換器。
在探測器10中，係例如與1000個探針16之各個對應地設置有多數個卡側檢測電路18或配線19，且與配線19之各個對應地設置有1000個比較器34。
又，在探測器10中，係在測定半導體元件28之電性特性之前，平台11向探針卡15接近時，進行接觸確認(該接觸確認，係確認各探針16與半導體元件28之電極焊墊37是否電性接觸)。在進行接觸確認時，開關27關閉，從檢測電路電源26將例如1.3V電壓施加至卡側檢測電路18，而元件電源30被關閉，並且開關32關 閉，半導體元件28係經由配線31而接地，比較器34，係測定此時之配線19的電位。
如上述，由於高電阻33可抑制流經配線19之電流積極地流至比較器34的情形，故在高電阻33中，係例如僅流過0.5mA的電流，配線19及比較器34之間的電位差，係形成為0.1V。又，在探測器10中，保護二極體25或保護二極體29的電位差，係設定為0.7V。
在探針16及電極焊墊37為電性正常接觸時(以下，稱為「正常接觸狀態」)，由於在配線19的電位中，係如上述例如僅反映設定為0.7V之保護二極體29的電位差，故配線19的電位係0.7V，配線35的電位係形成為0.8V(配線19及比較器34之間的電位差加至配線19的電位)。
在探針16及電極焊墊37為未電性接觸的異常狀態(以下，稱為「非接觸狀態」。)下，由於在配線19的電位中，反映檢測電路電源26所施加之電壓的電位及保護二極體25的電位差，故配線19的電位係2.0V，配線35的電位係2.1V。
又，探針16及電極焊墊37雖是電性接觸，但在半導體元件28不經由配線31而直接接地(短路)的異常狀態(以下，稱為「短路狀態」)下，由於在配線19的電位中反映半導體元件28的電位，換言之接地電位，故配線19的電位係0V，配線35的電位形成為0.1V。
亦即，配線19的電位進而配線35的電位，係因應於探針16及電極焊墊37是否電性接觸而產生變化，而且，亦因應於與探針16及電極焊墊37之接觸相關之異常狀態的原因而產生變化。在本實施形態中，比較器34，係判別配線35之電位是否屬於上述3個電位區域(0.8V、2.1V、0.1V)之任一。例如，若配線35之電位在0.8V附近，則可判別為探針16及電極焊墊37是電性正常接觸，若配線35之電位在2.1V附近，則可判別為探針16及電極焊墊37並未電性接觸，若配線35之電位為0.1V附近，則判別為導體元件28為直接接地。因此，本實施形態之探測器10，係不用使用IC測試器，進行探針16及電極焊墊37之接觸確認，在接觸確認中確認為異常狀態時，可判別異常狀態的原因。
又，在上述的探測器10中，由於高電阻33可抑制流經配線19之電流積極地流至比較器34的情形，因此，在進行了探針16及電極焊墊37是否電性接觸的接觸確認之後，在進行半導體元件28之電性特性的測定時，可使流經配線19的電流穩定，而且，可穩定地測定半導體元件28的電性特性。
以上，雖使用上述實施形態說明關於本發明，但本發明並不限定於上述實施形態者。
例如，在上述實施形態中，雖然高電阻33之電阻值為2kΩ，檢測電路電源26所施加的電壓為1.3V，保護二極體25或保護二極體29的電位差為0.7V，流經 高電阻33的電流為0.5mA，但該些電阻值、電壓、電位差、電流係一例，亦可因應於卡側檢測電路18或半導體元件28之規格予以設定其他值。此時，雖然正常接觸狀態中之配線35的電位，係形成為與0.8V不同的值，非接觸狀態中之配線35的電位，係形成為與2.1V不同的值，短路狀態中之配線35的電位，係形成為與0.1V不同的值，但由於正常接觸狀態、非接觸狀態及短路狀態中之配線35的電位係形成為彼此不同的值，因此，比較器34，係藉由判別配線35之電位是否屬於3個電位區域(正常接觸狀態中之電位附近、非接觸狀態中之電位附近、短路狀態中之電位附近)之任一的方式，進行探針16及電極焊墊37之接觸確認，而且，可在接觸確認中確認為異常狀態時，判別異常狀態的原因。
在上述實施形態中，如上所述，亦可使用DMM作為電位測定手段。藉此，可不用變更用於測定電位之電路，而測定起因於作為DUT(Device Under Test)之半導體元件28所內建之二極體或其他終端電路而產生很大變化之電極焊墊37的電位。
又，在上述實施形態中，雖與各個配線19(與1000個探針16對應)對應地設置有1000個比較器34，但在探針卡15中亦可僅設置1個比較器34。在該情況下，如圖4所示，配置有繼電器矩陣38(連接切換手段)，該繼電器矩陣38，係將比較器34之接取點切換為從各配線19(各配線19，係連接各卡側檢測電路18及各 探針16)分支的複數個配線35任一。藉此，可不需在探針卡15中配置多數個比較器34，而且，可簡化探針卡15的構成。
而且，在上述實施形態中，雖然箱側檢測電路20或基座單元21，係重現母板的電路構成，卡側檢測電路18，係重現DRAM的電路構成，但箱側檢測電路20或基座單元21所重現的電路構成並不限於母板的電路構成，又，卡側檢測電路18所重現的電路構成並不限於DRAM的電路構成。亦即，卡側檢測電路18、箱側檢測電路20或基座單元21所重現的電路構成，係只要是安裝有作為DUT之半導體元件28的電路構成即可。又，半導體元件28亦不特別限定構成，例如卡側檢測電路18所重現的電路構成為擴充卡的電路構成時，半導體元件28，係亦可為MPU(Main Processing Unit)；箱側檢測電路20或基座單元21所重現的電路構成如上述為母板的電路構成時，半導體元件係亦可為APU(Accelerated Processing Unit)或GPU(Graphics Processing Unit)；卡側檢測電路18、箱側檢測電路20及基座單元21所重現的電路構成為電視的電路構成時，半導體元件係亦可為RF調諧器。

Claims (5)

  1. 一種基板檢查裝置，係具備有探針卡(該探針卡，係具有接觸於形成在基板之半導體元件之各電極的探針)的基板檢查裝置，其特徵係，前述探針卡，係包含有：檢測電路，再現一電路構成，該電路構成，係安裝有從前述基板切出之前述半導體元件的電路構成；及電位測定裝置，測定前述探針及前述檢測電路之間之配線的電位，前述檢測電路，係經由第1保護二極體與檢測電路電源連接，第1開關介於前述檢測電路電源與前述第1保護二極體之間，前述半導體元件，係經由第2保護二極體與元件電源連接，前述第2保護二極體與前述元件電源之間的配線，係經由第2開關而接地，前述電位測定裝置，係以對前述檢測電路施加預定電壓，並使前述半導體元件經由前述第2保護二極體與前述元件電源之間的配線而接地之方式，在關閉了前述第1開關及前述第2開關的狀態下，測定前述探針與前述檢測電路之間的配線之電位。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板檢查裝置，其中，在前述探針及前述檢測電路之間的配線與前述電位測定裝置之間，配置有電阻。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板檢查裝置，其中，前述高電阻的值，係500Ω以上。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板檢查裝置，其中，前述探針卡，係具有：複數個前述配線，連接前述檢測電路及複數個前述探針；及連接切換手段，將前述電位測定裝置之接取點切換為複數個前述配線之任一。
  5. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之基板檢查裝置，其中，前述電位測定裝置，係比較器、DMM(數位萬用電錶)或A/D轉換器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6877025B2 (ja) * 2016-03-23 2021-05-26 ヤマハファインテック株式会社 回路基板の検査方法、検査装置、及びプログラム
JP6670691B2 (ja) * 2016-06-28 2020-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板検査装置
JP6823986B2 (ja) * 2016-09-28 2021-02-03 東京エレクトロン株式会社 基板検査装置及び基板検査方法
TWI625528B (zh) * 2017-04-05 2018-06-01 郭添裕 電錶箱改良
IT202000012556A1 (it) * 2020-05-27 2021-11-27 Crea Collaudi Elettr Automatizzati Srl Sistema di sicurezza per scheda sonda ad aghi per test ad alta tensione ed alta corrente su dispositivi a semiconduttore di potenza e relativa macchina di test.

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050068054A1 (en) * 2000-05-23 2005-03-31 Sammy Mok Standardized layout patterns and routing structures for integrated circuit wafer probe card assemblies
JP2007015846A (ja) * 2005-07-07 2007-01-25 Taesung Engineering Corp 板ガラスの方向転換装置
US20080290882A1 (en) * 2006-05-23 2008-11-27 Integrated Technology Corporation Probe needle protection method for high current probe testing of power devices
TW201250262A (en) * 2011-04-12 2012-12-16 Tokyo Electron Ltd Testing device, testing system and testing method
TWI454705B (zh) * 2009-06-29 2014-10-01 Nihon Micronics Kk 探針卡及檢查裝置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63225176A (ja) * 1987-03-16 1988-09-20 Fujitsu Ltd プリント配線板の試験方法
JP3156192B2 (ja) 1994-04-19 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 プローブ方法及びその装置
JPH08304458A (ja) * 1995-05-09 1996-11-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子部品の検査方法
JPH0954143A (ja) * 1995-08-11 1997-02-25 Advantest Corp 半導体試験装置における並列接続する電圧発生器及びコンタクト試験方法
JPH1139898A (ja) * 1997-07-14 1999-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2006029997A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Nidec-Read Corp 基板検査装置及び基板検査方法
US7029932B1 (en) * 2005-02-07 2006-04-18 Texas Instruments Incorporated Circuit and method for measuring contact resistance
KR100739629B1 (ko) * 2005-12-02 2007-07-16 삼성전자주식회사 프로브 센싱용 패드 및 이를 이용한 프로브 니들 접촉 위치검사 방법.
US7733106B2 (en) * 2005-09-19 2010-06-08 Formfactor, Inc. Apparatus and method of testing singulated dies
MY147251A (en) * 2006-05-23 2012-11-14 Integrated Technology Corp Probe needle protection method for high current probe testing of power devices
US7649366B2 (en) * 2006-09-01 2010-01-19 Formfactor, Inc. Method and apparatus for switching tester resources
JP4918339B2 (ja) * 2006-11-30 2012-04-18 日本電産リード株式会社 基板検査装置
IT1402434B1 (it) * 2010-06-10 2013-09-04 St Microelectronics Srl Struttura di rilevamento dell'allineamento di una sonda atta a testare circuiti integrati
JP2013192193A (ja) 2012-03-15 2013-09-26 Sony Corp 表示装置、画像処理装置及び画像処理方法、並びにコンピューター・プログラム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050068054A1 (en) * 2000-05-23 2005-03-31 Sammy Mok Standardized layout patterns and routing structures for integrated circuit wafer probe card assemblies
JP2007015846A (ja) * 2005-07-07 2007-01-25 Taesung Engineering Corp 板ガラスの方向転換装置
US20080290882A1 (en) * 2006-05-23 2008-11-27 Integrated Technology Corporation Probe needle protection method for high current probe testing of power devices
TWI454705B (zh) * 2009-06-29 2014-10-01 Nihon Micronics Kk 探針卡及檢查裝置
TW201250262A (en) * 2011-04-12 2012-12-16 Tokyo Electron Ltd Testing device, testing system and testing method

Also Published As

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