JP2012168153A - Cmos論理icパッケージおよび検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パッケージ内の各接続用電極パッドに近接する位置に設けられた検査用電極とバッファゲートを備えるCMOS論理ICパッケージを提供し、プリント配線基板に実装されたCMOS論理ICパッケージの検査用電極に低電圧の検査信号を印加したときの電源電流を測定することによりパッケージ内の接続用電極パッドとプリント配線基板の電極ランド間の開放故障(断線故障および半断線故障を含む)を検査するCMOS論理ICパッケージの検査方法およびそのCMOS論理ICパッケージ。
【選択図】図5
Description
開放故障の検査法としては、論理値測定による検査法、画像処理による検査法、電気的検査法が挙げられる。しかし、論理値測定による検査法では開放故障を確実に検出することは難しく、特に半断線型開放故障を検出することは不可能であった。また、画像処理による検査においては、外観上は正しく接続できているように見えても電気的には正しく接続されていない場合もあるので故障の検出精度に原理上の限界があり、また画像撮影できない位置における開放故障を検出することはできない。そこで、本発明では電気的検査により開放故障を検出することとした。
本発明は、大きな電圧の検査用信号を印加することなく、開放故障を検出可能とすることを解決すべき課題とする。
同様に、SiP(System in Package)におけるパッケージ内の各ICチップ間の信号接続が正常にはんだ付けされているかを迅速かつ容易に確認できる電気的検査方法はなかった。
本発明は、BGAパッケージやSiPにおける開放故障(断線故障および半断線故障を含む)を電気的に検出可能とすることを解決すべき課題とする。
[3]パッケージ内の各接続用電極パッドに近接する位置に設けられた検査用電極とバッファゲートを備えるCMOS論理ICパッケージを提供し、プリント配線基板に実装されたCMOS論理ICパッケージの検査用電極に低電圧の検査信号を印加したときの電源電流を測定することによりパッケージ内の接続用電極パッドとプリント配線基板の電極ランド間の開放故障並びにSiP内のFC(Flip Chip)間の開放故障を検査するCMOS論理ICパッケージの検査方法。
ここで、検査信号の電圧は例えば波高値で10ボルト以下とすることが好ましく、より好ましくは数ボルト以下とする。ちなみに、実施例は、電源電圧3.3[V]の場合で、例えばp-p値で4.6[V]、波高値で2.3[V]である。電源電圧が[5V]であったとすると波高値で3.5[V]程度となる。接続用電極パッドと検査用電極との距離や面積によっても静電容量が変わり、印加する電圧も変動する。
[4]検査信号が、周波数一定の交流信号または直流の脈動電圧若しくは矩形電圧であることを特徴とする[3]のCMOS論理ICパッケージの検査方法。
[6]パッケージ内にフリップチップボンディングされたICチップおよびバッファゲートを有し、TSVからなる接続用電極と電気的に接続されるプリント配線基板接続用端子を備えるCMOS論理ICパッケージであって、検査信号を印加するための検査用電極をTSVの一部を電気的に接続して構成したことを特徴とするCMOS論理ICパッケージ。
[7]プリント配線基板接続用端子がBGAであることを特徴とする[5]または[6]のCMOS論理ICパッケージ。
また、検査用電極に低電圧の信号を印加すればよいため、検査に伴い正常なICや基板全部が壊れる危険性がない。
さらには、従来有効な検出手段がなかった、BGAパッケージやSiPにおける開放故障(断線故障および半断線故障を含む)を検出することも可能である。
図1にCMOSバッファゲートの入出力電圧静特性を示す。図1(b)より、ViがVDDまたはGNDであれば、バッファゲートには電源電流が流れないことが分かる。また、ViがVDDであればVoutはVDD,ViがGNDであればVoutはGNDとなる。つまりバッファゲートの出力信号線はVDD線かGND線につながる。CMOSバッファゲートの入力信号線に開放故障が発生していなければ、静的電源電流は流れないことになる。
CMOSバッファゲートの入力信号線に開放故障が発生すると、故障入力信号線はVDD線かGND線のどちらにも接続されないため、故障入力信号線の電位は不定となる。そのため、故障入力信号線の論理値が0,1のどちらになるか予測できない。それが、論理値測定による検査法での開放故障の検出を困難にしている原因となっている。また、回路の電源電流測定による検査法を用いたとしても、故障入力信号線につながるpMOS、nMOS両方がONとなる電位を故障入力線が必ずとるとは限らないため、開放故障が発生しても電源電流が流れず、その故障を見逃す可能性がある。いずれにしても故障入力信号線の電位が不定となることが開放故障を見逃す原因となっている。
検査法は、被検査回路の外部から交流電界E(t)を印加し、故障入力信号線の電位が不定とならないように回路外部から制御する。そして故障入力リードにつながるnMOS、pMOSをともにONにさせ、それによって流れる電源電流を測定し、開放故障を検出する。図2(a)のバッファゲートの入力リードに開放故障(リード浮き)が発生し、その回路外部から交流電界E(t)を印加したときの等価回路を図2(b)に示す。vE(t)を電極間に印加することにより発生する交流電界E(t)で誘導電圧vF(t)が発生し、バッファゲート内のnMOS、pMOSのゲート電圧が時間的に変化する。その誘導電圧vF(t)がバッファゲート内のnMOSとpMOSが共にONとなる電圧範囲内であれば、電源電流がそれらのnMOSとpMOSを通って流れる。すると、故障入力リードの電位は時間とともに変化する。その範囲は、図1の直流特性を持つバッファゲートの場合、Vi1 ≦ Vi ≦ Vi2 となる。
検査用交流信号を印加した時、ICチップ内の信号用電極パッド間には図5の誘導電圧vF(t)が誘起される。vF(t)が、Vi1 ≦ vF(t) ≦ Vi2 のとき、貫通電流である異常な電源電流IDD(t)が流れる。ここで、vF(t)の下側が欠けるのは、(図2では省略しているが)図4のように保護ダイオードが入っているためである。この場合はD2の効果で、ダイオードの電圧降下がVdiあり、−Vdiより低くはならない。
上記非特許文献1には、図6に示す検査装置により、リード浮きを検査することが開示されている。この実験では、検査対象リードの上に設置する外部電極は底面が一辺50mmの正方形で厚み10mmの直方体の真鍮製金属ブロックをパッケージ樹脂に接触して配置し、プリント配線板の下に厚さ12mmの真鍮製金属平板に85μm厚のビニールで被覆した外部電極を配置している。
本発明の検査装置も基本的な構成は図6示すものと同じである。しかし、本発明においては、プリント配線基板の上下に外部電極を配置することは不要である。本発明では、プリント配線基板の上下に配置する外部電極に代えて、内部に交流電圧印加用の検査用電極が設けられたICを用いるからである。かかるICを用いることにより、本発明は印加する交流電圧が低電圧(例えば、ICの電源電圧の0.7倍程度)でも異常な電源電流を検出することを可能としている。すなわち、本発明では、数ボルト以下の低電圧の交流電圧を印加すれば、開放故障を生じている場合にしきい値を超える誘導電圧を誘起することができ、異常な電源電流を検出することができる。
本発明が検査対象とするCMOS論理ICパッケージについて説明する。
本発明は、CMOS論理ICパッケージ、例えば、QFP(Quad Flat Package)、BGA、SiP(System in Package)等のパッケージを検査対象としている。これらのパッケージのFPGAやCPLD(Complex Programmable Logic Device)の入力部にはレシーバ用バッファ回路が設けられている。本発明では、ICチップ内の入力信号線とその接続用電極パッドに近接する位置に交流信号印加用の検査用電極を設け、検査用電極に交流電圧または矩形波電圧を印加してレシーバ用バッファゲート回路に流れる異常な電源電流を検知することにより開放故障の判定を行っている。
SiP(System in Package)は、複数のチップを内蔵するパッケージの通称であり、同じ種類のチップだけを内蔵する場合をMCP、異なる種類のチップを内蔵する場合をSiPとするメーカーが多いようである。複数のチップが同一平面上に配設されるプレーン型とチップが積層されるスタック型がある。チップ本体の外方へ延出(突出)する複数の端子の実装態様としては、スルーホールにピンを挿入する挿入実装やリード(QFP)やはんだバンプ(BGA)をランド(接続端子)に設置する表面実装がある。図7(1)は、QFPにおける実装例を示し、(2)はBGAによる実装例を示している。
ICチップを階層化する場合には、各チップに対応する検査用電極3を設ける必要がある。図9に示すように、検査用電極3は、信号線接続用電極パッド4と絶縁素材であるダイパッド2を介して積層するように設けられている。図9では接続用端子を図示省略しているが、パッケージ基板5にリードまたはバンプが設けられてプリント配線基板に実装される。また、通常はパッケージ基板5上の各部材を樹脂により封止する。
TSVの数は一般に冗長に設けられており、1つのチップに100×100個以上設けられることもある。本発明では、未使用のTSVが多数あることに着目し、信号接続に使用しているTSVに隣接ないし近接する多数のTSVを電気的に接続して検査用電極を形成する。すなわち、隣接ないし近接する貫通電極を広い意味の環状に接続し、検査用電極を構成する。なお、検査後は、雑音の影響を受けたり伝送特性を悪くしたりしないように、検査用電極をGND(アース)に接続することが望ましい。
本発明では回路内に開放故障が一つでもある場合には、そのICチップは不良品と判定することを前提としている。したがって、開放故障が生じている信号線を特定することは不要である。別の言い方をすれば、本発明の検査方法は、単一故障も多重故障も区別せずに不良品と判定することを前提としている。
検査用電極に印加する検査用電気信号は、交流信号でなく、半波整流のような直流信号でもよい。すなわち、Lowレベルからしきい値を超えてHighレベル(あるいはHighレベルからしきい値を超えてLowレベル)へ変化する信号を誘起できる信号であればよい。
また、半断線故障を検出する際は、正弦波ではなく立ち上がりが急峻な波形(好ましくは矩形波)を入力する。保護ダイオードが入っている回路に半断線故障がある場合の等価回路を図14に示す。検査用電極に矩形波を印加した時半断線故障を含む検査入力部は微分回路とみなせるので、検査用電気信号に矩形波を入力することによりLowレベルからしき値を超えてHighレベルへ変化した後にHighレベルからしきい値を超えてLowレベルへ変化する信号を誘起できる。
図11に示す(3)は検査信号の電圧がp-p値で4.288Vの場合であり、(4)は検査信号の電圧がp-p値で4.393Vの場合であり、いずれの場合も交流電界に同期した電源電流の脈動が観察される。
図12に示す(5)は検査信号の電圧がp-p値で4.517Vの場合であり、(6)は検査信号の電圧がp-p値で4.776Vの場合であり、いずれの場合も交流電界に同期した電源電流(交流レンジで測定)の脈動が観察されるが、脈動波形の頂点が陥没した形状となっている。これは、図2を見ると分かるように、貫通電源電流はCMOSゲートの入力電圧がVthの場合に最大となることに起因する。すなわち、入力電圧がしきい値を超えた場合貫通電源電流は減り検査信号の山で最少となり、検査信号電圧が下がると貫通電源電流は増えて、CMOSゲートの入力電圧がVthになると最大となる。更に入力電圧が下がると貫通電源電流は減り、Vi1になると貫通電源電流は流れなくなる。検査信号の電圧は、それによって開放故障を起こしている入力信号に誘起される電圧がしきい値を超える大きさでなければならないので、検査試料毎に最適な入力電圧を設定する必要がある。
IC内に検査用電極を設けることができないので、半断線故障を挿入した端子の隣のNC端子(接続されていない端子)を検査用電極とした(図15参照)。また、半断線故障は、正常にはんだ付けされた入力端子とアース間に抵抗器を接続することにより作出した。検査時の可変抵抗器の抵抗値は200オームとした。NC端子の信号線と半断線故障を挿入した二つの信号間の静電容量は不明である。この信号間の静電容量だけでは微分パルスの時定数が小さいので0.01μFのチタコン(セラミックコンデンサ)を並列に接続した。したがって、Cは信号間の静電容量に0.01μFが加算された値となる。
図16(2)は、(1)と同じ条件で測定した故障回路の測定波形である。電圧がp-p(ピークトウピーク)値で3.642Vである矩形波の検査信号を印加したところ、静的電源電流IDDQが15mA程流れ、異常な電源電流IDD(t)がピークで4mA程流れることが確認できた。
2 ダイパッド
3 検査用電極
4 接続用電極パッド
5 パッケージ基板
6 検査用リード線(またはボンディングワイヤ)
7 接続用リード線(またはボンディングワイヤ)
11,12 検査用電極
Claims (7)
- パッケージ内の各接続用電極パッドに近接する位置に設けられた検査用電極とバッファゲートを備えるCMOS論理ICパッケージを提供し、
プリント配線基板に実装されたCMOS論理ICパッケージの検査用電極に低電圧の立ち上がりが急峻な波形の検査信号を印加したときの電源電流を測定することによりパッケージ内の接続用電極パッドとプリント配線基板の電極ランド間の半断線故障を検査するCMOS論理ICパッケージの検査方法。 - 前記検査信号が、実質的に矩形波であることを特徴とする請求項1のCMOS論理ICパッケージの検査方法。
- パッケージ内の各接続用電極パッドに近接する位置に設けられた検査用電極とバッファゲートを備えるCMOS論理ICパッケージを提供し、
プリント配線基板に実装されたCMOS論理ICパッケージの検査用電極に低電圧の検査信号を印加したときの電源電流を測定することによりパッケージ内の接続用電極パッドとプリント配線基板の電極ランド間の開放故障並びにSiP内のFC(Flip Chip)間の開放故障を検査するCMOS論理ICパッケージの検査方法。 - 検査信号が、周波数一定の交流信号または直流の脈動電圧若しくは矩形電圧であることを特徴とする請求項3のCMOS論理ICパッケージの検査方法。
- パッケージ内にワイヤボンディングされたICチップ、接続用電極パッドおよびバッファゲートを有し、接続用電極パッドと電気的に接続されるプリント配線基板接続用端子を備えるCMOS論理ICパッケージであって、
パッケージ内の各接続用電極パッドに近接する位置に設けられた検査信号を印加するための検査用電極を備えることを特徴とするCMOS論理ICパッケージ。 - パッケージ内にフリップチップボンディングされたICチップおよびバッファゲートを有し、TSVからなる接続用電極と電気的に接続されるプリント配線基板接続用端子を備えるCMOS論理ICパッケージであって、
検査信号を印加するための検査用電極をTSVの一部を電気的に接続して構成したことを特徴とするCMOS論理ICパッケージ。 - プリント配線基板接続用端子がBGAであることを特徴とする請求項5または6のCMOS論理ICパッケージ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015175705A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージの評価方法、および半導体パッケージ評価システム |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5180173A (ja) * | 1975-01-08 | 1976-07-13 | Hitachi Ltd | |
JPH1070160A (ja) * | 1996-04-29 | 1998-03-10 | Hewlett Packard Co <Hp> | 集積回路の電気的導通テストのための内蔵機能 |
JP2001091568A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-04-06 | Advantest Corp | 半導体集積回路の試験装置及び試験方法 |
JP2001166012A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-22 | Advantest Corp | 回路試験装置 |
JP2004150840A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路の不良解析装置、システムおよび検出方法 |
JP2004317352A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | Sony Corp | 電子回路装置およびその動作試験方法 |
JP2007233454A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ノイズライブラリの作成方法、ノイズライブラリの作成プログラム、およびノイズライブラリの作成装置 |
JP2007285902A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Univ Of Tokushima | 論理回路の断線故障の検査装置 |
JP2009158764A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Nikon Corp | 積層型半導体装置、半導体基板及び積層型半導体装置の製造方法。 |
JP2009181990A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Nec Electronics Corp | 半導体装置、その製造方法、当該半導体装置を用いた信号送受信方法、およびテスタ装置 |
JP2009260292A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-11-05 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US20100167430A1 (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-01 | Colin Findlay Steele | Apparatus and method for testing a transducer and/or electronic circuitry associated with a transducer |
-
2011
- 2011-05-25 JP JP2011117479A patent/JP5780498B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5180173A (ja) * | 1975-01-08 | 1976-07-13 | Hitachi Ltd | |
JPH1070160A (ja) * | 1996-04-29 | 1998-03-10 | Hewlett Packard Co <Hp> | 集積回路の電気的導通テストのための内蔵機能 |
JP2001091568A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-04-06 | Advantest Corp | 半導体集積回路の試験装置及び試験方法 |
JP2001166012A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-22 | Advantest Corp | 回路試験装置 |
JP2004150840A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路の不良解析装置、システムおよび検出方法 |
JP2004317352A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | Sony Corp | 電子回路装置およびその動作試験方法 |
JP2007233454A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ノイズライブラリの作成方法、ノイズライブラリの作成プログラム、およびノイズライブラリの作成装置 |
JP2007285902A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Univ Of Tokushima | 論理回路の断線故障の検査装置 |
JP2009158764A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Nikon Corp | 積層型半導体装置、半導体基板及び積層型半導体装置の製造方法。 |
JP2009181990A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Nec Electronics Corp | 半導体装置、その製造方法、当該半導体装置を用いた信号送受信方法、およびテスタ装置 |
JP2009260292A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-11-05 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US20100167430A1 (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-01 | Colin Findlay Steele | Apparatus and method for testing a transducer and/or electronic circuitry associated with a transducer |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6014043966; 高木正夫、他3名: '「交流電界印加時の電流テストによるCMOS LSIのリード浮き検出のための印加交流電圧」' エレクトロニクス実装学会誌 第10巻第3号, 20070501, p.219-228, 社団法人エレクトロニクス実装学会 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015175705A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージの評価方法、および半導体パッケージ評価システム |
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Publication number | Publication date |
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