CN104950235A - 基板检查装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种不使用IC测试器就能够进行探针和半导体器件的接触确认，在接触确认中确认为异常状态的情况下能够判断异常状态的原因的基板检查装置。探针(10)包括具有与形成于晶片(W)的半导体器件(28)的各电极垫(37)接触的多个探针(16)的探针卡(15)，该探针卡(15)包括：再现安装从晶片(W)切出来的半导体器件(28)的DRAM的电路结构的卡侧检查电路(18)；和测量探针(16)和卡侧检查电路(18)之间的配线(19)的电位的比较器(34)。

Description

基板检查装置
技术领域
本发明涉及不将形成在基板的半导体器件从该基板切出来就可以进行检查的基板检查装置。
背景技术
作为对形成在作为基板的半导体晶片(以下简称为“晶片”。)的半导体器件、例如功率器件、存储器的电特性进行检查的基板检查装置，已知有探测器(prober)。
探测器包括：具有多个针状的探针的探针卡；和载置晶片而上下左右自由移动的载置台，使探针卡的各探针与半导体器件所具有的电极垫、焊料凸点接触，从各探针对电极垫、焊料凸点流过检查电流来检查半导体器件的电特性(例如参照专利文献1。)。
历来，探针与判定半导体器件的电特性、功能的好坏的IC测试器连接，但是IC测试器的电路结构与安装产品化的半导体器件的电路结构、例如主板、功能扩展卡的电路结构不同，因此IC测试器不能够进行进行了安装的状态下的半导体器件的检查，作为结果，存在在将半导体器件安装到功能扩展卡等后的情况下发现在IC测试器中没有被检测出的半导体器件的不良的问题。特别是，近年来，伴随主板、功能扩展卡进行的处理的复杂化、高速化，主板、功能扩展卡的电路结构也复杂化，与IC测试器的电路结构的差异变大，因此上述的问题显著化。
因此，提出了一种技术，为了保证半导体器件的品质，替代由IC测试器进行的检查，而设置再现对探针卡安装半导体器件的电路结构、例如功能扩展卡的电路结构的检查电路，在使用该探针卡模拟将半导体器件安装到功能扩展卡的状态的状态下，不将半导体器件从晶片切出地测量半导体器件的电特性(例如参照专利文献2。)。此外，将在模拟了这种安装状态的状态下的检查称为晶片系统等级测试。
但是，为了可靠地进行半导体器件的电特性的测量，在该测量前，需要进行确认探针卡的探针和半导体器件的电极垫等是否电接触的测试(接触确认)。在与IC测试器连接的现有的探测器中，使用IC测试器所具备的DC模块的IFVM(I Force V Measure：加压测流)功能对半导体器件的电极垫施加电压来进行接触确认，进而，在接触确认中确认为异常状态的情况下基于电压值判断异常状态的原因。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平7―297242号公报
专利文献2：日本申请2013-192193号说明书
发明内容
发明想要解决的技术问题
但是，替代由IC测试器进行的检查而进行晶片系统等级测试的探测器中，由于废除了昂贵的IC测试器，因此不能通过DC模块进行接触确认，当然也不能判断关于探针与电极垫等的接触的异常状态的原因。
本发明的目的在于提供一种基板检查装置，不使用IC测试器就能够进行探针和半导体器件的接触确认，在接触确认中确认为异常状态的情况下判断异常状态的原因的基板检查装置。
用于解决课题的技术方案
为了达成上述目的，本发明的基板检查装置，其包括具有与形成于基板的半导体器件的各电极接触的探针的探针卡，上述基板检查装置的特征在于，上述探针卡包括：检查电路，其再现安装从上述基板切出来的上述半导体器件的电路结构；和电位测量机构，其测量上述探针和上述检查电路之间的配线的电位。
发明效果
根据本发明，测量在探针卡中探针和检查电路之间的配线的电位。探针和检查电路之间的配线的电位根据探针和半导体器件的电极垫等的接触状态而发生变化，而且还根据关于探针和电极垫等的接触的异常状态的原因而发生变化。因而，通过测量探针和检查电路之间的配线的电位，能够不使用IC测试器就能够进行探针和半导体器件的接触确认，在接触确认中确认为异常状态的情况下能够判断异常状态的原因。
附图说明
图1是概略地说明作为本发明的实施方式的基板检查装置的探测器的构成的立体图。
图2是概略地说明作为本实施方式的基板检查装置的探测器的构成的主视图。
图3是说明包括探针卡中的卡侧检查电路和晶片中的半导体器件的电路结构的电路图。
图4是说明包括探针卡中的卡侧检查电路和晶片中的半导体器件的电路结构的变形例的电路图。
附图标记说明
W晶片
10探测器
15探针卡
16探针
18卡侧检查电路
19配线
28半导体器件
33高电阻
34比较器
37电极垫
38继电器矩阵
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是概略地说明作为本实施方式的基板检查装置的探测器的构成的立体图，图2是该基板检查装置的探测器的构成的主视图。图2部分作为截面图，表示内置在后述的主体12、装载机13和测试盒14的构成构件。
在图1和图2中，探测器10包括：内置载置晶片W的载置台11的主体12；与该主体12相邻配置的装载机13；和以覆盖主体12的方式配置的测试盒14，对形成在晶片W的半导体器件的电特性进行检查。
主体12呈内部为空洞的箱体形状，在该内部除了配置上述载置台11之外，还与该载置台11相对地配置探针卡15，探针卡15与晶片W相对。在探针卡15中的与晶片W相对的下表面，与晶片W的半导体器件的电极垫、焊料凸点对应地配置有多个探针16。
晶片W以相对于载置台11的相对位置不偏移的方式固定在该载置台11上，载置台11能够在水平方向和上下方向上移动，调整探针卡15和晶片W的相对位置，来使半导体器件的电极垫等与各探针16接触。测试盒14在覆盖主体12时经由挠性配线17与探针卡15电连接。
装载机13将收纳于作为搬送容器的FOUP(未图示)的、形成有半导体器件的晶片W取出并载置到主体12的内部的载置台11上，另外，将半导体器件的电特性的检查结束了的晶片W从载置台11取下并收纳到FOUP。
探针卡15具有对安装从晶片W切出来而产品化的半导体器件的电路结构、例如DRAM的电路结构进行再现的卡侧检查电路18，该卡侧检查电路18与各探针16经由后述的配线19连接。载置台11接近探针卡15，各探针16与晶片W的半导体器件的电极垫等(以下简称为“电极垫”。)接触时，各探针16将来自接触的电极垫的电信号传递到卡侧检查电路18。
测试盒14包括：检查控制单元和记录单元(均未图示)；对安装DRAM的电路结构、例如主板的电路结构的一部分进行再现的盒侧检查电路20；和搭载由SSD(Solid State Drive：固态硬盘)等形成的硬盘23的板24。配线17从探针卡15的卡侧检查电路18将电信号传递到盒侧检查电路20。探测器10中，通过更换测试盒14具有的盒侧检查电路20，能够再现多种主板的电路结构的一部分。
装载机13内置由电源、控制器、简单的测量模块形成的基本单元21。基本单元21通过配线22与盒侧检查电路20连接，控制器对盒侧检查电路20指示半导体器件的电特性的检查开始。
如上所述，在探测器10中，通过更换盒侧检查电路20来再现多种主板的电路结构的一部分，但是基本单元21再现在各种的主板中共通的电路结构。即，盒侧检查电路20和基本单元21协同作用再现主板整体的电路结构。
探测器10中，在进行半导体器件的电特性的检查时，例如盒侧检查电路20的检查控制单元向卡侧检查电路18发送数据，基于来自卡侧检查电路18的电信号判定被发送来的数据是否被经由各探针16与半导体器件连接的卡侧检查电路18正确处理。
另外，探测器10中，卡侧检查电路18、盒侧检查电路20和基本单元21之中、安装半导体器件的卡侧检查电路18配置成在物理上最接近半导体器件。由此，在电特性的检查时，能够极力抑制半导体器件和卡侧检查电路18之间的配线的长度的影响，例如配线容量的变化的影响，能够在与具有DRAM、主板的实机设备的计算机中的配线环境非常接近的配线环境下进行半导体器件的电特性的检查。
图3是说明包括探针卡中的卡侧检查电路和晶片中的半导体器件的电路结构的电路图。
图3中，卡侧检查电路18经由配线19与探针16连接，并且经由保护二极管25与检查电路电源26连接，在检查电路电源26和保护二极管25之间设置开关27。晶片W的半导体器件28经由保护二极管29与器件电源30连接，保护二极管29和器件电源30之间的配线31经由开关32接地。
另外，探针卡15具有在探针16和卡侧检查电路18之间与配线19经由高电阻33连接的作为电位测量机构的比较器34。在配线19和比较器34之间的配线35上，在比较器34的附近设置有上拉电阻36，该上拉电阻36将比较器34测量的电位上拉。
高电阻33具有例如500Ω以上的电阻值(本实施方式中为2kΩ)，流过配线19的电流分支，抑制经由配线35主动地流向比较器34。比较器34是判断配线35的电位属于例如3个电位区域中的任一者的窗口比较器，与数字I/O卡(未图示)连接。此外，在本实施方式中，探针卡15使用窗口比较器作为电位测量机构，但是如果电位测量机构为能够测量电位的设备，则使用其它的设备也可以，例如能够使用DMM(数字万用表)、通常的比较器、A/D转换器。
探测器10中，分别与多个例如1000个探针16的对应地设置有卡侧检查电路18、配线19，分别与配线19对应地设置有1000个比较器34。
另外，探测器10中，在半导体器件28的电特性的测量前，载置台11接近探针卡15时，进行确认各探针16和半导体器件28的电极垫37是否电接触的接触确认。当进行接触确认时，开关27关闭，从检查电路电源26将例如1.3V的电压施加到卡侧检查电路18，器件电源30关闭并且开关32关闭，半导体器件28经由配线31接地，但是比较器34测量此时的配线19的电位。
如上所述，由于高电阻33抑制在配线19流动的电流主动地流向比较器34，所以高电阻33中仅流动例如0.5μA的电流，配线19和比较器34之间的电位差成为0.1V。另外，探测器10中，保护二极管25、保护二极管29的电位差设定为0.7V。
探针16和电极垫37正常电接触的情况下(以下称为“正常接触状态”。)，配线19的电位仅反映如上述方式例如设定为0.7V的保护二极管29的电位差，因此配线19的电位为0.7V，配线35的电位为在配线19的电位上加上配线19和比较器34之间的电位差而得到的0.8V。
探针16和电极垫37没有电接触的异常状态(以下称为“不接触状态”。)下，配线19的电位反映检查电路电源26所施加的电压的电位和保护二极管25的电位差，因此配线19的电位为2.0V，配线35的电位为2.1V。
另外，虽然探针16和电极垫37电接触但是半导体器件28不经由配线31而直接接地(短路)的异常状态(以下称为“短路状态”。)下，配线19的电位反映半导体器件28的电位，换言之反映接地电位，因此，配线19的电位为0V，配线35的电位为0.1V。
即，配线19的电位乃至配线35的电位根据探针16和电极垫37是否电接触而变化，并且还根据关于探针16和电极垫37的接触的异常状态的原因而发生变化。本实施方式中，比较器34判断配线35的电位是否属于上述3个电位区域(0.8V、2.1V、0.1V)中的任一者。例如，如果配线35的电位为0.8V的附近，则能够判断为探针16和电极垫37正常电接触，如果配线35的电位为2.1V的附近，则能够判断为探针16和电极垫37没有电接触，如果配线35的电位为0.1V的附近，则判断为导体器件28直接接地。因而，本实施方式的探测器10能够不使用IC测试器地进行探针16和电极垫37的接触确认，在接触确认中确认为异常状态的情况下判断异常状态的原因。
另外，在上述探测器10中，高电阻33抑制在配线19中流动的电流主动流向比较器34，所以在进行了探针16和电极垫37是否电接触的接触确认后进行半导体器件28的电特性的测量时，能够使在配线19中流动的电流稳定，并且能够稳定地测量半导体器件28的电特性。
以上，对本发明使用上述实施方式进行了说明，但是本发明不限于上述实施方式。
例如，上述实施方式中，高电阻33的电阻值为2kΩ，检查电路电源26施加的电压为1.3V，保护二极管25、保护二极管29的电位差为0.7V，在高电阻33中流动的电流为0.5μA，但这些电阻值、电压、电位差、电流是一个例子，根据卡侧检查电路18、半导体器件28的情况也可以设定其它的值。此时，正常接触状态中的配线35的电位为与0.8V不同的值，非接触状态中的配线35的电位为与2.1V不同的值，短路状态中的配线35的电位为与0.1V不同的值，但是正常接触状态、非接触状态和短路状态中的配线35的电位成为彼此不同的值，因此比较器34判断配线35的电位是否属于3个电位区域(正常接触状态中的电位附近、非接触状态中的电位附近、短路状态中的电位附近)中的任一者，由此进行探针16和电极垫37的接触确认，并且在接触确认中确认为异常状态的情况下判断异常状态的原因。
在上述实施方式中，如已经述说的那样，还能够使用DMM作为电位测量机构。由此，不改变用于测量电位的电路就能够测量作为DUT(Device Under Test：被测器件)的半导体器件28内置的二极管、其它的终端电路导致的复杂(多支)变化的电极垫37的电位。
另外，在上述实施方式中，与对应于1000个探针16的各个配线19对应地设置有1000个比较器34，但是也可以在探针卡15中仅设置一个比较器34。在该情况下，如图4所示，配置有将比较器34的连接对象切换为从将各卡侧检查电路18和各探针16连接的各配线19分支的多个配线35中的任一者的继电器矩阵38(连接切换机构)。由此，能够不需要在探针卡15中配置多个比较器34，并且能够使探针卡15的构成简单化。
并且，在上述实施方式中，盒侧检查电路20、基本单元21再现主板的电路结构，卡侧检查电路18再现DRAM的电路结构，但是盒侧检查电路20、基本单元21再现的电路结构不限于主板的电路结构，而且卡侧检查电路18再现的电路结构不限于DRAM的电路结构。即，卡侧检查电路18、盒侧检查电路20、基本单元21再现的电路结构为安装作为DUT的半导体器件28的电路结构即可。另外，半导体器件28的构成也没有特定限定，例如在卡侧检查电路18再现的电路结构为扩展卡的电路结构的情况下，半导体器件28可以为MPU(MainProcessing Unit：主处理单元)，盒侧检查电路20、基本单元21再现的电路结构如上所述为主板的电路结构的情况下，半导体器件可以为APU(Accelerated Processing Unit：加速处理单元)、GPU(GraphicsProcessing Unit：圆形处理单元)，卡侧检查电路18、盒侧检查电路20和基本单元21再现的电路结构为电视的电路结构的情况下，半导体器件可以为RF调谐器。

Claims (5)

1.一种基板检查装置，其包括具有与形成于基板的半导体器件的各电极接触的探针的探针卡，所述基板检查装置的特征在于：
所述探针卡包括：
检查电路，其再现安装从所述基板切出来的所述半导体器件的电路结构；和
电位测量机构，其测量所述探针和所述检查电路之间的配线的电位。
2.如权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于：
在所述探针和所述检查电路之间的配线与所述电位测量机构之间配置有高电阻。
3.如权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于：
所述高电阻的值为500Ω以上。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基板检查装置，其特征在于：
所述探针卡包括：
将所述检查电路和多个所述探针连接的多个所述配线；和
将所述电位测量机构的连接对象切换为多个所述配线中任一者的连接切换机构。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基板检查装置，其特征在于：
所述电位测量机构为比较器、数字万用表DMM或者A/D转换器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109417040A (zh) * 2016-06-28 2019-03-01 东京毅力科创株式会社 基片检查装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6877025B2 (ja) * 2016-03-23 2021-05-26 ヤマハファインテック株式会社 回路基板の検査方法、検査装置、及びプログラム
JP6823986B2 (ja) * 2016-09-28 2021-02-03 東京エレクトロン株式会社 基板検査装置及び基板検査方法
TWM550502U (zh) * 2017-04-05 2017-10-11 tian-yu Guo 電錶箱改良
IT202000012556A1 (it) * 2020-05-27 2021-11-27 Crea Collaudi Elettr Automatizzati Srl Sistema di sicurezza per scheda sonda ad aghi per test ad alta tensione ed alta corrente su dispositivi a semiconduttore di potenza e relativa macchina di test.

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1205522A (zh) * 1997-07-14 1999-01-20 三菱电机株式会社 具有接触检查电路的半导体装置
US20050068054A1 (en) * 2000-05-23 2005-03-31 Sammy Mok Standardized layout patterns and routing structures for integrated circuit wafer probe card assemblies
CN1721868A (zh) * 2004-07-16 2006-01-18 日本电产丽德株式会社 基板检查装置以及基板检查方法
US20080054917A1 (en) * 2006-09-01 2008-03-06 Formfactor, Inc. Method and appartus for switching tester resources
CN101191811A (zh) * 2006-11-30 2008-06-04 日本电产理德株式会社 基板检查装置和基板检查方法
US20080290882A1 (en) * 2006-05-23 2008-11-27 Integrated Technology Corporation Probe needle protection method for high current probe testing of power devices

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63225176A (ja) * 1987-03-16 1988-09-20 Fujitsu Ltd プリント配線板の試験方法
JP3156192B2 (ja) 1994-04-19 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 プローブ方法及びその装置
JPH08304458A (ja) * 1995-05-09 1996-11-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子部品の検査方法
JPH0954143A (ja) * 1995-08-11 1997-02-25 Advantest Corp 半導体試験装置における並列接続する電圧発生器及びコンタクト試験方法
US7029932B1 (en) * 2005-02-07 2006-04-18 Texas Instruments Incorporated Circuit and method for measuring contact resistance
KR100739629B1 (ko) * 2005-12-02 2007-07-16 삼성전자주식회사 프로브 센싱용 패드 및 이를 이용한 프로브 니들 접촉 위치검사 방법.
KR100713811B1 (ko) * 2005-07-07 2007-05-02 주식회사 태성기연 판유리 방향전환장치
US7733106B2 (en) * 2005-09-19 2010-06-08 Formfactor, Inc. Apparatus and method of testing singulated dies
MY147251A (en) * 2006-05-23 2012-11-14 Integrated Technology Corp Probe needle protection method for high current probe testing of power devices
JP5312227B2 (ja) * 2009-06-29 2013-10-09 株式会社日本マイクロニクス プローブカード及び検査装置
IT1402434B1 (it) * 2010-06-10 2013-09-04 St Microelectronics Srl Struttura di rilevamento dell'allineamento di una sonda atta a testare circuiti integrati
WO2012141203A1 (ja) * 2011-04-12 2012-10-18 東京エレクトロン株式会社 検査装置、検査システム及び検査方法
JP2013192193A (ja) 2012-03-15 2013-09-26 Sony Corp 表示装置、画像処理装置及び画像処理方法、並びにコンピューター・プログラム

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1205522A (zh) * 1997-07-14 1999-01-20 三菱电机株式会社 具有接触检查电路的半导体装置
US20050068054A1 (en) * 2000-05-23 2005-03-31 Sammy Mok Standardized layout patterns and routing structures for integrated circuit wafer probe card assemblies
CN1721868A (zh) * 2004-07-16 2006-01-18 日本电产丽德株式会社 基板检查装置以及基板检查方法
US20080290882A1 (en) * 2006-05-23 2008-11-27 Integrated Technology Corporation Probe needle protection method for high current probe testing of power devices
US20080054917A1 (en) * 2006-09-01 2008-03-06 Formfactor, Inc. Method and appartus for switching tester resources
CN101191811A (zh) * 2006-11-30 2008-06-04 日本电产理德株式会社 基板检查装置和基板检查方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109417040A (zh) * 2016-06-28 2019-03-01 东京毅力科创株式会社 基片检查装置

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