TWI647180B - 粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係提供可發揮高吸油量之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料。
本發明之解決手段係有關於一種粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，其特徵在於：(1)該材料中之SiO2/CaO莫耳比係1.5以上，(2)該材料中細孔徑3.6至200nm之累積細孔容積係0.9cc/g以上，且，3.6至5000nm之累積細孔容積係2.6cc/g以上。

Description

粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料及其製造方法 技術領域
本發明係有關新粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料及其製造方法。
背景技術
矽酸鈣係以往習知之化合物且包含天然品及合成品。此外，已知的矽酸鈣之結晶形是白矽鈣石型、矽灰石型、雪矽鈣石型。矽酸鈣除了可使用於例如建材(保溫材、耐火材、隔熱材等)以外，亦可使用於醫藥品添加物、食品添加物、填充劑、增黏劑、消光劑、載體等各種用途。
該等各種矽酸鈣中，吸油量高之矽酸鈣除了可使用於醫藥品添加物，例如賦形劑、載體、結合劑、崩壞劑等之中以外，可特別在化妝品領域或工業領域中作為液狀物質之載體使用，且亦可作為例如香料、脫氧劑等之載體使用。由於雪矽鈣石型矽酸鈣之比表面積比其他結晶形高，作為載體特別優良，故亦不斷進行雪矽鈣石型矽酸鈣之多孔質材料的開發。
已知之矽酸鈣製造方法係例如由矽酸原料及石 灰質原料藉水熱合成反應製造矽酸鈣(雪矽鈣石結晶)之方法(例如，專利文獻1、專利文獻2)。
另一方面，有人提出多孔質矽酸鈣之製造方法 (專利文獻3)作為不使用水熱反應之方法，該多孔質矽酸鈣之製造方法之特徵在於包含以下步驟：在CaO/SiO2莫耳比為0.4至1.0之範圍內摻合矽酸原料及石灰原料，接著加入使之懸浮而生成漿液的漿液生成步驟；使用濕式粉碎機同時地攪拌及粉碎生成之漿液，以產生機械化學反應的機械化學反應步驟；及一面攪拌機械化學反應結束後之漿液，一面加熱固化的加熱固化步驟。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開平6-329409
專利文獻2：日本特開平6-40715
專利文獻3：日本特開2004-43290
發明概要
但是，藉專利文獻1、專利文獻2等之水熱合成反應製得之矽酸鈣在吸油量等方面仍有進一步改善之餘地。而且，水熱合成反應消耗之能量大，以致以工業規模之生產在成本上不利。此外，如專利文獻3之機械化學反應的製法無法避免混入來自濕式粉碎機(或介質)之不純物。因此，在要求高純度之醫藥等用途中不合適。
因此，本發明之主要目的係提供可發揮高吸油量之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料。
本發明人鑑於習知技術之問題而專心研究，結果發現藉特定方法製成之在構造中結合二氧化矽(含水二氧化矽)的雪矽鈣石型矽酸鈣系材料具有特異之細孔構造，因此可實現優異之吸液特性，從而完成本發明。
即，本發明係有關於下述雪矽鈣石型矽酸鈣系材料及其製造方法。
1.一種粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，其特徵在於：(1)該材料中之SiO2/CaO莫耳比係1.5以上，(2)該材料中細孔徑3.6至200nm之累積細孔容積係0.9cc/g以上，且，3.6至5000nm之累積細孔容積係2.6cc/g以上。
2.如前述項1記載之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，其中粉末X光繞射分析中之積分強度比[(以2θ/θ表示之峰位置=32.00°的積分強度)/(以2θ/θ表示之峰位置=25.00°的積分強度)]係0.01至0.20。
3.如前述項1記載之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，其BET比表面積係100至500m2/g。
4.如前述項1記載之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，其平均粒徑係1至100μm。
5.一種粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之製造方法，係製造如前述項1至4中任一項記載之粉末狀雪矽鈣石型矽酸 鈣系材料的方法，且該方法之特徵在於包含以下步驟：(1)第1步驟，在使鈣原料分散或溶解在水性介質中而得之含鈣液中添加鹼使之反應，藉此製得含有第1反應生成物之第1水性漿液；(2)第2步驟，在前述第1水性漿液或其水分量經調整後之水性漿液中添加矽酸原料使之反應，藉此製得含有第2反應生成物之第2水性漿液；及(3)第3步驟，調整第2水性漿液或其水分量經調整後之水性漿液的pH，藉此製得含有雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之第3水漿液。
6.如前述項5記載之製造方法，更包含在第3步驟前，使前述第2反應生成物在70℃以下熟成一定時間之步驟。
7.一種粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，係藉如前述項5記載之製造方法製得。
8.一種脫氧劑，係在如前述項1至4中任一項記載之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料中載持有易氧化性成分。
9.一種化妝品，包含如前述項1至4中任一項記載之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料。
10.如前述項9記載之化妝品，其中粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料中載持有黑色素。
11.一種黑色素吸附、去除用化妝品，包含如前述項1至4中任一項記載之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料。
依據本發明之雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，由於具 有特定組成及細孔構造，故可發揮優異之吸液物性。
此外，本發明之製造方法可更確實地製得具有如 上述之特定細孔構造的雪矽鈣石型矽酸鈣系材料。而且，本發明之製造方法與如機械化學法、水熱合成法等之類在嚴苛條件下的合成方法不同，可在比較溫和之條件下合成，因此對以工業規模之製造有利。此外，與機械化學法不同，由於幾乎沒有混入不純物之機會，故亦可製造比較高純度之材料。
雖然具有如上述特長之矽酸鈣系材料可用於與 習知或市售矽酸鈣之用途同樣的用途，但由其特性來看，作為醫藥添加物、食品添加物、化妝品原料、工業用原料等特別有效。特別適合作為醫藥品之賦形劑、結合劑、崩壞劑、載體或脫氧劑之載體。例如，可作為含有本發明矽酸鈣及有效成分(醫藥品、食品、化妝品、脫氧劑等)之製劑使用。
圖式之簡單說明
圖1所示者係就實施例1至8之各試料進行粉末X光繞射分析而得的結果。
圖2所示者係就比較例1至3之各試料進行粉末X光繞射分析而得的結果。
圖3所示者係實施例7及比較例1之水銀壓入法之細孔分布測量結果。
圖4(a)所示者係藉掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察實施例 7之試料而得之結果。圖4(b)所示者係實施例7之試料使用能量色散X射線光譜裝置(EDS)測量矽之元素分布的結果。圖4(c)所示者係實施例7之試料使用能量色散X射線光譜裝置(EDS)測量鈣之元素分布的結果。
圖5(a)所示者係藉SEM觀察比較例3之試料而得之結果。 圖5(b)所示者係比較例3之試料使用能量色散X射線光譜裝置(EDS)測量矽之元素分布的結果。圖5(c)所示者係比較例3之試料使用能量色散X射線光譜裝置(EDS)測量鈣之元素分布的結果。
圖6所示者係藉實施例9製得之脫氧劑之脫氧試驗的結果。
圖7所示者係藉實施例10製得之脫氧劑之脫氧試驗的結果。
用以實施發明之形態
1.粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料
本發明之雪矽鈣石型矽酸鈣系材料(本發明材料)係粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，且其特徵在於：(1)該材料中之SiO2/CaO莫耳比係1.5以上，(2)該材料中細孔徑3.6至200nm之累積細孔容積係0.9cc/g以上，且，3.6至5000nm之累積細孔容積係2.6cc/g以上。
本發明材料包含二氧化矽及具有雪矽鈣石型結晶構造之矽酸鈣作為主成分。該矽酸鈣系材料係以組成式 5CaO．7SiO2．nSiO2．mH2O(惟，n及m滿足0.5≦n，0≦m)表示之雪矽鈣石型矽酸鈣系材料。
本發明材料之SiO2/CaO莫耳比係1.5以上，且宜 為1.5至2.9，而以1.5至2.3為更佳。若前述SiO2/CaO莫耳比小於1.5，則未形成結合了二氧化矽之雪矽鈣石型矽酸鈣，且特定之細孔構造未成長。此外，前述莫耳比之上限值沒有限制，一般而言係5.0左右。即，由於雪矽鈣石型矽酸鈣之組成比係SiO2/CaO=1.0至1.4，本發明材料具有含有比雪矽鈣石型矽酸鈣中SiO2/CaO莫耳比之化學計量值多之二氧化矽成分(矽成分)的組成。構成本發明材料之粉末的1粒子中不可分地一體含有二氧化矽成分(特別是非晶質二氧化矽)及雪矽鈣石型矽酸鈣結晶。該不可分之一體構造本身來自具有含矽酸鈣共沈澱物之構成、構造，且該含矽酸鈣共沈澱物係例如使鈣原料及矽酸原料在液相反應而獲得。就此點而言，雪矽鈣石型矽酸鈣粉末與單純與二氧化矽粉末混合之粉末不同。另外，該構造之雪矽鈣石型矽酸鈣呈不可分地一體結合二氧化矽之狀態，結果，與一般具有板狀構造之雪矽鈣石結晶不同，可考慮在本發明材料中亦可形成固有之多孔質構造。
具有如上述組成、構造之本發明材料最好在粉末 X光繞射分析(XRD)中，除了雪矽鈣石型矽酸鈣之峰以外，亦確認非晶質二氧化矽之峰。更具體而言，特別希望2θ=32.00(雪矽鈣石型矽酸鈣之峰)出現，且2θ=25.00(含有非晶質二氧化矽之峰的峰)之峰亦出現。
此外，由於存在本發明材料中之二氧化矽係非晶 質，故在XRD中無法確認明確之峰，但非晶質二氧化矽存在時檢出在2θ=25°附近形成頂點之寬峰。由於本發明材料含有比化學計量值(SiO2/CaO莫耳比=1.4)多之二氧化矽成分，故雪矽鈣石型矽酸鈣結晶特有之2θ=25°附近之峰(例如，請參照圖2之比較例2)會因為來自非晶質之二氧化矽寬峰，而無法確認由雪矽鈣石型矽酸鈣結晶產生之2θ=25°附近的明確峰。這可視為顯現雪矽鈣石型矽酸鈣結晶不可分地一體結合二氧化矽之狀態。因此，在本發明材料中，2θ=25°附近之寬峰形成非晶質二氧化矽及雪矽鈣石型矽酸鈣結晶之複合峰而定位後，2θ=25.00°之寬峰的積分強度亦可特意定量化。因此，本發明材料宜為雪矽鈣石型矽酸鈣結晶及非晶質二氧化矽不可分地一體構成之複合體(類似混晶體之複合體)。
此種情形下之兩峰的積分強度比[(以2θ/θ表示之 峰位置=32.00°之積分強度/以2θ/θ表示之峰位置=25.00°之積分強度)]沒有限制，但以0.01至0.20為特佳。藉具有如此範圍之積分強度比，可顯現更高多孔性。
本發明材料之細孔徑3.6至200nm的累積細孔容 積係0.9cc/g以上，而以1.0cc/g以上為佳。若前述累積細孔容積小於0.9cc/g，則無法發揮高吸油量。藉設定為如此之累積細孔容積，可更進一步確實地獲得高吸油量等。此外，細孔徑3.6至200nm之累積細孔容積的上限值沒有限制，但通常為3.0cc/g左右。
另外，本發明材料之細孔徑3.6至5000nm的累積 細孔容積通常為2.6cc/g以上，且宜為3.0cc/g以上，而以3.3cc/g以上為更佳。藉設定為如此之累積細孔容積，可更進一步確實地獲得高吸油量等。此外，雖然細孔徑3.6至5000nm之累積細孔容積的上限值沒有限制，但通常為6.0cc/g左右。
本發明材料希望多孔性高。因此，BET比表面積亦通常為50至400m2/g左右，而特別希望為100至400m2/g。藉採用如此多孔質構造，可獲得更高吸液特性。
此外，雖然本發明材料之吸油量沒有限制，但特別以2.5mL/g以上為佳，而以2.7mL/g以上更佳。即，藉特定之SiO2/CaO，具有特定之細孔容積的本發明材料由於其細孔構造，可獲得高吸油量。
本發明材料具有粉末狀之形態。其平均粒徑可按照例如本發明材料之用途、使用方法等適當設定，但通常是1至100μm左右，特別希望是1至50μm，而更希望是5至25μm。
如此之本發明材料可合適地使用藉以例如後述「3.本發明材料之製造方法」所示之本發明製造方法製得的粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料。
雖然本發明材料可用於與習知或市售矽酸鈣之用途同樣的用途，但由其特性來看，作為醫藥添加物、食品添加物、化妝品原料、工業用原料等特別有效。特別適合作為醫藥品之賦形劑、結合劑、崩壞劑、載體或脫氧劑 之載體。例如，可作為含有本發明矽酸鈣及有效成分(醫藥品、食品、化妝品、脫氧劑等)之製劑使用。因此，其使用形態亦沒有限制，而按照其等之用途，例如可直接使用粉末，或亦可造粒或成形後使用。
2.脫氧劑
本發明包含本發明之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料(本發明材料)及含有易氧化性成分之脫氧劑。
在本發明中，易氧化性成分可使用易氧化性有機化合物。易氧化性有機化合物可使用在習知脫氧劑中所使用之化合物。例如，可使用以下至少1種：抗壞血酸、抗壞血酸鹽、異抗壞血酸、異抗壞血酸鹽、乙二醇、丙二醇、兒茶酚、沒食子酸、間苯二酚、對苯二酚、五倍子酚、生育酚、葡萄糖、木糖、木糖醇、山梨糖醇、甘露糖醇、甘油、丁二烯寡聚物、異戊二烯寡聚物、魚油、松油、不飽和脂肪酸等。
易氧化性有機化合物之含量沒有特別限制，一 般可相對於100重量份之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，適當設定在60至400重量份，且宜在60至300重量份，而以在60至120重量份為更佳之範圍內。
此外，本發明之脫氧劑可按照需要含有促進脫 氧反應之添加劑(促進劑)。如此添加劑可使用在習知脫氧劑中所使用之化合物。例如，可使用金屬化合物之至少1種。更具體而言，可使用鹼金屬或鹼土類金屬之氫氧化物，碳酸鹽、重碳酸鹽等之鹼劑，錳鹽、鐵鹽、鈷鹽、銅鹽等 之過渡金屬鹽觸媒等的至少1種。
雖然上述促進劑之含量亦沒有特別限制，但一 般可相對於100重量份之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，適當設定在25至160重量份，且宜在25至120重量份，而以在25至50重量份為更佳之範圍內。
此外，本發明之脫氧劑亦可在不妨礙本發明效 果之範圍內含有其他成分。可舉金屬氧化物、有機黏結劑、活性碳、矽膠、沸石、其他本發明材料以外之矽酸鈣等為例。該等成分可使用與在習知或市售脫氧劑中所使用之成分同樣者。
本發明之脫氧劑可藉包含混合含有本發明材料 及易氧化性成分之原料之步驟(混合步驟)的方法製造。混合步驟宜混合、或載持(含浸)含有本發明材料及固體狀或液體狀易氧化性成分之原料。更具體而言，宜至少在存在於本發明材料中之細孔中載持易氧化性成分。
在混合步驟中，本發明材料除了可直接以粉末 之形態使用以外，亦可藉進行預造粒而以造粒物之形態使用。此外，雖然易氧化性成分可具有固體或液體之任一性狀，但宜以最後易氧化性成分可固定在本發明材料中之方式，在溶劑存在下使兩者混合。可舉下述方法為例：1)在造粒物中添加溶劑(特別是水或水性溶劑)，而該造粒物係藉乾式攪拌或造粒含有乾燥粉末狀本發明材料及粉末狀易氧化性成分之粉末混合物而製得；2)攪拌或造粒乾燥粉末狀本發明材料及至少溶解有易氧化性成分之溶液(特別 是水溶液)或至少分散有易氧化性成分之分散液(特別是水分散液)。
實施混合步驟後，可依需要實施乾燥步驟。如此， 可製得本發明之脫氧劑。
本發明之脫氧劑可藉與習知或市售脫氧劑同樣 之方法使用，例如可在通氣性之包裝體或容器中填充本發明之脫氧劑，接著將之裝入或固定在各種製品(特別是製品之包裝體中)中。
3.化妝品
本發明包含化妝品(化妝用組成物)，且該化妝品含有本發明之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料(本發明材料)。
化妝品可特別使用本發明材料作為以固形物或 糊狀使用於皮膚上之化妝品(粉底、潤唇膏、眼影、面膜等)之構成成分。雖然藉使用本發明材料作為化妝品之構成成分，亦可獲得習知矽酸鈣之作用(吸水性、吸油性、隱蔽性等)，但由於特別在本發明材料中有效地載持各種機能性成分，亦可確實地獲得該機能性成分之效果。
另外，在本發明之化妝品中，本發明材料以外之 成分可採用與習知或市售化妝品同樣之成分、組成比等。
雖然化妝品中之本發明材料含量可按照例如本 發明材料之添加目的等適當設定，但是通常為1至95重量%左右，且特別希望為1至65重量%。藉此，可更確實地獲得本發明材料之效果。
本發明材料可特別適合作為具有如下述a)至b) 之機能之化妝品的構成成分。
a)紫外線遮蔽機能
由於本發明材料可載持比較多量之紫外線吸收成分，故含有本發明材料之化妝品可期待高紫外線遮蔽性能。雖然紫外線吸收成分沒有限制，但可特別合適地採用黑色素。即，藉使化妝品含有本發明材料中載持有黑色素之粉末，可更有效率地獲得該黑色素之紫外線吸收效果。
紫外線吸收成分之含量沒有特別限制，一般可相對於100重量份之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，適當設定在1至99重量份，且宜在20至99重量份，而以在25至99重量份為更佳之範圍內。
使本發明材料中載持黑色素等之紫外線吸收成分的方法可與習知之方法相同。例如，藉包含使本發明材料含浸將黑色素等之紫外線吸收成分溶解於溶劑而得之溶液之步驟的方法，可實施黑色素之載持。即，可製得在本發明材料中載持有黑色素之粉末。在本發明材料中含浸黑色素後，亦可依需要實施乾燥步驟等。
b)黑色素色素吸附去除機能
由於本發明材料可如上述a)所述地載持黑色素，故亦可適用於吸附、去除皮膚之黑色素。
例如，已知之以吸附、去除黑色素(黑色素色素)為目的之黑色素吸附劑是矽酸鋁等，且本發明材料亦可適合作為黑色素吸附劑使用。因為本發明材料與一般黑色素吸附劑同樣地不溶於水，且由1至100μm之粒子構成，故難 以浸透至皮膚中。因此，藉摻合角質溶解劑(例如，尿素、水楊酸等)，可協助本發明材料侵入皮膚組織，結果可期待使黑色素色素減少之效果。即，藉使化妝品含有本發明材料，可獲得高黑色素之吸附去除性能。
4.本發明材料之製造方法
本發明之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料可特別藉下述製造方法合適地製造。即，製造本發明粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之方法的特徵在於包含以下步驟：(1)第1步驟，在使鈣原料分散或溶解在水性介質中而得之含鈣液中添加鹼使之反應，藉此製得含有第1反應生成物之第1水性漿液；(2)第2步驟，在前述第1水性漿液或其水分量經調整後之水性漿液中添加矽酸原料使之反應，藉此製得含有第2反應生成物之第2水性漿液；及(3)第3步驟，調整第2水性漿液或其水分量經調整後之水性漿液的pH，藉此製得含有雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之第3水漿液。
第1步驟
在第1步驟中，在使鈣原料分散或溶解在水性介質中而得之含鈣液中添加鹼使之反應，藉此製得含有第1反應生成物之第1水性漿液。
第1步驟中使用之含鈣液，例如，可藉使鈣原料分散或溶解在水性介質中來調製。
前述鈣原料沒有限制，可使用與在習知矽酸鈣製 造時所使用者相同之鈣供給源。例如，水溶性之鈣原料除了氯化鈣、硝酸鈣等以外，可舉水溶性之有機酸鈣為例。 水不溶性或水難溶性之鈣原料可舉例如：氧化鈣、氫氧化鈣、碳酸鈣、硫酸鈣、不溶性之有機酸鈣等。在本發明中，由因氫氧化鈣及鈣離子共存於反應液中而特異地進行與矽酸原料之反應的觀點來看，可特別適合地使用氯化鈣、硝酸鈣、氫氧化鈣、氧化鈣等中之至少1種鈣原料。
含鈣液可為下述任一者：例如1)鈣原料溶解於水 性介質中之溶液(即，含有鈣離子之溶液)，2)鈣原料分散於水性介質中之溶液，3)包含分散於水性介質中之鈣原料及鈣離子的混合液。
水性介質可使用水及水溶性有機溶劑中之至少1 種。水溶性有機溶劑，除了例如甲醇、乙醇、丙醇等之醇類以外，可使用例如丙酮等。在本發明中，以使用水為特佳。
雖然含鈣液中之鈣原料濃度沒有特別限制，但通 常可適當調製成使鈣原料之固形物濃度為1至30重量%，而以1至20重量%左右為佳。
鹼沒有限制，可舉氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、銨 鹽、氨水等為例。可特別適合地使用氫氧化鈉、氫氧化鉀等中之至少1種。鹼之添加量宜調整成使pH為8.0至13.0，而特別為11.0至12.5。藉添加鹼而成為如此之pH，可特別合適地製得含有氫氧化鈣作為第1反應生成物之第1水性漿液。特別地，最好在第1水性漿液中，可溶性鈣原料之鈣離 子及藉與鹼之反應生成之氫氧化鈣(固體之鈣化合物)共存。
第2步驟
在第2步驟中，在前述第1水性漿液或其水分量經調整後之水性漿液中添加矽酸原料使之反應，藉此製得含有第2反應生成物之第2水性漿液。
第2步驟宜直接無調整地使用藉第1步驟製得之 第1水性漿液，但亦可依需要使用其水分量經調整後之水性漿液。
第1水性漿液宜可溶性鈣源之鈣離子及在與鹼之 反應中生成之氫氧化鈣的固體鈣共存。藉鈣離子及固體鈣共存於第1水性漿液中，可影響與矽酸原料之反應性、反應生成物之細孔構造，以有效地製得多孔質之反應生成物。
矽酸原料可使用與習知矽酸鈣製造時所使用者 相同者。可舉二氧化矽、矽酸鈉、矽酸鉀、氧化矽溶膠等為例。可特別合適地使用二氧化矽、矽酸鈉等中之至少1種。
矽酸原料之添加量可設定成生成預定之矽酸鈣。 即，宜設定為使SiO2/CaO莫耳比理論地在1.5至6.5，而以1.5至5.0為更佳之範圍內。
使矽酸原料與第1反應生成物混合，以使之反應。 藉此可製得第2反應生成物，且該第2反應生成物含有可成為本發明材料之前驅物的雪矽鈣石型矽酸鈣。通常，第2反應生成物可以水性漿液之形態生成。雖然反應溫度沒有 特別限制，但宜適當設定在例如5至100℃，特別是70至80℃之範圍內。此外，反應環境可為在大氣中(大氣壓下)。反應時間可依反應溫度等適當調節。如此，本發明之製造方法可不需依靠水熱合成反應(高壓釜裝置)，而在比較溫和之條件下製得第2反應生成物。
熟成步驟
本發明宜依需要，在第3步驟前，對第2水性漿液或其水分量經調整後之水性漿液施加預熟成步驟。藉實施熟成步驟，可促進未反應鈣之反應，同時更有效地促進細孔構造之形成。由此觀點來看，熟成步驟宜一面攪拌第2水性漿液一面實施。雖然熟成溫度沒有限制，但一般宜為50至70℃，而特別以55至65℃為更佳。雖然熟成時間沒有特別限制，但通常可為0.5至10小時，亦可以1至1.5小時為佳。雖然熟成時之第2水性漿液的固形物濃度沒有特別限制，但通常可為1至30重量%，而以3至20重量%左右更佳。
第3步驟
在第3步驟中，調整前述第2水性漿液或其水分量經調整後之水性漿液的pH，藉此製得含有雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之第3水漿液。
雖然第3步驟宜直接無調整地使用在第2步驟中製得之第2水性漿液，但亦可依需要使用第2水性漿液之水分量經調整後的水性漿液。
pH之調整沒有特別限制，只要以由上述水性漿液形成預定雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之方式實施即可。pH調 整劑亦可使用酸(鹽酸、硝酸、硫酸、有機酸等)或鹼(氫氧化鈉等)中之任一者。特別地，本發明宜調整pH至7.0至11.0左右，而特別以pH8.0至10.9為更佳。藉在如此範圍內調整pH，可使溶解在水性介質中之二氧化矽析出，且使矽酸鈣中之鈣的一部份進一步溶解於酸中，以調製二氧化矽/雪矽鈣石型矽酸鈣混晶體。如此，可製得雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之粒子分散的第3水性漿液。
固液分離步驟、水洗步驟等
雖然本發明可直接使用第3水性漿液作為各用途之原料，但亦可依需要對第3水性漿液實施固液分離步驟、水洗步驟、乾燥步驟、粉碎步驟、分級步驟等。
固液分離步驟可例如藉加壓過濾、減壓過濾、真 空過濾、自然過濾、離心過濾等一般之過濾進行脫水來實施。此時，可使用例如壓濾機、離心分離機等之習知或市售裝置。
水洗步驟可水洗藉前述固液分離步驟製得之固 形物。就水洗之程度而言，水洗濾液之導電率(25℃)可為200至300μS/cm，亦可以200至250μS/cm為佳。
雖然乾燥步驟可為自然乾燥或加熱乾燥中之任 一種乾燥，但若為加熱乾燥，通常可設定在60至120℃左右之溫度範圍內。乾燥方法宜在實質不施加剪力之條件下進行乾燥。宜使用例如靜置乾燥、瞬間乾燥、噴霧乾燥、冷凍乾燥、真空乾燥、微波乾燥等之乾燥方法。
此外，粉碎步驟可為不純物難以混入之方法， 可採用例如剪切式、圓板式、滾子式、圓柱式、衝擊式、噴射式、高速旋轉式等之習知粉碎方法。分級步驟之手段亦沒有限制，可採用例如乾式篩法之風力分級及篩分等習知方法。
如此，可製得以組成式5CaO．7SiO2．nSiO2． mH2O(惟，n及m滿足0.5≦n，0≦m)表示之本發明材料。
雖然製得之本發明材料可作成粉末(未造粒之粉 末)而使用於各種用途，但亦可例如進一步進行造粒。若進行造粒，可為乾式造粒或濕式造粒中之任一種造粒。此外，造粒方法亦沒有限制，可採用例如轉動造粒法、攪拌造粒法、流動層造粒法、壓縮成型法、成膜處理法、磁性處理法、表面改質法、燒結成型法、振動成型法、變壓法、真空成型法等中之任一種方法。該等造粒可使用習知或市售之造粒裝置來實施。該等造粒方法中，由不易使本發明材料之吸油量減少之觀點來看，本發明最好是轉動造粒法或壓縮造粒法。
實施例
以下顯示實施例及比較例，更具體地說明本發明之特徵。但是，本發明之範圍不限於實施例。此外，實施例中記載之「%」意味「重量%」。
實施例1
將1786g之水投入5L之反應槽中，接著將液溫加溫至72.5℃，再投入179g之氯化鈣，並使氯化鈣完全溶解。接著，將119g之48%氫氧化鈉液加水至171mL，再滴入反應槽 中30分鐘。滴下結束後，將371mL之3號矽酸鈉加水至1429mL，再滴入反應槽中3小時。滴下後，使液溫成為60℃，接著進行1小時熟成。熟成結束後，使用18%鹽酸調整反應生成物之pH至10.4。pH調整後，使用壓濾機進行水洗，且進行水洗到導電率成為250μS/cm為止。水洗後，在100℃下進行靜置乾燥，接著經過粉碎步驟製得雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之粉末。
實施例2
與實施例1同樣地進行到熟成步驟為止，且在熟成步驟結束後，使用18%鹽酸使反應生成物之pH成為10.0。pH調整後使用壓濾機進行水洗，且進行水洗到導電率成為250μS/cm為止。水洗後，在100℃下進行靜置乾燥，接著經過粉碎步驟製得雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之粉末。
實施例3
與實施例1同樣地進行到熟成步驟為止，且在熟成步驟結束後，使用18%鹽酸使反應生成物之pH成為9.0。pH調整後使用壓濾機進行水洗，且進行水洗到導電率成為250μS/cm為止。水洗後，在100℃下進行靜置乾燥，接著經過粉碎步驟製得雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之粉末。
實施例4
與實施例1同樣地進行到熟成步驟為止，且在熟成步驟結束後，使用18%鹽酸使反應生成物之pH成為8.0。pH調整後使用壓濾機進行水洗，且進行水洗到導電率成為250μS/cm為止。水洗後，在100℃下進行靜置乾燥，接著經 過粉碎步驟製得雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之粉末。
實施例5
將1786g之水投入5L之反應槽中，接著將液溫加溫至72.5℃，再投入179g之氯化鈣，並使氯化鈣完全溶解。接著，將203g之48%氫氧化鈉液加水至171mL，再滴入反應槽中30分鐘。滴下結束後，將371mL之3號矽酸鈉加水至1429mL，再滴入反應槽中3小時。滴下後，使液溫成為60℃，接著進行1小時熟成。熟成結束後，使用18%鹽酸調整反應生成物之pH至10.9。pH調整後使用壓濾機進行水洗，且進行水洗到導電率成為250μS/cm為止。水洗後，在100℃下進行靜置乾燥，接著經過粉碎步驟製得雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之粉末。
實施例6
與實施例5同樣地進行到熟成步驟為止，且在熟成步驟結束後，使用18%鹽酸使反應生成物之pH成為10.0。pH調整後使用壓濾機進行水洗，且進行水洗到導電率成為250μS/cm為止。水洗後，在100℃下進行靜置乾燥，接著經過粉碎步驟製得雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之粉末。
實施例7
與實施例5同樣地進行到熟成步驟為止，且在熟成步驟結束後，使用18%鹽酸使反應生成物之pH成為9.0。pH調整後使用壓濾機進行水洗，且進行水洗到導電率成為250μS/cm為止。水洗後，在100℃下進行靜置乾燥，接著經過粉碎步驟製得雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之粉末。
實施例8
與實施例5同樣地進行到熟成步驟為止，且在熟成步驟結束後，使用18%鹽酸使反應生成物之pH成為8.0。pH調整後使用壓濾機進行水洗，且進行水洗到導電率成為250μS/cm為止。水洗後，在100℃下進行靜置乾燥，接著經過粉碎步驟製得雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之粉末。
比較例1
市售含有二氧化矽之雪矽鈣石型矽酸鈣系材料使用富田製藥公司(股)製「NF CALCIUM SILICATE」批號：H30306。
比較例2
市售雪矽鈣石型矽酸鈣使用JAPAN INSULATION公司製「TOBERMORITE POWDER-TK」批號：TK11030204101。
比較例3
秤量20.2g之JAPAN INSULATION公司製「TOBERMORITE POWDER-TK」批號：TK11030204101、5.3g之EVONIK DEGUSSA公司製「AEROSIL200」批號：614020181放入塑膠袋中，且在使塑膠袋膨脹之狀態下進行封口，接著良好地混合5分鐘，以製得含有雪矽鈣石型矽酸鈣粉末及二氧化矽粉末之混合粉末。
試驗例1
對藉實施例1至8及比較例1至3製得之各試料，分別測量吸油量、累積細孔容積、BET比表面積、平均粒徑、體比容積、二氧化矽量、氧化鈣量、SiO2/CaO莫耳比、結晶 構造、積分強度、積分強度比、元素分布。結果顯示於表1中。就此而言，粉末X光繞射分析結果顯示於圖1至圖2中，水銀壓入法之測量結果顯示於圖3，且元素分布測量之結果顯示於圖4至圖5中。此外，各測量按照以下記載之方法實施。
(1)吸油量
秤量1.0g之試料，放在黑色之塑膠板上。由上方每次4至5滴地滴下裝在滴定管內之熟亞麻仁油，且每次都藉刮勺與粉體充分拌合。若全體變成硬油灰狀之塊則每1滴均加以拌合，而在將要藉最後1滴急劇變軟之前結束滴下，接著讀取此時之熟亞麻仁油滴下量，且藉下式算出吸油量。
吸油量(mL/g)=滴下之熟亞麻仁油的容量(mL)/試料之質量(g)
(2)累積細孔容積
使用Quantachrome公司製水銀孔隙計(poremaster60GT)在以下條件下進行測量。將0.05g之試料封入測量用單元中，且將水銀之接觸角設為140°，並將水銀之表面張力設為480dyn/cm，接著由測得之壓力算出累積細孔容積。此外，分析範圍係在細孔徑3.6至200nm、200至5000nm、3.6至5000nm之範圍內進行。
(3)BET比表面積
使用高速比表面積細孔分布測量裝置(Quantachrome公司製：NOVA-4000e)在以下之條件下進行測量。
前處理條件：正確地秤量0.02g之試料，且封入吸附管， 接著在105℃下脫氣1小時。
測量及分析：求得在液態氮氣溫度下氮氣之吸附等溫線，接著在相對壓0.1、0.2、0.3中，藉由多點BET法算出BET比表面積。
(4)平均粒徑
以超音波攪拌(超音波輸出40W)試料3分鐘後使之分散於水中，接著藉雷射繞射法在水溶劑中進行測量。測量裝置使用Microtrac公司製「MICROTRAC MT3300EX II」。
(5)體比容積
量取3.0g之試料，放入50mL量筒中，且在4cm之高度以100次/250秒之速度進行輕敲(tapping)，接著測量粉體之體積，且藉下式算出體比容積。
體比容積(mL/g)=粉體體積(mL)/粉體重量(g)
(6)二氧化矽之定量
乾燥試料，且精密地秤量大約0.4g，放入燒杯中，接著加入20mL之水及10mL之過氯酸，再加熱到產生白煙為止。以錶玻璃覆蓋燒杯，再加熱15分鐘。冷卻後，添加30mL之水且藉定量分析用濾紙(5種C)過濾，接著以1L之熱水沖洗殘留物。混合濾液與洗液，以形成A液。將濾紙上之殘留物與濾紙一起放入白金性之坩堝中並緩緩地加熱乾燥，使之灰化，接著在900至1000℃下進行強加熱。在乾燥器中放冷後，測量其質量W(g)。在殘留物中加入5滴硫酸及15mL之氫氟酸，接著小心地加熱直到乾固為止，再在大約1000℃下加熱到成為定量為止，且在乾燥器中放冷後，測量其 質量w(g)，並藉下式求得含量。
二氧化矽之含量(%)=(W(g)-w(g))/試料之採取量(g)×100(%)
(7)氧化鈣之定量
以1mol/L氫氧化鈉溶液中和藉二氧化矽之定量製得之A液，接著一面攪拌中和後之溶液，一面使用50mL之滴定管加入10mL之0.05mol/L EDTA溶液藥。加入15mL之1mol/L氫氧化鈉溶液及300mg之羥萘酚藍，接著以0.05mol/L EDTA溶液滴定。終點是溶液之紅紫色完全消失而呈藍色時。讀取其滴定量V(mL)，且藉下式求得含量。
0.05mol/L EDTA溶液1mL=2.804mg CaO
氧化鈣之含量(%)=2.804(mg/mL)×V(mL)×F/試料之採取量(mg)×100(%)
F：0.05mol/L EDTA溶液之因子
(8)SiO2/CaO莫耳比
使用藉前述定量獲得之值，藉下式算出SiO2/CaO莫耳比。
SiO2/CaO莫耳比=(二氧化矽之含量(%)/二氧化矽之分子量)/(氧化鈣之含量(%)/氧化鈣之分子量)
(9)粉末X光繞射分析
藉X光分析裝置「SmartLab(3kw)」(Rigaku公司(股)製)在2θ=5至60°之範圍內進行測量。藉以下測量條件進行測量：標靶：Cu，管電壓：40kV，管電流：20mA，掃描範圍：5至60°，掃描速度：10.000°/分，掃描間距：0.02°，掃描模 式：連續，kβ過濾法，發散光柵：1°，散射光柵：1°，受光光柵：0.15mm。
(10)積分強度
使用Rigaku Data Analysis Software PDXL version2.0.3.0分析藉粉末X光繞射分析測得之結果。首先，由測量結果連結積分強度低之2點，且進行背景編輯。接著，固定以2θ/θ表示之峰位置5.47°、16.61°、25.00°、29.24°、32.00°、42.40°、49.85°、55.29°。接著選擇最適化，解除所謂「使背景精密化」之項目的選擇，且選擇自訂，再固定全部之峰位置。將29.24°及32.00°之非對稱因子固定為1。峰形狀選擇分割型擬佛伊格特(Voigt)函數，且反覆實行4次。 求得各峰之積分強度。
(11)積分強度比
藉下式算出積分強度比。
積分強度比=(32.00°之積分強度)/(25.00°之積分強度)
(12)元素分布測量
將試料固定在碳帶上，接著實施金蒸鍍而製成測量試料。測量係使用掃描式電子顯微鏡(日本電子公司(股)製「JSM-5500LV」)，在加速電壓15kV下攝得二次電子影像(SEM影像)後，使用能量色散X射線光譜裝置(EDS：日本電子公司(股)製「JED-2200」)，在加速電壓15kV下由來自矽及鈣之特性X光強度測量元素分布。
※累積細孔容積1、2、3係藉水銀壓入法進行測量，且累積細孔容積1藉3.6至200nm之範圍的細孔徑，累積細孔容積2藉200至5000nm之範圍的細孔徑，而累積細孔容積3藉3.6至5000nm之範圍的細孔徑進行測量。
由表1之結果明顯可知，實施例1至8之3.6至 200nm的累積細孔容積成長至0.9cc/g以上，且3.6至5000nm的累積細孔容積成長至2.6cc/g以上。此外，可知的是SiO2/CaO莫耳比為1.5至2.9，且SiO2/CaO莫耳比特別在2.0附近的效果最大。
由圖1及圖2亦可知，雖然實施例1至8及比較例1 檢出雪矽鈣石型矽酸鈣之峰，但由於存在來自二氧化矽成分之非晶質，故未明顯檢出25°附近之來自雪矽鈣石型矽酸 鈣的峰，且與雪矽鈣石型矽酸鈣結晶單獨之XRD圖案不同。
由圖3亦明顯可知，若比較實施例7及比較例1， 則實施例7之3.6至200nm的細孔成長，且1000至5000nm之粒子間隙成長。由此可知，可藉粒子內細孔及因粒子凝集而產生之粒子間隙保持油，並呈現比比較例1高之吸油量。
由圖4及圖5亦可知，因為實施例7在1粒子中含有 矽成分及鈣成分，且顯現來自二氧化矽成分之細孔構造，故細孔長成，結果吸油量變高。由於比較例3只乾式混合二氧化矽粉末及矽酸鈣粉末，故未在1粒子中含有矽成分及鈣成分。可知的是只如此使作為粉末組成之SiO2/CaO莫耳比混合成在2.0附近，無法達成本發明之效果。
實施例9
對藉實施例3製得之雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，使用FREUND公司製「ROLLER COMPACTOR-TF-MINI」，在輥形狀DPS、輥壓15kN、輥速度10rpm、螺桿速度10rpm、振盪篩孔徑1mm之條件下進行乾式造粒。然後，藉篩進行分級，以製得粒徑180至500μm之造粒品。
另一方面，在55g之水中溶解45g之抗壞血酸鈉、8g之硫酸亞鐵七水合物、10g之碳酸鈉，以調製主劑溶液。在20g之製得造粒品中一面添加、混合一面含浸60g之前述主劑溶液，以製得脫氧劑。
實施例10
使用混合354g之藉實施例3製得之雪矽鈣石型矽酸鈣 系材料、270g之抗壞血酸鈉、48g之硫酸亞鐵七水合物、60g之碳酸鈉而得的混合物，除了令螺桿速度為6rpm以外，在與實施例9同樣之條件下進行乾式造粒。在24.4g之製得造粒品中一面添加、混合一面含浸11g之水，以製得脫氧劑。
試驗例2
對藉實施例9至10製得之脫氧劑，測量脫氧能力及靜止角。結果顯示在表2及圖6至圖7中。此外，各測量係依據以下記載之方法進行。
(13)脫氧能力
將4g之脫氧劑填充在由聚乙烯、聚丙烯製之不織布形成之袋中，接著封入GL SCIENCE公司製「鋁袋」中。接著，在設定為25℃、60%RH之恆溫恆濕槽內填充槽內填充2L之槽內空氣(氧濃度20.9%)至鋁袋內後靜置。然後，將空氣填充時設為0小時，藉理研計器公司製「氧濃度計OX-01」測量4小時、1日、2日、5日、7日後之氧濃度。
(14)靜止角
使用HOSOKAWA MICRON公司製「POWDERTESTER PT-X」進行測試。篩使用孔徑710μm者，且藉振幅0.5mm、振動時間170秒進行測量。
由表2之結果亦明顯可知，實施例9至10之雪矽鈣 石型矽酸鈣系材料作為脫氧劑之載體是有效的。
試驗例3
測量藉實施例3及比較例2製得之各試料的黑色素吸附能力。結果顯示在表3中。各測量係依據以下記載之方法進行。
(黑色素吸附能力)
將0.1g之試料加入20ml之黑色素溶液後利用振動機在室溫下振動1小時，接著使用TOMY SEIKO公司(股)製「離心分離機RLX-135」，在轉數3000rpm、15分、室溫之條件下離心分離後，採取上澄液作為試驗液。使用日本分光公司(股)製「分光光度計V-660」，測量試驗液之波長470nm的吸光度，且藉下式測量黑色素吸附率。
黑色素吸附率(%)=(1-試驗液之吸光度/黑色素溶液之吸光度)×100
此外，上述黑色素溶液係在0.040g之藤本分子化學公司製「乾燥黑色素」中加入200ml之0.01mol/L的氫氧化鈉水溶液，接著在60℃之水浴中攪拌2小時使之溶解，再加入0.07mol/L磷酸緩衝液(pH5.5)。另外，使用TOMY SEIKO公司(股)製「離心分離機RLX-135」，在轉數3000rpm、15分、室溫之條件下進行離心分離，接著採取其上澄液。以使用日本分光公司(股)製「分光光度計V-660」，且波長470nm之吸光度顯示0.90至1.00之方式對上述上澄液添加0.07mol/L磷酸緩衝液(pH5.5)，藉此製得黑色素溶液(水溶液)。
由表3之結果亦可知，實施例3之雪矽鈣石型矽酸 鈣系材料的黑色素吸附率在70%以上，且特別在75%以上，因此可吸附或載持大量黑色素。摻合有角質溶解劑等之黑色素吸附劑，會以促進在皮膚內生成之黑色素的消失(去除)為目的而為化妝品所含有，因此本發明之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料可期待作為具有黑色素吸附去除性能之化妝品的用途。此外，載持有黑色素之矽酸鈣系材料，會以遮蔽紫外線等為目的而為化妝品所含有，因此本發明之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料亦可期待作為具有紫外線遮蔽性能之化妝品的用途。

Claims (11)

  1. 一種粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，其特徵在於：(1)該材料中之SiO2/CaO莫耳比係1.5以上，(2)該材料中細孔徑3.6至200nm之累積細孔容積係0.9cc/g以上，且，3.6至5000nm之累積細孔容積係2.6cc/g以上。
  2. 如請求項1之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，其中粉末X光繞射分析中之積分強度比[(以2θ/θ表示之峰位置=32.00°的積分強度)/(以2θ/θ表示之峰位置=25.00°的積分強度)]係0.01至0.20。
  3. 如請求項1之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，其BET比表面積係100至500m2/g。
  4. 如請求項1之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，其平均粒徑係1至100μm。
  5. 一種粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之製造方法，係製造如請求項1至4中任一項之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料的方法，且該方法之特徵在於包含以下步驟：(1)第1步驟，在使鈣原料分散或溶解在水性介質中而得之含鈣液中添加鹼使之反應，藉此製得含有第1反應生成物之第1水性漿液；(2)第2步驟，在前述第1水性漿液或其水分量經調整後之水性漿液中添加矽酸原料使之反應，藉此製得含有第2反應生成物之第2水性漿液；及(3)第3步驟，調整前述第2水性漿液或其水分量經調整後之水性漿液的pH，藉此製得含有雪矽鈣石型矽酸鈣系材料之第3水漿液。
  6. 如請求項5之製造方法，更包含在第3步驟前，使前述第2反應生成物在70℃以下熟成一定時間之步驟。
  7. 一種粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料，係藉如請求項5之製造方法製得。
  8. 一種脫氧劑，係在如請求項1至4中任一項之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料中載持有易氧化性成分。
  9. 一種化妝品，包含如請求項1至4中任一項之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料。
  10. 如請求項9之化妝品，其中該粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料中載持有黑色素。
  11. 一種黑色素吸附、去除用化妝品，包含如請求項1至4中任一項之粉末狀雪矽鈣石型矽酸鈣系材料。
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