TWI646229B - 碳化矽材料及碳化矽複合材料 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及SiC材料及SiC複合材料，更具體地，根據以下式1計算的X-衍射峰的衍射強度比I未滿1.5的SiC材料及SiC複合材料。本發明可提供SiC材料及SiC複合材料，其暴露在電漿時，被均勻地蝕刻，可降低裂化、洞等的發生。
[式1]衍射強度比I=(200面的峰強度+220面的峰強度)/111面的峰強度

Description

碳化矽材料及碳化矽複合材料
本發明涉及SiC材料及利用此的SiC複合材料。
通常，在半導體製造裝備使用的基座或者聚焦環、電極等，直接使用在現有半導體工程使用的碳材料時，具有在碳材料發生異物的問題。
考慮到如此問題，在碳材料的結構物表面塗層SiC或TaC使用的方法被利用。
雖然SiC的耐熱性及耐化學性強，且物理強度高具有高的利用可能性，但是，在半導體領域使用的SiC在電漿環境發生表面蝕刻，經這些電漿的蝕刻，根據SiC的結晶方向顯示不同的蝕刻量。經這些不同的蝕刻量，SiC材料的產品穩定性降低，SiC材料的頻繁更換，成為半導體的製造費用等增加的原因。
本發明為瞭解決如上述的問題，提供在電漿環境穩定，均勻地被蝕刻的SiC材料及SiC複合材料。
此外，本發明提供SiC多層複合材料。
本發明所要解決的課題不限定於以上提及的課題，且未提及的另外其他課題，可從以下記載明確地被所屬領域技藝人士理解。
本發明的一種形式涉及SiC材料，根據以下式1計算的X-衍射峰的衍射強度比I未滿1.5。
[式1]衍射強度比I=(200面的峰強度+220面的峰強度)/111面的峰強度。
根據本發明的一個實施例，所述衍射強度比I可為1.21以下。
根據本發明的一個實施例，所述衍射強度比I可為1.0以下。
根據本發明的一個實施例，所述衍射強度比I可為0.9以下。
根據本發明的一個實施例，所述衍射強度比I可為0.8以下。
根據本發明的一個實施例，所述111面的峰2 θ值可以是35°至36°，且所述200面的峰2 θ值是41°至42°，並且所述220面的峰2 θ值是60°至61°。
本發明的其他一種形式涉及SiC複合材料，其包括：基底；SiC塗層膜，形成在所述基底上的至少一面，且所述SiC塗層膜是所述衍射強度比I未滿1.5。
本發明的另外其他一種形式涉及SiC多層複合材料，其包括：基底；第一SiC塗層膜，形成在所述基 底上的至少一面；第二SiC塗層膜，形成在所述第一SiC塗層膜上，且所述第一SiC塗層膜及第二SiC塗層膜，根據以下式1計算的X-衍射峰的衍射強度比I相互不同。
[式1]衍射強度比I=(200面的峰強度+220面的峰強度)/111面的峰強度。
根據本發明的一個實施例，所述第一SiC塗層膜的衍射強度比I可超過1.21。
根據本發明的一個實施例，所述第一SiC塗層膜的衍射強度比I可超過1.21，未滿1.5。
根據本發明的一個實施例，所述第一SiC塗層膜的衍射強度比I可為1.5以上。
根據本發明的一個實施例，所述第二SiC塗層膜的衍射強度比I可未滿1.5。
根據本發明的一個實施例，所述第一SiC塗層膜與第二SiC塗層膜的厚度比可以是1：0.1至1：0.95。
本發明可提供SiC材料及SiC複合材料，在暴露於電漿的部分，由優先成長結晶方向，形成經電漿具有低蝕刻量的111面，在電漿環境具有穩定且均勻的蝕刻量。
經本發明的SiC材料及SiC複合材料，在電漿環境可降低裂化、洞等的發生頻率，增加素材的壽命。
本發明變更如氣源的供給速度、成長速度等工程條件，將優先成長結晶方向轉換至111面，可提高111 面對具有優先成長結晶方向的SiC材料及SiC複合材料製造的經濟性及生產性。
1‧‧‧SiC材料
2‧‧‧SiC複合材料
3‧‧‧SiC多層複合材料
10、10'‧‧‧基底
20‧‧‧SiC塗層膜
20a‧‧‧第一SiC塗層膜
20b‧‧‧第二SiC塗層膜
111、200、220、311‧‧‧面
圖1是根據本發明的一個實施例，示例性地示出本發明的SiC材料a、SiC複合材料b及SiC多層複合材料c的斷面。
圖2a及圖2b是根據本發明的一個實施例，示例性地示出本發明的SiC材料的X-線衍射圖案。
圖3是根據本發明的一個實施例，示例性地示出本發明的SiC多層複合材料的X-線衍射圖案。
以下，詳細地說明本發明的實施例。在說明本發明的程序中，對相關公知功能或者構成的具體說明，被判斷為不必要地模糊本發明的要點時，省略其詳細地說明。此外，在本發明使用的用語，作為適當地表現本發明的優選實施例而使用的用語，其可根據使用者、運營者的意圖或者本發明所屬領域的慣例等不同。在說明書中，對本用語的定義，以經過本說明書整個內容為基礎進行定義。
本發明為涉及SiC(碳化矽)材料，所述SiC材料向電漿暴露面的優先成長結晶方向成長111面，可形成對電漿環境的穩定性提高，且具有均勻蝕刻量的表面。
根據本發明的一個實施例，參照圖1、圖2a及圖2b，圖1是根據本發明的一個實施例，示例性地示出本 發明的SiC材料、SiC複合材料及SiC多層複合材料的斷面，且圖2a及圖2b是根據本發明的一個實施例，示例性地示出SiC材料的X-線衍射圖案，並且，圖1的a的SiC材料1如在圖2a及圖2b示出，具有將111面、200面、220面及311面的X-線衍射峰作為主峰，且所述鋒中111面的SiC1成長時，向優先成長結晶方向成長，並具有最大衍射強度。
作為本發明的一個示例，圖2a及圖2b的X-線衍射圖案，可利用在本發明的技術領域適用的X-線衍射測量方法，且在本說明書沒有具體地提及，但是，可利用薄膜或者粉末X-線衍射測量方法，並且，優選地，可在SiC材料及複合材料的表面或者切斷面，照射X-線進行實施。X-線分析裝置利用「Rigaku，Dmax2500」，獲得了顯示豎軸為衍射強度及橫軸為衍射角2 θ的X-線圖案，且這適用在圖3。
作為本發明的一個示例，X-衍射峰的衍射強度比I由以下式計算，X-衍射峰的衍射強度比I可未滿1.5，優選地，可以是1.21以下；1.0以下；0.9以下，或者0.8以下。例如，參照圖2a及圖2b，圖2a是衍射強度比I為1.21的SiC材料，圖2b可以是衍射強度比I為0.7的SiC材料。所述衍射強度比I未滿1.5時，在電漿環境均勻地進行表面蝕刻，現有的200面及220面，比具有優先成長結晶方向的SiC材料，蝕刻量少且可減少裂化、洞等發生。
[式1]衍射強度比I=(200面的峰強度+220面的峰強度)/111面的峰強度
作為本發明的一個示例，所述111面的峰2 θ值是35°至36°，優選地，可以是35.2°至35.8°；或者35.6°至35.8°，且所述111面的峰可顯示最大衍射強度。
作為本發明的一個示例，所述200面的峰2 θ值是41°至42°，所述220面的峰2 θ值是60°至61°。
作為本發明的一個示例，SiC材料1可由50μm以上；優選地，500μm以上，或者1mm至10mm厚度形成，並包括在所述厚度範圍內時，在電漿環境維持材料的穩定性，壽命被延長可長期使用。
本發明涉及SiC複合材料，在電漿環境形成被最少蝕刻的結晶方向成為優先成長的SiC塗層膜，因此，可提高複合材料的穩定性。
根據本發明的一個示例，參照圖1的b，本發明的SiC複合材料2，可包括基底10及SiC塗層膜20，形成在所述基底上一面、兩面或者前面。
作為本發明的一個示例，SiC複合材料2的一面、兩面或者整個面，可暴露在電漿，且形成在暴露於電漿面的SiC塗層膜20，以111面、200面、220面及311面的X-線衍射峰為主峰，所述鋒中111面由優先成長結晶方向成長，具有最大衍射強度。此外，由所述式1計算 的X-衍射峰的衍射強度比I可未滿1.5，優選地，可以是1.21以下；1.0以下；0.9以下或者0.8以下。
作為本發明的一個示例，基底10是SiC基體或者碳基體，所述碳基體包括由適用在半導體工程等的碳形成的材料，例如，可以是黑鉛、各向同性黑鉛、碳纖維強化碳複合材料等，優選是黑鉛。
作為本發明的一個示例，SiC塗層膜20可由5μm以上；優選地，50μm以上；1mm以上，或者1mm至10mm厚度形成，且包括在所述厚度範圍內時，在電漿環境維持產品的穩定性，可防止根據SiC塗層膜的蝕刻不均勻的基底損傷，並可延長材料的壽命。
本發明涉及SiC多層複合材料，在基底上變化衍射強度比I，形成多層的SiC塗層膜，因此，在電漿環境降低蝕刻量，並可提高產品的生產性。
根據本發明的一個實施例，參照圖1的c，本發明的SiC多層複合材料3，可包括基底10'及形成在所述基底上的一面、兩面或者整個面的第一SiC塗層膜20a；及形成在所述第一SiC塗層膜20a上的第二SiC塗層膜20b。
作為本發明的一個示例，基底10'是SiC基體或者碳基體，如同上述提及。
作為本發明的一個示例，第一SiC塗層膜20a及第二SiC塗層膜20b，根據式1計算的衍射強度比I的值可不同。
例如，參照圖3，在圖3的第一SiC塗層膜20a以111面、200面、220面及311面的X-線衍射峰為主峰，所述峰中200面及220面，可由優先成長結晶方向成長。此外，第一SiC塗層膜20a在所述式計算的衍射強度比I為1.5以上，或者可以是1.54以上，優選地，如圖3示出，衍射強度比I可以是1.54。這將形成快速成長的200面及220面，向優先成長結晶方向先成長之後，形成相對成長速度低的第二SiC塗層膜21b，因此，可確保SiC多層複合材料的生產性。
作為其他示例，第一SiC塗層膜20a以111面、200面、220面及311面的X-線衍射峰為主峰，所述峰中111面由優先成長結晶方向成長，111面具有最大衍射強度，且具有與第二SiC塗層膜20b不同的衍射強度比I。例如，衍射強度比I超過1.21，優選地，為了改善複合材料的生產性和根據電漿蝕刻的產品穩定性，可以是超過1.21及未滿1.5。
作為本發明的一個示例，第一SiC塗層膜20a可由5μm以上；優選地，50μm以上；1mm以上，或者1mm至10mm厚度；或者5mm至7mm厚度被形成，包括在所述厚度範圍內時，在電漿環境防止基底的損傷，可確保複合材料的生產性及經濟性的製造費用。
作為本發明的一個示例，第二SiC塗層膜20b以111面、200面、220面及311面的X-線衍射峰為主峰，所述峰中111面由優先成長結晶方向成長，可具有最 大衍射強度。此外，根據所述式1計算的X-衍射峰的衍射強度比I可以是未滿1.5；優選地，1.21；1.0以下；0.9以下，或者0.8以下。第二SiC塗層膜20b形成在電漿暴露面，因此，比200面及220面，可提供更低的蝕刻量和均勻地表面蝕刻。
作為本發明的一個示例，第二SiC塗層膜20b可由5μm以上；優選地，50μm以上；1mm以上，或者1mm至10mm；1mm至5mm厚度被形成，包括在所述厚度範圍內時，在電漿環境維持穩定性，在電漿暴露面形成均勻的蝕刻，因此，可延長複合材料的壽命。
作為本發明的一個示例，第一SiC塗層膜20a及第二SiC塗層膜20b的厚度不同，例如，所述第一SiC塗層膜20a與第二SiC塗層膜20b的厚度比是1：0.1至1：0.95；優選地，可以是1：0.1至1：0.7；1：0.1至1：0.5，或者1：0.1至1：0.4。包括在所述厚度比時，以相對快的成長速度將第一SiC塗層膜20a相比第二SiC塗層膜20b，厚地形成，因此，可防止相對成長速度低的，根據第二SiC塗層膜形成的生產性低下，在電漿環境具有均勻蝕刻量的複合材料。
本發明提供經本發明的SiC材料及SiC複合材料的製造方法。
根據本發明的一個實施例，SiC材料1及SiC複合材料2，可由適用在本發明的技術領域的方法被製造，例如，利用CVD形成，且可適用如Si氣源及C氣源 的氣源；及氫氣、氮氣、氦氣、氬氣等的通常搬運氣體等被形成。例如，所述CVD可由適用在本發明的技術領域的工程條件被執行，例如，SiC材料1可利用在本發明的技術領域的沉積裝置被製造。
本發明提供經本發明的SiC多層複合材料的製造方法。
根據本發明的一個實施例，SiC多層複合材料3，可由適用在本發明的技術領域的方法被製造，例如，利用CVD形成，且可適用如Si氣源、C氣源的氣源；及氫氣、氮氣、氦氣、氬氣等的通常搬運氣體等被形成。例如，形成第一SiC塗層膜及第二SiC塗層膜的塗層膜時，調整成長速度變更SiC塗層膜的優先成長結晶方向，可變化衍射強度比I。經成長速度的調整，可便於調整主成長結晶方向，且經這些速度siC自身的溫度上升50℃以上，且以快速成長速度形成與基地相接的第一SiC塗層膜之後，降低成長速度形成對電漿蝕刻強的第二SiC塗層膜，因此，可防止SiC多層複合材料的生產性低下。
本發明可提供在電漿環境，蝕刻量少且形成均勻蝕刻的SiC材料、SiC複合材料及SiC多層複合材料，製造SiC時，調整工程條件，如成長速度，可提供SiC材料、SiC複合材料及SiC多層複合材料。
參照本發明的所述實施例進行了說明，但本發明不限定於此，且在不脫離記載於以下請求項範圍、發明 內容及附圖的本發明的思想及領域的範圍內，可多樣地修改及變更本發明。

Claims (13)

  1. 一種SiC材料，根據以下式1計算的X-衍射峰的衍射強度比I未滿1.5，其中(111)面為所述X-衍射峰中的一優先成長結晶方向，及其中所述SiC材料由CVD形成，[式1]衍射強度比I=((200)面的峰強度+(220)面的峰強度)/(111)面的峰強度。
  2. 根據請求項1之SiC材料，其中所述衍射強度比I為1.21以下。
  3. 根據請求項1之SiC材料，其中所述衍射強度比I為1.0以下。
  4. 根據請求項1之SiC材料，其中所述衍射強度比I為0.9以下。
  5. 根據請求項1之SiC材料，其中所述衍射強度比I為0.8以下。
  6. 根據請求項1之SiC材料，其中所述(111)面的峰2 θ值是35°至36°，且所述(200)面的峰2 θ值是41°至42°，並且所述(220)面的峰2 θ值是60°至61°。
  7. 一種SiC複合材料，其包括：一基底；一SiC塗層膜，形成在所述基底上的至少一面，且所述SiC塗層膜是請求項1至請求項6中任何一項所述的SiC材料。
  8. 一種SiC多層複合材料，其包括：一基底；一第一SiC塗層膜，形成在所述基底上的至少一面；一第二SiC塗層膜，形成在所述第一SiC塗層膜上，且所述第一SiC塗層膜及第二SiC塗層膜，根據以下式1計算的X-衍射峰的衍射強度比I相互不同，其中(111)面為所述X-衍射峰中的一優先成長結晶方向，及其中所述第一SiC塗層膜及第二SiC塗層膜由CVD形成，[式1]衍射強度比I=((200)面的峰強度+(220)面的峰強度)/(111)面的峰強度。
  9. 根據請求項8之SiC多層複合材料，其中所述第一SiC塗層膜的衍射強度比I超過1.21。
  10. 根據請求項8之SiC多層複合材料，其中所述第一SiC塗層膜的衍射強度比I超過1.21，未滿1.5。
  11. 根據請求項8之SiC多層複合材料，其中所述第一SiC塗層膜的衍射強度比I為1.5以上。
  12. 根據請求項8之SiC多層複合材料，其中所述第二SiC塗層膜的衍射強度比I未滿1.5。
  13. 根據請求項8之SiC多層複合材料，其中所述第一SiC塗層膜與第二SiC塗層膜的厚度比是1：0.1至1：0.95。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102183258B1 (ko) * 2019-04-18 2020-11-26 주식회사 티씨케이 SiC 소재 및 이의 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1192538A (zh) * 1997-01-20 1998-09-09 日本皮拉工业株式会社 镜面体
TW457560B (en) * 1999-07-30 2001-10-01 Asahi Glass Co Ltd Silicon carbide and process for its production
TW200530424A (en) * 2003-12-05 2005-09-16 Morgan Advanced Ceramics Inc Articles formed by chemical vapor deposition and methods for their manufacture
JP4361177B2 (ja) * 1999-11-02 2009-11-11 東洋炭素株式会社 炭化ケイ素材料及びｒｔｐ装置用治具

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4476178A (en) 1982-06-24 1984-10-09 United Technologies Corporation Composite silicon carbide coatings for carbon-carbon materials
US4472476A (en) 1982-06-24 1984-09-18 United Technologies Corporation Composite silicon carbide/silicon nitride coatings for carbon-carbon materials
JPH0692761A (ja) 1992-09-10 1994-04-05 Shin Etsu Chem Co Ltd ＣＶＤ−ＳｉＣコートＳｉ含浸ＳｉＣ製品およびその製造方法
JPH11157989A (ja) * 1997-11-25 1999-06-15 Toyo Tanso Kk 気相成長用サセプター及びその製造方法
JPH11199323A (ja) 1998-01-14 1999-07-27 Tokai Carbon Co Ltd ダミーウエハ
JP3857446B2 (ja) 1998-12-01 2006-12-13 東海カーボン株式会社 ＳｉＣ成形体
JP4786782B2 (ja) 1999-08-02 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 耐食性に優れたＣＶＤ−ＳｉＣおよびそれを用いた耐食性部材、ならびに処理装置
JP3557457B2 (ja) 2001-02-01 2004-08-25 東北大学長 ＳｉＣ膜の製造方法、及びＳｉＣ多層膜構造の製造方法
JP5087238B2 (ja) 2006-06-22 2012-12-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置の保守方法及び半導体製造方法
JP5051909B2 (ja) 2007-03-30 2012-10-17 コバレントマテリアル株式会社 縦型ウエハボート
KR20120014024A (ko) * 2009-05-11 2012-02-15 스미토모덴키고교가부시키가이샤 탄화규소 기판 및 반도체 장치
KR101740094B1 (ko) * 2010-12-24 2017-05-25 도요탄소 가부시키가이샤 단결정 탄화규소 액상 에피택셜 성장용 유닛 및 단결정 탄화규소의 액상 에피택셜 성장 방법
JP5724122B2 (ja) 2010-12-24 2015-05-27 東洋炭素株式会社 単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材及び単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長方法
CN103270201B (zh) 2010-12-24 2016-02-10 东洋炭素株式会社 单晶碳化硅液相外延生长用种晶件和单晶碳化硅的液相外延生长方法
WO2012086239A1 (ja) 2010-12-24 2012-06-28 東洋炭素株式会社 単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材及び単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長方法
JP5896297B2 (ja) 2012-08-01 2016-03-30 東海カーボン株式会社 ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体およびＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の製造方法
CN102874809A (zh) 2012-10-22 2013-01-16 南京工业大学 一种碳化硅复合粉体及其制备工艺
FR3002952B1 (fr) * 2013-03-08 2015-10-30 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation d'un revetement multicouche de ceramiques carbures sur, et eventuellement dans, une piece en un materiau carbone, par une technique d'infiltration reactive a l'etat fondu rmi.
KR101631797B1 (ko) * 2015-04-13 2016-06-20 주식회사 티씨케이 건식식각장치의 SiC 구조물 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1192538A (zh) * 1997-01-20 1998-09-09 日本皮拉工业株式会社 镜面体
TW457560B (en) * 1999-07-30 2001-10-01 Asahi Glass Co Ltd Silicon carbide and process for its production
JP4361177B2 (ja) * 1999-11-02 2009-11-11 東洋炭素株式会社 炭化ケイ素材料及びｒｔｐ装置用治具
TW200530424A (en) * 2003-12-05 2005-09-16 Morgan Advanced Ceramics Inc Articles formed by chemical vapor deposition and methods for their manufacture

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