JP2012176867A - 炭化珪素単結晶育成用種結晶及び炭化珪素単結晶の製造方法並びに炭化珪素単結晶インゴット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】昇華再結晶法によりSiC単結晶を成長させるのに用いる種結晶であって、結晶成長面側に開口部を有した窪みを複数有し、前記窪みは、開口部の周上の任意の2点間を結んだ長さが最大2mm以下である大きさを有すると共に、SiC単結晶が成長できる側壁によって囲まれた初期成長空間を有し、かつ、開口部の周上の任意の点から2mm以内の距離に他の窪みの開口部が存在するように、前記窪みが互いに隣接して形成されたSiC単結晶育成用種結晶、これを用いたSiC単結晶の製造方法、及びSiC単結晶インゴットである。
【選択図】なし
Description
なお、特許文献1には、種結晶の結晶成長面に矩形の溝を形成することで、種結晶が有する貫通転位欠陥の成長結晶側への伝播を防ぐ方法が記載されているが、結晶成長開始時に種結晶の加工ダメージに起因して発生する貫通らせん転位、貫通刃状転位等の貫通転位を抑制する方法を教えるものではない。
そこで、本発明では、上記の従来技術での問題を解決し、結晶性の良好なSiC単結晶を得るSiC単結晶の製造方法及びSiC単結晶インゴットを提供することを目的とする。
(1)昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させるのに用いる種結晶であって、結晶成長面側に開口部を有した窪みを複数有し、前記窪みは、開口部の周上の任意の2点間を結んだ長さが最大2mm以下である大きさを有すると共に、炭化珪素単結晶が成長できる側壁によって囲まれた初期成長空間を有し、かつ、開口部の周上の任意の点から2mm以内の距離に他の窪みの開口部が存在するように、前記窪みが互いに隣接して形成されたことを特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶、
(2)前記窪みの深さを開口部の周上の任意の2点間を結んだ長さの最大長で除した値で定義される窪みのアスペクト比が0.1以上10以下である(1)に記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶、
(3)前記各窪みの開口部の面積を合計した開口部総面積が、結晶成長面の20%以上を占める(1)又は(2)に記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶、
(4)口径が50mm以上300mm以下である(1)〜(3)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶、
(5)昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を含む炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記種結晶として請求項1〜4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いて、2000℃以上2400℃以下及び100Pa以上15kPa以下の雰囲気下で結晶成長を行い、初期成長空間に炭化珪素単結晶を成長させて窪みを塞いで、引き続き結晶成長を行うことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法、
(6)隣接する窪み間に形成された結晶成長面の残部に炭化珪素単結晶が成長するのに先立って、前記残部の表面が昇華する(5)に記載の炭化珪素単結晶の製造方法、
(7)(5)又は(6)に記載の方法によって得られた炭化珪素単結晶インゴットであって、種結晶側から高さ2mmまでの部分を除いたインゴット実質長の炭化珪素単結晶が、任意の横断面における貫通転位密度がいずれも5×103cm-2以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット、
(8)口径が50mm以上300mm以下である(7)に記載の炭化珪素単結晶インゴット、
である。
実施形態を以下に説明する。
図4に示す単結晶成長装置を用いて、SiC単結晶を製造する例について説明する。結晶成長に用いる種結晶1は、黒鉛製坩堝3の蓋4の内面に取り付けられる。結晶成長は、SiC結晶粉末2を昇華させ、窪み構造を形成したSiC単結晶種結晶1上で再結晶化させることにより行われる。原料のSiC結晶粉末2は、黒鉛製坩堝容器3の内部に充填されている。このような黒鉛製坩堝(坩堝容器3と坩堝蓋4)は、二重石英管5の内部に、黒鉛の支持棒6により設置される。黒鉛製坩堝の周囲には、熱シールドのための黒鉛製断熱材7が設置されている。二重石英管5は、真空排気装置11により高真空排気(10-3Pa以下)することができ、かつ、内部雰囲気をガス流量調節計10を通って導入されるArガスにより圧力制御することができる。各種ドーピングガス(窒素、トリメチルアルミニウム、トリメチルボロン)も、ガス流量調節計10を通して導入することができる。また、二重石英管5の外周には、ワークコイル8が設置されており、高周波電流を流すことにより黒鉛製坩堝を加熱し、原料及び種結晶を加熱することができる。坩堝温度の計測は、坩堝上部及び下部を覆う断熱材の中央部に直径2〜4mmの光路を設け坩堝上部及び下部からの光を取り出し、二色温度計を用いて行う。
得られた結晶の口径は77mmで、高さは35mm程度であった。
種結晶として口径100mmの種結晶を用い、窪み構造として図6に示したような四角錘の形状とした条件以外は実施例1と同様の実験を行った。すなわち、一辺の長さが1.5mmの正四角形の角に1辺の長さが1mmの正方形形開口部の中心が位置する関係を保って結晶成長面側に複数の窪みを形成し(一辺上に並ぶ開口部の間隔が0.5mm、窪みの深さ1mm)、それぞれの窪みの深さを開口部の周上の任意の2点間を結ぶ最大長さで除した値で定義される窪みのアスペクト比を1/√2=0.71とした。この場合、結晶成長面の全面積に対する窪みの開口部総面積の比率は約44%となる。
種結晶の貫通転位密度は実施例1と同様の測定方法により2010個/cm2であった(種結晶中央部で計測)。得られた結晶の口径は101mmで、高さは30mm程度であった。
種結晶表面に窪み構造を形成しないこと以外は実施例1と同様にして結晶成長を実施した。種結晶の貫通転位密度は実施例1と同様の測定方法により1832個/cm2であった(種結晶中央部で計測)。
種結晶表面に窪み構造ではなく溝構造を形成したこと以外は実施例1と同様にして結晶成長を実施した。種結晶の貫通転位密度は実施例1と同様の測定方法により4832個/cm2であった(種結晶中央部で計測)。この種結晶の表面にレーザー加工により、幅1mm、深さ1mmの断面形状がほぼ矩形の溝を0.5mm間隔で作り付けた。この場合、結晶成長面の全面積に対する窪みの開口部総面積の比率は約67%となる。
2 SiC結晶粉末原料
3 坩堝容器(黒鉛あるいはタンタル等の高融点金属)
4 黒鉛製坩堝蓋
5 二重石英管
6 支持棒
7 黒鉛製フェルト(断熱材)
8 ワークコイル
9 高純度Arガス及び不純物ガス配管
10 高純度Arガス及び不純物ガス用マスフローコントローラ
11 真空排気装置
Claims (8)
- 昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させるのに用いる種結晶であって、結晶成長面側に開口部を有した窪みを複数有し、前記窪みは、開口部の周上の任意の2点間を結んだ長さが最大2mm以下である大きさを有すると共に、炭化珪素単結晶が成長できる側壁によって囲まれた初期成長空間を有し、かつ、開口部の周上の任意の点から2mm以内の距離に他の窪みの開口部が存在するように、前記窪みが互いに隣接して形成されたことを特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶。
- 前記窪みの深さを開口部の周上の任意の2点間を結んだ長さの最大長で除した値で定義される窪みのアスペクト比が0.1以上10以下である請求項1に記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶。
- 前記各窪みの開口部の面積を合計した開口部総面積が、結晶成長面の20%以上を占める請求項1又は2に記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶。
- 口径が50mm以上300mm以下である請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶。
- 昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を含む炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記種結晶として請求項1〜4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いて、2000℃以上2400℃以下及び100Pa以上15kPa以下の雰囲気下で結晶成長を行い、初期成長空間に炭化珪素単結晶を成長させて窪みを塞いで、引き続き結晶成長を行うことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
- 隣接する窪み間に形成された結晶成長面の残部に炭化珪素単結晶が成長するのに先立って、前記残部の表面が昇華する請求項5に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 請求項5又は6に記載の方法によって得られた炭化珪素単結晶インゴットであって、種結晶側から高さ2mmまでの部分を除いたインゴット実質長の炭化珪素単結晶が、任意の横断面における貫通転位密度がいずれも5×103cm-2以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。
- 口径が50mm以上300mm以下である請求項7に記載の炭化珪素単結晶インゴット。
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