CN103590101A - 一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法。在SiC单晶炉中采用升华法生长SiC单晶，生长前抽真空至10-4Pa～10-2Pa，生长压力为5‐50mbar，温度2100-2400℃，速率10-500μm/h；晶体生长20-24h时，向生长室中通入高纯氮气2‐10h；间隔20h后，再通入同样的氮气；周期性地重复此过程，得到间歇性掺氮的SiC单晶；所得SiC单晶无空洞、硅滴、多型等缺陷，大大降低了微管密度。本发明实现了将单晶微管密度降至最低，甚至达到零微管水平的目标。
Description
技术领域
本发明涉及一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的方法，属于人工晶体材料技术领域。
背景技术
SiC是继Si、GaAs之后发展起来的第三代宽带隙半导体材料，SiC具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子迁移速率、良好的物理和化学稳定性，是制造高温、大功率、高电压、高频半导体器件理想材料。目前，多种SiC电子器件已经商品化，如P-i-N二极管、肖特基二极管、MESFET、MOSFET、晶闸管等。
目前，应用升华法生长得到的大尺寸SiC体块单晶仍然存在一些缺陷，如微管、位错、多型夹杂等，尤其微管缺陷的存在，在很大程度上制约了SiC器件的合格率。在高电压或大电流条件下工作的SiC器件，微管危害极大，会使器件的漏电流增加、击穿电压降低。因此制造大面积SiC器件首先要克服的障碍是晶体中的微管缺陷。CN102175565A提供了一种测量SiC晶体中微管密度的方法。微管的形成机理十分复杂，微管可形成于碳包裹体或硅滴，可终止于六边形空洞或硅滴处。因此在存在多种缺陷且缺陷数量多的晶体中的微管，其微管产生的应力可以通过其他缺陷得以释放，应力得到弛豫，因此掺杂元素引起的晶格畸变产生应力，有可能导致新微管产生。近年来，随着深入研究SiC单晶生长过程中各类缺陷的形成机制，并采用多种方法消除碳包裹体、硅滴、空洞、多型等缺陷后，SiC晶体质量大幅度提升，堪称类完美晶体，并且已经取得一定的应用成果，但是类完美晶体中依然存在一定数量的微管，将单晶微管密度降至最低，甚至达到零微管水平是目前的技术难题。该难题的解决将促进整个光电子和微电子SiC器件的快速发展。
发明内容
为了克服现有技术的不足，针对SiC单晶中微管缺陷的特点，本发明提供一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法。
术语说明：
微管是SiC所特有的单晶缺陷，是沿着c轴方向延续生长的空心螺位错，可贯穿整个晶棒。微管在晶体生长过程中，常常成为生长螺旋的中心，因此实际上，微管是柏氏矢量为c的整数倍的螺位错。
大尺寸高质量SiC是指尺寸在2-6英寸，微管缺陷密度≤10个/cm2，晶体中无其他缺陷，如硅滴、包裹体、空洞、多型等。
高纯氮气是指纯度在99.999%以上的氮气，高纯Ar是指纯度在99.999%以上的Ar。
本发明的技术方案如下：
一种降低高质量SiC单晶中微管密度的生长方法，包括在单晶炉中采用升华法生长SiC单晶，包括步骤如下：
将SiC粉料放在石墨坩埚的下部，SiC籽晶置于坩埚上部，采用横截面尺寸为2‐6英寸的SiC籽晶，生长前，先抽真空，使生长室真空度在10-4Pa～10-2Pa。生长压力为10‐50mbar，坩埚上盖温度控制在2100-2400℃，成核速率控制在20-100μm/h，轴向的温度梯度控制在50-200℃/mm，晶体生长时间为40‐100h；采用感应加热方式；
晶体生长20-24h时，向生长室中通入高纯氮气，氮气流量为5‐30sccm，通入时间为2‐10h。间隔20h后，再通入同等流量、相同时间的氮气；周期性地重复此过程，得到间歇性掺氮的SiC单晶；
晶体生长结束后，在氩气的保护下，逐步降低功率，使生长系统的温度缓慢降至室温，降温速率控制在20-100℃/h。
根据本发明优选的，所述籽晶是4H‐SiC籽晶，生长面为碳面，即（000‐1）面，生长方向为沿c轴[0001]方向。
根据本发明优选的，周期性地重复通入高纯氮气2‐5次。
根据本发明优选的，生长室真空度为10-4Pa，成核速率控制在50-100μm/h，坩埚上盖温度是2300℃，生长压力时50mbar，轴向温度梯度控制在100℃/mm，通入氮气流量是20sccm，每次通氮气时间是5h，晶体生长时间是40-50h，生长结束后降温速率控制在20-30℃/h。
根据本发明的方法得到的SiC单晶，无空洞、硅滴、多型等缺陷，微管总量少，微管密度不超过2个/cm2。
根据本发明优选的，用所得到的SiC单晶晶片做籽晶，继续重复所述的生长步骤，得到二代生长的SiC晶体；用所得到的二代SiC单晶晶片做籽晶，再一次重复所述生长步骤，进行三代生长后，所得SiC晶体微管密度小于0.5个/cm2。
用所得到的SiC单晶晶片做籽晶，重复本发明的生长步骤，得到二代生长的SiC晶体微管密度不超过1个/cm2。三代生长后所得SiC晶体微管密度小于0.5个/cm2。即经过三代循环生长后，晶体微管密度可小于0.5个/cm2。按上述的方法继续经过6-8代循环生长后，可获得几乎无微管的SiC单晶。
因此，采用本发明所述的降低高质量SiC单晶中微管密度的生长方法制备的SiC单晶做籽晶，籽晶微管密度不超过2个/cm2，重复以上所述的降低SiC单晶中微管密度的生长方法的步骤，获得二代SiC单晶，在以此二代SiC单晶做籽晶，继续重复以上所述的降低SiC单晶中微管密度的生长方法的步骤，获得三代SiC单晶，按此循环6-8代，获得几乎无微管的SiC单晶。
本发明的方法包括两个方面的改进，一方面是对成核工艺及生长条件进行优化，如成核速率、温度梯度、生长温度和压力等可以控制晶体生长的输运过程，可有效阻止新微管的产生。通过优化和稳定生长参数可控制微管的增殖，但无法消除由籽晶继承来的微管。因此，另一方面是通过调制掺氮的方法阻断微管在晶体内的延伸。微管作为一种线缺陷，不能在一个完整晶体的内部中断，只有碰到表面、界面、应力场或其它缺陷时，才可以终止，但是由于高质量晶体中无其他缺陷，本发明通过人为引入界面，即调制掺氮，从而中断了微管在晶体内的延伸。在正常的生长步骤中，周期性地向生长腔中通入氮气，其流量为5‐30sccm，通入时间为2‐10h。在单晶中产生周期性的生长条纹，该生长条纹即为具有高氮杂质的应力层。由籽晶继承来的微管，当微管延伸到掺氮条纹界面时，即可终止，如图6。
采用该方法生长的SiC晶体，尤其后期生长的晶体，微管密度会大大降低，所得SiC晶体做籽晶继续生长新晶体，依然采用上述方法降低微管密度，经过几代籽晶和晶体的循环后，晶体的微管密度将会大幅度下降。本发明的优点在于，经过长期循环生长后，SiC可达到无微管，并通过控制生长条件使在晶体生长过程中不产生新微管，则最终可得到大尺寸高质量的无微管SiC单晶。
附图说明
图1是实施例1所用的3英寸SiC籽晶的微管缺陷度分布图，其微管密度小于10个/cm2。
图2是实施例1经过一代循环生长制备的3英寸SiC衬底的微管缺陷密度分布图，其微管密度小于2个/cm2。
图3是实施例1经过二代循环生长制备的3英寸SiC衬底的微管缺陷密度分布图，其微管密度小于1个/cm2。
图4是实施例1经过三代循环生长制备的3英寸SiC衬底的微管缺陷密度分布图，其微管密度小于0.5个/cm2。
图5是同步辐射实验室测定的微管分布，3英寸面积内只有一个微管缺陷，微管密度为0.02个/cm2。
图6是SiC单晶纵切片，一条微管终止于掺氮条纹处。图中，1、掺氮条纹，2、微管，3、籽晶；图右侧向上的箭头为生长方向。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步说明，但不限于此。实施例中所用的晶体生长设备为SiC单晶生长炉。使用高纯氮气是纯度在99.999%以上的氮气。
实施例1：
在SiC单晶炉中，采用升华法生长SiC单晶，采用感应加热方式，生长单晶的尺寸为3英寸。将SiC粉料放在石墨坩埚的下部，SiC籽晶置于坩埚上部，SiC籽晶与SiC粉料之间保持一定的距离。
生长前，先抽真空以去除杂质，使生长室真空度达到10-4Pa。采用的籽晶面尺寸是3英寸，生长面为碳面，生长方向沿c轴[0001]方向。籽晶的微管缺陷密度4.5个/cm2。生长时，生长压力为5mbar，坩埚上盖温度在2100℃，成核速率控制在10μm/h，轴向的温度梯度控制在50℃/mm。生长20h后，向生长室中通过5h高纯氮气，其流量为5sccm。每间隔20h，再通入相同时间和流量的氮气。生长时间40h，生长完后，降温速率是20℃/h。此步骤重复进行几次，得到间歇性掺氮的SiC单晶。
晶体生长结束后，为了降低晶体内部的热应力，在氩气的保护下，逐步降低功率，使生长系统的温度缓慢降至室温，降温速率20-30℃/h。
SiC单晶经过切割、研磨和抛光后，用光学显微镜观察缺陷情况，无碳包裹体、空洞、硅滴、多型等缺陷，微管总量少，微管密度1.8个/cm2，如图2。用该晶片做籽晶，重复以上生长步骤，新生长的晶体微管密度0.8个/cm2，如图3。再进行一代生长循环后，晶体微管密度小于0.5个/cm2，如图4。即经过三代循环生长后，晶体微管密度可小于0.5个/cm2。
测试微管密度所用仪器是显微镜，由日本OLYMPUS公司生产。抛光后的晶片通过显微镜的反射偏光模式进行观察。微管的偏光像具有彗星状，一般为带托尾的小黑点，这是由于微管贯穿整个晶片，而光学显微镜有一定的景深，微管在焦平面以下的部分显示为一模糊的小尾，由此可以确定微管的存在。
参照国际标准，将被测表面进行分区，保证测量点的均匀分布，测量每个小区的微管密度，各小区统计平均得到整个被测面积的平均微管密度。
3英寸SiC晶片的小区划分如图1所示，整个被测表面被划分成7×7mm2的小方形。直径76.2mm的晶体表面被划分成68个小区，每区中心测一点，记录微管数目和测量点的面积（由放大倍数决定），计算该点的微管密度＝微管数目/测量面积。最终得到整个被测面积的微管分布，所有小区取平均得到该晶片的平均微管密度。如图4所示，微管总个数为4个，计算得到的微管密度为0.4个/cm2。
实施例2：
一种降低高质量SiC晶体中微管密度的方法，如实施例1所述，不同之处在于，生长前，抽真空至真空度达到10-3Pa。生长时，生长压力为50mbar，坩埚上盖温度在2400℃，成核速率控制在500μm/h，轴向的温度梯度控制在200℃/mm。生长22h后，向生长室中通入2h高纯氮气，其流量为5sccm。生长时间是60h，生长完后，降温速率是40℃/h。经过三代循环生长后，结果与实施例1相同。
实施例3：
一种降低高质量SiC晶体中微管密度的方法，具体方法与实施例1相同，不同之处在于，生长前，抽真空至真空度达到10-2Pa。生长时，生长压力为45mbar，坩埚上盖温度在2200℃，成核速率控制在220μm/h，轴向的温度梯度控制在150℃/mm。生长24h后，向生长室中通过10h高纯氮气，其流量为10sccm。生长时间是100h，生长完后，降温速率是100℃/h。经过三代循环生长后，结果与实施例1相同。
实施例4：
一种无微管SiC单晶的制备方法，采用实施例1制备的SiC单晶做籽晶，经过三代循环后所得SiC单晶的微管密度0.4个/cm2。
以此晶片做籽晶，继续重复实施例1的生长方法的步骤，按此循环8代，最后获得的SiC单晶，按实施例1的方法测量微管，未检出。在同步辐射实验室测试结果为在3英寸面积内只有一个微管，只有0.02个/cm2，接近零微管水平，如图5所示。
Claims (6)
1.一种降低高质量SiC单晶中微管密度的生长方法，包括在单晶炉中采用升华法生长SiC单晶，包括步骤如下：
将SiC粉料放在石墨坩埚的下部，SiC籽晶置于坩埚上部，采用横截面尺寸为2‐6英寸的SiC籽晶，生长前，先抽真空，使生长室真空度在10-4Pa～10-2Pa；载气为高纯Ar气，生长压力为5‐50mbar，坩埚上盖温度控制在2100-2400℃，生长速率控制在20-500μm/h，轴向的温度梯度控制在50-200℃/mm，晶体生长时间为40‐100h；采用感应加热方式；
晶体生长20-24h时，向生长室中通入高纯氮气，氮气流量为5‐30sccm，通入时间为2‐10h。间隔20h后，再通入同等流量、相同时间的氮气；周期性地重复此过程，得到间歇性掺氮的SiC单晶；
晶体生长结束后，在氩气的保护下，逐步降低功率，使生长系统的温度缓慢降至室温，降温速率控制在20-100℃/h。
2.根据权利要求1所述的降低高质量SiC单晶中微管密度的生长方法，其特征在于，所述籽晶是4H‐SiC籽晶，生长面为碳面，生长方向为沿c轴[0001]方向。
3.根据权利要求1所述的降低高质量SiC单晶中微管密度的生长方法，其特征在于，周期性地重复通入高纯氮气2‐5次。
4.根据权利要求1所述的降低高质量SiC单晶中微管密度的生长方法，其特征在于，生长室真空度为10-4Pa，成核速率控制在50-100μm/h，坩埚上盖温度是2300℃，生长压力是50mbar，轴向温度梯度控制在100℃/mm，通入氮气流量是20sccm，每次通氮气时间是5h，晶体生长时间是40-50h，生长结束后降温速率控制在20-30℃/h。
5.根据权利要求1所述的降低高质量SiC单晶中微管密度的生长方法，其特征在于，用所得到的SiC单晶晶片做籽晶，重复所述的生长步骤，得到二代生长的SiC晶体；用所得到的二代SiC单晶晶片做籽晶，再一次重复所述生长步骤，进行三代生长后，所得SiC晶体微管密度小于0.5个/cm2。
6.一种降低高质量SiC单晶中微管密度的生长方法，包括采用权利要求1‐4任一项所述的降低高质量SiC单晶中微管密度的生长方法制备的SiC单晶做籽晶，籽晶微管密度不超过2个/cm2，重复所述的生长步骤，获得二代SiC单晶，以此二代SiC单晶做籽晶，继续重复以上所述的降低SiC单晶中微管密度的生长方法的步骤，获得三代SiC单晶，按此循环6-8代，获得几乎无微管的SiC单晶。
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103590101B (zh) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105463574A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-04-06 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 一种防止碳化硅晶锭碎裂的方法 |
| CN105525350A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-04-27 | 中国电子科技集团公司第二研究所 | 一种生长大尺寸低缺陷碳化硅单晶和晶片的方法 |
| JP2017095319A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 新日鐵住金株式会社 | ＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法及びＳｉＣ単結晶インゴット並びにＳｉＣ単結晶ウェハ |
| CN106894089A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-06-27 | 中科钢研节能科技有限公司 | 碳化硅单晶的制备方法 |
| CN107190323A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-09-22 | 宝鸡文理学院 | 一种生长低缺陷碳化硅单晶的方法 |
| CN107208310A (zh) * | 2015-03-24 | 2017-09-26 | 新日铁住金株式会社 | 碳化硅单晶的制造方法 |
| CN107385512A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-11-24 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种抑制碳化硅单晶中碳包裹体缺陷的生长方法 |
| CN108642543A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-10-12 | 江苏和兴汽车科技有限公司 | 一种铝合金耐高温阳极氧化层的制备工艺 |
| CN109943887A (zh) * | 2018-08-02 | 2019-06-28 | 山东大学 | 一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法 |
| CN110396717A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-11-01 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 高质量高纯半绝缘碳化硅单晶、衬底及其制备方法 |
| CN110670123A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-10 | 河北同光晶体有限公司 | 一种延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法 |
| CN113186601A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-07-30 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | 高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法 |
| WO2022226968A1 (zh) * | 2021-04-30 | 2022-11-03 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | 高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法 |
| CN117166055A (zh) * | 2022-06-02 | 2023-12-05 | 株式会社力森诺科 | SiC单晶基板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1167511A (zh) * | 1994-11-30 | 1997-12-10 | 克里研究公司 | 减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构 |
| CN102268735A (zh) * | 2011-07-05 | 2011-12-07 | 山东大学 | 一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法 |
| JP2012176867A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶育成用種結晶及び炭化珪素単結晶の製造方法並びに炭化珪素単結晶インゴット |
-
2013
- 2013-11-06 CN CN201310547407.1A patent/CN103590101B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1167511A (zh) * | 1994-11-30 | 1997-12-10 | 克里研究公司 | 减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构 |
| JP2012176867A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶育成用種結晶及び炭化珪素単結晶の製造方法並びに炭化珪素単結晶インゴット |
| CN102268735A (zh) * | 2011-07-05 | 2011-12-07 | 山东大学 | 一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 韩荣江 等: "微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化", 《硅酸盐学报》, vol. 32, no. 11, 30 November 2004 (2004-11-30), pages 1377 - 1380 * |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107208310B (zh) * | 2015-03-24 | 2019-10-11 | 昭和电工株式会社 | 碳化硅单晶的制造方法 |
| CN107208310A (zh) * | 2015-03-24 | 2017-09-26 | 新日铁住金株式会社 | 碳化硅单晶的制造方法 |
| JP2017095319A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 新日鐵住金株式会社 | ＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法及びＳｉＣ単結晶インゴット並びにＳｉＣ単結晶ウェハ |
| CN105525350A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-04-27 | 中国电子科技集团公司第二研究所 | 一种生长大尺寸低缺陷碳化硅单晶和晶片的方法 |
| CN105463574A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-04-06 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 一种防止碳化硅晶锭碎裂的方法 |
| CN106894089A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-06-27 | 中科钢研节能科技有限公司 | 碳化硅单晶的制备方法 |
| CN107190323A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-09-22 | 宝鸡文理学院 | 一种生长低缺陷碳化硅单晶的方法 |
| CN107385512A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-11-24 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种抑制碳化硅单晶中碳包裹体缺陷的生长方法 |
| CN107385512B (zh) * | 2017-06-30 | 2019-06-25 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种抑制碳化硅单晶中碳包裹体缺陷的生长方法 |
| CN108642543B (zh) * | 2018-05-30 | 2020-06-05 | 江苏和兴汽车科技有限公司 | 一种铝合金耐高温阳极氧化层的制备工艺 |
| CN108642543A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-10-12 | 江苏和兴汽车科技有限公司 | 一种铝合金耐高温阳极氧化层的制备工艺 |
| CN109943887A (zh) * | 2018-08-02 | 2019-06-28 | 山东大学 | 一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法 |
| CN109943887B (zh) * | 2018-08-02 | 2021-09-24 | 山东大学 | 一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法 |
| CN110396717A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-11-01 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 高质量高纯半绝缘碳化硅单晶、衬底及其制备方法 |
| CN110396717B (zh) * | 2019-07-12 | 2020-07-28 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 高质量高纯半绝缘碳化硅单晶、衬底及其制备方法 |
| CN110670123B (zh) * | 2019-09-23 | 2021-03-26 | 河北同光晶体有限公司 | 一种延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法 |
| CN110670123A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-10 | 河北同光晶体有限公司 | 一种延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法 |
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| CN117166055A (zh) * | 2022-06-02 | 2023-12-05 | 株式会社力森诺科 | SiC单晶基板 |
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