JP4774537B2 - SiCエピタキシャル膜の製造方法、およびスペーサー形成方法 - Google Patents
SiCエピタキシャル膜の製造方法、およびスペーサー形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4774537B2 JP4774537B2 JP2007195066A JP2007195066A JP4774537B2 JP 4774537 B2 JP4774537 B2 JP 4774537B2 JP 2007195066 A JP2007195066 A JP 2007195066A JP 2007195066 A JP2007195066 A JP 2007195066A JP 4774537 B2 JP4774537 B2 JP 4774537B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spacer
- single crystal
- raw material
- material supply
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
炭素原料供給板24における単結晶SiC基板11と対向させる面にフォトレジスト(光硬化性樹脂)をスピンコーターにて全面塗布し、120℃の温度に5分間加熱するプレベーク処理を行った。フォトレジストとしては市販品を用いた。
炭素原料供給板24上に、形成するスペーサー23の位置(炭素原料供給板24における単結晶SiC基板11との対向面の周縁部2箇所)および形状(本実施形態では炭素原料供給板24の基板面に平行な断面が1mm×1mmの正方形)に応じた開口部を有するマスクを取り付けた。
炭素原料供給板24における所定の位置(炭素原料供給板24における単結晶SiC基板11との対向面の周縁部2箇所)に、機械加工によってスペーサー23を形成した。なお、機械加工によってスペーサーを形成する場合、目標厚さは20μmが限界であり、それ以上目標厚さを小さくすると、取り扱い時にスペーサーの機械強度が不足して破損してしまうという不具合が生じた。このため、比較例1では目標厚さを20μmとしてスペーサーを形成した。
={(max+min)/2−min}/{(max+min)/2}
=(max−min)/(max+min)
また、異なる複数の基板間における膜厚均一性については、同一の形成方法で形成した異なる複数の各基板における膜厚測定結果の平均値の最大値をAmax、最小値をAminとしたときの、最大値Amaxと最小値Aminの平均値に対する最大値Amaxおよび最小値Aminの比Rbに基づいて評価した。つまり、上記の比Rbは以下の式で表される。
={(Amax+Amin)/2−Amin}/{(Amax+Amin)/2}
=(Amax−Amin)/(Amax+Amin)
11 単結晶SiC基板
12 活性層(第2の単結晶SiCエピタキシャル膜)
22 支持基板
23 スペーサー
24 炭素原料供給板
25 Si基板
26 重石
27 金属Si融液層
Claims (3)
- 単結晶SiC基板と炭素原料供給板とをスペーサーを介して対向させ、上記単結晶SiC基板と上記炭素原料供給板との間に生じるスペースに金属Si融液を介在させた状態で熱処理を行うことによって上記単結晶SiC基板上にSiCをエピタキシャル成長させてSiCエピタキシャル膜を製造する工程で用いられる上記スペーサーの形成方法であって、
上記単結晶SiC基板および上記炭素原料供給板のうちの少なくとも一方の表面に上記スペーサーとなる硬化性樹脂を塗布する塗布工程と、この硬化性樹脂を硬化させる硬化工程とを含むことを特徴とするスペーサーの形成方法。 - 単結晶SiC基板と炭素原料供給板とをスペーサーを介して対向させ、上記単結晶SiC基板と上記炭素原料供給板との間に生じるスペースに金属Si融液を介在させた状態で熱処理を行うことによって上記単結晶SiC基板上にSiCをエピタキシャル成長させてSiCエピタキシャル膜を製造する工程で用いられる上記スペーサーの形成方法であって、
上記単結晶SiC基板および上記炭素原料供給板のうちの少なくとも一方の表面に、上記スペーサーの位置および形状に応じた開口部を有するマスクを配置するマスク配置工程と、上記開口部を介して上記少なくとも一方の表面に上記スペーサーとなる材料を蒸着させる蒸着工程とを含むことを特徴とするスペーサーの形成方法。 - 単結晶SiCエピタキシャル膜の製造方法であって、
単結晶SiC基板および炭素原料供給板のうちの少なくとも一方の表面に請求項1または2に記載の方法を用いてスペーサーを形成する工程と、
上記単結晶SiC基板と上記炭素原料供給板とを上記スペーサーを介して対向させる工程と、
上記単結晶SiC基板と上記炭素原料供給板との間に金属Si融液を介在させた状態で熱処理を行うことによって上記単結晶SiC基板上にSiCをエピタキシャル成長させる工程とを含むことを特徴とするSiCエピタキシャル膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007195066A JP4774537B2 (ja) | 2007-07-26 | 2007-07-26 | SiCエピタキシャル膜の製造方法、およびスペーサー形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007195066A JP4774537B2 (ja) | 2007-07-26 | 2007-07-26 | SiCエピタキシャル膜の製造方法、およびスペーサー形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009029656A JP2009029656A (ja) | 2009-02-12 |
JP4774537B2 true JP4774537B2 (ja) | 2011-09-14 |
Family
ID=40400581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007195066A Expired - Fee Related JP4774537B2 (ja) | 2007-07-26 | 2007-07-26 | SiCエピタキシャル膜の製造方法、およびスペーサー形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4774537B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5688780B2 (ja) * | 2013-05-07 | 2015-03-25 | 学校法人関西学院 | SiC基板、炭素供給フィード基板及び炭素ナノ材料付きSiC基板 |
JP2017071519A (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 東洋炭素株式会社 | 液相エピタキシャル成長方法及びそれに用いる坩堝 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4482642B2 (ja) * | 2003-10-21 | 2010-06-16 | 学校法人関西学院 | 単結晶炭化ケイ素成長方法 |
JP4431643B2 (ja) * | 2003-10-21 | 2010-03-17 | 学校法人関西学院 | 単結晶炭化ケイ素成長方法 |
-
2007
- 2007-07-26 JP JP2007195066A patent/JP4774537B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009029656A (ja) | 2009-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11242618B2 (en) | Silicon carbide substrate and method of manufacturing the same | |
KR101530057B1 (ko) | 탄화규소 단결정 기판 및 그 제조 방법 | |
TWI330206B (en) | Seventy five millimeter silicon carbide wafer with low warp, bow, and ttv | |
US10934634B2 (en) | Polycrystalline SiC substrate and method for manufacturing same | |
TWI660076B (zh) | 碳化矽晶體及其製造方法 | |
WO2015151412A1 (ja) | SiC種結晶の加工変質層の除去方法、SiC種結晶及びSiC基板の製造方法 | |
WO2015182246A1 (ja) | 炭化珪素インゴットの製造方法、炭化珪素種基板および炭化珪素基板 | |
CN105780107A (zh) | 提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法以及用于碳化硅晶体生长的方法 | |
JP2011222750A (ja) | 炭化珪素単結晶ウェハの製造方法及びこの方法で得られた炭化珪素単結晶ウェハ | |
JP5418385B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
EP2921575A1 (en) | Silicon carbide single crystal substrate and process for producing same | |
JP2015182948A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造方法 | |
JP5263900B2 (ja) | 単結晶SiCの成長方法 | |
JP4774537B2 (ja) | SiCエピタキシャル膜の製造方法、およびスペーサー形成方法 | |
JP5732288B2 (ja) | 自立基板の製造方法 | |
JP4494856B2 (ja) | 炭化珪素単結晶成長用種結晶とその製造方法及びそれを用いた結晶成長方法 | |
JP2014024703A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
WO2015012190A1 (ja) | SiC基板の製造方法 | |
JP4661039B2 (ja) | 炭化珪素基板の製造方法 | |
WO2020059810A1 (ja) | デバイス作製用ウエハの製造方法 | |
JP5948988B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP6424806B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
JP2007137714A (ja) | 単結晶の製造方法及び単結晶の製造装置 | |
JP2014009115A (ja) | 基板製造方法 | |
KR101866869B1 (ko) | SiC 소재 및 SiC 복합 소재 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20091124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110531 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110607 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |