TWI638235B - 含多環芳香族乙烯基化合物之自己組織化膜的下層膜形成組成物 - Google Patents

含多環芳香族乙烯基化合物之自己組織化膜的下層膜形成組成物 Download PDF

Info

Publication number
TWI638235B
TWI638235B TW102146658A TW102146658A TWI638235B TW I638235 B TWI638235 B TW I638235B TW 102146658 A TW102146658 A TW 102146658A TW 102146658 A TW102146658 A TW 102146658A TW I638235 B TWI638235 B TW I638235B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
self
polymer
forming composition
aromatic vinyl
Prior art date
Application number
TW102146658A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201430501A (zh
Inventor
染谷安信
若山浩之
遠藤貴文
坂本力丸
Original Assignee
日商日產化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日產化學工業股份有限公司 filed Critical 日商日產化學工業股份有限公司
Publication of TW201430501A publication Critical patent/TW201430501A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI638235B publication Critical patent/TWI638235B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/32—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing two or more rings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/32—Processes for applying liquids or other fluent materials using means for protecting parts of a surface not to be coated, e.g. using stencils, resists
    • B05D1/322—Removable films used as masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/36—Successively applying liquids or other fluent materials, e.g. without intermediate treatment
    • B05D1/38—Successively applying liquids or other fluent materials, e.g. without intermediate treatment with intermediate treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
    • B05D3/0254—After-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/10—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by other chemical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/24—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials for applying particular liquids or other fluent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D125/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D139/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D139/04—Homopolymers or copolymers of monomers containing heterocyclic rings having nitrogen as ring member
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D145/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic or in a heterocyclic system; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D153/00—Coating compositions based on block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D201/00—Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2325/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Derivatives of such polymers
    • C08J2325/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2325/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Derivatives of such polymers
    • C08J2325/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
    • C08J2325/04—Homopolymers or copolymers of styrene
    • C08J2325/08—Copolymers of styrene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2325/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Derivatives of such polymers
    • C08J2325/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
    • C08J2325/04—Homopolymers or copolymers of styrene
    • C08J2325/08—Copolymers of styrene
    • C08J2325/14—Copolymers of styrene with unsaturated esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2333/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2333/04—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2333/06—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing only carbon, hydrogen, and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C08J2333/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C08J2333/12—Homopolymers or copolymers of methyl methacrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2339/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen; Derivatives of such polymers
    • C08J2339/04—Homopolymers or copolymers of monomers containing heterocyclic rings having nitrogen as ring member
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

本發明提供一種不會與上層之自己組織化膜引起互混(層混合)，而於自己組織化膜上形成垂直圖型之自己組織化膜的下層膜。
本發明之自己組織化膜的下層膜形成組成物之特徵係包含聚合物之每一全單位構造具有0.2莫耳%以上之多環芳香族乙烯基化合物之單位構造的聚合物。前述聚合物係聚合物之每一全單位構造具有20莫耳%以上之芳香族乙烯基化合物之單位構造，且芳香族乙烯基化合物之每一全單位構造具有1莫耳%以上之多環芳香族乙烯基化合物之單位構造的聚合物。前述芳香族乙烯基化合物包含各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，前述多環芳香族乙烯基化合物為乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。且前述芳香族乙烯基化合物包含可經取代之苯乙烯與各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，多環芳香族乙烯基化合物為乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。

Description

含多環芳香族乙烯基化合物之自己組織化膜的下層膜形成組成物
本發明係關於下層膜形成組成物，其係用於形成自己組織化膜的下層膜用之下層膜形成組成物，藉由其之熱燒成所形成之下層膜係使用於液晶顯示器、硬碟用記錄材料、固體攝像元件、太陽能電池面板、發光二極體、有機發光裝置、發光膜、螢光膜、MEMS、致動器、抗反射材料、阻劑、阻劑下層膜、阻劑上層膜或奈米壓印用模板(模型)等。且本發明係關於使用該下層膜形成用組成物，形成自己組織化膜之圖型構造之形成方法。
具有奈米等級之重複構造之自己組織化膜已知具有與一般同質之膜不同之特性，且已提案使用嵌段聚合物之帶有奈米等級重複構造之自己組織化膜。
例如，關於在非硬化性聚苯乙烯/聚(甲基丙烯酸甲酯)共聚物中混合有機光致變色(photochromic) 材料之特性已有報導(非專利文獻1)。
且針對使用利用非硬化性聚苯乙烯/聚(甲基丙烯酸甲酯)共聚物之電漿蝕刻的奈米圖型化特性已有報導(專利文獻2)。
再者針對使用非硬化性聚苯乙烯/聚(甲基丙烯酸甲酯)共聚物之奈米圖型化特性已有報導(專利文獻3)。
使用含有由具有含氟乙烯單體單位之聚合物鏈與至少具有矽烷基之乙烯單體單位所成之聚合物鏈而構成之嵌段聚合物之薄膜用塗佈組成物已被揭示(參照專利文獻1)。
於使構成嵌段聚合物之複數個片段規則性配列之嵌段聚合物層上形成圖型之圖型形成方法已被揭示(參照專利文獻2)。
已揭示含嵌段聚合物、交聯劑及有機溶劑之膜形成組成物。使用該膜形成組成物之自己組織化膜，為使嵌段聚合物圖型化成圓筒形狀，可將圖型資訊輸入至下層膜(例如，使用有機膜)。加工基板上之下層膜(例如，使用有機膜)中為了將圖型排列於目的位置上，而與排列位置重疊地照射紫外線、或輻射線，引起凹凸或表面能量(親水．疏水性)變化，可使用嵌段聚合物使(自己組織化)膜形成組成物之聚合物鏈(A)成分或聚合物鏈(B)成分排列於各別之目的位置(以上，參照專利文獻3)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-284623號公報
[專利文獻2]日本特開2009-234114號公報
[專利文獻3]日本特開2011-122081號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]Toshiko Mizokuro等人，Japanese Journal of Applied Physics, 42, L983(2003)
[非專利文獻2]Koji Asakawa等人，Japanese Journal of Applied Physics, 41, 6112(2002)
[非專利文獻3]Rachel A. Segalaman, Materials Science and Engineering, R48, 191(2005)
本發明提供一種用以形成利用嵌段聚合物形成自己組織化膜時，為使自己組織化膜容易地排列成期望之垂直圖型而可有利使用之下層膜之組成物。且本發明提供一種不與上層之自己組織化膜引起混合(層混合)，且可於自己組織化膜上形成垂直圖型之用於形成該自己組織化膜之下層膜用之組成物。
本發明之第1觀點係一種自己組織化膜的下 層膜形成組成物，其特徵為含有聚合物之每一全單位構造具有0.2莫耳%以上之多環芳香族乙烯基化合物之單位構造的聚合物。
第2觀點係第1觀點所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述聚合物係聚合物之每一全單位構造具有20莫耳%以上之芳香族乙烯基化合物之單位構造，且該芳香族乙烯基化合物之每一全單位構造具有1莫耳%以上之多環芳香族乙烯基化合物之單位構造的聚合物。
第3觀點係第2觀點所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述芳香族乙烯基化合物包含各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，且前述多環芳香族乙烯基化合物係乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。
第4觀點係第2觀點或第3觀點所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述芳香族乙烯基化合物包含可經取代之苯乙烯、與各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，且前述多環芳香族乙烯基化合物係乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。
第5觀點係第2觀點至第4觀點中任一項所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述芳香族乙烯基化合物係可經取代之苯乙烯、與各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，且前述多環芳香族乙烯基化合物為各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。
第6觀點係第2觀點至第5觀點中任一項所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述芳香族乙烯基 化合物僅由多環芳香族乙烯基化合物所構成，且前述芳香族乙烯基化合物係各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。
第7觀點係第2觀點至第6觀點中任一項所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述聚合物係聚合物之每一全單位構造具有60~95莫耳%之芳香族乙烯基化合物之單位構造。
第8觀點係第1觀點至第7觀點中任一項所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述聚合物進一步具有具交聯形成基之單位構造。
第9觀點係第8觀點所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述交聯形成基為羥基、環氧基、經保護之羥基或經保護之羧基。
第10觀點係第1觀點至第9觀點中任一項所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其進一步含有交聯劑。
第11觀點係第1觀點至第10觀點中任一項所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其進一步含有酸或酸產生劑。
第12觀點係第1觀點至第11觀點中任一項所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述自己組織化膜係由包含含有有機單體(a)作為單位構造之有機聚合物鏈(A)、及含有與有機單體(a)不同之單體(b)作為單位構造且鍵結於該有機聚合物鏈(A)所成之聚合物 鏈(B)的嵌段聚合物所成之膜。
第13觀點係第12觀點所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述嵌段聚合物係由聚苯乙烯(A)與聚甲基丙烯酸甲酯(B)、聚苯乙烯(A)與聚異戊二烯(B)、聚苯乙烯(A)與聚丁二烯(B)、聚苯乙烯(A)與聚二甲基矽氧烷(B)、聚苯乙烯(A)與聚環氧乙烷(B)、或聚苯乙烯(A)與聚乙烯基吡啶(B)之各組合所成之嵌段聚合物。
第14觀點係一種形成自己組織化膜之圖型構造的形成方法，其包含將第1觀點至第13觀點中任一項所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物塗佈於基板上並進行燒成而形成下層膜之步驟、將自己組織化膜形成組成物塗佈於該下層膜上並進行燒成之步驟。
第15觀點係一種形成自己組織化膜之圖型構造的形成方法，其包含將第8觀點或第9觀點所記載之自己組織化膜的下層膜形成組成物塗佈於基板上並進行燒成而形成下層膜之步驟、使該下層膜與溶劑接觸而去除該下層膜之表面層之步驟、將自己組織化膜形成組成物塗佈於已去除該表面層之下層膜上並進行燒成之步驟。
第16觀點係第14觀點或第15觀點所記載之圖型構造的形成方法，其係包含在塗佈自己組織化膜的下層膜形成組成物並進行燒成而形成下層膜之步驟之前，於基材上形成底層膜之步驟。
第17觀點係第16觀點所記載之圖型構造的形成方 法，其中前述底層膜係抗反射膜或硬遮罩。
第18觀點係一種裝置，其係以第14觀點至第17觀點中任一項所記載之圖型構造的形成方法所得者。
本發明之自己組織化膜之下層膜形成組成物可形成下層膜，其可使於其上形成之自己組織化膜容易地排列成期望之垂直圖型。
且使用本發明之自己組織化膜的下層膜形成組成物所形成之下層膜不會與於上層形成之自己組織化膜引起相互混合，可於自己組織化膜上形成垂直圖型。
另本發明之下層膜形成組成物係形成下層膜之組成物，該下層膜係用於自己組織化膜，尤其是由含有機單體(a)作為單位構造之有機聚合物鏈(A)、與含有與有機單體(a)不同之單體(b)作為單位構造且鍵結於該有機聚合物鏈(A)所成之聚合物鏈(B)所構成、且藉燒成獲得之自己組織化膜。
而且藉由以本發明之下層膜形成組成物形成之下層膜，可對該自己組織化膜中之嵌段聚合物引起微相分離，進行自己組織化。
尤其本發明之下層膜形成組成物中所含之聚合物係具有乙烯基萘之單位構造等之多環芳香族乙烯基化合物的單位構造之聚合物，以該聚合物形成之下層膜可使其上層存在之自己組織化膜中之自己組織化聚合物進行微相分離， 形成具有垂直層狀構造或垂直圓筒構造之自己組織化膜。
據此，藉由以本發明之自己組織化膜之下層膜形成組成物形成之下層膜，經微相分離之自己組織化膜認為可適用於利用有機聚合物鏈(A)與聚合物鏈(B)之聚合物間之性質差之各種。例如，亦可形成相當於利用聚合物間之蝕刻速度差(鹼溶解速度差，或氣體蝕刻速度差)之阻劑圖型的圖型。
圖1係顯示於由實施例1獲得之自己組織化膜之下層膜上形成由嵌段聚合物所成之自己組織化膜，且使自己組織化膜形成垂直層狀構造之狀態的掃描型電子顯微鏡照片(倍率為20萬倍)之圖。
圖2係顯示於由比較例1獲得之自己組織化膜之下層膜上形成由嵌段聚合物所成之自己組織化膜，且使自己組織化膜形成水平層狀構造之狀態的掃描型電子顯微鏡照片(倍率為20萬倍)之圖。
本發明係以自己組織化膜之下層膜形成組成物為對象，詳言之，係關於一種自己組織化膜之下層膜形成組成物，其特徵係含有聚合物之每一單位構造具有0.2莫耳%以上之多環芳香族乙烯基化合物之單位構造之聚合 物。
本發明之自己組織化膜之下層膜形成組成物含上述聚合物及較好含溶劑，可進而含交聯劑，且可進而含酸或酸產生劑。而且，可視需要含有界面活性劑。
本發明之自己組織化膜之下層膜形成組成物係用以形成存在於自己組織化膜之下層上之膜的組成物，將該下層膜形成組成物塗佈於基板上，進行燒成，形成下層膜，且於其上塗佈自己組織化膜形成組成物，進行乾燥，形成自己組織化膜。
本發明之下層膜形成組成物可將固體成分設為0.01~20質量%，或0.01~15質量%，或0.1~15質量%。所謂固體成分係自下層膜形成組成物中去除溶劑或水後剩餘之比例。
本發明之下層膜形成組成物中之全部固體成分中所佔之上述聚合物之比例可設為60~100質量%，或70~99質量%。
[自己組織化膜之下層形成組成物] 〈聚合物〉
本發明之下層膜形成組成物較好包含聚合物之每一全單位構造具有20莫耳%以上之芳香族乙烯基化合物之單位構造之聚合物，且係該芳香族乙烯基化合物之每一全單位構造以1莫耳%以上、或20莫耳%~100莫耳%、或50莫耳%~100莫耳%之範圍具有多環芳香族乙烯基化合物之 單位構造之聚合物。
前述芳香族乙烯基化合物較好含各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，前述多環芳香族乙烯基化合物較好為乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。
本發明之下層膜形成組成物中所用之聚合物必須含多環芳香族乙烯基化合物，且作為該多環芳香族乙烯基化合物之上位概念化合物可任意含芳香族乙烯基化合物。
前述多環芳香族乙烯基化合物列舉為乙烯基萘、乙烯基蒽、苊烯、乙烯基咔唑等化合物。且，其他芳香族乙烯基化合物列舉為苯乙烯等之化合物。
前述芳香族乙烯基化合物較好包含可經取代之苯乙烯、與各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，此時多環芳香族乙烯基化合物可成為乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。
而且，前述芳香族乙烯基化合物較好為可經取代之苯乙烯，與各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，此時多環芳香族乙烯基化合物可成為亦即各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。
而且，前述芳香族乙烯基化合物僅由多環芳香族乙烯基化合物所組成時，前述芳香族乙烯基化合物可成為各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。
此時，較好為以前述聚合物之每一全單位構造具有60~95莫耳%之芳香族乙烯基化合物的單位構造之聚合物。
可為上述芳香族乙烯基化合物與多環芳香族乙烯基化合物經共聚合而成聚合物。
上述芳香族乙烯基化合物及多環芳香族乙烯基化合物中，作為芳香族環之取代基列舉為烷基、羥基、羧基、鹵基(例如，氟基、氯基、溴基、碘基)等。作為上述烷基列舉為例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、1-甲基-正丁基、2-甲基-正丁基、3-甲基-正丁基、1,1-二甲基-正丙基、1,2-二甲基-正丙基、2,2-二甲基-正丙基、1-乙基-正丙基、正己基、1-甲基-正戊基、2-甲基-正戊基、3-甲基-正戊基、4-甲基-正戊基、1,1-二甲基-正丁基、1,2-二甲基-正丁基、1,3-二甲基-正丁基、2,2-二甲基-正丁基、2,3-二甲基-正丁基、3,3-二甲基-正丁基、1-乙基-正丁基、2-乙基-正丁基、1,1,2-三甲基-正丙基、1,2,2-三甲基-正丙基、1-乙基-1-甲基-正丙基及1-乙基-2-甲基-正丙基等。且亦可使用環狀烷基作為上述碳原子數1~10之烷基，例如作為碳原子數3~10之環狀烷基列舉為環丙基、環丁基、1-甲基-環丙基、2-甲基-環丙基、環戊基、1-甲基-環丁基、2-甲基-環丁基、3-甲基-環丁基、1,2-二甲基-環丙基、2,3-二甲基-環丙基、1-乙基-環丙基、2-乙基-環丙基、環己基、1-甲基-環戊基、2-甲基-環戊基、3-甲基-環戊基、1-乙基-環丁基、2-乙基-環丁基、3-乙基-環丁基、1,2-二甲基-環丁基、1,3-二甲基-環丁基、2,2-二甲基-環丁基、2,3-二甲基-環丁基、2,4-二甲基-環丁基、3,3-二甲基- 環丁基、1-正丙基-環丙基、2-正丙基-環丙基、1-異丙基-環丙基、2-異丙基-環丙基、1,2,2-三甲基-環丙基、1,2,3-三甲基-環丙基、2,2,3-三甲基-環丙基、1-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-1-甲基-環丙基、2-乙基-2-甲基-環丙基及2-乙基-3-甲基-環丙基等。
前述聚合物可進而具有含交聯形成基之單位構造作為共聚合成分。前述聚合物具有含該交聯形成基之單位構造時，該聚合物於聚合物之每一單位構造可以1~80莫耳%，較好5~40莫耳%之比例具有含該交聯形成基之單位構造。
上述交聯形成基可為羥基、環氧基、經保護之羥基、或經保護之羧基。
具有含羥基之單位構造之單體可列舉出例如(甲基)丙烯酸羥基烷酯、源自乙烯醇等之含乙烯基之羥基或羥基苯乙烯等之酚性羥基。該烷基列舉為上述烷基，列舉為例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基等。又本說明書中所謂(甲基)丙烯酸酯意指甲基丙烯酸酯與丙烯酸酯。
具有含環氧基之單位構造之單體列舉為例如源自環氧基(甲基)丙烯酸酯、縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯等之含乙烯基之環氧基。
具有含經保護之羥基之單位構造之單體列舉為例如以第三丁氧基保護羥基苯乙烯之羥基而成之單體(4-第三丁氧基苯乙烯)。又列舉為使羥基苯乙烯等之酚 性羥基與乙烯基醚化合物反應之羥基經保護之單體，或使甲基丙烯酸羥基乙酯等之醇性羥基與乙烯基醚化合物反應之羥基經保護而成之單體等。該乙烯基醚化合物列舉為例如甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、異丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、2-乙基己基乙烯基醚、第三丁基乙烯基醚、環己基乙烯基醚等之具有碳原子數1~10之烷基鏈與乙烯基醚基之脂肪族乙烯基醚化合物，或2,3-二氫呋喃、4-甲基-2,3-二氫呋喃、2,3-二氫-4H-吡喃等之環狀乙烯基醚化合物。
具有含經保護羧基之單位構造之單體例舉為例如使(甲基)丙烯酸或乙烯基苯甲酸之羧基與乙烯基醚反應之羧基經保護之單體。此處使用之乙烯基醚化合物可例示為上述之乙烯基醚化合物。
本發明之下層膜形成組成物中所含之聚合物除前述芳香族乙烯基化合物之單位構造、前述多環芳香族乙烯基化合物之單位構造、及具有前述交聯形成基之單位構造以外，亦可進一步使用以乙烯基化合物作為單位構造而共聚合之聚合物。前述聚合物具有該乙烯基化合物之單位構造時，該聚合物可以聚合物之每一全單位構造以1~80莫耳%，較好5~40莫耳%之比例含有源自該乙烯基化合物之單位構造。
作為該等乙烯基化合物列舉為(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸 苄酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸蒽基甲酯、(甲基)丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、(甲基)丙烯酸2,2,2-三氯乙酯、(甲基)丙烯酸2-溴乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(2-乙基)(甲基)丙烯酸丁氧基酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、(甲基)丙烯醯胺、N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙基(甲基)丙烯醯胺、N-苄基(甲基)丙烯醯胺、N-苯基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-蒽基(甲基)丙烯醯胺、甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、苄基乙烯基醚、乙酸乙烯酯、乙烯基三甲氧基矽烷、2-氯乙基乙烯基醚、2-甲氧基乙基乙烯基醚等。
本發明之自己組織化膜之下層膜形成組成物中所用之聚合物之重量平均分子量係以1,000~200,000、或1,000~100,000、或1,000~50,000之範圍使用。
上述重量平均分子量可藉GPC測定，GPC之測定條件可使用例如GPC裝置(商品名HLC-8220GPC，Tosoh(股)製造)、GPC管柱(商品名Shodex KF803L，KF802、KF801，昭和電工(股)製造)，管柱溫度40℃，溶離液(溶出溶劑)為四氫呋喃，流量(流速)為1.0ml/min，標準試料為聚苯乙烯(昭和電工(股)製造)進行。
〈交聯劑成分〉
本發明之自己組織化膜之下層膜形成組成物可含交聯 劑成分。該交聯劑列舉為三聚氰胺系化合物、經取代之脲系化合物、或該等之聚合物系化合物等。較好為至少具有2個交聯形成取代基之交聯劑，具體而言為甲氧基甲基化甘醇脲、丁氧基甲基化甘醇脲、甲氧基甲基化三聚氰胺、丁氧基甲基化三聚氰胺、甲氧基甲基化苯胍、丁氧基甲基化苯胍、甲氧基甲基化脲、丁氧基甲基化脲、甲氧基甲基化硫脲、或甲氧基甲基化硫脲等化合物。且，亦可使用該等化合物之縮合物。
本發明之自己組織化膜之下層膜形成組成物中之交聯劑之添加量係隨使用之塗佈溶劑、使用之基底層基板、所要求之溶液黏度、所要求之膜形狀等而變，但相對於總固體成分為0.001~80質量%，較好為0.01~50質量%，更好為0.05~40質量%。
該等交聯劑亦有藉自己縮含而引起交聯反應之情況，但本發明之上述聚合物中存在交聯性取代基時，可與該等交聯性取代基引起交聯反應。
〈酸或酸產生劑〉
本發明中可含有酸或酸產生劑作為用以促進上述交聯反應之觸媒，亦即，可調配對-甲苯磺酸、三氟甲烷磺酸、吡啶鎓對-甲苯磺酸、水楊酸、磺基水楊酸、檸檬酸、苯甲酸、羥基苯甲酸、萘羧酸等酸性化合物或/及2,4,4,6-四溴環己二烯酮、苯偶因對甲苯磺酸酯、2-硝基苄基對甲苯磺酸酯、其他有機磺酸烷酯等之熱酸產生劑。該 等之調配量相對於本發明之下層膜形成組成物之總固體成分為0.0001~20質量%，較好為0.0005~10質量%，更好為0.01~3質量%。
且作為前述酸產生劑不僅有前述熱酸產生劑，亦可列舉光酸產生劑。
光酸產生劑在阻劑曝光時產生酸。因此，可調整下層膜之酸性度。此係用於使下層膜之酸性度符合上層阻劑之酸性度之一方法。且，藉由調整下層膜之酸性度，可調整於上層所形成之阻劑之圖型形狀。
本發明之自己組織化膜之下層膜形成組成物中所含之光酸產生劑列舉為鎓鹽化合物、磺醯亞胺化合物、及二磺醯基重氮甲烷化合物等。
鎓鹽化合物列舉為二苯基錪六氟磺酸鹽、二苯基錪三氟甲烷磺酸鹽、二苯基錪九氟正丁烷磺酸鹽、二苯基錪全氟正辛烷磺酸鹽、二苯基錪樟腦磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪樟腦磺酸鹽及雙(4-第三丁基苯基)錪三氟甲烷磺酸鹽等錪鹽化合物，及三苯基鋶六氟銻酸鹽、三苯基鋶九氟正丁烷磺酸鹽、三苯基鋶樟腦磺酸鹽及三苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽等鋶鹽化合物等。
磺醯胺化合物列舉為例如N-(三氟甲烷磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(九氟正丁烷磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(樟腦磺醯氧基)琥珀醯亞胺及N-(三氟甲烷磺醯氧基)萘醯亞胺等。
二磺醯基重氮甲烷化合物列舉為例如雙(三氟甲基磺 醯基)重氮甲烷、雙(二環己基磺醯基)重氮甲烷、雙(苯基磺醯基)重氮甲烷、雙(對-甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(2,4-二甲基苯磺醯基)重氮甲烷、及甲基磺醯基-對-甲苯磺醯基重氮甲烷等。
光酸產生劑可僅使用一種，或可組合兩種以上使用。
使用光酸產生劑時，其比例相對於本發明之下層膜形成組成物之固體成分100質量份，為0.01~5質量份，或0.1~3質量份，或0.5~1質量份。
〈其他添加劑〉
本發明之下層膜形成組成物除上述成分以外，可視需要進一步添加流變調整劑、接著輔助劑、界面活性劑等。
流變調整劑添加之目的主要係提高下層膜形成組成物之流動性，尤其是烘烤步驟中為了提高下層膜形成組成物之膜厚均勻性之提升而添加。具體例可列舉為苯二甲酸二甲酯、苯二甲酸二乙酯、苯二甲酸二異丁酯、苯二甲酸二己酯、苯二甲酸丁酯異癸酯等之苯二甲酸衍生物；己二酸二正丁酯、己二酸二異丁酯、己二酸二異辛酯、己二酸辛酯癸酯等之己二酸衍生物；丙二酸二正丁酯、丙二酸二乙酯、丙二酸二壬酯等之丙二酸酯衍生物；油酸甲酯、油酸丁酯、油酸四氫糠酯等之油酸衍生物；或硬脂酸正丁酯、硬脂酸甘油酯等之硬脂酸衍生物等。
該等流變調整劑相對於本發明之下層膜形成組成物之總固體成分通常以未達30質量%之比例調配。
可調配界面活性劑以抑制下層膜形成組成物之針孔或條紋等之產生，且進而提高對表面之塗佈性。界面活性劑可列舉為例如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯鯨蠟基醚、聚氧乙烯油基醚等之聚氧乙烯烷基醚類；聚氧乙烯辛基酚醚、聚氧乙烯正壬基酚醚等之聚氧乙烯烷基芳基醚類；聚氧乙烯．聚氧丙烯嵌段聚合物類；山梨糖醇酐單月桂酸酯、山梨糖醇酐單棕櫚酸酯、山梨糖醇酐單硬脂酸酯、山梨糖醇酐單油酸酯、山梨糖醇酐三油酸酯、山梨糖醇酐三硬脂酯等之山梨糖醇酐脂肪酸酯類；聚氧乙烯山梨糖醇酐單月桂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐單棕櫚酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐單硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐三油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐三硬脂酸酯等之聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯類等之非離子系界面活性劑；EF TOP EF301、EF303、EF352(三菱材料電子化成(股)(舊TOHCHEM PRODUCTS製造，商品名)、MEGAFAC F171、F173、R-30(DIC(股)製造，商品名)、FLORARD FC430、FC431(住友3M(股)製造，商品名)、ASAHI GUARD AG710、SURFLON S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(股)製造，商品名)等氟系界面活性劑；有機矽氧烷聚合物KP341(信越化學工業(股)製造)等。
該等界面活性劑之調配量相對於本發明之下層膜形成組成物之總固體成分通常為2.0質量%，較好為1.0質量%以下。該等界面活性劑可單獨添加，亦可組合2種以上添 加。
〈溶劑〉
本發明之下層膜形成組成物中，使上述聚合及視需要之交聯劑成分、交聯觸媒等溶解而製造下層膜形成組成物時使用之溶劑可使用乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、甲基溶纖素乙酸酯、乙基溶纖素乙酸酯、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、丙二醇、丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、丙氧基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、γ-丁內酯等。該等有機溶劑可單獨使用，亦可組合2種以上使用。
再者，可混合丙二醇單丁基醚、丙二醇單丁基醚乙酸酯等之高沸點溶劑而使用。
該等溶劑中，丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、γ-丁內酯及環己酮等對於提高平流性係較佳。
[圖型構造之形成方法]
以下，針對本發明之自己組織化膜之下層膜形成組成物之使用加以說明。
經歷將上述自己組織化膜之下層膜形成組成物塗佈於基板上並燒成，形成下層膜之步驟，將後述之自己組織化膜形成組成物塗佈於該下層膜上並燒成之步驟，而形成了形成自己組織化膜之圖型構造(亦稱為微相分離構造)。
前述基板列舉為例如矽晶圓基板、矽/二氧化矽被覆之基板、氮化矽基板、玻璃基板、ITO基板、聚醯亞胺基板、及低介電率材料(低-k材料)被覆之基板等。
以旋轉塗佈器、塗佈器等適當之塗佈方法將本發明之下層膜形成組成物塗佈於該基盤上，隨後經燒成而形成下層膜。
燒成條件係由燒成溫度80℃~300℃、或80℃~250℃、燒成時間0.3~60分鐘之中適當選擇。較好燒成溫度為150℃~250℃，燒成時間為0.5~2分鐘。
此處，所形成之下層膜膜厚為例如10~1,000nm，或為20~500nm，或為10~300nm，或為5~100nm。
接下來於所得下層膜上形成例如自己組織化膜之層。自己組織化膜之層的形成可藉由將後述之自己組織化膜形成組成物塗佈於下層膜上並燒成而進行。
燒成溫度係自例如80~140℃，燒成時間0.3~60分鐘之中適當選擇。較好為燒成溫度80~120℃，燒成時間0.5~2分鐘左右。
自己組織化膜之膜厚為30~10,000nm，或20~2,000nm ，或10~200nm左右。
〈自己組織化膜及自己組織化膜形成組成物〉
本發明中使用之自己組織化膜可使用由含有機單體(a)作為單位構造之有機聚合物鏈(A)，與含與有機單體(a)不同之單體(b)作為單位構造之有機聚合物鏈(B)，且該有機聚合物鏈(B)鍵結於該有機聚合物鏈(A)之嵌段聚合物所成之膜。
用以形成上述自己組織化膜之組成物(稱為自己組織化膜形成組成物)可含前述嵌段聚合物與後述之有機溶劑，此時自己組織化膜形成組成物中之固體成分可設為0.1~70質量%，或0.1~50質量%，或0.1~30質量%。所謂固體成分係自自己組織化膜形成組成物去除溶劑之剩餘比例。
自己組織化膜形成組成物中之全部固體成分中所佔之前述嵌段聚合物之比例為30~100質量%，或50~100質量%，或50~90質量%，或50~80質量%。
前述嵌段聚合物中存在之嵌段種類可為2種或3種以上。且嵌段聚合物中存在之嵌段數可為2或3個以上。
且藉由改變前述有機聚合物鏈(B)，可於前述嵌段聚合物中使用例如含單體(c)作為單位構造之有機聚合物鏈(C)。
據此嵌段聚合物列舉為AB、ABAB、ABA、ABC等 形態。
作為合成嵌段聚合物之方法之一，較好使用聚合過程僅由起始反應與成長反應所構成，且不伴隨使成長末端失活之副反應的活性自由基聚合或活性陽離子聚合。該等聚合反應中，成長末端可於聚合反應中持續保持成長活性反應。因此藉由不產生鏈轉移，而自單體(a)獲得長度一致之有機聚合物鏈(A)。
接著利用有機之該聚合物鏈(A)之成長末端，藉由添加與單體(a)不同之單體(b)，以該單體(b)本身進行聚合，可形成嵌段聚合物(AB)。
例如嵌段種類為A與B兩種時，聚合物鏈(A)與聚合物鏈(B)以莫耳比計可為1：9~9：1，較好為3：7~5：5。
此處均聚物鏈A或B為具有至少一個可自由基聚合之反應性基(乙烯基或含乙烯基之有機基)之聚合性化合物。
本發明中所用之嵌段聚合物之重量平均分子量Mn為1,000~100,000，或較好為5,000~100,000。未達1,000時會有對基底基板之塗佈性差之情況，且為100,000以上時會有對溶劑之溶解性差之情況。
形成前述嵌段聚合物之上述單體(a)及單體(b)分別列舉為例如自丙烯酸及其烷酯、甲基丙烯酸及其烷酯、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、可經4級化之(甲基)丙烯酸二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯醯胺、N-第三丁基(甲基)丙烯醯胺、馬來酸及其半酯、馬來酸酐、 巴豆酸、衣康酸、羥基化(甲基)丙烯酸酯、氯化二烯丙基二甲基銨、N-乙烯基-2-吡咯啶酮、乙烯基醚、馬來醯亞銨、乙烯基吡啶、乙烯基咪唑、雜環式乙烯基化合物、苯乙烯磺酸酯、烯丙基系醇、乙烯醇、碳原子數1~13之醇之丙烯酸或甲基丙烯酸之酯、氟丙烯酸酯、苯乙烯、乙酸乙烯酯、氯化乙烯、偏氯乙烯、丙酸乙烯酯、α-甲基苯乙烯、第三丁基苯乙烯、異戊二烯、丁二烯、環己二烯、乙烯、丙烯及乙烯基甲苯選出之化合物。
本發明中使用之自己組織化膜形成組成物中，可使用不具有羥基、環氧基、經保護之羥基、或經保護之羧基等交聯反應基，或具有交聯反應基之嵌段聚合物，具體可使用例如聚苯乙烯(A)與聚甲基丙烯酸甲酯(B)、聚苯乙烯(A)與聚異戊二烯(B)、或聚苯乙烯(A)與聚丁二烯(B)、聚苯乙烯(A)與聚二甲基矽氧烷(B)、聚苯乙烯(A)與聚環氧乙烷(B)、聚苯乙烯(A)與聚乙烯基吡啶(B)之各組合所成之嵌段聚合物。
其中，以聚苯乙烯/聚(甲基丙烯酸甲酯)共聚物、聚苯乙烯/聚異戊二烯共聚物、或聚苯乙烯/聚丁二烯共聚物較佳。
本發明中使用之自己組織化膜形成組成物中，除上述嵌段聚合物及有機溶劑外，可視需要進一步添加交聯性化合物、交聯觸媒、吸光性化合物、界面活性劑、硬度調整高分子化合物、抗氧化劑、熱聚合抑制劑、表面改質劑及脫泡劑等。
且本發明中使用之自己組織化膜形成組成物中亦可進一步添加β-二酮、膠體狀二氧化矽、膠體狀氧化鋁、有機聚合物、矽烷偶合劑、自由基產生劑、三氮烯(triazene)化合物、鹼性化合物等成分。
本發明中使用之自己組織化膜形成組成物通常係使含兩種均聚物鏈(A)及(B)之嵌段聚合物溶解或分散於有機溶劑中而成。
此處使用之有機溶劑列舉為選自由脂肪族烴系溶劑、芳香族烴系溶劑、醇系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、酯系溶劑、含氮系溶劑及含硫系溶劑等所組成群組之至少1種。
具體而言，作為有機溶劑可舉例為例如正戊烷、異戊烷、正己烷、異己烷、正庚烷、異庚烷、2,2,4-三甲基戊烷、正辛烷、異辛烷、環己烷、甲基環己烷等脂肪族烴系溶劑；苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、三甲基苯、甲基乙基苯、正丙基苯、異丙基苯、二乙基苯、異丁基苯、三乙基苯、二異丙基苯、正戊基萘、三甲基苯等芳香族烴系溶劑；甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、第二丁醇、第三丁醇、正戊醇、異戊醇、2-甲基丁醇、第二戊醇、第三戊醇、3-甲氧基丁醇、正己醇、2-甲基戊醇、第二己醇、2-乙基丁醇、第二庚醇、庚醇-3、正辛醇、2-乙基己醇、第二辛醇、正壬醇、2,6-二甲基-4-庚醇、正癸醇、第二-十一烷醇、三甲基壬醇、第二-十四烷醇、第二-十七烷醇、苯酚、環己醇、甲基環己醇、3,3,5-三甲基環 己醇、苄基醇、苯基甲基卡必醇、二丙酮醇、甲酚等之單醇系溶劑；乙二醇、丙二醇、1,3-丁二醇、2,4-戊二醇、2-甲基戊-2,4-二醇、2,5-己二醇、2,4-庚二醇、2-乙基己-1,3-二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇、丙三醇等多元醇系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基正丙基酮、甲基正丁基酮、二乙基酮、甲基-異丁基酮、甲基-正戊基酮、乙基正丁基酮、甲基正己基酮、二異丁基酮、三甲基壬酮、環己酮、甲基環己酮、2,4-戊二酮、丙酮基丙酮、二丙酮醇、苯乙酮、茴香酮(fenchone)等酮系溶劑；乙基醚、異丙基醚、正丁基醚、正己基醚、2-乙基己基醚、環氧乙烷、1,2-環氧丙烷、二氧雜環戊烷、4-甲基二氧雜環戊烷、二噁烷、二甲基二噁烷、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇單正丁基醚、乙二醇單正己基醚、乙二醇單苯基醚、乙二醇單-2-乙基丁基醚、乙二醇二丁基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇單正丁基醚、二乙二醇二正丁基醚、二乙二醇單正己基醚、乙氧基三甘醇、四乙二醇二正丁基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單丁基醚、三丙二醇單甲基醚、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃等醚系溶劑；碳酸二乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、γ-丁內酯、γ-戊內酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、乙酸第二丁酯、乙酸正戊酯；乙酸第 二戊酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸甲基戊酯、乙酸2-乙基丁酯、乙酸2-乙基己酯、乙酸苄酯、乙酸環己酯、乙酸甲基環己酯、乙酸正壬酯、乙醯基乙酸甲酯、乙醯基乙酸乙酯、乙酸乙二醇單甲基醚酯、乙酸乙二醇單乙基醚、乙酸二乙二醇單甲基醚、乙酸二乙二醇單乙基醚、乙酸二乙二醇單正丁基醚、乙酸丙二醇單甲基醚、乙酸丙二醇單乙基醚、乙酸丙二醇單丙基醚、乙酸丙二醇單丁基醚、乙酸二丙二醇單甲基醚、乙酸二丙二醇單乙基醚、二乙酸甘醇酯、乙酸甲氧基三甘醇酯、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸異戊酯、草酸二乙酯、草酸二正丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯、丙二酸二乙酯、苯二甲酸二甲酯、苯二甲酸二乙酯等酯系溶劑；N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮等含氮系溶劑；二甲硫醚、二乙硫醚、噻吩、四氫噻吩、二甲基亞碸、環丁碸、1,3-丙烷磺內酯等含硫系溶劑等。
該等有機溶劑中，就自己組織化膜形成組成物之溶液保存安定性之觀點而言，尤其以丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇二甲基醚、丙二醇二乙基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丙基醚乙酸酯較佳。
且，使自己組織化膜形成組成物熱硬化時， 亦可使用觸媒。此時使用之觸媒可使用由上述本發明之下層膜形成組成物形成(硬化)下層膜時使用之酸或酸產生劑作為觸媒。
再者，為了提高對基底基板之潤濕性、柔軟性、平坦性等，而可視需要於上述含嵌段聚合物之自己組織化膜形成組成物中混合不含上述嵌段聚合物之聚合物。該不含嵌段聚合物之聚合物可使用使下述聚合性化合物經自由基聚合成而成之聚合物。
且，自己組織化膜形成組成物中之不含嵌段聚合物之聚合物之混合比例可以相對於嵌段聚合物100質量份為10~1,000質量份，較好為10~100質量份之比例混合。
不含嵌段聚合物之聚合物可使用交聯形成聚合物。可列舉為例如羥基苯乙烯、參-(2-羥基乙基)-異氰尿酸、及參-(2-羥基乙基)-異氰尿酸酯(甲基)丙烯酸酯等之聚合性化合物之聚合物。
又，構成不含嵌段聚合物之聚合物之上述以外的聚合性化合物之具體例列舉為乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、九乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、九丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基二乙氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(甲基丙烯醯氧基二乙氧基)苯基]丙烷、3- 苯氧基-2-丙醯基丙烯酸酯、1,6-雙(3-丙烯醯氧基-2-羥基丙基)-己基醚、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙三醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯及二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。又，此處，例如所謂乙二醇二(甲基)丙烯酸酯意指乙二醇二丙烯酸酯與乙二醇二甲基丙烯酸酯。
進而作為構成不含嵌段聚合物之聚合物的聚合性化合物，可列舉具有乙烯性不飽和鍵之聚合性化合物，亦可列舉為例如可藉由多價異氰酸酯化合物與羥基烷基不飽和羧酸酯化合物之反應獲得之胺基甲酸酯化合物，可藉由多價環氧化合物與羥基烷基不飽和羧酸酯化合物之反應獲得之化合物、苯二甲酸二烯丙酯等之二烯丙酯化合物，及苯二甲酸二乙烯酯等之二乙烯基化合物等。
接著作為構成不含嵌段聚合物之聚合物的聚合性化合物，可列舉具有乙烯基醚構造之聚合性化合物。具體可列舉為例如乙烯基-2-氯乙基醚、乙烯基-正丁基醚、1,4-二環己烷二甲醇二乙烯基醚、乙烯基縮水甘油醚、雙(4-(乙烯氧基甲基)環己基甲基)戊二酸酯、三(乙二醇)二乙烯基醚、己二酸二乙烯酯、二乙二醇二乙烯基醚、參(4-乙烯氧基)丁基偏苯三酸酯、雙(4-(乙烯氧基)丁基)對苯二甲酸酯、雙(4-(乙烯氧基)丁基間苯二酸酯、乙二醇二乙烯基醚、1,4-丁二醇二乙烯基醚、四亞甲基二醇二乙烯基醚、四乙二醇二乙烯基醚、新 戊二醇二乙烯基醚、三羥甲基丙烷三乙烯基醚、三羥甲基乙烷三乙烯基醚、己二醇二乙烯基醚、1,4-環己二醇二乙烯基醚、四乙二醇二乙烯基醚、季戊四醇二乙烯基醚、季戊醇三乙烯基醚及環己烷二甲醇二乙烯基醚等。
本發明所用之自己組織化膜形成組成物中，可使用交聯劑作為任意成分。
前述交聯劑列舉為經羥基甲基、或甲氧基甲基、乙氧基甲基、丁氧基甲基、及己氧基甲基等烷氧基甲基取代之具有氮原子之含氮化合物。交聯劑可與嵌段聚合物、或(不含嵌段聚合物)交聯形成聚合物形成交聯，但嵌段聚合物中不存在交聯形成基時可藉自己交聯而形成基質，而使嵌段聚合物固定化。
前述交聯劑相對於嵌段聚合物100質量份可以1~50質量份、或3~50質量份、或5~50質量份、或10~40質量份、或20~30質量份使用。藉由改變交聯劑之種類或含量，可調整彈性率或階差被覆性。
再者，本發明中所用之自己組織化膜形成組成物中，可含有藉熱燒成(加熱)產生陽離子或自由基，而可引起前述自己組織化膜之熱聚合反應之交聯觸媒。藉由使用交聯觸媒，而促進前述交聯劑之反應。
作為前述交聯觸媒可使用對-甲苯磺酸、三氟甲烷磺酸、吡啶鎓-對-甲苯磺酸、水楊酸、樟腦磺酸、磺基水楊酸、檸檬酸、苯甲酸、及羥基苯甲酸等酸化合物。
且作為前述交聯觸媒可使用芳香族磺酸化合物。芳香 族磺酸化合物之具體例列舉為對-甲苯磺酸、吡啶鎓-對-甲苯磺酸、磺基水楊酸、4-氯苯磺酸、4-羥基苯磺酸、苯二磺酸、1-萘磺酸、及吡啶鎓-1-萘磺酸等。
該等交聯觸媒可僅使用一種，且亦可組合兩種以上使用。
前述交聯觸媒相對於嵌段聚合物100質量份可以0.01~10質量份、或0.05~5質量份、或0.1~3質量份、或0.3~2質量份、或0.5~1質量份使用。
本發明中藉由將自己組織化膜形成組成物塗佈於加工基板上形成塗佈膜之步驟，以及藉由對前述塗佈膜進行光照射或熱燒成而形成自己組織化膜之步驟，可形成能使用於液晶顯示器、硬碟用記錄材料、固體攝像元件、太陽能電池面板、發光二極體、有機發光裝置、發光膜(luminescent film)、螢光膜、MENS、致動器、抗反射材料、阻劑、阻劑下層膜、阻劑上層膜或奈米壓印用模板(模型)等之自己組織化膜。
本發明中在形成自己組織化膜(熱硬化膜)之前，可塗佈藉電子束描繪或雷射照射而記憶圖型資訊之本發明之前述下層膜形成組成物，而形成下層膜。接著，在製作自己組織化膜(熱硬化膜)之前，有於前述下層膜上被覆阻劑進行微影之情況、與不被覆阻劑而進行微影之情況。本發明所用之自己組織化膜(熱硬化膜)形成組成物中所含之嵌段聚合物由於其本身具有藉自己組織化之圖型形成能，故亦有不需要為了利用其效能所必要之阻劑之 情況。
以下針對本發明之使用之一例加以說明。
可於半導體、液晶顯示器、硬碟用記錄材料、固體攝像元件、太陽能電池面板、發光二極體、有機發光裝置、發光膜、螢光膜、MENS、致動器、抗反射材料、阻劑、阻劑下層膜、阻劑上層膜或奈米壓印用模板(模型)之製造中使用之加工基板(例如，矽/二氧化矽被覆基板、矽晶圓基板、氮化矽基板、玻璃基板、ITO基板、聚醯亞胺基板、低介電率材料(低-k材料)被覆基板等之上，應用能利用電子束或雷射照射所致之凹凸變化或藉表面能量變化寫入圖型資訊之本申請案之下層膜(Brush Layer、Migaku．Layer)形成組成物。接著，藉由旋轉塗佈器、塗佈器、噴霧器、噴墨等適當之塗佈方法將自己組織化膜形成組成物塗佈於其上而形成塗佈膜。
利用表面能量變化時，下層膜中之聚合物之水接觸角較好為上層之自己組織化膜中之嵌段聚合物之有機聚合物鏈(A)與聚合物鏈(B)之各自之水接觸角之間的值。
本發明係進行藉由於基板上塗佈本發明之下層膜形成組成物並燒成而形成下層膜，於其上形成自己組織化膜，及藉由自己組織化膜之圖型形成。此處自己組織化膜藉由沿著預先設定之圖型導線而塗佈，可形成經自己組織化之圖型。該圖型導線可藉由塗佈阻劑且經曝光與顯像而形成。
沿著圖型導線且經自己組織化之自己組織化膜，依據構成自己組織化膜之聚合物鏈中之單位構造之種類，而具有能以顯像液或蝕刻氣體等優先去除之部分，亦可將該等單位構造顯像去除，進行阻劑圖型寬度之縮小(收縮)、或側壁(Sidewall)之形成。
此處作為經塗佈形成之光阻只要是對於曝光所使用之光感光者即無特別限制，負型及正型光阻之任一種均可使用。
塗佈光阻後，通過特定之遮罩進行曝光。接著，以鹼性顯像液等進行顯像。
在將使用前述之嵌段聚合物之自己組織化膜形成組成物塗佈於基板上之前，為了事先於加工基板上使嵌段聚合物圖型化成垂直層狀構造或垂直筒狀構造，而塗佈本發明之下層膜形成組成物而形成下層膜。
藉由本發明之下層膜形成組成物所得之下層膜可如前述般藉由含有特定比例之芳香族乙烯基化合物，使上層之自己組織化膜中所含之嵌段聚合物自己組織化，且亦可藉由使下層膜之表面性產生變化，而輸入圖型資訊。
進而為了於加工基板上形成之由本發明之下層膜形成組成物形成之下層膜上，使圖型排列於目標位置，而以與排列位置重疊之方式照射熱、紫外線、雷射、或輻射線等之外部刺激，引起凹凸或表面能(親水．疏水性)變化，可將使用前述嵌段聚合物之自己組織化膜形成 組成物之聚合物鏈(A)成分及聚合物鏈(B)成分排列於各別之目標位置上。
本發明中所用之下層膜中之聚合物認為係使用芳香族乙烯基化合物，使與主鏈鍵結之芳香族環(例如萘環、苯環)藉外部刺激而敏感地感受並產生形態變化，而可記錄資訊者。
接著，形成上述下層膜後，依據自己組織化膜之聚合物鏈中之單位構造種類而改變鹼溶解速度或溶劑溶解速度或氣體蝕刻速度，使自己組織化膜排列於目標位置上，使阻劑成膜，且以與排列位置重疊之方式對阻劑照射紫外線或輻射線，且藉顯像使阻劑與鹼溶解速度或溶劑溶解速度已變化之自己組織化膜同時溶解，可進行高對比性之顯像，且可形成優異之阻劑圖型。
因此，亦成為本發明之另一對象係一種形成自己組織化膜之圖型構造的形成方法，其包含塗佈自己組織化膜之下層膜形成組成物並經燒成而形成下層膜之步驟，使溶劑與該下層膜接觸而去除該下層膜之表面層之步驟，將自己組織化膜形成組成物塗佈於已去除該表面層之下層膜上並經燒成之步驟。
此處與下層膜接觸之溶劑可使用下層膜形成組成物中所用之上述溶劑。藉由與溶劑接觸可去除下層膜之表面層，表面層之去除可使最初下層膜之膜厚成為1/10以下。藉由該步驟，下層膜可成為例如1~10nm之薄膜。
且本發明之圖型構造之形成方法，在塗佈自 己組織化膜之下層膜形成組成物並經燒成而形成下層膜之步驟之前，可包含於基材上形成基底膜之步驟。該基底膜可使用抗反射膜、硬遮罩等。
[實施例]
以下藉實施例更具體說明本發明，但本發明不因此受到限制。
合成例1
使2-乙烯基萘8.00g(聚合物全體中含有80莫耳%)、甲基丙烯酸縮水甘油酯1.05g(聚合物全體中含有10莫耳%)、丁氧基(2-乙基)甲基丙烯酸酯1.38g(聚合物全體中含有10莫耳%)、2,2’-偶氮雙異丁腈0.6g、環己酮38.o3g溶解後，加熱該溶液，在85℃攪拌約15小時。所得聚合物相當於下述式(1-1)。以GPC經聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為6,000。
合成例2
使2-乙烯基萘12.00g(聚合物全體中含有70莫耳%)、甲基丙烯酸縮水甘油酯2.4g(聚合物全體中含有15莫耳%)、丁氧基(2-乙基)甲基丙烯酸酯3.2g(聚合物全體中含有15莫耳%)、2,2’-偶氮雙異丁腈0.72g、丙二醇單甲基醚乙酸酯35.4g溶解後，加熱該溶液，在85℃攪拌約19小時。所得聚合物相當於下述式(1-2)。以GPC經聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為8,380。
合成例3
使2-乙烯基萘20.0g(聚合物全體中含有80莫耳%)、甲基丙烯酸羥基乙酯4.2g(聚合物全體中含有20莫耳%)、2,2’-偶氮雙異丁腈1.2g、丙二醇單甲基醚乙酸酯106.7g溶解後，加熱該溶液，在85℃攪拌約15小時。所得聚合物相當於下述式(1-3)。以GPC經聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為4,150。
合成例4
使2-乙烯基萘18.0g(聚合物全體中含有90莫耳%)、甲基丙烯酸羥基乙酯1.69g(聚合物全體中含有10莫耳%)、2,2’-偶氮雙異丁腈0.98g、丙二醇單甲基醚乙酸酯48.4g溶解後，加熱該溶液，在85℃攪拌約20小時。所得聚合物相當於下述式(1-4)。以GPC經聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為8,420。
合成例5
使2-乙烯基萘25.0g(聚合物全體中含有50莫耳%)、4-第三丁氧基苯乙烯28.6g(聚合物全體中含有50莫耳%)、2,2’-偶氮雙異丁腈2.69g、丙二醇單甲基醚 131.3g溶解後，加熱該溶液，在85℃攪拌約20小時。所得聚合物相當於下述式(1-5)。以GPC經聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為8,180。
合成例6
使2-乙烯基萘18.0g(聚合物全體中含有60莫耳%)、甲基丙烯酸甲酯3.90g(聚合物全體中含有20莫耳%)、甲基丙烯酸羥基乙酯5.06g(聚合物全體中含有20莫耳%)、2,2’-偶氮雙異丁腈1.35g、丙二醇單甲基醚乙酸酯66.0g溶解後，加熱該溶液，在85℃攪拌約20小時。所得聚合物相當於下述式(1-6)。以GPC經聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為7,500。
合成例7
使2-乙烯基萘8.88g(聚合物全體中含有20莫耳%)、苯乙烯18.0g(聚合物全體中含有60莫耳%)、甲基丙烯酸羥基乙酯7.51g(聚合物全體中含有20莫耳%)、2,2’-偶氮雙異丁腈1.72g、丙二醇單甲基醚乙酸酯84.4g溶解後，加熱該溶液，在85℃攪拌約20小時。所得聚合物相當於下述式(1-7)。以GPC經聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為8,520。
合成例8
使苊烯11.00g(聚合物全體中含有80莫耳%)、甲基丙烯酸羥基乙酯2.32g(聚合物全體中含有20莫耳%)、2,2’-偶氮雙異丁腈0.40g、丙二醇單甲基醚乙酸酯32.01g溶解後，加熱該溶液，在85℃攪拌約1小時。所得聚合物相當於下述式(1-8)。以GPC經聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為8,820。
合成例9
使乙烯基咔唑11.00g(聚合物全體中含有80莫耳%)、甲基丙烯酸羥基乙酯1.85g(聚合物全體中含有20莫耳%)、2,2’-偶氮雙異丁腈0.39g、環己酮30.89g溶解後，加熱該溶液，在85℃攪拌約19小時。所得聚合物相當於下述式(1-9)。以GPC經聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為6,950。
合成例10
使2-乙烯基萘5.23g(聚合物全體中含有60莫耳%)、甲基丙烯酸甲酯2.28g(聚合物全體中含有40莫耳%)、2,2’-偶氮雙[2-甲基-N-(2-羥基乙基)丙醯胺](和光純藥，商品名VA-086)1.50溶解於丙二醇單甲基醚乙 酸酯54.60g、甲醇36.40g之混合溶劑中。接著加熱該溶液，在100℃攪拌約12小時。所得聚合物相當於下述式(1-10)。接著於聚合物末端鍵結下述式(1-10-1)。下述式(1-10-1)中，點線部分表示與聚合物之鍵結。以GPC經聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為5,630。
合成例11
使2-乙烯基萘2.98g(聚合物全體中含有30莫耳%)、甲基丙烯酸甲酯4.52g(聚合物全體中含有70莫耳%)、2,2’-偶氮雙[2-甲基-N-(2-羥基乙基)丙醯胺](和光純藥，商品名VA-086)1.50溶解於丙二醇單甲基醚乙酸酯54.60g、甲醇36.40g之混合溶劑中。接著加熱該溶液，在100℃攪拌約12小時。所得聚合物相當於下述式(1-11)。接著於聚合物末端鍵結下述式(1-11-1)。下 述式(1-11-1)中，點線部分表示與聚合物之鍵結。以GPC經聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為5,850。
比較合成例1
使苯乙烯6.0g(聚合物全體中含有60莫耳%)、甲基丙烯酸甲酯2.0g(聚合物全體中含有20莫耳%)、甲基丙烯酸羥基乙酯2.0g(聚合物全體中含有20莫耳%)、2,2’-偶氮雙異丁腈0.50g、丙二醇單甲基醚42.0g溶解後，加熱該溶液，在100℃攪拌約16小時。所得聚合物相當於下述式(1-12)。以GPC經聚苯乙烯換算所測定之重量平均分子量Mw為10,120。
實施例1
將合成例1中獲得之樹脂2g溶解於界面活性劑(DIC(股)製，品名：MAGFAC[商品名]R-30，成分為氟系界面活性劑)0.01g、丙二醇單甲基醚乙酸酯3.38g、環己酮18.0g、γ-丁內酯1.1g中作成溶液。隨後，使用孔徑0.2μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液。
實施例2
將合成例2中獲得之樹脂2g溶解於界面活性劑(DIC(股)製，品名：MAGFAC[商品名]R-30，成分為氟系界面活性劑)0.01g、丙二醇單甲基醚乙酸酯15.8g、丙二醇單甲基醚6.8g中作成溶液。隨後，使用孔徑0.2μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液。
實施例3
將合成例3中獲得之樹脂2g溶解於四甲氧基甲基甘醇脲0.3g、吡啶鎓-對-甲苯磺酸鹽0.03g、界面活性劑(DIC(股)製，品名：MAGFAC[商品名]R-30，成分為氟系界面活性劑)0.002g、丙二醇單甲基醚乙酸酯6.8g、丙二醇單甲基醚15.8g中作成溶液。隨後，使用孔徑0.2μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液。
實施例4
將合成例4中獲得之樹脂2g溶解於四甲氧基甲基甘醇脲0.3g、吡啶鎓-對-甲苯磺酸鹽0.03g、界面活性劑(DIC(股)製，品名：MAGFAC[商品名]R-30，成分為氟系界面活性劑)0.002g、丙二醇單甲基醚乙酸酯13.5g、丙二醇單甲基醚9.0g中作成溶液。隨後，使用孔徑0.2μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液。
實施例5
將合成例5中獲得之樹脂2g溶解於四甲氧基甲基甘醇脲0.3g、吡啶鎓-對-甲苯磺酸鹽0.03g、界面活性劑(DIC(股)製，品名：MAGFAC[商品名]R-30，成分為氟系界面活性劑)0.002g、丙二醇單甲基醚乙酸酯13.5g、丙二醇單甲基醚9.0g中作成溶液。隨後，使用孔徑0.2μm 之聚乙烯製微過濾器過濾，調製自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液。
實施例6
將合成例6中獲得之樹脂2g溶解於四甲氧基甲基甘醇脲0.3g、吡啶鎓-對-甲苯磺酸鹽0.03g、界面活性劑(DIC(股)製，品名：MAGFAC[商品名]R-30，成分為氟系界面活性劑)0.002g、丙二醇單甲基醚乙酸酯13.5g、丙二醇單甲基醚9.0g中作成溶液。隨後，使用孔徑0.2μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液。
實施例7
將合成例7中獲得之樹脂2g溶解於四甲氧基甲基甘醇脲0.3g、吡啶鎓-對-甲苯磺酸鹽0.03g、界面活性劑(DIC(股)製，品名：MAGFAC[商品名]R-30，成分為氟系界面活性劑)0.002g、丙二醇單甲基醚乙酸酯13.5g、丙二醇單甲基醚9.0g中作成溶液。隨後，使用孔徑0.2μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液。
實施例8
將合成例8中獲得之樹脂0.37g溶解於四甲氧基甲基甘醇脲0.07g、吡啶鎓-對-甲苯磺酸鹽0.01g、丙二醇單甲 基醚乙酸酯26.6g、丙二醇單甲基醚3.0g中作成溶液。隨後，使用孔徑0.2μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液。
實施例9
將合成例9中獲得之樹脂0.37g溶解於四甲氧基甲基甘醇脲0.07g、吡啶鎓-對-甲苯磺酸鹽0.01g、環己酮8.9g、丙二醇單甲基醚乙酸酯8.9g、丙二醇單甲基醚11.8g中作成溶液。隨後，使用孔徑0.2μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液。
實施例10
將合成例4中獲得之樹脂0.2g溶解於丙二醇單甲基醚乙酸酯13.8g、丙二醇單甲基醚5.9g中作成溶液。隨後，使用孔徑0.2μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液。
實施例11
將合成例10中獲得之樹脂0.2g溶解於乙酸丁酯19.8g中作成溶液。隨後，使用孔徑0.2μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液。
實施例12
將合成例11中獲得之樹脂0.2g溶解於乙酸丁酯19.8g中作成溶液。隨後，使用孔徑0.2μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液。
比較例1
將比較合成例1中獲得之樹脂0.59g溶解於四甲氧基甲基甘醇脲0.15g、對苯酚磺酸0.01g、丙二醇單甲基醚乙酸酯14.8g、丙二醇單甲基醚31.4g中作成溶液。隨後，使用孔徑0.2μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液。
(對光阻溶劑之溶出試驗)
使用旋轉塗佈器將實施例1~實施例9、比較例1中調製之自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液塗佈於矽晶圓上。以加熱板在240℃燒成1分鐘，形成自己組織化膜之下層膜層(膜厚0.20μm)。進行該等下層膜層對阻劑中使用之溶劑的丙二醇單甲基醚(PGME)及丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)之浸漬試驗。結果示於表1。殘膜率係浸漬於各別溶劑中60秒，測定浸漬前後之膜厚，以(浸漬後之膜厚)/(浸漬前之膜厚)×100算出。
[表1]
(乾蝕刻速度之測定)
乾蝕刻速度之測定中所用之蝕刻劑及蝕刻氣體係使用如下者。
RIE-10NR(SAMCO製)：CF4
使用旋轉塗佈器將實施例1~實施例9、比較例1中調製之自己組織化膜之下層膜形成組成物之溶液塗佈於矽晶圓上。以加熱板在240℃燒成1分鐘，形成自己組織化膜之下層膜(膜厚0.20μm)。使用CF4氣體作為蝕刻氣體測定乾蝕刻速度。
此外，使用旋轉塗佈器將甲酚酚醛清漆樹脂(市售品，重量平均分子量為4,000)之溶液塗佈於矽晶圓上，在205℃燒成1分鐘，形成有機硬遮罩層(膜厚0.20μm)。使用CF4氣體作為蝕刻氣體，與實施例1~實施例9、比較例1同樣測定乾蝕刻速度，進行實施例1~實施例9、比較 例1、與有機硬遮罩層之乾蝕刻速度之比較。結果示於表2。速度比(1)為(實施例1~實施例9及比較例1中使用之自己組織化膜之下層膜，在240℃下1分鐘之燒成膜)/(甲酚酚醛清漆樹脂，在205℃下1分鐘之燒成膜)之乾蝕刻速度比。
(嵌段聚合物之調製)
將嵌段聚合物的聚苯乙烯/聚(甲基丙烯酸甲酯)共聚物(POLYMER SOURCE INC.製，PS(18,000)-b-PMMA(18.000)，多分散度=1.07)1.0g溶解於丙二醇單甲基醚32.33g中，作成2質量%溶液後，使用孔徑0.02μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製由嵌段聚合物所成之自己組織化膜形成組成物之溶液。
(嵌段聚合物之自己組織化評價)
將實施例1~實施例7、比較例1中獲得之自己組織化膜之下層膜形成組成物分別塗佈於矽晶圓上，以加熱板在240℃加熱1分鐘，獲得存在於自己組織化膜之下層的下層膜(A層)。該等下層膜之膜厚為200nm。
且，將實施例8及實施例9中獲得之自己組織化膜之下層膜形成組成物分別塗佈於矽晶圓上，在加熱板上於240℃加熱1分鐘，獲得存在於自己組織化膜之下層的下層膜(A層)。該等下層膜之膜厚為30nm。
再者將實施例10~實施例12中獲得之自己組織化膜之下層膜形成組成物分別塗佈於矽晶圓上，在加熱板上於240℃加熱1分鐘後，獲得膜厚30nm之下層膜。隨後，浸漬於丙二醇單甲基醚/丙二醇單甲基醚乙酸酯=70/30之混合溶劑中60秒，獲得存在於自己組織化膜之下層的下層膜(A層)。下層膜之膜厚分別為3nm。
以旋轉塗佈器將前述由嵌段聚合物所成之自己組織化膜形成組成物塗佈於該等下層膜(A層)上，在加熱板上於100℃加熱1分鐘，形成膜厚40nm之自己組織化膜(B層)。接著在氮氣氛圍下，於加熱板上在240℃加熱5分鐘，誘發嵌段聚合物之微相分離構造。
(微相分離構造之觀察)
已誘發微相分離構造之矽晶圓係使用Lam製蝕刻器(Lam 2300)，使用O2/N2氣體作為蝕刻氣體進行蝕刻3 秒，優先蝕刻掉PMMA區域，接著以掃描型電子顯微鏡(Hitachi S-9380)觀察形狀。所得結果示於表3。又，由實施例1獲得之下層膜上形成之自己組織化膜之掃描型電子顯微鏡照片示於圖1，由比較例1獲得之下層膜上形成之自己組織化膜之掃描型電子顯微鏡照片示於圖2。
如表3所示，由實施例1~實施例12獲得之下層膜，在上層之自己組織化膜中，對基板可垂直誘發由聚苯乙烯與聚(甲基丙烯酸甲酯)所成之嵌段聚合物之微相分離構造。且，對基板垂直誘發之能力係如實施例1~實施例12獲得之下層膜中所含之成分所示，並無因多環乙烯基構造以外之成分而受限。
另一方面，如由比較例獲得之下層膜之結果所示，於 不含多環乙烯基構造的乙烯基萘之膜中，成為無法使上層之自己組織化膜中之嵌段聚合物對基板進行垂直之微相分離之結果。
[產業上之可利用性]
於液晶顯示器、硬碟用記錄材料、固體攝像元件、太陽能電池面板、發光二極體、有機發光裝置、發光膜、螢光膜、MENS、致動器、抗反射材料、阻劑、阻劑下層膜、阻劑上層膜、或奈米壓印用模板等中雖利用自己組織化膜，但本發明係於自己組織化膜之下層膜中使用含多環芳香族乙烯基化合物之聚合物者，尤其含乙烯基萘之下層膜可對基板垂直地誘發嵌段聚合物之微相分離構造。

Claims (17)

  1. 一種上層之自己組織化膜中的嵌段聚合物對基板進行垂直微相分離之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其特徵為含有聚合物之每一全單位構造具有0.2莫耳%以上之多環芳香族乙烯基化合物之單位構造的聚合物，前述自己組織化膜係由包含含有有機單體(a)作為單位構造之有機聚合物鏈(A)、及含有與有機單體(a)不同之單體(b)作為單位構造且鍵結於該有機聚合物鏈(A)所成之聚合物鏈(B)的嵌段聚合物所成之膜。
  2. 如請求項1之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述聚合物係聚合物之每一全單位構造具有20莫耳%以上之芳香族乙烯基化合物之單位構造，且該芳香族乙烯基化合物之每一全單位構造具有1莫耳%以上之多環芳香族乙烯基化合物之單位構造的聚合物。
  3. 如請求項2之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述芳香族乙烯基化合物包含各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，且前述多環芳香族乙烯基化合物係乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。
  4. 如請求項2之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述芳香族乙烯基化合物包含可經取代之苯乙烯、與各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，且前述多環芳香族乙烯基化合物係乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。
  5. 如請求項2之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述芳香族乙烯基化合物係可經取代之苯乙烯、與各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，且前述多環芳香族乙烯基化合物為各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。
  6. 如請求項2之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述芳香族乙烯化合物僅由多環芳香族乙烯基化合物所構成，且前述芳香族乙烯基化合物係各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。
  7. 如請求項2之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述聚合物係聚合物之每一全單位構造具有60~95莫耳%之芳香族乙烯基化合物之單位構造。
  8. 如請求項1之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述聚合物進一步具有具交聯形成基之單位構造。
  9. 如請求項8之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述交聯形成基為羥基、環氧基、經保護之羥基或經保護之羧基。
  10. 如請求項1之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其進一步含有交聯劑。
  11. 如請求項1之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其進一步含有酸或酸產生劑。
  12. 如請求項1之自己組織化膜的下層膜形成組成物，其中前述嵌段聚合物係由聚苯乙烯(A)與聚甲基丙烯酸甲酯(B)、聚苯乙烯(A)與聚異戊二烯(B)、聚苯乙烯(A)與聚丁二烯(B)、聚苯乙烯(A)與聚二甲基矽氧烷(B)、聚苯乙烯(A)與聚環氧乙烷(B)、或聚苯乙烯(A)與聚乙烯基吡啶(B)之各組合所成之嵌段聚合物。
  13. 一種形成自己組織化膜之圖型構造的形成方法，其包含將如請求項1至12中任一項之自己組織化膜的下層膜形成組成物塗佈於基板上並進行燒成而形成下層膜之步驟、將自己組織化膜形成組成物塗佈於該下層膜上並進行燒成之步驟。
  14. 一種形成自己組織化膜之圖型構造的形成方法，其包含將如請求項8或9之自己組織化膜的下層膜形成組成物塗佈於基板上並進行燒成而形成下層膜之步驟，使該下層膜與溶劑接觸去除該下層膜之表面層之步驟、將自己組織化膜形成組成物塗佈於已去除該表面層之下層膜上並進行燒成之步驟。
  15. 如請求項13或14之圖型構造的形成方法，其係包含在塗佈自己組織化膜的下層膜形成組成物並進行燒成而形成下層膜之步驟之前，於基材上形成底層膜之步驟。
  16. 如請求項15之圖型構造的形成方法，其中前述底層膜為抗反射膜或硬遮罩。
  17. 一種裝置，其係以如請求項13至16中任一項之圖型構造的形成方法所得者。
TW102146658A 2012-12-18 2013-12-17 含多環芳香族乙烯基化合物之自己組織化膜的下層膜形成組成物 TWI638235B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012276135 2012-12-18
JP2012-276135 2012-12-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201430501A TW201430501A (zh) 2014-08-01
TWI638235B true TWI638235B (zh) 2018-10-11

Family

ID=50978325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102146658A TWI638235B (zh) 2012-12-18 2013-12-17 含多環芳香族乙烯基化合物之自己組織化膜的下層膜形成組成物

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10508181B2 (zh)
EP (1) EP2937391A4 (zh)
JP (1) JPWO2014097993A1 (zh)
KR (2) KR102357731B1 (zh)
CN (1) CN104854205B (zh)
TW (1) TWI638235B (zh)
WO (1) WO2014097993A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6088843B2 (ja) * 2013-02-20 2017-03-01 東京応化工業株式会社 パターン形成方法
US11674053B2 (en) 2013-09-19 2023-06-13 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming underlayer film of self-assembled film including aliphatic polycyclic structure
US9690192B2 (en) * 2014-04-21 2017-06-27 Jsr Corporation Composition for base, and directed self-assembly lithography method
TWI592760B (zh) * 2014-12-30 2017-07-21 羅門哈斯電子材料韓國有限公司 與經外塗佈之光致抗蝕劑一起使用之塗層組合物
TWI662370B (zh) 2015-11-30 2019-06-11 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用之塗料組合物
WO2018131495A1 (ja) * 2017-01-10 2018-07-19 Jsr株式会社 カバー膜形成方法、基材の処理方法及び組成物
CN110191930B (zh) * 2017-01-19 2022-01-04 日产化学株式会社 用于形成微细相分离图案的下层膜形成用组合物
JP7070434B2 (ja) 2017-01-19 2022-05-18 日産化学株式会社 微細相分離パターン形成のための自己組織化膜形成組成物
JP7076237B2 (ja) * 2017-03-23 2022-05-27 東京応化工業株式会社 下地剤、及び相分離構造を含む構造体の製造方法
TWI797243B (zh) 2018-02-09 2023-04-01 日商富士軟片股份有限公司 試劑盒、壓印用下層膜形成組成物、積層體、使用該等之製造方法
US11201051B2 (en) * 2018-11-13 2021-12-14 Tokyo Electron Limited Method for layer by layer growth of conformal films
JPWO2021241594A1 (zh) 2020-05-26 2021-12-02
CN115943036A (zh) 2020-08-19 2023-04-07 日产化学株式会社 垂直相分离的嵌段共聚物层
CN115989571A (zh) 2020-09-07 2023-04-18 日产化学株式会社 晶片处理方法
CN117063129A (zh) 2021-03-31 2023-11-14 日产化学株式会社 定向自组装化用含硅下层膜形成用组合物
TW202406954A (zh) * 2022-03-31 2024-02-16 日商日產化學股份有限公司 用於自組裝膜之刷狀物材料

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101174085A (zh) * 2006-08-11 2008-05-07 罗门哈斯丹麦金融有限公司 纳米结构图案的制造方法
CN101248391A (zh) * 2005-08-25 2008-08-20 日产化学工业株式会社 含有乙烯基萘树脂衍生物的形成光刻用涂布型下层膜的组合物
WO2012165507A1 (ja) * 2011-06-03 2012-12-06 三菱瓦斯化学株式会社 フェノール系樹脂およびリソグラフィー用下層膜形成材料

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1982676A (en) * 1929-08-21 1934-12-04 Du Pont Polymerization of vinyl naphthalene
US4777227A (en) * 1985-11-21 1988-10-11 Allied Corporation High temperature thermosetting resin compositions
JP2551632B2 (ja) 1988-07-11 1996-11-06 株式会社日立製作所 パターン形成方法および半導体装置製造方法
JP3782357B2 (ja) * 2002-01-18 2006-06-07 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
TWI317365B (en) * 2002-07-31 2009-11-21 Jsr Corp Acenaphthylene derivative, polymer, and antireflection film-forming composition
JP4702559B2 (ja) * 2004-04-09 2011-06-15 日産化学工業株式会社 縮合系ポリマーを有する半導体用反射防止膜
JPWO2007046453A1 (ja) * 2005-10-20 2009-04-23 Jsr株式会社 ビニルナフタレン誘導体の重合体、反射防止膜形成組成物及び反射防止膜
JP2007284623A (ja) 2006-04-19 2007-11-01 Asahi Kasei Corp 薄膜用塗布組成物
TWI539238B (zh) * 2006-11-20 2016-06-21 Jsr股份有限公司 光阻下層膜形成用組成物及圖型之形成方法
JP2010112966A (ja) 2007-03-08 2010-05-20 Nissan Chem Ind Ltd 被膜形成用塗布液及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法
US7794905B2 (en) * 2007-03-23 2010-09-14 Xerox Corporation Photoreceptor device having a self-assembled patterned binder layer
JP4892670B2 (ja) 2007-07-20 2012-03-07 Ｊｓｒ株式会社 レジスト下層膜形成用組成物
TWI461461B (zh) * 2008-03-10 2014-11-21 Nissan Chemical Ind Ltd 圖像形成用底層膜組成物
JP2009234114A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Canon Inc パターン形成方法、基板の加工方法、偏光板及び磁気記録媒体
JP5077026B2 (ja) 2008-04-02 2012-11-21 Ｊｓｒ株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及びそれを用いたデュアルダマシン構造の形成方法
CN102197489B (zh) * 2008-10-23 2013-08-21 日产化学工业株式会社 图像形成用下层膜
KR101860385B1 (ko) * 2009-06-19 2018-05-23 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 카바졸 노볼락 수지
KR101175325B1 (ko) * 2009-08-24 2012-08-20 한국기초과학지원연구원 양자점 형성방법
JP2011122081A (ja) 2009-12-11 2011-06-23 Nissan Chem Ind Ltd 熱硬化性膜形成組成物
KR101344794B1 (ko) * 2009-12-31 2014-01-16 제일모직주식회사 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 중합체　및　이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물
EP2538276A4 (en) * 2010-02-19 2015-02-25 Nissan Chemical Ind Ltd COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM CONTAINING SILICON HAVING A NITROGEN CORE
TWI556958B (zh) * 2010-09-14 2016-11-11 東京應化工業股份有限公司 基質劑及含嵌段共聚物之層的圖型形成方法
KR101909222B1 (ko) * 2010-12-09 2018-10-17 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 수산기 함유 카바졸 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물
JP5606352B2 (ja) 2011-02-14 2014-10-15 リンテック株式会社 難燃性粘着剤組成物、難燃性粘着テープおよび難燃性粘着シート
JP6186116B2 (ja) * 2012-03-09 2017-08-23 東京応化工業株式会社 ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法、及び下地剤
JP6118573B2 (ja) 2012-03-14 2017-04-19 東京応化工業株式会社 下地剤、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法
JP6070964B2 (ja) * 2012-03-27 2017-02-01 日産化学工業株式会社 自己組織化膜の下層膜形成組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101248391A (zh) * 2005-08-25 2008-08-20 日产化学工业株式会社 含有乙烯基萘树脂衍生物的形成光刻用涂布型下层膜的组合物
CN101174085A (zh) * 2006-08-11 2008-05-07 罗门哈斯丹麦金融有限公司 纳米结构图案的制造方法
WO2012165507A1 (ja) * 2011-06-03 2012-12-06 三菱瓦斯化学株式会社 フェノール系樹脂およびリソグラフィー用下層膜形成材料

Also Published As

Publication number Publication date
EP2937391A1 (en) 2015-10-28
TW201430501A (zh) 2014-08-01
US10508181B2 (en) 2019-12-17
KR102357731B1 (ko) 2022-02-08
KR20200106560A (ko) 2020-09-14
JPWO2014097993A1 (ja) 2017-01-12
US20150322219A1 (en) 2015-11-12
WO2014097993A1 (ja) 2014-06-26
CN104854205B (zh) 2018-12-28
KR20150097516A (ko) 2015-08-26
EP2937391A4 (en) 2016-08-31
CN104854205A (zh) 2015-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI638235B (zh) 含多環芳香族乙烯基化合物之自己組織化膜的下層膜形成組成物
TWI627187B (zh) 含苯乙烯結構之自行組織化膜之下層膜形成組成物
TWI643906B (zh) 半導體裝置之製造方法
KR102285718B1 (ko) 지방족 다환구조를 포함하는 자기조직화막의 하층막 형성조성물
TWI810152B (zh) 用以形成膜密度經提昇之阻劑下層膜的組成物
CN106030408B (zh) 抗蚀剂上层膜形成用组合物及使用该组合物的半导体装置的制造方法
TWI761427B (zh) 用於形成微細相分離圖型之自我組織化膜形成組成物
TWI823847B (zh) 用於微細相分離圖案形成之下層膜形成組成物
TW202012478A (zh) 形成微相分離圖案用之嵌段共聚物層形成組成物
WO2024106492A1 (ja) 自己組織化材料のための下層膜材料
WO2023204287A1 (ja) レジスト下層膜形成用組成物
TW202200652A (zh) 奈米壓印用阻劑下層膜形成組成物