TWI643906B - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為提供一種阻劑形狀良好的EUV阻劑底層膜形成組成物。
本發明之解決手段為一種EUV微影用阻劑底層膜形成組成物，其係含有：含有水解性矽烷(a)之水解縮合物的聚矽氧烷(A)；與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)。一種EUV微影用阻劑底層膜形成組成物，其係含有：含有水解性矽烷(a)與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)之水解縮合物的聚矽氧烷(B)。聚矽氧烷(A)係四烷氧基矽烷、烷基三烷氧基矽烷與芳基三烷氧基矽烷之共水解縮合物。

Description

半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種用以於半導體裝置之製造所使用的基板與阻劑(例如，EUV阻劑)之間形成底層膜之組成物。詳細而言，關於一種於半導體裝置製造之微影步驟中用以形成阻劑之底層所使用的底層膜之微影用阻劑底層膜形成組成物。此外，係關於使用有該底層膜形成組成物的阻劑圖型之形成方法。
以往於半導體裝置之製造中，一般進行以使用有光阻劑的微影所致之微細加工。前述微細加工係藉由於矽晶圓等之半導體基板上形成光阻劑之薄膜，於其上透過描繪有半導體裝置之圖型的遮罩圖型來照射紫外線等之活性光線，予以顯像，將所得到的光阻劑圖型作為保護膜將基板蝕刻處理，而於基板表面形成與前述圖型相對應的微細凹凸之加工法。但，近年來，半導體裝置之高積體度化發展，所使用的活性光線亦有由KrF準分子雷射(248nm)朝ArF準分子雷射(193nm)、EUV光(13.5nm)被短波長化的傾向。
必須比到目前為止更加地控制輪廓(profile，阻劑形狀)或提昇與基板之密著性。
此外，半導體基板與光阻劑之間的底層膜，正進行使用已知為含有矽等金屬元素之硬遮罩的膜一事。此時，於阻劑與硬遮罩中，由於該構成成分方面具有頗大的差異，因此此等藉由乾蝕刻所去除的速度，大多依存於乾蝕刻所使用的氣體種。而，藉由適當選擇氣體種，並非伴隨光阻劑之膜厚的大幅減少，而是成為能夠藉由乾蝕刻而去除硬遮罩。如此一來，近年來於半導體裝置之製造中，為了達成各種效果，而成為於半導體基板與光阻劑之間配置有阻劑底層膜(參照專利文獻1、2)。
而，迄今雖進行阻劑底層膜用之組成物的探討，但基於其所要求之特性的多樣性等，而期望開發阻劑底層膜用之新的材料。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-076889號公報
[專利文獻2]日本特開2010-237667號公報
本發明之目的為提供一種EUV微影用阻劑底 層膜形成組成物，其係利用矩形的阻劑圖型而能夠進行微細的基板加工，且可使用於半導體裝置之製造。詳細而言，係提供一種用以形成可作為硬遮罩使用的阻劑底層膜之微影用阻劑底層膜形成組成物。此外，提供一種EUV阻劑之曝光感度提昇、或不引起與阻劑之互混(intermixing)，相較於阻劑具有較大的乾蝕刻速度，且以EUV光曝光時排氣發生少的微影用阻劑底層膜及形成該阻劑底層膜所需之阻劑底層膜形成組成物。
本發明之第1觀點為一種EUV微影用阻劑底層膜形成組成物，其係含有：含有水解性矽烷(a)之水解縮合物的聚矽氧烷(A)；與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)、第2觀點為一種EUV微影用阻劑底層膜形成組成物，其係含有：含有水解性矽烷(a)與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)之水解縮合物的聚矽氧烷(B)、第3觀點為如第1觀點或第2觀點之阻劑底層膜形成組成物，其中水解性矽烷(a)係由四烷氧基矽烷、烷基三烷氧基矽烷及芳基三烷氧基矽烷所成之群中所選出的至少1種水解性矽烷、第4觀點為如第3觀點之阻劑底層膜形成組成物，其 中上述烷基三烷氧基矽烷係甲基三烷氧基矽烷、第5觀點為如第3觀點或第4觀點之阻劑底層膜形成組成物，其中上述芳基三烷氧基矽烷係苯基三烷氧基矽烷、第6觀點為如第1觀點至第5觀點中任一觀點之阻劑底層膜形成組成物，其中上述水解性矽烷化合物(b)係以下述一般式(b-1)所表示之矽烷化合物：【化1】R 3 -R 2 -R 1 -Si(R 4 ) 3 式(b-1)
(上述式(b-1)中，R4係表示碳原子數1~10之烷氧基、R1係-表示碳原子數1~10之伸烷基、R2係表示下述之磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構；
R3係表示氫原子、碳原子數1~10之烷基、碳原子數1~10之氟烷基、碳原子數2~10之烯基、或碳原子數6~20之芳基)、第7觀點為如第1觀點及第3觀點至第6觀點中任一觀點之阻劑底層膜形成組成物，其中上述聚矽氧烷(A)，係相對於四烷氧基矽烷70莫耳，以烷基三烷氧基矽烷為10~35莫耳、芳基三烷氧基矽烷為2~25莫耳的比例進行共水解縮合而成者、第8觀點為如第1觀點至第7觀點中任一觀點之阻劑底層膜形成組成物，其中進一步含有酸化合物、第9觀點為如第1觀點至第8觀點中任一觀點之阻劑底層膜形成組成物，其中進一步含有水、第10觀點為如第1觀點至第9觀點中任一觀點之阻 劑底層膜形成組成物，其中進一步含有銨化合物、環狀銨化合物、環狀胺化合物、或鋶化合物、第11觀點為一種阻劑底層膜，其係藉由將如第1觀點至第10觀點中任一觀點之阻劑底層膜形成組成物塗佈於半導體基板上進行燒成而得、第12觀點為一種半導體裝置之製造方法，其係包含：將如第1觀點至第10觀點中任一觀點之阻劑底層膜形成組成物塗佈於半導體基板上，進行燒成而形成阻劑底層膜的步驟、將阻劑用組成物塗佈於前述阻劑底層膜上，而形成阻劑膜的步驟、使前述阻劑膜曝光的步驟、於曝光後使阻劑膜顯像而得到經圖型化之阻劑膜的步驟、藉由經圖型化之阻劑膜來蝕刻阻劑底層膜的步驟、及藉由經圖型化之阻劑膜及阻劑底層膜來加工半導體基板的步驟、第13觀點為一種半導體裝置之製造方法，其係包含：於半導體基板上形成有機底層膜的步驟、於其上塗佈如第1觀點至第10觀點中任一觀點之阻劑底層膜形成組成物，進行燒成而形成阻劑底層膜的步驟、將阻劑用組成物塗佈於前述阻劑底層膜上，而形成阻劑膜的步驟、使前述阻劑膜曝光的步驟、於曝光後使阻劑膜顯像，而得到經圖型化之阻劑膜的步驟、藉由經圖型化之阻劑膜來蝕刻阻劑底層膜的步驟、藉由經圖型化之阻劑底層膜來蝕刻有機底層膜的步驟、及藉由經圖型化之有機底層膜來加工半導體基板的步驟、第14觀點為如第12觀點或第13觀點之製造方法， 其中顯像係藉由鹼水溶液或有機溶劑而進行。
本發明之阻劑底層膜形成組成物係含有水解性矽烷之水解縮合物者，亦即含有聚有機矽氧烷結構者，因此，由該組成物所形成的阻劑底層膜，係對於在基板及形成於其上的有機底層膜之蝕刻所使用的氧系乾蝕刻氣體具有充分的耐蝕刻性者，因而於半導體裝置之製造中能發揮作為硬遮罩及抗反射膜的功能者。
此外，本發明之阻劑底層膜形成組成物，係由於具有上述特定之結構的水解性矽烷化合物為能夠調整由存在於EUV阻劑膜與底層膜之界面的光酸產生劑所產生之酸的量之平衡者，因此能夠抑制因該酸所導致之阻劑圖型的形狀不良。
此外，本發明之阻劑底層膜形成組成物，係基於藉由含有該水解性矽烷化合物而可提昇由該組成物所形成的阻劑底層膜與阻劑膜之密著性，且，該水解性矽烷化合物，係藉由具有水解性之基而能夠組入聚有機矽氧烷結構，因而發揮抑制排氣發生的效果。
於本發明中係藉由塗佈法於基板上形成阻劑底層膜，或者藉由塗佈法透過基板上之有機底層膜於其上形成阻劑底層膜，而將阻劑膜(例如，EUV阻劑)形成於 該阻劑底層膜上。接著，藉由曝光與顯像形成阻劑圖型，使用該阻劑圖型來乾蝕刻阻劑底層膜而進行圖型之轉印，藉由該圖型來加工基板，或者藉由蝕刻有機底層膜進行轉印並藉由該有機底層膜進行基板的加工。
為了形成微細的圖型，且防止圖型倒塌而有使阻劑膜厚變薄的傾向。用以藉由阻劑之薄膜化而將圖型轉印至存在於其底層的膜之乾蝕刻，若蝕刻速度高於上層之膜則無法進行圖型轉印。於本發明中係於基板上依照經由有機底層膜，或者不經由有機底層膜，於其上被覆本申請案阻劑底層膜(含無機矽系化合物)，於其上被覆阻劑膜(有機阻劑膜)的順序。有機系成分之膜與無機系成分之膜係依據蝕刻氣體之選擇而乾蝕刻速度大不相同，有機系成分之膜係因氧系氣體而使乾蝕刻速度變高，無機系成分之膜係因含有鹵素之氣體而使乾蝕刻速度變高。
例如，形成有阻劑圖型，將存在於該底層之本申請案阻劑底層膜以含有鹵素之氣體進行乾蝕刻而將圖型轉印於阻劑底層膜，利用經轉印於該阻劑底層膜之圖型並使用含有鹵素之氣體進行基板加工。或者，使用經圖型轉印之阻劑底層膜，將該底層之有機底層膜以氧系氣體進行乾蝕刻而進行圖型轉印於有機底層膜，利用該經圖型轉印的有機底層膜並使用含有鹵素之氣體進行基板加工。
於本發明中該阻劑底層膜係發揮作為硬遮罩之功能者，結構中之烷氧基或醯氧基、鹵基等之水解性基係水解或部分水解，其後藉由矽醇基之縮合反應而形成聚矽氧烷 結構之聚合物。此聚有機矽氧烷結構係具有作為硬遮罩之充分的功能。
而，聚有機矽氧烷結構(中間膜)係於存在於其下的有機底層膜之蝕刻、或基板之加工(蝕刻)方面作為硬遮罩為有效。亦即，對於基板加工時或有機底層膜之氧系乾蝕刻氣體具有充分耐乾蝕刻性者。
於本發明與聚矽氧烷所一同使用的矽烷化合物係於EUV阻劑之微影中，可使阻劑形狀成為矩形。此乃若由EUV阻劑所含有的光酸產生劑所產生的酸存在於EUV阻劑與底層膜之界面則阻劑圖型的底部會有變成基蝕(undercut)的傾向，進而若於EUV阻劑與底層膜之界面酸不足則變成基腳(footing)，於本發明中係藉由上述矽烷化合物之添加，以中和(淬火)、或供給存在於界面的酸而加以改善者。因而，上述所添加的矽烷化合物，較佳為能夠利用以光所致之分解而成為鹼者，或以矽烷化合物本身之鹼性或氫鍵結所致之酸的阱之化合物。此外，所添加之矽烷化合物，較佳為能夠以光所致之二次電子的發生或酸的發生之化合物。如此一來，能夠藉由矽烷化合物之添加而將在界面之酸的平衡進行調製。
此外，此等矽烷化合物係於改善與阻劑之密著性方面亦具有效果。
而，矽烷化合物具有水解性基，因此該矽醇基會與聚矽氧烷鍵結，而能夠組入聚矽氧烷，故亦具有抑制曝光時之排氣發生的效果。
本發明之EUV微影用阻劑底層膜形成組成物係含有：含有水解性矽烷(a)之水解縮合物的聚矽氧烷(A)；與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)。
此外，本發明之EUV微影用阻劑底層膜形成組成物係含有：含有水解性矽烷(a)與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)之水解縮合物的聚矽氧烷(B)。
上述水解縮合物雖為聚矽氧烷，但亦可使用如於水解縮合物中混合有於得到水解縮合物時水解並未完全結束的水解物或部分水解物或矽烷化合物之類的混合物。
本發明之阻劑底層膜形成組成物係含有上述聚矽氧烷(A)或聚矽氧烷(B)，進一步含有溶劑。並且可含有酸、水、醇、硬化觸媒、酸產生劑、其他有機聚合物、吸光性化合物、及界面活性劑等作為任意成分。
本發明之阻劑底層膜形成組成物中之固體成分係為例如0.1~50質量%，或0.1~30質量%、0.1~25質量%。在此，固體成分係指由阻劑底層膜形成組成物之全部成分中排除溶劑成分者。
固體成分中所佔有的聚矽氧烷(A)或聚矽氧烷(B)之比例為20質量%以上，例如50~99.999質量%，或60~99.99質量%，或70~99.5質量%。
此外，水解性矽烷化合物(b)係可以相對於聚矽氧烷(A)為0.001~15質量%，或0.01~15質量%，或1 ~15質量%，或5~10質量%之範圍進行添加。
本發明所使用的聚矽氧烷(A)係水解性矽烷(a)之水解縮合物，水解性矽烷(a)係由四烷氧基矽烷、烷基三烷氧基矽烷、芳基三烷氧基矽烷中所選出的水解性矽烷之共水解縮合物。聚矽氧烷(A)係以四烷氧基矽烷、烷基三烷氧基矽烷與芳基三烷氧基矽烷之共水解縮合物為佳。
四烷氧基矽烷係四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四丁氧基矽烷等之矽烷化合物。
烷基三烷氧基矽烷之烷基係具有直鏈或分支的碳原子數1~10之烷基，可列舉例如：甲基、乙基、n-丙基、i-丙基、n-丁基、i-丁基、s-丁基、t-丁基、n-戊基、1-甲基-n-丁基、2-甲基-n-丁基、3-甲基-n-丁基、1,1-二甲基-n-丙基、1,2-二甲基-n-丙基、2,2-二甲基-n-丙基、1-乙基-n-丙基、n-己基、1-甲基-n-戊基、2-甲基-n-戊基、3-甲基-n-戊基、4-甲基-n-戊基、1,1-二甲基-n-丁基、1,2-二甲基-n-丁基、1,3-二甲基-n-丁基、2,2-二甲基-n-丁基、2,3-二甲基-n-丁基、3,3-二甲基-n-丁基、1-乙基-n-丁基、2-乙基-n-丁基、1,1,2-三甲基-n-丙基、1,2,2-三甲基-n-丙基、1-乙基-1-甲基-n-丙基及1-乙基-2-甲基-n-丙基等。此外，亦可使用環狀烷基，例如碳原子數1~10之環狀烷基係可列舉：環丙基、環丁基、1-甲基-環丙基、2-甲基-環丙基、環戊基、1-甲基-環丁基、2-甲基-環丁基、3-甲基-環丁基、1,2-二甲基-環丙基、2,3-二甲基-環丙基、 1-乙基-環丙基、2-乙基-環丙基、環己基、1-甲基-環戊基、2-甲基-環戊基、3-甲基-環戊基、1-乙基-環丁基、2-乙基-環丁基、3-乙基-環丁基、1,2-二甲基-環丁基、1,3-二甲基-環丁基、2,2-二甲基-環丁基、2,3-二甲基-環丁基、2,4-二甲基-環丁基、3,3-二甲基-環丁基、1-n-丙基-環丙基、2-n-丙基-環丙基、1-i-丙基-環丙基、2-i-丙基-環丙基、1,2,2-三甲基-環丙基、1,2,3-三甲基-環丙基、2,2,3-三甲基-環丙基、1-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-1-甲基-環丙基、2-乙基-2-甲基-環丙基及2-乙基-3-甲基-環丙基等。
特別是使用有甲基為佳。此外，水解基係可列舉：甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等。
芳基三烷氧基矽烷之芳基係可列舉取代或非取代之苯基、或萘基。特別是以苯基為佳。該取代基係可列舉：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等之鹵素原子、或甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、i-丙氧基等之烷氧基、甲氧基甲氧基、乙氧基乙氧基、甲氧基乙氧基、乙氧基甲氧基等之烷氧基烷氧基。
此外，水解基係可列舉：甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等。
該芳基三烷氧基矽烷係可例示如下。
上述式中X係表示甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等之水解性基。
聚矽氧烷(A)係相對於四烷氧基矽烷70莫耳，以烷基三烷氧基矽烷為10~35莫耳、芳基三烷氧基矽烷為0~25莫耳的比例進行共水解縮合而成者。
此外，聚矽氧烷(A)係以相對於四烷氧基矽烷70莫 耳，以烷基三烷氧基矽烷為10~35莫耳、芳基三烷氧基矽烷為2~25莫耳的比例進行共水解縮合而成者為佳。
聚矽氧烷(A)之具體例係可例示如下。
水解性矽烷(a)之水解縮合物(聚矽氧烷(A))係可得到重量平均分子量1000~1000000、或1000~100000之縮合物。此等之分子量係利用以GPC分析所致之聚苯乙烯換算所得到的分子量。
GPC之測量條件係可使用例如GPC裝置(商品名HLC-8220GPC，TOSOH股份有限公司製)、GPC管柱(商品名ShodexKF803L、KF802、KF801，昭和電工製)、管柱溫度為40℃、溶析液(溶出溶劑)為四氫呋喃、流量(流速)為1.0ml/min、標準試料為聚苯乙烯 (昭和電工股份有限公司製)來進行。
於水解性基之水解中，係水解性基每1莫耳當量使用0.5~100莫耳，較佳為1~10莫耳之水。
此外，水解性基每1莫耳當量可使用0.001~10莫耳，較佳為0.001~1莫耳的水解觸媒。
進行水解與縮合時的反應溫度一般為20~90℃。
水解係可進行完全水解，亦可進行部分水解。亦即，亦可於水解縮合物中殘留有水解物或單體。
於水解縮合時可使用觸媒。
水解觸媒係可列舉：金屬螯合化合物、有機酸、無機酸、有機鹼、無機鹼。
作為水解觸媒之金屬螯合化合物係可列舉例如：三乙氧基‧單(乙醯丙酮酸)鈦(triethoxy‧mono(acetylacetonate)titanium)、三-n-丙氧基‧單(乙醯丙酮酸)鈦、三-i-丙氧基‧單(乙醯丙酮酸)鈦、三-n-丁氧基‧單(乙醯丙酮酸)鈦、三-sec-丁氧基‧單(乙醯丙酮酸)鈦、三-t-丁氧基‧單(乙醯丙酮酸)鈦、二乙氧基‧雙(乙醯丙酮酸)鈦、二-n-丙氧基‧雙(乙醯丙酮酸)鈦、二-i-丙氧基‧雙(乙醯丙酮酸)鈦、二-n-丁氧基‧雙(乙醯丙酮酸)鈦、二-sec-丁氧基‧雙(乙醯丙酮酸)鈦、二-t-丁氧基‧雙(乙醯丙酮酸)鈦、單乙氧基‧參(乙醯丙酮酸)鈦、單-n-丙氧基‧參(乙醯丙酮酸)鈦、單-i-丙氧基‧參(乙醯丙酮酸)鈦、單-n-丁氧基‧參(乙醯丙酮酸)鈦、單-sec-丁氧基‧參(乙醯丙酮酸) 鈦、單-t-丁氧基‧參(乙醯丙酮酸)鈦、肆(乙醯丙酮酸)鈦、三乙氧基‧單(乙醯乙酸乙酯)鈦、三-n-丙氧基‧單(乙醯乙酸乙酯)鈦、三-i-丙氧基‧單(乙醯乙酸乙酯)鈦、三-n-丁氧基‧單(乙醯乙酸乙酯)鈦、三-sec-丁氧基‧單(乙醯乙酸乙酯)鈦、三-t-丁氧基‧單(乙醯乙酸乙酯)鈦、二乙氧基‧雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、二-n-丙氧基‧雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、二-i-丙氧基‧雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、二-n-丁氧基‧雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、二-sec-丁氧基‧雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、二-t-丁氧基‧雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、單乙氧基‧參(乙醯乙酸乙酯)鈦、單-n-丙氧基‧參(乙醯乙酸乙酯)鈦、單-i-丙氧基‧參(乙醯乙酸乙酯)鈦、單-n-丁氧基‧參(乙醯乙酸乙酯)鈦、單-sec-丁氧基‧參(乙醯乙酸乙酯)鈦、單-t-丁氧基‧參(乙醯乙酸乙酯)鈦、肆(乙醯乙酸乙酯)鈦、單(乙醯丙酮酸)參(乙醯乙酸乙酯)鈦、雙(乙醯丙酮酸)雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、參(乙醯丙酮酸)單(乙醯乙酸乙酯)鈦等之鈦螯合化合物；三乙氧基‧單(乙醯丙酮酸)鋯、三-n-丙氧基‧單(乙醯丙酮酸)鋯、三-i-丙氧基‧單(乙醯丙酮酸)鋯、三-n-丁氧基‧單(乙醯丙酮酸)鋯、三-sec-丁氧基‧單(乙醯丙酮酸)鋯、三-t-丁氧基‧單(乙醯丙酮酸)鋯、二乙氧基‧雙(乙醯丙酮酸)鋯、二-n-丙氧基‧雙(乙醯丙酮酸)鋯、二-i-丙氧基‧雙(乙醯丙酮酸)鋯、二-n-丁氧基‧雙(乙醯丙酮酸)鋯、二-sec-丁氧基‧雙(乙 醯丙酮酸)鋯、二-t-丁氧基‧雙(乙醯丙酮酸)鋯、單乙氧基‧參(乙醯丙酮酸)鋯、單-n-丙氧基‧參(乙醯丙酮酸)鋯、單-i-丙氧基‧參(乙醯丙酮酸)鋯、單-n-丁氧基‧參(乙醯丙酮酸)鋯、單-sec-丁氧基‧參(乙醯丙酮酸)鋯、單-t-丁氧基‧參(乙醯丙酮酸)鋯、肆(乙醯丙酮酸)鋯、三乙氧基‧單(乙醯乙酸乙酯)鋯、三-n-丙氧基‧單(乙醯乙酸乙酯)鋯、三-i-丙氧基‧單(乙醯乙酸乙酯)鋯、三-n-丁氧基‧單(乙醯乙酸乙酯)鋯、三-sec-丁氧基‧單(乙醯乙酸乙酯)鋯、三-t-丁氧基‧單(乙醯乙酸乙酯)鋯、二乙氧基‧雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、二-n-丙氧基‧雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、二-i-丙氧基‧雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、二-n-丁氧基‧雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、二-sec-丁氧基‧雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、二-t-丁氧基‧雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、單乙氧基‧參(乙醯乙酸乙酯)鋯、單-n-丙氧基‧參(乙醯乙酸乙酯)鋯、單-i-丙氧基‧參(乙醯乙酸乙酯)鋯、單-n-丁氧基‧參(乙醯乙酸乙酯)鋯、單-sec-丁氧基‧參(乙醯乙酸乙酯)鋯、單-t-丁氧基‧參(乙醯乙酸乙酯)鋯、肆(乙醯乙酸乙酯)鋯、單(乙醯丙酮酸)參(乙醯乙酸乙酯)鋯、雙(乙醯丙酮酸)雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、參(乙醯丙酮酸)單(乙醯乙酸乙酯)鋯等之鋯螯合化合物；參(乙醯丙酮酸)鋁、參(乙醯乙酸乙酯)鋁等之鋁螯合化合物等。
作為水解觸媒之有機酸係可列舉例如：乙 酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、草酸、馬來酸、甲基丙二酸、己二酸、癸二酸、没食子酸、丁酸、苯六甲酸(mellitic acid)、花生油酸(arachidonic acid)、莽草酸(shikimic acid)、2-乙基己酸、油酸、硬脂酸、亞麻油酸、次亞麻油酸、柳酸、苯甲酸、p-胺基苯甲酸、p-甲苯磺酸、苯磺酸、單氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、甲酸、丙二酸、磺酸、鄰苯二甲酸、富馬酸、檸檬酸、酒石酸等。
作為水解觸媒之無機酸係可列舉例如：鹽酸、硝酸、硫酸、氟酸、磷酸等。
作為水解觸媒之有機鹼係可列舉例如：吡啶、吡咯、哌嗪、吡咯啶、哌啶、甲吡啶、三甲基胺、三乙基胺、單乙醇胺、二乙醇胺、二甲基單乙醇胺、單甲基二乙醇胺、三乙醇胺、二吖雙環辛烷、二吖雙環壬烷、二吖雙環十一烯、氫氧化四甲銨等。無機鹼係可列舉例如：氨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋇、氫氧化鈣等。此等觸媒當中係以金屬螯合化合物、有機酸、無機酸為佳，此等係可1種或同時使用2種以上。
水解所使用的有機溶劑係可列舉例如：n-戊烷、i-戊烷、n-己烷、i-己烷、n-庚烷、i-庚烷、2,2,4-三甲基戊烷、n-辛烷、i-辛烷、環己烷、甲基環己烷等之脂肪族烴系溶劑；苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、三甲基苯、甲基乙基苯、n-丙基苯、i-丙基苯、二乙基苯、i-丁基苯、三乙基苯、二-i-丙基苯、n-戊基萘、三甲基苯等之芳 香族烴系溶劑；甲醇、乙醇、n-丙醇、i-丙醇、n-丁醇、i-丁醇、sec-丁醇、t-丁醇、n-戊醇、i-戊醇、2-甲基丁醇、sec-戊醇、t-戊醇、3-甲氧基丁醇、n-己醇、2-甲基戊醇、sec-己醇、2-乙基丁醇、sec-庚醇、庚醇-3、n-辛醇、2-乙基己醇、sec-辛醇、n-壬醇、2,6-二甲基庚醇-4、n-癸醇、sec-十一醇、三甲基壬醇、sec-十四醇、sec-十七醇、酚、環己醇、甲基環己醇、3,3,5-三甲基環己醇、苯甲醇、苯基甲基甲醇、二丙酮醇、甲酚等之單醇系溶媒；乙二醇、丙二醇、1,3-丁二醇、戊二醇-2,4、2-甲基戊二醇-2,4、己二醇-2,5、庚二醇-2,4、2-乙基己二醇-1,3、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇、丙三醇等之多元醇系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基-n-丙基酮、甲基-n-丁基酮、二乙基酮、甲基-i-丁基酮、甲基-n-戊基酮、乙基-n-丁基酮、甲基-n-己基酮、二-i-丁基酮、三甲基壬酮(nonanone)、環己酮、甲基環己酮、2,4-戊二酮(Pentanedione)、丙酮基丙酮、二丙酮醇、苯乙酮、葑酮等之酮系溶劑；乙基醚、i-丙基醚、n-丁基醚、n-己基醚、2-乙基己基醚、乙烯氧化物、1,2-丙烯氧化物、二氧戊環(dioxolane)、4-甲基二氧戊環、二噁烷、二甲基二噁烷、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇單-n-丁基醚、乙二醇單-n-己基醚、乙二醇單苯基醚、乙二醇單-2-乙基丁基醚、乙二醇二丁基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇單-n-丁基醚、二乙二醇二-n-丁基醚、二乙 二醇單-n-己基醚、乙氧基三乙二醇、四乙二醇二-n-丁基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單丁基醚、三丙二醇單甲基醚、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃等之醚系溶劑；二乙基碳酸酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、γ-丁內酯、γ-戊內酯、乙酸n-丙酯、乙酸i-丙酯、乙酸n-丁酯、乙酸i-丁酯、乙酸sec-丁酯、乙酸n-戊酯、乙酸sec-戊酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸甲基戊酯、乙酸2-乙基丁酯、乙酸2-乙基己酯、乙酸苄酯、乙酸環己酯、乙酸甲基環己酯、乙酸n-壬酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙酸乙二醇單甲基醚、乙酸乙二醇單乙基醚、乙酸二乙二醇單甲基醚、乙酸二乙二醇單乙基醚、乙酸二乙二醇單-n-丁基醚、乙酸丙二醇單甲基醚、乙酸丙二醇單乙基醚、乙酸丙二醇單丙基醚、乙酸丙二醇單丁基醚、乙酸二丙二醇單甲基醚、乙酸二丙二醇單乙基醚、二乙酸乙二醇、乙酸甲氧基三乙二醇、丙酸乙酯、丙酸n-丁酯、丙酸i-戊酯、草酸二乙酯、草酸二-n-丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸n-丁酯、乳酸n-戊酯、丙二酸二乙酯、鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯等之酯系溶劑；N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺(propion amide)、N-甲基吡咯啶酮等之含氮系溶劑；硫化二甲基、硫化二乙基、噻吩、四氫噻吩、二甲基亞碸、環丁碸、1,3-丙烷磺 內酯(propane sultone)等之含硫系溶劑等。此等溶劑係可1種或組合2種以上使用。
尤其，就溶液之保存安定性的觀點而言，係以丙酮、甲基乙基酮、甲基-n-丙基酮、甲基-n-丁基酮、二乙基酮、甲基-i-丁基酮、甲基-n-戊基酮、乙基-n-丁基酮、甲基-n-己基酮、二-i-丁基酮、三甲基壬酮、環己酮、甲基環己酮、2,4-戊二酮、丙酮基丙酮、二丙酮醇、苯乙酮、葑酮(1,1,3-三甲基-2-降莰烯)等之酮系溶劑為佳。
在溶劑中使用觸媒來將水解性有機矽烷水解縮合，所得到的解縮合物(聚合物)係可藉由減壓蒸餾等而同時去除副生成物之醇或所使用的水解觸媒或水。此外，可藉由中和或離子交換而排除水解所使用的酸或鹼觸媒。接著，於本發明之微影用阻劑底層膜形成組成物中，含有該水解縮合物的阻劑底層膜形成組成物係可為了安定化而添加酸(例如有機酸)、水、醇、或此等之組合。
上述有機酸係可列舉例如：草酸、丙二酸、甲基丙二酸、琥珀酸、馬來酸、蘋果酸、酒石酸、鄰苯二甲酸、檸檬酸、戊二酸、檸檬酸、乳酸、柳酸等。其中，以草酸、馬來酸等為佳。所添加的有機酸係相對於縮合物(聚有機矽氧烷)100質量份為0.5~5.0質量份。此外，所添加的水係可使用純水、超純水、離子交換水等，該添加量係相對於阻劑底層膜形成組成物100質量份可設為1~20質量份。
此外，所添加的醇係以藉由塗佈後之加熱而容易飛散者為佳，可列舉例如：甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等。添加的醇係相對於阻劑底層膜形成組成物100質量份可設為1~20質量份。
於本發明中係可添加具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)。
上述水解性矽烷(b)係可以一般式(b-1)表示。
上述式(b-1)中，R4係表示甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等之碳原子數1~10之烷氧基。R1係表示碳原子數1~10之伸烷基，可列舉例如：伸甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基等。R2係表示如上述所示之磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構。
R3係表示氫原子、碳原子數1~10之烷基、碳原子數1~10之氟烷基、碳原子數2~10之烯基、或碳原子數6~20之芳基。碳原子數1~10之烷基係可列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基等。碳原子數2~10之烯基係可列舉例如：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-甲基-1-乙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基等。尤其，可以使用2-丙烯基(亦即，烯丙基)為佳。碳原子數1~10之氟烷基係可列舉例如：全氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基等。碳原子數6~20之芳基係可列舉可被取代的苯基、萘基等。
水解性矽烷(b)係可例示如下。
此外，本發明係關於一種EUV微影用阻劑底層膜形成組成物，其係含有：含有水解性矽烷(a)與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)之水解縮合物的聚矽氧烷(B)。
水解性矽烷(a)與水解性矽烷化合物(b)之水解縮 合物(聚矽氧烷(B))係可得到重量平均分子量1000~1000000、或1000~100000之縮合物。此等之分子量係利用以GPC分析所致之聚苯乙烯換算所得到的分子量。
GPC之測量條件係可使用例如GPC裝置(商品名HLC-8220GPC，TOSOH股份有限公司製)、GPC管柱(商品名ShodexKF803L、KF802、KF801，昭和電工製)、管柱溫度為40℃、溶析液(溶出溶劑)為四氫呋喃、流量(流速)為1.0ml/min、標準試料為聚苯乙烯(昭和電工股份有限公司製)來進行。
水解縮合物之製造方法係可如同上述般地進行。
上述聚矽氧烷(B)之具體例係可例示如下。
於本發明中係可含有交聯性化合物。此等交聯劑係較佳使用具有二個交聯形成取代基的交聯性化合物。可列舉例如具有羥甲基、甲氧基甲基之交聯形成取代基的三聚氰胺系化合物或取代脲系化合物。具體而言係甲氧基甲基化乙炔脲、或甲氧基甲基化三聚氰胺等之化合物，例如：四甲氧基甲基乙炔脲、四丁氧基甲基乙炔脲、或六甲氧基甲基三聚氰胺。此外，亦可列舉四甲氧基甲基脲、四丁氧基甲基脲等之化合物。含有此等交聯劑時，在固體成分中為例如50質量%以下、0.01~50質量%、或10~40質量%。
本發明之阻劑底層膜形成組成物係可含有酸化合物。酸化合物係可列舉例如：p-甲苯磺酸、三氟甲磺酸、及吡啶(pyridinium)-p-甲苯磺酸酯等之磺酸化合物、柳酸、磺柳酸、檸檬酸、苯甲酸、及羥苯甲酸等之羧酸化合物。此外，酸化合物係可列舉例如：2,4,4,6-四溴環己二烯、安息香甲苯磺酸酯(benzoin tosylate)、2-硝苄基甲苯磺酸酯、p-三氟甲基苯磺酸-2,4-二硝苄基酯、苯基-雙(三氯甲基)-s-三嗪、及N-羥基琥珀醯亞胺三氟甲烷磺酸酯等之藉由熱或光而產生酸的酸產生劑。酸化合物 又可列舉：二苯基錪六氟磷酸鹽、二苯基錪三氟甲烷磺酸鹽、及雙(4-tert-丁基苯基)錪三氟甲烷磺酸鹽等之錪鹽系酸產生劑、及三苯鋶六氟銻酸鹽、及三苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽等之鋶鹽系酸產生劑。酸化合物係以使用有磺酸化合物、錪鹽系酸產生劑、鋶鹽系酸產生劑為佳。酸化合物係可僅使用一種，此外可將二種以上組合使用。酸化合物之含量係在固體成分中為例如0.1~10質量%，或0.1~5質量%。
本發明之阻劑底層膜形成組成物係可含有硬化觸媒。硬化觸媒係於使由含有水解縮合物所構成的聚有機矽氧烷之塗佈膜加熱硬化時發揮硬化觸媒的功效。
硬化觸媒係可使用銨鹽、環狀銨化合物、環狀胺化合物、或鋶化合物。
硬化觸媒係相對於聚有機矽氧烷100質量份為0.01~10質量份、或0.01~5質量份、或0.01~3質量份。
流變調整劑係可列舉例如：鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯、鄰苯二甲酸二異丁酯、鄰苯二甲酸二己酯、鄰苯二甲酸丁基異癸酯等之鄰苯二甲酸化合物、己二酸二正丁酯、己二酸二異丁酯、己二酸二異辛酯、己二酸辛基癸酯等之己二酸化合物、馬來酸二正丁酯、馬來酸二乙酯、馬來酸二壬酯等之馬來酸化合物、油酸甲酯、油酸丁酯、油酸四氫糠酯等之油酸化合物、及硬脂酸正丁酯、硬脂酸甘油酯等之硬脂酸化合物。使用有流變調整劑時，該使用量係在固體成分中為例如0.001~10質量%。
界面活性劑係可列舉例如：聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯鯨蠟醚、聚氧乙烯油基醚等之聚氧乙烯烷基醚類、聚氧乙烯辛基酚醚、聚氧乙烯壬基酚醚等之聚氧乙烯烷基烯丙基醚類、聚氧乙烯‧聚氧丙烯嵌段共聚物類、山梨醇酐單月桂酸酯、山梨醇酐單棕櫚酸酯、山梨醇酐單硬脂酸酯、山梨醇酐單油酸酯、山梨醇酐三油酸酯、山梨醇酐三硬脂酸酯等之山梨醇酐脂肪酸酯類、聚氧乙烯山梨醇酐單月桂酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐單棕櫚酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐單硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐三油酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐三硬脂酸酯等之聚氧乙烯山梨醇酐脂肪酸酯類等之非離子系界面活性劑、商品名EFTOP EF301、EF303、EF352((股)TOHKEM PRODUCTS製)、商品名MEGAFACE F171、F173、R-08、R-30(大日本油墨化學工業(股)製)、Fluorad FC430、FC431(住友3M(股)製)、商品名AashiGuard AG710，SURFLON S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(股)製)等之氟系界面活性劑、及有機矽氧烷聚合物KP341(信越化學工業(股)製)等。此等界面活性劑係可單獨使用，此外亦可2種以上組合使用。使用有界面活性劑時，該使用量係在固體成分中為例如0.0001~5質量%。
於本發明之阻劑底層膜形成組成物中所使用的溶劑，係只要可溶解前述固體成分的溶劑，則可無特別限制地使用。如此之溶劑係可列舉例如：乙二醇單甲基 醚、乙二醇單乙基醚、甲基賽路蘇乙酸酯、乙基賽路蘇乙酸酯、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、丙二醇、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、及乳酸丁酯等。此等溶劑係可單獨或二種以上組合使用。進而，可將丙二醇單丁基醚、丙二醇單丁基醚乙酸酯等之高沸點溶劑進行混合而使用。
於半導體基板(例如，矽/二氧化矽被覆基板、矽氮化物基板、玻璃基板、及ITO基板等)之上，藉由旋轉器、塗佈機等之適當的塗佈方法塗佈本發明之阻劑底層膜形成組成物，其後，藉由燒成而形成阻劑底層膜。
燒成之條件係可由燒成溫度80℃~250℃、燒成時間0.3~60分鐘當中適當選擇。較佳為燒成溫度130℃~250℃、燒成時間0.5~5分鐘。在此，所形成的阻劑底層膜之厚度係為例如0.01~3.0μm，較佳為例如0.01~1.0μm、或0.01~0.5μm、或0.01~0.05μm。
接著，於阻劑底層膜之上，形成有EUV阻劑等之高能量線阻劑的層。高能量線阻劑的層之形成係可藉由周知的方法，亦即，於高能量線阻劑組成物溶液的底層膜上塗 佈及燒成而進行。
EUV阻劑係可使用使用有PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、聚羥基苯乙烯、酚樹脂等之樹脂的阻劑組成物。
接著，透過特定的遮罩進行曝光。曝光方面係可使用EUV光(13.5nm)、電子束、X射線等。曝光後，亦可因應需要而進行曝光後加熱(PEB：Post Exposure Bake)。曝光後加熱係由加熱溫度70℃~150℃，加熱時間0.3~10分鐘中適當選擇。
接著，藉由顯像液進行顯像。顯像液係可列舉：氫氧化鉀、氫氧化鈉等之鹼金屬氫氧化物的水溶液、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、膽鹼等之氫氧化四級銨的水溶液、乙醇胺、丙基胺、伸乙二胺等之胺水溶液等的鹼性水溶液為例。進而，亦可於此等顯像液中添加界面活性劑等。顯像之條件係由溫度5~50℃，時間10~300秒中適當選擇。
此外，於本發明中係可將有機溶劑使用於顯像液中來進行阻劑之顯像。藉此，於使用有例如正型光阻劑時，未曝光部分之光阻劑會被去除，而形成光阻劑之圖型。
顯像液係可列舉例如：乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、丙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單丙基醚乙酸酯、乙二醇單丁基醚乙酸酯、乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇單丙基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、二 乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丙基醚乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、丙基-3-甲氧基丙酸酯等為例。進而，亦可於此等顯像液中添加界面活性劑等。顯像之條件係由溫度5~50℃，時間10~600秒中適當選擇。
而，將以上述方式所形成的光阻劑之圖型作為保護膜，來進行阻劑底層膜之去除及半導體基板之加工。阻劑底層膜之去除係使用四氟甲烷、全氟環丁烷(C4F8)、全氟丙烷(C3F8)、三氟甲烷、一氧化碳、氬、氧、氮、六氟化硫、二氟甲烷、三氟化氮及三氟化氯 等之氣體來進行。
亦可於在半導體基板上形成有本發明之阻劑底層膜之前，形成有平坦化膜或間隙填充材層或有機底層膜。於使用具有大的段差或電洞的半導體基板時，係以形成有平坦化膜或間隙填充材層為佳。
[實施例] (在阻劑之顯像液為以鹼水溶液進行之製程的評估) 合成例1
將15.21g(70mol%)之四乙氧基矽烷、3.72g(20mol%)之甲基三乙氧基矽烷、2.07g(10mol%)之苯基三甲氧基矽烷、31.49g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸6.95g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加42.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的乙醇、甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(1-1)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為 Mw1100。
合成例2
將15.21g(70mol%)之四乙氧基矽烷、4.65g(25mol%)之甲基三乙氧基矽烷、1.03g(5mol%)之苯基三甲氧基矽烷、31.33g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸6.95g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加42.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的乙醇、甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(1-1)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw1300。
合成例3
將11.11g(70mol%)之四甲氧基矽烷、3.55g(25mol%)之甲基三甲氧基矽烷、1.03g(5mol%)之苯基三甲氧基矽烷、23.55g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸6.95g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的 油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加32.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(1-1)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw1300。
合成例4
將11.11g(70mol%)之四甲氧基矽烷、2.84g(20mol%)之甲基三甲氧基矽烷、2.38g(10mol%)之4-甲氧基苯基三甲氧基矽烷、24.50g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸6.95g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加32.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(1- 2)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw1200。
合成例5
將11.11g(70mol%)之四甲氧基矽烷、4.26g(30mol%)之甲基三甲氧基矽烷、23.06g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸6.95g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加30.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(1-9)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw1300。
合成例6
將24.58g(70mol%)之四乙氧基矽烷、6.01g(20mol%)之三乙氧基甲基矽烷、4.91g之N-(3-(三乙氧基矽烷基)丙基)丁基醯胺、53.26g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將 0.01mol/l之鹽酸11.23g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-1)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例7
將23.34g(70mol%)之四乙氧基矽烷、5.71g(20mol%)之三乙氧基甲基矽烷、6.68g之七氟-N-(3-(三乙氧基矽烷基)丙基)丁基醯胺、53.60g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸10.67g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚 20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-2)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例8
將24.81g(70mol%)之四乙氧基矽烷、7.58g(25mol%)之三乙氧基甲基矽烷、3.08g之N-(3-(三乙氧基矽烷基)丙基)苯磺酸醯胺、53.20g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸11.34g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-3)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例9
將24.21g(70mol%)之四乙氧基矽烷、5.92g (20mol%)之三乙氧基甲基矽烷、5.44g之N-(3-(三乙氧基矽烷基)丙基)丙磺酸醯胺、53.36g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸11.06g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-4)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例10
將24.87g(70mol%)之四乙氧基矽烷、6.08g(20mol%)之三乙氧基甲基矽烷、4.51g之1-丙基-3-(3-(三甲氧基矽烷基)丙基)脲、53.18g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸11.36g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生 成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-5)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例11
將23.38g(70mol%)之四乙氧基矽烷、5.72g(20mol%)之三乙氧基甲基矽烷、6.63g之3-(三乙氧基矽烷基)丙基二烯丙基異氰尿酸酯、53.59g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸10.68g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-6)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例12
將23.95g(70mol%)之四乙氧基矽烷、5.86g(20mol%)之三乙氧基甲基矽烷、5.82g之式(b-1-8)單體、53.43g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸10.94g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-7)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例13
將23.90g(70mol%)之四乙氧基矽烷、5.84g(20mol%)之三乙氧基甲基矽烷、5.89g之式(b-1-9)單體、53.45g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸10.92g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至 室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-8)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例14
將24.46g(70mol%)之四乙氧基矽烷、5.98g(20mol%)之三乙氧基甲基矽烷、5.09g之式(b-1-10)單體、53.29g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸11.18g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-9)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例15
將24.31g(70mol%)之四乙氧基矽烷、5.94g(20mol%)之三乙氧基甲基矽烷、5.31g之N-(5-(三甲氧基矽烷基)-2-氮雜-1-氧代戊酯(oxopentyl)-己內醯胺(式(b-1-11))、53.37g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸11.11g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-10)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例16
將23.81g(70mol%)之四乙氧基矽烷、5.82g(20mol%)之三乙氧基甲基矽烷、6.02g之(S)-N-1-苯基乙基-N-三乙氧基矽烷基丙基脲(式(b-1-12))、53.47g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌 混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸10.88g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-11)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例17
將23.46g(70mol%)之四乙氧基矽烷、2.87g(20mol%)之三乙氧基甲基矽烷、9.38g之N-(3-(三乙氧基矽烷基)丙基)丁基醯胺、53.57g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸10.72g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚 20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-1)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例18
將21.37g(70mol%)之四乙氧基矽烷、2.61g(10mol%)之三乙氧基甲基矽烷、12.12g之3-(三乙氧基矽烷基)丙基二烯丙基異氰尿酸酯、54.14g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸9.76g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-6)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例19
將22.33g(70mol%)之四乙氧基矽烷、2.73g (10mol%)之三乙氧基甲基矽烷、10.86g之式(b-1-8)單體、53.88g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸10.20g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-7)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例20
將23.24g(70mol%)之四乙氧基矽烷、2.84g(10mol%)之三乙氧基甲基矽烷、9.67g之式(b-1-10)單體、53.63g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸10.62g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基 醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-9)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例21
將22.97g(70mol%)之四乙氧基矽烷、2.81g(10mol%)之三乙氧基甲基矽烷、10.03g之N-(5-(三甲氧基矽烷基)-2-氮雜-1-氧代戊酯)己內醯胺(式(b-1-11))、53.70g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸10.49g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-10)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例22
將22.44g(70mol%)之四乙氧基矽烷、13.46g之N-(3-(三乙氧基矽烷基)丙基)丁基醯胺、53.85g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸10.25g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-12)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例23
將19.67g(70mol%)之四乙氧基矽烷、16.73g之3-(三乙氧基矽烷基)丙基二烯丙基異氰尿酸酯、54.61g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸8.99g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而 得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-13)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例24
將20.92g(70mol%)之四乙氧基矽烷、15.26g之式(b-1-8)單體、54.26g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸9.56g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-14)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例25
將22.14g(70mol%)之四乙氧基矽烷、13.82g之式 (b-1-10)單體、53.93g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸10.12g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-14-2)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例26
將21.76g(70mol%)之四乙氧基矽烷、14.26g之N-(5-(三甲氧基矽烷基)-2-氮雜-1-氧代戊酯)-己內醯胺(式(b-1-11))單體、54.03g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸9.95g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物) 丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-15)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例27
將25.59g(70mol%)之四乙氧基矽烷、6.26g之三乙氧基甲基矽烷、3.48g之苯基三甲氧基矽烷、52.98g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸11.69g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(1-1)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
比較合成例1
將25.25g(70mol%)之四乙氧基矽烷、6.18g (20mol%)之三乙氧基甲基矽烷、3.95g(10mol%)之[4-(甲氧基甲氧基)苯基]三甲氧基矽烷、53.08g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸11.54g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物係以GPC所致之重量平均分子量為以聚苯乙烯換算為Mw2000。
(含Si之阻劑底層膜的調整)
以表1所示的比例將上述合成例1~5所得到的含矽聚合物、酸、硬化觸媒、溶劑、水進行混合，分別調製出阻劑底層膜形成組成物。表1中之聚合物的添加比例並非聚合物溶液的添加量，而是表示聚合物本身的添加量。
在表1中係有下述略稱：馬來酸為MA、苄基三乙基銨氯化物為BTEAC、N-(3-三乙氧基矽烷基丙基)-4,5-二氫咪唑為IMIDTEOS、三苯基鋶氯化物為TPSC1、馬來酸單三苯基鋶為TPSMA、丙二醇單甲基醚乙酸酯為 PGMEA、丙二醇單乙基醚為PGEE、丙二醇單甲基醚為PGME。
此外，在表1中係有下述略稱：N-(3-(三乙氧基矽烷基)丙基)丁基醯胺為AmideTEOS、七氟-N-(3-(三乙氧基矽烷基)丙基)丁烷醯胺為FamideTEOS、N-(3-(三乙氧基矽烷基)丙基)苯磺醯胺為BSA、N-(3-(三乙氧基矽烷基)丙基)丙磺醯胺為PrSA、1-(3-(三甲氧基矽烷基)丙基)脲為UreaTMOS、1-丙基-3-(3-(三甲氧基矽烷基)丙基)脲為PrureaTMOS、3-(三乙氧基矽烷基)丙基二烯丙基異氰尿酸酯為DAICATEOS。水係使用超純水。各添加量係以質量份顯示。
藉由以表1所示的比例將上述合成例所得到的含矽聚合物、酸、硬化觸媒、其他添加劑、溶劑、水進行混合，並以0.1μm之氟樹脂製的過濾器進行過濾，而分別調製出阻劑底層膜形成用組成物之溶液。表1中之聚合物的添加比例並非聚合物溶液的添加量，而是表示聚合物本身的添加量。
在表1中係有下述略稱：馬來酸為MA、苄基三乙基銨氯化物為BTEAC、N-(3-三乙氧基矽烷基丙基)-4,5-二氫咪唑為IMIDTEOS、三苯基鋶硝酸鹽為TPSNO3、三苯基鋶樟腦磺酸鹽為TPSCS、雙酚碸(bisphenol sulfone)為BPS、6-(3-(三甲氧基矽烷基)丙基)-5H-二苯并〔c，e〕氮呯-5,7(6H)-二酮為DPImTMOS、2-(3-(三乙氧基矽烷基)丙基)-1H-苯并〔f〕異吲哚-1,3(2H)-二酮為NAImTEOS、1-(3-(三乙氧基矽烷基) 丙基)吡咯啶-2,5-二酮為SucImTEOS、N-(5-(三甲氧基矽烷基)-2-氮雜-1-氧代戊酯)-己內醯胺為CapUreaTMOs、(S)-N-1-苯基乙基-N-三乙氧基矽烷基丙基脲為PhEtUreaTEOS、丙二醇單甲基醚乙酸酯為PGMEA、丙二醇單乙基醚為PGEE、丙二醇單甲基醚為PGME。水係使用超純水。各添加量係以質量份顯示。
(有機底層膜(A1層))
使用丸善石油化學股份有限公司製之CNp-PM(成分係以莫耳比計為乙烯基萘60%：羥基苯乙烯40%，重量平均分子量：6000)作為有機底層膜(A1層)。
以下將使用以本發明之薄膜形成組成物所致之薄膜作為阻劑底層膜的情況之評估結果顯示於下。
(光學常數測量)
使用旋轉器分別將實施例1-14、比較例1-5所調製出的本申請案之阻劑底層膜形成組成物塗佈於矽晶圓上。在加熱板上以240℃加熱1分鐘，而形成本申請案阻劑底層膜(膜厚0.05μm)。接著，對於此等阻劑底層膜使用橢圓偏光計(J.A.Woollam公司製，VUV-VASE VU-302)，測量出在波長193、248nm之折射率(n值)及光學吸收光係數(k值，亦稱為衰減係數)。
[以EUV曝光所致之阻劑圖型的形成]
將上述有機底層膜(A1層)形成組成物塗佈於矽晶圓上，在加熱板上以240℃烘烤60秒鐘，得到膜厚90nm之有機底層膜(A1層)。於其上，藉由旋轉塗佈本發明之實施例1-14、比較例1-5所調製出的阻劑底層膜形成組成物溶液，並以240℃加熱1分鐘，而形成阻劑底層膜(B)層(20nm)。於該硬遮罩上，旋轉塗佈EUV用阻劑溶液(甲基丙烯酸酯樹脂系阻劑)並進行加熱，形成EUV阻劑層(C)層，使用EUV曝光裝置(Micro Exposure Tool簡稱MET)，並以NA=0.30、σ=0.36/0.68Quadropole的條件進行曝光。曝光後，進行PEB，在冷卻板上冷卻至室溫，進行以鹼水溶液(四甲基銨氫氧化物之2.38質量%水溶液)所致之顯像及清洗處理，而形成阻劑圖型。評估係評估出可否形成26nm之線與空間(Line and Space)、以圖型剖面觀察之圖型形狀。
(有機阻劑底層膜(A2層)的調整)
於氮下，100mL四口燒瓶中添加咔唑(6.69g、0.040mol、東京化成工業(股)製)、9-茀酮(7.28g、0.040mol、東京化成工業(股)製)、對甲苯磺酸一水合物(0.76g、0.0040mol、東京化成工業(股)製)，裝入1,4-二噁烷(6.69g、關東化學(股)製)並進行攪拌，昇溫至100℃使其溶解而開始聚合。24小時後放冷至60℃之後，添加氯仿(34g、關東化學(股)製)進行稀釋，於甲醇(168g、關東化學(股)製)使其再沉澱。過濾所 得到的沉澱物，在減壓乾燥機以80℃，乾燥24小時，得到目標之聚合物(式(C-1)，以下簡稱為PCzFL)9.37g。
PCzFL之1H-NMR的測量結果係如下所述。
1H-NMR(400MHz,DMSO-d6)：δ7.03-7.55(br,12H),δ7.61-8.10(br,4H),δ11.18(br,1H)
PCzFL之以GPC所致之聚苯乙烯換算所測量出的重量平均分子量Mw為2800，多分散度Mw/Mn為1.77。
於20g之所得到的樹脂中，混合作為交聯劑之四甲氧基甲基甘脲(Mitsui Cytec(股)製、商品名Powderlink 1174)3.0g、作為觸媒之吡啶對甲苯磺酸鹽0.30g、作為界面活性劑之MEGAFACE R-30(大日本油墨化學(股)製、商品名)0.06g，使其溶解於88g之丙二醇單甲基醚乙酸酯而製成溶液。然後，使用孔徑0.10μm之聚乙烯製微過濾器進行過濾，進一步，使用孔徑0.05μm之聚乙烯製微過濾器進行過濾，調製出以多層膜所致之微影製程所使用的有機底層膜(A2層)形成組成物之溶液。
(乾蝕刻速度之測量)
乾蝕刻速度之測量所使用的蝕刻器及蝕刻氣體係使用有以下者。
ES401(日本scientific製)：CF4
RIE-10NR(SAMCO製)：O2
使用旋轉器將實施例15~40、比較例6所調製出的含Si之阻劑底層膜形成組成物的溶液塗佈於矽晶圓上。在加熱板上以240℃加熱1分鐘，分別形成含Si之阻劑底層膜(膜厚50nm(以CF4氣體之蝕刻速度測量用)、50nm(以O2氣體之蝕刻速度測量用)。此外，相同地使用旋轉器將有機底層膜(A2層)形成組成物於矽晶圓上形成塗膜(膜厚0.20μm)。使用作為蝕刻氣體之O2氣體來測量乾蝕刻速度，進行實施例15~40、比較例6的含Si之阻劑底層膜的乾蝕刻速度之比較。
於表5中以氟系氣體(CF4氣體)之蝕刻速率(蝕刻速度：nm/分鐘)、氧系氣體(O2氣體)耐性係以(本申請案阻劑底層膜)/(有機底層膜A2層)之蝕刻速率比來顯示。
[以EUV曝光所致之阻劑圖型的形成]
將上述有機底層膜(A2層)形成組成物塗佈於矽晶圓上，在加熱板上以240℃烘烤60秒鐘，得到膜厚90nm之有機底層膜(A2層)。於其上，藉由旋轉塗佈本發明 之實施例15~40、比較例6所調製出的阻劑底層膜形成組成物溶液，並以240℃加熱1分鐘，而形成阻劑底層膜(B)層(20nm)。於該硬遮罩上，旋轉塗佈EUV用阻劑溶液(甲基丙烯酸酯樹脂系阻劑)並進行加熱，形成EUV阻劑層(C)層，使用EUV曝光裝置，並以NA=0.30、σ=0.3/0.7Annular的條件進行曝光。曝光後，進行PEB，在冷卻板上冷卻至室溫，進行以鹼水溶液(四甲基銨氫氧化物之2.38質量%水溶液)所致之顯像及清洗處理，而形成阻劑圖型。評估係評估出可否形成26nm之線與空間、以圖型剖面觀察之圖型形狀。
於表6中良好係表示從基腳至基蝕之間的形狀，且於空間部無明顯的殘渣之狀態，倒塌係表示阻劑圖型剝離崩壞之不良的狀態，架橋係表示阻劑圖型的上部或下部彼此相接觸之不良的狀態。
(在阻劑之顯像液為以有機溶劑所進行之製程的評估) 合成例28
將22.68g(70mol%)之四甲氧基矽烷、7.25g(25mol%)之甲基三甲氧基矽烷、4.40g之三乙氧基矽烷基丙基二烯丙基異氰尿酸酯、51.49g之丙酮裝入300ml之 燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸14.18g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-6)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例29
將21.62g(70mol%)之四甲氧基矽烷、4.15g(15mol%)之甲基三甲氧基矽烷、4.20g(5mol%)之三乙氧基矽烷基丙基二烯丙基異氰尿酸酯、4.63g(10mol%)之[4-(甲氧基甲氧基)苯基]三甲氧基矽烷、51.89g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸13.52g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽 酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-16)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
合成例30
將21.12g(70mol%)之四甲氧基矽烷、5.40g(20mol%)之甲基三甲氧基矽烷、8.20g之三乙氧基矽烷基丙基二烯丙基異氰尿酸酯、52.08g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸13.21g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物相當於式(B-6)，以GPC所致之重量平均分子量係以聚苯乙烯換算為Mw2000。
比較合成例2
將23.25g(70mol%)之四甲氧基矽烷、5.95g(20mol%)之甲基三甲氧基矽烷、4.98g(10mol%)之[4-(甲氧基甲氧基)苯基]三甲氧基矽烷、51.27g之丙酮裝入300ml之燒瓶中，一邊以磁攪拌器攪拌混合溶液一邊將0.01mol/l之鹽酸14.54g滴下至混合溶液。添加後，將燒瓶移至經調整為85℃的油浴，在加溫回流下進行反應240分鐘。然後，將反應溶液冷卻至室溫，於反應溶液中添加68.00g之丙二醇單甲基醚乙酸酯，減壓餾去作為反應副生成物的甲醇、丙酮、水、鹽酸，進行濃縮而得到水解縮合物(聚合物)丙二醇單甲基醚乙酸酯溶液。添加丙二醇單乙基醚，以作為丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單乙基醚20/80之溶劑比率而於140℃時之固體殘留物換算下成為20重量%的方式加以調整。所得到的聚合物係以GPC所致之重量平均分子量為以聚苯乙烯換算為Mw2000。
(有機阻劑底層膜(A3層)的調整)
使30.0g之4-羥基苯基甲基丙烯醯胺、37.3g之1-金剛烷基甲基丙烯酸酯、14.9g之苄基甲基丙烯酸酯、4.11g之2,2’-偶氮二異丁腈、345.4g之丙二醇單甲基醚溶解之後，將此溶液加熱，以85℃攪拌約20小時。所得到的樹脂係相當於下述式(C-2)。藉由GPC並以聚苯乙烯換算所測量出的重量平均分子量Mw為6,100。
於2g之所得到的樹脂中，溶解四甲氧基甲基甘脲0.3g、作為觸媒之吡啶對甲苯磺酸鹽0.03g、界面活性劑(DIC(股)製、品名：MEGAFACE[商品名]R-30、成分為氟系界面活性劑)0.01g、丙二醇單甲基醚16.1g、丙二醇單甲基醚以酸酯6.9g而製成溶液。然後，使用孔徑0.2μm之聚乙烯製微過濾器進行過濾，調製出以多層膜所致之微影製程所使用的有機底層膜(A3層)形成用組成物之溶液。
(乾蝕刻速度之測量)
乾蝕刻速度之測量所使用的蝕刻器及蝕刻氣體係使用有以下者。
ES401(日本scientific製)：CF4
RIE-10NR(SAMCO製)：O2
使用旋轉器將實施例41~49、比較例7所調製出的含Si之阻劑底層膜形成組成物的溶液塗佈於矽晶圓上。在加熱板上以240℃加熱1分鐘，分別形成含Si之阻劑底層膜(膜厚50nm(以CF4氣體之蝕刻速度測量用)、50nm(以O2氣體之蝕刻速度測量用)。此外，相同地使用旋轉器將有機底層膜(A3層)形成組成物於矽晶圓上 形成塗膜(膜厚0.20μm)。使用作為蝕刻氣體之O2氣體來測量乾蝕刻速度，進行實施例41~49、比較例7的含Si之阻劑底層膜的乾蝕刻速度之比較。
於表8中以氟系氣體(CF4氣體)之蝕刻速率(蝕刻速度：nm/分鐘)、氧系氣體(O2氣體)耐性係以(本申請案阻劑底層膜)/(有機底層膜A3層)之蝕刻速率比來顯示。
[以EUV曝光所致之阻劑圖型的形成]
將上述有機底層膜(A3層)形成組成物塗佈於矽晶圓上，在加熱板上以240℃烘烤60秒鐘，得到膜厚90nm之有機底層膜(A3層)。於其上，藉由旋轉塗佈本發明之實施例41~49、比較例7所調製出的阻劑底層膜形成 組成物溶液，並以240℃加熱1分鐘，而形成阻劑底層膜(B)層(20nm)。於該硬遮罩上，旋轉塗佈EUV用阻劑溶液(FFEM公司製NTD阻劑)並進行加熱，形成EUV阻劑層(C)層，使用EUV曝光裝置，並以NA=0.30、σ=0.3/0.7Annular的條件進行曝光。曝光後，進行PEB，在冷卻板上冷卻至室溫，使用FFEM公司製FN-DP001(有機溶劑/乙酸丁酯)進行顯像及清洗處理，而形成阻劑圖型。評估係評估出可否形成26nm之線與空間、以圖型剖面觀察之圖型形狀。
於表2中良好係表示從基腳至基蝕之間的形狀，且於空間部無明顯的殘渣之狀態，倒塌係表示阻劑圖型剝離崩壞之不良的狀態，架橋係表示阻劑圖型的上部或下部彼此相接觸之不良的狀態。
[產業上之可利用性]
本發明之薄膜形成組成物係可利用於光阻劑等之阻劑底層膜形成組成物、EUV阻劑等之阻劑底層膜形成組成物、EUV阻劑上層膜形成組成物、反向材料(reverse material)形成組成物等。

Claims (9)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含：將EUV微影用阻劑底層膜形成組成物塗佈於半導體基板上，進行燒成而形成阻劑底層膜的步驟、將阻劑用組成物塗佈於前述阻劑底層膜上，而形成阻劑膜的步驟、使前述阻劑膜EUV曝光的步驟、於EUV曝光後藉由鹼水溶液或有機溶劑使阻劑膜進行顯像，而得到經圖型化之阻劑膜的步驟、藉由經圖型化之阻劑膜來蝕刻阻劑底層膜的步驟、及藉由經圖型化之阻劑膜及阻劑底層膜來加工半導體基板的步驟，上述EUV微影用阻劑底層膜形成組成物係含有：含有水解性矽烷(a)與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)之水解縮合物的聚矽氧烷(B)。
  2. 一種半導體裝置之製造方法，其係包含：於半導體基板上形成有機底層膜的步驟、於其上塗佈EUV微影用阻劑底層膜形成組成物，進行燒成而形成阻劑底層膜的步驟、將阻劑用組成物塗佈於前述阻劑底層膜上，而形成阻劑膜的步驟、使前述阻劑膜EUV曝光的步驟、於EUV曝光後藉由鹼水溶液或有機溶劑使阻劑膜進行顯像，而得到經圖型化之阻劑膜的步驟、藉由經圖型化之阻劑膜來蝕刻阻劑底層膜的步驟、藉由經圖型化之阻劑底層膜來蝕刻有機底層膜的步驟、及藉由經圖型化之有機底層膜來加工半導體基板的步驟，上述EUV微影用阻劑底層膜形成組成物係含有：含有水解性矽烷(a)與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)之水解縮合物的聚矽氧烷(B)。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之半導體裝置之製造方法，其中上述水解性矽烷(a)係由四烷氧基矽烷、烷基三烷氧基矽烷及芳基三烷氧基矽烷所成之群中所選出的至少1種水解性矽烷。
  4. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方法，其中上述烷基三烷氧基矽烷係甲基三烷氧基矽烷。
  5. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方法，其中上述芳基三烷氧基矽烷係苯基三烷氧基矽烷。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項之半導體裝置之製造方法，其中上述水解性矽烷化合物(b)係以下述一般式(b-1)所表示之矽烷化合物：【化1】R3-R2-R1-Si(R4)3 式(b-1)(上述式(b-1)中，R4係表示碳原子數1~10之烷氧基、R1係表示碳原子數1~10之伸烷基、R2係表示下述之結構；R3係表示氫原子、碳原子數1~10之烷基、碳原子數1~10之氟烷基、碳原子數2~10之烯基、或碳原子數6~20之芳基)。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項之半導體裝置之製造方法，其中上述阻劑底層膜形成組成物係進一步含有酸化合物。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項之半導體裝置之製造方法，其中上述阻劑底層膜形成組成物係進一步含有水。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項之半導體裝置之製造方法，其中上述阻劑底層膜形成組成物係進一步含有銨化合物、環狀銨化合物、環狀胺化合物、或鋶化合物。
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