KR102134673B1 - 설폰 구조 및 아민 구조를 갖는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물 - Google Patents

설폰 구조 및 아민 구조를 갖는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물 Download PDF

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Abstract

[과제] 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공한다.
[해결수단] 하기 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물. 실란으로서 가수분해성 오가노실란, 그 가수분해물, 및 그 가수분해 축합물 중 적어도 1종을 포함하고, 이 실란이 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물을 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물. 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체 기판 상에 도포하고, 소성하여 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 상기 하층막 상에 레지스트용 조성물을 도포하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 노광 후에 레지스트막을 현상하여 패턴화된 레지스트막을 얻는 공정, 패턴화된 레지스트막에 따라 레지스트 하층막을 에칭하는 공정, 및 패턴화된 레지스트막과 레지스트 하층막에 따라 반도체 기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
Figure 112014125987483-pct00034

Description

설폰 구조 및 아민 구조를 갖는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물{SILICON-CONTAINING RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION HAVING SULFONE STRUCTURE AND AMINE STRUCTURE}
본 발명은 신규 실란 화합물에 관한 것이다. 그리고 본 발명은, 반도체 장치의 제조에 사용되는 기판과 레지스트(예를 들면, 포토레지스트, 전자선 레지스트, EUV 레지스트) 사이에 하층막을 형성하기 위한 조성물에 관한 것이다. 상세하게는, 반도체 장치 제조의 리소그래피 공정에 있어서 포토레지스트의 하층에 사용되는 하층막을 형성하기 위한 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 관한 것이다. 또한, 해당 하층막 형성 조성물을 이용한 레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
종래부터 반도체 장치의 제조에 있어서, 포토레지스트를 이용한 리소그래피에 의한 미세가공이 행해지고 있다. 상기 미세가공은 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판 상에 포토레지스트의 박막을 형성하고, 그 위에 반도체 디바이스의 패턴이 그려진 마스크 패턴을 통해 자외선 등의 활성광선을 조사하고, 현상하여, 얻어진 포토레지스트 패턴을 보호막으로 하여 기판을 에칭처리함으로써, 기판 표면에, 상기 패턴에 대응하는 미세요철을 형성하는 가공법이다.
최근, 반도체 디바이스의 고집적도화가 진행되면서, 사용되는 활성광선도 KrF 엑시머 레이저(248nm)에서 ArF 엑시머 레이저(193nm), EUV광(13.5nm)으로 단파장화되는 경향에 있다. 이에 따라 활성광선의 반도체 기판으로부터의 반사의 영향이 크게 문제되어 왔다.
이에 따라, 최근의 반도체 장치의 제조에 있어서는, 반사방지 효과를 비롯하여, 여러 효과를 달성하기 위하여, 반도체 기판과 포토레지스트 사이에 레지스트 하층막이 배치되게 되었다.
예를 들면, 반도체 기판과 포토레지스트 사이의 하층막으로서, 실리콘 등의 금속원소를 포함하는 하드마스크로서 알려진 막을 사용하는 것이 행해지고 있다(예를 들면, 특허문헌 1을 참조). 이 경우, 레지스트와 하드마스크에서는, 그 구성성분에 큰 차이가 있으므로, 이들 드라이 에칭에 의해 제거되는 속도는, 드라이 에칭에 사용되는 가스종에 크게 의존한다. 그리고, 가스종을 적절하게 선택함으로써, 포토레지스트의 막두께를 크게 감소시키는 일 없이, 하드마스크를 드라이 에칭에 의해 제거할 수 있게 된다. 이처럼 레지스트 하층막용 조성물의 검토가 이루어지고 있으나, 그 요구되는 특성의 다양성 등으로부터, 레지스트 하층막용의 새로운 재료의 개발이 요망되고 있다.
또한, 다른 관점으로부터 기판의 표면을 개질하는 방법도 있다. 예를 들면, 설포닐기를 갖는 실란커플링제를 이용하여 노광 후의 표면을 친수성으로 변화시키는 방법이 개시되어 있다(특허문헌 2를 참조).
또한, 설폰아미드기를 갖는 실리콘 함유 레지스트 하층막이 개시되어 있다(특허문헌 3, 4를 참조).
국제공개 WO2011-033965 팜플렛 일본공개특허 2005-112732호 공보 일본공개특허 2009-244722호 공보 국제공개 WO2011-033965 팜플렛
본 발명의 목적은, 직사각형의 레지스트 패턴을 이용한 미세한 기판가공이 가능하고, 반도체 장치의 제조에 이용할 수 있는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것에 있다. 상세하게는, 하드마스크로서 사용할 수 있는 레지스트 하층막을 형성하기 위한 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것에 있다. 또한, 반사방지막으로서 사용할 수 있는 레지스트 하층막을 형성하기 위한 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것에 있다. 또한, 레지스트와의 인터믹싱을 일으키지 않고, 레지스트와 비교했을 때 큰 드라이 에칭속도를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막 및 이 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것에 있다. 또한 본 발명의 목적은, 이들 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 이용할 수 있는 신규 화합물을 제공하는 것에 있다.
본 발명은 제1 관점으로서, 하기 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물
[화학식 1]
Figure 112014125987483-pct00001
(식(1-a) 중, R1, R3, 및 R4 중 적어도 1개의 기는, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기의 말단에 -Si(X)3기가 결합한 기를 나타내고, 나머지 기는 수소원자, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기를 나타내고, R2는 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴렌기를 나타낸다. 단, 상기 X는 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자를 나타낸다.
식(1-b) 중, R6, R7, R9, 및 R10 중 적어도 1개의 기는, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기의 말단에 -Si(X)3기가 결합한 기를 나타내고, 나머지 기는 수소원자, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기를 나타내고, R5 및 R8은 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴렌기를 나타낸다. 단, 상기 X는 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자를 나타낸다.),
제2 관점으로서, 실란으로서 가수분해성 오가노실란, 그 가수분해물 및 그 가수분해 축합물 중 적어도 1종을 포함하고, 이 실란이 제1 관점에 기재된 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물을 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물,
제3 관점으로서, 상기 식(1-a)로 표시되는 실란 화합물이 하기 식(2):
[화학식 2]
Figure 112014125987483-pct00002
(식(2) 중, R1 및 R4는 수소원자, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기를 나타내고, R2는 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴렌기를 나타내고, R11은 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기를 나타내고, X가 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자를 나타낸다.)으로 표시되는 실란 화합물인 제2 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제4 관점으로서, 상기 실란이 식(3):
[화학식 3]
Figure 112014125987483-pct00003
(식(3) 중, R21은 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 할로겐화알킬기, 할로겐화아릴기, 할로겐화아랄킬기, 알케닐기, 또는 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 메르캅토기, 알콕시아릴기, 아실옥시아릴기, 이소시아누레이트기, 하이드록시기, 환상 아미노기, 혹은 시아노기를 갖는 유기기, 또는 이들의 조합이고, 또한 Si-C 결합에 의해 규소원자와 결합하고 있고, R22는 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자를 나타내고, a는 0 내지 3의 정수를 나타낸다.)으로 표시되는 유기 규소 화합물, 및 식(4):
[화학식 4]
Figure 112014125987483-pct00004
(식(4) 중, R31은 알킬기를 나타내고, R32는 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자를 나타내고, Y는 알킬렌기 또는 아릴렌기를 나타내고, b는 0 또는 1의 정수를 나타내고, c는 0 또는 1의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 유기 규소 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 유기 규소 화합물과, 상기 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물의 조합, 이들의 가수분해물, 및 이들의 가수분해 축합물 중 적어도 1종을 포함하는 제2 관점 또는 제3 관점에 기재된 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물,
제5 관점으로서, 상기 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물의 가수분해 축합물, 및 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물과 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물의 가수분해 축합물 중 적어도 1종을 폴리머로서 포함하는 제2 관점 내지 제4 관점 중 어느 하나에 기재된 조성물,
제6 관점으로서, 산을 추가로 포함하는 제2 관점 내지 제5 관점 중 어느 하나에 기재된 조성물,
제7 관점으로서, 물을 추가로 포함하는 제2 관점 내지 제6 관점 중 어느 하나에 기재된 조성물,
제8 관점으로서, 제2 관점 내지 제7 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체 기판 상에 도포하고 소성함으로써 얻어지는 레지스트 하층막,
제9 관점으로서, 제2 관점 내지 제7 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체 기판 상에 도포하고, 소성하여 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 상기 레지스트 하층막 상에 레지스트용 조성물을 도포하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 노광 후에 레지스트막을 현상하여 패턴화된 레지스트막을 얻는 공정, 이 패턴화된 레지스트막의 패턴에 따라 레지스트 하층막을 에칭하는 공정, 그리고 레지스트막 및 레지스트 하층막의 패턴에 따라 반도체 기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법,
제10 관점으로서, 반도체 기판 상에 유기 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 제2 관점 내지 제7 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물을 도포하고, 소성하여 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 상기 레지스트 하층막 상에 레지스트용 조성물을 도포하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 노광 후에 상기 레지스트막을 현상하여 패턴화된 레지스트막을 얻는 공정, 이 패턴화된 레지스트막의 패턴에 따라 레지스트 하층막을 에칭하는 공정, 이 패턴화된 레지스트 하층막의 패턴에 따라 유기 하층막을 에칭하는 공정, 및 이 패턴화된 유기 하층막의 패턴에 따라 반도체 기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물은, 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물이 설포닐기 및 아미노기를 갖는다는 점에서, 이 레지스트 하층막 형성 조성물로 형성된 레지스트 하층막은, 패턴화된 레지스트막의 단면형상이 푸팅형상이 되는 것을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물은, 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물이 가수분해성기가 가수분해 또는 부분 가수분해하여 축합반응함으로써 폴리오가노실록산 구조를 형성할 수 있다는 점에서, 반도체 장치의 제조에 있어서 하드마스크 및 반사방지막으로서 기능할 수 있고, 그리고 레지스트와의 인터믹싱을 일으키기 어려운 레지스트 하층막을 형성할 수 있다.
도 1은, 실시예에서 얻어진 식(1-1)로 표시되는 화합물(단, X는 에톡시기를 나타낸다)의 NMR 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 2는, 실시예에서 얻어진 식(1-2)로 표시되는 화합물(단, X는 에톡시기를 나타낸다)의 NMR 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
본 발명에서는 기판 상에 레지스트 하층막을 도포법에 의해 형성하거나, 또는 기판 상의 유기 하층막을 개재하여 그 위에 레지스트 하층막을 도포법에 의해 형성하고, 그 레지스트 하층막 상에 레지스트막(예를 들면, 포토레지스트, 전자선 레지스트, EUV 레지스트)을 형성한다. 그리고, 노광과 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴을 이용하여 레지스트 하층막을 드라이 에칭하여 패턴의 전사를 행하고, 그 패턴에 의해 기판을 가공하거나, 또는 유기 하층막을 에칭에 의해 패턴 전사하고 그 유기 하층막에 의해 기판의 가공을 행한다.
미세한 패턴을 형성하는데 있어서, 패턴 붕괴를 방지하기 위하여 레지스트 막두께가 얇아지는 경향이 있다. 레지스트의 박막화에 의해 그 하층에 존재하는 막에 패턴을 전사하기 위한 드라이 에칭은, 상층의 막보다 에칭속도가 높아야만 패턴 전사가 가능하다. 본 발명에서는 기판 상에 유기 하층막을 개재하거나, 또는 유기 하층막을 개재하지 않고, 그 위에 본원 레지스트 하층막(무기계 실리콘계 화합물 함유)을 피복하고, 그 위에 레지스트막(유기 레지스트막) 순으로 피복된다. 유기계 성분의 막과 무기계 성분의 막은 에칭가스의 선택에 따라 드라이 에칭속도가 크게 상이하므로, 유기계 성분의 막은 산소계 가스로 드라이 에칭속도가 높아지고, 무기계 성분의 막은 할로겐 함유 가스로 드라이 에칭속도가 높아진다.
예를 들어 레지스트 패턴이 형성되고, 그 하층에 존재해 있는 본원 레지스트 하층막을 할로겐 함유 가스로 드라이 에칭하여 레지스트 하층막에 패턴을 전사하고, 그 레지스트 하층막에 전사된 패턴으로 할로겐 함유 가스를 이용하여 기판가공을 행한다. 혹은, 패턴 전사된 레지스트 하층막을 이용하여, 그 하층의 유기 하층막을 산소계 가스로 드라이 에칭하여 유기 하층막에 패턴 전사를 행하고, 그 패턴 전사된 유기 하층막으로, 할로겐 함유 가스를 이용하여 기판가공을 행한다.
본 발명에서는 해당 레지스트 하층막이 하드마스크로서 기능하는 것이며, 상기 식(1), (2)의 구조 중 알콕시기나 아실옥시기, 할로겐원자 등의 가수분해성기는 가수분해 내지 부분 가수분해하고, 그 후에 실라놀기의 축합반응에 의해 폴리실록산 구조의 폴리머를 형성한다. 이 폴리오가노실록산 구조는 하드마스크로서의 충분한 기능을 가지고 있다.
그리고, 폴리오가노실록산 구조(중간막)는, 그 밑에 존재하는 유기 하층막의 에칭이나, 기판의 가공(에칭)에 하드마스크로서 유효하다. 즉, 기판가공시나 유기 하층막의 산소계 드라이 에칭가스에 대하여 충분한 내드라이 에칭성을 갖는 것이다.
본 발명의 레지스트 하층막이 이들의 상층 레지스트에 대한 드라이 에칭속도의 향상과, 기판가공시 등의 내드라이 에칭성을 구비하는 것이다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 의한 레지스트 하층막은, 설포닐기와 흡광기를 포함하는 유기기를 포함하는 실란 화합물, 그 가수분해물, 그 가수분해 축합물을 함유함으로써, 노광과 현상 후의 레지스트 패턴의 형상이 직사각형이 된다. 이에 따라 미세한 패턴에 의한 기판가공이 가능해진다.
예를 들어 특허문헌에 기재된 설폰아미드기를 갖는 실란 화합물을 이용한 레지스트 하층막에 의한 레지스트 패턴은 푸팅 경향이 되기 쉽지만, 본건 발명의 설폰 구조와 아미노 구조를 갖는 실란 화합물을 이용한 레지스트 하층막은 레지스트 패턴의 푸팅 경향을 개선할 수 있다.
본 발명은 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물에 관한 것이다.
그리고, 본 발명은 실란으로서 가수분해성 오가노실란, 그 가수분해물, 및 그 가수분해 축합물 중 적어도 1종 포함하고, 이 실란이 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물인 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 관한 것이다.
실란 전체 중에서 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란의 비율이 50몰% 미만, 예를 들어 0.5 내지 30몰%, 0.5 내지 25몰%, 0.5 내지 15몰%, 또는 0.5 내지 10몰%의 비율로 함유될 수 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물은, 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물인 가수분해성 오가노실란, 그 가수분해물, 또는 그 가수분해 축합물과, 용제를 포함한다. 그리고 임의성분으로서 산, 물, 알코올, 경화촉매, 산발생제, 다른 유기 폴리머, 흡광성 화합물, 및 계면활성제 등을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 식(1-a)로 표시되는 실란 화합물과 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물을 병용할 수 있는데, 본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물은, 식(1-a)로 표시되는 실란 화합물, 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물, 식(1-a)로 표시되는 실란 화합물의 가수분해물, 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물의 가수분해물, 식(1-a)로 표시되는 실란 화합물의 가수분해 축합물, 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물의 가수분해 축합물 및 식(1-a)로 표시되는 실란 화합물과 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물의 가수분해 축합물 중 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서의 고형분은, 예를 들어 0.1 내지 50질량%, 또는 0.1 내지 30질량%, 0.1 내지 25질량%이다. 여기서 고형분이란 레지스트 하층막 형성 조성물의 전체성분에서 용제성분을 제외한 것이다.
고형분 중에 차지하는 가수분해성 오가노실란, 그 가수분해물, 및 그 가수분해 축합물의 비율은, 20질량% 이상이고, 예를 들어 50 내지 100질량%, 60 내지 100질량%, 70 내지 100질량%이다.
본 발명에 이용되는 가수분해성 오가노실란은 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 구조를 갖는다.
식(1-a)로 표시되는 실란 화합물의 예로서, 식(2)로 표시되는 실란 화합물을 예시할 수 있다.
식(1) 중, R1, R3, 및 R4 중 적어도 1개의 기는, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기의 말단에 -Si(X)3기가 결합한 기를 나타내고, 나머지 기는 수소원자, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기를 나타내고, R2는 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴렌기를 나타낸다. 단, 상기 X는 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자를 나타낸다.
식(2) 중, R6, R7, R9, 및 R10 중 적어도 1개의 기는, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기의 말단에 -Si(X)3기가 결합한 기를 나타내고, 나머지 기는 수소원자, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기를 나타내고, R5 및 R8은 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴렌기를 나타낸다. 단, 상기 X는 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자를 나타낸다.
상기 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 시클로부틸기, 1-메틸-시클로프로필기, 2-메틸-시클로프로필기, n-펜틸기, 1-메틸-n-부틸기, 2-메틸-n-부틸기, 3-메틸-n-부틸기, 1,1-디메틸-n-프로필기, 1,2-디메틸-n-프로필기, 2,2-디메틸-n-프로필기, 1-에틸-n-프로필기, 시클로펜틸기, 1-메틸-시클로부틸기, 2-메틸-시클로부틸기, 3-메틸-시클로부틸기, 1,2-디메틸-시클로프로필기, 2,3-디메틸-시클로프로필기, 1-에틸-시클로프로필기, 2-에틸-시클로프로필기, n-헥실기, 1-메틸-n-펜틸기, 2-메틸-n-펜틸기, 3-메틸-n-펜틸기, 4-메틸-n-펜틸기, 1,1-디메틸-n-부틸기, 1,2-디메틸-n-부틸기, 1,3-디메틸-n-부틸기, 2,2-디메틸-n-부틸기, 2,3-디메틸-n-부틸기, 3,3-디메틸-n-부틸기, 1-에틸-n-부틸기, 2-에틸-n-부틸기, 1,1,2-트리메틸-n-프로필기, 1,2,2-트리메틸-n-프로필기, 1-에틸-1-메틸-n-프로필기, 1-에틸-2-메틸-n-프로필기, 시클로헥실기, 1-메틸-시클로펜틸기, 2-메틸-시클로펜틸기, 3-메틸-시클로펜틸기, 1-에틸-시클로부틸기, 2-에틸-시클로부틸기, 3-에틸-시클로부틸기, 1,2-디메틸-시클로부틸기, 1,3-디메틸-시클로부틸기, 2,2-디메틸-시클로부틸기, 2,3-디메틸-시클로부틸기, 2,4-디메틸-시클로부틸기, 3,3-디메틸-시클로부틸기, 1-n-프로필-시클로프로필기, 2-n-프로필-시클로프로필기, 1-i-프로필-시클로프로필기, 2-i-프로필-시클로프로필기, 1,2,2-트리메틸-시클로프로필기, 1,2,3-트리메틸-시클로프로필기, 2,2,3-트리메틸-시클로프로필기, 1-에틸-2-메틸-시클로프로필기, 2-에틸-1-메틸-시클로프로필기, 2-에틸-2-메틸-시클로프로필기 및 2-에틸-3-메틸-시클로프로필기 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기는 바람직하게 이용할 수 있다.
또한, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기는, 상기 알킬기에 대응하는 알킬렌기를 들 수 있다. 그리고, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기를 바람직하게 이용할 수도 있다.
탄소원자수 6 내지 40의 아릴기로는, 페닐기, o-메틸페닐기, m-메틸페닐기, p-메틸페닐기, o-클로르페닐기, m-클로르페닐기, p-클로르페닐기, o-플루오로페닐기, p-플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, p-니트로페닐기, p-시아노페닐기, α-나프틸기, β-나프틸기, o-비페닐릴기, m-비페닐릴기, p-비페닐릴기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기 및 9-페난트릴기를 들 수 있다.
이 중에서도 페닐기를 바람직하게 이용할 수 있다.
또한, 탄소원자수 6 내지 40의 아릴렌기로는 상기 아릴기에 대응하는 아릴렌기를 들 수 있다. 그리고, 페닐렌기를 바람직하게 이용할 수 있다.
상기 가수분해성 실란의 가수분해기는 알콕시기, 아실옥시기, 및 할로겐원자를 들 수 있다.
알콕시기로는, 탄소원자수 1 내지 20의 직쇄, 분지, 환상의 알킬부분을 갖는 알콕시기를 들 수 있고, 예를 들어 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, i-부톡시기, s-부톡시기, t-부톡시기, n-펜틸옥시기, 1-메틸-n-부톡시기, 2-메틸-n-부톡시기, 3-메틸-n-부톡시기, 1,1-디메틸-n-프로폭시기, 1,2-디메틸-n-프로폭시기, 2,2-디메틸-n-프로폭시기, 1-에틸-n-프로폭시기, n-헥실옥시기, 1-메틸-n-펜틸옥시기, 2-메틸-n-펜틸옥시기, 3-메틸-n-펜틸옥시기 등을 들 수 있다.
탄소원자수 2 내지 20의 아실옥시기는, 예를 들어 메틸카르보닐옥시기, 에틸카르보닐옥시기, n-프로필카르보닐옥시기, i-프로필카르보닐옥시기, n-부틸카르보닐옥시기, i-부틸카르보닐옥시기, s-부틸카르보닐옥시기, t-부틸카르보닐옥시기, n-펜틸카르보닐옥시기, 1-메틸-n-부틸카르보닐옥시기, 2-메틸-n-부틸카르보닐옥시기, 3-메틸-n-부틸카르보닐옥시기, 1,1-디메틸-n-프로필카르보닐옥시기 등을 들 수 있다.
할로겐원자로는 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있다.
식(1-a)로 표시되는 실란 화합물, 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물, 및 식(2)로 표시되는 실란 화합물(가수분해성 오가노실란)은 아민 화합물과 설폰 화합물을 반응시켜 합성할 수도 있다.
식(1-a)로 표시되는 실란 화합물, 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물, 및 식(2)로 표시되는 실란 화합물(가수분해성 오가노실란)은 예를 들어 이하에 예시할 수 있다. 하기 식에서 X는 상기 알콕시기, 상기 아실옥시기, 또는 상기 할로겐원자를 나타낸다.
[화학식 5]
Figure 112014125987483-pct00005
[화학식 6]
Figure 112014125987483-pct00006
[화학식 7]
Figure 112014125987483-pct00007
[화학식 8]
Figure 112014125987483-pct00008

본 발명에서는 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물(가수분해성 오가노실란) 및 식(4)로 표시되는 유기 규소 화합물(가수분해성 오가노실란)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 유기 규소 화합물과, 상기 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물(가수분해성 오가노실란)의 조합, 이들의 가수분해물, 및 이들의 가수분해 축합물 중 적어도 1종을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 상기 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물(가수분해성 오가노실란)의 가수분해 축합물, 및 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물(가수분해성 오가노실란)과 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물(가수분해성 오가노실란)의 가수분해 축합물 중 적어도 1종을 이용할 수 있다.
나아가, 본 발명에서는 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물(가수분해성 오가노실란)과, 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물(가수분해성 오가노실란)을 병용하여 사용할 수 있다. 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물(가수분해성 오가노실란), 그 가수분해물, 및 그 가수분해 축합물 중 적어도 1종과, 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물, 그 가수분해물, 및 그 가수분해 축합물 중 적어도 1종을 병용하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물은, 식(1-a)로 표시되는 실란 화합물, 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물, 식(1-a)로 표시되는 실란 화합물의 가수분해물, 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물의 가수분해물, 식(1-a)로 표시되는 실란 화합물의 가수분해 축합물, 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물의 가수분해 축합물, 식(1-a)로 표시되는 실란 화합물과 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물의 가수분해 축합물 중 적어도 1종과,
식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물, 그 가수분해물, 그 가수분해 축합물, 식(1-a)로 표시되는 실란 화합물과 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물의 가수분해 축합물, 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물과 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물의 가수분해 축합물, 및 식(1-a)로 표시되는 실란 화합물과 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물과 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물의 가수분해 축합물 중 적어도 1종을 병용하여 사용할 수 있다.
상기 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물(가수분해성 오가노실란)과, 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물의 비율은 몰비로 1:0 내지 1:200의 범위에서 사용할 수 있다. 양호한 레지스트 형상을 얻기 위해서는 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물(가수분해성 오가노실란)과, 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물의 비율은 몰비로 1:199 내지 1:2의 범위에서 이용할 수 있다.
이들은 가수분해 축합물(폴리오가노실록산의 폴리머)로서 사용하는 것이 바람직하고, 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물(가수분해성 오가노실란)과 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물(가수분해성 오가노실란)의 가수분해 축합물(폴리오가노실록산의 폴리머)을 이용하는 것이 바람직하다.
식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물(가수분해성 오가노실란) 중의 R1은 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 할로겐화알킬기, 할로겐화아릴기, 할로겐화아랄킬기, 알케닐기, 또는 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 메르캅토기, 알콕시아릴기, 아실옥시아릴기, 이소시아누레이트기, 하이드록시기, 환상 아미노기, 혹은 시아노기를 갖는 유기기, 또는 이들의 조합이고, 또한 Si-C 결합에 의해 규소원자와 결합하고 있고, R2는 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자를 나타내고, a는 0 내지 3의 정수를 나타낸다.
R1, 및 R2로 표시되는 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 할로겐화알킬기, 할로겐화아릴기, 할로겐화아랄킬기, 알케닐기, 또는 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 메르캅토기, 알콕시아릴기, 아실옥시아릴기, 이소시아누레이트기, 하이드록시기, 환상 아미노기, 혹은 시아노기를 갖는 유기기, 나아가 가수분해성기에 포함되는 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자는, 상술한 식(1-a) 및 식(1-b)에 기재된 것을 예시할 수 있다.
식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물(가수분해성 오가노실란)은 예를 들면, 테트라메톡시실란, 테트라클로르실란, 테트라아세톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라n-프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라n-부톡시실란, 테트라아세톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리클로로실란, 메틸트리아세톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 메틸트리아세틸시실란, 메틸트리부톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 메틸트리아밀옥시실란, 메틸트리페녹시실란, 메틸트리벤질옥시실란, 메틸트리펜에틸옥시실란, 글리시독시메틸트리메톡시실란, 글리시독시메틸트리에톡시실란, α-글리시독시에틸트리메톡시실란, α-글리시독시에틸트리에톡시실란, β-글리시독시에틸트리메톡시실란, β-글리시독시에틸트리에톡시실란, α-글리시독시프로필트리메톡시실란, α-글리시독시프로필트리에톡시실란, β-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리프로폭시실란, γ-글리시독시프로필트리부톡시실란, γ-글리시독시프로필트리페녹시실란, α-글리시독시부틸트리메톡시실란, α-글리시독시부틸트리에톡시실란, β-글리시독시부틸트리에톡시실란, γ-글리시독시부틸트리메톡시실란, γ-글리시독시부틸트리에톡시실란, δ-글리시독시부틸트리메톡시실란, δ-글리시독시부틸트리에톡시실란, (3,4-에폭시시클로헥실)메틸트리메톡시실란, (3,4-에폭시시클로헥실)메틸트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리프로폭시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리부톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리페녹시실란, γ-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란, γ-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리에톡시실란, δ-(3,4-에폭시시클로헥실)부틸트리메톡시실란, δ-(3,4-에폭시시클로헥실)부틸트리에톡시실란, 글리시독시메틸메틸디메톡시실란, 글리시독시메틸메틸디에톡시실란, α-글리시독시에틸메틸디메톡시실란, α-글리시독시에틸메틸디에톡시실란, β-글리시독시에틸메틸디메톡시실란, β-글리시독시에틸에틸디메톡시실란, α-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, α-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, β-글리시독시프로필에틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디프로폭시실란, γ-글리시독시프로필메틸디부톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디페녹시실란, γ-글리시독시프로필에틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필에틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필비닐디메톡시실란, γ-글리시독시프로필비닐디에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리클로로실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리클로로실란, 페닐트리아세톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐트리아세톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-클로로프로필트리에톡시실란, γ-클로로프로필트리아세톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리에톡시실란, β-시아노에틸트리에톡시실란, 클로로메틸트리메톡시실란, 클로로메틸트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 페닐메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐메틸디에톡시실란, γ-클로로프로필메틸디메톡시실란, γ-클로로프로필메틸디에톡시실란, 디메틸디아세톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, γ-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, γ-메르캅토메틸디에톡시실란, 메틸비닐디메톡시실란, 메틸비닐디에톡시실란, 페닐설포닐아미노프로필트리에톡시실란, 메틸설포닐아미노프로필트리에톡시실란, 페닐설포닐아미노프로필트리메톡시실란, 메틸설포닐아미노프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
특히 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란 등의 테트라알콕시실란과, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 페닐트리알콕시실란의 조합이 바람직하다. 나아가 이들 조합에 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란 등의 알킬트리알콕시실란을 조합하는 것이 바람직하다.
상기 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물(가수분해성 오가노실란)은 이하의 구조도 예시할 수 있다. 구조 중 R22는 식(3)에 있어서의 R22와 동일한 의미이다.
[화학식 9]
Figure 112014125987483-pct00009
[화학식 10]
Figure 112014125987483-pct00010
[화학식 11]
Figure 112014125987483-pct00011
[화학식 12]
Figure 112014125987483-pct00012
[화학식 13]
Figure 112014125987483-pct00013
[화학식 14]
Figure 112014125987483-pct00014

식(4)로 표시되는 유기 규소 화합물(가수분해성 오가노실란)의 R31은 알킬기를 나타내고, R32는 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자를 나타내고, Y는 알킬렌기 또는 아릴렌기를 나타내고, b는 0 또는 1의 정수를 나타내고, c는 0 또는 1의 정수를 나타낸다.
상기 알킬기, 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자는 식(1-a) 및 식(1-b)에 예시한 것을 이용할 수 있다. 또한 알킬렌기, 아릴렌기는 상기 알킬기, 및 아릴기에 대응하는 2가의 유기기를 예시할 수 있다.
식(4)로 표시되는 유기 규소 화합물(가수분해성 오가노실란)은 예를 들면, 메틸렌비스트리메톡시실란, 메틸렌비스트리클로로실란, 메틸렌비스트리아세톡시실란, 에틸렌비스트리에톡시실란, 에틸렌비스트리클로로실란, 에틸렌비스트리아세톡시실란, 프로필렌비스트리에톡시실란, 부틸렌비스트리메톡시실란, 페닐렌비스트리메톡시실란, 페닐렌비스트리에톡시실란, 페닐렌비스메틸디에톡시실란, 페닐렌비스메틸디메톡시실란, 나프틸렌비스트리메톡시실란, 비스트리메톡시디실란, 비스트리에톡시디실란, 비스에틸디에톡시디실란, 비스메틸디메톡시디실란 등을 들 수 있다.
식(1-a) 또는 (1-b)로 표시되는 실란 화합물(가수분해성 오가노실란)과 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물(가수분해성 오가노실란)의 가수분해 축합물의 구체예로서 이하에 예시된다.
[화학식 15]
Figure 112014125987483-pct00015

식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물(가수분해성 오가노실란)의 가수분해 축합물(폴리오가노실록산), 또는 식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물(가수분해성 오가노실란)과 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물 및 식(4)로 표시되는 유기 규소 화합물 중 적어도 1종의 가수분해 축합물(폴리오가노실록산)은, 중량평균분자량 1000 내지 1000000, 또는 1000 내지 100000의 축합물로서 얻을 수 있다. 이들 분자량은 GPC 분석을 통한 폴리스티렌 환산으로 얻어지는 분자량이다.
GPC의 측정조건은, 예를 들어 GPC 장치(상품명 HLC-8220GPC, Tosoh Corporation제), GPC 컬럼(상품명 Shodex KF803L, KF802, KF801, Showa Denko K.K.제), 컬럼온도는 40℃, 용리액(용출용매)은 테트라하이드로퓨란, 유량(유속)은 1.0ml/min, 표준시료는 폴리스티렌(Showa Denko K.K.제)를 이용하여 행할 수 있다.
알콕시실릴기, 아실옥시실릴기, 또는 할로겐화실릴기의 가수분해에는, 가수분해성기의 1몰당, 0.5 내지 100몰, 바람직하게는 1 내지 10몰의 물을 이용한다.
또한, 가수분해성기의 1몰당 0.001 내지 10몰, 바람직하게는 0.001 내지 1몰의 가수분해 촉매를 이용할 수 있다.
가수분해와 축합을 행할 때의 반응온도는, 통상 20 내지 80℃이다.
가수분해는 완전 가수분해를 행해도 되고, 부분 가수분해를 행해도 된다. 즉, 가수분해 축합물 중에 가수분해물이나 모노머가 잔존해 있어도 된다.
가수분해하여 축합시킬 때에 촉매를 이용할 수 있다.
가수분해 촉매로는, 금속 킬레이트 화합물, 유기산, 무기산, 유기염기, 무기염기를 들 수 있다.
가수분해 촉매로서의 금속 킬레이트 화합물은, 예를 들어 트리에톡시·모노(아세틸아세토네이토)티탄, 트리-n-프로폭시·모노(아세틸아세토네이토)티탄, 트리-i-프로폭시·모노(아세틸아세토네이토)티탄, 트리-n-부톡시·모노(아세틸아세토네이토)티탄, 트리-sec-부톡시·모노(아세틸아세토네이토)티탄, 트리-t-부톡시·모노(아세틸아세토네이토)티탄, 디에톡시·비스(아세틸아세토네이토)티탄, 디-n-프로폭시·비스(아세틸아세토네이토)티탄, 디-i-프로폭시·비스(아세틸아세토네이토)티탄, 디-n-부톡시·비스(아세틸아세토네이토)티탄, 디-sec-부톡시·비스(아세틸아세토네이토)티탄, 디-t-부톡시·비스(아세틸아세토네이토)티탄, 모노에톡시·트리스(아세틸아세토네이토)티탄, 모노-n-프로폭시·트리스(아세틸아세토네이토)티탄, 모노-i-프로폭시·트리스(아세틸아세토네이토)티탄, 모노-n-부톡시·트리스(아세틸아세토네이토)티탄, 모노-sec-부톡시·트리스(아세틸아세토네이토)티탄, 모노-t-부톡시·트리스(아세틸아세토네이토)티탄, 테트라키스(아세틸아세토네이토)티탄, 트리에톡시·모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리-n-프로폭시·모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리-i-프로폭시·모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리-n-부톡시·모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리-sec-부톡시·모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리-t-부톡시·모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 디에톡시·비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 디-n-프로폭시·비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 디-i-프로폭시·비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 디-n-부톡시·비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 디-sec-부톡시·비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 디-t-부톡시·비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노에톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노-n-프로폭시·트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노-i-프로폭시·트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노-n-부톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노-sec-부톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노-t-부톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 테트라키스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노(아세틸아세토네이토)트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 비스(아세틸아세토네이토)비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리스(아세틸아세토네이토)모노(에틸아세토아세테이트)티탄 등의 티탄 킬레이트 화합물; 트리에톡시·모노(아세틸아세토네이토)지르코늄, 트리-n-프로폭시·모노(아세틸아세토네이토)지르코늄, 트리-i-프로폭시·모노(아세틸아세토네이토)지르코늄, 트리-n-부톡시·모노(아세틸아세토네이토)지르코늄, 트리-sec-부톡시·모노(아세틸아세토네이토)지르코늄, 트리-t-부톡시·모노(아세틸아세토네이토)지르코늄, 디에톡시·비스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 디-n-프로폭시·비스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 디-i-프로폭시·비스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 디-n-부톡시·비스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 디-sec-부톡시·비스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 디-t-부톡시·비스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 모노에톡시·트리스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 모노-n-프로폭시·트리스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 모노-i-프로폭시·트리스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 모노-n-부톡시·트리스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 모노-sec-부톡시·트리스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 모노-t-부톡시·트리스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 테트라키스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 트리에톡시·모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리-n-프로폭시·모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리-i-프로폭시·모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리-n-부톡시·모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리-sec-부톡시·모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리-t-부톡시·모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디에톡시·비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디-n-프로폭시·비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디-i-프로폭시·비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디-n-부톡시·비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디-sec-부톡시·비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디-t-부톡시·비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노에톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노-n-프로폭시·트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노-i-프로폭시·트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노-n-부톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노-sec-부톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노-t-부톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 테트라키스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노(아세틸아세토네이토)트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 비스(아세틸아세토네이토)비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리스(아세틸아세토네이토)모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄 등의 지르코늄 킬레이트 화합물; 트리스(아세틸아세토네이토)알루미늄, 트리스(에틸아세토아세테이트)알루미늄 등의 알루미늄 킬레이트 화합물; 등을 들 수 있다.
가수분해 촉매로서의 유기산은, 예를 들어 아세트산, 프로피온산, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 노난산, 데칸산, 옥살산, 말레산, 메틸말론산, 아디프산, 세바스산, 몰식자산, 부티르산, 멜리트산, 아라키돈산, 시킴산, 2-에틸헥산산, 올레인산, 스테아린산, 리놀레산, 리놀렌산, 살리실산, 안식향산, p-아미노안식향산, p-톨루엔설폰산, 벤젠설폰산, 모노클로로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 트리플루오로아세트산, 포름산, 말론산, 설폰산, 프탈산, 푸마르산, 구연산, 주석산 등을 들 수 있다.
가수분해 촉매로서의 무기산은, 예를 들어 염산, 질산, 황산, 불산, 인산 등을 들 수 있다.
가수분해 촉매로서의 유기염기는, 예를 들어 피리딘, 피롤, 피레라진, 피롤리딘, 피페리딘, 피콜린, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 디메틸모노에탄올아민, 모노메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디아자비시클로옥탄, 디아자비시클로노난, 디아자비시클로운데센, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 등을 들 수 있다. 무기염기로는, 예를 들어 암모니아, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화바륨, 수산화칼슘 등을 들 수 있다. 이들 촉매 중, 금속 킬레이트 화합물, 유기산, 무기산이 바람직하고, 이들은 1종 혹은 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
가수분해에 이용되는 유기용매로는, 예를 들어 n-펜탄, i-펜탄, n-헥산, i-헥산, n-헵탄, i-헵탄, 2,2,4-트리메틸펜탄, n-옥탄, i-옥탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용매; 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠, 메틸에틸벤젠, n-프로필벤젠, i-프로필벤젠, 디에틸벤젠, i-부틸벤젠, 트리에틸벤젠, 디-i-프로필벤젠, n-아밀나프탈렌, 트리메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매; 메탄올, 에탄올, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, n-펜탄올, i-펜탄올, 2-메틸부탄올, sec-펜탄올, t-펜탄올, 3-메톡시부탄올, n-헥산올, 2-메틸펜탄올, sec-헥산올, 2-에틸부탄올, sec-헵탄올, 헵탄올-3, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, sec-옥탄올, n-노닐알코올, 2,6-디메틸헵탄올-4, n-데칸올, sec-운데실알코올, 트리메틸노닐알코올, sec-테트라데실알코올, sec-헵타데실알코올, 페놀, 시클로헥산올, 메틸시클로헥산올, 3,3,5-트리메틸시클로헥산올, 벤질알코올, 페닐메틸카르비놀, 디아세톤알코올, 크레졸 등의 모노알코올계 용매; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 펜탄디올-2,4, 2-메틸펜탄디올-2,4, 헥산디올-2,5, 헵탄디올-2,4, 2-에틸헥산디올-1,3, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 글리세린 등의 다가 알코올계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-i-부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 에틸-n-부틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디-i-부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤, 디아세톤알코올, 아세토페논, 펜촌 등의 케톤계 용매; 에틸에테르, i-프로필에테르, n-부틸에테르, n-헥실에테르, 2-에틸헥실에테르, 에틸렌옥사이드, 1,2-프로필렌옥사이드, 디옥솔란, 4-메틸디옥솔란, 디옥산, 디메틸디옥산, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 에틸렌글리콜모노-n-헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜모노-2-에틸부틸에테르, 에틸렌글리콜디부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-헥실에테르, 에톡시트리글리콜, 테트라에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 테트라하이드로퓨란, 2-메틸테트라하이드로퓨란 등의 에테르계 용매; 디에틸카보네이트, 아세트산메틸, 아세트산에틸, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, 아세트산n-프로필, 아세트산i-프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산i-부틸, 아세트산sec-부틸, 아세트산n-펜틸, 아세트산sec-펜틸, 아세트산3-메톡시부틸, 아세트산메틸펜틸, 아세트산2-에틸부틸, 아세트산2-에틸헥실, 아세트산벤질, 아세트산시클로헥실, 아세트산메틸시클로헥실, 아세트산n-노닐, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 아세트산에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노프로필에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노부틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디아세트산글리콜, 아세트산메톡시트리글리콜, 프로피온산에틸, 프로피온산n-부틸, 프로피온산i-아밀, 옥살산디에틸, 옥살산디-n-부틸, 유산메틸, 유산에틸, 유산n-부틸, 유산n-아밀, 말론산디에틸, 프탈산디메틸, 프탈산디에틸 등의 에스테르계 용매; N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸프로피온아미드, N-메틸피롤리돈 등의 함질소계 용매; 황화디메틸, 황화디에틸, 티오펜, 테트라하이드로티오펜, 디메틸설폭사이드, 설포란, 1,3-프로판설톤 등의 함황계 용매 등을 들 수 있다. 이들 용제는 1종 또는 2종 이상의 조합으로 이용할 수 있다.
특히, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-i-부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 에틸-n-부틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디-i-부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤, 디아세톤알코올, 아세토페논, 펜촌(1,1,3-트리메틸-2-노보넨) 등의 케톤계 용매가 용액의 보존안정성의 점에서 바람직하다.
가수분해성 오가노실란을 용제 중에서 촉매를 이용하여 가수분해하여 축합하고, 얻어진 가수분해 축합물(폴리머)은 감압증류 등에 의해 부생성물인 알코올이나 이용한 가수분해 촉매나 물을 동시에 제거할 수 있다. 또한, 가수분해에 이용한 산이나 염기촉매를 중화나 이온교환에 의해 제거할 수 있다. 그리고 본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에서는, 그 가수분해 축합물을 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물은 안정화를 위해 산(예를 들어 유기산), 물, 알코올, 또는 이들의 조합을 첨가할 수 있다.
상기 유기산으로는, 예를 들어 옥살산, 말론산, 메틸말론산, 숙신산, 말레산, 말산, 주석산, 프탈산, 구연산, 글루타르산, 구연산, 유산, 살리실산 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 옥살산, 말레산 등이 바람직하다. 첨가하는 유기산은 축합물(폴리오가노실록산) 100질량부에 대하여 0.5 내지 5.0질량부이다. 또한 첨가하는 물은 순수, 초순수, 이온교환수 등을 이용할 수 있으며, 그 첨가량은 레지스트 하층막 형성 조성물 100질량부에 대하여 1 내지 20질량부로 할 수 있다.
또한 첨가하는 알코올로는 도포 후의 가열에 의해 비산되기 쉬운 것이 바람직하고, 예를 들어 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올 등을 들 수 있다. 첨가하는 알코올은 레지스트 하층막 형성 조성물 100질량부에 대하여 1 내지 20질량부로 할 수 있다.
또한, 첨가제로서 비스페놀S, 또는 비스페놀S 유도체를 첨가할 수 있다. 비스페놀S, 또는 비스페놀S 유도체는 폴리오가노실록산 100질량부에 대하여, 0.01 내지 20질량부, 또는 0.01 내지 10질량부, 또는 0.01 내지 5질량부이다.
바람직한 비스페놀S, 또는 비스페놀S 유도체는 이하에 예시된다.
[화학식 16]
Figure 112014125987483-pct00016

본 발명의 리소그래피용 하층막 형성 조성물은, 상기한 성분 이외에, 필요에 따라 유기 폴리머 화합물, 광산발생제 및 계면활성제 등을 포함할 수 있다.
유기 폴리머 화합물을 사용함으로써, 본 발명의 리소그래피용 하층막 형성 조성물로부터 형성되는 레지스트 하층막의 드라이 에칭속도(단위시간당 막두께의 감소량), 감쇠계수 및 굴절률 등을 조정할 수 있다.
유기 폴리머 화합물로는 특별한 제한은 없고, 각종 유기 폴리머를 사용할 수 있다. 축중합 폴리머 및 부가중합 폴리머 등을 사용할 수 있다. 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리이미드, 아크릴 폴리머, 메타크릴 폴리머, 폴리비닐에테르, 페놀 노볼락, 나프톨 노볼락, 폴리에테르, 폴리아미드, 폴리카보네이트 등의 부가중합 폴리머 및 축중합 폴리머를 사용할 수 있다. 흡광부위로서 기능하는 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환, 트리아진환, 퀴놀린환, 및 퀴녹살린환 등의 방향환 구조를 갖는 유기 폴리머가 바람직하게 사용된다.
이러한 유기 폴리머 화합물로는, 예를 들면, 벤질아크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 나프틸아크릴레이트, 안트릴메타크릴레이트, 안트릴메틸메타크릴레이트, 스티렌, 하이드록시스티렌, 벤질비닐에테르 및 N-페닐말레이미드 등의 부가중합성 모노머를 그 구조단위로서 포함하는 부가중합 폴리머나, 페놀 노볼락 및 나프톨 노볼락 등의 축중합 폴리머를 들 수 있다.
유기 폴리머 화합물로서 부가중합 폴리머가 사용되는 경우, 그 폴리머 화합물은 단독중합체일 수도 있고 공중합체일 수도 있다. 부가중합 폴리머의 제조에는 부가중합성 모노머가 사용된다. 이러한 부가중합성 모노머로는 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산에스테르 화합물, 메타크릴산에스테르 화합물, 아크릴아미드 화합물, 메타크릴아미드 화합물, 비닐 화합물, 스티렌 화합물, 말레이미드 화합물, 말레산 무수물, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다.
아크릴산에스테르 화합물로는, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 노말헥실아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 안트릴메틸아크릴레이트, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 3-클로로-2-하이드록시프로필아크릴레이트, 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 2,2,2-트리플루오로에틸아크릴레이트, 2,2,2-트리클로로에틸아크릴레이트, 2-브로모에틸아크릴레이트, 4-하이드록시부틸아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 테트라하이드로푸루푸릴아크릴레이트, 5-아크릴로일옥시-6-하이드록시노보넨-2-카르복실릭-6-락톤, 3-아크릴옥시프로필트리에톡시실란 및 글리시딜아크릴레이트 등을 들 수 있다.
메타크릴산에스테르 화합물로는, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 노말헥실메타크릴레이트, 이소프로필메타크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 안트릴메틸메타크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 2-하이드록시프로필메타크릴레이트, 2,2,2-트리플루오로에틸메타크릴레이트, 2,2,2-트리클로로에틸메타크릴레이트, 2-브로모에틸메타크릴레이트, 4-하이드록시부틸메타크릴레이트, 2-메톡시에틸메타크릴레이트, 테트라하이드로푸루푸릴메타크릴레이트, 5-메타크릴로일옥시-6-하이드록시노보넨-2-카르복실릭-6-락톤, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 글리시딜메타크릴레이트, 2-페닐에틸메타크릴레이트, 하이드록시페닐메타크릴레이트 및 브로모페닐메타크릴레이트 등을 들 수 있다.
아크릴아미드 화합물로는, 아크릴아미드, N-메틸아크릴아미드, N-에틸아크릴아미드, N-벤질아크릴아미드, N-페닐아크릴아미드, N,N-디메틸아크릴아미드 및 N-안트릴아크릴아미드 등을 들 수 있다.
메타크릴아미드 화합물, 메타크릴아미드, N-메틸메타크릴아미드, N-에틸메타크릴아미드, N-벤질메타크릴아미드, N-페닐메타크릴아미드, N,N-디메틸메타크릴아미드 및 N-안트릴아크릴아미드 등을 들 수 있다.
비닐 화합물로는, 비닐알코올, 2-하이드록시에틸비닐에테르, 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 벤질비닐에테르, 비닐아세트산, 비닐트리메톡시실란, 2-클로로에틸비닐에테르, 2-메톡시에틸비닐에테르, 비닐나프탈렌 및 비닐안트라센 등을 들 수 있다.
스티렌 화합물로는, 스티렌, 하이드록시스티렌, 클로로스티렌, 브로모스티렌, 메톡시스티렌, 시아노스티렌 및 아세틸스티렌 등을 들 수 있다.
말레이미드 화합물로는, 말레이미드, N-메틸말레이미드, N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드 및 N-하이드록시에틸말레이미드 등을 들 수 있다.
폴리머로서 축중합 폴리머가 사용되는 경우, 이러한 폴리머로는, 예를 들면, 글리콜 화합물과 디카르본산 화합물의 축중합 폴리머를 들 수 있다. 글리콜 화합물로는 디에틸렌글리콜, 헥사메틸렌글리콜, 부틸렌글리콜 등을 들 수 있다. 디카르본산 화합물로는, 숙신산, 아디프산, 테레프탈산, 무수말레산 등을 들 수 있다. 또한, 예를 들면, 폴리피로멜리트이미드, 폴리(p-페닐렌테레프탈아미드), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드를 들 수 있다.
유기 폴리머 화합물에 하이드록시기가 함유되어 있는 경우에, 이 하이드록시기는 폴리오가노실록산과 가교반응을 형성할 수 있다.
유기 폴리머 화합물로는, 중량평균분자량이, 예를 들어 1000 내지 1000000이고, 또는 3000 내지 300000이고, 또는 5000 내지 200000이고, 또는 10000 내지 100000인 폴리머 화합물을 사용할 수 있다.
유기 폴리머 화합물은 1종만을 사용할 수 있고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
유기 폴리머 화합물이 사용되는 경우, 그 비율로는, 축합물(폴리오가노실록산) 100질량부에 대하여, 1 내지 200질량부, 또는 5 내지 100질량부, 또는 10 내지 50질량부, 또는 20 내지 30질량부이다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에서는 산발생제를 함유할 수 있다.
산발생제로는, 열산발생제나 광산발생제를 들 수 있다.
광산발생제는, 레지스트의 노광시에 산을 발생한다. 이에 따라, 하층막의 산성도의 조정이 가능해진다. 이는, 하층막의 산성도를 상층의 레지스트와의 산성도에 맞추기 위한 방법 중 하나이다. 또한, 하층막의 산성도를 조정함으로써, 상층에 형성되는 레지스트의 패턴형상을 조정할 수 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 포함되는 광산발생제로는, 오늄염 화합물, 설폰이미드 화합물, 및 디설포닐디아조메탄 화합물 등을 들 수 있다.
오늄염 화합물로는 디페닐요오드늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오드늄트리플루오로메탄설포네이트, 디페닐요오드늄노나플루오로노말부탄설포네이트, 디페닐요오드늄퍼플루오로노말옥탄설포네이트, 디페닐요오드늄캠퍼설포네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄캠퍼설포네이트 및 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄트리플루오로메탄설포네이트 등의 요오드늄염 화합물, 및 트리페닐설포늄헥사플루오로안티모네이트, 트리페닐설포늄노나플루오로노말부탄설포네이트, 트리페닐설포늄캠퍼설포네이트 및 트리페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트 등의 설포늄염 화합물 등을 들 수 있다.
설폰이미드 화합물로는, 예를 들어 N-(트리플루오로메탄설포닐옥시)석신이미드, N-(노나플루오로노말부탄설포닐옥시)석신이미드, N-(캠퍼설포닐옥시)석신이미드 및 N-(트리플루오로메탄설포닐옥시)나프탈이미드 등을 들 수 있다.
디설포닐디아조메탄 화합물로는, 예를 들면, 비스(트리플루오로메틸설포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실설포닐)디아조메탄, 비스(페닐설포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔설포닐)디아조메탄, 비스(2,4-디메틸벤젠설포닐)디아조메탄, 및 메틸설포닐-p-톨루엔설포닐디아조메탄 등을 들 수 있다.
광산발생제는 1종만을 사용할 수 있고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
광산발생제가 사용되는 경우, 그 비율로는, 축합물(폴리오가노실록산) 100질량부에 대하여, 0.01 내지 5질량부, 또는 0.1 내지 3질량부, 또는 0.5 내지 1질량부이다.
계면활성제는, 본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물을 기판에 도포할 때에, 핀홀 및 스트리에이션 등의 발생을 억제하는데 유효하다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 포함되는 계면활성제로는, 예를 들면, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬알릴에테르류, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머류, 솔비탄모노라우레이트, 솔비탄모노팔미테이트, 솔비탄모노스테아레이트, 솔비탄모노올레이트, 솔비탄트리올레이트, 솔비탄트리스테아레이트 등의 솔비탄지방산에스테르류, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리올레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌솔비탄지방산에스테르류 등의 비이온계 계면활성제, 상품명 EFTOP EF301, EF303, EF352(Tohkem Products Corporation제), 상품명 MEGAFAC F171, F173, R-08, R-30(Dainippon Ink and Chemicals, Inc.제), FLUORAD FC430, FC431(Sumitomo 3M Ltd.제), 상품명 ASAHI GUARD AG710, SURFLON S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106(Asahi Glass Co., Ltd.제) 등의 불소계 계면활성제, 및 오가노실록산 폴리머-KP341(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.제) 등을 들 수 있다. 이들 계면활성제는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상의 조합으로 사용할 수도 있다. 계면활성제가 사용되는 경우, 그 비율로는, 축합물(폴리오가노실록산) 100질량부에 대하여 0.0001 내지 5질량부, 또는 0.001 내지 1질량부, 또는 0.01 내지 0.5질량부이다.
또한, 본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에는, 레올로지 조정제 및 접착보조제 등을 첨가할 수 있다. 레올로지 조정제는, 하층막 형성 조성물의 유동성을 향상시키는데 유효하다. 접착보조제는, 반도체 기판 또는 레지스트와 하층막의 밀착성을 향상시키는데 유효하다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 사용되는 용제로는, 상기 고형분을 용해할 수 있는 용제라면, 특별한 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 용제로는, 예를 들면, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 메틸이소부틸카르비놀, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 2-하이드록시프로피온산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디프로필에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디프로필에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르, 유산에틸, 유산프로필, 유산이소프로필, 유산부틸, 유산이소부틸, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산프로필, 포름산이소프로필, 포름산부틸, 포름산이소부틸, 포름산아밀, 포름산이소아밀, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산아밀, 아세트산이소아밀, 아세트산헥실, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 프로피온산프로필, 프로피온산이소프로필, 프로피온산부틸, 프로피온산이소부틸, 부티르산메틸, 부티르산에틸, 부티르산프로필, 부티르산이소프로필, 부티르산부틸, 부티르산이소부틸, 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 3-메톡시-2-메틸프로피온산메틸, 2-하이드록시-3-메틸부티르산메틸, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시프로필아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부틸레이트, 아세토아세트산메틸, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 시클로헥사논, N, N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 4-메틸-2-펜탄올, 및 γ-부티로락톤 등을 들 수 있다. 이들 용제는 단독으로, 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.
이하, 본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물의 사용에 대하여 설명한다.
반도체 장치의 제조에 사용되는 기판(예를 들면, 실리콘 웨이퍼 기판, 실리콘/이산화실리콘 피복기판, 실리콘나이트라이드 기판, 유리기판, ITO기판, 폴리이미드 기판, 및 저유전율 재료(low-k재료) 피복기판 등) 상에, 스피너, 코터 등의 적당한 도포방법에 의해 본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물이 도포되고, 그 후, 소성함으로써 레지스트 하층막이 형성된다. 소성하는 조건으로는, 소성온도 80℃ 내지 250℃, 소성시간 0.3 내지 60분간 중에서 적당히 선택된다. 바람직하게는, 소성온도 150℃ 내지 250℃, 소성시간 0.5 내지 2분간이다. 여기서, 형성되는 하층막의 막두께로는, 예를 들면, 10 내지 1000nm이고, 또는 20 내지 500nm이고, 또는 50 내지 300nm이고, 또는 100 내지 200nm이다.
이어서 그 레지스트 하층막 상에, 예를 들어 포토레지스트의 층이 형성된다. 포토레지스트의 층의 형성은, 주지의 방법, 즉, 포토레지스트 조성물 용액의 하층막 상으로의 도포 및 소성에 의해 행할 수 있다. 포토레지스트의 막두께로는 예를 들어 50 내지 10000nm이고, 또는 100 내지 2000nm이고, 또는 200 내지 1000nm이다.
본 발명에서는 기판 상에 유기 하층막을 성막한 후, 이 위에 본 발명의 레지스트 하층막을 성막하고, 다시 그 위에 포토레지스트를 피복할 수 있다. 이에 따라 포토레지스트의 패턴폭이 좁아져서, 패턴 붕괴를 방지하기 위해 포토레지스트를 얇게 피복한 경우에도, 적절한 에칭가스를 선택함으로써 기판의 가공이 가능해진다. 예를 들면, 포토레지스트에 대하여 충분히 빠른 에칭속도가 되는 불소계 가스를 에칭가스로 하여 본 발명의 레지스트 하층막의 가공이 가능하고, 또한 본 발명의 레지스트 하층막에 대하여 충분히 빠른 에칭속도가 되는 산소계 가스를 에칭가스로 하여 유기 하층막의 가공이 가능하고, 나아가 유기 하층막에 대하여 충분히 빠른 에칭속도가 되는 불소계 가스를 에칭가스로 하여 기판의 가공을 행할 수 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 상에 형성되는 포토레지스트로는 노광에 사용되는 광에 감광하는 것이라면 특별한 한정은 없다. 네가티브형 포토레지스트 및 포지티브형 포토레지스트 어느 것이나 사용 가능하다. 노볼락 수지와 1,2-나프토퀴논디아지드설폰산에스테르로 이루어진 포지티브형 포토레지스트, 산에 의해 분해되어 알칼리 용해속도를 상승시키는 기를 갖는 바인더와 광산발생제로 이루어진 화학증폭형 포토레지스트, 산에 의해 분해되어 포토레지스트의 알칼리 용해속도를 상승시키는 저분자 화합물과 알칼리 가용성 바인더와 광산발생제로 이루어진 화학증폭형 포토레지스트, 및 산에 의해 분해되어 알칼리 용해속도를 상승시키는 기를 갖는 바인더와 산에 의해 분해되어 포토레지스트의 알칼리 용해속도를 상승시키는 저분자 화합물과 광산발생제로 이루어진 화학증폭형 포토레지스트 등이 있다. 예를 들면, Shipley Company L.L.C제 상품명 APEX-E, Sumitomo Chemical Co., Ltd.제 상품명 PAR710, 및 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.제 상품명 SEPR430 등을 들 수 있다. 또한, 예를 들면, Proc.SPIE, Vol.3999, 330-334(2000), Proc.SPIE, Vol.3999,357-364(2000), 및 Proc.SPIE, Vol.3999, 365-374(2000)에 기재되어 있는 바와 같은, 함불소원자 폴리머계 포토레지스트를 들 수 있다.
다음에, 소정의 마스크를 통해 노광이 행해진다. 노광에는, KrF 엑시머 레이저(파장248nm), ArF 엑시머 레이저(파장 193nm) 및 F2 엑시머 레이저(파장 157nm) 등을 사용할 수 있다. 노광 후, 필요에 따라 노광후 가열(post exposure bake)을 행할 수도 있다. 노광후 가열은, 가열온도 70℃ 내지 150℃, 가열시간 0.3 내지 10분간에서 적당히 선택된 조건으로 행해진다.
또한, 본 발명에서는 레지스트로서 포토레지스트 대신에 전자선 리소그래피용 레지스트, 또는 EUV 리소그래피용 레지스트를 이용할 수 있다. 전자선 레지스트로는 네가티브형, 포지티브형 어느 것이나 사용 가능하다. 산발생제와 산에 의해 분해되어 알칼리 용해속도를 변화시키는 기를 갖는 바인더로 이루어진 화학증폭형 레지스트, 알칼리 가용성 바인더와 산발생제와 산에 의해 분해되어 레지스트의 알칼리 용해속도를 변화시키는 저분자 화합물로 이루어진 화학증폭형 레지스트, 산발생제와 산에 의해 분해되어 알칼리 용해속도를 변화시키는 기를 갖는 바인더와 산에 의해 분해되어 레지스트의 알칼리 용해속도를 변화시키는 저분자 화합물로 이루어진 화학증폭형 레지스트, 전자선에 의해 분해되어 알칼리 용해속도를 변화시키는 기를 갖는 바인더로 이루어진 비화학증폭형 레지스트, 전자선에 의해 절단되어 알칼리 용해속도를 변화시키는 부위를 갖는 바인더로 이루어진 비화학증폭형 레지스트 등이 있다. 이들 전자선 레지스트를 이용한 경우에도 조사원을 전자선으로 하여 포토레지스트를 이용한 경우와 마찬가지로 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
또한, EUV 레지스트로는 메타크릴레이트 수지계 레지스트를 이용할 수 있다.
이어서, 현상액(예를 들어 알칼리 현상액)에 의해 현상이 행해진다. 이에 따라, 예를 들어 포지티브형 포토레지스트가 사용된 경우에는, 노광된 부분의 포토레지스트가 제거되어, 포토레지스트의 패턴이 형성된다.
현상액으로는, 수산화칼륨, 수산화나트륨 등의 알칼리 금속 수산화물의 수용액, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 콜린 등의 수산화 4급 암모늄의 수용액, 에탄올아민, 프로필아민, 에틸렌디아민 등의 아민 수용액 등의 알칼리성 수용액을 예로 들 수 있다. 또한, 이들 현상액에 계면활성제 등을 첨가할 수도 있다. 현상 조건으로는, 온도 5 내지 50℃, 시간 10 내지 600초에서 적당히 선택된다.
또한, 본 발명에서는 현상액으로서 유기용제를 이용할 수 있다. 노광 후에 현상액(용제)에 의해 현상이 행해진다. 이에 따라, 예를 들어 포지티브형 포토레지스트가 사용된 경우에는, 노광되지 않는 부분의 포토레지스트가 제거되어, 포토레지스트의 패턴이 형성된다.
현상액으로는, 예를 들면, 아세트산메틸, 아세트산부틸, 아세트산에틸, 아세트산이소프로필, 아세트산아밀, 아세트산이소아밀, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 2-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 4-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-에틸-3-메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 2-에톡시부틸아세테이트, 4-에톡시부틸아세테이트, 4-프로폭시부틸아세테이트, 2-메톡시펜틸아세테이트, 3-메톡시펜틸아세테이트, 4-메톡시펜틸아세테이트, 2-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 4-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산부틸, 포름산프로필, 유산에틸, 유산부틸, 유산프로필, 탄산에틸, 탄산프로필, 탄산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산프로필, 피루브산부틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 프로피온산프로필, 프로피온산이소프로필, 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산에틸, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필-3-메톡시프로피오네이트 등을 예로 들 수 있다. 또한, 이들 현상액에 계면활성제 등을 첨가할 수도 있다. 현상 조건으로는, 온도 5 내지 50℃, 시간 10 내지 600초에서 적당히 선택된다.
그리고, 이와 같이 하여 형성된 포토레지스트(상층)의 패턴을 보호막으로 하여 본 발명의 레지스트 하층막(중간층)의 제거가 행해지고, 이어서 패턴화된 포토레지스트 및 본 발명의 레지스트 하층막(중간층)으로 이루어진 막을 보호막으로 하여, 유기 하층막(하층)의 제거가 행해진다. 마지막으로, 패턴화된 본 발명의 레지스트 하층막(중간층) 및 유기 하층막(하층)을 보호막으로 하여, 반도체 기판의 가공이 행해진다.
우선, 포토레지스트가 제거된 부분의 본 발명의 레지스트 하층막(중간층)을 드라이 에칭에 의해 제거하여, 반도체 기판을 노출시킨다. 본 발명의 레지스트 하층막의 드라이 에칭에는 테트라플루오로메탄(CF4), 퍼플루오로시클로부탄(C4F8), 퍼플루오로프로판(C3F8), 트리플루오로메탄, 일산화탄소, 아르곤, 산소, 질소, 육불화황, 디플루오로메탄, 삼불화질소 및 삼불화염소, 염소, 트리클로로보란 및 디클로로보란 등의 가스를 사용할 수 있다. 레지스트 하층막의 드라이 에칭에는 할로겐계 가스를 사용하는 것이 바람직하다. 할로겐계 가스에 의한 드라이 에칭에서는, 기본적으로 유기물질로 이루어진 포토레지스트는 잘 제거되지 않는다. 이에 반해, 실리콘원자를 많이 포함하는 본 발명의 레지스트 하층막은 할로겐계 가스에 의해 빨리 제거된다. 이에 따라, 레지스트 하층막의 드라이 에칭에 따른 포토레지스트의 막두께의 감소를 억제할 수 있다. 그리고, 그 결과, 포토레지스트를 박막으로 사용할 수 있게 된다. 레지스트 하층막의 드라이 에칭은 불소계 가스에 의한 것이 바람직하고, 불소계 가스로는, 예를 들면, 테트라플루오로메탄(CF4), 퍼플루오로시클로부탄(C4F8), 퍼플루오로프로판(C3F8), 트리플루오로메탄, 및 디플루오로메탄(CH2F2) 등을 들 수 있다.
그 후, 패턴화된 포토레지스트 및 본 발명의 레지스트 하층막으로 이루어진 막을 보호막으로 하여 유기 하층막의 제거가 행해진다. 유기 하층막(하층)은 산소계 가스에 의한 드라이 에칭에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 실리콘원자를 많이 포함하는 본 발명의 레지스트 하층막은, 산소계 가스에 의한 드라이 에칭에서는 제거되기 어렵기 때문이다.
마지막으로, 반도체 기판의 가공이 행해진다. 반도체 기판의 가공은 불소계 가스에 의한 드라이 에칭에 의해 행해지는 것이 바람직하다.
불소계 가스로는, 예를 들면, 테트라플루오로메탄(CF4), 퍼플루오로시클로부탄(C4F8), 퍼플루오로프로판(C3F8), 트리플루오로메탄, 및 디플루오로메탄(CH2F2) 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 하층막의 상층에는, 포토레지스트의 형성 전에 유기계의 반사방지막을 형성할 수 있다. 여기서 사용되는 반사방지막 조성물로는 특별한 제한은 없으며, 지금까지 리소그래피 프로세스에 있어서 관용되고 있는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있고, 또한, 관용되고 있는 방법, 예를 들면, 스피너, 코터에 의한 도포 및 소성에 의해 반사방지막의 형성을 행할 수 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물이 도포되는 기판은, 그 표면에 CVD법 등으로 형성된 유기계 또는 무기계의 반사방지막을 갖는 것일 수도 있으며, 그 위에 본 발명의 하층막을 형성할 수도 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 형성되는 레지스트 하층막은, 또한, 리소그래피 프로세스에 있어서의 사용되는 광의 파장에 따라서는, 그 광에 대한 흡수를 갖는 경우가 있다. 그리고, 이러한 경우에는, 기판으로부터의 반사광을 방지하는 효과를 갖는 반사방지막으로서 기능할 수 있다. 나아가, 본 발명의 하층막은, 기판과 포토레지스트의 상호작용을 방지하기 위한 층, 포토레지스트에 이용되는 재료 또는 포토레지스트로의 노광시에 생성되는 물질의 기판에 대한 악작용을 방지하는 기능을 갖는 층, 가열소성시에 기판으로부터 생성되는 물질의 상층 포토레지스트로의 확산을 방지하는 기능을 갖는 층, 및 반도체 기판 유전체층에 의한 포토레지스트층의 포이즈닝 효과를 감소시키기 위한 배리어층 등으로서 사용하는 것도 가능하다.
또한, 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 형성되는 레지스트 하층막은, 듀얼 다마신 프로세스에서 이용되는 비아홀이 형성된 기판에 적용되고, 홀을 간극없이 충전할 수 있는 매립재로 사용할 수 있다. 또한, 요철이 있는 반도체 기판의 표면을 평탄화하기 위한 평탄화재로 사용할 수도 있다.
또한, EUV 레지스트의 하층막으로는 하드마스크로서의 기능 이외에 이하의 목적으로 사용할 수도 있다. EUV 레지스트와 인터믹싱하는 일 없이, EUV 노광(파장 13.5nm)에 있어서 바람직하지 않은 노광광, 예를 들어 상기 서술한 UV나 DUV(ArF광, KrF광)의 기판 또는 계면으로부터의 반사를 방지할 수 있는 EUV 레지스트의 하층 반사방지막으로서, 상기 레지스트 하층막 형성 조성물을 이용할 수 있다. EUV 레지스트의 하층에서 효율적으로 반사를 방지할 수 있다. EUV 레지스트 하층막으로서 이용한 경우에는, 프로세스는 포토레지스트용 하층막과 동일하게 행할 수 있다.
실시예
(원료 모노머 합성 1)
100ml 가지형 플라스크(ナスフラスコ)에, N-메틸아미노프로필트리에톡시실란 10.00g(0.05mol), 트리에틸아민 6.54g(0.06mol), N,N-디메틸포름아미드 33.1g을 넣고, 마그네틱 스터러로 교반하면서 2-클로로에틸페닐설폰 10.59g(0.05mol), N,N-디메틸포름아미드 21.2g의 혼합용매를 적하하고, 적하 종료 후 70℃로 과열(過熱)하여 4시간 반응시켰다. 반응에 의해 생성된 트리에틸아민염산염을 여과에 의해 제거하고, 여액을 증발기로 용매를 제거 후, 아세트산에틸, 물로 분액을 행하였다. 유기층을 황산마그네슘으로 탈수처리 후, 여과를 행하고, 증발기로 아세트산에틸을 제거하여 조(粗)생성물을 얻었다. 조생성물을 감압증류함으로써, 목적물인 화합물 1(식(1-1), X가 에톡시기)을 얻었다.
1H-NMR(500MHz): 0.47ppm(t, 2H), 1.30ppm(quint, 2H), 2.02ppm(s, 3H), 2.20ppm(t, 2H), 2.61ppm(t, 2H), 3.43~3.49(m, 11H), 7.64~7.93ppm(m, 5H)
(원료 모노머 합성 2)
100ml 가지형 플라스크에, N-메틸알릴아민 5.00g(0.067mol), 4-플루오로페닐메틸설폰 9.80g(0.056mol), 탄산칼륨 7.77g(0.056mol), N-메틸피롤리돈 10.0g을 넣고, 60℃로 가열하여 8일간 반응시켰다. 반응액을, 아세트산에틸, 물로 분액을 행한 후, 증발기로 아세트산에틸을 제거하여 중간체 1의 조생성물을 얻었다.
50ml 가지형 플라스크에, 중간체 1을 1.50g(0.006mol), 트리에톡시실란 1.18g(0.007mol), 백금촉매 PI-Pt 0.08g, 톨루엔 15g을 넣고, 가열 환류를 행하여 6시간 반응시켰다. 백금촉매 PI-Pt를 여과에 의해 제거하고, 증발기로 톨루엔을 제거하여 조생성물을 얻었다. 조생성물을 감압증류함으로써, 목적물인 화합물 2(식(1-2), X가 에톡시기)를 얻었다.
1H-NMR(500MHz): 0.58ppm(t, 2H), 1.14ppm(t, 9H), 1.58ppm(quint, 2H), 2.98ppm(s, 3H), 3.06ppm(s, 3H), 3.40(t, 2H), 3.75ppm(q, 6H), 6.78~6.80ppm(m, 2H), 7.61~7.63ppm(m, 2H)
(합성예 1)
15.42g(70mol%)의 테트라에톡시실란, 4.71g(25mol%)의 메틸트리에톡시실란, 1.05g(5mol%)의 페닐트리메톡시실란, 31.77g의 아세톤을 100ml의 플라스크에 넣고, 혼합용액을 마그네틱 스터러로 교반하면서 0.01mol/l의 염산 7.05g을 혼합용액에 적하하였다. 첨가 후, 85℃로 조정된 오일배스에 플라스크를 옮겨, 가온 환류하에서 240분 반응시켰다. 그 후, 반응용액을 실온까지 냉각하고, 반응용액에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 21g을 첨가하고, 반응 부생물인 에탄올, 물, 염산을 감압 유거하고, 농축하여 가수분해 축합물(폴리머) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 용액을 얻었다. 프로필렌글리콜모노에틸에테르를 첨가하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트/프로필렌글리콜모노에틸에테르 20/80의 용매비율로 하여 140℃에 있어서의 고형잔물 환산으로 15중량%가 되도록 조정하였다. 생성물은 식(E-1)의 폴리머가 주성분이며, 가수분해물과 모노머가 존재하고 있었다. 폴리머의 GPC에 의한 중량평균분자량은 폴리스티렌 환산으로 Mw1600이었다.
[화학식 17]
Figure 112014125987483-pct00017

(합성예 2)
14.72g(70mol%)의 테트라에톡시실란, 4.50g(25mol%)의 메틸트리에톡시실란, 2.09g(5mol%)의 3-(트리에톡시실릴프로필)디알릴이소시아누레이트, 31.96g의 아세톤을 100ml의 플라스크에 넣고, 혼합용액을 마그네틱 스터러로 교반하면서 0.01mol/l의 염산 6.73g을 혼합용액에 적하하였다. 첨가 후, 85℃로 조정된 오일배스에 플라스크를 옮겨, 가온 환류하에서 240분 반응시켰다. 그 후, 반응용액을 실온까지 냉각하고, 반응용액에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 21g을 첨가하고, 반응 부생물인 에탄올, 물, 염산을 감압 유거하고, 농축하여 가수분해 축합물(폴리머) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 용액을 얻었다. 프로필렌글리콜모노에틸에테르를 첨가하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트/프로필렌글리콜모노에틸에테르 20/80의 용매비율로 하여 140℃에 있어서의 고형잔물 환산으로 15중량%가 되도록 조정하였다. 생성물은 식(E-2)의 폴리머가 주성분이며, 가수분해물과 모노머가 존재하고 있었다. 폴리머의 GPC에 의한 중량평균분자량은 폴리스티렌 환산으로 Mw1700이었다.
[화학식 18]
Figure 112014125987483-pct00018

(합성예 3)
15.36g(70mol%)의 테트라에톡시실란, 4.60g(24.5mol%)의 메틸트리에톡시실란, 1.04g(5mol%)의 페닐트리메톡시실란, 0.19g(0.5mol%)의 화합물 1, 31.79g의 아세톤을 100ml의 플라스크에 넣고, 혼합용액을 마그네틱 스터러로 교반하면서 0.02mol/l의 염산 7.02g을 혼합용액에 적하하였다. 첨가 후, 85℃로 조정된 오일배스에 플라스크를 옮겨, 가온 환류하에서 240분 반응시켰다. 그 후, 반응용액을 실온까지 냉각하고, 반응용액에 프로필렌글리콜모노에틸에테르 21g을 첨가하고, 반응 부생물인 에탄올, 물, 염산을 감압 유거하고, 농축하여 가수분해 축합물(폴리머) 프로필렌글리콜모노에틸에테르 용액을 얻었다. 프로필렌글리콜모노에틸에테르를 첨가하고, 140℃에 있어서의 고형잔물 환산으로 15중량%가 되도록 조정하였다. 생성물은 식(A-1)의 폴리머가 주성분이며, 가수분해물과 모노머가 존재하고 있었다. 폴리머의 GPC에 의한 중량평균분자량은 폴리스티렌 환산으로 Mw1700이었다.
(합성예 4)
14.66g(70mol%)의 테트라에톡시실란, 4.39g(24.5mol%)의 메틸트리에톡시실란, 2.08g(5mol%)의 3-(트리에톡시실릴프로필)디알릴이소시아누레이트, 0.18g(0.5mol%)의 화합물 1, 31.79g의 아세톤을 100ml의 플라스크에 넣고, 혼합용액을 마그네틱 스터러로 교반하면서 0.02mol/l의 염산 6.70g을 혼합용액에 적하하였다. 첨가 후, 85℃로 조정된 오일배스에 플라스크를 옮겨, 가온 환류하에서 240분 반응시켰다. 그 후, 반응용액을 실온까지 냉각하고, 반응용액에 프로필렌글리콜모노에틸에테르 21g을 첨가하고, 반응 부생물인 에탄올, 물, 염산을 감압 유거하고, 농축하여 가수분해 축합물(폴리머) 프로필렌글리콜모노에틸에테르 용액을 얻었다. 프로필렌글리콜모노에틸에테르를 첨가하고, 140℃에 있어서의 고형잔물 환산으로 15중량%가 되도록 조정하였다. 생성물은 식(A-2)의 폴리머가 주성분이며, 가수분해물과 모노머가 존재하고 있었다. 폴리머의 GPC에 의한 중량평균분자량은 폴리스티렌 환산으로 Mw1800이었다.
(합성예 5)
15.20g(70mol%)의 테트라에톡시실란, 3.72g(20mol%)의 메틸트리에톡시실란, 1.03g(5mol%)의 페닐트리메톡시실란, 1.26g(5mol%)의 (4-메톡시벤질)트리메톡시실란, 31.83g의 아세톤을 100ml의 플라스크에 넣고, 혼합용액을 마그네틱 스터러로 교반하면서 0.01mol/l의 염산 6.95g을 혼합용액에 적하하였다. 첨가 후, 85℃로 조정된 오일배스에 플라스크를 옮겨, 가온 환류하에서 240분 반응시켰다. 그 후, 반응용액을 실온까지 냉각하고, 반응용액에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 21g을 첨가하고, 반응 부생물인 에탄올, 물, 염산을 감압 유거하고, 농축하여 가수분해 축합물(폴리머) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 용액을 얻었다. 프로필렌글리콜모노에틸에테르를 첨가하고, 140℃에 있어서의 고형잔물 환산으로 15중량%가 되도록 조정하였다. 생성물은 식(E-3)의 폴리머가 주성분이며, 가수분해물과 모노머가 존재하고 있었다. 폴리머의 GPC에 의한 중량평균분자량은 폴리스티렌 환산으로 Mw1600이었다.
[화학식 19]
Figure 112014125987483-pct00019

(합성예 6)
14.53g(70mol%)의 테트라에톡시실란, 3.55g(20mol%)의 메틸트리에톡시실란, 2.06g(5mol%)의 3-(트리에톡시실릴프로필)디알릴이소시아누레이트, 1.21g(5mol%)의 (4-메톡시벤질)트리메톡시실란, 32.02g의 아세톤을 100ml의 플라스크에 넣고, 혼합용액을 마그네틱 스터러로 교반하면서 0.01mol/l의 염산 6.64g을 혼합용액에 적하하였다. 첨가 후, 85℃로 조정된 오일배스에 플라스크를 옮겨, 가온 환류하에서 240분 반응시켰다. 그 후, 반응용액을 실온까지 냉각하고, 반응용액에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 21g을 첨가하고, 반응 부생물인 에탄올, 물, 염산을 감압 유거하고, 농축하여 가수분해 축합물(폴리머) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 용액을 얻었다. 프로필렌글리콜모노에틸에테르를 첨가하고, 140℃에 있어서의 고형잔물 환산으로 15중량%가 되도록 조정하였다. 생성물은 식(E-4)의 폴리머가 주성분이며, 가수분해물과 모노머가 존재하고 있었다. 폴리머의 GPC에 의한 중량평균분자량은 폴리스티렌 환산으로 Mw1600이었다.
[화학식 20]
Figure 112014125987483-pct00020

(합성예 7)
15.14g(70mol%)의 테트라에톡시실란, 3.61g(19.5mol%)의 메틸트리에톡시실란, 1.03g(5mol%)의 페닐트리메톡시실란, 1.26g(5mol%)의 (4-메톡시벤질)트리메톡시실란, 0.19g(0.5mol%)의 화합물 1, 31, 85g의 아세톤을 100ml의 플라스크에 넣고, 혼합용액을 마그네틱 스터러로 교반하면서 0.02mol/l의 염산 6.92g을 혼합용액에 적하하였다. 첨가 후, 85℃로 조정된 오일배스에 플라스크를 옮겨, 가온 환류하에서 240분 반응시켰다. 그 후, 반응용액을 실온까지 냉각하고, 반응용액에 프로필렌글리콜모노에틸에테르 21g을 첨가하고, 반응 부생물인 에탄올, 물, 염산을 감압 유거하고, 농축하여 가수분해 축합물(폴리머) 프로필렌글리콜모노에틸에테르 용액을 얻었다. 프로필렌글리콜모노에틸에테르를 첨가하고, 140℃에 있어서의 고형잔물 환산으로 15중량%가 되도록 조정하였다. 생성물은 식(A-3)의 폴리머가 주성분이며, 가수분해물과 모노머가 존재하고 있었다. 폴리머의 GPC에 의한 중량평균분자량은 폴리스티렌 환산으로 Mw1700이었다.
(합성예 8)
14.47g(70mol%)의 테트라에톡시실란, 3.45g(19.5mol%)의 메틸트리에톡시실란, 2.05g(5mol%)의 3-(트리에톡시실릴프로필)디알릴이소시아누레이트, 1.20g(5mol%)의 (4-메톡시벤질)트리메톡시실란, 0.18g(0.5mol%)의 화합물 1, 32.03g의 아세톤을 100ml의 플라스크에 넣고, 혼합용액을 마그네틱 스터러로 교반하면서 0.02mol/l의 염산 6.62g을 혼합용액에 적하하였다. 첨가 후, 85℃로 조정된 오일배스에 플라스크를 옮겨, 가온 환류하에서 240분 반응시켰다. 그 후, 반응용액을 실온까지 냉각하고, 반응용액에 프로필렌글리콜모노에틸에테르 21g을 첨가하고, 반응 부생물인 에탄올, 물, 염산을 감압 유거하고, 농축하여 가수분해 축합물(폴리머) 프로필렌글리콜모노에틸에테르 용액을 얻었다. 프로필렌글리콜모노에틸에테르를 첨가하고, 140℃에 있어서의 고형잔물 환산으로 15중량%가 되도록 조정하였다. 생성물은 식(A-4)의 폴리머가 주성분이며, 가수분해물과 모노머가 존재하고 있었다. 폴리머의 GPC에 의한 중량평균분자량은 폴리스티렌 환산으로 Mw1800이었다.
(비교합성예 1)
15.40g(70mol%)의 테트라에톡시실란, 4.61g(24.5mol%)의 메틸트리에톡시실란, 1.05g(5mol%)의 페닐트리메톡시실란, 0.12g(0.5mol%)의 N-(3-트리에톡시실릴프로필)-4,5-디하이드로이미다졸, 31.78g의 아세톤을 100ml의 플라스크에 넣고, 혼합용액을 마그네틱 스터러로 교반하면서 0.02mol/l의 염산 7.04g을 혼합용액에 적하하였다. 첨가 후, 85℃로 조정된 오일배스에 플라스크를 옮겨, 가온 환류하에서 240분 반응시켰다. 그 후, 반응용액을 실온까지 냉각하고, 반응용액에 프로필렌글리콜모노에틸에테르 21g을 첨가하고, 반응 부생물인 에탄올, 물, 염산을 감압 유거하고, 농축하여 가수분해 축합물(폴리머) 프로필렌글리콜모노에틸에테르 용액을 얻었다. 프로필렌글리콜모노에틸에테르를 첨가하고, 140℃에 있어서의 고형잔물 환산으로 15중량%가 되도록 조정하였다. 생성물은 식(E-5)의 폴리머가 주성분이며, 가수분해물과 모노머가 존재하고 있었다. 폴리머의 GPC에 의한 중량평균분자량은 폴리스티렌 환산으로 Mw1700이었다.
[화학식 21]
Figure 112014125987483-pct00021

(비교합성예 2)
15.39g(70mol%)의 테트라에톡시실란, 4.70g(25mol%)의 메틸트리에톡시실란, 0.94g(4.5mol%)의 페닐트리메톡시실란, 0.15g(0.5mol%)의 4-메틸설포닐메틸페닐트리메톡시실란, 31.78g의 아세톤을 100ml의 플라스크에 넣고, 혼합용액을 마그네틱 스터러로 교반하면서 0.02mol/l의 염산 7.04g을 혼합용액에 적하하였다. 첨가 후, 85℃로 조정된 오일배스에 플라스크를 옮겨, 가온 환류하에서 240분 반응시켰다. 그 후, 반응용액을 실온까지 냉각하고, 반응용액에 프로필렌글리콜모노에틸에테르 21g을 첨가하고, 반응 부생물인 에탄올, 물, 염산을 감압 유거하고, 농축하여 가수분해 축합물(폴리머) 프로필렌글리콜모노에틸에테르 용액을 얻었다. 프로필렌글리콜모노에틸에테르를 첨가하고, 140℃에 있어서의 고형잔물 환산으로 15중량%가 되도록 조정하였다. 생성물은 식(E-6)의 폴리머가 주성분이며, 가수분해물과 모노머가 존재하고 있었다. 폴리머의 GPC에 의한 중량평균분자량은 폴리스티렌 환산으로 Mw1600이었다.
[화학식 22]
Figure 112014125987483-pct00022

(비교합성예 3)
15.37g(70mol%)의 테트라에톡시실란, 4.70g(25mol%)의 메틸트리에톡시실란, 0.94g(4.5mol%)의 페닐트리메톡시실란, 0.19g(0.5mol%)의 3-(N-트리에톡시실릴)프로필벤젠설폰아미드, 31.79g의 아세톤을 100ml의 플라스크에 넣고, 혼합용액을 마그네틱 스터러로 교반하면서 0.02mol/l의 염산 7.02g을 혼합용액에 적하하였다. 첨가 후, 85℃로 조정된 오일배스에 플라스크를 옮겨, 가온 환류하에서 240분 반응시켰다. 그 후, 반응용액을 실온까지 냉각하고, 반응용액에 프로필렌글리콜모노에틸에테르 21g을 첨가하고, 반응 부생물인 에탄올, 물, 염산을 감압 유거하고, 농축하여 가수분해 축합물(폴리머) 프로필렌글리콜모노에틸에테르 용액을 얻었다. 프로필렌글리콜모노에틸에테르를 첨가하고, 140℃에 있어서의 고형잔물 환산으로 15중량%가 되도록 조정하였다. 생성물은 식(E-7)의 폴리머가 주성분이며, 가수분해물과 모노머가 존재하고 있었다. 폴리머의 GPC에 의한 중량평균분자량은 폴리스티렌 환산으로 Mw1700이었다.
[화학식 23]
Figure 112014125987483-pct00023

(레지스트 하층막의 조제)
상기 합성예 1 내지 합성예 8에서 얻어진 규소함유 폴리머, 산, 경화촉매, 첨가제, 용매, 물을 표 1에 나타내는 비율로 혼합하고, 0.1μm의 불소 수지제 필터로 여과함으로써, 레지스트 하층막 형성용 조성물의 용액을 각각 조제하였다.
표 1에서 말레산은 MA, N-(3-트리에톡시실릴프로필)-4,5-디하이드로이미다졸은 IMIDTEOS, 비스페놀S는 BPS, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트는 PGMEA, 프로필렌글리콜모노에틸에테르는 PGEE로 약기하였다. 물은 초순수를 이용하였다. 각 첨가량은 질량부로 나타내었다. 폴리머의 첨가량은 폴리머 용액의 질량이 아닌, 폴리머의 질량이다.
[표 1]
Figure 112014125987483-pct00024
[표 2]
Figure 112014125987483-pct00025

(내용제성 시험)
실시예 1 내지 실시예 14 및 비교예 1 내지 비교예 7의 레지스트 하층막 형성 조성물을, 스핀코트법으로 실리콘 웨이퍼 상에 각각 도포하고, 240℃의 핫플레이트 상에서 1분간 소성시켜, 레지스트 하층막을 형성하였다. 그 후, 상도(上塗) 레지스트 조성물의 용제에 이용되는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)에 1분간 침지하고, 침지 전후로 레지스트 하층막의 막두께의 변화가 1nm 이하인 경우에는 「양호(○)」로 판단하고, 막두께 변화가 그 이상인 경우에는 「불량(×)」으로 판단하였다. 얻어진 결과를 표 2에 나타낸다.
(광학상수 측정)
실시예 1 내지 14, 비교예 1 내지 7에서 조제한 Si함유 레지스트 하층막 형성 조성물을 스피너를 이용하여, 실리콘 웨이퍼 상에 각각 도포하였다. 핫플레이트 상 200℃에서 1분간 가열하여, Si함유 레지스트 하층막(막두께 0.05μm)을 형성하였다. 그리고, 이들 레지스트 하층막을 분광 엘립소미터(J.A.Woollam Co., Inc.제, VUV-VASE VU-302)를 이용하여, 파장 193nm에서의 굴절률(n값) 및 광학흡광계수(k값, 감쇠계수라고도 한다)를 측정하였다.
(드라이 에칭속도의 측정)
드라이 에칭속도의 측정에 이용한 에쳐 및 에칭가스는 이하의 것을 이용하였다.
ES401(Nippon Scientific Co., Ltd.제): CF4
RIE-10NR(SAMCO Inc.제): O2
실시예 1 내지 14, 비교예 1 내지 7에서 조제한 Si함유 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을 스피너를 이용하여, 실리콘 웨이퍼 상에 도포하였다. 핫플레이트 상 240℃에서 1분간 가열하여, Si함유 레지스트 하층막(막두께 0.08μm(CF4가스인 경우의 에칭속도 측정용), 0.05μm(O2가스인 경우의 에칭속도 측정용)을 각각 형성하였다. 또한, 마찬가지로 하기 기재한 유기 하층막 형성 조성물을 스피너를 이용하여, 실리콘 웨이퍼 상에 도막을 형성하였다. 에칭가스로서 O2가스를 사용하여 드라이 에칭속도를 측정하고, 실시예 1 내지 실시예 14, 비교예 1 내지 비교예 7의 Si함유 레지스트 하층막의 드라이 에칭속도와의 비교를 행하였다.
프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)에 대한 용제내성, 193nm의 파장에서의 굴절률 n, 193nm의 파장에서의 광학흡수계수 k, 불소계 가스(CF4가스)인 경우의 에칭레이트(에칭속도: nm/분), 산소계 가스(O2가스) 내성은, (본원 레지스트 하층막)/(유기 하층막)의 에칭레이트비를 나타내었다.
[표 3]
Figure 112014125987483-pct00026

(유기 레지스트 하층막의 조제)
질소하, 100mL의 4구 플라스크에 카바졸(6.69g, 0.040mol, Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.제), 9-플루오레논(7.28g, 0.040mol, Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.제), 파라톨루엔설폰산일수화물(0.76g, 0.0040mol, Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.제)을 첨가하고, 1,4-디옥산(6.69g, Kanto Chemical Co., Inc.제)을 투입하여 교반하고, 100℃까지 승온하고 용해시켜 중합을 개시하였다. 24시간 후 60℃까지 방랭 후, 클로로포름(34g, Kanto Chemical Co., Inc.제)을 첨가하여 희석하고, 메탄올(168g, Kanto Chemical Co., Inc.제)에 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 여과하고, 감압건조기에서 80℃, 24시간 건조하여, 목적으로 하는 폴리머(식(F-1), 이하 PCzFL로 약칭한다) 9.37g을 얻었다.
[화학식 24]
Figure 112014125987483-pct00027
PCzFL의 1H-NMR의 측정 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(400MHz,DMSO-d6): δ7.03-7.55(br,12H),δ7.61-8.10(br,4H),δ11.18(br,1H)
PCzFL의 GPC에 의한 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 2800, 다분산도 Mw/Mn은 1.77이었다.
얻어진 수지 20g에, 가교제로서 테트라메톡시메틸글리콜우릴(Mitsui Cytec Ltd.제, 상품명 POWDERLINK 1174) 3.0g, 촉매로서 피리디듐파라톨루엔설포네이트 0.30g, 계면활성제로서 MEGAFAC R-30(Dainippon Ink and Chemicals, Inc.제, 상품명) 0.06g을 혼합하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 88g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 구멍직경 0.10μm의 폴리에틸렌제 마이크로 필터를 이용하여 여과하고, 다시, 구멍직경 0.05μm의 폴리에틸렌제 마이크로 필터를 이용하여 여과하여, 다층막에 의한 리소그래피 프로세스에 이용하는 유기 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
(레지스트 패터닝 평가)
상기 식에서 얻어진 유기 하층막(A층) 형성 조성물을 실리콘 웨이퍼 상에 도포하고, 핫플레이트 상 240℃에서 60초간 베이크하여, 막두께 200nm의 유기 하층막(A층)을 얻었다. 그 위에, 실시예 1 내지 실시예 10, 비교예 1 내지 비교예 7에서 얻어진 Si함유 레지스트 하층막(B층) 형성 조성물을 도포하고, 핫플레이트 상 240℃에서 45초간 베이크하여, Si함유 레지스트 하층막(B층)을 얻었다. Si함유 레지스트 하층막(B층)의 막두께는 45nm였다.
(알칼리 현상액에 의한 현상·PTD)
B층 상에 시판 중인 포토레지스트 용액(JSR Corporation제, 상품명 AR2772)을 스피너에 의해 각각 도포하고, 핫플레이트 상 110℃에서 60초간 베이크하여, 막두께 120nm의 포토레지스트막(C층)을 형성하였다. 레지스트의 패터닝은 Nikon Corporation제 ArF 노광기 S-307E(파장 193nm, NA, σ: 0.85, 0.93/0.85(Dipole) 액침액: 물)를 이용하여 행하였다. 타겟은 현상 후에 포토레지스트의 라인폭 및 그 라인간 폭이 0.065μm인, 이른바 라인앤드스페이스(덴스라인)가 형성되도록 설정된 마스크를 통해 노광을 행하였다.
그 후, 핫플레이트 상 110℃에서 60초간 베이크하고, 냉각 후, 60초 싱글패들식 공정을 통해 2.38질량% 농도의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액(현상액)으로 현상하였다. 얻어진 포토레지스트 패턴에 대하여, 큰 패턴박리나 언더컷, 라인 바닥부가 부풀어짐(太り)(푸팅)이 발생하지 않는 것을 양호하다고 평가하였다.
[표 4]
Figure 112014125987483-pct00028

(유기용매에 의한 현상·NTD)
B층 상에 시판 중인 포토레지스트 용액(Fujifilm Corporation제, 상품명 FAiRS-9521NT05)을 스피너에 의해 각각 도포하고, 핫플레이트 상 100℃에서 1분간 가열하여, 막두께 85nm의 포토레지스트막(C층)을 형성하였다.
이어서, Nikon Corporation제 NSR-S307E Scanner(파장 193nm, NA, σ: 0.85, 0.93/0.85)를 이용하여, 현상 후에 포토레지스트의 라인폭 및 그 라인간 폭이 0.065μm, 즉 0.065μm의 라인앤드스페이스(L/S)=1/1의 덴스라인이 형성되도록 설정된 마스크, 또한 현상 후에 포토레지스트의 라인폭 및 그 라인간 폭이 0.060μm, 즉 0.060μm의 라인앤드스페이스(L/S)=1/1의 덴스라인이 형성되도록 설정된 마스크에 각각을 통과시켜 노광을 행하였다. 그 후, 핫플레이트 상 100℃에서 60초간 베이크하고, 냉각 후, 아세트산부틸(용제현상액)을 이용해 60초 현상하여, 레지스트 하층막(B층) 상에 네가티브형 패턴을 형성하였다.
얻어진 포토레지스트 패턴에 대하여, 큰 패턴박리나 언더컷, 라인바닥부가 부풀어짐(太り)(푸팅)이 발생하지 않는 것을 양호하다고 평가하였다.
[표 5]
Figure 112014125987483-pct00029

산업상 이용가능성
하드마스크로서 사용할 수 있는 레지스트 하층막을 형성하기 위한 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물로서 이용할 수 있다. 그리고, 상도 레지스트와의 인터믹싱을 일으키지 않는다. 불소계 에칭가스인 경우에는 레지스트와 비교했을 때 큰 드라이 에칭속도를 가지며, 레지스트 패턴을 본원 레지스트 하층막에 전사할 수 있고, 또한 산소계 에칭가스인 경우에는 에칭내성을 나타내어 유기 하층막에 레지스트 패턴을 전사할 수 있다. 이와 같이 직사각형 패턴으로 기판가공이 가능한 레지스트 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공한다.

Claims (10)

  1. 실란으로서, 가수분해성 오가노실란, 상기 가수분해성 오가노실란의 가수분해물, 상기 가수분해성 오가노실란의 가수분해 축합물 또는 이들의 조합을 포함하고,
    상기 가수분해성 오가노실란은, 하기 식(1-a) 및 하기 식(1-b):
    Figure 112020502127250-pct00030

    (식(1-a) 중, R1, R3, 및 R4 중 적어도 1개의 기는, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기의 말단에 -Si(X)3기가 결합한 기를 나타내고, 나머지 기는 수소원자, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기를 나타내고, R2는 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴렌기를 나타낸다. 단, 상기 X는 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자 중에서 선택되는 가수분해기를 나타내고, 상기 R3 및 R4는 동시에 수소 원자를 나타내지 않는다.
    식(1-b) 중, R6, R7, R9, 및 R10 중 적어도 1개의 기는, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기의 말단에 -Si(X)3기가 결합한 기를 나타내고, 나머지 기는 수소원자, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기를 나타내고, R5 및 R8은 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴렌기를 나타낸다. 단, 상기 X는 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자 중에서 선택되는 가수분해기를 나타낸다.)로 표시되는 실란 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 실란 화합물과,
    하기 식(3):
    Figure 112020502127250-pct00037

    (식(3) 중, R21은 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 할로겐화알킬기, 할로겐화아릴기, 할로겐화아랄킬기, 알케닐기, 또는 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 메르캅토기, 알콕시아릴기, 아실옥시아릴기, 이소시아누레이트기, 하이드록시기, 환상 아미노기, 혹은 시아노기를 갖는 유기기, 또는 이들의 조합이고, 또한 Si-C 결합에 의해 규소원자와 결합하고 있고, R22는 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자 중에서 선택되는 가수분해기를 나타내고, a는 0 내지 3의 정수를 나타낸다.)으로 표시되는 유기 규소 화합물, 및 하기 식(4):
    Figure 112020502127250-pct00038

    (식(4) 중, R31은 알킬기를 나타내고, R32는 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자 중에서 선택되는 가수분해기를 나타내고, Y는 알킬렌기 또는 아릴렌기를 나타내고, b는 0 또는 1의 정수를 나타내고, c는 0 또는 1의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 유기 규소 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 유기 규소 화합물의 조합을 포함하는, 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 식(1-a)로 표시되는 실란 화합물이 하기 식(2):
    Figure 112020051404976-pct00031

    (식(2) 중, R1 및 R4는 수소원자, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기를 나타내고, R2는 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기, 또는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴렌기를 나타내고, R11은 탄소원자수 1 내지 10의 알킬렌기를 나타내고, X가 알콕시기, 아실옥시기, 또는 할로겐원자 중에서 선택되는 가수분해기를 나타낸다.)로 표시되는 실란 화합물인 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    식(1-a) 또는 식(1-b)로 표시되는 실란 화합물과 식(3)으로 표시되는 유기 규소 화합물의 가수분해 축합물을 폴리머로서 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    산을 추가로 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    물을 추가로 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체 기판 상에 도포하고 소성함으로써 얻어지는 레지스트 하층막.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체 기판 상에 도포하고, 소성하여 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 상기 레지스트 하층막 상에 레지스트용 조성물을 도포하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 노광 후에 레지스트막을 현상하여 패턴화된 레지스트막을 얻는 공정, 이 패턴화된 레지스트막의 패턴에 따라 레지스트 하층막을 에칭하는 공정, 그리고 레지스트막 및 레지스트 하층막의 패턴에 따라 반도체 기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
  8. 반도체 기판 상에 유기 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물을 도포하고, 소성하여 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 상기 레지스트 하층막 상에 레지스트용 조성물을 도포하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 노광 후에 상기 레지스트막을 현상하여 패턴화된 레지스트막을 얻는 공정, 이 패턴화된 레지스트막의 패턴에 따라 레지스트 하층막을 에칭하는 공정, 이 패턴화된 레지스트 하층막의 패턴에 따라 유기 하층막을 에칭하는 공정, 및 이 패턴화된 유기 하층막의 패턴에 따라 반도체 기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10197917B2 (en) 2014-06-17 2019-02-05 Nissan Chemical Industries, Ltd. Silicon-containing resists underlayer film-forming composition having phenyl group-containing chromophore
US11022884B2 (en) 2014-07-15 2021-06-01 Nissan Chemical Industries, Ltd. Silicon-containing resist underlayer film-forming composition having halogenated sulfonylalkyl group
WO2016093172A1 (ja) 2014-12-08 2016-06-16 日産化学工業株式会社 ハロゲン含有カルボン酸アミド基を有する加水分解性シランを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物
CN110546570B (zh) * 2017-04-25 2023-07-25 日产化学株式会社 使用了芴化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
JP2020063407A (ja) * 2018-10-19 2020-04-23 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ ポリシロキサン組成物
CN110128365B (zh) * 2019-05-10 2023-07-07 福建泓光半导体材料有限公司 一种抗蚀剂下层膜单体和组合物及图案形成方法
US20230296984A1 (en) * 2020-08-21 2023-09-21 Nissan Chemical Corporation Euv resist underlayer film-forming composition

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3801572A (en) 1971-08-23 1974-04-02 Gen Electric Amino-functional silicone compounds
JP2003246947A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd インクジェット記録用インク、インクカートリッジ及び記録装置
CN101104622A (zh) * 2006-07-10 2008-01-16 西北工业大学 一种含二苯砜基氨基硅烷偶联剂及其制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3816494A (en) * 1971-08-23 1974-06-11 A Berger Amino-functional silicone compounds
JPS61112086A (ja) * 1984-11-06 1986-05-30 Nitto Boseki Co Ltd アミノシラン系カツプリング剤
JP2005112732A (ja) 2003-10-03 2005-04-28 Rikogaku Shinkokai シランカップリング剤
JP2009244722A (ja) 2008-03-31 2009-10-22 Jsr Corp レジスト下層膜用組成物及びその製造方法
JP5534230B2 (ja) * 2008-12-19 2014-06-25 日産化学工業株式会社 アニオン基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
KR101749601B1 (ko) * 2009-09-16 2017-06-21 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 설폰아미드기를 가지는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물
JP5835587B2 (ja) * 2010-10-14 2015-12-24 日産化学工業株式会社 単分子層又は多分子層形成用組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3801572A (en) 1971-08-23 1974-04-02 Gen Electric Amino-functional silicone compounds
JP2003246947A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd インクジェット記録用インク、インクカートリッジ及び記録装置
CN101104622A (zh) * 2006-07-10 2008-01-16 西北工业大学 一种含二苯砜基氨基硅烷偶联剂及其制备方法

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