TWI634144B - 紅外線遮光組成物、紅外線遮光層、紅外線截止濾波器、照相機模組 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可形成可見範圍內的透射性優異且紅外範圍內的遮光性優異的紅外線遮光層的紅外線遮光組成物以及紅外線遮光層、紅外線截止濾波器、照相機模組。本發明的紅外線遮光組成物含有無機微粒子及分散劑，且由紅外線遮光組成物所形成的紅外線遮光層的波長1000nm的透射率為60%以下，波長1100nm的透射率為50%以下，且波長500nm的透射率為80%以上。

Description

紅外線遮光組成物、紅外線遮光層、紅外線截止濾 波器、照相機模組

本發明是有關於一種紅外線遮光組成物、紅外線遮光層、紅外線截止濾波器及照相機模組。

數位靜態照相機(digital still camera)、數位攝影機(digital video camera)等中使用的固體攝像元件(電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)、互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)等)的感度自光的波長的可見範圍(可見波長範圍)跨越至紅外範圍(紅外波長範圍)。另一方面，人類的視感度僅為光的波長的可見範圍。因此，例如於數位靜態照相機中，於攝像鏡頭與固體攝像元件之間設置透射可見範圍的光、且吸收或反射紅外範圍的光的紅外線截止濾波器，由此以接近人類的視感度的方式來修正固體攝像元件的感度(專利文獻1)。

[現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利5013022號公報

另一方面，近年來，要求進一步提高使用固體攝像元件的照相機模組的性能，同時要求進一步提高紅外線截止濾波器中使用的紅外線遮光層的性能。具體而言，需求可見範圍內的透射率更高、且紅外範圍內的遮光性更高的紅外線遮光層。

本發明者等人對專利文獻1中記載的紅外線截止濾波器進行了研究，結果其特性不滿足如今所要求的水準，需要進一步改良。

鑒於所述實際情況，本發明的目的在於提供一種紅外線遮光組成物，其可形成可見範圍內的透射性優異、且紅外範圍內的遮光性優異的紅外線遮光層。

另外，本發明的目的亦在於提供一種可見範圍內的透射性優異、且紅外範圍內的遮光性優異的紅外線截止濾波器。

本發明者等人進行了潛心研究，結果發現，藉由以下的構成可解決所述課題。

(1)一種紅外線遮光組成物，含有無機微粒子及分散劑，並且由紅外線遮光組成物所形成的紅外線遮光層的波長1000nm的透射率為60%以下，波長1100nm的透射率為50%以下，且波 長500nm的透射率為80%以上。

(2)一種吸收型的紅外線遮光組成物，含有無機微粒子及分散劑，並且由紅外線遮光組成物所形成的紅外線遮光層的波長1000nm的光密度(OD)為0.2以上，波長1100nm的光密度(OD)為0.3以上，且波長500nm的光密度(OD)為0.1以下。

(3)如(1)或(2)所記載的紅外線遮光組成物，更含有銅化合物。

(4)如(3)所記載的紅外線遮光組成物，其中銅化合物含有選自磺酸銅錯合物、羧酸銅錯合物及含磷的銅錯合物中的至少一種。

(5)如(1)至(4)中任一項所記載的紅外線遮光組成物，其中分散於紅外線遮光組成物中的無機微粒子的90%粒徑(D90)為0.05μm以上。

(6)如(1)至(5)中任一項所記載的紅外線遮光組成物，其中分散於紅外線遮光組成物中的無機微粒子的50%粒徑(D50)為0.03μm以上。

(7)如(1)至(6)中任一項所記載的紅外線遮光組成物，其中無機微粒子含有選自由金屬氧化物粒子及金屬粒子所組成的組群中的至少一種。

(8)如(1)至(7)中任一項所記載的紅外線遮光組成物，其中相對於總固體成分，無機微粒子的含量為40質量%以上。

(9)如(1)至(8)中任一項所記載的紅外線遮光組成物，其中無機微粒子含有選自由氧化銦錫粒子及氧化銻錫粒子所組成的組群中的至少一種。

(10)如(1)至(9)中任一項所記載的紅外線遮光組成物，其中分散劑含有重量平均分子量為20,000以下的後述通式(1)所表示的高分子化合物或以下樹脂，所述樹脂含有具有基團X的重複單元及位於側鏈上的原子數為40~20,000的寡聚物鏈或聚合物鏈Y，且含有鹼性氮原子，其中所述基團X含有pKa為14以下的官能基。

(11)如(1)至(10)中任一項所記載的紅外線遮光組成物，更含有選自由聚合起始劑、聚合性單體及黏合劑聚合物所組成的組群中的至少一種。

(12)如(1)及(3)至(11)中任一項所記載的紅外線遮光組成物，其為吸收型的紅外線遮光組成物。

(13)如(1)及(3)至(12)中任一項所記載的紅外線遮光組成物，其中由紅外線遮光組成物所形成的紅外線遮光層於波長700nm~1100nm的範圍的透射率為20%以下。

(14)如(1)及(3)至(13)中任一項所記載的紅外線遮光組成物，其中由紅外線遮光組成物所形成的紅外線遮光層於波長800nm~900nm的範圍內的透射率為10%以下。

(15)一種紅外線遮光層，其是由如(1)至(14)中任一項所記載的紅外線遮光組成物所形成。

(16)如(15)所記載的紅外線遮光層，其膜厚為200μm以下。

(17)一種紅外線截止濾波器，具有藍玻璃基板及紅外線遮光層，所述紅外線遮光層是配置於藍玻璃基板上，含有無機微粒子及分散劑，波長1000nm的透射率為60%以下，波長1100nm的透射率為50%以下，且波長500nm的透射率為80%以上。

(18)一種紅外線截止濾波器，具有藍玻璃基板及紅外線遮光層，所述紅外線遮光層是配置於藍玻璃基板上，含有無機微粒子及分散劑，波長1000nm的光密度(OD)為0.2以上，波長1100nm的光密度(OD)為0.3以上，且波長500nm的光密度(OD)為0.1以下。

(19)一種紅外線截止濾波器，具有支撐體及紅外線遮光層，所述紅外線遮光層是配置於支撐體上，含有無機微粒子及分散劑，波長1000nm的光密度(OD)為0.2以上，波長1100nm的光密度(OD)為0.3以上，且波長500nm的光密度(OD)為0.1以下。

(20)如(17)至(19)中任一項所記載的紅外線截止濾波器，其中紅外線遮光層的膜厚為2μm~6μm。

(21)如(17)至(20)中任一項所記載的紅外線截止濾波器，其中有別於紅外線遮光層而更具有含有銅化合物的層。

(22)如(21)所記載的紅外線截止濾波器，其中銅化合物含有選自磺酸銅錯合物、羧酸銅錯合物及含磷的銅錯合物中的至 少一種。

(23)一種照相機模組，具有固體攝像元件基板及如(17)至(22)中任一項所記載的紅外線截止濾波器。

根據本發明，可提供一種紅外線遮光組成物，其可形成可見範圍內的透射性優異、且紅外範圍內的遮光性優異的紅外線遮光層。

另外，根據本發明，亦可提供一種可見範圍內的透射性優異、且紅外範圍內的遮光性優異的紅外線截止濾波器。

10‧‧‧矽基板

12‧‧‧光二極體(PD)

13‧‧‧層間絕緣膜

14‧‧‧基質層

15‧‧‧濾光片層

15B‧‧‧藍色彩色濾光片

15G‧‧‧綠色彩色濾光片

15R‧‧‧紅色彩色濾光片

16‧‧‧外塗層

17、318‧‧‧微透鏡

18‧‧‧遮光膜

20、45‧‧‧黏接劑

22‧‧‧絕緣膜

23‧‧‧金屬電極

24‧‧‧阻焊層

26‧‧‧內部電極

27‧‧‧元件表面電極

30‧‧‧玻璃基板

40、314‧‧‧攝像鏡頭

42、313‧‧‧紅外線截止濾波器

44‧‧‧遮光兼電磁屏蔽罩

46、312‧‧‧平坦化層

50、315‧‧‧鏡頭支架

60‧‧‧焊料球

70‧‧‧電路基板

100‧‧‧固體攝像元件

200、310‧‧‧照相機模組

311‧‧‧固體攝像元件基板

316‧‧‧攝像元件

317‧‧‧彩色濾光片

319‧‧‧紫外．紅外光反射膜

320‧‧‧透明基材

321‧‧‧近紅外線吸收層

322‧‧‧抗反射層

hν‧‧‧入射光

圖1為表示具備本發明的紅外線截止濾波器的照相機模組的構成的概略剖面圖。

圖2為本發明的圖1中的固體攝像元件的放大剖面圖。

圖3為表示本發明的實施形態的具有紅外線截止濾波器的照相機模組的構成的概略剖面圖。

圖4為表示照相機模組中的紅外線截止濾波器周邊部分的一例的概略剖面圖。

圖5為表示照相機模組中的紅外線截止濾波器周邊部分的一例的概略剖面圖。

圖6為表示照相機模組中的紅外線截止濾波器周邊部分的一例的概略剖面圖。

圖7為實施例6中所得的多層紅外線遮光層的透射光譜圖。

以下，對本發明的紅外線遮光組成物(紅外線遮光層形成用組成物)及紅外線截止濾波器的較佳實施態樣加以說明。

於本說明書中的基團及原子團的表述中，未明確表示經取代或未經取代的情形包含不具有取代基的基團與具有取代基的基團兩者。例如，未明確表示經取代或未經取代的「烷基」不僅包含不具有取代基的烷基(未經取代的烷基)，而且亦包含具有取代基的烷基(經取代的烷基)。

本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸酯」，是指「丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯的至少一種」。

再者，本說明書中使用「~」所表示的數值範圍是指包含「~」的前後所記載的數值作為下限值及上限值的範圍。

紅外線遮光組成物(以下亦簡稱為「組成物」)中至少含有無機微粒子及分散劑，較佳為可藉由塗佈來形成後述吸收型的紅外線遮光層。即，較佳為吸收型的紅外線遮光組成物。

以下，首先對組成物所含的各成分加以詳述。

(無機微粒子)

無機微粒子為主要發揮將紅外線遮光(吸收)的作用的粒子。

就紅外線遮光性更優異的方面而言，無機微粒子較佳為選自由金屬氧化物粒子及金屬粒子所組成的組群中的至少一種。

無機微粒子例如可列舉：氧化銦錫(Indium Tin Oxide， ITO)粒子、氧化銻錫(Antimony Tin Oxide，ATO)粒子、可經鋁摻雜的氧化鋅(可經Al摻雜的ZnO)粒子、摻氟的二氧化錫(摻F的SnO₂)粒子或摻鈮的二氧化鈦(摻Nb的TiO₂)粒子等金屬氧化物粒子，或銀(Ag)粒子、金(Au)粒子、銅(Cu)粒子或鎳(Ni)粒子等金屬粒子。再者，為了兼具紅外線遮光性與微影性，理想的是曝光波長(365nm~405nm)的透射率高，較佳為氧化銦錫(ITO)粒子或氧化銻錫(ATO)粒子。

無機微粒子的形狀並無特別限制，不拘於球狀、非球狀，亦可為片狀、線狀、管狀。

無機微粒子可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

無機微粒子的90%粒徑(D90)並無特別限制，就所形成的紅外線遮光層的性能更優異的方面而言，較佳為0.05μm以上，更佳為0.05μm~0.1μm，進而佳為0.06μm~0.08μm。

另外，無機微粒子的50%粒徑(D50)並無特別限制，就所形成的紅外線遮光層的性能更優異的方面而言，較佳為0.03μm以上，較佳為0.03μm~0.08μm，更佳為0.03μm~0.05μm，尤佳為0.04μm~0.05μm。

再者，50%粒徑(D50)及90%粒徑(D90)為體積累計粒度分佈曲線中的累計度50%粒徑(D50)及累計度90%粒徑(D90)。更具體而言，於橫軸取粒徑、縱軸取自小徑側開始的累計頻率的圖表(體積基準的粒徑分佈)中，相對於所有粒子的累計值(100%)，自小徑側開始的體積百分比(vol%)的累計值達到50% 的粒徑相當於D50，自小徑側開始的體積百分比(vol%)的累計值達到90%的粒徑相當於D90。50%粒徑(D50)及90%粒徑(D90)可使用雷射繞射散射粒度分佈裝置(日機裝股份有限公司製造的麥奇克(Microtrac)UPA-EX150)來測定。

再者，通常50%粒徑(D50)小於90%粒徑(D90)。

所述既定粒徑的無機微粒子的製造方法並無特別限制，可採用公知的方法。其中，較佳為實施機械粉碎處理而製造的無機微粒子。更具體而言，較佳為對無機材料粉末、後述分散劑與後述溶劑的混合物實施機械粉碎處理，製造所述既定粒徑的無機微粒子。

再者，無機材料粉末是指成為所述無機微粒子的原料且未調整為既定粒徑的無機材料的粉末。

機械粉碎處理可採用公知的方法，例如可列舉：球磨機(ball mill)、棒磨機(rod mill)、珠磨機(beads mill)、盤磨機(disk mill)或混合器(mixer)等。

關於含有無機微粒子的組成物(較佳為更含有後述分散劑及後述溶劑的組成物)的更具體的製造方法，例如可藉由以下方式來進行製備：使用球磨機、離心式磨機、行星式球磨機等容器驅動介質磨機、砂磨機(sand mill)等高速旋轉磨機、攪拌槽式磨機等介質攪拌磨機、分散器(disperser)等簡單的分散機將各成分攪拌、混合，使其分散。各成分的添加順序任意。

另外，除了所述以外，亦可採用利用三合一馬達(three-one motor)、磁力攪拌器(magnetic stirrer)、分散器、均質器(homogenizer)等簡單的攪拌機均勻地混合的方法。另外，亦可使用管線混合器(line mixer)等混合機來進行混合。進而，為了使無機微粒子更微細，亦可使用珠磨機或高壓噴射磨機等分散機來進行混合。

尤其就更容易調整粒徑的方面而言，較佳為珠磨機。以下，對珠磨機的條件加以詳述。

關於珠磨機的使用條件，以在短時間內進行為宜，滯留時間(分散時間)較佳為1分鐘~180分鐘，更佳為1分鐘~120分鐘，進而佳為45分鐘~90分鐘。

就無機微粒子的分散性更優異、所形成的紅外線遮光層的性能更優異的方面而言，珠磨機的輥的圓周速度較佳為2m/s~30m/s，更佳為8m/s~12m/s。

就無機微粒子的分散性更優異、所形成的紅外線遮光層的性能更優異的方面而言，所使用的珠徑較佳為0.01mm~5mm，更佳為0.01mm~0.3mm。

就無機微粒子的分散性更優異、所形成的紅外線遮光層的性能更優異的方面而言，珠填充率較佳為30vol%~90vol%，更佳為50vol%~80vol%。

組成物中的無機微粒子的含量並無特別限制，相對於組成物中的總固體成分(以下亦稱為組成物總固體成分)，較佳為30質量%以上，更佳為40質量%以上，進而佳為50質量%以上。含 量的上限並無特別限制，相對於組成物總固體成分，較佳為95質量%以下，更佳為80質量%以下。

再者，所謂所述組成物總固體成分，是指組成物中所含的構成紅外線遮光層的成分(固體成分)的合計量，不包括溶劑等。

再者，於組成物中含有後述銅化合物的情形時，相對於組成物總固體成分，組成物中的無機微粒子的含量較佳為20質量%以下，更佳為10質量%以下，進而佳為5質量%以下。下限並無特別限制，為超過0%，較佳為0.5質量%以上。

<分散劑>

分散劑為用以確保組成物中的無機微粒子的分散性的化合物。

分散劑的種類並無特別限制，根據所述無機微粒子的種類來適當選擇最適的化合物。其中，就可使無機微粒子以高濃度分散於組成物中、可達成所形成的紅外線遮光層的薄膜化的方面而言，可較佳地列舉後述分散樹脂及後述通式(1)所表示的高分子化合物(以下亦簡稱為高分子化合物)。

以下，對樹脂及高分子化合物加以詳述。

(樹脂(以下亦稱為分散樹脂))

分散樹脂含有具有基團X的重複單元及位於側鏈上的原子數為40~20,000的寡聚物鏈或聚合物鏈Y，且含有鹼性氮原子，其中所述基團X含有pKa為14以下的官能基。

如下文將詳述般，利用分散樹脂中的氮原子與基團X所含有 的pKa為14以下的官能基兩者而與無機微粒子相互作用，進而分散樹脂含有原子數為40~20,000的寡聚物鏈或聚合物鏈Y，故寡聚物鏈或聚合物鏈Y作為立體排斥基而發揮功能，藉此發揮良好的分散性，可將無機微粒子均勻地分散。另外，即便於將組成物在室溫等下長期保存的情形時，亦藉由寡聚物鏈或聚合物鏈Y與溶劑進行相互作用，而可長期抑制無機微粒子的沈降。進而，寡聚物鏈或聚合物鏈Y作為立體排斥基而發揮功能，由此防止無機微粒子的凝聚，故即便提高無機微粒子的含量，亦如上文所述般不易損及分散性及分散穩定性。

此處，所謂鹼性氮原子，只要為呈鹼性的氮原子則並無特別限制，較佳為分散樹脂含有具有pKb為14以下的氮原子的結構，更佳為含有具有pKb為10以下的氮原子的結構。

本發明中所謂鹼強度pKb，是指水溫25℃下的pKb，為用以定量地表示鹼的強度的指標之一，與鹼性度常數為相同含意。鹼強度pKb與酸強度pKa處於pKb=14-pKa的關係。

分散樹脂可列舉含有以下重複單元的樹脂等：下述式所表示的具有含有pKa為14以下的官能基的基團X的重複單元、下述式所表示的具有鹼性氮原子的重複單元、及下述式所表示的具有原子數為40~20,000的寡聚物鏈或聚合物鏈Y的重複單元(由左向右與下述重複單元的結構依序對應)。

[化1]

所述式中，x、y及z分別表示重複單元的聚合莫耳比，較佳為x為5~50，y為5~60，z為10~90。l表示聚酯鏈的連結數，為可形成原子數為40~20,000的寡聚物鏈或聚合物鏈的整數，較佳為70~2000。

分散樹脂較佳為含有以下重複單元及位於側鏈上的原子數為40~20,000的寡聚物鏈或聚合物鏈Y的樹脂，所述重複單元含有具有pKa為14以下的官能基的基團X所鍵結的氮原子。

分散樹脂尤佳為含有以下重複單元及位於側鏈上的(ii)原子數為40~20,000的寡聚物鏈或聚合物鏈Y的分散樹脂(以下適當稱為「分散樹脂2-1」)，所述重複單元為(i)選自聚(低級伸烷基亞胺)系重複單元、聚烯丙基胺系重複單元、聚二烯丙基胺系重複單元、間二甲苯二胺-表氯醇縮聚物系重複單元及聚乙烯基胺系重複單元中的至少一種含有氮原子的重複單元，且具有鍵結於氮原子且含有pKa為14以下的官能基的基團X。

((i)選自聚(低級伸烷基亞胺)系重複單元、聚烯丙基胺系重複單元、聚二烯丙基胺系重複單元、間二甲苯二胺-表氯醇縮聚物系重複單元及聚乙烯基胺系重複單元中的至少一種含有氮原子的重複單元)

分散樹脂2-1含有選自聚(低級伸烷基亞胺)系重複單元、聚烯丙基胺系重複單元、聚二烯丙基胺系重複單元、間二甲苯二胺-表氯醇縮聚物系重複單元及聚乙烯基胺系重複單元中的至少一種含有氮原子的重複單元(i)。藉此，對無機微粒子表面的吸附力提高，且可減少無機微粒子間的相互作用。

聚(低級伸烷基亞胺)可為鏈狀亦可為網狀。

將選自聚(低級伸烷基亞胺)系重複單元、聚烯丙基胺系重複單元、聚二烯丙基胺系重複單元、間二甲苯二胺-表氯醇縮聚物系重複單元及聚乙烯基胺系重複單元中的至少一種含有氮原子的重複單元(i)聚合所得的主鏈的數量平均分子量、即自分散樹脂2-1中去掉側鏈的寡聚物鏈或聚合物鏈Y部分所得的部分的數量平均分子量較佳為100~10,000，更佳為200~5,000，最佳為300~2,000。主鏈部的數量平均分子可根據利用核磁共振分光法測定的末端基與主鏈部的氫原子積分值之比率而求出，或藉由測定作為原料的含有胺基的寡聚物或聚合物的分子量而求出。

含有氮原子的重複單元(i)尤佳為聚(低級伸烷基亞胺)系重複單元或聚烯丙基胺系重複單元。再者，於本發明中，所謂聚(低級伸烷基亞胺)的低級，表示碳數為1~5，所謂低級伸烷基亞胺表示碳數1~5的伸烷基亞胺。若明示該結構，則較佳為分散樹脂2-1含有具有後述通式(I-1)所表示的重複單元及通式(I-2)所表示的重複單元的結構。

(通式(I-1)所表示的重複單元及通式(I-2)所表示 的重複單元)

對作為分散樹脂2-1的較佳構成成分的通式(I-1)所表示的重複單元及通式(I-2)所表示的重複單元加以詳細說明。

所述通式(I-1)及通式(I-2)中，R¹及R²分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或烷基。a分別獨立地表示1~5的整數。*表示重複單元間的連結部。

X表示含有pKa為14以下的官能基的基團。

Y表示原子數為40~20,000的寡聚物鏈或聚合物鏈。

分散樹脂2-1較佳為除了通式(I-1)或通式(I-2)所表示的重複單元以外，更含有通式(I-3)所表示的重複單元作為共聚合成分。藉由併用此種重複單元，無機微粒子的分散性能進一步提高。

所述通式(I-3)中，*、R¹、R²及a與通式(I-1)為相同含意。

Y'表示具有陰離子基的原子數40~10,000的寡聚物鏈或聚合物鏈。

所述通式(I-3)所表示的重複單元可藉由以下方式來形成：於主鏈部中具有一級胺基或二級胺基的樹脂中，添加具有與胺反應而形成鹽的基團的寡聚物或聚合物並進行反應。

於通式(I-1)、通式(I-2)及通式(I-3)中，R¹及R²尤佳為氫原子。就原料獲取的觀點而言，較佳為a為2。

再者，含有pKa為14以下的官能基的基團的定義可列舉日本專利特開2009-203462號公報的段落0043~段落0050(對應的美國專利申請公開第2011-0003241號說明書的段落0069~段落0079)中記載的定義，將該些內容併入至本申請案說明書中。

另外，原子數為40~10,000的寡聚物鏈或聚合物鏈的定義可列舉日本專利特開2013-064979號公報的段落0083~段落0098中記載的定義，將該些內容併入至本申請案說明書中。

另外，分散樹脂的其他態樣可列舉：日本專利特開2009-203462號公報的段落0034~段落0042及段落0071~段落0080(對應的美國專利申請公開第2011-0003241號說明書的段落0105)所記載的含有通式(II-1)所表示的重複單元及(II-2)所表示的重複單元的結構或例示樹脂，將該些內容併入至本申請案說明書中。

(高分子化合物)

分散劑可較佳地列舉通式(1)所表示的高分子化合物。

所述通式(1)中，A¹表示酸基、含鹼性氮原子的基團、脲基、胺基甲酸酯基、含配位性氧原子的基團、酚基、烷基、芳基、含伸烷氧基鏈的基團、醯亞胺基、烷氧基羰基、烷基胺基羰基、羧酸鹽基、磺醯胺基、烷氧基矽烷基、環氧基、異氰酸酯基、羥基及雜環基般的具有對無機微粒子的吸附能力的官能基。

再者，以下將該具有對金屬氧化物粒子(A)的吸附能力的部位(所述官能基)適當統稱為「吸附部位」來進行說明。

吸附部位只要於一個A¹中含有至少1個即可，亦可含有2個以上。

於一個A¹中含有2個以上的吸附部位的態樣可列舉：2個以上的吸附部位經由鏈狀飽和烴基(可為直鏈狀亦可為分支狀，較佳為碳數1~10)、環狀飽和烴基(較佳為碳數3~10)、芳香族基(較佳為碳數5~10，例如伸苯基)等鍵結而形成一價取代基A¹的態樣等，較佳為2個以上的吸附部位經由鏈狀飽和烴基鍵結而形成一價取代基A¹的態樣。

再者，於吸附部位自身構成一價取代基的情形時，吸附部位 本身亦可為A¹所表示的一價取代基。

首先，以下對構成A¹的吸附部位加以說明。

「酸基」例如可列舉羧酸基、磺酸基、單硫酸酯基、磷酸基、單磷酸酯基、膦酸基、次膦酸基、硼酸基作為較佳例，更佳為羧酸基、磺酸基、單硫酸酯基、磷酸基、單磷酸酯基、膦酸基、次膦酸基，尤佳為羧酸基。

「脲基」例如可列舉-NR¹⁵CONR¹⁶R¹⁷(此處，R¹⁵、R¹⁶及R¹⁷分別獨立地表示氫原子、碳數1~20的烷基、碳數6以上的芳基或碳數7以上的芳烷基)作為較佳例，更佳為-NR¹⁵CONHR¹⁷(此處，R¹⁵及R¹⁷分別獨立地表示氫原子、碳數1~10的烷基、碳數6以上的芳基或碳數7以上的芳烷基)，尤佳為-NHCONHR¹⁷(此處，R¹⁷表示氫原子、碳數1~10的烷基、碳數6以上的芳基或碳數7以上的芳烷基)。

「胺基甲酸酯基」例如可列舉-NHCOOR¹⁸、-NR¹⁹COOR²⁰、-OCONHR²¹、-OCONR²²R²³(此處，R¹⁸、R¹⁹、R²⁰、R²¹、R²²及R²³分別獨立地表示碳數1~20的烷基、碳數6以上的芳基或碳數7以上的芳烷基)等作為較佳例，更佳為-NHCOOR¹⁸、-OCONHR²¹(此處，R¹⁸、R²¹分別獨立地表示碳數1~20的烷基、碳數6以上的芳基、碳數7以上的芳烷基)等，尤佳為-NHCOOR¹⁸、-OCONHR²¹(此處，R¹⁸、R²¹分別獨立地表示碳數1~10的烷基、碳數6以上的芳基或碳數7以上的芳烷基)等。

「含配位性氧原子的基團」例如可列舉乙醯丙酮基、冠 醚等。

「含鹼性氮原子的基團」例如可列舉胺基(-NH₂)、取代亞胺基(-NHR⁸、-NR⁹R¹⁰，此處，R⁸、R⁹及R¹⁰分別獨立地表示碳數1~20的烷基、碳數6以上的芳基或碳數7以上的芳烷基)、下述式(a1)所表示的胍基、下述式(a2)所表示的脒基等作為較佳例。

式(a1)中，R¹¹及R¹²分別獨立地表示碳數1~20的烷基、碳數6以上的芳基或碳數7以上的芳烷基。

式(a2)中，R¹³及R¹⁴分別獨立地表示碳數1~20的烷基、碳數6以上的芳基或碳數7以上的芳烷基。

該些基團中，更佳為胺基(-NH₂)、取代亞胺基(-NHR⁸、-NR⁹R¹⁰，此處，R⁸、R⁹及R¹⁰分別獨立地表示碳數1~10的烷基、苯基或苄基)、式(a1)所表示的胍基[式(a1)中，R¹¹及R¹²分別獨立地表示碳數1~10的烷基、苯基或苄基]、式(a2)所表示的脒基[式(a2)中，R¹³及R¹⁴分別獨立地表示碳數1~10的烷基、苯基或苄基]等。

尤其可較佳地使用胺基(-NH₂)、取代亞胺基(-NHR⁸、-NR⁹R¹⁰，此處，R⁸、R⁹及R¹⁰分別獨立地表示碳數1~5的烷基、 苯基或苄基)、式(a1)所表示的胍基[式(a1)中，R¹¹及R¹²分別獨立地表示碳數1~5的烷基、苯基或苄基]、式(a2)所表示的脒基[式(a2)中，R¹³及R¹⁴分別獨立地表示碳數1~5的烷基、苯基或苄基]等。

「烷基」可為直鏈狀亦可為分支狀，較佳為碳數1~40的烷基，更佳為碳數4~30的烷基，進而佳為碳數10~18的烷基。

「芳基」較佳為碳數6~10的芳基。

「含伸烷氧基鏈的基團」較佳為末端形成烷氧基或羥基，更佳為形成碳數1~20的烷氧基。另外，伸烷氧基鏈只要具有至少一個伸烷氧基，則並無特別限制，較佳為包含碳數1~6的伸烷氧基。伸烷氧基例如可列舉-CH₂CH₂O-、-CH₂CH₂CH₂O-等。

「烷氧基羰基」中的烷基部分較佳為碳數1~20的烷基。

「烷基胺基羰基」中的烷基部分較佳為碳數1~20的烷基。

「羧酸鹽基」可列舉包含羧酸的銨鹽的基團等。

關於「磺醯胺基」，鍵結於氮原子的氫原子可經烷基(甲基等)、醯基(乙醯基、三氟乙醯基等)等所取代。

「雜環基」例如可列舉以下基團作為較佳例：噻吩基、呋喃基、氧雜蒽基、吡咯基、吡咯啉基、吡咯啶基、二氧雜環戊烷基、吡唑基、吡唑啉基、吡唑啶基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、噁二唑基、三唑基、噻二唑基、吡喃基、吡啶基、哌啶基、二噁烷基、嗎啉基、噠嗪基、嘧啶基、哌嗪基、三嗪基、三噻烷基、異吲哚啉基、異吲哚啉酮基、苯并咪唑酮基、苯并噻唑基、琥珀 醯亞胺基、鄰苯二甲醯亞胺基、萘二甲醯亞胺基等醯亞胺基、乙內醯脲基、吲哚基、喹啉基、咔唑基、吖啶基、吖啶酮基、蒽醌基。

「醯亞胺基」可列舉琥珀醯亞胺基、鄰苯二甲醯亞胺基、萘二甲醯亞胺基等。

再者，「雜環基」及「醯亞胺基」亦可更具有取代基，該取代基例如可列舉：碳數1~20的烷基、碳數6~16的芳基、羥基、胺基、羧基、磺醯胺基、N-磺醯基醯胺基、乙醯氧基等碳數1~6的醯氧基、甲氧基、乙氧基等碳數1~20的烷氧基、鹵素原子、甲氧基羰基、乙氧基羰基、環己氧基羰基等碳數2~7的烷氧基羰基、氰基、第三丁基碳酸酯等碳酸酯基等。

「烷氧基矽烷基」可為單烷氧基矽烷基、二烷氧基矽烷基、三烷氧基矽烷基的任一種，較佳為三烷氧基矽烷基，例如可列舉三甲氧基矽烷基、三乙氧基矽烷基等。

「環氧基」可列舉經取代或未經取代的氧雜環丙基(oxiranyl)(環氧乙烷(ethylene oxide)基)。

尤其A¹較佳為具有至少一種pKa為5以上的官能基的一價取代基，更佳為具有至少一種pKa為5~14的官能基的一價取代基。

此處所謂「pKa」，是指化學便覽(II)(修訂4版，1993年，日本化學會編，丸善股份有限公司)中記載的定義者。

所述pKa為5以上的官能基可列舉：含配位性氧原子的基團、 含鹼性氮原子的基團、酚基、脲基、胺基甲酸酯基、烷基、芳基、烷氧基羰基、烷基胺基羰基、含伸烷氧基鏈的基團、醯亞胺基、羧酸鹽基、磺醯胺基、羥基、雜環基等。

pKa為5以上的官能基具體而言，例如可列舉：酚基(pKa為8~10左右)、烷基(pKa為46~53左右)、芳基(pKa為40~43左右)、脲基(pKa為12~14左右)、胺基甲酸酯基(pKa為11~13左右)、作為配位性氧原子的-COCH₂CO-(pKa為8~10左右)、磺醯胺基(pKa為9~11左右)、羥基(pKa為15~17左右)、雜環基(pKa為12~30左右)等。

所述中，A¹較佳為具有至少一種選自由酸基、酚基、烷基、芳基、含伸烷氧基鏈的基團、羥基、脲基、胺基甲酸酯基、磺醯胺基、醯亞胺基及含配位性氧原子的基團所組成的組群中的基團的一價取代基。

通式(1)中，R²表示單鍵或二價連結基。n個R²可相同亦可不同。

R²所表示的二價連結基包含由1個~100個碳原子、0個~10個氮原子、0個~50個氧原子、1個~200個氫原子及0個~20個硫原子所形成的基團，可未經取代亦可更具有取代基。

R²較佳為單鍵或由1個~10個碳原子、0個~5個氮原子、0個~10個氧原子、1個~30個氫原子及0個~5個硫原子所形成的二價連結基。

R²更佳為選自由鏈狀飽和烴基(可為直鏈狀亦可為分支狀， 較佳為碳數1~20)、環狀飽和烴基(較佳為碳數3~20)、芳香族基(較佳為碳數5~20，例如為伸苯基)、硫醚鍵、酯鍵、醯胺鍵、醚鍵、氮原子及羰基所組成的組群中的基團或將該等的2個以上組合而成的基團，進而佳為選自由鏈狀飽和烴基、環狀飽和烴基、芳香族基、硫醚鍵、酯鍵、醚鍵及醯胺鍵所組成的組群中的基團或將該等的2個以上組合而成的基團，尤佳為選自由鏈狀飽和烴基、硫醚鍵、酯鍵、醚鍵及醯胺鍵所組成的組群中的基團或將該等的2個以上組合而成的基團。

所述基團中，於R²所表示的二價連結基具有取代基的情形時，取代基例如可列舉：碳數1~20的烷基，碳數6~16的芳基，羥基，胺基，羧基，磺醯胺基，N-磺醯基醯胺基，乙醯氧基等碳數1~6的醯氧基，甲氧基、乙氧基等碳數1~6的烷氧基，氯、溴等鹵素原子，甲氧基羰基、乙氧基羰基、環己氧基羰基等碳數2~7的烷氧基羰基，氰基，碳酸第三丁酯等碳酸酯基等。

通式(1)中，R¹表示(m+n)價的連結基。m+n滿足3~10。

R¹所表示的(m+n)價的連結基包含由1個~100個碳原子、0個~10個氮原子、0個~50個氧原子、1個~200個氫原子及0個~20個硫原子所形成的基團，可未經取代亦可更具有取代基。

R¹所表示的(m+n)價的連結基較佳為下述通式的任一個所表示的基團。

[化6]

所述通式中，L₃表示三價基。T₃表示單鍵或二價連結基，存在3個的T₃可彼此相同亦可不同。

L₄表示四價基。T₄表示單鍵或二價連結基，存在4個的T₄可彼此相同亦可不同。

L₅表示五價基。T₅表示單鍵或二價連結基，存在5個的T₅可彼此相同亦可不同。

L₆表示六價基。T₆表示單鍵或二價連結基，存在6個的T₆可彼此相同亦可不同。

以下示出R¹所表示的(m+n)價的連結基的具體例[具體例(1)~具體例(17)]。然而，本發明中不受該些例子的限制。

[化7]

所述具體例中，就原料的獲取性、合成的容易性、於各種溶劑中的溶解性的觀點而言，最佳的(m+n)價的連結基為下述(1)、(2)、(10)、(11)、(16)、(17)的基團。

[化9]

通式(1)中，m表示8以下的正數。m較佳為0.5~5，更佳為1~4，尤佳為1~3。

另外，通式(1)中，n表示1~9。n較佳為2~8，更佳為2~7，尤佳為3~6。

通式(1)中，P¹表示聚合物鏈，可自公知的聚合物等中根據目的等而選擇。m個P¹可相同亦可不同。

聚合物中，構成聚合物鏈時，較佳為選自由乙烯系單體的聚合物或共聚物、酯系聚合物、醚系聚合物、胺基甲酸酯系聚合物、醯胺系聚合物、環氧系聚合物、矽酮系聚合物及該等的改質物或共聚物[例如包含聚醚/聚胺基甲酸酯共聚物、聚醚/乙烯系單體的聚合物的共聚物等(可為無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物的任一種)]所組成的組群中的至少一種，更佳為選自由乙烯系單體的聚合物或共聚物、酯系聚合物、醚系聚合物、胺基甲酸酯系聚合物及該等的改質物或共聚物所組成的組群中的至少一種，尤佳為乙烯系單體的聚合物或共聚物。

聚合物鏈P¹可具有的乙烯系單體的聚合物或共聚物、酯系聚合物、醚系聚合物較佳為分別具有下述通式(L)、通式(M)、通式(N)所表示的結構。

所述通式中，X¹表示氫原子或一價有機基。就合成上的限制的觀點而言，較佳為氫原子或碳數1~12的烷基，更佳為氫原子或甲基，尤佳為甲基。

R¹⁰表示氫原子或一價有機基，於結構上並無特別限定，較佳為氫原子、烷基、芳基或雜芳基，更佳為氫原子或烷基。於該R¹⁰為烷基的情形時，該烷基較佳為碳數1~20的直鏈狀烷基、碳數3~20的分支狀烷基或碳數5~20的環狀烷基，更佳為碳數1~20的直鏈狀烷基，尤佳為碳數1~6的直鏈狀烷基。通式(L)中亦可具有兩種以上的結構不同的R¹⁰。

R¹¹及R¹²表示分支或直鏈的伸烷基(碳數較佳為1~10，更佳為2~8，進而佳為3~6)。各通式中亦可具有兩種以上的結構不同的R¹¹或R¹²。

k1、k2、k3分別獨立地表示5~140的數。

較佳為聚合物鏈P¹含有至少一種重複單元。

就發揮立體排斥力而提高分散穩定性的觀點而言，聚合物鏈P¹中的至少一種重複單元的重複數k較佳為5以上，更佳為7以上。

另外，就達成抑制高分子化合物的大體積、使無機微粒子密集地存在於硬化膜(紅外線遮光層)中的觀點而言，至少一種重複單元的重複單元數k較佳為140以下，更佳為130以下，進而佳為60以下。

再者，聚合物較佳為可溶於有機溶劑中。若與有機溶劑的親和性低，則與分散介質的親和性變弱，有時無法確保對於分散穩定化而言充分的吸附層。

乙烯系單體並無特別限制，例如較佳為(甲基)丙烯酸酯類、丁烯酸酯類、乙烯酯類、具有酸基的乙烯系單體、馬來酸二酯類、富馬酸二酯類、衣康酸二酯類、(甲基)丙烯醯胺類、苯乙烯類、乙烯醚類、乙烯酮類、烯烴類、馬來醯亞胺類、(甲基)丙烯腈等，更佳為(甲基)丙烯酸酯類、丁烯酸酯類、乙烯酯類、具有酸基的乙烯系單體，進而佳為(甲基)丙烯酸酯類、丁烯酸酯類。

該些乙烯系單體的較佳例可列舉日本專利特開2007-277514號公報的段落0089~段落0094、段落0096及段落0097(對應的美國專利申請公開第2010/233595號說明書中段落0105~段落0117及段落0119~段落0120)中記載的乙烯系單體，將該些內容併入至本申請案說明書中。

除了所述化合物以外，例如亦可使用具有胺基甲酸酯 基、脲基、磺醯胺基、酚基、醯亞胺基等官能基的乙烯系單體。此種具有胺基甲酸酯基或脲基的單體例如可利用異氰酸基與羥基或胺基的加成反應來適當地合成。具體而言，可藉由以下加成反應來適當地合成：含異氰酸基的單體與含有1個羥基的化合物或含有1個一級胺基或二級胺基的化合物的加成反應、或者含羥基的單體或含一級胺基或二級胺基的單體與單異氰酸酯的加成反應等。

通式(1)所表示的高分子化合物中，較佳為下述通式(2)所表示的高分子化合物。

通式(2)中，A²與通式(1)中的A¹為相同含意，較佳態樣亦相同。

通式(2)中，R⁴、R⁵分別獨立地表示單鍵或二價連結基。n個R⁴可相同亦可不同。另外，m個R⁵可相同亦可不同。

R⁴、R⁵所表示的二價連結基可使用與作為通式(1)的R²所表示的二價連結基而列舉的基團相同的基團，較佳態樣亦相同。

其中，R⁴、R⁵所表示的二價連結基較佳為選自由鏈狀飽和烴基(可為直鏈狀亦可為分支狀，較佳為碳數1~20)、環狀飽和烴 基(較佳為碳數3~20)、芳香族基(較佳為碳數5~20，例如伸苯基)、酯鍵、醯胺鍵、醚鍵、氮原子及羰基所組成的組群中的基團或將該等的2個以上組合而成的基團，更佳為選自由鏈狀飽和烴基、環狀飽和烴基、芳香族基、酯鍵、醚鍵及醯胺鍵所組成的組群中的基團或將該等的2個以上組合而成的基團，進而佳為選自由鏈狀飽和烴基、酯鍵、醚鍵及醯胺鍵所組成的組群中的基團或將該等的2個以上組合而成的基團。

通式(2)中，R³表示(m+n)價的連結基。m+n滿足3~10。

R³所表示的(m+n)價的連結基可未經取代亦可更具有取代基，可使用與作為通式(1)的R¹所表示的(m+n)價的連結基而列舉的基團相同的基團，較佳態樣亦相同。

通式(2)中，m、n分別與通式(1)中的m、n為相同含意，較佳態樣亦相同。

另外，通式(2)中的P²與通式(1)中的P¹為相同含意，較佳態樣亦相同。m個P²可相同亦可不同。

通式(2)所表示的高分子化合物中，最佳為全部滿足以下所示的R³、R⁴、R⁵、P²、m及n。

R³：所述具體例(1)、具體例(2)、具體例(10)、具體例(11)、具體例(16)或具體例(17)

R⁴：單鍵或選自由鏈狀飽和烴基、環狀飽和烴基、芳香族基、酯鍵、醯胺鍵、醚鍵、氮原子及羰基所組成的組群中的基團，或 將該等的2個以上組合而成的基團

R⁵：單鍵、伸乙基、伸丙基、下述基團(a)或下述基團(b)

再者，下述基團中，R¹²表示氫原子或甲基，l表示1或2。

P²：乙烯系單體的聚合物或共聚物、酯系聚合物、醚系聚合物、胺基甲酸酯系聚合物及該等的改質物

m：1~3

n：3~6

通式(1)或通式(2)所表示的高分子化合物中，就分散穩定性、塗佈面狀等觀點而言，更佳為下述通式(5)所表示的高分子化合物。

所述通式(5)中，R⁶表示(m+n1+n2)價的連結基，R⁷~R⁹分別獨立地表示單鍵或二價連結基。

A³表示具有至少一種酸基的一價取代基。A⁴表示與A³不同的一價取代基。n1個A³及R⁷可分別相同亦可不同。n2個A⁴及R⁸可分別相同亦可不同。

m與通式(1)中的m為相同含意，較佳態樣亦相同。

n1表示1~8，n2表示1~8，m+n1+n2滿足3~10。

P³與通式(2)中的P²為相同含意，較佳態樣亦相同。m個P³及R⁹可分別相同亦可不同。

關於R⁶的(m+n1+n2)價的連結基可使用與作為通式(1)的R¹或通式(2)的R³所表示的(m+n)價的連結基而列舉的基團相同的基團，較佳態樣亦相同。

關於R⁷~R⁹的二價連結基可使用與作為通式(2)的R⁴、R⁵所表示的二價連結基而列舉的基團相同的基團，較佳態樣亦相同。

所述取代基A³可具有的酸基的具體例、較佳例可列舉與上文中關於通式(1)中的酸基所述的具體例、較佳例相同者。

所述取代基A³更佳為具有至少一種pKa小於5的酸基的一價取代基，尤佳為具有至少一種選自由磺酸基、羧酸基、磷酸基、膦酸基及次膦酸基所組成的組群中的基團的一價取代基，最佳為羧酸基。

與A³不同的一價取代基A⁴的具體例、較佳例可列舉與上文 中關於通式(1)中的A¹所述的具體例、較佳例中的酸基以外的基團相同者。其中，所述取代基A⁴更佳為具有至少一種pKa為5以上的官能基的一價取代基，進而佳為具有至少一種選自由含配位性氧原子的基團、含鹼性氮原子的基團、酚基、脲基、胺基甲酸酯基、烷基、芳基、烷氧基羰基、烷基胺基羰基、含伸烷氧基鏈的基團、醯亞胺基、羧酸鹽基、磺醯胺基、羥基及雜環基所組成的組群中的基團的一價取代基，尤佳為烷基、芳基、含配位性氧原子的基團、含鹼性氮原子的基團、脲基或胺基甲酸酯基。

取代基A³與取代基A⁴的組合較佳為取代基A³為具有至少一種pKa小於5的官能基的一價取代基，且取代基A⁴為具有至少一種pKa為5以上的官能基的一價取代基。

更佳為取代基A³為具有至少一種選自由羧酸基、磺酸基、磷酸基、膦酸基及次膦酸基所組成的組群中的基團的一價取代基，且取代基A⁴為具有至少一種選自由含配位性氧原子的基團、含鹼性氮原子的基團、酚基、脲基、胺基甲酸酯基、烷基、芳基、烷氧基羰基、烷基胺基羰基、含伸烷氧基鏈的基團、醯亞胺基、羧酸鹽基、磺醯胺基、羥基及雜環基所組成的組群中的基團的一價取代基。

進而佳為取代基A³為具有羧酸基的一價取代基，且取代基A⁴為烷基、芳基、含配位性氧原子的基團、含鹼性氮原子的基團、脲基或胺基甲酸酯基。

就無機微粒子與取代基A³的烷基的吸附良好的觀點而言，尤 佳為取代基A³為羧酸基，且取代基A⁴為烷基。

高分子化合物的分子量以重量平均分子量計，較佳為20000以下，較佳為1000~15000，更佳為3000~12000。若重量平均分子量在範圍內，則充分發揮導入至聚合物末端的多個吸附部位的效果，可發揮對無機微粒子表面的吸附性優異的性能。

關於重量平均分子量的測定方法，可藉由使用HLC-8129(東曹(股)製造)，使用TSK gel Multipore HXL-M(東曹(股)製造)作為管柱，且使用四氫呋喃(Tetrahydrofuran，THF)作為洗滌液，來求出重量平均分子量。

(高分子化合物的合成方法)

通式(1)或通式(2)所表示的高分子化合物並無特別限制，可依據日本專利特開2007-277514號公報的段落0114~段落0140及段落0266~段落0348中記載的合成方法來合成。

尤其較佳為在具有多個吸附部位的硫醇化合物存在下，利用使乙烯系單體進行自由基聚合的方法來合成通式(1)或通式(2)所表示的高分子化合物(B)。

關於所述乙烯系單體，可僅使一種進行聚合，亦可併用兩種以上進行共聚合。

此處，以下示出乙烯系單體的具體例(M-1)~具體例(M-9)、具體例(M-14)~具體例(M-16)，但本發明不限定於該些具體例。

[化14]

通式(1)或通式(2)所表示的高分子化合物(B)的合成方法更具體而言，較佳為於下述通式(3)所表示的化合物存在下使乙烯系單體進行自由基聚合的方法。

通式(3)中，R⁶、R⁷、A³、m及n分別與通式(2)中的R³、R⁴、A²、m及n為相同含意，其較佳態樣亦相同。

另外，通式(1)或通式(2)所表示的高分子化合物的合成方法亦較佳為使通式(3)所表示的化合物與具有碳-碳雙鍵的巨單體進行加成的方法(硫醇-烯反應法)。反應的觸媒較佳為使用自由基產生劑或鹼。

以下示出具有碳-碳雙鍵的巨單體的具體例，但本發明不限定於該些具體例。下述具體例中，重複單元數k為3~50的整數。

[化16]

另外，通式(1)或通式(2)所表示的高分子化合物的合成方法亦較佳為藉由通式(3)所表示的化合物與具有羧酸基的高分子化合物的脫水縮合反應來形成硫酯基的方法。

以下示出具有羧酸基的高分子化合物的具體例，但本發明不限定於該些具體例。下述具體例中，重複單元數k為3~50的整數。

另外，通式(1)或通式(2)所表示的高分子化合物的合成方法亦較佳為藉由通式(3)所表示的化合物與具有脫離基的高分子化合物的親核取代反應來形成硫醚基的方法。脫離基較佳為碘、溴、氯等鹵素，甲苯磺酸酯(tosylate)、甲磺酸酯(mesylate)、三氟甲磺酸酯等磺酸酯。

以下示出具有脫離基的高分子化合物的具體例，但本發明不限定於該些具體例。下述具體例中，重複單元數k為3~50的整 數。

通式(3)所表示的化合物較佳為利用下述方法來合成。

使一分子中具有3個~10個巰基的化合物、與具有吸附部位且具有可與巰基反應的碳-碳雙鍵的化合物進行加成反應的方法。

加成反應尤佳為自由基加成反應。再者，就與巰基的反應性的方面而言，碳-碳雙鍵更佳為單取代或二取代的乙烯基。

一分子中具有3個~10個巰基的化合物的具體例[具體例(18)~具體例(34)]可列舉以下化合物。

所述中，就原料的獲取性、合成的容易性、於各種溶劑中的溶解性的觀點而言，尤佳的化合物為所述具體例(18)、具體例(19)、具體例(27)、具體例(28)、具體例(33)、具體例(34)。

所述化合物可作為市售品而獲取(例如(33)為二季戊四醇六(3-巰基丙酸酯)：堺化學工業(股)製造)等。

具有吸附部位且具有碳-碳雙鍵的化合物(具體而言，具有至少一種選自由酸基、脲基、胺基甲酸酯基、含配位性氧原子的基團、含鹼性氮原子的基團、酚基、烷基、芳基、含伸烷氧基鏈的基團、醯亞胺基、烷氧基羰基、烷基胺基羰基、羧酸鹽基、磺醯胺基、雜環基、烷氧基矽烷基、環氧基、異氰酸酯基及羥基所組成的組群中的基團，且具有碳-碳雙鍵的化合物)並無特別限制，可列舉如下化合物。

[化21]

「一分子中具有3個~10個巰基的化合物」與「具有吸附部位且具有碳-碳雙鍵的化合物」的自由基加成反應產物例如可利用以下方法而獲得：將所述「一分子中具有3個~10個巰基的化合物」及「具有吸附部位且具有碳-碳雙鍵的化合物」溶解於適當的溶劑中，於其中添加自由基產生劑，於約50℃~100℃下進行 加成的方法(硫醇-烯反應法)。

硫醇-烯反應法中所用的適當的溶劑的例子可根據所使用的「一分子中具有3個~10個巰基的化合物」、「具有吸附部位且具有碳-碳雙鍵的化合物」及「所生成的自由基加成反應產物」的溶解性而任意選擇。

例如可列舉：甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙基己醇、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、甲氧基丙基乙酸酯、乳酸乙酯、乙酸乙酯、乙腈、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、氯仿、甲苯。該些溶劑亦可將兩種以上混合使用。

另外，自由基產生劑可利用：2,2'-偶氮雙(異丁腈)(AIBN)、2,2'-偶氮雙-(2,4'-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮雙異丁酸二甲酯[V-601，和光純藥工業(股)製造]般的偶氮化合物，過氧化苯甲醯般的過氧化物，及過硫酸鉀、過硫酸銨般的過硫酸鹽等。

高分子化合物較佳為藉由利用公知的方法使用該些乙烯系單體與通式(3)所表示的化合物依照常法進行聚合而獲得。再者，本發明中的通式(3)所表示的化合物作為鏈轉移劑而發揮功能，以下有時簡稱為「鏈轉移劑」。

例如可利用以下方法而獲得高分子化合物：將該些乙烯系單體及鏈轉移劑溶解於適當的溶劑中，於其中添加自由基聚合起始劑，於約50℃~220℃下於溶液中進行聚合的方法(溶液聚合法)。

溶液聚合法中所用的適當的溶劑的例子可根據所使用的單體 及所生成的共聚物的溶解性而任意選擇。例如可列舉：甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙基己醇、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、甲氧基丙基乙酸酯、乳酸乙酯、乙酸乙酯、乙腈、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、氯仿、甲苯。該些溶劑亦可將兩種以上混合使用。

另外，自由基聚合起始劑可利用：2,2'-偶氮雙(異丁腈)(AIBN)、2,2'-偶氮雙-(2,4'-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮雙異丁酸二甲酯[V-601，和光純藥工業(股)製造]般的偶氮化合物，過氧化苯甲醯般的過氧化物，及過硫酸鉀、過硫酸銨般的過硫酸鹽等。

就無機微粒子的分散穩定性的觀點而言，分散劑相對於本發明的組成物的總固體成分之含量較佳為1質量%~70質量%的範圍，更佳為3質量%~50質量%的範圍，進而佳為4質量%~40質量%的範圍。

相對於無機微粒子的分散劑的含量並無特別限制，相對於無機微粒子100質量份，較佳為5質量份~50質量份，更佳為10質量份~40質量份。

分散劑可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。

(銅化合物)

本發明的組成物中，亦可更含有作為紅外線遮蔽劑的銅化合物。藉由含有銅化合物，紅外線遮光性(特別是近紅外線遮光性)更優異。

銅化合物為具有紅外線吸收性的物質。具體而言，較佳為於 波長700nm~1000nm的範圍內(近紅外線範圍)具有最大吸收波長的銅化合物。

銅化合物中的銅較佳為一價銅或二價銅，更佳為二價銅。銅化合物中的銅含量較佳為2質量%~40質量%，更佳為5質量%~40質量%。

本發明的組成物中的銅化合物的含量並無特別限制，就無機微粒子的分散穩定性的觀點及紅外線遮光性的觀點而言，無機微粒子的質量與銅化合物的質量之質量比(無機微粒子的質量/銅化合物的質量)較佳為0.00001~1.0，更佳為0.0001~0.5。

銅化合物較佳為銅錯合物。銅化合物可使用銅或含有銅的化合物。含有銅的化合物例如可使用氧化銅或銅鹽。銅鹽更佳為乙酸銅、氯化銅、甲酸銅、氫氧化銅、硬脂酸銅、苯甲酸銅、乙基乙醯乙酸銅、焦磷酸銅、環烷酸銅、檸檬酸銅、硝酸銅、硫酸銅、碳酸銅、氯酸銅、(甲基)丙烯酸銅、過氯酸銅，進而佳為乙酸銅、氯化銅、硫酸銅、氫氧化銅、苯甲酸銅、(甲基)丙烯酸銅。銅鹽較佳為一價或二價銅鹽，更佳為二價銅鹽。

本發明中，尤佳為使具有酸基的化合物與銅成分反應而成的銅化合物，更佳為使含有磺酸基、羧酸基、羧酸酯基、次膦酸基及磷酸基的至少一種的化合物與銅成分反應而成的銅化合物(以下有時將該些化合物分別稱為磺酸銅化合物、羧酸銅化合物、次膦酸銅化合物、磷酸銅化合物)，進而佳為磺酸銅化合物(較佳為磺酸銅錯合物)、羧酸銅化合物(較佳為羧酸銅錯合物)及磷酸銅 化合物(較佳為含磷的銅錯合物)，進而更佳為磺酸銅化合物及羧酸銅化合物。

另外，銅化合物可為低分子亦可為高分子。以下加以具體說明。

(低分子型)

本發明中所用的銅化合物較佳為下述式(iA)所表示者。

Cu(L)_n1．(X)_n2 式(iA)

所述式(iA)中，L表示配位於銅上的配位體，X不存在或表示鹵素原子、H₂O、NO₃、ClO₄、SO₄、CN、SCN、BF₄、PF₆、BPh₄(Ph表示苯基)或醇。n1、n2分別獨立地表示1~4的整數。

配位體L較佳為具有含有C、N、O、S作為可配位於銅上的原子的取代基，更佳為具有含有N或O、S等的孤立電子對的基團。可配位的基團於分子內不限定於一種，亦可含有兩種以上，可解離亦可非解離。非解離的情況下，X不存在。

於銅化合物為銅錯合物的情形時，成為配位體配位於中心金屬的銅上的形態。本發明中所用的銅錯合物中的銅較佳為二價銅，例如可使成為配位體的化合物或其鹽與銅成分混合、反應等而獲得。因此，若為「含有銅及配位體的組成物」，則可預見於組成物中形成銅錯合物。

所述成為配位體的化合物或其鹽並無特別限定，例如可 較佳地列舉有機酸化合物(例如磺酸化合物、羧酸化合物、磷酸化合物)或其鹽等。

所述成為配位體的化合物或其鹽較佳為含有酸基或其鹽的化合物，較佳為下述通式(ii)所表示的化合物。

通式(ii)中，R¹表示n價(相當於n₃的價數)的有機基，X¹表示酸基，n₃表示1~6的整數。

n價的有機基較佳為烴基或氧伸烷基，更佳為脂肪族烴基或芳香族烴基。烴基亦可具有取代基，取代基可列舉：烷基、鹵素原子(較佳為氟原子)、聚合性基(例如乙烯基、(甲基)丙烯醯基、環氧基、氧雜環丁基等)、磺酸基、羧酸基、含磷原子的酸基、羧酸酯基(例如-CO₂CH₃)、羥基、烷氧基(例如甲氧基)、胺基、胺甲醯基、胺甲醯氧基、鹵化烷基(例如氟烷基、氯烷基)等。於烴基具有取代基的情形時，亦可更具有取代基，取代基可列舉烷基、所述聚合性基、鹵素原子等。

於所述烴基為一價的情形時，較佳為烷基、烯基或芳基，更佳為芳基。於烴基為二價的情形時，較佳為伸烷基、伸芳基、氧伸烷基，更佳為伸芳基。於烴基為三價以上的情形時，較佳為與 所述一價烴基或二價烴基相對應的基團。

烷基及伸烷基可為直鏈狀、分支狀或環狀的任一種。直鏈狀的烷基及伸烷基的碳數較佳為1~20，更佳為1~12，進而佳為1~8。分支狀的烷基及伸烷基的碳數較佳為3~20，更佳為3~12，進而佳為3~8。環狀的烷基及伸烷基可為單環、多環的任一種。環狀的烷基及伸烷基的碳數較佳為3~20，更佳為4~10，進而佳為6~10。

烯基及伸烯基的碳數較佳為2~10，更佳為2~8，進而佳為2~4。

芳基及伸芳基的碳數較佳為6~18，更佳為6~14，進而佳為6~10。

通式(ii)中，X₁較佳為選自磺酸基、羧酸基及含有磷原子的酸基中的至少一種。X₁可為單獨1種亦可為2種以上，較佳為兩種以上，較佳為具有磺酸基及羧酸基者。

通式(ii)中，n3較佳為1~3，更佳為2或3，進而佳為3。

所述成為配位體的化合物或其鹽(含有酸基或其鹽的化合物)的分子量較佳為1000以下，較佳為80~750，更佳為80~600。

(磺酸銅錯合物)

本發明中所用的磺酸銅錯合物以銅作為中心金屬且以磺酸化合物作為配位體。

所述磺酸化合物更佳為下述通式(iii)所表示的化合物。

通式(iii)

通式(iii)中，R²表示一價有機基。

通式(iii)所表示的磺酸及其鹽作為配位於銅上的配位體而發揮作用。

R²的具體的一價有機基可列舉烴基，具體可列舉直鏈狀、分支狀或環狀的烷基、烯基、芳基等。該些基團亦可為經由二價連結基(例如直鏈狀或分支狀的伸烷基、環狀的伸烷基、伸芳基、-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO₂-、-NR-(R為氫原子或烷基)等)的基團。

直鏈狀的烷基、分支狀的烷基、環狀的烷基、烯基及芳基的碳數與所述通式(ii)中的R¹中的說明為相同含意，較佳範圍亦相同。

一價有機基亦可具有取代基，取代基可列舉所述通式(ii)中的R¹可具有的取代基。直鏈狀的烷基及分支狀的烷基可具有的取代基可列舉鹵素原子、聚合性基及羧酸基的至少一種。芳基可具有的取代基可列舉烷基、烷氧基、鹵化烷基、鹵素原子、聚合性基、磺酸基、羧酸基及羧酸甲酯基的至少一種，較佳為磺酸基及羧酸基的至少一種。

作為二價連結基的直鏈狀或分支狀的伸烷基、環狀的伸 烷基、伸芳基可列舉：自上文所述的直鏈狀、分支狀或環狀的烷基、芳基中去掉1個氫原子而衍生所得的二價連結基。

通式(iii)所表示的化合物的分子量較佳為80~750，更佳為80~600，進而佳為80~450。

另外，本發明的磺酸銅錯合物含有下述通式(iv)所表示的結構。

通式(iv)中，R³表示一價有機基。「*」表示與銅形成配位鍵的部位。

通式(iv)中，R³與通式(iii)中的R²為相同含意，較佳範圍亦相同。

以下示出通式(iii)所表示的磺酸化合物的具體例，但不限定於該些具體例。

[化29]

[化30]

[化31]

本發明中所用的磺酸銅錯合物可藉由使成為配位體的磺酸化合物或其鹽與銅成分反應而獲得。

銅成分可使用銅或含有銅的化合物。含有銅的化合物例如可使用氧化銅或銅鹽。銅鹽較佳為一價或二價銅，更佳為二價銅。銅鹽更佳為乙酸銅、氯化銅、甲酸銅、硬脂酸銅、苯甲酸銅、乙基乙醯乙酸銅、焦磷酸銅、環烷酸銅、檸檬酸銅、硝酸銅、硫酸銅、碳酸銅、氯酸銅、(甲基)丙烯酸銅、過氯酸銅，進而佳為乙酸銅、氯化銅、硫酸銅、苯甲酸銅、(甲基)丙烯酸銅。

本發明中所用的磺酸化合物可使用市售的磺酸，亦可參照公 知的方法來合成。磺酸化合物的鹽例如較佳為金屬鹽，具體可列舉鈉鹽、鉀鹽等。

使銅成分與所述磺酸化合物或其鹽反應時的反應比率以莫耳比率計較佳為設定為1：1.5~1：4。此時，磺酸化合物或其鹽可為一種，亦可使用兩種以上。

另外，使銅成分與所述磺酸化合物或其鹽反應時的反應條件例如較佳為設定為於20℃~50℃下反應0.5小時以上。

(羧酸銅錯合物或羧酸酯)

本發明中所用的銅化合物除了所述化合物以外，亦可使用以羧酸或羧酸酯作為配位體的銅化合物(羧酸銅錯合物)。再者，於本說明書中，以羧酸酯作為配位體的銅化合物亦包括在羧酸銅錯合物中。以羧酸作為配位體的銅化合物中所用的羧酸例如較佳為下述通式(v)所表示的化合物。

通式(v)中，R⁴表示一價有機基。

通式(v)中，R⁴表示一價有機基。一價有機基並無特別限定，與所述通式(iii)中的一價有機基R²為相同含意，其較佳範圍亦 相同。

(含磷的銅錯合物)

本發明中所用的銅化合物亦可使用以磷酸酯作為配位體的銅化合物(磷酸酯銅化合物)。磷酸酯銅化合物中所用的磷酸酯化合物可參考日本專利特開2013-253224號公報的段落0015~段落0027，將其內容併入至本說明書中。

(高分子型)

本發明中所用的銅化合物亦可使用聚合物銅錯合物。藉由銅化合物含有聚合物銅錯合物，可提高耐熱性。

聚合物銅錯合物為含有酸基離子部位的聚合物(含有酸基或其鹽的聚合物)及含有銅離子的聚合物型的銅化合物，較佳態樣為以聚合物中的酸基離子部位作為配位體的聚合物型的銅化合物。該聚合物型的銅化合物通常於聚合物的側鏈上具有酸基離子部位，酸基離子部位鍵結於銅(例如形成配位鍵)，以銅作為起點而於側鏈間形成交聯結構。聚合物型的銅錯合物可列舉：主鏈中具有碳-碳鍵的聚合物的銅錯合物、主鏈中具有碳-碳鍵的聚合物的銅錯合物且該銅錯合物含有氟原子、主鏈中具有芳香族烴基及/或芳香族雜環基的聚合物(以下亦稱為含芳香族基的聚合物)的銅錯合物等。

銅成分較佳為含有二價銅的化合物。銅成分中的銅含量較佳為2質量%~40質量%，更佳為5質量%~40質量%。銅成分可僅使用一種，亦可使用兩種以上。含有銅的化合物例如可使用氧化 銅或銅鹽。銅鹽更佳為二價銅。銅鹽尤佳為氫氧化銅、乙酸銅及硫酸銅。

含有酸基或其鹽的聚合物所具有的酸基只要可與所述銅成分反應，則並無特別限定，較佳為與銅成分形成配位鍵。具體而言，可列舉酸解離常數(pKa)為12以下的酸基，較佳為磺酸基、羧酸基、磷酸基、膦酸基、次膦酸基、醯亞胺酸基等。酸基可僅為一種，亦可為兩種以上。

本發明中所用的構成酸基的鹽的原子或原子團可列舉：鈉等的金屬原子(特別是鹼金屬原子)、四丁基銨等般的原子團。另外，含有酸基或其鹽的聚合物中，酸基或其鹽只要含有於其主鏈及側鏈的至少一者中即可，較佳為至少含有於側鏈中。

含有酸基或其鹽的聚合物較佳為含有羧酸基或其鹽、及/或磺酸基或其鹽的聚合物，更佳為含有磺酸基或其鹽的聚合物。

<<<第1含有酸基或其鹽的聚合物>>>

含有酸基或其鹽的聚合物的較佳一例為主鏈具有碳-碳鍵的結構，較佳為含有下述式(A1-1)所表示的結構單元(重複單元)。

式(A1-1)中，R¹表示氫原子或甲基，L¹表示單鍵或二價連結基，M¹表示氫原子或者與磺酸基構成鹽的原子或原子團。

所述式(A1-1)中，R¹較佳為氫原子。

所述式(A1-1)中，於L¹表示二價連結基的情形時，二價連結基並無特別限定，例如可列舉：二價烴基、伸雜芳基、-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO₂-、-NX-(X表示氫原子或烷基，較佳為氫原子)、或包含該等的組合的基團。

二價烴基可列舉：直鏈狀、分支狀或環狀的伸烷基或伸芳基。烴基亦可具有取代基，較佳為未經取代。

直鏈狀的伸烷基的碳數較佳為1~30，更佳為1~15，進而佳為1~6。另外，分支狀的伸烷基的碳數較佳為3~30，更佳為3~15，進而佳為3~6。

環狀的伸烷基可為單環、多環的任一種。環狀的伸烷基的碳數較佳為3~20，更佳為4~10，進而佳為6~10。

伸芳基的碳數較佳為6~18，更佳為6~14，進而佳為6~10，尤佳為伸苯基。

伸雜芳基並無特別限定，較佳為5員環或6員環。另外，伸雜芳基可為單環亦可為縮合環，較佳為單環或縮合數為2~8的縮合環，更佳為單環或縮合數為2~4的縮合環。

所述式(A1-1)中，M¹所表示的與磺酸基構成鹽的原子或原子團與所述構成酸基的鹽的原子或原子團為相同含意，較佳為氫原子或鹼金屬原子。

式(A1-1)所表示的結構單元以外的其他結構單元可參考日本專利特開2010-106268號公報的段落編號0068~段落編號0075(對應的美國專利申請公開第2011/0124824號說明書的[0112]~[0118])中揭示的共聚合成分的記載，將該些內容併入至本申請案說明書中。

較佳的其他結構單元可列舉下述式(A1-2)所表示的結構單元。

式(A1-2)中，R³表示氫原子或甲基，較佳為氫原子。

Y²表示單鍵或二價連結基，二價連結基與上文所述的所述式(A1-1)的二價連結基為相同含意。尤其Y²較佳為-COO-、-CO-、-NH-、直鏈狀或分支狀的伸烷基或包含該等的組合的基團、或者單鍵。

式(A1-2)中，X²表示-PO₃H、-PO₃H₂、-OH或COOH，較佳為-COOH。

於所述聚合物(A1-1)含有其他結構單元(較佳為所述式(A1-2)所表示的結構單元)的情形時，所述式(A1-1)所表示的結構單元與所述式(A1-2)所表示的結構單元之莫耳比較佳為95：5~20：80，更佳為90：10~40：60。

<<<第2含有酸基或其鹽的聚合物>>>

本發明中可使用的銅化合物亦可使用聚合物型的銅化合物，該聚合物型的銅化合物是由具有酸基或其鹽且於主鏈中具有芳香族烴基及/或芳香族雜環基的聚合物(以下稱為含芳香族基的聚合物)、與銅成分的反應所得。含芳香族基的聚合物只要於主鏈中具有芳香族烴基及芳香族雜環基中的至少一種即可，亦可具有兩種以上。關於酸基或其鹽及銅成分，與所述由含有酸基或其鹽的聚合物與銅成分的反應所得的銅化合物為相同含意，較佳範圍亦相同。

芳香族烴基例如較佳為芳基。芳基的碳數較佳為6~20，更佳為6~15，進而佳為6~12。尤佳為苯基、萘基或聯苯基。芳香族烴基亦可為單環或多環，較佳為單環。

芳香族雜環基例如可使用碳數2~30的芳香族雜環基。芳香族雜環基較佳為5員環或6員環。另外，芳香族雜環基為單環或縮合環，可例示單環或縮合數為2~8的縮合環。雜環所含的雜原子可例示氮、氧、硫原子，較佳為氮或氧。

於芳香族烴基及/或芳香族雜環基具有取代基T的情形時，取代基T例如可例示：烷基、聚合性基(較佳為含有碳-碳雙鍵的聚 合性基)、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、羧酸酯基、鹵化烷基、烷氧基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、醚基、磺醯基、硫醚基、醯胺基、醯基、羥基、羧基、芳烷基等，較佳為烷基(特別是碳數1~3的烷基)。

尤其含芳香族基的聚合物較佳為選自聚醚碸系聚合物、聚碸系聚合物、聚醚酮系聚合物、聚苯醚系聚合物、聚醯亞胺系聚合物、聚苯并咪唑系聚合物、聚苯系聚合物、酚樹脂系聚合物、聚碳酸酯系聚合物、聚醯胺系聚合物及聚酯系聚合物中的至少一種聚合物。以下示出各聚合物的例子。

聚醚碸系聚合物：具有(-O-Ph-SO₂-Ph-)所表示的主鏈結構(Ph表示伸苯基，以下相同)的聚合物

聚碸系聚合物：具有(-O-Ph-Ph-O-Ph-SO₂-Ph-)所表示的主鏈結構的聚合物

聚醚酮系聚合物：具有(-O-Ph-O-Ph-C(=O)-Ph-)所表示的主鏈結構的聚合物

聚苯醚系聚合物：具有(-Ph-O-、-Ph-S-)所表示的主鏈結構的聚合物

聚苯系聚合物：具有(-Ph-)所表示的主鏈結構的聚合物

酚樹脂系聚合物：具有(-Ph(OH)-CH₂-)所表示的主鏈結構的聚合物

聚碳酸酯系聚合物：具有(-Ph-O-C(=O)-O-)所表示的主鏈結構的聚合物

聚醯胺系聚合物例如為具有(-Ph-C(=O)-NH-)所表示的主鏈結構的聚合物

聚酯系聚合物例如為具有(-Ph-C(=O)O-)所表示的主鏈結構的聚合物

聚醚碸系聚合物、聚碸系聚合物及聚醚酮系聚合物例如可參考日本專利特開2006-310068號公報的段落0022及日本專利特開2008-27890號公報的段落0028中記載的主鏈結構，將該些內容併入至本申請案說明書中。

聚醯亞胺系聚合物可參考日本專利特開2002-367627號公報的段落0047~段落0058的記載及日本專利特開2004-35891號公報的0018~0019中記載的主鏈結構，將該些內容併入至本申請案說明書中。

含芳香族基的聚合物的較佳一例較佳為含有下述式(A1-3)所表示的結構單元。

式(A1-3)中，Ar¹表示芳香族烴基及/或芳香族雜環基，Y¹ 表示單鍵或二價連結基，X¹表示酸基或其鹽。

式(A1-3)中，於Ar¹表示芳香族烴基的情形時，與所述芳香族烴基為相同含意，較佳範圍亦相同。於Ar¹表示芳香族雜環基的情形時，與所述芳香族雜環基為相同含意，較佳範圍亦相同。

Ar¹除了所述式(A1-3)中的-Y¹-X¹以外亦可具有取代基。於Ar¹具有取代基的情形時，取代基與所述取代基T為相同含意，較佳範圍亦相同。

式(A1-3)中，Y¹較佳為單鍵。於Y¹表示二價連結基的情形時，二價連結基例如可列舉：烴基、芳香族雜環基、-O-、-S-、-SO₂-、-CO-、-C(=O)O-、-O-C(=O)-、-SO₂-、-NX-(X表示氫原子或烷基，較佳為氫原子)、-C(RY¹)(RY²)-、或包含該等的組合的基團。此處，RY¹及RY²分別獨立地表示氫原子、氟原子或烷基。

烴基例如可列舉直鏈狀、分支狀或環狀的伸烷基或伸芳基。直鏈狀的伸烷基的碳數較佳為1~20，更佳為1~10，進而佳為1~6。分支狀的伸烷基的碳數較佳為3~20，更佳為3~10，進而佳為3~6。環狀的伸烷基可為單環、多環的任一種。環狀的伸烷基的碳數較佳為3~20，更佳為4~10，進而佳為6~10。關於該些直鏈狀、分支狀或環狀的伸烷基，伸烷基中的氫原子可經氟原子取代。

伸芳基與所述式(A1-1)的二價連結基為伸芳基的情形為相同含意。

芳香族雜環基並無特別限定，較佳為5員環或6員環。另外，芳香族雜環基可為單環亦可為縮合環，較佳為單環或縮合數為2~8的縮合環，更佳為單環或縮合數為2~4的縮合環。

式(A1-3)中，X¹所表示的酸基或其鹽與所述酸基或其鹽為相同含意，較佳範圍亦相同。

含有式(A1-1)、式(A1-2)或式(A1-3)所表示的結構單元的聚合物的重量平均分子量較佳為1000以上，更佳為1000~1000萬，進而佳為3000~100萬，尤佳為4000~400,000。

含有式(A1-1)、式(A1-2)或式(A1-3)所表示的結構單元的聚合物的具體例可列舉下述記載的化合物及下述化合物的鹽，但不限定於該些具體例。

[化36]

再者，上文中對銅化合物含有於本發明的組成物中的態樣進行了詳述，但亦可如後述般將由本發明的組成物所形成的紅外線遮光層、與含有所述銅化合物的層組合使用。更具體而言，亦可形成多層紅外線遮光層，該多層紅外線遮光層包含由本發明的組成物所形成的紅外線遮光層、及含有銅化合物的層。

<其他成分>

於本發明的組成物中，亦可含有無機微粒子、分散劑及銅化合物以外的成分。例如可列舉：黏合劑聚合物、聚合性單體、聚合起始劑、界面活性劑、密著促進劑、紫外線吸收劑、溶劑、聚合禁止劑、鏈轉移劑、增感劑等。

以下，對該些成分加以詳述。

(黏合劑聚合物)

就提高所形成的紅外線遮光層的皮膜特性等觀點而言，本發明的組成物較佳為更含有黏合劑聚合物。

黏合劑聚合物較佳為使用線性有機聚合物。線性有機聚合物可任意使用公知者。較佳為選擇於水或弱鹼性水中為可溶性或膨潤性的線性有機聚合物，以可進行水顯影或弱鹼性水顯影。線性有機聚合物是根據不僅作為皮膜形成劑而且作為水、弱鹼性水或有機溶劑顯影劑的用途而選擇使用。例如若使用水可溶性有機聚合物，則可進行水顯影。此種線性有機聚合物可列舉：側鏈上具有羧酸基的自由基聚合物，例如日本專利特開昭59-44615號公報、日本專利特公昭54-34327號公報、日本專利特公昭58-12577號公報、日本專利特公昭54-25957號公報、日本專利特開昭54-92723號公報、日本專利特開昭59-53836號公報、日本專利特開昭59-71048號公報中記載者，即，使具有羧基的單體進行均聚合或共聚合而成的樹脂，使具有酸酐的單體進行均聚合或共聚合並使酸酐單元水解、半酯化或半醯胺化而成的樹脂，或者以不飽和單羧酸及酸酐將環氧樹脂改質而成的環氧丙烯酸酯等。具有羧 基的單體可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、丁烯酸、馬來酸、富馬酸、4-羧基苯乙烯等，具有酸酐的單體可列舉馬來酸酐等。

另外，有同樣地於側鏈上具有羧酸基的酸性纖維素衍生物。除此以外，於具有羥基的聚合物上加成環狀酸酐而成者等有用。

於本發明中，於使用共聚物作為黏合劑聚合物的情形時，共聚合的化合物亦可使用上文所列舉的的單體以外的其他單體。其他單體的例子可列舉下述(1)~(12)的化合物。

(1)丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯酸-2-羥基丙酯、丙烯酸-3-羥基丙酯、丙烯酸-4-羥基丁酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-3-羥基丙酯、甲基丙烯酸-4-羥基丁酯等具有脂肪族羥基的丙烯酸酯類及甲基丙烯酸酯類。

(2)丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸己酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸-2-氯乙酯、丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、丙烯酸乙烯酯、丙烯酸-2-苯基乙烯酯、丙烯酸-1-丙烯酯、丙烯酸烯丙酯、丙烯酸-2-烯丙氧基乙酯、丙烯酸炔丙酯等丙烯酸烷基酯。

(3)甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸戊酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸-2-氯乙酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基 丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、甲基丙烯酸乙烯酯、甲基丙烯酸-2-苯基乙烯酯、甲基丙烯酸-1-丙烯酯、甲基丙烯酸烯丙酯、甲基丙烯酸-2-烯丙氧基乙酯、甲基丙烯酸炔丙酯等甲基丙烯酸烷基酯。

(4)丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、N-乙基丙烯醯胺、N-己基甲基丙烯醯胺、N-環己基丙烯醯胺、N-羥基乙基丙烯醯胺、N-苯基丙烯醯胺、N-硝基苯基丙烯醯胺、N-乙基-N-苯基丙烯醯胺、乙烯基丙烯醯胺、乙烯基甲基丙烯醯胺、N,N-二烯丙基丙烯醯胺、N,N-二烯丙基甲基丙烯醯胺、烯丙基丙烯醯胺、烯丙基甲基丙烯醯胺等丙烯醯胺或甲基丙烯醯胺。

(5)乙基乙烯醚、2-氯乙基乙烯醚、羥基乙基乙烯醚、丙基乙烯醚、丁基乙烯醚、辛基乙烯醚、苯基乙烯醚等乙烯醚類。

(6)乙酸乙烯酯、氯乙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯等乙烯酯類。

(7)苯乙烯、α-甲基苯乙烯、甲基苯乙烯、氯甲基苯乙烯、對乙醯氧基苯乙烯等苯乙烯類。

(8)甲基乙烯酮、乙基乙烯酮、丙基乙烯酮、苯基乙烯酮等乙烯酮類。

(9)乙烯、丙烯、異丁烯、丁二烯、異戊二烯等烯烴類。

(10)N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯腈、甲基丙烯腈等。

(11)馬來醯亞胺、N-丙烯醯基丙烯醯胺、N-乙醯基甲基丙烯醯胺、N-丙醯基甲基丙烯醯胺、N-(對氯苯甲醯基)甲基丙烯醯胺等不飽和醯亞胺。

(12)於α位上鍵結有雜原子的甲基丙烯酸系單體。例如可列舉日本專利特開2002-309057號、日本專利特開2002-311569號等的各公報中記載的化合物。

於本發明中，藉由將該些單體於本發明的範圍內無特別限制地組合，可應用於共聚物的合成。例如，以下示出將包含該些單體的單體成分聚合而成的共聚物的一例，但本發明不限定於此。下述所示的例示化合物的組成比為莫耳百分比(mol%)。

黏合劑聚合物中，較佳為含有將下述通式(ED)所表示的化合物(以下有時亦稱為「醚二聚體」)的單體成分聚合而成的重複單元。

式(ED)中，R₁及R₂分別獨立地表示氫原子或可具有 取代基的碳數1~25的烴基。

表示醚二聚體的通式(ED)中，R₁及R₂所表示的可具有取代基的碳數1~25的烴基並無特別限制，例如可列舉：直鏈狀或分支狀的烷基；芳基；環己基、第三丁基環己基、二環戊二烯基、三環癸基、異莰基、金剛烷基、2-甲基-2-金剛烷基等脂環式基；1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基等經烷氧基取代的烷基；苄基等經芳基取代的烷基等。該些基團中，尤其就耐熱性的方面而言，較佳為甲基、乙基、環己基、苄基等般的不易因酸或熱而脫離的一級或二級碳的取代基。

醚二聚體的具體例可參考日本專利特開2012-208494號公報的段落0565(對應的美國專利申請公開第2012/235099號說明書的[0694])的醚二聚體的說明，將該些內容併入至本申請案說明書中。該等中，尤佳為2,2'-[氧基雙(亞甲基)]雙-2-丙烯酸二甲酯(dimethyl-2,2'-[oxybis(methylene)]bis-2-propenoate)、2,2'-[氧基雙(亞甲基)]雙-2-丙烯酸二乙酯、2,2'-[氧基雙(亞甲基)]雙-2-丙烯酸二環己酯、2,2'-[氧基雙(亞甲基)]雙-2-丙烯酸二苄酯。該些醚二聚體可僅使用一種，亦可使用兩種以上。另外，來源於通式(ED)所表示的化合物的結構體亦可使其他單體進行共聚合。

可與醚二聚體一起共聚合的其他單體例如可列舉：用以導入酸基的單體、用以導入自由基聚合性雙鍵的單體、用以導入環氧基的單體及該等以外的其他可共聚合的單體。此種單體可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

用以導入酸基的單體例如可列舉：(甲基)丙烯酸或衣康酸等具有羧基的單體，N-羥基苯基馬來醯亞胺等具有酚性羥基的單體，馬來酸酐、衣康酸酐等具有羧酸酐基的單體等。該等中，尤佳為(甲基)丙烯酸。

另外，用以導入酸基的單體亦可為可於聚合後賦予酸基的單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯等具有羥基的單體、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等具有環氧基的單體、(甲基)丙烯酸-2-異氰酸基乙酯等具有異氰酸酯基的單體等。於使用可於聚合後賦予酸基的單體的情形時，可能要求進行於聚合後賦予酸基的處理。於聚合後賦予酸基的處理視單體的種類而不同，例如可列舉以下處理。若為使用具有羥基的單體的情形，則例如可列舉加成琥珀酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、馬來酸酐等酸酐的處理。若為使用具有環氧基的單體的情形，則例如可列舉：加成N-甲基胺基苯甲酸、N-甲基胺基苯酚等具有胺基及酸基的化合物；或對加成例如(甲基)丙烯酸般的酸後所產生的羥基加成例如琥珀酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、馬來酸酐等酸酐的處理。若為使用具有異氰酸酯基的單體的情形，則例如可列舉加成2-羥基丁酸等具有羥基及酸基的化合物的處理。

於將含有通式(ED)所表示的化合物的單體成分聚合而成的聚合物含有用以導入酸基的單體的情形時，其含有比例並無特別限制，於所有單體成分中，較佳為5質量%~70質量%，更佳為10質量%~60質量%。

用以導入自由基聚合性雙鍵的單體例如可列舉：(甲基)丙烯酸、衣康酸等具有羧基的單體；馬來酸酐、衣康酸酐等具有羧酸酐基的單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、鄰(或間、或對)乙烯基苄基縮水甘油醚等具有環氧基的單體等。於使用用以導入自由基聚合性雙鍵的單體的情形時，必須進行用以於聚合後賦予自由基聚合性雙鍵的處理。用以於聚合後賦予自由基聚合性雙鍵的處理視所使用的可賦予自由基聚合性雙鍵的單體的種類而不同，例如可列舉以下處理。若為使用(甲基)丙烯酸或衣康酸等具有羧基的單體的情形，則可列舉：加成(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、鄰(或間、或對)乙烯基苄基縮水甘油醚等具有環氧基及自由基聚合性雙鍵的化合物的處理。若為使用馬來酸酐或衣康酸酐等具有羧酸酐基的單體的情形，則可列舉加成(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯等具有羥基及自由基聚合性雙鍵的化合物的處理。若為使用(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、鄰(或間、或對)乙烯基苄基縮水甘油醚等具有環氧基的單體的情形，則可列舉加成(甲基)丙烯酸等具有酸基及自由基聚合性雙鍵的化合物的處理。

於將含有通式(ED)所表示的化合物的單體成分聚合而成的聚合物含有用以導入自由基聚合性雙鍵的單體的情形時，其含有比例並無特別限制，於所有單體成分中，較佳為5質量%~70質量%，更佳為10質量%~60質量%。

用以導入環氧基的單體例如可列舉：(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、鄰(或間、或對)乙烯基苄基縮水甘油醚等。

於將含有通式(ED)所表示的化合物的單體成分聚合而成的聚合物含有用以導入環氧基的單體的情形時，其含有比例並無特別限制，於所有單體成分中，較佳為5質量%~70質量%，更佳為10質量%~60質量%。

其他可共聚合的單體例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸甲基-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯等(甲基)丙烯酸酯類；苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯等芳香族乙烯系化合物；N-苯基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺等N-取代馬來醯亞胺類；丁二烯、異戊二烯等丁二烯或取代丁二烯化合物；乙烯、丙烯、氯乙烯、丙烯腈等乙烯或取代乙烯化合物；乙酸乙烯酯等乙烯酯類等。該些單體中，就透明性良好、不易損及耐熱性的方面而言，較佳為(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、苯乙烯。

於將含有通式(ED)所表示的化合物的單體成分聚合而成的聚合物含有其他可共聚合的單體的情形時，其含有比例並無特別限制，較佳為95質量%以下，更佳為85質量%以下。

將含有通式(ED)所表示的化合物的單體成分聚合而成 的聚合物的重量平均分子量並無特別限制，就紅外線遮光組成物的黏度、及由該組成物所形成的塗膜的耐熱性的觀點而言，較佳為2000~200000，更佳為5000~100000，進而佳為5000~20000。

另外，於將含有通式(ED)所表示的化合物的單體成分聚合而成的聚合物具有酸基的情形時，酸值以較佳為20mgKOH/g~500mgKOH/g、更佳為50mgKOH/g~400mgKOH/g為宜。

將含有通式(ED)所表示的化合物的單體成分聚合而成的聚合物可藉由將至少含有醚二聚體的所述單體聚合而容易地獲得。此時，與聚合同時進行醚二聚體的環化反應而形成四氫吡喃環結構。

將含有通式(ED)所表示的化合物的單體成分聚合而成的聚合物的合成時所應用的聚合方法並無特別限制，可採用以前公知的各種聚合方法，尤佳為利用溶液聚合法。詳細而言，例如可依據日本專利特開2004-300204號公報中記載的聚合物(a)的合成方法，合成將含有通式(ED)所表示的化合物的單體成分聚合而成的聚合物。

以下，示出將含有通式(ED)所表示的化合物的單體成分聚合而成的聚合物的例示化合物，但本發明不限定於該些化合物。下述所示的例示化合物的組成比為莫耳百分比(mol%)。

[化39]

本發明中，尤佳為使2,2'-[氧基雙(亞甲基)]雙-2-丙烯酸二甲酯(以下稱為「DM」)、甲基丙烯酸苄酯(以下稱為「BzMA」)、 甲基丙烯酸甲酯(以下稱為「MMA」)、甲基丙烯酸(以下稱為「MAA」)、2-羥基丙二醇二甲基丙烯酸酯(以下稱為「X」)進行共聚合而成的聚合物。尤佳為DM：BzMA：MMA：MAA：X的莫耳比為5~15：40~50：5~15：5~15：20~30。較佳為構成本發明中所用的共聚物的成分的95質量%以上為該些成分。另外，該聚合物的重量平均分子量較佳為9000~20000。

該等中，側鏈上具有烯丙基或乙烯酯基及羧基的(甲基)丙烯酸系樹脂及日本專利特開2000-187322號公報、日本專利特開2002-62698號公報中記載的側鏈上具有雙鍵的鹼可溶性樹脂、或日本專利特開2001-242612號公報中記載的側鏈上具有醯胺基的鹼可溶性樹脂的膜強度、感度、顯影性的平衡優異，因而較佳。所述聚合物的例子可列舉：戴娜爾(Dianal)NR系列(三菱麗陽股份有限公司製造)，付拓馬(Photomer)6173(含COOH的聚胺基甲酸酯丙烯酸系寡聚物(polyurethane acrylic oligomer)，戴蒙德-沙姆洛克股份有限公司(Diamond Shamrock Co.Ltd.)製造)，比斯克(Biscoat)R-264、KS抗蝕劑(KS Resist)106(均為大阪有機化學工業股份有限公司製造)，賽克羅馬(Cyclomer)P ACA230AA等賽克羅馬(Cyclomer)P系列，普拉克賽爾(Placcel)CF200系列(均為大賽璐化學工業股份有限公司製造)，艾白克力(Ebecryl)3800(大賽璐UCB股份有限公司製造)等。

本發明的組成物中可使用的黏合劑聚合物的重量平均分子量(由凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography，GPC) 法所測定的聚苯乙烯換算值)較佳為3,000以上，更佳為3000以上、30萬以下的範圍，進而佳為3,000以上、15萬以下的範圍。分散度(重量平均分子量/數量平均分子量)較佳為1以上，更佳為1.1以上、10以下的範圍。

該些黏合劑聚合物可為無規聚合物、嵌段聚合物、接枝聚合物等的任一種。

本發明中可使用的黏合劑聚合物可利用以前公知的方法來合成。合成時所用的溶劑例如可列舉：四氫呋喃、二氯化乙烯(ethylene dichloride)、環己酮、甲基乙基酮、丙酮、甲醇、乙醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、2-甲氧基乙基乙酸酯、二乙二醇二甲醚、1-甲氧基-2-丙醇、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、甲苯、乙酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、二甲基亞碸、水等。該些溶劑可單獨使用或混合使用兩種以上。

合成黏合劑聚合物時所用的自由基聚合起始劑可列舉：偶氮系起始劑、過氧化物起始劑等公知的化合物。

於本發明的組成物中，黏合劑聚合物可單獨使用一種或組合使用兩種以上。

於組成物中含有黏合劑聚合物的情形時，相對於組成物總固體成分，黏合劑聚合物的含量較佳為1質量%~60質量%，更佳為3質量%~50質量%，進而佳為5質量%~50質量%，尤佳為10質量%~25質量%。若為所述範圍內，則所形成的紅外線遮光 層的機械強度與紅外線遮光性的平衡優異。

黏合劑聚合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

另外，黏合劑聚合物的質量與無機微粒子的質量之質量比(黏合劑聚合物的質量/無機微粒子的質量)並無特別限制，就所形成的紅外線遮光層的機械強度與紅外線遮光性的平衡優異的方面而言，較佳為0.01~1.0，更佳為0.1~0.8，進而佳為0.2~0.5。

(聚合性單體(聚合性化合物))

組成物中亦可含有聚合性單體。藉由含有聚合性單體，所形成的紅外線遮光層的機械強度提高，並且可形成圖案。

聚合性單體只要含有聚合性基即可，聚合性基可列舉自由基聚合性基(例如乙烯基、(甲基)丙烯醯基)或陽離子聚合性基(例如環氧基)。聚合性單體較佳為使用具有至少1個乙烯性不飽和雙鍵的加成聚合性化合物，更佳為使用具有至少1個、較佳為2個以上的末端乙烯性不飽和鍵的化合物。此種化合物於該技術領域中廣為人知，於本發明中可無特別限定地使用該些化合物。

另外，聚合性單體亦較佳為具有至少1個可進行加成聚合的乙烯基、且於常壓下具有100℃以上的沸點的具有乙烯性不飽和基的化合物。其例子可列舉：聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯等單官能的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基乙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯 酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己二醇(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(丙烯醯氧基丙基)醚、三(丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯及該等的混合物，較佳為季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯。

其中，聚合性單體等較佳為季戊四醇四丙烯酸酯(市售品為A-TMMT；新中村化學工業股份有限公司製造)、二季戊四醇三丙烯酸酯(市售品為卡亞拉得(KAYARAD)D-330；日本化藥股份有限公司製造)、二季戊四醇四丙烯酸酯(市售品為卡亞拉得(KAYARAD)D-320；日本化藥股份有限公司製造)、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯(市售品為卡亞拉得(KAYARAD)D-310；日本化藥股份有限公司製造)、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯(市售品為卡亞拉得(KAYARAD)DPHA；日本化藥股份有限公司製造)，更佳為季戊四醇四丙烯酸酯。

除了所述以外，聚合性單體亦可列舉：代那考爾(Denacol)EX-211L、代那考爾(Denacol)EX-212L、代那考爾(Denacol)EX-214L、代那考爾(Denacol)EX-216L、代那考爾(Denacol)EX-321L、代那考爾(Denacol)EX-850L(以上為長瀨化成(Nagase Chemtex)(股)製造)，JER-152、JER-154、JER-157S70、JER-157S65(以上為三菱化學(股)製造)，SR-494(沙多瑪(Sartomer)公司製造)，A-TMMT(新中村化學製造)，DPCA-20、DPCA-30、DPCA-60、DPCA-120(以上為日本化藥股份有限公司製造)等。

聚合性單體亦可為多官能單體，且亦可具有羧基、磺酸基、磷酸基等酸基。因此，乙烯性化合物只要如上所述為混合物 的情形般具有未反應的羧基，則可直接利用，視需要亦可使非芳香族羧酸酐與所述乙烯性化合物的羥基反應而導入酸基。於該情形時，所使用的非芳香族羧酸酐的具體例可列舉：四氫鄰苯二甲酸酐、烷基化四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、烷基化六氫鄰苯二甲酸酐、琥珀酸酐、馬來酸酐。

具有酸基的單體為脂肪族多羥基化合物與不飽和羧酸的酯，較佳為使非芳香族羧酸酐與脂肪族多羥基化合物的未反應的羥基反應而具有酸基的多官能單體，尤佳為於其酯中脂肪族多羥基化合物為季戊四醇及/或二季戊四醇者。市售品例如可列舉：東亞合成股份有限公司製造的作為多元酸改質丙烯酸系寡聚物的亞羅尼斯(Aronix)系列的M-305、M-510、M-520等。

具有酸基的多官能單體的較佳酸值為0.1mgKOH/g~40mgKOH/g，尤佳為5mgKOH/g~30mgKOH/g。於併用兩種以上的酸基不同的多官能單體的情形、或併用不具有酸基的多官能單體的情形時，必須以多官能單體總體的酸值在所述範圍內的方式調整。

關於該些聚合性單體，其結構、單獨使用或併用、添加量等使用方法的詳細情況可根據組成物的最終的性能設計來任意設定。例如根據如下觀點來選擇。

就感度的方面而言，較佳為每1分子的不飽和基含量多的結構，多的情況下較佳為二官能以上。另外，為了提高紅外線遮光層的強度，以三官能以上者為宜，進而，併用官能數不同、聚合 性基不同者(例如丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、苯乙烯系化合物、乙烯醚系化合物)來調節感度與強度兩者的方法亦有效。

另外，對於與組成物所含有的其他成分(例如聚合起始劑、無機微粒子等)的相容性、分散性而言，聚合性單體的選擇、使用法為重要的因素，例如有時藉由使用低純度化合物或併用兩種以上的其他成分來提高相容性。另外，有時亦為了提高與基板等硬質表面的密著性而選擇特定的結構。

於組成物中含有聚合性單體的情形時，相對於組成物總固體成分，聚合性單體的含量較佳為1質量%~40質量%的範圍，更佳為3質量%~35質量%的範圍，進而佳為5質量%~30質量%的範圍，尤佳為10質量%~25質量%的範圍。若為該範圍內，則硬化性良好而較佳。

聚合性單體可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

另外，聚合性單體的質量與無機微粒子的質量之質量比(聚合性單體的質量/無機微粒子的質量)並無特別限制，就所形成的紅外線遮光層的機械強度與紅外線遮光性的平衡優異的方面而言，較佳為0.01~1.0，更佳為0.1~0.8，進而佳為0.2~0.5。

(聚合起始劑)

組成物中亦可含有聚合起始劑。藉由含有聚合起始劑，硬化性提高。

聚合起始劑只要具有引發聚合性單體的聚合的能力，則並無特別限制，可自公知的聚合起始劑中適當選擇。

另外，就使後述組成物的硬化處理中的硬化良好的觀點等而言，例如較佳為對紫外線範圍至可見光線具有感放射線性者(光聚合起始劑)。另外，亦可為與經光激發的增感劑發生某些作用而生成活性自由基的活性劑，亦可為根據單體的種類而引發陽離子聚合般的起始劑。

另外，聚合起始劑較佳為含有至少一種於約300nm~800nm(更佳為330nm~500nm)的範圍內具有至少約50的分子吸光係數的化合物。

本發明中可使用的聚合起始劑較佳為至少具有芳香族基的化合物，例如可列舉：醯基膦化合物、苯乙酮系化合物、α-胺基酮化合物、二苯甲酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮衍生物化合物、噻噸酮化合物、肟化合物、六芳基聯咪唑化合物、三鹵代甲基化合物、偶氮化合物、有機過氧化物、重氮化合物、錪化合物、鋶化合物、吖嗪鎓化合物、茂金屬化合物等鎓鹽化合物、有機硼鹽化合物、二碸化合物等。

就感度的觀點而言，較佳為肟化合物、苯乙酮系化合物、α-胺基酮化合物、三鹵代甲基化合物、六芳基聯咪唑化合物及硫醇化合物。

肟系起始劑的具體例可使用：日本專利特開2001-233842號公報記載的化合物、日本專利特開2000-80068號公報記載的化合物、日本專利特開2006-342166號公報記載的化 合物。

可較佳地用作聚合起始劑的肟衍生物等肟化合物例如可列舉：3-苯甲醯氧基亞胺基丁烷-2-酮、3-乙醯氧基亞胺基丁烷-2-酮、3-丙醯氧基亞胺基丁烷-2-酮、2-乙醯氧基亞胺基戊烷-3-酮、2-乙醯氧基亞胺基-1-苯基丙烷-1-酮、2-苯甲醯氧基亞胺基-1-苯基丙烷-1-酮、3-(4-甲苯磺醯氧基)亞胺基丁烷-2-酮及2-乙氧基羰氧基亞胺基-1-苯基丙烷-1-酮等。

肟酯化合物可列舉：「英國化學會志(Journal of the Chemical Society，J.C.S.)普爾金會刊(Perkin)II」(1979年)pp.1653-1660、「英國化學會志(Journal of the Chemical Society，J.C.S.)普爾金會刊(Perkin)II」(1979年)pp.156-162、「光聚合物科學與技術期刊(Journal of Photopolymer Science and Technology)」(1995年)pp.202-232、「應用聚合物科學期刊(Journal of Applied Polymer Science)」(2012年)pp.725-731、日本專利特開2000-66385號公報記載的化合物、日本專利特開2000-80068號公報、日本專利特表2004-534797號公報、日本專利特開2006-342166號公報的各公報中記載的化合物等。

另外，亦可使用以下化合物作為所述記載以外的肟酯化合物：肟連結於咔唑N位上的日本專利特表2009-519904號公報中記載的化合物、於二苯甲酮部位上導入有雜取代基的美國專利7626957號公報中記載的化合物、於色素部位上導入有硝基的日本專利特開2010-15025號公報及美國專利公開2009-292039號記載 的化合物、國際公開專利2009-131189號公報中記載的酮肟系化合物、於同一分子內含有三嗪骨架與肟骨架的美國專利7556910號公報中記載的化合物、於405nm處具有吸收最大值且對g射線光源具有良好的感度的日本專利特開2009-221114號公報記載的化合物等。

進而亦可較佳地使用日本專利特開2007-231000號公報及日本專利特開2007-322744號公報中記載的環狀肟化合物。環狀肟化合物中，尤其日本專利特開2010-32985號公報、日本專利特開2010-185072號公報中記載的縮環於咔唑色素上的環狀肟化合物具有高的光吸收性而可實現高感度化。

另外，於肟化合物的特定部位上具有不飽和鍵的日本專利特開2009-242469號公報中記載的化合物亦由聚合非活性自由基來再生活性自由基，由此可達成高感度化。

除此以外，亦可列舉日本專利特開2007-269779號公報中揭示的具有特定取代基的肟化合物、或日本專利特開2009-191061號公報中揭示的具有硫代芳基的肟化合物。

肟起始劑可參考日本專利特開2012-208494號公報的段落0513(對應的美國專利申請公開第2012/235099號說明書的[0632])以後的式(OX-1)、式(OX-2)或式(OX-3)所表示的化合物的說明，將該些內容併入至本申請案說明書中。

市售品中可較佳地使用豔佳固(IRGACURE)-OXE01、豔佳固(IRGACURE)-OXE02，尤佳為豔佳固(IRGACURE) -OXE01。

另外，苯乙酮系起始劑可使用作為市售品的豔佳固(IRGACURE)-907、豔佳固(IRGACURE)-369及豔佳固(IRGACURE)-379(商品名：均為日本巴斯夫(BASF Japan)公司製造)。另外，醯基膦系起始劑可使用作為市售品的豔佳固(IRGACURE)-819或達羅卡(DAROCUR)-TPO(商品名：均為日本巴斯夫(BASF Japan)公司製造)。

於組成物中含有聚合起始劑的情形時，相對於組成物總固體成分，聚合起始劑的含量較佳為0.1質量%~40質量%的範圍，更佳為0.5質量%~20質量%的範圍，進而佳為1質量%~15質量%的範圍，尤佳為2質量%~10質量%的範圍。若為該範圍內，則硬化性良好而較佳。於該範圍內可獲得良好的硬化性及良好的感度與圖案形成性。

聚合起始劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

(界面活性劑)

本發明的組成物中，就進一步提高塗佈性的觀點而言，亦可含有各種界面活性劑。界面活性劑可使用：氟系界面活性劑、非離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑、矽酮系界面活性劑等各種界面活性劑。

尤其本發明的組成物藉由含有氟系界面活性劑，於製備成塗佈液時的溶液特性(特別是流動性)進一步提高，故可進一步改善塗佈厚度的均勻性或省液性。

即，於使用應用含有氟系界面活性劑的組成物的塗佈液來進行膜形成的情形時，藉由使被塗佈面與塗佈液的界面張力減小，對被塗佈面的濡濕性得到改善，對被塗佈面的塗佈性提高。因此，即便於以少量的液量來形成幾微米(μm)左右的薄膜的情形時，亦可更佳地進行厚度不均小的均勻厚度的膜形成，就此方面而言有效。

氟系界面活性劑中的氟含有率較佳為3質量%~40質量%，更佳為5質量%~30質量%，尤佳為7質量%~25質量%。氟含有率為該範圍內的氟系界面活性劑於塗佈膜的厚度的均勻性或省液性的方面有效，於組成物中的溶解性亦良好。

氟系界面活性劑例如可列舉：美佳法(Megafac)F171、美佳法(Megafac)F172、美佳法(Megafac)F173、美佳法(Megafac)F176、美佳法(Megafac)F177、美佳法(Megafac)F141、美佳法(Megafac)F142、美佳法(Megafac)F143、美佳法(Megafac)F144、美佳法(Megafac)R30、美佳法(Megafac)F437、美佳法(Megafac)F475、美佳法(Megafac)F479、美佳法(Megafac)F482、美佳法(Megafac)F554、美佳法(Megafac)F780、美佳法(Megafac)F781(以上為迪愛生(DIC)(股)製造)，弗拉德(Fluorad)FC430、弗拉德(Fluorad)FC431、弗拉德(Fluorad)FC171(以上為住友3M(股)製造)，沙福隆(Surflon)S-382、沙福隆(Surflon)SC-101、沙福隆(Surflon)SC-103、沙福隆(Surflon)SC-104、沙福隆(Surflon)SC-105、沙福隆(Surflon)SC1068、 沙福隆(Surflon)SC-381、沙福隆(Surflon)SC-383、沙福隆(Surflon)S393、沙福隆(Surflon)KH-40(以上為旭硝子(股)製造)，PF636、PF656、PF6320、PF6520、PF7002(歐諾法(OMNOVA)公司製造)等。

非離子系界面活性劑具體可列舉日本專利特開2012-208494號公報的段落[0553](對應的美國專利申請公開第2012/0235099號說明書的段落[0679]等)中記載的非離子系界面活性劑，將該些內容併入至本申請案說明書中。

陽離子系界面活性劑具體可列舉日本專利特開2012-208494號公報的段落[0554](對應的美國專利申請公開第2012/0235099號說明書的段落[0680]等)中記載的陽離子系界面活性劑，將該些內容併入至本申請案說明書中。

陰離子系界面活性劑具體可列舉：W004、W005、W017(裕商(股)公司製造)等。

矽酮系界面活性劑例如可列舉：東麗道康寧(Toray-Dow corning)(股)製造的「東麗矽酮(Toray Silicone)DC3PA」、「東麗矽酮(Toray Silicone)SH7PA」、「東麗矽酮(Toray Silicone)SF8410」、「東麗矽酮(Toray Silicone)DC11PA」、「東麗矽酮(Toray Silicone)SH21PA」、「東麗矽酮(Toray Silicone)SH28PA」、「東麗矽酮(Toray Silicone)SH29PA」、「東麗矽酮(Toray Silicone)SH30PA」、「東麗矽酮(Toray Silicone)SH8400」，邁圖高新材料(Momentive Performance Materials)公司製造的「TSF-4440」、 「TSF-4300」、「TSF-4445」、「TSF-4460」、「TSF-4452」，信越矽酮股份有限公司製造的「KP341」、「KF6001」、「KF6002」，畢克化學(BYK Chemie)公司製造的「畢克(BYK)307」、「畢克(BYK)323」、「畢克(BYK)330」等。

界面活性劑可僅使用一種，亦可組合使用兩種以上。

除了所述以外，亦可使用蘇菲諾(Surfinol)61(日信化學(股)製造)等。

於組成物中含有界面活性劑的情形時，相對於組成物總質量，界面活性劑的含量較佳為0.001質量%~2.0質量%，更佳為0.005質量%~1.0質量%。

界面活性劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

(密著促進劑)

本發明的組成物中，亦可於不損及本發明的目的之範圍內含有密著促進劑。藉由含有密著促進劑，配置有紅外線遮光層的基材、與紅外線遮光層的密著性進一步提高。

密著促進劑例如可列舉：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、1-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-胺基縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β-胺基乙基-γ-胺基丙基-甲基二甲氧基矽烷(信越化學工業公司製造的商品名KBM-602)、N-β-胺基乙基-γ-胺基丙基-三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製造的商品名KBM-603)、N-β-胺基乙基-γ-胺基丙基- 三乙氧基矽烷(信越化學工業公司製造的商品名KBE-602)、γ-胺基丙基-三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製造的商品名KBM-903)、γ-胺基丙基-三乙氧基矽烷(信越化學工業公司製造的商品名KBE-903)等。

除此以外，可使用日本專利特開2008-243945號公報的段落編號[0048]中記載的化合物。

於組成物中含有密著促進劑的情形時，相對於組成物總固體成分，密著促進劑的含量較佳為10質量%以下，更佳為0.005質量%~5質量%。

密著促進劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

(紫外線吸收劑)

本發明的組成物中，亦可於不損及本發明的目的之範圍內含有紫外線吸收劑。

紫外線吸收劑可使用水楊酸酯系、二苯甲酮系、苯并三唑系、取代丙烯腈系、三嗪系的紫外線吸收劑。

於本發明中，各種紫外線吸收劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

於組成物中含有紫外線吸收劑的情形時，相對於組成物總固體成分，紫外線吸收劑的含量較佳為0.001質量%~5質量%，更佳為0.01質量%~3質量%。

紫外線吸收劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

(溶劑)

本發明的組成物中亦可含有溶劑。該溶劑可使用各種有機溶劑而構成。

有機溶劑例如有丙酮、甲基乙基酮、環己烷、環戊酮、乙酸乙酯、二氯化乙烯、四氫呋喃、甲苯、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙醯丙酮、環己酮、二丙酮醇、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇乙醚乙酸酯、乙二醇單異丙醚、乙二醇單丁醚乙酸酯、3-甲氧基丙醇、甲氧基甲氧基乙醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、3-甲氧基丙基乙酸酯、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、γ-丁內酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯等。

該些有機溶劑可單獨使用或混合使用。

於組成物中含有溶劑的情形時，組成物中的固體成分的濃度較佳為2質量%~60質量%。

溶劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

本發明的組成物(紅外線遮光組成物)亦可用作紅外線照相機的遮光材料。例如於具有微輻射熱測定計(microbolometer)作為檢測元件的紅外線照相機中，波長5.5μm~7.5μm的紅外線視大氣的狀況而有時成為圖像檢測的雜訊(noise)。為了抑制此種雜訊，可配置於微輻射熱測定計的檢測側而實現雜訊的抑制。再者，微輻射熱測定計為輻射熱測定計的一種。其利用具有大的溫度係數的氧化釩或非晶矽的微小的電阻值。對於表面積大的矽而 言，熱容量低，熱的分離變良好。將自特定的波長帶域放射的紅外線照射於氧化釩，其電阻發生變化。由視場內的溫度的變化引起輻射熱測定計的溫度發生變化，將該溫度變化轉換成電氣信號並以圖像的形式進行處理。本發明的組成物亦可代替氧化釩或非晶矽而使用。

再者，紅外線照相機可引用日本專利特開2009-85964(對應的WO94/00950)或日本專利特開2008-258973，併入至本說明書中。

<紅外線遮光層>

藉由使用含有所述成分的紅外線遮光組成物，而形成紅外線遮光層。換言之，紅外線遮光層相當於所述組成物的硬化物。

紅外線遮光層的形成方法並無特別限制，可列舉：將所述組成物塗佈於既定的基材上，視需要實施硬化處理的方法。

塗佈方法並無特別限制，可列舉：浸漬塗佈法、氣刀塗佈法、簾幕式塗佈法、輥塗法、線棒塗佈法、凹版塗佈法、模塗法等。

再者，塗佈後，視需要亦可實施加熱乾燥處理以去除溶劑。 加熱乾燥處理的條件並無特別限制，就生產性的方面而言，較佳為於50℃~200℃(較佳為60℃~150℃)下實施30秒鐘~15分鐘(較佳為60秒鐘~5分鐘)加熱處理。

硬化處理的方法並無特別限制，根據組成物所含的成分來選擇最適的方法。硬化處理主要是實施曝光處理或加熱處理。

尤其於組成物中含有聚合性單體、且以圖案狀形成紅外線遮 光層的情形時，亦可於實施曝光處理後，實施將未曝光部分去除的顯影處理。

再者，顯影處理的方法並無特別限制，可列舉利用溶解未曝光部分的組成物的顯影液(溶液)進行處理的方法。

作為所述組成物的硬化物的紅外線遮光層的光學特性的第1態樣為波長1000nm下的透射率為60%以下(較佳為50%以下，更佳為40%以下。下限並無特別限制，為0%)，波長1100nm下的透射率為50%以下(較佳為30%以下，更佳為20%以下。下限並無特別限制，為0%)，且波長500nm下的透射率為80%以上(較佳為85%以上，更佳為90%以上。上限並無特別限制，為100%)。

關於所述透射率的測定方法，使用所述組成物於玻璃基板上製作紅外線遮光層，使用日立高新技術(Hitachi High-technology)製作的分光器UV4100，以入射角度0°來測定波長1000nm、波長1100nm、波長500nm的透射率。

再者，較佳為膜厚5μm的紅外線遮光層顯示出所述各波長的透射率。所謂膜厚5μm，是指平均膜厚為5μm。關於平均膜厚的測定方法，平均膜厚為對任意10處的紅外線遮光層的膜厚進行測定並將該等加以算術平均所得的值。再者，用以算出所述透射率的膜厚5μm是指包括於本發明所屬的技術範圍內可容許的誤差範圍，只要為膜厚5μm±0.2μm以下的範圍內(4.8μm~5.2μm)即可。

作為所述組成物的硬化物的紅外線遮光層的光學特性的第2態樣為波長1000nm的光密度(OD)為0.2以上(較佳為0.20以上，更佳為0.22以上，進而佳為0.25以上，尤佳為0.30以上。上限並無特別限制，大多情況下為0.7以下)，波長1100nm的光密度(OD)為0.3以上(較佳為0.30以上，更佳為0.32以上，進而佳為0.35以上，尤佳為0.40以上。上限並無特別限制，大多情況下為0.7以下)，且波長500nm的光密度(OD)為0.1以下(較佳為0.10以下，更佳為0.08以下。下限並無特別限制，為0)。

關於所述光密度(OD)的測定方法，於玻璃基板上製作紅外線遮光層，使用日立高新技術(Hitachi High-technology)製造的分光器UV4100，以入射角度0°來測定波長1000nm、波長1100nm、波長500nm的光密度。

再者，較佳為膜厚5μm的紅外線遮光層顯示出所述各波長的光密度。所謂膜厚5μm，是指平均膜厚為5μm。關於平均膜厚的測定方法，平均膜厚為對任意10處的紅外線遮光層的膜厚進行測定並將該等加以算術平均所得的值。再者，用以算出所述透射率的膜厚5μm是指包括於本發明所屬的技術範圍內可容許的誤差範圍，只要為膜厚5μm±0.2μm以下的範圍內即可。

紅外線遮光層可根據目的而適當選擇，較佳為設定為膜厚300μm以下，更佳為設定為200μm以下，進而佳為設定為100μm以下，尤佳為設定為50μm以下，尤其更佳為設定為10μm以下，最佳為設定為7μm以下。膜厚的下限例如較佳為0.1μm以 上，更佳為0.5μm以上，進而佳為1μm以上。

紅外線遮光層的膜厚並無特別限制，就應用於固體攝像元件的紅外線截止濾波器等的方面而言，較佳為2μm~6μm，更佳為3μm~5μm。

再者，所述膜厚是指平均膜厚，關於平均膜厚的測定方法，平均膜厚為對任意10處的紅外線遮光層的膜厚進行測定並將該等加以算術平均所得的值。

再者，於使用所述組成物的情形時，可提高無機微粒子的濃度，故可實現紅外線遮光層的薄膜化。尤其於使用分散樹脂或通式(1)所表示的高分子化合物作為分散劑的情形時，可容易地製造薄膜的紅外線遮光層。

另外，於使用所述組成物的情形時，能以良好地精度來形成圖案狀的紅外線遮光層。即，解析性優異。尤其若使用所述樹脂或所述通式(1)所表示的高分子化合物作為分散劑，則效果更優異。

所述紅外線遮光層於波長700nm~1100nm的範圍內的透射率並無特別限制，較佳為20%以下，更佳為10%以下。下限並無特別限制，可列舉0%。

所述紅外線遮光層於波長800nm~900nm的範圍內的透射率並無特別限制，較佳為10%以下，更佳為5%以下。下限並無特別限制，可列舉0%。

藉由將所述紅外線遮光層配置於藍玻璃基板上，可用作 紅外線截止濾波器。藉由將藍玻璃基板與所述紅外線遮光層組合，本發明的效果更優異。

所使用的藍玻璃基板例如可列舉氟磷酸玻璃等。

藍玻璃基板的厚度並無特別限制，就玻璃的強度及紅外範圍內的吸收的方面而言，較佳為50μm~2000μm，更佳為100μm~1000μm。

配置於藍玻璃基板上的紅外線遮光層的態樣如上所述。

再者，紅外線截止濾波器的較佳態樣可列舉具有藍玻璃基板及以下紅外線遮光層的紅外線截止濾波器，所述紅外線遮光層是配置於藍玻璃基板上，含有無機微粒子及分散劑，波長1000nm的透射率為60%以下，波長1100nm的透射率為50%以下，且波長500nm的透射率為80%以上。紅外線遮光層的各波長的透射率的較佳範圍與所述光學特性的第1態樣中所示的各波長的透射率的較佳範圍為相同含意。

另外，紅外線截止濾波器的其他較佳態樣可列舉具有藍玻璃基板及以下紅外線遮光層的紅外線截止濾波器，所述紅外線遮光層含有無機微粒子及分散劑，波長1000nm的光密度(OD)為0.2以上，波長1100nm的光密度(OD)為0.3以上，且波長500nm的光密度(OD)為0.1以下。紅外線遮光層的各波長的透射率的較佳範圍與所述光學特性的第2態樣中所示的各波長的透射率的較佳範圍為相同含意。

再者，所述紅外線遮光層中，較佳為含有氧化銦錫粒子或氧 化銻錫粒子。

再者，紅外線遮光層亦可為藉由蒸鍍而形成的紅外線遮光層。

再者，上文中對在藍玻璃上配置有紅外線遮光層的紅外線截止濾波器進行了詳述，但不限定於該態樣，亦可使用藍玻璃以外的支撐體(例如樹脂基材)。

另外，紅外線截止濾波器亦可更具有近紅外線反射膜。更具體而言，所述紅外線遮光層亦可配置於各種基材上，例如亦可為具備玻璃基板及配置於玻璃基板上的近紅外線反射膜的基材。另外，亦可於紅外線遮光層上設置近紅外線反射膜。

玻璃基板的種類並無特別限制，可使用公知的玻璃基板(例如所述藍玻璃基板)。

近紅外線反射膜為具有反射近紅外線的能力的膜。此種近紅外線反射膜可使用：鋁蒸鍍膜、貴金屬薄膜、將高折射率材料層與低折射率材料層交替積層而成的介電質多層膜等。藉由使用近紅外線反射膜，可獲得能充分截止近紅外線的濾波器。

於本發明中，近紅外線反射膜可設置於玻璃基板的單面上，亦可設置於兩面上。於設置於單面上的情形時，製造成本或製造容易性優異，於設置於兩面上的情形時，具有高的強度而不易產生翹曲。

該些近紅外線反射膜中，可較佳地使用將高折射率材料層與低折射率材料層交替積層而成的介電質多層膜。

構成高折射率材料層的材料可使用折射率為1.7以上的材 料，選擇折射率的範圍通常為1.7~2.5的材料。該些材料例如可列舉：氧化鈦、氧化鋯、五氧化鉭、五氧化鈮、氧化鑭、氧化釔、氧化鋅、硫化鋅、或者是以氧化銦作為主成分且少量含有氧化鈦、氧化錫、氧化鈰等的材料等。

構成低折射率材料層的材料可使用折射率為1.6以下的材料，選擇折射率的範圍通常為1.2~1.6的材料。該些材料例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、氟化鑭、氟化鎂、六氟化鋁鈉等。

關於將高折射率材料層與低折射率材料層積層的方法，只要形成將該些材料層積層而成的介電質多層膜，則並無特別限制，例如可藉由以下方式獲得介電質多層膜：藉由化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)法、濺鍍法、真空蒸鍍法等，形成將高折射率材料層與低折射率材料層交替積層而成的介電質多層膜，利用黏接劑將其貼合於玻璃基板上；或於玻璃基板上直接藉由CVD法、濺鍍法、真空蒸鍍法等來形成將高折射率材料層與低折射率材料層交替積層而成的介電質多層膜。

關於該些高折射率材料層及低折射率材料層的各層的厚度，通常若將欲阻斷的紅外線波長設定為λ(nm)，則較佳為0.1λ~0.5λ的厚度。若厚度在所述範圍外，則折射率(n)與膜厚(d)之積(n×d)與由λ/4所算出的光學膜厚大不相同，反射、折射的光學特性的關係破壞，有無法控制特定波長的阻斷、透射的傾向。

另外，介電質多層膜的積層數理想的是5層~50層，較佳為10層~40層。

如上所述，亦可將紅外線遮光層與含有所述銅化合物的層(以下亦簡稱為「含銅的層」)組合使用。即，包含紅外線遮光層、與含有銅化合物的層的多層紅外線遮光層可作為本發明的態樣之一而列舉。

另外，含有銅化合物的層亦可含有於所述紅外線截止濾波器中。更具體而言，可列舉具有所述藍玻璃(或支撐體)、所述紅外線遮光層及所述含銅的層的紅外線截止濾波器。銅化合物的定義如上所述。

紅外線遮光層與含銅的層較佳為鄰接而配置。

含銅的層中的銅化合物的含量並無特別限制，相對於含銅的層總質量，較佳為10質量%以上，更佳為20質量%以上，進而佳為25質量%以上，尤佳為30質量%以上。另外，較佳為85質量%以下，更佳為80質量%以下，進而佳為70質量%以下。

含銅的層中，亦可含有銅化合物以外的其他成分(例如紅外線遮光層中說明的黏合劑聚合物等)。

於多層紅外線遮光層中，含有無機微粒子的紅外線遮光層的厚度較佳為10μm以下，更佳為7μm以下。下限並無特別限制，通常大多情況下為0.1μm以上，較佳為1μm以上。另外，於多層紅外線遮光層中，含銅的層的厚度較佳為250μm以下，更佳為200μm以下。下限並無特別限制，通常大多情況下為1μm以上，較佳為10μm以上。

再者，所述紅外線遮光層及所述含銅的層的厚度為平均厚 度，關於平均膜厚的測定方法，平均膜厚為對任意10處的紅外線遮光層或含銅的層的膜厚進行測定並將該等加以算術平均所得的值。

由本發明的組成物所形成的紅外線遮光層可應用於各種用途。例如可用於具有吸收或截止紅外線的功能的透鏡(數位照相機或行動電話或車載照相機等照相機用透鏡，f-θ透鏡、拾取透鏡等光學透鏡)及半導體受光元件用的光學濾波器、節能用的阻斷熱線的紅外線吸收膜或紅外線吸收板、以選擇性地利用太陽光為目的之農業用塗劑、利用紅外線的吸收熱的記錄媒體、電子設備用或照片用紅外線濾波器、護目鏡、太陽鏡、熱線阻斷膜、光學文字讀取記錄、機密文檔防影印用、電子照片感光體、雷射焊接等。另外，亦作為CCD照相機用雜訊截止濾波器、CMOS影像感測器用濾波器而有用。

另外，本發明亦是有關於一種紅外線截止濾波器的製造方法，包括於固體攝像元件的受光側將本發明的組成物以層狀應用於基板上的步驟、及進行乾燥的步驟。關於膜厚、積層結構等，可根據目的而適當選擇。

基板可為包含玻璃等的透明基板，亦可為固體攝像元件基板，亦可為設置於固體攝像元件基板的受光側的其他基板(例如後述玻璃基板30)，亦可為設置於固體攝像元件基板的受光側的平坦化層等層。

乾燥條件亦視各成分、溶劑的種類、使用比例等而不同，通 常於60℃~200℃的溫度下乾燥30秒鐘~15分鐘左右。

使用本發明的組成物來形成紅外線截止濾波器的方法亦可包括其他步驟。其他步驟並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉：基材的表面處理步驟、前加熱步驟(預烘烤步驟)、硬化處理步驟、後加熱步驟(後烘烤步驟)等。

另外，本發明亦是有關於一種照相機模組，其具有固體攝像元件及紅外線截止濾波器。該照相機模組中，紅外線截止濾波器為所述本發明的紅外線截止濾波器。

以下，一面參照圖1及圖2，一面對本發明的實施形態的照相機模組加以說明，但本發明不受以下的具體例的限定。

再者，於圖1及圖2中，對共同的部分標註共同的符號。

圖1為表示具備固體攝像元件的照相機模組的構成的概略剖面圖。

圖1所示的照相機模組200經由作為連接構件的焊料球60而連接於作為安裝基板的電路基板70。

詳細而言，照相機模組200是具備以下構件而構成：於矽基板的第1主面上具備攝像元件部的固體攝像元件100、設置於固體攝像元件100的第1主面側(受光側)的平坦化層(圖1中未圖示)、設置於平坦化層上的紅外線截止濾波器42、配置於紅外線截止濾波器42的上方且於內部空間中具有攝像鏡頭40的鏡頭支架50、及以包圍固體攝像元件100及玻璃基板30的周圍的方式配置的遮光兼電磁屏蔽罩44。再者，亦可於紅外線截止濾波器42 上設置玻璃基板30(光透射性基板)。各構件是藉由黏接劑45而黏接。

本發明亦是有關於一種照相機模組的製造方法，其製造具有固體攝像元件100、及配置於固體攝像元件的受光側的紅外線截止濾波器42的照相機模組，並且所述照相機模組的製造方法為以下步驟：於固體攝像元件的受光側應用所述本發明的組成物，藉此形成紅外線遮光層。於本實施形態的照相機模組中，例如於平坦化層上塗佈本發明的硬化性組成物，藉此形成膜，而可形成紅外線截止濾波器42。塗佈紅外線截止濾波器的方法如上所述。

照相機模組200中，來自外部的入射光hν依序透過攝像鏡頭40、玻璃基板30、紅外線截止濾波器42、平坦化層後，到達固體攝像元件100的攝像元件部。

照相機模組200於平坦化層上直接設置紅外線截止濾波器42，亦可省略平坦化層而於微透鏡上直接設置紅外線截止濾波器42，亦可於玻璃基板30上設置紅外線截止濾波器42，或亦可貼合設有紅外線截止濾波器42的玻璃基板30。

圖2為放大圖1中的固體攝像元件100的剖面圖。

固體攝像元件100於作為基體的矽基板10的第1主面上，依序具備光二極體(Photodiode，PD)12、層間絕緣膜13、基質層14、彩色濾光片15、外塗層16及微透鏡17。以與光二極體(PD)12相對應的方式，分別配置有紅色的彩色濾光片15R、綠色的彩色濾光片15G、藍色的彩色濾光片15B(以下有時將該等統稱為「彩 色濾光片15」)或微透鏡17。於矽基板10的與第1主面為相反側的第2主面上，具備遮光膜18、絕緣膜22、金屬電極23、阻焊層24、內部電極26及元件表面電極27。各構件是藉由黏接劑20而黏接。

於微透鏡17上具備平坦化層46、紅外線截止濾波器42。亦可為代替於平坦化層46上設置紅外線截止濾波器42，而於微透鏡17之上、基質層14與彩色濾光片15之間、或彩色濾光片15與外塗層16之間設有紅外線截止濾波器的形態。尤佳為設置於距微透鏡17表面2mm以內(更佳為1mm以內)的位置。若設置於該位置，則可簡化形成紅外線截止濾波器的步驟，可充分截止對微透鏡而言不需要的紅外線，故可進一步提高紅外線阻斷性。

關於固體攝像元件100，可參考日本專利特開2012-068418號公報的段落0245(對應的美國專利申請公開第2012/068292號說明書的[0407])以後的固體攝像元件100的說明，將該些內容併入至本申請案說明書中。

以上，一面參照圖1及圖2一面對照相機模組的一實施形態進行了說明，但一實施形態不限於圖1及圖2的形態。

圖3為表示本發明的其他實施形態的具有紅外線截止濾波器的照相機模組的構成的概略剖面圖。

照相機模組310例如具備固體攝像元件基板311、設置於固體攝像元件基板311的主面側(受光側)的平坦化層312、紅外線截止濾波器313、及配置於紅外線截止濾波器313的上方且於內部空 間中具有攝像鏡頭314的鏡頭支架315。

於照相機模組310中，來自外部的入射光hν依序透過攝像鏡頭314、紅外線截止濾波器313及平坦化層312後，到達固體攝像元件基板311的攝像元件部。

固體攝像元件基板311例如於作為基體的矽基板的主面上依序具備攝像元件316、層間絕緣膜(未圖示)、基質層(未圖示)、彩色濾光片317、外塗層(未圖示)、微透鏡318。彩色濾光片317(紅色的彩色濾光片、綠色的彩色濾光片、藍色的彩色濾光片)或微透鏡318是以與攝像元件316相對應的方式分別配置。

另外，亦可為代替於平坦化層312的表面上設置紅外線截止濾波器313，而於微透鏡318的表面、基質層與彩色濾光片317之間、或彩色濾光片317與外塗層之間設有紅外線截止濾波器313的形態。例如，紅外線截止濾波器313亦可設置於距微透鏡表面2mm以內(更佳為1mm以內)的位置。若設置於該位置，則可簡化形成紅外線截止濾波器的步驟，可充分截止對微透鏡而言不需要的紅外線，故可進一步提高紅外線阻斷性。

本發明的紅外線截止濾波器可供於回焊步驟。藉由利用回焊步驟來製造照相機模組，可實現必須進行焊錫的電子零件安裝基板等的自動安裝化，與不使用回焊步驟的情形相比較，可格外提高生產性。進而，因可自動地進行，故亦可實現低成本化。於供於回焊步驟的情形時，因會暴露於250℃~270℃左右的溫度下，故紅外線截止濾波器較佳為具有可耐受回焊步驟的耐熱性(以下 亦稱為「耐回焊性」)。

於本說明書中，所謂「具有耐回焊性」，是指於200℃下進行10分鐘加熱的前後保持作為紅外線截止濾波器的特性。更佳為於在230℃下進行10分鐘加熱的前後保持特性。進而佳為於在250℃下進行3分鐘加熱的前後保持特性。於不具有耐回焊性的情形時，於在所述條件下保持的情況下，有時紅外線截止濾波器的紅外線吸收能力降低，或作為膜的功能變得不充分。

另外，本發明亦是有關於一種照相機模組的製造方法，其包括回流(reflow)處理。本發明的紅外線截止濾波器即便具有回流步驟，亦維持近紅外線吸收能力，故不會損及經小型輕量、高性能化的照相機模組的特性。

圖4~圖6為表示照相機模組中的紅外線截止濾波器周邊部分的一例的概略剖面圖。

如圖4所示，照相機模組亦可依序具有固體攝像元件基板311、平坦化層312、紫外．紅外光反射膜319、透明基材320、近紅外線吸收層321及抗反射層322。

紫外．紅外光反射膜319具有賦予或提高紅外線截止濾波器的功能的效果，例如可參考日本專利特開2013-68688號公報的段落0033~段落0039，將其內容併入至本申請案說明書中。

透明基材320透射可見範圍的波長的光，例如可參考日本專利特開2013-68688號公報的段落0026~段落0032，將其內容併入至本申請案說明書中。

紅外線吸收層321可藉由塗佈所述本發明的紅外線吸收性組成物而形成。

抗反射層322具有藉由防止入射至紅外線截止濾波器中的光的反射而提高透射率、高效地利用入射光的功能，例如可參考日本專利特開2013-68688號公報的段落0040，將其內容併入至本申請案說明書中。

如圖5所示，照相機模組亦可依序具有固體攝像元件基板311、紅外線吸收層321、抗反射層322、平坦化層312、抗反射層322、透明基材320及紫外．紅外光反射膜319。

如圖6所示，照相機模組亦可依序具有固體攝像元件基板311、近紅外線吸收層321、紫外．紅外光反射膜319、平坦化層312、抗反射層322、透明基材320及抗反射層322。

[實施例]

以下列舉本發明的實施例來對本發明加以更具體說明。再者，以下的實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等只要不偏離本發明的主旨，則可適當變更。因此，本發明的範圍不應受到以下所示的具體例的限定性解釋。

<實施例1>

(ITO分散液的製備)

將摻錫的氧化銦粉末(氧化銦錫粒子)(三菱材料(股)製造，P4-ITO)28.1質量份、下述分散劑a(固體成分為30%，溶劑：丙二醇單甲醚)18.8質量份及溶劑(環己酮)28.1質量份預先混合 後，使用作為循環式分散裝置(珠磨機)的壽工業股份有限公司製造的超級愛貝施磨機(Ultra Apex Mill)，如以下般進行分散處理，獲得ITO分散液。另外，分散裝置是於以下的條件下運轉。

．珠徑： 0.05mm

．珠填充率：75vol%

．圓周速度：10m/s

．泵供給量：10kg/h

．冷卻水：自來水

．珠磨機環狀通路內容積：0.15L

．進行分散處理的混合液量：0.7kg

進行15分鐘分散處理，測定所得的ITO粒子的90%粒徑(D90)及50%粒徑(D50)，結果分別為0.10μm及0.08μm。再者，90%粒徑(D90)及50%粒徑(D50)是使用雷射繞射散射粒度分佈裝置(日機裝股份有限公司製造的麥奇克(Microtrac)UPA-EX150)來測定。

所述式中，n為14，分散劑a的聚苯乙烯換算的重量平均分子量為6400，酸值為80mgKOH/g。分散劑a是依據日本專 利特開2007-277514號公報的段落0114~段落0140及段落0266~段落0348中記載的合成方法來合成。

使用所得的ITO分散液將下述組成混合，製備紅外線遮光組成物。

ITO分散液 71.0質量份

黏合劑聚合物(ACA230AA，大賽璐氰特(Daicel-Cytec)(股)，固體成分為55%，溶劑：丙二醇單甲醚) 16.8質量份

光聚合起始劑：豔佳固(Irgacure)907(日本巴斯夫(BASF Japan)公司製造) 2.8質量份

聚合性化合物：亞羅尼斯(Aronix)M-510(TO-756)(商品名：東亞合成(股)製造：四官能聚合性化合物) 9.4質量份

矽烷偶合劑KBM-602(信越矽酮製造) 0.11質量份

界面活性劑：美佳法(Megafac)F-780(迪愛生(DIC)股份有限公司製造) 0.11質量份

<塗膜的製作>

利用旋塗法將實施例1中製作的紅外線遮光組成物塗佈於藍玻璃基板上，其後於熱板上於100℃下加熱2分鐘，藉此獲得塗佈層。

對所得的塗佈層使用i射線步進機或對準器(aligner)以1000mJ/cm²的曝光量進行曝光，對曝光後的塗佈層進一步於熱板上於200℃下進行10分鐘硬化處理，獲得膜厚為5.0μm的紅外線遮光層。

<實施例2>

將(ITO分散液的製備)中的分散處理由15分鐘變更為30分鐘，除此以外，依照與實施例1相同的順序獲得膜厚為5.0μm的紅外線遮光層。

再者，ITO分散液中的ITO粒子的90%粒徑(D90)及50%粒徑(D50)分別為0.08μm及0.06μm。

<實施例3>

將(ITO分散液的製備)中的分散處理由15分鐘變更為60分鐘，除此以外，依照與實施例1相同的順序獲得膜厚為5.0μm的紅外線遮光層。

再者，ITO分散液中的ITO粒子的90%粒徑(D90)及50%粒徑(D50)分別為0.08μm及0.05μm。

<實施例4>

將(ITO分散液的製備)中的分散處理由15分鐘變更為180分鐘，除此以外，依照與實施例1相同的順序獲得膜厚為5.0μm的紅外線遮光層。

再者，ITO分散液中的ITO粒子的90%粒徑(D90)及50%粒徑(D50)分別為0.05μm及0.03μm。

<比較例1>

將(ITO分散液的製備)中的分散處理由60分鐘變更為300分鐘，除此以外，依照與實施例1相同的順序獲得膜厚為5.0μm的紅外線遮光層。

再者，ITO分散液中的ITO粒子的90%粒徑(D90)及50%粒徑(D50)分別為0.04μm及0.02μm。

<比較例2>

除了不實施利用循環式分散裝置(珠磨機)的分散處理以外，依照與實施例1相同的順序獲得膜厚為5.0μm的紅外線遮光層。

再者，ITO分散液中的ITO粒子的90%粒徑(D90)及50%粒徑(D50)分別為0.20μm及0.18μm。

<分光評價>

藉由日立高新技術(Hitachi High-technology)製造的分光器UV4100，對上文中所製作的紅外線遮光層以400nm~1200nm的入射角度0°評價透射率，按照以下基準進行評價。再者，以下所謂可見範圍，是指波長500nm~700nm的範圍。

「A」：可見範圍的透明性高(可見範圍的OD為0.1以下)，且未產生閃光(flare)等而畫質未降低

「B」：可見範圍的透明性高(可見範圍的OD為0.1以下)，但產生閃光等而畫質降低

「C」：可見範圍的透明性低(可見範圍的OD超過0.1)，且產生閃光等而畫質降低

所述表1中，透射率(%)及光密度(OD)(膜厚5μm)表示紅外線遮光層的膜厚(平均膜厚)為5μm時的各波長的透射率(%)。

如表1所示，可確認滿足既定要件的實施例1~實施例4的紅外線遮光層可獲得所需的效果。

另外，進而於實施例1的紅外線遮光層上，於蒸鍍溫度200℃下，形成將二氧化矽(SiO₂：膜厚20nm~250nm)層與氧化鈦(TiO₂：膜厚70nm~130nm)層交替積層而成的層(積層數為44)作為將近紅外線反射的介電質多層膜。

<實施例5> (銅化合物1的合成例)

將下述磺基鄰苯二甲酸53.1%水溶液(13.49g，29.1mmol)溶解於甲醇50mL中，將該溶液升溫至50℃後，添加氫氧化銅(2.84g，29.1mmol)並於50℃下反應2小時。反應結束後，利用蒸發 器將溶劑及所產生的水蒸餾去除，由此獲得銅化合物1(8.57g)。

(磺酸聚合物銅化合物1的合成例)

將聚醚碸(巴斯夫(BASF)公司製造，Ultrason E6020P)5.0g溶解於硫酸46g中，於氮氣流下於室溫下滴加氯磺酸16.83g。於室溫下反應48小時後，於經冰水冷卻的己烷/乙酸乙酯(1/1)混合液1L中滴加反應液。去除上清液，將所得的沈澱物溶解於甲醇中。將所得的溶液滴加至乙酸乙酯0.5L中，藉由過濾來回收所得的沈澱物。將所得的固體減壓乾燥，由此獲得下述聚合物A-1 4.9g。藉由中和滴定所算出的聚合物中的磺酸基含量為3.0(meq/g)，重量平均分子量(Mw)為53,000。

相對於聚合物A-1的20%水溶液20g，添加氫氧化銅556mg，於室溫下攪拌3小時，使氫氧化銅溶解。藉由以上操作而獲得磺酸聚合物銅化合物1的水溶液。

於實施例1中所得的紅外線遮光組成物(3.2質量份) 中，添加所述銅化合物1(72.6質量份)及所述磺酸聚合物銅化合物1的水溶液(24.2質量份)。藉由滴鑄(滴加法)將所得的紅外線遮光組成物塗佈形成於玻璃基板上，於熱板上階段性地於60℃下加熱10分鐘，於80℃下加熱10分鐘，於100℃下加熱10分鐘，於120℃下加熱10分鐘，於140℃下加熱10分鐘，獲得膜厚155μm的紅外線遮光層，實施所述<分光評價>。將結果示於以下表2中。

再者，上文所得的紅外線遮光層於波長500nm~600nm的範圍內的透射率為85%以上，於波長700nm~1100nm的範圍內的透射率為20%以下，於波長800nm~900nm的範圍內的透射率為10%以下。

再者，即便於將銅化合物1變更為下述具有磺酸化合物作為配位體的銅錯合物(17種)的情形時，亦可與實施例5同樣地獲得優異的效果。

[化44]

於實施例5中製備的紅外線遮光組成物中，進而添加聚合性化合物5質量份。聚合性化合物是使用以下的化合物。卡亞拉得(KAYARAD)D-330、卡亞拉得(KAYARAD)D-320、卡亞拉得(KAYARAD)D-310、卡亞拉得(KAYARAD)DPHA、卡亞拉得(KAYARAD)DPCA-20、卡亞拉得(KAYARAD)DPCA-30、卡亞拉得(KAYARAD)DPCA-60、卡亞拉得(KAYARAD)DPCA-120(以上為日本化藥股份有限公司製造)，M-305、M-510、M-520、M-460(東亞合成製造)，A-TMMT(新中村化學製造)，SR-494(沙多瑪(Sartomer)公司製造)，代那考爾(Denacol)EX-212L (長瀨化成(Nagase Chemtex)(股)製造)，或JER-157S65(三菱化學(股)製造)。於該些情形時，亦可與實施例5的紅外線遮光層同樣地獲得優異的效果。

於實施例5中製備的紅外線遮光組成物中，即便於將美佳法(Megafac)F-780變更為美佳法(Megafac)F171(迪愛生(DIC)(股)製造)、蘇菲諾(Surfinol)61(日信化學(股)製造)或東麗矽酮(Toray Silicone)SF8410(東麗道康寧(Toray-Dow corning)(股)製造)的情形時，亦可與實施例5的紅外線遮光層同樣地獲得優異的效果。

<實施例6>

將下述化合物混合而製備含銅的層形成用組成物。

溶劑(水)組成物中的總固體成分濃度成為20質量%的量

黏合劑A：下述化合物(Mw：24,000)

利用旋塗法將實施例1中製作的紅外線遮光組成物塗佈 於藍玻璃基板上，其後於熱板上於100℃下加熱2分鐘，由此獲得塗佈層。

對所得的塗佈層使用i射線步進機或對準器，以1000mJ/cm²的曝光量進行曝光，對於曝光後的塗佈層，進一步於熱板上於200℃下進行10分鐘硬化處理，獲得膜厚5.0μm的紅外線遮光層。

繼而，藉由滴鑄(滴加法)將含銅的層形成用組成物塗佈形成於所述紅外線遮光層上，於熱板上階段性地於60℃下加熱10分鐘，於80℃下加熱10分鐘，於100℃下加熱10分鐘，於120℃下加熱10分鐘，於140℃下加熱10分鐘，獲得膜厚150μm的含銅的層。於所得的紅外線截止濾波器中，包含將紅外線遮光層與含銅的層積層而成的多層紅外線遮光層。再者，將所得的多層紅外線遮光層的透射光譜圖示於圖7中。

對於所得的紅外線截止濾波器而言，可於700nm~1100nm的範圍內進一步提高遮光性。

再者，於將含銅的層的厚度變更為100μm或200μm的情形時，可獲得與所述實施例6相同的效果。

進而，於將紅外線遮光層的厚度變更為3μm、4μm、7μm或8μm的情形時，可獲得與所述實施例6相同的效果。

Claims (18)

1. 一種紅外線遮光組成物，含有無機微粒子及分散劑，並且由所述紅外線遮光組成物所形成的紅外線遮光層的波長1000nm的透射率為60%以下，波長1100nm的透射率為30%以下，且波長500nm的透射率為80%以上，其中分散於所述紅外線遮光組成物中的所述無機微粒子的90%粒徑(D90)為0.05μm~0.1μm，分散於所述紅外線遮光組成物中的所述無機微粒子的50%粒徑(D50)為0.03μm~0.08μm，相對於總固體成分，所述無機微粒子的含量為40質量%以上。
2. 一種吸收型的紅外線遮光組成物，含有無機微粒子及分散劑，並且由所述紅外線遮光組成物所形成的紅外線遮光層的波長1000nm的光密度(OD)為0.2以上，波長1100nm的光密度(OD)為0.35以上，且波長500nm的光密度(OD)為0.1以下，其中分散於所述紅外線遮光組成物中的所述無機微粒子的90%粒徑(D90)為0.05μm~0.1μm，分散於所述紅外線遮光組成物中的所述無機微粒子的50%粒徑(D50)為0.03μm~0.08μm，相對於總固體成分，所述無機微粒子的含量為40質量%以上。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的紅外線遮光組成物，更含有銅化合物。
4. 如申請專利範圍第3項所述的紅外線遮光組成物，其中所述銅化合物含有選自磺酸銅錯合物、羧酸銅錯合物及含磷的銅錯合物中的至少一種。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的紅外線遮光組成物，其中所述無機微粒子含有選自由金屬氧化物粒子及金屬粒子所組成的組群中的至少一種。
6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的紅外線遮光組成物，其中所述無機微粒子含有選自由氧化銦錫粒子及氧化銻錫粒子所組成的組群中的至少一種。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的紅外線遮光組成物，其中所述分散劑含有重量平均分子量為20,000以下的下述通式(1)所表示的高分子化合物或以下樹脂，所述樹脂含有具有基團X的重複單元及位於側鏈上的原子數為40~20,000的寡聚物鏈或聚合物鏈Y，且含有鹼性氮原子，其中所述基團X含有pKa為14以下的官能基； (通式(1)中，R¹表示(m+n)價的連結基；R²表示單鍵或二價連結基；A¹表示具有至少一種選自由酸基、脲基、胺基甲酸酯基、含配位性氧原子的基團、含鹼性氮原子的基團、酚基、烷 基、芳基、含伸烷氧基鏈的基團、醯亞胺基、烷氧基羰基、烷基胺基羰基、羧酸鹽基、磺醯胺基、雜環基、烷氧基矽烷基、環氧基、異氰酸酯基及羥基所組成的組群中的基團的一價取代基；n個A¹及R²可分別相同亦可不同；m表示8以下的正數，n表示1~9，m+n滿足3~10；P¹表示聚合物鏈；m個P¹可相同亦可不同)。
8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的紅外線遮光組成物，更含有選自由聚合起始劑、聚合性單體及黏合劑聚合物所組成的組群中的至少一種。
9. 如申請專利範圍第1項所述的紅外線遮光組成物，其為吸收型的紅外線遮光組成物。
10. 如申請專利範圍第1項所述的紅外線遮光組成物，其中由所述紅外線遮光組成物所形成的紅外線遮光層於波長700nm~1100nm的範圍內的透射率為20%以下。
11. 如申請專利範圍第1項所述的紅外線遮光組成物，其中由所述紅外線遮光組成物所形成的紅外線遮光層於波長800nm~900nm的範圍內的透射率為10%以下。
12. 一種紅外線遮光層，其是由如申請專利範圍第1項或第2項所述的紅外線遮光組成物所形成。
13. 如申請專利範圍第12項所述的紅外線遮光層，其膜厚為200μm以下。
14. 一種紅外線截止濾波器，具有藍玻璃基板及紅外線遮光 層，所述紅外線遮光層是配置於所述藍玻璃基板上，含有無機微粒子及分散劑，波長1000nm的透射率為60%以下，波長1100nm的透射率為50%以下，且波長500nm的透射率為80%以上，其中有別於所述紅外線遮光層而更具有含有銅化合物的層，所述銅化合物含有選自磺酸銅錯合物、羧酸銅錯合物及含磷的銅錯合物中的至少一種。
15. 一種紅外線截止濾波器，具有藍玻璃基板及紅外線遮光層，所述紅外線遮光層是配置於所述藍玻璃基板上，含有無機微粒子及分散劑，波長1000nm的光密度(OD)為0.2以上，波長1100nm的光密度(OD)為0.3以上，且波長500nm的光密度(OD)為0.1以下，其中有別於所述紅外線遮光層而更具有含有銅化合物的層，所述銅化合物含有選自磺酸銅錯合物、羧酸銅錯合物及含磷的銅錯合物中的至少一種。
16. 一種紅外線截止濾波器，具有支撐體及紅外線遮光層，所述紅外線遮光層是配置於所述支撐體上，含有無機微粒子及分散劑，波長1000nm的光密度(OD)為0.2以上，波長1100nm的光密度(OD)為0.3以上，且波長500nm的光密度(OD)為0.1以下，其中有別於所述紅外線遮光層而更具有含有銅化合物的層，所述銅化合物含有選自磺酸銅錯合物、羧酸銅錯合物及含磷的銅錯合物中的至少一種。
17. 如申請專利範圍第14項至第16項中任一項所述的紅外線截止濾波器，其中所述紅外線遮光層的膜厚為2μm~6μm。
18. 一種照相機模組，具有固體攝像元件及如申請專利範圍第14項至第17項中任一項所述的紅外線截止濾波器。