TWI631344B - Probe device - Google Patents

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TWI631344B
TWI631344B TW103122664A TW103122664A TWI631344B TW I631344 B TWI631344 B TW I631344B TW 103122664 A TW103122664 A TW 103122664A TW 103122664 A TW103122664 A TW 103122664A TW I631344 B TWI631344 B TW I631344B
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Abstract

在以晶圓等級進行半導體元件之電性特性檢查時，可簡便且有效率地防止光花(放電)在晶圓表面附近發生。
在該探針裝置中，火花防止機構(50)，係具有：環繞構件(52)，在探針卡(16)與載置台(12)之間，包圍探針(26S、26G)之周圍；及氣體供給機構(54)，於半導體晶圓(W)上對各晶片(功率元件)進行電性特性之檢查時，以在探針(26S、26G)之周圍形成高於大氣壓之預定壓力之環境的方式，經由環繞構件(52)之內部或附近，對探針(26S、26G)之周圍供給氣體。接觸板(34)，係兼作為環繞構件(52)。

Description

探針裝置
本發明，係關於用於以晶圓等級進行半導體元件之電性特性檢查的探針裝置。
半導體元件之製造程序，係在前工程或後工程的最後，藉由半導體試驗裝置來檢查半導體元件之基本的電性特性，判定晶片之良否。在像這樣的半導體試驗裝置中，探針裝置，係具有在以晶圓狀態或晶圓等級進行檢查時，連接半導體晶圓上之各晶片與測試器之處理裝置的功能，該測試器係執行信號處理之一切。通常，探針裝置，係具備有：可動之載置台(吸盤頂)，載置半導體晶圓而予以支撐；探針卡，使探針接觸於各晶片之電極來取得與測試器的電性導通；及移動機構，為了使檢查對象之晶片對固定於固定位置的探針卡或探針進行對位，而使載置台移動。
可是，像功率MOS-FET或IGBT這樣的電力用之半導體元件即所謂的功率元件，係因應用途而進行操作之電壓(耐壓或額定電壓)大為不同，家用電器雖為 100V或200V，但汽車或產業用機器相當高為600V~1000V，而鐵道車輛或輸〔電和〕配電系統亦可能達到數1000V以上。
因此，在半導體試驗裝置中，以晶圓等級進行功率元件之電性特性檢查的情況下，係從測試器經由探針，對在晶圓上作為檢查對象之各個晶片(功率元件)上的端子施加因應用途之電壓。不過，當檢查時之施加電壓較高時，在晶圓表面附近會發生光花(放電)，從而有破壞附近之晶片(功率元件)的情形。相較於Si之功率元件，這將在SiC之功率元件上造成更顯著的問題。
近年來，SiC之功率元件，係期待成為小型化、高耐壓、低損耗之下個世代功率元件。但是，由於SiC之功率元件其晶片為小型，因此，在晶片上電極間狹窄，且在施加高電壓之探針與施加低電壓之探針之間或是在高電壓側之探針與附近之晶片上的電極之間，容易發生火花。又，難以在小型之晶片內製作保護電路之情事，亦成為不耐火花之原因之一。
對於該問題，已知一種耐壓檢查裝置(專利文獻1，2)，其係以具有高於大氣之絕緣性的液體來覆蓋半導體晶圓之表面全體，或是在晶圓上以像那樣的絕緣液來局部覆蓋被檢查晶片之表面，使探針接觸於被絕緣液覆蓋之被檢查晶片的電極而進行耐壓試驗。
在像這樣的耐壓檢查裝置中，由於探針之前端部係在絕緣液中與被檢查晶片之電極接觸，因此，從探 針不會發生光花，從而在施加數1000V以上之高電壓的試驗中亦可安全地予以進行。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2003-100819號公報
〔專利文獻2〕國際公開WO2010/021070
〔發明之揭示〕
然而，以絕緣液覆蓋半導體晶圓之表面全體的方式(專利文獻1)、在晶圓上以絕緣液來局部覆蓋被檢查晶片之表面的方式(專利文獻2)，亦僅有程度上的不同，當於實際之耐壓檢查裝置或探針裝置上進行具體實現化時，則在晶圓上會存在有處理絕緣液之機構或控制將變得繁雜並且檢查時間變長之缺點。
本發明，係用以解決如上述般之習知技術的問題點者，係提供一種探針裝置，其係在以晶圓等級進行半導體元件之電性特性檢查時，可簡便且有效率地防止光花(放電)在晶圓表面附近發生。
本發明之第1觀點中之探針裝置，係一種用 於檢查形成於半導體晶圓上之半導體元件之電性特性的探針裝置，其特徵係，具有：可移動之載置台，載置前述半導體晶圓而予以支撐；探針卡，與前述載置台彼此相對且配置於其上方，而利用其前端來支撐可與被支撐於前述載置台之前述半導體晶圓上之電極接觸的探針；環繞構件，在前述探針卡與前述載置台之間，包圍前述探針的周圍；及氣體供給機構，為了在進行前述半導體元件之電性特性之檢查時，於前述探針之周圍形成比大氣壓高之預定壓力的環境，而經由前述環繞構件之內部或附近，對前述探針之周圍供給氣體。
在上述第1觀點中，係對半導體晶圓上之半導體元件進行電性特性之檢查時，透過在探針之周圍形成比大氣壓高之預定壓力之環境的方式，基於帕申法則，可防止半導體晶圓之表面上的火花。為了防止火花，從在半導體晶圓上處理氣體之環境的方式來看，構成及控制將變得簡單，且檢查時間亦不會增加。
本發明之第2觀點中之探針裝置，係一種用於在形成於半導體晶圓上的兩面檢查具有電極之功率元件之電性特性的探針裝置，其特徵係，具有：可移動之載置台，載置前述半導體晶圓而予以支撐；探針卡，與前述載置台彼此相對且配置於其上方，而利用其前端來支撐可與露出於支撐在前述載置台之前述半導體晶圓之表面之前述功率元件之表側電極接觸的探針；第1連接導體，電性連接前述探針與測試器之對應的第1端子；載置面導體，形 成前述載置台之載置面，且與露出於支撐在前述載置台之前述半導體晶圓之背面之前述功率元件的背面電極接觸；可升降移動之接觸件，安裝於前述載置台，並電性連接於前述載置面導體；導電性之接觸板，以利用其下面而可與前述接觸件接觸的方式，被配置於比前述探針卡更低的位置且前述載置台的上方，並包圍前述探針之周圍；第2連接導體，電性連接前述接觸板與前述測試器之對應的第2端子；及氣體供給機構，為了在進行前述功率元件之電性特性之檢查時，於前述探針之周圍形成比大氣壓高之預定壓力的環境，而經由前述環繞構件之內部或附近，對前述探針之周圍供給氣體。
在上述第2觀點，亦可達成與上述第1觀點相同之作用效果。另外，根據上述第2觀點，為了於半導體晶圓上且在接受電性特性之檢查的功率元件之背側電極與測試器之間確立電性導通狀態，而配置於探針卡與載置台之間的接觸板，係兼作為包圍探針之周圍從而形成環繞空間的環繞構件，因此，可進一步使火花防止機構之便利性及效率性提升。
根據本發明之探針裝置，藉由如上述之構成及作用，可在以晶圓等級進行半導體元件之電性特性檢查時，簡便且有效率地防止光花(放電)在晶圓表面附近發生。
12‧‧‧載置台
14‧‧‧移動平台
16‧‧‧探針卡
18‧‧‧探針卡固接裝置
20‧‧‧測試頭
22‧‧‧載置面導體
24G，24S，24D‧‧‧探針
25‧‧‧接觸板之開口
26G，26S，26D‧‧‧連接導體
32G，32S，32D‧‧‧測試頭之端子
34‧‧‧接觸板(環繞構件)
35‧‧‧環繞空間
38‧‧‧板體上面端子
40‧‧‧連接導體
44‧‧‧接觸件
50‧‧‧火花防止機構
52‧‧‧環繞構件
53‧‧‧O形環
54‧‧‧氣體供給機構
56‧‧‧氣體供給源
58‧‧‧氣體噴出口
60‧‧‧氣體供給管線
68‧‧‧板體流路
78‧‧‧氣體回收機構
90‧‧‧環狀突起部
98‧‧‧絕緣板(環繞構件)
102‧‧‧曲徑軸封
104‧‧‧隔板
106‧‧‧密封環
〔圖1〕表示本發明之第1實施形態中之探針裝置之構成的部分剖面正視圖。
〔圖2〕從斜下方觀看上述探針裝置之主要部分的立體圖。
〔圖3A〕表示載置台及接觸件位於中心之基準位置時的接觸板與接觸件之位置關係的大致平面圖。
〔圖3B〕表示載置台及接觸件在-X方向進行最大位移時之接觸板與接觸件之位置關係的大致平面圖。
〔圖3C〕表示載置台及接觸件在+X方向進行最大位移時之接觸板與接觸件之位置關係的大致平面圖。
〔圖3D〕表示載置台及接觸件在+Y方向進行最大位移時之接觸板與接觸件之位置關係的大致平面圖。
〔圖3E〕表示載置台及接觸件在-Y方向進行最大位移時之接觸板與接觸件之位置關係的大致平面圖。
〔圖4〕表示在全晶片檢查中，接觸件於接觸板上所接觸之區域的大致平面圖。
〔圖5A〕表示在一實施例中，設置於接觸板之板體流路之佈線之一例的圖。
〔圖5B〕表示上述板體流路之佈線之其他例子的圖。
〔圖6〕表示氣體供給機構具有複數個種類之氣體供 給源時之構成例的方塊圖。
〔圖7〕表示具備有第2實施例中之火花防止機構之探針裝置之構成的部分剖面正視圖。
〔圖8〕表示具備有第3實施例中之火花防止機構之探針裝置之構成的部分剖面正視圖。
〔圖9〕表示具備有第4實施例中之火花防止機構之探針裝置之構成的部分剖面正視圖。
〔圖10A〕表示在第4實施例中，接觸板之開口部與環狀突起部之位置關係的大致平面圖。
〔圖10B〕表示在第4實施例中，接觸板之開口部與環狀突起部之位置關係的大致平面圖。
〔圖11〕表示第2實施形態中之探針裝置之構成的剖面圖。
〔圖12A〕表示關於環繞構件之構成之一變形例的大致平面圖。
〔圖12B〕表示關於環繞構件之構成之其他變形例的大致平面圖。
〔圖13〕表示第3實施形態中之探針裝置之構成的剖面圖。
〔圖14〕表示組入有實施例中之火花防止機構之探針裝置之主要部分之構成的剖面圖。
〔圖15〕在圖14之探針裝置中，從下觀看接觸板的底視圖。
〔圖16〕在圖14之探針裝置中，從上觀看載置台及 半導體晶圓的上視圖。
〔圖17〕用於說明實施例中之密封環之作用的側視圖。
〔圖18〕用於說明實施例中之密封環之作用的上視圖。
以下，參閱附加圖面說明本發明之實施形態。
〔探針裝置全體之構成及作用〕
在圖1中，表示本發明之第1實施形態中之探針裝置的構成。在圖2中，表示在該探針裝置中從斜下方所觀看之主要部分的構成。
該探針裝置，係構成為：能將結束半導體製程之前工程的半導體晶圓W設成為被檢查體，且針對形成於該半導體晶圓W上，而在晶片之兩面亦即晶圓之兩面形成有電極之多數個功率元件(例如功率MOS-FET)，以晶圓等級進行每一晶片之電性特性(動態特性、靜態特性)的檢查。半導體晶圓W之種類雖不限定，但典型為SiC晶圓或Si晶圓。
該探針裝置，係被設置於測試器之本體(未圖示)的附近，在由殼體(未圖示)所區劃的探針室10中，將載置台(吸盤頂)12搭載於移動平台14，並且藉 由探針卡固接裝置18將探針卡16水平地支撐(固定)於載置台12之上方，形成為能夠在探針卡16及探針卡固接裝置18上，與測試器之測試頭20可裝卸地相接。
更詳細來說，載置台12，係具有水平地載置被檢查體之半導體晶圓W而予以支撐的載置面，且以電導率高之板狀或膜狀的導體亦即載置面導體22來構成該載置面。當在該載置面導體22上載置半導體晶圓W時，以晶片單位露出於半導體晶圓W上之背面的電極(汲極電極)，係以直接接觸的方式電性連接於載置面導體22。
載置台12，係連接於真空機構(未圖示)，該真空機構係用於在載置面導體22上吸附並保持半導體晶圓W，在載置面導體22係形成有真空吸附用之多數個孔或溝。又，在載置面導體22，係為了在載置台12上進行半導體晶圓W之裝載/卸載，而亦形成有用於通過進行升降移動之複數根升降銷(未圖示)的孔。
移動平台14，係構成為：使載置台12在水平(XY)方向、垂直(Z)方向及圓周(θ)方向移動，且可在可動範圍內之任意的位置加以固定(靜止)。
探針卡16，係製作為一種印刷線路板，在下面安裝1根或複數根探針24G、24S，該探針係用於與以晶片單位露出於半導體晶圓W上之表面的電極(閘極電極、源極電極)個別接觸或共同接觸。更詳細而言，各探針24，係利用其基端部或根部來與探針卡16之對應的連 接導體26G、26S之下端連接，並且利用中間部予以支撐於從探針卡16之下面突出之絕緣體的支撐部28，並利用前端部(自由端)來與露出於半導體晶圓W之表面之對應的電極(閘極電極，源極電極)接觸。
各連接導體26G、26S，係在垂直方向貫穿探針卡16之貫通孔(貫穿孔)30G、30S，並露出或突出於探針卡16之上下，如圖示，在相接狀態下，係利用其上端或頂面，以直接接觸的方式，分別與測試頭20之對應的端子32G、32S電性連接。另外，在相接狀態中，為了在測試頭20與探針卡16之間得到穩定的電性連接，而亦可在例如測試頭20側之端子32G、32S側安裝彈簧(未圖示)。
探針卡固接裝置18，係構成探針室10之上面的堅固金屬板，以包圍探針卡16的方式在其周圍水平地延伸，且能夠在形成於其中心部之開口中以可裝卸或可更換的方式安裝探針卡16。
且，探針卡固接裝置18，係從其下面遠離而予以支撐導電性之接觸板34。在該實施形態中，係在探針卡固接裝置18與載置台12之間水平地配置有單質或一體物之接觸板34，該接觸板34係包圍探針卡16之探針24G、24S之周圍的開口25被形成於中心部。絕緣性之螺栓36，係從上插入於探針卡固接裝置18之貫通孔，而該螺栓36之前端部係螺合於接觸板34之螺孔，藉此，使接觸板34水平地予以支撐。
在接觸板34之上面，係於左右(點對稱之位置)形成有一對板體上面端子38。各個板體上面端子38，係在其正上方，以直接接觸或焊錫接合等的方式，與延伸於垂直方向之棒狀(或塊狀)之連接導體40的下端電性連接。該連接導體40，係貫穿探針卡固接裝置18之貫通孔(貫穿孔)42，且亦露出或突出於探針卡固接裝置18上。且，如圖1所示，在與測試頭20之相接狀態中，連接導體40，係利用其上端或頂面，而以直接接觸的方式，與測試頭20之對應的端子32D電性連接。
為了在相接狀態下得到穩定的電性連接，而例如亦可在測試頭20側之端子32D側安裝彈簧(未圖示)。又，亦可以使連接導體40支撐於探針卡固接裝置18的方式，將絕緣體之套筒或墊片(未圖示)插入至貫通孔42中。另外，接觸板34上之左右一對之板體上面端子38所對應之測試頭20之左右一對的端子32D，係在測試頭20中電性共同連接。
在載置台12之側面，係於左右(點對稱之位置)安裝有一對可與接觸板34之下面分別獨立接觸的接觸件44。無論載置台12位於其可動範圍內的任何位置，當在該位置任一方的接觸件44從原位置上升移動(往復)至固定之高度位置時，能夠抵接於其上端或頂面呈對向之接觸板34的下面。
在該實施形態中，接觸件44係例如由探針銷所構成，且具備有可從移動平台14獨立而控制接觸件44 之升降移動及升降位置的升降機構45。又，為了在接觸件44與接觸板34之間得到穩定之電性接觸，而可在接觸件44安裝彈簧(未圖示)。各個接觸件44，係經由從載置台12之周邊邊緣向外延伸之可撓性連接導體例如硬線46，與載置面導體22電性連接。
在該探針裝置中，針對半導體晶圓W上之各晶片(功率元件)進行動態特性之檢查時，係如圖1所示，測試器之測試頭20會相接，在半導體晶圓W從探針24G、24S之前端往下離開，且接觸件44從接觸板34住下離開的狀態下，首先，對探針卡16或探針24G、24S進行半導體晶圓W上之被檢查晶片(功率元件)的對位。在該對位中，載置台12係於移動平台14上沿水平(XY)方向移動，且被定位於被檢查晶片之表側電極(閘極電極、源極電極)所分別對應之探針24G、24S之前端的正下方。
接下來，載置台12係向垂直上方僅上升固定行程量，且從下將被檢查晶片之表側電極(閘極電極、源極電極)推壓至分別對應之探針24G、24S的前端。藉此，在被檢查晶片之表側電極(閘極電極、源極電極)與測試頭20之對應的端子32G、32S之間，經由由探針卡16之連接導體26G、26S及探針24G、24S所構成的第1測定線路，予以確立電性導通狀態。
另一方面，使左右之任一側的接觸件44上升移動(往復)，並使其上端或頂面與接觸板34之下面接 觸。藉此，在被檢查晶片之背側電極(汲極電極)與測試頭20之對應的端子32D之間，經由由載置台12之載置面導體22、一側之硬線46、一側之接觸件44、接觸板34及一側之連接導體40所構成的第2測定線路，予以確立電性導通狀態。
以上述方式，在半導體晶圓W上之被檢查晶片亦即功率元件之各電極(閘極電極、源極電極、汲極電極)與測試頭20之各對應之端子32G、32S、32D之間，可取得電性導通狀態。且，在該狀態下，當從測試器經由第1及第2測定線路，對該功率元件之源極電極及汲極電極之間施加預定電壓，並對閘極電極施加預定之控制脈衝時，藉由該功率元件予以輸出電流之脈衝，該電流之脈衝會流經第1及第2測定線路而被取入至測試器。測試器，係以被取入至測試頭20之端子32D的脈衝為基礎，藉由預定之信號處理，來測定例如開啟時間或關閉時間、或是上升時間或下降時間等，從而評估動態特性，進行該功率元件之良否判定。
在該探針裝置中，不僅如上述之動態特性之檢查，如耐壓試驗之靜態特性的檢查亦僅有測試器側所提供之電壓或控制訊號不同，其餘係能夠以與上述相同的方式予以進行。
在圖3A~圖3B中，表示在對半導體晶圓W上之所有的晶片進行如上述之電性特性檢查的情形下，載置台12及接觸件44在移動範圍內之中心基準位置或一方 向進行最大位移時之接觸板34與接觸件44的位置關係。另外，在圖示的例子中，係為了增大電流容量而並列設置3個接觸件44。
亦即，圖3A，係為了針對半導體晶圓W上之中心的晶片進行檢查，而載置台12位於XY方向之中心位置或基準位置(0，0)的情形。在該情況下，左右兩側之接觸件44皆位於接觸板34之下方。在該位置中，係能夠以各個接觸件44從原位置進行上升(往復)的方式，與接觸板34之下面接觸。不過，通常，係左側或右側之其中一個接觸件44從原位置上升(往復)，從而與接觸板34之下面接觸，另一個接觸件44則停止於原位置。因此，第2測定線路，係以左側系統或右側系統之任一來予以連接。
圖3B，係為了針對半導體晶圓W上之圖的右端之晶片進行檢查，而載置台12從XY方向之中心位置(0，0)往-X方向位移了僅約D/2(D為晶圓之直徑)的情形。該情形，係左側之接觸件44位於比接觸板34之左端更往左(外)，且在兩者間無法得到電性接觸。但，由於右側之接觸件44係位於接觸板34之下方，因此，可得到兩者間的電性接觸。因此，第2測定線路，係以右側系統予以連接。
圖3C，係為了針對半導體晶圓W上之圖的左端之晶片進行檢查，而載置台12從XY方向之中心位置(0，0)往+X方向位移了僅約D/2的情形。該情形，係 與圖3B之情形相反，第2測定線路，係以左側系統予以連接。
圖3D，係為了針對半導體晶圓W上之圖的下端之晶片進行檢查，而載置台12從XY方向之中心位置(0，0)往+Y方向位移了僅約D/2的情形。又，圖3E，係為了針對半導體晶圓W上之圖的上端之晶片進行檢查，而載置台12從XY方向之中心位置(0，0)往-Y方向位移了僅約D/2的情形。無論是哪一種情形，第2測定線路，係以左側系統或右側系統之任一來予以連接。
在圖4中，係以斜線部分表示為了在全晶片檢查而使載置台12移動時，左右之接觸件44與接觸板34接觸的區域CE。如圖所示，在接觸板34上接觸件44所接觸之區域CE，係夾著接觸板34之中心部，並在左右描繪半圓的弧而擴展。接觸板34之尺寸或面積，係板體形狀為矩形時，以必要最小限度加以簡化。
該探針裝置，係如上述，在檢查對象之功率元件的各電極與測試頭20之各對應的端子之間，儘可能縮短形成電性導通狀態之第1及第2測定線路。特別是，在第1測定線路中，探針24G、24S之基端與測試頭20之對應的端子32G、32S，係於垂直方向正面相對，並經由探針卡16之連接導體26G、26S，而以最短距離予以電性連接。又，在第2測定線路中，接觸板34之板體上面端子38與測試頭20之對應的端子32D，係於垂直方向正面相對，並經由棒狀(或塊狀)之連接導體40，而以最 短距離予以電性連接。該連接導體40，係以電性而非接觸的方式貫穿探針卡固接裝置18之貫通孔42。如此一來，藉由儘可能縮短第1及第2測定線路長度的方式，使在動態特性檢查時，流經第1及第2測定線路之脈衝的電流所承受之阻抗比以往之探針裝置特別來得低。
且，該探針裝置係具備有火花防止機構50，火花防止機構，係在對半導體晶圓W上的被檢查晶片(功率元件)進行如上述般之電性特性的檢查時，在探針24G、24S之周圍形成高於大氣壓之預定壓力的環境，藉此，防止火花(放電)在半導體晶圓W表面附近發生。
該火花防止機構50，係根據所謂的帕申法則。例如為SiC晶圓的情況下，功率元件之晶片尺寸係數mm×數mm，而接觸於源極電極之高電壓側的探針24S與接觸於閘極電極之低電壓側的探針24G之最小距離間隔da為數mm以內，且高電壓側之探針24S與附近之晶片上之電極的最小距離間隔db亦為數mm以內。
根據帕申法則，將探針24S、24G之周圍的壓力設成為p時，在相隔了上述距離間隔da、db之2個導體之間發生火花時的電壓(放電開始電壓)Va、Vb，係由壓力p與距離間隔da、db之乘積p＊da、p＊db決定，且存在有極小值Vam、Vbm。通常，該些極小值Vam、Vbm，係落在低於大氣壓之減壓區域內。
因此，在大氣壓以上之壓力區域內，隨著帕申曲線，越提高探針24S、24G之周圍的壓力p，則高電 壓側之探針24S前端部附近或半導體晶圓W之表面附近之放電的開始電壓Va、Vb變得越高，從而使火花難以在探針24S、24G之周圍或半導體晶圓W之表面附近發生。
搭載於該實施形態之探針裝置的火花防止機構50，係具有：環繞構件52，在探針卡16與載置台12之間，包圍探針24S、24G之周圍；及氣體供給機構54，於半導體晶圓W上對各晶片(功率元件)進行電性特性之檢查時，以在探針24S、24G之周圍形成高於大氣壓之預定壓力之環境的方式，經由環繞構件52之內部或附近，對探針24S、24G之周圍供給氣體。在圖1及圖2所示之第1實施例中，接觸板34係兼作為環繞構件52。
〔關於火花防止機構之實施例1〕
如圖1及圖2所示，接觸板34，係被設置於探針卡固接裝置18與載置台12之間，且在板體中心部具有包圍探針卡16之探針24G、24S之周圍的開口或內周壁25，從而構成第1實施例中之環繞構件52。在此，在接觸板34與探針卡固接裝置18(或探針卡16)之間的空隙，係在比板體上面端子38更往中心靠近的位置插入有無端狀之密封構件例如O形環53。藉此，在探針24G、24S之周圍，形成有：探針卡16；探針卡固接裝置18；接觸板34；及檢查用之區劃空間或環繞空間35，由半導體晶圓W或載置台12所形成。
氣體供給機構54，係具有：氣體供給源56， 配置於探針室10外；氣體噴出口58，設置於與接觸板34之探針24G、24S對向之內周面34a或其附近；氣體供給管線60，連接氣體供給源56與氣體噴出口58；及開關閥62，設置於氣體供給管線60之中途。
氣體供給源56，係具有：儲槽，儲存被使用於在探針24G、24S之周圍形成正壓環境的氣體；壓縮機或給氣泵，從該儲槽送出正壓之氣體；及穩壓器，用於調整由給氣泵送出之正壓氣體之壓力。
在該實施例中，較佳的是以相同之密度，在接觸板34之內周面34a形成多數或無數個氣體噴出口58。氣體供給管線60，係具有：中繼管64，安裝於探針卡固接裝置18之貫通孔57；外部配管66，從氣體供給源56之出口側延伸至中繼管64之入口(上端)；及板體流路68，從中繼管64之出口(下端)通過接觸板34延伸至氣體噴出口58。
在氣體供給機構54中，當開啟開關閥62時，由氣體供給源56以預定壓力所送出之正壓氣體，係藉由通過氣體供給管線60而形成於接觸板34之內周面34a的氣體噴出口58來予以噴射，從而被供給至環繞空間35中。環繞空間35之上部，係完全被探針卡16、探針卡固接裝置18、接觸板34及O形環53堵塞。另一方面，在環繞空間35之底部，係於接觸板34與半導體晶圓W或載置台12之間形成有例如0.8mm左右的空隙g。因此，供給至環繞空間35中之正壓氣體，係一方面充滿於 環繞空間35內，一方面從底部之空隙g向外洩漏。在此，藉由氣體供給機構54，來充分提高供給至環繞空間35中之正壓氣體的壓力或流量，藉此，在環繞空間35中，亦即在探針24G、24S之周圍，可形成高於大氣壓之預定壓力的環境。
如上述，在存在探針24S、24G之環繞空間35內，係隨著帕申曲線，越提高壓力p，則半導體晶圓W之表面附近(更正確來說，係高電壓側之探針24S的前端部附近)之火花(放電)的開始電壓越高。因此，只要以使施加於半導體晶圓W上之各晶片(功率元件)的電壓低於環繞空間35內之放電開始電壓的方式，來調整環繞空間35內之壓力p即可，藉此，在探針24S、24G之周圍或半導體晶圓W的表面附近不會發生火花。一般而言，環繞空間35內之壓力p，係在1atm<p<10atm的範圍內予以調整即可。
本發明者，係使用上述探針裝置針對形成於SiC晶圓上之功率元件進行耐壓試驗後，在正壓氣體中使用乾空氣將環繞空間35內之壓力p調整成6atm時，即使試驗電壓為7000V，亦不會發生火花。
在圖5A中，表示設置於接觸板34之板體流路68之佈線的一例。如圖示，在接觸板34中，板體流路68，係形成有：1段或複數段(圖示之例係2段)歧管流路70、72，在開口25之周圍延伸成無端狀；連通路74，為了連接外側之歧管流路70與內側之歧管流路72，而延 伸成放射狀；及噴嘴流路76，為了連接內側之歧管流路72與氣體噴出口58，而延伸成放射狀。根據像這樣的氣體流路68之佈線，可從開口25之全周，亦即從接觸板34之全周(4邊)的內周面34a均勻地吐出正壓氣體。
不過，圖5A所示之佈線只不過為一例，板體流路68係可採用任意之佈線。例如，如圖5B所示，亦可將接觸板34及開口25於平面視圖下設成為圓形，在該情形下，係亦可將外側及/或內側之歧管流路70、72構成為圓環狀。又，在氣體噴出口58中，不一定要從開口25之全周噴出正壓氣體，亦可從接觸板34之內周面34a之一部分例如對向之2邊或是僅從一邊，噴出正壓氣體。
另外，接觸板34，係由具備有高導電率與剛性之任意的導體所構成，不限於一片板，亦可為如疊層金屬片之多層構造板。又，板體流路68，係不限定於形成在接觸板34之內部的通道形態，亦可是形成於接觸板34之表面之附有密封蓋之溝的形態或沿著接觸板34之表面延伸之配管的形態等。
氣體供給機構54，雖然亦可為具備有送出一種類之正壓氣體之單一氣體供給源56的構成，但例如如圖6所示，具備有複數個種類之正壓氣體供給源例如乾空氣供給源56(1)、氮氣供給源56(2)及絕緣氣體供給源56(3)者為較佳。
在其情況下，係因應在該探針裝置所進行之電性特性檢查的條件(半導體晶圓W之種類、功率元件 之種類、檢查之種類、施加至功率元件之試驗電壓等)，來控制輸出埠之開關閥57(1)、57(2)、57(3)，從而選擇該些複數個氣體供給源56(1)、56(2)、56(3)之任一個。例如，在施加至功率元件之試驗電壓並沒有那麼高的情況下，例如在1000V以下時，係亦可優先使用乾空氣供給源56(1)或氮氣供給源56(2)即可。但是，在試驗電壓相當高的情況下，例如在3000V以上時，亦可優先使用絕緣氣體供給源56(3)即可。
絕緣氣體供給源56(3)，係具有以所期望之壓力來送出例如SF6氣體般之周知的絕緣氣體之構成。且，絕緣氣體供給源56(3)，係亦可具備有藉由起泡法例如氮起泡法使耐壓性更高的絕緣液例如FLUORINERT(3M公司製之商品名)氣化而生成氮氣混合之絕緣氣體的絕緣液氣化裝置。
在該實施例中，連結氣體供給源56與環繞空間35之氣體供給管線60，係穿過探針卡16之周圍亦即探針卡固接裝置18。因此，氣體供給管線60，係完全不會對探針卡16之設計、製作、構造或更換/安裝等造成影響。
又，由於該實施例中之火花防止機構50，係透過在探針24S、24G之周圍形成高於大氣壓之預定壓力之環境的方式，基於帕申法則，防止半導體晶圓W之表面上的火花，因此，與在檢查體之半導體晶圓上處理絕緣液的習知技術不同，且構成及控制較簡單，亦不會增加檢 查時間。
又，在該實施例中，作為用於在半導體晶圓W上接受電性特性之檢查之功率元件的背側電極與測試器之間確立電性導通狀態的第2測定線路之一部分或一區間，在探針卡16或探針卡固接裝置18與載置台12之間配置有接觸板34。且，該接觸板34，係作為火花防止機構50之一構成要素，兼作為包圍探針24S、24G之周圍而形成環繞空間35的環繞構件52。這不僅是對火花防止機構50，亦對探針裝置全體之便利性及效率性有很大的貢獻。
〔關於火花防止機構之實施例2〕
在圖7中，表示關於火花防止機構50之第2實施例。該第2實施例中之火花防止機構50，係將上述第1實施例中之氣體供給機構54進行一部分變形者，具有適合任意提高形成於環繞室35內之正壓環境之壓力的構成。
更詳細來說，對環繞空間35內噴出正壓氣體的氣體噴出口58，係不僅設置於接觸板34之內周面34a，亦設置於接觸板34之內周面34a附近的上面及下面。藉此，增加氣體噴出口58之總開口面積，且使傳導度下降。且，具備有2系統之氣體供給源56A、56B及氣體供給管線60A、60B，並可任意地增加供給至環繞空間35內之正壓氣體的流量。
且，在該第2實施例中，係藉由接觸板34之下面的氣體噴出口58，使正壓氣體噴射至接觸板34與半導體晶圓W或載置台12之間的空隙g，藉此，在空隙g中形成一種氣幕。藉此，可抑制充滿於環繞空間35內之正壓氣體通過空隙g而向外洩漏，且可將環繞空間35內之壓力輕易調整成所期望之高壓力(例如6atm)。
另外，亦可為省略第2氣體供給源56B，並將第1氣體供給源56A共同連接於2個氣體供給管線60A、60B之構成。
〔關於火花防止機構之實施例3〕
在圖8中，表示關於火花防止機構50之第3實施例。該第3實施例中之火花防止機構50，其特徵係：除了上述第1實施例或上述第2實施例之構成以外，亦具備有氣體回收機構78之構成，該氣體回收機構78係用於藉由氣體供給機構54而以真空之吸引力來回收被供給至探針24G、24S之周圍(環繞空間35)的正壓氣體。
在圖示之構成例中，係經由切換閥80，將真空源82與第2氣體供給源56B並列連接於氣體供給機構54中之第2氣體供給管線60B。在該情況下，真空源82經由開關閥83及切換閥80連接於氣體供給管線60B時，接觸板34之下面的氣體噴出口58係具有吸引口84之功能，第2氣體供給管線60B係具有真空管線86之功能。
在該構成中，從環繞空間35通過空隙g向外 洩漏的正壓氣體會被吸入至吸引口84中，且經由真空管線86及切換閥80被送至真空源82。另外，在真空源82之出口側，連接有氣體回收處理部(未圖示)。
該實施例中之氣體回收機構78，係例如在從第1氣體供給源56A及氣體供給管線60A供給至環繞空間35之正壓氣體(特別是絕緣氣體)向周圍擴散為不理想的情況下，被適當使用。
另外，亦可為省略第2氣體供給源56B及切換閥80，經由開關閥83將真空源82連接至專用之真空管線86的構成。
〔關於火花防止機構之實施例4〕
在圖9中，表示關於接觸板34之一變形例與關於火花防止機構50之第4實施例。
圖9所示之探針裝置，係在檢查體之半導體晶圓W上對所有的晶片(功率元件)進行電性特性檢查的情況下，無論載置台12及接觸件44位於移動範圍內之任何位置，左右兩側之接觸件44皆藉由向往復位置上升移動而與接觸板34之下面接觸的方式，亦即使第2測定線路以左側系統及右側系統兩者並列連接的方式，增加接觸板34之尺寸或面積。
且，該探針裝置，係在載置台12之上面(較佳的是接近周圍邊緣的位置)，以預定之高度(突出量)設置絕緣體例如由樹脂所構成之環狀的突起部90。該環 狀突起部90，係形成火花防止機構50之一構成要素。
如圖9所示，為了對半導體晶圓W上之任意之晶片(功率元件)進行電性特性檢查，而在分別對應之探針24G、24S之前端接觸於被檢查晶片之表側電極(閘極電極、源極電極)的狀態下，環狀突起部90之頂部會接觸或接近接觸板34之下面，而至少關於環境，接觸板34與載置台12之間的空隙G會堵塞。在該情況下，如圖10A及圖10B所示，無論載置台12及接觸件44位於移動範圍內之任何位置，亦會使環狀突起部90位於接觸板34之開口25亦即環繞空間35外(周圍)。
在該構成中，由於在檢查時，環繞空間35之環境，係從外部被環狀突起部90遮斷，因此，可藉由來自氣體供給機構54的氣體供給，來更有效率地提高形成於環繞室35之正壓環境的壓力。
另外，在該第4實施例中，亦可併設上述第3實施例中之氣體回收機構78，藉此，來更任意且快速地進行使環繞空間35內之壓力上升下降之調整。
〔其他實施形態或變形例〕
在圖11中，表示本發明之第2實施形態中之探針裝置的構成。該探針裝置，係與上述之第1實施形態之探針裝置相同，構成為：針對在形成於半導體晶圓W上之晶片的兩面亦即晶圓的兩面形成有電極之多數個功率元件，以晶圓等級進行每一晶片之電性特性(動態特性、 靜態特性)的檢查。
但是，作為用於在被檢查功率元件之背側電極與測試器之間確立電性導通狀態的第2測定線路，不使用接觸板34(圖1)(因此，接觸件44及連接導體40亦不使用)，而採用從載置台12之載置面導體22將電纜92引繞至測試頭20之對應的端子32D之構成。電纜92之兩端，係經由連接器94、96而分別連接於載置面導體22及端子32D。
在該實施形態中，係與如上述在第2測定線路上不使用接觸板相關聯，在環繞構件52使用由例如樹脂所構成的絕緣板98。在該情況下，能夠以直接方式(使接觸)將絕緣板98安裝於探針卡固接裝置18，且可省略O形環53(圖1)。
即使在該實施形態之探針裝置中，火花防止機構50之構成及作用，亦完全與上述之第1~第4實施例相同。另外，在火花防止機構50具備有環狀突起部90(圖9)的情況下，係亦可在絕緣板98側安裝環狀突起部90。
又，作為關於環繞構件52之其他變形例，如圖12A及圖12B所示，亦可將接觸板34分割成左右一對之板體34A、34B(分離)，且在該些之間夾著絕緣板100。在該情況下，雖然構成氣體供給管線60之一部分的板體流路68，係亦可設置於分割接觸板34A、34B，但亦可採用設置於絕緣板100的構成。
在圖13中，表示本發明之第3實施形態中之探針裝置的構成。該探針裝置，係構成為：針對僅在形成於半導體晶圓W上之晶片的表面形成有電極(背面無電極)之多數個橫型功率元件，以晶圓等級進行每一晶片之電性特性(動態特性、靜態特性)的檢查。
在該情況下，在探針卡16，經由連接導體26G、26S、26D安裝有1根或複數根探針24G、24S、24D，該探針係用於與露出於半導體晶圓W之表面之各晶片(功率元件)的電極亦即閘極電極、源極電極、汲極電極個別接觸或共同接觸。各連接導體26G、26S、26D，係如圖示，在相接狀態中，利用其上端或頂面，分別以直接接觸的方式，與測試頭20之對應的端子32G、32S、32D電性連接。
進行檢查時，係在對位之後，載置台12係向垂直上方僅上升固定行程量，且將被檢查晶片之閘極電極、源極電極、汲極電極從下推壓至分別對應之探針24G、24S、24D的前端。藉此，在被檢查晶片之閘極電極、源極電極、汲極與測試頭20之對應的端子32G、32S、32D之間，可取得電性導通狀態。
在該實施形態中，亦與上述第2實施形態相同，與不使用接觸板(34)相關聯，而在環繞構件52使用絕緣板98。火花防止機構50之構成及作用，亦完全與上述之第1~第4實施例相同。
參閱圖14~圖18，說明關於火花防止機構50 之第5實施例。圖14，係表示組入有該實施例中之火花防止機構50之探針裝置之主要部分的構成。圖15，係在該探針裝置中，從下觀看接觸板34的底視圖。圖16，係在該探針裝置中，從上觀看載置台14及半導體晶圓的上視圖。圖17及圖18，係用於說明該實施例中之密封環之作用的側視圖及上視圖。
該實施例中之探針裝置，係在接觸板34之下面設置環狀或無端狀之曲徑軸封102。曲徑軸封102，係由較佳的SUS、銅或鋁等之金屬或PEEK等之耐熱性樹脂所構成，且具有包圍探針24G、24S之前端部之同心狀的複數個凹凸部或迷宮環(Labyrinth)FN。
曲徑軸封102，較佳的是經由隔板104被安裝於接觸板34之最內側之下面(接近內周面25之下面)。隔板104，係固接或一體形成於接觸板34之下面，例如以數mm左右的高度或厚度予以突出。隔板104，係具有保持曲徑軸封102，並且在曲徑軸封102以外的地方調整接觸板34的下面與載置台12上的半導體晶圓W之間之間隙間隔的功能。不過，亦可省略隔板104，且以直接方式將曲徑軸封102接合或一體形成於接觸板34之下面。曲徑軸封102與載置台12上之半導體晶圓W之間，形成有空隙Δg。曲徑軸封102，係形成火花防止機構50之一構成要素。
在該探針裝置中，從環繞空間35朝向外部之大氣空間流動的正壓氣體通過曲徑軸封102旁(下)的空 隙Δg時，因多段之迷宮環FN而形成較大的壓力損失。亦即，藉由各迷宮環FN之前端中的擠壓效果與在鄰接之迷宮環FN間產生的旋渦，從高壓側之環繞空間35流向低壓側之大氣空間的氣體將會受到較大的阻抗從而變得難以洩漏。另外，圖示之迷宮環FN的形狀及個數為一例，能夠選擇對氣體防漏有效之任意的翼片形狀及任意及翼片個數。
藉此，在將曲徑軸封102面對之空隙Δg設成為與上述第1實施例(圖1)中之接觸板34與半導體晶圓W之間的空隙g相同程度的間隙大小時，可大幅地減低從環繞空間35向外部之大氣空間流動之正壓氣體的流量或洩漏量。
或是，在正壓氣體之洩漏量為相同的情況下，係相較於上述第1實施例(圖1)中之上述空隙g，可將該實施例中之上述空隙Δg設成為數倍以上尺寸的間隙大小。例如，在該實施例中，係即使將上述空隙Δg打開至0.4mm左右，亦可得到與在第1實施例中將上述空隙g縮小成0.1mm以下時同等的氣體洩漏抑制效果。
在該實施例中，由於不必像這樣過度縮小曲徑軸封102面對的空隙Δg，因此，能夠沒有障礙地處理環繞空間35周圍之各部之機械的尺寸公差或探針之前端位置的偏差等。
且，在該實施例中，係在載置台12之上面的周邊部設置包圍半導體晶圓W之周圍的環狀或無端狀之 密封環106。密封環106，係由例如SUS、銅或鋁等之金屬或PEEK等之耐熱性樹脂所構成，較佳的是在載置台12上具有與半導體晶圓W形成面一致的厚度。密封環106，亦形成火花防止機構50之一構成要素。
亦即，在該探針裝置中，針對半導體晶圓W之邊緣附近的晶片進行試驗時，係如圖3B~圖3E所示，載置台12，係從XY方向之中心位置(0，0)往+X，-X方向或+Y，-Y方向，僅以最大約D/2(D係晶圓的直徑)進行位移。該情況下，接觸板34之開口25或環繞空間35，係從半導體晶圓W之邊緣超出至半徑方向外側。
在該實施例中，即使接觸板34之開口25或環繞空間35從半導體晶圓W之邊緣超出，如圖17及圖18所示，曲徑軸封102亦不會超出至密封環106外，因此，可充分地發揮曲徑軸封102之氣體洩漏減低作用。
嚴格來說，如圖19所示，於載置台12上，在半導體晶圓W的外周面與密封環106的內周面之間，形成有沿圓周方向延伸之環狀的空隙或溝110，因此，順著該溝110，正壓氣體會向外部的大氣空間輕微洩漏。該部分之氣體洩漏，係相較於在載置台12上不設置密封環106的情況，相當少。
如此一來，在該實施例中，係藉由如上述之曲徑軸封102及密封環106的構成及作用，可明顯減低供給至存在探針24S、24G之環繞空間35之正壓氣體的洩漏量，且能夠更容易將環繞空間35內之壓力設定或調整 為所期望之高的壓力。
且，在該實施例中，透過將正壓氣體供給至環繞空間35及其周圍之密閉空間的方式，亦可大幅減低施加於環繞空間35周圍之各部的負載。
作為比較例，如上述之第4實施例(圖9)，於載置台12上設置包圍半導體晶圓W之周圍並可與接觸板34之下面抵接之環狀的突起部90時，例如當半導體晶圓W之口徑為5吋且正壓氣體之供給壓力為0.6MPa時，從推力=面積×壓力可知，於環繞空間35周圍，會有約760kg之推力發生在上方向及下方向。在此，下方向之推力會形成為將載置台12朝下方推壓的力，上方向之推力會形成為經由接觸板34及探針卡16，將探針卡固接裝置18朝上方舉起的力。因此，該探針裝置，係必需有可承受像這樣的上下方向之較大推力的堅固構造。
對此，在該實施例中，由於在接觸板34之下面設置有曲徑軸封102，因此，於環繞空間35周圍，發生推力之正壓空間的面積並非以半導體晶圓W之口徑予以規定，而是以曲徑軸封102之口徑予以規定。例如，在曲徑軸封102之內徑為20mm而外徑為40mm的情況下，係將內徑與外徑之平均值(30mm)設成為對於推力之發生有所貢獻之正壓空間的口徑即可。如此一來，正壓氣體之供給壓力為0.6MPa的情況下，係於環繞空間35周圍，分別作用在上方向及下方向的推力只有約42kg。因此，於環繞空間35周圍，施加於載置台12、接觸板34、探針 卡16、探針卡固接裝置18等之力會明顯減輕。

Claims (25)

  1. 一種探針裝置，係用於在形成於半導體晶圓上之兩面檢查具有電極之功率元件之電性特性的探針裝置，其特徵係，具有：可移動之載置台，載置前述半導體晶圓而予以支撐；探針卡，與前述載置台彼此相對且配置於其上方，而利用其前端來支撐可與露出於支撐在前述載置台之前述半導體晶圓之表面之前述功率元件之表側電極接觸的探針；第1連接導體，電性連接前述探針與測試器之對應的第1端子；載置面導體，形成前述載置台之載置面，且與露出於支撐在前述載置台之前述半導體晶圓之背面之前述功率元件的背面電極接觸；可升降移動之接觸件，安裝於前述載置台，並電性連接於前述載置面導體；導電性之接觸板，以利用其下面而可與前述接觸件接觸的方式，被配置於比前述探針卡更低的位置且前述載置台的上方，並包圍前述探針之周圍；第2連接導體，電性連接前述接觸板與前述測試器之對應的第2端子；及氣體供給機構，為了在進行前述功率元件之電性特性之檢查時，於前述探針之周圍形成比大氣壓高之預定壓力的環境，而經由前述接觸板之內部或附近，對前述探針之周圍供給氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項之探針裝置，其中，前述氣體供給機構，係具有通過前述探針卡之周圍的氣體供給管線。
  3. 如申請專利範圍第2項之探針裝置，其中，前述氣體供給管線，係穿過在其周邊可裝卸地支撐前述探針卡的探針卡固接裝置。
  4. 如申請專利範圍第3項之探針裝置，其中，在前述接觸板與前述探針卡固接裝置或前述探針卡之間，插入有密封構件。
  5. 如申請專利範圍第2~4項中任一項之探針裝置，其中，前述氣體供給管線，係包含形成於前述接觸板之內部的氣體流路。
  6. 如申請專利範圍第2~4項中任一項之探針裝置，其中，前述氣體供給機構，係具有第1氣體噴出口，該第1氣體噴出口係被設置於與前述接觸板之前述探針對向的內周面。
  7. 如申請專利範圍第2~4項中任一項之探針裝置，其中，前述氣體供給機構，係具有被設置於前述接觸板之下面的第2氣體噴出口。
  8. 如申請專利範圍第2~4項中任一項之探針裝置，其中， 前述氣體供給機構，係具有被設置於前述接觸板之上面的第3氣體噴出口。
  9. 如申請專利範圍第2~4項中任一項之探針裝置，其中，在前述接觸板之下面，設有曲徑軸封。
  10. 如申請專利範圍第9項之探針裝置，其中，前述曲徑軸封，係具有包圍前述探針之前端部之同心狀的複數個迷宮環(Labyrinth)。
  11. 如申請專利範圍第9項之探針裝置，其中，前述曲徑軸封，係以接近與前述接觸板之前述探針對向之內周面的方式而設置。
  12. 如申請專利範圍第9項之探針裝置，其中，前述曲徑軸封，係設置於從接觸板之下面突出之隔板的下面。
  13. 如申請專利範圍第2~4項中任一項之探針裝置，其中，在前述載置台上，設置有包圍前述半導體晶圓之周圍的密封環。
  14. 如申請專利範圍第13項之探針裝置，其中，前述密封環，係具有在前述載置台上與前述半導體晶圓形成面一致的厚度。
  15. 如申請專利範圍第2~4項中任一項之探針裝置，其中，在進行前述半導體元件之電性特性時，包圍前述探針 而堵塞前述接觸板與前述載置台之間之空隙的突起部，係設置於前述接觸板或前述載置台。
  16. 如申請專利範圍第2~4項中任一項之探針裝置，其中，具有氣體回收部，該氣體回收部，係用於以真空之吸引力來回收由前述氣體供給機構供給至前述探針之周圍的前述氣體。
  17. 如申請專利範圍第16項之探針裝置，其中，前述氣體回收部，係在前述接觸板之下面或下方具有吸入口。
  18. 如申請專利範圍第16項之探針裝置，其中，前述氣體回收部，係具有通過前述接觸板之內部或附近的真空管線。
  19. 如申請專利範圍第2~4項中任一項之探針裝置，其中，前述氣體供給機構，係具有用於可變地調整前述氣體之壓力的壓力調整部。
  20. 如申請專利範圍第2~4項中任一項之探針裝置，其中，前述氣體供給機構，係具有用於分別送出複數個種類之氣體的複數個氣體供給源，且選用前述複數個氣體供給源之任一個。
  21. 如申請專利範圍第20項之探針裝置，其中，前述氣體供給源之至少一個，係具有使耐壓性高之絕 緣液氣化而生成絕緣氣體的絕緣液氣化裝置。
  22. 如申請專利範圍第3項之探針裝置，其中，在前述接觸板之上面，設置有連接於前述第2連接導體之板體上面端子，前述板體上面端子與前述測試器之前述第2端子，係於垂直方向正面相對，前述第2連接導體，係貫穿前述探針卡固接裝置而筆直地向垂直方向延伸。
  23. 如申請專利範圍第22項之探針裝置，其中，前述第2連接導體，係利用其上端而以與前述測試器之前述第2端子可裝卸的方式直接接觸。
  24. 如申請專利範圍第1~3、22~23項中任一項之探針裝置，其中，前述探針之基端與前述測試器之前述第1端子，係於垂直方向正面相對，前述第1連接導體的至少一部分，係貫穿前述探針卡而筆直地向垂直方向延伸。
  25. 如申請專利範圍第24項之探針裝置，其中，前述第1連接導體，係利用其上端而以與前述測試器之前述第1端子可裝卸的方式直接接觸。
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