JP2018160592A

JP2018160592A - プローバ

Info

Publication number: JP2018160592A
Application number: JP2017057690A
Authority: JP
Inventors: 隆石本; Takashi Ishimoto; 山口　晃; Akira Yamaguchi; 晃山口; 裕士土田; Yuji Tsuchida
Original assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Current assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date: 2017-03-23
Filing date: 2017-03-23
Publication date: 2018-10-11

Abstract

【課題】半導体デバイスの電気的特性の検査を行う際に、ウエハ表面付近での放電の発生を防止し、かつ、検査時の半導体デバイスの温度の低下を防止することが可能なプローバを提供する。【解決手段】第１の筒部材７２の上端部は、プローブカード２４の下面に固定される。第２の筒部材７４の本体部７４Ａは、第１の筒部材７２の内部に嵌め込まれており、第２の筒部材７４は、第１の筒部材７２の内面に沿ってＺ方向に摺動可能となっている。ガス供給源８０から供給されたガスは、ガス導入管８８を介して囲繞部材７０の内部の囲繞空間７０Ａに導入される。ヒータ８６は、検査対象の半導体デバイスの目標温度に応じて、囲繞空間７０Ａに供給されるガスの温度を調節する。これにより、囲繞空間７０Ａの温度の低下を防止しつつ、プローブ２５の周囲の圧力が上昇する。【選択図】図２

Description

本発明はプローバに係り、特に半導体デバイスの電気的特性を検査するプローバに関する。

半導体デバイスの製造プロセスでは、薄い円板状の半導体ウエハに各種の処理を施して、半導体デバイスをそれぞれ有する複数のチップ（ダイ）を形成する。各チップはその電気的特性が検査された後、ダイサーで切り離され、リードフレームなどに固定されて組み立てられる。

半導体デバイスの電気的特性の検査は、プローバとテスタを組み合わせたウエハテストシステムを用いて行われる。検査時には、プローバは、ウエハをウエハステージに固定し、検査対象のチップの電極パッドにプローブ針を接触させる。そして、テスタは、プローブに接続される端子から、電源及び各種の試験信号を供給し、チップの電極に出力される信号を解析して、検査対象のチップの半導体デバイスが正常に動作するかを確認する。

パワーＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）やＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）のような電力用の半導体デバイス（パワーデバイス）は、用途に応じて取り扱う電圧（耐圧又は定格電圧）が大きく異なる。このため、パワーデバイスの用途によっては、検査時の印加電圧が数千ボルト以上になる場合がある。

このようなパワーデバイスの電気的特性検査をウエハレベルで行う場合は、ウエハ上で検査対象の個々のチップに形成されたパワーデバイスの端子にテスタからプローブ針を介して、検査対象のパワーデバイスの用途に応じた電圧を印加する。ところが、検査時の印加電圧が高い場合、ウエハ表面付近でスパーク（放電）が発生して、検査対象のパワーデバイス及びその付近のパワーデバイスが破壊されることがある。

特許文献１には、半導体デバイスの電気的特性の検査をウエハレベルで行う際に、パッシェンの法則を利用して、ウエハ表面付近でスパーク（放電）が発生するのを防止するプローブ装置が開示されている。特許文献１では、プローブ針の周囲を囲繞部材で囲み、プローブ針の周囲にガスを供給して大気圧より高い所定圧力の雰囲気を形成することにより、ウエハ表面付近でスパーク（放電）が発生するのを防止するようになっている。

特開２０１５−０３５５７７号公報

特許文献１では、プローブ針の周囲に囲繞部材で囲まれた略密閉空間を設け、その略密閉空間にガスを供給して圧力を上げるようになっている。しかしながら、半導体デバイスを高温環境下で検査する場合に、プローブ針の周囲にガスを供給すると、そのガスにより半導体デバイスの熱が奪われて温度が下がり、半導体デバイスを正確な温度で検査することができなくなるという課題がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、半導体デバイスの電気的特性の検査を行う際に、ウエハ表面付近での放電の発生を防止し、かつ、検査時の半導体デバイスの温度の低下を防止することが可能なプローバを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の第１の態様に係るプローバは、半導体ウエハが載置されて保持されるウエハチャックと、前記ウエハチャックと対向して配置され、前記ウエハチャックに保持された前記半導体ウエハ上に形成された半導体デバイスの電極に接触して前記半導体デバイスの検査を行うためのプローブを支持するプローブカードと、前記プローブカードと前記ウエハチャックとの間で前記プローブの周囲を囲む囲繞部材と、前記半導体デバイスの電気的特性の検査を行うときに、前記プローブの周囲にガスを供給して、前記プローブの周囲の圧力を上げるガス供給機構と、前記ガス供給機構から前記プローブの周囲に供給されるガスを加熱するヒータと、検査対象の半導体デバイスの検査時の目標温度に応じて前記ヒータを制御して、前記ガスの温度制御を行う制御装置とを備える。

上記第１の態様によれば、プローブの周囲の囲繞部材で囲まれた囲繞空間に、検査時の目標温度に応じて加熱されたガスを供給することにより、ウエハ表面付近での放電の発生を防止することができ、かつ、ガスの供給に起因する温度の低下を防止することができる。

本発明の第２の態様に係るプローバは、上記第１の態様において、前記制御装置が、前記ヒータを制御して前記ガスの温度を前記検査対象の半導体デバイスの前記目標温度よりも高くするようにしたものである。

上記第２の態様によれば、ガスの温度を目標温度よりも高くすることにより、ガスの流れに起因する温度低下の影響を除外することが可能になる。

本発明の第３の態様に係るプローバは、上記第１又は第２の態様において、前記制御装置が、前記ガスの温度を前記検査対象の半導体デバイスの前記目標温度に所定のオフセット値を加算し、前記ヒータを制御して前記ガスの温度を、前記目標温度に前記オフセット値を加算した温度になるように前記ガスの温度制御を行うようにしたものである。

本発明の第４の態様に係るプローバは、上記第３の態様において、前記制御装置が、前記検査対象の半導体デバイスの目標温度にこのオフセット値を加算して温度制御したときに、前記ヒータから前記プローブ付近に供給されたときの前記ガスの温度が前記目標温度になるように設定されたオフセット値を記憶するようにしたものである。

上記第３又は第４の態様によれば、オフセット値を目標温度に加算することにより、ガスの流れに起因する温度低下の影響を除外することが可能になる。

本発明の第５の態様に係るプローバは、上記第１から第４のいずれかの態様において、前記囲繞部材が、前記プローブカードに固定された第１の筒部材と、前記第１の筒部材に対して摺動可能な第２の筒部材とを備えるようにしたものである。

上記第５の態様によれば、第２の筒部材が第１の筒部材に対して摺動可能なプローブ付近に供給されたガスの圧力に応じてウエハに対して浮き上がるフローティング構造を有する囲繞部材を用いることにより、例えば、検査対象のチップがウエハの端部に位置する場合であっても、プローブ付近の圧力を安定させることができる。

本発明によれば、プローブの周囲の囲繞部材で囲まれた囲繞空間に、検査時の目標温度に応じて加熱されたガスを供給することにより、ウエハ表面付近での放電の発生を防止することができ、かつ、ガスの供給に起因する温度の低下を防止することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係るプローバを含むウエハテストシステムの概略構成を示す図である。図２は、プローブの近傍を拡大して示す断面図である。図３は、ウエハの端部付近のチップ検査時におけるプローブの近傍を拡大して示す断面図である。図４は、プローブとチップの位置関係を示す平面図である。図５は、本発明の一実施形態に係る半導体デバイスの検査方法を示すフローチャートである。図６は、温度制御工程を示すフローチャートである。

以下、添付図面に従って本発明に係るプローバの実施の形態について説明する。

［ウエハテストシステムの構成］
図１は、本発明の一実施形態に係るプローバを含むウエハテストシステムの概略構成を示す図である。なお、以下では、ウエハチャック１８に平行な面をＸＹ平面とするＸＹＺ直交座標系を用いて説明する。

図１に示すウエハテストシステムは、ウエハＷ上の各チップの電極にプローブ２５を接触させるプローバ１０と、プローブ２５に電気的に接続され、電気的検査のために各チップに電流や電圧を印加し特性を測定するテスタ３０とを備える。

プローバ１０は、基台１１と、その上に設けられた移動ベース１２と、Ｙ軸移動台１３と、Ｘ軸移動台１４と、Ｚ軸移動・回転部１５と、ウエハチャック１８と、ウエハアライメントカメラ１９と、支柱２０及び２１と、ヘッドステージ２２と、ヘッドステージ２２に取り付けられるプローブカード２４とを有する。

プローブカード２４には、プローブ２５が設けられる。なお、プローブ２５の位置を検出する針位置合わせカメラや、プローブをクリーニングするクリーニング機構などを設けられるが、ここでは省略している。

移動ベース１２と、Ｙ軸移動台１３と、Ｘ軸移動台１４と、Ｚ軸移動・回転部１５は、ウエハチャック１８を３軸方向及びＺ軸周りに回転する移動回転機構を構成する。

ウエハチャック１８は、複数のチップが形成されたウエハＷを真空吸着により保持する。ウエハチャック１８の上面にはテスタ３０の測定電極として作用する導電性の支持面（ウエハ載置面）１８ａが設けられる。

ウエハチャック１８の内部には、チップを高温状態（例えば、最高で１５０℃）、又は低温状態（例えば最低で−４０℃）で電気的特性検査が行えるように、加熱／冷却源としての加熱／冷却機構６６（加熱冷却機構）が設けられる。加熱／冷却機構６６としては、適宜の加熱器／冷却器が採用することができる。加熱／冷却機構６６としては、例えば、面ヒータの加熱層と冷却流体の通路を設けた冷却層との二重層構造にしたもの、熱伝導体内に加熱ヒータを巻き付けた冷却管を埋設した一層構造の加熱／冷却装置など、様々のものを適用することができる。また、加熱／冷却機構６６としては、電気加熱によるものではなく、熱流体を循環させるものを用いてもよいし、ペルチエ素子を使用してもよい。

ウエハチャック１８は、Ｚ軸移動・回転部１５の上に取り付けられる。ウエハチャック１８は、上述した移動回転機構により３軸方向（Ｘ、Ｙ、Ｚ方向）に移動可能であり、かつ、Ｚ軸周りの回転方向（θ方向）に回転可能である。

ウエハＷが保持されるウエハチャック１８の上方には、プローブカード２４が配置される。プローブカード２４は、プローバ１０の筺体の天板を構成するヘッドステージ２２の開口部（プローブカード２４取付部）に着脱自在に装着される。

プローブカード２４は、検査するチップの電極配置に応じて配置されたプローブ２５を有し、検査するチップに応じて交換される。

テスタ３０は、テスタ本体３１と、テスタ本体３１に設けられたコンタクトリング３２とを備えている。プローブカード２４には、各プローブ２５に接続される電極が設けられる。コンタクトリング３２は、この電極に接触するように配置されたスプリングプローブを有する。テスタ本体３１は、図示していない支持機構により、プローバ１０に対して保持される。

［囲繞部材］
次に、本実施形態に係るウエハテストシステムの囲繞部材について、図２を参照して説明する。図２は、プローブの近傍を拡大して示す断面図である。

図２に示すように、プローブカード２４には、囲繞部材７０がプローブ２５を取り囲むように配置されている。囲繞部材７０は、第１の筒部材７２と第２の筒部材７４とを含んでいる。

第１の筒部材７２は、Ｚ軸方向に延びる略円筒状に形成されており、第１の筒部材７２の上端部は、プローブカード２４の図中下面に固定される。なお、第１の筒部材７２の形状は、円筒状に限定されるものではなく、例えば、角筒状であってもよい。

第２の筒部材７４は、ＸＹ平面に沿う断面形状が第１の筒部材７２と略相似形になるように形成される。第２の筒部材７４の本体部７４Ａの外形寸法は、第１の筒部材７２の内寸よりやや小さい。第２の筒部材７４の本体部７４Ａは、第１の筒部材７２の内部に嵌め込まれており、第２の筒部材７４は、第１の筒部材７２の内面に沿ってＺ方向に摺動可能となっている。

第２の筒部材７４の下端には、第２の筒部材７４の本体部７４Ａよりも径が大きいフランジ７４Ｂが形成されている。フランジ７４Ｂは、第１の筒部材７２に対する第２の筒部材７４の摺動範囲を規制する。

なお、第２の筒部材７４は、不図示のバネによりプローブカード２４と接続されており、プローブカード２４から離れる方向に付勢されていてもよい。また、第１の筒部材７２の内面と第２の筒部材７４の外面に嵌合部を設けることにより、第２の筒部材７４が第１の筒部材７２から抜け落ちないようにしてもよい。

［ガス供給機構及びガス加熱機構］
次に、本実施形態に係るウエハテストシステムのガス供給機構及びガス加熱機構について説明する。図２に示すように、本実施形態に係るウエハテストシステムは、ガス供給源８０、レギュレータ８２、バルブ８４及びヒータ８６を更に備える。ガス供給源８０、レギュレータ８２、バルブ８４、ヒータ８６及びガス導入管８８は、ガス供給ライン９０を介して接続される。ガス供給源８０から供給されたガスは、ガス導入管８８を介して囲繞部材７０の内部（囲繞空間７０Ａ）に導入される。

ガスとしては、例えば、空気又は窒素を用いることができる。なお、ガスの種類はこれに限定されるものではなく、ドライエア、絶縁ガス（例えば、フッ化硫黄（ＶＩ）ＳＦ_６）、フロリナート（３Ｍ社の商標）等の耐圧性の高い絶縁性の不活性液体を気化して窒素等と混合したガス等を用いることも可能である。

ガス供給源８０は、ガス供給ライン９０を介してレギュレータ８２側に正圧のガスを供給するためのコンプレッサ又は給気ポンプを備える。ガス供給源８０には、ガスが貯留されるタンクを設けて、このタンクからガスを供給するようにしてもよい。

レギュレータ８２は、ガス供給源８０から供給されるガスの圧力を調整する。制御装置１００は、レギュレータ８２を制御して、囲繞空間７０Ａに供給されるガスの流量及び圧力を調整する。

バルブ８４は、ガスの通路の開閉することができる可動機構を含んでいる。制御装置１００は、バルブ８４の開閉を制御して、囲繞部材７０内部へガスを供給したり、ガスの供給を停止させる。

ヒータ８６は、バルブ８４とガス導入管８８との間のガス供給ライン９０に配置される。制御装置１００は、検査対象の半導体デバイスの目標温度に基づいて、ヒータ８６の設定温度を制御する。ヒータ８６は、囲繞空間７０Ａに供給されるガスの温度を調節する。ヒータ８６としては、例えば、新熱工業株式会社製の気体加熱器ＣＬＨ７６を適用することができる。

ガス導入管８８は、プローブカード２４を貫通しており、バルブ８４を介して供給されたガスは、囲繞空間７０Ａに供給される。ガス供給源８０から供給されたガスは、ガス導入管８８を介して囲繞空間７０Ａに導入され、プローブ２５の周囲の圧力が上昇する（一例で０．５ＭＰａ）。

囲繞空間７０Ａに導入されたガスは、第２の筒部材７４とウエハＷとの間の隙間（ギャップ）を介して囲繞部材７０の外部に流出する。このとき、流出するガスの圧力により、第２の筒部材７４が押し上げられる。このように、本実施形態の囲繞部材７０は、第２の筒部材７４がガスの圧力により押し上げられることにより、第２の筒部材７４とウエハＷとの間に隙間が形成されるフローティング構造をとっている。これにより、第２の筒部材７４とウエハＷとの間のギャップが自動的に調整されるので、囲繞空間７０Ａの圧力が自動的に調整される。このため、ガスの圧力及び流量の調整を最小限にすることができる。また、このフローティング構造により、囲繞空間７０Ａにガスが滞留しないようにすることができる。

図３に示すように、ウエハＷの端部付近のチップを検査するときには、第２の筒部材７４がウエハＷからはみ出てしまう。フローティング構造を有しない囲繞部材を用いた場合、はみ出た部分（図３の破線で囲んだ部分）については、第２の筒部材７４とその対向面（ウエハチャック１８）との間のギャップが大きくなり、ガスの流出量が大きくなる。このため、囲繞部材７０内部の圧力が低下して、圧力の負荷による放電の防止ができなくなるおそれがある。

本実施形態に係る囲繞部材７０は、フローティング構造を有しているため、ウエハＷの端部付近のチップを検査する場合には、ウエハＷからはみ出た部分において、流出ガスの圧力の低下により、第２の筒部材７４が自動的に下がってギャップが狭くなる。これにより、ウエハＷの端部付近でも、ギャップが拡大して圧力が低下することがないので、圧力の負荷による放電の防止をより確実に行うことが可能になる。

なお、第２の筒部材７４は、エアベアリングにより、Ｚ方向の位置が固定されるようにしてもよい。この場合、第１の筒部材７２と第２の筒部材７４との間に隙間を設け、かつ、ガス供給源８０からこの隙間へのガスの流路を設けて、この隙間にガス（圧縮空気）を供給することにより、第２の筒部材７４を第１の筒部材７２に対して固定する。この場合、第２の筒部材７４とプローブカード２４とをバネで接続しなくてもよい。

［ウエハレベル検査］
次に、上述したウエハテストシステムによるウエハレベル検査について、その動作を説明する。

まず、不図示のウエハロード機構により、検査するウエハＷをウエハチャック１８上にロードして、ウエハチャック１８にウエハＷを保持させる。

次に、図示していない針位置合わせカメラでプローブ２５の先端位置を検出する。続いて、ウエハチャック１８にウエハＷを保持した状態で、ウエハＷがウエハアライメントカメラ１９の下に位置するように、ウエハチャック１８を移動させ、ウエハＷ上のチップ６０（図４参照）の電極（チップ表面電極）の位置を検出する。１チップのすべての電極の位置を検出する必要はなく、いくつかの電極の位置を検出すればよい。また、ウエハＷ上のすべてのチップの電極を検出する必要はなく、いくつかのチップの電極の位置を検出すればよい。

プローブ２５の位置及びウエハＷ上のチップ６０の電極の位置を検出した後、チップ６０の電極の配列方向がプローブ２５の配列方向に一致するように、Ｚ軸移動・回転部１５によりウエハチャック１８を回転する。そして、図４に示すように、ウエハＷの検査するチップ６０の電極がプローブ２５の下に位置するように移動した後、ウエハチャック１８を上昇させて、チップ６０の電極をプローブ２５に接触させる。そして、テスタ本体３１から、チップに電流や電圧を印加し特性を測定する。

このチップ６０の検査が終了すると、一旦ウエハＷとプローブ２５を離し、図４に示すように、他のチップ６０がプローブ２５の下に位置するように移動し、同様の動作を行う。以下、各チップ６０を順次選択して検査する。そして、ウエハ上の指定されたすべてのチップ６０の検査が終了すると、１枚のウエハの検査を終了する。

このようにして、ウエハＷ上のすべてのチップ６０の検査が終了すると、ウエハＷの検査を終了し、検査済みのウエハＷをアンロードして、次に検査するウエハＷをロードして上記の動作を行う。

［半導体デバイスの検査方法］
次に、半導体デバイスの検査時における温度制御について、図５及び図６を参照して説明する。図５は、本発明の一実施形態に係る半導体デバイスの検査方法を示すフローチャートである。

まず、ウエハＷがウエハチャック１８に保持された後、制御装置１００は、アライメントを実施して、プローブカード２４の移動機構を制御し、検査（プロービング）の対象のチップ（半導体デバイス）上にプローブ２５を移動させる（ステップＳ１０）。

次に、制御装置１００は、ヒータ８６を制御してガスの温度制御を行い（ステップＳ１２）、バルブ８４を開放して、ガス供給源８０からプローブ２５の付近に、温度制御されたガスを導入する（ステップＳ１４）。

次に、プローブ２５をチップ上の電極に接触させてプロービングを行う（ステップＳ１６）。そして、ステップＳ１６のプロービングが終了した後、ほかのチップの検査を行う場合には（ステップＳ１８のＮｏ）、ステップＳ１０に戻る。一方、検査を終了する場合には（ステップＳ１８のＹｅｓ）、ガスの供給停止、ヒータ８６の停止、ウエハＷの搬出、格納等の所定の処理が行われた後、ウエハＷの検査を終了する。

次に、ステップＳ１２のガスの温度制御工程について図６を参照して説明する。図６は、ガスの温度制御工程を示すフローチャートである。

まず、制御装置１００は、検査時の半導体デバイスの目標温度に基づいてヒータ８６の設定温度を算出する（ステップＳ２０）。ヒータ８６によって加熱されたガスは、ガス供給ライン９０を通って囲繞空間７０Ａに供給されるまでの間に放熱したり、囲繞空間７０Ａから流出するガスの流れによって温度が低下し得る。このため、本実施形態では、制御装置１００は、ヒータ８６の設定温度を検査時の半導体デバイスの目標温度よりも高く設定し、ヒータ８６から出るガスの温度が半導体デバイスの目標温度よりも高くなるようにヒータ８６を制御する。

別の実施例としては、制御装置１００は、検査時の半導体デバイスの目標温度に所定のオフセット値を加算することにより、ヒータ８６の設定温度を算出するようにしてもよい。

ここで、オフセット値は、検査時の半導体デバイスの目標温度にこのオフセット値を加算して温度制御したときに、ヒータ８６から囲繞空間７０Ａに供給されたときのガスの温度が目標温度になるように設定された値である。このオフセット値は、検査時間、装置外部温度、ガスの温度、圧力、流量、ウエハのサイズ、厚み、材質、プローブカード２４の囲繞部材７０の容積、温度センサとの位置関係等のファクターに影響されるものであり、実験的に決定される。制御装置１００は、この実験的に決定されたオフセット値を、上記のファクターごとにあらかじめ記憶手段に記憶している。そして、制御装置１００は、半導体デバイスの検査時に上記のファクターに対応するオフセット値を読み出して、読み出したオフセット値を目標温度に加算する。これにより、ガスの温度制御を適切に行うことができる。

なお、ガスの温度制御の方法は上記に限定されるものではなく、ヒータ８６の設定温度を入力値、囲繞空間７０Ａに供給される直前のガスの温度（例えば、ガス導入管８８の外周温度）を目標値として、フィードバック制御又はＰＩＤ制御（Proportional-Integral-Differential Control）を行うことにより温度制御を行ってもよい。

次に、制御装置１００は、ヒータ８６によるガス供給ライン９０の加熱を開始し、バルブ８４を開放する（ステップＳ２２）。これにより、ヒータ８６により加熱されたガスが供給される（図５のステップＳ１４）。

本実施形態によれば、プローブ２５の周囲の囲繞部材７０で囲まれた囲繞空間７０Ａに、検査時の目標温度に応じて加熱されたガスを供給することにより、ウエハＷ表面付近での放電の発生を防止することができ、かつ、ガスの供給に起因する温度の低下を防止することができる。さらに、フローティング構造を有する囲繞部材７０を用いることにより、検査対象のチップがウエハＷの端部に位置する場合であっても、プローブ２５付近の圧力を自動的に安定させることができる。

１０…プローバ、１１…基台、１２…移動ベース、１３…Ｙ軸移動台、１４…Ｘ軸移動台、１５…Ｚ軸移動・回転部、１８…ウエハチャック、１８ａ…支持面、２２…ヘッドステージ、２４…プローブカード、２５…プローブ、３０…テスタ、３１…テスタ本体、３２…コンタクトリング、５０Ａ〜５０Ｄ…温度センサ、６６…加熱／冷却機構、７０…囲繞部材、７０Ａ…囲繞空間、７２…第１の筒部材、７４…第２の筒部材、８０…ガス供給源、８２…レギュレータ、８４…バルブ、８６…ヒータ、８８…ガス導入管、９０…ガス供給ライン、１００…制御装置

Claims

半導体ウエハが載置されて保持されるウエハチャックと、
前記ウエハチャックと対向して配置され、前記ウエハチャックに保持された前記半導体ウエハ上に形成された半導体デバイスの電極に接触して前記半導体デバイスの検査を行うためのプローブを支持するプローブカードと、
前記プローブカードと前記ウエハチャックとの間で前記プローブの周囲を囲む囲繞部材と、
前記半導体デバイスの電気的特性の検査を行うときに、前記プローブの周囲にガスを供給して、前記プローブの周囲の圧力を上げるガス供給機構と、
前記ガス供給機構から前記プローブの周囲に供給されるガスを加熱するヒータと、
検査対象の半導体デバイスの検査時の目標温度に応じて前記ヒータを制御して、前記ガスの温度制御を行う制御装置と、
を備えるプローバ。
前記制御装置は、前記ヒータを制御して前記ガスの温度を前記検査対象の半導体デバイスの前記目標温度よりも高くする、請求項１記載のプローバ。
前記制御装置は、前記ガスの温度を前記検査対象の半導体デバイスの前記目標温度に所定のオフセット値を加算し、前記ヒータを制御して前記ガスの温度を、前記目標温度に前記オフセット値を加算した温度になるように前記ガスの温度制御を行う、請求項１又は２記載のプローバ。
前記制御装置は、前記検査対象の半導体デバイスの目標温度にこのオフセット値を加算して温度制御したときに、前記ヒータから前記プローブ付近に供給されたときの前記ガスの温度が前記目標温度になるように設定されたオフセット値を記憶する、請求項３記載のプローバ。
前記囲繞部材は、
前記プローブカードに固定された第１の筒部材と、
前記第１の筒部材に対して摺動可能な第２の筒部材と、
を備える、請求項１から４のいずれか１項記載のプローバ。