JP5991094B2 - 測定装置および測定方法、ならびに該測定方法を備える素子製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、測定装置および測定方法、ならびに該測定方法を備える素子製造方法に関する。特に、素子の電極に高電圧を印加する耐圧測定に対する測定装置および測定方法、ならびに該測定方法を備える素子製造方法に関する。

大電力を扱うことができる半導体装置は、一般にパワーデバイスと呼ばれる。大電力を取り扱うためには、該半導体装置には高耐圧化、低損失化、高温環境下での使用などを可能とすること等が望まれる。このため、パワーデバイスにとって耐圧は重要な評価項目の一つである。

耐圧測定は、素子分離工程前に実施される方法と、素子分離工程後に実施される方法とがあるが、検査効率の観点から、素子分離工程前に実施されることが望ましい。

しかし、素子分離前のウエハ状態で耐圧測定を行うためには、複数のプローブを素子の電極にそれぞれ接触させて測定する必要がある。このとき、耐圧測定においてはプローブ間に数百Ｖ以上の高電圧を印加する必要があり、素子表面の水分に起因して気中放電が起こり、設計耐圧に到達する前に素子が破壊されるという問題がある。

気中放電を抑制するために、例えば、特開昭５９−３９４３号公報に、素子表面の全面または一部を絶縁樹脂膜で保護する方法が提案されている。ただし、素子表面を絶縁樹脂膜で保護する方法では、耐圧測定時にプローブで樹脂膜を突き破る必要があるため、素子に対してダメージを与えるリスクがある。また、プローブの摩耗が早まることも懸念される。

これに対して、素子表面を絶縁溶液に浸しながら測定する方法が、特開２００３−１００８１９号公報に提案されている。ただし、絶縁溶液が測定途中で蒸発するリスクがあること、また、測定途中での絶縁溶液の蒸発を防止するために大量の絶縁溶液に素子表面を浸した場合、絶縁溶液をこぼさないように測定するには、測定スピードを通常測定時よりも低下させる必要がある。

そこで、素子表面の一部に絶縁液を吐出して覆った後に測定する耐圧測定方法が特許第４４８２０６１号公報に提案されている。また、絶縁液を吐出する絶縁液吐出部を備えた耐圧測定装置も併せて提案されている。

特開昭５９−３９４３号公報 特開２００３−１００８１９号公報 特許第４４８２０６１号公報

しかしながら、特許第４４８２０６１号公報に記載の耐圧測定装置はプローブと別体の絶縁液吐出部を備える。そのため、半導体ウエハの位置合わせを厳密に行わなければ、半導体ウエハに形成された複数の素子においてプローブおよび絶縁液吐出部と素子の電極との相対位置関係にずれが生じるため、プローブと電極との接触部を確実に絶縁することは難しい。

本発明は上記のような課題を解決するためになされたものである。本発明の主たる目的は、電極とプローブとの接触部を確実に絶縁液で覆うことができる測定装置および測定方法、ならびに、該測定装置を用いた製造方法を提供することにある。

本発明に係る測定装置は、素子の電極に電圧を印加するプローブと、プローブの表面を介して電極とプローブとの接触部に絶縁液を供給する供給部材とを備える。

これにより、絶縁液を、電極に対して位置決めされたプローブの表面を介して電極とプローブとの接触部に確実に供給することができる。

本発明に係る測定方法は、電極を含む素子が形成されたウエハを準備する工程と、素子の電極とプローブとを接触させる工程と、プローブの表面を介して電極とプローブとの接触部に絶縁液を供給した状態で、プローブと電極との間に電流を流して素子特性を測定する工程とを備える。このように、本発明に係る測定方法では、絶縁液はプローブの表面を介して接触部に供給されるため、プローブを電極に対して位置決めすることにより、絶縁液を接触部に確実に供給することができる。

本発明によれば、電極とプローブとの接触部を、確実に絶縁液で覆うことができる、測定装置および測定方法、ならびに製造方法を提供することができる。

本実施の形態１の測定装置の概略図である。 本実施の形態１の測定方法を示すフローチャートである。 本実施の形態１の貯留部を示す概略図である。 図３の変形例を示す図である。 図３の他の変形例を示す図である。 図３のさらに他の変形例を示す図である。 本実施の形態２の測定装置の概略図である。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。

（実施の形態１）
以下、図１を参照して、本発明の実施の形態１に係る測定装置について説明する。本実施の形態に係る測定装置は、素子分離工程前でウエハ１０の状態にある素子の電気特性を測定する装置であり、素子（図示しない）の電極に電圧を印加するプローブ１と、プローブ１の表面を介して電極とプローブ１との接触部１０Ｃに絶縁液２０を供給する供給部材２とを備える。

本実施の形態においては、素子はウエハ１０上に複数形成されたＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。個々のＩＧＢＴはウエハ１０の主表面１０Ａ側にエミッタ電極とゲート電極を、裏面１０Ｂ側にコレクタ電極を有している。ウエハ１０は、裏面１０Ｂがステージ９と接続されることによって移動可能に保持される。例えば、裏面１０Ｂはステージ９に吸着されて保持される。裏面１０Ｂに対向するステージ９の表面は導電部材を有している。裏面１０Ｂとステージ９の表面とを対向するようにウエハ１０をステージ９に載置すると、ウエハ１０に形成されたＩＧＢＴのコレクタ電極と、ステージ９とは電気的に接続される。ステージ９は制御部７におけるウエハ位置制御部、電圧印加部、電流測定部に接続されている。

プローブ１は、ウエハ１０の主表面１０Ａ側に形成されたエミッタ電極およびゲート電極に接触することにより、各電極と電気的に接続可能となるように構成される。本実施の形態に係る測定装置では、プローブ１は、エミッタ電極とゲート電極にそれぞれ接続される２つで構成される。２つのプローブ１は、例えば、ホルダ１１を介して架台（図示しない）に保持される。また、２つのプローブ１は制御部７に接続されている。プローブ１の材料および形状は、電極との間で低抵抗接触可能な任意の構成とすればよい。

供給部材２は、プローブ１に付設されている。供給部材２は、例えば、ホルダ１１に固定されている。また、供給部材２は、絶縁液２０を貯えたタンク８に接続されている。タンク８から流れ出た絶縁液２０は、例えば、電磁弁などの開閉部材を介して供給部材２の吐出ノズル２ａからプローブ１の表面に吐出される。吐出ノズル２ａは、例えば、プローブ１において先端から所定の距離離れかつ所定の高さにあるプローブ１の表面に絶縁液２０を供給可能なように設けてもよい。このようにすることで、プローブ１と電極との接触時において、プローブ１の該表面から接触部１０Ｃまでを絶縁液２０で覆うことができる。供給部材２は、制御部７に接続されており、絶縁液２０の吐出量、および吐出のタイミングは制御部７によって、例えば、開閉部材の動作が制御されることにより、調整されている。

絶縁液２０は、電気絶縁性を有する液体である。ここで、電気絶縁性を有するとは、大気よりも高い絶縁耐力を有していることを指す。絶縁液２０は、例えば、フッ素系不活性液体としてもよい。フッ素系不活性液体である住友スリーエム社製フロリナートは、２．５４ｍｍギャップあたり３５ｋＶ以上の絶縁耐力を有しており、大気の４倍以上の絶縁耐力を有している。

制御部７は、プローブ１、供給部材２、およびステージ９と接続され、これらを制御可能とするように構成されている。具体的には、制御部７は、ステージ９の位置を制御する。また、制御部７は、プローブ１およびステージ９を介してＩＧＢＴの各電極（エミッタ電極、ゲート電極、コレクタ電極）のうちから選ばれる２つの間に所定の電圧を印加する。さらに、このとき制御部７は、電圧を印加した２つの電極間のリーク電流を測定する。

以上のように、本実施の形態に係る測定装置では、供給部材２は、吐出ノズル２ａからプローブ１の表面を介して、プローブ１と電極との接触部１０Ｃに絶縁液２０を供給するため、接触部１０Ｃを絶縁液２０で確実に覆うことができる。

次に、図１および図２を参照して、本実施の形態に係る測定方法について説明する。本実施の形態に係る測定方法は、電極を含む素子（ＩＧＢＴ）が形成されたウエハ１０を準備する工程と、素子の電極とプローブ１とを接触させる工程と、プローブ１の表面を介して電極とプローブ１との接触部１０Ｃに絶縁液２０を供給した状態で、電極間に電圧を印加して素子特性を測定する工程とを備える。

まず、電極を含む素子が形成されたウエハ１０を準備する（Ｓ０１）。本実施の形態においては、ウエハ１０に形成された素子はＩＧＢＴである。ウエハ１０の主表面１０Ａ側にはエミッタ電極とゲート電極が形成されており、ウエハ１０の裏面１０Ｂ側にはコレクタ電極が形成されている。

次に、準備したウエハ１０を上述した本実施の形態に係る測定装置のステージ９に載置する（Ｓ０２）。この工程（Ｓ０２）では、ウエハ１０の裏面１０Ｂをステージ９の表面に対向するようにウエハ１０をステージ９上に載置する。これにより、ウエハ１０に複数形成されたＩＧＢＴの各コレクタ電極とステージ９の表面とが電気的に接続される。さらにここで、ウエハ１０のアライメント調整が行われる。

次に、ウエハ１０に形成された複数のＩＧＢＴのうち、測定対象のＩＧＢＴを測定位置に移動させる（Ｓ０３）。具体的には、制御部７が、ウエハ１０の表面に平行な面内（ＸＹ平面内）においてステージ９を移動させて測定対象となるＩＧＢＴを測定位置に移動させる。

次に、ウエハ１０に形成されたＩＧＢＴのエミッタ電極およびゲート電極にそれぞれプローブ１を接触させる（Ｓ０４）。この工程（Ｓ０４）では、ステージ９を移動させて、ウエハ１０に形成された複数のＩＧＢＴのうちから選ばれる１つのＩＧＢＴのエミッタ電極およびゲート電極を、それぞれ架台に固定された２つのプローブ１に接触させる。具体的には、測定位置に移動された後、ウエハ１０の表面に垂直な方向（Ｚ軸方向）にステージ９を移動させて測定対象のＩＧＢＴの電極とプローブ１とを接触させる。２つのプローブ１は、ＩＧＢＴの素子形状に基づき予め互いの位置関係が決められて、保持されている。また、ステージ９の移動は制御部７によって制御される。例えば、予めウエハ１０上における複数のＩＧＢＴに対し測定対象とするＩＧＢＴの座標、測定の順番、プローブ１の送り量等を制御部７に記憶させておいてもよい。工程（Ｓ０２）および工程（Ｓ０４）によって、測定対象となるＩＧＢＴの各電極と、電圧を印加して電流を測定する制御部７とが電気的に接続される。なお、ステージ９とプローブ１との相対的な位置を変更するために、プローブ１を移動させてもよい。

本実施の形態に係る測定方法では、工程（Ｓ０４）にてプローブ１と電極とが接触した後に、プローブ１の表面を介して接触部１０Ｃに絶縁液２０を供給する工程（Ｓ１４）が施される。このとき、供給部材２の吐出ノズル２ａからプローブ１の表面に絶縁液２０が供給されるタイミングは、制御部７によって制御される。制御部７は、例えば、ステージ９の位置情報からプローブ１と電極との接触を判断した後、供給部材２において吐出ノズル２ａからプローブ１の表面に所定の量の絶縁液２０を吐出させてもよい。また、プローブ１において、吐出ノズル２ａから絶縁液２０が吐出されたプローブ１の表面から、プローブ１の先端までは絶縁液２０で覆われる。そして、プローブ１の先端と電極とが接触することにより、絶縁液２０は接触部１０Ｃに供給される。このとき、絶縁液２０の量は次工程である測定工程（Ｓ０５）において気中放電を防止可能な量とすればよい。具体的には、絶縁液２０の量は、ＩＧＢＴにおいて絶縁膜が形成されていない領域（例えば、絶縁膜に開口部が形成されることで露出している電極パッド部）を覆うことができる量とすればよい。その結果、この工程（Ｓ１４）では、プローブ１とエミッタ電極およびゲート電極との接触部１０Ｃが確実に絶縁液２０によって覆われる。

次に、プローブ１と電極との接触部１０Ｃに絶縁液２０を供給した状態で、電極間に電圧を印加して素子特性を測定する（Ｓ０５）。この工程（Ｓ０５）では、ＩＧＢＴのエミッタ電極、ゲート電極、コレクタ電極のうちから選ばれる２つの間に所定の電圧を印加し、そのとき流れる電流を測定する。例えば、エミッタ電極とゲート電極とを短絡させ、エミッタ電極とコレクタ電極との間に電圧を印加して流れる電流を測定し、エミッタ‐コレクタ間の耐圧を評価する。

１つのＩＧＢＴに対する測定が終了すると、制御部７はステージ９を移動させてプローブ１と電極とを離間させる。その後、ウエハ１０に形成されたＩＧＢＴのうち、全ての測定対象について測定が完了するまで、工程（Ｓ０３）、工程（Ｓ０４）、工程（Ｓ１４）、工程（Ｓ０５）を繰り返し実施する。

以上のように、本実施の形態に係る測定方法では、絶縁液２０をプローブ１の表面を介してプローブ１と電極との接触部１０Ｃに供給することにより、当該接触部１０Ｃを確実に覆うことができる。また、プローブ１に対しても接触部１０Ｃから所定の高さにかけて絶縁液２０で覆うことができる。また、本実施の形態に係る測定方法は、ＩＧＢＴの製造方法における素子特性評価工程に適用することができる。例えば、ＩＧＢＴの製造方法において、ウエハ上にＩＧＢＴの各構造を形成する加工工程を実施した後、図２に示した本実施の形態に係る測定方法を用いた評価工程を実施してもよい。

本実施の形態では、制御部７は、プローブ１と電極との接触を検出する前に、絶縁液２０を供給部材２の吐出ノズル２ａからプローブ１の表面に所定の量を吐出しておいてもよい。例えば、ウエハ１０上に複数形成されたＩＧＢＴのうち、次の測定対象素子を測定位置に配置するためにステージ９を移動させる間に、吐出ノズル２ａからプローブ１の表面に絶縁液２０を吐出させておいてもよい。このようにすれば、プローブ１と電極との接触後に絶縁液２０をプローブ１表面に吐出する場合と比較して、プローブ１と電極とを接触させた後に絶縁液２０が接触部１０Ｃに到達するまでの時間を短縮することができる。

また、制御部７は、プローブ１と電極との接触を検出する前に、絶縁液２０を供給部材２の吐出ノズル２ａからプローブ１の表面に所定の量だけ吐出してもよく、さらに測定位置の位置合わせ（工程Ｓ０３）後であってプローブ１と電極との接触（工程Ｓ０４）前に（例えば、ステージ９をＺ軸方向へ移動中に）プローブ１の表面を介して素子に絶縁液２０を滴下してもよい。この場合も、絶縁液２０は、プローブ１から滴下されるため、プローブ１と電極とが接触する領域に確実に供給されることができる。また、接触後に絶縁液２０を供給する場合と比較して、絶縁液２０を接触部１０Ｃに迅速に供給することができる。

さらに、プローブ１と電極とが接触すると同時に、接触部１０Ｃに絶縁液２０を確実に供給可能なように、制御部７による絶縁液２０の吐出条件（吐出量、吐出するタイミング等）や、プローブ１および吐出ノズル２ａの構成等を採用するのが好ましい。このようにすれば、接触部１０Ｃに確実かつ迅速に絶縁液２０を供給することができる。この結果、絶縁液２０の供給に係る測定時間の延長を抑制することができる。

また、本実施の形態に係る測定装置では、プローブ１は、１つ以上あればよい。たとえば、１つのプローブ１とステージ９の表面との間で、電圧を印加し、電流を測定可能に構成されてもよい。

また、本実施の形態に係る測定装置では、プローブ１の表面に、所定の量の絶縁液を貯留可能とし、かつプローブ１と電極との接触部１０Ｃに絶縁液を供給可能とする貯留部が構成されていてもよい。貯留部は、例えば、図３を参照して、プローブ１の表面に形成された溝３であってもよい。溝３はプローブ１の強度や接触抵抗に影響を与えない限りにおいて、プローブ１において任意の領域に設けられることができ、先端近傍に設けられてもよく、例えば、プローブ１の先端からプローブ１の根元側に向かって直線状又はらせん状に、伸びるように形成されていてもよい。また変形例として、貯留部は、図４を参照して、プローブ１の表面に形成された穴４であってもよい。さらに他の変形例として、貯留部は、図５を参照して、プローブ１の表面に形成された凹凸部５であってもよい。さらに他の変形例として、貯留部は、図６を参照して、プローブ１の先端をプローブ１ａとプローブ１ｂとに分割するように形成された切割溝６であってもよい。これらプローブ１に形成された貯留部に、吐出ノズル２ａからプローブ１の表面に供給された絶縁液２０が到達すると、貯留部には絶縁液２０が貯留される。これらの変形例においても、上述した溝３のように、プローブ１の表面の任意の領域に貯留部を構成することができる。

また、本実施の形態に係る測定装置では、複数のプローブ１間に電圧を印加可能に構成されていなくてもよい。この場合には、例えば、各プローブ１は接地され、プローブ１とステージ９との間に電圧が印加される。

また、本実施の形態に係る測定装置では、供給部材２は、プローブ１の表面に絶縁液を供給可能とする限りにおいて、架台に固定されていてもよい。

本実施の形態において、素子は、例えば、パワーデバイスと呼ばれる任意の半導体素子とすることができ、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であってもよい。

（実施の形態２）
次に、図７を参照して、本発明の実施の形態２に係る測定装置および測定方法について説明する。本実施の形態は、基本的には実施の形態１に係る測定装置および測定方法と同様の構成を備えるが、供給部材２が絶縁液槽２ｂを含み、かつ、プローブ１の表面に形成された絶縁液を一時的に貯留する貯留部（図７の例では切割溝６）を含む点で、図１および図２に示した測定装置および測定方法と異なる。なお、本実施の形態において、貯留部は、切割溝６に限られず、上述のように、絶縁液を一時的に貯留可能とする任意の構成とすることができる。

本実施の形態においては、絶縁液は吐出ノズル２ａからプローブ１の表面に供給されるのではなく、例えば、図７（ａ）を参照して、測定装置に絶縁液を貯えた絶縁液槽２ｂを付設し、該絶縁液槽２ｂにプローブ１を浸漬することによって、絶縁液はプローブ１の表面に形成された貯留部に供給される。絶縁液槽２ｂは、例えば、ステージ９に付設されて移動可能に設けてもよい。この場合、上述のように架台に固定されたプローブ１に対して、絶縁液槽２ｂを移動させることによって、絶縁液槽２ｂにプローブ１を浸漬させてもよい。また、絶縁液槽２ｂは、例えば、測定装置上に固定されて設けられてもよい。この場合、実施の形態１に係る測定装置とは異なり、プローブ１を移動可能に設けることで、絶縁液槽２ｂにプローブ１を浸漬することができる。

本実施の形態に係る測定方法では、絶縁液をプローブ１の表面に供給するために、ステージ９の移動または移動可能に設けられたプローブ１を移動させることが必要である。このとき、絶縁液槽２ｂにプローブ１を浸漬するタイミングは、測定位置に測定対象のＩＧＢＴを移動させる前、または測定対象のＩＧＢＴにプローブ１を移動させる前である。また、絶縁液槽２ｂにプローブ１を浸漬するタイミングは、ウエハ１０に形成された複数の素子を測定する際において、一定の間隔で繰り返してもよい。また、例えば、プローブ１に形成された貯留部の貯留可能な容量を大きくする、あるいは絶縁液槽２ｂをウエハ１０の周囲に複数配置する等、プローブ１や絶縁液槽２ｂを適当な構成とすることで、絶縁液槽２ｂにプローブ１を浸漬することによる測定時間の延長を低減することができる。このようにすれば、実施の形態１に係る測定装置と同様の効果を得ることができる。

また、本実施の形態に係る測定方法では、プローブ１と電極とが接触すると同時に接触部１０Ｃに絶縁液２０を供給することができ、接触部１０Ｃを確実かつ迅速に覆うことができる。

以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の測定装置および測定方法は、大電流動作が要求される電力素子の測定装置および測定方法に特に有利に適用される。

１，１ａ，１ｂ プローブ、２ 供給部材、２ａ 吐出ノズル、２ｂ 絶縁液槽、３ 溝、４ 穴、５ 凹凸部、６ 切割溝、７ 制御部、８ タンク、９ ステージ、１０ ウエハ、１０Ａ 主表面、１０Ｂ 裏面、１０Ｃ 接触部、１１ ホルダ、２０ 絶縁液。

Claims (14)

1. 素子の電極に電圧を印加するプローブと、
   前記プローブの表面を介して前記電極と前記プローブとの接触部に絶縁液を供給する供給部材とを備え、
   前記供給部材は、前記プローブに付設され、前記プローブの表面を介して前記接触部に前記絶縁液を吐出する吐出ノズルを含む、測定装置。
2. 素子の電極に電圧を印加するプローブと、
   前記プローブの表面を介して前記電極と前記プローブとの接触部に絶縁液を供給する供給部材とを備え、
   前記供給部材は、前記絶縁液を貯めた液槽を含み、
   前記プローブが前記液槽に浸漬されることにより、前記プローブの表面を介して前記接触部に前記絶縁液が供給される、測定装置。
3. 素子の電極に電圧を印加するプローブと、
   前記プローブの表面を介して前記電極と前記プローブとの接触部に絶縁液を供給する供給部材とを備え、
   前記プローブは、前記絶縁液を一時的に貯留する貯留部を含み、
   前記貯留部は、前記プローブの表面に形成された溝である、測定装置。
4. 素子の電極に電圧を印加するプローブと、
   前記プローブの表面を介して前記電極と前記プローブとの接触部に絶縁液を供給する供給部材とを備え、
   前記プローブは、前記絶縁液を一時的に貯留する貯留部を含み、
   前記貯留部は、前記プローブの表面に形成された穴である、測定装置。
5. 素子の電極に電圧を印加するプローブと、
   前記プローブの表面を介して前記電極と前記プローブとの接触部に絶縁液を供給する供給部材とを備え、
   前記プローブは、前記絶縁液を一時的に貯留する貯留部を含み、
   前記貯留部は、前記プローブの表面に形成された凹凸部である、測定装置。
6. 素子の電極に電圧を印加するプローブと、
   前記プローブの表面を介して前記電極と前記プローブとの接触部に絶縁液を供給する供給部材とを備え、
   前記プローブは、前記絶縁液を一時的に貯留する貯留部を含み、
   前記貯留部は、前記プローブの先端に形成された切割溝である、測定装置。
7. 電極を含む素子が形成されたウエハを準備する工程と、
   前記素子の前記電極とプローブとを接触させる工程と、
   前記プローブの表面を介して前記電極と前記プローブとの接触部に絶縁液を供給した状態で、前記プローブと前記電極との間に電流を流して素子特性を測定する工程とを備え、
   前記プローブは、前記絶縁液を一時的に貯留する貯留部を含み、
   前記貯留部は、前記プローブの表面に形成された溝である、測定方法。
8. 前記接触させる工程の後であって前記測定する工程の前に、前記プローブの表面を介して前記電極と前記プローブとの前記接触部に前記絶縁液を供給する工程をさらに備える、請求項７に記載の測定方法。
9. 前記接触させる工程の前に、前記プローブの表面に前記絶縁液を供給する工程をさらに備える、請求項７に記載の測定方法。
10. 前記接触させる工程の実施と同時に、前記プローブの表面を介して前記電極と前記プローブとの前記接触部に前記絶縁液を供給する、請求項７または９に記載の測定方法。
11. 電極を含む素子が形成されたウエハを準備する工程と、
    前記素子の前記電極とプローブとを接触させる工程と、
    前記プローブの表面を介して前記電極と前記プローブとの接触部に絶縁液を供給した状態で、前記プローブと前記電極との間に電流を流して素子特性を測定する工程とを備え、
    前記プローブは、前記絶縁液を一時的に貯留する貯留部を含み、
    前記貯留部は、前記プローブの表面に形成された穴である、測定方法。
12. 電極を含む素子が形成されたウエハを準備する工程と、
    前記素子の前記電極とプローブとを接触させる工程と、
    前記プローブの表面を介して前記電極と前記プローブとの接触部に絶縁液を供給した状態で、前記プローブと前記電極との間に電流を流して素子特性を測定する工程とを備え、
    前記プローブは、前記絶縁液を一時的に貯留する貯留部を含み、
    前記貯留部は、前記プローブの表面に形成された凹凸である、測定方法。
13. 電極を含む素子が形成されたウエハを準備する工程と、
    前記素子の前記電極とプローブとを接触させる工程と、
    前記プローブの表面を介して前記電極と前記プローブとの接触部に絶縁液を供給した状態で、前記プローブと前記電極との間に電流を流して素子特性を測定する工程とを備え、
    前記プローブは、前記絶縁液を一時的に貯留する貯留部を含み、
    前記貯留部は、前記プローブの先端に形成された切割溝である、測定方法。
14. 請求項７〜１３のいずれか１項に記載の測定方法を採用した素子製造方法。

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