JP4180009B2 - 半導体の電気特性測定装置、および、測定方法 - Google Patents
半導体の電気特性測定装置、および、測定方法 Download PDFInfo
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Description
また、前記接触式の測定方法では、半導体基板に直接測定端子を接触させるので、半導体基板を損傷、汚染する可能性があり、以降の工程の歩留まりを低下させる要因となっていた。
図7に示すように、SOI半導体200は、高導電性の単結晶シリコン201の表面に絶縁層であるBOX(Buried Oxide)層202が形成され、さらにこのBOX層202の表面にSOI層203が形成されたものである。そして、このSOI半導体200の電気特性測定には、図7に示すようなプローブ100を用いる。
本発明の実施形態1に係る半導体の電気特性測定装置について図1〜図4を参照して説明する。
図1は本実施形態に係る半導体の電気特性測定装置のプローブ1と被測定半導体基板20との電気特性側定時の概略状態を示す斜視図である。なお、図1では、プローブ1は被測定半導体基板20との近接(接触)面側の端部と、この端部から延びる所定長さ分のみを示し、上面側に軸方向に垂直な断面を示している。
また、図2は図1において、O点−O’点を通るx−z平面(y軸に垂直な面)の断面図を示している。
また、図3は図1、図2に示すプローブ1を用いて被測定半導体基板20の電気特性を測定する装置の概略構成を示す構成図である。
このように、測定した電気特性は予め設定・記憶されている基準特性値を比較され、該基準特性値を満たさない半導体基板20は電気特性不良基板として摘出する。これにより、半導体基板20を用いて半導体デバイスを形成する前段階で、半導体基板20の電気特性を測定・判定することができるので、余分なパターン形成等の電気特性検査用の付加作業、付加工程を必要とせず、簡易に半導体基板の電気特性を測定することができる。また、このような装置、方法を用いることで、半導体基板の電気特性測定を製造工程内のインライン検査を行うことができる。
以上のように、前述の構成の電気特性測定装置を用い、前述の測定方法を用いることで、半導体基板の一方面が絶縁層である場合や、単体の半導体基板である等半導体基板の構成によらず、半導体の電気特性を簡易に測定することができる。
図4に示すプローブ61は、それぞれに空洞部600a,600bを備えた絶縁部60a,60bと固形導体部60cとが所定方向に絶縁部60a、固形導体部60c、絶縁部60bの順に配列形成されている。そして、空洞部600a,600b内に導体62,63が挿入されており、導体62,63は流動性導体で形成されている。プローブ61の全体は絶縁部60dで囲まれている。固形導体部60cは絶縁部60a,60bの端面、すなわちプローブ61の端面から所定長さ窪んだ(後退した)位置まで配置されており、外側は絶縁体600a,600d,600bで囲まれている。なお、電圧印加の構成については前述の図3と同様であり、説明は省略する。そして、固形導体部60cにゲート電圧VG を印加し、導体62、63にドレイン電圧VD を印加することで、前述の実施形態と同様にプローブ61と被測定半導体基板の表層部とが電界効果トランジスタとして機能するので、前述の実施形態の効果と同様の効果を奏することができる。
本発明の実施形態2に係る半導体の電気特性測定装置について、図5、図6を参照して説明する。
図5は、実施形態1の図2に相当する、プローブのx−z断面図であり、図6は図5に示すプローブにおいて被測定半導体基板の電気特性を測定する装置の概略構成を示す構成図である。
図5に示すように、本発明の実施形態2では、実施形態1におけるプローブ1のうち、固形導体3ではなく、強誘電体7を用いている。強誘電体7の材料としてはPZT(Pb[Zrx ,Ti1-x ]O3 )やチタン酸バリウム等を用いる。強誘電体7は予めz軸方向(プローブの軸方向、被測定半導体基板の表面に垂直な方向)に分極させておき、P型半導体を測定する場合、正に分極した側を基板に面する側に配置してプローブ1を形成する。そして、強誘電体7は実施形態1と異なり、被測定半導体基板の表面に接触させてもよい。予め強誘電体7の接触面は正に分極されているので、正の静電界が印加されてP型半導体層22の表面には電荷(電子)が誘導される。このことにより、P型半導体表面にn型の反転層が形成される。したがって、強誘電体がゲート電極の機能を果たしており、本実施形態2では、電荷誘導端子として強誘電体7を用いているので、装置構成としては実施形態1と異なり、図6に示すように、ゲート電圧を印加する必要が無く、半導体の電気特性を測定することができる。なお、前述の本実施形態の構成においては、強誘電体7が本発明の「電荷誘導手段」に相当するとともに、「反転層生成手段」に相当する。
2,4,62,63,101,103−流動性導体
3−固形導体
10a,10b,10c,102,104−絶縁層
11a,11b,11c−空洞部
20−半導体基板
21−下地層
22−P型半導体層
41,42−可変電圧源
43−電流計
50−空気層
60a,60b,60d−絶縁部
60c−固形導体部
600a,600b−空洞部
7−強誘電体
Claims (5)
- 被測定半導体の表面に接触する第1導体を備えた第1の電界印加端子と、前記被測定半導体の表面に接触する第2導体を備えた第2の電界印加端子とを含む第1電界印加手段と、
前記第1導体、および、前記第2導体から絶縁されるとともに、前記被測定半導体の表面に近接する第3導体を備えた電荷誘導端子を含む電荷誘導手段と、
前記第1の電界印加端子と前記第2の電界印加端子との間に電位差を生じさせ、前記被測定半導体の表面近傍に所定方向の第1電界を生成する第1電界生成手段と、
前記電荷誘導端子を介した第2電界の生成により前記被測定半導体に電荷を誘導して反転層を生成する反転層生成手段と、
前記電界印加と前記電荷誘導により前記被測定半導体の電気特性値を測定する測定手段と、を備え、
前記第1電界印加手段および前記電荷誘導手段は、前記被測定半導体の表面に平行な断面が同心円状であり、前記第1の電界印加端子、前記電荷誘導端子、前記第2の電界印加端子を前記同心円の中心から径方向にこの順序で配置したことを特徴とする半導体の電気特性測定装置。 - 被測定半導体の表面に接触する第1導体を備えた第1の電界印加端子と、前記被測定半導体の表面に接触する第2導体を備えた第2の電界印加端子とを含む第1電界印加手段と、
前記被測定半導体の表面に近接または当接する強誘電体を備えた電荷誘導端子を含む電荷誘導手段と、
前記第1の電界印加端子と前記第2の電界印加端子との間に電位差を生じさせ、前記被測定半導体の表面近傍に所定方向の電界を生成する電界生成手段と、
前記電荷誘導端子の分極された前記強誘電体の近接または当接により前記被測定半導体に電荷を誘導して反転層を生成する反転層生成手段と、
前記電界印加と前記電荷誘導により前記被測定半導体の電気特性値を測定する測定手段と、を備え、
前記第1電界印加手段および前記電荷誘導手段は、前記被測定半導体の表面に平行な断面が同心円状であり、前記第1の電界印加端子、前記電荷誘導端子、前記第2の電界印加端子を前記同心円の中心から径方向にこの順序で配置したことを特徴とする半導体の電気特性測定装置。 - 前記第1導体、および、前記第2導体が流動性導体である請求項1または請求項2に記載の半導体の電気特性測定装置。
- 請求項1、請求項3のいずれか一項に記載の半導体の電気特性測定装置を用いた半導体の電気特性測定方法であって、
前記電界印加手段を被測定半導体の表面に近接させる工程と、
前記第1導体、および、前記第2導体を前記被測定半導体の表面に接触させる工程と、
前記第1電界を印加させる工程と、
前記第2電界を生成させる工程と、
前記半導体の電気特性を測定する工程と、を含むことを特徴とする半導体の電気特性測定方法。 - 請求項2、請求項3のいずれか一項に記載の半導体の電気特性測定装置を用いた半導体の電気特性測定方法であって、
前記電界印加手段を被測定半導体の表面に近接させる工程と、
前記第1導体、および、前記第2導体を前記被測定半導体の表面に接触させる工程と、
前記電界印加させる工程と、
分極された前記強誘電体を前記被測定半導体の表面に近接または当接させる工程と、
前記半導体の電気特性を測定する工程と、を含むことを特徴とする半導体の電気特性測定方法。
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