TWI630649B - 處理裝置和其排氣切換裝置及排氣切換單元和切換閥箱 - Google Patents

處理裝置和其排氣切換裝置及排氣切換單元和切換閥箱 Download PDF

Info

Publication number
TWI630649B
TWI630649B TW102142449A TW102142449A TWI630649B TW I630649 B TWI630649 B TW I630649B TW 102142449 A TW102142449 A TW 102142449A TW 102142449 A TW102142449 A TW 102142449A TW I630649 B TWI630649 B TW I630649B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
exhaust
switching valve
box
processing
switching
Prior art date
Application number
TW102142449A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201438075A (zh
Inventor
森岡利仁
樋口英明
岩渕俊昭
小嶋努
Original Assignee
斯庫林集團股份有限公司
開滋Ｓｃｔ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 斯庫林集團股份有限公司, 開滋Ｓｃｔ股份有限公司 filed Critical 斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW201438075A publication Critical patent/TW201438075A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI630649B publication Critical patent/TWI630649B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/877—With flow control means for branched passages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明之目的在於用一個切換閥來開閉1系統之排氣管線，可以取得排氣量與大氣側釋放閥之導入量的平衡，縮小切換閥動作時之壓力變動，並且在使用複數種的處理流體進行2切換或3切換的情況時，係將複數個個別排氣管予以並排配置，且僅開放使用於洗淨處理中的1系統，其他則可以用閉合之操作來縮小處理室內的壓力變動，進而也能謀求零件之共通化。
用複數種的處理流體來處理處理室(2)內之被處理體的處理裝置(1)，係在與前述處理室(2)內連接的排氣管(4)設置排氣切換單元(3)，該排氣切換單元(3)，係由分配箱(8)和切換閥箱(9)和排氣筒(12)所構成，且將與前述處理流體對應的個數之切換閥箱(9)以並排狀態連接於前述分配箱(8)所構成。

Description

處理裝置和其排氣切換裝置及排氣切換單元和切換閥箱
本發明係關於一種處理裝置和其排氣切換裝置及排氣切換單元和切換閥箱，尤其是關於一種在作為處理對象之被處理體中，涵蓋半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用玻璃基板、FED(Field Emission Display：場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、太陽電池用基板等之被處理體的處理裝置。
在製造半導體裝置時，為了對半導體晶圓或液晶顯示面板用玻璃基板等之被處理體求得高度潔淨化的表面，而藉由各種的方法來進行被處理體表面之濕式(wet)處理。濕式處理之方法，係可以大致區別為同時處理複數個被處理體的分批(batch)式及單浴(one-bath)式、逐片處理被處理體的單片式。在分批式處理中，係在一個處理藥液中具備一個處理槽，且使由複數個被處理體所構成的分批依次浸漬於各處理槽並連續地進行處理；單浴式之處理方法，係將分批置入於處理槽之中， 且藉由反覆對同一處理槽注入和排出處理藥液而進行處理。相對於此，單片式處理，係對每一片被處理體供應處理藥液並進行處理，可以獲得比分批式及單浴式之洗淨還更優異的處理效果。
以往，被處理體之處理，係藉由量產性優異的分批式及單浴式之處理裝置來進行，藉此能謀求微粒子(particle)及金屬雜質之減低。然而，隨著近年來對被處理體之大型口徑化、及處理後的被處理體之表面之潔淨度的要求提高，已開始使用可以獲得更優越之處理效果的單片式之處理裝置。
作為單片式之處理裝置，係有一種一邊使被處理體旋轉一邊供應處理藥液以處理被處理體之表面的旋轉式之處理裝置。此種的處理裝置，係在處理室內具備保持被處理體並予以旋轉的保持構件，且從設置於處理室之上部的噴嘴將處理流體供應至旋轉的被處理體以處理被處理體表面。供應至被處理體之表面的處理流體，係藉由隨著被處理體旋轉而產生的離心力及於被處理體之表面的全體，且在處理表面之後，朝向外方甩開且飛散。因此，在保持被處理體並予以旋轉的保持構件之周圍，係設置用以回收飛散掉之處理流體的杯子(cup)，而在杯子之底部係連接有將回收來的處理流體排出至處理室之外部的排出管。又，在處理期間，係從外部將潔淨空氣(clean air)供應至處理室內，且將該空氣經由保持構件與杯子之間隙而從設置於杯子之底壁的排氣管排出至處理室外，藉此將 存在於杯子內的處理流體之蒸發氣體或霧氣(mist)排出至處理室外，而防止微粒子附著在被處理體之表面。
作為此種處理的處理流體，係可採用酸性藥液、鹼性藥液、有機溶劑等，而在被處理體係可選擇性地供應與處理相應的處理流體。在此情況下，雖然可對由保持構件所保持的被處理體依序供應不同種類的處理流體，但是在第一次供應酸性藥液、第二次供應鹼性藥液、第三次供應有機溶劑的情況時，就有必要用各為不同的排氣處理設備來處理各處理流體之排氣。因此，在此種的處理裝置中，係從處理室藉由共通的排氣管來進行排氣，之後，將前述共通的排氣管分歧成處理流體之每一種類的個別排氣管，藉此可以將從處理室所排出的處理流體之蒸發氣體或霧氣導引至對應於各處理流體之排氣處理設備。
單片式之處理裝置，因可以一次僅處理一片的被處理體，故而每台處理裝置之每一單位時間的處理能力是比分批式等之處理裝置還更低。因此，能藉由將複數台處理裝置做歸納設置，且使用共通的搬運機構來將被處理體搬運至各處理裝置之處理室，進而並行處理複數片的被處理體，來提高每一單位時間的處理能力。
在此種的處理裝置中，從處理室之共通的排氣管分歧出的每一個別排氣管，係分別連接於在下游側相同之每一處理流體的集合排氣管，且該集合排氣管之下游端能導引至適合每一處理流體的排氣處理設備。又，在從處理室之共通的排氣管分歧出的個別排氣管係設置有閥 (valve)，且能對應供應至處理室的處理流體之種類而進行開閉。例如，在藉由酸性藥液而進行處理的情況時，係僅將排出酸性藥液之蒸發氣體或霧氣的個別排氣管之閥予以開放，且將排出其他的處理流體之蒸發氣體或霧氣的個別排氣管之閥予以封閉。
又，在此種的處理裝置中，全部的處理室並不一定是同步地進行同一處理流體之處理，通常在各處理室的處理內容是有所不同的，以便在某個處理室進行酸性藥液之處理、在另一處理室進行鹼性藥液之處理、在其他的處理室進行有機溶劑之處理。相對於此，因連接於來自各處理室之個別排氣管的集合排氣管之排氣量為一定，故而當連接於各處理室的個別排氣管之閥按照處理內容而開閉，藉此使得與集合排氣管連通的處理室之數量變動時，與該集合排氣管連通的處理室內之排氣壓力就會變動。
亦即，當與集合排氣管連通的處理室之數量減少時，與集合排氣管連通的處理室內之排氣壓力就會增大，又當與集合排氣管連通的處理室之數量增加時，與集合排氣管連通的處理室內之排氣壓力就會減少。在以往的處理裝置中，因該處理室內的排氣壓力之變動，而存在處理室內之蒸發氣體或霧氣的排出變得不充分，且微粒子附著於被處理體之表面的問題。為了應付此種問題，而有提案一種專利文獻1之基板處理裝置。
在該文獻中，有記載一種基板處理裝置，其不會因一個處理室中的處理狀況而使其他的處理室之排氣 壓力大幅變動，且可以抑制微粒子隨著排氣壓力之變動而附著於晶圓。
在該基板處理裝置中，雖然來自處理室之排氣係藉由共通的排氣管而導引至排氣導入室，且經由排氣導入室而分歧至個別排氣管，但是排氣導入室係經由連通孔來與每一個別排氣管連接，且藉由設置於排氣導入室內之具有連通孔的旋轉構件旋轉來將與個別排氣管之中的任何一個連通之連通孔予以開放，進而使個別排氣管與排氣連通室連通。又，每一個別排氣管，係具有和與排氣連通室連通之連通口為不同的開放口，且藉由與旋轉構件一起旋動的遮斷構件，來將與排氣連通室連通的個別排氣管之開放口予以閉塞，並且將不與排氣連通室連通的個別排氣管之開放口予以開放，且從所開放的開放口導入空氣並朝向集合排氣管供應外部空氣，藉此防止其他的處理室內之排氣壓力大幅變動。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
專利文獻1：日本特開2011-204933號公報
在該專利文獻1之基板處理裝置中，係當切換排氣導管(duct)時切換閥之開口面積或排氣流量之變 化較大，因此排氣壓力會變動而產生微粒子，因依然有污染被處理體的問題，並且切換閥構造為2切換用或是3切換用的專用構造，故而無法共通化，同時有必要將複數個個別配管連接於排氣導入室之連通孔以構成排氣切換器，因此作業複雜，故而有基板處理裝置之組裝很麻煩的問題。
本發明係為了解決上述課題點而開發完成者，目的在於提供一種處理裝置和其排氣切換裝置及排氣切換單元和切換閥箱，其是用切換閥來開閉排氣管線，藉此可以取得排氣量與大氣側釋放閥(relief valve)之導入量的平衡，縮小切換閥動作時之壓力變動，並且在使用酸性藥液、鹼性藥液及有機溶劑作為處理流體進行2切換或3切換或是其他個數之切換的情況時，係將複數個個別排氣管予以並排配置，且僅開放將使用於洗淨處理中之處理流體的蒸發氣體或霧氣予以排出的1系統，其他則可以用閉合之操作來縮小處理室內的壓力變動，進而也能謀求零件之共通化。
為了達成上述目的，申請專利範圍第1項所記載之發明的處理裝置，係用複數種的處理流體來處理處理室內之被處理體的處理裝置，其特徵為：在與前述處理室內連接的排氣管設置排氣切換單元，該排氣切換單元，係由分配箱和切換閥箱和排氣筒所構成，且將與前述處理 流體對應的個數之切換閥箱以並排狀態連接於前述分配箱。
申請專利範圍第2項所記載之發明的處理裝置，係將個別地透過連接管而連接於積層狀態之複數個處理室的排氣切換單元組入成多層狀態以構成排氣切換裝置，而在該排氣切換裝置之多層的切換閥箱中，係將用以將對應的種類之處理流體進行排氣的排氣筒連接於同排的切換閥箱。
申請專利範圍第3項所記載之發明的排氣切換裝置，其特徵為：在一側具有連接部的分配箱之另一側以並排狀態連接複數個切換閥箱，在該切換閥箱，係設置朝向排氣方向擺動(swing)的切換閥、和朝向與排氣方向交叉之方向導入大氣的釋放閥，在該切換閥箱之排氣方向的端部設置排氣筒以構成排氣切換單元，將該排氣切換單元以適當的保持體多層地構成積層狀態。
申請專利範圍第4項所記載之發明的排氣切換單元，其特徵為，是由以下所構成：分配箱，其係構成橫長之剖面矩形狀，且在一側設置具有排氣管連接用之凸緣的連接管、和在另一側設置切換閥箱連接用之凸緣；及切換閥箱，其係在一側具有與分配箱連接的凸緣、和在另一側具有與排氣筒連接的凸緣；以及排氣筒，其係與該切換閥箱連接，在前述切換閥箱，係設置切換閥和導入大氣用之釋放閥。
申請專利範圍第5項所記載之發明的切換閥 箱，其特徵為：在與一次側設置有排氣導管的箱本體之排氣方向交叉的方向設置導入大氣用之導入大氣導管，在前述箱本體之流入側設置擺動式之切換閥，以該切換閥將前述排氣導管和前述導入大氣導管設置成能夠交互地開閉，在前述導入導管，係設置用以開閉導管開口面積的閘門(shutter)，且在該閘門之上游側設置擺動式之釋放閥。
申請專利範圍第6項所記載之發明的切換閥箱，其中，閘門，係藉由使二分割之板狀構件執行雙開方式而能夠從全關至全開進行開閉以調整開口面積。
申請專利範圍第7項所記載之發明的切換閥箱，其中，在箱本體之流出側配置有能夠裝卸的霧氣捕集器(mist trap)。
申請專利範圍第8項所記載之發明的切換閥箱，其中，切換閥，係以旋轉式致動器(rotary actuator)旋動自如地設置在大致90°之範圍來使前述切換閥擺動式地開閉。
當依據申請專利範圍第1項之發明時，則因是將對應處理流體之種類的複數個切換閥箱以並排狀態連接於分配箱，並且將藉由將排氣筒連接於前述複數個切換閥箱所構成的排氣切換單元，連接於與處理室內連接之共通的排氣管以構成處理裝置，故而可以僅將排出來自實施洗淨處理的處理室之處理流體的蒸發氣體或霧氣之1系統 予以開放，而其他的系統則事先閉合，所以可以實現一種能縮小切換閥動作時的處理室內之排氣壓力變動，並且能防止微粒子附著於被處理體之表面的處理裝置。又，因切換閥箱係以同一構造所共通化，且將對應處理流體之種類的複數個切換閥相連接成並排狀態以構成排氣切換單元，故而可以抑制處理裝置之製造成本，並且組裝容易且作業性優異。
當依據申請專利範圍第2項之發明時，則由於是藉由將排氣切換裝置中介個別之共通的排氣管連接於積層狀態的複數個處理室而構成處理裝置，該排氣切換裝置係將排氣切換單元組入於多層狀態，且將用以排出所對應的種類之處理流體的排氣筒連接於同排的切換閥箱，所以可以簡單且在有效利用空間之小空間內構成具有較大處理能力的處理裝置。
當依據申請專利範圍第3項之發明時，則在一側具有與共通的排氣管連接之連接部的分配箱之另一側，以並排狀態連接具備排氣導管及導入大氣導管開閉用之切換閥和導入大氣用之釋放閥的複數個切換閥箱，且在該切換閥箱之排氣方向的端部連接排氣筒，藉此可以構成可以防止對應一個處理室之切換閥時之排氣壓力變動的排氣切換單元，且將該排氣切換單元藉由適當的保持體在積層狀態下保持成多層，藉此可以簡單地構成與在多層狀態下配置成多層之複數個處理室對應的排氣切換裝置。又，事前準備藉由適當之保持體而將排氣切換單元在積層狀態 下保持成多層的排氣切換裝置，且帶入處理裝置之組裝現場，與在積層狀態下配置成多層的複數個處理室連接，藉此能極為容易地進行處理裝置之組裝。進而使保持體之積層層數增加以加強排氣切換裝置，藉此亦可以輕易地進行更進一步提高處理裝置之處理能力。
當依據申請專利範圍第4項之發明時，則在構成針對在處理室內使用之處理流體的每一種類將排氣排出至處理裝置之外的排氣系統時，只要藉由個別設置的凸緣來連接分配箱、和與處理流體之種類相應的複數個切換閥箱、和對應各切換閥箱的排氣筒，則不用進行複雜的配管作業，就可以簡單地構成將來自處理室之排氣針對處理流體之每一種類而分開排出的排氣切換單元。又，因分配箱為剖面矩形，故而可以確保既小型又較大的流路截面積，並且能輕易地進行處理及構成排氣切換裝置。由於切換閥箱，係具備將排氣導管、導入大氣導管交互地開閉的切換閥和導入大氣用之釋放閥，所以導入大氣用之釋放閥能對應切換閥之開閉而開閉並導入大氣，藉此可以防止連接於該切換閥箱所連接的排氣筒之其他的處理室內之排氣壓力的變動。
當依據申請專利範圍第5項之發明時，則由於在切換閥箱之流入側設置開閉排氣導管的擺動式之切換閥，又在與前述箱本體之排氣方向交叉的方向設置導入大氣用導管，並且在前述導管之外部位置設置導入大氣用之釋放閥，所以不僅可以按照處理室內之處理狀況而用切換 閥來開閉排氣導管，因在切換閥位在閉鎖排氣流路之位置的情況時，切換閥箱內會因排氣筒之吸引而成為負壓，故而能藉由釋放閥自動地朝向內側開啟而導入大氣於內部，所以可以藉由事先適當地調整設置於導入大氣用導管的閘門之開口面積，來將與切換閥位在開放排氣流路之位置的情況同量的大氣從導入大氣用導管取入並供應至排氣筒，且可以防止連接於該切換閥箱所連接的排氣筒之其他的處理室內之排氣壓力的變動。又，當按照處理室內之處理狀況，切換閥位在開放排氣導管之位置時，因導入大氣用導管依切換閥而閉鎖，故而釋放閥不受依排氣筒之吸引所引起的負壓之影響，而會自動地停止大氣之取入，所以能僅對排氣筒供應來自處理室的排氣，且可以防止連接於該切換閥箱所連接的排氣筒之其他的處理室內之排氣壓力的變動。
當依據申請專利範圍第6項之發明時，則可以藉由變更閘門之二分割的板狀構件之開啟度並調整導入大氣導管之開口面積，而在切換閥位在閉鎖排氣流路之位置時，將從導入大氣用之釋放閥取入於切換閥箱內的大氣之導入量，按照切換閥位在開放排氣流路之位置時的排氣量、或是按照整體的排氣平衡而調整在相同的量，且可以防止連接於該切換閥箱所連接的排氣筒之其他的處理室內之排氣壓力的變動。
當依據申請專利範圍第7項之發明時，則由於可以從處理室內將處理流體之排氣和被排出來的處理流 體之霧氣一起從處理流體之排氣中分離並捕集於切換閥箱內，所以處理流體之霧氣不會到達比切換閥箱還更下游，而處理裝置之配備作業變得容易。又，在切換閥擺動時，藉由切換閥和霧氣捕集器，來形成比排氣導管及導入大氣導管之流路面積還更大的中間流路，藉此可以縮小切換閥箱內的流量變化，且可以防止該切換閥箱所連接的處理室內之排氣壓力的變動。
當依據申請專利範圍第8項之發明時，則以旋轉式致動器使切換閥旋動大致90°以將排氣導管和導入大氣導管交互地開閉，在開放排氣導管使排氣流動時係閉鎖導入大氣導管而不導入大氣，在閉鎖排氣導管使排氣不流動時係開放導入大氣導管而導入大氣，藉此可以取得流動於切換閥箱的排氣量與導入大氣量之平衡，且可以防止連接於該切換閥箱所連接的排氣筒之其他的處理室內之排氣壓力的變動。
1‧‧‧處理裝置
2‧‧‧處理室
3‧‧‧排氣切換單元
4‧‧‧排氣管
5‧‧‧氣液分離器
6‧‧‧排氣處理設備
7、20‧‧‧排氣切換裝置
8‧‧‧分配箱
9‧‧‧切換閥箱
10‧‧‧端部
11‧‧‧端部
12‧‧‧排氣筒
13‧‧‧連接部
14‧‧‧連接部
15‧‧‧排氣
16‧‧‧切換閥
17‧‧‧大氣
18‧‧‧釋放閥
20‧‧‧排氣切換裝置
21、23至26、28‧‧‧凸緣
22‧‧‧連接管
27、29‧‧‧流路
31‧‧‧安裝配件
32‧‧‧螺栓
33‧‧‧箱本體
34‧‧‧排氣導管
35‧‧‧導入大氣導管
36‧‧‧閘門
38、39‧‧‧霧氣捕集器
40‧‧‧前端部
41、43‧‧‧中間流路
42‧‧‧上端部
44‧‧‧旋轉式致動器
45、46‧‧‧出口
47‧‧‧導管開口部
48‧‧‧緊固螺栓
49‧‧‧導入大氣箱
50‧‧‧安裝軸
51‧‧‧大氣取入口
52‧‧‧指鉤
第1圖係顯示本發明的處理裝置之構成的示意圖。
第2圖係顯示本發明的排氣切換裝置之平面的示意圖。
第3圖係顯示前述排氣切換裝置之側剖面的示意圖。
第4圖係顯示前述排氣切換裝置之排氣系統的說明圖。
第5圖係本發明的排氣單元在積層狀態下搭載於保持體，且構成排氣切換裝置的狀態之側視圖。
第6圖係前述排氣單元在積層狀態下搭載於保持體，且構成排氣切換裝置的狀態之俯視圖。
第7圖係本發明的切換閥箱之縱剖視圖。
第8圖係將前述切換閥箱之局部零件予以拆下後的狀態之俯視圖。
第9圖係顯示從下游側看到前述切換閥箱之內部的狀態之側視圖。
以下，基於圖式，就例如洗淨半導體晶圓之情況的實施形態詳細地說明本發明。第1圖係概念顯示本發明的處理裝置1之構成。該處理裝置1，係使用酸性藥液、鹼性藥液、有機溶劑作為處理流體來逐片地洗淨半導體晶圓之表面，用以去除雜質的裝置。
該處理裝置1，係以共通的排氣管4來連接處理室(腔室)2及排氣切換單元3所構成，該處理室(腔室)2係用以洗淨半導體晶圓，該排氣切換單元3係對應在處理室2內使用之處理流體而切換來自處理室2之排氣的排出處。又，在排氣管4之途中係設置有氣液分離器5，用以分離來自處理室2之排氣中所含的處理流體。經由排氣切換單元3的排氣，係送至排氣處理設備6來處理。
第2圖係顯示從上面看到的排氣切換單元3之構成的示意圖，第3圖係顯示將排氣切換單元3組入成多層狀態的排氣切換裝置7之側剖面的示意圖。本實施例的排氣切換單元3，係由樹脂材料所形成，且由透明或半透明所製造以便可以確認單元3之內部。
如第2圖所示，排氣切換單元3，係將對應處理流體之種類的複數個切換閥箱9以並排狀態連接於分配箱8，且在與連接於各切換閥箱9之分配箱8之側的端部10為相反側的端部11連接排氣筒12所構成。
分配箱8，係構成橫長之剖面矩形狀，在一側具有與排氣管4連接之連接部13，在另一側具有以並排狀態連接與使用的處理流體之種類對應的複數個切換閥箱9的連接部14。因分配箱8，係構成剖面矩形狀，故而當與構成剖面圓形狀之情況相較時，就可以在同一外形尺寸上確保較大的流路截面積，並且容易進行處理及構成排氣切換單元3。又，分配箱8，係在內部具有連通連接部13和複數個連接部14的流路，可以將從處理室2通過排氣管4而導入的排氣15導引至各切換閥箱9。
如第3圖所示，切換閥箱9，係在內部設置朝向排氣方向擺動的切換閥16、和朝向與排氣方向呈交叉之方向導入大氣17的釋放閥18，且將一側之端部10連接於分配箱8之連接部14，並且將排氣方向之端部11連接於排氣筒12。
排氣筒12，係將從已連接的切換閥箱9所供 應的排氣15導引至未圖示之排氣處理設備6。
在構成如上述的排氣切換單元3中，雖然來自處理室2的排氣15，係到達以並排狀態連接於分配箱8的複數個切換閥箱9，但是因與在處理室2內未被使用之處理流體對應的切換閥箱9之切換閥16係位在封閉排氣流動的位置，故而排氣15無法流入於該切換閥箱9。另一方面，因與在處理室2內使用之處理流體對應的切換閥箱9之切換閥16係位在開放排氣之流動的位置，故而排氣15會流入於該切換閥箱9，且經由連接於該切換閥箱9之排氣筒12，而導引至該處理流體用之排氣處理設備6。
又，在切換閥16位在封閉排氣流路之位置的切換閥箱9中，來自處理室2之排氣15會被遮斷，並且切換閥箱9內部之空氣能藉由排氣筒12而吸引，藉此切換閥箱9內部會變成負壓。因此，釋放閥18能藉由大氣壓而自動地開放，且大氣17能導入於切換閥箱9之內部並供應至排氣筒12。
因排氣切換單元3，只要是以對應處理流體之種類的個數將同一構造之切換閥箱9以並排狀態連接於分配箱8就可以構成，故而組裝之作業性優異，並且可以藉由零件之共通化來抑制裝置之製造成本。
在第3圖所示之排氣切換裝置7中，因是將排氣切換單元3組入成多層狀態來構成，故而能將排出對應種類之處理流體的排氣筒12連接於同排的切換閥箱9，且將排氣筒12針對每一對應種類之處理流體一體化所 構成。藉由此種構成，可以削減使用於排氣切換裝置7的排氣筒之支數，且可以將排氣切換裝置7構成小型化。
第4圖係顯示在積層狀態之複數個處理室2個別地通過排氣管4，來連接排氣切換裝置7所構成的處理裝置1之排氣系統的示意圖，該排氣切換裝置7係將排氣切換單元3組入成多層狀態所構成。在本圖中，係以能使用酸性藥液、鹼性藥液、有機溶劑之3種作為處理流體的3系統排氣用之排氣切換單元3為例而圖示。來自處理室2之排氣係藉由分配箱8而供應至以並排狀態連接於該分配箱8之三個切換閥箱9。如今，當在最上層的處理室2內進行使用酸性藥液之洗淨處理時，連接於處理酸性排氣之排氣筒12的切換閥箱9內之切換閥16係位在開放排氣之流動的位置，連接於處理鹼性排氣之排氣筒12的切換閥箱9內之切換閥16係位在封閉排氣之流動的位置，並且連接於處理有機排氣之排氣筒12的切換閥箱9內之切換閥16亦位在封閉排氣之流動的位置。當使用酸性藥液之洗淨處理結束，且移行至使用鹼性藥液之洗淨處理時，連接於處理酸性排氣之排氣筒12的切換閥箱9內之切換閥16係成為封閉排氣之流動的位置，連接於處理鹼性排氣之排氣筒12的切換閥箱9內之切換閥16係成為開放排氣之流動的位置。如此，藉由排氣切換單元3來切換排氣系統，藉此就可以將來自處理室2之排氣確實地導引至適於其處理流體之處理的排氣處理設備6，且能適當地處理。
又，如本圖所示，來自各處理室2之排氣15，由於酸性藥液之排氣是通過排氣切換單元3而分歧至酸性藥液用之排氣筒12，鹼性藥液之排氣是通過排氣切換單元3而分歧至鹼性藥液用之排氣筒12，有機溶劑之排氣是通過排氣切換單元3而分歧至有機溶劑用之排氣筒12，所以沒有必要設置與在每一處理室2使用的處理流體之種類對應的支數之排氣筒12，且由於只要針對將複數個處理室2組入成多層狀態的每一單位設置與所使用的處理流體之種類對應的支數之排氣筒12即足夠，所以可以抑制處理裝置之製造成本，並且可以用有效利用空間的小空間來構成。
又，如第3圖所示，在切換閥箱9係設置有釋放閥18，當切換閥16位在封閉排氣之流動的位置時，釋放閥18能藉由依排氣筒12之吸引所引起的負壓而開放，且將大氣17導入於切換閥箱9內並朝向排氣筒12流動。如上述般，在本圖所示之最上層的處理室2藉由酸性藥液而進行洗淨處置，且在中層及下層的處理室2、2進行依其他的處理流體之處理的情況時，並未連接於處理酸性排氣之排氣筒12的切換閥箱9、9內之切換閥16、16係位在封閉排氣之流動的位置。因而，此時，與排氣筒12連通的處理室2，僅為連接於最上層的排氣切換單元3之切換閥箱9的處理室2。另一方面，因排氣筒12之排氣量無關於所連通的處理室之數量而是呈一定，故而在最上層之處理室2，雖然亦可考慮中層及下層之處理室2、2 亦發揮比連通於處理酸性排氣之排氣筒12的情況還更大的負壓作用，但是如上述般，在位於中層及下層之切換閥箱9、9中由於釋放閥18、18開放並將導入大氣，且流動至處理酸性排氣的排氣筒12，所以流動於排氣筒12之流量始終成為一定，且在最上層之處理室2內不會發揮較大的依排氣筒12之吸引所引起的負壓作用。
第5圖係顯示將排氣切換單元3以保持體19構成多層之積層狀態的排氣切換裝置20之側視圖，第6圖係該排氣切換裝置20之俯視圖。如第5圖所示，排氣切換裝置20各層之排氣切換單元3，係連接分配箱8、切換閥箱9及排氣筒12所構成，該分配箱8係在一側設置具有排氣管4連接用之凸緣21的連接管22，而在另一側設置切換閥箱9連接用之凸緣23，該切換閥箱9係具有在一側與分配箱8連接的凸緣24和在另一側與排氣筒12連接的凸緣25，該排氣筒12係具有與該切換閥箱9連接的凸緣26。另外，排氣筒12並非是個別地設置於各層，而是將用以排出對應種類之處理流體的排氣筒縱向連接於同排之切換閥箱9而一體化，內部之流路27係在上下方向連通。在排氣筒12之上部，係設置有用以連接將排氣導引至排氣處理設備6之配管(未圖示)的凸緣28。又，如第6圖所示，分配箱8之內部的流路29係在橫向連通，可以將排氣15導引至以並排狀態所連接的複數個切換閥箱9。
因排氣切換裝置20，係以保持體19將排氣切 換單元3積層多層並予以保持，故而強度、安定性優異。雖然保持體19之素材及形狀為任意的，但是可以藉由熔接、或螺栓固定來製作適當尺寸的等邊角或是不等邊角鋼材。事前製作並準備將排氣切換單元3以保持體19構成多層之積層狀態的排氣切換裝置20，藉此可以在短時間內完成處理裝置之組裝。又，如第5圖所示，當事先在保持體19之下部安裝腳輪(caster)30時，就可以簡便地進行排氣切換裝置20之移動。更且，當將安裝配件31事先安裝於保持體19之下部，且事先以螺栓32能夠固定於設置場所之地板時，就可以在半導體製造現場將排氣切換裝置20確實地固定於地板面，且使其穩定地使用。
第7圖係顯示本發明的切換閥箱之縱剖視圖，第8圖係顯示俯視圖。切換閥箱9，係在剖面矩形的箱本體33之一側設置排氣導管34，在與箱本體33之排氣方向呈交叉的方向設置導入大氣用之導入大氣導管35，並且在箱本體33之流入側設置能夠將排氣導管34和導入大氣導管35交互地開閉的擺動式之切換閥16，在導入大氣導管35係設置以二分割之板狀構件來開閉導管開口面積的閘門36，又在閘門36之上游側設置一對擺動式之釋放閥18、18。又，箱本體33之底面37係以具有傾斜的方式所形成，其容易將藉由後述之霧氣捕集器所捕集到的處理流體之霧氣收集、回收於切換閥箱9之排氣筒12連接側的端部11。因將箱本體33形成剖面矩形，故而可以確保比形成圓筒形的情況還更大的內部流路面積，並 且亦容易製作及處理。
在排氣導管34之上游側端部，係設置用以與分配箱8之凸緣23結合的凸緣24，在箱本體33之下游側端部，係設置用以與排氣筒12之凸緣26結合的凸緣25。可以藉由該凸緣24、25將切換閥箱9安裝於分配箱8及排氣筒12，且構成排氣切換單元3。
又，在箱本體33之內部，係能夠裝卸地設置將流入於切換閥箱9之排氣15中所含的霧氣和排氣予以分離的霧氣捕集器38、39。霧氣捕集器38不僅是將排氣中所含的霧氣予以分離，還可以在霧氣捕集器38與擺動的切換閥16之前端部40之間，連續於排氣導管34而形成比排氣導管34之流路面積還更大的中間流路41，並且當切換閥16超過霧氣捕集器38之上端部42而動作時，就設置為形成有流路面積比排氣導管34或前述中間流路41還更大的中間流路43。因此，在切換閥16擺動而開閉排氣導管34或是導入大氣導管35時，開啟之側和閉合之側的流路面積之變化就會變少，且縮小因切換閥16之開閉動作所產生的切換閥箱9內之排氣或導入大氣的流量變化，又抑制處理室2內的排氣壓力之變動。
切換閥16，係藉由設置於箱本體33之外部側面的旋轉式致動器44大致90°自如地擺動約1秒，且開閉排氣導管34之出口45和導入大氣導管35之出口46。因此，當排氣導管34之出口45被開放時，切換閥16係位在封閉導入大氣導管35之出口46的位置，而來自處理室 2之排氣15係流入於箱本體33內，且朝向排氣筒12排出。當切換閥16藉由旋轉式致動器44而擺動約90°，且排氣導管34之出口45被封閉時，導入大氣導管35之出口46就被開放，釋放閥18則藉由依排氣筒12之吸引所引起的負壓而朝向內側擺動並開啟，使大氣流入於箱本體33內，且朝向排氣筒12排出。另外，即便切換閥16位在封閉排氣導管34之出口45或是導入大氣導管35之出口46的位置，出口45或是出口46亦不會藉由切換閥16而完全被閉鎖，在本例中，在切換閥16與出口45或是出口46之間係設置有4mm左右的間隙。又，由於在出口45及出口46並未設置密封材，所以始終有若干量被排氣。
第8圖所示之旋轉式致動器44，係接受未圖示的定序器(sequencer)等之控制器使切換閥16旋動，且考慮處理室2內之被處理體的處理之時序來實施交互地開閉切換閥箱9的排氣導管34之出口45、和導入大氣導管35之出口46的動作。
因導入大氣導管35，係可以在切換閥16閉鎖排氣導管34之出口45的狀態下，將與排氣導管34之排氣量同量的導入大氣於切換閥箱9內，故而具有與排氣導管34同等的流路面積。又，為了調整導入大氣導管35之導管開口部47之面積而設置的閘門36，係使二分割之板狀構件執行雙開方式，藉此將導入大氣導管35之流路面積調整在0%至100%之範圍，而可以調整導入大氣量。在流路面積之調整結束之後，係可以藉由緊固螺栓48將閘 門36按壓固定於箱本體33之上部外表面。
因釋放閥18，係以安裝軸50旋動自如地將上部軸向支承並安裝於箱本體33上部所設置的導入大氣箱49之內部，以便覆蓋導入大氣導管35，故而容易藉由從導入大氣所接受的風壓而擺動。導入大氣導管49之形狀，係為了使不具有致動器的擺動式之釋放閥18，可以自動地閉鎖大氣取入口51，而將剖面形成倒梯形形狀。由於是將導入大氣箱49形成剖面倒梯形形狀，且在內部旋動自如地軸向支承釋放閥18，所以在從大氣取入口51沒有大氣之導入的情況時，因釋放閥18將藉由重力之作用而旋動至安裝軸50之正下方的位置，故而大氣取入口51會自動地閉鎖。
如此，因釋放閥18是在傾斜之狀態下位在閉鎖大氣取入口51的位置，故而始終朝向閥閉合之方向旋動的重力會作用於釋放閥18，所以在導入大氣時會變成閥開啟的阻力。因此，為了在導入大氣時能夠進行大流量之導入，而在導入大氣箱49設置二組釋放閥18和大氣取入口51，且以釋放閥18、18和大氣取入口51、51所形成的二處開口面積之合計成為與導入大氣導管35之流路面積相同的方式來減少壓力損失。在本實施例中，當釋放閥18之閥開啟度開放30°左右時，釋放閥18和大氣取入口51所形成的二處開口面積之合計，就成為與導入大氣導管35之流路面積相同。
另外，在僅設置一個大氣取入口，且將其面 積設定為與導入大氣導管之流路面積同等的情況時，釋放閥就有必要開啟至開啟度90°，且無法以導入大氣時之風壓開放至該角度。又，在將釋放閥和大氣取入口設為一組的情況時，需要二倍的大氣取入口之面積，且會招致裝置的大型化。
第8圖係將導入大氣箱49卸下後的狀態之切換閥箱9的俯視圖。在導入大氣導管35之上部，係設置有用以調整導入大氣導管35之開口部47之面積之由二分割之板狀構件所構成的閘門36、36。在調整導入大氣導管35之開口部47之面積時，係利用在閘門36之上面端部形成有凹部的指鉤(finger hook)52，使執行雙開方式的閘門36、36移動開口部47之面積之0%至100%的範圍，使導入大氣量與排氣量大致相等。又，導入大氣導管35，係將排氣導管流路剖面形成矩形，確保比以同一外形尺寸形成圓形的情況還更大的流路截面積，使切換閥箱9小型化。
第9圖係顯示從凸緣25側看到將切換閥16、導入大氣導管35、霧氣捕集器38、39卸下後的狀態之切換閥箱9之內部的狀態。從分配箱8將排氣15導入於切換閥箱9之箱本體33內的排氣導管34，係藉由將流路剖面形成矩形，來確保比以同一外形尺寸將流路剖面形成圓形的情況還更大的流路截面積。因此，比起將流路剖面形成圓形的情況，還可以更小型化地構成具有同等排氣能力的排氣切換裝置7。
在本實施形態中，雖然分配箱、排氣切換閥箱、排氣筒係藉由合成樹脂所形成，但是依處理流體或是使用環境等，除此以外亦能夠使用不鏽鋼等之金屬材料來形成。
接著，說明上述處理裝置之構成方法及動作。
在構成處理裝置時，係事先準備所要數量之排氣切換單元3，構成以適當材料所製作成之以多層狀態積層於保持體19的排氣切換裝置20。
排氣切換單元3，係在可以連接與處理裝置所使用的處理流體之種類對應的個數之切換閥箱9的分配箱8，以並排狀態連接對應處理流體之個數的切換閥箱9，而排氣筒12連接於各切換閥箱9的是成為一組。例如，在使用三種類之處理流體的情況時，係準備一個具有三個連接部14的分配箱8，以及準備三個切換閥箱9，且在分配箱8連接切換閥箱9。接著，排氣筒12，係在將切換單元3以多層狀態積層於保持體19之後，安裝於排出同一處理流體的同排之切換閥箱9。在將排氣切換單元3以多層狀態積層於保持體19之後，當將用以排出同一處理流體之排氣筒12連接於同排之切換閥箱9之端部11時，就可構成排氣切換裝置20。分配箱8和切換閥箱9、切換閥箱9和排氣筒12之結合，係可以僅用螺栓緊固設置於各自之連接部的凸緣彼此之方式而簡單地進行。另外，所謂對應處理液之種類，不僅是針對酸性藥液、鹼性藥液、有 機溶劑的處理液之每一種類進行區分的情況，亦包含針對能夠以同一排氣處理設備進行處理的處理液之每一種類進行區分的情況，例如，如含氟酸的酸性藥液和不含氟酸的酸性藥液般，在無法以同一排氣處理設備進行處理的情況即便是酸性藥液亦可當作其他的種類來處理，又如一般的酸性藥液及鹼性藥液般在能以同一排氣處理設備進行處理的情況則當作同一種類來處理。
當將如此構成的排氣切換裝置20，同樣藉由適當的保持體搬運至以多層狀態積層的處理室2之附近，且將各處理室2之排氣管4、和對應的排氣切換單元3之分配箱8的連接部13予以連接時就完成處理裝置1。
在組起處理裝置1之後，針對各個的切換閥箱9調整設置於導入大氣導管35之上部之執行雙開方式的閘門36、36之開啟度，且調整排氣量和導入大氣量。該調整，實際上是使排氣系統動作，一邊計測排氣量和導入大氣量同時一邊看整體的排氣平衡並進行調整。
又，即便調整各個切換閥箱9之閘門36、36之開啟度，且調整成排氣量和導入大氣量相等，在複數個切換閥箱9發生壓力變動的情況時，亦會針對各個切換閥箱9調整旋轉式致動器44，藉由從大致90°起稍微變更切換閥16之擺動角度，來將切換閥16與出口45或是出口46之間的間隙，例如調整在10mm、8mm、5mm等，藉此可以調整處理室2內之壓力變動成為最小。
在第1圖及第2圖中，當在處理室2內進行 半導體晶圓之洗淨處理時，就會在連接於處理室2之排氣管4的分配箱8，流入來自處理室2的排氣15。在第6圖中，因在分配箱8之內部係形成有連通於橫向的流路29，故而排氣15能分配於以並排狀態連接於分配箱8的全部切換閥箱9。
如今，例如，當在處理室2內進行酸性藥液之半導體晶圓的洗淨處理，且在第6圖中，對最上層所示之切換閥箱9流入排氣時，在中層及下層所示的切換閥箱9，就會因切換閥16位在封閉排氣導管34之出口46的位置，而使排氣15無法流入於中層及下層所示的切換閥箱9內。因而，由分配箱8所分配的排氣15，係僅流入於最上層所示的切換閥箱9。
如第7圖所示，在流入來自處理室2之排氣15的切換閥箱9中，切換閥16係藉由旋轉式致動器44而朝向上側擺動，且開放排氣導管34之出口45，並位在閉鎖導入大氣導管35之出口46的位置。又，重力會作用於釋放閥18，且位在閉鎖大氣取入口51的位置。從排氣導管34流入於切換閥箱9之箱本體33內的排氣15之流動，係能藉由霧氣捕集器38而將流動變更為向上，並且能分離排氣中所含的處理流體之霧氣。變成向上的排氣之流動，係一邊藉由切換閥16及霧氣捕集器39來改變流動之方向，一邊往連接於切換閥箱9之下游側之端部11的排氣筒12排出。此時，因排氣15所流動的箱本體33內之流路面積係與排氣導管34之流路面積大致相同，故而 不會發生壓力損失。
在處理室2內之酸性藥液之半導體晶圓的洗淨處理結束，接著開始鹼性藥液之洗淨處理的情況時，酸性藥液之排氣系統的切換閥箱9之切換閥16，係在封閉排氣導管34之出口45的位置向下擺動，而導入大氣導管35之出口46會被開放。另一方面，因該排氣切換閥箱9所連接的排氣筒12係以一定之排氣量進行排氣，故而藉由閉鎖排氣導管34之出口45，該切換閥箱9之箱本體33內及導入大氣箱49內就會藉由排氣筒12之吸引而變成負壓，且藉由大氣之壓力而抵抗重力之作用使得釋放閥18、18朝向內側開啟，而將大氣17導入於箱本體33內，且往排氣筒12排出。藉由構成處理裝置1時所實施的閘門36、36之開口調整，由於大氣流入量能調整成與排氣量相等，所以從該切換閥箱9流出的排氣和導入大氣的流量相同，因從該切換閥箱9排出的排氣和大氣的流量為同量且不會變化，故而可以抑制與連接於該切換閥箱9之排氣筒12連通的其他處理室2內之排氣壓力變動，所以可以大幅地減少微粒子附著於已在其他處理室2內處理的被處理體。
又，因切換閥16向下擺動並開放導入大氣導管35時所形成的中間流路41、43之流路面積，係比排氣導管34及導入大氣導管35之流路面積還更大，故而依切換閥16擺動所引起的切換閥箱9內之流量變化較小，且可以防止該切換閥箱9所連接的處理室2內之排氣壓力的 變動。
再次，在處理室2內進行酸性藥液之半導體晶圓的洗淨處理之情況時，至目前取入鹼性藥液之排氣的切換閥箱9之切換閥16，係藉由旋轉式致動器44而向上擺動，且閉鎖導入大氣導管35之出口46。結果，因導入大氣箱49內之負壓被消除，故而大氣不被導入，大氣之壓力不作用於釋放閥18、18，所以釋放閥18、18會藉由重力之作用而旋動於閉鎖大氣取入口51、51的位置。由於沒有來自導入大氣導管35之大氣的導入，所以依排氣筒12所引起的負壓，係能使用於從排氣導管34吸引排氣，而來自處理室2之排氣15則能經由切換閥箱9內往排氣筒12排出。
又，即便是在切換閥16向上擺動而開放排氣導入導管34的情況，藉由前述的理由，由於依切換閥16擺動所引起的切換閥箱9內之流量變化較小，所以可以防止該切換閥箱9所連接的處理室2內之排氣壓力的變動。
使處理裝置動作時的複數個切換閥箱之切換閥的切換，係考慮藉由定序器等，來取入排氣的切換閥箱及不取入排氣的切換閥箱之開閉時序、以及整體的排氣平衡來進行。
以上之說明，雖然是以使用三種處理流體來洗淨半導體晶圓之3系統的處理裝置為例來進行，但是亦可適用於3系統以外之複數個系統的處理裝置、或是單系統的處理裝置。
如同以上說明般，因本發明之處理裝置和其排氣切換裝置及排氣切換單元和切換閥箱，係可以獲得一種處理裝置，其能用一個切換閥來開閉1系統之排氣管線，取得排氣量與大氣側釋放閥之導入量的平衡，縮小切換閥動作時之壓力變動，並且在對應使用的處理流體之數量而增加系統的情況時，僅並排配置由共通化之零件所構成的複數個個別排氣管，就可以在切換閥動作時縮小處理室內之壓力變動，故而其利用價值極為大。又，本發明之處理裝置和其排氣切換裝置及排氣切換單元和切換閥箱，係除了可以適用於實施例中所說明的半導體晶圓製造裝置之排氣系處理裝置以外，當然亦可以適用於例如液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用玻璃基板等製造裝置之排氣系處理裝置中。

Claims (12)

  1. 一種處理裝置，係用複數種的處理流體來處理處理室內之被處理體的處理裝置，其特徵為：在與前述處理室內連接的排氣管設置排氣切換單元，該排氣切換單元，係由分配箱和切換閥箱和排氣筒所構成，且將與前述處理流體對應的個數之切換閥箱以並排狀態連接於前述分配箱，並且在前述切換閥箱內部，分別設置有朝向排氣方向擺動的切換閥。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置，其中，將個別地透過連接管而連接於積層狀態之複數個處理室的排氣切換單元組入成多層狀態以構成排氣切換裝置，而在該排氣切換裝置之多層的切換閥箱中，係將用以將對應的種類之處理流體進行排氣的排氣筒連接於同排的切換閥箱。
  3. 一種排氣切換裝置，其特徵為：在一側具有連接部的分配箱之另一側以並排狀態連接複數個切換閥箱，在該切換閥箱，係設置朝向排氣方向擺動的切換閥、和朝向與排氣方向交叉之方向導入大氣的釋放閥，在該切換閥箱之排氣方向的端部設置排氣筒以構成排氣切換單元，將該排氣切換單元以適當的保持體多層地構成積層狀態。
  4. 一種排氣切換單元，其特徵為，是由以下所構成：分配箱，其係構成橫長之剖面矩形狀，且在一側設置具有排氣管連接用之凸緣的連接管、和在另一側設置切換閥箱連接用之凸緣；及切換閥箱，其係在一側具有與分配箱連接的凸緣、和在另一側具有與排氣筒連接的凸緣；以及排氣筒，其係與該切換閥箱連接，在前述切換閥箱，係設置切換閥和導入大氣用之釋放閥。
  5. 一種切換閥箱，其特徵為：在與一次側設置有排氣導管的箱本體之排氣方向交叉的方向設置導入大氣用之導入大氣導管，在前述箱本體之流入側設置擺動式之切換閥，以該切換閥將前述排氣導管和前述導入大氣導管設置成能夠交互地開閉，在前述導入導管，係設置用以開閉導管開口面積的閘門，且在該閘門之上游側設置擺動式之釋放閥。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的切換閥箱，其中，前述閘門，係藉由使二分割之板狀構件執行雙開方式而能夠從全關至全開進行開閉以調整開口面積。
  7. 如申請專利範圍第5項或第6項所述的切換閥箱，其中，在前述箱本體之流出側配置有能夠裝卸的霧氣捕集器。
  8. 如申請專利範圍第5或6項所述的切換閥箱，其中，前述切換閥，係以旋轉式致動器旋動自如地設置在大致90°之範圍來使前述切換閥擺動式地開閉。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的切換閥箱，其中，前述切換閥，係以旋轉式致動器旋動自如地設置在大致90°之範圍來使前述切換閥擺動式地開閉。
  10. 一種處理裝置，係用複數種的處理流體來處理處理室內之被處理體的處理裝置，其特徵為：前述處理裝置具備有排氣切換裝置；前述排氣切換裝置，在一側具有連接部的分配箱之另一側以並排狀態連接複數個切換閥箱，在該切換閥箱，係設置朝向排氣方向擺動的切換閥、和朝向與排氣方向交叉之方向導入大氣的釋放閥，在該切換閥箱之排氣方向的端部設置排氣筒以構成排氣切換單元，將該排氣切換單元以適當的保持體多層地構成積層狀態。
  11. 一種處理裝置，係用複數種的處理流體來處理處理室內之被處理體的處理裝置，其特徵為：前述處理裝置具備有排氣切換單元；前述排氣切換單元，是由以下所構成：分配箱，其係構成橫長之剖面矩形狀，且在一側設置具有排氣管連接用之凸緣的連接管、和在另一側設置切換閥箱連接用之凸緣；及切換閥箱，其係在一側具有與分配箱連接的凸緣、和在另一側具有與排氣筒連接的凸緣；及排氣筒，其係與該切換閥箱連接；以及切換閥和導入大氣用之釋放閥，設置於前述切換閥箱。
  12. 一種處理裝置，係用複數種的處理流體來處理處理室內之被處理體的處理裝置，其特徵為：前述處理裝置具備有切換閥箱；前述切換閥箱，在與一次側設置有排氣導管的箱本體之排氣方向交叉的方向設置導入大氣用之導入大氣導管，在前述箱本體之流入側設置擺動式之切換閥，以該切換閥將前述排氣導管和前述導入大氣導管設置成能夠交互地開閉，在前述導入導管，係設置用以開閉導管開口面積的閘門，且在該閘門之上游側設置擺動式之釋放閥。
TW102142449A 2012-12-28 2013-11-21 處理裝置和其排氣切換裝置及排氣切換單元和切換閥箱 TWI630649B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012287946 2012-12-28
JP2012-287946 2012-12-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201438075A TW201438075A (zh) 2014-10-01
TWI630649B true TWI630649B (zh) 2018-07-21

Family

ID=51020622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102142449A TWI630649B (zh) 2012-12-28 2013-11-21 處理裝置和其排氣切換裝置及排氣切換單元和切換閥箱

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10471479B2 (zh)
JP (1) JP6219848B2 (zh)
KR (1) KR102102240B1 (zh)
TW (1) TWI630649B (zh)
WO (1) WO2014103523A1 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9698029B2 (en) * 2014-02-19 2017-07-04 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
JP6289341B2 (ja) * 2014-10-31 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、排気切替ユニットおよび基板液処理方法
JP6430784B2 (ja) * 2014-10-31 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
TWI567519B (zh) * 2016-01-29 2017-01-21 優盛醫學科技股份有限公司 排氣洩壓裝置
WO2018051825A1 (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
DK3379165T3 (da) * 2017-03-21 2021-06-07 Lindinvent Ab Selvjusteret indblæsningsluftterminal
JP7019184B2 (ja) * 2018-07-17 2022-02-15 スピードファム株式会社 処理液切換装置
JP7203545B2 (ja) * 2018-09-21 2023-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6611893B2 (ja) * 2018-11-01 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
CN111326441B (zh) * 2018-12-17 2022-09-16 辛耘企业股份有限公司 基板处理设备及方法
JP7167864B2 (ja) * 2019-06-21 2022-11-09 株式会社Sumco 付着物除去装置及び付着物除去方法
CN110899264B (zh) * 2019-12-16 2021-03-12 南通市第二人民医院 一种床旁消化内镜预处理清洗消毒装置
JP7370277B2 (ja) 2020-02-26 2023-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US20210265177A1 (en) * 2020-02-26 2021-08-26 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus
JP2021136435A (ja) * 2020-02-26 2021-09-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7419115B2 (ja) 2020-03-10 2024-01-22 株式会社キッツエスシーティー 処理装置と切換バルブユニット
CN111468500B (zh) * 2020-05-27 2022-02-08 上海师范大学 一种废气集气装置
JP2023020664A (ja) * 2021-07-30 2023-02-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2024035711A (ja) * 2022-09-02 2024-03-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110308626A1 (en) * 2010-06-22 2011-12-22 Tokyo Electron Limited Flow Passage Switching Apparatus, Processing Apparatus, Flow Passage Switching Method, Processing Method and Storage Medium

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2652854B2 (ja) * 1987-07-04 1997-09-10 臼井国際産業株式会社 複合弁を備えた排気ブレーキ装置
US4957139A (en) * 1989-09-07 1990-09-18 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Low-noise nozzle valve
JPH0472622A (ja) 1990-07-13 1992-03-06 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPH0472622U (zh) * 1990-11-06 1992-06-26
US5711809A (en) * 1995-04-19 1998-01-27 Tokyo Electron Limited Coating apparatus and method of controlling the same
US6656281B1 (en) * 1999-06-09 2003-12-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3561836B2 (ja) * 1999-12-03 2004-09-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
US6616512B2 (en) 2000-07-28 2003-09-09 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus and substrate polishing apparatus with substrate cleaning apparatus
JP2002043272A (ja) 2000-07-28 2002-02-08 Ebara Corp 基板洗浄装置及び基板処理装置
JP2002198343A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP4767783B2 (ja) * 2006-07-26 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5135856B2 (ja) * 2007-03-31 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置、排気系及びこれを用いた処理システム
JP5238224B2 (ja) * 2007-11-06 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 逆止弁およびそれを用いた基板処理装置
JP5369538B2 (ja) * 2008-08-12 2013-12-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法並びに記憶媒体
CN102473627B (zh) * 2009-07-23 2014-11-05 夏普株式会社 湿蚀刻装置和湿蚀刻方法
JP5318010B2 (ja) 2010-03-26 2013-10-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20120022776A1 (en) * 2010-06-07 2012-01-26 Javad Razavilar Method and Apparatus for Advanced Intelligent Transportation Systems
JP5474853B2 (ja) 2011-03-08 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110308626A1 (en) * 2010-06-22 2011-12-22 Tokyo Electron Limited Flow Passage Switching Apparatus, Processing Apparatus, Flow Passage Switching Method, Processing Method and Storage Medium

Also Published As

Publication number Publication date
JP6219848B2 (ja) 2017-10-25
US10471479B2 (en) 2019-11-12
KR20150102998A (ko) 2015-09-09
WO2014103523A1 (ja) 2014-07-03
US20150314338A1 (en) 2015-11-05
JPWO2014103523A1 (ja) 2017-01-12
TW201438075A (zh) 2014-10-01
KR102102240B1 (ko) 2020-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI630649B (zh) 處理裝置和其排氣切換裝置及排氣切換單元和切換閥箱
KR101039765B1 (ko) 디스크상 물품의 습식 처리장치 및 처리방법
TWI598455B (zh) 傳送腔室氣體淨化裝置、電子設備處理系統及淨化方法
TWI632605B (zh) 基板液處理裝置、排氣切換單元及基板液處理方法
TW201237985A (en) Liquid treatment apparatus, liquid treatment method, and recording medium recorded with program for carrying out the liquid treatment method
TW201628115A (zh) 基板液處理裝置
TWI520207B (zh) Substrate processing device
TW201822903A (zh) 回收配管洗淨方法以及基板處理裝置
JP2005197487A (ja) 基板処理装置
JP2024009266A (ja) 基板処理装置
JP2013531900A (ja) 遮断部材を備えるエアナイフチャンバー
JP2008108790A (ja) 洗浄装置、これを用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
KR20210000712A (ko) 반도체 제조설비의 흄 정화장치
WO2021021542A1 (en) Semiconductor processing chambers and methods for cleaning the same
JP2011204933A (ja) 基板処理装置
TW201327657A (zh) 排氣系統及其方法
KR101884860B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN208400820U (zh) 清洗装置
KR102197806B1 (ko) 반도체 제조설비의 흄 정화장치
US20060191636A1 (en) Valve assembly, semiconductor device manufacturing apparatus comprising the same, and method of cleaning a trap of a semiconductor device manufactuing apparatus
KR101407390B1 (ko) 기판세정장치
KR102625511B1 (ko) 로드락챔버 및 로드락챔버의 이물질 배출방법
TW200302805A (en) Substrate-treatment equipment of transporting type
KR101899915B1 (ko) 게이트 도어 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR101037632B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기류 공급 방법