CN208400820U - 清洗装置 - Google Patents
清洗装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN208400820U CN208400820U CN201821144103.5U CN201821144103U CN208400820U CN 208400820 U CN208400820 U CN 208400820U CN 201821144103 U CN201821144103 U CN 201821144103U CN 208400820 U CN208400820 U CN 208400820U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pipeline
- cleaning
- self
- intake line
- chemical liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 11
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 9
- 238000011897 real-time detection Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种清洗装置，包括：处理腔室；化学药液管路；自清洗管路；输入管路，所述输入管路的一端通入所述处理腔室，另一端连接至所述化学药液管路和自清洗管路。所述清洗装置能够对输入管路进行自清洗，避免输入管路内的化学药液残留。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种清洗装置。
背景技术
随着半导体芯片的尺寸越来越小，对晶圆表面的洁净度控制越来越严格。因此，湿法清洗在半导体制程中占很大比例，而湿法清洗都会用到一些化学药液。
在晶圆清洗的过程中会用到一些容易结晶的化学品，例如TMAH、SPA、NE111等，这些化学药液在高温失去水分的情况下很容易结晶析出，对药液的回收和使用产生影响。
目前，在单个机台中，输送药液的管道没有自动清洗的设计。因此在湿法清洗工艺过后，管道内会有残留的化学药液，这些化学药液失去水分后容易结晶附着在管道内壁。在下一次工艺进行时，则需要大量的化学药液进行预冲洗，造成药液的浪费。并且预冲洗并不能保证管道内结晶被完全排出，从而在清洗工艺进行时造成缺陷。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种清洗装置，能够在化学药液清洗之后对管路进行自清洗以去除管路内的化学药液。
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种清洗装置包括：处理腔室；化学药液管路；自清洗管路；输入管路，所述输入管路的一端通入所述处理腔室，另一端具有两个输入口，分别连接至所述化学药液管路和自清洗管路。
可选的，所述输入管路通过三向阀连接至所述化学药液管路和所述自清洗管路。
可选的，所述自清洗管路上安装有自清洗加热器。
可选的，所述自清洗管路的输入端具有两个输入口，用于分别连接至去离子水源和干燥气体源。
可选的，所述化学药液管路包括一循环管路，所述循环管路上设置有续液池、化学药液加热器以及过滤器，所述续液池用于连接至化学药液源。
可选的，所述输入管路连接至所述过滤器与续液池之间。
可选的，还包括：排液管路，所述排液管路的一端与所述处理腔室连通，用于排出所述处理腔室内的废液；在线电阻检测器，安装于所述排液管路上，用于实时检测排出所述排液管路内的废液的电阻。
可选的，所述输入管上安装有节流阀。
可选的，还包括排气管路，一端与所述处理腔室连通，用于排出所述处理腔室内的废气。
本实用新型的清洗装置具有自清洗管路，能够在通入化学药液进行清洗工艺之后，对输入管路内的化学药液进行清洗，因此无需在下次的清洗工艺进行时对输入管路进行预冲洗，从而可以节约药液，并且避免在输入管路内形成结晶颗粒污染。
附图说明
图1为本实用新型一具体实施方式的清洗装置的结构示意图；
图2为所述清洗装置在对晶圆进行清洗工艺时管路内的液体流向示意图；
图3为所述清洗装置在对输入管路进行自清洗工艺时管路内的液体流向示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的清洗装置的具体实施方式做详细说明。
请参考图1，为本实用新型一具体实施方式的清洗装置的结构示意图。
所述清洗装置包括：处理腔室100；化学药液管路110；自清洗管路120；输入管路130。
所述输入管路130的一端通入所述处理腔室100，另一端连接至所述化学药液管路110和自清洗管路120。
所述处理腔室100可以为沉积腔室、退火腔室、等离子体注入腔室等用于对半导体晶圆进行处理的腔室。所述处理腔室100也可以为专门用于清洗晶圆的腔室。
通过所述输入管路130向所述处理腔室100内输入化学药液，以对所述处理腔室进行化学药液清洗。所述输入管路130一端通入所述处理腔室100内，可以连接至所述处理腔室100内的喷头，以对所述处理腔室100的晶圆表面进行喷淋冲洗。所述输入管路130上安装有节流阀，用于控制所述输入管路130内流经的液体和气体的流量。
所述输入管路130的另一端连接至化学药液管路110，所述化学药液管路110连接至化学药液源，用于提供清洗晶圆时采用的化学药液。该具体实施方式中，所述化学药液管路110包括一循环管路，所述循环管路上设置有续液池111、化学药液加热器112以及过滤器113，所述续液池111用于连接至化学药液源。所述输入管路130连接至所述过滤器113与续液池111之间，使得流入所述输入管路130的化学药液为经过过滤后的药液，避免引入杂质颗粒。
化学药液经由输入管路130流入处理腔室100对处理腔室进行清洗，但是清洗工艺完成后，所述输入管路130内会有残留的化学药液，溶液在输入管路130内产生结晶颗粒等污染，如果不对所述输入管路130进行清洗，需要在下一次清洗工艺进行时，采用大量的化学液进行预冲洗，以排除所述输入管路130内的结晶，造成药液的浪费，而且无法保证结晶被完全排除。
本实用新型的具体实施方式中，所述清洗装置还包括自清洗管路120，所述自清洗管路120一端连接至所述输入管路130，另一端连接至去离子水源，用于对所述输入管路130内通入去离子水，以对所述输入管路130进行清洗。进一步的，该具体实施方式中，所述输入管路130的另一端还可以连接至干燥气体源，用于向输入管路130内通入干燥气体，对所述输入管路130进行干燥。在一个具体实施方式中，所述输入管路130具有一个输入端口，在输入管路130进行清洗时，所述输入端口连接至去离子水源；当需要对输入管路130进行干燥时，所述输入端口连接至干燥气体源。在另一具体实施方式中，所述自清洗管路120具有两个输入口，分别连接至所述化学药液管路110和自清洗管路120，通过阀门控制所述自清洗管路120与所述去离子水源和干燥气体源的连通状态。
该具体实施方式中，所述自清洗管路120上安装有自清洗加热器121，用于对所述自清洗管路120内的去离子水或干燥气体进行加热，以提高对输入管路130的清洗及干燥效果。
在一个具体实施方式中，所述输入管路130的一端具有两个支管路，分别连接至化学药液管路110和所述自清洗管路120。通过分别控制各个支管路上的开关阀门，切换所述输入管路130与化学药液管路110、自清洗管路120之间的通断状态。在该具体实施方式中，所述输入管路130通过三向阀140连接至所述化学药液管路110和所述自清洗管路120。通过操作所述三向阀140切换所述输入管路130与化学药液管路110、自清洗管路120之间的通断。当所述三向阀140切换至输入管路130与化学药液管路110导通时，输入管路130与自清洗管路120之间断开；当所述三向阀140切换至输入管路130与自清洗管路120导通时，输入管路130与化学药液管路110之间断开。从而，采用三向阀140可以避免化学药液管路110与自清洗管路120之间相互污染，实现化学药液与去离子水的分流。
所述半导体处理设备还包括：排液管路150，所述排液管路150的一端与所述处理腔室100连通，用于排出所述处理腔室100内的废液；在线电阻检测器151，安装于所述排液管路上，用于实时检测排出所述排液管路150内的废液的电阻，从而判断所述输入管路130是否还有残留的化学药液。
所述半导体处理设备还包括：排气管路160，一端与所述处理腔室100连通，用于排出所述处理腔室100内的废气。
请参考图2，为所述半导体处理设备在对晶圆进行清洗工艺时管路内的液体流向示意图。
所述三向阀140切换至输入管路130与化学药液管路110导通，化学药液经过续液池111、化学药液加热器112加热、过滤器113过滤达到工艺要求后通过所述输入管路130流入处理腔室，对晶圆表面进行清洗。清洗后废液通过所述排液管路150排出。
请参考图3，为所述半导体处理设备在对输入管路进行自清洗时管路内的液体流向示意图。
在清洗工艺结束后，所述三向阀140切换至输入管路130与自清洗管路120导通，向所述输入管路130通入去离子水，对所述输入管路130进行冲洗，以排出所述输入管路130内的化学药液。当所述在线电阻检测器151检测电阻值达到目标值时，停止通入去离子水，而向所述输入管路130通入干燥气体去除所述输入管路130内的去离子水。所述干燥气体可以为压缩空气、氮气等，可以通过所述自清洗加热器121对所述干燥气体进行加热，以提高干燥效率。在干燥过程中，通过所述排气管路160排出废气。
在清洗工艺结束后，为了保证化学药液的浓度及工艺温度，以便于后续清洗工艺的进行，在未进行清洗工艺的过程中，所述化学药液在循环管路内自循环。在循环过程中，化学药液源内的化学药液通过外部管路流入所述续液池111内，再从所述续液池111流出依次流经化学药液加热器112以及过滤器113再返回所述续液池111。
上述半导体处理设备，具有自清洗管路，能够在通入化学药液进行清洗工艺之后，对输入管路内的化学药液进行清洗，因此无需在下次的清洗工艺进行时对输入管路进行预冲洗，从而可以节约药液，并且避免在输入管路内形成结晶颗粒污染。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (9)
1.一种清洗装置，其特征在于，包括：
处理腔室；
化学药液管路；
自清洗管路；
输入管路，所述输入管路的一端通入所述处理腔室，另一端具有两个输入口，分别连接至所述化学药液管路和自清洗管路。
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述输入管路通过三向阀连接至所述化学药液管路和所述自清洗管路。
3.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述自清洗管路上安装有自清洗加热器。
4.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述自清洗管路的输入端具有两个输入口，用于分别连接至去离子水源和干燥气体源。
5.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述化学药液管路包括一循环管路，所述循环管路上设置有续液池、化学药液加热器以及过滤器，所述续液池用于连接至化学药液源。
6.根据权利要求5所述的清洗装置，其特征在于，所述输入管路连接至所述过滤器与续液池之间。
7.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，还包括：排液管路，所述排液管路的一端与所述处理腔室连通，用于排出所述处理腔室内的废液；在线电阻检测器，安装于所述排液管路上，用于实时检测排出所述排液管路内的废液的电阻。
8.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述输入管上安装有节流阀。
9.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，还包括排气管路，一端与所述处理腔室连通，用于排出所述处理腔室内的废气。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821144103.5U CN208400820U (zh) | 2018-07-18 | 2018-07-18 | 清洗装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821144103.5U CN208400820U (zh) | 2018-07-18 | 2018-07-18 | 清洗装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208400820U true CN208400820U (zh) | 2019-01-18 |
Family
ID=65129077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201821144103.5U Expired - Fee Related CN208400820U (zh) | 2018-07-18 | 2018-07-18 | 清洗装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN208400820U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110600388A (zh) * | 2019-09-30 | 2019-12-20 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 改善铝焊盘结晶缺陷的方法 |
-
2018
- 2018-07-18 CN CN201821144103.5U patent/CN208400820U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110600388A (zh) * | 2019-09-30 | 2019-12-20 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 改善铝焊盘结晶缺陷的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107520209A (zh) | 一种cip在线清洗系统 | |
| TWI630649B (zh) | 處理裝置和其排氣切換裝置及排氣切換單元和切換閥箱 | |
| CN205762817U (zh) | 一种cip在线清洗系统 | |
| CN108453084A (zh) | 喷嘴清洗装置和晶圆清洗设备 | |
| TWI559426B (zh) | 即時液體粒子計數器之終點偵測系統 | |
| CN203737653U (zh) | 实验室清洗平台 | |
| CN205085105U (zh) | 一种水箱清洗系统 | |
| CN104984649A (zh) | 一种适用于废气处理的净化系统及其控制方法 | |
| CN103505969A (zh) | 废气粉尘处理装置 | |
| CN208400820U (zh) | 清洗装置 | |
| CN106216338A (zh) | 自动洗涤移液管装置 | |
| CN109647107A (zh) | 一种酸雾洗涤塔 | |
| CN104889126A (zh) | 实验用具洗涤装置 | |
| KR20110064578A (ko) | 폐가스 처리용 스크러버의 챔버 자동 세척 장치 | |
| CN102692910A (zh) | 一种原料血浆袋循环保温清洁融浆在线控制装置 | |
| CN105879539A (zh) | 一种高压静电等离子烟雾处理设备 | |
| CN209675069U (zh) | 一种波纹油箱内部热油冲洗系统 | |
| CN206660175U (zh) | 一种传染病预防用消毒装置 | |
| CN203949404U (zh) | 在线清洗的水冷塔 | |
| CN113600583A (zh) | 一种玻璃器皿全自动酸清洗装置及方法 | |
| CN202865307U (zh) | 自动热浸锌层均匀性试验机 | |
| CN210280074U (zh) | 一种尾气处理系统 | |
| KR20220130431A (ko) | 바닥면 세척 시스템 | |
| CN207016627U (zh) | 一种化工污水净化处理装置 | |
| CN105032654B (zh) | 一种智能洗消水路控制装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190118 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |