KR101037632B1 - 기판 처리 장치 및 기류 공급 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기류 공급 방법 Download PDF

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Abstract

복수의 챔버에 하나의 팬으로 기류를 공급하는 기판 처리 장치를 개시한다. 기판 처리 장치는 공정을 처리하는 제1 챔버와 제2 챔버, 제1 챔버와 제2 챔버 중 어느 하나의 상부에 배치되어 제1 챔버와 제2 챔버에 기류를 제공하는 팬, 제1 챔버의 상부에 배치되고, 팬으로부터 공급되는 기류를 여과시켜 제1 챔버에 제공하는 제1 필터, 제2 챔버와 팬 사이에 배치되고, 팬으로부터 공급되는 기류를 여과시켜 제2 챔버에 제공하는 제2 필터 및 팬과 제1 필터 및 제2 필터를 연결하고, 제1 필터와 제2 필터로 공급되는 기류의 이동 통로를 제공하는 덕트를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기류 공급 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR SUPPLYING AIRFLOW}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기류 공급 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 복수의 챔버에 하나의 팬으로 기류를 공급하는 기판 처리 장치 및 기류 공급 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.
현재 반도체 제조 공정에서 사용되는 세정 방법은 건식 세정(Dry Cleaning)과 습식 세정(Wet Cleaning)으로 크게 나누어지며, 습식 세정은 약액 중에 기판을 침적시켜 화학적 용해 등에 의해서 오염 물질을 제거하는 배스(Bath) 타입의 방식과, 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면에 약액을 공급 하여 오염 물질을 제거하는 스핀(Spin) 타입의 방식으로 나누어진다.
이중 스핀 타입의 방식은 스핀 척이 설치된 세정 챔버 내에서 공정이 진행되며, 공정이 진행되는 동안 세정 챔버의 상부에 설치된 팬 필터 유닛에 의해 청정 공기의 기류가 형성되어 상부에서 하부로 흐른다. 통상, 하나의 세정 챔버에는 하나의 팬 필터 유닛이 설치되어 기류를 흐르게 한다. 이때, 복층으로 배치된 두개의 세정 챔버에는 두개의 팬 필터 유닛이 각각 설치되어야 하므로, 팬 필터 유닛의 수가 증가하고, 팬 필터 유닛이 차지하는 공간이 증가한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 복수의 챔버에 하나의 팬으로 기류를 공급하여 공간 활용이 용이해지는 기판 처리 장치 및 기류 공급 방법를 제공하는 것이다.
상술한 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정을 처리하는 제1 챔버와 제2 챔버, 상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 중 어느 하나의 상부에 배치되어 상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버에 기류를 제공하는 팬, 상기 제1 챔버의 상부에 배치되고, 상기 팬으로부터 공급되는 기류를 여과시켜 상기 제1 챔버에 제공하는 제1 필터, 상기 제2 챔버와 상기 팬 사이에 배치되고, 상기 팬으로부터 공급되는 기류를 여과시켜 상기 제2 챔버에 제공하는 제2 필터 및 상기 팬과 상기 제1 필터 및 상기 제2 필터를 연결하고, 상기 제1 필터와 상기 제2 필터로 공급되는 상기 기류의 이동 통로를 제공하는 덕트를 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 덕트 내에 배치되고, 상기 제1 필터와 상기 제2 필터에 공급되는 기류의 양을 각각 제어하는 제1 셔터와 제2 셔터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 필터와 상기 제2 필터 각각의 상부에 상기 제1 셔터와 상기 제2 셔터로부터 공급되는 기류를 대기시키는 기류 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 셔터와 상기 제2 셔터와 연결되어 상기 제1 셔터와 상기 제2 셔터를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버는 복층으로 배치될 수 있다. 이때, 상기 팬은 상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 중 상층에 위치하는 챔버의 상부에 배치될 수 있다.
상술한 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 기류 공급 방법은 다음과 같다. 하나의 팬으로 제1 및 제2 챔버에 기류를 공급하기 위해, 상기 팬으로 기류를 생성하고, 상기 팬과 상기 제1 및 제2 챔버를 연결하는 덕트에 상기 기류를 공급한 후 상기 덕트에 배치된 제1 및 제2 셔터를 제어하여 상기 제1 및 제2 챔버의 공정 조건에 적합하도록 상기 기류를 공급한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 팬은 소정의 양으로 상기 기류를 생성하고, 상기 제1 및 제2 셔터가 상기 기류의 양을 조절할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 및 제2 챔버에 기류를 공급하는 단계는 상기 제1 및 제2 챔버에 각각 결합된 제1 및 제2 필터에 상기 기류를 공급하여 상기 기류를 여과시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상술한 기판 처리 장치에 따르면, 하나의 팬으로 두 챔버에 기류를 공급함으로써, 팬의 수를 줄일 수 있다. 또한, 팬의 수가 줄어들어 복층 구조의 두 챔버의 전체 높이를 줄일 수 있고, 다른 방편으로 두 챔버 각각의 내부 공간을 더 확장시킬 수 있다.
상술한 기류 공급 방법에 따르면, 팬에서 생성된 기류를 셔터를 통해 제어하여 챔버에 공급함으로써, 팬의 회전수를 변경하지 않고 기류의 양을 조절할 수 있다. 이에 따라, 팬은 최적 회전수로 구동될 수 있고, 수명이 연장될 수 있다.
하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다. 상술한 본 발명이 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 및 효과는 첨부된 도면과 관련된 실시 예들을 통해서 용이하게 이해될 것이다. 각 도면은 명확한 설명을 위해 일부가 간략하거나 과장되게 표현되었다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호를 가지도록 도시되었음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 구성도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 반도체 제조 공정을 진행하기 위한 공간을 제공하는 제1 및 제2 챔버(110,120), 기류를 생성하는 팬(130), 상기 기류가 이동하는 통로인 덕트(140) 및 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)와 결합하여 상기 기류를 여과시키는 제1 및 제2 필터(160,170)를 포함한다.
상기 제1 및 제2 챔버(110,120)는 반도체 제조 공정에 따라 반도체 기판을 공정 처리한다. 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)는 내부에 상기 반도체 기판을 처리 하기 위한 공정 처리 장치를 더 포함한다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)는 각각 상기 반도체 기판을 공정 처리하기 위한 공정 공간을 제공하는 처리 용기(115) 등을 더 포함한다. 상기 처리 용기(115)이 상면은 개구되어 상기 반도체 기판의 반출 및 반입 통로로 제공될 수 있다. 이때, 상기 처리 용기(115)의 내부에는 상기 반도체 기판을 지지하기 위한 기판 지지부재(미도시)가 위치한다. 이러한 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)는 복층 구조로 배치된다. 여기서는, 상기 제1 챔버(110)가 상층에 배치되고, 상기 제2 챔버(120)가 하층에 배치된다.
상기 팬(130)은 일방향으로 회전함으로써, 기류를 생성한다. 상기 팬(130)은 매엽식 구조로 이루어질 경우, 상기 제1 및 제2 챔버(110,120) 중 상층에 위치하는 챔버, 예컨대 상기 제1 챔버(110)의 상부에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 기류는 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)의 상부로 공급되어 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)의 내부로 분사된다. 상기 기류는 상기 제1 및 제2 챔버(110,120) 내부의 공기 청정도를 공정 조건에 적합하도록 유지시킨다. 이를 위해, 상기 기류는 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)에서 파티클이 비산(飛散)하는 것을 방지한다.
상기 덕트(140)는 상기 팬(130)에 연결되어 상기 팬(130)으로부터 생성된 기류를 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)로 전달한다. 이를 위해, 상기 덕트(140)는 관 형태로 형성되어 상기 팬(130)과 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)를 연결한다. 예를 들어, 상기 덕트(140)는 상기 팬(130)과 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)의 높이에 대응하여 형성되고, 상시 팬(130)과 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)의 일측에 배치된다. 이를 통해, 상기 덕트(140)는 상기 팬(130)으로부터 공급되는 상기 기류를 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)에 모두 공급할 수 있다.
상기 덕트(140)는 각각 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)에 공급되는 기류의 양을 조절하는 제1 및 제2 셔터(151,152)를 더 포함한다. 상기 제1 및 제2 셔터(151,152)는 예컨대, 상기 덕트(140) 내에서 회전이 가능한 판상으로 형성되며, 회전 각도에 따라 통과하는 상기 기류의 양을 조절한다. 상기 제1 셔터(151)는 상기 제1 필터(160)에 인접한 상기 덕트(140) 내에 배치되고, 상기 제2 셔터(152)는 상기 제2 필터(170)에 인접한 상기 덕트(140) 내에 배치된다. 여기서, 상기 제1 및 제2 셔터(151,152)는 상기 기류의 양을 조절하기 위해 제어부(180)로부터 제어 신호를 수신한다.
상기 제어부(180)는 상기 제1 및 제2 셔터(151,152)와 네트워크로 연결되며, 상기 기류의 양을 조절하는 제어 신호를 상기 제1 및 제2 셔터(151,152)에 공급한다. 상기 제어부(180)는 상기 제어 신호를 통해 상기 제1 및 제2 셔터(151,152)의 회전 각도를 가변한다.
상기 제1 및 제2 필터(160,170)는 각각 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)의 상부에 배치된다. 상기 제1 및 제2 필터(160,170)는 상기 팬(130)으로부터 상기 기류를 공급받고, 상기 기류를 여과하여 상기 기류에 포함된 불순물을 걸러낸다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)에는 상기 제1 및 제2 필터(160,170)를 거쳐 불순물이 걸러진 청정한 기류가 공급된다.
한편, 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)는 각각 상기 제1 및 제2 필터(160,170)를 거쳐 공급받은 기류의 압력을 측정하기 위한 제1 및 제2 센 서(117,127)와, 상기 기류를 배출할 수 있는 제1 및 제2 기류 배출부(118,128)를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 센서(117,127)는 예컨대, 차압 센서, 풍량 센서 등으로 이루어지며, 상기 제1 및 제2 챔버(110,120) 내로 공급되는 상기 기류의 압력이나 풍량을 측정하고, 수집된 데이터를 상기 제어부(180)로 송신한다. 이러한 상기 제1 및 제2 센서(117,127)는 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)의 내부 상황이 공정 조건이 적합한지 감시한다.
상기 제1 및 제2 기류 배출부(118,128)는 각각 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)의 하단부에 배치되고, 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)가 설치된 반도체 제조 라인의 메인 배기관(미도시)과 연결된다. 상기 제1 및 제2 기류 배출부(118,128)는 각각 상기 제1 및 제2 챔버(110,120) 내의 기류의 순환과 불순물을 제거하기 위해 상기 메인 배기관으로 상기 기류와 불순물을 배출한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 하나의 팬(130)으로 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)에 기류를 공급함으로써, 상기 팬(130)의 수를 줄일 수 있다. 또한, 상기 팬(130)의 수가 줄어들어 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)의 전체 높이를 줄일 수 있고, 다른 방편으로 상기 제1 및 제2 챔버(110,120) 각각의 내부 공간을 더 확장시킬 수도 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 구성도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 반도체 제조 공정을 진행하기 위한 공간을 제공하는 제1 및 제2 챔버(110,120), 기류를 생성하는 팬(130), 상기 기류 가 이동하는 통로인 덕트(140), 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)와 결합하여 상기 기류를 여과시키는 제1 및 제2 필터(160,170) 및 상기 기류의 대기 공간을 제공하는 제1 및 제2 기류 버퍼층(210,220)을 포함한다. 여기서는, 도 1에 도시된 구성 요소와 동일한 구성 요소는 설명을 생략하거나, 간략하게 설명한다.
상기 덕트(140)는 상기 팬(130)에 연결되어 상기 팬(130)으로부터 생성된 기류를 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)로 전달하기 위해 관 형태로 형성되어 상기 팬(130)과 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)를 연결한다. 상기 덕트(140)는 각각 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)에 공급되는 기류의 양을 조절하는 제1 및 제2 셔터(151,152)를 더 포함한다. 상기 제1 및 제2 셔터(151,152)는 예컨대, 상기 덕트(140) 내에서 회전이 가능한 판상으로 형성되며, 회전 각도에 따라 통과하는 상기 기류의 양을 조절한다. 상기 제1 셔터(151)는 상기 제1 필터(160)에 인접한 상기 덕트(140) 내에 배치되고, 상기 제2 셔터(152)는 상기 제2 필터(170)에 인접한 상기 덕트(140) 내에 배치된다.
상기 제1 기류 버퍼층(210)은 상기 팬(130)과 상기 제1 필터(160) 사이에 배치되고, 상기 제2 기류 버퍼층(220)은 상기 제1 챔버(110)와 상기 제2 필터(170) 사이에 배치된다. 상기 제1 및 제2 기류 버퍼층(210,220)은 빈 공간으로 이루어져 상기 팬(130)으로부터 공급되는 기류를 대기시킨다. 더 상세하게는, 상기 제1 및 제2 기류 버퍼층(210,220)은 상기 제1 및 제2 필터(160,170)에 상기 기류를 여과시킬 때 상기 제1 및 제2 필터(160,170)의 상부에서 상기 기류가 공급되도록 상기 기류의 대기 공간을 제공한다. 이러한 상기 제1 및 제2 기류 버퍼층(210,220)은 상기 덕트(140)의 상기 제1 및 제2 셔터(151,152)와 연결되어 상기 기류를 공급받는다.
상기 제1 및 제2 기류 버퍼층(210,220)은 상기 제1 및 제2 필터(160,170)의 전면으로 상기 기류를 공급하여 상기 기류의 여과 효과를 향상시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기류 공급 방법을 나타내는 흐름도이다. 여기서는, 도 1에 도시된 참조 번호를 차용하여 기류 공급 방법을 설명한다.
도 3을 참조하면, 하나의 팬(130)으로 제1 및 제2 챔버(110,120)에 기류를 공급하기 위해서 상기 팬(130)으로 기류를 생성한다(S11). 여기서, 상기 팬(130)은 일정한 회전수로 동작하여 상기 기류를 생성할 수 있다.
다음, 상기 팬(130)에서 생성된 기류를 상기 팬(130)과 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)를 연결하는 관 형태의 덕트(140)로 공급한다(S21). 상기 덕트(140)는 상기 팬(130)과 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)의 일측에 배치되어 상기 팬(130)에서 공급받은 기류를 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)로 전달한다. 상기 덕트(140)는 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)에 각각 인접하여 배치되는 제1 및 제2 셔터(151,152)를 포함한다.
다음, 상기 덕트(140)에 배치된 상기 제1 및 제2 셔터(151,152)를 조절하여 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)의 공정 조건에 적합한 양만큼 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)에 상기 기류를 공급한다(S31). 상기 제1 및 제2 셔터(151,152)는 상기 덕트(140) 내에서 회전이 가능하며, 회전의 정도에 따라 이동하는 상기 기류의 양을 제어할 수 있다.
여기서, 상기 기류를 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)에 공급할 때 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)에 각각 결합된 제1 및 제2 필터(160,170)에 상기 기류를 여과시킨다. 상기 팬(130)에서 생성된 기류에는 대기중의 불순물이 혼합될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)의 공정 조건에 적한한 청정도를 만족시키기 위해 상기 기류를 상기 제1 및 제2 필터(160,170)로 여과한다.
상기 팬(130)에서 생성된 기류를 상기 덕트(140)의 제1 및 제2 셔터(151,152)를 통해 제어하여 상기 제1 및 제2 챔버(110,120)로 공급함으로써, 상기 팬(130)의 회전수를 변경하지 않고 상기 기류의 양을 조절할 수 있다. 이에 따라, 상기 팬(130)은 최적 회전수로 구동될 수 있고, 수명이 연장될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 구성도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기류 공급 방법을 나타내는 흐름도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100: 기판 처리 장치 110,120: 챔버
130: 팬 140: 덕트
151,152: 셔터 160,170: 필터
180: 제어부

Claims (13)

  1. 공정을 처리하는 제1 챔버와 제2 챔버와;
    상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 중 어느 하나의 상부에 배치되어 상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버에 기류를 제공하는 팬과;
    상기 제1 챔버의 상부에 배치되고, 상기 팬으로부터 공급되는 상기 기류를 여과시켜 상기 제1 챔버에 제공하는 제1 필터와;
    상기 제2 챔버와 상기 팬 사이에 배치되고, 상기 팬으로부터 공급되는 상기 기류를 여과시켜 상기 제2 챔버에 제공하는 제2 필터와;
    상기 팬과 상기 제1 필터 및 상기 제2 필터를 연결하고, 상기 제1 필터와 상기 제2 필터로 공급되는 상기 기류의 이동 통로를 제공하는 덕트와;
    상기 덕트 내에 배치되고, 상기 제1 필터와 상기 제2 필터에 공급되는 상기 기류의 양을 각각 제어하는 제1 셔터와 제2 셔터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 필터와 상기 제2 필터 각각의 상부에 상기 제1 셔터와 상기 제2 셔터로부터 공급되는 상기 기류를 대기시키는 기류 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 셔터와 상기 제2 셔터와 연결되어 상기 제1 셔터와 상기 제2 셔터를 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버는 복층으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 팬은 상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 중 상층에 위치하는 챔버의 상부에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 하나의 팬으로 제1 및 제2 챔버에 기류를 공급하는 방법에 있어서,
    상기 팬으로 기류를 생성하는 단계;
    상기 팬과 상기 제1 및 제2 챔버를 연결하는 덕트에 상기 기류를 공급하는 단계; 및
    상기 덕트에 배치된 제1 및 제2 셔터를 제어하여 상기 제1 및 제2 챔버의 공 정 조건에 적합하도록 상기 기류를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기류 공급 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 팬은 소정의 양으로 상기 기류를 생성하고, 상기 제1 및 제2 셔터가 상기 기류의 양을 조절하는 것을 특징으로 하는 기류 공급 방법.
  9. 제7 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 챔버에 기류를 공급하는 단계는,
    상기 제1 및 제2 챔버에 각각 결합된 제1 및 제2 필터에 상기 기류를 공급하여 상기 기류를 여과시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기류 공급 방법.
  10. 제1챔버와;
    상기 제1챔버의 하부에 배치된 제2챔버와;
    상기 제1챔버의 상부에 배치되어 기류를 발생시키는 팬과;
    상기 팬, 상기 제1챔버, 그리고 상기 제2챔버의 측면에 배치되고, 상기 기류의 이동통로를 제공하는 덕트와;
    상기 제1챔버 및 상기 팬 사이에 배치되고, 상기 덕트와 연결되어 상기 기류를 여과시킨 후, 상기 기류를 상기 제1챔버에 제공하는 제1필터와;
    상기 제1챔버와 상기 제2챔버 사이에 배치되고, 상기 덕트와 연결되어 상기 기류를 여과시킨 후, 상기 기류를 상기 제2챔버에 제공하는 제2필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 덕트와 상기 제1필터 간에 배치되어 상기 제1필터에 공급되는 상기 기류의 양을 제어하는 제1셔터와;
    상기 덕트와 상기 제2필터 간에 배치되어 상기 제2필터에 공급되는 상기 기류의 양을 제어하는 제2셔터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제1챔버와;
    상기 제1챔버의 하부에 배치된 제2챔버와;
    상기 제1챔버의 상부에 배치되어 기류를 발생시키는 팬과;
    상기 팬, 상기 제1챔버, 그리고 상기 제2챔버의 측면에 배치되고, 상기 기류의 이동통로를 제공하는 덕트와;
    상기 제1챔버 및 상기 팬 사이에 배치되고, 공급되는 상기 기류를 여과시킨 후, 상기 기류를 상기 제1챔버에 제공하는 제1필터와;
    상기 제1챔버와 상기 제2챔버 사이에 배치되고, 공급되는 상기 기류를 여과시킨 후, 상기 기류를 상기 제2챔버에 제공하는 제2필터와;
    상기 제1필터와 상기 팬 사이에 배치되고, 상기 덕트로부터 공급되는 상기 기류를 대기시키며, 상기 기류를 상기 제1필터에 공급하는 제1 기류 버퍼층과;
    상기 제2필터와 상기 제1챔버 사이에 배치되고, 상기 덕트로부터 공급되는 기류를 대기시키며, 상기 기류를 상기 제2필터에 공급하는 제2 기류 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 덕트와 상기 제1 기류 버퍼층 사이에 배치되어 상기 제1 기류 버퍼층에 공급되는 상기 기류의 양을 제어하는 제1셔터와;
    상기 덕트와 상기 제2 기류 버퍼층 사이에 배치되어 상기 제2 기류 버퍼층에 공급되는 상기 기류의 양을 제어하는 제2셔터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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