TWI628264B - 實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物的蝕刻液及蝕刻方法 - Google Patents

實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物的蝕刻液及蝕刻方法 Download PDF

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Abstract

本發明係提供一種蝕刻液，於實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物的蝕刻時具有適當的蝕刻率，相對於該氧化物的溶解其蝕刻率的變化小，且不產生析出物，此外對配線材料腐蝕性小到可以忽略的程度。本發明中使用含有(A)選自於由硫酸、甲烷磺酸及此等之鹽構成之群組中之1種以上、以及水，且pH值為-1~3之蝕刻液。

Description

實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物的蝕刻液及蝕刻方法
本發明係關於一種蝕刻液及其蝕刻方法，其用於蝕刻使用在液晶顯示器(LCD)或電致發光(electroluminescence)顯示器(LED)等顯示裝置上之實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物。
非晶矽(amorphous silicon)或低溫多晶矽(poly silicon)做為液晶顯示器或電致發光顯示器等顯示裝置的半導體層被廣泛地使用，而在顯示器的大畫面化、高精細化及低耗電化等背景下，各種的氧化物半導體材料正在開發中。
氧化物半導體材料，可列舉例如銦･鎵･鋅氧化物(IGZO)等，具有電子遷移率高及洩漏電流小等特性。IGZO之外，做為特性更優良的氧化物半導體材料之銦･鎵氧化物(IGO)、鎵･鋅氧化物(GZO)、鋅･錫氧化物(ZTO)、銦･鋅･錫氧化物(IZTO)及銦･鎵･鋅･錫氧化物(IGZTO)等，各種組成的氧化物半導體材料正在研究中。 在該等之中，尤其實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物，已知安定性或耐藥品性高。
通常氧化物半導體材料，會使用濺鍍法等成膜處理於玻璃等基板上形成薄膜。接著，以抗蝕劑等作為遮罩而進行蝕刻而形成電極圖案。該蝕刻步驟有濕式(wet method)及乾式(dry method)，蝕刻液係使用在濕式法。 氧化物半導體材料中，由於實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物之耐藥品性優良，故於其它周邊材料的成膜步驟或蝕刻步驟中，具有暴露在各種化學藥品或化學氣體中仍可安定之特徴。但另一方面，實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物有難以利用濕式蝕刻等進行加工的難題。 經由濕式蝕刻形成氧化物半導體材料的的圖案時，對於蝕刻液要求有以下(1)~(4)所示之性能。 (1)具有適當的蝕刻率。 (2)氧化物溶解在蝕刻液中時，蝕刻率(E.R.)的降低(變化)要小。亦即，可安定地承受長時間的使用，即藥液壽命長。 (3)於氧化物溶解時不會產生析出物。 (4)不會腐蝕配線等周邊材料。
氧化物半導體材料的蝕刻率宜為2nm/min以上，3nm/min以上更佳，4nm/min以上再更佳。另外，宜為10000nm/min以下，5000nm/min以下更佳，2000nm/min以下再更佳。其中宜為2~10000nm/min，3~5000nm/min更佳，4~2000nm/min再更佳。蝕刻率在2~10000nm/min時，可維持生產效率及安定地進行蝕刻操作。
另外，隨著蝕刻的進行，蝕刻液中的氧化物濃度會增加。期望因此現象所導致之蝕刻率的降低或變化小。在使用蝕刻液進行氧化物半導體層的蝕刻時，此事在高效率執行工業生產時極為重要。
另外，在溶有氧化物半導體材料的蝕刻液中若產生析出物，可能會在蝕刻處理後的基板上留下殘渣。而該殘渣，在其後的各種成膜步驟中會造成孔隙的產生及黏著性不良，亦有可能會成為誘發漏電或斷路之原因。該等結果，恐怕會造成其做為顯示裝置之特性的不良。 另外，在溶有氧化物半導體材料的蝕刻液中若產生析出物，該析出物會堵塞為了蝕刻液循環利用而設置的過濾器，其更換複雜，恐怕會連帶著成本的提高。因此，即使蝕刻液尚殘留性能，仍必須在該析出物產生前將蝕刻液棄置，結果反而會造成蝕刻液使用時間變短，亦會造成蝕刻液費用增加。此外，廢液處理費用亦會增加。 例如使用含草酸之蝕刻液進行氧化鋅的蝕刻時，會有草酸鋅固體析出的大問題。通常含草酸之蝕刻液，其溶解的鋅之濃度於約10ppm時會產生析出物(比較例1及2)。
從而在氧化物半導體材料溶解於蝕刻液中時，希望其不產生析出物。具體而言，氧化物溶解量期望為500ppm以上。1000ppm以上更佳，1500ppm以上再更佳，2000ppm以上特佳。
通常液晶顯示器等顯示裝置所使用的配線材料可列舉為銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)及鈦(Ti)等。由於氧化物半導體材料在蝕刻時其蝕刻液有可能和該等配線材料接觸，因此期望可忽略對配線材料的腐蝕者，或低腐蝕性者。對配線材料的蝕刻率，具體而言期望為3nm/min以下。2nm/min以下更佳，1nm/min以下特佳。
作為ZTO的蝕刻液，已知有以鹽酸和硝酸為主成分之蝕刻液 (專利文獻1：美國專利申請第2009/75421號說明書)。 另外，日本特開2010-248547號公報(專利文獻2)中記載：ZTO可以用草酸水溶液進行蝕刻。
另一方面，作為銦氧化物類透明導電膜的蝕刻液，已知含有：作為氧化劑之硫酸、作為輔助氧化劑之磷酸或硝酸等、作為蝕刻抑制劑之胺鹽等(專利文獻3：日本特開2006-77241號公報)。
另外，日本特開2009-218513號公報(專利文獻4)，介紹非晶態(Amorphous)-銦･錫氧化物(ITO)之蝕刻液，係由硫酸和界面活性劑構成的蝕刻液。
另外，國際公開第2008/32728號(專利文獻5)中，以銦氧化物類的薄膜為對象，公開其特徵為含有(a)草酸、(b)萘磺酸(naphthalene sulfonic acid)縮合物或其鹽、(c)鹽酸、硫酸、水溶性胺及該等的鹽中，包含鹽酸至少1種，和(d)水之組成的蝕刻液。 【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】美國專利申請第2009/75421號說明書 【專利文獻2】日本特開2010-248547號公報 【專利文獻3】日本特開2006-77241號公報 【專利文獻4】日本特開2009-218513號公報 【專利文獻 5】國際公開第2008/32728號
【發明所欲解決之課題】
但是，專利文獻1的蝕刻液有腐蝕配線材料的顧慮(參照比較例3及4)。 專利文獻2的蝕刻液有草酸鹽析出的顧慮(參照比較例1及2)。 專利文獻3、4及5中，並無記載ZTO的蝕刻特性。 在如此的情況下，期望能提供一種蝕刻液，其於實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物的蝕刻中，具有適當的蝕刻率；即使該氧化物溶解，蝕刻率的降低及變化也很小；並且在氧化物溶解時不產生析出物；此外對鋁、銅及鈦等配線材料的腐蝕性小。 【解決課題之手段】
亦即本發明基於相關知識而完成，為了蝕刻實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物的蝕刻液，以含有(A)選自於由硫酸、甲烷磺酸，及此等之鹽構成之群組中之1種以上、以及水，且pH值為-1~3之蝕刻液進行處理，發現可達成其目的。此外本發明如下所述： 1.一種蝕刻液，係用於蝕刻實質上由鋅、錫及氧形成之氧化物，含有(A)選自於由硫酸、甲烷磺酸、及此等之鹽構成之群組中之1種以上、以及水，且pH值為-1~3。 2.如第1項之蝕刻液，更含有 (B)羧酸(不包括草酸)。 3.如第2項之蝕刻液，其中，(B)羧酸係選自於由乙酸、甘醇酸、丙二酸、馬來酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、甘胺酸及檸檬酸構成之群組中之1種以上。 4.如第1至3項中任一項之蝕刻液，更含有(C)聚磺酸化合物。 5.如第4項之蝕刻液，其中，(C)聚磺酸化合物為選自於由萘磺酸福馬林縮合物或其鹽、聚氧乙烯烷醚硫酸鹽、及聚氧乙烯烷基苯醚硫酸鹽構成之群組中之1種以上。 6.一種蝕刻方法，係使用如第1至5項中任一項之蝕刻液蝕刻含有實質上由鋅、錫及氧形成之氧化物之基板。 7.一種顯示裝置，係利用如第6項之蝕刻方法製造。 【發明之效果】
若依本發明，經由使用本申請發明的蝕刻液，可蝕刻實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物。若依本發明之適宜的態樣，本發明的蝕刻液因具有適當的蝕刻率、相對於氧化物的溶解其蝕刻率的降低或變化小、並且不產生析出物、此外對配線材料的腐蝕性小，故可長時間、安定且適當地進行蝕刻操作。
本發明的蝕刻液，可適當地使用於蝕刻實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物。此處「實質上由鋅、錫及氧形成的」係指，氧化物中所含之鋅、錫及氧合計為99質量%以上，宜為99.9質量%以上，99.99質量%以上更佳。另外，氧化物中所含之鋅及錫的含量，各自宜為1質量%以上，3質量%以上更佳，10質量%以上再更佳。
本申請發明的蝕刻液係含有(A) 選自於由硫酸、甲烷磺酸、及此等之鹽構成之群組中之1種以上、以及水，且pH值為-1~3之蝕刻液。 更具體而言(A)成分宜為硫酸、甲烷磺酸、發煙硫酸、硫酸銨、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸氫銨、硫酸氫鈉及硫酸氫鉀等，硫酸及甲烷磺酸更佳，硫酸特佳。另外，選自(A)成分的酸在蝕刻液中的濃度宜為0.5質量%以上，1質量%以上更佳，2質量%以上再更佳。另外，宜為30質量%以下，20質量%以下更佳，15質量%以下再更佳。其中，宜為0.5~30質量%，1~20質量%更佳，2~15質量%再更佳。在0.5~30質量%時，可得到良好的蝕刻率。
於本發明中使用的水宜為經蒸餾、離子交換處理、過濾器處理及各種吸附處理等，除去金屬離子或有機雜質，顆粒粒子等者，純水及超純水特佳。另外，蝕刻液中水的濃度宜為10質量%以上，20質量%以上更佳，30質量%以上再更佳。於該情況，水的濃度係各種化學藥劑以外的剩餘部分。
本發明的蝕刻液中，可更含有(B) 不包括草酸之羧酸。 具體而言羧酸若為可提供羧酸離子者(但草酸離子除外)即無特別限制。羧酸離子於實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物的蝕刻時提昇液體組成物的安定性，並具有調節蝕刻速度的機能。可列舉例如碳數宜為1~18的脂肪族羧酸、碳數6~10的芳香族羧酸、除此還可列舉碳數1~10胺基酸等。 碳數1~18的脂肪族羧酸宜為甲酸、乙酸、丙酸、乳酸、甘醇酸、二甘醇酸、丙酮酸、丙二酸、丁酸、羥丁酸、酒石酸、琥珀酸、蘋果酸、馬來酸、富馬酸、戊酸、戊二酸、伊康酸、己酸、己二酸、檸檬酸、丙三羧酸、反烏頭酸、庚酸、辛酸、月桂酸、肉荳蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、油酸、亞麻油酸、次亞麻油酸或此等之鹽。 羧酸為乙酸、甘醇酸、乳酸、丙二酸、馬來酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸或此等之鹽更佳，乙酸、馬來酸、蘋果酸及檸檬酸特佳。另外，該等羧酸可單獨使用或將多數種組合使用。
(B)羧酸(但不包括草酸)或其鹽在蝕刻液中的濃度，以羧基為基準的濃度宜為0.1質量%以上，1質量%以上更佳，3質量%以上再更佳。另外，宜為15質量%以下，12質量%以下更佳，10質量%以下再更佳。其中宜為0.1~15質量%，1~12質量%更佳，3~10質量%再更佳。在0.1~15質量%時，可抑制對配線材料的腐蝕。
本發明的蝕刻液其pH值為-1~3的範圍。pH值為-0.7~0.7更佳，pH值為-0.5~0.5再更佳。 另外本發明的蝕刻液，因應需要可含有pH調整劑。pH調整劑若不至於影響蝕刻性能即無特別限制，但亦可使用具有(A)成分機能的硫酸、甲烷磺酸或(B)成分的羧酸(但不包括草酸)進行調整。此外pH調整劑亦可使用氨水及磺酸胺等。
本發明的蝕刻液，因應需要可含有(C)成分之聚磺酸化合物。聚磺酸化合物宜為萘磺酸福馬林縮合物及其鹽、聚氧乙烯烷醚硫酸鹽及聚氧乙烯烷基苯醚硫酸鹽等。萘磺酸福馬林縮合物以DEMOL N(花王股份有限公司)、LAVELIN FP(第一工業製藥股份有限公司)及POLITY N100K(LION股份有限公司)等商品名販售。 (C)聚磺酸化合物在蝕刻液中的濃度宜為0.0001質量%以上，0.001質量%以上更佳。另外宜為10質量%以下，5質量%以下更佳。其中宜為0.0001~10質量%範圍，0.001~5質量%更佳。
本發明的蝕刻液於該成分之外，可在不損害蝕刻液的效果範圍下包含常用於蝕刻液中的各種添加劑。例如可使用溶劑或pH緩衝劑等。
在本發明的蝕刻方法中，蝕刻對象物為實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物(ZTO特佳)。本發明的蝕刻方法係具有以本發明的蝕刻液，亦即包含(A)選自於由硫酸、甲烷磺酸、及此等之鹽構成之群組中之1種以上、以及水，且pH値為-1~3之蝕刻液，和蝕刻對象物接觸之步驟。依本發明的蝕刻方法，連續的進行蝕刻操作時亦可防止析出物的產生。另外，由於蝕刻率的變化小，故可長時間安定地進行蝕刻操作。 在本發明的蝕刻方法中蝕刻對象物的形狀並無限制，但用於平板顯示器的半導體材料時宜為薄膜。例如於氧化矽等絕緣膜上形成實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物(ZTO特佳)之薄膜後，於其上塗佈抗蝕劑，再曝光轉印上期望的圖案遮罩，顯像後形成期望的抗蝕劑圖案者即為蝕刻對象物。蝕刻對象物為薄膜時，其膜厚宜為1~1000nm的範圍。5~500nm更佳，10~300nm特佳。另外蝕刻對象物，亦可為組成相異的二種以上氧化物薄膜所構成的疊層構造。該情況下，可一次性地蝕刻該組成相異的二種以上氧化物薄膜所構成的疊層構造。
蝕刻對象物和蝕刻液的接觸溫度(亦即，和蝕刻對象物接觸時蝕刻液的溫度)宜為10℃以上，15℃以上更佳，20℃以上再更佳。另外，接觸溫度宜為70℃以下，60℃以下更佳，50℃以下再更佳。特別是宜為10~70℃的溫度，15~60℃更佳，20~50℃特佳。在10~70℃的溫度範圍時，可得到良好的蝕刻率。此外於該溫度範圍下進行蝕刻操作可抑制裝置的腐蝕。因蝕刻液的溫度昇高，蝕刻率亦會上昇，但由於水的蒸發等而造成蝕刻液濃度變化量變大等情況亦考量後，再決定適切的處理溫度即可。 在本發明的蝕刻方法中，蝕刻時間並無特別限制，但實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物蝕刻結束而直到露出基底時的剛好蝕刻時間通常宜為0.01~30分鐘程度，0.03~10分鐘更佳，0.05~5分鐘再更佳，0.1~2分鐘特別佳。
蝕刻對象物接觸蝕刻液的方法並無特別限制，例如可採用將蝕刻液滴下(單晶圓旋轉處理(single-wafer spin processing))或以噴霧等形式與對象物接觸之方法，或將對象物浸漬在蝕刻液中的方法等常見的濕式蝕刻方法。 【實施例】
以下依本發明的實施例和比較例具體地說明有關其實施型態和效果，但本發明並不限於該等實施例。
[pH值測定方法] pH值係使用堀場製作所的pH/ION計，將電極浸漬在攪拌中的蝕刻液，並於22℃進行測定。pH測定裝置其pH值的調整使用pH2及7的標準液進行調整。
[玻璃基板上的鋅･錫氧化物之製作] 使用將氧化鋅和氧化錫粉碎、混合再燒結而成者，將其濺鍍於玻璃基板上而形成由鋅、錫及氧構成的鋅･錫氧化物(膜厚：100nm)的膜。相對於鋅･錫氧化物中的鋅和錫的合計量，鋅的含有比(原子比，以Zn÷(Zn＋Sn)計算之值)為0.7。
[1.蝕刻率的測定] 於玻璃基板上經由濺鍍法形成膜厚為100nm之鋅･錫氧化物(ZTO)膜，其後，使用表1及表2所示之各蝕刻液進行蝕刻處理。蝕刻處理係以該ZTO膜/玻璃基板浸漬在維持於35℃之蝕刻液中20秒~60秒之方法進行，其後以純水洗淨後乾燥。接著，使用光學式膜厚測定裝置n&k Analyzer 1280(n&k Technology Inc.製)測定蝕刻處理前後的ZTO膜之膜厚，將其膜厚差除以蝕刻時間以算出蝕刻率。氧化物溶解前的蝕刻率(初始蝕刻率)的評估結果以下述的基準表示。 E：蝕刻率為4nm/min~200nm/min G：蝕刻率為3nm/min~未達4nm/min，或201nm/min~500nm/min F：蝕刻率為2nm/min~未達3nm/min，或501nm/min~1000nm/min P：蝕刻率未達2nm/min，或1001nm/min以上 另外，此處合格為E、G及F。
[2.氧化物溶解性的確認] 在表1及表2所示之各蝕刻液中，將鋅･錫氧化物(ZTO)依設定濃度(100、500、1000，或1500ppm)溶解後，以目視確認有無不溶物。評估結果以下述的基準表示。合格為E、G及F。 E：添加ZTO 1500ppm後，完全溶解。 G：添加ZTO 1000ppm後，完全溶解。 F：添加ZTO 500ppm後，完全溶解。 P：添加ZTO 100ppm後，有不溶物。
[3.氧化物溶解後蝕刻率變化量的測定] 於表1及表2所示之各蝕刻液中，溶解ZTO使濃度成為1000ppm後，和前述1以相同的方法測定蝕刻率。算出ZTO溶解前後的蝕刻率之變化量。評估結果以下述的基準表示。 E：蝕刻率變化量為1nm/min以下 G：蝕刻率變化量超過1nm/min~未達2nm/min P：蝕刻率變化量超過2nm/min 另外，此處合格為E及G。
[4.配線材料蝕刻率的測定(腐蝕性)] 使用於玻璃基板上利用濺鍍法成膜之銅(Cu)/鈦(Ti)疊層膜、鋁(Al)單層膜、鉬(Mo)單層膜及Ti單層膜，實施依表1及表2所示之各蝕刻液所得之Cu、Al、Mo及Ti的蝕刻率的測定。蝕刻處理係以該金屬膜/玻璃基板浸泡在維持於35℃之蝕刻液中1~3分鐘之方法進行。蝕刻處理前後的金屬膜的膜厚使用螢光X射線分析裝置SEA1200VX(Seiko Instruments Inc.製)進行測定，將其膜厚差除以蝕刻時間算出蝕刻率。評估結果以下述的基準表示。 E：蝕刻率未達1nm/min G：蝕刻率1nm/min~未達2nm/min P：蝕刻率2nm/min以上 另外，此處合格為E及G。
實施例1 在容量100ml的聚丙烯容器中加入作為A成分之46.0質量%的硫酸32.6g及純水67.4g。將其充分的攪拌混合後，配製成蝕刻液(總重量為100.0g)。得到的蝕刻液的硫酸的濃度為15.0質量%，pH值為-0.1。 使用該蝕刻液，進行前述1~4的評估。結果整理於表1。 氧化物溶解前蝕刻率為11nm/min，且ZTO(ZTO濃度為1000ppm)添加後蝕刻液亦為透明，無不溶物。氧化物溶解後的pH值為0.0，且蝕刻率為10nm/min，變化量評定為E(1nm/min)。配線材料(Cu及Al)的蝕刻率(E.R.)評定為G，而Mo及Ti評定為E。另外，ZTO添加2000ppm後無不溶物且透明，溶解性優良。pH值為-0.1。
實施例2 除了將實施例1的硫酸替換成甲烷磺酸20質量%之外，其餘和實施例1相同並配製成蝕刻液後，使用該蝕刻液進行該評估。得到的結果如表1所示。
實施例3 除了改為硫酸濃度5質量%、檸檬酸濃度5質量%及LAVELIN FP為0.1質量%之外，其餘和實施例1相同並配製成蝕刻液後，使用該蝕刻液進行該評估。得到的結果如表1所示。
比較例1及2 除了將實施例1的硫酸替換成草酸濃度為3.4質量%(比較例1)，或1.7質量%(比較例2)之外，其餘和實施例1相同並配製成蝕刻液後，使用該蝕刻液進行該評估。得到的結果如表2所示。
比較例3及4 除了將實施例1的硫酸替換成鹽酸10質量%(比較例3)，或硝酸20質量%(比較例4)之外，其餘和實施例1相同並配製成蝕刻液後，使用該蝕刻液進行該評估。得到的結果如表2所示。
比較例5 除了將實施例1的硫酸替換成(B)成分之馬來酸10質量%之外，其餘和實施例1相同並配製成蝕刻液後，使用該蝕刻液進行該評估。得到的結果如表2所示。
比較例6 除了將實施例1的硫酸替換成甲酸20質量%之外，其餘和實施例1相同並配製成蝕刻液後，使用該蝕刻液進行該評估。得到的結果如表2所示。
比較例7 除了將實施例1的硫酸替換成鹽酸0.5質量%和乙酸20質量%之外，其餘和實施例1相同並配製成蝕刻液後，使用該蝕刻液進行該評估。得到的結果如表2所示。
由該實施例1~3瞭解，本發明的蝕刻液可將實質上由鋅、錫及氧形成的氧化物以適當的蝕刻率進行蝕刻，相對於氧化物的溶解其蝕刻率變化小，且不產生析出物，而可進行蝕刻處理。此外可瞭解，其對配線材料的腐蝕性亦小，做為工業生產時使用的蝕刻液具有優良的性能。 另一方面，比較例1~2及5中ZTO的溶解能低(鋅･錫氧化物僅能溶解至100ppm)，無法進行蝕刻率變化量的評估。另外，比較例6及7中蝕刻率顯著地變慢。此外，比較例3~4中蝕刻率雖比較好，但對配線材料Cu、Mo及Al的蝕刻率較大，具有腐蝕性。 -：係表示未添加或未實施。 ZTO膜：係指由鋅、錫及氧形成的氧化物薄膜。 E：係指Excellent；G：係指Good；F：係指Fair；P：係指Poor 【產業上利用性】
本發明的蝕刻液係可用適當的蝕刻率進行實質上由鋅及錫形成的氧化物之蝕刻，相對氧化物的溶解其蝕刻率變化小，且不產生析出物，對配線材料的腐蝕性亦小。因可預期藥液壽命的增長，故於藥液使用時成本的降低及環境負荷大幅下降之益處亦高。
無。

Claims (6)

  1. 一種蝕刻液，係用於蝕刻實質上由鋅、錫及氧形成之氧化物，含有(A)選自於由硫酸、甲烷磺酸、及此等之鹽構成之群組中之1種以上、以及水，且pH值為-1~3，(A)成分在蝕刻液中的濃度為0.5~30質量%，惟，不含硝酸及過氧化氫。
  2. 如申請專利範圍第1項之蝕刻液，更含有(B)羧酸(不包括草酸)。
  3. 如申請專利範圍第2項之蝕刻液，其中，(B)羧酸係選自於由乙酸、甘醇酸、丙二酸、馬來酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、甘胺酸及檸檬酸構成之群組中之1種以上。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之蝕刻液，更含有(C)聚磺酸化合物。
  5. 如申請專利範圍第4項之蝕刻液，其中，(C)聚磺酸化合物為選自於由萘磺酸福馬林縮合物或其鹽、聚氧乙烯烷醚硫酸鹽、及聚氧乙烯烷基苯醚硫酸鹽構成之群組中之1種以上。
  6. 一種蝕刻方法，係使用如申請專利範圍第1至5項中任一項之蝕刻液蝕刻含有實質上由鋅、錫及氧形成之氧化物之基板。
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