TWI628046B - Method for processing plate-shaped body, method for manufacturing electronic device, and laminated body - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種板狀體之加工方法，該加工方法包括如下步驟：藉由包含金屬之黏結劑或陶瓷之黏結劑之磨石對板狀體之外周之至少一部分進行研削的研削步驟、及藉由彈性磨石對上述板狀體之經上述磨石研削之部分進行倒角的倒角步驟，並且上述磨石為圓柱狀或圓錐台狀，且於外周具有研削板狀體之研磨粒面，於該研磨粒面上不具有研削槽。

Description

板狀體之加工方法、電子裝置之製造方法、及積層體
本發明係關於一種板狀體之加工方法、電子裝置之製造方法、及積層體。
於板狀體之外周部之加工時，例如可使用包含金屬之黏結劑之磨石(例如參照專利文獻1)。磨石為圓柱狀，且於外周具有研削板狀體之研磨粒面。磨石之中心軸係相對於板狀體之主面而設定為垂直。磨石係以其中心軸為中心而旋轉且沿著板狀體之外周相對地移動，對板狀體之外周之至少一部分進行研削。磨石於研磨粒面上具有剖面V字狀之研削槽，以研削槽之壁面研削板狀體。此處，所謂剖面V字狀之研削槽，不僅包含研削槽之底部為尖狀者，亦包括平坦者或為圓狀者。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-9689號公報
於以研削槽之壁面研削板狀體時，於板狀體之主面與側面之交界部容易產生龜裂。該龜裂有可能導致板狀體之強度下降。
本發明係鑒於上述課題而成者，其主要目的在於提供一種提高板狀體之強度的板狀體之加工方法。
為了解決上述課題，根據本發明之一態樣，提供一種板狀體之加工方法，其包括如下步驟：藉由包含金屬之黏結劑或陶瓷之黏結劑之磨石對板狀體之外周之至少一部分進行研削的研削步驟、及藉由彈性磨石對上述板狀體之經上述磨石研削之部分進行倒角的倒角步驟，並且上述磨石為圓柱狀或圓錐台狀，且於外周具有研削板狀體之研磨粒面，於該研磨粒面上不具有研削槽。
根據本發明之一態樣，提供一種提高板狀體之強度的板狀體之加工方法。
10、10A、10B、110A、110B‧‧‧積層體
11、11A、11B、111A、111B‧‧‧玻璃基板
12、12A、12B、112A、111B‧‧‧補強板
13、13A、13B、113A、113B‧‧‧有機膜
14、14A、14B、114A、114B‧‧‧支持板
15A、16A、18A、19A、115A、116A、118A、119A‧‧‧交界部
15B、16B、18B、19B、115B、116B、、118B、119B‧‧‧倒角部
20、120‧‧‧磨石
30、130‧‧‧彈性磨石
30a-1、30a-2、30a-3‧‧‧研磨粒
41‧‧‧薄膜電晶體
42‧‧‧TFT基板
43‧‧‧彩色濾光片
44‧‧‧CF基板
45‧‧‧液晶材料
51‧‧‧有機EL元件
52‧‧‧對向基板
61‧‧‧太陽電池元件
圖1係表示本發明之第1實施形態之加工前之積層體的側視圖。
圖2係表示藉由磨石對圖1之積層體進行研削之研削步驟的圖。
圖3係表示藉由彈性磨石對圖2之積層體進行倒角之倒角步驟的圖。
圖4係表示使用圖3之積層體之TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)基板製作步驟的圖。
圖5係表示使用圖3之積層體之CF(Color filter，彩色濾光片)基板製作步驟的圖。
圖6係表示圖4之TFT基板與圖5之CF基板之組裝步驟的圖。
圖7係表示於圖4之步驟後或圖5之步驟後進行之剝離步驟的圖。
圖8係表示使用圖3之積層體之有機EL(Electro Luminescence，電致發光)元件形成步驟的圖。
圖9係表示於圖8之步驟後進行之貼合步驟的圖。
圖10係表示於圖8之步驟後進行之剝離步驟的圖。
圖11係表示使用圖3之積層體之太陽電池元件形成步驟的圖。
圖12係表示於圖11之步驟後進行之剝離步驟的圖。
圖13係表示本發明之第2實施形態之研削步驟的圖。
圖14係表示本發明之第2實施形態之倒角步驟的圖。
圖15係圖3之一部分放大圖。
以下，參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明。於各圖式中，對相同或對應之構成標註相同或對應之符號，省略說明。再者，本實施形態之板狀體為由複數層構成之積層體，但亦可為由一個層構成之單板。又，本實施形態之積層體係可於構成積層體之複數層中之特定的層彼此之間進行剝離者，但亦可為難以剝離者，例如亦可為液晶顯示器。
[第1實施形態]
圖1係表示本發明之第1實施形態之加工前之積層體的側視圖。例如，如圖1所示，加工前之積層體10具備玻璃基板11及與玻璃基板11以可剝離之方式結合之補強板12。積層體10係於藉由下述加工方法進行加工後，用於製造產品。製造一個產品時亦可使用複數個積層體10。作為產品，例如可列舉：圖像顯示裝置、太陽電池、薄膜二次電池等電子裝置。作為圖像顯示裝置，例如可列舉：液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器等。
玻璃基板11係成為產品之一部分者，於玻璃基板11上，於產品之製造步驟中，形成與產品之種類相對應之功能膜。功能膜可由一層及複數層之任一種所構成。
作為玻璃基板11之玻璃，例如可列舉：無鹼玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽作為主成分之氧化物系玻 璃等。氧化物系玻璃較佳為以氧化物換算之氧化矽之含量為40質量%~90質量%之玻璃。玻璃基板11之玻璃係根據產品之種類而選擇。例如，於液晶顯示器之情況下，可使用實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)。
玻璃基板11之厚度例如為0.3mm以下，更佳為0.1mm以下，進而較佳為0.05mm以下。又，就成形性之觀點而言，玻璃基板11之厚度較佳為0.01mm以上。
補強板12於進行補強板12與玻璃基板11之剝離操作前，與玻璃基板11結合而補強玻璃基板11。補強板12之厚度可厚於玻璃基板11之厚度。補強板12係於產品之製造步驟之中途自玻璃基板11上剝離，而未成為產品之一部分。
關於補強板12，為了防止由熱處理所引起之翹曲或剝離，較佳為與玻璃基板11之熱膨脹差較小者。因此，補強板12較佳為包含玻璃板者，較佳為玻璃基板11之玻璃與補強板12之玻璃為同種玻璃。
補強板12例如包含：與玻璃基板11以可剝離之方式結合之作為中間膜之有機膜13、及隔著有機膜13而支持玻璃基板11之支持板14。有機膜13與玻璃基板11係藉由作用於其間之凡得瓦力(Van der Waals force)等而以可剝離之方式結合。
有機膜13於進行有機膜13與玻璃基板11之剝離操作前，防止玻璃基板11之位置偏移。有機膜13係藉由剝離操作而自玻璃基板11上容易地剝離。可防止由剝離操作所引起之玻璃基板11之破損。
有機膜13係以與支持板14之結合力相對地高於與玻璃基板11之結合力之方式形成。可於剝離操作時防止無意之有機膜13與支持板14之剝離。
有機膜13例如係由丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂、或聚醯亞胺聚矽氧樹脂等形成。 就耐熱性或剝離性之觀點而言，較佳為聚矽氧樹脂、聚醯亞胺聚矽氧樹脂。
聚矽氧樹脂較佳為日本專利特開2011-46174號公報中所揭示者。具體而言，聚矽氧樹脂較佳為包含下述線狀有機聚矽氧烷(a)與下述線狀有機聚矽氧烷(b)之硬化性聚矽氧樹脂組合物之硬化物。
線狀有機聚矽氧烷(a)於每1分子中具有至少2個烯基。
線狀有機聚矽氧烷(b)於每1分子中具有至少3個鍵結於矽原子之氫原子，且於分子末端具有至少1個鍵結於矽原子之氫原子。
所有鍵結於矽原子之氫原子相對於硬化性聚矽氧樹脂組合物中之所有烯基之莫耳比(氫原子/烯基)較佳為0.7~1.05。
硬化性聚矽氧樹脂組合物亦可含有促進鍵結於矽元素之氫原子與烯基之反應之觸媒等添加物。作為觸媒，例如可列舉：鉑系、鈀系、銠系等。
有機膜13只要係以與支持板14之結合力相對地高於與玻璃基板11之結合力之方式形成即可。作為有機膜13之形成方法，有下述(1)~(3)之方法。
(1)於使塗佈於支持板14上之樹脂組合物硬化而形成有機膜13後，隔著有機膜13將玻璃基板11與支持板14壓接。支持板14與有機膜13之結合力容易高於玻璃基板11與有機膜13之結合力。
(2)於使塗佈於特定之基材上之樹脂組合物硬化而形成有機膜13後，自特定之基材上將有機膜13剝離，隔著有機膜13將玻璃基板11與支持板14壓接。為了對結合力賦予差值，亦可預先對玻璃基板11及支持板14之至少一者之表面進行表面處理。
(3)使夾持於玻璃基板11與支持板14之間之樹脂組合物硬化而形成有機膜13。為了對結合力賦予差值，亦可預先對玻璃基板11及支持板14之至少一者之表面進行表面處理。
上述(1)及(2)之方法中之壓接亦可於潔淨度較高之環境下實施。壓接時之周邊之氣壓可為大氣壓，但為了抑制空氣之混入，較佳為低於大氣壓之負壓。作為壓接之方式，有輥式、壓製式等。壓接溫度可為高於室溫之溫度，但為了防止有機膜之劣化，亦可為室溫。
樹脂組合物亦可為藉由縮合反應型、加成反應型、紫外線硬化型、電子束硬化型之任一種方式進行硬化者。加成反應型之樹脂組合物容易硬化，剝離性優異，且耐熱性亦較高，故而尤佳。
又，樹脂組合物亦可為以溶劑型、乳膠型、無溶劑型之任一種形態使用者，就生產性、環境特性之觀點而言，較佳為無溶劑型。又，無溶劑型之樹脂組合物不含硬化時可能發泡之溶劑，故而可獲得缺陷較少之有機膜13。
作為樹脂組合物之塗佈方法，例如有噴塗法、模具塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥塗法、棒塗法、網版印刷法、凹版塗佈法等。該等塗佈方法係根據樹脂組合物之種類而適當選擇。
有機膜13之厚度較佳為100μm以下。若有機膜13之厚度超過100μm，則有機膜13之材料費較高，又，於有機膜13中容易產生龜裂。作為產生龜裂之原因，可列舉：(1)樹脂組合物之乾燥收縮、(2)樹脂組合物之硬化收縮、(3)玻璃與樹脂之熱膨脹差。(1)係於樹脂組合物含有溶劑之情形時產生。於溶劑進行蒸發而樹脂組合物收縮時，其收縮受到支持樹脂組合物之基板妨礙，產生應力，從而產生龜裂。於(2)之情形時，由硬化反應所產生之水等產物脫除，由此產生龜裂。於(3)之情形時，於乾燥後、冷卻時，樹脂之熱收縮明顯大於玻璃之熱收縮，故而產生龜裂。有機膜13之厚度更佳為50μm以下，進而較佳為30μm以下。
又，有機膜13之厚度較佳為1μm以上。於有機膜13中可埋沒異物。由於硬化前樹脂組合物具有流動性，因此異物埋沒於樹脂組合物 中。於硬化後、積層前，異物進入至有機膜13與玻璃基板11之間之情形時，有機膜13發生彈性變形，藉此異物埋沒於有機膜13中。
關於有機膜13之外形，為了使有機膜13可支持整個玻璃基板11，較佳為如圖1所示般與玻璃基板11之外形相同，或大於玻璃基板11之外形。若有機膜13之外形大於玻璃基板11之外形，則藉由使有機膜13之自玻璃基板11伸出之部分彎曲變形，補強板12與玻璃基板11之剝離緩慢進行，從而順利地進行剝離。
再者，本實施形態之有機膜13包含一種有機膜，但亦可包含複數種有機膜。於該情形時，「中間膜之厚度」係指所有有機膜之合計厚度。
支持板14隔著有機膜13支持玻璃基板11。支持板14較佳為與玻璃基板11之熱膨脹差較小之玻璃板。
作為支持板14之玻璃板之厚度較佳為0.7mm以下。又，為了補強玻璃基板11，作為支持板14之玻璃板之厚度較佳為0.4mm以上。
關於支持板14之外形，為了使支持板14可支持整個有機膜13，較佳為如圖1所示般與有機膜13之外形相同，或大於有機膜13之外形。
再者，本實施形態之支持板14為僅包含玻璃板之單板，亦可為包含玻璃板及樹脂膜之複合板。
圖2係表示藉由磨石對圖1之積層體進行研削之研削步驟的圖。圖3係表示藉由彈性磨石對圖2之積層體進行倒角之倒角步驟的圖。圖15係圖3之一部分放大圖。
積層體10之加工方法包括研削步驟(參照圖2)、及倒角步驟(參照圖3及圖15)。研削步驟係如下步驟：使積層體調整為所需之尺寸，且使玻璃基板之側面、有機膜之側面、及支持板之側面成為同一平面之步驟。倒角步驟係對藉由研削步驟而獲得之積層體進行倒角之步驟。
研削步驟中，藉由磨石20對積層體10之外周之至少一部分進行研削，獲得積層體10A。圖2所示之積層體10A係藉由磨石20對圖1所示之積層體10進行研削而成者。
磨石20為圓柱狀(包括圓盤狀)，且於外周具有研削積層體10之研磨粒面。研磨粒面之整體或一部分亦可呈稍許彎曲形狀。磨石20之中心軸例如係相對於積層體10之主面而設定為垂直，且於磨石20之中心軸上配設有旋轉軸。磨石20係以其中心軸為中心而旋轉且沿著積層體10之外周相對地移動，對積層體10之外周之至少一部分進行研削。於使磨石20及積層體10相對地移動時，可使任一者移動，亦可使兩者移動。
磨石20之黏結劑包含金屬或陶瓷。作為包含金屬之黏結劑之磨石，可列舉金屬黏結劑磨石、電鍍磨石。金屬黏結劑磨石係對金屬粉末及研磨粒進行燒結而成者。電鍍磨石係使研磨粒固著於鍍層上而成者。於磨石20之黏結劑包含金屬之情形時，例如包含選自銅、鐵、鎢、錫、及鎳中之至少一種。作為包含陶瓷之黏結劑之磨石，可列舉玻化黏結劑(vitrified bond)磨石。若使用包含金屬之黏結劑或陶瓷之黏結劑之磨石20，則研削效率較佳，將積層體調整為所需之尺寸之時間較短。
磨石20之研磨粒例如包含選自金剛石、CBN(Cubic boron nitride，立方晶氮化硼)、碳化矽、氧化鋁、石榴石、天然石(例如浮石(pumice))中之至少一種。
藉由研削步驟而獲得之積層體10A與加工前之積層體10同樣地具有玻璃基板11A及補強板12A。該補強板12A與加工前之補強板12同樣地具有有機膜13A及支持板14A。
藉由磨石20，將玻璃基板11A之側面、有機膜13A之側面、及支持板14A之側面設定為同一平面，且積層體10A之側面係相對於積層 體10A之主面而設定為垂直。
於研削步驟中，於積層體10A之主面與側面的交界部15A、16A容易產生龜裂。
倒角步驟中，藉由彈性磨石30對積層體10A之經磨石20研削之部分進行倒角，獲得積層體10B。圖3所示之積層體10B係藉由彈性磨石30對圖2所示之積層體10A進行倒角而成者。
彈性磨石30為圓柱狀，且於外周具有研削積層體10A之研磨粒面。研磨粒面之整體或一部分亦可呈稍許彎曲形狀。彈性磨石30亦可於研磨粒面上具有插入積層體10A之凹部。彈性磨石30之中心軸係相對於積層體10A之主面而設定為垂直，於彈性磨石30之中心軸上配設有旋轉軸。彈性磨石30係以其中心軸為中心而旋轉且沿著積層體10A之外周相對地移動，對積層體10A之經磨石20研削之部分進行研削。於使彈性磨石30及積層體10A相對地移動時，可使任一者移動，亦可使兩者移動。
彈性磨石30係以於與積層體10A之主面垂直之方向被按壓於積層體10A、且與積層體10A之側面進行面接觸之方式發生彈性變形。彈性磨石30之黏結劑包含具有彈性之材料，例如包含選自苯酚、環氧樹脂、聚醯亞胺、聚矽氧、聚胺基甲酸酯、丁基橡膠、天然橡膠中之至少一種。彈性磨石30之研磨粒例如包含選自金剛石、CBN(Cubic boron nitride)、碳化矽、氧化鋁、石榴石、天然石(例如浮石)中之至少一種。
彈性磨石30對圖2所示之積層體10A之主面與側面的交界部15A、16A進行研削，製作圖3所示之倒角部15B、16B。倒角部15B、16B亦可為帶弧度的曲面。
再者，於本實施形態中，研削步驟中所使用之磨石20於研磨粒面上不具有研削槽。於該研磨粒面上不存在凹凸。因此，與如先前般 磨石具有剖面V字狀之研削槽之情形不同，藉由研削步驟而獲得之積層體10A之側面相對於積層體10A之主面而成為垂直，不存在相較於積層體10A之側面與主面之交界部15A、16A更向外側突出之部分。因此，於倒角步驟中應力容易集中於交界部15A、16A，交界部15A、16A容易被彈性磨石30集中地切削。可有效率地去除因研削步驟而形成於交界部15A、16A之龜裂，從而藉由倒角步驟而獲得之積層體10B之強度提高。
又，藉由磨石20不具有研削槽，可獲得其他效果。例如，根據本實施形態，於研削步驟中玻璃基板及支持板於有機膜附近不易缺損，從而可限制由碎片所引起之金屬黏結劑磨石之損傷。若如先前般存在剖面V字狀之研削槽，則於研削步驟中玻璃基板及支持板之至少一者尖銳化，於材料不同之有機膜附近容易缺損。又，磨石容易因該碎片而損傷。又，根據本實施形態，由於不存在研削槽，故而可降低磨石之製造成本。
又，由於磨石20不具有研削槽，故而亦可根據磨石20與積層體10之相對累積移動距離，而變更磨石20與積層體10之於相對於積層體10之主面垂直之方向(於圖2中為上下方向)上的相對位置。該變更係於對一塊以上之積層體10進行研削之研削步驟中進行。例如，該變更係於每次對特定塊數之積層體10進行加工時進行。於該變更之前後，所獲得之積層體10A之形狀不變。其原因在於，於磨石20上不存在研削槽。藉由該變更，可變更磨石20之與積層體10之接觸位置，而防止磨石20之偏磨耗。
再者，於本實施形態中，於一個積層體10之加工後且於另一積層體10之加工前，進行磨石20與積層體10之相對位置的變更，但亦可於一個積層體10之加工中途進行。磨石20與積層體10之相對累積移動距離的起算時間可為磨石20之使用開始時，亦可為使用者所指定之時 點。
藉由倒角步驟而獲得之積層體10B與加工前之積層體10同樣地具有玻璃基板11B及補強板12B。該補強板12B與加工前之補強板12同樣地具有有機膜13B及支持板14B。
於本實施形態中，倒角步驟中所使用之彈性磨石30選擇性地研削有機膜13B。有機膜13B相較於玻璃基板11B及支持板14B更為柔軟，可被選擇性地研削。如圖15所示，對玻璃基板11B進行研削之研磨粒30a-1及對支持板14B進行研削之研磨粒30a-2被推回，相對於此，對有機膜13B進行研削之研磨粒30a-3進入至有機膜13B中。該情況可利用彈性磨石30之彈性變形而實現。如此，藉由彈性磨石30之彈性變形，彈性磨石30之研磨粒30a-3進入至玻璃基板11B與支持板14B之間。其結果為，於玻璃基板11B中之有機膜13B側之主面與側面的交界部形成倒角部18B，於支持板14B中之有機膜13B側之主面與側面的交界部形成倒角部19B。倒角部18B、19B亦可為帶弧度的曲面。
倒角部18B、19B彼此間之間隙朝向外側擴展。因此，於下述剝離步驟中，刀尖容易自外側插入至倒角部18B、19B彼此之間。藉由插入刀尖，玻璃基板11B與支持板14B分離，而於結合力較低之玻璃基板11B與有機膜13B之間形成剝離起點。
由於形成倒角部18B、19B，故而可於倒角步驟中將於研削步驟中於玻璃基板11A之交界部18A及支持板14A之交界部19A可能產生之龜裂或破碎去除。藉此，藉由倒角步驟而獲得之玻璃基板11B之端面強度或支持板14B之端面強度提高，可於剝離操作時抑制玻璃基板11B之破損或支持板14B之破損。
繼而，對使用藉由上述加工方法而獲得之積層體10B之電子裝置之製造方法進行說明。電子裝置之製造方法包括如下步驟：於積層體10B之玻璃基板11B上形成功能膜之步驟、及將形成有功能膜之玻璃 基板11B與補強板12B剝離之步驟。以下，對具體例進行說明。
液晶顯示器之製造方法例如包括TFT基板製作步驟(參照圖4)、CF基板製作步驟(參照圖5)、組裝步驟(參照圖6)、及剝離步驟(參照圖7)。
TFT基板製作步驟中，如圖4所示，於積層體10B之玻璃基板11B上形成薄膜電晶體(TFT)41等而製作TFT基板42。TFT基板42包含玻璃基板11B及薄膜電晶體41等。TFT基板42之製作方法係通常者，因此省略說明。
CF基板製作步驟中，如圖5所示，於另一積層體10B之玻璃基板11B上等形成彩色濾光片43而製作CF基板44。CF基板44包含玻璃基板11B及彩色濾光片43等。CF基板44之製作方法係通常者，因此省略說明。
如圖6所示，組裝步驟包括於TFT基板42與CF基板44之間密封液晶材料45之步驟。於TFT基板42與CF基板44之間注入液晶材料45之方法可為減壓注入法、滴加注入法之任一種。
剝離步驟中，如圖7所示，將玻璃基板11B與補強板12B剝離。玻璃基板11B成為液晶顯示器之一部分，補強板12B未成為液晶顯示器之一部分。於本實施形態中，剝離步驟係於組裝步驟之後進行，但只要於TFT基板製作步驟及CF基板製作步驟之後即可，亦可於組裝步驟之前、或組裝步驟之中途進行。
再者，於本實施形態中，於另一積層體10B之玻璃基板11B上分別形成薄膜電晶體41及彩色濾光片43，亦可於單板之玻璃基板上形成任一者。
有機EL顯示器(OLED，Organic Light Emitting Display)之製造方法例如包括有機EL元件形成步驟(參照圖8)、貼合步驟(參照圖9)、及剝離步驟(參照圖10)。
有機EL元件形成步驟中，如圖8所示，於積層體10B之玻璃基板11B上形成有機EL元件51。有機EL元件51例如包含透明電極層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等。有機EL元件51之形成方法係通常之方法，因此省略說明。
貼合步驟中，如圖9所示，將形成有有機EL元件51之玻璃基板11B與對向基板52貼合。
剝離步驟中，如圖10所示，將玻璃基板11B與補強板12B剝離。玻璃基板11B成為有機EL顯示器之一部分，補強板12B未成為有機EL顯示器之一部分。於本實施形態中，剝離步驟係於貼合步驟之後進行，但只要於有機EL元件形成步驟之後進行即可，亦可於貼合步驟之前、或貼合步驟之中途進行。
太陽電池之製造方法包括太陽電池元件形成步驟(參照圖11)、及剝離步驟(參照圖12)。
太陽電池元件形成步驟中，如圖11所示，於積層體10B之玻璃基板11B上形成太陽電池元件61。太陽電池元件61例如包含透明電極層、半導體層等。太陽電池元件61之形成方法係通常之方法，因此省略說明。
剝離步驟中，如圖12所示，將玻璃基板11B與補強板12B剝離。玻璃基板11B成為太陽電池之一部分，補強板12B未成為太陽電池之一部分。剝離步驟可於太陽電池元件形成步驟之後進行。
[第2實施形態]
第2實施形態之積層體之加工方法於磨石為圓錐台狀之方面，與上述第1實施形態之積層體的加工方法不同。以下，以不同點為中心進行說明。
積層體10之加工方法包括研削步驟(參照圖13)、及倒角步驟(參照圖14)。
研削步驟中，藉由磨石120對積層體10之外周之至少一部分進行研削，獲得積層體110A。圖13所示之積層體110A係藉由磨石120對圖1所示之積層體10進行研削而成者。
磨石120為圓錐台狀，且於外周具有研削積層體10之研磨粒面。磨石120之中心軸例如係相對於積層體10之主面而設定為垂直，於磨石120之中心軸上配設有旋轉軸。磨石120以其中心軸為中心而旋轉且沿著積層體10之外周相對地移動，對積層體10之外周之至少一部分進行研削。
藉由研削步驟而獲得之積層體110A與加工前之積層體10同樣地具有玻璃基板111A及補強板112A。該補強板112A與加工前之補強板12同樣地具有有機膜113A及支持板114A。
藉由磨石120，將玻璃基板111A之側面、有機膜113A之側面、及支持板114A之側面設定為同一平面，積層體110A之側面係相對於積層體110A之主面而設定為傾斜。支持板114A相較於玻璃基板111A更向外側突出，保護玻璃基板111A之側面。於相對於積層體110A之主面垂直之定位銷等物體與積層體110A之側面接觸時，物體與支持板114A之側面接觸，且物體未與玻璃基板111A之側面接觸。因此，可防止成為產品之一部分之玻璃基板111A之破損。
於研削步驟中，於積層體110A之主面與側面的交界部115A、116A容易產生龜裂。於交界部115A、116A之中，於經尖銳化之交界部更容易產生龜裂。於本實施形態中，支持板114A之主面與側面的交界部116A經尖銳化，於交界部116A更容易產生龜裂。
於倒角步驟中，藉由彈性磨石130對積層體110A之經磨石120研削之部分進行倒角，獲得積層體110B。圖14所示之積層體110B係藉由彈性磨石130對圖13所示之積層體110A進行倒角而成者。
關於彈性磨石130，除了其形狀為圓錐台狀之方面以外，係與圖 3所示之彈性磨石30同樣地構成。再者，彈性磨石130亦可為圓柱狀。彈性磨石130係以於與積層體110A之主面垂直之方向上被按壓於積層體110A、且與積層體110A之側面面接觸之方式進行彈性變形。
彈性磨石130對圖13所示之積層體110A之主面與側面的交界部115A、116A進行研削，製作圖14所示之倒角部115B、116B。倒角部115B、116B亦可為帶弧度的曲面。
於本實施形態中，與上述第1實施形態同樣地，磨石120於研磨粒面上不具有研削槽。於該研磨粒面上不存在凹凸。因此，與如先前般磨石具有剖面V字狀之研削槽之情形不同，藉由研削步驟而獲得之積層體110A之側面相對於積層體110A之主面而成為傾斜。因此，不存在相較於積層體110A之側面與主面之交界部115A、116A之一個(於本實施形態中為交界部116A)而更向外側突出的部分。因此，於倒角步驟中，應力容易集中於上述一個交界部116A，上述一個交界部116A容易經彈性磨石130集中地切削。可有效率地去除因研削步驟而形成於交界部116A之龜裂，藉由倒角步驟獲得之積層體110B之強度提高。
又，藉由磨石120不具有研削槽，可獲得其他效果。例如，由於不存在研削槽，故而可降低磨石之製造成本。又，與第1實施形態同樣地，可根據磨石120與積層體110之相對累積移動距離，變更磨石120與積層體110之於相對於積層體110之主面垂直之方向(於圖13中為上下方向)上的相對位置。其結果為，可防止磨石120之偏磨耗。再者，於本實施形態中，以磨石120與積層體110接觸之方式，亦同時變更與和積層體110之主面垂直之方向為不同方向(圖13中為左右方向)上之磨石120與積層體110的相對位置。
藉由倒角步驟而獲得之積層體110B與加工前之積層體10同樣地具有玻璃基板111B及補強板112B。該補強板112B與加工前之補強板 12同樣地具有有機膜113B及支持板114B。支持板114B相較於玻璃基板111B更向外側突出，保護玻璃基板111B之側面。於相對於積層體110B之主面垂直之定位銷等物體與積層體110B之側面接觸時，物體與支持板114B之側面接觸，且物體未與玻璃基板111B之側面接觸。因此，可防止成為產品之一部分之玻璃基板111B之破損。
又，於本實施形態中，亦與第1實施形態同樣地，藉由彈性磨石130之彈性變形，彈性磨石130之研磨粒進入至玻璃基板111B與支持板114B之間。其結果為，於玻璃基板111B中之有機膜113B側之主面與側面的交界部形成倒角部118B，於支持板114B中之有機膜113B側之主面與側面的交界部形成有角部119B。倒角部118B、119B亦可為帶弧度的曲面。
倒角部118B、119B彼此間之間隙係朝向外側擴展。因此，於剝離步驟中，刀尖容易自外側插入至倒角部118B、119B彼此之間。藉由刀尖之插入，於結合力較低之玻璃基板111B與有機膜113B之間形成剝離起點。
由於形成倒角部118B、119B，故而可於倒角步驟中將於研削步驟中於玻璃基板111A之交界部118A及支持板114A之交界部119A可能產生之龜裂或破碎去除。藉此，藉由倒角步驟而獲得之玻璃基板111B之端面強度或支持板114B之端面強度提高，可於剝離操作時抑制玻璃基板111B之破損或支持板114B之破損。
藉由上述加工方法而獲得之積層體110B與圖3所示之積層體10B同樣地可用於電子裝置之製造。
以上，對積層體之加工方法等實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態等，可於本發明之主旨之範圍內進行各種變形、改良。
例如，於上述實施形態中，作為補強板之中間膜，可使用有機 膜，亦可使用無機膜。無機膜例如包含選自由金屬矽化物、氮化物、碳化物、及碳氮化物所組成之群中之至少一種。
金屬矽化物例如包含選自由W、Fe、Mn、Mg、Mo、Cr、Ru、Re、Co、Ni、Ta、Ti、Zr、及Ba所組成之群中之至少一種，較佳為鎢矽化物。
氮化物例如包含選自由Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Sn、In、B、Cr、Mo、及Ba所組成之群中之至少一種，較佳為氮化鋁、氮化鈦、或氮化矽。
碳化物例如包含選自由Ti、W、Si、Zr、及Nb所組成之群中之至少一種，較佳為碳化矽。
碳氮化物例如係包含選自由Ti、W、Si、Zr、及Nb所組成之群中之至少一種者，較佳為碳氮化矽。
關於金屬矽化物、氮化物、碳化物、及碳氮化物，其材料中所含之Si、N或C與其材料中所含之其他元素之間的陰電性之差較小，分極較小。因此，無機膜與水之反應性較低，於無機膜之表面上不易產生羥基。因此，可良好地保持無機膜與玻璃基板之脫模性。
作為中間膜之無機膜較佳為相較於玻璃基板或支持板而更為柔軟。於倒角步驟中，無機膜被選擇性地切削，玻璃基板中之無機膜側之主面與側面的交界部、及支持板中之無機膜側之主面與側面的交界部可進行倒角。再者，於作為中間膜之無機膜較玻璃基板或支持板更脆弱之情形時亦可獲得同樣之效果。
又，上述實施形態之補強板具有中間膜與支持板，但中間膜亦可不存在。例如，補強板亦可僅由玻璃板構成，且作為補強板之玻璃板與玻璃基板11直接接觸。
又，上述實施形態中，作為基板，可使用玻璃基板，亦可使用陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板等。同樣地，上述實施形態中，作為 支持板，可使用玻璃板，亦可使用陶瓷板、樹脂板、金屬板等。
又，供於上述實施形態之倒角步驟之積層體係經不存在研削槽之磨石研削而成者，亦可為經附有研削槽之磨石研削而成者，亦可為經切割器切割而成者。於任一情形時，於倒角步驟中，基板中之中間膜側之主面與側面的交界部、及支持板中之中間膜側之主面與側面的交界部均可進行倒角。
又，上述實施形態之研削步驟係於倒角步驟之前進行，亦可不以倒角步驟為前提。只要根據不存在研削槽之磨石與板狀體之相對累積移動距離，變更磨石與板狀體之於與板狀體之主面垂直之方向上的相對位置，則可抑制磨石之偏磨耗。
又，圖2所示之磨石20之中心軸係相對於積層體10之主面而設定為垂直，但亦可設定為傾斜。於該情形時，可藉由研削步驟獲得與圖13所示之積層體110A相同形狀者。又，於該情形時，亦可根據磨石20與積層體10之相對累積移動距離，變更磨石20與積層體10之於相對於積層體10之主面垂直之方向上的相對位置。可防止磨石20之偏磨耗。再者，於該情形時，與第2實施形態同樣地，以磨石20與積層體10接觸之方式，亦同時變更與相對於積層體10之主面垂直之方向為不同方向上之磨石20與積層體10的相對位置。
本申請案係基於2013年8月7日提出申請之日本專利申請案2013-164252，將其內容係以參照之形式併入至本文中。

Claims (6)

  1. 一種板狀體之加工方法，其包括如下步驟：藉由包含金屬之黏結劑或陶瓷之黏結劑之磨石對板狀體之外周之至少一部分進行研削的研削步驟；及藉由彈性磨石對上述板狀體之經上述磨石研削之部分進行倒角的倒角步驟；且上述磨石為圓柱狀或圓錐台狀，且於外周具有研削板狀體之研磨粒面，於該研磨粒面不具有研削槽；上述板狀體係具有基板及與該基板以可剝離之方式結合之補強板的積層體；上述補強板具有與上述基板以可剝離之方式結合之中間膜、及隔著該中間膜支持上述基板之支持板；於上述倒角步驟中，藉由上述彈性磨石之彈性變形，上述彈性磨石之研磨粒進入至上述基板與上述支持板之間，藉此對上述基板中之上述中間膜側之主面與側面的交界部、及上述支持板中之上述中間膜側之主面與側面的交界部進行倒角。
  2. 一種板狀體之加工方法，其係包括藉由彈性磨石對板狀體之外周之至少一部分進行倒角之倒角步驟者；且上述板狀體係具有基板及與該基板以可剝離之方式結合之補強板的積層體；上述補強板具有與上述基板以可剝離之方式結合之中間膜、及隔著該中間膜支持上述基板之支持板；上述倒角步驟中，藉由上述彈性磨石之彈性變形，上述彈性磨石之研磨粒進入至上述基板與上述支持板之間，藉此對上述基板中之上述中間膜側之主面與側面的交界部、及上述支持板 中之上述中間膜側之主面與側面的交界部進行倒角。
  3. 如請求項2之板狀體之加工方法，其係於上述倒角步驟之前，進一步包括研削步驟，該研削步驟係藉由包含金屬之黏結劑或陶瓷之黏結劑之磨石對上述板狀體的外周之至少一部分進行研削；且上述倒角步驟係藉由上述彈性磨石對上述板狀體之經上述磨石研削之部分進行倒角者；上述磨石為圓柱狀或圓錐台狀，且於外周具有研削上述板狀體之研磨粒面，於該研磨粒面不具有研削槽。
  4. 如請求項3之板狀體之加工方法，其中上述磨石係於上述研削步驟中，以相對於上述板狀體之主面垂直或傾斜之旋轉軸為中心旋轉且沿著上述板狀體之外周相對地移動；根據相對的累積移動距離，變更上述磨石與上述板狀體之於相對於上述板狀體之主面為垂直之方向上的相對位置。
  5. 一種電子裝置之製造方法，其包括如下步驟：於藉由如請求項2至4之任一加工方法進行了加工之積層體之基板上形成功能膜之步驟；及將形成有上述功能膜之上述基板與上述補強板剝離之步驟。
  6. 如請求項5之電子裝置之製造方法，其中上述電子裝置為圖像顯示裝置。
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