KR20160040569A - 판상체의 가공 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 및 적층체 - Google Patents

판상체의 가공 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 및 적층체 Download PDF

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아키라 와가츠마
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아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 금속의 본드 또는 세라믹의 본드를 포함하는 지석에 의해 판상체의 외주의 적어도 일부를 연삭하는 연삭 공정과, 상기 판상체의 상기 지석에 의해 연삭된 부분을 탄성 지석에 의해 모따기하는 모따기 공정을 가지며, 상기 지석은 원기둥형 또는 원뿔대형이고, 외주에 판상체를 연삭하는 지립면을 가지며, 상기 지립면에 연삭 홈을 갖지 않는, 판상체의 가공 방법에 관한 것이다.

Description

판상체의 가공 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 및 적층체 {METHOD FOR PROCESSING PLATE-SHAPED BODY, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND LAMINATED ARTICLE}
본 발명은 판상체의 가공 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 및 적층체에 관한 것이다.
판상체의 외주부의 가공에는, 예를 들어 금속의 본드를 포함하는 지석이 사용된다(예를 들어 특허문헌 1 참조). 지석은 원기둥형이며, 외주에 판상체를 연삭하는 지립면을 갖는다. 지석의 중심축은 판상체의 주면에 대하여 수직이 된다. 지석은, 그 중심축을 중심으로 회전됨과 함께 판상체의 외주를 따라 상대적으로 이동되어, 판상체의 외주의 적어도 일부를 연삭한다. 지석은 단면 V자형의 연삭 홈을 지립면에 가지며, 연삭 홈의 벽면으로 판상체를 연삭한다. 여기서, 단면 V자형의 연삭 홈이란, 연삭 홈의 저부가 뾰족한 것뿐만 아니라, 평평한 것이나 둥근 것을 포함한다.
일본 특허 공개 제2001-9689호 공보
연삭 홈의 벽면으로 판상체를 연삭할 때, 판상체의 주면과 측면의 경계부에 크랙이 발생하기 쉽다. 이 크랙은 판상체의 강도 저하의 원인이 될 수 있다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 판상체의 강도를 향상시킨 판상체의 가공 방법의 제공을 주된 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 형태에 따르면,
금속의 본드 또는 세라믹의 본드를 포함하는 지석에 의해 판상체의 외주의 적어도 일부를 연삭하는 연삭 공정과,
상기 판상체의 상기 지석에 의해 연삭된 부분을 탄성 지석에 의해 모따기하는 모따기 공정을 가지며,
상기 지석은 원기둥형 또는 원뿔대형이고, 외주에 판상체를 연삭하는 지립면을 가지며, 상기 지립면에 연삭 홈을 갖지 않는, 판상체의 가공 방법이 제공된다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 판상체의 강도를 향상시킨 판상체의 가공 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 가공 전의 적층체를 도시하는 측면도이다.
도 2는 도 1의 적층체를 지석에 의해 연삭하는 연삭 공정을 도시하는 도면이다.
도 3은 도 2의 적층체를 탄성 지석에 의해 모따기하는 모따기 공정을 도시하는 도면이다.
도 4는 도 3의 적층체를 사용한 TFT 기판 제작 공정을 도시하는 도면이다.
도 5는 도 3의 적층체를 사용한 CF 기판 제작 공정을 도시하는 도면이다.
도 6은 도 4의 TFT 기판과 도 5의 CF 기판의 조립 공정을 도시하는 도면이다.
도 7은 도 4의 공정 후 또는 도 5의 공정 후에 행해지는 박리 공정을 도시하는 도면이다.
도 8은 도 3의 적층체를 사용한 유기 EL 소자 형성 공정을 도시하는 도면이다.
도 9는 도 8의 공정 후에 행해지는 접합 공정을 도시하는 도면이다.
도 10은 도 8의 공정 후에 행해지는 박리 공정을 도시하는 도면이다.
도 11은 도 3의 적층체를 사용한 태양 전지 소자 형성 공정을 도시하는 도면이다.
도 12는 도 11의 공정 후에 행해지는 박리 공정을 도시하는 도면이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 연삭 공정을 도시하는 도면이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 모따기 공정을 도시하는 도면이다.
도 15는 도 3의 일부 확대도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 각 도면에 있어서, 동일 또는 대응하는 구성에는 동일 또는 대응하는 부호를 붙여 설명을 생략한다. 또한, 본 실시 형태의 판상체는 복수의 층에 의해 구성되는 적층체이지만, 하나의 층에 의해 구성되는 단판이어도 된다. 또한, 본 실시 형태의 적층체는 적층체를 구성하는 복수의 층 중 소정의 층끼리의 사이에서 박리 가능한 것이지만, 박리 곤란한 것이어도 되며, 예를 들어 액정 디스플레이여도 된다.
[제1 실시 형태]
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 가공 전의 적층체를 도시하는 측면도이다. 가공 전의 적층체(10)는, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이 유리 기판(11) 및 유리 기판(11)과 박리 가능하게 결합하는 보강판(12)을 구비한다. 적층체(10)는, 후술하는 가공 방법으로 가공된 후, 제품의 제조에 사용된다. 하나의 제품의 제조에 복수의 적층체(10)가 사용되어도 된다. 제품으로서는, 예를 들어 화상 표시 장치, 태양 전지, 박막 2차 전지 등의 전자 디바이스를 들 수 있다. 화상 표시 장치로서는, 예를 들어 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기 EL 디스플레이 등을 들 수 있다.
유리 기판(11)은 제품의 일부가 되는 것이며, 유리 기판(11) 상에는, 제품의 제조 공정에 있어서 제품의 종류에 따른 기능막이 형성된다. 기능막은, 하나의 층 및 복수의 층의 어느 것으로 구성되어도 된다.
유리 기판(11)의 유리로서는, 예를 들어 무알칼리 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화규소를 주요 성분으로 하는 산화물계 유리 등을 들 수 있다. 산화물계 유리는, 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40질량％ 내지 90질량％인 유리가 바람직하다. 유리 기판(11)의 유리는 제품의 종류에 따라 선택된다. 예를 들어, 액정 디스플레이의 경우, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)가 사용된다.
유리 기판(11)의 두께는, 예를 들어 0.3mm 이하이고, 보다 바람직하게는 0.1mm 이하, 더욱 바람직하게는 0.05mm 이하이다. 또한, 유리 기판(11)의 두께는, 성형성의 관점에서 바람직하게는 0.01mm 이상이다.
보강판(12)은, 보강판(12)과 유리 기판(11)의 박리 조작이 행해질 때까지 유리 기판(11)과 결합하여 유리 기판(11)을 보강한다. 보강판(12)의 두께는 유리 기판(11)의 두께보다 두꺼워도 된다. 보강판(12)은, 제품의 제조 공정의 도중에 유리 기판(11)으로부터 박리되어, 제품의 일부로는 되지 않는다.
보강판(12)은, 열처리에 의한 휨이나 박리를 방지하기 위하여 유리 기판(11)과의 열팽창차가 작은 것이 바람직하다. 그로 인해, 보강판(12)은 유리판을 포함하는 것이 바람직하고, 유리 기판(11)의 유리와 보강판(12)의 유리는 동종의 유리인 것이 바람직하다.
보강판(12)은, 예를 들어 유리 기판(11)과 박리 가능하게 결합하는 중간막으로서의 유기막(13), 및 유기막(13)을 개재하여 유리 기판(11)을 지지하는 지지판(14)을 포함한다. 유기막(13)과 유리 기판(11)은, 그 사이에 작용하는 반데발스힘 등에 의해 박리 가능하게 결합된다.
유기막(13)은, 유기막(13)과 유리 기판(11)의 박리 조작이 행해질 때까지 유리 기판(11)의 위치 어긋남을 방지한다. 유기막(13)은 박리 조작에 의해 유리 기판(11)으로부터 용이하게 박리된다. 박리 조작에 의한 유리 기판(11)의 파손을 방지할 수 있다.
유기막(13)은 지지판(14)과의 결합력이 유리 기판(11)과의 결합력보다 상대적으로 높아지도록 형성된다. 박리 조작시에 의도하지 않은 유기막(13)과 지지판(14)의 박리를 방지할 수 있다.
유기막(13)은, 예를 들어 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지 또는 폴리이미드 실리콘 수지 등으로 형성된다. 내열성이나 박리성의 관점에서 실리콘 수지, 폴리이미드 실리콘 수지가 바람직하다.
실리콘 수지는 일본 특허 공개 제2011-46174호 공보에 개시된 것이 바람직하다. 구체적으로는, 실리콘 수지는 하기 선상 오르가노폴리실록산 (a)와 하기 선상 오르가노폴리실록산 (b)를 포함하는 경화성 실리콘 수지 조성물의 경화물인 것이 바람직하다.
선상 오르가노폴리실록산 (a)는 알케닐기를 1 분자당 적어도 2개 갖는 것이다.
선상 오르가노폴리실록산 (b)는 규소 원자에 결합한 수소 원자를 1 분자당 적어도 3개 갖는 것이며, 또한 규소 원자에 결합한 수소 원자 중 적어도 하나를 분자 말단에 갖는 것이다.
경화성 실리콘 수지 조성물에서의 전체 알케닐기에 대한 전체 규소 원자에 결합한 수소 원자의 몰비(수소 원자/알케닐기)는 0.7 내지 1.05인 것이 바람직하다.
경화성 실리콘 수지 조성물은, 규소 원소에 결합한 수소 원자와 알케닐기와의 반응을 촉진하는 촉매 등의 첨가물을 포함해도 된다. 촉매로서는, 예를 들어 백금계, 팔라듐계, 로듐계 등을 들 수 있다.
유기막(13)은 지지판(14)과의 결합력이 유리 기판(11)과의 결합력보다 상대적으로 높아지도록 형성되면 된다. 유기막(13)의 형성 방법으로서는, 하기 (1) 내지 (3)의 방법이 있다.
(1) 지지판(14) 상에 도포한 수지 조성물을 경화시켜 유기막(13)을 형성한 후, 유기막(13)을 개재하여 유리 기판(11)과 지지판(14)을 압착한다. 지지판(14)과 유기막(13)의 결합력이 유리 기판(11)과 유기막(13)의 결합력보다 높아지기 쉽다.
(2) 소정의 기재 상에 도포한 수지 조성물을 경화시켜 유기막(13)을 형성한 후, 소정의 기재로부터 유기막(13)을 박리하고, 유기막(13)을 개재하여 유리 기판(11)과 지지판(14)을 압착한다. 결합력에 차를 두기 위하여, 유리 기판(11) 및 지지판(14) 중 적어도 한쪽 표면을 미리 표면 처리해도 된다.
(3) 유리 기판(11)과 지지판(14)의 사이에 끼운 수지 조성물을 경화시켜 유기막(13)을 형성한다. 결합력에 차를 두기 위하여, 유리 기판(11) 및 지지판(14) 중 적어도 한쪽 표면을 미리 표면 처리해도 된다.
상기 (1) 및 (2)의 방법에서의 압착은 클린도가 높은 환경하에서 실시하는 것이 좋다. 압착시의 주변 기압은 대기압이라도 되지만, 공기의 혼입을 억제하기 위하여 대기압보다 낮은 부압인 것이 바람직하다. 압착 방식으로서는 롤식, 프레스식 등이 있다. 압착 온도는 실온보다 높은 온도라도 되지만, 유기막의 열화를 방지하기 위하여 실온이어도 된다.
수지 조성물은 축합 반응형, 부가 반응형, 자외선 경화형, 전자선 경화형의 어느 방식으로 경화하는 것이어도 된다. 부가 반응형의 수지 조성물은 경화되기 쉽고, 박리성이 우수하고, 내열성도 높기 때문에 특히 바람직하다.
또한, 수지 조성물은 용제형, 에멀전형, 무용제형의 어느 형태로 사용되어도 되지만, 생산성, 환경 특성의 관점에서 무용제형이 바람직하다. 또한, 무용제형의 수지 조성물은, 경화시에 발포할 수 있는 용제를 포함하지 않기 때문에, 결함이 적은 유기막(13)이 얻어진다.
수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 스프레이 코트법, 다이 코트법, 스핀 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코트법 등이 있다. 이 도포 방법은 수지 조성물의 종류에 따라 적절히 선택된다.
유기막(13)의 두께는 바람직하게는 100㎛ 이하이다. 유기막(13)의 두께가 100㎛를 초과하면, 유기막(13)의 재료비가 높고, 또한 유기막(13)에 크랙이 발생하기 쉽다. 크랙이 발생하는 원인으로서는, (1) 수지 조성물의 건조 수축, (2) 수지 조성물의 경화 수축, (3) 유리와 수지의 열팽창차를 들 수 있다. (1)은 수지 조성물이 용제를 포함하는 경우에 발생한다. 용제가 증발하여 수지 조성물이 수축할 때, 그 수축이 수지 조성물을 지지하는 기판에 의해 방해되어 응력이 발생하여 크랙이 발생한다. (2)의 경우, 경화 반응에 의한 물 등의 생성물이 빠짐으로써 크랙이 발생한다. (3)의 경우, 건조 후, 냉각시에 수지의 열수축이 유리의 열수축보다 현저하게 크기 때문에 크랙이 발생한다. 유기막(13)의 두께는, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 30㎛ 이하이다.
또한, 유기막(13)의 두께는 바람직하게는 1㎛ 이상이다. 유기막(13)에 이물질을 매몰할 수 있다. 경화 전, 수지 조성물은 유동성을 가지므로 수지 조성물에 이물질이 매몰된다. 경화 후, 적층 전에 유기막(13)과 유리 기판(11)의 사이에 이물질이 들어가는 경우, 유기막(13)이 탄성 변형함으로써 유기막(13)에 이물질이 매몰된다.
유기막(13)의 외형은, 유기막(13)이 유리 기판(11)의 전체를 지지할 수 있도록, 도 1에 도시한 바와 같이 유리 기판(11)의 외형과 동일하거나, 유리 기판(11)의 외형보다 큰 것이 바람직하다. 유기막(13)의 외형이 유리 기판(11)의 외형보다 크면, 유기막(13)의 유리 기판(11)으로부터 비어져 나오는 부분을 휨 변형시킴으로써 보강판(12)과 유리 기판(11)의 박리가 서서히 행해져 박리가 원활하게 행해진다.
또한, 본 실시 형태의 유기막(13)은 1종류의 유기막을 포함하지만, 복수 종류의 유기막을 포함하여도 된다. 이 경우, 「중간막의 두께」는 모든 유기막의 합계 두께를 의미한다.
지지판(14)은 유기막(13)을 개재하여 유리 기판(11)을 지지한다. 지지판(14)은 유리 기판(11)과의 열팽창차가 작은 유리판인 것이 바람직하다.
지지판(14)으로서의 유리판의 두께는 바람직하게는 0.7mm 이하이다. 또한, 지지판(14)로서의 유리판의 두께는, 유리 기판(11)의 보강을 위하여 바람직하게는 0.4mm 이상이다.
지지판(14)의 외형은, 지지판(14)이 유기막(13)의 전체를 지지할 수 있도록, 도 1에 도시한 바와 같이 유기막(13)의 외형과 동일하거나, 유기막(13)의 외형보다 큰 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태의 지지판(14)은 유리판만을 포함하는 단판이지만, 유리판 및 수지막을 포함하는 복합판이어도 된다.
도 2는 도 1의 적층체를 지석에 의해 연삭하는 연삭 공정을 도시하는 도면이다. 도 3은 도 2의 적층체를 탄성 지석에 의해 모따기하는 모따기 공정을 도시하는 도면이다. 도 15는 도 3의 일부 확대도이다.
적층체(10)의 가공 방법은 연삭 공정(도 2 참조)과 모따기 공정(도 3 및 도 15 참조)을 갖는다. 연삭 공정은 적층체를 원하는 치수로 맞춤과 함께, 유리 기판의 측면, 유기막의 측면 및 지지판의 측면을 동일 높이로 하는 공정이다. 모따기 공정은 연삭 공정에 의해 얻어지는 적층체를 모따기하는 공정이다.
연삭 공정에서는, 지석(20)에 의해 적층체(10)의 외주의 적어도 일부를 연삭하여 적층체(10A)를 얻는다. 도 2에 도시하는 적층체(10A)는, 도 1에 도시하는 적층체(10)를 지석(20)에 의해 연삭한 것이다.
지석(20)은 원기둥형(원반형을 포함함)이며, 외주에 적층체(10)를 연삭하는 지립면을 갖는다. 지립면은 전체 또는 일부가 약간의 만곡 형상을 하여도 된다. 지석(20)의 중심축은 예를 들어 적층체(10)의 주면에 대하여 수직이 되고, 지석(20)의 중심축 상에 회전축이 배치된다. 지석(20)은, 그 중심축을 중심으로 회전됨과 함께 적층체(10)의 외주를 따라 상대적으로 이동되어, 적층체(10)의 외주의 적어도 일부를 연삭한다. 지석(20) 및 적층체(10)가 상대적으로 이동될 때, 어느 한쪽이 이동되어도 되고, 양쪽이 이동되어도 된다.
지석(20)의 본드는 금속 또는 세라믹을 포함한다. 금속의 본드를 포함하는 지석으로서는 메탈 본드 지석, 전착 지석을 들 수 있다. 메탈 본드 지석은 금속 분말 및 지립을 소결한 것이다. 전착 지석은 도금층에 지립을 고착시킨 것이다. 지석(20)의 본드는, 금속을 포함하는 경우, 예를 들어 구리, 철, 텅스텐, 주석 및 니켈로부터 선택되는 적어도 1종류를 포함한다. 세라믹스의 본드를 포함하는 지석으로서는 비트리파이드 본드 지석을 들 수 있다. 금속의 본드 또는 세라믹스의 본드를 포함하는 지석(20)을 사용하면, 연삭 효율이 좋고, 적층체를 원하는 치수로 맞추는 시간이 짧다.
지석(20)의 지립은, 예를 들어 다이아몬드, CBN(Cubic boron nitride), 탄화규소, 알루미나, 가닛, 천연석(예를 들어 경석(輕石))으로부터 선택되는 적어도 1종류를 포함한다.
연삭 공정에 의해 얻어지는 적층체(10A)는, 가공 전의 적층체(10)와 마찬가지로 유리 기판(11A) 및 보강판(12A)을 갖는다. 이 보강판(12A)은, 가공 전의 보강판(12)과 마찬가지로 유기막(13A) 및 지지판(14A)을 갖는다.
유리 기판(11A)의 측면, 유기막(13A)의 측면 및 지지판(14A)의 측면은 지석(20)에 의해 동일 높이의 면이 되고, 적층체(10A)의 측면은 적층체(10A)의 주면에 대하여 수직이 된다.
연삭 공정에 있어서, 적층체(10A)의 주면과 측면의 경계부(15A, 16A)에는 크랙이 발생하기 쉽다.
모따기 공정에서는, 적층체(10A)의 지석(20)에 의해 연삭된 부분을 탄성 지석(30)에 의해 모따기하여 적층체(10B)를 얻는다. 도 3에 도시하는 적층체(10B)는, 도 2에 도시하는 적층체(10A)를 탄성 지석(30)에 의해 모따기한 것이다.
탄성 지석(30)은 원기둥형이며, 외주에 적층체(10A)를 연삭하는 지립면을 갖는다. 지립면은 전체 또는 일부가 약간의 만곡 형상을 하고 있어도 된다. 탄성 지석(30)은 적층체(10A)가 삽입되는 오목부를 지립면에 가져도 된다. 탄성 지석(30)의 중심축은 적층체(10A)의 주면에 대하여 수직이 되고, 탄성 지석(30)의 중심축 상에 회전축이 배치된다. 탄성 지석(30)은, 그 중심축을 중심으로 회전됨과 함께 적층체(10A)의 외주를 따라 상대적으로 이동되어, 적층체(10A)의 지석(20)에 의해 연삭된 부분을 연삭한다. 탄성 지석(30) 및 적층체(10A)가 상대적으로 이동될 때, 어느 한쪽이 이동되어도 되고, 양쪽이 이동되어도 된다.
탄성 지석(30)은 적층체(10A)의 주면과 수직인 방향으로 적층체(10A)에 가압되어, 적층체(10A)의 측면에 면 접촉하도록 탄성 변형된다. 탄성 지석(30)의 본드는 탄성을 갖는 재료를 포함하며, 예를 들어 페놀, 에폭시, 폴리이미드, 실리콘, 폴리우레탄, 부틸 고무, 천연 고무로부터 선택되는 적어도 1종류를 포함한다. 탄성 지석(30)의 지립은, 예를 들어 다이아몬드, CBN(Cubic boron nitride), 탄화규소, 알루미나, 가닛, 천연석(예를 들어 경석)으로부터 선택되는 적어도 1종류를 포함한다.
탄성 지석(30)은, 도 2에 도시하는 적층체(10A)의 주면과 측면의 경계부(15A, 16A)를 깎아, 도 3에 도시하는 모따기부(15B, 16B)를 작성한다. 모따기부(15B, 16B)는 둥그스름한 곡면이어도 된다.
그런데, 본 실시 형태에서는, 연삭 공정에서 사용되는 지석(20)이 연삭 홈을 지립면에 갖지 않는다. 이 지립면에는 요철이 없다. 따라서, 종래와 같이 지석이 단면 V자형의 연삭 홈을 갖는 경우와 달리, 연삭 공정에 의해 얻어지는 적층체(10A)의 측면이 적층체(10A)의 주면을 대하여 수직이 되어, 적층체(10A)의 측면과 주면의 경계부(15A, 16A)보다 외측으로 돌출된 부분이 없다. 그로 인해, 모따기 공정에 있어서 경계부(15A, 16A)에 응력이 집중되기 쉬워, 경계부(15A, 16A)가 탄성 지석(30)에 의해 집중적으로 깎여지기 쉽다. 연삭 공정에 의해 경계부(15A, 16A)에 형성된 크랙을 효율적으로 제거할 수 있어, 모따기 공정에 의해 얻어지는 적층체(10B)의 강도가 향상된다.
또한, 지석(20)이 연삭 홈을 갖지 않음으로써 별도의 효과가 얻어진다. 예를 들어, 본 실시 형태에 따르면, 연삭 공정에 있어서 유리 기판 및 지지판이 유기막 근방에 있어서 절결되기 어려워, 절결 조각에 의한 메타 본드 지석의 손상을 제한할 수 있다. 종래와 같이 단면 V자형의 연삭 홈이 존재하면, 연삭 공정에 있어서 유리 기판 및 지지판의 적어도 한쪽이 첨예화하여, 재료가 상이한 유기막 근방에 있어서 절결되기 쉽다. 또한, 그 절결 조각에 의해 지석이 손상되기 쉽다. 또한, 본 실시 형태에 따르면, 연삭 홈이 없는 만큼 지석의 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한, 지석(20)이 연삭 홈을 갖지 않기 때문에, 지석(20)과 적층체(10)의 상대적인 누적 이동 거리에 따라 지석(20)과 적층체(10)의 적층체(10)의 주면에 대하여 수직인 방향(도 2에 있어서 상하 방향)에서의 상대 위치가 변경되어도 된다. 이 변경은 1매 이상의 적층체(10)를 연삭하는 연삭 공정에 있어서 행해진다. 예를 들어, 이 변경은 소정 매수의 적층체(10)를 가공할 때마다 행해진다. 이 변경 전후에서, 얻어지는 적층체(10A)의 형상은 변함이 없다. 지석(20)에 연삭 홈이 존재하지 않기 때문이다. 이 변경에 의해, 지석(20)에서의 적층체(10)와의 접촉 위치가 변경되어, 지석(20)의 편마모를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 지석(20)과 적층체(10)의 상대 위치의 변경을, 하나의 적층체(10)의 가공 후이며 별도의 적층체(10)의 가공 전에 행하지만, 하나의 적층체(10)의 가공 도중에 행해도 된다. 지석(20)과 적층체(10)의 상대적인 누적 이동 거리의 기산시는 지석(20)의 사용 개시시여도 되고, 유저가 지정한 시점이어도 된다.
모따기 공정에 의해 얻어지는 적층체(10B)는, 가공 전의 적층체(10)와 마찬가지로 유리 기판(11B) 및 보강판(12B)을 갖는다. 이 보강판(12B)은 가공 전의 보강판(12)과 마찬가지로 유기막(13B) 및 지지판(14B)을 갖는다.
본 실시 형태에서는, 모따기 공정에서 사용되는 탄성 지석(30)이 유기막(13B)을 선택적으로 깎는다. 유기막(13B)은 유리 기판(11B) 및 지지판(14B)보다 부드러워 선택적으로 깎여진다. 도 15에 도시한 바와 같이, 유리 기판(11B)을 깎는 지립(30a-1) 및 지지판(14B)을 깎는 지립(30a-2)이 되돌아오는 데 반해, 유기막(13B)을 깎는 지립(30a-3)은 유기막(13B)에 들어간다. 이것은 탄성 지석(30)의 탄성 변형에 의해 가능하다. 이와 같이, 탄성 지석(30)의 탄성 변형에 의해 탄성 지석(30)의 지립(30a-3)이 유리 기판(11B)과 지지판(14B)의 사이에 들어간다. 그 결과, 유리 기판(11B)에서의 유기막(13B)측의 주면과 측면의 경계부에 모따기부(18B)가 형성되고, 지지판(14B)에서의 유기막(13B)측의 주면과 측면의 경계부에 모따기부(19B)가 형성된다. 모따기부(18B, 19B)는 둥그스름한 곡면이어도 된다.
모따기부(18B, 19B)끼리의 사이의 간극은 외측을 향하여 확대 개방된다. 그로 인해, 후술하는 박리 공정에 있어서 모따기부(18B, 19B)끼리의 사이에 외측으로부터 칼날끝이 삽입되기 쉽다. 칼날끝을 삽입함으로써 유리 기판(11B)과 지지판(14B)이 떨어져, 결합력이 낮은 유리 기판(11B)과 유기막(13B)의 사이에 박리 기점이 형성된다.
모따기부(18B, 19B)가 형성되기 때문에, 연삭 공정에 있어서 유리 기판(11A)의 경계부(18A) 및 지지판(14A)의 경계부(19A)에 발생할 수 있는 크랙이나 칩핑을 모따기 공정에 있어서 제거할 수 있다. 이에 의해, 모따기 공정에 의해 얻어지는 유리 기판(11B)의 단부면 강도나 지지판(14B)의 단부면 강도가 향상되어, 박리 조작시에 유리 기판(11B)의 파손이나 지지판(14B)의 파손을 억제할 수 있다.
이어서, 상기 가공 방법에 의해 얻어지는 적층체(10B)를 사용한 전자 디바이스의 제조 방법에 대하여 설명한다. 전자 디바이스의 제조 방법은, 적층체(10B)의 유리 기판(11B) 상에 기능막을 형성하는 공정과, 기능막을 형성한 유리 기판(11B)과 보강판(12B)을 박리하는 공정을 갖는다. 이하, 구체예에 대하여 설명한다.
액정 디스플레이의 제조 방법은, 예를 들어 TFT 기판 제작 공정(도 4 참조), CF 기판 제작 공정(도 5 참조), 조립 공정(도 6 참조) 및 박리 공정(도 7 참조)을 갖는다.
TFT 기판 제작 공정에서는, 도 4에 도시한 바와 같이 적층체(10B)의 유리 기판(11B) 상에 박막 트랜지스터(TFT)(41) 등을 형성하여 TFT 기판(42)을 제작한다. TFT 기판(42)은 유리 기판(11B) 및 박막 트랜지스터(41) 등을 포함한다. TFT 기판(42)의 제작 방법은 일반적인 것이므로, 설명을 생략한다.
CF 기판 제작 공정에서는, 도 5에 도시한 바와 같이 별도의 적층체(10B)의 유리 기판(11B) 상에 컬러 필터(43) 등을 형성하여 CF 기판(44)을 제작한다. CF 기판(44)은 유리 기판(11B) 및 컬러 필터(43) 등을 포함한다. CF 기판(44)의 제작 방법은 일반적인 것이므로, 설명을 생략한다.
조립 공정은, 도 6에 도시한 바와 같이 TFT 기판(42)과 CF 기판(44)의 사이에 액정재(45)를 밀봉하는 공정을 갖는다. TFT 기판(42)과 CF 기판(44)의 사이에 액정재(45)를 주입하는 방법은 감압 주입법, 적하 주입법의 어느 것이어도 된다.
박리 공정에서는, 도 7에 도시한 바와 같이 유리 기판(11B)과 보강판(12B)을 박리한다. 유리 기판(11B)은 액정 디스플레이의 일부가 되고, 보강판(12B)은 액정 디스플레이의 일부가 되지 않는다. 박리 공정은, 본 실시 형태에서는 조립 공정 후에 행해지지만, TFT 기판 제작 공정 및 CF 기판 제작 공정의 후이면 되며, 조립 공정 전 또는 조립 공정의 도중에 행해져도 된다.
또한, 본 실시 형태에서는 박막 트랜지스터(41) 및 컬러 필터(43)를 각각 별도의 적층체(10B)의 유리 기판(11B) 상에 형성하였지만, 어느 하나를 단판의 유리 기판 상에 형성해도 된다.
유기 EL 디스플레이(OLED)의 제조 방법은, 예를 들어 유기 EL 소자 형성 공정(도 8 참조), 접합 공정(도 9 참조) 및 박리 공정(도 10 참조)을 갖는다.
유기 EL 소자 형성 공정에서는, 도 8에 도시한 바와 같이 적층체(10B)의 유리 기판(11B) 상에 유기 EL 소자(51)를 형성한다. 유기 EL 소자(51)는, 예를 들어 투명 전극층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등을 포함한다. 유기 EL 소자(51)의 형성 방법은 일반적인 방법이므로, 설명을 생략한다.
접합 공정에서는, 도 9에 도시한 바와 같이 유기 EL 소자(51)가 형성된 유리 기판(11B)과 대향 기판(52)을 접합한다.
박리 공정에서는, 도 10에 도시한 바와 같이 유리 기판(11B)과 보강판(12B)을 박리한다. 유리 기판(11B)은 유기 EL 디스플레이의 일부가 되고, 보강판(12B)은 유기 EL 디스플레이의 일부가 되지 않는다. 박리 공정은, 본 실시 형태에서는 접합 공정 후에 행해지지만, 유기 EL 소자 형성 공정 후에 행해지면 되며, 접합 공정 전 또는 접합 공정의 도중에 행해져도 된다.
태양 전지의 제조 방법은, 태양 전지 소자 형성 공정(도 11 참조) 및 박리 공정(도 12 참조)을 갖는다.
태양 전지 소자 형성 공정에서는, 도 11에 도시한 바와 같이 적층체(10B)의 유리 기판(11B) 상에 태양 전지 소자(61)를 형성한다. 태양 전지 소자(61)는, 예를 들어 투명 전극층, 반도체층 등을 포함한다. 태양 전지 소자(61)의 형성 방법은 일반적인 방법이므로, 설명을 생략한다.
박리 공정에서는, 도 12에 도시한 바와 같이 유리 기판(11B)과 보강판(12B)을 박리한다. 유리 기판(11B)은 태양 전지의 일부가 되고, 보강판(12B)은 태양 전지의 일부가 되지 않는다. 박리 공정은 태양 전지 소자 형성 공정 후에 행해져도 된다.
[제2 실시 형태]
제2 실시 형태의 적층체의 가공 방법은, 지석이 원뿔대형이라고 하는 점에서, 상기 제1 실시 형태의 적층체의 가공 방법과는 상이하다. 이하, 상이점을 중심으로 설명한다.
적층체(10)의 가공 방법은 연삭 공정(도 13 참조)과 모따기 공정(도 14 참조)을 갖는다.
연삭 공정에서는, 지석(120)에 의해 적층체(10)의 외주의 적어도 일부를 연삭하여 적층체(110A)를 얻는다. 도 13에 도시하는 적층체(110A)는, 도 1에 도시하는 적층체(10)를 지석(120)에 의해 연삭한 것이다.
지석(120)은 원뿔대형이며, 외주에 적층체(10)를 연삭하는 지립면을 갖는다. 지석(120)의 중심축은 예를 들어 적층체(10)의 주면에 대하여 수직이 되고, 지석(120)의 중심축 상에 회전축이 배치된다. 지석(120)은, 그 중심축을 중심으로 회전됨과 함께 적층체(10)의 외주를 따라 상대적으로 이동되어, 적층체(10)의 외주의 적어도 일부를 연삭한다.
연삭 공정에 의해 얻어지는 적층체(110A)는, 가공 전의 적층체(10)와 마찬가지로 유리 기판(111A) 및 보강판(112A)을 갖는다. 이 보강판(112A)은, 가공 전의 보강판(12)과 마찬가지로 유기막(113A) 및 지지판(114A)을 갖는다.
유리 기판(111A)의 측면, 유기막(113A)의 측면 및 지지판(114A)의 측면은 지석(120)에 의해 동일 높이의 면이 되고, 적층체(110A)의 측면은 적층체(110A)의 주면에 대하여 비스듬하게 된다. 지지판(114A)은 유리 기판(111A)보다 외측으로 돌출되어, 유리 기판(111A)의 측면을 보호한다. 적층체(110A)의 주면에 대하여 수직인 위치 결정 핀 등의 물체가 적층체(110A)의 측면에 닿을 때, 지지판(114A)의 측면에 물체가 닿고, 유리 기판(111A)의 측면에는 물체가 닿지 않는다. 따라서, 제품의 일부가 되는 유리 기판(111A)의 파손을 방지할 수 있다.
연삭 공정에 있어서, 적층체(110A)의 주면과 측면의 경계부(115A, 116A)에는 크랙이 발생하기 쉽다. 경계부(115A, 116A) 중 첨예화되는 경계부에 있어서, 크랙이 보다 발생하기 쉽다. 본 실시 형태에서는 지지판(114A)의 주면과 측면의 경계부(116A)가 첨예화되어, 경계부(116A)에 있어서 크랙이 보다 발생하기 쉽다.
모따기 공정에서는, 적층체(110A)의 지석(120)에 의해 연삭된 부분을 탄성 지석(130)에 의해 모따기하여 적층체(110B)를 얻는다. 도 14에 도시하는 적층체(110B)는, 도 13에 도시하는 적층체(110A)를 탄성 지석(130)에 의해 모따기한 것이다.
탄성 지석(130)은 그 형상이 원뿔대형인 점을 제외하고, 도 3에 도시하는 탄성 지석(30)과 마찬가지로 구성된다. 또한, 탄성 지석(130)은 원기둥형이어도 된다. 탄성 지석(130)은 적층체(110A)의 주면과 수직인 방향으로 적층체(110A)에 가압되어, 적층체(110A)의 측면에 면 접촉하도록 탄성 변형된다.
탄성 지석(130)은, 도 13에 도시하는 적층체(110A)의 주면과 측면의 경계부(115A, 116A)를 깎아, 도 14에 도시하는 모따기부(115B, 116B)를 작성한다. 모따기부(115B, 116B)는 둥그스름한 곡면이어도 된다.
본 실시 형태에서는, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로 지석(120)이 연삭 홈을 지립면에 갖지 않는다. 이 지립면에는 요철이 없다. 따라서, 종래와 같이 지석이 단면 V자형의 연삭 홈을 갖는 경우와 달리, 연삭 공정에 의해 얻어지는 적층체(110A)의 측면이 적층체(110A)의 주면에 대하여 비스듬하게 된다. 그로 인해, 적층체(110A)의 측면과 주면의 경계부(115A, 116A) 중 한쪽(본 실시 형태에서는 경계부(116A))보다 외측으로 돌출된 부분이 없다. 따라서, 모따기 공정에 있어서 상기 한쪽 경계부(116A)에 응력이 집중되기 쉬워, 상기 한쪽 경계부(116A)가 탄성 지석(130)에 의해 집중적으로 깎여지기 쉽다. 연삭 공정에 의해 경계부(116A)에 형성된 크랙을 효율적으로 제거할 수 있어, 모따기 공정에 의해 얻어지는 적층체(110B)의 강도가 향상된다.
또한, 지석(120)이 연삭 홈을 갖지 않음으로써 별도의 효과가 얻어진다. 예를 들어, 연삭 홈이 없는 만큼 지석의 제조 비용을 저감할 수 있다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로 지석(120)과 적층체(110)의 상대적인 누적 이동 거리에 따라, 지석(120)과 적층체(110)와의 적층체(110)의 주면에 대하여 수직인 방향(도 13에 있어서 상하 방향)에서의 상대 위치를 변경할 수 있다. 그 결과, 지석(120)의 편마모를 방지할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는 지석(120)과 적층체(110)가 접촉하도록 적층체(110)의 주면과 수직인 방향과는 별도의 방향(도 13에 있어서 좌우 방향)에서의 지석(120)과 적층체(110)의 상대 위치도 동시에 변경된다.
모따기 공정에 의해 얻어지는 적층체(110B)는, 가공 전의 적층체(10)와 마찬가지로 유리 기판(111B) 및 보강판(112B)을 갖는다. 이 보강판(112B)은, 가공 전의 보강판(12)과 마찬가지로 유기막(113B) 및 지지판(114B)을 갖는다. 지지판(114B)은 유리 기판(111B)보다 외측으로 돌출되어, 유리 기판(111B)의 측면을 보호한다. 적층체(110B)의 주면에 대하여 수직인 위치 결정 핀 등의 물체가 적층체(110B)의 측면에 닿을 때, 지지판(114B)의 측면에 물체가 닿고, 유리 기판(111B)의 측면에는 물체가 닿지 않는다. 따라서, 제품의 일부가 되는 유리 기판(111B)의 파손을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서도, 제1 실시 형태와 마찬가지로 탄성 지석(130)의 탄성 변형에 의해 탄성 지석(130)의 지립이 유리 기판(111B)과 지지판(114B)의 사이에 들어간다. 그 결과, 유리 기판(111B)에서의 유기막(113B)측의 주면과 측면의 경계부에 모따기부(118B)가 형성되고, 지지판(114B)에서의 유기막(113B)측의 주면과 측면의 경계부에 모따기부(119B)가 형성된다. 모따기부(118B, 119B)는 둥그스름한 곡면이어도 된다.
모따기부(118B, 119B)끼리의 사이의 간극은 외측을 향하여 확대 개방된다. 그로 인해, 박리 공정에 있어서 모따기부(118B, 119B)끼리의 사이에 외측으로부터 칼날끝이 삽입되기 쉽다. 칼날끝의 삽입에 의해, 결합력이 낮은 유리 기판(111B)과 유기막(113B)의 사이에 박리 기점이 형성된다.
모따기부(118B, 119B)가 형성되기 때문에, 연삭 공정에 있어서 유리 기판(111A)의 경계부(118A) 및 지지판(114A)의 경계부(119A)에 발생할 수 있는 크랙이나 칩핑을 모따기 공정에 있어서 제거할 수 있다. 이에 의해, 모따기 공정에 의해 얻어지는 유리 기판(111B)의 단부면 강도나 지지판(114B)의 단부면 강도가 향상되어, 박리 조작시에 유리 기판(111B)의 파손이나 지지판(114B)의 파손을 억제할 수 있다.
상기 가공 방법에 의해 얻어지는 적층체(110B)는, 도 3에 도시하는 적층체(10B)와 마찬가지로 전자 디바이스의 제조에 사용된다.
이상, 적층체의 가공 방법 등의 실시 형태를 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태 등에 한정되지 않고, 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서 다양한 변형, 개량이 가능하다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는 보강판의 중간막으로서 유기막이 사용되지만, 무기막이 사용되어도 된다. 무기막은, 예를 들어 메탈실리사이드, 질화물, 탄화물 및 탄질화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함한다.
메탈실리사이드는, 예를 들어 W, Fe, Mn, Mg, Mo, Cr, Ru, Re, Co, Ni, Ta, Ti, Zr 및 Ba로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이며, 바람직하게는 텅스텐 실리사이드이다.
질화물은, 예를 들어 Si, Hf, Zr, Ta, Ti, Nb, Na, Co, Al, Zn, Pb, Mg, Sn, In, B, Cr, Mo 및 Ba로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이며, 바람직하게는 질화알루미늄, 질화티타늄 또는 질화규소이다.
탄화물은, 예를 들어 Ti, W, Si, Zr 및 Nb로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이며, 바람직하게는 탄화규소이다.
탄질화물은, 예를 들어 Ti, W, Si, Zr 및 Nb로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이며, 바람직하게는 탄질화규소이다.
메탈실리사이드, 질화물, 탄화물 및 탄질화물은, 그 재료에 포함되는 Si, N 또는 C와, 그 재료에 포함되는 다른 원소와의 사이의 전기 음성도의 차가 작고, 분극이 작다. 그로 인해, 무기막과 물의 반응성이 낮아 무기막의 표면에 수산기가 발생하기 어렵다. 따라서, 무기막과 유리 기판의 이형성이 양호하게 유지된다.
중간막으로서의 무기막은 유리 기판이나 지지판보다 부드러운 것이 바람직하다. 모따기 공정에 있어서 무기막이 선택적으로 깎여져, 유리 기판에서의 무기막측의 주면과 측면의 경계부, 및 지지판에서의 무기막측의 주면과 측면의 경계부를 모따기할 수 있다. 또한, 중간막으로서의 무기막이 유리 기판이나 지지판보다 무른 경우에도 마찬가지 효과가 얻어진다.
또한, 상기 실시 형태의 보강판은 중간막과 지지판을 갖지만, 중간막은 없어도 된다. 예를 들어, 보강판은 유리판만으로 구성되며, 보강판으로서의 유리판과 유리 기판(11)이 직접 접촉하여도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는 기판으로서 유리 기판이 사용되지만, 세라믹 기판, 수지 기판, 금속 기판 등이 사용되어도 된다. 마찬가지로, 상기 실시 형태에서는 지지판으로서 유리판이 사용되지만, 세라믹판, 수지판, 금속판 등이 사용되어도 된다.
또한, 상기 실시 형태의 모따기 공정에 제공되는 적층체는, 연삭 홈이 없는 지석에 의해 연삭된 것이지만, 연삭 홈을 갖는 지석에 의해 연삭된 것이어도 되고, 절단기에 의해 절단된 것이어도 된다. 어느 경우든, 모따기 공정에 있어서, 기판에서의 중간막측의 주면과 측면의 경계부, 및 지지판에서의 중간막측의 주면과 측면의 경계부를 모따기할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태의 연삭 공정은 모따기 공정 전에 행해지는 것이지만, 모따기 공정을 전제로 하지 않는 것이어도 된다. 연삭 홈이 없는 지석과 판상체의 상대적인 누적 이동 거리에 따라, 지석과 판상체와의 판상체의 주면과 수직인 방향에서의 상대 위치를 변경하면, 지석의 편마모를 억제할 수 있다.
또한, 도 2에 도시하는 지석(20)의 중심축은, 적층체(10)의 주면에 대하여 수직이 되지만, 비스듬하게 되어도 된다. 이 경우, 도 13에 도시하는 적층체(110A)와 동일한 형상의 것이 연삭 공정에 의해 얻어진다. 또한, 이 경우, 지석(20)과 적층체(10)의 상대적인 누적 이동 거리에 따라, 지석(20)과 적층체(10)와의 적층체(10)의 주면에 대하여 수직인 방향에서의 상대 위치가 변경되어도 된다. 지석(20)의 편마모를 방지할 수 있다. 또한, 이 경우, 지석(20)과 적층체(10)가 접촉하도록, 제2 실시 형태와 마찬가지로 적층체(10)의 주면에 대하여 수직인 방향과는 다른 방향에서의 지석(20)과 적층체(10)의 상대 위치도 동시에 변경된다.
본 출원은 2013년 8월 7일에 출원된 일본 특허 출원 제2013-164252호에 기초하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.
10, 10A, 10B: 적층체
11, 11A, 11B: 유리 기판
12, 12A, 12B: 보강판
13, 13A, 13B: 유기막
14, 14A, 14B: 지지판
18A, 19A: 경계부
18B, 19B: 모따기부
20: 지석
30: 탄성 지석
30a-1, 30a-2, 30a-3: 지립

Claims (9)

  1. 금속의 본드 또는 세라믹의 본드를 포함하는 지석에 의해 판상체의 외주의 적어도 일부를 연삭하는 연삭 공정과,
    상기 판상체의 상기 지석에 의해 연삭된 부분을 탄성 지석에 의해 모따기하는 모따기 공정을 가지며,
    상기 지석은 원기둥형 또는 원뿔대형이고, 외주에 판상체를 연삭하는 지립면을 가지며, 상기 지립면에 연삭 홈을 갖지 않는, 판상체의 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 판상체는, 기판 및 상기 기판과 박리 가능하게 결합하는 보강판을 갖는 적층체인, 판상체의 가공 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 보강판은, 상기 기판과 박리 가능하게 결합하는 중간막, 및 상기 중간막을 개재하여 상기 기판을 지지하는 지지판을 갖는, 판상체의 가공 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 모따기 공정에 있어서, 상기 탄성 지석의 탄성 변형에 의해 상기 탄성 지석의 지립이 상기 기판과 상기 지지판의 사이에 들어감으로써, 상기 기판에서의 상기 중간막측의 주면과 측면의 경계부, 및 상기 지지판에서의 상기 중간막측의 주면과 측면의 경계부가 모따기되는, 판상체의 가공 방법.
  5. 판상체의 외주의 적어도 일부를 탄성 지석에 의해 모따기하는 모따기 공정을 갖는 판상체의 가공 방법이며,
    상기 판상체는, 기판 및 상기 기판과 박리 가능하게 결합하는 보강판을 갖는 적층체이고,
    상기 보강판은, 상기 기판과 박리 가능하게 결합하는 중간막, 및 상기 중간막을 개재하여 상기 기판을 지지하는 지지판을 갖고,
    상기 모따기 공정에 있어서, 상기 탄성 지석의 탄성 변형에 의해 상기 탄성 지석의 지립이 상기 기판과 상기 지지판의 사이에 들어감으로써, 상기 기판에서의 상기 중간막측의 주면과 측면의 경계부, 및 상기 지지판에서의 상기 중간막측의 주면과 측면의 경계부가 모따기되는, 판상체의 가공 방법.
  6. 금속의 본드 또는 세라믹의 본드를 포함하는 지석에 의해 1매 이상의 판상체의 외주의 적어도 일부를 연삭하는 연삭 공정을 갖는 판상체의 가공 방법이며,
    상기 지석은 원기둥형 또는 원뿔대형이고, 외주에 판상체를 연삭하는 지립면을 가지며, 상기 지립면에 연삭 홈을 갖지 않고, 상기 연삭 공정에 있어서, 상기 판상체의 주면에 대하여 수직 또는 비스듬한 회전축을 중심으로 회전됨과 함께 상기 판상체의 외주를 따라 상대적으로 이동되고,
    상대적인 누적 이동 거리에 따라, 상기 지석과 상기 판상체와의 상기 판상체의 주면에 대하여 수직인 방향에서의 상대 위치가 변경되는, 판상체의 가공 방법.
  7. 제4항 또는 제5항에 기재된 가공 방법에 의해 가공된 적층체의 기판 상에 기능막을 형성하는 공정과,
    상기 기능막이 형성된 상기 기판과 상기 보강판을 박리하는 공정을 갖는, 전자 디바이스의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전자 디바이스는 화상 표시 장치인, 전자 디바이스의 제조 방법.
  9. 기판 및 상기 기판과 박리 가능하게 결합한 보강판을 갖는 적층체이며,
    상기 보강판은, 상기 기판과 박리 가능하게 결합하는 중간막, 및 상기 중간막을 개재하여 상기 기판을 지지하는 지지판을 갖고,
    상기 적층체는, 상기 기판에서의 상기 중간막측의 주면과 측면의 경계부, 및 상기 지지판에서의 상기 중간막측의 주면과 측면의 경계부에 각각 모따기부를 갖는, 적층체.
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